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国際特許分類[H03H3/08]の内容

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【課題】 全体構造がより小型化された弾性波装置およびその製造方法の提供を提供する。
【解決手段】 基板3と、基板3の主面3aに位置する励振電極2と、励振電極2を覆うようにして主面3aに位置し、側面に該側面の高さ方向全体にわたって延びた溝部18を有するカバー5と、側面がカバー5の側面と同一面に位置した状態で溝部18を埋めている柱部9を有し、励振電極2に電気的に接続された端子7とを備えた構成とする。この構成により、弾性波装置1を小型化することができる。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波デバイス用のキャップ基板であるパッケージ材料に穴を形成する際に、目的とする径長さ通りの穴径を有する穴を正確に形成することができ、さらに放熱性にも優れるパッケージ材料、またそれから製造されるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハ、及びそれから切断されることによって得られ、電気特性と信頼性を確保したまま小型化及び低背化でき、さらにはモジュール搭載が可能であるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板2に穴3が形成され、かつ基板外部よりLiが拡散されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料1。 (もっと読む)


【課題】不平衡入力−不平衡出力型のフィルタおよび不平衡入力−平衡出力型のフィルタのいずれにも対応可能なパッケージ構造を有し、挿入損失が小さい表面弾性波装置を提供する。
【解決手段】表面弾性波装置は、不平衡入力−不平衡出力型の受信フィルタおよび不平衡入力−平衡出力型の受信フィルタのいずれにも対応可能な構造を有する。不平衡入力−不平衡出力型の受信フィルタを構成する表面弾性波フィルタチップ30Aは、不平衡出力端子として機能するパッド37fと、表面弾性波フィルタ部と接続されないパッド37eとを有する。配線基板の裏面には、パッド37fと接続され、受信端子として機能する単一の電極と、第2のパッド37eと接続され、グラウンド端子として機能する電極とを有する。 (もっと読む)


【課題】圧電薄膜の分離面の欠陥層を選択的にエッチングして平坦化し、均一な膜厚の圧電薄膜を得る圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、圧電単結晶基板1の表面12側から水素イオンを注入することで、圧電単結晶基板1にイオン注入部分100を形成する。次に、支持基板50を圧電単結晶基板1に接合する。そして、圧電単結晶基板1と支持基板50との接合体を加熱し、イオン注入部分100を分離面とした分離を行う。ここで、支持基板50に形成された圧電薄膜10をアニールする。そして、圧電薄膜10の分離面における欠陥層13を選択的にエッチングして結晶層11を露出させることで、圧電薄膜10の分離面を平坦化する。 (もっと読む)


【課題】レーザ光による圧電デバイスへ品名、ロット番号等のマーキングの際の能動素子の焼けによる損傷を防止する。
【解決手段】本発明は、圧電デバイス及びその製造方法に関し、圧電基板2と、該圧電基板2の主面2bに形成された櫛歯電極3と、該櫛歯電極3に隣接して配設された素子配線を有する配線電極4と、該配線電極4の外周を囲む開口部8aを有する外囲壁8と、該外囲壁8の上端面を封止して中空部Sを形成する天井壁9と、前記圧電基板2の主面2bから裏面2dを貫通して配設され、かつ、前記配線電極4と前記圧電基板2の裏面2dに配設された端子電極5とを電気的に接続する貫通電極6と、前記圧電基板2の裏面2dに有色の液体の硬化層7を形成し、該有色の液体の硬化層7に文字、記号等の表示をしたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】耐湿性を高めることが可能な電子部品、電子デバイス、及び電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板10と、圧電基板10上に設けられた直列共振子12及び並列共振子14と、圧電基板10上に設けられ、直列共振子12及び並列共振子14と電気的に接続された信号配線20と、圧電基板10上に設けられ、直列共振子12、並列共振子14、及び信号配線20を囲む金属壁32と、金属壁32に接触し、直列共振子12及び並列共振子14上に空隙34が形成されるように直列共振子12及び並列共振子14と信号配線20とを覆い、液晶ポリマーからなる封止部38と、を具備する電子部品、電子部品を備える電子デバイス、及び電子部品の製造方法。 (もっと読む)


【課題】数μm以下の厚みの非常に薄い水晶薄膜を安定して製造できる水晶デバイスの製造方法、及びこの製造方法で製造した水晶デバイスを提供する。
【解決手段】水晶単結晶基板1に水素イオンを注入して、表面1Aから一定深さの部分をアモルファス化させて、水晶単結晶基板1内にアモルファス層13A〜13Cを形成する。アモルファス層を形成する深さは、イオンや原子の注入条件(注入エネルギーやドーズ量)により決まり、注入条件に応じて1μm〜数μmの深さにばらつきのない平坦な層が形成される。アモルファス層の側面が露出するように、表面1Aから複数の溝14A〜14Dを形成し、これらの溝にエッチング液を導入してエッチングを行う。水晶のアモルファスは、水晶結晶よりもエッチング速度が速いので、エッチングによりアモルファス層13A〜13Cを除去することで、水晶単結晶基板1から水晶薄膜15A〜15Cが分離される。 (もっと読む)


【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるSAW素子、このSAW素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】SAW素子1は、水晶基板10と、水晶基板10の主面11に形成されたIDT電極20と、水晶基板10の主面11に形成され、IDT電極20と隣り合う反射器30,31と、水晶基板10の主面11に形成されると共に、一端がIDT電極20と接続されたスパイラルインダクター40と、を備え、スパイラルインダクター40は、水晶基板10に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高結合基板上にSAWトランスデューサまたはSAW共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 (もっと読む)


【課題】耐電力性が優れているとともに、通過帯域内の挿入損失が小さい弾性波装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性波装置の製造方法は、成膜装置内に圧電基板110を設置する工程と、成膜装置内に設置された圧電基板110上にIDT電極を形成する工程とを備える。IDT電極を形成する工程は、Al層124Aを蒸着法またはスパッタリング法により圧電基板110上に形成することと、Al層124Aの形成を中断した後に再びAl層124Bの形成を行ない、更にAl層124Bの形成を中断した後に再びAl層124Cの形成を行ないAl層を所定の厚さにすることとを含む。 (もっと読む)


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