アミノスチリル化合物、その製造方法及びそれを備えた有機発光素子
【課題】ＯＬＥＤの駆動電圧、輝度、効率及び色純度特性を向上させ得る化合物、その製造方法及びそれを備えたＯＬＥＤを提供する。
【解決手段】下記化学式１で表されるアミノスチリル化合物、その製造方法及びそれを備えた有機発光素子。
式中、Ａｒ１及びＡｒ２はアリール基、ヘテロアリール基であり、Ｒ１〜Ｒ８は水素、アルキル基またはアルコキシ基であり、ｎは１〜３の整数であり、Ｌはアリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基またはヘテロシクロアルキル基。
【解決手段】下記化学式１で表されるアミノスチリル化合物、その製造方法及びそれを備えた有機発光素子。
式中、Ａｒ１及びＡｒ２はアリール基、ヘテロアリール基であり、Ｒ１〜Ｒ８は水素、アルキル基またはアルコキシ基であり、ｎは１〜３の整数であり、Ｌはアリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基またはヘテロシクロアルキル基。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アミノスチリル化合物、その製造方法及びそれを備えた有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｅｉｃｅ：ＯＬＥＤ）に係り、さらに詳細には、優れた電気的特性及び熱安定性を有し、ＯＬＥＤの適用時、優れた駆動電圧、輝度、効率及び色純度特性を表すアミノスチリル化合物、その製造方法及び該アミノスチリル化合物を含む有機膜を採用したＯＬＥＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子は、自発光型の素子であって、視野角が広く、コントラストに優れているだけでなく、応答時間が速いという長所を有している。前記発光素子には、発光層に無機化合物を使用する無機発光素子と、有機化合物を使用するＯＬＥＤとがあるが、ＯＬＥＤは、無機発光素子に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度の特性に優れており、多色化が可能であるという点で多くの研究が行われている。
【０００３】
ＯＬＥＤは、一般的に、アノード／有機発光層／カソードの積層構造を有し、アノード／正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）／正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）／発光層／電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）／電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）／カソードまたはアノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＨＢＬ）／電子輸送層／電子注入層／カソードのような多様な構造を有しても良い。
【０００４】
前記発光層の形成材料として、例えば、特許文献１には、アミノスチリル化合物が開示されている。
【特許文献１】特開平０５−０１７７６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、前記化合物を採用したＯＬＥＤの駆動電圧、輝度、効率及び色純度の特性は満足すべきレベルに達していないところ、その改善が必要である。
【０００６】
前記問題点を解決するために、本発明は、ＯＬＥＤの駆動電圧、輝度、効率及び色純度特性を向上させ得る化合物、その製造方法及びそれを備えたＯＬＥＤを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記本発明の課題を解決するために、本発明の第１態様は、下記化学式１で表されるアミノスチリル化合物を提供する。
【０００８】
【化１】
【０００９】
前記化学式１のうち、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して水素原子、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基または置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基であり；
ｎは、１〜３の整数であり、
Ｌは、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５−Ｃ２０のシクロアルキル基またはＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基である
前記本発明の課題を解決するために、本発明の第２態様は、下記化学式１ａで表される化合物及び下記化学式１ｂで表される化合物を反応させて、下記化学式１ｃで表される化合物を形成する工程と、前記化学式１ｃで表される化合物及び化学式：Ｌ−Ｑで表される化合物を反応させて、下記化学式１で表される化合物を形成する工程と、を含むアミノスチリル化合物の製造方法を提供する。
【００１０】
【化２】
【００１１】
【化３】
【００１２】
【化４】
【００１３】
【化５】
【００１４】
前記化学式のうち、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、ｎ、Ｌは、前記定義されたところと同じであり、Ｈａは、ハロゲン原子であり；Ｑは、ホウ素含有基である。
【００１５】
前記本発明の課題を解決するために、本発明の第３態様は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の間にある有機膜と、を含む有機発光素子であって、前記有機膜は、前述したようなアミノスチリル化合物を含むことを特徴とするＯＬＥＤを提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によって化学式１で表されるアミノスチリル化合物は優れた発光特性及び熱安定性を有する。したがって、本発明に係るアミノスチリル化合物を利用すれば、低い駆動電圧、優れた色純度、高効率、高外部量子収率及び高輝度を有するＯＬＥＤが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１８】
本発明に係るアミノスチリル化合物は、前記化学式１で表される。前記化学式１のうち、ｎ個存在するフェニレン基（すなわち、Ｎと連結されていないフェニレン基）は、Ｌで表される置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５−Ｃ２０のシクロアルキル基またはＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基と連結されている。これにより、前記化合物の溶解度が低下し、前記化合物を素子に使用した場合、素子の駆動電圧が低くなり、効率が向上しうる。したがって、前記化学式１のアミノスチリル化合物は、ＯＬＥＤの有機膜、特に、発光層のドーパントまたは正孔輸送層として使用するのに適している。
【００１９】
前記化学式１のうち、Ａｒ１及びＡｒ２であり得るアリール基またはヘテロアリール基；及びＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７またはＲ８であり得るアルキル基もしくはアルコキシ基；ならびにＬであり得るアリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基及びヘテロシクロアルキル基；のＨは、非置換、または適切な置換基に置換され得る。このとき、置換基は、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ１−Ｃ２０のアルキル基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ６−Ｃ３０のアリール基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ５−Ｃ２０シクロアルキル基；及び非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基；からなる群から選択された一以上であることが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００２０】
さらに具体的に、前記化学式１のうち、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル）フェニル基、（アントリル）フェニル基、ビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、へプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、へプタフェニル基、へプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１−１０アルキルカルバゾリル基、チオフェニル基、インドリル基、プリニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリニル基、ベンゾチオフェニル基、パラチアジニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イミダゾリニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基及びチアントレニル基からなる群から選択され得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。好ましくはフェニル基またはナフチル基である。
【００２１】
本発明に係る一具現例で、前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに同一であっても、異なっていてもよいが、好ましくは同一である 前記化学式１のうち、ｎは、好ましくは１または２である。
【００２２】
一方、前記化学式１のうち、Ｌは、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル）フェニル基、（アントリル）フェニル基、ビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、へプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、へプタフェニル基、へプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルカルバゾリル基、チオフェニル基、インドリル基、プリニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリニル基、ベンゾチオフェニル基、パラチアジニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イミダゾリニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、チアントレニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシシクロヘキシル基、オキシラニル基、ピロリジニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基及びモルホリニル基からなる群から選択され得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００２３】
本発明に係る一具現例で、前記Ｌは、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、ピリジニル基、ベンゾチオフェニル基、チアントレニル基またはプロピルシクロヘキシル基であり得る。
【００２４】
前記化学式１のうち、Ｒ１〜Ｒ８は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ１〜Ｒ８は互いに独立して、水素原子、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基または置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基であるが、好ましくは水素原子である。
【００２５】
好ましくは、本発明に係るアミノスチリル化合物は、下記化学式２〜化学式１０で表示され得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００２６】
【化６】
【００２７】
【化７】
【００２８】
【化８】
【００２９】
【化９】
【００３０】
【化１０】
【００３１】
【化１１】
【００３２】
【化１２】
【００３３】
【化１３】
【００３４】
【化１４】
【００３５】
前記化学式１で表されるアミノスチリル化合物の合成方法は、通常的な有機合成方法を利用したものである。本発明に係るアミノスチリル化合物の製造方法の一具現例は、下記化学式１ａで表される化合物及び下記化学式１ｂで表される化合物を反応させて、下記化学式１ｃで表される化合物を形成する工程と、前記化学式１ｃで表される化合物及び化学式：Ｌ−Ｑで表される化合物を反応させて、下記化学式１で表されるアミノスチリル化合物を形成する工程と、を含み得る：
【００３６】
【化１５】
【００３７】
【化１６】
【００３８】
【化１７】
【００３９】
前記化学式１ａ〜１ｃのうち、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びｎの定義は、前述したところを参照する。
【００４０】
一方、前記前記化学式１ｂ及び１ｃのうち、Ｈａは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩのようなハロゲン原子である。好ましく、Ｈａは、Ｂｒである。
【００４１】
前記化学式：Ｌ−Ｑのうち、Ｌの定義は、前述したところを参照し、Ｑは、ホウ素含有基である。前記ホウ素含有基の具体例としては、例えば、
【００４２】
【化１８】
【００４３】
などが挙げられるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００４４】
下記反応式１は、本発明のアミノスチリル化合物の合成経路をさらに具体的に示すものである。
【００４５】
【化１９】
【００４６】
まず、前記化学式１ａで表される化合物及び前記化学式１ｂで表される化合物を反応させて、化学式１ｃで表される化合物を得る。前記化学式１ａで表される化合物は、一般的に市販されている試薬を購入して使用することができる。、また、トリアリールアミンをＰＯＣｌ３と反応させて得ることもできるし（例えば、トリフェニルアミンをＰＯＣｌ３と反応させて得られる）、前記１ｂで表される化合物は、メチルハロゲン化物が置換されたアリール化合物と亜リン酸トリエチル（Ｐ（ＯＥｔ）３）を反応させて得ることもできる（例えば、臭化ブロモベンジルを亜リン酸トリエチルと反応させて得られる）が、必ずしもこれに限定されるものではない。その後、前記化合物１ｃで表される化合物及び化学式：Ｌ−Ｑで表される化合物を反応させて、化学式１で表される化合物が得られる。前記反応は、例えば、Ｋ２ＣＯ３及びＰｄ（ＰＰｈ３）４の存在下で行わうことができる。前記Ｌ−Ｑで表される化合物は、例えば、Ｌ基を有するボロン酸またはジオキサボロランであるが、必ずしもこれに限定されるものではない。合成された全ての化合物は、１Ｈ ＮＭＲ及び質量分析計を利用してその構造を確認できる。
【００４７】
前述したような本発明に係るアミノスチリル化合物は、ＯＬＥＤに適用され得る。本発明に係るＯＬＥＤは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間にある有機膜と、を含むが、前記有機膜は、前述したような化学式１で表されるアミノスチリル化合物を含む。好ましくは、前記有機膜は、発光層及び正孔輸送層である。本発明に係るＯＬＥＤの構造は、非常に多様である。前記第１電極と第２電極との間に、発光層と、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された一以上の層と、を含むことができる。
【００４８】
さらに具体的に、本発明に係るＯＬＥＤの具現例は、図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃを参照する。図１ＡのＯＬＥＤは、（１）第１電極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極からなる構造を有し、図１ＢのＯＬＥＤは、（２）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極からなる構造を有する。また、図１ＣのＯＬＥＤは、（３）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有する。このとき、前記発光層は、本発明に係るアミノスチリル化合物を含み得る。
【００４９】
本発明に係るＯＬＥＤの発光層は、前記発光層は、赤色、緑色、青色または白色を含む燐光及び赤色、緑色、青色または白色を含む蛍光ドーパントからなる群から選択された一以上を含み得る。このうち、前記燐光ドーパントは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ及びＴｍからなる群から選択された一つ以上の元素を含む有機金属化合物であり得る。
【００５０】
以下、本発明に係るＯＬＥＤの製造方法を、図１Ｃに示すＯＬＥＤを参照して説明する。
【００５１】
まず、仕事関数の大きな第１電極用の物質を、蒸着法またはスパッタリング法等により基板の上部に形成して第１電極を形成する。前記第１電極は、アノードであってもよい。ここで、基板としては、通常的なＯＬＥＤで使用される基板を使用するが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板が好ましい。第１電極用物質としては、透明かつ伝導性に優れた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを使用する。
【００５２】
次いで、前記第１電極の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（ラングミューア・ブロジェット：Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法のような多様な方法を利用して正孔注入層を形成できる。
【００５３】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性等によって異なるが、一般的に蒸着温度１００〜５００℃、真空度１０−８〜１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜１００Å／ｓｅｃ、膜厚は、通常１０Å〜５μｍの範囲で適切に選択することが好ましい。
【００５４】
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティングの条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とするする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、約２０００ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約８０℃〜２００℃の温度範囲で適切に選択することが好ましい。
【００５５】
前記正孔注入層の物質としては、特別に制限されず、例えば、米国特許第４，３５６，４２９号明細書に開示された銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはＡｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ，６，ｐ．６７７（１９９４）に記載されているスターバースト型アミン誘導体類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ、溶解性のある伝導性高分子であるＰａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホネート）またはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンファースルホネート）またはＰＡＮＩ／ＰＳＳ（ポリアニリン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））などを使用できる。
【００５６】
【化２０】
【００５７】
【化２１】
【００５８】
前記正孔注入層の厚さは、約１００Å〜１００００Åであり、好ましくは、１００Å〜１０００Åであり得る。前記正孔注入層の厚さが１００Å未満である場合、正孔注入特性が低下し、前記正孔注入層の厚さが１００００Åを超える場合、駆動電圧が上昇する可能性があるためである。
【００５９】
次いで、前記正孔注入層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を利用して正孔輸送層を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件の範囲内で選択される。
【００６０】
前記正孔輸送層の物質は特別に制限されず、正孔輸送層に使用されている公知のものから任意のものを選択して使用できる。例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などの芳香族縮合環を有する通常的なアミン誘導体などが使用される。
【００６１】
前記正孔輸送層の厚さは、約５０Å〜１０００Åであり、好ましくは、１００Å〜６００Åであり得る。前記正孔輸送層の厚さが５０Å未満である場合、正孔輸送特性が低下し、前記正孔輸送層の厚さが１０００Åを超える場合、駆動電圧が上昇し得るためである。
【００６２】
次いで、前記正孔輸送層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法を利用して発光層を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件の範囲内で選択される。
【００６３】
前記発光層は、前述したように、本発明に係る化学式１のアミノスチリル化合物を含み得る。このとき、化学式１のアミノスチリル化合物に適した公知のホスト材料と共に使用することができる。ホスト材料の場合、例えば、Ａｌｑ３（トリス(８−キノリノレート)アルミニウム）、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、またはＰＶＫ（ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール））などを使用できる。
【００６４】
【化２２】
【００６５】
一方、発光層の形成材料として、本発明に係るアミノスチリル化合物の他にも公知の多様なドーパントを使用できる。例えば、蛍光ドーパントとしては、出光社製のＩＤＥ１０２、ＩＤＥ１０５及び林原社製のＣ５４５Ｔなどを使用でき、燐光ドーパントとしては、赤色燐光ドーパントＰｔＯＥＰ、ＵＤＣ社製のＲＤ ６１、緑色燐光ドーパントＩｒ（ＰＰｙ）３（ＰＰｙ＝２−フェニルピリジン）、青色燐光ドーパントであるＦ２Ｉｒｐｉｃ、ＵＤＣ社製の赤色燐光ドーパントＲＤ ６１などを使用できる。
【００６６】
ドーピング濃度は、特別に制限されないが、通常ホスト１００質量部に対して前記ドーパントの含量は０．０１〜１５質量部である。
【００６７】
前記発光層の厚さは、約１００Å〜１０００Åであり、好ましくは、２００Å〜６００Åであり得る。前記発光層の厚さが１００Å未満である場合、発光特性が低下し、前記発光層の厚さが１０００Åを超える場合、駆動電圧が上昇し得るためである。
【００６８】
発光層に燐光ドーパントを使用する場合には、三重項励起子または正孔が電子輸送層に広がる現象を防止するために、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法を利用して、前記正孔輸送層の上部に正孔阻止層を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法により正孔阻止層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件の範囲内で選択される。使用可能な公知の正孔阻止材料、例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、特開平１１−３２９７３４号公報に記載されている正孔阻止材料、ＢＣＰなどが挙げられる。
【００６９】
前記正孔阻止層の厚さは、約５０Å〜１０００Åであり、好ましくは、１００Å〜３００Åであり得る。前記正孔阻止層の厚さが５０Å未満である場合、正孔阻止特性が低下し、前記正孔阻止層の厚さが１０００Åを超える場合、駆動電圧が上昇し得るためである。
【００７０】
次いで、電子輸送層を真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を利用して形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件の範囲内で選択される。前記電子輸送層の材料は、電子注入電極（カソード）から注入された電子を安定的に輸送する機能を行うものであって、キノリン誘導体、特に、トリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＴＡＺのような公知の材料を使用しても良い。
【００７１】
【化２３】
【００７２】
前記電子輸送層の厚さは、約１００Å〜１０００Åであり、好ましくは、２００Å〜５００Åであり得る。前記電子輸送層の厚さが１００Å未満である場合、電子輸送特性が低下し、前記電子輸送層の厚さが１０００Åを超える場合、駆動電圧が上昇し得るためである。
【００７３】
また、電子輸送層の上部に、負極から電子の注入を容易にする機能を行う物質である電子注入層が積層されてもよく、構成される材料は特に限定されない。
【００７４】
電子注入層としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯのような電子注入層形成材料として公知の任意の物質を利用できる。前記電子注入層の蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件の範囲内で選択される。
【００７５】
前記電子注入層の厚さは、約１Å〜１００Åであり、好ましくは、５Å〜５０Åであり得る。前記電子注入層の厚さが１Å未満である場合、電子注入特性が低下し、前記電子注入層の厚さが１００Åを超える場合、駆動電圧が上昇し得るためである。
【００７６】
最後に、電子注入層の上部に真空蒸着法やスパッタリング法などの方法を利用して第２電極を形成できる。前記第２電極は、カソードとして使用され得る。前記第２電極形成用の金属としては、仕事関数の小さな金属、合金、電気伝導性の化合物及びこれらの混合物を使用できる。具体例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等が挙げられる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯを使用した透過型カソードを使用しても良い。
【００７７】
本発明のＯＬＥＤは、図１Ｃに示す第１電極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、第２電極構造のＯＬＥＤだけでなく、多様な構造を有するＯＬＥＤ（例えば、以下の実施例でさらに詳細に説明する図１Ａに示すＯＬＥＤ）を含むということは言うまでもない。
【実施例】
【００７８】
以下で、本発明に係る前記化学式２〜化学式１０で表される化合物２〜化合物１０（以下、それぞれ「化合物２」〜「化合物１０」という、各化合物の化学式は、各化合物と同じ番号を有する化学式を参照する）の合成例及び実施例を具体的に例示するが、本発明が、下記の合成例及び実施例に限定されるものではない。
【００７９】
＜比較合成例１＞
ベンジルホスホン酸ジエチルエステル（４．３９ｍｍｏｌ，１ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）溶媒に溶解させた後、水素化ナトリウム（６．５７ｍｍｏｌ，０．１５７ｇ）を添加して５０℃で１時間反応させた後、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド（３．６６ｍｍｏｌ，１ｇ）を滴下して、７０℃で一日間反応させた後、エタノール（２０ｍｌ）を添加して真空で乾燥させた後、塩化メチレン（２００ｍｌ）を添加した。これから集められた有機層を水（５０ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムを入れて乾燥させた後、濾過して溶媒部分のみを乾燥させた。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、下記化学式で表される比較化合物Ａ（収率７８％）を得た。
【００８０】
【化２４】
【００８１】
＜合成例１＞
下記反応式の反応経路によって化合物２を合成した。
【００８２】
【化２５】
【００８３】
（１）中間体Ｂの合成
４−臭化ブロモベンジル（１２ｍｍｏｌ，３ｇ）をＰ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３（１８ｍｍｏｌ，４．５ｇ）と混合して、１８５℃で６時間攪拌した。常温まで冷却させて粗生成物を得た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して３．１３ｇ（収率８５％）の中間体Ｂを得た。
【００８４】
（２）中間体Ｃの合成
ベンジルホスホン酸ジエチルエステルの代わりに中間体Ｂを使用する以外には、比較合成例１と同じ方法で中間体Ｃを合成及び精製して前記中間体Ｃ（収率７５％）を得た。
【００８５】
（３）化合物２の合成
前記中間体Ｃ（２．３５ｍｍｏｌ，１ｇ）、１−ナフタレンボロン酸（２．８１ｍｍｏｌ，０．４８ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．１２ｍｍｏｌ，０．１３５ｇ）、Ｋ２ＣＯ３（３．５３ｍｍｏｌ，０．４９ｇ）をトルエン（１００ｍＬ）及び水（１０ｍｌ）に溶解させた後、還流温度で４８時間攪拌した。常温まで冷却させた後、ジエチルエーテル（１００ｍｌ）を添加して水（５０ｍＬ）で２回洗浄し、有機層を集めて無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を蒸発させて粗生成物を得た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して０．７ｇ（収率６３％）の化合物２を得た。
【００８６】
＜合成例２＞
下記反応式の反応経路によって化合物３を合成した。
【００８７】
【化２６】
【００８８】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりに４−ビフェニリルホウ酸を使用した点を除いては、前記合成例２と同じ方法で化合物３を得た。
【００８９】
＜合成例３＞
下記反応式の反応経路によって化合物４を合成した。
【００９０】
【化２７】
【００９１】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりに中間体Ｄを使用した点を除いては、前記合成例２と同じ方法で化合物４を得た。中間体Ｄは、下記反応式によって合成した。
【００９２】
【化２８】
【００９３】
９−ブロモアントラセン（７．７８ｍｍｏｌ，２ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）溶媒で溶解させ、−７８℃で１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム（８．５６ｍｍｏｌ，５．３５ｍｌ）を徐々に滴下し、１時間−７８℃で反応させた後、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（９．３３ｍｍｏｌ，１．７４ｇ）を入れて常温で１８時間攪拌した後、塩化メチレン（１００ｍｌ）を添加して水（５０ｍｌ）で２回洗浄した後、有機層を集めて無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。次いで、溶媒を蒸発させて粗生成物を得た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して１．６８ｇ（収率７１％）の中間体Ｄを得た。
【００９４】
＜合成例４＞
下記反応式の反応経路によって化合物５を合成した。
【００９５】
【化２９】
【００９６】
前記中間体Ｄ’の製造のための出発物質として、中間体Ｄを製造するための９−ブロモアントラセンの代わりに、９−ブロモフェナントレンを使用した点を除いては、前記合成例３と同じ方法で化合物５を得た。
【００９７】
＜合成例５＞
下記反応式の反応経路によって化合物６を合成した。
【００９８】
【化３０】
【００９９】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりにピリジニルボロン酸を使用した点を除いては、前記合成例１と同じ方法で化合物６を得た。
【０１００】
＜合成例６＞
下記反応式の反応経路によって化合物７を合成した。
【０１０１】
【化３１】
【０１０２】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりにベンゾチオフェニルボロン酸を使用した点を除いては、前記合成例１と同じ方法で化合物７を得た。
【０１０３】
＜合成例７＞
下記反応式の反応経路によって化合物８を合成した。
【０１０４】
【化３２】
【０１０５】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりにチアントレニルボロン酸を使用した点を除いては、前記合成例１と同じ方法で化合物８を得た。
【０１０６】
＜合成例８＞
下記反応式の反応経路によって化合物９を合成した。
【０１０７】
【化３３】
【０１０８】
前記合成例３の中間体Ｂの代わりに中間体Ｂ’を使用した点を除いては、前記合成例３と同じ方法で化合物９を得た。
【０１０９】
＜合成例９＞
下記反応式の反応経路によって化合物１０を合成した。
【０１１０】
【化３４】
【０１１１】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりにプロピル（シクロヘキシル）ボロン酸を使用した点を除いては、前記合成例２と同じ方法で化合物１０を得た。
【０１１２】
＜評価例１−化合物２〜１０の熱安定性の評価＞
前記化合物２〜１０の熱安定性を各化合物のＴｇ（ガラス転移温度）及びＴｍ（融点）を測定することによって評価した。Ｔｇ及びＴｍは、ＴＧＡ（熱重量分析：Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（示差走査熱量測定：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温〜４００℃−ＤＳＣ、パン型：使い捨てのＡｌパン中のＰｔパン Ｐａｎ（ＴＧＡ）、使い捨てのＡｌパン（ＤＳＣ））を行って測定した。その結果を下記表１に示す。
【０１１３】
【表１】
【０１１４】
これにより、本発明に係る化合物２〜１０は、ＯＬＥＤに適した熱安定性を有していることが分かる。
【０１１５】
＜評価例２：比較化合物Ａ及び化合物２〜１０の発光特性の評価＞
比較化合物Ａ及び化合物２〜１０の吸収スペクトル及びＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）スペクトルを評価することによって、各化合物の発光特性を評価した。まず、化合物２をトルエンで０．２ｍＭの濃度に希釈し、島津ＵＶ−３５０スペクトロメーターを利用して吸収スペクトルを測定した。これを化合物３〜１０及び比較化合物Ａに対して繰り返した。一方、化合物２をトルエンで１０ｍＭの濃度に希釈し、キセノンランプが装着されているＩＳＣ ＰＣ１スペクトロフルオロメーターを利用してＰＬスペクトルを測定した。これを化合物３〜１０及び比較化合物Ａに対して繰り返した。その結果を下記表２に示す。
【０１１６】
【表２】
【０１１７】
＜評価例３：比較化合物Ａ及び化合物２〜化合物１０の発光特性の評価（ホストと混合してフィルムを形成した場合）＞
比較化合物Ａ及び化合物２〜１０のそれぞれとＰＶＫとを混合した混合物でフィルムを形成して、前記フィルムの吸収スペクトル、ＰＬスペクトル及び量子収率を評価した。
【０１１８】
まず、水晶基板を準備してクロロホルム及び純粋物で洗浄した。この後、ＰＶＫ（アルドリッチ社製）０．１ｇに化合物０．０１ｇ（ＰＶＫ１００質量部当たり化合物２の含量は１０質量部である）をトルエンに溶かして混合した後、前記混合物を前記基板にスピンコーティングした後に１１０℃の温度で２時間熱処理して、１０００Åの厚さの化合物 ２＿ＰＶＫフィルムを形成した。前記フィルムに対してそれぞれ吸収スペクトル、ＰＬスペクトル及び量子収率を測定した。これを化合物３〜化合物１０及び比較化合物Ａに対して繰り返した。その結果を下記表３に示す。
【０１１９】
【表３】
【０１２０】
これにより、本発明に係る化合物２〜１０及びＰＶＫを利用してフィルムを形成した場合、比較化合物Ａに比べてＯＬＥＤへの適用に適した吸収スペクトル、ＰＬスペクトル及び量子収率を有するということが分かる。
【０１２１】
＜比較実施例１＞
比較化合物Ａを発光層のドーパントとして使用して、次のような構造を有するＯＬＥＤを製作した：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（５００Å）／比較化合物Ａ＿ＰＶＫ（４８０Å）／ＴＡＺ（２００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌ（２０００Å）。
【０１２２】
アノードは、コーニング社製の１５Ω／ｃｍ２（１２００Å）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ０．７ｍｍのサイズに切って、イソプロピルアルコール及び純粋物の中で各５分間超音波で洗浄した後、３０分間ＵＶオゾンで洗浄して使用した。前記基板の上部にバイエル社製のＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ＡＩ４０８３）をコーティングして１２０℃で５時間熱処理して、５００Åの正孔注入層を形成した。前記正孔注入層の上部に、ＰＶＫ ０．１ｇ及び前記比較化合物Ａ ０．０１ｇを混合した混合物（ＰＶＫ１００重量部当たり比較化合物Ａは１０重量部である）をスピンコーティングした後、１１０℃で２時間熱処理して４８０Åの厚さの発光層を形成した。この後、前記発光層の上部にＴＡＺ化合物をスピンコーティングした後、１１０℃で２時間熱処理して２００Åの厚さの電子輸送層を形成した。前記電子輸送層の上部にＬｉＦ １０Å（電子注入層）及びＡｌ ２０００Å（カソード）を順次に真空蒸着して、図１Ａに示すようなＯＬＥＤを製造した。これを比較サンプルＡとした。
【０１２３】
＜実施例１〜実施例９＞
発光層の形成のために、比較化合物Ａの代わりに前記合成例１〜合成例９で合成した化合物２〜化合物１０をそれぞれ使用した点を除いては、前記比較実施例１と同じ方法でＯＬＥＤを製作した。これを各々サンプル２〜サンプル１０という。
【０１２４】
＜評価例４：比較サンプルＡ及びサンプル２〜サンプル１０の特性の評価＞
比較サンプルＡ及びサンプル２〜サンプル１０に対して、ＰＲ６５０（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ）Ｓｏｕｒｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｕｎｉｔ．を利用して駆動電圧、色純度、効率及び外部量子収率をそれぞれ評価した。
【０１２５】
【表４】
【０１２６】
表４から、本発明に係るサンプル２〜サンプル１０の素子の特性は、従来の比較サンプルＡに比べて優れているということが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
本発明は、有機発光に関連した技術分野に好適に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１Ａ】本発明に係るＯＬＥＤの構造を簡略に示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明に係るＯＬＥＤの構造を簡略に示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明に係るＯＬＥＤの構造を簡略に示す断面図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アミノスチリル化合物、その製造方法及びそれを備えた有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｅｉｃｅ：ＯＬＥＤ）に係り、さらに詳細には、優れた電気的特性及び熱安定性を有し、ＯＬＥＤの適用時、優れた駆動電圧、輝度、効率及び色純度特性を表すアミノスチリル化合物、その製造方法及び該アミノスチリル化合物を含む有機膜を採用したＯＬＥＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子は、自発光型の素子であって、視野角が広く、コントラストに優れているだけでなく、応答時間が速いという長所を有している。前記発光素子には、発光層に無機化合物を使用する無機発光素子と、有機化合物を使用するＯＬＥＤとがあるが、ＯＬＥＤは、無機発光素子に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度の特性に優れており、多色化が可能であるという点で多くの研究が行われている。
【０００３】
ＯＬＥＤは、一般的に、アノード／有機発光層／カソードの積層構造を有し、アノード／正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）／正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）／発光層／電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）／電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）／カソードまたはアノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＨＢＬ）／電子輸送層／電子注入層／カソードのような多様な構造を有しても良い。
【０００４】
前記発光層の形成材料として、例えば、特許文献１には、アミノスチリル化合物が開示されている。
【特許文献１】特開平０５−０１７７６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、前記化合物を採用したＯＬＥＤの駆動電圧、輝度、効率及び色純度の特性は満足すべきレベルに達していないところ、その改善が必要である。
【０００６】
前記問題点を解決するために、本発明は、ＯＬＥＤの駆動電圧、輝度、効率及び色純度特性を向上させ得る化合物、その製造方法及びそれを備えたＯＬＥＤを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記本発明の課題を解決するために、本発明の第１態様は、下記化学式１で表されるアミノスチリル化合物を提供する。
【０００８】
【化１】
【０００９】
前記化学式１のうち、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して水素原子、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基または置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基であり；
ｎは、１〜３の整数であり、
Ｌは、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５−Ｃ２０のシクロアルキル基またはＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基である
前記本発明の課題を解決するために、本発明の第２態様は、下記化学式１ａで表される化合物及び下記化学式１ｂで表される化合物を反応させて、下記化学式１ｃで表される化合物を形成する工程と、前記化学式１ｃで表される化合物及び化学式：Ｌ−Ｑで表される化合物を反応させて、下記化学式１で表される化合物を形成する工程と、を含むアミノスチリル化合物の製造方法を提供する。
【００１０】
【化２】
【００１１】
【化３】
【００１２】
【化４】
【００１３】
【化５】
【００１４】
前記化学式のうち、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、ｎ、Ｌは、前記定義されたところと同じであり、Ｈａは、ハロゲン原子であり；Ｑは、ホウ素含有基である。
【００１５】
前記本発明の課題を解決するために、本発明の第３態様は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の間にある有機膜と、を含む有機発光素子であって、前記有機膜は、前述したようなアミノスチリル化合物を含むことを特徴とするＯＬＥＤを提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によって化学式１で表されるアミノスチリル化合物は優れた発光特性及び熱安定性を有する。したがって、本発明に係るアミノスチリル化合物を利用すれば、低い駆動電圧、優れた色純度、高効率、高外部量子収率及び高輝度を有するＯＬＥＤが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１８】
本発明に係るアミノスチリル化合物は、前記化学式１で表される。前記化学式１のうち、ｎ個存在するフェニレン基（すなわち、Ｎと連結されていないフェニレン基）は、Ｌで表される置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５−Ｃ２０のシクロアルキル基またはＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基と連結されている。これにより、前記化合物の溶解度が低下し、前記化合物を素子に使用した場合、素子の駆動電圧が低くなり、効率が向上しうる。したがって、前記化学式１のアミノスチリル化合物は、ＯＬＥＤの有機膜、特に、発光層のドーパントまたは正孔輸送層として使用するのに適している。
【００１９】
前記化学式１のうち、Ａｒ１及びＡｒ２であり得るアリール基またはヘテロアリール基；及びＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７またはＲ８であり得るアルキル基もしくはアルコキシ基；ならびにＬであり得るアリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基及びヘテロシクロアルキル基；のＨは、非置換、または適切な置換基に置換され得る。このとき、置換基は、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ１−Ｃ２０のアルキル基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ６−Ｃ３０のアリール基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ５−Ｃ２０シクロアルキル基；及び非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換されたＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基；からなる群から選択された一以上であることが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００２０】
さらに具体的に、前記化学式１のうち、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル）フェニル基、（アントリル）フェニル基、ビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、へプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、へプタフェニル基、へプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１−１０アルキルカルバゾリル基、チオフェニル基、インドリル基、プリニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリニル基、ベンゾチオフェニル基、パラチアジニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イミダゾリニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基及びチアントレニル基からなる群から選択され得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。好ましくはフェニル基またはナフチル基である。
【００２１】
本発明に係る一具現例で、前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに同一であっても、異なっていてもよいが、好ましくは同一である 前記化学式１のうち、ｎは、好ましくは１または２である。
【００２２】
一方、前記化学式１のうち、Ｌは、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル）フェニル基、（アントリル）フェニル基、ビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、へプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、へプタフェニル基、へプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルカルバゾリル基、チオフェニル基、インドリル基、プリニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリニル基、ベンゾチオフェニル基、パラチアジニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イミダゾリニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、チアントレニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシシクロヘキシル基、オキシラニル基、ピロリジニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基及びモルホリニル基からなる群から選択され得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００２３】
本発明に係る一具現例で、前記Ｌは、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、ピリジニル基、ベンゾチオフェニル基、チアントレニル基またはプロピルシクロヘキシル基であり得る。
【００２４】
前記化学式１のうち、Ｒ１〜Ｒ８は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ１〜Ｒ８は互いに独立して、水素原子、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基または置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基であるが、好ましくは水素原子である。
【００２５】
好ましくは、本発明に係るアミノスチリル化合物は、下記化学式２〜化学式１０で表示され得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００２６】
【化６】
【００２７】
【化７】
【００２８】
【化８】
【００２９】
【化９】
【００３０】
【化１０】
【００３１】
【化１１】
【００３２】
【化１２】
【００３３】
【化１３】
【００３４】
【化１４】
【００３５】
前記化学式１で表されるアミノスチリル化合物の合成方法は、通常的な有機合成方法を利用したものである。本発明に係るアミノスチリル化合物の製造方法の一具現例は、下記化学式１ａで表される化合物及び下記化学式１ｂで表される化合物を反応させて、下記化学式１ｃで表される化合物を形成する工程と、前記化学式１ｃで表される化合物及び化学式：Ｌ−Ｑで表される化合物を反応させて、下記化学式１で表されるアミノスチリル化合物を形成する工程と、を含み得る：
【００３６】
【化１５】
【００３７】
【化１６】
【００３８】
【化１７】
【００３９】
前記化学式１ａ〜１ｃのうち、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びｎの定義は、前述したところを参照する。
【００４０】
一方、前記前記化学式１ｂ及び１ｃのうち、Ｈａは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩのようなハロゲン原子である。好ましく、Ｈａは、Ｂｒである。
【００４１】
前記化学式：Ｌ−Ｑのうち、Ｌの定義は、前述したところを参照し、Ｑは、ホウ素含有基である。前記ホウ素含有基の具体例としては、例えば、
【００４２】
【化１８】
【００４３】
などが挙げられるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００４４】
下記反応式１は、本発明のアミノスチリル化合物の合成経路をさらに具体的に示すものである。
【００４５】
【化１９】
【００４６】
まず、前記化学式１ａで表される化合物及び前記化学式１ｂで表される化合物を反応させて、化学式１ｃで表される化合物を得る。前記化学式１ａで表される化合物は、一般的に市販されている試薬を購入して使用することができる。、また、トリアリールアミンをＰＯＣｌ３と反応させて得ることもできるし（例えば、トリフェニルアミンをＰＯＣｌ３と反応させて得られる）、前記１ｂで表される化合物は、メチルハロゲン化物が置換されたアリール化合物と亜リン酸トリエチル（Ｐ（ＯＥｔ）３）を反応させて得ることもできる（例えば、臭化ブロモベンジルを亜リン酸トリエチルと反応させて得られる）が、必ずしもこれに限定されるものではない。その後、前記化合物１ｃで表される化合物及び化学式：Ｌ−Ｑで表される化合物を反応させて、化学式１で表される化合物が得られる。前記反応は、例えば、Ｋ２ＣＯ３及びＰｄ（ＰＰｈ３）４の存在下で行わうことができる。前記Ｌ−Ｑで表される化合物は、例えば、Ｌ基を有するボロン酸またはジオキサボロランであるが、必ずしもこれに限定されるものではない。合成された全ての化合物は、１Ｈ ＮＭＲ及び質量分析計を利用してその構造を確認できる。
【００４７】
前述したような本発明に係るアミノスチリル化合物は、ＯＬＥＤに適用され得る。本発明に係るＯＬＥＤは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間にある有機膜と、を含むが、前記有機膜は、前述したような化学式１で表されるアミノスチリル化合物を含む。好ましくは、前記有機膜は、発光層及び正孔輸送層である。本発明に係るＯＬＥＤの構造は、非常に多様である。前記第１電極と第２電極との間に、発光層と、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された一以上の層と、を含むことができる。
【００４８】
さらに具体的に、本発明に係るＯＬＥＤの具現例は、図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃを参照する。図１ＡのＯＬＥＤは、（１）第１電極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極からなる構造を有し、図１ＢのＯＬＥＤは、（２）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極からなる構造を有する。また、図１ＣのＯＬＥＤは、（３）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有する。このとき、前記発光層は、本発明に係るアミノスチリル化合物を含み得る。
【００４９】
本発明に係るＯＬＥＤの発光層は、前記発光層は、赤色、緑色、青色または白色を含む燐光及び赤色、緑色、青色または白色を含む蛍光ドーパントからなる群から選択された一以上を含み得る。このうち、前記燐光ドーパントは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ及びＴｍからなる群から選択された一つ以上の元素を含む有機金属化合物であり得る。
【００５０】
以下、本発明に係るＯＬＥＤの製造方法を、図１Ｃに示すＯＬＥＤを参照して説明する。
【００５１】
まず、仕事関数の大きな第１電極用の物質を、蒸着法またはスパッタリング法等により基板の上部に形成して第１電極を形成する。前記第１電極は、アノードであってもよい。ここで、基板としては、通常的なＯＬＥＤで使用される基板を使用するが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板が好ましい。第１電極用物質としては、透明かつ伝導性に優れた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを使用する。
【００５２】
次いで、前記第１電極の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（ラングミューア・ブロジェット：Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法のような多様な方法を利用して正孔注入層を形成できる。
【００５３】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性等によって異なるが、一般的に蒸着温度１００〜５００℃、真空度１０−８〜１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜１００Å／ｓｅｃ、膜厚は、通常１０Å〜５μｍの範囲で適切に選択することが好ましい。
【００５４】
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティングの条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とするする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、約２０００ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約８０℃〜２００℃の温度範囲で適切に選択することが好ましい。
【００５５】
前記正孔注入層の物質としては、特別に制限されず、例えば、米国特許第４，３５６，４２９号明細書に開示された銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはＡｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ，６，ｐ．６７７（１９９４）に記載されているスターバースト型アミン誘導体類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ、溶解性のある伝導性高分子であるＰａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホネート）またはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンファースルホネート）またはＰＡＮＩ／ＰＳＳ（ポリアニリン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））などを使用できる。
【００５６】
【化２０】
【００５７】
【化２１】
【００５８】
前記正孔注入層の厚さは、約１００Å〜１００００Åであり、好ましくは、１００Å〜１０００Åであり得る。前記正孔注入層の厚さが１００Å未満である場合、正孔注入特性が低下し、前記正孔注入層の厚さが１００００Åを超える場合、駆動電圧が上昇する可能性があるためである。
【００５９】
次いで、前記正孔注入層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を利用して正孔輸送層を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件の範囲内で選択される。
【００６０】
前記正孔輸送層の物質は特別に制限されず、正孔輸送層に使用されている公知のものから任意のものを選択して使用できる。例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などの芳香族縮合環を有する通常的なアミン誘導体などが使用される。
【００６１】
前記正孔輸送層の厚さは、約５０Å〜１０００Åであり、好ましくは、１００Å〜６００Åであり得る。前記正孔輸送層の厚さが５０Å未満である場合、正孔輸送特性が低下し、前記正孔輸送層の厚さが１０００Åを超える場合、駆動電圧が上昇し得るためである。
【００６２】
次いで、前記正孔輸送層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法を利用して発光層を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件の範囲内で選択される。
【００６３】
前記発光層は、前述したように、本発明に係る化学式１のアミノスチリル化合物を含み得る。このとき、化学式１のアミノスチリル化合物に適した公知のホスト材料と共に使用することができる。ホスト材料の場合、例えば、Ａｌｑ３（トリス(８−キノリノレート)アルミニウム）、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、またはＰＶＫ（ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール））などを使用できる。
【００６４】
【化２２】
【００６５】
一方、発光層の形成材料として、本発明に係るアミノスチリル化合物の他にも公知の多様なドーパントを使用できる。例えば、蛍光ドーパントとしては、出光社製のＩＤＥ１０２、ＩＤＥ１０５及び林原社製のＣ５４５Ｔなどを使用でき、燐光ドーパントとしては、赤色燐光ドーパントＰｔＯＥＰ、ＵＤＣ社製のＲＤ ６１、緑色燐光ドーパントＩｒ（ＰＰｙ）３（ＰＰｙ＝２−フェニルピリジン）、青色燐光ドーパントであるＦ２Ｉｒｐｉｃ、ＵＤＣ社製の赤色燐光ドーパントＲＤ ６１などを使用できる。
【００６６】
ドーピング濃度は、特別に制限されないが、通常ホスト１００質量部に対して前記ドーパントの含量は０．０１〜１５質量部である。
【００６７】
前記発光層の厚さは、約１００Å〜１０００Åであり、好ましくは、２００Å〜６００Åであり得る。前記発光層の厚さが１００Å未満である場合、発光特性が低下し、前記発光層の厚さが１０００Åを超える場合、駆動電圧が上昇し得るためである。
【００６８】
発光層に燐光ドーパントを使用する場合には、三重項励起子または正孔が電子輸送層に広がる現象を防止するために、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法を利用して、前記正孔輸送層の上部に正孔阻止層を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法により正孔阻止層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件の範囲内で選択される。使用可能な公知の正孔阻止材料、例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、特開平１１−３２９７３４号公報に記載されている正孔阻止材料、ＢＣＰなどが挙げられる。
【００６９】
前記正孔阻止層の厚さは、約５０Å〜１０００Åであり、好ましくは、１００Å〜３００Åであり得る。前記正孔阻止層の厚さが５０Å未満である場合、正孔阻止特性が低下し、前記正孔阻止層の厚さが１０００Åを超える場合、駆動電圧が上昇し得るためである。
【００７０】
次いで、電子輸送層を真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を利用して形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件の範囲内で選択される。前記電子輸送層の材料は、電子注入電極（カソード）から注入された電子を安定的に輸送する機能を行うものであって、キノリン誘導体、特に、トリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＴＡＺのような公知の材料を使用しても良い。
【００７１】
【化２３】
【００７２】
前記電子輸送層の厚さは、約１００Å〜１０００Åであり、好ましくは、２００Å〜５００Åであり得る。前記電子輸送層の厚さが１００Å未満である場合、電子輸送特性が低下し、前記電子輸送層の厚さが１０００Åを超える場合、駆動電圧が上昇し得るためである。
【００７３】
また、電子輸送層の上部に、負極から電子の注入を容易にする機能を行う物質である電子注入層が積層されてもよく、構成される材料は特に限定されない。
【００７４】
電子注入層としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯのような電子注入層形成材料として公知の任意の物質を利用できる。前記電子注入層の蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件の範囲内で選択される。
【００７５】
前記電子注入層の厚さは、約１Å〜１００Åであり、好ましくは、５Å〜５０Åであり得る。前記電子注入層の厚さが１Å未満である場合、電子注入特性が低下し、前記電子注入層の厚さが１００Åを超える場合、駆動電圧が上昇し得るためである。
【００７６】
最後に、電子注入層の上部に真空蒸着法やスパッタリング法などの方法を利用して第２電極を形成できる。前記第２電極は、カソードとして使用され得る。前記第２電極形成用の金属としては、仕事関数の小さな金属、合金、電気伝導性の化合物及びこれらの混合物を使用できる。具体例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等が挙げられる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯを使用した透過型カソードを使用しても良い。
【００７７】
本発明のＯＬＥＤは、図１Ｃに示す第１電極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、第２電極構造のＯＬＥＤだけでなく、多様な構造を有するＯＬＥＤ（例えば、以下の実施例でさらに詳細に説明する図１Ａに示すＯＬＥＤ）を含むということは言うまでもない。
【実施例】
【００７８】
以下で、本発明に係る前記化学式２〜化学式１０で表される化合物２〜化合物１０（以下、それぞれ「化合物２」〜「化合物１０」という、各化合物の化学式は、各化合物と同じ番号を有する化学式を参照する）の合成例及び実施例を具体的に例示するが、本発明が、下記の合成例及び実施例に限定されるものではない。
【００７９】
＜比較合成例１＞
ベンジルホスホン酸ジエチルエステル（４．３９ｍｍｏｌ，１ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）溶媒に溶解させた後、水素化ナトリウム（６．５７ｍｍｏｌ，０．１５７ｇ）を添加して５０℃で１時間反応させた後、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド（３．６６ｍｍｏｌ，１ｇ）を滴下して、７０℃で一日間反応させた後、エタノール（２０ｍｌ）を添加して真空で乾燥させた後、塩化メチレン（２００ｍｌ）を添加した。これから集められた有機層を水（５０ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムを入れて乾燥させた後、濾過して溶媒部分のみを乾燥させた。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、下記化学式で表される比較化合物Ａ（収率７８％）を得た。
【００８０】
【化２４】
【００８１】
＜合成例１＞
下記反応式の反応経路によって化合物２を合成した。
【００８２】
【化２５】
【００８３】
（１）中間体Ｂの合成
４−臭化ブロモベンジル（１２ｍｍｏｌ，３ｇ）をＰ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３（１８ｍｍｏｌ，４．５ｇ）と混合して、１８５℃で６時間攪拌した。常温まで冷却させて粗生成物を得た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して３．１３ｇ（収率８５％）の中間体Ｂを得た。
【００８４】
（２）中間体Ｃの合成
ベンジルホスホン酸ジエチルエステルの代わりに中間体Ｂを使用する以外には、比較合成例１と同じ方法で中間体Ｃを合成及び精製して前記中間体Ｃ（収率７５％）を得た。
【００８５】
（３）化合物２の合成
前記中間体Ｃ（２．３５ｍｍｏｌ，１ｇ）、１−ナフタレンボロン酸（２．８１ｍｍｏｌ，０．４８ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．１２ｍｍｏｌ，０．１３５ｇ）、Ｋ２ＣＯ３（３．５３ｍｍｏｌ，０．４９ｇ）をトルエン（１００ｍＬ）及び水（１０ｍｌ）に溶解させた後、還流温度で４８時間攪拌した。常温まで冷却させた後、ジエチルエーテル（１００ｍｌ）を添加して水（５０ｍＬ）で２回洗浄し、有機層を集めて無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を蒸発させて粗生成物を得た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して０．７ｇ（収率６３％）の化合物２を得た。
【００８６】
＜合成例２＞
下記反応式の反応経路によって化合物３を合成した。
【００８７】
【化２６】
【００８８】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりに４−ビフェニリルホウ酸を使用した点を除いては、前記合成例２と同じ方法で化合物３を得た。
【００８９】
＜合成例３＞
下記反応式の反応経路によって化合物４を合成した。
【００９０】
【化２７】
【００９１】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりに中間体Ｄを使用した点を除いては、前記合成例２と同じ方法で化合物４を得た。中間体Ｄは、下記反応式によって合成した。
【００９２】
【化２８】
【００９３】
９−ブロモアントラセン（７．７８ｍｍｏｌ，２ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍｌ）溶媒で溶解させ、−７８℃で１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム（８．５６ｍｍｏｌ，５．３５ｍｌ）を徐々に滴下し、１時間−７８℃で反応させた後、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（９．３３ｍｍｏｌ，１．７４ｇ）を入れて常温で１８時間攪拌した後、塩化メチレン（１００ｍｌ）を添加して水（５０ｍｌ）で２回洗浄した後、有機層を集めて無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。次いで、溶媒を蒸発させて粗生成物を得た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して１．６８ｇ（収率７１％）の中間体Ｄを得た。
【００９４】
＜合成例４＞
下記反応式の反応経路によって化合物５を合成した。
【００９５】
【化２９】
【００９６】
前記中間体Ｄ’の製造のための出発物質として、中間体Ｄを製造するための９−ブロモアントラセンの代わりに、９−ブロモフェナントレンを使用した点を除いては、前記合成例３と同じ方法で化合物５を得た。
【００９７】
＜合成例５＞
下記反応式の反応経路によって化合物６を合成した。
【００９８】
【化３０】
【００９９】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりにピリジニルボロン酸を使用した点を除いては、前記合成例１と同じ方法で化合物６を得た。
【０１００】
＜合成例６＞
下記反応式の反応経路によって化合物７を合成した。
【０１０１】
【化３１】
【０１０２】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりにベンゾチオフェニルボロン酸を使用した点を除いては、前記合成例１と同じ方法で化合物７を得た。
【０１０３】
＜合成例７＞
下記反応式の反応経路によって化合物８を合成した。
【０１０４】
【化３２】
【０１０５】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりにチアントレニルボロン酸を使用した点を除いては、前記合成例１と同じ方法で化合物８を得た。
【０１０６】
＜合成例８＞
下記反応式の反応経路によって化合物９を合成した。
【０１０７】
【化３３】
【０１０８】
前記合成例３の中間体Ｂの代わりに中間体Ｂ’を使用した点を除いては、前記合成例３と同じ方法で化合物９を得た。
【０１０９】
＜合成例９＞
下記反応式の反応経路によって化合物１０を合成した。
【０１１０】
【化３４】
【０１１１】
前記合成例１の化合物２の合成のうち、１−ナフタレンボロン酸の代わりにプロピル（シクロヘキシル）ボロン酸を使用した点を除いては、前記合成例２と同じ方法で化合物１０を得た。
【０１１２】
＜評価例１−化合物２〜１０の熱安定性の評価＞
前記化合物２〜１０の熱安定性を各化合物のＴｇ（ガラス転移温度）及びＴｍ（融点）を測定することによって評価した。Ｔｇ及びＴｍは、ＴＧＡ（熱重量分析：Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（示差走査熱量測定：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温〜４００℃−ＤＳＣ、パン型：使い捨てのＡｌパン中のＰｔパン Ｐａｎ（ＴＧＡ）、使い捨てのＡｌパン（ＤＳＣ））を行って測定した。その結果を下記表１に示す。
【０１１３】
【表１】
【０１１４】
これにより、本発明に係る化合物２〜１０は、ＯＬＥＤに適した熱安定性を有していることが分かる。
【０１１５】
＜評価例２：比較化合物Ａ及び化合物２〜１０の発光特性の評価＞
比較化合物Ａ及び化合物２〜１０の吸収スペクトル及びＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）スペクトルを評価することによって、各化合物の発光特性を評価した。まず、化合物２をトルエンで０．２ｍＭの濃度に希釈し、島津ＵＶ−３５０スペクトロメーターを利用して吸収スペクトルを測定した。これを化合物３〜１０及び比較化合物Ａに対して繰り返した。一方、化合物２をトルエンで１０ｍＭの濃度に希釈し、キセノンランプが装着されているＩＳＣ ＰＣ１スペクトロフルオロメーターを利用してＰＬスペクトルを測定した。これを化合物３〜１０及び比較化合物Ａに対して繰り返した。その結果を下記表２に示す。
【０１１６】
【表２】
【０１１７】
＜評価例３：比較化合物Ａ及び化合物２〜化合物１０の発光特性の評価（ホストと混合してフィルムを形成した場合）＞
比較化合物Ａ及び化合物２〜１０のそれぞれとＰＶＫとを混合した混合物でフィルムを形成して、前記フィルムの吸収スペクトル、ＰＬスペクトル及び量子収率を評価した。
【０１１８】
まず、水晶基板を準備してクロロホルム及び純粋物で洗浄した。この後、ＰＶＫ（アルドリッチ社製）０．１ｇに化合物０．０１ｇ（ＰＶＫ１００質量部当たり化合物２の含量は１０質量部である）をトルエンに溶かして混合した後、前記混合物を前記基板にスピンコーティングした後に１１０℃の温度で２時間熱処理して、１０００Åの厚さの化合物 ２＿ＰＶＫフィルムを形成した。前記フィルムに対してそれぞれ吸収スペクトル、ＰＬスペクトル及び量子収率を測定した。これを化合物３〜化合物１０及び比較化合物Ａに対して繰り返した。その結果を下記表３に示す。
【０１１９】
【表３】
【０１２０】
これにより、本発明に係る化合物２〜１０及びＰＶＫを利用してフィルムを形成した場合、比較化合物Ａに比べてＯＬＥＤへの適用に適した吸収スペクトル、ＰＬスペクトル及び量子収率を有するということが分かる。
【０１２１】
＜比較実施例１＞
比較化合物Ａを発光層のドーパントとして使用して、次のような構造を有するＯＬＥＤを製作した：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（５００Å）／比較化合物Ａ＿ＰＶＫ（４８０Å）／ＴＡＺ（２００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌ（２０００Å）。
【０１２２】
アノードは、コーニング社製の１５Ω／ｃｍ２（１２００Å）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ０．７ｍｍのサイズに切って、イソプロピルアルコール及び純粋物の中で各５分間超音波で洗浄した後、３０分間ＵＶオゾンで洗浄して使用した。前記基板の上部にバイエル社製のＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ＡＩ４０８３）をコーティングして１２０℃で５時間熱処理して、５００Åの正孔注入層を形成した。前記正孔注入層の上部に、ＰＶＫ ０．１ｇ及び前記比較化合物Ａ ０．０１ｇを混合した混合物（ＰＶＫ１００重量部当たり比較化合物Ａは１０重量部である）をスピンコーティングした後、１１０℃で２時間熱処理して４８０Åの厚さの発光層を形成した。この後、前記発光層の上部にＴＡＺ化合物をスピンコーティングした後、１１０℃で２時間熱処理して２００Åの厚さの電子輸送層を形成した。前記電子輸送層の上部にＬｉＦ １０Å（電子注入層）及びＡｌ ２０００Å（カソード）を順次に真空蒸着して、図１Ａに示すようなＯＬＥＤを製造した。これを比較サンプルＡとした。
【０１２３】
＜実施例１〜実施例９＞
発光層の形成のために、比較化合物Ａの代わりに前記合成例１〜合成例９で合成した化合物２〜化合物１０をそれぞれ使用した点を除いては、前記比較実施例１と同じ方法でＯＬＥＤを製作した。これを各々サンプル２〜サンプル１０という。
【０１２４】
＜評価例４：比較サンプルＡ及びサンプル２〜サンプル１０の特性の評価＞
比較サンプルＡ及びサンプル２〜サンプル１０に対して、ＰＲ６５０（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ）Ｓｏｕｒｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｕｎｉｔ．を利用して駆動電圧、色純度、効率及び外部量子収率をそれぞれ評価した。
【０１２５】
【表４】
【０１２６】
表４から、本発明に係るサンプル２〜サンプル１０の素子の特性は、従来の比較サンプルＡに比べて優れているということが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
本発明は、有機発光に関連した技術分野に好適に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１Ａ】本発明に係るＯＬＥＤの構造を簡略に示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明に係るＯＬＥＤの構造を簡略に示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明に係るＯＬＥＤの構造を簡略に示す断面図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１で表されるアミノスチリル化合物：
【化１】
前記化学式１のうち、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して水素原子、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基または置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基であり；
ｎは、１〜３の整数であり、
Ｌは、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５−Ｃ２０のシクロアルキル基またはＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基である。
【請求項２】
前記アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基及びヘテロシクロアルキル基の置換基は、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２または−ＯＨに置換のＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２または−ＯＨに置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換のＣ５−Ｃ２０のシクロアルキル基；及び非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換のＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基からなる群から選択された一以上であることを特徴とする請求項１に記載のアミノスチリル化合物。
【請求項３】
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル）フェニル基、（アントリル）フェニル基、ビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、へプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、へプタフェニル基、へプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１−１０アルキルカルバゾリル基、チオフェニル基、インドリル基、プリニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリニル基、ベンゾチオフェニル基、パラチアジニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イミダゾリニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基及びチアントレニル基からなる群から選択されたことを特徴とする請求項１または２に記載のアミノスチリル化合物。
【請求項４】
ｎは、１または２であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のアミノスチリル化合物。
【請求項５】
Ｌは、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル）フェニル基、（アントリル）フェニル基、ビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、へプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、へプタフェニル基、へプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルカルバゾリル基、チオフェニル基、インドリル基、プリニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリニル基、ベンゾチオフェニル基、パラチアジニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イミダゾリニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、チアントレニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシシクロヘキシル基、オキシラニル基、ピロリジニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基及びモルホリニル基からなる群から選択されたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のアミノスチリル化合物。
【請求項６】
前記アミノスチリル化合物は、下記化学式２〜化学式１０で表されることを特徴とする請求項１に記載のアミノスチリル化合物。
【化２】
【化３】
【化４】
【化５】
【化６】
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
【請求項７】
下記化学式１ａで表される化合物及び下記化学式１ｂで表される化合物を反応させて、下記化学式１ｃで表される化合物を形成する工程と、
前記化学式１ｃで表される化合物及び化学式：Ｌ−Ｑで表される化合物を反応させて、下記化学式１で表されるアミノスチリル化合物を形成する工程と、
を含むアミノスチリル化合物の製造方法：
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
前記化学式のうち、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して水素原子、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基または置換または非置換のＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基であり；
ｎは、１〜３の整数であり、
Ｌは、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５−Ｃ２０のシクロアルキル基またはＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基であり、
Ｈａは、ハロゲン原子であり、
Ｑは、ホウ素含有基である。
【請求項８】
前記Ｑは、
【化１５】
であることを特徴とする請求項７に記載のアミノスチリル化合物の製造方法。
【請求項９】
前記アミノスチリル化合物は、下記化学式２〜化学式１０で表されることを特徴とする請求項７または８に記載のアミノスチリル化合物の製造方法。
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
【化２３】
【化２４】
【請求項１０】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の間にある有機膜と、を含む有機発光素子であって、前記有機膜は、請求項１〜６のいずれか１項に記載のアミノスチリル化合物を含むことを特徴とする有機発光素子。
【請求項１１】
前記有機膜は、発光層または正孔輸送層の少なくとも一以上であることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記第１電極と第２電極との間に、発光層と、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された一以上の層とを含むことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の有機発光素子。
【請求項１３】
前記素子は、（１）第１電極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極、（２）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極または（３）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子。
【請求項１４】
前記発光層は、赤色、緑色、青色または白色を含む燐光及び赤色、緑色、青色または白色を含む蛍光ドーパントからなる群から選択された一以上を含むことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１】
下記化学式１で表されるアミノスチリル化合物：
【化１】
前記化学式１のうち、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して水素原子、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基または置換または非置換のＣ１−Ｃ２０アルコキシ基であり；
ｎは、１〜３の整数であり、
Ｌは、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５−Ｃ２０のシクロアルキル基またはＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基である。
【請求項２】
前記アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基及びヘテロシクロアルキル基の置換基は、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２または−ＯＨに置換のＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２または−ＯＨに置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基；非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換のＣ５−Ｃ２０のシクロアルキル基；及び非置換または−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換のＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基からなる群から選択された一以上であることを特徴とする請求項１に記載のアミノスチリル化合物。
【請求項３】
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル）フェニル基、（アントリル）フェニル基、ビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、へプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、へプタフェニル基、へプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１−１０アルキルカルバゾリル基、チオフェニル基、インドリル基、プリニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリニル基、ベンゾチオフェニル基、パラチアジニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イミダゾリニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基及びチアントレニル基からなる群から選択されたことを特徴とする請求項１または２に記載のアミノスチリル化合物。
【請求項４】
ｎは、１または２であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のアミノスチリル化合物。
【請求項５】
Ｌは、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−トリル基、ｏ−，ｍ−，またはｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、（Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル）フェニル基、（アントリル）フェニル基、ビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、ビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニレニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニレニル基、アントリル基、アズレニル基、へプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、へプタフェニル基、へプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、カルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルカルバゾリル基、チオフェニル基、インドリル基、プリニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリニル基、ベンゾチオフェニル基、パラチアジニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イミダゾリニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、チアントレニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルシクロヘキシル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシシクロヘキシル基、オキシラニル基、ピロリジニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基及びモルホリニル基からなる群から選択されたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のアミノスチリル化合物。
【請求項６】
前記アミノスチリル化合物は、下記化学式２〜化学式１０で表されることを特徴とする請求項１に記載のアミノスチリル化合物。
【化２】
【化３】
【化４】
【化５】
【化６】
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
【請求項７】
下記化学式１ａで表される化合物及び下記化学式１ｂで表される化合物を反応させて、下記化学式１ｃで表される化合物を形成する工程と、
前記化学式１ｃで表される化合物及び化学式：Ｌ−Ｑで表される化合物を反応させて、下記化学式１で表されるアミノスチリル化合物を形成する工程と、
を含むアミノスチリル化合物の製造方法：
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
前記化学式のうち、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、互いに独立して水素原子、置換または非置換のＣ１−Ｃ２０のアルキル基または置換または非置換のＣ１−Ｃ２０のアルコキシ基であり；
ｎは、１〜３の整数であり、
Ｌは、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基、Ｃ５−Ｃ２０のシクロアルキル基またはＣ５−Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基であり、
Ｈａは、ハロゲン原子であり、
Ｑは、ホウ素含有基である。
【請求項８】
前記Ｑは、
【化１５】
であることを特徴とする請求項７に記載のアミノスチリル化合物の製造方法。
【請求項９】
前記アミノスチリル化合物は、下記化学式２〜化学式１０で表されることを特徴とする請求項７または８に記載のアミノスチリル化合物の製造方法。
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
【化２３】
【化２４】
【請求項１０】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の間にある有機膜と、を含む有機発光素子であって、前記有機膜は、請求項１〜６のいずれか１項に記載のアミノスチリル化合物を含むことを特徴とする有機発光素子。
【請求項１１】
前記有機膜は、発光層または正孔輸送層の少なくとも一以上であることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記第１電極と第２電極との間に、発光層と、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された一以上の層とを含むことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の有機発光素子。
【請求項１３】
前記素子は、（１）第１電極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極、（２）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極または（３）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子。
【請求項１４】
前記発光層は、赤色、緑色、青色または白色を含む燐光及び赤色、緑色、青色または白色を含む蛍光ドーパントからなる群から選択された一以上を含むことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【公開番号】特開２００６−３０６８７０（Ｐ２００６−３０６８７０Ａ）
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１１０１１９（Ｐ２００６−１１０１１９）
【出願日】平成１８年４月１２日（２００６．４．１２）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月１２日（２００６．４．１２）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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