【課題】高結合基板上にＳＡＷトランスデューサまたはＳＡＷ共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 （もっと読む）

【課題】耐電力性が優れているとともに、通過帯域内の挿入損失が小さい弾性波装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性波装置の製造方法は、成膜装置内に圧電基板１１０を設置する工程と、成膜装置内に設置された圧電基板１１０上にＩＤＴ電極を形成する工程とを備える。ＩＤＴ電極を形成する工程は、Ａｌ層１２４Ａを蒸着法またはスパッタリング法により圧電基板１１０上に形成することと、Ａｌ層１２４Ａの形成を中断した後に再びＡｌ層１２４Ｂの形成を行ない、更にＡｌ層１２４Ｂの形成を中断した後に再びＡｌ層１２４Ｃの形成を行ないＡｌ層を所定の厚さにすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】特性劣化がなく、ウェハ工程にて一括に形成することができ、小型で低背な弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波装置は、圧電基板１と、前記圧電基板１の一方主面の上に形成され、櫛歯状電極を少なくとも１つ備えるＩＤＴ２と、前記一方主面の上において前記ＩＤＴ２を覆うことによって前記一方主面とともに中空の収容空間７を形成する保護カバー６と、を備え、前記保護カバー６は、貫通穴１５を有し、少なくとも一部がフッ素を含む酸発生材を含有する光硬化性材料からなる。貫通孔穴１５は、保護カバー６の蓋部のうちＩＤＴ２と対向する位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 同一チップ上において異なる２つ以上の電気機械結合係数を有する弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること
【解決手段】 圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された誘電体層１２と、誘電体層上に形成された第１櫛形電極２２ａ及び第２櫛形電極２２ｂと、を備え、第１櫛形電極２２ａと圧電基板１０との間における誘電体層１２ａの厚みは、第２櫛形電極２２ｂと圧電基板１０との間における誘電体層１２ｂの厚みと異なることを特徴とする弾性波デバイス及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】応力を抑制することが可能な弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電体により弾性波を励振する振動部１１が露出するように、振動部１１が形成された圧電基板１０を封止する第１封止部１３を設ける工程と、振動部１１が空隙１７に露出するように振動部１１を覆い、かつ圧電基板１０を個片化するためのダイシングライン１８に対応した位置に切欠部１９を形成した第２封止部１４を、第１封止部１３上に設ける工程と、第２封止部１４を設ける工程の後に、第２封止部１４を加熱する工程と、ダイシングライン１８に沿って、第２封止部１４及び圧電基板１０を、その積層方向に切断分離して、弾性波デバイスチップに分割する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、高い精度で、形成不良なく電極を形成し得る電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、平板状の基板１を準備する基板準備工程と、基板１の主面上にレジストパターン２ａを形成するレジストパターン形成工程と、基板１の主面上のレジストパターン２ａが形成されていない部分にＩＤＴ電極４を薄膜技術により形成する電極形成工程と、レジストパターン２ａを除去するレジストパターン除去工程とを含み、電極形成工程は、基板１を、電極が形成される側の主面が凹むように反らせておこなうようにした。 （もっと読む）

【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に形成された複数箇所のレジスト１９を測定する測定室１０２と、基板１８を１枚ずつ成膜して基板１８上に電極２１を形成する枚葉式成膜室１０４と、を有する成膜システム１００であって、基板１８上にて隣接するレジスト１９のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段１１６を測定室１０２に有し、測定手段１１６によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板１８から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段１１４を有し、枚葉式成膜室１０４は、基板１８の電極膜厚が制御手段１１４で算出された最適な電極膜厚となるように、基板１８に電極を形成する成膜手段１０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することが可能な弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１支持基板１２の上面に圧電基板１０を接合する工程と、圧電基板１０を接合する工程の後に圧電基板１０を薄層化させて圧電層１４を形成する工程と、圧電層１４の上面に第１電極１６を形成する工程と、第１支持基板１２に第１電極１６の下方に位置する孔部２２を形成する工程と、孔部２２を形成する工程の後に第１支持基板１２の下面に第２支持基板２４を接合する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 弾性波デバイスにおけるフィルタ特性の安定及び信頼性の向上。
【解決手段】 圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された櫛形電極１２と、櫛形電極１２の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。圧電基板１０上に櫛形電極１２を形成する工程と、櫛形電極１２の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。絶縁膜１６をＡＬＤ法により形成することで、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】
樹脂からのガス発生によるパッケージの膨れや破壊を防止するとともに、樹脂の材料選択の範囲を広げて薄いパッケージを実現する。
【解決手段】
基板１０上に表面弾性波素子などの素子１１を形成し、中空部１９を介して樹脂で封止した中空樹脂パッケージ構造体において、前記中空部１９を覆う樹脂製の天板部１４と前記中空部１９との間に、無機材料または金属材料からなるバリア層１３を形成する。 （もっと読む）