【課題】ＱＶアンプの特性変動を低減させるとともに小型化が容易な慣性センサーを提供すること。
【解決手段】ジャイロセンサー１（慣性センサーの一例）は、信号処理ＩＣ１０とセンサー素子２０を含む。信号処理ＩＣ１０は、半導体基板１１の第１の面１１Ａに集積回路と電極とが形成されている。センサー素子２０は、振動部を有し、半導体基板１１の第１の面１１Ａと対向する面に電極が形成されている。半導体基板１１の第１の面１１Ａと対向して１又は複数の再配置配線３０が設けられ、再配置配線３０の少なくとも１つは、半導体基板１１に形成された電極とセンサー素子２０に形成された電極を電気的に接続する。ＱＶアンプ１１０，１２０は、センサー素子２０の検出信号が入力され、半導体基板１１の第１の面１１Ａに直交する方向から視た平面視において、センサー素子２０の振動部と重ならないように配置されている。 （もっと読む）

【課題】圧電膜と電極との密着性に優れ、高い耐久性を有するアクチュエータを提供する。
【解決手段】振動板２及びこの振動板２を支持するフレーム３を備え、振動板２が、一方の電極膜４と、この一方の電極膜４の表面に直接積層される有機圧電膜５と、この有機圧電膜５の表面側に積層される他方の電極膜６とを有するアクチュエータ１である。有機圧電膜５がフッ化ビニリデン−３フッ化エチレン共重合体を主成分として含む。また、一方の電極膜４が表面に凹凸形状及び／又は複数の貫通孔を有する。 （もっと読む）

【課題】回路部の一部をキャップ基板のデッドスペースに形成することで、体格が低減された半導体センサ、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサ基板１０とキャップ基板５０が絶縁膜５１を介して接合された半導体センサであって、キャップ基板５０の裏面５０ｂから絶縁膜５１までが除去されて、外部に露出したキャップ基板５０の壁面に絶縁膜６０が形成され、絶縁膜６０を側壁、外部に露出した絶縁膜５１を底部とする凹部５６ａが、センサ基板１０の内部配線１３ｂにおける裏面５０ｂ側への射影位置に形成され、凹部５６ａ上の外部配線５３ａ及び内部配線１３ｂによってコンデンサＣ１、キャップ基板５０に形成された貫通電極５２ａと凹部５６ａとの間の外部配線５３ａによって抵抗Ｒ１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】単一配向の結晶配向性が高いセラミックス薄膜を得ることができるセラミックス前駆体薄膜の製造方法および前駆体溶液を提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法は、金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液に、アモルファス粉末を混合し、金属アルコキシド系化合物を含む前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、前記前駆体溶液を用いてゲル膜を成膜するゲル膜成膜工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多軸に対応したセンサーモジュール及びそれを備えたセンサーデバイスの提供。
【解決手段】センサーモジュール１は、互いに直交する３つの支持面１１，１２，１３を有する支持部材１０と、能動面２１側に接続端子２２、外部接続端子２３を有し、能動面２１に沿った非能動面２９側が支持部材１０の各支持面１１，１２，１３に取り付けられた３つのＩＣチップ２０と、基部３１と基部３１から延伸された各振動腕（３２ａ，３２ｂなど）と接続電極３９とを有する３つの振動ジャイロ素子３０と、ＩＣチップ２０の外部接続端子２３と接続されたフレキシブル配線基板４０，４０ａと、を備え、各振動ジャイロ素子３０は、各ＩＣチップ２０の能動面２１側に配置され、一方の主面３０ａが支持面１１，１２，１３に沿うように、接続電極３９が各ＩＣチップ２０の接続端子２２に取り付けられ、フレキシブル配線基板４０は、補強層４３を有する。 （もっと読む）

【課題】 電気エネルギー発生装置を提供する。
【解決手段】 圧電特性を有する半導体物質からなる複数のナノワイヤと、該ナノワイヤの一端に形成される層であり、ナノワイヤとｐ−ｎ接合を形成する半導体層と、ナノワイヤの他端に接する層であり、金属−絶縁体転移（ＭＩＴ）特性を有する物質からなるコンタクト層と、を含む電気エネルギー発生装置である。 （もっと読む）

【課題】電子部品の隣り合う電極に接続されるリードが同一方向に延出する場合、電子部品の搭載時に、位置ズレや回転ズレの可能性が大きくなる。
【解決手段】第１の面に第１の電極及び前記第１の電極と隣り合う第２の電極を有する電子部品と、前記第１の電極と第１の導電性接着剤を介して接続された第１のリードと、前記第２の電極と第２の導電性接着剤を介して接続された第２のリードと、を有し、前記第１及び第２のリードは前記第１の面の第１の辺とオーバーラップし、前記第１のリードのリード部は、前記第１の電極の中心を通り前記第１の辺に垂直な第１の仮想直線に対して、第１のリードのランド部から第２の辺側に延出し、前記第２のリードのリード部は、前記第２の電極の中心を通り前記第１の辺に垂直な第２の仮想直線に対して、前記第２のリードのランド部から、前記第２の辺と対向する第３の辺側に延出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ると共に、周波数温度特性を改善した圧電振動素子を得る。
【解決手段】圧電振動素子１は、圧電振動素子１の圧電基板８が、複数の振動腕１５ａ、１５ｂ、その振動腕の一方の端部間を連接する基部１０、各振動腕１５ａ、１５ｂの他方の端部に夫々形成され幅広で錘部２０ａ、２０ｂ、及び、各振動腕１５ａ、１５ｂの振動中心に沿って形成された溝部１７ａ〜１８ｂ、を備えている。各錘部２０ａ、２０ｂは、振動中心に沿っての両側に対称に配置され且つ大きな質量を備えた質量部２１を備えており、圧電振動素子１に励振される屈曲−捩じり結合振動のうちの屈曲振動を主振動とし、その周波数温度特性が温度に関し三次特性となるように、圧電基板８の厚さ及び切断角度と、各質量部２１及び溝部１７ａ〜１８ｂの形状と、を夫々適切に設定する。 （もっと読む）

【課題】検出感度を低下させることなく、容易に圧電体を実装可能な圧電振動型力センサを提供すること。
【解決手段】中空貫通孔３３を有する円板状の圧電体３０及び圧電体３０の両面に取り付けられた一対の駆動電極３１，３２を有し、一対の駆動電極３１，３２に交流電圧を印加することにより圧電体３０の半径方向に振動する振動体３と、振動体３の一方側の面に当接する基板４と、振動体３の他方側の面に接触して配設され、外部から加えられた力を弾性変形して振動体３に伝えるダンピング部材６と、中空貫通孔３３よりも大径に形成され振動体３の他方側の面に当接する当接部５０及び中空貫通孔３３に遊嵌する遊嵌部５２を有し、当接部５０及び遊嵌部５２を基板４に係着することで振動体３の振動方向及び振動方向と直交する方向の移動を規制して位置決めする保持部材５と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】低背化を実現可能な新規な構造を有する圧電式加速度センサを提供すること。
【解決手段】
圧電式加速度センサ１−１は、回路基板１０ａと圧電振動子２０とを備えている。回路基板１０ａは、支持部１２と、支持部１２に隣接して設けられた開口からなる振動許容部１４と、支持部１２上に少なくとも部分的に位置するように設けられている第１導電パターンとを有している。圧電振動子２０は、第１主面３２及び第２主面３４を有する圧電セラミック板３０と、第１主面３２上に形成された第１電極４２と、第２主面３４上に形成された第２電極４４とを備えている。支持部１２は、圧電振動子２０の第１電極４２の一部を直接支持している。第１導電パターンは、支持部１２による第１電極４２の直接支持により、第１電極４２と電気的に接続されている。支持部１２に支持された圧電振動子２０は、振動許容部１４により振動可能となっている。 （もっと読む）