説明

スルホン化キノキサリン構造を有する芳香族ポリマー、高分子電解質およびプロトン伝導膜

【課題】固体高分子形燃料電池およびメタノール形燃料電池に使用し得る強度を有し、耐熱性、耐水性を有し、且つイオン伝導性に優れたプロトン伝導性ポリマーを提供する。
【解決手段】下記いずれかの式で表される構成単位を有する、主鎖にキノキサリン骨格を有し、側鎖にスルホン酸(−SOZ)基を有するスルホン化ポリマーを用いる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、スルホン酸基を有する芳香族高分子電解質、特に固体高分子形燃料電池および直接メタノール形燃料電池に用いられる触媒層電解質(イオノマー)およびプロトン伝導性固体高分子電解質膜に関する。
【背景技術】
【0002】
固体高分子電解質の重要な用途として、これをプロトンの伝導体として利用する固体高分子形燃料電池および直接メタノール形燃料電池が挙げられる。これらの燃料電池の触媒層イオノマーおよびプロトン伝導性の高分子電解質膜としては、従来、スルホン酸基を有するパーフルオロカーボン系高分子が用いられてきた。しかし、この系統の材料は、ガラス転移温度が低く80℃以上の温度で使用できない、燃料ガス(水素、メタノール、酸素など)のクロスオーバーが大きい、低加湿下発電での耐久性が低い、高価であるなどの欠点があった。
【0003】
そのため、高温でも使用でき、燃料ガスのクロスオーバーの小さい固体高分子電解質として、スルホン化芳香族系高分子が検討されてきた。芳香族系高分子の中で、ポリキノキサリンは、耐熱性、化学的安定性に特に優れるので、スルホン酸基を導入したスルホン化ポリキノキサリンが検討されている。
【0004】
ポリフェニルキノキサリンを直接スルホン化することによりスルホン化ポリフェニルキノキサリンは得られる(非特許文献1,2)。しかし、この方法で得られたスルホン化ポリフェニルキノキサリン膜は、燃料電池発電条件下で耐久性に劣る。非特許文献1によれば、70℃で350時間の耐久性しかなく、燃料電池用電解質膜としては適さない。これは、ポリフェニルキノキサリンの直接スルホン化では、電子密度の高い芳香環、例えば、化学式(A)と(B)に示すように、高分子主鎖骨格のオキシフェニレン環がスルホン化されるためと考えられる。そこで、キノキサリン環の側鎖芳香環にスルホン酸基を含む側鎖型のスルホン化ポリキノキサリンが望まれる。
【0005】
【化1】

化学式(A)
【0006】
【化2】

化学式(B)
【0007】
ポリフェニルキノキサリンは、芳香族テトラケトンと3,3’−ジアミノベンジジンなどの芳香族テトラアミンを用いて合成される。この場合、高分子量のポリマーを得るには、99%以上の高純度モノマーとモノマー比の厳密な調整が必要である。テトラケトンモノマーにスルホン酸基を導入したものを用いれば、化学式(C)に示す例のようにスルホン化ポリフェニルキノキサリンを合成できると考えられる。しかし、スルホン化モノマーを高純度で合成することは難しく、この方法で、高分子量のスルホン化ポリマーを合成することは非常に難しい。特許文献1によると、化学式(C)の方法で合成したスルホン化ポリフェニルキノキサリンは、膜形成できなかった。このため、特許文献1では、キノキサリンとベンゾイミダゾールの共重合体(化学式D)を開示している。これらの方法によって得られたポリマーは依然として燃料電池のプロトン伝導膜として、十分使用に耐え得るものではなかった。
【0008】
【化3】

化学式(C)
【0009】
【化4】

化学式(D)
【0010】
また、非特許文献3では、化学式(E)に示すように、側鎖にフルオロフェニル基を導入したポリフェニルキノキサリンを合成し、その後、求核的芳香族置換反応によりスルホン酸基を有する芳香族置換基を導入して、スルホン化ポリフェニルキノキサリンを合成する方法を報告している。この方法は、合成行程が多くのステップを要し複雑であること、高分子反応のためスルホン酸基の導入量に限界がありイオン交換容量を十分に高くできないこと、そして、報告されている粘度からみて高分子量のポリマーを得ることが難しいと考えられることなどの問題がある。
【0011】
【化5】

化学式(E)
【0012】
簡便な方法で合成でき、高い分子量を有し、高分子電解質膜としての高いプロトン伝導性と耐久性並びに機械的特性を有するスルホン化ポリキノキサリンの開発が必要とされている。
【0013】
【特許文献1】特開2006−117828
【非特許文献1】In 2nd Int.Symp.New Materials for Fuel Cell Systems,Ed.O.Savadogo et al.,1997,pp.792-807.Montreal:Ecole Polytechnique.
【非特許文献2】Journal of the Electrochemical Society、147(5)、1677-1681頁(2000)。
【非特許文献3】High Performance Polymers, 第17巻、449-465頁(2005)。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
本発明は、上記のような問題点のない、優れた高温耐水性と機械的特性を有する新規なスルホン化ポリキノキサリン、該スルホン化ポリマーからなり、高いプロトン伝導性固体高分子電解質およびプロトン伝導膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0015】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を行なった結果、下記化学式(3)で表されるスルホン化芳香族置換基を有するキノキサリンのジハロゲン化合物を原料モノマーとして合成されるスルホン化ポリマーを合成することにより、上記課題を解決できることを見いだし、本発明を完成させた。
【0016】
すなわち、本願発明は、下記一般式(1)(a)および/または(b)で表わされるスルホン化キノキサリン構造の構成単位を有し、還元粘度が1dl/g以上(35℃、1%塩化リチウム含有ジメチルスルホキシド中、0.5g/dL)であることを特徴とするスルホン化ポリマーである。
【0017】
【化6】

化学式(1)

化学式(1)において、Yは水素原子、または−SO3Z基を有する芳香族基、Zは水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、−N+4(RはH若しくは炭素数1〜10のアルキル基)または炭素数1〜10のアルキル基を示す。
【0018】
なお、式(1)において、

で表されるベンゼン環上の−SO3Z基は、ベンゼン環上のいずれの位置において置換していてもよい。Yが水素原子である場合には、その水素原子が更に−SO3Z基により置換されている構造をとることができる。
【0019】
また、本発明の他の態様は、上記化学式(1)(a)および/または(b)で示されるスルホン化キノキサリン構造において、Yが、水素原子または下記式(2)(a)または(b)で示されることを特徴とするスルホン化ポリマーである。
【0020】
【化7】

(a) (b)
化学式(2)

(ただし、Dは−、−O−、−S−、−SO2−、−(CH2)−、−C(CH32−、−CO−、−CF2−、−C(CF32−からなる群より選ばれた少なくとも1種の構造を示す。kは1,2の整数、lは0〜5の整数を示す。Zは化学式(1)におけるZの定義と同じである。)
【0021】
更に本発明の他の態様として、上述したスルホン化ポリマーを含む高分子電解質組成物が挙げられる。
また、更に本発明の他の態様として、上記スルホン化ポリマーを含むプロトン伝導膜が挙げられる。
【発明の効果】
【0022】
下記の化学式(3)で表される、キノキサリン環の2位または3位にスルホン化芳香族置換基を導入した2(または3)−(4−ハロゲン化フェニル)−6−ハロゲン化キノキサリン化合物(異性体混合物)は、両末端に反応性の高いハロゲン原子を有するので、該化合物からスルホン化キノキサリン構造の構成単位を有するポリマーを提供できる。
本発明の特定の位置にスルホン化芳香族置換基が導入されたスルホン化キノキサリン構造の構成単位を有するポリマーから、イオン交換容量を高めても、高温耐水性と機械的特性を損なうことなく、プロトン伝導性に優れた固体高分子電解質およびプロトン伝導膜を得ることができる。
該スルホン化ポリマーは、主鎖を構成する芳香族基にはスルホン酸基を有さず、側鎖の芳香族基に高濃度に−SO3Zで表されるスルホン酸基を有する構造を特徴とするが、このような構造により、イオン交換容量を高めても、高温耐水性と機械的特性を損なうことなく、プロトン伝導性に優れた固体高分子電解質およびプロトン伝導膜を与えるものと考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0023】
本発明のスルホン化キノキサリンポリマーは、下記化学式(3)(a)および/または(b)で表されるスルホン化芳香族置換基を有するキノキサリンのジハロゲン化合物(本明細書では、(3)(a)および/または(b)を「化合物A」ともいう)を原料モノマーとして合成される。
【0024】
【化8】

(a) (b)
化学式(3)
【0025】
ここで、Xはハロゲン原子を示し、好ましくはClまたはFが挙げられる。Yは水素原子、または−SO3Z基を有する芳香族基であり、特に好ましくは化学式(2)(a)および/または(b)で表される−SO3Z基を有する芳香族置換基である。Zは化学式(1)におけるZの定義と同じである。
Zは水素原子またはアルカリ金属原子が好ましく、更に水素原子またはNaが好ましい。
【0026】
【化9】

(a) (b)
化学式(2)

式(2)中、Dは−、−O−、−S−、−SO2−、−(CH2)−、−C(CH32−、−CO−、−CF2−、−C(CF32−からなる群より選ばれた少なくとも1種の構造を示す。kは1,2の整数、lは0〜5の整数を示す。Zは水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、−N+4(RはH若しくは炭素数1〜10のアルキル基)または炭素数1〜10のアルキル基を示す。
【0027】
なお、化合物Aは、2種の異性体の混合物として得られる。これを適当な公知の手段で分離することもできるが、例えば、これらを更に縮重合して燃料電池等に用いるプロトン伝導体として用いる場合には、敢えて分離する必要なく、混合物の状態で用いることができる。
【0028】
化合物Aは、例えば下記のスキームに従い製造することができる。
【化10】

【0029】
上記スキームを簡単に説明する。
芳香族置換アセチルクロリドを作成し、これをハロゲン化べンゼンとフリーデルクラフト反応させて、1−(4−ハロゲン化フェニル)−2−アリルエタノンを得る。
得られた1−(4−ハロゲン化フェニル)−2−アリルエタノンのアリル基を選択的にスルホン化する。
スルホン化された1−(4−ハロゲン化フェニル)−2−アリルエタノンのメチレン基を酸化し、1−(4−ハロゲン化フェニル)−2−スルホン化アリル−ジケトンを得る。
得られた1−(4−ハロゲン化フェニル)−2−スルホン化アリル−ジケトンとハロゲン化−1,2−ジアミノベンゼンとを縮合させることによりスルホン化キノキサリン化合物(化合物A)を製造する。
【0030】
本発明のスルホン化キノキサリン構造の構成単位を有することを特徴とするスルホン化ポリマーは、上記化合物Aをモノマーの一成分として重合して得られる構造の重合体であればよい。上記化合物Aの単独重合体であってもよく、また、化合物Aと共重合可能な化合物との共重合体であってもよい。さらに、共重合の場合、ランダム共重合体でも、ブロック共重合体であってもよい。
化合物Aと共重合可能な化合物としては、例えば、フェノール性の水酸基を有するジヒドロキシ芳香族化合物、例えばハイドロキノン、ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジヒドロキシ−ジフェニルエーテル、ビスフェノールA、4,4’−ジヒドロキシ−ジフェニルケトンや、ジハロゲン化芳香族化合物が挙げられる。
共重合体の場合、化合物Aは、全共重合成分に対して5〜95mol%の割合で含まれることが好ましく、10〜80mol%がより好ましく、20〜70mol%がさらに好ましい。
【0031】
本発明のスルホン化キノキサリン構造の構成単位を有することを特徴とするスルホン化ポリマーは還元粘度が1dl/g以上である。より好ましくは、1〜10dl/gであり、更に好ましくは1〜5dl/gである。1dl/g以下である場合には膜形成が困難である。還元粘度測定は、ウベローデ型粘度計を用い、35℃、1%塩化リチウム含有ジメチルスルホキシド中0.5g/dl濃度で行った。
【0032】
本発明のスルホン化ポリマーの製造方法は、特に限定されないが、次に代表的な製造方法のスキームの例を示す。キノキサリン環は電子吸引性が強いので、上記の化合物Aの両末端のハロゲン原子は、求核反応性に富む。従って、本発明のスルホン化ポリマーは、主に次の方法で合成される。
【0033】
反応方法1
下記式(a)及び/又は式(b)で表されるジハロゲンモノマーを、非プロトン性溶媒中で、還元剤存在下、ニッケル触媒によりカップリング重合する工程を含む方法;

(a) (b)

(上記式(a)及び(b)において、Xはハロゲン原子であり、Y及びZは既に述べたとおりの定義である。)。
【0034】
反応方法1において、非プロトン性溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどが挙げられる。特に溶解性の観点から、N,N−ジメチルアセトアミドが好ましい。
還元剤としては、亜鉛あるいはマグネシウムが挙げられ、亜鉛が好ましく、更に亜鉛粉末が好ましい。
ニッケル触媒としては、塩素化ニッケル、臭素化ニッケル等のハロゲン化ニッケルと、配位子としてトリフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィンを用いる系が挙げられる。
反応の温度と時間は当業者が適宜決定することができるが、例えば、室温〜100℃程度の温度で、1〜24時間程度である。
【0035】
反応方法2
(i)下記式(a)及び/又は式(b)で表されるジハロゲンモノマーあるいは下記式(c)及び/又は(d)で表されるジハロゲン化合物と、(ii)下記式(e)で表されるジヒドロキシ化合物とを、非プロトン性溶媒中で、塩基存在下、共縮重合することを含む方法;

(a) (b)
(上記式(a)及び(b)において、Xはハロゲン原子であり、Y及びZは既に述べたとおりの定義である。);

(上記式(c)及び(d)において、Xはハロゲン原子であり、Y及びZは既に述べたとおりの定義であり、m及びnは各構造単位の繰り返し数を意味する。);


(上記式(e)において、Aは単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO2−または−CR'2−(R'は水素原子、炭素数1〜3のアルキル基あるいは炭素数1〜3のフッ化アルキル基である)を表す)。
【0036】
反応方法2において、非プロトン性溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどが挙げられる。特に反応温度の観点から、N−メチル−2−ピロリドンが好ましい。
塩基としては、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸セシウム等のアルカリ触媒、フッ化セシウム等の金属ハロゲン化物などが挙げられ、反応性の観点から炭酸カリウムが好ましい。
反応の温度と時間は当業者が適宜決定することができるが、例えば、100〜250℃程度の温度で、10〜50時間程度である。
【0037】
反応方法3
(i)下記式(a)および/または式(b)で表されるジハロゲンモノマーあるいは下記式(c)および/または(d)で表されるジハロゲン化合物と、(ii)下記式(f)で表されるジハロゲン化合物あるいは下記式(g)で表されるジハロゲン化合物とを、非プロトン性溶媒中で、還元剤存在下、ニッケル触媒によりカップリング重合することを含む方法;

(a) (b)

(上記式(a)及び(b)において、Xはハロゲン原子であり、Y及びZは既に述べたとおりの定義である。);


(上記式(c)及び(d)において、Xはハロゲン原子であり、Y及びZは既に述べたとおりの定義であり、m及びnは各構造単位の繰り返し数を意味する。);



(上記式(f)及び(g)において、A’は−CO−、−SO2−または−C(CF32−を表し、oは各構造単位の繰り返し数を意味する)。
上記反応方法3における、「非プロトン性溶媒」、「還元剤」、「ニッケル触媒」、反応温度、時間等は反応方法1において述べたものに準じる。
【0038】
上記反応方法1〜3の製造方法は、以下に述べるように、主に二つの反応を用いるものである。
第1の反応は、上記反応方法2及び下記スキーム1に示す例のように、化合物Aとフェノール性の水酸基を有するジヒドロキシ芳香族化合物、例えばハイドロキノン、ジヒドロキシビフェニル、4,4’ジヒドロキシ−ジフェニルエーテル、ビスフェノールA、4,4’ジヒドロキシ−ジフェニルケトンとの求核置換反応による縮重合である。縮重合は、スルホン化ポリアリレンエーテルなどの合成法(例えば、ポリマー、47巻4210−4217頁、2006年)に準じて行なえばよい。この場合、化合物A中のXとしては、フッ素原子または塩素原子が好ましい。この方法では、スルホン化キノキサリン構造の構成単位と共に、ポリアリレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホンなどのエーテル結合を有する重合体が得られる。
【0039】
【化11】

スキーム1:ジヒドロキシ芳香族化合物との共縮重合
【0040】
第2の方法は、上記反応方法1及びスキーム2に示す例のように、化合物Aを単独で、または上記反応方法3及びスキーム4,5の例のように別のジハロゲン化芳香族化合物と共に、カップリング重合させる方法である。カップリング重合は、スルホン化ポリフェニレンなどの合成法(例えば、ポリマー、47巻6993−7000頁、2006年)に準じて行なえばよい。また、スキーム3に示すようにスキーム1と組み合わせてブロック共重合体とすることもできる。この場合、化合物A中のXとしては、フッ素原子以外のハロゲン原子が好ましい。この方法では、スルホン化キノキサリン構造の構成単位を含むポリフェニレンまたはポリアリーレンが得られる。
【0041】
【化12】

スキーム2:単独カップリング重合
【0042】
【化13】

スキーム3:ブロック共縮重合
【0043】
【化14】

スキーム4:ジハロゲン化芳香族化合物とのカップリング共重合
【0044】
【化15】

スキーム5:ブロックカップリング共重合
【0045】
以上、説明した種々の方法により得られたスルホン化キノキサリン構造の構成単位を有するポリマーは、後述する実施例に示す如く、還元粘度が、1dl/g以上を示す高い重合度を有することができ、成膜性を有する。
【0046】
製膜手段は特に限定されず、適当な溶媒、たとえばジメチルスルホキシドや、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等を用いるキャスト製膜等を採用し、燃料電池隔膜などの膜状物が得られる。
【0047】
その他、本発明のスルホン化ポリマーは、それ自体またはこれに炭素粉末や、白金、ロジウム、パラジウムなどの触媒物質粉末、或いは他の粘着性増強用樹脂や、電解質樹脂等を混合した電解質組成物として、燃料電池用触媒電極等を構成させることができる。
【0048】
<高分子電解質組成物>
本発明の高分子電解質組成物は、本発明のスルホン化ポリマーを含み、プロトン伝導性を損なわない範囲で、フェノール性水酸基含有化合物、アミン系化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物などの酸化防止剤などを含んでもよい。
【0049】
上記固体高分子電解質は、使用用途に応じて、粒状、繊維状、膜状など種々の形状で用いることができる。たとえば、燃料電池や水電解装置などの電気化学デバイスに用いる場合には、その形状を膜状とすることが望ましい。
【0050】
<プロトン伝導膜>
本発明のプロトン伝導膜は、上記スルホン化ポリマーを含む高分子電解質組成物を用いて調製される。また、プロトン伝導膜を調製する際に、高分子電解質組成物以外に、硫酸やリン酸などの無機酸、カルボン酸などの有機酸、適量の水などを併用してもよい。
【0051】
本発明のプロトン伝導膜は、上記スルホン化ポリマーを溶媒に溶解した後、基体上に流延してフィルム状に成形するキャスティング法などにより製造することができる。
上記スルホン化ポリマーを溶解する溶媒としては、たとえば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチル尿素、ジメチルイミダゾリジノンなどの非プロトン系極性溶剤が挙げられ、特に溶解性および溶液粘度の観点から、N−メチル−2−ピロリドン(以下「NMP」ともいう。)が好ましい。非プロトン系極性溶剤は1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0052】
また、上記溶媒として、上記非プロトン系極性溶剤とアルコールとの混合物も用いることができる。アルコールとしては、たとえば、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、iso−プロピルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコールなどが挙げられる。
【0053】
上記溶媒として、非プロトン系極性溶剤とアルコールとの混合物を用いる場合には、非プロトン系極性溶剤が95〜25質量%、好ましくは90〜25質量%、アルコールが5〜75質量%、好ましくは10〜75質量%(ただし、合計を100質量%とする)の割合で用いられる。
【0054】
本発明のスルホン化ポリマーを溶解させた溶液のポリマー濃度は、重合体の分子量にもよるが、通常、3〜30質量%、好ましくは5〜20質量%である。ポリマー濃度が上記範囲よりも低いと、厚膜化し難く、また、ピンホールが生成しやすい傾向にある。一方、上記範囲を超えると、溶液粘度が高すぎてフィルム化し難く、また、表面平滑性に欠けることがある。
【0055】
なお、溶液粘度は、上記スルホン化ポリマーの分子量やポリマー濃度にもよるが、通常、2,000〜100,000mPa・s、好ましくは3,000〜50,000mPa・sである。溶液粘度が上記範囲よりも低いと、成膜中の溶液の滞留性が悪く、基体から流れてしまうことがあり、上記範囲を超えると、粘度が高過ぎてダイからの押し出しができず、流延法によるフィルム化が困難になる傾向にある。
【0056】
上記のようにして成膜した後、得られた未乾燥フィルムを水に浸漬することにより、未乾燥フィルム中の有機溶剤を水と置換することができ、得られるプロトン伝導膜中の残留溶媒量を低減することができる。
【0057】
なお、成膜後、未乾燥フィルムを水に浸漬する前に、未乾燥フィルムを予備乾燥してもよい。予備乾燥は、未乾燥フィルムを通常50〜150℃の温度で、0.1〜10時間保持することにより行われる。
【0058】
未乾燥フィルムを水に浸漬する際は、バッチ方式でも連続方法でもよい。未乾燥フィルムを水に浸漬する際の水の温度は、好ましくは5〜80℃の範囲である。通常、置換速度と取り扱いやすさから10〜60℃の温度範囲が好都合である。浸漬時間は、初期の残存溶媒量や接触比、処理温度にもよるが、通常10分〜240時間、好ましくは30分〜100時間の範囲である。
【0059】
上記のように未乾燥フィルムを水に浸漬した後乾燥すると、残存溶媒量が低減されたプロトン伝導膜が得られるが、このようにして得られるプロトン伝導膜中の残存溶媒量は、通常5質量%以下である。
【0060】
上記のようにして未乾燥フィルムを水に浸漬した後、フィルムを30〜100℃、好ましくは50〜80℃で、10〜180分、好ましくは15〜60分乾燥し、次いで、100〜200℃で、好ましくは50mmHg〜0.01mmHgの減圧下、0.5〜24時間、真空乾燥することにより、プロトン伝導膜を得ることができる。
【0061】
上記の方法により得られる本発明のプロトン伝導膜は、その乾燥膜厚が、通常10〜100μm、好ましくは20〜80μmである。
本発明のプロトン伝導膜は、たとえば、一次電池用電解質、二次電池用電解質、燃料電池用高分子固体電解質、表示素子、各種センサー、信号伝達媒体、固体コンデンサー、イオン交換膜などに用いられるプロトン伝導性の固体高分子電解質膜として好適に用いることができる。
【0062】
(実施例)
以下に実施例を示すが、本発明はそれらの実施例に限定されるものではない。
以下の実施例に示した1HNMRのデータは、溶媒として重水素化ジメチルスルホキシド(DMSO‐d6)を用いて、日本電子JEOL EX‐270により測定した。また、本発明における評価方法は以下のとおりである。
【0063】
[粘度]
ウベローデ型粘度計を用い、35℃に設定した恒温槽中で1%塩化リチウム含有ジメチルスルホキシドの落下秒数 t0(液面の上下刻線間通過時間)を測定した。次に、0.5g/dLの濃度のポリマー溶液の落下秒数tを測定した。還元粘度は、以下の式から求めた。
還元粘度={(t/t0)−1}/c
t0:1%塩化リチウム含有ジメチルスルホキシドの落下秒数
t:0.5g/dLの濃度のポリマー溶液の落下秒数
c:ポリマ溶液濃度
【0064】
[熱重量分析]
熱重量分析は、セイコー電子(株)製TG‐MS分析計(TG‐MSシステム220)により、He気流下5℃/minの昇温速度で行い、スルホン酸基分解の開始温度Tdを求めた。
【0065】
[吸水率、Water uptake]
膜サンプル約100mgを乾燥して乾燥重量Wdを測定した後、30℃で3〜6時間水に浸漬した。膜サンプルを水から取り出し、手早く表面に付着した水をティシュペーパーでふき取り、膨潤時の膜重量Wsを測定した。吸水率(Water uptake;WU)を次式から求めた。
WU={(Ws‐Wd)/Wd}×100 %
また、スルホン酸基当たりの吸水分子数をλで示した。
【0066】
[サイズ変化]
膜厚30〜40μmの膜サンプルを直径2cmの円に切り取った。膜を25℃で70%RHの湿度下において、膜厚及び直径を10回測定し、その平均値(それぞれts、ls)を求めた。膜を25℃の水中に5時間浸漬後、湿潤状態で膜厚及び直径の平均値(それぞれtw、lw)を求めた。膜厚方向と膜面方向のサイズ変化(それぞれΔtc、Δlc)は、次式から計算した。
Δtc={(tw−ts)/ts}×100 %
Δlc={(lw−ls)/ls}×100 %
【0067】
[機械的強度]
膜厚30〜40μmの膜サンプル(幅5mm、長さ4cm)を(株)オリエンテック製のテンシロン万能試験機(RTC−1150A,ロードセルUR−50N−D)を用いて、25℃50%RHの雰囲気で、引っ張り試験を行なった。
【0068】
[プロトン伝導度]
プロトン伝導度測定セルに膜シート(1.0cm×0.5cm)と4枚の白金黒電極板をとりつけ、温度制御した水中また温度・湿度制御したチャンバー内にセットし、日置電気(株)製のLCRメーター(HIOKI3552‐80)を用いて、100Hzから100kHzの周波数範囲で複素インピーダンス法により電気抵抗Rを測定し、プロトン伝導度σを次式から計算した。
σ=d/(tss R)
ここで、dは2電極間距離(0.5cm)、tsとwsは、室温で70%RHにおける膜シートの厚さと幅である。水中でのプロトン伝導度の計算には、水中での
sとws値を用いた。
【0069】
[耐水性]
膜厚40〜50μmの膜サンプルを130℃加圧下熱水に100時間浸漬した後、膜の重量損失、膜の強度、プロトン伝導度そしてポリマーの粘度を測定した。
【0070】
(モノマー合成例1)
3−(4−フルオロフェニル)−2−(4-スルホン酸ナトリウムフェニル)−6−フルオロキノキサリンと2−(4−フルオロフェニル)−3−(4-スルホン酸ナトリウムフェニル)-6-フルオロキノキサリンの混合物(FPSPFQ、化合物1)の合成
(1)1−(4−フルオロフェニル)−2−フェニルエタノン(FPPE)の合成
攪拌子入りの三つ口丸底フラスコ(1L)にジクロロメタン(150ml)と乾燥した塩化アルミニウム46.1g(0.345mol)を加え、混合液をアイスバス中で5℃に冷却した後、フェニルアセチルクロライド46.35g(0.3mol)とジクロロメタン50mlの混合液をゆっくり(液温を15℃以下に保持)滴下した。フッ化ベンゼン28.8g(0.3mol)とジクロロメタン50mlの混合液をフラスコにゆっくり(液温5℃以下に保持)滴下し、反応溶液を5℃で1h攪拌し、それからゆっくり室温まで昇温し、一晩攪拌した。反応溶液を0.1M塩酸氷水500ml中に注ぎ、分液漏斗に移し、ジクロロメタン80mlを加え、振とうした。有機層を水で、中性になるまで洗浄した。溶媒を減圧留去し、残査を真空蒸留して、白色結晶44.9gを得た(収率70%)。
【0071】
(2)1−(4−フルオロフェニル)−2−(4−スルホン酸ナトリウムフェニル)エタノン(FPSPE)の合成
攪拌子入りの三つ口丸底フラスコ(300mL)に、FPPE10.0g(46.68mmol)を入れ、室温で濃硫酸10mlをゆっくり滴下した。固体が溶解した後、溶液を5℃に冷却し、60%発煙硫酸10mlを滴下した。反応溶液を5℃で4h攪拌した後、氷水300ml中に注いだ。溶液に塩化ナトリウム50gを加え塩析し、沈殿物を回収した。これを水に溶かし、塩化ナトリウム(17%)を加えて塩析を2回行なった。固体を70mlの水で洗浄し、さらに100mlのメタノールで洗浄した後、真空乾燥し、白色固体8.5g(収率55%)を得た。
【0072】
(3)1−(4−フルオロフェニル)−2−(4−スルホン酸ナトリウムフェニル)エタン−1,2−ジオン(FPSPED)の合成
攪拌子入りの三つ口丸底フラスコ(300mL)にFPSPE 12.26g(38.75mmol)とDMSO40mlを入れ、混合液を80℃に加熱し、臭化銅(II)14.3g(77.5mmol)を加え、80℃で24h攪拌した。反応溶液から溶媒減圧留去し、得られた固体を水400mlに溶解させ、塩化ナトリウム64g(16%)を加え、塩析させた。溶解−塩析を二回行い、得られた固体をエタノール/水(容積比:4/1)で再結晶し、黄色結晶9.4g(収率70%)を得た。
【0073】
(4)FPSPFQ(モノマー1)の合成
攪拌子入りの三つ口丸底フラスコ(100mL)に窒素バブリング下でFPSPED 5.046g(15.28mmol)とDMSO 50mLを入れ、次いで1,2−ジアミノ−4−フルオロベンゼン(DAFB)1.923g(15.28mmol)を加え、150℃で8h攪拌した。反応溶液から溶媒を100℃で減圧留去し、得られた固体を水100mlに溶解させ、塩化ナトリウム16g(16%)を加え、塩析させた。溶解―塩析を二回行い、得られた固体をエタノールから再結晶を2回行い、固体4.67g(収率70%)を得た。この化合物のIRスペクトルと1H−NMRスペクトルから、この化合物は、下記化学式(4)で表されるFPSPFQであることが確認された。
【0074】
【化16】

(a) (b)
化学式(4)
【0075】
(モノマー合成例2)
3−(4−クロロフェニル)−2−(4−スルホン酸ナトリウムフェニル)−6−クロロキノキサリンと2−(4−クロロフェニル)−3−(4−スルホン酸ナトリウムフェニル)−6−クロロキノキサリンの混合物(CPSPCQ、化合物2)の合成
モノマー合成例1において、フルオロベンゼンと1,2−ジアミノ−4−フルオロベンゼンの代わりにそれぞれクロロベンゼンと1,2−ジアミノ−4−クロロベンゼンを用い、モノマー合成例1と同様にして化学式(5)に示す化合物2を得た。
【0076】
【化17】

(a) (b)
化学式(5)
【0077】
(モノマー合成例3)
2−(4−フルオロフェニル)−3−(3(または2)−スルホン酸ナトリウム−4−(4−スルホン酸ナトリウムチオフェノキシ)−フェニル)−6−フルオロキノキサリンと3−(4−フルオロフェニル)−2−(3(または2)−スルホン酸ナトリウム−4−(4−スルホン酸ナトリウムチオフェノキシ)−フェニル)−6−フルオロキノキサリンの混合物(化合物3)の合成
フェニルチオエーテルとアセチルクロリドからフリーデルクラフト反応により1−アセトフェニルチオエーテルを得た。これを、Willgerodt−Kindler反応(アナーレン、481巻187頁(1923))により、以下に記すようにして、4−フェニルチオキシ−1−フェニル酢酸に変えた。
【0078】
1−アセトフェニルチオエーテル11.4g(0.05mol)、硫黄3.52g(0.11mol)とモルホリン15.48g(0.18mol)を三つ口丸底フラスコ(100mL)に入れ、反応液を110℃で12時間還流して反応させた後、反応液を冷エタノールに注ぎ、沈殿物を濾別した。得られた固体を酢酸30mL、濃硫酸5mL、そして水6mLの溶液に溶かし、6時間還流して反応させた後、水中に注いで、沈殿を濾別し、これをエタノールから再結晶して、4−フェニルチオキシ−1−フェニル酢酸を得た(収率50%)。
【0079】
4−フェニルチオキシ−1−フェニル酢酸をチオニルクロリドで酸クロリドにした後は、モノマー合成例1と同様にして、化学式(6)で表される化合物3を得た。
【0080】
【化18】

(a) (b)
化学式(6)
【実施例1】
【0081】
FPSPFQと4,4’−ビフェノール(BP)からのスルホン化ポリマー(SPPQ−1)の合成
攪拌子、温度計、Dean−stark管、窒素導入管および冷却管を取り付けた100mL三口フラスコに、実施例1で合成したFPSPFQ 2.996g(6.88mmol)、4,4’−ビフェノール(BP)1.280g(6.88mmol)および炭酸カリウム1.14g(7.92mmol)をはかりとった。次いで、乾燥窒素置換した後、NMP20mLおよびトルエン14mLを加え、130℃で加熱攪拌した。反応によって生成する水は、Dean−stark管にトラップした。4時間後、水の生成がほとんど認められなくなったところで、トルエンをDean−stark管から系外に除去した。次に、反応温度を175℃にあげ、20時間攪拌を続けた。さらに反応温度を202℃にあげ、3時間攪拌した後、反応液を放冷後、水200mLにいれ、生成物を沈殿させた。沈殿物を60℃の温水に一晩浸漬後、アセトン洗浄し、真空乾燥した。得られた重合体の還元粘度は1.5dl/gであり、そのIRスペクトルと1H−NMRスペクトルを図1と図2に示す。この重合体は、下記化学式(7)で表されるスルホン化ポリマー(SPPQ−1)であることが確認された。
このポリマーをジメチル酢酸(DMAc)に溶解させ、ガラス板上にキャスト製膜し、1Nの硫酸でプロトン交換し、150℃,1時間真空中でキュアリングして、電解質膜を得た。
【0082】
【化19】

化学式(7)
【実施例2】
【0083】
FPSPFQと4,4’−ハイドロキノン(HQ)からのスルホン化ポリマー(SPPQ−2)の合成
BPの代わりにHQを用いた以外は、実施例1と同様にして重合体を得た。得られた重合体の還元粘度は1.0dl/gであり、そのIRスペクトルと1H−NMRスペクトルからこの重合体は、下記化学式(8)で表されるスルホン化ポリマー(SPPQ−2)であることが確認された。実施例1と同様にして電解質膜を得た。
【0084】
【化20】

化学式(8)
【実施例3】
【0085】
化合物3とBPからのスルホン化ポリマー(SPPQ−3)の合成
FPSPFQの代わりに化合物3を用いた以外は、実施例1と同様にして重合体を得た。得られた重合体の還元粘度は1.5dl/gであり、そのIRスペクトルと1H−NMRスペクトルからこの重合体は、下記化学式(9)で表されるスルホン化ポリマー(SPPQ−3)であることが確認された。実施例1と同様にして電解質膜を得た。
【0086】
【化21】

化学式(9)
【実施例4】
【0087】
FPSPFQ、4,4‘−ジフルオロジフェニルスルホン(DFDPS)とHQからのスルホン化共重合ポリマーSPQ/PES(4/1)(SPPQ−4)の合成
FPSPFQ 2.397g(5.504mmol)、DFDPS 0.350g(1.376mmol)そしてHQ0.757g(6.88mmol)を用いた以外は、実施例1と同様にして、スルホン化共重合ポリマーSPPQ−3を得た。得られた重合体の還元粘度は1.1dl/gであり、そのIRスペクトルと1H−NMRスペクトルからこの重合体は、下記化学式(10)で表されるスルホン化共重合ポリマー(SPPQ−4)であることが確認された。実施例1と同様にして電解質膜を得た。
【0088】
【化22】

化学式(10)
【実施例5】
【0089】
CPSPCQからのスルホン化ポリマー(SPPQ−5)の合成
窒素ガス置換したドライボックス中で合成をおこなった。セプタムキャップ、アルゴンガス導入口と導出口を装着した三口丸底フラスコに、無水臭化ニッケル0.16g(0.8mol)、トリフェニルホスフィン1.572g(6mmol)そして亜鉛末3.12g(48mmol)を加えた。フラスコを真空排気しアルゴンガスを充填する操作を3回行い、フラスコ内を完全にアルゴンガス置換した後、乾燥したジメチルアセトアミド(DMAc)12mLを加えた。反応混合物が赤褐色に変化した時、CPSPCQ2.72g(6mmol)を12mLのDMAcに溶かした溶液を加えた。混合物を80℃で8時間攪拌した。得られた粘性の混合液を10%塩酸アセトン溶液500mL中に加えた。沈殿を濾別して、水を含んだアセトンで洗浄し、150℃で12時間真空乾燥して、重合体を得た。得られた重合体の還元粘度は1.5dl/gであり、下記化学式(11)で表されるスルホン化ポリマー(SPPQ−5)であることが確認された。実施例1と同様にして電解質膜を得た。
【0090】
【化23】

化学式(11)
【実施例6】
【0091】
CPSPCQと4,4‘−ジクロロジフェニルケトン(DCDPK)からのスルホン化共重合ポリマー(SPPQ−6)の合成
実施例5において、CPSPCQ2.72g(6mmol)を12mLのDMAcに溶かした溶液の代わりに、CPSPCQ1.813g(4mmol)とDCDPK0.502g(2mmol)を12mLのDMAcに溶かした溶液を用いた以外は実施例5と同様にして、重合体を得た。得られた重合体の還元粘度は1.3dl/gであり、そのIRスペクトルと1H−NMRスペクトルからこの重合体は、下記化学式(12)で表されるスルホン化ポリマー(SPPQ−6)であることが確認された。実施例1と同様にして電解質膜を得た。
【0092】
【化24】

化学式(12)
【0093】
(比較例1)
スルホン化ポリエーテルスルホン(SPES−1)の合成
実施例1において、FPSPFQ 2.996g(6.88mmol)の代わりに、4,4’−ジフルオロ-3,3’−ジスルホン酸ナトリウムフェニルスルホン(DFDSPS)1.140g(2.752mmol)と4,4‘−ビフェノール1.050g(4.128mmol)を用いた以外は、実施例1と同様にして、下記化学式(13)で表されるスルホン化ポリエーテルスルホン(SPES−1)を得た。得られた重合体の還元粘度は1.3dl/gであった。実施例1と同様にして電解質膜を得た。
【0094】
【化25】

化学式(13)
【0095】
(比較例2)
スルホン化共重合ポリイミド(SPI−1)の合成
乾燥した100mlの四口フラスコ中で4,4’‐ビス(4‐アミノフェノキシ)ビフェニル3,3’‐ジスルホン酸1.690g(3.2ミリモル)と1.1mlのトリエチルアミン(TEA)を35mlのm‐クレゾールに加えて溶かし、次いで、0.467g(1.6ミリモル)の1,3‐ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼンを添加して溶かした後、1.287g(4.8ミリモル)の1,4,5,8‐ナフタレンテトラカルボン酸二無水物と0.82gの安息香酸を加え、窒素ガス雰囲気下で混合物を80℃で4時間そして180℃で20時間攪拌した。重合反応液を80℃まで冷却後、10mlのm‐クレゾールを加え希釈後、多量のアセトンに投入し、析出した固体を濾別し、アセトン洗浄後乾燥した。得られた生成物の還元粘度(溶媒:m−クレゾール)は2.3dl/gであった。生成物をm−クレゾールに溶解し、ガラス板上に流延し、80℃で10時間乾燥して、TEA塩形の共重合スルホン化ポリイミド膜を得た。これをメタノールに2日間浸漬し、次いで1M硫酸溶液に5日間浸漬しプロトン交換した後、水洗し150℃で1時間、180℃で1時間真空乾燥して下記化学式(14)で表されるスルホン化共重合ポリイミド膜(SPI−1)を得た。
【0096】
【化26】

化学式(14)
【0097】
〔SPPQ膜の評価〕
前記実施例及び比較例で調製した膜のイオン交換容量(IEC)の計算値と測定値(括弧内)、吸水率(WU)、サイズ変化(Δtc、Δlc)、60℃で水中及び50%RHの湿度雰囲気でのプロトン伝導度、ヤング率(YM)、最大応力(MS)、破断伸び(EB)そしてスルホン酸基熱分解の開始温度Tdsを評価した。結果を表1に示す。
実施例1、比較例1そして比較例2の膜の耐水性試験(130℃、100h)結果を表2に示す。
【0098】
【表1】

【0099】
【表2】

【0100】
これらの表より、以下のことが分かる。
(1)実施例1〜6の膜は、比較例1,2の膜に比べて、遜色ない高い機械的強度を有する。
(2)実施例1〜6の膜は、比較例1,2の膜に比べて、20〜40℃高いスルホン酸基の熱分解開始温度(Tds)を有する。このことは、高温水中または加湿下でのスルホン酸基の脱離が起こりにくいことを意味する。
(3)ほぼ同じイオン交換容量をもつ実施例1と4の膜は、比較例1の膜に比べて、また、実施例2の膜は、比較例2の膜に比べて、吸水率、サイズ変化が小さく、プロトン伝導度も小さい。これは、側鎖のスルホン酸基と塩基性のキノキサリン環との間に酸−塩基相互作用が存在するためと考えられる。
(4)イオン交換容量が2meq/g以上のスルホン化ポリエーテルスルホン及びスルホン化ポリエーテルエーテルケトンなどは、水中で膜が大きく膨潤または溶解することが知られている。これに対して、実施例3,5,6の膜は、2meq/g以上の高いイオン交換容量をもつが、水中で膜が大きく膨潤することはなく、適度な吸水率とサイズ変化を示し、比較的高いプロトン伝導度を示した。これは、側鎖のスルホン酸基と塩基性のキノキサリン環との間に酸−塩基相互作用が存在するためと考えられる。
(5)比較例1の膜では、高温水中浸漬により、膜が大きく膨潤し、膜形状を保持できなくなった。比較例2の膜では、耐水性試験により、高分子鎖の切断が起こり、ポリマー粘度が低下し、機械的強度特に破断伸度が大きく低下した。これに対し、実施例1の膜では、ポリマー粘度、プロトン伝導度、機械的強度の低下そして膜重量損失が全く見られず、非常に優れた高温耐水性を示した。
【0101】
以上の結果より、本発明のスルホン化キノキサリン構造を有する芳香族ポリマーは、特に高温耐水性に優れ、また、比較的高いイオン交換容量の膜でも、適度な膜膨潤性と高いプロトン伝導性を有し、固体高分子形燃料電池用の高分子電解質およびプロトン伝導膜として好適である。
【産業上の利用可能性】
【0102】
本発明のスルホン化ポリマーは、高温耐水性及び機械的特性に優れ、プロトン伝導性が高く、燃料電池用のイオノマー及び固体電解質膜として優れた性質を有する。
【図面の簡単な説明】
【0103】
【図1】実施例1で得られたポリマーのIRスペクトル
【図2】実施例1で得られたポリマーの1HNMRスペクトル(DMSO−d6

【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記一般式(1)(a)および/または(b)で表されるスルホン化キノキサリン構造の構成単位を有し、還元粘度が1dl/g以上(35℃、1%塩化リチウム含有ジメチルスルホキシド中、0.5g/dL濃度)であることを特徴とするスルホン化ポリマー。
(ただし、Yは水素原子、またはSO3Z基を有する芳香族置換基を示す。Zは水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、−N+4(RはH若しくは炭素数1〜10のアルキル基)または炭素数1〜10のアルキル基を示す。)
【化1】

化学式(1)
【請求項2】
Yの−SO3Z基を有する芳香族置換基が下記式(2)(a)または(b)で示される、請求項1に記載のスルホン化ポリマー。
【化2】

(a) (b)
化学式(2)

(ただし、Dは−、−O−、−S−、−SO2−、−(CH2)−、−C(CH32−、−CO−、−CF2−、−C(CF32−からなる群より選ばれた少なくとも1種の構造を示す。kは1,2の整数、lは0〜5の整数を示す。Zは水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、−N+4(RはH若しくは炭素数1〜10のアルキル基)または炭素数1〜10のアルキル基を示す。)
【請求項3】
請求項1または2に記載のスルホン化ポリマーを含むことを特徴とする高分子電解質組成物。
【請求項4】
請求項1または2に記載のスルホン化ポリマーを含むことを特徴とするプロトン伝導膜。
【請求項5】
請求項1または2に記載のスルホン化ポリマーを製造する方法であって、下記式(a)および/または式(b)で表されるジハロゲンモノマーを、非プロトン性溶媒中で、還元剤存在下、ニッケル触媒によりカップリング重合する工程を含む方法;





(a) (b)
(上記式(a)及び(b)において、Xはハロゲン原子であり、Y及びZは既に述べたとおりの定義である。)。
【請求項6】
請求項1または2に記載のスルホン化ポリマーを製造する方法であって、(i)下記式(a)および/または式(b)で表されるジハロゲンモノマーあるいは下記式(c)および/または(d)で表されるジハロゲン化合物と、(ii)下記式(e)で表されるジヒドロキシ化合物とを、非プロトン性溶媒中で、塩基存在下、共縮重合することを含む方法;


(a) (b)
(上記式(a)及び(b)において、Xはハロゲン原子であり、Y及びZは既に述べたとおりの定義である。);

(上記式(c)及び(d)において、Xはハロゲン原子であり、Y及びZは既に述べたとおりの定義であり、m及びnは各構造単位の繰り返し数を意味する。);



(上記式(e)において、Aは単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO2−または−CR'2−(R'は水素原子、炭素数1〜3のアルキル基あるいは炭素数1〜3のフッ化アルキル基である)を表す)。
【請求項7】
請求項1または2に記載のスルホン化ポリマーを製造する方法であって、(i)下記式(a)および/または式(b)で表されるジハロゲンモノマーあるいは下記式(c)および/または(d)で表されるジハロゲン化合物と、(ii)下記式(f)で表されるジハロゲン化合物あるいは下記式(g)で表されるジハロゲン化合物とを、非プロトン性溶媒中で、還元剤存在下、ニッケル触媒によりカップリング重合することを含む方法;


(a) (b)

(上記式(a)及び(b)において、Xはハロゲン原子であり、Y及びZは既に述べたとおりの定義である。);

(上記式(c)及び(d)において、Xはハロゲン原子であり、Y及びZは既に述べたとおりの定義であり、m及びnは各構造単位の繰り返し数を意味する。);



(上記式(f)及び(g)において、A’は−CO−、−SO2−または−C(CF32−を表し、oは各構造単位の繰り返し数を意味する)。

【図1】
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【図2】
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【公開番号】特開2010−126603(P2010−126603A)
【公開日】平成22年6月10日(2010.6.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−301603(P2008−301603)
【出願日】平成20年11月26日(2008.11.26)
【出願人】(000004455)日立化成工業株式会社 (4,649)
【出願人】(304020177)国立大学法人山口大学 (579)
【Fターム(参考)】