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国際特許分類[H05K3/18]の内容

国際特許分類[H05K3/18]に分類される特許

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化学的及び電解的に加工物(1)を処理する装置及び方法は、一方の面でのブリッジ(短絡)又は他方の面でのプリント回路基盤の開路だけでなく、微細導電性構造、パッド及びランドの不規則な外形の回避を図って提案される。装置は、加工物処理用の処理タンク(2)とその運搬用のコンベア装置を有する。コンベア装置は、少なくとも1つの運搬キャリッジ(18)、少なくとも1つの保持要素(14、25)及び運搬キャリッジと保持要素との間の少なくとも1つの接続手段(12、13、35)を有する。処理タンクはクリーンルームゾーン(3)と隣接している。加工物は、コンベヤ装置を使用してクリーンルームゾーンを通って運ばれる。
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上面にはんだ付け可能な端子面を有し、下面にはんだ付け可能なコンタクトを有するセラミック基板において、従来は印刷されるペーストを用いて形成されるはんだ付け可能な端子面が、溶液からセラミック上に直接析出されるはんだ面コンタクトに置換される。このようなコンタクトは平坦な表面、良好なボンディング能力および良好な構造化能力の点において傑出している。
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【課題】 導体パターン以外の領域への無電解めっきの析出を十分に抑制するとともに、無電解めっき皮膜によって導体パターンを十分に被覆することができる無電解めっきの前処理方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明の無電解めっきの前処理方法は、基板の表面上に形成された所定形状を有する導体パターンに、ノニオン系界面活性剤を含有する溶液を接触させる第1工程と、該第1工程の後の導体パターンに、カチオン系界面活性剤を含有する溶液を接触させる第2工程とを有するものである。
を有する (もっと読む)


【課題】磁気ディスク装置に適用してその小型化を促進しかつ信頼性を確保することが可能な配線基板およびその製造方法、ならびにそのような配線基板を有する磁気ディスク装置を提供すること。
【解決手段】配線基板として、感光性ポリイミドを加熱・硬化させた第1のポリイミド層と、このポリイミド層上に電解銅めっき層を成長させて形成された銅層パターンと、この銅層パターン上を覆う、感光性ポリイミドを加熱・硬化させた第2のポリイミド層とを具備する。また、磁気ディスク装置として、この配線基板と、この基板に接続を有し、かつ該接続を介して相互伝送される電気信号の入力/出力を行うヘッドが搭載されたヘッドキャリッジと、ヘッドキャリッジに搭載されたヘッドにより磁気情報の読み出し/書き込みがなされる磁気ディスクとを具備する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、2つの異なる光画像形成膜組成物、特に、基板上に2つの異なるドライフィルム組成物を設ける方法に関する。
【解決手段】2つの光画像形成膜組成物は、現像後、光画像形成膜上層が光画像形成膜下層にオーバーハングするように、異なる現像速度及び/又は硬化速度を有するようにそれぞれ選択される。その後、金属層が基板の表面上に堆積される。オーバーハング形状は基板と光画像形成膜層との界面に沿って金属層が光画像形成膜層との密着を防ぐため、オーバーハング形状が次に配置される金属層に損傷を与えずに、光画像形成膜層の完全な除去が可能となる。 (もっと読む)


この発明は、アルミニウム表面を清浄化すること、腐食性のニトレート化合物を実質的に含まず、過酸素化合物を含む酸性エッチング溶液に前記アルミニウム表面を接触させること、前記アルミニウム表面を、6〜60g/lの亜鉛及び100〜500g/lのヒドロキシイオンを含むジンケート処理溶液に接触させることを含んでなる、その後のメッキのためにアルミニウム表面をジンケート処理する方法に関する。廃棄物処理を簡単にするため、酸性エッチング溶液は有害な無機フルオリド化合物を実質的に含まない。この発明は、図2、特にステップ6を参照することによって理解することができる。 (もっと読む)


【課題】 高周波電流の部分的な集中による損失低下を防止するとともに、伝送導体の断面積を大きく確保して高周波電流の損失を低減することが可能な高周波配線構造を提供する。
【解決手段】 接地導体3と、接地導体3上に備えられた誘電体4と、一部が誘電体4内に配置された伝送導体5とからなるマイクロストリップ線路6を具備してなり、伝送導体5は、接地導体3に平行な平面底部と、接地導体3に対して垂直で平面底部の配線幅方向両側に位置する一対の平面側部と、平面底部および一対の平面側部を連続的に連結する曲面部とにより区画されてなり、曲面部の曲率半径が、伝送導体の厚みの5%以上50%以下の範囲に設定されていることを特徴とする高周波配線構造1を採用する。 (もっと読む)


レーザによりパターン化された基板上に金属を無電解メッキする方法。基板上に熱画像形成層および触媒層がともに被着される。レーザ・ビームで露光すると、熱画像形成層において十分なレベルの放射が熱に変換され、それによって、隣接する触媒層の露光領域が不活性になる。次いで、レーザによりパターン化された基板を反応溶液に暴露し、それによって、触媒層の非露光領域上で金属被膜の成長が開始される。
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回路キャリアを製造する方法及び当該方法の使用を示す。この方法は、プリント基板を提供し(a)、プリント基板をその少なくとも一方の面を誘電体でコーティングし(b)、レーザーアブレーションを用いてそこに溝及びビア(凹部)を作るために誘電体を構造化する(c)。次いで、誘電体の表面全体に下塗り層を析出し又は作られた溝及びビアの壁にのみ下塗り層を析出する(d)。下塗り層に金属層を析出し、溝及びビアはそこに導体構造を形成するために金属で完全に満たされる(e)。最後に、下塗り層が表面全体に析出されて誘電体が露光されるまで過度金属と下塗り層を除去し、導体構造は無傷のままである(f)。
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正確に位置合わせした隆起特徴部を有するパターン回路を提供する。フォトレジストオンフォトレジストパターニングを用いた回路製造方法についても提供する。

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