【課題】位相差が減少された差動信号を生成するようにした差動信号生成回路を提供する。
【解決手段】入力信号を順次反転させて複数の遅延信号を生成するように構成されたインバータアレイと、複数の遅延信号のうち、第１の遅延信号と第２の遅延信号とを予め設定された混合比で混合して第１の差動信号を生成するように構成された位相混合器とを備え、複数の遅延信号のうち、第１の遅延信号と第２の遅延信号との中間に該当する遅延時間を持つ第３の遅延信号を第２の差動信号として生成するように構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、出力電圧のばらつきをなくすことの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】３Ｔｒ２Ｃで構成されるインバータ回路において、トランジスタＴｒ２のゲートと低電圧線Ｌ１との間、さらにトランジスタＴｒ２のソースと低電圧線Ｌ１との間に、入力電圧Ｖｉｎと低電圧線Ｌ１の電圧との電位差に応じてオンオフ動作するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が設けられている。トランジスタＴｒ２のゲートには、容量素子Ｃ１，Ｃ２が直列接続されており、トランジスタＴｒ２のソースには、容量素子Ｃ１，Ｃ２が並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】高速信号を確実に伝送可能なバッファ回路を提供する。
【解決手段】電流源３１２は、定電流Ｉｃを生成する。第１トランジスタＭ１は、その一端が電流源３１２と接続され、その制御端子に入力信号Ｓ_ＩＮが入力される。反転回路３１４は、入力信号Ｓ_ＩＮを反転および遅延させ、反転入力信号Ｓ_ＩＮ＃を生成する。第２トランジスタＭ２は、その一端が電流源３１２と接続され、その制御端子に反転入力信号Ｓ_ＩＮ＃が入力される。バッファ回路３１０は、第１トランジスタＭ１および第２トランジスタＭ２の、電流源３１２と共通に接続された一端に生ずる信号Ｓ_ＯＵＴを出力する。 （もっと読む）

【課題】耐圧を上げることなく、低消費電力と高速化とを両立することの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】７Ｔｒ３Ｃで構成されるインバータ回路において、高電圧線Ｌ_H側のトランジスタＴｒ₅，Ｔｒ₂のゲート−ソース間に容量素子Ｃ₁，Ｃ₃が接続され、トランジスタＴｒ₅のゲートと入力端子ＩＮとの間に容量素子Ｃ₁，Ｃ₂が直列挿入されている。これにより、高電圧線Ｌ_H側の電圧値を出力する際に、トランジスタＴｒ₇，Ｔｒ₅，Ｔｒ₂はオフ状態からゲート電圧およびソース電圧を上昇させ、ゲート−ソース間電圧を変化させながら順次オン状態となり、最終的に、トランジスタＴｒ₅がオフ状態となったときに、トランジスタＴｒ₂から出力電圧として高電圧線Ｌ_H側の電圧値が出力される。 （もっと読む）

【課題】電源電圧などの回路の動作条件の変動に関わらず、デューティ比の変動を抑圧、低減する。
【解決手段】差動増幅回路１と、この差動増幅回路１において差動対を構成する２つのＭＯＳトランジスタ２１，２２のソース同士の接続点における電位に基づいて閾値電圧を生成する閾値電圧生成回路２と、インバータ動作における閾値電圧を、閾値電圧生成回路２により生成された閾値電圧に設定可能に構成された閾値電圧可変インバータ回路３とが設けられることにより、インバータ動作における閾値電圧が、差動増幅回路１の出力振幅の中心電圧に設定でき、電源電圧の変動などが生じてもインバータの入出力間におけるデューティ比の変動が抑圧、低減できるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴの閾値電圧の変動に起因するアンプのセンスマージンの低下を防止可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、信号線（ＢＬ）に信号を出力する第１の回路（ＭＣ）と、ＦＥＴ（Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３）と、信号線に基準電位を与える第２の回路（Ｑ５）を備えている。ＦＥＴＱ１はノードＮ１の電位と駆動信号ＳＥＴの電位との間の電位差に応じてゲート容量が制御されるゲーテッドダイオードとして機能し、ＦＥＴＱ２は制御信号ＴＧに応じて信号線とノードＮ１との間の接続を制御し、ＦＥＴＱ３はゲートがノードＮ１に接続されノードＮ１の信号電圧を増幅する。導通状態のＦＥＴＱ２を非導通に制御した後、駆動信号ＳＥＴの電位は第１の電位から第２の電位に遷移する。ＦＥＴＱ１の閾値電圧の変動量に対応して少なくとも第１の電位をオフセット制御し、ＦＥＴＱ３のセンス増幅時にＦＥＴＱ１の閾値電圧の変動を補償する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、トランジスタの閾値電圧のばらつきに起因する出力電圧のばらつきを抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】６Ｔｒ３Ｃで構成されるインバータ回路において、入力端子ＩＮ２に、入力端子ＩＮ１に入力されるパルス信号の位相よりも進んだ位相のパルス信号が印加される。これにより、入力端子ＩＮ１の電圧がハイからローに変化する際に、トランジスタＴ５のゲート−ソース間電圧から、トランジスタＴ５の閾値電圧の影響が取り除かれるので、その後にトランジスタＴ５がオンしてトランジスタＴ５に電流が流れたときに、その電流値Ｉｄｓからも、トランジスタＴ５の閾値電圧の影響が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、出力電圧のばらつきをなくすことの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】５Ｔｒ２Ｃで構成されるインバータ回路において、トランジスタＴｒ₂のソースと低電圧線Ｌ_Lとの間、トランジスタＴｒ₅のゲートと低電圧線Ｌ_Lとの間、さらにトランジスタＴｒ₂のゲートと低電圧線Ｌ_Lとの間に、入力電圧Ｖ_inと低電圧線Ｌ_Lの電圧Ｖ_Lとの電位差に応じてオンオフ動作するトランジスタＴｒ₁，Ｔｒ₃，Ｔｒ₄が設けられている。トランジスタＴｒ₅のゲートには、容量素子Ｃ₁，Ｃ₂が直列接続されており、トランジスタＴｒ₅のソースには、容量素子Ｃ₁，Ｃ₂が並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】耐圧を上げることなく、消費電力を低減することの可能なインバータ回路およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】７Ｔｒ２Ｃで構成されるインバータ回路において、容量素子Ｃ₁がトランジスタＴｒ₅のソースに接続されるとともに、トランジスタＴｒ₄を介してトランジスタＴｒ₇のゲートに接続されている。トランジスタＴｒ₇のソースには、トランジスタＴｒ₂のゲートが接続されている。これにより、入力端子ＩＮに立下り電圧が入力され、トランジスタＴｒ₁，Ｔｒ₃，Ｔｒ₆がオフしたときに、Ｖ_ddが充電された容量素子Ｃ₁によって、トランジスタＴｒ₇のゲートがＶ_SS＋Ｖ_th7以上の電圧にチャージされ、トランジスタＴｒ₇がオンし、さらにトランジスタＴｒ₂がオンする。 （もっと読む）

【課題】パストランジスタを流れる漏洩電流の削減、また入力数の増加に対するトランジスタ数の増加の割合が小さいパストランジスタを用いた論理回路、および集積回路を提供する。
【解決手段】低電源電圧回路の低論理信号振幅の第一の論理信号がドレインに印加され、ゲートに第二の論理信号で制御するパストランジスタＭＮ１を用いた論理回路であって、低電源電圧回路の低論理信号振幅の第三の論理信号を入力ノードに印加して高電源電圧で動作する第一のＣＭＯＳインバータＩＮＶＨ１を有し、第三の論理信号の電圧変化範囲が高電源電圧の高電源電位と低電源電位に挟まれ、かつＩＮＶＨ１の遷移領域を含むように高電源電圧の高電源電位と低電源電位が設定され、かつ高電源電圧の高電源電位と低電源電圧回路の高電源電位との差がパストランジスタのしきい値電圧よりも大きく設定されたＩＮＶＨ１の出力信号を第二の論理信号とする。 （もっと読む）