ＳＡＷデバイス
【課題】周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えるとともに、周波数精度の高いＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイスは、パッケージ１２の底面に設けた接着剤２８とＳＡＷ素子片４０の基端５０側とを接合させて、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に片持ち搭載したものである。このとき、ＳＡＷ素子片４０は、接着剤２８が接合されている基端５０側に比べて先端５２を上方に傾けて、パッケージ１２に搭載されている。これによりＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触するのを防止でき、またＳＡＷ素子片４０に応力が加わるのを防ぐことができるので、周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えることができ、周波数精度の高くすることができる。
【解決手段】ＳＡＷデバイスは、パッケージ１２の底面に設けた接着剤２８とＳＡＷ素子片４０の基端５０側とを接合させて、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に片持ち搭載したものである。このとき、ＳＡＷ素子片４０は、接着剤２８が接合されている基端５０側に比べて先端５２を上方に傾けて、パッケージ１２に搭載されている。これによりＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触するのを防止でき、またＳＡＷ素子片４０に応力が加わるのを防ぐことができるので、周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えることができ、周波数精度の高くすることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法に係り、特にＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載したＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスには、ＳＡＷ素子片をパッケージに搭載したＳＡＷ共振子やＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ素子片とこれを共振させる回路等（集積回路（ＩＣ）チップ）をパッケージに搭載したＳＡＷ発振器等がある。ＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器は、一定の共振周波数を出力しなければならないため、これに搭載されるＳＡＷ素子片は極めて一定した周波数で共振しなければならない。
【０００３】
ところがＳＡＷ素子片をパッケージの底面に固定する接着剤が収縮すると、ＳＡＷ素子片の表面に応力が生じてＩＤＴに変位を生じさせてしまい共振周波数が変動してしまう。この接着剤の収縮は、例えばＩＣチップの発熱によって生じたり、パッケージの変形によって生じたりする。すなわちＩＣチップは、一般的に動作周波数が高くなるほど発熱量が増加するので、これがＳＡＷデバイスに搭載されているとこの熱で接着剤が収縮してしまう。またパッケージは、ＩＣチップから生じる熱によって反ってしまう等の変形が起こる場合があるが、この変形応力が接着剤に伝わることにより接着剤が収縮してしまう。このためＳＡＷデバイス、特にＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器では、ＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載して、ＳＡＷの振動領域に悪影響を与えないようにしている。
【０００４】
ＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載したＳＡＷデバイスは、次のような構成になっている。ＳＡＷ素子片は、すだれ状電極（ＩＤＴ）や反射器等を圧電基板の表面に設けている。またパッケージは、凹陥部を有するパッケージベースを有している。この凹陥部（パッケージ）の底面に接着剤が塗布されており、この接着剤とＳＡＷ素子片の裏面における一方の端部（基端側）が接合固着されている。そしてパッケージベースの上面に蓋体が接合されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１３６９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載する場合、ＳＡＷ素子片の基端側を接着剤上に載せた後、この接着剤を熱硬化することによりＳＡＷ素子片をパッケージに接合固着している。ところが、ＳＡＷ素子片を接着剤に載せた後から接着剤を熱硬化するまでの間は、ＳＡＷ素子片が接着剤によって固定されていないので、ＳＡＷ素子片の自重や衝撃等が加わることによってこの先端が下がり、パッケージの底面に接触することがあった。またＳＡＷ素子片の先端が下がってもパッケージ底面に接触しない場合もあるが、パッケージに反り等の変形が生じたときには、ＳＡＷ素子片の先端とパッケージ底面が接触することがあった。
【０００７】
図１３は従来技術に係るＳＡＷデバイスの周波数温度特性を示すグラフである。この図１３はＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載したＳＡＷデバイスを複数用意し、それぞれの周波数温度特性を測定した結果を示している。そして測定に用いたＳＡＷデバイスは、製造された複数のＳＡＷデバイスの中から無作為に幾つかを選んだものであり、ＳＡＷ素子片の先端がパッケージ底面に接触していないものや、この先端がパッケージ底面に接触しているものが混在している。またＳＡＷ素子片の先端がパッケージ底面に接触しているものであって、接触の度合いがそれぞれ異なっている。このため図１３からわかるように、得られたＳＡＷデバイスの周波数温度特性は極めてばらついている。なお図１３では、ばらつきの程度を理解しやすくするために、ばらつきの上限にある周波数温度特性と下限にある周波数温度特性のみを実線と破線で示しており、他の周波数温度特性は実線と破線の間に位置している。
【０００８】
なおＳＡＷデバイスは、ＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載するばかりでなく、ＳＡＷ素子片の中央部を接着剤でパッケージに接合し、またはＳＡＷ素子片の基端側および先端側の両方を接着剤でパッケージに接合（両持ち搭載）することもできる。しかしこれらの場合だと、前述したように僅かな変形がパッケージに生じてもＳＡＷ素子片に応力が加わってＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすという問題がある。またＳＡＷ素子片の基端側を接着剤でパッケージに接合した片持ち搭載の場合であっても、ＳＡＷ素子片の先端側をパッケージ底面に設けられた支持部材で支えると、両持ち搭載した場合と同様に、僅かな変形がパッケージに生じたとしてもＳＡＷ素子片に応力が加わってＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００９】
本発明は、周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えるとともに、周波数精度の高いＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るＳＡＷデバイスは、ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片の先端を上げ、前記ＳＡＷ素子片に傾斜を持たせて前記ＳＡＷ素子片の基端側とパッケージの底面とを接着剤で接合し、前記ＳＡＷ素子片を前記パッケージに片持ち搭載したことを特徴としている。
【００１１】
この構成にすると、パッケージの底面に塗布された接着剤上にＳＡＷ素子片を載せてからこの接着剤を硬化するまでの間にＳＡＷ素子片の先端が下がり、ＳＡＷ素子片がパッケージ底面に接触するのを防止できる。またパッケージに反り等の変形が生じても、ＳＡＷ素子片とパッケージが接触するのを防止できる。したがってＳＡＷ素子片の先端とパッケージ底面の接触に起因する応力がＳＡＷ素子片に加わることがないので、ＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無くなり、ＳＡＷ発振器は一定の共振周波数を出力することができる。またＳＡＷ発振器の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００１２】
また本発明に係るＳＡＷデバイスは、ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片をパッケージ底面に片持ち搭載した構成であり、次の特徴を有している。すなわち前記ＳＡＷ素子片の基端側と前記パッケージ底面とを接合させる接着剤の塗布領域を露出させつつ、前記ＳＡＷ素子片に対向した前記パッケージ底面に支持板を設けている。また前記ＳＡＷ素子片の先端を基端に比べて上げて、前記支持板における前記塗布領域に隣接した上側角部と前記ＳＡＷ素子片とを接触させている。このときＳＡＷ素子片は、これの基端と先端とを結ぶ方向における前記ＩＤＴの中心位置よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側において、前記支持板と接触している。さらに前記塗布領域に設けた前記接着剤で前記ＳＡＷ素子片の基端側と前記パッケージ底面とを接合している。
【００１３】
ＳＡＷ素子片を支持板で支えることができるので、ＳＡＷ素子片の先端がパッケージの底面に接触するのを防止でき、ＳＡＷ素子片の先端とパッケージの接触に起因する応力がＳＡＷの振動領域全体に加わることがない。また、仮にパッケージに変形が生じたとしても、ＳＡＷ素子片と支持板の接触箇所が接着剤の近傍なのでＳＡＷの振動領域の一部にのみ応力が加わることになる。このためＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無く、ＳＡＷ発振器は一定の共振周波数を出力することができる。またＳＡＷ発振器の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００１４】
また本発明は、前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記接着剤の中心部は、この方向における前記ＩＤＴの中心位置よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側にあることを特徴としている。このようにＳＡＷ素子片と接着剤の接合位置を規制したことで、ＳＡＷ素子片と接着剤とが接合している位置とＩＤＴが設けられている位置とが平面視して多少重なっていたとしても、接着剤の収縮によるＩＤＴの変位を少なくすることができ、ＳＡＷ発振器の周波数温度特性のばらつきを最小限に抑え、周波数精度を高くできる。
【００１５】
また本発明に係るＳＡＷデバイスは、ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片の基端側とパッケージの底面とを接着剤で接合し、前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記ＩＤＴの中心位置と、前記ＳＡＷ素子片が前記接着剤と接合している箇所との間における前記パッケージの底面に前記ＳＡＷ素子片の支持部材を設けたことを特徴としている。
【００１６】
配設位置が規制された支持部材でＳＡＷ素子片を支えることができるので、ＳＡＷ素子片の先端がパッケージ底面に接触するのを防止できる。またＳＡＷ素子片と支持部材が予め接触していない場合では、ＳＡＷ素子片の先端が下がる可能性があるが、仮に先端が下がっても支持部材でＳＡＷ素子片を支えることができるので、ＳＡＷ素子片の先端がパッケージ底面に接触するのを防止できる。またパッケージに反り等の変形が生じたとしても、ＳＡＷ素子片の先端がパッケージの底面に接触するのを防止できる。これによりＳＡＷ素子片とパッケージが接触することによって応力がＳＡＷ素子片に加わることがない。また仮にパッケージに変形が生じたとしても、ＳＡＷ素子片と支持部材の接触箇所が接着剤の近傍なのでＳＡＷの振動領域の一部にのみ応力が加わることになる。以上のことから、応力によってＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無くなり、ＳＡＷ発振器は一定の共振周波数を出力することができる。またＳＡＷ発振器の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００１７】
そして前記支持部材は、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側に設けられたことを特徴としている。支持部材とＳＡＷ素子片との接触位置が、ＩＤＴが設けられている位置と平面視して重なることがないので、ＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無くなる。したがって、ＳＡＷ発振器は一定の共振周波数を出力することができ、ＳＡＷ発振器の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００１８】
また本発明は、前記接着剤と前記支持部材との間に、前記支持部材よりも低く形成された前記接着剤の流出防止用の突起を前記パッケージ底面に設け、前記接着剤の流出防止用の凹部を前記パッケージ底面に設け、または前記接着剤の流出防止用の溝部を前記ＳＡＷ素子片に設けた、ことを特徴としている。これらの流出防止手段を設けることにより接着剤が支持部材まで流出するのを防止できるので、支持部材とＳＡＷ素子片とが接合固着されるのを防止できる。また、これらの流出防止手段は、接着剤が流出することによって接着剤とＳＡＷ素子片との接合面積が広がるのを防止できるので、接着剤が収縮することによってＳＡＷ素子片に生じる応力の影響が広範囲に及ぶのを防止でき、ＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすのを防止できる。
【００１９】
また本発明は、前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記接着剤の中心部は、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側にあることを特徴としている。ＳＡＷ素子片と接着剤の接合位置を規制したことで、ＳＡＷ素子片と接着剤とが接合している位置とＩＤＴが設けられている位置とが平面視して多少重なっていたとしても、接着剤の収縮によるＩＤＴの変位を極めて少なくすることができ、ＳＡＷ発振器の周波数温度特性のばらつきを最小限に抑え、周波数精度を高くできる。
【００２０】
また本発明は、前記ＳＡＷ素子片と前記接着剤とは、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側で接合したことを特徴としている。ＳＡＷ素子片と接着剤とが接合している位置とＩＤＴが設けられている位置とが平面視して重なることがない。これにより接着剤が収縮しても、ＩＤＴが変位するのを防止できるので、ＳＡＷ発振器の周波数温度特性のばらつきを抑え、周波数精度を極めて高くできる。
【００２１】
本発明に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷ素子片の先端を基端に比べて上げた傾斜状態でこのＳＡＷ素子片の基端側をパッケージベースの底面に塗布された接着剤上に載せて、この接着剤を硬化し、前記パッケージベースの上面に蓋体を接合して前記ＳＡＷ素子片を封止したことを特徴としている。
【００２２】
ＳＡＷ素子片を傾斜させてパッケージに搭載しているので、パッケージの底面に塗布された接着剤上にＳＡＷ素子片を載せてからこの接着剤を硬化するまでの間にＳＡＷ素子片の先端が下がり、ＳＡＷ素子片がパッケージ底面に接触するのを防止できる。またパッケージに反り等の変形が生じても、ＳＡＷ素子片とパッケージが接触するのを防止できる。したがってＳＡＷ素子片の先端とパッケージが接触することに起因する応力がＳＡＷ素子片に加わらないので、ＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無くなり、ＳＡＷ発振器は一定の共振周波数を出力することができる。またＳＡＷ発振器の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。
【図２】第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の平面図である。
【図３】ＳＡＷ素子片と接着剤の接合位置を説明するＳＡＷ素子片の平面図である。
【図４】図３（Ａ）の場合における周波数温度特性を示すグラフである。
【図５】図３（Ｂ）の場合における周波数温度特性を示すグラフである。
【図６】第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。
【図７】第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の平面図である。
【図８】支持部材の変形例を示すＳＡＷ素子片の平面図である。
【図９】支持部材を設ける位置を説明するＳＡＷ素子片の平面図である。
【図１０】第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の周波数温度特性を示すグラフである。
【図１１】接着剤の流出防止手段の説明図である。
【図１２】第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。
【図１３】従来技術に係るＳＡＷデバイスの周波数温度特性を示すグラフである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、ＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法の最良の実施形態について説明する。なお以下に説明する実施形態では、ＳＡＷデバイスとしてＳＡＷ発振器を用いた形態について説明するが、ＳＡＷデバイスとしてはＳＡＷ共振子やＳＡＷフィルタ等であってもよい。
【００２５】
まず第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。図２は第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の平面図である。なお図２では、蓋体の記載を省略している。第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器１０は、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２の底面に片持ち搭載した構成である。ＳＡＷ素子片４０は、図２に示されるように一対のＩＤＴ４２と、このＩＤＴ４２の両側に配設された反射器４４を圧電基板４６の表面に設けている。この圧電基板４６の表面には、各ＩＤＴ４２と１対１に対応させて導通するパッド４８が設けられている。なお図２では、パッド４８とＩＤＴ４２を導通させる配線パターンの記載を省略している。そしてＳＡＷ素子片４０の一方の端部（基端５０側）における圧電基板４６の裏面は、接着剤２８と接合する実装部になっている。
【００２６】
パッケージ１２は、図１に示されるように、上方に開口した凹陥部１４が内部に設けられたパッケージベース１６と、パッケージベース１６の上面に接合して凹陥部１４を封止する蓋体１８を備えている。この凹陥部１４に段差部２２が設けられており、この段差部２２の上面にボンディング電極２４が設けられている。またパッケージ１２の裏面に外部端子２６が形成されており、ボンディング電極２４の一部と外部端子２６が導通している。
【００２７】
そしてパッケージ１２（凹陥部１４）の底面にＳＡＷ素子片４０とＩＣチップ２０が搭載されている。このＳＡＷ素子片４０は、基端５０側に設けられた前記実装部においてパッケージ１２の底面に設けられた接着剤２８と接合している。このときＳＡＷ素子片４０は、他方の端部（先端５２）が基端５０に比べて上げられて傾斜している。これによりＳＡＷ素子片４０は、先端５２が持ち上がるように傾斜されて、パッケージ１２の底面に片持ち搭載されている。そしてＳＡＷ素子片４０に設けられたパッド４８は、図２に示されるように、パッケージ１２に設けられたボンディング電極２４とワイヤ３０を介して導通している。
【００２８】
またＩＣチップ２０は、ＳＡＷ素子片４０を共振させる回路等を備えており、パッケージ１２の底面に配設されている。このＩＣチップ２０の上面に設けられたパッド電極２０ａは、パッケージ１２に設けられたボンディング電極２４とワイヤ３０を介して導通している。
【００２９】
次に、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に片持ち搭載するための接着剤２８の接合位置について説明する。図３はＳＡＷ素子片と接着剤の接合位置を説明するＳＡＷ素子片の平面図である。なお図３では、ＳＡＷ素子片に設けられるパッドの記載を省略している。図３（Ａ）に示されるように、ＳＡＷ素子片４０の基端５０と先端５２を結ぶ方向（以下、横方向という）における接着剤２８の中心部Ｃ１は、この横方向におけるＩＤＴ４２の中心位置Ｃ２よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側（図３（Ａ）においては左側）に位置すればよい。そして、このようにＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置を設定した場合におけるＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性は、図４に示されるようになる。図４では、周波数温度特性を複数測定した中のばらつきの上限と下限のみを実線と破線で示している。このため他の周波数温度特性は実線と破線の間に位置している。図４からわかるように、従来技術についての周波数温度特性を示した図１３に比べてばらつきが小さくなっている。また温度が２５［℃］における周波数偏差のばらつきも図１３に比べて小さいことから、周波数精度が高くなっていることがわかる。
【００３０】
また図３（Ｂ）に示されるように、接着剤２８の横方向の中心部Ｃ１は、ＩＤＴ４２が設けられている位置よりも基端５０側（図３（Ｂ）においては左側）に位置していればよい。すなわち基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部を破線ａで示すと、この破線ａよりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側に接着剤２８の中心部Ｃ１が位置していればよい。そして、このようにＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置を設定した場合におけるＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性は、図５に示されるようになる。なお周波数温度特性の測定は、複数のサンプルを用いているが、いずれも図５に示されるグラフと略同一になっているので、特性を理解しやすくするために図５では１つの測定結果のみ示している。図５からわかるように、図４に示す場合に比べてさらにばらつきが小さくなっている。また温度が２５［℃］における周波数偏差のばらつきも図４に比べてさらに小さいことから、周波数精度がさらに高くなっていることがわかる。
【００３１】
さらに図３（Ｃ）や図２に示されるように、接着剤２８は、ＩＤＴ４２が設けられている位置よりも基端５０側（図３（Ｃ）においては左側）に位置していればよい。すなわち基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部を破線ａで示すと、ＳＡＷ素子片４０と接着剤２８が接合している横方向の領域が破線ａからＳＡＷ素子片４０の先端５２側にはみ出ることなく、この破線ａよりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側に位置していればよい。このようにすることにより周波数温度特性のばらつきを殆ど無くすことができ、また図５に示す場合に比べて周波数精度もさらに高くすることができる。
【００３２】
次に、ＳＡＷ発振器１０の製造方法について説明する。まずパッケージ１２（パッケージベース１６）の底面に接着剤２８を塗布する。またＳＡＷ素子片４０が保管されているトレーから、コレットを用いてＳＡＷ素子片４０を吸着保持し、パッケージベース１６の上方に移動させる。このコレットは、側面断面視ハ字型になった吸着部を下面に備えており、この吸着部にＳＡＷ素子片４０を吸着して保持するものである。またコレットは、吸着したＳＡＷ素子片４０を保管トレーからパッケージベース１６の上方へ移動させ、パッケージ１２に搭載する移動手段を備えている。
【００３３】
そしてコレットに吸着されたＳＡＷ素子片４０がパッケージ１２の底面に搭載されるときは、ＳＡＷ素子片４０の基端５０を下げるとともに先端５２を上げ、基端５０側の裏面と接着剤２８を接合させる。ＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置は、図３を用いて説明した位置のいずれかであればよい。なおコレット自体に傾斜を持たせておくことで、ＳＡＷ素子片４０を傾斜させてパッケージベース１６の底面に搭載することができる。またコレットに設けられた吸着部に傾斜を持たせておくことで、ＳＡＷ素子片４０を傾斜させてパッケージベース１６の底面に搭載することもできる。さらにＳＡＷ素子片４０をパッケージベース１６に搭載するときにコレットを傾けることで、ＳＡＷ素子片４０を傾斜させてパッケージベース１６の底面に搭載することもできる。
【００３４】
次に、接合材を用いてＩＣチップ２０をパッケージベース１６の底面に固定する。そして接着剤２８や接合材を硬化させる。次に、ＳＡＷ素子片４０に設けられたパッド４８とパッケージベース１６に設けられたボンディング電極２４、およびＩＣチップ２０に設けられたパッド電極２０ａとボンディング電極２４にワイヤボンディングを施して、それぞれワイヤ３０を介して導通させる。そしてパッケージベース１６の上面に蓋体１８を接合してＳＡＷ素子片４０およびＩＣチップ２０を気密封止する。これによりＳＡＷ発振器１０が製造される。
【００３５】
このようなＳＡＷ発振器１０によれば、ＳＡＷ素子片４０の基端５０に比べて先端５２を上方に傾斜させてパッケージ１２に搭載しているので、ＳＡＷ素子片４０を接着剤２８の上に載せてこの接着剤２８を硬化するまでの間に、ＳＡＷ素子片４０の先端５２が下がってパッケージ１２の底面と接触するのを防止できる。すなわち、仮にＳＡＷ素子片４０の自重や衝撃等が加わって先端５２が下がっても、ＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触する手前で下がるのが止まるので、ＳＡＷ素子片４０とパッケージ１２の底面が接触するのを防止できる。またパッケージ１２に反り等の変形が生じても、ＳＡＷ素子片４０の先端５２とパッケージ１２の底面が接触するのを防止できる。これによりＳＡＷ素子片４０の先端５２とパッケージ１２が接触することに起因する応力がＳＡＷ素子片４０に加わらないので、ＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無くなり、ＳＡＷ発振器１０は一定の共振周波数を出力することができる。またＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００３６】
なおＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置は、従来ではＩＤＴ４２を完全に避けるという考えがあった。すなわち従来では、接着剤がＳＡＷ素子片に接合している位置とＩＤＴが平面視して重ならないようにしていた。しかし本実施形態では、接着剤２８がＳＡＷ素子片４０に接合している位置とＩＤＴ４２を平面視して多少重なり、ＳＡＷ素子片４０に応力が加わることがあるが、ＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置を規制しているのでＩＤＴ４２の変位を少なくできる。したがってＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性のばらつきを最小限に抑え、周波数精度を高くできる。
【００３７】
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の変形例について説明するので、第１の実施形態と同様の構成部分に同番号を付し、その説明を省略または簡略する。図６は第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。図７は第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の平面図である。なお図７では、蓋体の記載を省略している。
【００３８】
第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器１０は、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側とパッケージ１２の底面を接着剤２８により接合するとともに、ＩＣチップ２０をパッケージ１２の底面に接合した構成である。このＳＡＷ素子片４０は、パッケージベース１６の底面に設けられた支持部材６０によって支持されることが可能となっている。なお接着剤２８とＳＡＷ素子片４０の接合位置は、支持部材６０が設けられている位置よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側となっている。
【００３９】
図７に示される場合では支持部材６０が２つ設けられており、ＳＡＷ素子片４０の裏面を２点で支えることが可能になっている。なお支持部材６０は２つ設けられるばかりでなく、３つ以上設けられることもできる。また支持部材６０は、図８に示されるようにパッケージ１２の底面に１つ設けられて、ＳＡＷ素子片４０を線で支えるようにしてもよい。そして支持部材６０は、ＳＡＷ素子片４０の横方向に対して直交する方向に沿って設けられるのが好ましい。
【００４０】
また支持部材６０は、ＳＡＷ素子片４０と接触可能になっているので、ＳＡＷ素子片４０と接合固着されていない。そして支持部材６０は、ＳＡＷ素子片４０と接触してこれを支持してもよく、またＳＡＷ素子片４０と接触していなくてもよい。すなわちＳＡＷ素子片４０を、第１の実施形態で説明したように、先端５２を上方に傾斜させてパッケージ１２に搭載させれば、支持部材６０と接触することがない。またＳＡＷ素子片４０を第１の実施形態で説明したように、先端５２を上方に傾斜させてパッケージ１２に搭載させる場合でも、図６に示されるように支持部材６０と接触するように搭載することができる。さらにＳＡＷ素子片４０を水平にしてパッケージ１２に搭載させれば、支持部材６０と接触することになる。
【００４１】
このような支持部材６０の高さは、ＳＡＷ素子片４０の先端５２が下がってもパッケージ１２の底面に接触することのない高さを有しており、ＳＡＷ素子片４０の横方向の長さや、ＳＡＷ素子片４０の基端５０が接着剤２８によって支持される高さ等によって適宜設定されている。そして支持部材６０の高さの一例としては、接着剤２８の高さと同程度であればよい。支持部材６０の高さが接着剤２８の高さと同程度であれば、ＳＡＷ素子片４０の横方向の長さにかかわらず、ＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触することがない。
【００４２】
また支持部材６０が設けられ位置は、次のようになっている。図９は支持部材を設ける位置を説明するＳＡＷ素子片の平面図である。なお図９では、ＳＡＷ素子片に設けられるパッドの記載を省略している。支持部材６０は、図９（Ａ）を始めとして図７や図９（Ｂ）に示されるように、ＩＤＴ４２の横方向の中心位置Ｃ２よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側に設けられている。このときＳＡＷ素子片４０とパッケージ１２を接合固着する接着剤２８は、支持部材６０よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側にあればよい。そして接着剤２８の横方向の中心部Ｃ１は、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部（破線ａ）よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側にあるのがより好ましい（図９（Ａ）参照）。また接着剤２８と支持部材６０の距離は、より短い方が好ましい。すなわち支持部材６０がＳＡＷ素子片４０と接触している位置から接着剤２８までの距離が短い方が好ましい。
【００４３】
また図７に示されるように、支持部材６０が設けられる位置は、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部付近に設けられるのが、より好ましい。このとき接着剤２８は、ＩＤＴ４２が設けられている位置よりも基端５０側に設けられていればよい。すなわちＳＡＷ素子片４０と接着剤２８が接合している横方向の領域が、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部からＳＡＷ素子片４０の先端５２側にはみ出なければよい。このようにすることにより、図９（Ａ）に示される場合に比べてＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性のばらつきを無くすことができるとともに、周波数精度を高くすることができる。
【００４４】
さらに図９（Ｂ）に示されるように、接着剤２８および支持部材６０は、ＩＤＴ４２の設けられている位置よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側に設けられると、さらに好ましくなる。すなわち支持部材６０は、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部（破線ａ）よりも、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側に設けられている。また接着剤２８は、支持部材６０よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側にあればよい。このときＳＡＷ素子片４０と接着剤２８が接合している横方向の領域が、支持部材６０よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側にあればよい。
【００４５】
図１０は第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の周波数温度特性を示すグラフである。なお周波数温度特性の測定には複数のサンプルを用いているが、いずれも図１０に示されるグラフと同一になっている。したがって図１０からわかるように、第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器１０は、周波数温度特性のばらつきが無くなり、周波数精度が高くなっている。
【００４６】
そして支持部材６０は、パッケージ１２の底面（パッケージベース１６）と同素材で形成することができる。一例としては、パッケージ１２の底面がセラミックで形成されていれば、パッケージ１２の底面上にセラミックのコーティングを施して支持部材６０を形成することができる。このときの支持部材６０の高さは、例えば前述したように接着剤２８の高さと同程度であればよく、具体的な一例としては２０〜３０μｍであればよい。
【００４７】
また支持部材６０は、パッケージ１２に形成されているボンディング電極２４等の配線材料と同素材で形成することができる。一例としては、パッケージ１２の底面上にタングステンメタライズをした後、この上にニッケルメッキと金メッキを施して支持部材６０を形成することができる。なお支持部材６０は、タングステンメタライズだけで形成されてもよい。
【００４８】
また支持部材６０は、接着剤２８と同素材で形成することができる。一例としては、パッケージ１２の底面に支持部材６０となる接着剤を塗布した後、硬化させて支持部材６０を形成することができる。また支持部材６０は、金属バンプで形成することもできる。一例としては、パッケージ１２の底面上に予めメタライズパターンを設けておき、この上に金属バンプを設けて支持部材６０とすることができる。
そしてＳＡＷ発振器１０は、第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器と同様にして製造することができる。
【００４９】
このようなＳＡＷ発振器１０によれば、パッケージ１２の底面に支持部材６０を設けて、この支持部材６０でＳＡＷ素子片４０を支えることができるようにしたので、ＳＡＷ素子片４０の先端５２が下がってもパッケージ１２の底面と接触するのを防止できる。すなわちＳＡＷ素子片４０の先端５２を上方に傾斜させて、またはＳＡＷ素子片４０を水平にして接着剤２８に載せ、且つ、ＳＡＷ素子片４０と支持部材６０が接触していない場合であれば、この接着剤２８を硬化するまでの間にＳＡＷ素子片４０の先端５２が下がっても、ＳＡＷ素子片４０が支持部材６０に支えられるので、ＳＡＷ素子片４０とパッケージ１２の底面とが接触するのを防止できる。
【００５０】
またＳＡＷ素子片４０を上方に傾斜させて、またはＳＡＷ素子片４０を水平にして接着剤２８に載せ、且つ、ＳＡＷ素子片４０と支持部材６０が接触している場合ならば、ＳＡＷ素子片４０が支持部材６０に支えられているので先端５２が下がることがなく、ＳＡＷ素子片４０とパッケージ１２の底面とが接触するのを防止できる。さらに支持部材６０は、ＩＤＴ４２の横方向の中心位置よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側に配設されているので、パッケージ１２に反り等の変形が生じたとしても、ＳＡＷ素子片４０、特にＩＤＴ４２が設けられている位置に加わる応力を大きく抑えることができる。すなわち支持部材６０と接着剤２８を設ける位置はＩＤＴ４２の横方向の中心位置よりも基端５０側にあるので、支持部材６０と接着剤２８を近接して設けることができる。このため仮にパッケージ１２の変形によってＳＡＷ素子片４０に応力が加わったとしても、応力が加わる部分を極めて限定的にすることができ、ＳＡＷの振動領域全体に悪影響を及ぼすことが無い。
【００５１】
これによりＳＡＷ発振器１０は一定の共振周波数を出力することができ、ＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００５２】
なお第２の実施形態では、接着剤２８の流出を防ぐ手段（流出防止手段）を設けることができる。図１１は接着剤の流出防止手段の説明図である。図１１（Ａ）に示される接着剤２８の流出防止手段となる突起６２は、支持部材６０よりも低くして、接着剤２８と支持部材６０の間におけるパッケージ１２の底面に設けられている。この突起６２は、ＳＡＷ素子片４０の横方向に対して交差した線形状であればよい。これにより流出してきた接着剤２８を突起６２で塞き止めることができるので、支持部材６０とＳＡＷ素子片４０が接着剤２８で接合固着されるのを防ぐことができ、また接着剤２８がＩＤＴ４２の中心位置へ流れ込むのを防止できる。
【００５３】
また図１１（Ｂ）に示される接着剤２８の流出防止手段となる凹部６４は、接着剤２８と支持部材６０の間におけるパッケージ１２の底面に設けられている。この凹部６４は、ＳＡＷ素子片４０の横方向に対して交差する方向に形成されていればよい。これにより流出してきた接着剤２８が凹部６４に流入することで接着剤２８の流出を止めることができるので、支持部材６０とＳＡＷ素子片４０が接着剤２８で接合固着されるのを防ぐことができ、また接着剤２８がＩＤＴ４２の中心位置へ流れ込むのを防止できる。
【００５４】
また図１１（Ｃ）に示される接着剤２８の流出防止手段となる溝部６６は、接着剤２８と支持部材６０の間に位置するＳＡＷ素子片４０の裏面に設けられている。この溝部６６は、ＳＡＷ素子片４０の横方向に対して交差する方向に形成されていればよい。これにより流出してきた接着剤２８が溝部６６に流入することで接着剤２８の流出を止めることができるので、支持部材６０とＳＡＷ素子片４０が接着剤２８で接合固着されるのを防ぐことができ、また接着剤２８がＩＤＴ４２の中心位置へ流れ込むのを防止できる。さらにＳＡＷ素子片４０に溝部６６を設けることで、ＩＤＴ４２が設けられた位置（ＳＡＷの振動領域）に応力がかかるのを防止できる。
【００５５】
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の変形例について説明するので、第１の実施形態と同様の構成部分に同番号を付し、その説明を省略または簡略する。図１２は第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器１０は、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側とパッケージ１２の底面を接着剤２８により接合するとともに、ＩＣチップ２０をパッケージ１２の底面に接合した構成である。
【００５６】
パッケージ１２の底面には、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側と接合するための接着剤２８が塗布される領域（塗布領域）７４が設けられている。そして、この塗布領域７４を露出させるようにして、ＳＡＷ素子片４０に対向したパッケージ１２の底面に支持板７０が設けられている。そして塗布領域７４には接着剤２８が設けられており、ＳＡＷ素子片４０の基端５０に比べて上端を上方に傾斜させたＳＡＷ素子片４０が接着剤２８の上に接合されている。このときＳＡＷ素子片４０の裏面と、支持板７０の塗布領域７４に隣接した上側角部７２が接触している。すなわち支持板７０において塗布領域７４に隣接している側面の上側辺と、ＳＡＷ素子片４０の裏面が接触している。なおＳＡＷ素子片４０と支持板７０は接合固着されていない。
【００５７】
そしてＳＡＷ素子片４０と支持板７０の接触位置は、第２の実施形態で説明した支持部材６０を支持板７０に置き換えた構成にすればよい。すなわち支持板７０における上側角部７２とＳＡＷ素子片４０との接触位置は、ＩＤＴ４２の横方向の中心位置よりも基端５０側にあればよい。そしてＳＡＷ素子片４０と支持板７０の接触位置は、基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部よりも基端５０側において接触しているのがより好ましい。
【００５８】
またＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置は、第２の実施形態で説明したＳＡＷ素子片と接着剤の接合位置と同様であればよい。すなわち第３の実施形態に係るＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置は、ＳＡＷ素子片４０と支持板７０の接触位置よりも基端５０側にあればよい。そしてＳＡＷ素子片４０の表面に設けられているＩＤＴ４２と裏面に接合される接着剤２８とが平面視して重なることがないように、基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部よりも基端５０側において接合させるのがより好ましい。
【００５９】
次に、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に搭載する方法（ＳＡＷ発振器１０の製造方法）について説明する。まずパッケージ１２の底面が支持板７０から露出している箇所、すなわち接着剤２８の塗布領域７４に接着剤２８を塗布する。このとき接着剤２８は、支持板７０の高さよりも高くなるように塗布しておく。次に、コレットでＳＡＷ素子片４０を吸着保持してパッケージ１２の上方に移動させ、ＳＡＷ素子片４０を支持板７０の上に載せる。これによりＳＡＷ素子片４０の裏面と接着剤２８が接触する。次に、接着剤２８を硬化させると接着剤２８が収縮する。すると接着剤２８と接合しているＳＡＷ素子片４０の基端５０側が接着剤２８の収縮に伴って下がるので、支持板７０の上側角部７２を支点としてＳＡＷ素子片４０が傾く。これによりＳＡＷ素子片４０は、その裏面が支持板７０の上側角部７２と接触して、基端５０に比べて先端５２が上がった傾斜状態で、パッケージ１２に搭載される。
【００６０】
このようなＳＡＷ発振器１０によれば、パッケージ１２の底面に支持板７０を設け、この支持板７０でＳＡＷ素子片４０を支えることができるようにしたので、ＳＡＷ素子片４０の先端５２が下がることがなくなり、ＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面と接触するのを防止できる。またパッケージ１２に反り等の変形が生じたとしても、ＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触するのを防止できる。
【００６１】
そして支持板７０がＳＡＷ素子片４０に接触している位置と接着剤２８を設けた位置はＩＤＴ４２の横方向の中心位置よりも基端５０側にあるので、支持板７０がＳＡＷ素子片４０に接触した位置と接着剤２８を近接して設けることができる。このため仮にパッケージ１２の変形によってＳＡＷ素子片４０に応力が加わったとしても、応力が加わる部分を極めて限定的にすることができ、ＳＡＷの振動領域全体に悪影響を及ぼすことが無い。
【００６２】
これによりＳＡＷ発振器１０は一定の共振周波数を出力することができ、ＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１０………ＳＡＷ発振器、１２………パッケージ、２８………接着剤、４０………ＳＡＷ素子片、４２………ＩＤＴ、５０………基端、５２………先端、６０………支持部材、６２………突起、６４………凹部、６６………溝部、７０………支持板、７４………塗布領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法に係り、特にＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載したＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスには、ＳＡＷ素子片をパッケージに搭載したＳＡＷ共振子やＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ素子片とこれを共振させる回路等（集積回路（ＩＣ）チップ）をパッケージに搭載したＳＡＷ発振器等がある。ＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器は、一定の共振周波数を出力しなければならないため、これに搭載されるＳＡＷ素子片は極めて一定した周波数で共振しなければならない。
【０００３】
ところがＳＡＷ素子片をパッケージの底面に固定する接着剤が収縮すると、ＳＡＷ素子片の表面に応力が生じてＩＤＴに変位を生じさせてしまい共振周波数が変動してしまう。この接着剤の収縮は、例えばＩＣチップの発熱によって生じたり、パッケージの変形によって生じたりする。すなわちＩＣチップは、一般的に動作周波数が高くなるほど発熱量が増加するので、これがＳＡＷデバイスに搭載されているとこの熱で接着剤が収縮してしまう。またパッケージは、ＩＣチップから生じる熱によって反ってしまう等の変形が起こる場合があるが、この変形応力が接着剤に伝わることにより接着剤が収縮してしまう。このためＳＡＷデバイス、特にＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器では、ＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載して、ＳＡＷの振動領域に悪影響を与えないようにしている。
【０００４】
ＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載したＳＡＷデバイスは、次のような構成になっている。ＳＡＷ素子片は、すだれ状電極（ＩＤＴ）や反射器等を圧電基板の表面に設けている。またパッケージは、凹陥部を有するパッケージベースを有している。この凹陥部（パッケージ）の底面に接着剤が塗布されており、この接着剤とＳＡＷ素子片の裏面における一方の端部（基端側）が接合固着されている。そしてパッケージベースの上面に蓋体が接合されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１３６９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載する場合、ＳＡＷ素子片の基端側を接着剤上に載せた後、この接着剤を熱硬化することによりＳＡＷ素子片をパッケージに接合固着している。ところが、ＳＡＷ素子片を接着剤に載せた後から接着剤を熱硬化するまでの間は、ＳＡＷ素子片が接着剤によって固定されていないので、ＳＡＷ素子片の自重や衝撃等が加わることによってこの先端が下がり、パッケージの底面に接触することがあった。またＳＡＷ素子片の先端が下がってもパッケージ底面に接触しない場合もあるが、パッケージに反り等の変形が生じたときには、ＳＡＷ素子片の先端とパッケージ底面が接触することがあった。
【０００７】
図１３は従来技術に係るＳＡＷデバイスの周波数温度特性を示すグラフである。この図１３はＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載したＳＡＷデバイスを複数用意し、それぞれの周波数温度特性を測定した結果を示している。そして測定に用いたＳＡＷデバイスは、製造された複数のＳＡＷデバイスの中から無作為に幾つかを選んだものであり、ＳＡＷ素子片の先端がパッケージ底面に接触していないものや、この先端がパッケージ底面に接触しているものが混在している。またＳＡＷ素子片の先端がパッケージ底面に接触しているものであって、接触の度合いがそれぞれ異なっている。このため図１３からわかるように、得られたＳＡＷデバイスの周波数温度特性は極めてばらついている。なお図１３では、ばらつきの程度を理解しやすくするために、ばらつきの上限にある周波数温度特性と下限にある周波数温度特性のみを実線と破線で示しており、他の周波数温度特性は実線と破線の間に位置している。
【０００８】
なおＳＡＷデバイスは、ＳＡＷ素子片をパッケージに片持ち搭載するばかりでなく、ＳＡＷ素子片の中央部を接着剤でパッケージに接合し、またはＳＡＷ素子片の基端側および先端側の両方を接着剤でパッケージに接合（両持ち搭載）することもできる。しかしこれらの場合だと、前述したように僅かな変形がパッケージに生じてもＳＡＷ素子片に応力が加わってＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすという問題がある。またＳＡＷ素子片の基端側を接着剤でパッケージに接合した片持ち搭載の場合であっても、ＳＡＷ素子片の先端側をパッケージ底面に設けられた支持部材で支えると、両持ち搭載した場合と同様に、僅かな変形がパッケージに生じたとしてもＳＡＷ素子片に応力が加わってＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００９】
本発明は、周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えるとともに、周波数精度の高いＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るＳＡＷデバイスは、ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片の先端を上げ、前記ＳＡＷ素子片に傾斜を持たせて前記ＳＡＷ素子片の基端側とパッケージの底面とを接着剤で接合し、前記ＳＡＷ素子片を前記パッケージに片持ち搭載したことを特徴としている。
【００１１】
この構成にすると、パッケージの底面に塗布された接着剤上にＳＡＷ素子片を載せてからこの接着剤を硬化するまでの間にＳＡＷ素子片の先端が下がり、ＳＡＷ素子片がパッケージ底面に接触するのを防止できる。またパッケージに反り等の変形が生じても、ＳＡＷ素子片とパッケージが接触するのを防止できる。したがってＳＡＷ素子片の先端とパッケージ底面の接触に起因する応力がＳＡＷ素子片に加わることがないので、ＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無くなり、ＳＡＷ発振器は一定の共振周波数を出力することができる。またＳＡＷ発振器の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００１２】
また本発明に係るＳＡＷデバイスは、ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片をパッケージ底面に片持ち搭載した構成であり、次の特徴を有している。すなわち前記ＳＡＷ素子片の基端側と前記パッケージ底面とを接合させる接着剤の塗布領域を露出させつつ、前記ＳＡＷ素子片に対向した前記パッケージ底面に支持板を設けている。また前記ＳＡＷ素子片の先端を基端に比べて上げて、前記支持板における前記塗布領域に隣接した上側角部と前記ＳＡＷ素子片とを接触させている。このときＳＡＷ素子片は、これの基端と先端とを結ぶ方向における前記ＩＤＴの中心位置よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側において、前記支持板と接触している。さらに前記塗布領域に設けた前記接着剤で前記ＳＡＷ素子片の基端側と前記パッケージ底面とを接合している。
【００１３】
ＳＡＷ素子片を支持板で支えることができるので、ＳＡＷ素子片の先端がパッケージの底面に接触するのを防止でき、ＳＡＷ素子片の先端とパッケージの接触に起因する応力がＳＡＷの振動領域全体に加わることがない。また、仮にパッケージに変形が生じたとしても、ＳＡＷ素子片と支持板の接触箇所が接着剤の近傍なのでＳＡＷの振動領域の一部にのみ応力が加わることになる。このためＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無く、ＳＡＷ発振器は一定の共振周波数を出力することができる。またＳＡＷ発振器の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００１４】
また本発明は、前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記接着剤の中心部は、この方向における前記ＩＤＴの中心位置よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側にあることを特徴としている。このようにＳＡＷ素子片と接着剤の接合位置を規制したことで、ＳＡＷ素子片と接着剤とが接合している位置とＩＤＴが設けられている位置とが平面視して多少重なっていたとしても、接着剤の収縮によるＩＤＴの変位を少なくすることができ、ＳＡＷ発振器の周波数温度特性のばらつきを最小限に抑え、周波数精度を高くできる。
【００１５】
また本発明に係るＳＡＷデバイスは、ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片の基端側とパッケージの底面とを接着剤で接合し、前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記ＩＤＴの中心位置と、前記ＳＡＷ素子片が前記接着剤と接合している箇所との間における前記パッケージの底面に前記ＳＡＷ素子片の支持部材を設けたことを特徴としている。
【００１６】
配設位置が規制された支持部材でＳＡＷ素子片を支えることができるので、ＳＡＷ素子片の先端がパッケージ底面に接触するのを防止できる。またＳＡＷ素子片と支持部材が予め接触していない場合では、ＳＡＷ素子片の先端が下がる可能性があるが、仮に先端が下がっても支持部材でＳＡＷ素子片を支えることができるので、ＳＡＷ素子片の先端がパッケージ底面に接触するのを防止できる。またパッケージに反り等の変形が生じたとしても、ＳＡＷ素子片の先端がパッケージの底面に接触するのを防止できる。これによりＳＡＷ素子片とパッケージが接触することによって応力がＳＡＷ素子片に加わることがない。また仮にパッケージに変形が生じたとしても、ＳＡＷ素子片と支持部材の接触箇所が接着剤の近傍なのでＳＡＷの振動領域の一部にのみ応力が加わることになる。以上のことから、応力によってＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無くなり、ＳＡＷ発振器は一定の共振周波数を出力することができる。またＳＡＷ発振器の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００１７】
そして前記支持部材は、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側に設けられたことを特徴としている。支持部材とＳＡＷ素子片との接触位置が、ＩＤＴが設けられている位置と平面視して重なることがないので、ＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無くなる。したがって、ＳＡＷ発振器は一定の共振周波数を出力することができ、ＳＡＷ発振器の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００１８】
また本発明は、前記接着剤と前記支持部材との間に、前記支持部材よりも低く形成された前記接着剤の流出防止用の突起を前記パッケージ底面に設け、前記接着剤の流出防止用の凹部を前記パッケージ底面に設け、または前記接着剤の流出防止用の溝部を前記ＳＡＷ素子片に設けた、ことを特徴としている。これらの流出防止手段を設けることにより接着剤が支持部材まで流出するのを防止できるので、支持部材とＳＡＷ素子片とが接合固着されるのを防止できる。また、これらの流出防止手段は、接着剤が流出することによって接着剤とＳＡＷ素子片との接合面積が広がるのを防止できるので、接着剤が収縮することによってＳＡＷ素子片に生じる応力の影響が広範囲に及ぶのを防止でき、ＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすのを防止できる。
【００１９】
また本発明は、前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記接着剤の中心部は、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側にあることを特徴としている。ＳＡＷ素子片と接着剤の接合位置を規制したことで、ＳＡＷ素子片と接着剤とが接合している位置とＩＤＴが設けられている位置とが平面視して多少重なっていたとしても、接着剤の収縮によるＩＤＴの変位を極めて少なくすることができ、ＳＡＷ発振器の周波数温度特性のばらつきを最小限に抑え、周波数精度を高くできる。
【００２０】
また本発明は、前記ＳＡＷ素子片と前記接着剤とは、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側で接合したことを特徴としている。ＳＡＷ素子片と接着剤とが接合している位置とＩＤＴが設けられている位置とが平面視して重なることがない。これにより接着剤が収縮しても、ＩＤＴが変位するのを防止できるので、ＳＡＷ発振器の周波数温度特性のばらつきを抑え、周波数精度を極めて高くできる。
【００２１】
本発明に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷ素子片の先端を基端に比べて上げた傾斜状態でこのＳＡＷ素子片の基端側をパッケージベースの底面に塗布された接着剤上に載せて、この接着剤を硬化し、前記パッケージベースの上面に蓋体を接合して前記ＳＡＷ素子片を封止したことを特徴としている。
【００２２】
ＳＡＷ素子片を傾斜させてパッケージに搭載しているので、パッケージの底面に塗布された接着剤上にＳＡＷ素子片を載せてからこの接着剤を硬化するまでの間にＳＡＷ素子片の先端が下がり、ＳＡＷ素子片がパッケージ底面に接触するのを防止できる。またパッケージに反り等の変形が生じても、ＳＡＷ素子片とパッケージが接触するのを防止できる。したがってＳＡＷ素子片の先端とパッケージが接触することに起因する応力がＳＡＷ素子片に加わらないので、ＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無くなり、ＳＡＷ発振器は一定の共振周波数を出力することができる。またＳＡＷ発振器の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。
【図２】第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の平面図である。
【図３】ＳＡＷ素子片と接着剤の接合位置を説明するＳＡＷ素子片の平面図である。
【図４】図３（Ａ）の場合における周波数温度特性を示すグラフである。
【図５】図３（Ｂ）の場合における周波数温度特性を示すグラフである。
【図６】第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。
【図７】第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の平面図である。
【図８】支持部材の変形例を示すＳＡＷ素子片の平面図である。
【図９】支持部材を設ける位置を説明するＳＡＷ素子片の平面図である。
【図１０】第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の周波数温度特性を示すグラフである。
【図１１】接着剤の流出防止手段の説明図である。
【図１２】第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。
【図１３】従来技術に係るＳＡＷデバイスの周波数温度特性を示すグラフである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、ＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法の最良の実施形態について説明する。なお以下に説明する実施形態では、ＳＡＷデバイスとしてＳＡＷ発振器を用いた形態について説明するが、ＳＡＷデバイスとしてはＳＡＷ共振子やＳＡＷフィルタ等であってもよい。
【００２５】
まず第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。図２は第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の平面図である。なお図２では、蓋体の記載を省略している。第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器１０は、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２の底面に片持ち搭載した構成である。ＳＡＷ素子片４０は、図２に示されるように一対のＩＤＴ４２と、このＩＤＴ４２の両側に配設された反射器４４を圧電基板４６の表面に設けている。この圧電基板４６の表面には、各ＩＤＴ４２と１対１に対応させて導通するパッド４８が設けられている。なお図２では、パッド４８とＩＤＴ４２を導通させる配線パターンの記載を省略している。そしてＳＡＷ素子片４０の一方の端部（基端５０側）における圧電基板４６の裏面は、接着剤２８と接合する実装部になっている。
【００２６】
パッケージ１２は、図１に示されるように、上方に開口した凹陥部１４が内部に設けられたパッケージベース１６と、パッケージベース１６の上面に接合して凹陥部１４を封止する蓋体１８を備えている。この凹陥部１４に段差部２２が設けられており、この段差部２２の上面にボンディング電極２４が設けられている。またパッケージ１２の裏面に外部端子２６が形成されており、ボンディング電極２４の一部と外部端子２６が導通している。
【００２７】
そしてパッケージ１２（凹陥部１４）の底面にＳＡＷ素子片４０とＩＣチップ２０が搭載されている。このＳＡＷ素子片４０は、基端５０側に設けられた前記実装部においてパッケージ１２の底面に設けられた接着剤２８と接合している。このときＳＡＷ素子片４０は、他方の端部（先端５２）が基端５０に比べて上げられて傾斜している。これによりＳＡＷ素子片４０は、先端５２が持ち上がるように傾斜されて、パッケージ１２の底面に片持ち搭載されている。そしてＳＡＷ素子片４０に設けられたパッド４８は、図２に示されるように、パッケージ１２に設けられたボンディング電極２４とワイヤ３０を介して導通している。
【００２８】
またＩＣチップ２０は、ＳＡＷ素子片４０を共振させる回路等を備えており、パッケージ１２の底面に配設されている。このＩＣチップ２０の上面に設けられたパッド電極２０ａは、パッケージ１２に設けられたボンディング電極２４とワイヤ３０を介して導通している。
【００２９】
次に、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に片持ち搭載するための接着剤２８の接合位置について説明する。図３はＳＡＷ素子片と接着剤の接合位置を説明するＳＡＷ素子片の平面図である。なお図３では、ＳＡＷ素子片に設けられるパッドの記載を省略している。図３（Ａ）に示されるように、ＳＡＷ素子片４０の基端５０と先端５２を結ぶ方向（以下、横方向という）における接着剤２８の中心部Ｃ１は、この横方向におけるＩＤＴ４２の中心位置Ｃ２よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側（図３（Ａ）においては左側）に位置すればよい。そして、このようにＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置を設定した場合におけるＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性は、図４に示されるようになる。図４では、周波数温度特性を複数測定した中のばらつきの上限と下限のみを実線と破線で示している。このため他の周波数温度特性は実線と破線の間に位置している。図４からわかるように、従来技術についての周波数温度特性を示した図１３に比べてばらつきが小さくなっている。また温度が２５［℃］における周波数偏差のばらつきも図１３に比べて小さいことから、周波数精度が高くなっていることがわかる。
【００３０】
また図３（Ｂ）に示されるように、接着剤２８の横方向の中心部Ｃ１は、ＩＤＴ４２が設けられている位置よりも基端５０側（図３（Ｂ）においては左側）に位置していればよい。すなわち基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部を破線ａで示すと、この破線ａよりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側に接着剤２８の中心部Ｃ１が位置していればよい。そして、このようにＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置を設定した場合におけるＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性は、図５に示されるようになる。なお周波数温度特性の測定は、複数のサンプルを用いているが、いずれも図５に示されるグラフと略同一になっているので、特性を理解しやすくするために図５では１つの測定結果のみ示している。図５からわかるように、図４に示す場合に比べてさらにばらつきが小さくなっている。また温度が２５［℃］における周波数偏差のばらつきも図４に比べてさらに小さいことから、周波数精度がさらに高くなっていることがわかる。
【００３１】
さらに図３（Ｃ）や図２に示されるように、接着剤２８は、ＩＤＴ４２が設けられている位置よりも基端５０側（図３（Ｃ）においては左側）に位置していればよい。すなわち基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部を破線ａで示すと、ＳＡＷ素子片４０と接着剤２８が接合している横方向の領域が破線ａからＳＡＷ素子片４０の先端５２側にはみ出ることなく、この破線ａよりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側に位置していればよい。このようにすることにより周波数温度特性のばらつきを殆ど無くすことができ、また図５に示す場合に比べて周波数精度もさらに高くすることができる。
【００３２】
次に、ＳＡＷ発振器１０の製造方法について説明する。まずパッケージ１２（パッケージベース１６）の底面に接着剤２８を塗布する。またＳＡＷ素子片４０が保管されているトレーから、コレットを用いてＳＡＷ素子片４０を吸着保持し、パッケージベース１６の上方に移動させる。このコレットは、側面断面視ハ字型になった吸着部を下面に備えており、この吸着部にＳＡＷ素子片４０を吸着して保持するものである。またコレットは、吸着したＳＡＷ素子片４０を保管トレーからパッケージベース１６の上方へ移動させ、パッケージ１２に搭載する移動手段を備えている。
【００３３】
そしてコレットに吸着されたＳＡＷ素子片４０がパッケージ１２の底面に搭載されるときは、ＳＡＷ素子片４０の基端５０を下げるとともに先端５２を上げ、基端５０側の裏面と接着剤２８を接合させる。ＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置は、図３を用いて説明した位置のいずれかであればよい。なおコレット自体に傾斜を持たせておくことで、ＳＡＷ素子片４０を傾斜させてパッケージベース１６の底面に搭載することができる。またコレットに設けられた吸着部に傾斜を持たせておくことで、ＳＡＷ素子片４０を傾斜させてパッケージベース１６の底面に搭載することもできる。さらにＳＡＷ素子片４０をパッケージベース１６に搭載するときにコレットを傾けることで、ＳＡＷ素子片４０を傾斜させてパッケージベース１６の底面に搭載することもできる。
【００３４】
次に、接合材を用いてＩＣチップ２０をパッケージベース１６の底面に固定する。そして接着剤２８や接合材を硬化させる。次に、ＳＡＷ素子片４０に設けられたパッド４８とパッケージベース１６に設けられたボンディング電極２４、およびＩＣチップ２０に設けられたパッド電極２０ａとボンディング電極２４にワイヤボンディングを施して、それぞれワイヤ３０を介して導通させる。そしてパッケージベース１６の上面に蓋体１８を接合してＳＡＷ素子片４０およびＩＣチップ２０を気密封止する。これによりＳＡＷ発振器１０が製造される。
【００３５】
このようなＳＡＷ発振器１０によれば、ＳＡＷ素子片４０の基端５０に比べて先端５２を上方に傾斜させてパッケージ１２に搭載しているので、ＳＡＷ素子片４０を接着剤２８の上に載せてこの接着剤２８を硬化するまでの間に、ＳＡＷ素子片４０の先端５２が下がってパッケージ１２の底面と接触するのを防止できる。すなわち、仮にＳＡＷ素子片４０の自重や衝撃等が加わって先端５２が下がっても、ＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触する手前で下がるのが止まるので、ＳＡＷ素子片４０とパッケージ１２の底面が接触するのを防止できる。またパッケージ１２に反り等の変形が生じても、ＳＡＷ素子片４０の先端５２とパッケージ１２の底面が接触するのを防止できる。これによりＳＡＷ素子片４０の先端５２とパッケージ１２が接触することに起因する応力がＳＡＷ素子片４０に加わらないので、ＳＡＷの振動領域に悪影響を及ぼすことが無くなり、ＳＡＷ発振器１０は一定の共振周波数を出力することができる。またＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００３６】
なおＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置は、従来ではＩＤＴ４２を完全に避けるという考えがあった。すなわち従来では、接着剤がＳＡＷ素子片に接合している位置とＩＤＴが平面視して重ならないようにしていた。しかし本実施形態では、接着剤２８がＳＡＷ素子片４０に接合している位置とＩＤＴ４２を平面視して多少重なり、ＳＡＷ素子片４０に応力が加わることがあるが、ＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置を規制しているのでＩＤＴ４２の変位を少なくできる。したがってＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性のばらつきを最小限に抑え、周波数精度を高くできる。
【００３７】
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の変形例について説明するので、第１の実施形態と同様の構成部分に同番号を付し、その説明を省略または簡略する。図６は第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。図７は第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の平面図である。なお図７では、蓋体の記載を省略している。
【００３８】
第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器１０は、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側とパッケージ１２の底面を接着剤２８により接合するとともに、ＩＣチップ２０をパッケージ１２の底面に接合した構成である。このＳＡＷ素子片４０は、パッケージベース１６の底面に設けられた支持部材６０によって支持されることが可能となっている。なお接着剤２８とＳＡＷ素子片４０の接合位置は、支持部材６０が設けられている位置よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側となっている。
【００３９】
図７に示される場合では支持部材６０が２つ設けられており、ＳＡＷ素子片４０の裏面を２点で支えることが可能になっている。なお支持部材６０は２つ設けられるばかりでなく、３つ以上設けられることもできる。また支持部材６０は、図８に示されるようにパッケージ１２の底面に１つ設けられて、ＳＡＷ素子片４０を線で支えるようにしてもよい。そして支持部材６０は、ＳＡＷ素子片４０の横方向に対して直交する方向に沿って設けられるのが好ましい。
【００４０】
また支持部材６０は、ＳＡＷ素子片４０と接触可能になっているので、ＳＡＷ素子片４０と接合固着されていない。そして支持部材６０は、ＳＡＷ素子片４０と接触してこれを支持してもよく、またＳＡＷ素子片４０と接触していなくてもよい。すなわちＳＡＷ素子片４０を、第１の実施形態で説明したように、先端５２を上方に傾斜させてパッケージ１２に搭載させれば、支持部材６０と接触することがない。またＳＡＷ素子片４０を第１の実施形態で説明したように、先端５２を上方に傾斜させてパッケージ１２に搭載させる場合でも、図６に示されるように支持部材６０と接触するように搭載することができる。さらにＳＡＷ素子片４０を水平にしてパッケージ１２に搭載させれば、支持部材６０と接触することになる。
【００４１】
このような支持部材６０の高さは、ＳＡＷ素子片４０の先端５２が下がってもパッケージ１２の底面に接触することのない高さを有しており、ＳＡＷ素子片４０の横方向の長さや、ＳＡＷ素子片４０の基端５０が接着剤２８によって支持される高さ等によって適宜設定されている。そして支持部材６０の高さの一例としては、接着剤２８の高さと同程度であればよい。支持部材６０の高さが接着剤２８の高さと同程度であれば、ＳＡＷ素子片４０の横方向の長さにかかわらず、ＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触することがない。
【００４２】
また支持部材６０が設けられ位置は、次のようになっている。図９は支持部材を設ける位置を説明するＳＡＷ素子片の平面図である。なお図９では、ＳＡＷ素子片に設けられるパッドの記載を省略している。支持部材６０は、図９（Ａ）を始めとして図７や図９（Ｂ）に示されるように、ＩＤＴ４２の横方向の中心位置Ｃ２よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側に設けられている。このときＳＡＷ素子片４０とパッケージ１２を接合固着する接着剤２８は、支持部材６０よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側にあればよい。そして接着剤２８の横方向の中心部Ｃ１は、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部（破線ａ）よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側にあるのがより好ましい（図９（Ａ）参照）。また接着剤２８と支持部材６０の距離は、より短い方が好ましい。すなわち支持部材６０がＳＡＷ素子片４０と接触している位置から接着剤２８までの距離が短い方が好ましい。
【００４３】
また図７に示されるように、支持部材６０が設けられる位置は、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部付近に設けられるのが、より好ましい。このとき接着剤２８は、ＩＤＴ４２が設けられている位置よりも基端５０側に設けられていればよい。すなわちＳＡＷ素子片４０と接着剤２８が接合している横方向の領域が、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部からＳＡＷ素子片４０の先端５２側にはみ出なければよい。このようにすることにより、図９（Ａ）に示される場合に比べてＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性のばらつきを無くすことができるとともに、周波数精度を高くすることができる。
【００４４】
さらに図９（Ｂ）に示されるように、接着剤２８および支持部材６０は、ＩＤＴ４２の設けられている位置よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側に設けられると、さらに好ましくなる。すなわち支持部材６０は、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部（破線ａ）よりも、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側に設けられている。また接着剤２８は、支持部材６０よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側にあればよい。このときＳＡＷ素子片４０と接着剤２８が接合している横方向の領域が、支持部材６０よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側にあればよい。
【００４５】
図１０は第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器の周波数温度特性を示すグラフである。なお周波数温度特性の測定には複数のサンプルを用いているが、いずれも図１０に示されるグラフと同一になっている。したがって図１０からわかるように、第２の実施形態に係るＳＡＷ発振器１０は、周波数温度特性のばらつきが無くなり、周波数精度が高くなっている。
【００４６】
そして支持部材６０は、パッケージ１２の底面（パッケージベース１６）と同素材で形成することができる。一例としては、パッケージ１２の底面がセラミックで形成されていれば、パッケージ１２の底面上にセラミックのコーティングを施して支持部材６０を形成することができる。このときの支持部材６０の高さは、例えば前述したように接着剤２８の高さと同程度であればよく、具体的な一例としては２０〜３０μｍであればよい。
【００４７】
また支持部材６０は、パッケージ１２に形成されているボンディング電極２４等の配線材料と同素材で形成することができる。一例としては、パッケージ１２の底面上にタングステンメタライズをした後、この上にニッケルメッキと金メッキを施して支持部材６０を形成することができる。なお支持部材６０は、タングステンメタライズだけで形成されてもよい。
【００４８】
また支持部材６０は、接着剤２８と同素材で形成することができる。一例としては、パッケージ１２の底面に支持部材６０となる接着剤を塗布した後、硬化させて支持部材６０を形成することができる。また支持部材６０は、金属バンプで形成することもできる。一例としては、パッケージ１２の底面上に予めメタライズパターンを設けておき、この上に金属バンプを設けて支持部材６０とすることができる。
そしてＳＡＷ発振器１０は、第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器と同様にして製造することができる。
【００４９】
このようなＳＡＷ発振器１０によれば、パッケージ１２の底面に支持部材６０を設けて、この支持部材６０でＳＡＷ素子片４０を支えることができるようにしたので、ＳＡＷ素子片４０の先端５２が下がってもパッケージ１２の底面と接触するのを防止できる。すなわちＳＡＷ素子片４０の先端５２を上方に傾斜させて、またはＳＡＷ素子片４０を水平にして接着剤２８に載せ、且つ、ＳＡＷ素子片４０と支持部材６０が接触していない場合であれば、この接着剤２８を硬化するまでの間にＳＡＷ素子片４０の先端５２が下がっても、ＳＡＷ素子片４０が支持部材６０に支えられるので、ＳＡＷ素子片４０とパッケージ１２の底面とが接触するのを防止できる。
【００５０】
またＳＡＷ素子片４０を上方に傾斜させて、またはＳＡＷ素子片４０を水平にして接着剤２８に載せ、且つ、ＳＡＷ素子片４０と支持部材６０が接触している場合ならば、ＳＡＷ素子片４０が支持部材６０に支えられているので先端５２が下がることがなく、ＳＡＷ素子片４０とパッケージ１２の底面とが接触するのを防止できる。さらに支持部材６０は、ＩＤＴ４２の横方向の中心位置よりもＳＡＷ素子片４０の基端５０側に配設されているので、パッケージ１２に反り等の変形が生じたとしても、ＳＡＷ素子片４０、特にＩＤＴ４２が設けられている位置に加わる応力を大きく抑えることができる。すなわち支持部材６０と接着剤２８を設ける位置はＩＤＴ４２の横方向の中心位置よりも基端５０側にあるので、支持部材６０と接着剤２８を近接して設けることができる。このため仮にパッケージ１２の変形によってＳＡＷ素子片４０に応力が加わったとしても、応力が加わる部分を極めて限定的にすることができ、ＳＡＷの振動領域全体に悪影響を及ぼすことが無い。
【００５１】
これによりＳＡＷ発振器１０は一定の共振周波数を出力することができ、ＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【００５２】
なお第２の実施形態では、接着剤２８の流出を防ぐ手段（流出防止手段）を設けることができる。図１１は接着剤の流出防止手段の説明図である。図１１（Ａ）に示される接着剤２８の流出防止手段となる突起６２は、支持部材６０よりも低くして、接着剤２８と支持部材６０の間におけるパッケージ１２の底面に設けられている。この突起６２は、ＳＡＷ素子片４０の横方向に対して交差した線形状であればよい。これにより流出してきた接着剤２８を突起６２で塞き止めることができるので、支持部材６０とＳＡＷ素子片４０が接着剤２８で接合固着されるのを防ぐことができ、また接着剤２８がＩＤＴ４２の中心位置へ流れ込むのを防止できる。
【００５３】
また図１１（Ｂ）に示される接着剤２８の流出防止手段となる凹部６４は、接着剤２８と支持部材６０の間におけるパッケージ１２の底面に設けられている。この凹部６４は、ＳＡＷ素子片４０の横方向に対して交差する方向に形成されていればよい。これにより流出してきた接着剤２８が凹部６４に流入することで接着剤２８の流出を止めることができるので、支持部材６０とＳＡＷ素子片４０が接着剤２８で接合固着されるのを防ぐことができ、また接着剤２８がＩＤＴ４２の中心位置へ流れ込むのを防止できる。
【００５４】
また図１１（Ｃ）に示される接着剤２８の流出防止手段となる溝部６６は、接着剤２８と支持部材６０の間に位置するＳＡＷ素子片４０の裏面に設けられている。この溝部６６は、ＳＡＷ素子片４０の横方向に対して交差する方向に形成されていればよい。これにより流出してきた接着剤２８が溝部６６に流入することで接着剤２８の流出を止めることができるので、支持部材６０とＳＡＷ素子片４０が接着剤２８で接合固着されるのを防ぐことができ、また接着剤２８がＩＤＴ４２の中心位置へ流れ込むのを防止できる。さらにＳＡＷ素子片４０に溝部６６を設けることで、ＩＤＴ４２が設けられた位置（ＳＡＷの振動領域）に応力がかかるのを防止できる。
【００５５】
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、第１の実施形態に係るＳＡＷ発振器の変形例について説明するので、第１の実施形態と同様の構成部分に同番号を付し、その説明を省略または簡略する。図１２は第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器の断面図である。第３の実施形態に係るＳＡＷ発振器１０は、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側とパッケージ１２の底面を接着剤２８により接合するとともに、ＩＣチップ２０をパッケージ１２の底面に接合した構成である。
【００５６】
パッケージ１２の底面には、ＳＡＷ素子片４０の基端５０側と接合するための接着剤２８が塗布される領域（塗布領域）７４が設けられている。そして、この塗布領域７４を露出させるようにして、ＳＡＷ素子片４０に対向したパッケージ１２の底面に支持板７０が設けられている。そして塗布領域７４には接着剤２８が設けられており、ＳＡＷ素子片４０の基端５０に比べて上端を上方に傾斜させたＳＡＷ素子片４０が接着剤２８の上に接合されている。このときＳＡＷ素子片４０の裏面と、支持板７０の塗布領域７４に隣接した上側角部７２が接触している。すなわち支持板７０において塗布領域７４に隣接している側面の上側辺と、ＳＡＷ素子片４０の裏面が接触している。なおＳＡＷ素子片４０と支持板７０は接合固着されていない。
【００５７】
そしてＳＡＷ素子片４０と支持板７０の接触位置は、第２の実施形態で説明した支持部材６０を支持板７０に置き換えた構成にすればよい。すなわち支持板７０における上側角部７２とＳＡＷ素子片４０との接触位置は、ＩＤＴ４２の横方向の中心位置よりも基端５０側にあればよい。そしてＳＡＷ素子片４０と支持板７０の接触位置は、基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部よりも基端５０側において接触しているのがより好ましい。
【００５８】
またＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置は、第２の実施形態で説明したＳＡＷ素子片と接着剤の接合位置と同様であればよい。すなわち第３の実施形態に係るＳＡＷ素子片４０と接着剤２８の接合位置は、ＳＡＷ素子片４０と支持板７０の接触位置よりも基端５０側にあればよい。そしてＳＡＷ素子片４０の表面に設けられているＩＤＴ４２と裏面に接合される接着剤２８とが平面視して重なることがないように、基端５０側に位置するＩＤＴ４２の端部よりも基端５０側において接合させるのがより好ましい。
【００５９】
次に、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に搭載する方法（ＳＡＷ発振器１０の製造方法）について説明する。まずパッケージ１２の底面が支持板７０から露出している箇所、すなわち接着剤２８の塗布領域７４に接着剤２８を塗布する。このとき接着剤２８は、支持板７０の高さよりも高くなるように塗布しておく。次に、コレットでＳＡＷ素子片４０を吸着保持してパッケージ１２の上方に移動させ、ＳＡＷ素子片４０を支持板７０の上に載せる。これによりＳＡＷ素子片４０の裏面と接着剤２８が接触する。次に、接着剤２８を硬化させると接着剤２８が収縮する。すると接着剤２８と接合しているＳＡＷ素子片４０の基端５０側が接着剤２８の収縮に伴って下がるので、支持板７０の上側角部７２を支点としてＳＡＷ素子片４０が傾く。これによりＳＡＷ素子片４０は、その裏面が支持板７０の上側角部７２と接触して、基端５０に比べて先端５２が上がった傾斜状態で、パッケージ１２に搭載される。
【００６０】
このようなＳＡＷ発振器１０によれば、パッケージ１２の底面に支持板７０を設け、この支持板７０でＳＡＷ素子片４０を支えることができるようにしたので、ＳＡＷ素子片４０の先端５２が下がることがなくなり、ＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面と接触するのを防止できる。またパッケージ１２に反り等の変形が生じたとしても、ＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触するのを防止できる。
【００６１】
そして支持板７０がＳＡＷ素子片４０に接触している位置と接着剤２８を設けた位置はＩＤＴ４２の横方向の中心位置よりも基端５０側にあるので、支持板７０がＳＡＷ素子片４０に接触した位置と接着剤２８を近接して設けることができる。このため仮にパッケージ１２の変形によってＳＡＷ素子片４０に応力が加わったとしても、応力が加わる部分を極めて限定的にすることができ、ＳＡＷの振動領域全体に悪影響を及ぼすことが無い。
【００６２】
これによりＳＡＷ発振器１０は一定の共振周波数を出力することができ、ＳＡＷ発振器１０の周波数温度特性にばらつきが生じるのを防止でき、周波数精度を高くすることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１０………ＳＡＷ発振器、１２………パッケージ、２８………接着剤、４０………ＳＡＷ素子片、４２………ＩＤＴ、５０………基端、５２………先端、６０………支持部材、６２………突起、６４………凹部、６６………溝部、７０………支持板、７４………塗布領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片の先端を上げ、前記ＳＡＷ素子片に傾斜を持たせて前記ＳＡＷ素子片の基端側とパッケージの底面とを接着剤で接合し、前記ＳＡＷ素子片を前記パッケージに片持ち搭載したことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項２】
ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片をパッケージ底面に片持ち搭載したＳＡＷデバイスであって、
前記ＳＡＷ素子片の基端側と前記パッケージ底面とを接合させる接着剤の塗布領域を露出させつつ、前記ＳＡＷ素子片に対向した前記パッケージ底面に支持板を設け、
前記ＳＡＷ素子片の先端を基端に比べて上げて、前記支持板における前記塗布領域に隣接した上側角部と、前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記ＩＤＴの中心位置よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側で前記ＳＡＷ素子片とを接触させ、
前記塗布領域に設けた前記接着剤で前記ＳＡＷ素子片の基端側と前記パッケージ底面とを接合したことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項３】
前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記接着剤の中心部は、この方向における前記ＩＤＴの中心位置よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側にあることを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項４】
ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片の基端側とパッケージの底面とを接着剤で接合し、前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記ＩＤＴの中心位置と、前記ＳＡＷ素子片が前記接着剤と接合している箇所との間における前記パッケージの底面に前記ＳＡＷ素子片の支持部材を設けたことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項５】
前記支持部材は、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側に設けられたことを特徴とする請求項４に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項６】
前記接着剤と前記支持部材との間に、
前記支持部材よりも低く形成された前記接着剤の流出防止用の突起を前記パッケージ底面に設け、
前記接着剤の流出防止用の凹部を前記パッケージ底面に設け、または
前記接着剤の流出防止用の溝部を前記ＳＡＷ素子片に設けた、
ことを特徴とする請求項４または５に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項７】
前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記接着剤の中心部は、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側にあることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のＳＡＷデバイス。
【請求項８】
前記ＳＡＷ素子片と前記接着剤とは、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側で接合したことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のＳＡＷデバイス。
【請求項９】
ＳＡＷ素子片の先端を基端に比べて上げた傾斜状態でこのＳＡＷ素子片の基端側をパッケージベースの底面に塗布された接着剤上に載せて、この接着剤を硬化し、前記パッケージベースの上面に蓋体を接合して前記ＳＡＷ素子片を封止したことを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１】
ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片の先端を上げ、前記ＳＡＷ素子片に傾斜を持たせて前記ＳＡＷ素子片の基端側とパッケージの底面とを接着剤で接合し、前記ＳＡＷ素子片を前記パッケージに片持ち搭載したことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項２】
ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片をパッケージ底面に片持ち搭載したＳＡＷデバイスであって、
前記ＳＡＷ素子片の基端側と前記パッケージ底面とを接合させる接着剤の塗布領域を露出させつつ、前記ＳＡＷ素子片に対向した前記パッケージ底面に支持板を設け、
前記ＳＡＷ素子片の先端を基端に比べて上げて、前記支持板における前記塗布領域に隣接した上側角部と、前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記ＩＤＴの中心位置よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側で前記ＳＡＷ素子片とを接触させ、
前記塗布領域に設けた前記接着剤で前記ＳＡＷ素子片の基端側と前記パッケージ底面とを接合したことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項３】
前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記接着剤の中心部は、この方向における前記ＩＤＴの中心位置よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側にあることを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項４】
ＩＤＴを備えたＳＡＷ素子片の基端側とパッケージの底面とを接着剤で接合し、前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記ＩＤＴの中心位置と、前記ＳＡＷ素子片が前記接着剤と接合している箇所との間における前記パッケージの底面に前記ＳＡＷ素子片の支持部材を設けたことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項５】
前記支持部材は、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側に設けられたことを特徴とする請求項４に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項６】
前記接着剤と前記支持部材との間に、
前記支持部材よりも低く形成された前記接着剤の流出防止用の突起を前記パッケージ底面に設け、
前記接着剤の流出防止用の凹部を前記パッケージ底面に設け、または
前記接着剤の流出防止用の溝部を前記ＳＡＷ素子片に設けた、
ことを特徴とする請求項４または５に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項７】
前記ＳＡＷ素子片の基端と先端とを結ぶ方向における前記接着剤の中心部は、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側にあることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のＳＡＷデバイス。
【請求項８】
前記ＳＡＷ素子片と前記接着剤とは、前記ＳＡＷ素子片の基端側に位置する前記ＩＤＴの端部よりも前記ＳＡＷ素子片の基端側で接合したことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のＳＡＷデバイス。
【請求項９】
ＳＡＷ素子片の先端を基端に比べて上げた傾斜状態でこのＳＡＷ素子片の基端側をパッケージベースの底面に塗布された接着剤上に載せて、この接着剤を硬化し、前記パッケージベースの上面に蓋体を接合して前記ＳＡＷ素子片を封止したことを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−５０１５４（Ｐ２０１２−５０１５４Ａ）
【公開日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２７０６７５（Ｐ２０１１−２７０６７５）
【出願日】平成２３年１２月９日（２０１１．１２．９）
【分割の表示】特願２００６−５０４５（Ｐ２００６−５０４５）の分割
【原出願日】平成１８年１月１２日（２００６．１．１２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１２月９日（２０１１．１２．９）
【分割の表示】特願２００６−５０４５（Ｐ２００６−５０４５）の分割
【原出願日】平成１８年１月１２日（２００６．１．１２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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