【課題】 少ない工程数で形成でき、耐熱性に優れた温度センサを備える炭化珪素半導体装置を得る。
【解決手段】 炭化珪素基板１の活性領域ＡＲに形成された半導体素子と、活性領域ＡＲを取り囲むように炭化珪素基板１中に形成されたウエル領域５と、炭化珪素基板１上に配設される多結晶シリコンからなるゲート電極８と、ゲート電極８と同時に形成され、その一部を用いて形成した測温抵抗体１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１ドリフト領域１４０は、平面視でソース領域１１０から離間して設けられている。第１導電型の第２ドリフト領域１５０は、平面視で第１ドリフト領域１４０のうちソース領域１１０と反対側の領域に接している。第１導電型のドレイン領域１２０は、平面視で第１ドリフト領域１４０から離間しているとともに、平面視で第２ドリフト領域１５０のうち第１ドリフト領域１４０と反対側の領域に接している。チャネル領域１３０上には、ゲート絶縁層２００およびゲート電極４００が設けられている。第１フィールドプレート絶縁層３００は、半導体基板１００上に設けられ、少なくとも平面視で第１ドリフト領域１４０と第２ドリフト領域１５０の一部と重なるように設けられている。第１フィールドプレート電極４２０は、第１フィールドプレート絶縁層３００上に接している。 （もっと読む）

【課題】動作波長を長波長化し得るとともに、利得異方性を十分に低減し得る量子半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上方に形成され、格子定数が半導体基板の格子定数より大きい量子ドット２０と、量子ドットの側面に接するように半導体基板の上方に形成され、格子定数が、半導体基板の格子定数の０．７９倍〜１．００５倍の範囲内であり、量子ドットの格子定数より小さく、ヤング率が、半導体基板のヤング率より小さいサイドバリア層２２とを有している。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性と電圧降下特性のトレードオフ関係を大幅に改善するとともに、素子周縁部の耐電荷性を大きく向上させることができ、長期耐圧信頼性を向上させること。
【解決手段】超接合構造を構成するｎ型ドリフト領域１、２１、２１ａとｐ型仕切り領域２、２２、２２ａからなる並列ｐｎ層２０ａ、２０ｂ、２０ｃを備え、オフ電圧の印加時に、前記並列ｐｎ層２０ａ、２０ｂ、２０ｃが空乏化し、素子活性部１０ａ内の第１並列ｐｎ層の繰り返しピッチ幅より前記素子活性部１０ａを取り巻く環状の素子周縁部１０ｂ内の第２並列ｐｎ層の繰り返しピッチ幅が狭い構造を有し、素子周縁部１０ｂが、前記第２並列ｐｎ層の表面に低濃度のｎ型領域２３を備え、前記素子周縁部１０ｂ内の外周部のｐ型仕切り領域２２ａの深さが内周部のｐ型仕切り領域２２の深さより浅い超接合半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 無機リガンドを有する量子ドット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属カルコゲナイド化合物のヒドラジン水和物溶液を製造する段階と、第１有機リガンドを有する量子ドットの第１有機溶液を提供する段階と、金属カルコゲナイド化合物のヒドラジン水和物溶液と、第１有機リガンドを有する量子ドットの第１有機溶液とを混合し、混合溶液を形成する段階と、混合溶液を撹拌し、第１有機リガンドを有する量子ドットの第１有機リガンドを、金属カルコゲナイド化合物ヒドラジン水和物のリガンドで交換する段階と、を含む、量子ドットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高耐圧を確保できながら、逆方向リーク電流および順方向電圧を低減することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】その表面１２にショットキーメタル２２が形成されたエピタキシャル層６を備えるショットキーバリアダイオード１において、エピタキシャル層６の表面１２に沿う方向に互いに間隔を空けて配列され、それぞれが表面１２から裏面１１へ向かってエピタキシャル層６の厚さ方向に延びるｐ型ピラー層１７を形成することにより、エピタキシャル層６にスーパージャンクション構造を形成する。また、エピタキシャル層６の表面１２の近傍に、ｐ型ピラー層１７よりも不純物濃度の高い電界緩和層１９を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】周辺領域で耐圧を確保する構造において、周辺領域に電界を集中させずに耐圧を確保することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】セル領域１にはＭＯＳＦＥＴのソース電極１２が設けられ、周辺領域２においてチャージバランス変化領域２７の周囲に位置すると共に半導体基板６に電気的に接続された最外周電極２１が設けられている。また、周辺領域２には、スーパージャンクション構造の上にＰ型層７が形成され、Ｐ型層７の上に、ソース電極１２と最外周電極２１とを電気的に接続すると共にソース電極１２と最外周電極２１との間の電圧を複数段に分割する電位分割領域２３が設けられている。そして、電位分割領域２３は、その少なくとも一部が、半導体基板６の厚み方向から見て周辺領域２、好ましくはチャージバランス変化領域２７と重なっている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも４ＧＨｚの周波数で動作する場合に、４０Ｗ／ｍｍ以上の電力密度を持つ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物チャネル層１６と、ＩＩＩ族窒化物チャネル層１６の上にあるゲート電極２４と、ソース電極２０と、ドレイン電極２２と、ゲート電極２４の上にある絶縁層７２と、絶縁層７２の上にあり、ソース電極２０に電気的に連結するフィールドプレート７４、とを備えた電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】耐圧バラツキを抑制し、歩留りを向上させることが可能となる横型素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】横型ＦＷＤなどの横型素子に備えられるＳＲＦＰ２１について、の不純物濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上となるようにする。このように、横型ＦＷＤ７などに備えられるＳＲＦＰ２１について、の不純物濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上とすることにより、耐圧バラツキを抑制することが可能となり、的確に目標とする耐圧を得ることができる製品とすることが可能になる。したがって、製品の歩留りを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】第一の半導体領域の耐圧性能を向上する効果と、該第一の半導体領域とヘテロ接合を形成する第二の半導体領域端部で生じる漏れ電流を防止する効果を両立することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体基体１００と、半導体基体１００とはバンドギャップが異なる半導体材料からなり、半導体基体１００の一主面とヘテロ接合する第二導電型のヘテロ半導体領域３とを有する半導体装置において、へテロ接合面の外周部の半導体基体１００中に設けられる第二導電型の電界緩和領域５と、電界緩和領域５に全体を覆われ、かつへテロ接合面の端部に接し、電界緩和領域５の不純物濃度よりも高濃度である第二導電型のパンチスルー防止領域４とを有し、へテロ半導体領域３とパンチスルー防止領域４がオーミック接続している。 （もっと読む）