インバータ回路および表示装置
【課題】耐圧を上げることなく、低消費電力と高速化とを両立することの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】７Ｔｒ３Ｃで構成されるインバータ回路において、高電圧線ＬH側のトランジスタＴｒ5，Ｔｒ2のゲート−ソース間に容量素子Ｃ1，Ｃ3が接続され、トランジスタＴｒ5のゲートと入力端子ＩＮとの間に容量素子Ｃ1，Ｃ2が直列挿入されている。これにより、高電圧線ＬH側の電圧値を出力する際に、トランジスタＴｒ7，Ｔｒ5，Ｔｒ2はオフ状態からゲート電圧およびソース電圧を上昇させ、ゲート−ソース間電圧を変化させながら順次オン状態となり、最終的に、トランジスタＴｒ5がオフ状態となったときに、トランジスタＴｒ2から出力電圧として高電圧線ＬH側の電圧値が出力される。
【解決手段】７Ｔｒ３Ｃで構成されるインバータ回路において、高電圧線ＬH側のトランジスタＴｒ5，Ｔｒ2のゲート−ソース間に容量素子Ｃ1，Ｃ3が接続され、トランジスタＴｒ5のゲートと入力端子ＩＮとの間に容量素子Ｃ1，Ｃ2が直列挿入されている。これにより、高電圧線ＬH側の電圧値を出力する際に、トランジスタＴｒ7，Ｔｒ5，Ｔｒ2はオフ状態からゲート電圧およびソース電圧を上昇させ、ゲート−ソース間電圧を変化させながら順次オン状態となり、最終的に、トランジスタＴｒ5がオフ状態となったときに、トランジスタＴｒ2から出力電圧として高電圧線ＬH側の電圧値が出力される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた表示装置に好適に適用可能なインバータ回路に関する。また、本発明は、上記インバータ回路を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素の発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機ＥＬ素子を用いた表示装置が開発され、商品化が進められている。有機ＥＬ素子は、液晶素子などと異なり自発光素子である。そのため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、有機ＥＬ素子に流れる電流値を制御することで、発色の階調が得られる。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は、構造が単純であるものの、大型かつ高精細の表示装置の実現が難しいなどの問題がある。そのため、現在では、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、画素ごとに配した発光素子に流れる電流を駆動トランジスタによって制御するものである。
【０００４】
上記の駆動トランジスタでは、閾値電圧Ｖthや移動度μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Ｖthや移動度μが画素ごとに異なったりする場合がある。閾値電圧Ｖthや移動度μが画素ごとに異なる場合には、駆動トランジスタに流れる電流値が画素ごとにばらつくので、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度がばらつき、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。そこで、閾値電圧Ｖthや移動度μの変動に対する補正機能を組み込んだ表示装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
閾値電圧Ｖthや移動度μの変動に対する補正は、画素ごとに配した画素回路によって行われる。この画素回路は、例えば、図３２に示したように、有機ＥＬ素子１１１に流れる電流を制御する駆動トランジスタＴｒ100と、信号線ＤＴＬの電圧を駆動トランジスタＴｒ100に書き込む書き込みトランジスタＴｒ200と、保持容量Ｃｓとによって構成されており、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。駆動トランジスタＴｒ100および書き込みトランジスタＴｒ200は、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により形成されている。
【０００６】
図３１は、画素回路に印加される電圧波形の一例と、駆動トランジスタＴｒ100のゲート電圧Ｖgおよびソース電圧Ｖsの変化の一例とを表したものである。図３１（Ａ）には信号線ＤＴＬに、信号電圧Ｖsigと、オフセット電圧Ｖofsが印加されている様子が示されている。図３１（Ｂ）には書込線ＷＳＬに、書き込みトランジスタＴｒ200をオンする電圧Ｖddと、書き込みトランジスタＴｒ200をオフする電圧Ｖssが印加されている様子が示されている。図３１（Ｃ）には電源線ＰＳＬに、ハイ電圧ＶccHと、ロー電圧ＶccLが印加されている様子が示されている。さらに、図３１（Ｄ），（Ｅ）には、電源線ＰＳＬ、信号線ＤＴＬおよび書込線ＷＳＬへの電圧印加に応じて、駆動トランジスタＴｒ100のゲート電圧Ｖgおよびソース電圧Ｖsが時々刻々変化している様子が示されている。
【０００７】
図３１から、１Ｈ内に２回、ＷＳパルスＰが書込線ＷＳＬに印加されており、１回目のＷＳパルスＰによって閾値補正が行われ、２回目のＷＳパルスＰによって移動度補正と信号書き込みが行われていることがわかる。つまり、図３１において、ＷＳパルスＰは、信号書込みだけでなく、駆動トランジスタＴｒ100の閾値補正や移動度補正にも用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−０８３２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、アクティブマトリクス方式の表示装置では、信号線ＤＴＬを駆動する水平駆動回路（図示せず）や、各画素１１３を順次選択する書き込み走査回路（図示せず）は、いずれも基本的にシフトレジスタ（図示せず）を含んで構成されており、画素１１３の各列または各行に対応して、１段ごとにバッファ回路（図示せず）を備えている。例えば、書き込み走査回路内のバッファ回路は、典型的には、２つのインバータ回路を直列に接続して構成されている。ここで、インバータ回路は、例えば、図３３に示したように、２つのｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタＴｒ1，Ｔｒ2が直列接続された単チャネル型の回路構成となっている。図３３に記載のインバータ回路２００は、ハイレベルの電圧が印加される高電圧配線ＬHと、ローレベルの電圧が印加される低電圧配線ＬLとの間に挿入されている。高電圧配線ＬH側のトランジスタＴｒ2のゲートが高電圧配線ＬHに接続されており、低電圧配線ＬL側のトランジスタＴｒ1のゲートが入力端子ＩＮに接続されている。さらに、トランジスタＴｒ1とトランジスタＴｒ2との接続点Ｃが出力端子ＯＵＴに接続されている。
【００１０】
インバータ回路２００では、例えば、図３４に示したように、入力端子ＩＮの電圧ＶinがＶssとなっている時、出力端子ＯＵＴの電圧ＶoutがＶddとはならず、Ｖdd−Ｖth2となってしまう。つまり、出力端子ＯＵＴの電圧Ｖoutには、トランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2が含まれており、出力端子ＯＵＴの電圧Ｖoutは、トランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2のばらつきの影響を大きく受けてしまう。
【００１１】
そこで、例えば、図３５のインバータ回路３００に示したように、トランジスタＴｒ2のゲートとドレインとを互いに電気的に分離し、ドレインの電圧Ｖddよりも高い電圧Ｖdd2（≧Ｖdd＋Ｖth）が印加される高電圧配線ＬH2にゲートを接続することが考えられる。また、例えば、図３６のインバータ回路４００に示したようなブートストラップ型の回路構成が考えられる。具体的には、トランジスタＴｒ2のゲートと高電圧配線ＬHとの間にトランジスタＴｒ12を挿入し、トランジスタＴｒ12のゲートを高電圧配線ＬHに接続するとともに、トランジスタＴｒ2のゲートとトランジスタＴｒ12のソースとの接続点Ｄと、接続点Ｃとの間に容量素子Ｃ10を挿入した回路構成が考えられる。
【００１２】
しかし、図３３、図３５、図３６のいずれの回路においても、入力電圧Ｖinがハイとなっている時、つまり、出力電圧Ｖoutがローとなっている時まで、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ2を介して、高電圧配線ＬH側から低電圧配線ＬL側に向かって電流（貫通電流）が流れてしまう。その結果、インバータ回路での消費電力も大きくなってしまう。また、図３３、図３５、図３６の回路においては、例えば、図３４（Ｂ）の破線で囲んだ箇所に示したように、入力電圧ＶinがＶddとなっている時、出力電圧ＶoutがＶssとはならず、出力電圧Ｖoutの波高値がばらついてしまう。その結果、画素回路１１２内の駆動トランジスタＴｒ100の閾値補正や移動度補正が画素回路１１２ごとにばらついてしまい、そのばらつきが輝度のばらつきとなってしまうという問題があった。
【００１３】
なお、上述の問題は、表示装置の走査回路に限って生じるものではなく、他のデバイスにおいても同様に生じ得るものである。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、消費電力を抑えつつ、出力電圧の波高値を所望の値にすることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１のインバータ回路は、互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタを備えたものである。このインバータ回路は、さらに、第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、入力端子および出力端子とを備えている。ここで、第１トランジスタは、入力端子の電圧（入力電圧）と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて出力端子と第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と出力端子との電気的な接続を継断するようになっている。第３トランジスタは、入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのゲートと第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第４トランジスタは、入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第１容量素子および第２容量素子は、入力端子と第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入されており、第１容量素子と第２容量素子との電気的な接続点が、第１端子に電気的に接続されている。第３容量素子は、第２トランジスタのゲートと出力端子との間に挿入されている。第５トランジスタは、第１容量素子の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と第１端子との電気的な接続を継断するようになっている。第６トランジスタは、入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２トランジスタのゲートと第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第７トランジスタは、第１端子の電圧と第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている。
【００１６】
本発明の第１の表示装置は、行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部を備えており、さらに、各画素を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有しており、駆動部内の各インバータ回路は、上記の第１のインバータ回路と同一の構成要素を含んでいる。
【００１７】
本発明の第１のインバータ回路および第１の表示装置では、第５トランジスタのゲートと第３電圧線との間には、入力電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第３トランジスタが設けられている。第７トランジスタのゲートと第４電圧線との間には、入力電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第４トランジスタが設けられている。第２トランジスタのゲートと第６電圧線との間には、入力電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第６トランジスタが設けられている。第２トランジスタのソースと第１電圧線との間には、入力電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第１トランジスタが設けられている。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。また、本発明では、入力端子と第５トランジスタのゲートとの間に、互いに直列に接続された第１容量素子および第２容量素子が挿入されている。さらに、第５トランジスタのソースが、第１容量素子と第２容量素子との間に電気的に接続されている。これにより、第５トランジスタのソースには、第１容量素子および第２容量素子が並列接続され、第５トランジスタのゲートには、第１容量素子および第２容量素子が直列接続されるので、第５トランジスタのソースの方が、第５トランジスタのゲートよりも、トランジェントが遅くなる。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第７トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第１トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【００１８】
本発明の第２のインバータ回路は、互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタを備えたものである。このインバータ回路は、さらに、第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、入力端子および出力端子とを備えている。ここで、第１トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、第１トランジスタのドレインおよびソースのうち第１電圧線に未接続の端子は出力端子に電気的に接続されている。第２トランジスタのゲートは第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、第２トランジスタのドレインおよびソースのうち第２電圧線に未接続の端子は出力端子に電気的に接続されている。第３トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、第３トランジスタのドレインおよびソースのうち第３電圧線に未接続の端子は第５トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第４トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、第４トランジスタのドレインおよびソースのうち第４電圧線に未接続の端子は第７トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、第５トランジスタのドレインおよびソースのうち第５電圧線に未接続の端子は第７トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第６トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、第６トランジスタのドレインおよびソースのうち第６電圧線に未接続の端子は第２トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、第７トランジスタのドレインおよびソースのうち第７電圧線に未接続の端子は第２トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第１容量素子および第２容量素子は、入力端子と第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入されている。第１容量素子と第２容量素子との電気的な接続点が、第７トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第３容量素子は、第２トランジスタのゲートと出力端子との間に挿入されている。
【００１９】
本発明の第２の表示装置は、行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部を備えており、さらに、各画素を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有しており、駆動部内の各インバータ回路は、上記の第２のインバータ回路と同一の構成要素を含んでいる。
【００２０】
本発明の第２のインバータ回路および第２の表示装置では、第５トランジスタのゲートと第３電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第３トランジスタが設けられている。第７トランジスタのゲートと第４電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第４トランジスタが設けられている。第２トランジスタのゲートと第６電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第６トランジスタが設けられている。第２トランジスタのソースと第１電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第１トランジスタが設けられている。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。また、本発明では、入力端子と第５トランジスタのゲートとの間に、互いに直列に接続された第１容量素子および第２容量素子が挿入されている。さらに、第５トランジスタのソースが、第１容量素子と第２容量素子との間に電気的に接続されている。これにより、第５トランジスタのソースには、第１容量素子および第２容量素子が並列接続され、第５トランジスタのゲートには、第１容量素子および第２容量素子が直列接続されるので、第５トランジスタのソースの方が、第５トランジスタのゲートよりも、トランジェントが遅くなる。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第７トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第１トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【００２１】
本発明の第３のインバータ回路は、互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタを備えたものである。このインバータ回路は、さらに、入力端子および出力端子と、制御素子とを備えたものである。制御素子は、入力端子に電気的に接続された第２端子と、第７トランジスタのゲートに電気的に接続された第３端子と、第５トランジスタのゲートに電気的に接続された第４端子とを有している。制御素子は、第２端子に立下り電圧または立上り電圧が入力されている時に第３端子のトランジェントを第４端子のトランジェントよりも緩やかにするようになっている。第１トランジスタは、入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて出力端子と第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と出力端子との電気的な接続を継断するようになっている。第３トランジスタは、入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのゲートと第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第４トランジスタは、入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第５トランジスタは、第４端子と第３端子との間の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と第１端子との電気的な接続を継断するようになっている。第６トランジスタは、入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２トランジスタのゲートと第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第７トランジスタは、第１端子の電圧と第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている。
【００２２】
本発明の第３の表示装置は、行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部を備えており、さらに、各画素を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有しており、駆動部内の各インバータ回路は、上記の第３のインバータ回路と同一の構成要素を含んでいる。
【００２３】
本発明の第３のインバータ回路および第３の表示装置では、第５トランジスタのゲートと第３電圧線との間には、入力電圧と第３電圧線の電圧との電位差に応じてオンオフ動作する第３トランジスタが設けられている。第７トランジスタのゲートと第４電圧線との間には、入力電圧と第４電圧線の電圧との電位差に応じてオンオフ動作する第４トランジスタが設けられている。第２トランジスタのゲートと第６電圧線との間には、入力電圧と第６電圧線の電圧との電位差に応じてオンオフ動作する第６トランジスタが設けられている。第２トランジスタのソースと第１電圧線との間には、入力電圧と第１電圧線の電圧との電位差に応じてオンオフ動作する第１トランジスタが設けられている。
【００２４】
これにより、第１トランジスタ〜第７トランジスタがｎチャネル型である場合には、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。一方、第１トランジスタ〜第７トランジスタがｐチャネル型である場合には、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。
【００２５】
また、本発明の第３のインバータ回路および第３の表示装置では、入力端子に電気的に接続された第２端子に立下り電圧が入力されている時に、第５トランジスタのソースに電気的に接続された第３端子のトランジェントが、第５トランジスタのゲートに電気的に接続された第４端子のトランジェントよりも緩やかとなる。
【００２６】
これにより、第１トランジスタ〜第７トランジスタがｎチャネル型である場合には、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第７トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第７トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。一方、第１トランジスタ〜第７トランジスタがｐチャネル型である場合には、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第７トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第７トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【００２７】
ところで、本発明の第１ないし第３のインバータ回路ならびに第１ないし第３の表示装置において、入力端子に入力された信号電圧の電圧波形を鈍らせた電圧を第３トランジスタのゲートに入力する遅延素子をさらに設けてもよい。このようにした場合には、第１トランジスタのゲートに入力される信号よりも遅延した信号が第３トランジスタのゲートに入力されるので、第１トランジスタおよび第３トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時またはローからハイに変移する時に第５トランジスタのゲート−第１端子間電圧が第５トランジスタの閾値電圧を超えるまでの時間を短縮することができる。
【００２８】
本発明の第４のインバータ回路は、互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタを備えたものである。このインバータ回路は、さらに、第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、第１抵抗素子と、入力端子および出力端子とを備えている。ここで、第１トランジスタは、入力端子の電圧（入力電圧）と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて出力端子と第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と出力端子との電気的な接続を継断するようになっている。第３トランジスタは、入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのゲートと第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第４トランジスタは、入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第５トランジスタは、第１容量素子の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と第１端子との電気的な接続を継断するようになっている。第６トランジスタは、入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２トランジスタのゲートと第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第７トランジスタは、第１端子の電圧と第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている。第１容量素子が、第７トランジスタのゲートと、第２トランジスタのゲートとの間に接続されている。第２容量素子が、第７トランジスタのゲートと、入力端子との間に接続されている。第３容量素子は、第２トランジスタのゲートと出力端子との間に挿入されている。第１抵抗素子は、第８電圧線と第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている。
【００２９】
本発明の第４の表示装置は、行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部を備えており、さらに、各画素を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有しており、駆動部内の各インバータ回路は、上記の第４のインバータ回路と同一の構成要素を含んでいる。
【００３０】
本発明の第４のインバータ回路および第４の表示装置では、第５トランジスタのゲートと第３電圧線との間には、入力電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第３トランジスタが設けられている。第７トランジスタのゲートと第４電圧線との間には、入力電圧と第４電圧線の電圧またはそれに対応する電位差との電位差に応じてオンオフ動作する第４トランジスタが設けられている。第２トランジスタのゲートと第６電圧線との間には、入力電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第６トランジスタが設けられている。第２トランジスタのソースと第１電圧線との間には、入力電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第１トランジスタが設けられている。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。また、本発明では、第７トランジスタのゲートと第２トランジスタのゲートとの間に第１容量素子が挿入され、第７トランジスタのゲートと入力端子との間に第２容量素子が挿入されている。第５トランジスタのゲートが、第１抵抗素子と第３トランジスタとの接続点に電気的に接続されている。これにより、第７トランジスタのソースの方が、第７トランジスタのゲートよりも、トランジェントが遅くなる。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第５トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第１トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【００３１】
本発明の第５のインバータ回路は、互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタを備えたものである。このインバータ回路は、さらに、第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、第１抵抗素子と、入力端子および出力端子とを備えている。ここで、第１トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、第１トランジスタのドレインおよびソースのうち第１電圧線に未接続の端子は出力端子に電気的に接続されている。第２トランジスタのゲートは第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、第２トランジスタのドレインおよびソースのうち第２電圧線に未接続の端子は出力端子に電気的に接続されている。第３トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、第３トランジスタのドレインおよびソースのうち第３電圧線に未接続の端子は第５トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第４トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、第４トランジスタのドレインおよびソースのうち第４電圧線に未接続の端子は第７トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、第５トランジスタのドレインおよびソースのうち第５電圧線に未接続の端子は第７トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第６トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、第６トランジスタのドレインおよびソースのうち第６電圧線に未接続の端子は第２トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、第７トランジスタのドレインおよびソースのうち第７電圧線に未接続の端子は第２トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第１容量素子が、第７トランジスタのゲートと、第２トランジスタのゲートとの間に接続されている。第２容量素子が、第７トランジスタのゲートと、入力端子との間に接続されている。第３容量素子は、第２トランジスタのゲートと出力端子との間に挿入されている。第１抵抗素子は、第８電圧線と第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている。
【００３２】
本発明の第５の表示装置は、行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部を備えており、さらに、各画素を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有しており、駆動部内の各インバータ回路は、上記の第５のインバータ回路と同一の構成要素を含んでいる。
【００３３】
本発明の第５のインバータ回路および第５の表示装置では、第５トランジスタのゲートと第３電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第３トランジスタが設けられている。第７トランジスタのゲートと第４電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第４トランジスタが設けられている。第２トランジスタのゲートと第６電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第６トランジスタが設けられている。第２トランジスタのソースと第１電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第１トランジスタが設けられている。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。また、本発明では、第７トランジスタのゲートと第２トランジスタのゲートとの間に第１容量素子が挿入され、第７トランジスタのゲートと入力端子との間に第２容量素子が挿入されている。第５トランジスタのゲートが、第１抵抗素子と第３トランジスタとの接続点に電気的に接続されている。第５トランジスタのソースの方が、第５トランジスタのゲートよりも、トランジェントが遅くなる。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第７トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第１トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の第１ないし第５のインバータ回路ならびに第１ないし第５の表示装置によれば、第１トランジスタと第２トランジスタとが同時にオンしている期間がほとんどないようにした。これにより、第１トランジスタおよび第２トランジスタを介して、電圧線同士の間を流れる電流（貫通電流）はほんのわずかしか存在しないので、消費電力を抑えることができる。また、第１トランジスタのゲートがハイからローに変移したときに出力電圧が第２電圧線側の電圧または第１電圧線側の電圧となり、第１トランジスタのゲートがローからハイに変移したときに出力電圧が上記とは逆側の電圧となるようにした。これにより、出力電圧の波高値が所望の値からずれてしまうのを低減することができる。その結果、例えば、画素回路内の駆動トランジスタの閾値補正や移動度補正の、画素回路ごとのばらつきを低減することができ、さらには画素ごとの輝度のばらつきを低減することができる。
【００３５】
また、本発明の第１ないし第３のインバータ回路ならびに第１ないし第３の表示装置では、第１容量素子および第２容量素子が出力端子に直接接続されていないので、第５トランジスタのゲートおよびソースに入力されるカップリング量が出力段の寄生容量の影響を受けることがない。これにより、第５トランジスタのゲート−ソース間電圧を大きくすることができるので、インバータ回路を高速化することができる。同様に、本発明の第４および第５のインバータ回路ならびに第４および第５の表示装置でも、第１容量素子および第２容量素子が出力端子に直接接続されていないので、第７トランジスタのゲートおよびソースに入力されるカップリング量が出力段の寄生容量の影響を受けることがない。これにより、第７トランジスタのゲート−ソース間電圧を大きくすることができるので、インバータ回路を高速化することができる。
【００３６】
また、本発明の第１ないし第３のインバータ回路ならびに第１ないし第３の表示装置では、低電圧側と高電圧側とにおいて電圧線を１本に共通化することが可能である。従って、そのようにした場合には、インバータ回路の耐圧を上げる必要がなくなる。同様に、本発明の第４および第５のインバータ回路ならびに第４および第５の表示装置でも、低電圧側の電圧線を２本に抑え、高電圧側の電圧線を１本に共通化することが可能である。従って、そのようにした場合には、インバータ回路の耐圧を上げる必要がなくなる。
【００３７】
さらに、本発明の第１ないし第３のインバータ回路ならびに第１ないし第３の表示装置において、入力端子に入力された信号電圧の波形を鈍らせた電圧を第３トランジスタのゲートに入力するようにした場合には、第１トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタおよび第６トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時またはローからハイに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧を超えるまでの時間を短縮することができる。これにより、回路動作をさらに高速化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るインバータ回路の一例を表す回路図である。
【図２】図１のインバータ回路の入出力信号波形の一例を表す波形図である。
【図３】図１のインバータ回路の動作の一例を表す波形図である。
【図４】図１のインバータ回路の動作の一例について説明するための回路図である。
【図５】図４に続く動作の一例について説明するための回路図である。
【図６】図５に続く動作の一例について説明するための回路図である。
【図７】図６に続く動作の一例について説明するための回路図である。
【図８】図７に続く動作の一例について説明するための回路図である。
【図９】図８に続く動作の一例について説明するための回路図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係るインバータ回路の一例を表す回路図である。
【図１１】図１のインバータ回路の寄生容量について説明するための回路図である。
【図１２】図１０のインバータ回路の寄生容量について説明するための回路図である。
【図１３】図１０のインバータ回路の動作の一例について説明するための波形図である。
【図１４】図１０のインバータ回路の動作の他の例について説明するための波形図である。
【図１５】図１０のインバータ回路の動作のその他の例について説明するための波形図である。
【図１６】図１０のインバータ回路の一変形例を表す回路図である。
【図１７】図１０のインバータ回路の他の変形例を表す回路図である。
【図１８】図１７のインバータ回路の動作の一例について説明するための波形図である。
【図１９】図１のインバータ回路に遅延素子を付加したものの一例を表す回路図である。
【図２０】図１０のインバータ回路に遅延素子を付加したものの一例を表す回路図である。
【図２１】図１６のインバータ回路に遅延素子を付加したものの一例を表す回路図である。
【図２２】図１９〜図２１の遅延素子のバリエーションを表す回路図である。
【図２３】図１９〜図２１のインバータ回路の動作の一例を表す波形図である。
【図２４】図１９〜図２１の遅延素子の入出力信号波形の例を表す波形図である。
【図２５】図１９〜図２１のインバータ回路の動作の一例について説明するための回路図である。
【図２６】本発明の第３の実施の形態に係るインバータ回路の一例を表す回路図である。
【図２７】図２６のインバータ回路の一変形例を表す回路図である。
【図２８】上記各実施の形態およびそれらの変形例のインバータ回路の適用例の一例である表示装置の概略構成図である。
【図２９】図２８の画素回路の一例を書込線駆動回路と共に表す回路図である。
【図３０】図２９の書込線駆動回路の内部構成の一例を表すブロック図である。
【図３１】図２８の表示装置の動作の一例を表す波形図である。
【図３２】従来の表示装置の画素回路の一例を表す回路図である。
【図３３】従来のインバータ回路の一例を表す回路図である。
【図３４】図３３のインバータ回路の入出力信号波形の一例を表す波形図である。
【図３５】従来のインバータ回路の他の例を表す回路図である。
【図３６】従来のインバータ回路のその他の例を表す回路図である。
【図３７】参考例に係るインバータ回路の一例を表す回路図である。
【図３８】参考例に係るインバータ回路の他の例を表す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（図１〜図９）
２．第２の実施の形態（図１０〜図１５）
３．上記各実施の形態の変形例（図１６〜図２５）
４．第３の実施の形態（図２６、図２７）
５．適用例（図２８〜図３１）
６．従来技術の説明（図３２〜図３６）
７．参考技術の説明（図３７、図３８）
【００４０】
＜第１の実施の形態＞
[構成]
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るインバータ回路１の全体構成の一例を表したものである。インバータ回路１は、入力端子ＩＮに入力されたパルス信号の信号波形（例えば図２（Ａ））をほぼ反転させたパルス信号（例えば図２（Ｂ））を出力端子ＯＵＴから出力するものである。インバータ回路１は、アモルファスシリコンやアモルファス酸化物半導体上に好適に形成されるものであり、例えば、互いに同一のチャネル型の７つのトランジスタＴｒ1〜Ｔｒ7を備えたものである。インバータ回路１は、上記の７つのトランジスタＴｒ1〜Ｔｒ7の他に、３つの容量素子Ｃ1〜Ｃ3と、入力端子ＩＮおよび出力端子ＯＵＴとを備えており、７Ｔｒ３Ｃの回路構成となっている。
【００４１】
トランジスタＴｒ1が本発明の「第１トランジスタ」の一具体例に相当し、トランジスタＴｒ2が本発明の「第２トランジスタ」の一具体例に相当し、トランジスタＴｒ3が本発明の「第３トランジスタ」の一具体例に相当する。また、トランジスタＴｒ4が本発明の「第４トランジスタ」の一具体例に相当し、トランジスタＴｒ5が本発明の「第５トランジスタ」の一具体例に相当する。また、トランジスタＴｒ6が本発明の「第６トランジスタ」の一具体例に相当し、トランジスタＴｒ7が本発明の「第７トランジスタ」の一具体例に相当する。また、容量素子Ｃ1が本発明の「第１容量素子」の一具体例に相当し、容量素子Ｃ2が本発明の「第２容量素子」の一具体例に相当し、容量素子Ｃ3が本発明の「第３容量素子」の一具体例に相当する。
【００４２】
トランジスタＴｒ1〜Ｔｒ7は、互いに同一チャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、例えば、ｎチャネルＭＯＳ(金属酸化膜半導体: Metal Oxide Semiconductor)型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。トランジスタＴｒ1は、例えば、入力端子ＩＮの電圧（入力電圧Ｖin）と低電圧線ＬLの電圧ＶLとの電位差Ｖgs1（またはそれに対応する電位差）に応じて、出力端子ＯＵＴと低電圧線ＬLとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ1のゲートが入力端子ＩＮに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ1のソースまたはドレインが低電圧線ＬLに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ1のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子が出力端子ＯＵＴに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ2は、トランジスタＴｒ7のソースまたはドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子（端子Ａ）の電圧Ｖs7と、出力端子ＯＵＴの電圧（出力電圧Ｖout）との電位差Ｖgs2（またはそれに対応する電位差）に応じて高電圧線ＬHと出力端子ＯＵＴとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ2のゲートがトランジスタＴｒ7の端子Ａに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ2のソースまたはドレインが出力端子ＯＵＴに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ2のソースおよびドレインのうち出力端子ＯＵＴに未接続の端子が高電圧線ＬHに電気的に接続されている。
【００４３】
トランジスタＴｒ3は、入力電圧Ｖinと低電圧線ＬLの電圧ＶLとの電位差Ｖgs3（またはそれに対応する電位差）に応じてトランジスタＴｒ5のゲートと低電圧線ＬLとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ3のゲートが入力端子ＩＮに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ3のソースまたはドレインが低電圧線ＬLに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ3のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子がトランジスタＴｒ5のゲートに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ4は、入力電圧Ｖinと低電圧線ＬLの電圧ＶLとの電位差Ｖgs4（またはそれに対応する電位差）に応じてトランジスタＴｒ5のソースおよびドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子（端子Ｂ）と低電圧線ＬLとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ4のゲートが入力端子ＩＮに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ4のソースまたはドレインが低電圧線ＬLに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ4のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子がトランジスタＴｒ5の端子Ｂに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ5は、容量素子Ｃ1の端子間電圧Ｖgs5（またはそれに対応する電位差）に応じて高電圧線ＬHと端子Ｂとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ5のゲートがトランジスタＴｒ3のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子に電気的に接続されている。トランジスタＴｒ5のソースまたはドレインが高電圧線ＬHに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ5のソースおよびドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子（端子Ｂ）がトランジスタＴｒ7のゲートと、トランジスタＴｒ4のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子とに接続されている。
【００４４】
トランジスタＴｒ6は、入力電圧Ｖinと低電圧線ＬLの電圧ＶLとの電位差Ｖgs6（またはそれに対応する電位差）に応じてトランジスタＴｒ7のソースおよびドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子（端子Ａ）と低電圧線ＬLとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ6のゲートが入力端子ＩＮに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ6のソースまたはドレインが低電圧線ＬLに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ6のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子がトランジスタＴｒ7の端子Ａに電気的に接続されている。つまり、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6は互いの同一の電圧線（低電圧線ＬL）に接続されている。従って、トランジスタＴｒ1の低電圧線ＬL側の端子と、トランジスタＴｒ3の低電圧線ＬL側の端子と、トランジスタＴｒ4の低電圧線ＬL側の端子と、トランジスタＴｒ6の低電圧線ＬL側の端子とは、互いに同電位となっている。トランジスタＴｒ7は、トランジスタＴｒ5のソースまたはドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子（端子Ｂ）の電圧Ｖs5と、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2との電位差Ｖgs7（またはそれに対応する電位差）に応じて高電圧線ＬHとトランジスタＴｒ2のゲートとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ7のゲートがトランジスタＴｒ5の端子Ｂに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ7のソースまたはドレインがトランジスタＴｒ2のゲートに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ7のソースおよびドレインのうちトランジスタＴｒ2のゲートに未接続の端子が高電圧線ＬHに電気的に接続されている。つまり、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7は互いの同一の電圧線（高電圧線ＬH）に接続されている。従って、トランジスタＴｒ2の高電圧線ＬH側の端子と、トランジスタＴｒ5の高電圧線ＬH側の端子と、トランジスタＴｒ7の高電圧線ＬH側の端子とは、互いに同電位となっている。
【００４５】
低電圧線ＬＬが本発明の「第１電圧線」、「第３電圧線」、「第４電圧線」、「第６電圧線」の一具体例に相当する。高電圧線ＬHが本発明の「第２電圧線」、「第５電圧線」、「第７電圧線」の一具体例に相当する。
【００４６】
高電圧線ＬHは、低電圧線ＬLの電圧ＶLよりも高電圧（一定電圧）を出力する電源（図示せず）に接続されている。高電圧線ＬHの電圧は、インバータ回路１の駆動時にＶddとなっている。Ｖddは、入力端子ＩＮに印加される信号電圧（入力電圧Ｖin）のハイ電圧と同じ電圧値となっている。一方、低電圧線ＬLは、高電圧線ＬHの電圧ＶHよりも低電圧（一定電圧）を出力する電源（図示せず）に接続されており、低電圧線ＬLの電圧ＶLは、インバータ回路１の駆動時に電圧Ｖss（＜Ｖdd1）となっている。
【００４７】
容量素子Ｃ1，Ｃ2は、入力端子ＩＮとトランジスタＴｒ5のゲートとの間に直列に挿入されている。容量素子Ｃ1と容量素子Ｃ2との電気的な接続点Ｄが、トランジスタＴｒ5の端子Ｂに電気的に接続されている。容量素子Ｃ1はトランジスタＴｒ5のゲート側に挿入されており、容量素子Ｃ2はトランジスタＴｒ1のゲート側に挿入されている。容量素子Ｃ2の容量は、容量素子Ｃ1の容量よりも大きくなっている。容量素子Ｃ1，Ｃ2のそれぞれの容量は、以下の式（１）を満たしていることが好ましい。容量素子Ｃ1，Ｃ2が数１を満たすならば、後述する入力電圧Ｖinが立ち下がった時、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧をその閾値電圧Ｖth5以上とすることができ、トランジスタＴｒ5をオン状態とすることができる。その結果、出力電圧Ｖoutがローからハイに変移することができる。
Ｃ2（Ｖdd−Ｖss）／（Ｃ1＋Ｃ2）＞Ｖth5…（１）
【００４８】
ここで、容量素子Ｃ1，Ｃ2を含む回路部分は、インバータ回路１において、制御素子１０を構成している。制御素子１０は、例えば、図１に示したように、入力端子ＩＮに電気的に接続された端子Ｐ1、トランジスタＴｒ5の端子Ｂに電気的に接続された端子Ｐ2、およびトランジスタＴｒ5のゲートに電気的に接続された端子Ｐ3を有している。
【００４９】
端子Ｐ1が、本発明の「第２端子」の一具体例に相当し、端子Ｐ2が、本発明の「第３端子」の一具体例に相当し、端子Ｐ3が、本発明の「第４端子」の一具体例に相当する。
【００５０】
制御素子１０は、例えば、端子Ｐ1に立下り電圧が入力されている時に端子Ｐ2のトランジェントを端子Ｐ3のトランジェントよりも緩やかにするようになっている。具体的には、制御素子１０は、例えば、入力端子ＩＮに立下り電圧が入力されている時にトランジスタＴｒ5のソースのトランジェントをトランジスタＴｒ5のゲートのトランジェントよりも緩やかにするようになっている。なお、制御素子１０の動作説明は、下記のインバータ回路１の動作説明と併せて行うものとする。トランジスタＴｒ5のソースは、本発明の「第１端子」の一具体例に相当する。
【００５１】
ところで、インバータ回路１は、図３５に示した参考例に係るインバータ回路６００との関係では、出力段のトランジスタＴｒ1，Ｔｒ2と、中段のトランジスタＴｒ4，Ｔｒ5との間に、トランジスタＴｒ6，Ｔｒ7と、容量素子Ｃ3とを挿入したものに相当する。このように、インバータ回路６００において、トランジスタＴｒ6，Ｔｒ7と、容量素子Ｃ3とを挿入することにより、後に詳述するように、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のドレインに接続した電圧線を共通化することが可能となる。
【００５２】
[動作]
次に、図３〜９を参照しつつ、インバータ回路１の動作の一例について説明する。図３は、インバータ回路１の動作の一例を表す波形図である。図４〜図９は、インバータ回路１の一連の動作の一例を表す回路図である。
【００５３】
まず、入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）の時、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6がオンする。すると、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のゲート電圧Ｖg2，Ｖg5，Ｖg7およびソース電圧Ｖs2，Ｖs5，Ｖs7が低電圧線ＬLの電圧ＶL（＝Ｖss）に充電される（図３、図４）。これにより、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7がオフ（Ｖgs2，Ｖgs5，Ｖgs7＝０Ｖでオフする場合）し、電圧Ｖssが出力電圧Ｖoutとして出力される。このとき、容量素子Ｃ2には、Ｖdd−Ｖssという電圧が充電される。
【００５４】
次に、入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変化（低下）する時、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のゲート電圧Ｖg1，Ｖg3，Ｖg4，Ｖg6もＶddからＶssに変化（低下）する（図３、図５）。これにより、トランジスタＴｒ1のゲート電圧Ｖg1の変化が容量素子Ｃ2を介してトランジスタＴｒ7のゲートに伝播し、トランジスタＴｒ7のゲート電圧Ｖg7がΔＶ1’だけ変化（低下）する。さらに、トランジスタＴｒ1のゲート電圧Ｖg1の変化が容量素子Ｃ1，Ｃ2を介してトランジスタＴｒ5のゲートにも伝播し、トランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖg5がΔＶ2’だけ変化（低下）する。しかし、この時、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6がオンしている。そのため、低電圧線ＬLからトランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のソースおよびゲートに向かって電流が流れるので、その電流がそれらをＶssに充電しようとする。
【００５５】
ここで、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のゲート電圧はＶddからＶssに変化（低下）していくので、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のオン抵抗が徐々に大きくなり、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のソースおよびゲートを低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電するのに要する時間が長くなる。
【００５６】
さらに、トランジスタＴｒ5のソースおよびゲートから見える全容量を比較すると、トランジスタＴｒ5のソースには容量素子Ｃ1，Ｃ2が並列接続され、トランジスタＴｒ5のゲートには容量素子Ｃ1，Ｃ2が直列接続されている。このことから、トランジスタＴｒ5のソースの方が、トランジスタＴｒ5のゲートよりも、トランジェントが遅くなる。その結果、トランジスタＴｒ5のソースを低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電するのに要する時間の方がトランジスタＴｒ5のゲートを低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電するのに要する時間よりも長くなる。
【００５７】
また、入力電圧ＶinがＶss＋Ｖth3以上となっており、さらに、Ｖss＋Ｖth4以上となっている場合は、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4は線形領域で動作する。なお、Ｖth3はトランジスタＴｒ3の閾値電圧であり、Ｖth4はトランジスタＴｒ4の閾値電圧である。一方、入力電圧ＶinがＶss＋Ｖth3未満となっており、さらに、Ｖss＋Ｖth4未満となっている場合は、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4は飽和領域で動作する。従って、トランジスタＴｒ5のソースおよびゲートには、図５に示したような電流が流れるが、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4は、それぞれの点を電圧Ｖssに充電することができない。
【００５８】
最終的に、入力電圧ＶinがＶddからＶssになった時、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧Ｖgs5はΔＶ1−ΔＶ2となる（図３、図６）。このとき、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧Ｖgs5がトランジスタＴｒ5の閾値電圧Ｖth5よりも大きくなった時点で、トランジスタＴｒ5がオンし、高電圧線ＬHから電流が流れ始める。
【００５９】
トランジスタＴｒ5がオンしている時は、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5は、トランジスタＴｒ4に加えて、トランジスタＴｒ5によっても上昇する。また、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間には容量素子Ｃ1が接続されているので、ブートストラップが生じ、トランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖg5も、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5の上昇に連動して上昇する。その後、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5およびゲート電圧Ｖg5がＶss−Ｖth3以上となり、さらに、Ｖss−Ｖth4以上となった時点で、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4がオフし、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5およびゲート電圧Ｖg5がトランジスタＴｒ5のみによって上昇する。
【００６０】
一定時間経過後、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖg5（トランジスタＴｒ7のゲート電圧Ｖs2）がＶss＋Ｖth7以上となると、トランジスタＴｒ7がオンし、トランジスタＴｒ7に電流が流れ始める（図３、図７）。なお、Ｖth7はトランジスタＴｒ7の閾値電圧である。その結果、トランジスタＴｒ7のソース電圧Ｖg7（トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2）は、Ｖssから徐々に上昇する。
【００６１】
ここで、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2およびソース電圧Ｖs2について考える。トランジスタＴｒ2のゲートソース間には、容量素子Ｃ3が接続されている。この容量素子Ｃ3によって、ブートストラップが生じ、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2とトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2とが連動して変化する。トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2はトランジスタＴｒ7からの電流とトランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の上昇とによって上昇する。そのため、トランジスタＴｒ2の電流のみで上昇する場合と比べて、トランジスタＴｒ2のゲートのトランジェントは速くなる。その結果、トランジスタＴｒ2のゲートソース間電圧Ｖgs2は徐々に増加してゆく。
【００６２】
このとき、トランジスタＴｒ7のゲート電圧Ｖg7は、トランジスタＴｒ5がオンしているので、トランジスタＴｒ7のソース電圧Ｖs7の上昇に追随せず、最終的に高電圧線ＬHの電圧ＶH（＝Ｖdd）となる。これにより、トランジスタＴｒ7からの電流はトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2（トランジスタＴｒ7のソース電圧Ｖs7）の上昇と共に小さくなってゆく。トランジスタＴｒ7のゲート−ソース間電圧Ｖgs7がトランジスタＴｒ7の閾値電圧Ｖth7になった時を考えると、高電圧線ＬHから流れる電流はかなり小さくなり、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2はトランジスタＴｒ7の電流によって殆ど変化しなくなってしまう。しかし、このとき、トランジスタＴｒ2はオン状態であり、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2は上昇しているので、ブートストラップ動作によってトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2も上昇を続ける。その結果、トランジスタＴｒ7は完全にオフする。このとき、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2がΔＶxであったとする。そのとき、ΔＶxがトランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2よりも大きければ、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2およびソース電圧Ｖs2は、トランジスタＴｒ7がオフした後も上昇を続け、最終的に高電圧線ＬHの電圧ＶH（＝Ｖdd）がＶoutとして出力される（図３、図８）。
【００６３】
そして、さらに一定時間経過後、入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd1）に変化（上昇）する（図３、図９）。このとき、入力電圧ＶinがＶss＋Ｖth3よりも低くなっており、さらに、Ｖss＋Ｖth4よりも低くなっている段階では、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4はオフしている。そのため、容量素子Ｃ1，Ｃ2を介したカップリングがトランジスタＴｒ5のソースおよびゲートに入力され、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5およびゲート電圧Ｖg5が上昇する。その後、入力電圧ＶinがＶss＋Ｖth1、Ｖss＋Ｖth3、Ｖss＋Ｖth6およびＶss＋Ｖth4以上となると、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6がオンする。そのため、トランジスタＴｒ2のソース（出力端子ＯＵＴ）およびゲート、ならびにトランジスタＴｒ5のソースおよびゲートに向かって電流が流れるので、その電流がそれらをＶssに充電しようとする。
【００６４】
ここで、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のゲート電圧Ｖg1，Ｖg3，Ｖg4はＶddからＶssに変化（上昇）していくので、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4のオン抵抗が徐々に小さくなり、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5のソースおよびゲートを低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電するのに要する時間が相対的に短くなる。最終的に、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2、ならびにトランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5およびゲート電圧Ｖg5がＶssとなり、出力端子からはＶssが出力される（図３、図４）。
【００６５】
以上のようにして、本実施の形態のインバータ回路１では、入力端子ＩＮに入力されたパルス信号の信号波形（例えば図２（Ａ））をほぼ反転させたパルス信号（例えば図２（Ｂ））が出力端子ＯＵＴから出力される。
【００６６】
[効果]
ところで、例えば、図３３に示したような従来のインバータ回路２００は、２つのｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタＴｒ1，Ｔｒ2が直列接続された単チャネル型の回路構成となっている。インバータ回路２００では、例えば、図３４に示したように、入力電圧ＶinがＶssとなっている時、出力電圧ＶoutがＶddとはならず、Ｖdd−Ｖth2となってしまう。つまり、出力電圧Ｖoutには、トランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2が含まれており、出力電圧Ｖoutは、トランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2のばらつきの影響を大きく受けてしまう。
【００６７】
そこで、例えば、図３５のインバータ回路３００に示したように、トランジスタＴｒ2のゲートとドレインとを互いに電気的に分離し、ドレインの電圧Ｖddよりも高い電圧Ｖdd2（≧Ｖdd＋Ｖth2）が印加される高電圧配線ＬH2にゲートを接続することが考えられる。また、例えば、図３６のインバータ回路４００に示したようなブートストラップ型の回路構成が考えられる。
【００６８】
しかし、図３３、図３５、図３６のいずれの回路においても、入力電圧Ｖinがハイとなっている時、つまり、出力電圧Ｖoutがローとなっている時まで、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ2を介して、高電圧配線ＬH側から低電圧配線ＬL側に向かって電流（貫通電流）が流れてしまう。その結果、インバータ回路での消費電力も大きくなってしまう。また、図３３、図３５、図３６の回路においては、例えば、図３４（Ｂ）の破線で囲んだ箇所に示したように、入力電圧ＶinがＶddとなっている時、出力電圧ＶoutがＶssとはならず、出力電圧Ｖoutの波高値がばらついてしまう。そのため、例えば、これらのインバータ回路を、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置におけるスキャナに用いた場合には、画素回路内の駆動トランジスタの閾値補正や移動度補正が画素回路ごとにばらついてしまい、そのばらつきが輝度のばらつきとなってしまうという。
【００６９】
一方、本実施の形態のインバータ回路１では、トランジスタＴｒ5のゲートと低電圧線ＬLとの間、トランジスタＴｒ7のゲートと低電圧線ＬLとの間、トランジスタＴｒ2のゲートと低電圧線ＬLとの間、トランジスタＴｒ2のソースと低電圧線ＬLとの間には、入力電圧Ｖinと低電圧線ＬLの電圧ＶLとの電位差に応じてオンオフ動作するトランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6が設けられている。これにより、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのゲート電圧がハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変移（低下）する時に、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のゲートおよびソースが低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのゲート電圧がロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）する時に、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のゲートおよびソースが低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電されるのに要する時間が短くなる。また、本発明では、入力端子ＩＮとトランジスタＴｒ5のゲートとの間に、互いに直列に接続された第１容量素子および第２容量素子が挿入されている。さらに、トランジスタＴｒ5のソースが、容量素子Ｃ1と容量素子Ｃ2との間に電気的に接続されている。これにより、トランジスタＴｒ5のソースには、容量素子Ｃ1および容量素子Ｃ2が並列接続され、トランジスタＴｒ5のゲートには、容量素子Ｃ1および容量素子Ｃ2が直列接続される。その結果、トランジスタＴｒ5のソースの方が、トランジスタＴｒ5のゲートよりも、トランジェントが遅くなる。これにより、トランジスタＴｒ3、トランジスタＴｒ4、トランジスタＴｒ6およびトランジスタＴｒ1のそれぞれのゲートが電圧がハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変移（低下）する時に、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧Ｖgs5がトランジスタＴｒ5の閾値電圧Ｖth5よりも大きくなり、トランジスタＴｒ5がオンし、その直後にトランジスタＴｒ4がオフする。このとき、トランジスタＴｒ7がオンするとともにトランジスタＴｒ4がオフし、トランジスタＴｒ2がオンするとともにトランジスタＴｒ6がオフし、その後、トランジスタＴｒ7がオフする。その結果、出力電圧Ｖoutが高電圧線ＬH側の電圧となる。また、トランジスタＴｒ3、トランジスタＴｒ4、トランジスタＴｒ6およびトランジスタＴｒ1のそれぞれのゲートが電圧がロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）する時に、トランジスタＴｒ3、トランジスタＴｒ4、トランジスタＴｒ6がオンし、その直後にトランジスタＴｒ5がオフする。このとき、トランジスタＴｒ2がオフするとともにトランジスタＴｒ1がオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【００７０】
このように、本実施の形態のインバータ回路１では、トランジスタＴｒ1とトランジスタＴｒ2とが同時にオンしている期間や、トランジスタＴｒ4とトランジスタＴｒ5とが同時にオンしている期間、トランジスタＴｒ6とトランジスタＴｒ7とが同時にオンしている期間がほとんどないようにした。これにより、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ2、トランジスタＴｒ4，Ｔｒ5、またはトランジスタＴｒ6，Ｔｒ7を介して、高電圧線ＬHと低電圧線ＬLとの間を流れる電流（貫通電流）はほとんど存在しない。その結果、消費電力を抑えることができる。また、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのゲート電圧がハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変移（低下）したときに出力電圧Ｖoutが高電圧線ＬH側の電圧となり、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのゲート電圧がロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）したときに出力電圧Ｖoutが低電圧線ＬL側の電圧となるようにした。これにより、出力電圧Ｖoutのばらつきをなくすことができる。その結果、例えば、画素回路内の駆動トランジスタの閾値補正や移動度補正の、画素回路ごとのばらつきを低減することができ、さらには画素ごとの輝度のばらつきを低減することができる。
【００７１】
また、本実施の形態では、容量素子Ｃ1，Ｃ2が出力端子ＯＵＴに直接接続されていないので、トランジスタＴｒ5のゲートおよびソースに入力されるカップリング量が出力段の寄生容量の影響を受けることがない。これにより、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧Ｖgs5を大きくすることができるので、インバータ回路１を高速化することができる。
【００７２】
また、本実施の形態では、インバータ回路１には低電圧側と高電圧側とで１つずつしか電圧線が設けられておらず、しかも、高電圧側の電圧線である高電圧線ＬHの電圧は、インバータ回路１の駆動時に、入力端子ＩＮに印加される信号電圧（入力電圧Ｖin）のハイ電圧と同じ電圧値（Ｖdd）となっている。従って、インバータ回路１の耐圧は、図３３、図３５、図３６に示したような従来タイプのインバータ回路の耐圧と同様でよく、インバータ回路１の耐圧を上げる必要がない。これにより、インバータ回路１内の素子に耐圧の高いものを使う必要がなく、また、耐圧不具合による歩留まりの低下もないことから、製造コストを低く抑えることができる。
【００７３】
また、本実施の形態では、インバータ回路１には最低限の数の電圧線しか設けられておらず、また、容量素子Ｃ2の容量を大きくしなくても、上述したようにインバータ回路１の高速化を実現することができる。これにより、例えば、有機ＥＬ表示装置において、インバータ回路１をスキャナなどに用いた場合に、表示パネルにおいて周囲（額縁）の占有面積を小さくすることができ、狭額縁化を実現することができる。
【００７４】
＜第２の実施の形態＞
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係るインバータ回路２の全体構成の一例を表したものである。インバータ回路２は、上記実施の形態のインバータ回路１と同様、入力端子ＩＮに入力されたパルス信号の信号波形（例えば図２（Ａ））をほぼ反転させたパルス信号（例えば図２（Ｂ））を出力端子ＯＵＴから出力するものである。インバータ回路２は、上記実施の形態のインバータ回路１において、容量素子Ｃ3の容量を大きくするとともに、出力端子ＯＵＴと低電圧線ＬLとの間に補助容量Ｃsubを設けたものであり、それらの点で、上記実施の形態のインバータ回路１の構成と相違する。以下では、まず、上記実施の形態のインバータ回路１において生じ得る課題について説明し、その後で、本実施の形態のインバータ回路２の特徴部分について説明するものとする。なお、補助容量Ｃsubは、本発明の「第４容量素子」の一具体例に相当する。
【００７５】
[課題]
上記実施の形態のインバータ回路１のトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2とソース電圧Ｖs2（出力電圧Ｖout）について考える。上述したように、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2は、トランジスタＴｒ7からの電流と、容量素子Ｃ3を介するトランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の上昇とによって上昇する。このとき、トランジスタＴｒ7からの電流は、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の上昇と共に減少してゆくので、トランジスタＴｒ7がオフした後は、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2はトランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の上昇によってのみ上昇することになる。インバータ回路１において、トランジスタＴｒ2のゲートには図１１に示すような寄生容量Ｃgs2、Ｃgd2が存在する。そのため、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の変化量ΔＶｇは、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の変化量ΔＶｓに対して、数１で示されるようにある一定の割合ｇで変化することとなる。この割合ｇをブートストラップゲインと呼ぶ。
【数１】
【００７６】
ここで、インバータ回路１の高速化を考えた場合、出力電圧Ｖoutを出力するトランジスタＴｒ1，Ｔｒ2のサイズを大きくすることが一般的である。トランジスタＴｒ1を大きくした場合には、入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）した時に、トランジスタＴｒ1のゲート−ソース間に、より多くの電流を流すことができる。従って、トランジスタＴｒ1を大きくした方が、出力電圧Ｖoutの立下りのトランジェントが速くなる。
【００７７】
次に、トランジスタＴｒ2のサイズを大きくした場合について考える。トランジスタＴｒ2は、入力電圧Ｖinによって直接動作する訳ではなく、トランジスタＴｒ7からの電流によって動作する。トランジスタＴｒ7によってトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2が上昇すると、図１２に示すようにトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間の容量Ｃgs2を介して出力端子ＯＵＴにカップリングが入力される。そのカップリング量（変化量ΔＶｓ）は数２に示されるとおりである。
【数２】
【００７８】
このとき、変化量ΔＶｇに対する変化量ΔＶｓの比率βを入力ゲインと呼ぶ。なお、図１２には、出力端子ＯＵＴと低電圧線ＬLとの間に、寄生容量Ｃoutが生じている様子が示されている。
【００７９】
トランジスタＴｒ7によってトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2がその閾値電圧Ｖth2を超えた場合、トランジスタＴｒ2から電流が流れ、出力電圧Ｖoutは上昇する。トランジスタＴｒ2のサイズが大きい場合、トランジスタＴｒ2の電流駆動能力は高いので、トランジスタＴｒ2のＶgs2がＶth2＋Ｖaとなると、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖgs2は上昇を開始する。電圧Ｖaは、トランジスタＴｒ2のサイズが大きいので、小さな値である。このとき、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の単位時間あたりの変化量に対して、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の単位時間あたりの変化量（図１３に示すグラフの傾き）が大きい場合、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2は時間と共に小さくなってゆく。また、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2がＶdd−Ｖth7に近づくと、トランジスタＴｒ2は自身の電流によってそのゲート電圧Ｖg2およびソース電圧Ｖs2を上昇させる。このとき、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2はさらにブートストラップゲインｇによって徐々に低下してゆく。
【００８０】
したがって、電圧Ｖaの値が小さく、ブートストラップゲインｇも小さい場合には、最終的に、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2がＶddに到達する前にトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2がトランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2となってしまう。そのため、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2はそれ以上上昇することができなくなる。その結果、トランジスタＴｒ2はＶddを出力することができない。
【００８１】
この対策として、ブートストラップゲインｇを上げるために容量素子Ｃ3の容量を大きくすることが考えられる。しかし、そのようにした場合には、入力ゲインが大きくなってしまう。入力ゲインが大きくなると、図１４に示すように、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2がトランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2以下の時に、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の変化に対してソース電位Ｖs2が大きく上昇する。これにより、トランジスタＴｒ2のソース電位Ｖs2が上昇を始める点が時間的に早まることとなる。その結果、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の変化があまり大きくない部分でトランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2は上昇を始めることとなり、トランジスタＴｒ2は閾値補正を行ってしまう。つまり、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の変化量に対してソース電圧Ｖs2の変化量が大きく、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2はどんどん小さくなり、最終的に閾値電圧Ｖth2という値となってしまう。従って、この場合でも、トランジスタＴｒ2はＶddを出力することができない。
【００８２】
[インバータ回路２]
一方、本実施の形態のインバータ回路２では、容量素子Ｃ3の容量が大きくなっており、さらに出力端子ＯＵＴと低電圧線ＬLとの間に補助容量Ｃsubが設けられている。
【００８３】
補助容量Ｃsubが設けられている場合、ブートストラップゲインｇには、数３に示したように、補助容量Ｃsubの影響はない。その一方で、入力ゲインβには、数４に示したように、補助容量Ｃsubが分母に入ることから、補助容量Ｃsubによって入力ゲインβは小さくなる。
【数３】
【数４】
【００８４】
次に、インバータ回路２において、トランジスタＴｒ2のサイズを大きくした場合について考える。補助容量Ｃsubが出力端子ＯＵＴと低電圧線ＬLとの間に形成されることにより、図１５に示すようにトランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2が上昇を開始する点は時間的に遅れる。このとき、上昇を開始した時のゲート−ソース間電圧Ｖgs2はＶth2＋Ｖbという値となる。
【００８５】
ここで、Ｖb＞Ｖaである。なぜなら、補助容量Ｃsubが存在する場合と、存在しない場合とを対比すると、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の変動量は、同じ大きさの電流が流れていても補助容量Ｃsubが存在する場合の方が小さいからである。これは、補助容量Ｃsubが存在しない場合には、補助容量Ｃsubが存在する場合と同じだけのソース電圧Ｖs2の変動量を得るためにはトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2を大きくする必要があることに起因している。
【００８６】
このように、インバータ回路２では、ソース電圧Ｖs2の上昇開始点を遅らせて、Ｖbの値を大きくしている。これにより、トランジスタＴｒ2からの電流やブートストラップゲインｇによってトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2の値が小さくなったとしても、最終的に、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2をその閾値電圧Ｖth2よりも大きな値に維持することができる。その結果、トランジスタＴｒ2からＶddという値を出力することができる。
【００８７】
＜上記各実施の形態の変形例＞
上記第２の実施の形態において、例えば、図１６に示したように、容量素子Ｃ3をなくしてもよい。この場合、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間には、寄生容量Ｃgs2が存在しており、その寄生容量Ｃgs2によるブートストラップゲインが存在する。そのため、補助容量Ｃsubを設けるだけで、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2を大きくすることができる。その結果、入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）した時に、出力電圧Ｖoutとして、Ｖddを出力することができる。
【００８８】
また、上記第２の実施の形態において、例えば、図１７のインバータ回路４に示したように、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ5と、容量素子Ｃ1，Ｃ2をなくし、その代わりに、トランジスタＴｒ8，Ｔｒ9と、容量素子Ｃ4を新たに設けてもよい。このインバータ回路４は、容量素子Ｃ4に保持された電荷をトランジスタＴｒ7のゲートへ入力してトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2を上昇させ、出力電圧ＶoutとしてＶddを出力するものである。
【００８９】
トランジスタＴｒ8，Ｔｒ9は、互いに同一チャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。トランジスタＴｒ8は、例えば、入力端子ＡＺ１に入力される電圧と、容量素子Ｃ4の両端子のうち低電圧線ＬLに未接続の端子（端子Ｅ）の電圧との電位差Ｖgs8（またはそれに対応する電位差）に応じて、高電圧線ＬHと端子Ｅとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ8のゲートが入力端子ＡＺ１に電気的に接続されており、トランジスタＴｒ8のソースまたはドレインが高電圧線ＬHに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ8のソースおよびドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子が容量素子Ｃ4の端子Ｅに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ9は、入力端子ＡＺ２に入力される電圧とトランジスタＴｒ8のソースの電圧Ｖs8（端子Ｅの電圧）との電位差Ｖgs9（またはそれに対応する電位差）に応じて、トランジスタＴｒ8のソース（端子Ｅ）とトランジスタＴｒ7のゲートとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ9のゲートが入力端子ＡＺ２に電気的に接続されている。トランジスタＴｒ9のソースまたはドレインがトランジスタＴｒ8のソース（端子Ｅ）に電気的に接続されており、トランジスタＴｒ9のソースおよびドレインのうち端子Ｅに未接続の端子がトランジスタＴｒ7のゲートに電気的に接続されている。
【００９０】
入力端子ＡＺ１には、例えば、図１８（Ｂ）に示したようなパルス信号が印加される。入力端子ＡＺ２には、例えば、図１８（Ｃ）に示したように、入力端子ＡＺ１に印加されるパルス信号と逆位相のパルス信号が印加される。これにより、出力電圧ＶoutとしてＶddを出力することができる。
【００９１】
また、上記各実施の形態において、例えば、図１９、図２０、図２１に示したように、入力端子ＩＮとトランジスタＴｒ3のゲートの間に、遅延素子３を設けてもよい。
【００９２】
遅延素子３は、入力端子ＯＵＴに入力された信号電圧の電圧波形を鈍らせた電圧をトランジスタＴｒ3のゲートに入力するものである。遅延素子３は、例えば、電圧波形の立ち下がりを、入力端子ＯＵＴに入力された信号電圧の電圧波形の立ち下がりよりも緩やかにした電圧をトランジスタＴｒ3のゲートに入力するようになっている。なお、遅延素子３は、電圧波形の立ち下がりだけでなく、立ち上がりについても、入力端子ＯＵＴに入力された信号電圧の電圧波形の立ち上がりよりも緩やかにするようになっていてもよい。ただし、その場合には、遅延素子３は、立ち下がりの方が立ち上がりよりも、より緩やかになるように、入力端子ＯＵＴに入力された信号電圧の電圧波形を鈍らせるようになっている。
【００９３】
遅延素子３は、例えば、図２２（Ａ）〜（Ｄ）に示した回路構成となっている。図２２（Ａ）においては、遅延素子３は、容量素子Ｃ5を含んで構成されている。容量素子Ｃ5の一端がトランジスタＴｒ3のゲートに電気的に接続されており、容量素子Ｃ5の他端が低電圧線ＬLに電気的に接続されている。
【００９４】
図２２（Ｂ）においては、遅延素子３はトランジスタＴｒ10を含んで構成されている。トランジスタＴｒ10は、トランジスタＴｒ1等のチャネル型と同一チャネル型のトランジスタであり、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型のＴＦＴである。トランジスタＴｒ10のソースがトランジスタＴｒ3のゲートに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ10のドレインが入力端子ＩＮに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ10のゲートは高電圧線ＬH3に電気的に接続されている。高電圧線ＬH3は、トランジスタＴｒ10をオンオフ動作させるパルス信号を出力する電源（図示せず）に電気的に接続されている。
【００９５】
図２２（Ｃ）においては、遅延素子３は、上述のトランジスタＴｒ10と、トランジスタＴｒ11とを含んで構成されている。トランジスタＴｒ11は、トランジスタＴｒ1等のチャネル型と同一チャネル型のトランジスタであり、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型のＴＦＴである。トランジスタＴｒ11のゲートおよびソースがトランジスタＴｒ3のゲートに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ11のドレインが入力端子ＩＮに電気的に接続されている。
【００９６】
図２２（Ｄ）においては、遅延素子３は、上述のトランジスタＴｒ10と、上述の容量素子Ｃ5とを含んで構成されている。
【００９７】
[動作・効果]
図２３は、本変形例に係るインバータ回路の動作の一例を表したものである。なお、図２３には、遅延素子３として、図２２（Ｄ）に示した回路構成を有するものが用いられたときの波形が示されている。本変形例に係るインバータ回路の基本的な動作は、図３〜図８に示すものと同様である。図３〜図８に示すものと相違する箇所は、入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変移（低下）するときと、ロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）するときにある。
【００９８】
入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変移（低下）するとき、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4のゲート電圧はＶddからＶssへ変化する。上記実施の形態のインバータ回路１，２では、この電圧変化が、容量素子Ｃ2を介してトランジスタＴｒ5のソースへΔＶ1という電圧変化を生じさせ、さらに容量素子Ｃ1，Ｃ2を介してトランジスタＴｒ5のゲートへΔＶ2という電圧変化を生じさせていた。ここで、トランジスタＴｒ5のゲートにΔＶ2というカップリング量が入力されていたのは、トランジスタＴｒ3のゲート電圧ＶがＶddからＶssに低下してゆき、その結果、トランジスタＴｒ3のオン抵抗が徐々に増加し、トランジスタＴｒ5のゲートをＶssに充電するトランジェントが遅くなるからである。換言すると、トランジスタＴｒ5のゲートにΔＶ2というカップリング量が入力されるのは、カップリングが入力されるタイミングでトランジスタＴｒ3がオンからオフに切り替わるからである。
【００９９】
一方、本変形例では、遅延素子３によって、入力端子ＩＮに入力された信号電圧を図２４に示したように鈍らせた信号電圧がトランジスタＴｒ3のゲートに入力される。これにより、トランジスタＴｒ3のオフ点（オンとオフが切り替わる点）が入力電圧ＶinをそのままトランジスタＴｒ3のゲートに入力した場合と比べて遅くなる。つまり、トランジスタＴｒ3は、容量素子Ｃ2を介したカップリングが入力されるタイミングでもオンしていることになる（図２５）。そのため、最終的にトランジスタＴｒ5のゲートに入力されるカップリング量（ΔＶ2）を従来よりも小さくすることができ、トランジスタＴｒ5のゲートソース間電圧Ｖgs5を大きくすることが可能となる。その結果、インバータ回路の高速化が実現できる。
【０１００】
本変形例では、入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）する場合でも、トランジスタＴｒ3のゲートには、遅延素子３によって、入力端子ＩＮに入力された信号電圧を図２４に示したように鈍らせた信号電圧が入力される。そのため、トランジスタＴｒ3のオフ点が遅くなるので、トランジスタＴｒ1がオンした後にトランジスタＴｒ3がオンすることとなり、出力電圧Ｖoutが遷移状態である時に高電圧線ＬHから低電圧線ＬLへ電流（貫通電流）が流れる可能性がある。しかし、実際には、トランジスタＴｒ3のオンする動作点と、トランジスタＴｒ3のゲートに入力される信号電圧の波形とを考えると、トランジスタＴｒ3のゲートに入力される信号電圧の遅延によっても、図２５に示すように立ち上りにおいてはトランジスタＴｒ3のオンする時間は殆ど変わらず、逆に立ち下がりにおいてはオフする時間が大きく変化する。そのため、上述した貫通電流が流れる期間は非常に微小であり、本変形例に係るインバータ回路の消費電力は、インバータ回路１，２の消費電力とあまり変わらない。
【０１０１】
ところで、上記各実施の形態では、トランジスタＴｒ5のソースおよびゲートに、入力電圧Ｖinの変化に起因するカップリングを入力し、トランジスタＴｒ5のソースおよびゲートにおけるトランジェントの差を利用して、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧Ｖgs5をトランジスタＴｒ5の閾値電圧Ｖth5以上の値にしている。このとき、出力端子ＯＵＴには、高電圧線ＬH側の電圧が出力電圧Ｖoutとして出力されるが、出力端子ＯＵＴのトランジェントは、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2に大きく依存する。つまり、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2が早く大きくなる場合は、出力電圧Ｖoutが早く立ち上がり、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2がゆっくり大きくなる場合は、出力電圧Ｖoutの立ち上がりもゆっくりとなる。
【０１０２】
そこで、インバータ回路を高速化する際にはトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2を早く立ち上げればよいことになるが、その方法として、例えば、容量素子Ｃ2の容量を大きくすることが考えられる。しかし、容量素子Ｃ2の容量を大きくした場合には、インバータ回路の占有面積が大きくなってしまう。その結果、例えば、有機ＥＬ表示装置において、容量素子Ｃ2の容量を大きくしたインバータ回路をスキャナなどに用いた場合は、表示パネルにおいて周囲（額縁）の占有面積が大きくなってしまい、狭額縁化を阻害してしまう虞がある。また、容量素子Ｃ2の容量を大きくした場合には、トランジスタＴｒ2のソース（出力端子ＯＵＴ）に、ΔＶ1よりも大きな電圧変化が生じるが、その分、トランジスタＴｒ2のゲートにも、ΔＶ2よりも大きな電圧変化が生じる。その結果、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2は、容量素子Ｃ2の容量を大きくした割りに、ΔＶ1−ΔＶ2とさほど変わらない値となってしまい、容量素子Ｃ2の容量増大がインバータ回路１の高速化にあまり寄与しない。
【０１０３】
一方、本変形例では、遅延素子３によって、入力端子ＩＮに入力された信号電圧を図２４に示したように鈍らせた信号電圧がトランジスタＴｒ3のゲートに入力される。これにより、容量素子Ｃ2の容量を増大させることなく、インバータ回路の高速化が実現できる。
【０１０４】
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例では、トランジスタＴｒ1〜Ｔｒ11が、ｎチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されていたが、例えば、ｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されていてもよい。ただし、この場合には、高電圧線ＬHが低電圧線ＬLに置き換えられ、高電圧線ＬHが低電圧線ＬLに置き換えられる。また、トランジスタＴｒ1〜Ｔｒ11がローからハイに変移（上昇）する時の過渡応答と、トランジスタＴｒ1〜Ｔｒ11がハイからローに変移（下降）する時の過渡応答とが互いに逆となる。
【０１０５】
＜第３の実施の形態＞
図２６は、本発明の第３の実施の形態に係るインバータ回路３の全体構成の一例を表したものである。インバータ回路３は、インバータ回路１との関係では、容量素子Ｃ1を削除し、トランジスタＴｒ7のゲート−ソース間に容量素子Ｃ6を追加したものに相当する。また、インバータ回路３は、インバータ回路１との関係では、トランジスタＴｒ5のゲートと、トランジスタＴｒ3のソースまたはドレインとを、抵抗Ｒ1を介して高電圧線ＬHに接続したものに相当する。さらに、インバータ回路３は、インバータ回路１との関係では、低電圧線ＬLを２つの低電圧線ＬL1，ＬL2に分け、一方の低電圧線ＬL1をトランジスタＴｒ1，Ｔｒ4，Ｔｒ5に接続し、他方の低電圧線ＬL2を、抵抗Ｒ2を介してトランジスタＴｒ3のソースおよびドレインのうち抵抗Ｒ1に未接続の端子に接続したものに相当する。なお、抵抗Ｒ2は、トランジスタＴｒ3のオン抵抗を含んだものであり、具体的には、トランジスタＴｒ3がオンしたときにトランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖｇ５がトランジスタＴｒ5のオン電圧より小さくなるような値となっている。
【０１０６】
[動作・効果]
入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）のときは、トランジスタＴｒ3はオンしている。そのため、トランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖｇ5は、高電圧線ＬHおよび低電圧線ＬL2の電位差を、抵抗Ｒ1，Ｒ2のそれぞれの抵抗値で分圧した値で決まる。例えば、高電圧線ＬHの電圧が１５Ｖ、低電圧線ＬL2の電圧が−６Ｖとなっているとき、トランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖｇ5は、１Ｖとなっている。このとき、トランジスタＴｒ4もオンしているので、トランジスタＴｒ7のゲート電圧Ｖｇ7は、低電圧線ＬL1の電圧Ｖss（例えば０Ｖ）となっている。各トランジスタＴｒ1〜Ｔｒ7の閾値電圧が２Ｖとなっているとすると、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7は全て、オフしており、出力端子ＯＵＴからは低電圧線ＬL1の電圧と等しい電圧が出力される。
【０１０７】
入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）になると、トランジスタＴｒ7のゲート電圧Ｖｇ7は、容量素子Ｃ6，Ｃ2のカップリングによって低下する。このとき、トランジスタＴｒ3はオフするので、トランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖｇ5は、抵抗Ｒ1を通じてゆっくり上昇し、これにより、トランジスタＴｒ5がオンし、続けて、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ7もオンする。その結果、出力端子ＯＵＴから、高電圧線ＬHの電圧と等しい電圧が出力される。
【０１０８】
このように、本実施の形態では、入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）のときに、低電圧線ＬL1の電圧と等しい電圧が出力端子ＯＵＴから出力され、入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）のときに、高電圧線ＬHの電圧と等しい電圧が出力端子ＯＵＴから出力される。これにより、出力電圧Ｖoutのばらつきをなくすことができる。従って、例えば、インバータ回路３をディスプレイパネルのスキャナーに適用することにより、スキャナーの出力ばらつきをなくすることができ、その結果、画素のラインごとの輝度のばらつきを抑えることができる。
【０１０９】
また、本実施の形態では、容量素子Ｃ6，Ｃ2が出力端子ＯＵＴに直接接続されていないので、トランジスタＴｒ7のゲートおよびソースに入力されるカップリング量が出力段の寄生容量の影響を受けることがない。これにより、トランジスタＴｒ7のゲート−ソース間電圧Ｖgs7を大きくすることができるので、インバータ回路５を高速化することができる。
【０１１０】
また、本実施の形態では、インバータ回路５には低電圧側に２つの電圧線、高電圧側に１つの電圧線しか設けられておらず、しかも、高電圧側の電圧線である高電圧線ＬHの電圧は、インバータ回路１の駆動時に、入力端子ＩＮに印加される信号電圧（入力電圧Ｖin）のハイ電圧と同じ電圧値（Ｖdd）となっている。従って、インバータ回路５の耐圧は、図３３、図３５、図３６に示したような従来タイプのインバータ回路の耐圧と同様でよく、インバータ回路１の耐圧を上げる必要がない。これにより、インバータ回路５内の素子に耐圧の高いものを使う必要がなく、また、耐圧不具合による歩留まりの低下もないことから、製造コストを低く抑えることができる。
【０１１１】
また、本実施の形態では、インバータ回路５には最低限の数の電圧線しか設けられておらず、また、容量素子Ｃ2の容量を大きくしなくても、上述したようにインバータ回路５の高速化を実現することができる。これにより、例えば、有機ＥＬ表示装置において、インバータ回路５をスキャナなどに用いた場合に、表示パネルにおいて周囲（額縁）の占有面積を小さくすることができ、狭額縁化を実現することができる。
【０１１２】
＜適用例＞
図２８は、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係るインバータ回路１，２，４，５の適用例の一例である表示装置１００の全体構成の一例を表したものである。この表示装置１００は、例えば、表示パネル１１０（表示部）と、駆動回路１２０（駆動部）とを備えている。
【０１１３】
（表示パネル１１０）
表示パネル１１０は、発光色の互いに異なる３種類の有機ＥＬ素子１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂが２次元配置された表示領域１１０Ａを有している。表示領域１１０Ａとは、有機ＥＬ素子１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂから発せられる光を利用して映像を表示する領域である。有機ＥＬ素子１１１Ｒは赤色光を発する有機ＥＬ素子であり、有機ＥＬ素子１１１Ｇは緑色光を発する有機ＥＬ素子であり、有機ＥＬ素子１１１Ｂは青色光を発する有機ＥＬ素子である。なお、以下では、有機ＥＬ素子１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂの総称として有機ＥＬ素子１１１を適宜、用いるものとする。
【０１１４】
（表示領域１１０Ａ）
図２９は、表示領域１０Ａ内の回路構成の一例を、後述の書込線駆動回路１２４の一例と共に表したものである。表示領域１１０Ａ内には、複数の画素回路１１２が個々の有機ＥＬ素子１１１と対となって２次元配置されている。なお、本適用例では、一対の有機ＥＬ素子１１１および画素回路１１２が１つの画素１１３を構成している。より詳細には、図２８に示したように、一対の有機ＥＬ素子１１１Ｒおよび画素回路１１２が１つの赤色用の画素１１３Ｒを構成し、一対の有機ＥＬ素子１１１Ｇおよび画素回路１１２が１つの緑色用の画素１１３Ｇを構成し、一対の有機ＥＬ素子１１１Ｂおよび画素回路１１２が１つの青色用の画素１１３Ｂを構成している。さらに、互いに隣り合う３つの画素１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂが１つの表示画素１１４を構成している。
【０１１５】
各画素回路１１２は、例えば、有機ＥＬ素子１１１に流れる電流を制御する駆動トランジスタＴｒ100と、信号線ＤＴＬの電圧を駆動トランジスタＴｒ100に書き込む書き込みトランジスタＴｒ200と、保持容量Ｃsとによって構成されたものであり、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。駆動トランジスタＴｒ100および書き込みトランジスタＴｒ200は、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により形成されている。駆動トランジスタＴｒ100または書き込みトランジスタＴｒ200は、例えば、ｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴであってもよい。
【０１１６】
表示領域１１０Ａにおいて、複数の書込線ＷＳＬ（走査線）が行状に配置され、複数の信号線ＤＴＬが列状に配置されている。表示領域１１０Ａには、さらに、複数の電源線ＰＳＬ（電源電圧の供給される部材）が書込線ＷＳＬに沿って行状に配置されている。各信号線ＤＴＬと各書込線ＷＳＬとの交差点近傍には、有機ＥＬ素子１１１が１つずつ設けられている。各信号線ＤＴＬは、後述の信号線駆動回路１２３の出力端（図示せず）と、書き込みトランジスタＴｒ200のドレイン電極およびソース電極のいずれか一方（図示せず）に接続されている。各書込線ＷＳＬは、後述の書込線駆動回路１２４の出力端（図示せず）と、書き込みトランジスタＴｒ200のゲート電極（図示せず）に接続されている。各電源線ＰＳＬは、後述の電源線駆動回路１２５の出力端（図示せず）と、駆動トランジスタＴｒ100のドレイン電極およびソース電極のいずれか一方（図示せず）に接続されている。書き込みトランジスタＴｒ200のドレイン電極およびソース電極のうち信号線ＤＴＬに未接続の方（図示せず）は、駆動トランジスタＴｒ100のゲート電極（図示せず）と、保持容量Ｃsの一端に接続されている。駆動トランジスタＴｒ100のドレイン電極およびソース電極のうち電源線ＰＳＬに未接続の方（図示せず）と保持容量Ｃsの他端とが、有機ＥＬ素子１１１のアノード電極（図示せず）に接続されている。有機ＥＬ素子１１１のカソード電極（図示せず）は、例えば、グラウンド線ＧＮＤに接続されている。
【０１１７】
（駆動回路１２０）
次に、駆動回路１２０内の各回路について、図２８、図２９を参照して説明する。駆動回路１２０は、タイミング生成回路１２１、映像信号処理回路１２２、信号線駆動回路１２３、書込線駆動回路１２４、および電源線駆動回路１２５を有している。
【０１１８】
タイミング生成回路１２１は、映像信号処理回路１２２、信号線駆動回路１２３、書込線駆動回路１２４、および電源線駆動回路１２５が連動して動作するように制御するものである。タイミング生成回路１２１は、例えば、外部から入力された同期信号１２０Ｂに応じて（同期して）、上述した各回路に対して制御信号１２１Ａを出力するようになっている。
【０１１９】
映像信号処理回路１２２は、外部から入力された映像信号１２０Ａに対して所定の補正を行うと共に、補正した後の映像信号１２２Ａを信号線駆動回路１２３に出力するようになっている。所定の補正としては、例えば、ガンマ補正や、オーバードライブ補正などが挙げられる。
【０１２０】
信号線駆動回路１２３は、制御信号１２１Ａの入力に応じて（同期して）、映像信号処理回路１２２から入力された映像信号１２２Ａ（信号電圧Ｖsig）を各信号線ＤＴＬに印加して、選択対象の画素１１３に書き込むものである。なお、書き込みとは、駆動トランジスタＴｒ1のゲートに所定の電圧を印加することを指している。
【０１２１】
信号線駆動回路１２３は、例えばシフトレジスタ（図示せず）を含んで構成されており、画素１１３の各列に対応して、１段ごとにバッファ回路（図示せず）を備えている。この信号線駆動回路１２３は、制御信号１２１Ａの入力に応じて（同期して）、各信号線ＤＴＬに対して、２種類の電圧（Ｖofs、Ｖsig）を出力可能となっている。具体的には、信号線駆動回路１２３は、各画素１１３に接続された信号線ＤＴＬを介して、書込線駆動回路１２４により選択された画素１１３へ２種類の電圧（Ｖofs、Ｖsig）を順番に供給するようになっている。
【０１２２】
ここで、オフセット電圧Ｖofsは、信号電圧Ｖsigの値に依らず一定電圧値となっている。また、信号電圧Ｖsigは、映像信号１２２Ａに対応する電圧値となっている。信号電圧Ｖsigの最小電圧はオフセット電圧Ｖofsよりも低い電圧値となっており、信号電圧Ｖsigの最大電圧はオフセット電圧Ｖofsよりも高い電圧値となっている。
【０１２３】
書込線駆動回路１２４は、例えば、図３０に示したように、シフトレジスタＳＲおよびインバータＩＮＶが交互に接続されたユニットと、このユニット内のインバータＩＮＶの出力に接続されたバッファ回路６とを含んで構成されている。バッファ回路６は、画素１１３の各行に対応して、１段ずつ設けられている。上記のユニットは、シフトレジスタＳＲに入力される同期パルスＣｋ（図示せず）によって、入力転送パルスＳｔを１Ｈ遅らせて、後段のインバータＩＮＶに転送するようになっている。インバータＩＮＶは、入力パルスを反転するとともに、その波形を整形し、後段のシフトレジスタＳＲに転送するようになっている。書込線駆動回路１２４は、この一連の動きを、例えば表示パネル１１０の縦の画素数分だけ行うようになっている。
【０１２４】
バッファ回路６は、上述したインバータ回路１，２，４，５を複数含んで構成されたものであり、入力端に入力されたパルス信号の位相とほぼ同一位相のパルス信号を出力端から出力するものである。書込線駆動回路１２４は、制御信号１２１Ａの入力に応じて（同期して）、各書込線ＷＳＬに対して、２種類の電圧（Ｖdd、Ｖss）を出力可能となっている。具体的には、書込線駆動回路１２４は、各画素１１３に接続された書込線ＷＳＬを介して、駆動対象の画素１１３へ２種類の電圧（Ｖdd、Ｖss）を供給し、書き込みトランジスタＴｒ200を制御するようになっている。
【０１２５】
ここで、電圧Ｖddは、書き込みトランジスタＴｒ200のオン電圧以上の値となっている。Ｖddは、後述の消光時や閾値補正時に、書込線駆動回路１２４から出力される電圧値である。Ｖssは、書き込みトランジスタＴｒ200のオン電圧よりも低い値となっており、かつ、Ｖddよりも低い値となっている。
【０１２６】
電源線駆動回路１２５は、例えばシフトレジスタ（図示せず）を含んで構成されており、例えば、画素１１３の各行に対応して、１段ごとにバッファ回路（図示せず）を備えている。この電源線駆動回路１２５は、制御信号１２１Ａの入力に応じて（同期して）、２種類の電圧（ＶccH、ＶccL）を出力可能となっている。具体的には、電源線駆動回路１２５は、各画素１１３に接続された電源線ＰＳＬを介して、駆動対象の画素１１３へ２種類の電圧（ＶccH、ＶccL）を供給し、有機ＥＬ素子１１１の発光および消光を制御するようになっている。
【０１２７】
ここで、電圧ＶccLは、有機ＥＬ素子１１１の閾値電圧Ｖelと、有機ＥＬ素子１１１のカソードの電圧Ｖcaとを足し合わせた電圧（Ｖel＋Ｖca）よりも低い電圧値である。また、電圧ＶccHは、電圧（Ｖel＋Ｖca）以上の電圧値である。
【０１２８】
次に、本適用例の表示装置１００の動作（消光から発光までの動作）の一例について説明する。本適用例では、駆動トランジスタＴｒ100の閾値電圧Ｖthや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子１１１の発光輝度を一定に保つようにするために、閾値電圧Ｖthや移動度μの変動に対する補正動作が組み込まれている。
【０１２９】
図３１は、画素回路１１２に印加される電圧波形の一例と、駆動トランジスタＴｒ100のゲート電圧Ｖgおよびソース電圧Ｖsの変化の一例とを表したものである。図３１（Ａ）には信号線ＤＴＬに、信号電圧Ｖsigと、オフセット電圧Ｖofsが印加されている様子が示されている。図３１（Ｂ）には書込線ＷＳＬに、書き込みトランジスタＴｒ200をオンする電圧Ｖddと、書き込みトランジスタＴｒ200をオフする電圧Ｖssが印加されている様子が示されている。図３１（Ｃ）には電源線ＰＳＬに、電圧ＶccHと、電圧ＶccLが印加されている様子が示されている。さらに、図３１（Ｄ），（Ｅ）には、電源線ＰＳＬ、信号線ＤＴＬおよび書込線ＷＳＬへの電圧印加に応じて、駆動トランジスタＴｒ100のゲート電圧Ｖgおよびソース電圧Ｖsが時々刻々変化している様子が示されている。
【０１３０】
（Ｖth補正準備期間）
まず、Ｖth補正の準備を行う。具体的には、書込線ＷＳＬの電圧がＶoffとなっており、電源線ＤＳＬの電圧がＶccHとなっている時（つまり有機ＥＬ素子１１１が発光している時）に、電源線駆動回路１２５が電源線ＤＳＬの電圧をＶccHからＶccLに下げる（Ｔ1）。すると、ソース電圧ＶsがＶccLとなり、有機ＥＬ素子１１１が消光する。その後、信号線ＤＴＬの電圧がＶofsとなっている時に書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶoffからＶonに上げ、駆動トランジスタＴｒ100のゲートをＶofsとする。
【０１３１】
（最初のＶth補正期間）
次に、Ｖthの補正を行う。具体的には、書込みトランジスタＴｒ200がオンしており、信号線ＤＴＬの電圧がＶofsとなっている間に、電源線駆動回路１２５が電源線ＤＳＬの電圧をＶccLからＶccHに上げる（Ｔ2）。すると、駆動トランジスタＴr100のドレイン−ソース間に電流Ｉdsが流れ、ソース電圧Ｖsが上昇する。その後、信号線駆動回路１２３が信号線ＤＴＬの電圧をＶofsからＶsigに切り替える前に、書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶonからＶoffに下げる（Ｔ3）。すると、駆動トランジスタＴr100のゲートがフローティングとなり、Ｖthの補正が休止する。
【０１３２】
（最初のＶth補正休止期間）
Ｖth補正が休止している期間中は、例えば、先のＶth補正を行った行（画素）とは異なる他の行（画素）において、信号線ＤＴＬの電圧のサンプリングが行われる。なお、このとき、先のＶth補正を行った行（画素）において、ソース電圧ＶsがＶofs−Ｖthよりも低いので、Ｖth補正休止期間中にも、先のＶth補正を行った行（画素）において、駆動トランジスタＴｒ100のドレイン−ソース間に電流Ｉdsが流れ、ソース電圧Ｖsが上昇し、保持容量Ｃsを介したカップリングによりゲート電圧Ｖgも上昇する。
【０１３３】
（２回目のＶth補正期間）
次に、Ｖth補正を再び行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶofsとなっており、Ｖth補正が可能となっている時に、書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶoffからＶonに上げ、駆動トランジスタＴｒ100のゲートをＶofsにする（Ｔ4）。このとき、ソース電圧ＶsがＶofs−Ｖthよりも低い場合（Ｖth補正がまだ完了していない場合）には、駆動トランジスタＴｒ100がカットオフするまで（ゲート−ソース間電圧ＶgsがＶthになるまで）、駆動トランジスタＴｒ100のドレイン−ソース間に電流Ｉdsが流れる。その後、信号線駆動回路１２３が信号線ＤＴＬの電圧をＶofsからＶsigに切り替える前に、書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶonからＶoffに下げる（Ｔ5）。すると、駆動トランジスタＴｒ100のゲートがフローティングとなるので、ゲート−ソース間電圧Ｖgsを信号線ＤＴＬの電圧の大きさに拘わらず一定に維持することができる。
【０１３４】
なお、このＶth補正期間において、保持容量ＣsがＶthに充電され、ゲート−ソース間電圧ＶgsがＶthとなった場合には、駆動回路１２０は、Ｖth補正を終了する。しかし、ゲート−ソース間電圧ＶgsがＶthにまで到達しない場合には、駆動回路１２０は、ゲート−ソース間電圧ＶgsがＶthに到達するまで、Ｖth補正と、Ｖth補正休止とを繰り返し実行する。
【０１３５】
（書き込み・μ補正期間）
Ｖth補正休止期間が終了した後、書き込みとμ補正を行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶsigとなっている間に、書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶoffからＶonに上げ（Ｔ6）、駆動トランジスタＴr1のゲートを信号線ＤＴＬに接続する。すると、駆動トランジスタＴr100のゲート電圧Ｖgが信号線ＤＴＬの電圧Ｖsigとなる。このとき、有機ＥＬ素子１１１のアノード電圧はこの段階ではまだ有機ＥＬ素子１１１の閾値電圧Ｖelよりも小さく、有機ＥＬ素子１１１はカットオフしている。そのため、電流Ｉdsは有機ＥＬ素子１１１の素子容量（図示せず）に流れ、素子容量が充電されるので、ソース電圧ＶsがΔＶyだけ上昇し、やがてゲート−ソース間電圧ＶgsがＶsig＋Ｖth−ΔＶyとなる。このようにして、書き込みと同時にμ補正が行われる。ここで、駆動トランジスタＴr100の移動度μが大きい程、ΔＶyも大きくなるので、ゲート−ソース間電圧Ｖgsを発光前にΔＶyだけ小さくすることにより、画素１１３ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。
【０１３６】
（発光期間）
最後に、書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶonからＶoffに下げる（Ｔ7）。すると、駆動トランジスタＴr100のゲートがフローティングとなり、駆動トランジスタＴr100のドレイン−ソース間に電流Ｉdsが流れ、ソース電圧Ｖsが上昇する。その結果、有機ＥＬ素子１１１に閾値電圧Ｖel以上の電圧が印加され、有機ＥＬ素子１１１が所望の輝度で発光する。
【０１３７】
本適用例の表示装置１００では、上記のようにして、各画素１１３において画素回路１１２がオンオフ制御され、各画素１１３の有機ＥＬ素子１１１に駆動電流が注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こり、その光が外部に取り出される。その結果、表示パネル１１０の表示領域１１０Ａにおいて画像が表示される。
【０１３８】
ところで、本適用例では、例えば、書込線駆動回路１２４内のバッファ回路６は、上述したインバータ回路１，２，４を複数含んで構成されている。これにより、バッファ回路６内を流れる貫通電流はほとんど存在しないので、バッファ回路６の消費電力を抑えることができる。また、バッファ回路６の出力電圧のばらつきが少ないので、画素回路１１２内の駆動トランジスタＴr100の閾値補正や移動度補正の、画素回路１１２ごとのばらつきを低減することができ、さらには画素１１３ごとの輝度のばらつきを低減することができる。
【０１３９】
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明は実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【０１４０】
例えば、上記各実施の形態およびそれらの変形例では、高電圧側の電圧線および低電圧側の電圧線がそれぞれ１本ずつ設けられていたが、例えば、高電圧側の複数のトランジスタのうち少なくとも１つと接続された電圧線が、他の高電圧側のトランジスタに接続された電圧線と非共有となっていてもよい。同様に、例えば、低電圧側の複数のトランジスタのうち少なくとも１つと接続された電圧線が、他の低電圧側のトランジスタに接続された電圧線と非共有となっていてもよい。
【０１４１】
また、例えば、上記適用例では、上記各実施の形態に係るインバータ回路１，２，４が書込線駆動回路１２４の出力段に用いられていたが、書込線駆動回路１２４の出力段の代わりに、電源線駆動回路１２５の出力段に用いられていてもよいし、書込線駆動回路１２４の出力段と共に、電源線駆動回路１２５の出力段に用いられていてもよい。
【符号の説明】
【０１４２】
１，２，４，５，２００，３００，４００，５００，６００…インバータ回路、３…遅延素子、６…バッファ回路、１０…制御素子、１００…表示装置、１１０…表示パネル、１１０Ａ…表示領域、１１１，１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂ…有機ＥＬ素子、１１２…画素回路、１１３，１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂ…画素、１１４…表示画素、１２０…駆動回路、１２０Ａ，１２２Ａ…映像信号、１２０Ｂ…同期信号、１２１…タイミング生成回路、１２１Ａ…制御信号、１２２…映像信号処理回路、１２３…信号線駆動回路、１２４…書込線駆動回路、１２５…電源線駆動回路、Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3，…端子、Ｃ，Ｄ…接続点、Ｃ1〜Ｃ5…容量素子、Ｃs…保持容量、ＤＴＬ…信号線、ＧＮＤ…グラウンド線、ＩＮ，ＡＺ１，ＡＺ２…入力端子、Ｉds…電流、ＬH，ＬH1，ＬH2…高電圧線、ＬL，ＬL1，ＬL2…低電圧線、ＯＵＴ…出力端子、Ｐ…ＷＳパルス、ＰＳＬ…電源線、Ｔｒ1〜Ｔｒ12…トランジスタ、Ｔｒ100…駆動トランジスタ、Ｔｒ200…書き込みトランジスタ、ＶCCH，ＶCCL，Ｖdd，Ｖdd2，ＶH，ＶL，Ｖss，Ｖy，ΔＶ1’，ΔＶ2’，ΔＶ1，ΔＶ2…電圧、Ｖg，Ｖg1〜Ｖg5…ゲート電圧、Ｖgs，Ｖgs，Ｖgs2，Ｖgs5…ゲート−ソース間電圧、ΔＶｇ，ΔＶｓ…変化量、Ｖin…入力電圧、Ｖofs…オフセット電圧、Ｖout…出力電圧、Ｖs，Ｖs2，Ｖs5…ソース電圧、Ｖsig…信号電圧、Ｖth，Ｖth1〜Ｖth5，Ｖel…閾値電圧、ＷＳＬ…書込線、μ…移動度、ΔＶx…カップリング量。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた表示装置に好適に適用可能なインバータ回路に関する。また、本発明は、上記インバータ回路を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素の発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機ＥＬ素子を用いた表示装置が開発され、商品化が進められている。有機ＥＬ素子は、液晶素子などと異なり自発光素子である。そのため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、有機ＥＬ素子に流れる電流値を制御することで、発色の階調が得られる。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は、構造が単純であるものの、大型かつ高精細の表示装置の実現が難しいなどの問題がある。そのため、現在では、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、画素ごとに配した発光素子に流れる電流を駆動トランジスタによって制御するものである。
【０００４】
上記の駆動トランジスタでは、閾値電圧Ｖthや移動度μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Ｖthや移動度μが画素ごとに異なったりする場合がある。閾値電圧Ｖthや移動度μが画素ごとに異なる場合には、駆動トランジスタに流れる電流値が画素ごとにばらつくので、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度がばらつき、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。そこで、閾値電圧Ｖthや移動度μの変動に対する補正機能を組み込んだ表示装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
閾値電圧Ｖthや移動度μの変動に対する補正は、画素ごとに配した画素回路によって行われる。この画素回路は、例えば、図３２に示したように、有機ＥＬ素子１１１に流れる電流を制御する駆動トランジスタＴｒ100と、信号線ＤＴＬの電圧を駆動トランジスタＴｒ100に書き込む書き込みトランジスタＴｒ200と、保持容量Ｃｓとによって構成されており、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。駆動トランジスタＴｒ100および書き込みトランジスタＴｒ200は、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により形成されている。
【０００６】
図３１は、画素回路に印加される電圧波形の一例と、駆動トランジスタＴｒ100のゲート電圧Ｖgおよびソース電圧Ｖsの変化の一例とを表したものである。図３１（Ａ）には信号線ＤＴＬに、信号電圧Ｖsigと、オフセット電圧Ｖofsが印加されている様子が示されている。図３１（Ｂ）には書込線ＷＳＬに、書き込みトランジスタＴｒ200をオンする電圧Ｖddと、書き込みトランジスタＴｒ200をオフする電圧Ｖssが印加されている様子が示されている。図３１（Ｃ）には電源線ＰＳＬに、ハイ電圧ＶccHと、ロー電圧ＶccLが印加されている様子が示されている。さらに、図３１（Ｄ），（Ｅ）には、電源線ＰＳＬ、信号線ＤＴＬおよび書込線ＷＳＬへの電圧印加に応じて、駆動トランジスタＴｒ100のゲート電圧Ｖgおよびソース電圧Ｖsが時々刻々変化している様子が示されている。
【０００７】
図３１から、１Ｈ内に２回、ＷＳパルスＰが書込線ＷＳＬに印加されており、１回目のＷＳパルスＰによって閾値補正が行われ、２回目のＷＳパルスＰによって移動度補正と信号書き込みが行われていることがわかる。つまり、図３１において、ＷＳパルスＰは、信号書込みだけでなく、駆動トランジスタＴｒ100の閾値補正や移動度補正にも用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−０８３２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、アクティブマトリクス方式の表示装置では、信号線ＤＴＬを駆動する水平駆動回路（図示せず）や、各画素１１３を順次選択する書き込み走査回路（図示せず）は、いずれも基本的にシフトレジスタ（図示せず）を含んで構成されており、画素１１３の各列または各行に対応して、１段ごとにバッファ回路（図示せず）を備えている。例えば、書き込み走査回路内のバッファ回路は、典型的には、２つのインバータ回路を直列に接続して構成されている。ここで、インバータ回路は、例えば、図３３に示したように、２つのｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタＴｒ1，Ｔｒ2が直列接続された単チャネル型の回路構成となっている。図３３に記載のインバータ回路２００は、ハイレベルの電圧が印加される高電圧配線ＬHと、ローレベルの電圧が印加される低電圧配線ＬLとの間に挿入されている。高電圧配線ＬH側のトランジスタＴｒ2のゲートが高電圧配線ＬHに接続されており、低電圧配線ＬL側のトランジスタＴｒ1のゲートが入力端子ＩＮに接続されている。さらに、トランジスタＴｒ1とトランジスタＴｒ2との接続点Ｃが出力端子ＯＵＴに接続されている。
【００１０】
インバータ回路２００では、例えば、図３４に示したように、入力端子ＩＮの電圧ＶinがＶssとなっている時、出力端子ＯＵＴの電圧ＶoutがＶddとはならず、Ｖdd−Ｖth2となってしまう。つまり、出力端子ＯＵＴの電圧Ｖoutには、トランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2が含まれており、出力端子ＯＵＴの電圧Ｖoutは、トランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2のばらつきの影響を大きく受けてしまう。
【００１１】
そこで、例えば、図３５のインバータ回路３００に示したように、トランジスタＴｒ2のゲートとドレインとを互いに電気的に分離し、ドレインの電圧Ｖddよりも高い電圧Ｖdd2（≧Ｖdd＋Ｖth）が印加される高電圧配線ＬH2にゲートを接続することが考えられる。また、例えば、図３６のインバータ回路４００に示したようなブートストラップ型の回路構成が考えられる。具体的には、トランジスタＴｒ2のゲートと高電圧配線ＬHとの間にトランジスタＴｒ12を挿入し、トランジスタＴｒ12のゲートを高電圧配線ＬHに接続するとともに、トランジスタＴｒ2のゲートとトランジスタＴｒ12のソースとの接続点Ｄと、接続点Ｃとの間に容量素子Ｃ10を挿入した回路構成が考えられる。
【００１２】
しかし、図３３、図３５、図３６のいずれの回路においても、入力電圧Ｖinがハイとなっている時、つまり、出力電圧Ｖoutがローとなっている時まで、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ2を介して、高電圧配線ＬH側から低電圧配線ＬL側に向かって電流（貫通電流）が流れてしまう。その結果、インバータ回路での消費電力も大きくなってしまう。また、図３３、図３５、図３６の回路においては、例えば、図３４（Ｂ）の破線で囲んだ箇所に示したように、入力電圧ＶinがＶddとなっている時、出力電圧ＶoutがＶssとはならず、出力電圧Ｖoutの波高値がばらついてしまう。その結果、画素回路１１２内の駆動トランジスタＴｒ100の閾値補正や移動度補正が画素回路１１２ごとにばらついてしまい、そのばらつきが輝度のばらつきとなってしまうという問題があった。
【００１３】
なお、上述の問題は、表示装置の走査回路に限って生じるものではなく、他のデバイスにおいても同様に生じ得るものである。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、消費電力を抑えつつ、出力電圧の波高値を所望の値にすることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１のインバータ回路は、互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタを備えたものである。このインバータ回路は、さらに、第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、入力端子および出力端子とを備えている。ここで、第１トランジスタは、入力端子の電圧（入力電圧）と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて出力端子と第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と出力端子との電気的な接続を継断するようになっている。第３トランジスタは、入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのゲートと第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第４トランジスタは、入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第１容量素子および第２容量素子は、入力端子と第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入されており、第１容量素子と第２容量素子との電気的な接続点が、第１端子に電気的に接続されている。第３容量素子は、第２トランジスタのゲートと出力端子との間に挿入されている。第５トランジスタは、第１容量素子の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と第１端子との電気的な接続を継断するようになっている。第６トランジスタは、入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２トランジスタのゲートと第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第７トランジスタは、第１端子の電圧と第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている。
【００１６】
本発明の第１の表示装置は、行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部を備えており、さらに、各画素を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有しており、駆動部内の各インバータ回路は、上記の第１のインバータ回路と同一の構成要素を含んでいる。
【００１７】
本発明の第１のインバータ回路および第１の表示装置では、第５トランジスタのゲートと第３電圧線との間には、入力電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第３トランジスタが設けられている。第７トランジスタのゲートと第４電圧線との間には、入力電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第４トランジスタが設けられている。第２トランジスタのゲートと第６電圧線との間には、入力電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第６トランジスタが設けられている。第２トランジスタのソースと第１電圧線との間には、入力電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第１トランジスタが設けられている。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。また、本発明では、入力端子と第５トランジスタのゲートとの間に、互いに直列に接続された第１容量素子および第２容量素子が挿入されている。さらに、第５トランジスタのソースが、第１容量素子と第２容量素子との間に電気的に接続されている。これにより、第５トランジスタのソースには、第１容量素子および第２容量素子が並列接続され、第５トランジスタのゲートには、第１容量素子および第２容量素子が直列接続されるので、第５トランジスタのソースの方が、第５トランジスタのゲートよりも、トランジェントが遅くなる。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第７トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第１トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【００１８】
本発明の第２のインバータ回路は、互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタを備えたものである。このインバータ回路は、さらに、第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、入力端子および出力端子とを備えている。ここで、第１トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、第１トランジスタのドレインおよびソースのうち第１電圧線に未接続の端子は出力端子に電気的に接続されている。第２トランジスタのゲートは第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、第２トランジスタのドレインおよびソースのうち第２電圧線に未接続の端子は出力端子に電気的に接続されている。第３トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、第３トランジスタのドレインおよびソースのうち第３電圧線に未接続の端子は第５トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第４トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、第４トランジスタのドレインおよびソースのうち第４電圧線に未接続の端子は第７トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、第５トランジスタのドレインおよびソースのうち第５電圧線に未接続の端子は第７トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第６トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、第６トランジスタのドレインおよびソースのうち第６電圧線に未接続の端子は第２トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、第７トランジスタのドレインおよびソースのうち第７電圧線に未接続の端子は第２トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第１容量素子および第２容量素子は、入力端子と第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入されている。第１容量素子と第２容量素子との電気的な接続点が、第７トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第３容量素子は、第２トランジスタのゲートと出力端子との間に挿入されている。
【００１９】
本発明の第２の表示装置は、行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部を備えており、さらに、各画素を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有しており、駆動部内の各インバータ回路は、上記の第２のインバータ回路と同一の構成要素を含んでいる。
【００２０】
本発明の第２のインバータ回路および第２の表示装置では、第５トランジスタのゲートと第３電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第３トランジスタが設けられている。第７トランジスタのゲートと第４電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第４トランジスタが設けられている。第２トランジスタのゲートと第６電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第６トランジスタが設けられている。第２トランジスタのソースと第１電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第１トランジスタが設けられている。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。また、本発明では、入力端子と第５トランジスタのゲートとの間に、互いに直列に接続された第１容量素子および第２容量素子が挿入されている。さらに、第５トランジスタのソースが、第１容量素子と第２容量素子との間に電気的に接続されている。これにより、第５トランジスタのソースには、第１容量素子および第２容量素子が並列接続され、第５トランジスタのゲートには、第１容量素子および第２容量素子が直列接続されるので、第５トランジスタのソースの方が、第５トランジスタのゲートよりも、トランジェントが遅くなる。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第７トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第１トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【００２１】
本発明の第３のインバータ回路は、互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタを備えたものである。このインバータ回路は、さらに、入力端子および出力端子と、制御素子とを備えたものである。制御素子は、入力端子に電気的に接続された第２端子と、第７トランジスタのゲートに電気的に接続された第３端子と、第５トランジスタのゲートに電気的に接続された第４端子とを有している。制御素子は、第２端子に立下り電圧または立上り電圧が入力されている時に第３端子のトランジェントを第４端子のトランジェントよりも緩やかにするようになっている。第１トランジスタは、入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて出力端子と第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と出力端子との電気的な接続を継断するようになっている。第３トランジスタは、入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのゲートと第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第４トランジスタは、入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第５トランジスタは、第４端子と第３端子との間の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と第１端子との電気的な接続を継断するようになっている。第６トランジスタは、入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２トランジスタのゲートと第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第７トランジスタは、第１端子の電圧と第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている。
【００２２】
本発明の第３の表示装置は、行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部を備えており、さらに、各画素を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有しており、駆動部内の各インバータ回路は、上記の第３のインバータ回路と同一の構成要素を含んでいる。
【００２３】
本発明の第３のインバータ回路および第３の表示装置では、第５トランジスタのゲートと第３電圧線との間には、入力電圧と第３電圧線の電圧との電位差に応じてオンオフ動作する第３トランジスタが設けられている。第７トランジスタのゲートと第４電圧線との間には、入力電圧と第４電圧線の電圧との電位差に応じてオンオフ動作する第４トランジスタが設けられている。第２トランジスタのゲートと第６電圧線との間には、入力電圧と第６電圧線の電圧との電位差に応じてオンオフ動作する第６トランジスタが設けられている。第２トランジスタのソースと第１電圧線との間には、入力電圧と第１電圧線の電圧との電位差に応じてオンオフ動作する第１トランジスタが設けられている。
【００２４】
これにより、第１トランジスタ〜第７トランジスタがｎチャネル型である場合には、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。一方、第１トランジスタ〜第７トランジスタがｐチャネル型である場合には、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。
【００２５】
また、本発明の第３のインバータ回路および第３の表示装置では、入力端子に電気的に接続された第２端子に立下り電圧が入力されている時に、第５トランジスタのソースに電気的に接続された第３端子のトランジェントが、第５トランジスタのゲートに電気的に接続された第４端子のトランジェントよりも緩やかとなる。
【００２６】
これにより、第１トランジスタ〜第７トランジスタがｎチャネル型である場合には、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第７トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第７トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。一方、第１トランジスタ〜第７トランジスタがｐチャネル型である場合には、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第７トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第７トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【００２７】
ところで、本発明の第１ないし第３のインバータ回路ならびに第１ないし第３の表示装置において、入力端子に入力された信号電圧の電圧波形を鈍らせた電圧を第３トランジスタのゲートに入力する遅延素子をさらに設けてもよい。このようにした場合には、第１トランジスタのゲートに入力される信号よりも遅延した信号が第３トランジスタのゲートに入力されるので、第１トランジスタおよび第３トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時またはローからハイに変移する時に第５トランジスタのゲート−第１端子間電圧が第５トランジスタの閾値電圧を超えるまでの時間を短縮することができる。
【００２８】
本発明の第４のインバータ回路は、互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタを備えたものである。このインバータ回路は、さらに、第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、第１抵抗素子と、入力端子および出力端子とを備えている。ここで、第１トランジスタは、入力端子の電圧（入力電圧）と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて出力端子と第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と出力端子との電気的な接続を継断するようになっている。第３トランジスタは、入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのゲートと第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第４トランジスタは、入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第５トランジスタは、第１容量素子の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と第１端子との電気的な接続を継断するようになっている。第６トランジスタは、入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２トランジスタのゲートと第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっている。第７トランジスタは、第１端子の電圧と第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている。第１容量素子が、第７トランジスタのゲートと、第２トランジスタのゲートとの間に接続されている。第２容量素子が、第７トランジスタのゲートと、入力端子との間に接続されている。第３容量素子は、第２トランジスタのゲートと出力端子との間に挿入されている。第１抵抗素子は、第８電圧線と第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている。
【００２９】
本発明の第４の表示装置は、行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部を備えており、さらに、各画素を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有しており、駆動部内の各インバータ回路は、上記の第４のインバータ回路と同一の構成要素を含んでいる。
【００３０】
本発明の第４のインバータ回路および第４の表示装置では、第５トランジスタのゲートと第３電圧線との間には、入力電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第３トランジスタが設けられている。第７トランジスタのゲートと第４電圧線との間には、入力電圧と第４電圧線の電圧またはそれに対応する電位差との電位差に応じてオンオフ動作する第４トランジスタが設けられている。第２トランジスタのゲートと第６電圧線との間には、入力電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第６トランジスタが設けられている。第２トランジスタのソースと第１電圧線との間には、入力電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じてオンオフ動作する第１トランジスタが設けられている。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。また、本発明では、第７トランジスタのゲートと第２トランジスタのゲートとの間に第１容量素子が挿入され、第７トランジスタのゲートと入力端子との間に第２容量素子が挿入されている。第５トランジスタのゲートが、第１抵抗素子と第３トランジスタとの接続点に電気的に接続されている。これにより、第７トランジスタのソースの方が、第７トランジスタのゲートよりも、トランジェントが遅くなる。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第５トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第１トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【００３１】
本発明の第５のインバータ回路は、互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタを備えたものである。このインバータ回路は、さらに、第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、第１抵抗素子と、入力端子および出力端子とを備えている。ここで、第１トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、第１トランジスタのドレインおよびソースのうち第１電圧線に未接続の端子は出力端子に電気的に接続されている。第２トランジスタのゲートは第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、第２トランジスタのドレインおよびソースのうち第２電圧線に未接続の端子は出力端子に電気的に接続されている。第３トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、第３トランジスタのドレインおよびソースのうち第３電圧線に未接続の端子は第５トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第４トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、第４トランジスタのドレインおよびソースのうち第４電圧線に未接続の端子は第７トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、第５トランジスタのドレインおよびソースのうち第５電圧線に未接続の端子は第７トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第６トランジスタのゲートは入力端子に電気的に接続され、第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、第６トランジスタのドレインおよびソースのうち第６電圧線に未接続の端子は第２トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、第７トランジスタのドレインおよびソースのうち第７電圧線に未接続の端子は第２トランジスタのゲートに電気的に接続されている。第１容量素子が、第７トランジスタのゲートと、第２トランジスタのゲートとの間に接続されている。第２容量素子が、第７トランジスタのゲートと、入力端子との間に接続されている。第３容量素子は、第２トランジスタのゲートと出力端子との間に挿入されている。第１抵抗素子は、第８電圧線と第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている。
【００３２】
本発明の第５の表示装置は、行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部を備えており、さらに、各画素を駆動する駆動部を備えている。駆動部は、走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有しており、駆動部内の各インバータ回路は、上記の第５のインバータ回路と同一の構成要素を含んでいる。
【００３３】
本発明の第５のインバータ回路および第５の表示装置では、第５トランジスタのゲートと第３電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第３トランジスタが設けられている。第７トランジスタのゲートと第４電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第４トランジスタが設けられている。第２トランジスタのゲートと第６電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第６トランジスタが設けられている。第２トランジスタのソースと第１電圧線との間には、ゲートが入力端子に接続された第１トランジスタが設けられている。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、第５トランジスタ、第７トランジスタおよび第２トランジスタのゲートおよびソースがそれぞれの電圧線の電圧に充電されるのに要する時間が短くなる。また、本発明では、第７トランジスタのゲートと第２トランジスタのゲートとの間に第１容量素子が挿入され、第７トランジスタのゲートと入力端子との間に第２容量素子が挿入されている。第５トランジスタのゲートが、第１抵抗素子と第３トランジスタとの接続点に電気的に接続されている。第５トランジスタのソースの方が、第５トランジスタのゲートよりも、トランジェントが遅くなる。これにより、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧よりも大きくなり、第５トランジスタがオンし、その直後に第３トランジスタがオフする。このとき、第７トランジスタがオンするとともに第４トランジスタがオフし、第２トランジスタがオンするとともに第６トランジスタがオフし、その後、第１トランジスタがオフする。その結果、出力電圧が第２電圧線側の電圧となる。また、例えば、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタおよび第１トランジスタのそれぞれのゲートがローからハイに変移する時に第３トランジスタ、第４トランジスタ、第６トランジスタがオンし、その直後に第５トランジスタがオフする。このとき、第２トランジスタがオフするとともに第１トランジスタがオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の第１ないし第５のインバータ回路ならびに第１ないし第５の表示装置によれば、第１トランジスタと第２トランジスタとが同時にオンしている期間がほとんどないようにした。これにより、第１トランジスタおよび第２トランジスタを介して、電圧線同士の間を流れる電流（貫通電流）はほんのわずかしか存在しないので、消費電力を抑えることができる。また、第１トランジスタのゲートがハイからローに変移したときに出力電圧が第２電圧線側の電圧または第１電圧線側の電圧となり、第１トランジスタのゲートがローからハイに変移したときに出力電圧が上記とは逆側の電圧となるようにした。これにより、出力電圧の波高値が所望の値からずれてしまうのを低減することができる。その結果、例えば、画素回路内の駆動トランジスタの閾値補正や移動度補正の、画素回路ごとのばらつきを低減することができ、さらには画素ごとの輝度のばらつきを低減することができる。
【００３５】
また、本発明の第１ないし第３のインバータ回路ならびに第１ないし第３の表示装置では、第１容量素子および第２容量素子が出力端子に直接接続されていないので、第５トランジスタのゲートおよびソースに入力されるカップリング量が出力段の寄生容量の影響を受けることがない。これにより、第５トランジスタのゲート−ソース間電圧を大きくすることができるので、インバータ回路を高速化することができる。同様に、本発明の第４および第５のインバータ回路ならびに第４および第５の表示装置でも、第１容量素子および第２容量素子が出力端子に直接接続されていないので、第７トランジスタのゲートおよびソースに入力されるカップリング量が出力段の寄生容量の影響を受けることがない。これにより、第７トランジスタのゲート−ソース間電圧を大きくすることができるので、インバータ回路を高速化することができる。
【００３６】
また、本発明の第１ないし第３のインバータ回路ならびに第１ないし第３の表示装置では、低電圧側と高電圧側とにおいて電圧線を１本に共通化することが可能である。従って、そのようにした場合には、インバータ回路の耐圧を上げる必要がなくなる。同様に、本発明の第４および第５のインバータ回路ならびに第４および第５の表示装置でも、低電圧側の電圧線を２本に抑え、高電圧側の電圧線を１本に共通化することが可能である。従って、そのようにした場合には、インバータ回路の耐圧を上げる必要がなくなる。
【００３７】
さらに、本発明の第１ないし第３のインバータ回路ならびに第１ないし第３の表示装置において、入力端子に入力された信号電圧の波形を鈍らせた電圧を第３トランジスタのゲートに入力するようにした場合には、第１トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタおよび第６トランジスタのそれぞれのゲートがハイからローに変移する時またはローからハイに変移する時に第５トランジスタのゲート−ソース間電圧が第５トランジスタの閾値電圧を超えるまでの時間を短縮することができる。これにより、回路動作をさらに高速化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るインバータ回路の一例を表す回路図である。
【図２】図１のインバータ回路の入出力信号波形の一例を表す波形図である。
【図３】図１のインバータ回路の動作の一例を表す波形図である。
【図４】図１のインバータ回路の動作の一例について説明するための回路図である。
【図５】図４に続く動作の一例について説明するための回路図である。
【図６】図５に続く動作の一例について説明するための回路図である。
【図７】図６に続く動作の一例について説明するための回路図である。
【図８】図７に続く動作の一例について説明するための回路図である。
【図９】図８に続く動作の一例について説明するための回路図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係るインバータ回路の一例を表す回路図である。
【図１１】図１のインバータ回路の寄生容量について説明するための回路図である。
【図１２】図１０のインバータ回路の寄生容量について説明するための回路図である。
【図１３】図１０のインバータ回路の動作の一例について説明するための波形図である。
【図１４】図１０のインバータ回路の動作の他の例について説明するための波形図である。
【図１５】図１０のインバータ回路の動作のその他の例について説明するための波形図である。
【図１６】図１０のインバータ回路の一変形例を表す回路図である。
【図１７】図１０のインバータ回路の他の変形例を表す回路図である。
【図１８】図１７のインバータ回路の動作の一例について説明するための波形図である。
【図１９】図１のインバータ回路に遅延素子を付加したものの一例を表す回路図である。
【図２０】図１０のインバータ回路に遅延素子を付加したものの一例を表す回路図である。
【図２１】図１６のインバータ回路に遅延素子を付加したものの一例を表す回路図である。
【図２２】図１９〜図２１の遅延素子のバリエーションを表す回路図である。
【図２３】図１９〜図２１のインバータ回路の動作の一例を表す波形図である。
【図２４】図１９〜図２１の遅延素子の入出力信号波形の例を表す波形図である。
【図２５】図１９〜図２１のインバータ回路の動作の一例について説明するための回路図である。
【図２６】本発明の第３の実施の形態に係るインバータ回路の一例を表す回路図である。
【図２７】図２６のインバータ回路の一変形例を表す回路図である。
【図２８】上記各実施の形態およびそれらの変形例のインバータ回路の適用例の一例である表示装置の概略構成図である。
【図２９】図２８の画素回路の一例を書込線駆動回路と共に表す回路図である。
【図３０】図２９の書込線駆動回路の内部構成の一例を表すブロック図である。
【図３１】図２８の表示装置の動作の一例を表す波形図である。
【図３２】従来の表示装置の画素回路の一例を表す回路図である。
【図３３】従来のインバータ回路の一例を表す回路図である。
【図３４】図３３のインバータ回路の入出力信号波形の一例を表す波形図である。
【図３５】従来のインバータ回路の他の例を表す回路図である。
【図３６】従来のインバータ回路のその他の例を表す回路図である。
【図３７】参考例に係るインバータ回路の一例を表す回路図である。
【図３８】参考例に係るインバータ回路の他の例を表す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（図１〜図９）
２．第２の実施の形態（図１０〜図１５）
３．上記各実施の形態の変形例（図１６〜図２５）
４．第３の実施の形態（図２６、図２７）
５．適用例（図２８〜図３１）
６．従来技術の説明（図３２〜図３６）
７．参考技術の説明（図３７、図３８）
【００４０】
＜第１の実施の形態＞
[構成]
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るインバータ回路１の全体構成の一例を表したものである。インバータ回路１は、入力端子ＩＮに入力されたパルス信号の信号波形（例えば図２（Ａ））をほぼ反転させたパルス信号（例えば図２（Ｂ））を出力端子ＯＵＴから出力するものである。インバータ回路１は、アモルファスシリコンやアモルファス酸化物半導体上に好適に形成されるものであり、例えば、互いに同一のチャネル型の７つのトランジスタＴｒ1〜Ｔｒ7を備えたものである。インバータ回路１は、上記の７つのトランジスタＴｒ1〜Ｔｒ7の他に、３つの容量素子Ｃ1〜Ｃ3と、入力端子ＩＮおよび出力端子ＯＵＴとを備えており、７Ｔｒ３Ｃの回路構成となっている。
【００４１】
トランジスタＴｒ1が本発明の「第１トランジスタ」の一具体例に相当し、トランジスタＴｒ2が本発明の「第２トランジスタ」の一具体例に相当し、トランジスタＴｒ3が本発明の「第３トランジスタ」の一具体例に相当する。また、トランジスタＴｒ4が本発明の「第４トランジスタ」の一具体例に相当し、トランジスタＴｒ5が本発明の「第５トランジスタ」の一具体例に相当する。また、トランジスタＴｒ6が本発明の「第６トランジスタ」の一具体例に相当し、トランジスタＴｒ7が本発明の「第７トランジスタ」の一具体例に相当する。また、容量素子Ｃ1が本発明の「第１容量素子」の一具体例に相当し、容量素子Ｃ2が本発明の「第２容量素子」の一具体例に相当し、容量素子Ｃ3が本発明の「第３容量素子」の一具体例に相当する。
【００４２】
トランジスタＴｒ1〜Ｔｒ7は、互いに同一チャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、例えば、ｎチャネルＭＯＳ(金属酸化膜半導体: Metal Oxide Semiconductor)型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。トランジスタＴｒ1は、例えば、入力端子ＩＮの電圧（入力電圧Ｖin）と低電圧線ＬLの電圧ＶLとの電位差Ｖgs1（またはそれに対応する電位差）に応じて、出力端子ＯＵＴと低電圧線ＬLとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ1のゲートが入力端子ＩＮに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ1のソースまたはドレインが低電圧線ＬLに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ1のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子が出力端子ＯＵＴに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ2は、トランジスタＴｒ7のソースまたはドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子（端子Ａ）の電圧Ｖs7と、出力端子ＯＵＴの電圧（出力電圧Ｖout）との電位差Ｖgs2（またはそれに対応する電位差）に応じて高電圧線ＬHと出力端子ＯＵＴとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ2のゲートがトランジスタＴｒ7の端子Ａに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ2のソースまたはドレインが出力端子ＯＵＴに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ2のソースおよびドレインのうち出力端子ＯＵＴに未接続の端子が高電圧線ＬHに電気的に接続されている。
【００４３】
トランジスタＴｒ3は、入力電圧Ｖinと低電圧線ＬLの電圧ＶLとの電位差Ｖgs3（またはそれに対応する電位差）に応じてトランジスタＴｒ5のゲートと低電圧線ＬLとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ3のゲートが入力端子ＩＮに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ3のソースまたはドレインが低電圧線ＬLに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ3のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子がトランジスタＴｒ5のゲートに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ4は、入力電圧Ｖinと低電圧線ＬLの電圧ＶLとの電位差Ｖgs4（またはそれに対応する電位差）に応じてトランジスタＴｒ5のソースおよびドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子（端子Ｂ）と低電圧線ＬLとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ4のゲートが入力端子ＩＮに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ4のソースまたはドレインが低電圧線ＬLに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ4のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子がトランジスタＴｒ5の端子Ｂに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ5は、容量素子Ｃ1の端子間電圧Ｖgs5（またはそれに対応する電位差）に応じて高電圧線ＬHと端子Ｂとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ5のゲートがトランジスタＴｒ3のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子に電気的に接続されている。トランジスタＴｒ5のソースまたはドレインが高電圧線ＬHに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ5のソースおよびドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子（端子Ｂ）がトランジスタＴｒ7のゲートと、トランジスタＴｒ4のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子とに接続されている。
【００４４】
トランジスタＴｒ6は、入力電圧Ｖinと低電圧線ＬLの電圧ＶLとの電位差Ｖgs6（またはそれに対応する電位差）に応じてトランジスタＴｒ7のソースおよびドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子（端子Ａ）と低電圧線ＬLとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ6のゲートが入力端子ＩＮに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ6のソースまたはドレインが低電圧線ＬLに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ6のソースおよびドレインのうち低電圧線ＬLに未接続の端子がトランジスタＴｒ7の端子Ａに電気的に接続されている。つまり、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6は互いの同一の電圧線（低電圧線ＬL）に接続されている。従って、トランジスタＴｒ1の低電圧線ＬL側の端子と、トランジスタＴｒ3の低電圧線ＬL側の端子と、トランジスタＴｒ4の低電圧線ＬL側の端子と、トランジスタＴｒ6の低電圧線ＬL側の端子とは、互いに同電位となっている。トランジスタＴｒ7は、トランジスタＴｒ5のソースまたはドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子（端子Ｂ）の電圧Ｖs5と、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2との電位差Ｖgs7（またはそれに対応する電位差）に応じて高電圧線ＬHとトランジスタＴｒ2のゲートとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ7のゲートがトランジスタＴｒ5の端子Ｂに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ7のソースまたはドレインがトランジスタＴｒ2のゲートに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ7のソースおよびドレインのうちトランジスタＴｒ2のゲートに未接続の端子が高電圧線ＬHに電気的に接続されている。つまり、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7は互いの同一の電圧線（高電圧線ＬH）に接続されている。従って、トランジスタＴｒ2の高電圧線ＬH側の端子と、トランジスタＴｒ5の高電圧線ＬH側の端子と、トランジスタＴｒ7の高電圧線ＬH側の端子とは、互いに同電位となっている。
【００４５】
低電圧線ＬＬが本発明の「第１電圧線」、「第３電圧線」、「第４電圧線」、「第６電圧線」の一具体例に相当する。高電圧線ＬHが本発明の「第２電圧線」、「第５電圧線」、「第７電圧線」の一具体例に相当する。
【００４６】
高電圧線ＬHは、低電圧線ＬLの電圧ＶLよりも高電圧（一定電圧）を出力する電源（図示せず）に接続されている。高電圧線ＬHの電圧は、インバータ回路１の駆動時にＶddとなっている。Ｖddは、入力端子ＩＮに印加される信号電圧（入力電圧Ｖin）のハイ電圧と同じ電圧値となっている。一方、低電圧線ＬLは、高電圧線ＬHの電圧ＶHよりも低電圧（一定電圧）を出力する電源（図示せず）に接続されており、低電圧線ＬLの電圧ＶLは、インバータ回路１の駆動時に電圧Ｖss（＜Ｖdd1）となっている。
【００４７】
容量素子Ｃ1，Ｃ2は、入力端子ＩＮとトランジスタＴｒ5のゲートとの間に直列に挿入されている。容量素子Ｃ1と容量素子Ｃ2との電気的な接続点Ｄが、トランジスタＴｒ5の端子Ｂに電気的に接続されている。容量素子Ｃ1はトランジスタＴｒ5のゲート側に挿入されており、容量素子Ｃ2はトランジスタＴｒ1のゲート側に挿入されている。容量素子Ｃ2の容量は、容量素子Ｃ1の容量よりも大きくなっている。容量素子Ｃ1，Ｃ2のそれぞれの容量は、以下の式（１）を満たしていることが好ましい。容量素子Ｃ1，Ｃ2が数１を満たすならば、後述する入力電圧Ｖinが立ち下がった時、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧をその閾値電圧Ｖth5以上とすることができ、トランジスタＴｒ5をオン状態とすることができる。その結果、出力電圧Ｖoutがローからハイに変移することができる。
Ｃ2（Ｖdd−Ｖss）／（Ｃ1＋Ｃ2）＞Ｖth5…（１）
【００４８】
ここで、容量素子Ｃ1，Ｃ2を含む回路部分は、インバータ回路１において、制御素子１０を構成している。制御素子１０は、例えば、図１に示したように、入力端子ＩＮに電気的に接続された端子Ｐ1、トランジスタＴｒ5の端子Ｂに電気的に接続された端子Ｐ2、およびトランジスタＴｒ5のゲートに電気的に接続された端子Ｐ3を有している。
【００４９】
端子Ｐ1が、本発明の「第２端子」の一具体例に相当し、端子Ｐ2が、本発明の「第３端子」の一具体例に相当し、端子Ｐ3が、本発明の「第４端子」の一具体例に相当する。
【００５０】
制御素子１０は、例えば、端子Ｐ1に立下り電圧が入力されている時に端子Ｐ2のトランジェントを端子Ｐ3のトランジェントよりも緩やかにするようになっている。具体的には、制御素子１０は、例えば、入力端子ＩＮに立下り電圧が入力されている時にトランジスタＴｒ5のソースのトランジェントをトランジスタＴｒ5のゲートのトランジェントよりも緩やかにするようになっている。なお、制御素子１０の動作説明は、下記のインバータ回路１の動作説明と併せて行うものとする。トランジスタＴｒ5のソースは、本発明の「第１端子」の一具体例に相当する。
【００５１】
ところで、インバータ回路１は、図３５に示した参考例に係るインバータ回路６００との関係では、出力段のトランジスタＴｒ1，Ｔｒ2と、中段のトランジスタＴｒ4，Ｔｒ5との間に、トランジスタＴｒ6，Ｔｒ7と、容量素子Ｃ3とを挿入したものに相当する。このように、インバータ回路６００において、トランジスタＴｒ6，Ｔｒ7と、容量素子Ｃ3とを挿入することにより、後に詳述するように、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のドレインに接続した電圧線を共通化することが可能となる。
【００５２】
[動作]
次に、図３〜９を参照しつつ、インバータ回路１の動作の一例について説明する。図３は、インバータ回路１の動作の一例を表す波形図である。図４〜図９は、インバータ回路１の一連の動作の一例を表す回路図である。
【００５３】
まず、入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）の時、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6がオンする。すると、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のゲート電圧Ｖg2，Ｖg5，Ｖg7およびソース電圧Ｖs2，Ｖs5，Ｖs7が低電圧線ＬLの電圧ＶL（＝Ｖss）に充電される（図３、図４）。これにより、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7がオフ（Ｖgs2，Ｖgs5，Ｖgs7＝０Ｖでオフする場合）し、電圧Ｖssが出力電圧Ｖoutとして出力される。このとき、容量素子Ｃ2には、Ｖdd−Ｖssという電圧が充電される。
【００５４】
次に、入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変化（低下）する時、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のゲート電圧Ｖg1，Ｖg3，Ｖg4，Ｖg6もＶddからＶssに変化（低下）する（図３、図５）。これにより、トランジスタＴｒ1のゲート電圧Ｖg1の変化が容量素子Ｃ2を介してトランジスタＴｒ7のゲートに伝播し、トランジスタＴｒ7のゲート電圧Ｖg7がΔＶ1’だけ変化（低下）する。さらに、トランジスタＴｒ1のゲート電圧Ｖg1の変化が容量素子Ｃ1，Ｃ2を介してトランジスタＴｒ5のゲートにも伝播し、トランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖg5がΔＶ2’だけ変化（低下）する。しかし、この時、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6がオンしている。そのため、低電圧線ＬLからトランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のソースおよびゲートに向かって電流が流れるので、その電流がそれらをＶssに充電しようとする。
【００５５】
ここで、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のゲート電圧はＶddからＶssに変化（低下）していくので、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のオン抵抗が徐々に大きくなり、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のソースおよびゲートを低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電するのに要する時間が長くなる。
【００５６】
さらに、トランジスタＴｒ5のソースおよびゲートから見える全容量を比較すると、トランジスタＴｒ5のソースには容量素子Ｃ1，Ｃ2が並列接続され、トランジスタＴｒ5のゲートには容量素子Ｃ1，Ｃ2が直列接続されている。このことから、トランジスタＴｒ5のソースの方が、トランジスタＴｒ5のゲートよりも、トランジェントが遅くなる。その結果、トランジスタＴｒ5のソースを低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電するのに要する時間の方がトランジスタＴｒ5のゲートを低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電するのに要する時間よりも長くなる。
【００５７】
また、入力電圧ＶinがＶss＋Ｖth3以上となっており、さらに、Ｖss＋Ｖth4以上となっている場合は、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4は線形領域で動作する。なお、Ｖth3はトランジスタＴｒ3の閾値電圧であり、Ｖth4はトランジスタＴｒ4の閾値電圧である。一方、入力電圧ＶinがＶss＋Ｖth3未満となっており、さらに、Ｖss＋Ｖth4未満となっている場合は、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4は飽和領域で動作する。従って、トランジスタＴｒ5のソースおよびゲートには、図５に示したような電流が流れるが、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4は、それぞれの点を電圧Ｖssに充電することができない。
【００５８】
最終的に、入力電圧ＶinがＶddからＶssになった時、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧Ｖgs5はΔＶ1−ΔＶ2となる（図３、図６）。このとき、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧Ｖgs5がトランジスタＴｒ5の閾値電圧Ｖth5よりも大きくなった時点で、トランジスタＴｒ5がオンし、高電圧線ＬHから電流が流れ始める。
【００５９】
トランジスタＴｒ5がオンしている時は、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5は、トランジスタＴｒ4に加えて、トランジスタＴｒ5によっても上昇する。また、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間には容量素子Ｃ1が接続されているので、ブートストラップが生じ、トランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖg5も、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5の上昇に連動して上昇する。その後、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5およびゲート電圧Ｖg5がＶss−Ｖth3以上となり、さらに、Ｖss−Ｖth4以上となった時点で、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4がオフし、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5およびゲート電圧Ｖg5がトランジスタＴｒ5のみによって上昇する。
【００６０】
一定時間経過後、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖg5（トランジスタＴｒ7のゲート電圧Ｖs2）がＶss＋Ｖth7以上となると、トランジスタＴｒ7がオンし、トランジスタＴｒ7に電流が流れ始める（図３、図７）。なお、Ｖth7はトランジスタＴｒ7の閾値電圧である。その結果、トランジスタＴｒ7のソース電圧Ｖg7（トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2）は、Ｖssから徐々に上昇する。
【００６１】
ここで、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2およびソース電圧Ｖs2について考える。トランジスタＴｒ2のゲートソース間には、容量素子Ｃ3が接続されている。この容量素子Ｃ3によって、ブートストラップが生じ、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2とトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2とが連動して変化する。トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2はトランジスタＴｒ7からの電流とトランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の上昇とによって上昇する。そのため、トランジスタＴｒ2の電流のみで上昇する場合と比べて、トランジスタＴｒ2のゲートのトランジェントは速くなる。その結果、トランジスタＴｒ2のゲートソース間電圧Ｖgs2は徐々に増加してゆく。
【００６２】
このとき、トランジスタＴｒ7のゲート電圧Ｖg7は、トランジスタＴｒ5がオンしているので、トランジスタＴｒ7のソース電圧Ｖs7の上昇に追随せず、最終的に高電圧線ＬHの電圧ＶH（＝Ｖdd）となる。これにより、トランジスタＴｒ7からの電流はトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2（トランジスタＴｒ7のソース電圧Ｖs7）の上昇と共に小さくなってゆく。トランジスタＴｒ7のゲート−ソース間電圧Ｖgs7がトランジスタＴｒ7の閾値電圧Ｖth7になった時を考えると、高電圧線ＬHから流れる電流はかなり小さくなり、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2はトランジスタＴｒ7の電流によって殆ど変化しなくなってしまう。しかし、このとき、トランジスタＴｒ2はオン状態であり、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2は上昇しているので、ブートストラップ動作によってトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2も上昇を続ける。その結果、トランジスタＴｒ7は完全にオフする。このとき、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2がΔＶxであったとする。そのとき、ΔＶxがトランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2よりも大きければ、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2およびソース電圧Ｖs2は、トランジスタＴｒ7がオフした後も上昇を続け、最終的に高電圧線ＬHの電圧ＶH（＝Ｖdd）がＶoutとして出力される（図３、図８）。
【００６３】
そして、さらに一定時間経過後、入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd1）に変化（上昇）する（図３、図９）。このとき、入力電圧ＶinがＶss＋Ｖth3よりも低くなっており、さらに、Ｖss＋Ｖth4よりも低くなっている段階では、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4はオフしている。そのため、容量素子Ｃ1，Ｃ2を介したカップリングがトランジスタＴｒ5のソースおよびゲートに入力され、トランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5およびゲート電圧Ｖg5が上昇する。その後、入力電圧ＶinがＶss＋Ｖth1、Ｖss＋Ｖth3、Ｖss＋Ｖth6およびＶss＋Ｖth4以上となると、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6がオンする。そのため、トランジスタＴｒ2のソース（出力端子ＯＵＴ）およびゲート、ならびにトランジスタＴｒ5のソースおよびゲートに向かって電流が流れるので、その電流がそれらをＶssに充電しようとする。
【００６４】
ここで、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のゲート電圧Ｖg1，Ｖg3，Ｖg4はＶddからＶssに変化（上昇）していくので、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4のオン抵抗が徐々に小さくなり、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5のソースおよびゲートを低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電するのに要する時間が相対的に短くなる。最終的に、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2、ならびにトランジスタＴｒ5のソース電圧Ｖs5およびゲート電圧Ｖg5がＶssとなり、出力端子からはＶssが出力される（図３、図４）。
【００６５】
以上のようにして、本実施の形態のインバータ回路１では、入力端子ＩＮに入力されたパルス信号の信号波形（例えば図２（Ａ））をほぼ反転させたパルス信号（例えば図２（Ｂ））が出力端子ＯＵＴから出力される。
【００６６】
[効果]
ところで、例えば、図３３に示したような従来のインバータ回路２００は、２つのｎチャネルＭＯＳ型のトランジスタＴｒ1，Ｔｒ2が直列接続された単チャネル型の回路構成となっている。インバータ回路２００では、例えば、図３４に示したように、入力電圧ＶinがＶssとなっている時、出力電圧ＶoutがＶddとはならず、Ｖdd−Ｖth2となってしまう。つまり、出力電圧Ｖoutには、トランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2が含まれており、出力電圧Ｖoutは、トランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2のばらつきの影響を大きく受けてしまう。
【００６７】
そこで、例えば、図３５のインバータ回路３００に示したように、トランジスタＴｒ2のゲートとドレインとを互いに電気的に分離し、ドレインの電圧Ｖddよりも高い電圧Ｖdd2（≧Ｖdd＋Ｖth2）が印加される高電圧配線ＬH2にゲートを接続することが考えられる。また、例えば、図３６のインバータ回路４００に示したようなブートストラップ型の回路構成が考えられる。
【００６８】
しかし、図３３、図３５、図３６のいずれの回路においても、入力電圧Ｖinがハイとなっている時、つまり、出力電圧Ｖoutがローとなっている時まで、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ2を介して、高電圧配線ＬH側から低電圧配線ＬL側に向かって電流（貫通電流）が流れてしまう。その結果、インバータ回路での消費電力も大きくなってしまう。また、図３３、図３５、図３６の回路においては、例えば、図３４（Ｂ）の破線で囲んだ箇所に示したように、入力電圧ＶinがＶddとなっている時、出力電圧ＶoutがＶssとはならず、出力電圧Ｖoutの波高値がばらついてしまう。そのため、例えば、これらのインバータ回路を、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置におけるスキャナに用いた場合には、画素回路内の駆動トランジスタの閾値補正や移動度補正が画素回路ごとにばらついてしまい、そのばらつきが輝度のばらつきとなってしまうという。
【００６９】
一方、本実施の形態のインバータ回路１では、トランジスタＴｒ5のゲートと低電圧線ＬLとの間、トランジスタＴｒ7のゲートと低電圧線ＬLとの間、トランジスタＴｒ2のゲートと低電圧線ＬLとの間、トランジスタＴｒ2のソースと低電圧線ＬLとの間には、入力電圧Ｖinと低電圧線ＬLの電圧ＶLとの電位差に応じてオンオフ動作するトランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6が設けられている。これにより、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのゲート電圧がハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変移（低下）する時に、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのオン抵抗が徐々に大きくなり、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のゲートおよびソースが低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電されるのに要する時間が長くなる。さらに、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのゲート電圧がロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）する時に、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのオン抵抗が徐々に小さくなり、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7のゲートおよびソースが低電圧線ＬLの電圧ＶLに充電されるのに要する時間が短くなる。また、本発明では、入力端子ＩＮとトランジスタＴｒ5のゲートとの間に、互いに直列に接続された第１容量素子および第２容量素子が挿入されている。さらに、トランジスタＴｒ5のソースが、容量素子Ｃ1と容量素子Ｃ2との間に電気的に接続されている。これにより、トランジスタＴｒ5のソースには、容量素子Ｃ1および容量素子Ｃ2が並列接続され、トランジスタＴｒ5のゲートには、容量素子Ｃ1および容量素子Ｃ2が直列接続される。その結果、トランジスタＴｒ5のソースの方が、トランジスタＴｒ5のゲートよりも、トランジェントが遅くなる。これにより、トランジスタＴｒ3、トランジスタＴｒ4、トランジスタＴｒ6およびトランジスタＴｒ1のそれぞれのゲートが電圧がハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変移（低下）する時に、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧Ｖgs5がトランジスタＴｒ5の閾値電圧Ｖth5よりも大きくなり、トランジスタＴｒ5がオンし、その直後にトランジスタＴｒ4がオフする。このとき、トランジスタＴｒ7がオンするとともにトランジスタＴｒ4がオフし、トランジスタＴｒ2がオンするとともにトランジスタＴｒ6がオフし、その後、トランジスタＴｒ7がオフする。その結果、出力電圧Ｖoutが高電圧線ＬH側の電圧となる。また、トランジスタＴｒ3、トランジスタＴｒ4、トランジスタＴｒ6およびトランジスタＴｒ1のそれぞれのゲートが電圧がロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）する時に、トランジスタＴｒ3、トランジスタＴｒ4、トランジスタＴｒ6がオンし、その直後にトランジスタＴｒ5がオフする。このとき、トランジスタＴｒ2がオフするとともにトランジスタＴｒ1がオンするので、出力電圧が第１電圧線側の電圧となる。
【００７０】
このように、本実施の形態のインバータ回路１では、トランジスタＴｒ1とトランジスタＴｒ2とが同時にオンしている期間や、トランジスタＴｒ4とトランジスタＴｒ5とが同時にオンしている期間、トランジスタＴｒ6とトランジスタＴｒ7とが同時にオンしている期間がほとんどないようにした。これにより、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ2、トランジスタＴｒ4，Ｔｒ5、またはトランジスタＴｒ6，Ｔｒ7を介して、高電圧線ＬHと低電圧線ＬLとの間を流れる電流（貫通電流）はほとんど存在しない。その結果、消費電力を抑えることができる。また、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのゲート電圧がハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変移（低下）したときに出力電圧Ｖoutが高電圧線ＬH側の電圧となり、トランジスタＴｒ1，Ｔｒ3，Ｔｒ4，Ｔｒ6のそれぞれのゲート電圧がロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）したときに出力電圧Ｖoutが低電圧線ＬL側の電圧となるようにした。これにより、出力電圧Ｖoutのばらつきをなくすことができる。その結果、例えば、画素回路内の駆動トランジスタの閾値補正や移動度補正の、画素回路ごとのばらつきを低減することができ、さらには画素ごとの輝度のばらつきを低減することができる。
【００７１】
また、本実施の形態では、容量素子Ｃ1，Ｃ2が出力端子ＯＵＴに直接接続されていないので、トランジスタＴｒ5のゲートおよびソースに入力されるカップリング量が出力段の寄生容量の影響を受けることがない。これにより、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧Ｖgs5を大きくすることができるので、インバータ回路１を高速化することができる。
【００７２】
また、本実施の形態では、インバータ回路１には低電圧側と高電圧側とで１つずつしか電圧線が設けられておらず、しかも、高電圧側の電圧線である高電圧線ＬHの電圧は、インバータ回路１の駆動時に、入力端子ＩＮに印加される信号電圧（入力電圧Ｖin）のハイ電圧と同じ電圧値（Ｖdd）となっている。従って、インバータ回路１の耐圧は、図３３、図３５、図３６に示したような従来タイプのインバータ回路の耐圧と同様でよく、インバータ回路１の耐圧を上げる必要がない。これにより、インバータ回路１内の素子に耐圧の高いものを使う必要がなく、また、耐圧不具合による歩留まりの低下もないことから、製造コストを低く抑えることができる。
【００７３】
また、本実施の形態では、インバータ回路１には最低限の数の電圧線しか設けられておらず、また、容量素子Ｃ2の容量を大きくしなくても、上述したようにインバータ回路１の高速化を実現することができる。これにより、例えば、有機ＥＬ表示装置において、インバータ回路１をスキャナなどに用いた場合に、表示パネルにおいて周囲（額縁）の占有面積を小さくすることができ、狭額縁化を実現することができる。
【００７４】
＜第２の実施の形態＞
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係るインバータ回路２の全体構成の一例を表したものである。インバータ回路２は、上記実施の形態のインバータ回路１と同様、入力端子ＩＮに入力されたパルス信号の信号波形（例えば図２（Ａ））をほぼ反転させたパルス信号（例えば図２（Ｂ））を出力端子ＯＵＴから出力するものである。インバータ回路２は、上記実施の形態のインバータ回路１において、容量素子Ｃ3の容量を大きくするとともに、出力端子ＯＵＴと低電圧線ＬLとの間に補助容量Ｃsubを設けたものであり、それらの点で、上記実施の形態のインバータ回路１の構成と相違する。以下では、まず、上記実施の形態のインバータ回路１において生じ得る課題について説明し、その後で、本実施の形態のインバータ回路２の特徴部分について説明するものとする。なお、補助容量Ｃsubは、本発明の「第４容量素子」の一具体例に相当する。
【００７５】
[課題]
上記実施の形態のインバータ回路１のトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2とソース電圧Ｖs2（出力電圧Ｖout）について考える。上述したように、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2は、トランジスタＴｒ7からの電流と、容量素子Ｃ3を介するトランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の上昇とによって上昇する。このとき、トランジスタＴｒ7からの電流は、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の上昇と共に減少してゆくので、トランジスタＴｒ7がオフした後は、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2はトランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の上昇によってのみ上昇することになる。インバータ回路１において、トランジスタＴｒ2のゲートには図１１に示すような寄生容量Ｃgs2、Ｃgd2が存在する。そのため、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の変化量ΔＶｇは、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の変化量ΔＶｓに対して、数１で示されるようにある一定の割合ｇで変化することとなる。この割合ｇをブートストラップゲインと呼ぶ。
【数１】
【００７６】
ここで、インバータ回路１の高速化を考えた場合、出力電圧Ｖoutを出力するトランジスタＴｒ1，Ｔｒ2のサイズを大きくすることが一般的である。トランジスタＴｒ1を大きくした場合には、入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）した時に、トランジスタＴｒ1のゲート−ソース間に、より多くの電流を流すことができる。従って、トランジスタＴｒ1を大きくした方が、出力電圧Ｖoutの立下りのトランジェントが速くなる。
【００７７】
次に、トランジスタＴｒ2のサイズを大きくした場合について考える。トランジスタＴｒ2は、入力電圧Ｖinによって直接動作する訳ではなく、トランジスタＴｒ7からの電流によって動作する。トランジスタＴｒ7によってトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2が上昇すると、図１２に示すようにトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間の容量Ｃgs2を介して出力端子ＯＵＴにカップリングが入力される。そのカップリング量（変化量ΔＶｓ）は数２に示されるとおりである。
【数２】
【００７８】
このとき、変化量ΔＶｇに対する変化量ΔＶｓの比率βを入力ゲインと呼ぶ。なお、図１２には、出力端子ＯＵＴと低電圧線ＬLとの間に、寄生容量Ｃoutが生じている様子が示されている。
【００７９】
トランジスタＴｒ7によってトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2がその閾値電圧Ｖth2を超えた場合、トランジスタＴｒ2から電流が流れ、出力電圧Ｖoutは上昇する。トランジスタＴｒ2のサイズが大きい場合、トランジスタＴｒ2の電流駆動能力は高いので、トランジスタＴｒ2のＶgs2がＶth2＋Ｖaとなると、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖgs2は上昇を開始する。電圧Ｖaは、トランジスタＴｒ2のサイズが大きいので、小さな値である。このとき、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の単位時間あたりの変化量に対して、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の単位時間あたりの変化量（図１３に示すグラフの傾き）が大きい場合、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2は時間と共に小さくなってゆく。また、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2がＶdd−Ｖth7に近づくと、トランジスタＴｒ2は自身の電流によってそのゲート電圧Ｖg2およびソース電圧Ｖs2を上昇させる。このとき、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2はさらにブートストラップゲインｇによって徐々に低下してゆく。
【００８０】
したがって、電圧Ｖaの値が小さく、ブートストラップゲインｇも小さい場合には、最終的に、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2がＶddに到達する前にトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2がトランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2となってしまう。そのため、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2はそれ以上上昇することができなくなる。その結果、トランジスタＴｒ2はＶddを出力することができない。
【００８１】
この対策として、ブートストラップゲインｇを上げるために容量素子Ｃ3の容量を大きくすることが考えられる。しかし、そのようにした場合には、入力ゲインが大きくなってしまう。入力ゲインが大きくなると、図１４に示すように、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2がトランジスタＴｒ2の閾値電圧Ｖth2以下の時に、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の変化に対してソース電位Ｖs2が大きく上昇する。これにより、トランジスタＴｒ2のソース電位Ｖs2が上昇を始める点が時間的に早まることとなる。その結果、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の変化があまり大きくない部分でトランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2は上昇を始めることとなり、トランジスタＴｒ2は閾値補正を行ってしまう。つまり、トランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2の変化量に対してソース電圧Ｖs2の変化量が大きく、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2はどんどん小さくなり、最終的に閾値電圧Ｖth2という値となってしまう。従って、この場合でも、トランジスタＴｒ2はＶddを出力することができない。
【００８２】
[インバータ回路２]
一方、本実施の形態のインバータ回路２では、容量素子Ｃ3の容量が大きくなっており、さらに出力端子ＯＵＴと低電圧線ＬLとの間に補助容量Ｃsubが設けられている。
【００８３】
補助容量Ｃsubが設けられている場合、ブートストラップゲインｇには、数３に示したように、補助容量Ｃsubの影響はない。その一方で、入力ゲインβには、数４に示したように、補助容量Ｃsubが分母に入ることから、補助容量Ｃsubによって入力ゲインβは小さくなる。
【数３】
【数４】
【００８４】
次に、インバータ回路２において、トランジスタＴｒ2のサイズを大きくした場合について考える。補助容量Ｃsubが出力端子ＯＵＴと低電圧線ＬLとの間に形成されることにより、図１５に示すようにトランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2が上昇を開始する点は時間的に遅れる。このとき、上昇を開始した時のゲート−ソース間電圧Ｖgs2はＶth2＋Ｖbという値となる。
【００８５】
ここで、Ｖb＞Ｖaである。なぜなら、補助容量Ｃsubが存在する場合と、存在しない場合とを対比すると、トランジスタＴｒ2のソース電圧Ｖs2の変動量は、同じ大きさの電流が流れていても補助容量Ｃsubが存在する場合の方が小さいからである。これは、補助容量Ｃsubが存在しない場合には、補助容量Ｃsubが存在する場合と同じだけのソース電圧Ｖs2の変動量を得るためにはトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2を大きくする必要があることに起因している。
【００８６】
このように、インバータ回路２では、ソース電圧Ｖs2の上昇開始点を遅らせて、Ｖbの値を大きくしている。これにより、トランジスタＴｒ2からの電流やブートストラップゲインｇによってトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2の値が小さくなったとしても、最終的に、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2をその閾値電圧Ｖth2よりも大きな値に維持することができる。その結果、トランジスタＴｒ2からＶddという値を出力することができる。
【００８７】
＜上記各実施の形態の変形例＞
上記第２の実施の形態において、例えば、図１６に示したように、容量素子Ｃ3をなくしてもよい。この場合、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間には、寄生容量Ｃgs2が存在しており、その寄生容量Ｃgs2によるブートストラップゲインが存在する。そのため、補助容量Ｃsubを設けるだけで、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2を大きくすることができる。その結果、入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）した時に、出力電圧Ｖoutとして、Ｖddを出力することができる。
【００８８】
また、上記第２の実施の形態において、例えば、図１７のインバータ回路４に示したように、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ5と、容量素子Ｃ1，Ｃ2をなくし、その代わりに、トランジスタＴｒ8，Ｔｒ9と、容量素子Ｃ4を新たに設けてもよい。このインバータ回路４は、容量素子Ｃ4に保持された電荷をトランジスタＴｒ7のゲートへ入力してトランジスタＴｒ2のゲート電圧Ｖg2を上昇させ、出力電圧ＶoutとしてＶddを出力するものである。
【００８９】
トランジスタＴｒ8，Ｔｒ9は、互いに同一チャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。トランジスタＴｒ8は、例えば、入力端子ＡＺ１に入力される電圧と、容量素子Ｃ4の両端子のうち低電圧線ＬLに未接続の端子（端子Ｅ）の電圧との電位差Ｖgs8（またはそれに対応する電位差）に応じて、高電圧線ＬHと端子Ｅとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ8のゲートが入力端子ＡＺ１に電気的に接続されており、トランジスタＴｒ8のソースまたはドレインが高電圧線ＬHに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ8のソースおよびドレインのうち高電圧線ＬHに未接続の端子が容量素子Ｃ4の端子Ｅに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ9は、入力端子ＡＺ２に入力される電圧とトランジスタＴｒ8のソースの電圧Ｖs8（端子Ｅの電圧）との電位差Ｖgs9（またはそれに対応する電位差）に応じて、トランジスタＴｒ8のソース（端子Ｅ）とトランジスタＴｒ7のゲートとの電気的な接続を継断するようになっている。トランジスタＴｒ9のゲートが入力端子ＡＺ２に電気的に接続されている。トランジスタＴｒ9のソースまたはドレインがトランジスタＴｒ8のソース（端子Ｅ）に電気的に接続されており、トランジスタＴｒ9のソースおよびドレインのうち端子Ｅに未接続の端子がトランジスタＴｒ7のゲートに電気的に接続されている。
【００９０】
入力端子ＡＺ１には、例えば、図１８（Ｂ）に示したようなパルス信号が印加される。入力端子ＡＺ２には、例えば、図１８（Ｃ）に示したように、入力端子ＡＺ１に印加されるパルス信号と逆位相のパルス信号が印加される。これにより、出力電圧ＶoutとしてＶddを出力することができる。
【００９１】
また、上記各実施の形態において、例えば、図１９、図２０、図２１に示したように、入力端子ＩＮとトランジスタＴｒ3のゲートの間に、遅延素子３を設けてもよい。
【００９２】
遅延素子３は、入力端子ＯＵＴに入力された信号電圧の電圧波形を鈍らせた電圧をトランジスタＴｒ3のゲートに入力するものである。遅延素子３は、例えば、電圧波形の立ち下がりを、入力端子ＯＵＴに入力された信号電圧の電圧波形の立ち下がりよりも緩やかにした電圧をトランジスタＴｒ3のゲートに入力するようになっている。なお、遅延素子３は、電圧波形の立ち下がりだけでなく、立ち上がりについても、入力端子ＯＵＴに入力された信号電圧の電圧波形の立ち上がりよりも緩やかにするようになっていてもよい。ただし、その場合には、遅延素子３は、立ち下がりの方が立ち上がりよりも、より緩やかになるように、入力端子ＯＵＴに入力された信号電圧の電圧波形を鈍らせるようになっている。
【００９３】
遅延素子３は、例えば、図２２（Ａ）〜（Ｄ）に示した回路構成となっている。図２２（Ａ）においては、遅延素子３は、容量素子Ｃ5を含んで構成されている。容量素子Ｃ5の一端がトランジスタＴｒ3のゲートに電気的に接続されており、容量素子Ｃ5の他端が低電圧線ＬLに電気的に接続されている。
【００９４】
図２２（Ｂ）においては、遅延素子３はトランジスタＴｒ10を含んで構成されている。トランジスタＴｒ10は、トランジスタＴｒ1等のチャネル型と同一チャネル型のトランジスタであり、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型のＴＦＴである。トランジスタＴｒ10のソースがトランジスタＴｒ3のゲートに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ10のドレインが入力端子ＩＮに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ10のゲートは高電圧線ＬH3に電気的に接続されている。高電圧線ＬH3は、トランジスタＴｒ10をオンオフ動作させるパルス信号を出力する電源（図示せず）に電気的に接続されている。
【００９５】
図２２（Ｃ）においては、遅延素子３は、上述のトランジスタＴｒ10と、トランジスタＴｒ11とを含んで構成されている。トランジスタＴｒ11は、トランジスタＴｒ1等のチャネル型と同一チャネル型のトランジスタであり、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型のＴＦＴである。トランジスタＴｒ11のゲートおよびソースがトランジスタＴｒ3のゲートに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ11のドレインが入力端子ＩＮに電気的に接続されている。
【００９６】
図２２（Ｄ）においては、遅延素子３は、上述のトランジスタＴｒ10と、上述の容量素子Ｃ5とを含んで構成されている。
【００９７】
[動作・効果]
図２３は、本変形例に係るインバータ回路の動作の一例を表したものである。なお、図２３には、遅延素子３として、図２２（Ｄ）に示した回路構成を有するものが用いられたときの波形が示されている。本変形例に係るインバータ回路の基本的な動作は、図３〜図８に示すものと同様である。図３〜図８に示すものと相違する箇所は、入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変移（低下）するときと、ロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）するときにある。
【００９８】
入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）からロー（Ｖss）に変移（低下）するとき、トランジスタＴｒ3，Ｔｒ4のゲート電圧はＶddからＶssへ変化する。上記実施の形態のインバータ回路１，２では、この電圧変化が、容量素子Ｃ2を介してトランジスタＴｒ5のソースへΔＶ1という電圧変化を生じさせ、さらに容量素子Ｃ1，Ｃ2を介してトランジスタＴｒ5のゲートへΔＶ2という電圧変化を生じさせていた。ここで、トランジスタＴｒ5のゲートにΔＶ2というカップリング量が入力されていたのは、トランジスタＴｒ3のゲート電圧ＶがＶddからＶssに低下してゆき、その結果、トランジスタＴｒ3のオン抵抗が徐々に増加し、トランジスタＴｒ5のゲートをＶssに充電するトランジェントが遅くなるからである。換言すると、トランジスタＴｒ5のゲートにΔＶ2というカップリング量が入力されるのは、カップリングが入力されるタイミングでトランジスタＴｒ3がオンからオフに切り替わるからである。
【００９９】
一方、本変形例では、遅延素子３によって、入力端子ＩＮに入力された信号電圧を図２４に示したように鈍らせた信号電圧がトランジスタＴｒ3のゲートに入力される。これにより、トランジスタＴｒ3のオフ点（オンとオフが切り替わる点）が入力電圧ＶinをそのままトランジスタＴｒ3のゲートに入力した場合と比べて遅くなる。つまり、トランジスタＴｒ3は、容量素子Ｃ2を介したカップリングが入力されるタイミングでもオンしていることになる（図２５）。そのため、最終的にトランジスタＴｒ5のゲートに入力されるカップリング量（ΔＶ2）を従来よりも小さくすることができ、トランジスタＴｒ5のゲートソース間電圧Ｖgs5を大きくすることが可能となる。その結果、インバータ回路の高速化が実現できる。
【０１００】
本変形例では、入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）からハイ（Ｖdd）に変移（上昇）する場合でも、トランジスタＴｒ3のゲートには、遅延素子３によって、入力端子ＩＮに入力された信号電圧を図２４に示したように鈍らせた信号電圧が入力される。そのため、トランジスタＴｒ3のオフ点が遅くなるので、トランジスタＴｒ1がオンした後にトランジスタＴｒ3がオンすることとなり、出力電圧Ｖoutが遷移状態である時に高電圧線ＬHから低電圧線ＬLへ電流（貫通電流）が流れる可能性がある。しかし、実際には、トランジスタＴｒ3のオンする動作点と、トランジスタＴｒ3のゲートに入力される信号電圧の波形とを考えると、トランジスタＴｒ3のゲートに入力される信号電圧の遅延によっても、図２５に示すように立ち上りにおいてはトランジスタＴｒ3のオンする時間は殆ど変わらず、逆に立ち下がりにおいてはオフする時間が大きく変化する。そのため、上述した貫通電流が流れる期間は非常に微小であり、本変形例に係るインバータ回路の消費電力は、インバータ回路１，２の消費電力とあまり変わらない。
【０１０１】
ところで、上記各実施の形態では、トランジスタＴｒ5のソースおよびゲートに、入力電圧Ｖinの変化に起因するカップリングを入力し、トランジスタＴｒ5のソースおよびゲートにおけるトランジェントの差を利用して、トランジスタＴｒ5のゲート−ソース間電圧Ｖgs5をトランジスタＴｒ5の閾値電圧Ｖth5以上の値にしている。このとき、出力端子ＯＵＴには、高電圧線ＬH側の電圧が出力電圧Ｖoutとして出力されるが、出力端子ＯＵＴのトランジェントは、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2に大きく依存する。つまり、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2が早く大きくなる場合は、出力電圧Ｖoutが早く立ち上がり、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2がゆっくり大きくなる場合は、出力電圧Ｖoutの立ち上がりもゆっくりとなる。
【０１０２】
そこで、インバータ回路を高速化する際にはトランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2を早く立ち上げればよいことになるが、その方法として、例えば、容量素子Ｃ2の容量を大きくすることが考えられる。しかし、容量素子Ｃ2の容量を大きくした場合には、インバータ回路の占有面積が大きくなってしまう。その結果、例えば、有機ＥＬ表示装置において、容量素子Ｃ2の容量を大きくしたインバータ回路をスキャナなどに用いた場合は、表示パネルにおいて周囲（額縁）の占有面積が大きくなってしまい、狭額縁化を阻害してしまう虞がある。また、容量素子Ｃ2の容量を大きくした場合には、トランジスタＴｒ2のソース（出力端子ＯＵＴ）に、ΔＶ1よりも大きな電圧変化が生じるが、その分、トランジスタＴｒ2のゲートにも、ΔＶ2よりも大きな電圧変化が生じる。その結果、トランジスタＴｒ2のゲート−ソース間電圧Ｖgs2は、容量素子Ｃ2の容量を大きくした割りに、ΔＶ1−ΔＶ2とさほど変わらない値となってしまい、容量素子Ｃ2の容量増大がインバータ回路１の高速化にあまり寄与しない。
【０１０３】
一方、本変形例では、遅延素子３によって、入力端子ＩＮに入力された信号電圧を図２４に示したように鈍らせた信号電圧がトランジスタＴｒ3のゲートに入力される。これにより、容量素子Ｃ2の容量を増大させることなく、インバータ回路の高速化が実現できる。
【０１０４】
また、上記各実施の形態およびそれらの変形例では、トランジスタＴｒ1〜Ｔｒ11が、ｎチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されていたが、例えば、ｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されていてもよい。ただし、この場合には、高電圧線ＬHが低電圧線ＬLに置き換えられ、高電圧線ＬHが低電圧線ＬLに置き換えられる。また、トランジスタＴｒ1〜Ｔｒ11がローからハイに変移（上昇）する時の過渡応答と、トランジスタＴｒ1〜Ｔｒ11がハイからローに変移（下降）する時の過渡応答とが互いに逆となる。
【０１０５】
＜第３の実施の形態＞
図２６は、本発明の第３の実施の形態に係るインバータ回路３の全体構成の一例を表したものである。インバータ回路３は、インバータ回路１との関係では、容量素子Ｃ1を削除し、トランジスタＴｒ7のゲート−ソース間に容量素子Ｃ6を追加したものに相当する。また、インバータ回路３は、インバータ回路１との関係では、トランジスタＴｒ5のゲートと、トランジスタＴｒ3のソースまたはドレインとを、抵抗Ｒ1を介して高電圧線ＬHに接続したものに相当する。さらに、インバータ回路３は、インバータ回路１との関係では、低電圧線ＬLを２つの低電圧線ＬL1，ＬL2に分け、一方の低電圧線ＬL1をトランジスタＴｒ1，Ｔｒ4，Ｔｒ5に接続し、他方の低電圧線ＬL2を、抵抗Ｒ2を介してトランジスタＴｒ3のソースおよびドレインのうち抵抗Ｒ1に未接続の端子に接続したものに相当する。なお、抵抗Ｒ2は、トランジスタＴｒ3のオン抵抗を含んだものであり、具体的には、トランジスタＴｒ3がオンしたときにトランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖｇ５がトランジスタＴｒ5のオン電圧より小さくなるような値となっている。
【０１０６】
[動作・効果]
入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）のときは、トランジスタＴｒ3はオンしている。そのため、トランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖｇ5は、高電圧線ＬHおよび低電圧線ＬL2の電位差を、抵抗Ｒ1，Ｒ2のそれぞれの抵抗値で分圧した値で決まる。例えば、高電圧線ＬHの電圧が１５Ｖ、低電圧線ＬL2の電圧が−６Ｖとなっているとき、トランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖｇ5は、１Ｖとなっている。このとき、トランジスタＴｒ4もオンしているので、トランジスタＴｒ7のゲート電圧Ｖｇ7は、低電圧線ＬL1の電圧Ｖss（例えば０Ｖ）となっている。各トランジスタＴｒ1〜Ｔｒ7の閾値電圧が２Ｖとなっているとすると、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ5，Ｔｒ7は全て、オフしており、出力端子ＯＵＴからは低電圧線ＬL1の電圧と等しい電圧が出力される。
【０１０７】
入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）になると、トランジスタＴｒ7のゲート電圧Ｖｇ7は、容量素子Ｃ6，Ｃ2のカップリングによって低下する。このとき、トランジスタＴｒ3はオフするので、トランジスタＴｒ5のゲート電圧Ｖｇ5は、抵抗Ｒ1を通じてゆっくり上昇し、これにより、トランジスタＴｒ5がオンし、続けて、トランジスタＴｒ2，Ｔｒ7もオンする。その結果、出力端子ＯＵＴから、高電圧線ＬHの電圧と等しい電圧が出力される。
【０１０８】
このように、本実施の形態では、入力電圧Ｖinがハイ（Ｖdd）のときに、低電圧線ＬL1の電圧と等しい電圧が出力端子ＯＵＴから出力され、入力電圧Ｖinがロー（Ｖss）のときに、高電圧線ＬHの電圧と等しい電圧が出力端子ＯＵＴから出力される。これにより、出力電圧Ｖoutのばらつきをなくすことができる。従って、例えば、インバータ回路３をディスプレイパネルのスキャナーに適用することにより、スキャナーの出力ばらつきをなくすることができ、その結果、画素のラインごとの輝度のばらつきを抑えることができる。
【０１０９】
また、本実施の形態では、容量素子Ｃ6，Ｃ2が出力端子ＯＵＴに直接接続されていないので、トランジスタＴｒ7のゲートおよびソースに入力されるカップリング量が出力段の寄生容量の影響を受けることがない。これにより、トランジスタＴｒ7のゲート−ソース間電圧Ｖgs7を大きくすることができるので、インバータ回路５を高速化することができる。
【０１１０】
また、本実施の形態では、インバータ回路５には低電圧側に２つの電圧線、高電圧側に１つの電圧線しか設けられておらず、しかも、高電圧側の電圧線である高電圧線ＬHの電圧は、インバータ回路１の駆動時に、入力端子ＩＮに印加される信号電圧（入力電圧Ｖin）のハイ電圧と同じ電圧値（Ｖdd）となっている。従って、インバータ回路５の耐圧は、図３３、図３５、図３６に示したような従来タイプのインバータ回路の耐圧と同様でよく、インバータ回路１の耐圧を上げる必要がない。これにより、インバータ回路５内の素子に耐圧の高いものを使う必要がなく、また、耐圧不具合による歩留まりの低下もないことから、製造コストを低く抑えることができる。
【０１１１】
また、本実施の形態では、インバータ回路５には最低限の数の電圧線しか設けられておらず、また、容量素子Ｃ2の容量を大きくしなくても、上述したようにインバータ回路５の高速化を実現することができる。これにより、例えば、有機ＥＬ表示装置において、インバータ回路５をスキャナなどに用いた場合に、表示パネルにおいて周囲（額縁）の占有面積を小さくすることができ、狭額縁化を実現することができる。
【０１１２】
＜適用例＞
図２８は、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係るインバータ回路１，２，４，５の適用例の一例である表示装置１００の全体構成の一例を表したものである。この表示装置１００は、例えば、表示パネル１１０（表示部）と、駆動回路１２０（駆動部）とを備えている。
【０１１３】
（表示パネル１１０）
表示パネル１１０は、発光色の互いに異なる３種類の有機ＥＬ素子１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂが２次元配置された表示領域１１０Ａを有している。表示領域１１０Ａとは、有機ＥＬ素子１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂから発せられる光を利用して映像を表示する領域である。有機ＥＬ素子１１１Ｒは赤色光を発する有機ＥＬ素子であり、有機ＥＬ素子１１１Ｇは緑色光を発する有機ＥＬ素子であり、有機ＥＬ素子１１１Ｂは青色光を発する有機ＥＬ素子である。なお、以下では、有機ＥＬ素子１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂの総称として有機ＥＬ素子１１１を適宜、用いるものとする。
【０１１４】
（表示領域１１０Ａ）
図２９は、表示領域１０Ａ内の回路構成の一例を、後述の書込線駆動回路１２４の一例と共に表したものである。表示領域１１０Ａ内には、複数の画素回路１１２が個々の有機ＥＬ素子１１１と対となって２次元配置されている。なお、本適用例では、一対の有機ＥＬ素子１１１および画素回路１１２が１つの画素１１３を構成している。より詳細には、図２８に示したように、一対の有機ＥＬ素子１１１Ｒおよび画素回路１１２が１つの赤色用の画素１１３Ｒを構成し、一対の有機ＥＬ素子１１１Ｇおよび画素回路１１２が１つの緑色用の画素１１３Ｇを構成し、一対の有機ＥＬ素子１１１Ｂおよび画素回路１１２が１つの青色用の画素１１３Ｂを構成している。さらに、互いに隣り合う３つの画素１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂが１つの表示画素１１４を構成している。
【０１１５】
各画素回路１１２は、例えば、有機ＥＬ素子１１１に流れる電流を制御する駆動トランジスタＴｒ100と、信号線ＤＴＬの電圧を駆動トランジスタＴｒ100に書き込む書き込みトランジスタＴｒ200と、保持容量Ｃsとによって構成されたものであり、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。駆動トランジスタＴｒ100および書き込みトランジスタＴｒ200は、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により形成されている。駆動トランジスタＴｒ100または書き込みトランジスタＴｒ200は、例えば、ｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴであってもよい。
【０１１６】
表示領域１１０Ａにおいて、複数の書込線ＷＳＬ（走査線）が行状に配置され、複数の信号線ＤＴＬが列状に配置されている。表示領域１１０Ａには、さらに、複数の電源線ＰＳＬ（電源電圧の供給される部材）が書込線ＷＳＬに沿って行状に配置されている。各信号線ＤＴＬと各書込線ＷＳＬとの交差点近傍には、有機ＥＬ素子１１１が１つずつ設けられている。各信号線ＤＴＬは、後述の信号線駆動回路１２３の出力端（図示せず）と、書き込みトランジスタＴｒ200のドレイン電極およびソース電極のいずれか一方（図示せず）に接続されている。各書込線ＷＳＬは、後述の書込線駆動回路１２４の出力端（図示せず）と、書き込みトランジスタＴｒ200のゲート電極（図示せず）に接続されている。各電源線ＰＳＬは、後述の電源線駆動回路１２５の出力端（図示せず）と、駆動トランジスタＴｒ100のドレイン電極およびソース電極のいずれか一方（図示せず）に接続されている。書き込みトランジスタＴｒ200のドレイン電極およびソース電極のうち信号線ＤＴＬに未接続の方（図示せず）は、駆動トランジスタＴｒ100のゲート電極（図示せず）と、保持容量Ｃsの一端に接続されている。駆動トランジスタＴｒ100のドレイン電極およびソース電極のうち電源線ＰＳＬに未接続の方（図示せず）と保持容量Ｃsの他端とが、有機ＥＬ素子１１１のアノード電極（図示せず）に接続されている。有機ＥＬ素子１１１のカソード電極（図示せず）は、例えば、グラウンド線ＧＮＤに接続されている。
【０１１７】
（駆動回路１２０）
次に、駆動回路１２０内の各回路について、図２８、図２９を参照して説明する。駆動回路１２０は、タイミング生成回路１２１、映像信号処理回路１２２、信号線駆動回路１２３、書込線駆動回路１２４、および電源線駆動回路１２５を有している。
【０１１８】
タイミング生成回路１２１は、映像信号処理回路１２２、信号線駆動回路１２３、書込線駆動回路１２４、および電源線駆動回路１２５が連動して動作するように制御するものである。タイミング生成回路１２１は、例えば、外部から入力された同期信号１２０Ｂに応じて（同期して）、上述した各回路に対して制御信号１２１Ａを出力するようになっている。
【０１１９】
映像信号処理回路１２２は、外部から入力された映像信号１２０Ａに対して所定の補正を行うと共に、補正した後の映像信号１２２Ａを信号線駆動回路１２３に出力するようになっている。所定の補正としては、例えば、ガンマ補正や、オーバードライブ補正などが挙げられる。
【０１２０】
信号線駆動回路１２３は、制御信号１２１Ａの入力に応じて（同期して）、映像信号処理回路１２２から入力された映像信号１２２Ａ（信号電圧Ｖsig）を各信号線ＤＴＬに印加して、選択対象の画素１１３に書き込むものである。なお、書き込みとは、駆動トランジスタＴｒ1のゲートに所定の電圧を印加することを指している。
【０１２１】
信号線駆動回路１２３は、例えばシフトレジスタ（図示せず）を含んで構成されており、画素１１３の各列に対応して、１段ごとにバッファ回路（図示せず）を備えている。この信号線駆動回路１２３は、制御信号１２１Ａの入力に応じて（同期して）、各信号線ＤＴＬに対して、２種類の電圧（Ｖofs、Ｖsig）を出力可能となっている。具体的には、信号線駆動回路１２３は、各画素１１３に接続された信号線ＤＴＬを介して、書込線駆動回路１２４により選択された画素１１３へ２種類の電圧（Ｖofs、Ｖsig）を順番に供給するようになっている。
【０１２２】
ここで、オフセット電圧Ｖofsは、信号電圧Ｖsigの値に依らず一定電圧値となっている。また、信号電圧Ｖsigは、映像信号１２２Ａに対応する電圧値となっている。信号電圧Ｖsigの最小電圧はオフセット電圧Ｖofsよりも低い電圧値となっており、信号電圧Ｖsigの最大電圧はオフセット電圧Ｖofsよりも高い電圧値となっている。
【０１２３】
書込線駆動回路１２４は、例えば、図３０に示したように、シフトレジスタＳＲおよびインバータＩＮＶが交互に接続されたユニットと、このユニット内のインバータＩＮＶの出力に接続されたバッファ回路６とを含んで構成されている。バッファ回路６は、画素１１３の各行に対応して、１段ずつ設けられている。上記のユニットは、シフトレジスタＳＲに入力される同期パルスＣｋ（図示せず）によって、入力転送パルスＳｔを１Ｈ遅らせて、後段のインバータＩＮＶに転送するようになっている。インバータＩＮＶは、入力パルスを反転するとともに、その波形を整形し、後段のシフトレジスタＳＲに転送するようになっている。書込線駆動回路１２４は、この一連の動きを、例えば表示パネル１１０の縦の画素数分だけ行うようになっている。
【０１２４】
バッファ回路６は、上述したインバータ回路１，２，４，５を複数含んで構成されたものであり、入力端に入力されたパルス信号の位相とほぼ同一位相のパルス信号を出力端から出力するものである。書込線駆動回路１２４は、制御信号１２１Ａの入力に応じて（同期して）、各書込線ＷＳＬに対して、２種類の電圧（Ｖdd、Ｖss）を出力可能となっている。具体的には、書込線駆動回路１２４は、各画素１１３に接続された書込線ＷＳＬを介して、駆動対象の画素１１３へ２種類の電圧（Ｖdd、Ｖss）を供給し、書き込みトランジスタＴｒ200を制御するようになっている。
【０１２５】
ここで、電圧Ｖddは、書き込みトランジスタＴｒ200のオン電圧以上の値となっている。Ｖddは、後述の消光時や閾値補正時に、書込線駆動回路１２４から出力される電圧値である。Ｖssは、書き込みトランジスタＴｒ200のオン電圧よりも低い値となっており、かつ、Ｖddよりも低い値となっている。
【０１２６】
電源線駆動回路１２５は、例えばシフトレジスタ（図示せず）を含んで構成されており、例えば、画素１１３の各行に対応して、１段ごとにバッファ回路（図示せず）を備えている。この電源線駆動回路１２５は、制御信号１２１Ａの入力に応じて（同期して）、２種類の電圧（ＶccH、ＶccL）を出力可能となっている。具体的には、電源線駆動回路１２５は、各画素１１３に接続された電源線ＰＳＬを介して、駆動対象の画素１１３へ２種類の電圧（ＶccH、ＶccL）を供給し、有機ＥＬ素子１１１の発光および消光を制御するようになっている。
【０１２７】
ここで、電圧ＶccLは、有機ＥＬ素子１１１の閾値電圧Ｖelと、有機ＥＬ素子１１１のカソードの電圧Ｖcaとを足し合わせた電圧（Ｖel＋Ｖca）よりも低い電圧値である。また、電圧ＶccHは、電圧（Ｖel＋Ｖca）以上の電圧値である。
【０１２８】
次に、本適用例の表示装置１００の動作（消光から発光までの動作）の一例について説明する。本適用例では、駆動トランジスタＴｒ100の閾値電圧Ｖthや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子１１１の発光輝度を一定に保つようにするために、閾値電圧Ｖthや移動度μの変動に対する補正動作が組み込まれている。
【０１２９】
図３１は、画素回路１１２に印加される電圧波形の一例と、駆動トランジスタＴｒ100のゲート電圧Ｖgおよびソース電圧Ｖsの変化の一例とを表したものである。図３１（Ａ）には信号線ＤＴＬに、信号電圧Ｖsigと、オフセット電圧Ｖofsが印加されている様子が示されている。図３１（Ｂ）には書込線ＷＳＬに、書き込みトランジスタＴｒ200をオンする電圧Ｖddと、書き込みトランジスタＴｒ200をオフする電圧Ｖssが印加されている様子が示されている。図３１（Ｃ）には電源線ＰＳＬに、電圧ＶccHと、電圧ＶccLが印加されている様子が示されている。さらに、図３１（Ｄ），（Ｅ）には、電源線ＰＳＬ、信号線ＤＴＬおよび書込線ＷＳＬへの電圧印加に応じて、駆動トランジスタＴｒ100のゲート電圧Ｖgおよびソース電圧Ｖsが時々刻々変化している様子が示されている。
【０１３０】
（Ｖth補正準備期間）
まず、Ｖth補正の準備を行う。具体的には、書込線ＷＳＬの電圧がＶoffとなっており、電源線ＤＳＬの電圧がＶccHとなっている時（つまり有機ＥＬ素子１１１が発光している時）に、電源線駆動回路１２５が電源線ＤＳＬの電圧をＶccHからＶccLに下げる（Ｔ1）。すると、ソース電圧ＶsがＶccLとなり、有機ＥＬ素子１１１が消光する。その後、信号線ＤＴＬの電圧がＶofsとなっている時に書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶoffからＶonに上げ、駆動トランジスタＴｒ100のゲートをＶofsとする。
【０１３１】
（最初のＶth補正期間）
次に、Ｖthの補正を行う。具体的には、書込みトランジスタＴｒ200がオンしており、信号線ＤＴＬの電圧がＶofsとなっている間に、電源線駆動回路１２５が電源線ＤＳＬの電圧をＶccLからＶccHに上げる（Ｔ2）。すると、駆動トランジスタＴr100のドレイン−ソース間に電流Ｉdsが流れ、ソース電圧Ｖsが上昇する。その後、信号線駆動回路１２３が信号線ＤＴＬの電圧をＶofsからＶsigに切り替える前に、書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶonからＶoffに下げる（Ｔ3）。すると、駆動トランジスタＴr100のゲートがフローティングとなり、Ｖthの補正が休止する。
【０１３２】
（最初のＶth補正休止期間）
Ｖth補正が休止している期間中は、例えば、先のＶth補正を行った行（画素）とは異なる他の行（画素）において、信号線ＤＴＬの電圧のサンプリングが行われる。なお、このとき、先のＶth補正を行った行（画素）において、ソース電圧ＶsがＶofs−Ｖthよりも低いので、Ｖth補正休止期間中にも、先のＶth補正を行った行（画素）において、駆動トランジスタＴｒ100のドレイン−ソース間に電流Ｉdsが流れ、ソース電圧Ｖsが上昇し、保持容量Ｃsを介したカップリングによりゲート電圧Ｖgも上昇する。
【０１３３】
（２回目のＶth補正期間）
次に、Ｖth補正を再び行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶofsとなっており、Ｖth補正が可能となっている時に、書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶoffからＶonに上げ、駆動トランジスタＴｒ100のゲートをＶofsにする（Ｔ4）。このとき、ソース電圧ＶsがＶofs−Ｖthよりも低い場合（Ｖth補正がまだ完了していない場合）には、駆動トランジスタＴｒ100がカットオフするまで（ゲート−ソース間電圧ＶgsがＶthになるまで）、駆動トランジスタＴｒ100のドレイン−ソース間に電流Ｉdsが流れる。その後、信号線駆動回路１２３が信号線ＤＴＬの電圧をＶofsからＶsigに切り替える前に、書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶonからＶoffに下げる（Ｔ5）。すると、駆動トランジスタＴｒ100のゲートがフローティングとなるので、ゲート−ソース間電圧Ｖgsを信号線ＤＴＬの電圧の大きさに拘わらず一定に維持することができる。
【０１３４】
なお、このＶth補正期間において、保持容量ＣsがＶthに充電され、ゲート−ソース間電圧ＶgsがＶthとなった場合には、駆動回路１２０は、Ｖth補正を終了する。しかし、ゲート−ソース間電圧ＶgsがＶthにまで到達しない場合には、駆動回路１２０は、ゲート−ソース間電圧ＶgsがＶthに到達するまで、Ｖth補正と、Ｖth補正休止とを繰り返し実行する。
【０１３５】
（書き込み・μ補正期間）
Ｖth補正休止期間が終了した後、書き込みとμ補正を行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶsigとなっている間に、書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶoffからＶonに上げ（Ｔ6）、駆動トランジスタＴr1のゲートを信号線ＤＴＬに接続する。すると、駆動トランジスタＴr100のゲート電圧Ｖgが信号線ＤＴＬの電圧Ｖsigとなる。このとき、有機ＥＬ素子１１１のアノード電圧はこの段階ではまだ有機ＥＬ素子１１１の閾値電圧Ｖelよりも小さく、有機ＥＬ素子１１１はカットオフしている。そのため、電流Ｉdsは有機ＥＬ素子１１１の素子容量（図示せず）に流れ、素子容量が充電されるので、ソース電圧ＶsがΔＶyだけ上昇し、やがてゲート−ソース間電圧ＶgsがＶsig＋Ｖth−ΔＶyとなる。このようにして、書き込みと同時にμ補正が行われる。ここで、駆動トランジスタＴr100の移動度μが大きい程、ΔＶyも大きくなるので、ゲート−ソース間電圧Ｖgsを発光前にΔＶyだけ小さくすることにより、画素１１３ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。
【０１３６】
（発光期間）
最後に、書込線駆動回路１２４が書込線ＷＳＬの電圧をＶonからＶoffに下げる（Ｔ7）。すると、駆動トランジスタＴr100のゲートがフローティングとなり、駆動トランジスタＴr100のドレイン−ソース間に電流Ｉdsが流れ、ソース電圧Ｖsが上昇する。その結果、有機ＥＬ素子１１１に閾値電圧Ｖel以上の電圧が印加され、有機ＥＬ素子１１１が所望の輝度で発光する。
【０１３７】
本適用例の表示装置１００では、上記のようにして、各画素１１３において画素回路１１２がオンオフ制御され、各画素１１３の有機ＥＬ素子１１１に駆動電流が注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こり、その光が外部に取り出される。その結果、表示パネル１１０の表示領域１１０Ａにおいて画像が表示される。
【０１３８】
ところで、本適用例では、例えば、書込線駆動回路１２４内のバッファ回路６は、上述したインバータ回路１，２，４を複数含んで構成されている。これにより、バッファ回路６内を流れる貫通電流はほとんど存在しないので、バッファ回路６の消費電力を抑えることができる。また、バッファ回路６の出力電圧のばらつきが少ないので、画素回路１１２内の駆動トランジスタＴr100の閾値補正や移動度補正の、画素回路１１２ごとのばらつきを低減することができ、さらには画素１１３ごとの輝度のばらつきを低減することができる。
【０１３９】
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明は実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【０１４０】
例えば、上記各実施の形態およびそれらの変形例では、高電圧側の電圧線および低電圧側の電圧線がそれぞれ１本ずつ設けられていたが、例えば、高電圧側の複数のトランジスタのうち少なくとも１つと接続された電圧線が、他の高電圧側のトランジスタに接続された電圧線と非共有となっていてもよい。同様に、例えば、低電圧側の複数のトランジスタのうち少なくとも１つと接続された電圧線が、他の低電圧側のトランジスタに接続された電圧線と非共有となっていてもよい。
【０１４１】
また、例えば、上記適用例では、上記各実施の形態に係るインバータ回路１，２，４が書込線駆動回路１２４の出力段に用いられていたが、書込線駆動回路１２４の出力段の代わりに、電源線駆動回路１２５の出力段に用いられていてもよいし、書込線駆動回路１２４の出力段と共に、電源線駆動回路１２５の出力段に用いられていてもよい。
【符号の説明】
【０１４２】
１，２，４，５，２００，３００，４００，５００，６００…インバータ回路、３…遅延素子、６…バッファ回路、１０…制御素子、１００…表示装置、１１０…表示パネル、１１０Ａ…表示領域、１１１，１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂ…有機ＥＬ素子、１１２…画素回路、１１３，１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂ…画素、１１４…表示画素、１２０…駆動回路、１２０Ａ，１２２Ａ…映像信号、１２０Ｂ…同期信号、１２１…タイミング生成回路、１２１Ａ…制御信号、１２２…映像信号処理回路、１２３…信号線駆動回路、１２４…書込線駆動回路、１２５…電源線駆動回路、Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3，…端子、Ｃ，Ｄ…接続点、Ｃ1〜Ｃ5…容量素子、Ｃs…保持容量、ＤＴＬ…信号線、ＧＮＤ…グラウンド線、ＩＮ，ＡＺ１，ＡＺ２…入力端子、Ｉds…電流、ＬH，ＬH1，ＬH2…高電圧線、ＬL，ＬL1，ＬL2…低電圧線、ＯＵＴ…出力端子、Ｐ…ＷＳパルス、ＰＳＬ…電源線、Ｔｒ1〜Ｔｒ12…トランジスタ、Ｔｒ100…駆動トランジスタ、Ｔｒ200…書き込みトランジスタ、ＶCCH，ＶCCL，Ｖdd，Ｖdd2，ＶH，ＶL，Ｖss，Ｖy，ΔＶ1’，ΔＶ2’，ΔＶ1，ΔＶ2…電圧、Ｖg，Ｖg1〜Ｖg5…ゲート電圧、Ｖgs，Ｖgs，Ｖgs2，Ｖgs5…ゲート−ソース間電圧、ΔＶｇ，ΔＶｓ…変化量、Ｖin…入力電圧、Ｖofs…オフセット電圧、Ｖout…出力電圧、Ｖs，Ｖs2，Ｖs5…ソース電圧、Ｖsig…信号電圧、Ｖth，Ｖth1〜Ｖth5，Ｖel…閾値電圧、ＷＳＬ…書込線、μ…移動度、ΔＶx…カップリング量。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
入力端子および出力端子と
を備え、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第１容量素子および前記第２容量素子は、前記入力端子と前記第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入されており、
前記第１容量素子と前記第２容量素子との電気的な接続点が、前記第１端子に電気的に接続されており、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されており、
前記第５トランジスタは、前記第１容量素子の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている
インバータ回路。
【請求項２】
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
入力端子および出力端子と
を備え、
前記第１トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第１電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第２トランジスタのゲートは前記第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第２電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第３トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３電圧線に未接続の端子は前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第４電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、前記第５トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第５電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第６電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、前記第７トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第７電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１容量素子および前記第２容量素子は、前記入力端子と前記第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入され、
前記第１容量素子と前記第２容量素子との電気的な接続点が、前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されている
インバータ回路。
【請求項３】
前記第２容量素子は、前記第１トランジスタのゲート側に挿入されており、
前記第２容量素子の容量は、前記第１容量素子の容量よりも大きくなっている
請求項１または請求項２に記載のインバータ回路。
【請求項４】
前記第１容量素子および前記第２容量素子のそれぞれの容量は、以下の式を満たす
請求項３に記載のインバータ回路。
Ｃ2（Ｖdd−Ｖss）／（Ｃ1＋Ｃ2）＞Ｖth5
Ｃ1：前記第１容量素子の容量
Ｃ2：前記第２容量素子の容量
Ｖdd：前記第２電圧線の電圧
Ｖss：前記第１電圧線の電圧
Ｖth5：前記第５トランジスタの閾値電圧
【請求項５】
前記第１電圧線、前記第３電圧線、前記第４電圧線および前記第６電圧線は、互いに同電位となっている
請求項１または請求項２に記載のインバータ回路。
【請求項６】
前記第２電圧線、前記第５電圧線および前記第７電圧線は、前記第１電圧線、前記第３電圧線、前記第４電圧線および前記第６電圧線の電圧よりも高電圧を出力する電源に接続されている
請求項５に記載のインバータ回路。
【請求項７】
前記出力端子と前記第１電圧線との間に第４容量素子をさらに備えた
請求項または請求項２に記載のインバータ回路。
【請求項８】
前記入力端子に入力された信号電圧の波形を鈍らせた電圧を前記第３トランジスタのゲートに入力する遅延素子をさらに備えた
請求項または請求項２に記載のインバータ回路。
【請求項９】
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
入力端子および出力端子と、
前記入力端子に電気的に接続された第２端子、前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続された第３端子、および前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続された第４端子を有し、前記第２端子に立下り電圧または立上り電圧が入力されている時に前記第３端子のトランジェントを前記第４端子のトランジェントよりも緩やかにする制御素子と
を備え、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第５トランジスタは、前記第４端子と前記第３端子との間の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている
インバータ回路。
【請求項１０】
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
第１抵抗素子と、
入力端子および出力端子と
を備え、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第５トランジスタは、当該第５トランジスタのゲート電圧と、前記第１端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっており、
前記第１容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記第２トランジスタのゲートとの間に接続されており、
前記第２容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記入力端子との間に接続されており、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されており、
前記第１抵抗素子は、第８電圧線と前記第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている
インバータ回路。
【請求項１１】
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
第１抵抗素子と、
入力端子および出力端子と
を備え、
前記第１トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第１電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第２トランジスタのゲートは前記第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第２電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第３トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３電圧線に未接続の端子は前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第４電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、前記第５トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第５電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第６電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、前記第７トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第７電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記第２トランジスタのゲートとの間に接続され、
前記第２容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記入力端子との間に接続され、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入され、
前記第１抵抗素子は、第８電圧線と前記第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている
インバータ回路。
【請求項１２】
前記第１電圧線、前記第４電圧線および前記第６電圧線は、互いに同電位となっている
請求項１０または請求項１１に記載のインバータ回路。
【請求項１３】
前記第２電圧線、前記第５電圧線、前記第７電圧線および前記第８電圧線は、前記第１電圧線、前記第４電圧線および前記第６電圧線の電圧よりも高電圧を出力する電源に接続されている
請求項１２に記載のインバータ回路。
【請求項１４】
前記第３トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３電圧線側の端子と前記第３電圧線との間に第２抵抗素子をさらに備えた
請求項１０または請求項１１に記載のインバータ回路。
【請求項１５】
行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部と、
各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有し、
前記インバータ回路は、
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
入力端子および出力端子と
を有し、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第１容量素子および前記第２容量素子は、前記入力端子と前記第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入されており、
前記第１容量素子と前記第２容量素子との電気的な接続点が、前記第１端子に電気的に接続されており、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されており、
前記第５トランジスタは、前記第１容量素子の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている
表示装置。
【請求項１６】
行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部と、
各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有し、
前記インバータ回路は、
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
入力端子および出力端子と
を有し、
前記第１トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第１電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第２トランジスタのゲートは前記第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第２電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第３トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３電圧線に未接続の端子は前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第４電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、前記第５トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第５電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第６電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、前記第７トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第７電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１容量素子および前記第２容量素子は、前記入力端子と前記第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入され、
前記第１容量素子と前記第２容量素子との電気的な接続点が、前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されている
表示装置。
【請求項１７】
行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部と、
各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有し、
前記インバータ回路は、
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
入力端子および出力端子と、
前記入力端子に電気的に接続された第２端子、前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続された第３端子、および前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続された第４端子を有し、前記第２端子に立下り電圧または立上り電圧が入力されている時に前記第３端子のトランジェントを前記第４端子のトランジェントよりも緩やかにする制御素子と
を有し、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第５トランジスタは、前記第４端子と前記第３端子との間の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている
表示装置。
【請求項１８】
行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部と、
各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有し、
前記インバータ回路は、
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
第１抵抗素子と、
入力端子および出力端子と
を有し、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第１容量素子および前記第２容量素子は、前記入力端子と前記第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入されており、
前記第５トランジスタは、当該第５トランジスタのゲート電圧と、前記第１端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっており、
前記第１容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記第２トランジスタのゲートとの間に接続されており、
前記第２容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記入力端子との間に接続されており、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されており、
前記第１抵抗素子は、第８電圧線と前記第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている
表示装置。
【請求項１９】
行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部と、
各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有し、
前記インバータ回路は、
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
第１抵抗素子と、
入力端子および出力端子と
を有し、
前記第１トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第１電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第２トランジスタのゲートは前記第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第２電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第３トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３電圧線に未接続の端子は前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第４電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、前記第５トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第５電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第６電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、前記第７トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第７電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記第２トランジスタのゲートとの間に接続され、
前記第２容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記入力端子との間に接続され、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入され、
前記第１抵抗素子は、第８電圧線と前記第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている
表示装置。
【請求項１】
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
入力端子および出力端子と
を備え、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第１容量素子および前記第２容量素子は、前記入力端子と前記第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入されており、
前記第１容量素子と前記第２容量素子との電気的な接続点が、前記第１端子に電気的に接続されており、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されており、
前記第５トランジスタは、前記第１容量素子の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている
インバータ回路。
【請求項２】
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
入力端子および出力端子と
を備え、
前記第１トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第１電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第２トランジスタのゲートは前記第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第２電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第３トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３電圧線に未接続の端子は前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第４電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、前記第５トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第５電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第６電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、前記第７トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第７電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１容量素子および前記第２容量素子は、前記入力端子と前記第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入され、
前記第１容量素子と前記第２容量素子との電気的な接続点が、前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されている
インバータ回路。
【請求項３】
前記第２容量素子は、前記第１トランジスタのゲート側に挿入されており、
前記第２容量素子の容量は、前記第１容量素子の容量よりも大きくなっている
請求項１または請求項２に記載のインバータ回路。
【請求項４】
前記第１容量素子および前記第２容量素子のそれぞれの容量は、以下の式を満たす
請求項３に記載のインバータ回路。
Ｃ2（Ｖdd−Ｖss）／（Ｃ1＋Ｃ2）＞Ｖth5
Ｃ1：前記第１容量素子の容量
Ｃ2：前記第２容量素子の容量
Ｖdd：前記第２電圧線の電圧
Ｖss：前記第１電圧線の電圧
Ｖth5：前記第５トランジスタの閾値電圧
【請求項５】
前記第１電圧線、前記第３電圧線、前記第４電圧線および前記第６電圧線は、互いに同電位となっている
請求項１または請求項２に記載のインバータ回路。
【請求項６】
前記第２電圧線、前記第５電圧線および前記第７電圧線は、前記第１電圧線、前記第３電圧線、前記第４電圧線および前記第６電圧線の電圧よりも高電圧を出力する電源に接続されている
請求項５に記載のインバータ回路。
【請求項７】
前記出力端子と前記第１電圧線との間に第４容量素子をさらに備えた
請求項または請求項２に記載のインバータ回路。
【請求項８】
前記入力端子に入力された信号電圧の波形を鈍らせた電圧を前記第３トランジスタのゲートに入力する遅延素子をさらに備えた
請求項または請求項２に記載のインバータ回路。
【請求項９】
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
入力端子および出力端子と、
前記入力端子に電気的に接続された第２端子、前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続された第３端子、および前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続された第４端子を有し、前記第２端子に立下り電圧または立上り電圧が入力されている時に前記第３端子のトランジェントを前記第４端子のトランジェントよりも緩やかにする制御素子と
を備え、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第５トランジスタは、前記第４端子と前記第３端子との間の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている
インバータ回路。
【請求項１０】
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
第１抵抗素子と、
入力端子および出力端子と
を備え、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第５トランジスタは、当該第５トランジスタのゲート電圧と、前記第１端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっており、
前記第１容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記第２トランジスタのゲートとの間に接続されており、
前記第２容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記入力端子との間に接続されており、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されており、
前記第１抵抗素子は、第８電圧線と前記第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている
インバータ回路。
【請求項１１】
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
第１抵抗素子と、
入力端子および出力端子と
を備え、
前記第１トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第１電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第２トランジスタのゲートは前記第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第２電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第３トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３電圧線に未接続の端子は前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第４電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、前記第５トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第５電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第６電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、前記第７トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第７電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記第２トランジスタのゲートとの間に接続され、
前記第２容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記入力端子との間に接続され、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入され、
前記第１抵抗素子は、第８電圧線と前記第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている
インバータ回路。
【請求項１２】
前記第１電圧線、前記第４電圧線および前記第６電圧線は、互いに同電位となっている
請求項１０または請求項１１に記載のインバータ回路。
【請求項１３】
前記第２電圧線、前記第５電圧線、前記第７電圧線および前記第８電圧線は、前記第１電圧線、前記第４電圧線および前記第６電圧線の電圧よりも高電圧を出力する電源に接続されている
請求項１２に記載のインバータ回路。
【請求項１４】
前記第３トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３電圧線側の端子と前記第３電圧線との間に第２抵抗素子をさらに備えた
請求項１０または請求項１１に記載のインバータ回路。
【請求項１５】
行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部と、
各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有し、
前記インバータ回路は、
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
入力端子および出力端子と
を有し、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第１容量素子および前記第２容量素子は、前記入力端子と前記第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入されており、
前記第１容量素子と前記第２容量素子との電気的な接続点が、前記第１端子に電気的に接続されており、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されており、
前記第５トランジスタは、前記第１容量素子の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている
表示装置。
【請求項１６】
行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部と、
各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有し、
前記インバータ回路は、
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
入力端子および出力端子と
を有し、
前記第１トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第１電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第２トランジスタのゲートは前記第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第２電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第３トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３電圧線に未接続の端子は前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第４電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、前記第５トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第５電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第６電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、前記第７トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第７電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１容量素子および前記第２容量素子は、前記入力端子と前記第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入され、
前記第１容量素子と前記第２容量素子との電気的な接続点が、前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されている
表示装置。
【請求項１７】
行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部と、
各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有し、
前記インバータ回路は、
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
入力端子および出力端子と、
前記入力端子に電気的に接続された第２端子、前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続された第３端子、および前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続された第４端子を有し、前記第２端子に立下り電圧または立上り電圧が入力されている時に前記第３端子のトランジェントを前記第４端子のトランジェントよりも緩やかにする制御素子と
を有し、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第５トランジスタは、前記第４端子と前記第３端子との間の端子間電圧またはそれに対応する電圧に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっている
表示装置。
【請求項１８】
行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部と、
各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有し、
前記インバータ回路は、
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
第１抵抗素子と、
入力端子および出力端子と
を有し、
前記第１トランジスタは、前記入力端子の電圧と第１電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記出力端子と前記第１電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第２トランジスタは、当該第２トランジスタのゲート電圧と、前記出力端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第２電圧線と前記出力端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第３トランジスタは、前記入力端子の電圧と第３電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのゲートと前記第３電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第４トランジスタは、前記入力端子の電圧と第４電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第５トランジスタのソースまたはドレインである第１端子と前記第４電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第１容量素子および前記第２容量素子は、前記入力端子と前記第５トランジスタのゲートとの間に直列に挿入されており、
前記第５トランジスタは、当該第５トランジスタのゲート電圧と、前記第１端子の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第５電圧線と前記第１端子との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第６トランジスタは、前記入力端子の電圧と第６電圧線の電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて前記第２トランジスタのゲートと前記第６電圧線との電気的な接続を継断するようになっており、
前記第７トランジスタは、前記第１端子の電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧との電位差またはそれに対応する電位差に応じて第７電圧線と前記第２トランジスタのゲートとの電気的な接続を継断するようになっており、
前記第１容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記第２トランジスタのゲートとの間に接続されており、
前記第２容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記入力端子との間に接続されており、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入されており、
前記第１抵抗素子は、第８電圧線と前記第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている
表示装置。
【請求項１９】
行状に配置された複数の走査線と、列状に配置された複数の信号線と、行列状に配置された複数の画素とを含む表示部と、
各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記走査線ごとに設けられた複数のインバータ回路を有し、
前記インバータ回路は、
互いに同一チャネル型の第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、第４トランジスタ、第５トランジスタ、第６トランジスタおよび第７トランジスタと、
第１容量素子、第２容量素子および第３容量素子と、
第１抵抗素子と、
入力端子および出力端子と
を有し、
前記第１トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインまたはソースは第１電圧線に電気的に接続され、前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第１電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第２トランジスタのゲートは前記第７トランジスタのドレインまたはソースに電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインまたはソースは第２電圧線に電気的に接続され、前記第２トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第２電圧線に未接続の端子は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第３トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインまたはソースは第３電圧線に電気的に接続され、前記第３トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３電圧線に未接続の端子は前記第５トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインまたはソースは第４電圧線に電気的に接続され、前記第４トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第４電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５トランジスタのドレインまたはソースは第５電圧線に電気的に接続され、前記第５トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第５電圧線に未接続の端子は前記第７トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６トランジスタのゲートは前記入力端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインまたはソースは第６電圧線に電気的に接続され、前記第６トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第６電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第７トランジスタのドレインまたはソースは第７電圧線に電気的に接続され、前記第７トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第７電圧線に未接続の端子は前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記第２トランジスタのゲートとの間に接続され、
前記第２容量素子が、前記第７トランジスタのゲートと、前記入力端子との間に接続され、
前記第３容量素子は、前記第２トランジスタのゲートと前記出力端子との間に挿入され、
前記第１抵抗素子は、第８電圧線と前記第５トランジスタのゲートとの間に挿入されている
表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【公開番号】特開２０１１−２２９１３６（Ｐ２０１１−２２９１３６Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７３０２２（Ｐ２０１１−７３０２２）
【出願日】平成２３年３月２９日（２０１１．３．２９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２９日（２０１１．３．２９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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