入力繰返し光パルス信号の極短光パルスのパルス幅を決定する装置は、上面分布ブラッグ反射器と下面分布ブラッグ反射器(5、6)の間に位置する活性領域(4)を有するマイクロキャビティ(3)の形態の2光子吸収検出器(2)を含む。光ファイバケーブル16が、基準繰返し光パルス信号と結合された入力光パルス信号を、検出器(2)の入射面(8)に対して垂直に誘導する。この入力光パルス信号は、偏光スプリッタ(19)で分割されて基準光パルス信号を形成し、この基準光パルス信号は、遅延線(23)を通して偏光光結合器(20)に送られて入力光パルス信号と結合され、光ファイバケーブル(16)によって入射面(8)に誘導される。遅延線(23)は、マイクロキャビティ(3)内でパルス光電流を生み出すために、入力光パルス信号と基準光パルス信号のそれぞれの光パルスを交互に互いに同相および位相外れとするように操作される。モニタリング回路 (14)がこのパルス光電流を監視し、光パルスのパルス幅が、パルス光電流トレースの半値全幅として決定される。入力および基準光パルス信号が入射面(8)に入射するときの入射角を変化させることによって、所定の波長範囲内のさまざまな波長の入力光パルス信号に合わせて装置を調整することができる。
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【課題】高AlNモル分率かつ高キャリア密度p型AlGaNを実現し、それを用いることによって高性能に紫外域の光を発光することのできるAlGaN系半導体発光素子などのAlGaN系半導体光素子を実現する。
【解決手段】 (0002)回折のX線ロッキングカーブの半値幅を800秒以下、(10-10)回折のX線ロッキングカーブの半値幅を1000秒以下、転位密度を5×10⁹cm^-2以下のいずれかを満足し、AlNモル分率が0.3よりも大きく、キャリア密度が5×10¹⁷cm^-3よりも大きなp型AlGaN層を得、このｐ型AlGaN層をp型ブロッキング層及びｐ型クラッド層の少なくとも一方に用いてAlGaN系半導体光素子を実現する。 （もっと読む）

【課題】付加的なエネルギーが電磁放射線の助けをかりて結合し得る場合における網膜インプラントのための代替物を明確にする。
【解決手段】本発明は、網膜16を入射光18の関数として機能的に電気刺激するための網膜インプラント10に関する。本発明の網膜インプラント10は、眼12の網膜16の領域に埋め込まれるように設計されている刺激チップ30を有する。本発明の網膜インプラント10はさらに、生じる不可視放射線24の関数として刺激チップ30にエネルギーを提供する放射線受信部32を含む。本発明の１つの態様によれば、放射線受信部32は、刺激チップ30から空間的に分離された様式で眼12の領域に埋め込まれるように設計されている。刺激チップ30はまた、不可視散乱放射線36、38を進入する可視光18から分離するためにデカップリング手段を有する。
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【課題】別途に回路を設けずに２期間の受光光量の差分に相当する受光出力を得る。
【解決手段】シリコン層からなる主機能層１１に絶縁層１４を介して集積電極１２と保持電極１３とが設けられる。主機能層１１は受光光量に応じた個数の電子とホールとを生成する。集積電極１２に負極性の集積電圧を印加し保持電極１３に正極性の保持電圧を印加すると、主機能層１１で生成されたホールが集積領域１１ｂに集積される。次に、集積電圧を正極性とし保持電圧を負極性にすると、集積領域１１ｂに電子が集積され、集積領域１１ｂのホールは保持領域１１ｃに移送される。さらに、集積電圧を負極性とし保持電圧を正極性の保持電圧を与えると、集積領域１１ｂの電子が保持領域に移動し、保持領域１１ｃのホールと主機能層１１で生成されたホールとが集積領域１１ｂに集積され、電子とホールとが再結合される。再結合後に残留する電子が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】 受光素子の配置の自由度を向上させることのできる光センサを得る。
【解決手段】 演算装置は、受光素子１４，１６の光の入射角度−出力特性を示す角度出力関数及び光の入射強度−出力特性を示す強度出力関数に基づいて、受光素子１４，１６の出力から光伝播角度θ及び光強度Ｌを算出する。また、受光素子１４と受光素子１６の中間位置に角度出力関数及び強度出力関数が受光素子１４（受光素子１６でも可）と等しい仮想受光素子１７を仮想的に形成すると共に、光伝播角度θ及び光強度Ｌから仮想受光素子１７の出力Ｉ_p＝ｆ（Ｌ）×ｇ（θ）を算出する。演算装置において仮想受光素子１７を仮想的に形成するため、仮想受光素子１７の配置位置が他の部材の搭載場所である場合や悪環境下の場所であっても、そのような場所に仮想受光素子１７を配置することができるので、受光素子配置の自由度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 遠赤外光の集光率を向上する撮像装置、該撮像装置を構成する撮像素子パッケージ及び集光レンズを提供する。
【解決手段】 撮像部１２は、円形板状の基体１２７と、基体１２７の中央部表面に設けられる平面形状が矩形状であって板状のヒートシンク１２６と、ヒートシンク１２６の上側表面に設けられ、ヒートシンク１２６と略同寸法を有する矩形状の撮像素子１２５と、撮像素子１２５の表面に実装される硫化亜鉛製の集光レンズ１２４と、基体１２７と嵌合して集光レンズ１２４、撮像素子１２５、及びヒートシンク１２６を密閉収納する円環状のケース１２３と、ケース１２３の中央開口部に取り付けられる円形板状の透過板１２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のダイヤモンド半導体を受光部に用いた紫外光センサー素子は、整流性およ
びオーム性電極いずれに対しても、Au基電極材を使用していた。しかしながら、Au基電極
材はダイヤモンドとの密着性が悪いこと、機械的強度が弱いこと、更に熱安定性が悪いこ
との致命的な欠点があった。
【解決手段】素子構造の複雑化を回避しながら光伝導型センサー素子の特徴を生かしつつ
、機械的強度が強い高融点金属のカーバイド化合物（TiC、ZrC、HfC、VC、NbC、TaC、CrC
、MoC、およびWC）を整流性電極及び／又はオーム性電極に用いることによって、波長２
６０ｎｍ以下の紫外光に対する受光感度を持つ、極めて熱安定なダイヤモンド紫外光セン
サーを提供する。
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【課題】 ＴＦＴ読取方式の放射線画像検出器において、簡易かつ安価な回路構成で、ゲート制御信号線と電荷信号線との交差点近傍で形成される寄生容量により発生するノイズ信号を適切に取り除く。
【解決手段】 放射線の照射により発生した電荷を蓄積する電荷検出素子１２ｃと、電荷検出素子１２ｃのスイッチ素子１２ｂを制御するゲート制御信号が流されるゲート制御信号線１３と、電荷検出素子１２ｃの蓄電部１２ａに蓄積された電荷信号が流れ出す電荷信号線１４とを備えた放射線画像検出器において、電荷検出素子１２ｃのスイッチ素子１２ｂ毎にゲート制御信号の立ち上がり時間を遅延させる遅延回路１６を設け、上記立ち上がり時間経過時以後に電荷信号線１４に流れ出した電荷信号Ｑ_Ｓを検出することにより、電荷信号Ｑ_Ｓをゲート制御信号の出力開始時点において発生するノイズ信号Ｑ_Ｎと異なるタイミングで検出する。 （もっと読む）

【課題】遠赤外〜赤外領域の画像処理を行う高感度イメージセンサの構造およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 ストイキオメトリ制御されたＩＶ−ＶＩ族化合物半導体を材料とするｐｎ接合、ショットキー接合によるフォトダイオードをアレイ化し、該フォトダイオードアレイをシリコン系もしくはＧａＡｓ系信号処理用回路チップに接合し、高感度に遠赤外〜赤外領域の画像処理を行うイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れ、さらに、光電変換効率が高い光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）等を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのオキソノール色素を含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）