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国際特許分類[H03H3/08]の内容

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【課題】簡便かつ歩留り良く行なうことのできる電子部品の封止方法を提供する。
【解決手段】基板上に実装された電子部品を熱硬化性樹脂組成物からなるシートで被覆し、加熱硬化する電子部品の封止方法であって、
硬化前の100℃における溶融粘度が0.1〜50Pa・sであり、基板上のレジスト膜に対する硬化後の接触角が20〜100度である熱硬化性樹脂組成物からなるシートで前記電子部品を被覆し、電子部品と基板との接触部周辺を密閉して電子部品と基板との間に隙間を形成させることを特徴とする電子部品の封止方法である。 (もっと読む)


【課題】周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えるとともに、周波数精度の高いSAWデバイスおよびSAWデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】SAWデバイスは、パッケージ12の底面に設けた接着剤28とSAW素子片40の基端50側とを接合させて、SAW素子片40をパッケージ12に片持ち搭載したものである。このとき、SAW素子片40は、接着剤28が接合されている基端50側に比べて先端52を上方に傾けて、パッケージ12に搭載されている。これによりSAW素子片40の先端52がパッケージ12の底面に接触するのを防止でき、またSAW素子片40に応力が加わるのを防ぐことができるので、周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えることができ、周波数精度の高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】IDT電極の電気抵抗が低い弾性波装置を製造し得る弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板10の上に第1のマスク21を配置する工程を行う。第1のマスク21の上から第1の導電層11aを形成する第1の導電層工程を行う。第1の導電層形成工程の後に、第1のマスク21を除去する第1の除去工程を行う。第1の除去工程の後に、圧電基板10上に第2のマスク23を配置する工程を行う。第2のマスク23の上から第2の導電層11bを形成する第2の導電層形成工程を行う。 (もっと読む)


【課題】レジストパターンの残渣が少ない電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子部品の製造方法は、基板の第1の部分11上に第1のレジストパターン13を形成する工程と、第1のレジストパターン13上に第1の導電膜14を形成し、その後に第1のレジストパターン13を剥離するリストオフ工法により第1の電子部品素子の電極パターン15を形成する工程と、基板の第2の部分21上に第2のレジストパターン23を形成する工程と、第2のレジストパターン23上に第2の導電膜24を形成し、その後に第2のレジストパターン23を剥離するリストオフ工法により第2の電子部品素子の電極パターン25を形成する工程と、を備える電子部品の製造方法において、第1のレジストパターン13は基板の第2の部分21を覆うとともに、基板の第2の部分21を覆う部分に開口部27を有するように形成されている。 (もっと読む)


【課題】圧電基板の裏面を粗くすることなく、バルク波による周波数特性の劣化を抑制することができる弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイス10は、(a)一方の主面12aにIDT14,16が形成され、IDT14により励振された弾性波が伝搬する圧電基板12と、(b)圧電基板12の他方の主面12bに接合された付加部材20とを備える。付加部材20は、IDT14により励振されたバルク波のうち、圧電基板12内を圧電基板12の他方の主面12bに向かって伝搬し、他方の主面12bから付加部材20に入射する入射成分が、付加部材12内において乱反射するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】各種特性(特にQ値)に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供すること。
【解決手段】弾性表面波共振子1は、いわゆる1ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板2と、圧電体基板2上に設けられたIDT(櫛歯電極)3と、IDT3の両側に設けられた1対の反射器4、5とを有している。IDT3は、複数の電極指31a、31bを有しており、また、圧電体基板2の電極指31a、31b間には第2の溝25が形成されている。一方、反射器4、5は、複数の導体ストリップ41、51を有しており、また、圧電体基板2の導体ストリップ41、51間には第2の溝25より深い第1の溝26が形成されている。このような深さの異なる第1の溝26および第2の溝25は、レジスト層と着脱自在のマスク部材とを用い、これらを重複して使用しても相互に悪影響を及ぼさないことを利用して形成される。 (もっと読む)


【課題】配線パターンの立体交差部分で発生する寄生容量を小さくすることができ、製造が容易である弾性波デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、(a)圧電基板12と、(b)圧電基板12の主面12aに形成されたIDTと、(c)IDTに接続された配線パターンとを備える。配線パターンは、(i)圧電基板12の主面12aに形成された主要部14a,16cと、(ii)主要部16cに接続され、かつ主要部の一部分である被交差部分14aとの間に空間15を設けて被交差部分14aを跨ぐ交差部16a,16bとを有する。 (もっと読む)


【課題】各種特性(特にQ値)に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供すること。
【解決手段】弾性表面波共振子1は、いわゆる1ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板2と、圧電体基板2上に設けられたIDT(櫛歯電極)3と、IDT3の両側に設けられた1対の反射器4、5とを有している。IDT3は、複数の電極指31a、31bを有しており、また、圧電体基板2の電極指31a、31b間には第2の溝25が形成されている。一方、反射器4、5は、複数の導体ストリップ41、51を有しており、また、圧電体基板2の導体ストリップ41、51間には第2の溝25より深い第1の溝26が形成されている。このような深さの異なる第1の溝26および第2の溝25は、特性の異なる2種類のレジスト材料からなるレジスト層を用い、これらの剥離液に対する剥離性の違いを利用して形成される。 (もっと読む)


【課題】焦電破壊を防止しながら、環状電極を有する弾性波素子を製造することができ、工程を減らすことができる弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板のウェハを用いて、複数個の弾性波素子を製造する。まず、ウェハのうち弾性波素子になる個基板領域11にIDT14xを形成するとともに、ウェハの個基板領域11と個基板領域11に隣接する周辺領域13とに、IDT14xの電極同士を互いに接続して短絡させる短絡電極14q,14rを形成する。次いで、短絡電極14q,14rのうち、環状電極30が形成されるべき部分と当該部分に取り囲まれたIDT14xの電極とを接続している接続部分14zを切断した後に、環状電極30を形成する。次いで、ウェハを分割して弾性波素子の個片を形成する。 (もっと読む)


【課題】支持基板の構成材料の選択性を高めて圧電デバイスを製造する。
【解決手段】圧電基板1にイオンを注入してイオン注入部分2を形成する。次に、圧電基板1のイオン注入側の面に、被エッチング層3および仮基板4からなる仮支持基板を形成する。次に、仮支持基板を形成した圧電基板1を加熱し、イオン注入部分2を分離面として圧電基板1から圧電薄膜11を分離する。次に、圧電基板1から分離した圧電薄膜11に、誘電体膜12およびベース基板13からなる支持基板を形成する。ここで、仮支持基板は、圧電薄膜11との界面に作用する熱応力が支持基板よりも小さい構成材料で構成している。 (もっと読む)


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