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国際特許分類[H05H1/26]の内容

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【課題】溶射プロセスにおいて液体前駆体をプラズマ・トーチのプラズマ・ガス流内に完全に浸透させること。
【解決手段】プラズマ溶射デバイス1は、加熱区域6内でプラズマ・ガス5を加熱するためのプラズマ・トーチ4を含み、このプラズマ・トーチ4は、プラズマ・ガス流8を生成するためのノズル本体7を含み、且つこのノズル本体7を通って中心長手方向軸線10に沿って延びるアパーチャ9を有している。アパーチャ9は、プラズマ・ガス5用の入口12を有する収束セクション11と、アパーチャの最小断面領域を含むスロート・セクション13と、プラズマ・ガス流8用の出口15を有する発散セクション14とを有し、導入管16が、プラズマ・ガス流8内に液体前駆体17を導入するために提供される。本発明によれば、浸透手段18、182が、プラズマ・ガス流8内部に液体前駆体17を浸透させるために提供される。 (もっと読む)


大気圧又は低真空条件で作動する誘電体バリア放電トーチを使用した粉末のインフライト表面処理の方法をここで説明する。前記方法は、減少した粉末凝集特性を示す粉末粒子を生成する誘電体バリア放電トーチへと粉末材料を供給する段階と、粒子の表面特性をインフライト修飾する段階と、被覆された粉末粒子を回収する段階と、を含む。大気圧又は低真空条件で作動する誘電体バリア放電トーチを備えるマイクロ粒子及びナノ粒子の表面処理のための装置もここで説明する。
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有機材料を水素リッチガスおよび灰に変換するガス化ユニットと、該ガス化ユニットとの連通において、該ガス化ユニット内で形成された灰をガラスに変換するジュール加熱されたガラス化ユニットと、元素としての炭素およびガス化ユニット内の不完全燃焼により形成された産物を水素リッチガスに変換するプラズマとを有する、最適化されたガス化/ガラス化処理システム。該ガス化ユニットは、1つ以上の酸化剤注入ポートをさらに備え、該1つ以上の酸化剤注入ポートを通じて、酸素、蒸気、二酸化炭素、空気、およびそれらの組み合わせの流れを制御し、該有機成分の水素リッチガスへの該変換を最適化する、フィードバック制御デバイスをさらに備える。
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【課題】プラズマ熱エネルギーを利用したシステム及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマトーチ1のプラス電極2とマイナス電極3との間に形成された窒素ガスまたは水などの供給通路4に窒素ガスや空気、水などの原料を供給しつつ、プラス電極2とマイナス電極3の間に放電させることによって、プラズマ熱エネルギー5を取り出す。取り出したプラズマ熱エネルギーを利用してはんだ付けを行う。 (もっと読む)


本発明は、65%を超える効率で可燃性流体を生成するための方法および装置に関する。装置10は、電解水溶液を電気分解させるための電解セル12と、可燃性流体と溶液を分離するセパレータ16と、1Vから6Vまでの直流電圧を供給するための電源14と、溶液を装置10の中を循環させるためのポンプとを備えている。電解セル12は、第1の電極18および第1の電極18から間隔を隔てて配置された第2の電極20を備えており、また、それぞれ第1の電極18と第2の電極20の間に配置された複数の中間電極22を備えている。電源14は、溶液が装置10の中を循環している間、溶液を電気分解させるために電極18、20および22の両端間に直流電圧を印加する。
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【課題】プラズマトーチの電極の寿命を延長させると共に寿命の安定化をはかる。
【解決手段】プラズマトーチ用の電極Aは、銅又は銅合金からなるホルダー1と、ハフニウム、ハフニウム合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金のグループから選択された金属からなる電極材2と、を有し、ホルダー1の軸心に穴1cを形成して電極材2を挿入固定し、且つ電極材2の先端面2aに深さ方向に曲面状の窪み5、又は深さ方向への断面が電極材2の軸心2bに略一致した頂点6aを有し且つ該頂点6aと先端面2aとを結ぶ線上に少なくとも1個の突起点6cを有するに形状の窪み6を形成する。 (もっと読む)


本発明は実質的に大気圧でガス流出物をプラズマ処理する方法に関し、処理される流出物をプラズマトーチに注入し、プラズマの上流または下流で水蒸気を注入することを含む。 (もっと読む)


【課題】プラズマトーチにおけるコリメータの損耗を抑制し、耐久性を向上させることができるプラズマ式溶融炉を提供する。
【解決手段】プラズマ式溶融炉は、炉本体と、焼却灰と焼却飛灰のうち少なくとも一方を炉本体の内部に供給する灰供給装置と、炉本体の内部でプラズマを発生させるためのプラズマトーチ20と、プラズマトーチ20に電力を供給する電源とを備えている。プラズマトーチ20は、表面に被膜が形成されたコリメータ54を有している。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波プラズマを信頼性高く起動できるようにすること。
【解決手段】半導体製造プロセスツールからの排ガス流を処理するための装置が開示されている。この装置は不活性のイオン化可能なガスからグロー放電を発生させるためのプラズマトーチを含み、ガス流はプラズマを点弧するためのガス放電へ送られる。プラズマを持続させるよう、排ガス流に電磁波ソースによって電磁波が印加される。この装置は特に排ガス流内の過フッ素化化合物およびハイドロフルオロカーボン化合物を処理するのに特に適す。
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【課題】 同軸磁化プラズマ生成装置において、プラズマ塊を連続的に安定して生成すること。
【解決手段】 外部導体23と内部導体24を同軸状に配置し、外部導体23のリング状凸部231の付近にバイアス磁界発生用の円筒状の電磁コイル27を配置してある。外部導体23と内部導体24には、パワークローバ回路25(容量の小さいコンデンサC1と容量の大きいコンデンサC2からなる)を接続してある。コンデンサC1の充電電圧は、コンデンサC2の充電電圧よりも高く充電してある。ガス供給管22からプラズマ生成ガスを供給し、パワークローバ回路25の充電電圧を外部導体23と内部導体24に印加すると、リング状凸部231と内部導体24の間に放電が発生してプラズマPが生成する。プラズマPは、ローレンツ力により加速されて開放端へ移動し、プラズマ塊PMとなって放出される。パワークローバ回路25は、コンデンサC1,C2を組み合わせることにより、立ち上りが急峻で減衰が緩やかな負荷電流を発生することができる。 (もっと読む)


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