【課題】不要波が抑圧されており、高性能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質１１と、第１の媒質１１の上に形成されており、窒化ケイ素からなる第２の媒質１２と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されており、酸化ケイ素からなる第３の媒質１３と、第２の媒質１２の上に形成されている吸音層と、第１の媒質１１と第３の媒質１３との間に形成されているＩＤＴ電極１６とを備えている。第２の媒質１２の波長規格化厚みｈ２／λは０．６０×（ｈ３／λ）^２−１．２４×（ｈ３／λ）＋０．９４よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】圧電基板を研磨するときのクラックの発生を抑制すると共にハンドリング時のクラックの発生も抑制することのできる複合基板を提供する。
【解決手段】複合基板１０は、弾性波を伝搬可能な圧電基板１２と、この圧電基板１２よりも熱膨張係数の小さな支持基板１４とが有機接着層１６を介して接着されたものである。圧電基板１２の表面には外周縁よりも内側に全周にわたって溝１８が形成されている。この溝１８は、縦断面の形状が略Ｖ字であり、溝１８の底部が支持基板１４に達しているものの、溝１８の縦断面の形状は開口部から底部に向かって徐々に細くなっているため、支持基板１４はわずかに削られているに過ぎない。 （もっと読む）

【課題】中空パッケージの製造時に、振動素子に残渣が付着することによる特性の劣化を防ぐ。
【解決手段】光硬化性樹脂を硬化させる光を透過可能であり、デバイスにおける端子に対応する位置に凸部を形成し、振動素子４に対応する位置に凹部を形成した保持部材を用意する工程と、保持部材に光硬化性樹脂を塗布する工程と、振動素子４が凹部内に位置する姿勢で保持部材とデバイスとを接合する工程と、光硬化性樹脂に光を照射して光硬化性樹脂を硬化させる工程と、保持部材を光硬化性樹脂から剥離する工程と、端子を露出させる工程とを含む。デバイスを凹部が形成されたカバー２（光硬化性樹脂）で覆う方法であるため、製造過程において、振動素子４に物質が付着しにくい。したがって、振動素子４の特性を劣化させずに中空パッケージを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】蓋部のパターンの有効利用を図ることができる弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、カバー５とを有する。カバー５は、ＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５と、枠部１５に積層され、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部１７とを有している。蓋部１７には、枠部１５の上面を露出させる溝が形成されている。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ構造を有する基板にスルーホールを形成する場合に、マイクロクラックを生じさせずに工程時間を短縮することができる製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る圧電デバイスの製造方法は、第１の基板１１と、第１の基板１１よりも高い靱性を有する第２の基板２１とを貼り合わせる工程と、第１の基板１１において、第２の基板２１と貼り合わせた側と逆側から、第１の貫通孔１２を形成する工程と、第２の基板２１において、第１の基板１１と貼り合わせた側と逆側から、第１の貫通孔１２に対応した位置に、第１の貫通孔１２とは異なる形成方法で第２の貫通孔２２を形成する工程と、を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高い良品率で容易に製造し得る弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質１１と、第１の媒質１１の上に形成されている第２の媒質１２と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第３の媒質１３と、第１の媒質１１と第３の媒質１３との間に設けられているＩＤＴ電極１６と、第３の媒質１３と第２の媒質１２との間に設けられている光触媒層１７とを備えている。第３の媒質１３は、第１及び第２の媒質１１，１２よりも遅い音速を有する。光触媒層１７は、光触媒を含む。光触媒は、第２の媒質１２を構成している誘電体と第３の媒質１３を構成している誘電体とのうちの少なくとも一方を改質させる。 （もっと読む）

【課題】薄型化が可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、弾性波デバイスチップをパッケージ基板２の上面にフリップチップ実装する工程と、弾性波デバイスチップの側面を封止部８により封止する工程と、弾性波デバイスチップの上面及び封止部８の上面を削る工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、弾性波デバイスチップ及び封止部を削ることで低背化し、弾性波デバイスを薄型化することができる。 （もっと読む）

【課題】櫛型電極を構成する金属が絶縁膜中に拡散することを抑制し、信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２と、圧電基板１０上であって、櫛型電極１２の電極指間に設けられた第１絶縁膜１６と、第１絶縁膜１６の側面を覆うように、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間に設けられた第１拡散防止膜１８と、櫛型電極１２の上面および側面と第１絶縁膜１６の上面とに設けられた絶縁性の第２拡散防止膜２０と、第２拡散防止膜２０上に設けられた第２絶縁層２２と、を具備する弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】熱処理や耐湿試験後も複合圧電チップの圧電体部にワレ・カケや剥離が生じず、弾性表面波素子としての電気的特性が安定に保たれる信頼性に優れた複合圧電チップ及びその製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板１と支持基板２とを貼り合わせた複合圧電基板３を細分化した複合圧電チップ４であって、該複合圧電チップ４は、前記複合圧電基板３を該複合圧電基板３の圧電体部の厚みよりも深く切り込みを入れた後に細分化したものであり、該複合圧電チップ４の圧電体部側面の面粗さ（Ｒａ）が、０．１５μｍ以下のものである。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の上にＩＤＴ電極を覆うように形成されている酸化ケイ素膜を備える弾性波装置であって、圧電基板に反りが生じ難く、かつ製造に際して煩雑な製造工程を要さない弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置１は、圧電基板１０と、圧電基板１０の上に形成されているＩＤＴ電極１１と、圧電基板１０の上にＩＤＴ電極１１を覆うように形成されている酸化ケイ素膜１２とを備えている。圧電基板１０は、ＩＤＴ電極が形成されている第１の領域１０Ａと、ＩＤＴ電極が形成されていない第２の領域１０Ｂとを含む。酸化ケイ素膜１２は、第１の領域１０Ａの上に形成されている第１の部分１２Ａと、第２の領域１０Ｂの上に形成されている第２の部分１２Ｂとを含む。第２の部分１２Ｂの少なくとも一部におけるＳｉ−ＯＨ結合の含有量は、第１の部分１２ＡにおけるＳｉ−ＯＨ結合の含有量よりも多い。 （もっと読む）