【課題】安定した膜質で薄膜を形成し得るバイアススパッタリング方法及びそれを利用した弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲット１２ａ〜１２ｃを用いてバイアススパッタリングすることにより薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】コストアップにつながる犠牲層を必要としないウエハーレベルパッケージを製造する方法を提供する。
【解決手段】ウエハーレベルパッケージは、光限定性重合体を部分硬化状態に維持しながら、該重合体を装置ウエハー上に配置された装置１６の周囲に枠組構造に成形して製造される。別の重合体材料を用いて担体ウエハー上に冠構造３０を形成する。冠構造は、装置を穴内に配置するように枠組構造に固着させ、部分硬化した光限定性重合体の結合力により枠組構造を保持するため、冠構造に十分な圧力を適用する。光限定性重合体の結合力は冠構造を担体ウエハーに固定する接着強度よりも大きい。冠構造を枠組構造に固着させた状態で、担体ウエハー２４を、冠構造から担体ウエハーを分離するのに十分な力で装置ウエハー１４から分離する。 （もっと読む）

【課題】外周部に盛り上がり部分が存在する接着層を介して接着された支持基板と圧電基板との接着状態を良好に保つ。
【解決手段】複合基板１０は、圧電基板１４の裏面１４ｂと支持基板１２の表面１２ａとが接着層１６を介して接着されたものであって、接着層１６は、外周部に盛り上がり部分１６ａが存在し、圧電基板１４は、盛り上がり部分１６ａを避けて支持基板１２に接着されている。このため、接着層１６の盛り上がり部分１６ａと圧電基板１４との間に気泡が入り込みにくい。これにより、こうした気泡に起因する剥がれの発生を防止できる。したがって、外周部に盛り上がり部分が存在する接着層を介して接着された支持基板と圧電基板との接着状態を良好に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲内（−４０℃から＋８５℃）における周波数変動量を１０ｐｐｍ以内とすることのできる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】３次関数温度特性を備え前記３次関数温度特性における３次温度係数が−γ_１でありγ_１＞０である第１の共振子１４と、第１の共振子１４に接続され、３次関数温度特性を備え前記３次関数温度特性における３次温度係数がγ_２でありγ_２＞０である第２の共振子１６とを備え、第１の共振子１４と第２の共振子１６との間における変曲点の差が１９℃以下であり、０＜｜γ_１｜≦｜２．４γ_２｜の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】端子に加えられる引張力が弾性波装置の信頼性低下に及ぼす影響を好適に抑制可能な弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の上面３ａに配置された励振電極１３と、励振電極１３を覆うカバー５と、励振電極１３と電気的に接続され、カバー５の上面５ａに露出する端子７とを有する。端子７の上面７ａは、導電性を有する第１領域７ａａと、第１領域７ａａに比較して、端子７の上面７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域７ａｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】 カバーに金属からなる補強層を設けた場合であっても、実装不良や電気特性の劣化が起きにくい弾性波装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 弾性波装置１は、基板３と、基板３の上面上に配置された励振電極２と、励振電極上に封止空間６が形成されるようにして基板３の上面上に配置された樹脂製のカバー５と、カバー５を高さ方向に貫く貫通部９およびカバー５の上面に配置されて貫通部９の端部に接続されたフランジ部１２を有する端子７と、カバー５の上面に配置された金属からなる補強層４と、補強層４の側面をカバー５の上面５ａまで到達するように被覆する絶縁膜１０を備える。絶縁膜１０は、フランジ部１２と間隔ｄを空けて配置されている。この構成により、実装不良や電気特性の劣化が起きにくくなる。 （もっと読む）

【課題】温度特性の改善効果が高く、比較的低コストで製造可能であり、圧電基板と支持基板との組み合わせも１組に限定されない複合基板を提供する。
【解決手段】複合基板１０は、圧電基板１２と支持基板１４とを接着層１６を介して接着されている。接着層１６は、アルコキシシリルを含む置換基を有する１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールのアルカリ金属塩（例えば６−トリエトキシシリルプロピルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールのモノナトリウム塩）を主成分とする分子接着剤を硬化したものである。 （もっと読む）

【課題】大型化を招くことなく、導電補助層を積層した電極部分を設けて、電気的抵抗を低めることができ、しかも電極を覆う誘電体層表面の段差や誘電体層の膜厚のばらつきを小さくすることができる、弾性波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板１上にＩＤＴ電極３及び誘電体層１０が形成されており、ＩＤＴ電極３が、電極指６，７と、電極指６，７にそれぞれ連ねられているバスバー４，５とを有し、バスバー４，５の少なくとも一部に積層されるように導電補助層２が設けられており、該導電補助層２が、圧電基板１の上面１ａに形成された溝１ｃ，１ｄ内に埋め込まれている、弾性波素子１１。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスの開発及び製造の費用を削減すると共に、その設計自由度を高める技術を提供すること。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１１〜１６と信号路２とが同一基板上に形成される弾性波デバイスを用いたフィルタ回路において、ＳＡＷ共振子１１〜１６により決定される通過域の中心周波数の仕様は限られているが、一方で信号路２の設計により決定される阻止域の性能については要求される仕様が多様である。そこで、その形成において、高コストである精度の高いフォトマスクが必要でありまた材質や膜厚などの条件が制限されるＳＡＷ共振子１１〜１６と、ＳＡＷ共振子に比べてパターン形成における制限が緩やかな信号路２とを別々の工程により形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、内部に気泡が生じるのを防止する。
【解決手段】（ａ）裏面１１ａに微小な凹凸が形成された圧電基板２１と、圧電基板２１に比べて熱膨張係数が小さい支持基板１２とを用意し、（ｂ）微小な凹凸を埋めるように裏面１１ａに充填剤を塗布して充填層２３を形成し、（ｃ）算術平均粗さＲａが（ａ）における裏面１１ａの算術平均粗さＲａよりも小さくなるように充填層２３の表面を鏡面研磨し、（ｄ）充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面とを接着層１４を介して貼り合わせて複合基板２０を形成する。 （もっと読む）