ダイボンダ及びボンディング方法
【課題】本発明は、品質の安定したダイボンダ及びダイボンディング方法、小型化及び低製造コストのダイボンダ、及び、ダイボンディングの工数が低減可能なダイボンダ及びダイボンディング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ヘッドを２つ設け、一方のヘッドは、ダイをピックアップしてステージ上の基板に仮付けし、他方のヘッドが仮付けされたダイを本圧着するものである。さらに、他方のヘッドが本圧着中に一方のヘッドが次のダイをピックアップしてステージ上の基板に仮付けするようにしたものである。
【解決手段】本発明は、ヘッドを２つ設け、一方のヘッドは、ダイをピックアップしてステージ上の基板に仮付けし、他方のヘッドが仮付けされたダイを本圧着するものである。さらに、他方のヘッドが本圧着中に一方のヘッドが次のダイをピックアップしてステージ上の基板に仮付けするようにしたものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンダ及びボンディング方法に係わり、工数を低減できるダイボンダ及びボンディング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイ（半導体チップ）を配線基板やリードフレームなどの被実装部材（以降、本明細書では、プリント基板と称する）に搭載してパッケージを組み立てる工程の一部に、ウェハからダイをピックアップ（吸着）し基板にボンディングするダイボンディング工程がある。近年、ダイをピックアップして基板に圧着するヘッドを２つ設け、工数の低減を企図したダイボンダが製作されるようになってきている。
その場合のダイボンディングとしては、次の（１）〜（３）の方法があった。
（１）それぞれのヘッドが、順番にウェハからダイをピックアップし、そのままダイレクトに、基板等のワークへダイボンディング（本圧着）する。
（２）一方のヘッドがウェハからダイをピックアップして、一度プリアライメントステージに載置する。他方のヘッドがプリアライメントステージに載置されたダイを吸着してワークにダイボンディング（本圧着）する（特許文献１参照。）。
（３）ウェハからダイをピックアップし、第１ステージのワークにダイレクトに仮付けする。ダイが仮付けされたワークを移動し第２ステージに移動してダイボンディング（本圧着）する（特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２５２３０３号公報
【特許文献２】特開２００５−０９３８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の（１）の方法では、ピックアップと本圧着（ダイボンド）それぞれのプロセス時間に影響し、生産性が低下する。また、２つのヘッドを使用するため、両ヘッドで生産した製品同士では、実装品質が変化し、安定しない。
また、（２）及び（３）の方法では、一度別のステージにダイを載置し、再度搬送するため、ハンドリングによる歩留まりが低下する恐れがある。さらに、別のステージへの搬送時の影響により、歩留まりが低下する恐れもある。またさらに、２つのステージが必要となり、装置が大きくなる。さらに、工数が増える。
【０００５】
本発明の第１の目的は、上記の問題に鑑み、ダイボンディングの品質の安定したダイボンダ及びダイボンディング方法を提供することにある。
また、本発明の第２の目的は、ダイボンダの小型化及び製造コストの低減である。また、本発明の第３の目的は、ダイボンディングの工数が低減可能なダイボンダ及びダイボンディング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記目的を達成するために、ヘッドを２つ設け、一方のヘッドは、ダイをピックアップしてステージ上の基板に仮付けし、他方のヘッドが仮付けされたダイを本圧着するものである。
さらに、他方のヘッドが本圧着中に一方のヘッドが次のダイをピックアップしてステージ上の基板に仮付けするようにしたものである。
【０００７】
本発明のダイボンダは、ウェハを保持するダイ供給ステージと、前記ウェハからダイをピックアップしアタッチステージ上の被実装対象物に前記ダイを仮付けする第１のコレットを有する第１のヘッドと、前記アタッチステージに仮付けされた前記ダイを前記被実装対象物に本圧着する第２のコレットを有する第２のヘッドと、制御装置とを備え、前記制御装置は、前記第２のヘッドが前記ダイを前記被実装対象物に本圧着する間に、前記第１のヘッドが前記ダイ供給ステージから次のダイをピックアップさせることを第１の特徴とする。
【０００８】
上記本発明の第１の特徴のダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが前記被実装対象物に前記ダイを仮付けする前に、前記第２のヘッドが退避させることを本発明の第２の特徴とする。
【０００９】
上記本発明の第１の特徴または第２の特徴のダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが仮付けする荷重を、前記第２のヘッドが本圧着する荷重より小さくすることを本発明の第３の特徴とする。
【００１０】
上記本発明の第１の特徴乃至第３の特徴のいずれかのダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが仮付けする荷重負荷時間を、前記第２のヘッドが本圧着する荷重負荷時間より短くすることを本発明の第４の特徴とする。
【００１１】
上記本発明の第１の特徴乃至第４の特徴のいずれかのダイボンダにおいて、前記第１のコレットは第１の加熱装置を有し、前記第２のコレットは第２の加熱装置を有し、前記制御装置は、前記第１の加熱装置の設定温度を前記第２の加熱装置の設定温度より低くすることを本発明の第５の特徴とする。
【００１２】
上記本発明の第１の特徴乃至第５の特徴のいずれかのダイボンダにおいて、前記アタッチステージは、前記アタッチステージ上の前記被実装対象物を加熱する第３の加熱装置を有し、前記制御装置は、前記第３の加熱装置の設定温度を前記第１のヘッドが前記ダイを仮付けする時の温度と前記第２のヘッドが前記ダイを本圧着する時の温度とを同一に設定することを本発明の第６の特徴とする。
【００１３】
また、本発明のダイボンディング方法は、第１のコレットを有する第１のヘッドと、第２のコレットを有する第２のヘッドと、制御装置とを備えたダイボンダのダイボンディング方法において、前記第１のヘッドがダイ供給ステージからダイをピックアップする第１のステップと、前記第２のヘッドがアタッチステージ上の被実装対象物のダイ圧着ポイントの上方から退避し、前記第１のヘッドが前記ピックアップした前記ダイを前記ダイ圧着ポイントに仮付けする第２のステップと、前記仮付けされたダイを前記第２のヘッドが本圧着して前記被実装対象物の前記ダイ圧着ポイントに本圧着する第３のステップと、前記第３のステップを実行中に、前記第１のヘッドが別のダイを前記ダイ供給ステージからピックアップする第４のステップとを備えたことを第７の特徴とする。
【００１４】
上記本発明の第７の特徴のダイボンディング方法において、前記第１のステップは、上流から前記アタッチステージに前記被実装対象物を搬送するステップを含むことを本発明の第８の特徴とする。
【００１５】
上記本発明の第８の特徴のダイボンディング方法において、前記第３のステップは、さらに、前記本圧着した後に、当該本圧着された被実装対象物を下流に搬送し、前記上流から次の被実装対象物を搬送することを本発明の第９の特徴とする。
【００１６】
上記本発明の第７の特徴乃至第９の特徴のいずれかのダイボンディング方法において、前記第２のステップから前記第４のステップを繰り返すことを本発明の第１０の特徴とする。
【００１７】
上記本発明の第７の特徴乃至第１０の特徴のいずれかのダイボンディング方法において、前記第２のステップと前記第３のステップの前記アタッチステージの加熱温度が同一であることを本発明の第１１の特徴とする。
【００１８】
上記本発明の第７の特徴乃至第１１の特徴のいずれかのダイボンディング方法において、前記第１のコレットの加熱温度が前記第２のコレットの加熱温度より低いことを本発明の第１２の特徴とする。
【００１９】
上記本発明の第７の特徴乃至第１２の特徴のいずれかのダイボンディング方法において、前記第２のステップにおける前記第１のヘッドが前記仮付けする時の荷重が、前記第３のステップにおける前記第２のヘッドが前記本圧着する時の荷重より小さいことを本発明の第１３の特徴とする。
【００２０】
上記本発明の第７の特徴乃至第１３の特徴のいずれかのダイボンディング方法において、前記第２のステップにおける前記第１のヘッドが前記仮付けする時の荷重負荷時間が、前記第３のステップにおける前記第２のヘッドが前記本圧着する時の荷重負荷時間より短いことを本発明の第１４の特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、品質の安定したダイボンダ及びダイボンディング方法を実現することができる。
また、本発明によれば、小型化及び製造コストが低減可能なダイボンダを実現することができる。
さらに、本発明によれば、工数の低減が可能なダイボンダ及びダイボンディング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のダイボンダの一実施例の主要部の概略側面図である。
【図２】本発明のダイボンダの一実施例のヘッドの概略側面図である。
【図３】本発明のダイボンダの一実施例の制御装置の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の一実施例を説明するためにダイボンダの主要部の概略側面を示した図である。
【図５】本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の一実施例を説明するためにダイボンダの主要部の概略側面を示した図である。
【図６】本発明のダイボンダの一実施例の制御装置の構成を示すブロック図である。
【図７】本発明のダイボンダの一実施例の制御装置の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に本発明の一実施形態を図面等を用いて説明する。なお、以下の説明は、本発明の一実施形態を説明するためのものであり、本願発明の範囲を制限するものではない。従って、当業者であればこれらの各要素若しくは全要素をこれと均等なものに置換した実施形態を採用することが可能であり、これらの実施形態も本願発明の範囲に含まれる。
なお、本書では、各図の説明において、共通な機能を有する構成要素には同一の参照番号を付し、説明の重複をできるだけ避ける。
【００２４】
図１は、本発明のダイボンダの一実施例の主要部の概略側面図である。このダイボンダは、各種ダイ（半導体チップ）をプリント基板に実装する装置である。１はダイボンダ本体、２はダイ供給ステージ、３はプリアライメントステージ、４はダイボンディング作業をするためのアタッチステージ、６はダイ、５はダイ６を吸着しプリント基板に仮付けするコレット、５５は仮付けされたダイ６を本圧着するコレット、７は半導体ウェハ、８は半導体ウェハ７を載置支持するウェハテーブル、１０はプリアライメントステージ３のプリアライメントテーブル、１１はプリアライメントテーブル１０を加熱する加熱装置、１２はダイ６を実装する被実装部材であるプリント基板、１３はアタッチステージ４のアタッチテーブル、６１はプリアライメントテーブル１０の上面、６２はアタッチテーブル１３の上面、１３０はアタッチテーブル１３の上面の開口部、１４はアタッチテーブル１３を加熱する加熱装置である。なお、コレット５は、後述するヘッド２０に設けられ、コレット５５は後述するヘッド２０’に設けられる。
【００２５】
図１において、ダイ供給ステージ２には、例えば、多数のダイ６が集合した半導体ウェハ（以下、ウェハという）７が載置されている。ウェハ７は、ダイ６毎に分離してピックアップできるようにダイシングされている。
プリアライメントステージ３は、プリアライメントテーブル１０と、このプリアライメントテーブル１０の下方に設けられた加熱装置１１とを備えている。また、アタッチステージ４は、プリント基板１２を載置しプリント基板１２の周囲を覆うと共に上面に開口１３０が形成されたアタッチテーブル１３と、このアタッチテーブル１３に設けられた加熱装置１４とを備えている。プリント基板１２は、アタッチテーブル１３上を図示しない搬送機構によって上流から搬送され、ダイ６の実装作業（ダイボンディング）の終了後、下流へ搬送される。
【００２６】
以下、ダイ６を移載し仮付けするヘッド２０及び本圧着するヘッド２０’について、図２を用いて説明する。図２は、本発明のダイボンダの一実施例のヘッドの概略側面図である。なお、ダイ６をダイ供給ステージ２からプリアライメントステージ３へ移載し仮付けするヘッド２０と、仮付けされたダイ６を本圧着するヘッド２０’とは、同一の機構であり、以下、ダイ６をダイ供給ステージ２からプリアライメントステージ３を介してアタッチステージ４に移載してプリント基板１２に仮付けするヘッド２０について説明し、ダイ６をアタッチステージ４において本圧着するヘッド２０’については、説明を省略する。ただし、かっこ内に示した符号は、ヘッド２０’に係る構成要素であることを示す。
１６はヘッド２０（２０’）のヘッド支持部、１７はヘッド支持部１６にその上部から外方向に延びたセンサ支持部、１８はガイド、２１はレール、２２はスライド部材、２３（２３’）は昇降駆動部（固定子及び可動子）、２４はボールブッシュ、２５は接触片、２６は圧縮バネ、２７（２７’）はタッチセンサ、２８は接触端である。
【００２７】
ヘッド支持部１６は、上下方向に配置されたガイド１８に沿い昇降する。ガイド１８は、レール２１とこのレール２１にスライド自在に支持されたスライド部材２２とを備えている。また、ガイド１８には、ヘッド２０の例えばリニアモータなどの昇降駆動部２３が設けられている。
また、ヘッド支持部１６の下部にはほぼ垂直にボールブッシュ２４が設けられ、このボールブッシュ２４にコレット５（５５）がほぼ垂直に昇降自在に支持されている。また、コレット５のほぼ中間位置には、接触片２５が水平に取り付けられている。この接触片２５の上面とセンサ支持部１７の下面との間には、圧縮バネ２６が設けられ、この圧縮バネ２６によって接触片２５を介してコレット５が下降へ付勢されている。
タッチセンサ２７（２７’）は、センサ支持部１７を貫通して取り付けられた検出器である。タッチセンサ２７の下端には、接触端２８が設けられている。そして、コレット５の下端が他の部材に接触して上昇していない状態では、接触端２８の下端と接触片２５の上面との間には、僅かな隙間が形成されている。
【００２８】
次に、ヘッド２０（２０’）の昇降などの動作を制御する制御装置について、図３に基づいて説明する。図３は、本発明のダイボンダの一実施例の制御装置の構成を示すブロック図である。
３０は昇降駆動部２３の昇降などの動作を制御する制御装置、３１はモニタ、３２はＣＰＵ（Central Processing Unit）、３３はＲＡＭ（Random Access Memory）、３４はＲＯＭ（Read Only Memory）である。
【００２９】
この制御装置３０には、インターフェース（図示せず）を介して昇降駆動部２３と２３’、タッチセンサ２７と２７’、及び表示装置であるタッチパネルを備えたモニタ３１などが接続されている。
制御装置３０には、ＣＰＵ３２、ＲＡＭ３３及びＲＯＭ３４が設けられ、ＣＰＵ３２はタッチセンサ２７及び２７’からの信号を入力すると共に、予めＲＡＭ３３に格納されている昇降ストロークのデータ及びＲＯＭ３４に格納されている制御プログラムに基づいて昇降駆動部２３を制御すると共に、図示しない温度センサ等の検出値に基づいてプリアライメントテーブル１０の加熱装置１１及びアタッチテーブル１３の加熱装置１４を制御してプリアライメントテーブル１０及びアタッチテーブル１３の温度を制御する。
また、ＲＡＭ３３には、例えばモニタ３１のタッチパネル操作等の、作業者による操作によって予め設定された、コレット５または５５の下降ストロークの補正（キャリブレーション）の間隔及び回数、即ち、下降ストロークを補正する間隔及び補正する回数が格納されている。
【００３０】
図４によって、本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の一実施例を説明する。図４は、本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の一実施例を説明するためにダイボンダの主要部の概略側面を示した図である。図４は、本発明のダイボンダの一実施例における説明に不要な構成要素を除いて記載している。さらに、図４の実施例では、図１の実施例と異なり、ヘッド２０のコレット５は、ダイ供給領域２からピックアップしたダイ６を直接アタッチステージ４のプリント基板１２上に仮付けする。このため、プリアライメントステージ３が無い。また、図４におけるダイ６が同じダイか異なるダイかを区別するために、サフィックス（suffix）を付けた。例えば、ダイ６−０、ダイ６−１である。
【００３１】
図４において、図４（ａ）は、１機種の基板についてダイボンディングが始まった状態である。即ち、プリント基板１２が上流から図示しない搬送機構によってアタッチステージ４に搬送され、この時、ヘッド２０’のコレット５５はプリント基板１２の上方に位置している。アタッチステージ４にプリント基板１２が搬送されている間に、ヘッド２０のコレット５は、ダイ供給ステージ２に移動して、ダイ６−０をピックアップする。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示すように、コレット５５がプリント基板１２上のダイ圧着ポイントの上方から退避する。そして、ダイ圧着ポイントの上方には、ダイ６−１をピックアップしているコレット５が移動し、ダイ６−０をプリント基板１２上のダイ圧着ポイントに仮付けする。退避する距離は、コレット５５のヘッド２０’がコレット５のヘッド２０と接触しない距離である。
【００３３】
次に、図４（ｃ）に示すように、ダイ６−０の仮付けを完了したコレット５は、ダイ供給ステージ２に移動して、別のダイ６−１をピックアップする。ヘッド２０のコレット５が別のダイ６−１をピックアップしている間に、ヘッド２０’のコレット５５は、先ほど仮付けされたダイ６−０を同一のステージ上で押さえ付け、本圧着する。本圧着終了後、ヘッド２０’のコレット５５はアタッチステージ４の上方に移動し、ダイ６−０が実装されたプリント基板１２は、図示しない搬送機構によって、下流に搬送されると共に、次のプリント基板が上流からアタッチステージ４に搬送される。
【００３４】
以下、図４（ｂ）と図４（ｃ）を交互に繰り返し、プリント基板１２にダイ６を実装する。
【００３５】
図５によって、本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の他の実施例を説明する。図５は、本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の一実施例を説明するためにダイボンダの主要部の概略側面を示した図である。図５は、本発明のダイボンダの一実施例における説明に不要な構成物を除いて記載している。また、図５の実施例では、図４の実施例と異なり、実装ラインを２レーン備え、２つのヘッド２０及び２０’は、２レーンにそれぞれ搬送されるプリント基板にダイを交互に実装するものである。ここで１２は第１のレーン上に搬送されたプリント基板、４２は第２のレーン上に搬送されたプリント基板である。また、４は第１のレーンのアタッチステージ、４４は第２のレーンのアタッチステージである。
【００３６】
図５において、図４で説明した工程手順によってプリント基板１２にダイ６−０が実装される。ただし、図４（ｃ）において、本圧着終了後のコレット５５は、アタッチステージ４４上に移動する。次に、図５（ａ）に示すように、プリント基板４２が上流から図示しない搬送機構によってアタッチステージ４４に既に搬送されている（または、予め搬送されて待機中である）。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示すように、コレット５５がプリント基板４２上のダイ圧着ポイントの上方から退避する。そして、ダイ圧着ポイントの上方には、ダイ６−１をピックアップしているコレット５が移動し、ダイ６−１をプリント基板４２上のダイ圧着ポイントに仮付けする。
【００３８】
次に、図５（ｃ）に示すように、ダイ６−１の仮付けを完了したコレット５は、ダイ供給ステージ２に移動して、別のダイ６−２をピックアップする。ヘッド２０のコレット５が別のダイ６−２をピックアップしている間に、ヘッド２０’のコレット５５は、先ほどプリント基板４２に仮付けされたダイ６−１を上から押さえ付け、本圧着する。本圧着終了後、ヘッド２０’のコレット５５はアタッチステージ４の上方に移動し、ダイ６−１が実装されたプリント基板１２は、図示しない搬送機構によって、下流に搬送されると共に、次のプリント基板が上流からアタッチステージ４４に搬送される。
【００３９】
以下、図４（ｂ）と図４（ｃ）の工程手順と図５（ｂ）と図５（ｃ）の工程手順をを交互に繰り返し、プリント基板１２およびプリント基板４２にダイ６を実装する。
【００４０】
なお、例えば、仮付けするヘッドの荷重（Light Place Load）は０．５〜２［Ｎ］（荷重負荷時間（Short Place Time）：０．１〜０．５［ｓ］）であり、本圧着するヘッドの荷重（Heavy Place Load）は１〜７０［Ｎ］（荷重負荷時間（Heavy Place Time）：０．５［ｓ］以上）である。
【００４１】
上記実施例によれば、ピックアップと本圧着とをそれぞれ別のヘッドで行う。即ち、同一のヘッドで同一の作業を実行する。このため、並列処理が可能であり、プロセス時間が影響せず、実装品質が安定し、生産性が低下しない。
また、仮付け用のステージが不要となるため、加熱ステージも１つで良く、装置コスト、装置の小型化、及び製造工数を低減できる。
さらに、ハンドリング回数を低減できるため、ハンドリングによる歩留り低下を防止できる。
例えば、生産機種がＮＡＮＤ等の薄型積層製品である場合に、ピックアップ（剥離）及び熱圧着によるダイボンディングで、それぞれ１［ｓ］程度のプロセス時間が必要である。本発明では、それぞれの工程（ピックアップ及び熱圧着）を並列処理可能とすることができる。
【００４２】
本発明では、２つのコレット５及び５５に異なる役目を負わせている。しかし、上述の図１〜図５の実施例においては、ピックアップ及び仮付けに使用するコレット５と本圧着に使用するコレット５５とは、同一形状、同一寸法のコレットを使用した。また、プリアライメントステージ３、アタッチステージ４、コレット５、及びコレット５５の温度等の設定条件を同一に設定した。
しかし、本発明の別の実施例として、例えば、図６に示すように、仮付け用のコレット５と本圧着用のコレット５５とで、作業条件を異なるようにしても良い。
【００４３】
図６は、本発明のダイボンダの一実施例の設定条件を示す表である。図６は、設定対象について、仮付け用のコレット５と本圧着用のコレット５５の設定条件を異なるように設定している。
図６において、アタッチテーブル１３の加熱温度は、コレット５による仮付け時と本圧着時で同一の設定としている。しかし、コレットの加熱温度、コレットの荷重、コレットの荷重負荷時間を、いずれも仮付け用のコレット５より本圧着用のコレット５５の方が大となるように設定している。
この結果、仮付け時には、本圧着時に必要な温度より低温度でダイボンディングできるため、熱の影響によるボンディング位置の精度の確保が容易となる。また、同じ理由により、プリント基板の熱変形を防止することができる。さらに、コレット側からの加熱は、プリント基板を介さないために、熱効率（熱伝導）が良く、ダイ圧着の品質向上が可能となる。
【００４４】
図６のように、コレット５及び５５に加熱装置７５及び７６を設けることについては、周知の技術であるので、説明を省略する。なお、コレット５及び５５の加熱装置７５及び７６の制御は、図３の制御装置において、さらに図７に示すように加熱装置７５及び７６を、制御装置３０に接続することで可能である。
なお、さらに。ピックアップ及び仮付け用のコレット５と本圧着用のコレット５５を、それらの用途に合わせて異なる形状寸法のコレットとしても良い。この結果、さらに、ダイボンディングの品質向上が可能となる。
【００４５】
上述の実施例では、中間ステージ（プリアライメントテーブル）付きダイボンダ、及びダイレクトボンド方式ダイボンダによって本発明を説明した。しかし、本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法は、上記のダイボンダの他、フリップチップボンダ等、熱圧着ダイボンダ、超音波熱併用ダイボンダに広く適用可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１：ダイボンダ本体、 ２：ダイ供給ステージ、 ３：プリアライメントステージ、 ４、４４：アタッチステージ、 ５、５５：コレット、 ６：ダイ、 ７：半導体ウェハ（ウェハ）、 ８：ウェハテーブル、 １０：プリアライメントテーブル、 １１：加熱装置、 １２、４２：プリント基板、 １３：アタッチテーブル、 １４：加熱装置、 １６：ヘッド支持部、 １７：センサ支持部、 １８：ガイド、 ２０、２０’：ヘッド、 ２１：レール、 ２２：スライド部材、 ２３、２３’：昇降駆動部、 ２４：ボールブッシュ、 ２５：接触片、 ２６：圧縮バネ、 ２７、２７’：タッチセンサ、 ２８：接触端、 ３０：制御装置、 ３１：モニタ、 ３２：ＣＰＵ、 ３３：ＲＡＭ、 ３４：ＲＯＭ、 ６１、６２：上面、 １３０：開口部、 ７５、７６：コレット加熱装置。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンダ及びボンディング方法に係わり、工数を低減できるダイボンダ及びボンディング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイ（半導体チップ）を配線基板やリードフレームなどの被実装部材（以降、本明細書では、プリント基板と称する）に搭載してパッケージを組み立てる工程の一部に、ウェハからダイをピックアップ（吸着）し基板にボンディングするダイボンディング工程がある。近年、ダイをピックアップして基板に圧着するヘッドを２つ設け、工数の低減を企図したダイボンダが製作されるようになってきている。
その場合のダイボンディングとしては、次の（１）〜（３）の方法があった。
（１）それぞれのヘッドが、順番にウェハからダイをピックアップし、そのままダイレクトに、基板等のワークへダイボンディング（本圧着）する。
（２）一方のヘッドがウェハからダイをピックアップして、一度プリアライメントステージに載置する。他方のヘッドがプリアライメントステージに載置されたダイを吸着してワークにダイボンディング（本圧着）する（特許文献１参照。）。
（３）ウェハからダイをピックアップし、第１ステージのワークにダイレクトに仮付けする。ダイが仮付けされたワークを移動し第２ステージに移動してダイボンディング（本圧着）する（特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２５２３０３号公報
【特許文献２】特開２００５−０９３８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の（１）の方法では、ピックアップと本圧着（ダイボンド）それぞれのプロセス時間に影響し、生産性が低下する。また、２つのヘッドを使用するため、両ヘッドで生産した製品同士では、実装品質が変化し、安定しない。
また、（２）及び（３）の方法では、一度別のステージにダイを載置し、再度搬送するため、ハンドリングによる歩留まりが低下する恐れがある。さらに、別のステージへの搬送時の影響により、歩留まりが低下する恐れもある。またさらに、２つのステージが必要となり、装置が大きくなる。さらに、工数が増える。
【０００５】
本発明の第１の目的は、上記の問題に鑑み、ダイボンディングの品質の安定したダイボンダ及びダイボンディング方法を提供することにある。
また、本発明の第２の目的は、ダイボンダの小型化及び製造コストの低減である。また、本発明の第３の目的は、ダイボンディングの工数が低減可能なダイボンダ及びダイボンディング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記目的を達成するために、ヘッドを２つ設け、一方のヘッドは、ダイをピックアップしてステージ上の基板に仮付けし、他方のヘッドが仮付けされたダイを本圧着するものである。
さらに、他方のヘッドが本圧着中に一方のヘッドが次のダイをピックアップしてステージ上の基板に仮付けするようにしたものである。
【０００７】
本発明のダイボンダは、ウェハを保持するダイ供給ステージと、前記ウェハからダイをピックアップしアタッチステージ上の被実装対象物に前記ダイを仮付けする第１のコレットを有する第１のヘッドと、前記アタッチステージに仮付けされた前記ダイを前記被実装対象物に本圧着する第２のコレットを有する第２のヘッドと、制御装置とを備え、前記制御装置は、前記第２のヘッドが前記ダイを前記被実装対象物に本圧着する間に、前記第１のヘッドが前記ダイ供給ステージから次のダイをピックアップさせることを第１の特徴とする。
【０００８】
上記本発明の第１の特徴のダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが前記被実装対象物に前記ダイを仮付けする前に、前記第２のヘッドが退避させることを本発明の第２の特徴とする。
【０００９】
上記本発明の第１の特徴または第２の特徴のダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが仮付けする荷重を、前記第２のヘッドが本圧着する荷重より小さくすることを本発明の第３の特徴とする。
【００１０】
上記本発明の第１の特徴乃至第３の特徴のいずれかのダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが仮付けする荷重負荷時間を、前記第２のヘッドが本圧着する荷重負荷時間より短くすることを本発明の第４の特徴とする。
【００１１】
上記本発明の第１の特徴乃至第４の特徴のいずれかのダイボンダにおいて、前記第１のコレットは第１の加熱装置を有し、前記第２のコレットは第２の加熱装置を有し、前記制御装置は、前記第１の加熱装置の設定温度を前記第２の加熱装置の設定温度より低くすることを本発明の第５の特徴とする。
【００１２】
上記本発明の第１の特徴乃至第５の特徴のいずれかのダイボンダにおいて、前記アタッチステージは、前記アタッチステージ上の前記被実装対象物を加熱する第３の加熱装置を有し、前記制御装置は、前記第３の加熱装置の設定温度を前記第１のヘッドが前記ダイを仮付けする時の温度と前記第２のヘッドが前記ダイを本圧着する時の温度とを同一に設定することを本発明の第６の特徴とする。
【００１３】
また、本発明のダイボンディング方法は、第１のコレットを有する第１のヘッドと、第２のコレットを有する第２のヘッドと、制御装置とを備えたダイボンダのダイボンディング方法において、前記第１のヘッドがダイ供給ステージからダイをピックアップする第１のステップと、前記第２のヘッドがアタッチステージ上の被実装対象物のダイ圧着ポイントの上方から退避し、前記第１のヘッドが前記ピックアップした前記ダイを前記ダイ圧着ポイントに仮付けする第２のステップと、前記仮付けされたダイを前記第２のヘッドが本圧着して前記被実装対象物の前記ダイ圧着ポイントに本圧着する第３のステップと、前記第３のステップを実行中に、前記第１のヘッドが別のダイを前記ダイ供給ステージからピックアップする第４のステップとを備えたことを第７の特徴とする。
【００１４】
上記本発明の第７の特徴のダイボンディング方法において、前記第１のステップは、上流から前記アタッチステージに前記被実装対象物を搬送するステップを含むことを本発明の第８の特徴とする。
【００１５】
上記本発明の第８の特徴のダイボンディング方法において、前記第３のステップは、さらに、前記本圧着した後に、当該本圧着された被実装対象物を下流に搬送し、前記上流から次の被実装対象物を搬送することを本発明の第９の特徴とする。
【００１６】
上記本発明の第７の特徴乃至第９の特徴のいずれかのダイボンディング方法において、前記第２のステップから前記第４のステップを繰り返すことを本発明の第１０の特徴とする。
【００１７】
上記本発明の第７の特徴乃至第１０の特徴のいずれかのダイボンディング方法において、前記第２のステップと前記第３のステップの前記アタッチステージの加熱温度が同一であることを本発明の第１１の特徴とする。
【００１８】
上記本発明の第７の特徴乃至第１１の特徴のいずれかのダイボンディング方法において、前記第１のコレットの加熱温度が前記第２のコレットの加熱温度より低いことを本発明の第１２の特徴とする。
【００１９】
上記本発明の第７の特徴乃至第１２の特徴のいずれかのダイボンディング方法において、前記第２のステップにおける前記第１のヘッドが前記仮付けする時の荷重が、前記第３のステップにおける前記第２のヘッドが前記本圧着する時の荷重より小さいことを本発明の第１３の特徴とする。
【００２０】
上記本発明の第７の特徴乃至第１３の特徴のいずれかのダイボンディング方法において、前記第２のステップにおける前記第１のヘッドが前記仮付けする時の荷重負荷時間が、前記第３のステップにおける前記第２のヘッドが前記本圧着する時の荷重負荷時間より短いことを本発明の第１４の特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、品質の安定したダイボンダ及びダイボンディング方法を実現することができる。
また、本発明によれば、小型化及び製造コストが低減可能なダイボンダを実現することができる。
さらに、本発明によれば、工数の低減が可能なダイボンダ及びダイボンディング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のダイボンダの一実施例の主要部の概略側面図である。
【図２】本発明のダイボンダの一実施例のヘッドの概略側面図である。
【図３】本発明のダイボンダの一実施例の制御装置の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の一実施例を説明するためにダイボンダの主要部の概略側面を示した図である。
【図５】本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の一実施例を説明するためにダイボンダの主要部の概略側面を示した図である。
【図６】本発明のダイボンダの一実施例の制御装置の構成を示すブロック図である。
【図７】本発明のダイボンダの一実施例の制御装置の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に本発明の一実施形態を図面等を用いて説明する。なお、以下の説明は、本発明の一実施形態を説明するためのものであり、本願発明の範囲を制限するものではない。従って、当業者であればこれらの各要素若しくは全要素をこれと均等なものに置換した実施形態を採用することが可能であり、これらの実施形態も本願発明の範囲に含まれる。
なお、本書では、各図の説明において、共通な機能を有する構成要素には同一の参照番号を付し、説明の重複をできるだけ避ける。
【００２４】
図１は、本発明のダイボンダの一実施例の主要部の概略側面図である。このダイボンダは、各種ダイ（半導体チップ）をプリント基板に実装する装置である。１はダイボンダ本体、２はダイ供給ステージ、３はプリアライメントステージ、４はダイボンディング作業をするためのアタッチステージ、６はダイ、５はダイ６を吸着しプリント基板に仮付けするコレット、５５は仮付けされたダイ６を本圧着するコレット、７は半導体ウェハ、８は半導体ウェハ７を載置支持するウェハテーブル、１０はプリアライメントステージ３のプリアライメントテーブル、１１はプリアライメントテーブル１０を加熱する加熱装置、１２はダイ６を実装する被実装部材であるプリント基板、１３はアタッチステージ４のアタッチテーブル、６１はプリアライメントテーブル１０の上面、６２はアタッチテーブル１３の上面、１３０はアタッチテーブル１３の上面の開口部、１４はアタッチテーブル１３を加熱する加熱装置である。なお、コレット５は、後述するヘッド２０に設けられ、コレット５５は後述するヘッド２０’に設けられる。
【００２５】
図１において、ダイ供給ステージ２には、例えば、多数のダイ６が集合した半導体ウェハ（以下、ウェハという）７が載置されている。ウェハ７は、ダイ６毎に分離してピックアップできるようにダイシングされている。
プリアライメントステージ３は、プリアライメントテーブル１０と、このプリアライメントテーブル１０の下方に設けられた加熱装置１１とを備えている。また、アタッチステージ４は、プリント基板１２を載置しプリント基板１２の周囲を覆うと共に上面に開口１３０が形成されたアタッチテーブル１３と、このアタッチテーブル１３に設けられた加熱装置１４とを備えている。プリント基板１２は、アタッチテーブル１３上を図示しない搬送機構によって上流から搬送され、ダイ６の実装作業（ダイボンディング）の終了後、下流へ搬送される。
【００２６】
以下、ダイ６を移載し仮付けするヘッド２０及び本圧着するヘッド２０’について、図２を用いて説明する。図２は、本発明のダイボンダの一実施例のヘッドの概略側面図である。なお、ダイ６をダイ供給ステージ２からプリアライメントステージ３へ移載し仮付けするヘッド２０と、仮付けされたダイ６を本圧着するヘッド２０’とは、同一の機構であり、以下、ダイ６をダイ供給ステージ２からプリアライメントステージ３を介してアタッチステージ４に移載してプリント基板１２に仮付けするヘッド２０について説明し、ダイ６をアタッチステージ４において本圧着するヘッド２０’については、説明を省略する。ただし、かっこ内に示した符号は、ヘッド２０’に係る構成要素であることを示す。
１６はヘッド２０（２０’）のヘッド支持部、１７はヘッド支持部１６にその上部から外方向に延びたセンサ支持部、１８はガイド、２１はレール、２２はスライド部材、２３（２３’）は昇降駆動部（固定子及び可動子）、２４はボールブッシュ、２５は接触片、２６は圧縮バネ、２７（２７’）はタッチセンサ、２８は接触端である。
【００２７】
ヘッド支持部１６は、上下方向に配置されたガイド１８に沿い昇降する。ガイド１８は、レール２１とこのレール２１にスライド自在に支持されたスライド部材２２とを備えている。また、ガイド１８には、ヘッド２０の例えばリニアモータなどの昇降駆動部２３が設けられている。
また、ヘッド支持部１６の下部にはほぼ垂直にボールブッシュ２４が設けられ、このボールブッシュ２４にコレット５（５５）がほぼ垂直に昇降自在に支持されている。また、コレット５のほぼ中間位置には、接触片２５が水平に取り付けられている。この接触片２５の上面とセンサ支持部１７の下面との間には、圧縮バネ２６が設けられ、この圧縮バネ２６によって接触片２５を介してコレット５が下降へ付勢されている。
タッチセンサ２７（２７’）は、センサ支持部１７を貫通して取り付けられた検出器である。タッチセンサ２７の下端には、接触端２８が設けられている。そして、コレット５の下端が他の部材に接触して上昇していない状態では、接触端２８の下端と接触片２５の上面との間には、僅かな隙間が形成されている。
【００２８】
次に、ヘッド２０（２０’）の昇降などの動作を制御する制御装置について、図３に基づいて説明する。図３は、本発明のダイボンダの一実施例の制御装置の構成を示すブロック図である。
３０は昇降駆動部２３の昇降などの動作を制御する制御装置、３１はモニタ、３２はＣＰＵ（Central Processing Unit）、３３はＲＡＭ（Random Access Memory）、３４はＲＯＭ（Read Only Memory）である。
【００２９】
この制御装置３０には、インターフェース（図示せず）を介して昇降駆動部２３と２３’、タッチセンサ２７と２７’、及び表示装置であるタッチパネルを備えたモニタ３１などが接続されている。
制御装置３０には、ＣＰＵ３２、ＲＡＭ３３及びＲＯＭ３４が設けられ、ＣＰＵ３２はタッチセンサ２７及び２７’からの信号を入力すると共に、予めＲＡＭ３３に格納されている昇降ストロークのデータ及びＲＯＭ３４に格納されている制御プログラムに基づいて昇降駆動部２３を制御すると共に、図示しない温度センサ等の検出値に基づいてプリアライメントテーブル１０の加熱装置１１及びアタッチテーブル１３の加熱装置１４を制御してプリアライメントテーブル１０及びアタッチテーブル１３の温度を制御する。
また、ＲＡＭ３３には、例えばモニタ３１のタッチパネル操作等の、作業者による操作によって予め設定された、コレット５または５５の下降ストロークの補正（キャリブレーション）の間隔及び回数、即ち、下降ストロークを補正する間隔及び補正する回数が格納されている。
【００３０】
図４によって、本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の一実施例を説明する。図４は、本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の一実施例を説明するためにダイボンダの主要部の概略側面を示した図である。図４は、本発明のダイボンダの一実施例における説明に不要な構成要素を除いて記載している。さらに、図４の実施例では、図１の実施例と異なり、ヘッド２０のコレット５は、ダイ供給領域２からピックアップしたダイ６を直接アタッチステージ４のプリント基板１２上に仮付けする。このため、プリアライメントステージ３が無い。また、図４におけるダイ６が同じダイか異なるダイかを区別するために、サフィックス（suffix）を付けた。例えば、ダイ６−０、ダイ６−１である。
【００３１】
図４において、図４（ａ）は、１機種の基板についてダイボンディングが始まった状態である。即ち、プリント基板１２が上流から図示しない搬送機構によってアタッチステージ４に搬送され、この時、ヘッド２０’のコレット５５はプリント基板１２の上方に位置している。アタッチステージ４にプリント基板１２が搬送されている間に、ヘッド２０のコレット５は、ダイ供給ステージ２に移動して、ダイ６−０をピックアップする。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示すように、コレット５５がプリント基板１２上のダイ圧着ポイントの上方から退避する。そして、ダイ圧着ポイントの上方には、ダイ６−１をピックアップしているコレット５が移動し、ダイ６−０をプリント基板１２上のダイ圧着ポイントに仮付けする。退避する距離は、コレット５５のヘッド２０’がコレット５のヘッド２０と接触しない距離である。
【００３３】
次に、図４（ｃ）に示すように、ダイ６−０の仮付けを完了したコレット５は、ダイ供給ステージ２に移動して、別のダイ６−１をピックアップする。ヘッド２０のコレット５が別のダイ６−１をピックアップしている間に、ヘッド２０’のコレット５５は、先ほど仮付けされたダイ６−０を同一のステージ上で押さえ付け、本圧着する。本圧着終了後、ヘッド２０’のコレット５５はアタッチステージ４の上方に移動し、ダイ６−０が実装されたプリント基板１２は、図示しない搬送機構によって、下流に搬送されると共に、次のプリント基板が上流からアタッチステージ４に搬送される。
【００３４】
以下、図４（ｂ）と図４（ｃ）を交互に繰り返し、プリント基板１２にダイ６を実装する。
【００３５】
図５によって、本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の他の実施例を説明する。図５は、本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法の一実施例を説明するためにダイボンダの主要部の概略側面を示した図である。図５は、本発明のダイボンダの一実施例における説明に不要な構成物を除いて記載している。また、図５の実施例では、図４の実施例と異なり、実装ラインを２レーン備え、２つのヘッド２０及び２０’は、２レーンにそれぞれ搬送されるプリント基板にダイを交互に実装するものである。ここで１２は第１のレーン上に搬送されたプリント基板、４２は第２のレーン上に搬送されたプリント基板である。また、４は第１のレーンのアタッチステージ、４４は第２のレーンのアタッチステージである。
【００３６】
図５において、図４で説明した工程手順によってプリント基板１２にダイ６−０が実装される。ただし、図４（ｃ）において、本圧着終了後のコレット５５は、アタッチステージ４４上に移動する。次に、図５（ａ）に示すように、プリント基板４２が上流から図示しない搬送機構によってアタッチステージ４４に既に搬送されている（または、予め搬送されて待機中である）。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示すように、コレット５５がプリント基板４２上のダイ圧着ポイントの上方から退避する。そして、ダイ圧着ポイントの上方には、ダイ６−１をピックアップしているコレット５が移動し、ダイ６−１をプリント基板４２上のダイ圧着ポイントに仮付けする。
【００３８】
次に、図５（ｃ）に示すように、ダイ６−１の仮付けを完了したコレット５は、ダイ供給ステージ２に移動して、別のダイ６−２をピックアップする。ヘッド２０のコレット５が別のダイ６−２をピックアップしている間に、ヘッド２０’のコレット５５は、先ほどプリント基板４２に仮付けされたダイ６−１を上から押さえ付け、本圧着する。本圧着終了後、ヘッド２０’のコレット５５はアタッチステージ４の上方に移動し、ダイ６−１が実装されたプリント基板１２は、図示しない搬送機構によって、下流に搬送されると共に、次のプリント基板が上流からアタッチステージ４４に搬送される。
【００３９】
以下、図４（ｂ）と図４（ｃ）の工程手順と図５（ｂ）と図５（ｃ）の工程手順をを交互に繰り返し、プリント基板１２およびプリント基板４２にダイ６を実装する。
【００４０】
なお、例えば、仮付けするヘッドの荷重（Light Place Load）は０．５〜２［Ｎ］（荷重負荷時間（Short Place Time）：０．１〜０．５［ｓ］）であり、本圧着するヘッドの荷重（Heavy Place Load）は１〜７０［Ｎ］（荷重負荷時間（Heavy Place Time）：０．５［ｓ］以上）である。
【００４１】
上記実施例によれば、ピックアップと本圧着とをそれぞれ別のヘッドで行う。即ち、同一のヘッドで同一の作業を実行する。このため、並列処理が可能であり、プロセス時間が影響せず、実装品質が安定し、生産性が低下しない。
また、仮付け用のステージが不要となるため、加熱ステージも１つで良く、装置コスト、装置の小型化、及び製造工数を低減できる。
さらに、ハンドリング回数を低減できるため、ハンドリングによる歩留り低下を防止できる。
例えば、生産機種がＮＡＮＤ等の薄型積層製品である場合に、ピックアップ（剥離）及び熱圧着によるダイボンディングで、それぞれ１［ｓ］程度のプロセス時間が必要である。本発明では、それぞれの工程（ピックアップ及び熱圧着）を並列処理可能とすることができる。
【００４２】
本発明では、２つのコレット５及び５５に異なる役目を負わせている。しかし、上述の図１〜図５の実施例においては、ピックアップ及び仮付けに使用するコレット５と本圧着に使用するコレット５５とは、同一形状、同一寸法のコレットを使用した。また、プリアライメントステージ３、アタッチステージ４、コレット５、及びコレット５５の温度等の設定条件を同一に設定した。
しかし、本発明の別の実施例として、例えば、図６に示すように、仮付け用のコレット５と本圧着用のコレット５５とで、作業条件を異なるようにしても良い。
【００４３】
図６は、本発明のダイボンダの一実施例の設定条件を示す表である。図６は、設定対象について、仮付け用のコレット５と本圧着用のコレット５５の設定条件を異なるように設定している。
図６において、アタッチテーブル１３の加熱温度は、コレット５による仮付け時と本圧着時で同一の設定としている。しかし、コレットの加熱温度、コレットの荷重、コレットの荷重負荷時間を、いずれも仮付け用のコレット５より本圧着用のコレット５５の方が大となるように設定している。
この結果、仮付け時には、本圧着時に必要な温度より低温度でダイボンディングできるため、熱の影響によるボンディング位置の精度の確保が容易となる。また、同じ理由により、プリント基板の熱変形を防止することができる。さらに、コレット側からの加熱は、プリント基板を介さないために、熱効率（熱伝導）が良く、ダイ圧着の品質向上が可能となる。
【００４４】
図６のように、コレット５及び５５に加熱装置７５及び７６を設けることについては、周知の技術であるので、説明を省略する。なお、コレット５及び５５の加熱装置７５及び７６の制御は、図３の制御装置において、さらに図７に示すように加熱装置７５及び７６を、制御装置３０に接続することで可能である。
なお、さらに。ピックアップ及び仮付け用のコレット５と本圧着用のコレット５５を、それらの用途に合わせて異なる形状寸法のコレットとしても良い。この結果、さらに、ダイボンディングの品質向上が可能となる。
【００４５】
上述の実施例では、中間ステージ（プリアライメントテーブル）付きダイボンダ、及びダイレクトボンド方式ダイボンダによって本発明を説明した。しかし、本発明のダイボンダ及びダイボンディング方法は、上記のダイボンダの他、フリップチップボンダ等、熱圧着ダイボンダ、超音波熱併用ダイボンダに広く適用可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１：ダイボンダ本体、 ２：ダイ供給ステージ、 ３：プリアライメントステージ、 ４、４４：アタッチステージ、 ５、５５：コレット、 ６：ダイ、 ７：半導体ウェハ（ウェハ）、 ８：ウェハテーブル、 １０：プリアライメントテーブル、 １１：加熱装置、 １２、４２：プリント基板、 １３：アタッチテーブル、 １４：加熱装置、 １６：ヘッド支持部、 １７：センサ支持部、 １８：ガイド、 ２０、２０’：ヘッド、 ２１：レール、 ２２：スライド部材、 ２３、２３’：昇降駆動部、 ２４：ボールブッシュ、 ２５：接触片、 ２６：圧縮バネ、 ２７、２７’：タッチセンサ、 ２８：接触端、 ３０：制御装置、 ３１：モニタ、 ３２：ＣＰＵ、 ３３：ＲＡＭ、 ３４：ＲＯＭ、 ６１、６２：上面、 １３０：開口部、 ７５、７６：コレット加熱装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを保持するダイ供給ステージと、
前記ウェハからダイをピックアップしアタッチステージ上の被実装対象物に前記ダイを仮付けする第１のコレットを有する第１のヘッドと、
前記アタッチステージに仮付けされた前記ダイを前記被実装対象物に本圧着する第２のコレットを有する第２のヘッドと、
制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記第２のヘッドが前記ダイを前記被実装対象物に本圧着する間に、前記第１のヘッドが前記ダイ供給ステージから次のダイをピックアップさせることを特徴とするダイボンダ。
【請求項２】
請求項１記載のダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが前記被実装対象物に前記ダイを仮付けする前に、前記第２のヘッドが退避させることを特徴とするダイボンダ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが仮付けする荷重を、前記第２のヘッドが本圧着する荷重より小さくすることを特徴とするダイボンダ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが仮付けする荷重負荷時間を、前記第２のヘッドが本圧着する荷重負荷時間より短くすることを特徴とするダイボンダ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のダイボンダにおいて、前記第１のコレットは第１の加熱装置を有し、前記第２のコレットは第２の加熱装置を有し、前記制御装置は、前記第１の加熱装置の設定温度を前記第２の加熱装置の設定温度より低くすることを特徴とするダイボンダ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のダイボンダにおいて、前記アタッチステージは、前記アタッチステージ上の前記被実装対象物を加熱する第３の加熱装置を有し、前記制御装置は、前記第３の加熱装置の設定温度を前記第１のヘッドが前記ダイを仮付けする時の温度と前記第２のヘッドが前記ダイを本圧着する時の温度とを同一に設定することを特徴とするダイボンダ。
【請求項７】
第１のコレットを有する第１のヘッドと、第２のコレットを有する第２のヘッドと、制御装置とを備えたダイボンダのダイボンディング方法において、
前記第１のヘッドがダイ供給ステージからダイをピックアップする第１のステップと、
前記第２のヘッドがアタッチステージ上の被実装対象物のダイ圧着ポイントの上方から退避し、前記第１のヘッドが前記ピックアップした前記ダイを前記ダイ圧着ポイントに仮付けする第２のステップと、
前記仮付けされたダイを前記第２のヘッドが本圧着して前記被実装対象物の前記ダイ圧着ポイントに本圧着する第３のステップと、
前記第３のステップを実行中に、前記第１のヘッドが別のダイを前記ダイ供給ステージからピックアップする第４のステップとを備えたことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項８】
請求項７記載のダイボンディング方法において、前記第１のステップは、上流から前記アタッチステージに前記被実装対象物を搬送するステップを含むことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項９】
請求項８記載のダイボンディング方法において、前記第３のステップは、さらに、前記本圧着した後に、当該本圧着された被実装対象物を下流に搬送し、前記上流から次の被実装対象物を搬送することを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記第２のステップから前記第４のステップを繰り返すことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記第２のステップと前記第３のステップの前記アタッチステージの加熱温度が同一であることを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記第１のコレットの加熱温度が前記第２のコレットの加熱温度より低いことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記第２のステップにおける前記第１のヘッドが前記仮付けする時の荷重が、前記第３のステップにおける前記第２のヘッドが前記本圧着する時の荷重より小さいことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１４】
請求項７乃至請求項１３のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記第２のステップにおける前記第１のヘッドが前記仮付けする時の荷重負荷時間が、前記第３のステップにおける前記第２のヘッドが前記本圧着する時の荷重負荷時間より短いことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１】
ウェハを保持するダイ供給ステージと、
前記ウェハからダイをピックアップしアタッチステージ上の被実装対象物に前記ダイを仮付けする第１のコレットを有する第１のヘッドと、
前記アタッチステージに仮付けされた前記ダイを前記被実装対象物に本圧着する第２のコレットを有する第２のヘッドと、
制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記第２のヘッドが前記ダイを前記被実装対象物に本圧着する間に、前記第１のヘッドが前記ダイ供給ステージから次のダイをピックアップさせることを特徴とするダイボンダ。
【請求項２】
請求項１記載のダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが前記被実装対象物に前記ダイを仮付けする前に、前記第２のヘッドが退避させることを特徴とするダイボンダ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが仮付けする荷重を、前記第２のヘッドが本圧着する荷重より小さくすることを特徴とするダイボンダ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のダイボンダにおいて、前記制御装置は、前記第１のヘッドが仮付けする荷重負荷時間を、前記第２のヘッドが本圧着する荷重負荷時間より短くすることを特徴とするダイボンダ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のダイボンダにおいて、前記第１のコレットは第１の加熱装置を有し、前記第２のコレットは第２の加熱装置を有し、前記制御装置は、前記第１の加熱装置の設定温度を前記第２の加熱装置の設定温度より低くすることを特徴とするダイボンダ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のダイボンダにおいて、前記アタッチステージは、前記アタッチステージ上の前記被実装対象物を加熱する第３の加熱装置を有し、前記制御装置は、前記第３の加熱装置の設定温度を前記第１のヘッドが前記ダイを仮付けする時の温度と前記第２のヘッドが前記ダイを本圧着する時の温度とを同一に設定することを特徴とするダイボンダ。
【請求項７】
第１のコレットを有する第１のヘッドと、第２のコレットを有する第２のヘッドと、制御装置とを備えたダイボンダのダイボンディング方法において、
前記第１のヘッドがダイ供給ステージからダイをピックアップする第１のステップと、
前記第２のヘッドがアタッチステージ上の被実装対象物のダイ圧着ポイントの上方から退避し、前記第１のヘッドが前記ピックアップした前記ダイを前記ダイ圧着ポイントに仮付けする第２のステップと、
前記仮付けされたダイを前記第２のヘッドが本圧着して前記被実装対象物の前記ダイ圧着ポイントに本圧着する第３のステップと、
前記第３のステップを実行中に、前記第１のヘッドが別のダイを前記ダイ供給ステージからピックアップする第４のステップとを備えたことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項８】
請求項７記載のダイボンディング方法において、前記第１のステップは、上流から前記アタッチステージに前記被実装対象物を搬送するステップを含むことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項９】
請求項８記載のダイボンディング方法において、前記第３のステップは、さらに、前記本圧着した後に、当該本圧着された被実装対象物を下流に搬送し、前記上流から次の被実装対象物を搬送することを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記第２のステップから前記第４のステップを繰り返すことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記第２のステップと前記第３のステップの前記アタッチステージの加熱温度が同一であることを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記第１のコレットの加熱温度が前記第２のコレットの加熱温度より低いことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記第２のステップにおける前記第１のヘッドが前記仮付けする時の荷重が、前記第３のステップにおける前記第２のヘッドが前記本圧着する時の荷重より小さいことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項１４】
請求項７乃至請求項１３のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記第２のステップにおける前記第１のヘッドが前記仮付けする時の荷重負荷時間が、前記第３のステップにおける前記第２のヘッドが前記本圧着する時の荷重負荷時間より短いことを特徴とするダイボンディング方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−６５６２９（Ｐ２０１３−６５６２９Ａ）
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０２２７５（Ｐ２０１１−２０２２７５）
【出願日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【出願人】（３０００２２５０４）株式会社日立ハイテクインスツルメンツ (607)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【出願人】（３０００２２５０４）株式会社日立ハイテクインスツルメンツ (607)
【Ｆターム（参考）】
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