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国際特許分類[H03H3/08]の内容

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【課題】圧電基板の上に形成されたIDT電極と、IDT電極を覆うように形成されている誘電体層とを備え、IDT電極に接続されている配線及びパッドのうちの少なくとも一方がIDT電極の電極指よりも厚く形成されている弾性表面波装置であって、誘電体層の表面が平坦な弾性表面波装置を製造し得る方法を提供する。
【解決手段】圧電基板10の上に第1の導電膜18を形成する。第1の導電膜18を覆うように圧電基板10の上に誘電体層20をバイアススパッタリング法により形成する。誘電体層20の上に犠牲層22を形成する。犠牲層22と、誘電体層20の一部とを除去する、エッチバック工程を行う。第1の導電膜18の一部分の上に形成されている誘電体層20を除去する除去工程を行う。第1の導電膜18のうちの、除去工程において上部に位置していた誘電体層20が除去された部分の上に、第2の導電膜19を形成する。 (もっと読む)


【課題】気密性を高くすることが可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板2と、圧電基板2上に形成された弾性波素子4と、弾性波素子4と電気的に接続され、上面10aが圧電基板2の上面2aと平坦になるように、圧電基板2に埋め込まれた配線10と、弾性波素子4上に中空部20が形成され、かつ下面16aが圧電基板2の上面2a及び配線10の上面10aに接触するように、弾性波素子4を封止するキャップ16と、を具備する弾性波デバイス、及びその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波装置の耐電力性の向上を図ること。
【解決手段】弾性表面波装置は、圧電性単結晶基板10と、上記圧電性単結晶基板上に形成された導電性材料からなる下地電極層21と、この下地電極層上にエピタキシャル成長により形成されたアルミニウムを含有する主電極層22と、により構成された交差指状の電極20と、を備える。そして、上記電極20は、上記主電極層22上に形成された、当該主電極層及び上記下地電極層とは異なりアルミニウムよりも比重の大きい導電性材料からなる上部層23を有する。 (もっと読む)


【課題】小型化,薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10の第1の面10aに設けられた外部接続端子37と、半導体基板10の第1の面10aに設けられるとともに、外部接続端子37と電気的に接続された第1電極22と、半導体基板10の第1の面10aと対向する第2の面10bに設けられる電子素子と電気的に接続される第2電極23と、半導体基板10の第2の面10bに設けられるとともに、第2電極23に至る溝11と、該溝11の内部に設けられるとともに、第2電極23の裏面23aと電気的に接続された導電部12とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】結晶球の周回経路の結晶方位に対応した膜厚の膜を正確に真空成膜する。
【解決手段】真空容器21内で蒸着材料22を加熱気化させる蒸着材料放射ステップ(22,31)と、弾性表面波4を周回させる圧電性結晶球2の周回経路5が前記気化された蒸着材料22の放射ビームの照射方向と対面するように、圧電性結晶球2を回転可能に支持する支持ステップ(32,35)と、周回経路の結晶方位に従って前記回転支持ステップによる圧電性結晶球2の回転速度を変更し、周回経路上に結晶方位に依存した膜厚分布で真空成膜する成膜制御ステップ(1,5,32,34,35)とを有する球状弾性表面波素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】不要波応答を抑圧しつつ、IDT電極の膜厚を厚くする。
【解決手段】弾性波デバイス1は、圧電性基板2と、圧電性基板2上に並んで配置される複数の電極指を含むIDT電極3と、複数の電極指間に形成される第1の誘電体膜4と、IDT電極3と第1の誘電体膜4を覆う第2の誘電体膜7と、複数の電極指間であって第1の誘電体膜4上に形成される、第1の誘電体4より高音速の媒質である高音速層5とを備える。 (もっと読む)


【課題】小型化,薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10の第1の面10aに設けられた外部接続端子37と、半導体基板10の第1の面10aに設けられるとともに、外部接続端子37と電気的に接続された第1電極22と、半導体基板10の第1の面10aと対向する第2の面10bに設けられる電子素子と電気的に接続される第2電極23と、半導体基板10の第2の面10bに設けられるとともに、第2電極23に至る溝11と、該溝11の内部に設けられるとともに、第2電極23の裏面23aと電気的に接続された導電部12とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】IDT電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板1上に、積層金属膜からなるIDT電極2を形成する工程と、IDT電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、IDT電極2において複数の金属膜のうちの少なくとも1つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】振動空間の密閉性を向上できる弾性波装置を提供する。
【解決手段】SAW装置1は、基板3と、基板3の第1主面3aに設けられたSAW素子11と、カバー5とを有する。カバー5は、第1主面3aの平面視においてSAW素子11を囲む枠部35と、枠部35の開口を塞ぐ蓋部37とを有する。また、SAW装置1は、枠部35の内壁面35aから枠部35の枠内の第1主面3a上にかけて形成された絶縁膜43を有する。 (もっと読む)


【課題】弾性波素子の劣化を抑制し、かつ圧力に耐える空洞構造を形成すること。
【解決手段】樹脂層24と、前記樹脂層下に形成された金属層26と、を備えるシート30を形成する工程と、基板10上に形成された弾性波素子の機能領域12上に前記金属層が配置され、前記金属層と前記基板との間に前記機能領域を囲むフレーム部28が形成され、前記金属層と前記フレーム部とで、前記機能領域上に空洞13が形成され、前記金属層と前記フレーム部とを前記樹脂層が覆うように、前記シートを前記基板に張り合わせる工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。 (もっと読む)


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