弾性波装置およびその製造方法
【課題】端子に加えられる引張力が弾性波装置の信頼性低下に及ぼす影響を好適に抑制可能な弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の上面３ａに配置された励振電極１３と、励振電極１３を覆うカバー５と、励振電極１３と電気的に接続され、カバー５の上面５ａに露出する端子７とを有する。端子７の上面７ａは、導電性を有する第１領域７ａａと、第１領域７ａａに比較して、端子７の上面７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域７ａｂとを有している。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の上面３ａに配置された励振電極１３と、励振電極１３を覆うカバー５と、励振電極１３と電気的に接続され、カバー５の上面５ａに露出する端子７とを有する。端子７の上面７ａは、導電性を有する第１領域７ａａと、第１領域７ａａに比較して、端子７の上面７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域７ａｂとを有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板と、基板の主面上に設けられた励振電極と、励振電極を封止するカバーと、励振電極と接続された端子とを有する弾性波装置が知られている（例えば特許文献１）。端子は、例えば、柱状に形成されて基板の主面に立てられ、カバーを貫通してカバー上面に露出する。このような弾性波装置は、例えば、実装基板の主面に、端子が露出する側（カバー上面側）を対向させて配置される。そして、半田により端子と実装基板の主面上の配線パターンとが接続される。さらに、弾性波装置は、周囲に溶融状態の樹脂（モールド樹脂）が流し込まれ、その樹脂が固化することにより、樹脂封止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２５１８６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような実装構造においては、弾性波装置は、モールド樹脂の熱膨張により、カバーおよび基板を実装基板から離間させる力を受ける。一方、端子は、半田を介して実装基板に接合されていることから、相対的に実装基板側への引張力を受けることになる。その結果、弾性波装置においては、いずれかの部材間に剥離を生じさせる力が作用することになる。例えば、上述のように、端子が基板の主面に立てて端子が設けられている場合においては、端子を基板から剥離させる力が端子に作用する。剥離が生じると、例えば、導通性の低下若しくは密閉性の低下が生じ、弾性波装置の信頼性が低下する。
【０００５】
本発明の目的は、端子に加えられる引張力が弾性波装置の信頼性低下に及ぼす影響を好適に抑制可能な弾性波装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施態様に係る弾性波装置は、基板と、該基板の上面に配置された励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、を有し、前記端子は、前記カバーの上面に露出する金属からなる端子基材と、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された絶縁材料からなる被覆部材と、を有する。
【０００７】
また本発明の一実施態様に係る弾性波装置は、基板と、該基板の上面に配置された励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、を有し、前記端子は、前記カバーの上面に露出する金属からなる端子基材と、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された前記端子基材よりも半田濡れ性が悪い金属からなる被覆部材と、を有する。
【０００８】
また本発明の一実施態様に係る弾性波装置は、基板と、該基板の上面に配置された励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、を有し、前記端子は、前記カバーの上面に露出する導電性の端子基材と、導電性を有し、前記端子基材に比較して半田濡れ性が良く、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置されためっき部材と、を有する。
【０００９】
本発明の一実施態様に係る弾性波装置の製造方法は、基板の上面に励振電極を形成する工程と、前記励振電極を覆うカバーを形成する工程と、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する導電性の端子基材を形成する工程と、前記端子基材を覆うように感光性の樹脂からなる絶縁膜構成層を形成する工程と、フォトリソグラフィーによって前記絶縁膜構成層の一部を除去することにより、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された被覆部材を形成する工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
上記の構成または手順によれば、端子がカバーの上面に露出する金属からなる端子基材と、端子基材の上面の一部を露出させるようにして端子基材の上面に配置された絶縁材料からなる被覆部材とを有することによって、端子に加えられる引張力が低減され、端子の圧電基板からの剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図２】図１のＳＡＷ装置の実装例を示す、一部に断面図を含む、Ｙ方向に見た側面図である。
【図３】図１のＳＡＷ装置を一部破断して示す斜視図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【図５】図４の領域Ｖの拡大図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、図６（ｄ）の続きを示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は、図７（ｃ）の続きを示す断面図である。
【図９】図９（ａ）および図９（ｂ）は、図１および比較例のＳＡＷ装置を実装基板に搭載するときの断面図である。
【図１０】第２の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、第３の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＸＩｂ−ＸＩｂ線の断面図である。
【図１２】第４の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図である。
【図１３】第５の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は、第６の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ線の断面図である。
【図１５】第７の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、比較例および実施例のモデルを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１３】
第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と共通または類似する構成について、既に説明された実施形態と共通の符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。なお、ＳＡＷ装置１は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の実施形態では、便宜的に、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側（図１の紙面上方側）を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。
【００１５】
ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の上面３ａに設けられたカバー５と、カバー５の上面５ａ（基板３とは反対側の面）から露出する複数の端子７と、カバー５の上面５ａに設けられた補強部９と、基板３の下面３ｂ（カバー５とは反対側）に設けられた裏面部１１とを有している。
【００１６】
ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。
【００１７】
図２は、ＳＡＷ装置１の実装例を示す、一部に断面図を含む、Ｙ方向に見た側面図である。
【００１８】
ＳＡＷ装置１は、カバー５の上面５ａを実装基板１０１の実装面１０１ａに対向させて配置されている。実装面１０１ａには、複数の実装用パッド１０３が形成されており、端子７と対向している。端子７と実装用パッド１０３とは、半田１０５を介して互いに固定されるとともに電気的に接続されている。ＳＡＷ装置１は、その周囲に流し込まれて固化したモールド樹脂１０７により樹脂封止されている。
【００１９】
半田１０５は、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ合金半田、鉛フリー半田、Ａｕ−Ｓｎ合金半田、Ａｕ−Ｇｅ合金半田である。半田付けは、例えば、リフローにより行われる。すなわち、半田付けは、実装用パッド１０３上に半田１０５を印刷し、その上にＳＡＷ装置１を搭載し、半田１０５に熱を加えることにより行われる。
【００２０】
モールド樹脂１０７は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材およびフィラーを主成分としている。樹脂封止は、例えば、トランスファモールドにより行われる。すなわち、樹脂封止は、ＳＡＷ装置１が半田１０５により実装された実装基板１０１を金型内に配置し、金型内に樹脂を充填することにより行われる。
【００２１】
図３は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。
【００２２】
基板３の上面３ａには、ＳＡＷ装置１に入力された信号をフィルタリングするための励振電極１３と、励振電極１３に接続された配線１５と、配線１５を介して励振電極１３と接続された複数のパッド１７とが設けられている。カバー５は、これら励振電極１３、配線１５およびパッド１７を覆っている。
【００２３】
基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。基板３は、例えば、直方体状に形成されており、矩形状で互いに平行かつ平坦な上面３ａおよび下面３ｂを有している。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さ（Ｚ方向）は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍであり、１辺の長さ（Ｘ方向またはＹ方向）は０．５ｍｍ〜２ｍｍである。
【００２４】
励振電極１３は、上面３ａに形成された一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）１４を有している。各櫛歯状電極１４は、基板３における弾性表面波の伝搬方向（本実施形態ではＸ方向）に延びるバスバー１４ａと、バスバー１４ａから上記伝搬方向に直交する方向（本実施形態ではＹ方向）に伸びる複数の電極指１４ｂとを有している。２つの櫛歯状電極１４同士は、それぞれの電極指１４ｂが互いに噛み合うように設けられている。
【００２５】
なお、図３等は模式図であることから、数本の電極指１４ｂを有する一対の櫛歯状電極１４を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数の励振電極１３が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてよい。励振電極１３は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２６】
配線１５は、励振電極１３のバスバー１４ａからパッド１７まで延びている。なお、配線１５は、絶縁体を介在させた状態で立体交差するように配置されてもよい。配線１５は、例えば、励振電極１３と同様に、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２７】
パッド１７は、端子７に接続される部分である。パッド１７の数および配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成等に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つのパッド１７が上面３ａの外周に沿って配列されている。パッド１７は、例えば、励振電極１３と同様に、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２８】
カバー５は、例えば、外殻形状が概ね直方体状に形成されており、基板３の上面３ａに対して平行かつ平坦な上面５ａを有している。また、カバー５は、概ね基板３の上面３ａと同等の広さを有し、上面３ａの概ね全体を覆っている。
【００２９】
カバー５の、基板３の上面３ａ側の面には、励振電極１３上が空隙（振動空間１０）となるように、凹部５ｒ（図４も参照）が形成されている。凹部５ｒの形状および数は適宜に設定されてよいが、図３では、概ね、平面形状が六角形状で、一様の高さの凹部５ｒが２つ設けられている場合を例示している。
【００３０】
カバー５は、上面３ａの平面視において励振電極１３を囲む枠部１９と、枠部１９の開口を塞ぐ蓋部２１とを有している。そして、上面３ａ（厳密には後述する保護層２５）、枠部１９および蓋部２１により囲まれた空間により、励振電極１３の振動を容易化する振動空間１０が形成されている。
【００３１】
枠部１９は、概ね一定の厚さの層に振動空間１０となる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることにより構成されている。枠部１９の厚さ（振動空間１０の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部２１は、枠部１９上に積層される、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部２１の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。
【００３２】
枠部１９および蓋部２１は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部１９と蓋部２１との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１９と蓋部２１とは、同一材料により一体的に形成されていてもよい。
【００３３】
カバー５（枠部１９および蓋部２１）は、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
【００３４】
端子７は、図３において断面が示された端子７において表れているように、基板３の上面３ａに立てて設けられており、枠部１９および蓋部２１を上面３ａの面する方向へ貫通し、カバー５の上面において露出している。端子７は、パッド１７上に設けられることにより、励振電極１３と接続されている。
【００３５】
より具体的には、端子７は、柱状に形成された柱部７ｃと、柱部７ｃの上面側の側面から突出するフランジ７ｄとを有している。柱部７ｃは、カバー５を貫通し、フランジ７ｄは、カバー５の上面に積層されている。柱部７ｃの上面およびフランジ７ｄの上面は、端子７の上面７ａを構成し、上面７ａは、半田１０５を介して実装用パッド１０３に接続されるランドを構成している。
【００３６】
柱部７ｃは、例えば、円柱状に形成されている。柱部７ｃの直径は、例えば、２０μｍ〜１２０μｍである。フランジ７ｄは、例えば、柱部７ｃの全周に亘って形成されるとともに、概ね一定の幅で形成されており、本実施形態では円形の環状となっている。フランジ７ｄの外側の直径は、柱部７ｃの直径よりも、例えば、５μｍ〜１００μｍ大きい。
【００３７】
補強部９は、カバー５（特に蓋部２１）の強度を補強するためのものである。補強部９は、カバー５の比較的広い範囲に亘って形成されている。例えば、補強部９は、端子７の配置位置を避けて、カバー５の概ね全面に亘って形成されている。従って、補強部９は、平面視において、振動空間１０の全体を覆うとともに、振動空間１０の外側に延出し、蓋部２１とともに枠部１９に支持されている。
【００３８】
裏面部１１は、特に図示しないが、例えば、基板３の下面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等により基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部１１は、図示や説明が省略されることがある。
【００３９】
図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【００４０】
ＳＡＷ装置１は、基板３の上面３ａに設けられた導電層２３と、導電層２３および上面３ａに積層された保護層２５とを有している。
【００４１】
導電層２３は、上面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。具体的には、導電層２３は、例えば、励振電極１３、配線１５の少なくとも一部およびパッド１７を構成している。導電層２３は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。
【００４２】
保護層２５は、励振電極１３の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、または、シリコンによって形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、導電層２３の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）である。保護層２５は、パッド１７の配置位置以外においては、上面３ａ全体に亘って形成されている。なお、カバー５は、保護層２５に積層されている。
【００４３】
端子７は、導電性の端子基材２７と、端子基材２７の上面に配置された被覆部材２９とを有している。端子基材２７は、例えば、カバー５に成膜された導電性の下地層３５と、下地層３５の表面上に形成された金属部３７とにより構成されている。被覆部材２９は、金属部３７に被覆された絶縁層３９により構成されている。
【００４４】
補強部９は、金属により構成された補強層３１と、補強層３１を被覆する絶縁膜３３とを有している。補強層３１は、例えば、端子基材２７と同様に、下地層３５および金属部３７により構成されている。絶縁膜３３は、例えば、被覆部材２９と同様に絶縁層３９により構成されている。
【００４５】
端子基材２７は、端子７の大部分を構成している。すなわち、端子基材２７は、カバー５を貫通する柱部および柱部から突出するフランジを有し、柱部７ｃおよびフランジ７ｄの大部分を構成している。一方、被覆部材２９は、端子基材２７の上面の一部を露出させるようにして端子基材２７の上面に配置されている。
【００４６】
従って、図１に示すように、端子７の上面７ａは、端子基材２７の上面により形成された第１領域７ａａと、被覆部材２９により形成された第２領域７ａｂとを有している。第１領域７ａａおよび第２領域７ａｂの形状および大きさは適宜に設定されてよいが、本実施形態では、第１領域７ａａは円形の環状に形成され、第２領域７ａｂは、第１領域７ａａの中央に位置する円形に形成されている。また、図４に示すように、第２領域７ａｂ（被覆部材２９）は、柱部７ｃの上面を含む広さに形成されている。
【００４７】
端子基材２７は銅等の金属によって形成され、被覆部材２９は樹脂によって形成されている。従って、被覆部材２９は、端子基材２７に比較して、半田濡れ性が悪い。また、被覆部材２９は、半田１０５に比較してヤング率が低い。また、被覆部材２９は、半田１０５に比較して端子基材２７との接合性が低い。
【００４８】
補強層３１は、金属により構成されていることから、樹脂によって構成されているカバー５よりもヤング率が高い。例えば、カバー５のヤング率が０．５〜１．０ＧＰａであるのに対し、補強層３１のヤング率は１００〜２５０ＧＰａである。補強層３１の厚さは、例えば、１〜５０μｍである。なお、端子基材２７のフランジの厚さは、補強層３１の厚さと同等である。補強層３１は、端子７と接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている。ただし、補強層３１は、端子７と接続されていてもよい。
【００４９】
絶縁膜３３は、補強層３１を半田１０５等から絶縁するためのものである。絶縁膜３３は、補強層３１の上面および側面を覆っている。なお、絶縁膜３３は、補強層３１の縁部から端子基材２７のフランジの縁部に亘っても形成されてよい。
【００５０】
下地層３５は、端子基材２７のカバー５およびパッド１７に接する部分を構成するとともに、補強層３１のカバー５に接する部分を構成している。下地層３５は、例えば、銅、チタン、またはこれらを積層したものにより形成されている。下地層３５の厚さは、概ね均一である。当該厚さは、適宜に設定されてよいが、例えば、下地層３５が銅からなる場合は３００ｎｍ〜１μｍ、下地層３５がチタンからなる場合は１０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００５１】
金属部３７は、端子基材２７の内部および上面を構成するとともに、補強層３１の上方側部分を構成している。金属部３７は、例えば、銅により形成されている。
【００５２】
絶縁層３９は、例えば、樹脂によって構成されている。樹脂は、例えば、一般にソルダーレジストとして使われているエポキシ系樹脂などにより構成されてよい。なお、絶縁層３９は、有機材料に比較して遮水性の高い無機材料により構成されてもよい。無機材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンが挙げられる。絶縁層３９（被覆部材２９および絶縁膜３３）の厚さは、例えば、５００ｎｍ〜２０μｍである。
【００５３】
図５は、図４の領域Ｖの拡大図である。ただし、端子７が半田１０５により実装基板１０１の実装用パッド１０３に接合されている状態を示している。
【００５４】
上述のように、端子７の上面７ａは、端子基材２７の上面により構成された第１領域７ａａと、被覆部材２９により構成された第２領域７ａｂとを有している。半田１０５は、端子７の上面７ａの概ね全面に亘って上面７ａに接している。すなわち、半田１０５は、第１領域７ａａと第２領域７ａｂとの双方に接合されている。
【００５５】
また、第２領域７ａｂは、被覆部材２９が端子基材２７の上面に配置されることにより形成されていることから、端子７の上面７ａには、被覆部材２９の厚み分だけ凸部が形成されている。その結果、半田１０５は、第２領域７ａｂ上における厚みが第１領域７ａａ上における厚みよりも薄くなっている。
【００５６】
ここで、被覆部材２９は、樹脂によって構成されていることから、半田１０５よりもヤング率が低い。従って、モールド樹脂１０７の膨張等により端子７と実装用パッド１０３との距離が離れよる方向に力が作用した場合、被覆部材２９が比較的容易に伸びることにより、半田１０５の第２領域７ａｂ上の部分の実装用パッド１０３側への移動が許容される。その結果、第２領域７ａｂにおいては、第１領域７ａａに比較して、半田１０５に及ぼされる引張応力が低減される。
【００５７】
また、被覆部材２９は、樹脂により構成されていることから、第２領域７ａｂは、第１領域７ａａに比較して、半田濡れ性が悪い。従って、端子７と実装用パッド１０３とが離間した場合、半田１０５と第２領域７ａｂとが剥離することにより、半田１０５の第２領域７ａｂ上の部分の実装用パッド１０３側への移動が許容される。その結果、第２領域７ａｂにおいては、第１領域７ａａに比較して、半田１０５に及ぼされる引張応力が低減される。
【００５８】
また、被覆部材２９は、樹脂によって構成されていることから、端子基材２７との接合性が、半田１０５と端子基材２７との接合性よりも低い。従って、端子７と実装用パッド１０３とが離間した場合、被覆部材２９と端子基材２７とが剥離することにより、半田１０５の第２領域７ａｂ上の部分の実装用パッド１０３側への移動が許容される。その結果、第２領域７ａｂにおいては、第１領域７ａａに比較して、半田１０５に及ぼされる引張応力が低減される。
【００５９】
以上のとおり、被覆部材２９は、ヤング率が半田１０５よりも低いという性質、端子基材２７に比較して半田濡れ性が悪いという性質、および、端子基材２７との接合性が半田１０５と端子基材２７との接合性よりも低いという性質の少なくとも一の性質を有している。そして、これにより、第２領域７ａｂは、第１領域７ａａに比較して、端子７の上面７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能となっている。
【００６０】
（ＳＡＷ装置の製造方法）
図６（ａ）〜図８（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図４（図３のＩＶ−ＩＶ線）に対応する断面図である。製造工程は、図６（ａ）から図８（ｃ）まで順に進んでいく。
【００６１】
以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図６（ａ）〜図８（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。
【００６２】
図６（ａ）に示すように、まず、基板３の上面３ａ上には、導電層２３が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、上面３ａ上に導電層２３となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。パターニングにより、励振電極１３、配線１５およびパッド１７が形成される。すなわち、導電層２３が形成される。
【００６３】
導電層２３が形成されると、図６（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護層２５となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法若しくはＣＶＤである。次に、導電層２３のうちパッド１７を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法等によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２５が形成される。
【００６４】
保護層２５が形成されると、図６（ｃ）に示すように、枠部１９となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、または、保護層２５と同様の薄膜形成法により形成される。
【００６５】
枠部１９となる薄膜が形成されると、図６（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、振動空間１０を構成する開口、および、端子７が配置される予定の孔部１９ｈが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部１９が形成される。
【００６６】
枠部１９が形成されると、図７（ａ）に示すように、蓋部２１が形成される。具体的には、まず、蓋部２１となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることにより形成される。そして、薄膜が形成されることにより、枠部１９の開口が塞がれて、振動空間１０が構成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等により、孔部１９ｈ（図６（ｄ））上の部分が除去され、端子７が配置される予定の孔部５ｈ（孔部１９ｈ含む）が形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても一定の幅で除去される。このようにして、蓋部２１が形成される。
【００６７】
蓋部２１が形成されると、図７（ｂ）に示すように、下地層３５となる薄膜が形成され、さらに、その上にレジスト層５１が形成される。下地層３５となる薄膜は、カバー５の上面の全体に亘って形成される。下地層３５となる薄膜は、孔部５ｈの内周面や底面にも形成される。下地層３５は、例えば、スパッタ法により形成される。
【００６８】
レジスト層５１は、端子基材２７のフランジ（７ｄ）および補強層３１が配置される予定の範囲において、下地層３５が露出するように形成される。レジスト層５１は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。
【００６９】
レジスト層５１が形成されると、図７（ｃ）に示すように、電気めっき処理により、下地層３５の露出部分に金属を析出させ、金属部３７となる金属を形成する。これにより、孔部５ｈ内に金属が充填されるとともに、カバー５の上面に所望の厚さを有する金属が積層される。
【００７０】
金属部３７となる金属が析出されると、図８（ａ）に示すように、下地層３５のレジスト層５１に被覆されていた部分およびレジスト層５１が除去される。これにより、下地層３５および金属部３７からなる、端子基材２７および補強層３１が形成される。
【００７１】
レジスト層５１が除去されると、図８（ｂ）に示すように、絶縁層３９となる薄膜が形成される。絶縁層３９となる薄膜は、カバー５の上面５ａの全面に亘って形成され、端子基材２７および補強層３１の上面および側面も覆う。絶縁層３９となる薄膜は、例えば、スピンコート法やスプレー法により形成される。
【００７２】
絶縁層３９となる薄膜が形成されると、図８（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィーを行う。なお、絶縁層３９となる薄膜は、ネガ型およびポジ型のいずれの感光性樹脂でもよいが、図８（ｃ）では、ネガ型の感光性樹脂が用いられた場合のフォトマスク５３を例示している。
【００７３】
その後、絶縁層３９となる薄膜のうち、フォトマスク５３を介して光が照射されなかった部分が除去されると、図４に示すように、絶縁層３９により構成された、被覆部材２９および絶縁膜３３が形成される。
【００７４】
以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の上面３ａに配置された励振電極１３と、励振電極１３を覆うカバー５と、励振電極１３と電気的に接続され、カバー５の上面５ａに露出する端子７とを有する。端子７の上面７ａは、導電性を有する第１領域７ａａと、第１領域７ａａに比較して、端子７の上面７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域７ａｂとを有している。
【００７５】
従って、被覆部材２９が設けられない場合（上面７ａ全体が第１領域７ａａである場合）に比較して、半田１０５を介して端子７に加えられる、端子７を基板３の上面３ａから剥離させようとする力を低減して、端子７の基板３からの剥離を抑制できる。端子７の上面７ａの全面に対して一律に引張応力を緩和するのではなく、導電性を有する第１領域７ａａと、引張応力を緩和する第２領域７ａｂとを設けることから、端子７の下面（パッド１７と接する面）のうち、基板３から剥離しやすい部分の直上領域に第２領域７ａｂを配置して、第１領域７ａａを介して端子７と半田１０５との導通性を確保しつつ効果的に剥離を抑制することができるなど、引張力が信頼性低下に及ぼす影響を好適に抑制可能である。
【００７６】
端子７は、カバー５の上面に露出する導電性の端子基材２７と、端子基材２７の上面の一部を露出させるようにして端子基材２７の上面に配置された被覆部材２９とを有する。被覆部材２９は、ヤング率が半田１０５よりも低いという性質、端子基材２７に比較して半田濡れ性が悪いという性質、および、端子基材２７との接合性が半田１０５と端子基材２７との接合性よりも低いという性質の少なくとも一の性質を有する。そして、被覆部材２９の非配置領域により第１領域７ａａが構成され、被覆部材２９の配置領域により第２領域７ａｂが構成されている。
【００７７】
従って、端子基材２７上の一部に被覆部材２９を配置する簡便な方法により、導通性を有する第１領域７ａａおよび引張応力を緩和可能な第２領域７ａｂを実現することができる。
【００７８】
さらに、被覆部材２９が配置されることにより、端子７は、被覆部材２９が配置されない場合に比較して背が高くなる。その結果、歩留りの向上が期待される。具体的には、以下のとおりである。
【００７９】
図９は、実装基板１０１にＳＡＷ装置１を搭載するときの断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の一部に対応）を示している。図９（ａ）は、被覆部材２９が設けられていない比較例を示し、図９（ｂ）は、本実施形態を示している。
【００８０】
図９（ａ）に示すように、実装用パッド１０３と端子基材２７との位置がずれた場合、半田１０５が補強部９に当接し、その一方で半田１０５が端子基材２７に当接しない状態が生じ得る。
【００８１】
しかし、図９（ｂ）に示すように、本実施形態においては、被覆部材２９が配置されて端子７の背が高くなっていることにより、図９（ａ）のような状態が生じる蓋然性が低減される。
【００８２】
特に被覆部材２９が金属材料により覆われている場合や被覆部材２９自体が金属からなる場合には、半田１０５が端子７に触れやすくなるためセルフアライメント効果によってＳＡＷ装置１が所定の位置に移動し、ＳＡＷ装置１の実装不良が起きにくくなる。
【００８３】
また、被覆部材２９が配置されて端子７の背が高くなると、ＳＡＷ装置１（補強部９）と実装基板１０１との隙間ｄ０（図２参照）が大きくなり、モールド樹脂１０７が流れ込み易くなる。その結果、隙間ｄ０に気泡ができ難くなり、ひいては、気泡の膨張による実装不良が抑制される。
【００８４】
また、本実施形態においては、ＳＡＷ装置１は、励振電極１３上が空隙となるようにカバー５に設けられた凹部５ｒと、カバー５の上面５ａに平面透視において凹部５ｒを覆うように配置された金属からなる補強層３１と、補強層３１を被覆する絶縁膜３３とをさらに有する。絶縁膜３３と被覆部材２９とは同一材料（絶縁層３９）により構成されている。
【００８５】
従って、絶縁膜３３の形成と、被覆部材２９の形成とを同時に行うことができ、製造工程を増加させることなく、第１領域７ａａおよび第２領域７ａｂを形成することができる。
【００８６】
端子７は、カバー５を高さ方向に貫き、カバー５の上面５ａから露出する柱部７ｃと、柱部７ｃの上面側の外周から突出してカバー５の上面５ａに配置されるフランジ７ｄとを有する。第１領域７ａａは、端子７の上面７ａの外周側に設けられ、第２領域７ａｂは、端子７の上面７ａの中央側に設けられている。
【００８７】
従って、半田１０５から柱部７ｃに直接的に作用する引張応力を低減して、柱部７ｃの基板３からの剥離を抑制しつつ、フランジ７ｄを介して半田１０５と端子７との導通性を確保することができる。本実施形態では、第２領域７ａｂが柱部７ｃの上面全体を含む広さであることから、当該効果が一層期待される。
【００８８】
本実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法は、基板３の上面３ａに励振電極１３を形成する工程（図６（ａ））と、励振電極１３を覆うカバー５を形成する工程（図６（ｃ）〜図７（ａ））と、励振電極１３と電気的に接続され、カバー５の上面５ａに露出する導電性の端子基材２７を形成する工程（図７（ｂ）〜図８（ａ））と、端子基材２７を覆うように感光性の樹脂からなる絶縁膜構成層（３９）を形成する工程（図８（ｂ））と、フォトリソグラフィーによって絶縁膜構成層の一部を除去することにより、端子基材２７の上面の一部を露出させるようにして端子基材２７の上面に配置された被覆部材２９を形成する工程（図８（ｃ）〜図４）とを含む。
【００８９】
従って、フォトリソグラフィーにより端子基材２７の上面の一部に絶縁性の被覆部材２９を配置する簡便な方法により、本実施形態のＳＡＷ装置１を製造することができる。
【００９０】
＜第２の実施形態＞
図１０は、第２の実施形態のＳＡＷ装置２０１の要部を示す断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図の一部に対応）である。
【００９１】
第２の実施形態のＳＡＷ装置２０１は、金属膜４１を備えている点のみが第１の実施形態と相違する。金属膜４１は、例えば、第１金属層４３と、その上に積層された第２金属層４５とから構成されている。
【００９２】
金属膜４１（第１金属層４３および第２金属層４５）は、例えば、少なくとも端子基材２７の上面および被覆部材２９の上面を覆っており、より好ましくは、端子基材２７のフランジの側面も覆っている。従って、金属膜４１は、端子２０７のカバー５の上面５ａから露出する表面を構成している。
【００９３】
第２金属層４５は、半田濡れ性が端子基材２７の材料よりも高い材料により構成されている。例えば、端子基材２７が銅により構成されているのに対し、第２金属層４５は、金または金を主成分とする合金により構成されている。
【００９４】
第１金属層４３は、例えば、半田１０５および第２金属層４５が端子基材２７側へ拡散し過ぎることを抑制するのに好適な材料により構成されている。例えば、第１金属層４３は、ニッケルまたはニッケルを主成分とする合金により構成されている。なお、第１金属層４３は、金属膜４１の膜厚確保にも寄与する。第１金属層４３は、省略されてもよい。
【００９５】
端子２０７の上面２０７ａは、第１の実施形態と同様に、被覆部材２９の直上領域の第２領域２０７ａｂと、その周囲の第１領域２０７ａａとを有している。一方、被覆部材２９は、ヤング率が半田１０５よりも低いという性質、金属膜４１との接合性が金属膜４１と端子基材２７との接合性よりも低いという性質、および端子基材２７との接合性が金属膜４１と端子基材２７との接合性よりも低いという性質の少なくとも一の性質を有している。従って、第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第２領域２０７ａｂは、第１領域２０７ａａに比較して、端子２０７の上面２０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能である。
【００９６】
端子２０７は、金属膜４１の厚みｔ１だけ補強部９よりも高くなっている。金属膜４１の厚みｔ１は、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍである。
【００９７】
なお、第２の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法は、例えば、第１の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法において、絶縁層３９のパターニングの後に、金属膜４１の形成が追加されたものである。金属膜４１は、例えば、金属膜４１の非配置位置にレジスト層を形成した後に、無電解めっきを行うことにより形成される。
【００９８】
第２の実施形態によれば、端子２０７の上面２０７ａは、導電性を有する第１領域２０７ａａと、第１領域２０７ａａに比較して、端子２０７の上面２０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域２０７ａｂとを有していることから、第１の実施形態と同様に、第２領域２０７ａｂが設けられない場合（上面２０７ａの全体が第１領域２０７ａａである場合）に比較して、端子２０７に加えられる引張力がＳＡＷ装置２０１の信頼性低下に及ぼす影響を抑制できる。
【００９９】
ＳＡＷ装置２０１は、被覆部材２９を被覆する金属膜４１をさらに有する。従って、図９を参照して説明した、被覆部材２９を端子基材２７の上面に配置することによる歩留りの向上の効果が増大される。
【０１００】
すなわち、第２領域２０７ａｂに形成された凸部は、金属膜４１により表面に導電性が付与されていることから、半田１０５が凸部に当接するだけで、端子２０７と実装用パッド１０３との導通が確保される。また、金属膜４１は絶縁性の被覆部材２９よりも半田濡れ性が高いので、セルフアライメントの効果も増大する。金属膜４１は、被覆部材２９上の上面が絶縁膜３３の上面よりも高い位置にあるので、第１の実施形態よりも、半田１０５が絶縁膜３３に当接して端子に当接しないという状況の蓋然性が低減される。
【０１０１】
さらに、端子２０７の背が金属膜４１の厚さｔ１高くなることから、上述した、補強部９と実装基板１０１との間における気泡発生抑制の効果も増大する。
【０１０２】
＜第３の実施形態＞
図１１（ａ）は、第３の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＸＩｂ−ＸＩｂ線の断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図の一部に対応）である。
【０１０３】
第３の実施形態のＳＡＷ装置の端子３０７は、被覆部材３２９の平面形状のみが第２の実施形態の端子２０７と相違する。被覆部材３２９は、端子基材２７の外周側に環状に配置されている。従って、第１および第２の実施形態とは逆に、導電性を有する第１領域３０７ａａが端子３０７の上面３０７ａの中央側に、半田１０５に及ぼす引張応力を緩和可能な第２領域３０７ａｂが上面３０７ａの外周側に位置している。
【０１０４】
第３の実施形態によれば、端子３０７の上面３０７ａは、導電性を有する第１領域３０７ａａと、第１領域３０７ａａに比較して、端子３０７の上面３０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域３０７ａｂとを有していることから、第１の実施形態と同様に、第２領域３０７ａｂが設けられない場合（上面３０７ａの全体が第１領域３０７ａａである場合）に比較して、端子３０７に加えられる引張力がＳＡＷ装置の信頼性低下に及ぼす影響を抑制できる。
【０１０５】
被覆部材３２９は、端子３０７の上面の外周側に環状に配置されていることから、図９を参照して説明した、位置ずれが生じた場合における、被覆部材３２９と半田１０５とが当接しやすくなる効果が向上する。ひいては、歩留りの向上が期待される。
【０１０６】
＜第４の実施形態＞
図１２は、第４の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図の一部に対応）である。
【０１０７】
第４の実施形態のＳＡＷ装置の端子４０７は、被覆部材４２９の材質が第１〜第３の実施形態と相違する。具体的には、被覆部材４２９は、半田濡れ性が悪い金属により構成されている。このような金属としては、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金が挙げられる。なお、被覆部材４２９の配置範囲は、例えば、第１の実施形態と同様である。
【０１０８】
また、端子４０７は、第２および第３の実施形態と同様に金属膜４１を有しているが、金属膜４１は被覆部材４２９を覆っていない。なお、端子４０７においては、端子基材２７と金属膜４１とにより、第４の実施形態における端子基材４２７が構成されていると捉えられてもよい。金属膜４１の第２金属層４５は、上述のように、半田濡れ性がよい金属、例えば、金または金を主成分とする合金により構成されている。
【０１０９】
そして、端子４０７の上面４０７ａにおいては、被覆部材４２９の非配置領域により、導電性を有する第１領域４０７ａａが構成され、被覆部材４２９の配置領域により、第１領域４０７ａａよりも半田濡れ性が悪い第２領域４０７ａｂが構成されている。第２領域４０７ａｂは、半田濡れ性が悪いことから、半田１０５の引張応力を緩和することが可能である。
【０１１０】
第４の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法は、例えば、第２の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法において、絶縁層３９の形成工程が省略されるとともに、金属膜４１の形成工程の後に、被覆部材４２９の形成工程が追加されたものである。被覆部材４２９は、例えば、被覆部材４２９の非配置位置にレジスト層を形成した後に、無電解めっきを行うことにより形成される。
【０１１１】
第４の実施形態によれば、端子４０７の上面４０７ａは、導電性を有する第１領域４０７ａａと、第１領域４０７ａａに比較して、端子４０７の上面４０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域４０７ａｂとを有していることから、第１の実施形態と同様に、第２領域４０７ａｂが設けられない場合（上面４０７ａの全体が第１領域４０７ａａである場合）に比較して、端子４０７に加えられる引張力がＳＡＷ装置の信頼性低下に及ぼす影響を抑制できる。
【０１１２】
さらに、被覆部材４２９は、金属により構成されていることから、第１領域４０７ａａだけでなく、第２領域４０７ａｂにおいても、半田１０５と端子４０７との導通性を確保可能である。従って、ＳＡＷ装置の信頼性低下が一層抑制される。
【０１１３】
＜第５の実施形態＞
図１３は、第５の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図の一部に対応）である。
【０１１４】
第５の実施形態のＳＡＷ装置の端子５０７は、第２の実施形態（図１０）の端子２０７から、被覆部材２９と、金属膜４１の被覆部材２９上の部分とを排除した構成となっている。
【０１１５】
換言すれば、端子５０７は、第１の実施形態の端子基材２７と、端子基材２７の上面に、当該上面の一部を露出させるようにして配置され、第１金属層４３および第２金属層４５により構成されためっき部材５４１とを有している。上述したように、第２金属層４５は、端子基材２７の材料（例えば銅）よりも半田濡れ性がよい材料（例えば金）により形成されている。
【０１１６】
従って、端子５０７の上面５０７ａにおいては、めっき部材５４１の配置領域により、導電性を有する第１領域５０７ａａが構成され、めっき部材５４１の非配置領域により、第１領域５０７ａａよりも半田濡れ性が悪い第２領域５０７ａｂが構成されている。第２領域５０７ａｂは、半田濡れ性が悪いことから、半田１０５の引張応力を緩和することが可能である。
【０１１７】
第５の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法は、例えば、第２の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法において、絶縁層３９の形成工程が省略されるとともに、第２の実施形態とは異なる形状に第１金属層４３および第２金属層４５がパターニングされるものである。
【０１１８】
第５の実施形態によれば、端子５０７の上面５０７ａは、導電性を有する第１領域５０７ａａと、第１領域５０７ａａに比較して、端子５０７の上面５０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域５０７ａｂとを有していることから、第１の実施形態と同様に、第２領域５０７ａｂが設けられない場合（上面５０７ａの全体が第１領域５０７ａａである場合）に比較して、端子５０７に加えられる引張力がＳＡＷ装置の信頼性低下に及ぼす影響を抑制できる。
【０１１９】
さらに、第１領域５０７ａａだけでなく、第２領域５０７ａｂにおいても、半田１０５と端子４０７との導通性を確保可能である。従って、ＳＡＷ装置の信頼性低下が一層抑制される。第５の実施形態は、他の実施形態に比較して、端子と実装基板１０１との導通面積確保の要求が端子の基板からの剥離抑制の要求に対して相対的に高い場合に効果的である。
【０１２０】
＜第６の実施形態＞
図１４（ａ）は、第６の実施形態のＳＡＷ装置６０１の要部を示す平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ線の断面図である。なお、図１４（ｂ）では、保護層２５は図示が省略されている。
【０１２１】
ＳＡＷ装置６０１は、第１の実施形態の端子７に代えて、パッド１７に接続された貫通導体６４７と、貫通導体６４７に接続された配線導体６４９と、配線導体６４９に接続された端子６０７とを有している。
【０１２２】
貫通導体６４７は、パッド１７上においてカバー５を貫通している。配線導体６４９は、カバー５の上面５ａにおいて延在している。端子６０７は、カバー５の上面５ａに配置された端子基材６２７と、端子基材６２７の上面の一部を露出させるように端子基材６２７の上面に配置された、第１の実施形態と同様の被覆部材２９とを有している。
【０１２３】
貫通導体６４７、配線導体６４９および端子基材６２７は、第１の実施形態の端子基材２７および補強層３１と同様に、下地層３５（図１４では図示省略）と、金属部３７とにより構成されている。配線導体６４９は、補強層３１と同様に、絶縁層３９により覆われている。
【０１２４】
端子６０７の上面６０７ａには、第１の実施形態と同様に、被覆部材２９の非配置領域により、導電性を有する第１領域６０７ａａが形成され、被覆部材２９の配置領域により、端子６０７の上面６０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を抑制可能な第２領域６０７ａｂが形成されている。
【０１２５】
従って、被覆部材２９が設けられない場合に比較して、端子６０７のカバー５の上面５ａからの剥離、または、端子６０７直下における、蓋部２１の枠部１９からの剥離若しくは枠部１９の基板３からの剥離が抑制される。その結果、カバー５の密閉性が保たれ、端子６０７に加えられる引張力がＳＡＷ装置の信頼性低下に及ぼす影響を抑制できる。
【０１２６】
＜第７の実施形態＞
図１５は、第７の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図の一部に対応）である。
【０１２７】
第７の実施形態のＳＡＷ装置の端子７０７は、被覆部材７２９の断面形状のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、被覆部材７２９は、中央側ほど厚みが増すドーム状に形成されている。なお、端子７０７の上面７０７ａにおける、第１領域７０７ａａおよび第２領域７０７ａｂの平面形状は、第１の実施形態と同様である。
【０１２８】
被覆部材７２９は、例えば、ディスペンサーにより端子基材２７の上面に樹脂等の絶縁部材が盛られることにより形成される。なお、被覆部材７２９以外の製造方法は、第１の実施形態と同様である。
【０１２９】
第７の実施形態によれば、半田１０５の第２領域７０７ａｂ上の部分における引張応力が半田１０５の第１領域７０７ａａ上の部分に分散されやすい。その結果、第１の実施形態に比較して、端子７０７の基板３からの剥離がより効果的に抑制されることが期待される。
【０１３０】
＜実施例＞
図２に示したように第１の実施形態のＳＡＷ装置１が実装基板１０１に実装された場合を想定して、各部材をモデル化するとともに各部材に具体的な寸法等を設定し、熱応力のシミュレーション計算を行った。具体的には以下のとおりである。
【０１３１】
（部材のモデル化）
図１６（ａ）は、比較例のモデルを示す断面図、図１６（ｂ）は、実施例１のモデルを示す断面図、図１６（ｃ）は、実施例２のモデルを示す断面図である。
【０１３２】
実装用パッド１０３、パッド１７および保護層２５は省略した。端子基材２７は、柱部のみとし（フランジは省略し）、また、カバー５から突出しないものとした。端子基材２７は単一の材料により形成されているものとした。端子基材２７および半田１０５は円柱状であるものとした。
【０１３３】
（シミュレーションケース）
被覆部材２９が設けられない場合（端子が端子基材２７のみにより形成される場合）を比較例とした。また、被覆部材２９の厚さがｃ１の場合を実施例１、被覆部材２９の厚さがｃ２（＝ｃ１／２）の場合を実施例２とした。
【０１３４】
（シミュレーション条件）
【０１３５】
計算対象範囲：
ＸＹ平面においてはＳＡＷ装置を中心として１．３２ｍｍ（Ｘ方向）×１．７２ｍｍ（Ｙ方向）の範囲。
Ｚ方向においては、実装基板１０１の実装面１０１ａから実装基板１０１側へ０．４ｍｍ、その反対側へ０．５ｍｍの範囲。
【０１３６】
各主部材の寸法：
基板３：０．６６ｍｍ（Ｘ方向）×０．８６ｍｍ（Ｙ方向）×０．２ｍｍ（Ｚ方向）
端子基材２７およびカバー５の高さｈ１：０．０６ｍｍ
端子基材２７および半田１０５の直径ｄ１：０．０７ｍｍ
半田１０５の高さ（カバー５と実装基板１０１との隙間）ｈ２：０．０４ｍｍ
被覆部材２９の直径ｄ２：０．０４ｍｍ
被覆部材２９の厚さｃ１（実施例１）：ｈ２×２／３
被覆部材２９の厚さｃ２（実施例２）：ｈ２×１／３
【０１３７】
なお、カバー５の平面視における大きさは基板３と概ね同等である。実装基板１０１およびモールド樹脂１０７は、計算対象範囲に広がっているものとした。換言すれば、実装基板１０１は、１．３２ｍｍ（Ｘ方向）×１．７２ｍｍ（Ｙ方向）×０．４ｍｍ（Ｚ方向）の大きさ、モールド樹脂１０７は、１．３２ｍｍ（Ｘ方向）×１．７２ｍｍ（Ｙ方向）×０．５ｍｍ（Ｚ方向）の大きさとした。
【０１３８】
各部材の材質（物性値）：
実装基板１０１：ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics、ヤング率＝１７３ＧＰａ、ポアソン比＝０．２６、線膨張係数１０．７ｐｐｍ／℃）
半田１０５：鉛フリー半田（９６Ｓｎ／３．５Ａｇ／Ｃｕ、ヤング率＝５１．９ＧＰａ、ポアソン比＝０．３９、線膨張係数２０．８ｐｐｍ／℃）
カバー５：樹脂（ヤング率＝２．４ＧＰａ、ポアソン比＝０．３、線膨張係数６５ｐｐｍ／℃）
端子基材２７：銅（ヤング率＝１１７ＧＰａ、ポアソン比＝０．３４、線膨張係数１６．５ｐｐｍ／℃）
基板３：ＬｉＴａＯ３（ヤング率＝２３０ＧＰａ、ポアソン比＝０．３、線膨張係数１．６１ｐｐｍ／℃）
モールド樹脂１０７（８５℃）：樹脂（ヤング率＝２．６２ＧＰａ、ポアソン比＝０．３、線膨張係数１００ｐｐｍ／℃）
【０１３９】
（想定した状況および計算方法）
モールド樹脂１０７に＋６０℃の温度荷重が加えられときの応力を有限要素法により算出した。なお、部材間の界面は剥離しないものとした。
【０１４０】
（評価方法およびシミュレーション結果）
端子基材２７と基板３との界面における最大応力を抽出した。結果は、以下のとおりである。
比較例（図１６（ａ））：７６５ＭＰａ
実施例１（図１６（ｂ））：６６７ＭＰａ
実施例２（図１６（ｃ））：７４２ＭＰａ
以上のシミュレーション結果より、被覆部材２９が設けられることにより、端子基材２７が基板３から剥離する蓋然性が抑制されることが確認された。
【０１４１】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【０１４２】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよいし、弾性境界波装置（ただし、広義のＳＡＷ装置に含まれる）であってもよい。なお、弾性境界波装置等の弾性波装置においては、励振電極上に空隙（振動空間）は不要である。
【０１４３】
また、本発明の弾性波装置において、保護層、補強層および裏面部は必須の要件ではなく、省略されてもよい。逆に、端子とパッドとの間にこれらの接合を強化するための適宜な導電層を設けるなど、適宜に部材が追加されてもよい。
【０１４４】
上述の実施形態は、適宜に組み合わされてよい。例えば、第１の実施形態において、端子基材２７に代えて、第４の実施形態（図１２）の端子基材４２７が用いられてもよい（金属膜４１が設けられてもよい。）。逆に、第４の実施形態において、第１の実施形態と同様に、金属膜４１が省略されてもよい。また、例えば、第３の実施形態（図１１）の被覆部材３２９の平面形状が第１若しくは第４の実施形態（図１２）に適用されてもよいし、第７の実施形態の被覆部材７２９の形状（図１５）が、第２〜第４の実施形態（図１０〜図１２）に適用されてもよい。
【０１４５】
第１領域および第２領域の平面形状は、円形および円形を囲む環状に限定されない。例えば、各領域は、三角形等の多角形であってもよい。また、例えば、第１および第２領域は、一方の領域が他方の領域を囲む関係になくてもよい。
【０１４６】
第１領域および第２領域（端子）を構成するための材料も適宜な範囲に配置されてよい。例えば、金属膜４１（図１０等）は、端子基材（２７等）の上面のみを多い、フランジの側面を覆っていなくてもよい。また、例えば、第３の実施形態（図１１）において、被覆部材３２９は端子基材２７のフランジの側面を覆っていてもよい。また、例えば、第５の実施形態（図１３）において第１金属層４３は第２領域５０７ａｂに存在してもよい。
【０１４７】
端子は、図１４に例示したように、励振電極を覆うカバー上面に露出していればよく、カバーを貫いている必要はない。また、端子は、カバーを完全に貫いているもの、カバー上面に配置されているものに限定されず、カバーの上方側の一部のみを貫通するものであってもよい。また、端子の断面形状および平面形状は適宜に設定されてよい。例えば、端子の柱部は、基板側ほど拡径するテーパ状に形成されてもよい。また、例えば、端子の柱部およびフランジは、平面形状が多角形に形成されてもよい。
【０１４８】
弾性波装置の製造方法は、実施形態において例示したものに限定されない。例えば、振動空間が不要なカバーは、枠部と蓋部とを別個に形成する必要はなく、カバー全体が一回のフォトリソグラフィー等により一体的に形成されてもよい。また、例えば、振動空間を要するカバーは、振動空間となる領域に犠牲層を形成して、その後、犠牲層上にカバーとなる樹脂層を形成し、樹脂層内から犠牲層を溶解、流出させることにより形成されてもよい。また、例えば、端子は、導電ペーストの貫通孔（５ｈ）への充填およびカバー上面への印刷により形成されてもよい。
【符号の説明】
【０１４９】
１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…上面、５…カバー、５ａ…上面、７…端子、７ａ…上面、７ａａ…第１領域、７ａｂ…第２領域、１３…励振電極、１０５…半田。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板と、基板の主面上に設けられた励振電極と、励振電極を封止するカバーと、励振電極と接続された端子とを有する弾性波装置が知られている（例えば特許文献１）。端子は、例えば、柱状に形成されて基板の主面に立てられ、カバーを貫通してカバー上面に露出する。このような弾性波装置は、例えば、実装基板の主面に、端子が露出する側（カバー上面側）を対向させて配置される。そして、半田により端子と実装基板の主面上の配線パターンとが接続される。さらに、弾性波装置は、周囲に溶融状態の樹脂（モールド樹脂）が流し込まれ、その樹脂が固化することにより、樹脂封止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２５１８６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような実装構造においては、弾性波装置は、モールド樹脂の熱膨張により、カバーおよび基板を実装基板から離間させる力を受ける。一方、端子は、半田を介して実装基板に接合されていることから、相対的に実装基板側への引張力を受けることになる。その結果、弾性波装置においては、いずれかの部材間に剥離を生じさせる力が作用することになる。例えば、上述のように、端子が基板の主面に立てて端子が設けられている場合においては、端子を基板から剥離させる力が端子に作用する。剥離が生じると、例えば、導通性の低下若しくは密閉性の低下が生じ、弾性波装置の信頼性が低下する。
【０００５】
本発明の目的は、端子に加えられる引張力が弾性波装置の信頼性低下に及ぼす影響を好適に抑制可能な弾性波装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施態様に係る弾性波装置は、基板と、該基板の上面に配置された励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、を有し、前記端子は、前記カバーの上面に露出する金属からなる端子基材と、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された絶縁材料からなる被覆部材と、を有する。
【０００７】
また本発明の一実施態様に係る弾性波装置は、基板と、該基板の上面に配置された励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、を有し、前記端子は、前記カバーの上面に露出する金属からなる端子基材と、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された前記端子基材よりも半田濡れ性が悪い金属からなる被覆部材と、を有する。
【０００８】
また本発明の一実施態様に係る弾性波装置は、基板と、該基板の上面に配置された励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、を有し、前記端子は、前記カバーの上面に露出する導電性の端子基材と、導電性を有し、前記端子基材に比較して半田濡れ性が良く、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置されためっき部材と、を有する。
【０００９】
本発明の一実施態様に係る弾性波装置の製造方法は、基板の上面に励振電極を形成する工程と、前記励振電極を覆うカバーを形成する工程と、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する導電性の端子基材を形成する工程と、前記端子基材を覆うように感光性の樹脂からなる絶縁膜構成層を形成する工程と、フォトリソグラフィーによって前記絶縁膜構成層の一部を除去することにより、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された被覆部材を形成する工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
上記の構成または手順によれば、端子がカバーの上面に露出する金属からなる端子基材と、端子基材の上面の一部を露出させるようにして端子基材の上面に配置された絶縁材料からなる被覆部材とを有することによって、端子に加えられる引張力が低減され、端子の圧電基板からの剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図２】図１のＳＡＷ装置の実装例を示す、一部に断面図を含む、Ｙ方向に見た側面図である。
【図３】図１のＳＡＷ装置を一部破断して示す斜視図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【図５】図４の領域Ｖの拡大図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、図６（ｄ）の続きを示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は、図７（ｃ）の続きを示す断面図である。
【図９】図９（ａ）および図９（ｂ）は、図１および比較例のＳＡＷ装置を実装基板に搭載するときの断面図である。
【図１０】第２の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、第３の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＸＩｂ−ＸＩｂ線の断面図である。
【図１２】第４の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図である。
【図１３】第５の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は、第６の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ線の断面図である。
【図１５】第７の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、比較例および実施例のモデルを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１３】
第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と共通または類似する構成について、既に説明された実施形態と共通の符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。なお、ＳＡＷ装置１は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の実施形態では、便宜的に、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側（図１の紙面上方側）を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。
【００１５】
ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の上面３ａに設けられたカバー５と、カバー５の上面５ａ（基板３とは反対側の面）から露出する複数の端子７と、カバー５の上面５ａに設けられた補強部９と、基板３の下面３ｂ（カバー５とは反対側）に設けられた裏面部１１とを有している。
【００１６】
ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。
【００１７】
図２は、ＳＡＷ装置１の実装例を示す、一部に断面図を含む、Ｙ方向に見た側面図である。
【００１８】
ＳＡＷ装置１は、カバー５の上面５ａを実装基板１０１の実装面１０１ａに対向させて配置されている。実装面１０１ａには、複数の実装用パッド１０３が形成されており、端子７と対向している。端子７と実装用パッド１０３とは、半田１０５を介して互いに固定されるとともに電気的に接続されている。ＳＡＷ装置１は、その周囲に流し込まれて固化したモールド樹脂１０７により樹脂封止されている。
【００１９】
半田１０５は、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ合金半田、鉛フリー半田、Ａｕ−Ｓｎ合金半田、Ａｕ−Ｇｅ合金半田である。半田付けは、例えば、リフローにより行われる。すなわち、半田付けは、実装用パッド１０３上に半田１０５を印刷し、その上にＳＡＷ装置１を搭載し、半田１０５に熱を加えることにより行われる。
【００２０】
モールド樹脂１０７は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材およびフィラーを主成分としている。樹脂封止は、例えば、トランスファモールドにより行われる。すなわち、樹脂封止は、ＳＡＷ装置１が半田１０５により実装された実装基板１０１を金型内に配置し、金型内に樹脂を充填することにより行われる。
【００２１】
図３は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。
【００２２】
基板３の上面３ａには、ＳＡＷ装置１に入力された信号をフィルタリングするための励振電極１３と、励振電極１３に接続された配線１５と、配線１５を介して励振電極１３と接続された複数のパッド１７とが設けられている。カバー５は、これら励振電極１３、配線１５およびパッド１７を覆っている。
【００２３】
基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。基板３は、例えば、直方体状に形成されており、矩形状で互いに平行かつ平坦な上面３ａおよび下面３ｂを有している。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さ（Ｚ方向）は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍであり、１辺の長さ（Ｘ方向またはＹ方向）は０．５ｍｍ〜２ｍｍである。
【００２４】
励振電極１３は、上面３ａに形成された一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）１４を有している。各櫛歯状電極１４は、基板３における弾性表面波の伝搬方向（本実施形態ではＸ方向）に延びるバスバー１４ａと、バスバー１４ａから上記伝搬方向に直交する方向（本実施形態ではＹ方向）に伸びる複数の電極指１４ｂとを有している。２つの櫛歯状電極１４同士は、それぞれの電極指１４ｂが互いに噛み合うように設けられている。
【００２５】
なお、図３等は模式図であることから、数本の電極指１４ｂを有する一対の櫛歯状電極１４を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数の励振電極１３が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてよい。励振電極１３は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２６】
配線１５は、励振電極１３のバスバー１４ａからパッド１７まで延びている。なお、配線１５は、絶縁体を介在させた状態で立体交差するように配置されてもよい。配線１５は、例えば、励振電極１３と同様に、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２７】
パッド１７は、端子７に接続される部分である。パッド１７の数および配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成等に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つのパッド１７が上面３ａの外周に沿って配列されている。パッド１７は、例えば、励振電極１３と同様に、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２８】
カバー５は、例えば、外殻形状が概ね直方体状に形成されており、基板３の上面３ａに対して平行かつ平坦な上面５ａを有している。また、カバー５は、概ね基板３の上面３ａと同等の広さを有し、上面３ａの概ね全体を覆っている。
【００２９】
カバー５の、基板３の上面３ａ側の面には、励振電極１３上が空隙（振動空間１０）となるように、凹部５ｒ（図４も参照）が形成されている。凹部５ｒの形状および数は適宜に設定されてよいが、図３では、概ね、平面形状が六角形状で、一様の高さの凹部５ｒが２つ設けられている場合を例示している。
【００３０】
カバー５は、上面３ａの平面視において励振電極１３を囲む枠部１９と、枠部１９の開口を塞ぐ蓋部２１とを有している。そして、上面３ａ（厳密には後述する保護層２５）、枠部１９および蓋部２１により囲まれた空間により、励振電極１３の振動を容易化する振動空間１０が形成されている。
【００３１】
枠部１９は、概ね一定の厚さの層に振動空間１０となる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることにより構成されている。枠部１９の厚さ（振動空間１０の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部２１は、枠部１９上に積層される、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部２１の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。
【００３２】
枠部１９および蓋部２１は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部１９と蓋部２１との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１９と蓋部２１とは、同一材料により一体的に形成されていてもよい。
【００３３】
カバー５（枠部１９および蓋部２１）は、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
【００３４】
端子７は、図３において断面が示された端子７において表れているように、基板３の上面３ａに立てて設けられており、枠部１９および蓋部２１を上面３ａの面する方向へ貫通し、カバー５の上面において露出している。端子７は、パッド１７上に設けられることにより、励振電極１３と接続されている。
【００３５】
より具体的には、端子７は、柱状に形成された柱部７ｃと、柱部７ｃの上面側の側面から突出するフランジ７ｄとを有している。柱部７ｃは、カバー５を貫通し、フランジ７ｄは、カバー５の上面に積層されている。柱部７ｃの上面およびフランジ７ｄの上面は、端子７の上面７ａを構成し、上面７ａは、半田１０５を介して実装用パッド１０３に接続されるランドを構成している。
【００３６】
柱部７ｃは、例えば、円柱状に形成されている。柱部７ｃの直径は、例えば、２０μｍ〜１２０μｍである。フランジ７ｄは、例えば、柱部７ｃの全周に亘って形成されるとともに、概ね一定の幅で形成されており、本実施形態では円形の環状となっている。フランジ７ｄの外側の直径は、柱部７ｃの直径よりも、例えば、５μｍ〜１００μｍ大きい。
【００３７】
補強部９は、カバー５（特に蓋部２１）の強度を補強するためのものである。補強部９は、カバー５の比較的広い範囲に亘って形成されている。例えば、補強部９は、端子７の配置位置を避けて、カバー５の概ね全面に亘って形成されている。従って、補強部９は、平面視において、振動空間１０の全体を覆うとともに、振動空間１０の外側に延出し、蓋部２１とともに枠部１９に支持されている。
【００３８】
裏面部１１は、特に図示しないが、例えば、基板３の下面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等により基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部１１は、図示や説明が省略されることがある。
【００３９】
図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【００４０】
ＳＡＷ装置１は、基板３の上面３ａに設けられた導電層２３と、導電層２３および上面３ａに積層された保護層２５とを有している。
【００４１】
導電層２３は、上面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。具体的には、導電層２３は、例えば、励振電極１３、配線１５の少なくとも一部およびパッド１７を構成している。導電層２３は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。
【００４２】
保護層２５は、励振電極１３の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、または、シリコンによって形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、導電層２３の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）である。保護層２５は、パッド１７の配置位置以外においては、上面３ａ全体に亘って形成されている。なお、カバー５は、保護層２５に積層されている。
【００４３】
端子７は、導電性の端子基材２７と、端子基材２７の上面に配置された被覆部材２９とを有している。端子基材２７は、例えば、カバー５に成膜された導電性の下地層３５と、下地層３５の表面上に形成された金属部３７とにより構成されている。被覆部材２９は、金属部３７に被覆された絶縁層３９により構成されている。
【００４４】
補強部９は、金属により構成された補強層３１と、補強層３１を被覆する絶縁膜３３とを有している。補強層３１は、例えば、端子基材２７と同様に、下地層３５および金属部３７により構成されている。絶縁膜３３は、例えば、被覆部材２９と同様に絶縁層３９により構成されている。
【００４５】
端子基材２７は、端子７の大部分を構成している。すなわち、端子基材２７は、カバー５を貫通する柱部および柱部から突出するフランジを有し、柱部７ｃおよびフランジ７ｄの大部分を構成している。一方、被覆部材２９は、端子基材２７の上面の一部を露出させるようにして端子基材２７の上面に配置されている。
【００４６】
従って、図１に示すように、端子７の上面７ａは、端子基材２７の上面により形成された第１領域７ａａと、被覆部材２９により形成された第２領域７ａｂとを有している。第１領域７ａａおよび第２領域７ａｂの形状および大きさは適宜に設定されてよいが、本実施形態では、第１領域７ａａは円形の環状に形成され、第２領域７ａｂは、第１領域７ａａの中央に位置する円形に形成されている。また、図４に示すように、第２領域７ａｂ（被覆部材２９）は、柱部７ｃの上面を含む広さに形成されている。
【００４７】
端子基材２７は銅等の金属によって形成され、被覆部材２９は樹脂によって形成されている。従って、被覆部材２９は、端子基材２７に比較して、半田濡れ性が悪い。また、被覆部材２９は、半田１０５に比較してヤング率が低い。また、被覆部材２９は、半田１０５に比較して端子基材２７との接合性が低い。
【００４８】
補強層３１は、金属により構成されていることから、樹脂によって構成されているカバー５よりもヤング率が高い。例えば、カバー５のヤング率が０．５〜１．０ＧＰａであるのに対し、補強層３１のヤング率は１００〜２５０ＧＰａである。補強層３１の厚さは、例えば、１〜５０μｍである。なお、端子基材２７のフランジの厚さは、補強層３１の厚さと同等である。補強層３１は、端子７と接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている。ただし、補強層３１は、端子７と接続されていてもよい。
【００４９】
絶縁膜３３は、補強層３１を半田１０５等から絶縁するためのものである。絶縁膜３３は、補強層３１の上面および側面を覆っている。なお、絶縁膜３３は、補強層３１の縁部から端子基材２７のフランジの縁部に亘っても形成されてよい。
【００５０】
下地層３５は、端子基材２７のカバー５およびパッド１７に接する部分を構成するとともに、補強層３１のカバー５に接する部分を構成している。下地層３５は、例えば、銅、チタン、またはこれらを積層したものにより形成されている。下地層３５の厚さは、概ね均一である。当該厚さは、適宜に設定されてよいが、例えば、下地層３５が銅からなる場合は３００ｎｍ〜１μｍ、下地層３５がチタンからなる場合は１０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００５１】
金属部３７は、端子基材２７の内部および上面を構成するとともに、補強層３１の上方側部分を構成している。金属部３７は、例えば、銅により形成されている。
【００５２】
絶縁層３９は、例えば、樹脂によって構成されている。樹脂は、例えば、一般にソルダーレジストとして使われているエポキシ系樹脂などにより構成されてよい。なお、絶縁層３９は、有機材料に比較して遮水性の高い無機材料により構成されてもよい。無機材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンが挙げられる。絶縁層３９（被覆部材２９および絶縁膜３３）の厚さは、例えば、５００ｎｍ〜２０μｍである。
【００５３】
図５は、図４の領域Ｖの拡大図である。ただし、端子７が半田１０５により実装基板１０１の実装用パッド１０３に接合されている状態を示している。
【００５４】
上述のように、端子７の上面７ａは、端子基材２７の上面により構成された第１領域７ａａと、被覆部材２９により構成された第２領域７ａｂとを有している。半田１０５は、端子７の上面７ａの概ね全面に亘って上面７ａに接している。すなわち、半田１０５は、第１領域７ａａと第２領域７ａｂとの双方に接合されている。
【００５５】
また、第２領域７ａｂは、被覆部材２９が端子基材２７の上面に配置されることにより形成されていることから、端子７の上面７ａには、被覆部材２９の厚み分だけ凸部が形成されている。その結果、半田１０５は、第２領域７ａｂ上における厚みが第１領域７ａａ上における厚みよりも薄くなっている。
【００５６】
ここで、被覆部材２９は、樹脂によって構成されていることから、半田１０５よりもヤング率が低い。従って、モールド樹脂１０７の膨張等により端子７と実装用パッド１０３との距離が離れよる方向に力が作用した場合、被覆部材２９が比較的容易に伸びることにより、半田１０５の第２領域７ａｂ上の部分の実装用パッド１０３側への移動が許容される。その結果、第２領域７ａｂにおいては、第１領域７ａａに比較して、半田１０５に及ぼされる引張応力が低減される。
【００５７】
また、被覆部材２９は、樹脂により構成されていることから、第２領域７ａｂは、第１領域７ａａに比較して、半田濡れ性が悪い。従って、端子７と実装用パッド１０３とが離間した場合、半田１０５と第２領域７ａｂとが剥離することにより、半田１０５の第２領域７ａｂ上の部分の実装用パッド１０３側への移動が許容される。その結果、第２領域７ａｂにおいては、第１領域７ａａに比較して、半田１０５に及ぼされる引張応力が低減される。
【００５８】
また、被覆部材２９は、樹脂によって構成されていることから、端子基材２７との接合性が、半田１０５と端子基材２７との接合性よりも低い。従って、端子７と実装用パッド１０３とが離間した場合、被覆部材２９と端子基材２７とが剥離することにより、半田１０５の第２領域７ａｂ上の部分の実装用パッド１０３側への移動が許容される。その結果、第２領域７ａｂにおいては、第１領域７ａａに比較して、半田１０５に及ぼされる引張応力が低減される。
【００５９】
以上のとおり、被覆部材２９は、ヤング率が半田１０５よりも低いという性質、端子基材２７に比較して半田濡れ性が悪いという性質、および、端子基材２７との接合性が半田１０５と端子基材２７との接合性よりも低いという性質の少なくとも一の性質を有している。そして、これにより、第２領域７ａｂは、第１領域７ａａに比較して、端子７の上面７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能となっている。
【００６０】
（ＳＡＷ装置の製造方法）
図６（ａ）〜図８（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図４（図３のＩＶ−ＩＶ線）に対応する断面図である。製造工程は、図６（ａ）から図８（ｃ）まで順に進んでいく。
【００６１】
以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図６（ａ）〜図８（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。
【００６２】
図６（ａ）に示すように、まず、基板３の上面３ａ上には、導電層２３が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、上面３ａ上に導電層２３となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。パターニングにより、励振電極１３、配線１５およびパッド１７が形成される。すなわち、導電層２３が形成される。
【００６３】
導電層２３が形成されると、図６（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護層２５となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法若しくはＣＶＤである。次に、導電層２３のうちパッド１７を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法等によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２５が形成される。
【００６４】
保護層２５が形成されると、図６（ｃ）に示すように、枠部１９となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、または、保護層２５と同様の薄膜形成法により形成される。
【００６５】
枠部１９となる薄膜が形成されると、図６（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、振動空間１０を構成する開口、および、端子７が配置される予定の孔部１９ｈが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部１９が形成される。
【００６６】
枠部１９が形成されると、図７（ａ）に示すように、蓋部２１が形成される。具体的には、まず、蓋部２１となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることにより形成される。そして、薄膜が形成されることにより、枠部１９の開口が塞がれて、振動空間１０が構成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等により、孔部１９ｈ（図６（ｄ））上の部分が除去され、端子７が配置される予定の孔部５ｈ（孔部１９ｈ含む）が形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても一定の幅で除去される。このようにして、蓋部２１が形成される。
【００６７】
蓋部２１が形成されると、図７（ｂ）に示すように、下地層３５となる薄膜が形成され、さらに、その上にレジスト層５１が形成される。下地層３５となる薄膜は、カバー５の上面の全体に亘って形成される。下地層３５となる薄膜は、孔部５ｈの内周面や底面にも形成される。下地層３５は、例えば、スパッタ法により形成される。
【００６８】
レジスト層５１は、端子基材２７のフランジ（７ｄ）および補強層３１が配置される予定の範囲において、下地層３５が露出するように形成される。レジスト層５１は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。
【００６９】
レジスト層５１が形成されると、図７（ｃ）に示すように、電気めっき処理により、下地層３５の露出部分に金属を析出させ、金属部３７となる金属を形成する。これにより、孔部５ｈ内に金属が充填されるとともに、カバー５の上面に所望の厚さを有する金属が積層される。
【００７０】
金属部３７となる金属が析出されると、図８（ａ）に示すように、下地層３５のレジスト層５１に被覆されていた部分およびレジスト層５１が除去される。これにより、下地層３５および金属部３７からなる、端子基材２７および補強層３１が形成される。
【００７１】
レジスト層５１が除去されると、図８（ｂ）に示すように、絶縁層３９となる薄膜が形成される。絶縁層３９となる薄膜は、カバー５の上面５ａの全面に亘って形成され、端子基材２７および補強層３１の上面および側面も覆う。絶縁層３９となる薄膜は、例えば、スピンコート法やスプレー法により形成される。
【００７２】
絶縁層３９となる薄膜が形成されると、図８（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィーを行う。なお、絶縁層３９となる薄膜は、ネガ型およびポジ型のいずれの感光性樹脂でもよいが、図８（ｃ）では、ネガ型の感光性樹脂が用いられた場合のフォトマスク５３を例示している。
【００７３】
その後、絶縁層３９となる薄膜のうち、フォトマスク５３を介して光が照射されなかった部分が除去されると、図４に示すように、絶縁層３９により構成された、被覆部材２９および絶縁膜３３が形成される。
【００７４】
以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の上面３ａに配置された励振電極１３と、励振電極１３を覆うカバー５と、励振電極１３と電気的に接続され、カバー５の上面５ａに露出する端子７とを有する。端子７の上面７ａは、導電性を有する第１領域７ａａと、第１領域７ａａに比較して、端子７の上面７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域７ａｂとを有している。
【００７５】
従って、被覆部材２９が設けられない場合（上面７ａ全体が第１領域７ａａである場合）に比較して、半田１０５を介して端子７に加えられる、端子７を基板３の上面３ａから剥離させようとする力を低減して、端子７の基板３からの剥離を抑制できる。端子７の上面７ａの全面に対して一律に引張応力を緩和するのではなく、導電性を有する第１領域７ａａと、引張応力を緩和する第２領域７ａｂとを設けることから、端子７の下面（パッド１７と接する面）のうち、基板３から剥離しやすい部分の直上領域に第２領域７ａｂを配置して、第１領域７ａａを介して端子７と半田１０５との導通性を確保しつつ効果的に剥離を抑制することができるなど、引張力が信頼性低下に及ぼす影響を好適に抑制可能である。
【００７６】
端子７は、カバー５の上面に露出する導電性の端子基材２７と、端子基材２７の上面の一部を露出させるようにして端子基材２７の上面に配置された被覆部材２９とを有する。被覆部材２９は、ヤング率が半田１０５よりも低いという性質、端子基材２７に比較して半田濡れ性が悪いという性質、および、端子基材２７との接合性が半田１０５と端子基材２７との接合性よりも低いという性質の少なくとも一の性質を有する。そして、被覆部材２９の非配置領域により第１領域７ａａが構成され、被覆部材２９の配置領域により第２領域７ａｂが構成されている。
【００７７】
従って、端子基材２７上の一部に被覆部材２９を配置する簡便な方法により、導通性を有する第１領域７ａａおよび引張応力を緩和可能な第２領域７ａｂを実現することができる。
【００７８】
さらに、被覆部材２９が配置されることにより、端子７は、被覆部材２９が配置されない場合に比較して背が高くなる。その結果、歩留りの向上が期待される。具体的には、以下のとおりである。
【００７９】
図９は、実装基板１０１にＳＡＷ装置１を搭載するときの断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の一部に対応）を示している。図９（ａ）は、被覆部材２９が設けられていない比較例を示し、図９（ｂ）は、本実施形態を示している。
【００８０】
図９（ａ）に示すように、実装用パッド１０３と端子基材２７との位置がずれた場合、半田１０５が補強部９に当接し、その一方で半田１０５が端子基材２７に当接しない状態が生じ得る。
【００８１】
しかし、図９（ｂ）に示すように、本実施形態においては、被覆部材２９が配置されて端子７の背が高くなっていることにより、図９（ａ）のような状態が生じる蓋然性が低減される。
【００８２】
特に被覆部材２９が金属材料により覆われている場合や被覆部材２９自体が金属からなる場合には、半田１０５が端子７に触れやすくなるためセルフアライメント効果によってＳＡＷ装置１が所定の位置に移動し、ＳＡＷ装置１の実装不良が起きにくくなる。
【００８３】
また、被覆部材２９が配置されて端子７の背が高くなると、ＳＡＷ装置１（補強部９）と実装基板１０１との隙間ｄ０（図２参照）が大きくなり、モールド樹脂１０７が流れ込み易くなる。その結果、隙間ｄ０に気泡ができ難くなり、ひいては、気泡の膨張による実装不良が抑制される。
【００８４】
また、本実施形態においては、ＳＡＷ装置１は、励振電極１３上が空隙となるようにカバー５に設けられた凹部５ｒと、カバー５の上面５ａに平面透視において凹部５ｒを覆うように配置された金属からなる補強層３１と、補強層３１を被覆する絶縁膜３３とをさらに有する。絶縁膜３３と被覆部材２９とは同一材料（絶縁層３９）により構成されている。
【００８５】
従って、絶縁膜３３の形成と、被覆部材２９の形成とを同時に行うことができ、製造工程を増加させることなく、第１領域７ａａおよび第２領域７ａｂを形成することができる。
【００８６】
端子７は、カバー５を高さ方向に貫き、カバー５の上面５ａから露出する柱部７ｃと、柱部７ｃの上面側の外周から突出してカバー５の上面５ａに配置されるフランジ７ｄとを有する。第１領域７ａａは、端子７の上面７ａの外周側に設けられ、第２領域７ａｂは、端子７の上面７ａの中央側に設けられている。
【００８７】
従って、半田１０５から柱部７ｃに直接的に作用する引張応力を低減して、柱部７ｃの基板３からの剥離を抑制しつつ、フランジ７ｄを介して半田１０５と端子７との導通性を確保することができる。本実施形態では、第２領域７ａｂが柱部７ｃの上面全体を含む広さであることから、当該効果が一層期待される。
【００８８】
本実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法は、基板３の上面３ａに励振電極１３を形成する工程（図６（ａ））と、励振電極１３を覆うカバー５を形成する工程（図６（ｃ）〜図７（ａ））と、励振電極１３と電気的に接続され、カバー５の上面５ａに露出する導電性の端子基材２７を形成する工程（図７（ｂ）〜図８（ａ））と、端子基材２７を覆うように感光性の樹脂からなる絶縁膜構成層（３９）を形成する工程（図８（ｂ））と、フォトリソグラフィーによって絶縁膜構成層の一部を除去することにより、端子基材２７の上面の一部を露出させるようにして端子基材２７の上面に配置された被覆部材２９を形成する工程（図８（ｃ）〜図４）とを含む。
【００８９】
従って、フォトリソグラフィーにより端子基材２７の上面の一部に絶縁性の被覆部材２９を配置する簡便な方法により、本実施形態のＳＡＷ装置１を製造することができる。
【００９０】
＜第２の実施形態＞
図１０は、第２の実施形態のＳＡＷ装置２０１の要部を示す断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図の一部に対応）である。
【００９１】
第２の実施形態のＳＡＷ装置２０１は、金属膜４１を備えている点のみが第１の実施形態と相違する。金属膜４１は、例えば、第１金属層４３と、その上に積層された第２金属層４５とから構成されている。
【００９２】
金属膜４１（第１金属層４３および第２金属層４５）は、例えば、少なくとも端子基材２７の上面および被覆部材２９の上面を覆っており、より好ましくは、端子基材２７のフランジの側面も覆っている。従って、金属膜４１は、端子２０７のカバー５の上面５ａから露出する表面を構成している。
【００９３】
第２金属層４５は、半田濡れ性が端子基材２７の材料よりも高い材料により構成されている。例えば、端子基材２７が銅により構成されているのに対し、第２金属層４５は、金または金を主成分とする合金により構成されている。
【００９４】
第１金属層４３は、例えば、半田１０５および第２金属層４５が端子基材２７側へ拡散し過ぎることを抑制するのに好適な材料により構成されている。例えば、第１金属層４３は、ニッケルまたはニッケルを主成分とする合金により構成されている。なお、第１金属層４３は、金属膜４１の膜厚確保にも寄与する。第１金属層４３は、省略されてもよい。
【００９５】
端子２０７の上面２０７ａは、第１の実施形態と同様に、被覆部材２９の直上領域の第２領域２０７ａｂと、その周囲の第１領域２０７ａａとを有している。一方、被覆部材２９は、ヤング率が半田１０５よりも低いという性質、金属膜４１との接合性が金属膜４１と端子基材２７との接合性よりも低いという性質、および端子基材２７との接合性が金属膜４１と端子基材２７との接合性よりも低いという性質の少なくとも一の性質を有している。従って、第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第２領域２０７ａｂは、第１領域２０７ａａに比較して、端子２０７の上面２０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能である。
【００９６】
端子２０７は、金属膜４１の厚みｔ１だけ補強部９よりも高くなっている。金属膜４１の厚みｔ１は、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍである。
【００９７】
なお、第２の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法は、例えば、第１の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法において、絶縁層３９のパターニングの後に、金属膜４１の形成が追加されたものである。金属膜４１は、例えば、金属膜４１の非配置位置にレジスト層を形成した後に、無電解めっきを行うことにより形成される。
【００９８】
第２の実施形態によれば、端子２０７の上面２０７ａは、導電性を有する第１領域２０７ａａと、第１領域２０７ａａに比較して、端子２０７の上面２０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域２０７ａｂとを有していることから、第１の実施形態と同様に、第２領域２０７ａｂが設けられない場合（上面２０７ａの全体が第１領域２０７ａａである場合）に比較して、端子２０７に加えられる引張力がＳＡＷ装置２０１の信頼性低下に及ぼす影響を抑制できる。
【００９９】
ＳＡＷ装置２０１は、被覆部材２９を被覆する金属膜４１をさらに有する。従って、図９を参照して説明した、被覆部材２９を端子基材２７の上面に配置することによる歩留りの向上の効果が増大される。
【０１００】
すなわち、第２領域２０７ａｂに形成された凸部は、金属膜４１により表面に導電性が付与されていることから、半田１０５が凸部に当接するだけで、端子２０７と実装用パッド１０３との導通が確保される。また、金属膜４１は絶縁性の被覆部材２９よりも半田濡れ性が高いので、セルフアライメントの効果も増大する。金属膜４１は、被覆部材２９上の上面が絶縁膜３３の上面よりも高い位置にあるので、第１の実施形態よりも、半田１０５が絶縁膜３３に当接して端子に当接しないという状況の蓋然性が低減される。
【０１０１】
さらに、端子２０７の背が金属膜４１の厚さｔ１高くなることから、上述した、補強部９と実装基板１０１との間における気泡発生抑制の効果も増大する。
【０１０２】
＜第３の実施形態＞
図１１（ａ）は、第３の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＸＩｂ−ＸＩｂ線の断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図の一部に対応）である。
【０１０３】
第３の実施形態のＳＡＷ装置の端子３０７は、被覆部材３２９の平面形状のみが第２の実施形態の端子２０７と相違する。被覆部材３２９は、端子基材２７の外周側に環状に配置されている。従って、第１および第２の実施形態とは逆に、導電性を有する第１領域３０７ａａが端子３０７の上面３０７ａの中央側に、半田１０５に及ぼす引張応力を緩和可能な第２領域３０７ａｂが上面３０７ａの外周側に位置している。
【０１０４】
第３の実施形態によれば、端子３０７の上面３０７ａは、導電性を有する第１領域３０７ａａと、第１領域３０７ａａに比較して、端子３０７の上面３０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域３０７ａｂとを有していることから、第１の実施形態と同様に、第２領域３０７ａｂが設けられない場合（上面３０７ａの全体が第１領域３０７ａａである場合）に比較して、端子３０７に加えられる引張力がＳＡＷ装置の信頼性低下に及ぼす影響を抑制できる。
【０１０５】
被覆部材３２９は、端子３０７の上面の外周側に環状に配置されていることから、図９を参照して説明した、位置ずれが生じた場合における、被覆部材３２９と半田１０５とが当接しやすくなる効果が向上する。ひいては、歩留りの向上が期待される。
【０１０６】
＜第４の実施形態＞
図１２は、第４の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図の一部に対応）である。
【０１０７】
第４の実施形態のＳＡＷ装置の端子４０７は、被覆部材４２９の材質が第１〜第３の実施形態と相違する。具体的には、被覆部材４２９は、半田濡れ性が悪い金属により構成されている。このような金属としては、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金が挙げられる。なお、被覆部材４２９の配置範囲は、例えば、第１の実施形態と同様である。
【０１０８】
また、端子４０７は、第２および第３の実施形態と同様に金属膜４１を有しているが、金属膜４１は被覆部材４２９を覆っていない。なお、端子４０７においては、端子基材２７と金属膜４１とにより、第４の実施形態における端子基材４２７が構成されていると捉えられてもよい。金属膜４１の第２金属層４５は、上述のように、半田濡れ性がよい金属、例えば、金または金を主成分とする合金により構成されている。
【０１０９】
そして、端子４０７の上面４０７ａにおいては、被覆部材４２９の非配置領域により、導電性を有する第１領域４０７ａａが構成され、被覆部材４２９の配置領域により、第１領域４０７ａａよりも半田濡れ性が悪い第２領域４０７ａｂが構成されている。第２領域４０７ａｂは、半田濡れ性が悪いことから、半田１０５の引張応力を緩和することが可能である。
【０１１０】
第４の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法は、例えば、第２の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法において、絶縁層３９の形成工程が省略されるとともに、金属膜４１の形成工程の後に、被覆部材４２９の形成工程が追加されたものである。被覆部材４２９は、例えば、被覆部材４２９の非配置位置にレジスト層を形成した後に、無電解めっきを行うことにより形成される。
【０１１１】
第４の実施形態によれば、端子４０７の上面４０７ａは、導電性を有する第１領域４０７ａａと、第１領域４０７ａａに比較して、端子４０７の上面４０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域４０７ａｂとを有していることから、第１の実施形態と同様に、第２領域４０７ａｂが設けられない場合（上面４０７ａの全体が第１領域４０７ａａである場合）に比較して、端子４０７に加えられる引張力がＳＡＷ装置の信頼性低下に及ぼす影響を抑制できる。
【０１１２】
さらに、被覆部材４２９は、金属により構成されていることから、第１領域４０７ａａだけでなく、第２領域４０７ａｂにおいても、半田１０５と端子４０７との導通性を確保可能である。従って、ＳＡＷ装置の信頼性低下が一層抑制される。
【０１１３】
＜第５の実施形態＞
図１３は、第５の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図の一部に対応）である。
【０１１４】
第５の実施形態のＳＡＷ装置の端子５０７は、第２の実施形態（図１０）の端子２０７から、被覆部材２９と、金属膜４１の被覆部材２９上の部分とを排除した構成となっている。
【０１１５】
換言すれば、端子５０７は、第１の実施形態の端子基材２７と、端子基材２７の上面に、当該上面の一部を露出させるようにして配置され、第１金属層４３および第２金属層４５により構成されためっき部材５４１とを有している。上述したように、第２金属層４５は、端子基材２７の材料（例えば銅）よりも半田濡れ性がよい材料（例えば金）により形成されている。
【０１１６】
従って、端子５０７の上面５０７ａにおいては、めっき部材５４１の配置領域により、導電性を有する第１領域５０７ａａが構成され、めっき部材５４１の非配置領域により、第１領域５０７ａａよりも半田濡れ性が悪い第２領域５０７ａｂが構成されている。第２領域５０７ａｂは、半田濡れ性が悪いことから、半田１０５の引張応力を緩和することが可能である。
【０１１７】
第５の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法は、例えば、第２の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法において、絶縁層３９の形成工程が省略されるとともに、第２の実施形態とは異なる形状に第１金属層４３および第２金属層４５がパターニングされるものである。
【０１１８】
第５の実施形態によれば、端子５０７の上面５０７ａは、導電性を有する第１領域５０７ａａと、第１領域５０７ａａに比較して、端子５０７の上面５０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を低減可能な第２領域５０７ａｂとを有していることから、第１の実施形態と同様に、第２領域５０７ａｂが設けられない場合（上面５０７ａの全体が第１領域５０７ａａである場合）に比較して、端子５０７に加えられる引張力がＳＡＷ装置の信頼性低下に及ぼす影響を抑制できる。
【０１１９】
さらに、第１領域５０７ａａだけでなく、第２領域５０７ａｂにおいても、半田１０５と端子４０７との導通性を確保可能である。従って、ＳＡＷ装置の信頼性低下が一層抑制される。第５の実施形態は、他の実施形態に比較して、端子と実装基板１０１との導通面積確保の要求が端子の基板からの剥離抑制の要求に対して相対的に高い場合に効果的である。
【０１２０】
＜第６の実施形態＞
図１４（ａ）は、第６の実施形態のＳＡＷ装置６０１の要部を示す平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ線の断面図である。なお、図１４（ｂ）では、保護層２５は図示が省略されている。
【０１２１】
ＳＡＷ装置６０１は、第１の実施形態の端子７に代えて、パッド１７に接続された貫通導体６４７と、貫通導体６４７に接続された配線導体６４９と、配線導体６４９に接続された端子６０７とを有している。
【０１２２】
貫通導体６４７は、パッド１７上においてカバー５を貫通している。配線導体６４９は、カバー５の上面５ａにおいて延在している。端子６０７は、カバー５の上面５ａに配置された端子基材６２７と、端子基材６２７の上面の一部を露出させるように端子基材６２７の上面に配置された、第１の実施形態と同様の被覆部材２９とを有している。
【０１２３】
貫通導体６４７、配線導体６４９および端子基材６２７は、第１の実施形態の端子基材２７および補強層３１と同様に、下地層３５（図１４では図示省略）と、金属部３７とにより構成されている。配線導体６４９は、補強層３１と同様に、絶縁層３９により覆われている。
【０１２４】
端子６０７の上面６０７ａには、第１の実施形態と同様に、被覆部材２９の非配置領域により、導電性を有する第１領域６０７ａａが形成され、被覆部材２９の配置領域により、端子６０７の上面６０７ａに配置された半田１０５に及ぼす引張応力を抑制可能な第２領域６０７ａｂが形成されている。
【０１２５】
従って、被覆部材２９が設けられない場合に比較して、端子６０７のカバー５の上面５ａからの剥離、または、端子６０７直下における、蓋部２１の枠部１９からの剥離若しくは枠部１９の基板３からの剥離が抑制される。その結果、カバー５の密閉性が保たれ、端子６０７に加えられる引張力がＳＡＷ装置の信頼性低下に及ぼす影響を抑制できる。
【０１２６】
＜第７の実施形態＞
図１５は、第７の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図の一部に対応）である。
【０１２７】
第７の実施形態のＳＡＷ装置の端子７０７は、被覆部材７２９の断面形状のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、被覆部材７２９は、中央側ほど厚みが増すドーム状に形成されている。なお、端子７０７の上面７０７ａにおける、第１領域７０７ａａおよび第２領域７０７ａｂの平面形状は、第１の実施形態と同様である。
【０１２８】
被覆部材７２９は、例えば、ディスペンサーにより端子基材２７の上面に樹脂等の絶縁部材が盛られることにより形成される。なお、被覆部材７２９以外の製造方法は、第１の実施形態と同様である。
【０１２９】
第７の実施形態によれば、半田１０５の第２領域７０７ａｂ上の部分における引張応力が半田１０５の第１領域７０７ａａ上の部分に分散されやすい。その結果、第１の実施形態に比較して、端子７０７の基板３からの剥離がより効果的に抑制されることが期待される。
【０１３０】
＜実施例＞
図２に示したように第１の実施形態のＳＡＷ装置１が実装基板１０１に実装された場合を想定して、各部材をモデル化するとともに各部材に具体的な寸法等を設定し、熱応力のシミュレーション計算を行った。具体的には以下のとおりである。
【０１３１】
（部材のモデル化）
図１６（ａ）は、比較例のモデルを示す断面図、図１６（ｂ）は、実施例１のモデルを示す断面図、図１６（ｃ）は、実施例２のモデルを示す断面図である。
【０１３２】
実装用パッド１０３、パッド１７および保護層２５は省略した。端子基材２７は、柱部のみとし（フランジは省略し）、また、カバー５から突出しないものとした。端子基材２７は単一の材料により形成されているものとした。端子基材２７および半田１０５は円柱状であるものとした。
【０１３３】
（シミュレーションケース）
被覆部材２９が設けられない場合（端子が端子基材２７のみにより形成される場合）を比較例とした。また、被覆部材２９の厚さがｃ１の場合を実施例１、被覆部材２９の厚さがｃ２（＝ｃ１／２）の場合を実施例２とした。
【０１３４】
（シミュレーション条件）
【０１３５】
計算対象範囲：
ＸＹ平面においてはＳＡＷ装置を中心として１．３２ｍｍ（Ｘ方向）×１．７２ｍｍ（Ｙ方向）の範囲。
Ｚ方向においては、実装基板１０１の実装面１０１ａから実装基板１０１側へ０．４ｍｍ、その反対側へ０．５ｍｍの範囲。
【０１３６】
各主部材の寸法：
基板３：０．６６ｍｍ（Ｘ方向）×０．８６ｍｍ（Ｙ方向）×０．２ｍｍ（Ｚ方向）
端子基材２７およびカバー５の高さｈ１：０．０６ｍｍ
端子基材２７および半田１０５の直径ｄ１：０．０７ｍｍ
半田１０５の高さ（カバー５と実装基板１０１との隙間）ｈ２：０．０４ｍｍ
被覆部材２９の直径ｄ２：０．０４ｍｍ
被覆部材２９の厚さｃ１（実施例１）：ｈ２×２／３
被覆部材２９の厚さｃ２（実施例２）：ｈ２×１／３
【０１３７】
なお、カバー５の平面視における大きさは基板３と概ね同等である。実装基板１０１およびモールド樹脂１０７は、計算対象範囲に広がっているものとした。換言すれば、実装基板１０１は、１．３２ｍｍ（Ｘ方向）×１．７２ｍｍ（Ｙ方向）×０．４ｍｍ（Ｚ方向）の大きさ、モールド樹脂１０７は、１．３２ｍｍ（Ｘ方向）×１．７２ｍｍ（Ｙ方向）×０．５ｍｍ（Ｚ方向）の大きさとした。
【０１３８】
各部材の材質（物性値）：
実装基板１０１：ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics、ヤング率＝１７３ＧＰａ、ポアソン比＝０．２６、線膨張係数１０．７ｐｐｍ／℃）
半田１０５：鉛フリー半田（９６Ｓｎ／３．５Ａｇ／Ｃｕ、ヤング率＝５１．９ＧＰａ、ポアソン比＝０．３９、線膨張係数２０．８ｐｐｍ／℃）
カバー５：樹脂（ヤング率＝２．４ＧＰａ、ポアソン比＝０．３、線膨張係数６５ｐｐｍ／℃）
端子基材２７：銅（ヤング率＝１１７ＧＰａ、ポアソン比＝０．３４、線膨張係数１６．５ｐｐｍ／℃）
基板３：ＬｉＴａＯ３（ヤング率＝２３０ＧＰａ、ポアソン比＝０．３、線膨張係数１．６１ｐｐｍ／℃）
モールド樹脂１０７（８５℃）：樹脂（ヤング率＝２．６２ＧＰａ、ポアソン比＝０．３、線膨張係数１００ｐｐｍ／℃）
【０１３９】
（想定した状況および計算方法）
モールド樹脂１０７に＋６０℃の温度荷重が加えられときの応力を有限要素法により算出した。なお、部材間の界面は剥離しないものとした。
【０１４０】
（評価方法およびシミュレーション結果）
端子基材２７と基板３との界面における最大応力を抽出した。結果は、以下のとおりである。
比較例（図１６（ａ））：７６５ＭＰａ
実施例１（図１６（ｂ））：６６７ＭＰａ
実施例２（図１６（ｃ））：７４２ＭＰａ
以上のシミュレーション結果より、被覆部材２９が設けられることにより、端子基材２７が基板３から剥離する蓋然性が抑制されることが確認された。
【０１４１】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【０１４２】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよいし、弾性境界波装置（ただし、広義のＳＡＷ装置に含まれる）であってもよい。なお、弾性境界波装置等の弾性波装置においては、励振電極上に空隙（振動空間）は不要である。
【０１４３】
また、本発明の弾性波装置において、保護層、補強層および裏面部は必須の要件ではなく、省略されてもよい。逆に、端子とパッドとの間にこれらの接合を強化するための適宜な導電層を設けるなど、適宜に部材が追加されてもよい。
【０１４４】
上述の実施形態は、適宜に組み合わされてよい。例えば、第１の実施形態において、端子基材２７に代えて、第４の実施形態（図１２）の端子基材４２７が用いられてもよい（金属膜４１が設けられてもよい。）。逆に、第４の実施形態において、第１の実施形態と同様に、金属膜４１が省略されてもよい。また、例えば、第３の実施形態（図１１）の被覆部材３２９の平面形状が第１若しくは第４の実施形態（図１２）に適用されてもよいし、第７の実施形態の被覆部材７２９の形状（図１５）が、第２〜第４の実施形態（図１０〜図１２）に適用されてもよい。
【０１４５】
第１領域および第２領域の平面形状は、円形および円形を囲む環状に限定されない。例えば、各領域は、三角形等の多角形であってもよい。また、例えば、第１および第２領域は、一方の領域が他方の領域を囲む関係になくてもよい。
【０１４６】
第１領域および第２領域（端子）を構成するための材料も適宜な範囲に配置されてよい。例えば、金属膜４１（図１０等）は、端子基材（２７等）の上面のみを多い、フランジの側面を覆っていなくてもよい。また、例えば、第３の実施形態（図１１）において、被覆部材３２９は端子基材２７のフランジの側面を覆っていてもよい。また、例えば、第５の実施形態（図１３）において第１金属層４３は第２領域５０７ａｂに存在してもよい。
【０１４７】
端子は、図１４に例示したように、励振電極を覆うカバー上面に露出していればよく、カバーを貫いている必要はない。また、端子は、カバーを完全に貫いているもの、カバー上面に配置されているものに限定されず、カバーの上方側の一部のみを貫通するものであってもよい。また、端子の断面形状および平面形状は適宜に設定されてよい。例えば、端子の柱部は、基板側ほど拡径するテーパ状に形成されてもよい。また、例えば、端子の柱部およびフランジは、平面形状が多角形に形成されてもよい。
【０１４８】
弾性波装置の製造方法は、実施形態において例示したものに限定されない。例えば、振動空間が不要なカバーは、枠部と蓋部とを別個に形成する必要はなく、カバー全体が一回のフォトリソグラフィー等により一体的に形成されてもよい。また、例えば、振動空間を要するカバーは、振動空間となる領域に犠牲層を形成して、その後、犠牲層上にカバーとなる樹脂層を形成し、樹脂層内から犠牲層を溶解、流出させることにより形成されてもよい。また、例えば、端子は、導電ペーストの貫通孔（５ｈ）への充填およびカバー上面への印刷により形成されてもよい。
【符号の説明】
【０１４９】
１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…上面、５…カバー、５ａ…上面、７…端子、７ａ…上面、７ａａ…第１領域、７ａｂ…第２領域、１３…励振電極、１０５…半田。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の上面に配置された励振電極と、
該励振電極を覆うカバーと、
前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、
を有し、
前記端子は、
前記カバーの上面に露出する金属からなる端子基材と、
前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された絶縁材料からなる被覆部材と、
を有する弾性波装置。
【請求項２】
前記カバーの上面に配置された金属からなる補強層と、
前記補強層を被覆する絶縁膜と、
をさらに有し、
前記カバーには、前記励振電極上が空隙となるように凹部が設けられており、
前記補強層は、前記カバーの上面に平面透視において前記凹部を覆うように配置され、
前記絶縁膜と前記被覆部材とは同一材料からなる
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記端子基材の上面および前記被覆部材を覆う金属膜をさらに有する
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記カバーの上面に配置された金属からなる補強層と、
前記補強層を被覆する絶縁膜と、
前記端子基材の上面および前記被覆部材を覆う金属膜と、
をさらに有し、
前記カバーには、前記励振電極上が空隙となるように凹部が設けられており、
前記補強層は、前記カバーの上面に平面透視において前記凹部を覆うように配置され、
前記金属膜の、前記被覆部材上の上面が前記絶縁膜の上面よりも高い位置にある
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項５】
基板と、
該基板の上面に配置された励振電極と、
該励振電極を覆うカバーと、
前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、
を有し、
前記端子は、
前記カバーの上面に露出する金属からなる端子基材と、
前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された前記端子基材よりも半田濡れ性が悪い金属からなる被覆部材と、
を有する弾性波装置。
【請求項６】
前記端子基材は、上面が銅若しくは金または銅および金の少なくとも一方を主成分とする合金により構成され、
前記被覆部材は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金により構成されている
請求項５に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記端子は、
前記カバーを高さ方向に貫き、前記カバーの上面から露出する柱部と、
前記柱部の上面側の外周から突出して前記カバーの上面に配置されるフランジと、
を有し、
前記被覆部材は、前記端子基材の上面外周部を環状に露出させるように前記端子の上面の中央部に設けられている
請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記被覆部材は、平面透視において前記柱部の上面全体を含む広さで形成されている
請求項７に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記被覆部材は、前記端子の上面の外周に沿って環状に配置されている
請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
基板と、
該基板の上面に配置された励振電極と、
該励振電極を覆うカバーと、
前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、
を有し、
前記端子は、
前記カバーの上面に露出する導電性の端子基材と、
導電性を有し、前記端子基材に比較して半田濡れ性が良く、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置されためっき部材と、
を有する弾性波装置。
【請求項１１】
前記端子基材は、上面が銅若しくはニッケルまたは銅およびニッケルの少なくとも一方を主成分とする合金により構成され、
前記めっき部材は、金または金を主成分とする合金により構成されている
請求項１０に記載の弾性波装置。
【請求項１２】
基板の上面に励振電極を形成する工程と、
前記励振電極を覆うカバーを形成する工程と、
前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する導電性の端子基材を形成する工程と、
前記端子基材を覆うように感光性の樹脂からなる絶縁膜構成層を形成する工程と、
フォトリソグラフィーによって前記絶縁膜構成層の一部を除去することにより、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された被覆部材を形成する工程と、
を含む弾性波装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
該基板の上面に配置された励振電極と、
該励振電極を覆うカバーと、
前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、
を有し、
前記端子は、
前記カバーの上面に露出する金属からなる端子基材と、
前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された絶縁材料からなる被覆部材と、
を有する弾性波装置。
【請求項２】
前記カバーの上面に配置された金属からなる補強層と、
前記補強層を被覆する絶縁膜と、
をさらに有し、
前記カバーには、前記励振電極上が空隙となるように凹部が設けられており、
前記補強層は、前記カバーの上面に平面透視において前記凹部を覆うように配置され、
前記絶縁膜と前記被覆部材とは同一材料からなる
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記端子基材の上面および前記被覆部材を覆う金属膜をさらに有する
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記カバーの上面に配置された金属からなる補強層と、
前記補強層を被覆する絶縁膜と、
前記端子基材の上面および前記被覆部材を覆う金属膜と、
をさらに有し、
前記カバーには、前記励振電極上が空隙となるように凹部が設けられており、
前記補強層は、前記カバーの上面に平面透視において前記凹部を覆うように配置され、
前記金属膜の、前記被覆部材上の上面が前記絶縁膜の上面よりも高い位置にある
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項５】
基板と、
該基板の上面に配置された励振電極と、
該励振電極を覆うカバーと、
前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、
を有し、
前記端子は、
前記カバーの上面に露出する金属からなる端子基材と、
前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された前記端子基材よりも半田濡れ性が悪い金属からなる被覆部材と、
を有する弾性波装置。
【請求項６】
前記端子基材は、上面が銅若しくは金または銅および金の少なくとも一方を主成分とする合金により構成され、
前記被覆部材は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金により構成されている
請求項５に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記端子は、
前記カバーを高さ方向に貫き、前記カバーの上面から露出する柱部と、
前記柱部の上面側の外周から突出して前記カバーの上面に配置されるフランジと、
を有し、
前記被覆部材は、前記端子基材の上面外周部を環状に露出させるように前記端子の上面の中央部に設けられている
請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記被覆部材は、平面透視において前記柱部の上面全体を含む広さで形成されている
請求項７に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記被覆部材は、前記端子の上面の外周に沿って環状に配置されている
請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
基板と、
該基板の上面に配置された励振電極と、
該励振電極を覆うカバーと、
前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する端子と、
を有し、
前記端子は、
前記カバーの上面に露出する導電性の端子基材と、
導電性を有し、前記端子基材に比較して半田濡れ性が良く、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置されためっき部材と、
を有する弾性波装置。
【請求項１１】
前記端子基材は、上面が銅若しくはニッケルまたは銅およびニッケルの少なくとも一方を主成分とする合金により構成され、
前記めっき部材は、金または金を主成分とする合金により構成されている
請求項１０に記載の弾性波装置。
【請求項１２】
基板の上面に励振電極を形成する工程と、
前記励振電極を覆うカバーを形成する工程と、
前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの上面に露出する導電性の端子基材を形成する工程と、
前記端子基材を覆うように感光性の樹脂からなる絶縁膜構成層を形成する工程と、
フォトリソグラフィーによって前記絶縁膜構成層の一部を除去することにより、前記端子基材の上面の一部を露出させるようにして前記端子基材の上面に配置された被覆部材を形成する工程と、
を含む弾性波装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１２−１１９９２８（Ｐ２０１２−１１９９２８Ａ）
【公開日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２６７６８６（Ｐ２０１０−２６７６８６）
【出願日】平成２２年１１月３０日（２０１０．１１．３０）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月３０日（２０１０．１１．３０）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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