【課題】閾値電圧のばらつきを低減できる炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１０は、基板１１と、基板１１上に設けられ、主表面１３Ａと、主表面１３Ａと交差する厚さ方向とを有する炭化珪素層４とを含む。炭化珪素層４は、チャネル層７と、ソース領域１５と、ドレイン領域１７と、ソース領域１５とドレイン領域１７との間において、ゲート領域１６Ｒとを含む。ゲート領域１６Ｒはチャネル層７に対して、第１の導電型と異なる第２の導電型を有するようにエピタキシャル成長されている。 （もっと読む）

【解決手段】化学センサは、第１のトランジスタと第２のトランジスタとを備える電子機器である。第１のトランジスタは、第１の半導体とカーボンナノチューブとから作られる半導体を備えている。第２のトランジスタは、第２の半導体から作られる半導体層を備えており、カーボンナノチューブは含んでいない。この２種類のトランジスタは、化学化合物への応答という点で異なっており、その応答の差を利用し、特定の化学化合物の属性を決定することができる。
【効果】この化学センサは、爆発性化合物、例えば、トリニトロトルエン（ＴＮＴ）の使い捨て可能なセンサとして有用であろう。この電子機器を分析器とともに使用し、分析器は、電子機器によって作られた情報を処理する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス構造及び高電圧トランジスタを作製するためのプロセスに関する。
【解決手段】一実施形態として、半導体ダイ上に作製されたトランジスタは、半導体ダイの第１エリアに配置されたトランジスタセグメントの第１セクションと、半導体ダイの第１エリアに隣接した第２エリアに配置されたトランジスタセグメントの第２セクションとを含む。第１及び第２セクション内のトランジスタセグメントの各々は、垂直方向に延びる半導体材料のピラーを含む。第１及び第２誘電領域がピラーの両側に配置される。第１及び第２フィールドプレートが第１及び第２誘電領域にそれぞれ配置される。第１及び第２セクションに隣接するトランジスタセグメントの外側フィールドプレートは分離されるか又は部分的に併合される。この要約は、サーチャ又は他の閲覧者が本開示の対象を迅速に調査できるようになる要約を必要とする規則に適合するように提供された。 （もっと読む）

【課題】選択された物理的寸法、形状、組成、及び、空間的配置を有する高品質印刷可能半導体素子の製造、転写、組み立てのための高歩留りの経路を与える。
【解決手段】大面積基板及び／又はフレキシブル基板を含む基板上へのミクロサイズ及び／又はナノサイズの半導体構造の配列の高精度の位置合わせ転写及び集積を行なう。また、バルクシリコンウエハ等の低コストバルク材料から印刷可能半導体素子を形成する方法、及び、広範囲の機能的な半導体デバイスを形成するための多目的で商業的に魅力的な印刷ベースの製造ブラットフォームを可能にするスマート材料処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤセンサーの出力が微弱であっても高速で動作可能である。
【解決手段】非常に微細なナノワイヤ素子からなるナノワイヤセンサー素子４を含むナノワイヤセンサーの出力を、非常に微細なナノワイヤ素子からなるナノワイヤ増幅素子５およびナノワイヤ抵抗素子６,７を含むナノワイヤ回路で直接受ける。こうして、出力を増幅するためのナノワイヤ増幅素子５やナノワイヤセンサー素子４からナノワイヤ増幅素子５までの配線１２が持つ寄生容量を非常に小さくして、出力が微弱なナノワイヤセンサー素子４を備えていても、電子デバイス１を高速に動作させる。 （もっと読む）

【課題】ゲート領域近傍のチャネル部分の抵抗を低減することにより、従来よりも特性オン抵抗が低い炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置は、基板１１と、基板１１上に設けられ、主表面１３Ａと、主表面１３Ａと交差する厚さ方向とを有する炭化珪素層４とを有している。炭化珪素層４は、チャネル層１３と、ソース領域１５と、ドレイン領域１７と、ソース領域１５とドレイン領域１７との間において、厚さ方向に沿って主表面１３Ａからチャネル層１３中に突き出るように延びるゲート領域１６とを含んでいる。ゲート領域１６の対向方向に沿った寸法は、主表面１３Ａから離れるにつれて小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】第一の半導体領域の耐圧性能を向上する効果と、該第一の半導体領域とヘテロ接合を形成する第二の半導体領域端部で生じる漏れ電流を防止する効果を両立することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体基体１００と、半導体基体１００とはバンドギャップが異なる半導体材料からなり、半導体基体１００の一主面とヘテロ接合する第二導電型のヘテロ半導体領域３とを有する半導体装置において、へテロ接合面の外周部の半導体基体１００中に設けられる第二導電型の電界緩和領域５と、電界緩和領域５に全体を覆われ、かつへテロ接合面の端部に接し、電界緩和領域５の不純物濃度よりも高濃度である第二導電型のパンチスルー防止領域４とを有し、へテロ半導体領域３とパンチスルー防止領域４がオーミック接続している。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子として利用される高耐圧かつ低オン抵抗な半導体装置を安価に提供する。
【解決手段】第１導電型の不純物を含有し、互いに対向する第１の主面と第２の主面とを有する半導体基板と、第２導電型の不純物を第１の濃度で含有し、前記半導体基板の前記第１の主面に露出するように形成された第１の拡散領域と、前記第２導電型の不純物を前記第１の濃度よりも高い第２の濃度で含有し、前記半導体基板の前記第１の主面に露出するように前記第１の拡散領域の側方に形成された第２の拡散領域と、前記第１導電型の不純物を含有し、前記半導体基板の前記第１の主面に露出するように前記第１の拡散領域の上方に形成された第３の拡散領域と、前記第２の拡散領域と絶縁膜を介して対向する制御電極と、を備え、前記第１の拡散領域と前記第２の拡散領域とは、前記制御電極に印加される電圧に応じて制御される電流の主経路を形成する。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びその製造方法に係り、該高電子移動度トランジスタは、基板と、基板から離隔された位置に備わった高電子移動度トランジスタ積層物と、基板と高電子移動度トランジスタ積層物との間に位置した疑似絶縁層と、を含み、該疑似絶縁層は、異なる相の少なくとも２つの物質を含む。前記異なる相の少なくとも２つの物質は、固体物質と非固体物質とを含む。前記固体物質は、半導体物質であり、前記非固体物質は、空気である。 （もっと読む）

【課題】 ｐｎ接合ダイオードにおいて、逆回復時間ｔｒｒを短縮するために半導体基板（ｎ型半導体層およびｐ型半導体層）の全体に電子線を照射しライフタイムキラーを形成すると、リーク電流が増加し、逆方向電圧印加時の損失が増える問題があった。
【解決手段】 低濃度の一導電型半導体層２と高濃度の逆導電型半導体層５とによりｐｎ接合を形成する工程と、飛程距離のピーク位置が逆導電型半導体層５中に位置するように希ガスイオンを注入または照射して逆導電型半導体層５中に電荷捕獲層７を形成する工程と、逆導電型半導体層５と接続する第１電極８を形成する工程と、一導電型半導体層２と電気的に接続する第２電極１１を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）