【課題】電界効果トランジスタの特性に精度よくフィッティングし、従来のシリコン系の複雑な電流モデル式に比べて簡便な電流モデル作成方法を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタのドレイン電流のシミュレーションに用いられる電流モデルを実測の電流-電圧特性データから求めるための電流モデル作成方法であって、電流モデルは、ドレイン電流の主要部となる第１の電流項、ドレイン電流の立ち上がりに関する第２の電流項、およびリーク電流に関する第３の電流項の３つの電流項の和からなるものである。 （もっと読む）

【課題】過剰評価,過剰品質を招かない適正なレベルでのシミュレーションの実現。
【解決手段】トランジスタのドレイン端子,ソース端子,および基板端子のうちの少なくとも１端子のバイアス条件を他の端子と独立したバイアス条件として設定したうえで、設定したバイアス条件において前記トランジスタのモデルパラメータを変化させてなる、半導体集積回路におけるトランジスタのＢＴ劣化のシミュレーションモデル。 （もっと読む）

【課題】数千個以上の原子集団を扱う大規模系の分子動力学シミュレーションにおいて、多元素が混在する複雑な組成を有する物質の、共有結合の組み換えを伴う構造変化を、効率的に再現しつつ、各原子の配位状態に依存した構造エネルギー変化を忠実に再現する。
【解決手段】共有結合部位を決定する役割を持つ内部自由度を持った原子モデルを用いて、原子核座標と内部自由度を併せた拡張力学系の運動を古典分子動力学法で計算する。これにより、共有結合のような方位依存性のある引力相互作用の発現を明示しつつ、その滑らかな繋ぎ換えを表現する。この方法で明示される原子間結合の所在から各原子の配位状態を判定し、その配位状態に応じて異なるポテンシャル定数を採用することにより、従来法では不可能であった、動的に変化する配位状態に依存する構造エネルギー変化を忠実に再現する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のシミュレーション方法において、デバイス構造を２次元化したとしても、電気的特性を高速かつ収束性良く計算することを目的とする。
【解決手段】２次元構造の半導体装置の電界分布を求めるシミュレーションを行うに際し、（１）各領域４１〜４３の境界層となる絶縁膜１１、絶縁層３０を独立した物質として定義し、（２）絶縁膜１１、絶縁層３０の属性としてγ1、γ２、γ３というパラメータ（補正係数γ）を設定し、（３）電界分布の計算に対して、部位ごとに例えば実容量が正しくなるようパラメータγ１、γ２、γ３を反映する。 （もっと読む）

【課題】新たなモデルパラメータを用いたデバイスモデリングを行い、回路シミュレーションの精度の向上を図る。
【解決手段】飽和電流値の変化率ΔＩｄｓａｔ／Ｉｄｓａｔが、ゲート突き出し長Ｅ１とトランジスタのゲート幅Ｗｇに係数掛けした値に反比例することを表す式をモデル式とし、ゲート突き出し長に依存したトランジスタ特性についてモデリングを行う。これにより、ゲート電極のゲート突き出し長を考慮した回路シミュレーションを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタのチャネル形成領域におけるポテンシャル分布の変化に起因する閾値電圧の変化を反映させて動作解析を行うためのトランジスタモデルを用いたシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタのチャネル形成領域におけるポテンシャル分布の変化に起因する閾値電圧の変化を反映させて動作解析を行うためのトランジスタモデル１０を用いたシミュレーション方法であって、
（１）チャネル形成領域におけるポテンシャル分布の変化とチャネル形成領域における局在準位によって捕獲／放出されるキャリアとの関係を反映するように規定された閾値電圧計算用モデル２０によって得られる値に基づいて閾値電圧変化量を計算し、
（２）該閾値電圧変化量に基づいて閾値電圧の値を補正し、
（３）該補正された閾値電圧の値に基づいてトランジスタモデル１０から成る回路モデルの動作を解析する。 （もっと読む）

【課題】欠陥準位を取り込んだ物理モデルに基づき、比較的短時間で高精度な回路解析を行うことができるシミュレーション装置を提供する。
【解決手段】入力装置１１、記憶装置１２、演算装置１６、制御装置１５及び出力装置１７を備えるシミュレーション装置が開示されている。入力装置から入力されたＴＦＴにおけるゲート電極端に対応する多結晶シリコン薄膜のゲート電極側表面のソース領域端の第１電位φ_Ｓ０、多結晶シリコン薄膜におけるゲート電極が形成された表面に対向する裏面側のソース領域端の第２電位φ_ｂ０、ＴＦＴにおけるゲート電極端に対応する多結晶シリコン薄膜のゲート電極側表面のドレイン領域端の第３電位φ_ＳＬ、及び多結晶シリコン薄膜におけるゲート電極が形成された表面に対向する裏面側の前記ドレイン領域端の第４電位φ_ｂＬに基づいて演算を行ってドレイン電流Ｉ_ｄｓを算出し、欠陥準位を含めてモデル化する。 （もっと読む）

【課題】新規開発デバイスの特性シミュレーションを高い精度で行うこと。
【解決手段】新規開発デバイスと構造や特性が近い既存デバイスモデルを用いてパラメータを補正しながらシミュレーションを行い、シミュレーションによる電極間容量が測定データと同等であると判定されたデバイスモデルに対して、その電流源モデルを測定データに基づいて作成した電流源モデルで入れ替え、電流源モデルを入れ替えたデバイスモデルを用いて特性のシミュレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】精度の高いモンテカルロ解析を実施するのに必要な、パラメータの分散を、迅速に算出可能なパラメータ算出プログラムおよびパラメータ算出方法を提供する。
【解決手段】ｍ個の特性代表値の線形和で表される代表パラメータ行列を算出し、代表パラメータ行列に誤差伝播の法則を適用することにより、ｍ個の特性代表値の各々に対応する複数の測定データのばらつきを再現するためのｎ個のパラメータのばらつきを示すパラメータ分散行列を算出する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、磁気抵抗素子の素子属性を容易に再現でき、かつ、磁気抵抗素子からなる記憶部の動作を容易に再現できる記憶部の動作を表すシミュレーション装置、その装置によるミュレーション方法及び回路設計支援方法を提供することにある。
【解決手段】
課題解決のため、本願発明は、ビット線と、磁気抵抗素子の記憶状態を出力する記憶ノードと、記憶ノードと高電位とを接続し、記憶ノードの出力に応じて抵抗値の変化する第１可変抵抗と、記憶ノードと低電位とを接続し、記憶ノードの出力に応じて抵抗値の変化する第２可変抵抗と、記憶ノードと高電位とを接続し、ビット線の電流方向と電流値に応じて抵抗値の変化する第３可変抵抗と、記憶ノードと低電位電源とを接続し、ビット線の電流方向と電流値に応じて抵抗値の変化する第４可変抵抗と、を有することを特徴とする磁気抵抗素子のシミュレーション装置を提供する。 （もっと読む）