プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法
【課題】緑の蛍光体の劣化を抑えることが可能なＰＤＰ用基板構体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板上に隔壁形成材料層を形成し、焼成前の隔壁形成材料層上に耐サンドブラスト性のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記隔壁形成材料層をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、焼成することによって隔壁を形成する工程を備え、前記隔壁形成材料層は、前記レジストパターンに接する上層と、前記上層と前記基板の間の下層とを有し、前記下層及び前記上層は、前記下層のフタル酸エステルの重量濃度が前記上層よりも低くなるように形成されることを特徴とする。
【解決手段】本発明のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板上に隔壁形成材料層を形成し、焼成前の隔壁形成材料層上に耐サンドブラスト性のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記隔壁形成材料層をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、焼成することによって隔壁を形成する工程を備え、前記隔壁形成材料層は、前記レジストパターンに接する上層と、前記上層と前記基板の間の下層とを有し、前記下層及び前記上層は、前記下層のフタル酸エステルの重量濃度が前記上層よりも低くなるように形成されることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来のＰＤＰの構成を示す斜視図である。ＰＤＰは、前面側基板構体１と、背面側基板構体２を貼り合わせた構造をしている。前面側基板構体１は、ガラス基板からなる前面側基板１ａ上に、透明電極３ａとバス電極３ｂからなる表示電極３が配置され、表示電極３は、誘電体層４で覆われている。誘電体層４の上にさらに２次電子放出係数の高い酸化マグネシウム層からなる保護層５が形成されている。背面側基板構体２には、ガラス基板からなる背面側基板２ａ上に、表示電極と直交するようにアドレス電極６を配置し、かつアドレス電極６間には、発光領域を規定するために隔壁７が設けられ、アドレス電極６上の隔壁７で区分けされた領域には、赤、緑、青の蛍光体層８が形成されている。貼り合わせた前面側基板構体１と背面側基板構体２の内部に形成された気密な放電空間には、Ｎｅ−Ｘｅガスからなる放電ガスが封入されている。なお、図示していないが、アドレス電極６は、誘電体層で被覆されており、隔壁７及び蛍光体層８は、この誘電体層上に設けられている。
【０００３】
ここで、図５（ａ）〜（ｆ）を用いて背面側基板構体２の一般的な製造方法について説明する。図５（ａ）〜（ｆ）は、背面側基板構体２の製造工程を示す断面図である。
【０００４】
まず、背面側基板２ａ上にアドレス電極６を形成し、次に、アドレス電極６を覆うように誘電体層９を形成し、図５（ａ）に示す構造を得る。
【０００５】
次に、誘電体層９にガラスペーストを塗布し、塗布したガラスペーストを乾燥させることによって隔壁形成に用いる未焼成の隔壁形成材料層１１を形成し、図５（ｂ）に示す構造を得る。ガラスペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷、ロールコート印刷、ディップコート印刷、ダイコート印刷又はバーコート印刷等の方法によって行うことができる。ガラスペーストは、例えば特許文献１に示すようにＢａＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスのような無機酸化物ガラス粉末、Ａｌ2Ｏ3のような無機結晶質粉末フィラー、エチルセルロースのような熱可塑性樹脂、ブチルカルビトールアセテートのような溶剤を主成分としている。また、ガラスペーストにはフタル酸ジブチルのような可塑剤が添加されることもあり、この場合、可塑剤によって隔壁形成材料層１１に柔軟性が付与され、これによって、隔壁形成材料層１１とその上に形成されるレジストパターン１３との密着性が高められる。
【０００６】
次に、隔壁形成材料層１１上に耐サンドブラスト性のレジストパターン１３を形成し、図５（ｃ）に示す構造を得る。
次に、レジストパターン１３をマスクとして隔壁形成材料層１１をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、図５（ｄ）に示す構造を得る。
次に、レジストパターン１３を除去し、図５（ｅ）に示す構造を得る。
次に、パターニングされた隔壁形成材料層１１を焼成することによって隔壁７を形成し、図５（ｆ）に示す構造を得る。
次に、隔壁７で区分けされた領域に蛍光体層８を形成し、背面側基板構体２の製造を完了する。
【特許文献１】特開２００５−８９２８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＰＤＰは、上記の方法で形成された背面側基板構体２と、前面側基板構体１を貼り合せることによって製造されるが、本発明者が鋭意研究を行ったところ、このような方法で製造したＰＤＰでは、放電を行った際に緑の蛍光体の劣化が速くなる場合があることが見出された。緑の蛍光体の劣化は、ＰＤＰの短寿命化に繋がるため、緑の蛍光体の劣化を抑える技術が望まれる。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、緑の蛍光体の劣化を抑えることが可能なＰＤＰ用基板構体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００９】
本発明のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板上に隔壁形成材料層を形成し、焼成前の隔壁形成材料層上に耐サンドブラスト性のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記隔壁形成材料層をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、焼成することによって隔壁を形成する工程を備え、前記隔壁形成材料層は、前記レジストパターンに接する上層と、前記上層と前記基板の間の下層とを有し、前記下層及び前記上層は、前記下層のフタル酸エステルの重量濃度が前記上層よりも低くなるように形成されることを特徴とする。
【００１０】
本発明者は、鋭意研究の結果、ＰＤＰの放電空間内にフタル酸エステルが存在している場合に、緑の蛍光体の劣化速度が速くなるという現象を見出した（後記検証実験参照。）。次に、ＰＤＰの放電空間内へのフタル酸エステルの侵入経路について検討を行ったところ、放電空間内のフタル酸エステルは、空気中に存在しているフタル酸エステルが前面側基板構体及び背面側基板構体の表面に付着し、その状態で前面側基板構体と背面側基板構体が貼り合わされることによってフタル酸エステルが放電空間内に取り込まれるという考えに到った。そして、このような考えに基づき、ＰＤＰの放電空間内のフタル酸エステルの量を減らすには、空気中に存在しているフタル酸エステルの量を減らせばよいとの考えに到った。なお、ＰＤＰ製造工場内の空気をサンプリングしたところ、サンプルからフタル酸エステルが比較的高い濃度で検出された。このことは、上記考えの正しさを裏付けていると考えられる。
【００１１】
空気中に存在しているフタル酸エステルの量を減らすには、単純には、隔壁形成材料層のフタル酸エステルの重量濃度（以下、「フタル酸エステル濃度」と呼ぶ。）を低くすればよい。これによって、乾燥工程や焼成工程等で空気中に放出されるフタル酸エステルの量が減少するからである。しかし、フタル酸エステルは一般に可塑剤として隔壁形成材料層に含められるものであるから、フタル酸エステル濃度を単純に低くすると、隔壁形成材料層とレジストパターンとの密着性が低下し、レジストパターン形成時やサンドブラスト時にレジストパターンが剥れる等の不都合が生じ得る。そこで、本発明者は、隔壁形成材料層をレジストパターンに接する上層とその下の下層とで構成し、下層のフタル酸エステル濃度を上層よりも低くすることによって、レジストパターンとの接触部分での弾力性を確保しつつフタル酸エステルの放出量を低減することができることを見出し、本発明の完成に到った。
【００１２】
一例では、前記隔壁形成材料層は、前記基板上に第１ガラスペーストを塗布し、塗布した第１ガラスペーストを乾燥させることによって前記下層を形成し、前記下層上に第２ガラスペーストを塗布し、塗布した第２ガラスペーストを乾燥させることによって前記上層を形成することによって形成され、第１ガラスペーストは、フタル酸エステルの重量濃度が第２ガラスペーストより低いことを特徴とする。従来の方法ではガラスペーストの乾燥工程でも多くのフタル酸エステルが空気中に放出されていたが、本実施形態では、隔壁形成材料層の下層を形成するための第１ガラスペーストのフタル酸エステル濃度が比較的小さいので、ガラスペーストの乾燥工程でのフタル酸エステルの放出量も低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す構成は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。以下の実施形態では、３電極面放電型ＰＤＰ用基板構体又は３電極面放電型ＰＤＰの製造方法を例にとって説明を進めるが、本発明は、これ以外の種類のＰＤＰ用基板構体又はＰＤＰの製造方法にも適用可能である。
【００１４】
１．ＰＤＰ用基板構体の製造方法
図１（ａ）〜（ｇ）は、本発明の一実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造工程を示す断面図である。本実施形態では、背面側基板構体に隔壁が設けられる場合を例にとって説明を進めるが、前面側基板構体に隔壁が設けられる場合も本発明の範囲に含まれる。また、本実施形態では、アドレス電極を覆う誘電体層上に隔壁が形成される場合を例にとって説明を進めるが、表示電極を覆う誘電体層上の保護層上に隔壁が形成される場合も本発明の範囲に含まれる。
【００１５】
本実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板（以下の実施形態では、背面側基板２ａ上にアドレス電極６と、アドレス電極６を覆う誘電体層９が形成されたものが、これに相当する。）上に隔壁形成材料層１１を形成し、焼成前の隔壁形成材料層１１上に耐サンドブラスト性のレジストパターン１３を形成し、このレジストパターン１３をマスクとして隔壁形成材料層１１をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、焼成することによって隔壁７を形成する工程を備え、隔壁形成材料層１１は、レジストパターン１３に接する上層１１ｂと、上層１１ｂと前記基板の間の下層１１ａとを有し、下層１１ａ及び上層１１ｂは、下層１１ａ中のフタル酸エステルの重量濃度が上層１１ｂよりも低くなるように形成されることを特徴とする。
【００１６】
以下、本実施形態に関連する種々の工程について説明する。
【００１７】
１−１．アドレス電極及び誘電体層形成工程
まず、背面側基板２ａ上にアドレス電極６を形成し、さらにアドレス電極６を覆うように誘電体層９を形成し、図１（ａ）に示す構造を得る。
【００１８】
基板２ａとしては、ガラス、石英、セラミック等の基板や、これらの基板上に、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板を用いることができる。
【００１９】
基板２ａ上のアドレス電極６は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等から構成される。アドレス電極６は、Ａｇ、Ａｕについては印刷法を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の成膜法とエッチング法を組み合わせることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００２０】
誘電体層９は、例えば、基板２ａ上に主成分として低融点ガラス粉末、樹脂及び溶剤を含有するガラスペーストを塗布し、塗布したガラスペーストを乾燥させ、その後焼成することによって形成することができる。誘電体層９は、主成分として低融点ガラス粉末と樹脂を含有するガラスシート材を基板２ａに貼り合わせ、貼り合せたガラスシート材を焼成することによって形成してもよい。
【００２１】
なお、この時点で焼成を行わずに、後工程で隔壁形成材料層１１と一緒に焼成を行ってもよい。この場合、例えば、未焼成の誘電体層中の樹脂や可塑剤の含有量を多くすることによって、未焼成の誘電体層のサンドブラストレートを小さくしておく。
【００２２】
１−２．隔壁形成材料層形成工程
次に、誘電体層９上に隔壁形成材料層１１の下層１１ａを形成し、図１（ｂ）に示す構造を得る。下層１１ａは、一例では、誘電体層９上に第１ガラスペーストを塗布し、塗布した第１ガラスペーストを乾燥させることによって形成することができる。
【００２３】
次に、下層１１ａ上に隔壁形成材料層１１の上層１１ｂを形成し、図１（ｃ）に示す構造を得る。上層１１ｂは、一例では、下層１１ａ上に第２ガラスペーストを塗布し、塗布した第２ガラスペーストを乾燥させることによって形成することができる。
【００２４】
第１ガラスペーストは、フタル酸エステル濃度が第２ガラスペーストよりも低いので、このような方法によって下層１１ａ及び上層１１ｂを形成すると、下層１１ａ中のフタル酸エステル濃度を上層１１ｂよりも低くすることができる。
【００２５】
第１又は第２ガラスペーストの塗布方法は、特に限定されず、例えば、スクリーン印刷、ロールコート印刷、ディップコート印刷、ダイコート印刷又はバーコート印刷等の方法によって行うことができる。但し、後記のように、フタル酸エステルの放出量を低減するという観点から上層１１ｂは薄く形成する方が好ましいので、第２ガラスペーストは、薄い層の形成に適しているスクリーン印刷又はバーコート印刷によって塗布することが好ましい。
【００２６】
第１ガラスペースト及び第２ガラスペーストは、それぞれ、例えば、主成分として低融点ガラス粉末、フィラー、樹脂、溶剤及びフタル酸エステルを含有する。但し、第１ガラスペーストには、フタル酸エステルを実質的に含有させないことも可能である。
【００２７】
低融点ガラス粉末、フィラー、樹脂及び溶剤の種類は、特に限定されず、例えば、特許文献１に記載されているものを用いることができる。一例では、低融点ガラス粉末は、ＢａＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスのような無機酸化物ガラス粉末からなり、フィラーは、Ａｌ2Ｏ3のような無機結晶質粉末からなり、樹脂は、エチルセルロースやアクリル樹脂のような熱可塑性樹脂からなり、溶剤は、テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート又は酢酸ブチル等からなる。また、第１ガラスペースト又は第２ガラスペーストにはソルビタンセスキオレートのような分散剤が添加されてもよい。
【００２８】
フタル酸エステルは、通常、可塑剤として機能する。フタル酸エステルの種類は、特に限定されない。フタル酸エステルは、好ましくは、フタル酸ジエステルである。フタル酸エステルは、例えば、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ブチルベンジル及びフタル酸ジカプリルのうちの一種、又は二種以上の混合物からなる。第１ガラスペーストのフタル酸エステルと第２ガラスペーストのフタル酸エステルは、同じであっても異なっていてもよい。
【００２９】
第２ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、特に限定されないが、好ましくは３ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下である。第２ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、例えば、３、３．５、４、４．５、５、５．５、６、６．５、７、７．５、８、８．５、９、９．５又は１０ｗｔ％である。第２ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲内であってもよい。
【００３０】
第２ガラスペーストのフタル酸エステル濃度が高くなると第２ガラスペーストの乾燥膜の強度が弱くなるが、フタル酸エステル濃度が１０ｗｔ％以下の場合、サンドブラストによるパターニングに耐える程度の強度が確保できる。また、第２ガラスペーストのフタル酸エステル濃度が３ｗｔ％以上の場合、隔壁形成材料層１１の上層１１ｂと、上層１１ｂの上に形成されるレジストパターン１３との密着性を十分に確保でき、かつ第１ガラスペーストと第２ガラスペーストとの間のフタル酸エステル濃度の差を大きくしてフタル酸エステルの放出量を大きく低減させやすいので、本発明を適用するメリットが大きい。
【００３１】
第１ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、第２ガラスペーストよりも低く、好ましくは０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である。第１ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、例えば、０、０．５、１、１．５、２、２．５、３、３．５、４、４．５又は５ｗｔ％である。第１ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲内であってもよい。
【００３２】
フタル酸エステルの放出量低減という観点からはフタル酸エステル濃度は、実質的に０ｗｔ％にすることが好ましいが、この場合、下層１１ａが脆くなりすぎることがある。下層１１ａの脆性を改善するためには、少量のフタル酸エステルを第１ガラスペーストに含有させることが好ましい。但し、フタル酸エステルの放出量を十分に低減するという観点からは、フタル酸エステル濃度は、５ｗｔ％にすることが好ましい。
【００３３】
第１及び第２ガラスペーストを塗布後、これらを乾燥させるが、乾燥工程でフタル酸エステルの一部がガラスペーストから空気中に放出される。本実施形態では、第１ガラスペーストのフタル酸エステル濃度が第２ガラスペーストよりも低いので、乾燥工程でのフタル酸エステルの放出量を低減することができる。
【００３４】
ここまでは、ガラスペーストを塗布し、塗布したガラスペーストを乾燥させることによって隔壁形成材料層の下層１１ａ及び上層１１ｂを形成する方法を例にとって説明を進めたが、下層１１ａ及び上層１１ｂのうちの何れか一方又は両方は、上記のガラスペーストの成分から溶剤を除いた成分からなるガラスシート材を基板に貼り付けることによって形成してもよい。ガラスシート材を用いて下層１１ａ又は上層１１ｂを形成する場合、乾燥工程は必要でなく、乾燥工程でのフタル酸エステルの放出量低減という効果は得られないが、後記の焼成工程でのフタル酸エステルの放出量低減の効果が得られる。また、ガラスペースト中のフタル酸エステルについて述べた内容は、下層１１ａ又は上層１１ｂ中のフタル酸エステルについても基本的に当てはまる。
【００３５】
下層１１ａ及び上層１１ｂの厚さは、特に限定されないが、フタル酸エステルの放出量を低減するという観点から上層１１ｂは、できるだけ薄い方が好ましい。但し、薄くしすぎると均一に形成することが難しくなるので、この観点からは上層１１ｂはある程度の厚さで形成することが好ましい。このような観点から、上層１１ｂの厚さは、隔壁形成材料層１１の厚さの５％以上５０％以下にすることが好ましい。上層１１ｂの厚さは、例えば、隔壁形成材料層１１の厚さの５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５又は５０％であり、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲内であってもよい。
【００３６】
「下層１１ａの厚さ」、「上層１１ｂの厚さ」、「隔壁形成材料層１１の厚さ」は、溶媒を実質的に含まない状態（ガラスペーストの乾燥工程後の状態又はガラスシート材の状態）での厚さをいう。但し、第１及び第２ガラスペーストの塗布厚の比と、ガラスペーストの乾燥工程後の下層１１ａ及び上層１１ｂの厚さの比は、同程度になると考えられるため、下層１１ａと上層１１ｂの厚さの比や、上層１１ｂと隔壁形成材料層１１の厚さの比に関係する上記事項は、第１及び第２ガラスペーストの塗布厚の比や、第２ガラスペーストの塗布厚と第１及び第２ガラスペーストの塗布厚の合計の比についても当てはまる。
【００３７】
ここでは、隔壁形成材料層１１が２層構成である場合を例にとって説明を進めたが、隔壁形成材料層１１は、３層以上で構成してもよい。この場合、レジストパターン１３と接する層が「上層」であり、それ以外の全ての層が「下層」である。従って、「下層」は、複数層からなる場合があるが、この場合、「下層のフタル酸エステル濃度」は、複数層のうち、フタル酸エステル濃度が最も低い層のフタル酸エステル濃度を指す。複数層の下層を形成するための複数種類のガラスペーストについても同様である。
【００３８】
１−３．レジストパターン形成工程
次に、上層１１ｂ上に耐サンドブラスト性のレジストパターン１３を形成し、図１（ｄ）に示す構造を得る。
【００３９】
レジストパターン１３は、例えば、上層１１ｂ上にフォトレジストを塗布するか、ドライフィルムレジストを貼り付け、これをフォトマスクを介して露光し、現像することによって形成することができる。
本実施形態では、上層１１ｂは、可塑剤として機能するフタル酸エステルの濃度が比較的高いので、上層１１ｂとレジストパターン１３との間の密着性を高くしやすい。
【００４０】
１−４．サンドブラスト工程
次に、レジストパターン１３をマスクとして隔壁形成材料層１１をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、図１（ｅ）に示す構造を得る。
【００４１】
サンドブラストの方法は、特に限定されず、一般的な方法によって行うことができる。本実施形態では、隔壁形成材料層１１の下層１１ａのフタル酸エステル濃度が比較的低くなっているので、下層１１ａがサンドブラストによって削られやすい。従って、サンドブラストを比較的短時間で行うことができる。
【００４２】
パターニングによって形成される隔壁形状は、限定されず、例えば、ストライプ形、ミアンダ形、格子形又はラダー形にすることができる。
【００４３】
パターニング後にレジストパターン１３を除去し、図１（ｆ）に示す構造を得る。但し、この工程を省略し、次の焼成工程でレジストパターン１３を燃焼又は気化させて除去してもよい。
【００４４】
１−５．焼成工程
次に、パターニングされた隔壁形成材料層１１を焼成することによって隔壁７を形成し、図１（ｇ）に示す構造を得る。
【００４５】
焼成の方法は、特に限定されず、一般的な方法によって行うことができる。焼成の温度は、例えば、５５０〜５９０℃である。焼成工程では、隔壁形成材料層１１に含まれているフタル酸エステルが燃焼又は気化されるが、本実施形態では、隔壁形成材料層１１の下層１１ａのフタル酸エステル濃度が比較的低くなっているので、空気中に放出されるフタル酸エステルの量を低減することができる。
【００４６】
１−６．蛍光体層形成工程
次に、隣接する隔壁７間の溝内に、蛍光体層（図示せず）を形成し、本実施形態に係るＰＤＰ用基板構体の製造を完了する。蛍光体層は、例えば、蛍光体粉末とバインダとを含む蛍光体ペーストを隣接する隔壁７間の溝内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎に繰り返した後、焼成することにより形成することができる。
【００４７】
２．ＰＤＰの製造方法
上記実施形態の方法で製造した背面側基板構体と、別途作製した、表示電極、誘電体層及び保護層等が設けられた前面側基板構体とを貼り合わされて内部に気密な放電空間を有するパネルを形成する。前面側基板構体と背面側基板構体は、表示電極とアドレス電極が直交するように貼り合わされる。
【００４８】
前面側基板構体と背面側基板構体の表面には、貼り合わせの前に、空気中に存在しているフタル酸エステルが付着しており、その状態で前面側基板構体と背面側基板構体が貼り合わされることによって放電空間内にフタル酸エステルが取り込まれる。本実施形態によれば、空気中のフタル酸エステル濃度を低減することができるので、前面側基板構体と背面側基板構体の表面に付着するフタル酸エステルの量を低減することができ、従って、放電空間内に取り込まれるフタル酸エステル量を低減することができる。フタル酸エステルは、後の検証実験で示すように、緑の蛍光体の劣化を促進するので、放電空間内に取り込まれるフタル酸エステル量を低減することによって、緑の蛍光体の劣化を抑制することができる。
【００４９】
次に、パネルの放電空間内を排気し、その後、ネオンやキセノンなどからなる放電ガスを放電空間内に導入することによって、ＰＤＰを製造する。このＰＤＰは、前面側基板構体と背面側基板構体の間に表示電極とアドレス電極との交点で定まる複数の放電セルを有する。なお、前面側基板構体と背面側基板構体の表面に付着したフタル酸エステルの少なくとも一部は、放電空間内の排気によっては完全には除去されない。
【００５０】
以上の実施形態中に含まれる種々の特徴は、単独で又は組み合わせて、本発明に採用することができる。
【００５１】
３．検証実験
以下の方法によって、フタル酸エステルが緑の蛍光体の劣化を促進することの検証実験を行った。
【００５２】
まず、表示電極、誘電体層及び保護層（ＭｇＯ層）を有する前面側基板構体の保護層上に、フタル酸ジブチル（ＤＢＰ）、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）、ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）、酢酸ブチルからなる試料をそれぞれ滴下し、１５０℃で３０分間乾燥させた。乾燥工程では、滴下された試料は、気化し、気化された試料が保護層と接触し、保護層に付着すると考えられる。従って、乾燥後の保護層上には、気化されずに保護層上に残渣として残った試料と、気化後に保護層と接触して保護層に付着した試料とが存在していると考えられる。
【００５３】
次に、アドレス電極、誘電体層、隔壁及び蛍光体層を有する背面側基板構体を準備し、この背面側基板構体と、上記乾燥工程後の前面側基板構体とを貼り合わせ、その後、排気及び放電ガス導入を行ってＰＤＰを作製した。蛍光体層の蛍光体は、赤（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ、緑Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕとした。
【００５４】
作製したＰＤＰを１８０Ｖ、４５ｋＨｚで点灯し、１時間後、１０時間後、４０時間後、１００時間後及び２００時間後の色度を測定した。色度は、負荷率１０％の白色表示をトプコン社製輝度計ＢＭ７にて測定した。この測定によって得られたＣＩＥ表色系での色度座標を図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ｄ）〜（ｆ）に示す。また、図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ｄ）〜（ｆ）には、点灯電圧を１４０、１５０、１６０、１７０、１９０、２００、２１０Ｖに変えて同様の実験を行った結果も併せて示した。全ての点灯電圧での結果が同じ色度座標変化を示しており、色度座標変化が点灯電圧には依存しないことが分かる。
【００５５】
図２（ａ）は、試料の滴下がない場合の結果であり、点灯時間が長くなるに従って色度座標が右上に向かっている。この結果は、青の発光が弱くなったことを示しているが、一般に、青の蛍光体が最も劣化しやすいので、予想された結果である。
【００５６】
図２（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、フタル酸エステルであるＤＢＰ及びＤＯＰを滴下した場合の結果であり、点灯時間が長くなるに従って色度座標が右下に向かっている。この結果は、青の発光と緑の発光の両方が弱くなったことを示している。青の発光は、何も滴下しない場合（図２（ａ）の場合）でも劣化しやすいので、図２（ｂ）及び（ｃ）の結果は、フタル酸エステルであるＤＢＰ及びＤＯＰによって緑の蛍光体の劣化が促進されたことを示している。
【００５７】
図３（ｄ）は、ＭＭＡを滴下した場合の結果であり、点灯時間が４０時間までは点灯時間が長くなるに従って色度座標がほぼ右上に向かっており、図２（ａ）とほぼ同様の傾向を示している。また、点灯時間が４０時間を超えてからは、色度座標がゆるやかに右下に向かっている。この結果は、ＭＭＡは、緑の蛍光体の劣化をいくらか促進するが、劣化の速度は、図２（ｂ）や図２（ｃ）の場合よりもはるかに緩やかであり、ＭＭＡが緑の蛍光体の劣化を促進する度合いは、フタル酸エステルの場合よりはるかに小さいことを示している。
【００５８】
図３（ｅ）〜（ｆ）は、それぞれ、ＢＣＡ及び酢酸ブチルを滴下した場合の結果であり、点灯時間が長くなるに従って色度座標がほぼ右上に向かっており、図２（ａ）とほぼ同様の傾向を示している。これらの結果は、ＢＣＡ及び酢酸ブチルによっては、緑の蛍光体の劣化がほとんど促進されないことを示している。
【００５９】
以上より、フタル酸エステルによって緑の蛍光体の劣化が大きく促進されることが検証された。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の一実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、試料滴下なし、ＤＢＰを滴下した場合、ＤＯＰを滴下した場合の、ＰＤＰの白色表示の、長時間点灯による色度座標変化を示すグラフである。
【図３】（ｄ）〜（ｆ）は、それぞれ、ＭＭＡ、ＢＣＡ及び酢酸ブチルを滴下した場合の、ＰＤＰの白色表示の、長時間点灯による色度座標変化を示すグラフである。
【図４】従来のＰＤＰの構成を示す斜視図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、従来のＰＤＰの背面側基板構体の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１：前面側基板構体 １ａ：前面側基板 ２：背面側基板構体 ２ａ：背面側基板 ３：表示電極 ３ａ：透明電極 ３ｂ：バス電極 ４：誘電体層 ５：保護層 ６：アドレス電極 ７：隔壁 ８：蛍光体層 ９：誘電体層 １１：隔壁形成材料層 １１ａ：隔壁形成材料層の下層 １１ｂ：隔壁形成材料層の上層 １３：レジストパターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来のＰＤＰの構成を示す斜視図である。ＰＤＰは、前面側基板構体１と、背面側基板構体２を貼り合わせた構造をしている。前面側基板構体１は、ガラス基板からなる前面側基板１ａ上に、透明電極３ａとバス電極３ｂからなる表示電極３が配置され、表示電極３は、誘電体層４で覆われている。誘電体層４の上にさらに２次電子放出係数の高い酸化マグネシウム層からなる保護層５が形成されている。背面側基板構体２には、ガラス基板からなる背面側基板２ａ上に、表示電極と直交するようにアドレス電極６を配置し、かつアドレス電極６間には、発光領域を規定するために隔壁７が設けられ、アドレス電極６上の隔壁７で区分けされた領域には、赤、緑、青の蛍光体層８が形成されている。貼り合わせた前面側基板構体１と背面側基板構体２の内部に形成された気密な放電空間には、Ｎｅ−Ｘｅガスからなる放電ガスが封入されている。なお、図示していないが、アドレス電極６は、誘電体層で被覆されており、隔壁７及び蛍光体層８は、この誘電体層上に設けられている。
【０００３】
ここで、図５（ａ）〜（ｆ）を用いて背面側基板構体２の一般的な製造方法について説明する。図５（ａ）〜（ｆ）は、背面側基板構体２の製造工程を示す断面図である。
【０００４】
まず、背面側基板２ａ上にアドレス電極６を形成し、次に、アドレス電極６を覆うように誘電体層９を形成し、図５（ａ）に示す構造を得る。
【０００５】
次に、誘電体層９にガラスペーストを塗布し、塗布したガラスペーストを乾燥させることによって隔壁形成に用いる未焼成の隔壁形成材料層１１を形成し、図５（ｂ）に示す構造を得る。ガラスペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷、ロールコート印刷、ディップコート印刷、ダイコート印刷又はバーコート印刷等の方法によって行うことができる。ガラスペーストは、例えば特許文献１に示すようにＢａＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスのような無機酸化物ガラス粉末、Ａｌ2Ｏ3のような無機結晶質粉末フィラー、エチルセルロースのような熱可塑性樹脂、ブチルカルビトールアセテートのような溶剤を主成分としている。また、ガラスペーストにはフタル酸ジブチルのような可塑剤が添加されることもあり、この場合、可塑剤によって隔壁形成材料層１１に柔軟性が付与され、これによって、隔壁形成材料層１１とその上に形成されるレジストパターン１３との密着性が高められる。
【０００６】
次に、隔壁形成材料層１１上に耐サンドブラスト性のレジストパターン１３を形成し、図５（ｃ）に示す構造を得る。
次に、レジストパターン１３をマスクとして隔壁形成材料層１１をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、図５（ｄ）に示す構造を得る。
次に、レジストパターン１３を除去し、図５（ｅ）に示す構造を得る。
次に、パターニングされた隔壁形成材料層１１を焼成することによって隔壁７を形成し、図５（ｆ）に示す構造を得る。
次に、隔壁７で区分けされた領域に蛍光体層８を形成し、背面側基板構体２の製造を完了する。
【特許文献１】特開２００５−８９２８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＰＤＰは、上記の方法で形成された背面側基板構体２と、前面側基板構体１を貼り合せることによって製造されるが、本発明者が鋭意研究を行ったところ、このような方法で製造したＰＤＰでは、放電を行った際に緑の蛍光体の劣化が速くなる場合があることが見出された。緑の蛍光体の劣化は、ＰＤＰの短寿命化に繋がるため、緑の蛍光体の劣化を抑える技術が望まれる。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、緑の蛍光体の劣化を抑えることが可能なＰＤＰ用基板構体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００９】
本発明のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板上に隔壁形成材料層を形成し、焼成前の隔壁形成材料層上に耐サンドブラスト性のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記隔壁形成材料層をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、焼成することによって隔壁を形成する工程を備え、前記隔壁形成材料層は、前記レジストパターンに接する上層と、前記上層と前記基板の間の下層とを有し、前記下層及び前記上層は、前記下層のフタル酸エステルの重量濃度が前記上層よりも低くなるように形成されることを特徴とする。
【００１０】
本発明者は、鋭意研究の結果、ＰＤＰの放電空間内にフタル酸エステルが存在している場合に、緑の蛍光体の劣化速度が速くなるという現象を見出した（後記検証実験参照。）。次に、ＰＤＰの放電空間内へのフタル酸エステルの侵入経路について検討を行ったところ、放電空間内のフタル酸エステルは、空気中に存在しているフタル酸エステルが前面側基板構体及び背面側基板構体の表面に付着し、その状態で前面側基板構体と背面側基板構体が貼り合わされることによってフタル酸エステルが放電空間内に取り込まれるという考えに到った。そして、このような考えに基づき、ＰＤＰの放電空間内のフタル酸エステルの量を減らすには、空気中に存在しているフタル酸エステルの量を減らせばよいとの考えに到った。なお、ＰＤＰ製造工場内の空気をサンプリングしたところ、サンプルからフタル酸エステルが比較的高い濃度で検出された。このことは、上記考えの正しさを裏付けていると考えられる。
【００１１】
空気中に存在しているフタル酸エステルの量を減らすには、単純には、隔壁形成材料層のフタル酸エステルの重量濃度（以下、「フタル酸エステル濃度」と呼ぶ。）を低くすればよい。これによって、乾燥工程や焼成工程等で空気中に放出されるフタル酸エステルの量が減少するからである。しかし、フタル酸エステルは一般に可塑剤として隔壁形成材料層に含められるものであるから、フタル酸エステル濃度を単純に低くすると、隔壁形成材料層とレジストパターンとの密着性が低下し、レジストパターン形成時やサンドブラスト時にレジストパターンが剥れる等の不都合が生じ得る。そこで、本発明者は、隔壁形成材料層をレジストパターンに接する上層とその下の下層とで構成し、下層のフタル酸エステル濃度を上層よりも低くすることによって、レジストパターンとの接触部分での弾力性を確保しつつフタル酸エステルの放出量を低減することができることを見出し、本発明の完成に到った。
【００１２】
一例では、前記隔壁形成材料層は、前記基板上に第１ガラスペーストを塗布し、塗布した第１ガラスペーストを乾燥させることによって前記下層を形成し、前記下層上に第２ガラスペーストを塗布し、塗布した第２ガラスペーストを乾燥させることによって前記上層を形成することによって形成され、第１ガラスペーストは、フタル酸エステルの重量濃度が第２ガラスペーストより低いことを特徴とする。従来の方法ではガラスペーストの乾燥工程でも多くのフタル酸エステルが空気中に放出されていたが、本実施形態では、隔壁形成材料層の下層を形成するための第１ガラスペーストのフタル酸エステル濃度が比較的小さいので、ガラスペーストの乾燥工程でのフタル酸エステルの放出量も低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す構成は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。以下の実施形態では、３電極面放電型ＰＤＰ用基板構体又は３電極面放電型ＰＤＰの製造方法を例にとって説明を進めるが、本発明は、これ以外の種類のＰＤＰ用基板構体又はＰＤＰの製造方法にも適用可能である。
【００１４】
１．ＰＤＰ用基板構体の製造方法
図１（ａ）〜（ｇ）は、本発明の一実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造工程を示す断面図である。本実施形態では、背面側基板構体に隔壁が設けられる場合を例にとって説明を進めるが、前面側基板構体に隔壁が設けられる場合も本発明の範囲に含まれる。また、本実施形態では、アドレス電極を覆う誘電体層上に隔壁が形成される場合を例にとって説明を進めるが、表示電極を覆う誘電体層上の保護層上に隔壁が形成される場合も本発明の範囲に含まれる。
【００１５】
本実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板（以下の実施形態では、背面側基板２ａ上にアドレス電極６と、アドレス電極６を覆う誘電体層９が形成されたものが、これに相当する。）上に隔壁形成材料層１１を形成し、焼成前の隔壁形成材料層１１上に耐サンドブラスト性のレジストパターン１３を形成し、このレジストパターン１３をマスクとして隔壁形成材料層１１をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、焼成することによって隔壁７を形成する工程を備え、隔壁形成材料層１１は、レジストパターン１３に接する上層１１ｂと、上層１１ｂと前記基板の間の下層１１ａとを有し、下層１１ａ及び上層１１ｂは、下層１１ａ中のフタル酸エステルの重量濃度が上層１１ｂよりも低くなるように形成されることを特徴とする。
【００１６】
以下、本実施形態に関連する種々の工程について説明する。
【００１７】
１−１．アドレス電極及び誘電体層形成工程
まず、背面側基板２ａ上にアドレス電極６を形成し、さらにアドレス電極６を覆うように誘電体層９を形成し、図１（ａ）に示す構造を得る。
【００１８】
基板２ａとしては、ガラス、石英、セラミック等の基板や、これらの基板上に、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板を用いることができる。
【００１９】
基板２ａ上のアドレス電極６は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等から構成される。アドレス電極６は、Ａｇ、Ａｕについては印刷法を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の成膜法とエッチング法を組み合わせることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００２０】
誘電体層９は、例えば、基板２ａ上に主成分として低融点ガラス粉末、樹脂及び溶剤を含有するガラスペーストを塗布し、塗布したガラスペーストを乾燥させ、その後焼成することによって形成することができる。誘電体層９は、主成分として低融点ガラス粉末と樹脂を含有するガラスシート材を基板２ａに貼り合わせ、貼り合せたガラスシート材を焼成することによって形成してもよい。
【００２１】
なお、この時点で焼成を行わずに、後工程で隔壁形成材料層１１と一緒に焼成を行ってもよい。この場合、例えば、未焼成の誘電体層中の樹脂や可塑剤の含有量を多くすることによって、未焼成の誘電体層のサンドブラストレートを小さくしておく。
【００２２】
１−２．隔壁形成材料層形成工程
次に、誘電体層９上に隔壁形成材料層１１の下層１１ａを形成し、図１（ｂ）に示す構造を得る。下層１１ａは、一例では、誘電体層９上に第１ガラスペーストを塗布し、塗布した第１ガラスペーストを乾燥させることによって形成することができる。
【００２３】
次に、下層１１ａ上に隔壁形成材料層１１の上層１１ｂを形成し、図１（ｃ）に示す構造を得る。上層１１ｂは、一例では、下層１１ａ上に第２ガラスペーストを塗布し、塗布した第２ガラスペーストを乾燥させることによって形成することができる。
【００２４】
第１ガラスペーストは、フタル酸エステル濃度が第２ガラスペーストよりも低いので、このような方法によって下層１１ａ及び上層１１ｂを形成すると、下層１１ａ中のフタル酸エステル濃度を上層１１ｂよりも低くすることができる。
【００２５】
第１又は第２ガラスペーストの塗布方法は、特に限定されず、例えば、スクリーン印刷、ロールコート印刷、ディップコート印刷、ダイコート印刷又はバーコート印刷等の方法によって行うことができる。但し、後記のように、フタル酸エステルの放出量を低減するという観点から上層１１ｂは薄く形成する方が好ましいので、第２ガラスペーストは、薄い層の形成に適しているスクリーン印刷又はバーコート印刷によって塗布することが好ましい。
【００２６】
第１ガラスペースト及び第２ガラスペーストは、それぞれ、例えば、主成分として低融点ガラス粉末、フィラー、樹脂、溶剤及びフタル酸エステルを含有する。但し、第１ガラスペーストには、フタル酸エステルを実質的に含有させないことも可能である。
【００２７】
低融点ガラス粉末、フィラー、樹脂及び溶剤の種類は、特に限定されず、例えば、特許文献１に記載されているものを用いることができる。一例では、低融点ガラス粉末は、ＢａＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラスのような無機酸化物ガラス粉末からなり、フィラーは、Ａｌ2Ｏ3のような無機結晶質粉末からなり、樹脂は、エチルセルロースやアクリル樹脂のような熱可塑性樹脂からなり、溶剤は、テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート又は酢酸ブチル等からなる。また、第１ガラスペースト又は第２ガラスペーストにはソルビタンセスキオレートのような分散剤が添加されてもよい。
【００２８】
フタル酸エステルは、通常、可塑剤として機能する。フタル酸エステルの種類は、特に限定されない。フタル酸エステルは、好ましくは、フタル酸ジエステルである。フタル酸エステルは、例えば、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ブチルベンジル及びフタル酸ジカプリルのうちの一種、又は二種以上の混合物からなる。第１ガラスペーストのフタル酸エステルと第２ガラスペーストのフタル酸エステルは、同じであっても異なっていてもよい。
【００２９】
第２ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、特に限定されないが、好ましくは３ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下である。第２ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、例えば、３、３．５、４、４．５、５、５．５、６、６．５、７、７．５、８、８．５、９、９．５又は１０ｗｔ％である。第２ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲内であってもよい。
【００３０】
第２ガラスペーストのフタル酸エステル濃度が高くなると第２ガラスペーストの乾燥膜の強度が弱くなるが、フタル酸エステル濃度が１０ｗｔ％以下の場合、サンドブラストによるパターニングに耐える程度の強度が確保できる。また、第２ガラスペーストのフタル酸エステル濃度が３ｗｔ％以上の場合、隔壁形成材料層１１の上層１１ｂと、上層１１ｂの上に形成されるレジストパターン１３との密着性を十分に確保でき、かつ第１ガラスペーストと第２ガラスペーストとの間のフタル酸エステル濃度の差を大きくしてフタル酸エステルの放出量を大きく低減させやすいので、本発明を適用するメリットが大きい。
【００３１】
第１ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、第２ガラスペーストよりも低く、好ましくは０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である。第１ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、例えば、０、０．５、１、１．５、２、２．５、３、３．５、４、４．５又は５ｗｔ％である。第１ガラスペーストのフタル酸エステル濃度は、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲内であってもよい。
【００３２】
フタル酸エステルの放出量低減という観点からはフタル酸エステル濃度は、実質的に０ｗｔ％にすることが好ましいが、この場合、下層１１ａが脆くなりすぎることがある。下層１１ａの脆性を改善するためには、少量のフタル酸エステルを第１ガラスペーストに含有させることが好ましい。但し、フタル酸エステルの放出量を十分に低減するという観点からは、フタル酸エステル濃度は、５ｗｔ％にすることが好ましい。
【００３３】
第１及び第２ガラスペーストを塗布後、これらを乾燥させるが、乾燥工程でフタル酸エステルの一部がガラスペーストから空気中に放出される。本実施形態では、第１ガラスペーストのフタル酸エステル濃度が第２ガラスペーストよりも低いので、乾燥工程でのフタル酸エステルの放出量を低減することができる。
【００３４】
ここまでは、ガラスペーストを塗布し、塗布したガラスペーストを乾燥させることによって隔壁形成材料層の下層１１ａ及び上層１１ｂを形成する方法を例にとって説明を進めたが、下層１１ａ及び上層１１ｂのうちの何れか一方又は両方は、上記のガラスペーストの成分から溶剤を除いた成分からなるガラスシート材を基板に貼り付けることによって形成してもよい。ガラスシート材を用いて下層１１ａ又は上層１１ｂを形成する場合、乾燥工程は必要でなく、乾燥工程でのフタル酸エステルの放出量低減という効果は得られないが、後記の焼成工程でのフタル酸エステルの放出量低減の効果が得られる。また、ガラスペースト中のフタル酸エステルについて述べた内容は、下層１１ａ又は上層１１ｂ中のフタル酸エステルについても基本的に当てはまる。
【００３５】
下層１１ａ及び上層１１ｂの厚さは、特に限定されないが、フタル酸エステルの放出量を低減するという観点から上層１１ｂは、できるだけ薄い方が好ましい。但し、薄くしすぎると均一に形成することが難しくなるので、この観点からは上層１１ｂはある程度の厚さで形成することが好ましい。このような観点から、上層１１ｂの厚さは、隔壁形成材料層１１の厚さの５％以上５０％以下にすることが好ましい。上層１１ｂの厚さは、例えば、隔壁形成材料層１１の厚さの５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５又は５０％であり、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲内であってもよい。
【００３６】
「下層１１ａの厚さ」、「上層１１ｂの厚さ」、「隔壁形成材料層１１の厚さ」は、溶媒を実質的に含まない状態（ガラスペーストの乾燥工程後の状態又はガラスシート材の状態）での厚さをいう。但し、第１及び第２ガラスペーストの塗布厚の比と、ガラスペーストの乾燥工程後の下層１１ａ及び上層１１ｂの厚さの比は、同程度になると考えられるため、下層１１ａと上層１１ｂの厚さの比や、上層１１ｂと隔壁形成材料層１１の厚さの比に関係する上記事項は、第１及び第２ガラスペーストの塗布厚の比や、第２ガラスペーストの塗布厚と第１及び第２ガラスペーストの塗布厚の合計の比についても当てはまる。
【００３７】
ここでは、隔壁形成材料層１１が２層構成である場合を例にとって説明を進めたが、隔壁形成材料層１１は、３層以上で構成してもよい。この場合、レジストパターン１３と接する層が「上層」であり、それ以外の全ての層が「下層」である。従って、「下層」は、複数層からなる場合があるが、この場合、「下層のフタル酸エステル濃度」は、複数層のうち、フタル酸エステル濃度が最も低い層のフタル酸エステル濃度を指す。複数層の下層を形成するための複数種類のガラスペーストについても同様である。
【００３８】
１−３．レジストパターン形成工程
次に、上層１１ｂ上に耐サンドブラスト性のレジストパターン１３を形成し、図１（ｄ）に示す構造を得る。
【００３９】
レジストパターン１３は、例えば、上層１１ｂ上にフォトレジストを塗布するか、ドライフィルムレジストを貼り付け、これをフォトマスクを介して露光し、現像することによって形成することができる。
本実施形態では、上層１１ｂは、可塑剤として機能するフタル酸エステルの濃度が比較的高いので、上層１１ｂとレジストパターン１３との間の密着性を高くしやすい。
【００４０】
１−４．サンドブラスト工程
次に、レジストパターン１３をマスクとして隔壁形成材料層１１をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、図１（ｅ）に示す構造を得る。
【００４１】
サンドブラストの方法は、特に限定されず、一般的な方法によって行うことができる。本実施形態では、隔壁形成材料層１１の下層１１ａのフタル酸エステル濃度が比較的低くなっているので、下層１１ａがサンドブラストによって削られやすい。従って、サンドブラストを比較的短時間で行うことができる。
【００４２】
パターニングによって形成される隔壁形状は、限定されず、例えば、ストライプ形、ミアンダ形、格子形又はラダー形にすることができる。
【００４３】
パターニング後にレジストパターン１３を除去し、図１（ｆ）に示す構造を得る。但し、この工程を省略し、次の焼成工程でレジストパターン１３を燃焼又は気化させて除去してもよい。
【００４４】
１−５．焼成工程
次に、パターニングされた隔壁形成材料層１１を焼成することによって隔壁７を形成し、図１（ｇ）に示す構造を得る。
【００４５】
焼成の方法は、特に限定されず、一般的な方法によって行うことができる。焼成の温度は、例えば、５５０〜５９０℃である。焼成工程では、隔壁形成材料層１１に含まれているフタル酸エステルが燃焼又は気化されるが、本実施形態では、隔壁形成材料層１１の下層１１ａのフタル酸エステル濃度が比較的低くなっているので、空気中に放出されるフタル酸エステルの量を低減することができる。
【００４６】
１−６．蛍光体層形成工程
次に、隣接する隔壁７間の溝内に、蛍光体層（図示せず）を形成し、本実施形態に係るＰＤＰ用基板構体の製造を完了する。蛍光体層は、例えば、蛍光体粉末とバインダとを含む蛍光体ペーストを隣接する隔壁７間の溝内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎に繰り返した後、焼成することにより形成することができる。
【００４７】
２．ＰＤＰの製造方法
上記実施形態の方法で製造した背面側基板構体と、別途作製した、表示電極、誘電体層及び保護層等が設けられた前面側基板構体とを貼り合わされて内部に気密な放電空間を有するパネルを形成する。前面側基板構体と背面側基板構体は、表示電極とアドレス電極が直交するように貼り合わされる。
【００４８】
前面側基板構体と背面側基板構体の表面には、貼り合わせの前に、空気中に存在しているフタル酸エステルが付着しており、その状態で前面側基板構体と背面側基板構体が貼り合わされることによって放電空間内にフタル酸エステルが取り込まれる。本実施形態によれば、空気中のフタル酸エステル濃度を低減することができるので、前面側基板構体と背面側基板構体の表面に付着するフタル酸エステルの量を低減することができ、従って、放電空間内に取り込まれるフタル酸エステル量を低減することができる。フタル酸エステルは、後の検証実験で示すように、緑の蛍光体の劣化を促進するので、放電空間内に取り込まれるフタル酸エステル量を低減することによって、緑の蛍光体の劣化を抑制することができる。
【００４９】
次に、パネルの放電空間内を排気し、その後、ネオンやキセノンなどからなる放電ガスを放電空間内に導入することによって、ＰＤＰを製造する。このＰＤＰは、前面側基板構体と背面側基板構体の間に表示電極とアドレス電極との交点で定まる複数の放電セルを有する。なお、前面側基板構体と背面側基板構体の表面に付着したフタル酸エステルの少なくとも一部は、放電空間内の排気によっては完全には除去されない。
【００５０】
以上の実施形態中に含まれる種々の特徴は、単独で又は組み合わせて、本発明に採用することができる。
【００５１】
３．検証実験
以下の方法によって、フタル酸エステルが緑の蛍光体の劣化を促進することの検証実験を行った。
【００５２】
まず、表示電極、誘電体層及び保護層（ＭｇＯ層）を有する前面側基板構体の保護層上に、フタル酸ジブチル（ＤＢＰ）、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）、ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）、酢酸ブチルからなる試料をそれぞれ滴下し、１５０℃で３０分間乾燥させた。乾燥工程では、滴下された試料は、気化し、気化された試料が保護層と接触し、保護層に付着すると考えられる。従って、乾燥後の保護層上には、気化されずに保護層上に残渣として残った試料と、気化後に保護層と接触して保護層に付着した試料とが存在していると考えられる。
【００５３】
次に、アドレス電極、誘電体層、隔壁及び蛍光体層を有する背面側基板構体を準備し、この背面側基板構体と、上記乾燥工程後の前面側基板構体とを貼り合わせ、その後、排気及び放電ガス導入を行ってＰＤＰを作製した。蛍光体層の蛍光体は、赤（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ、緑Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕとした。
【００５４】
作製したＰＤＰを１８０Ｖ、４５ｋＨｚで点灯し、１時間後、１０時間後、４０時間後、１００時間後及び２００時間後の色度を測定した。色度は、負荷率１０％の白色表示をトプコン社製輝度計ＢＭ７にて測定した。この測定によって得られたＣＩＥ表色系での色度座標を図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ｄ）〜（ｆ）に示す。また、図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ｄ）〜（ｆ）には、点灯電圧を１４０、１５０、１６０、１７０、１９０、２００、２１０Ｖに変えて同様の実験を行った結果も併せて示した。全ての点灯電圧での結果が同じ色度座標変化を示しており、色度座標変化が点灯電圧には依存しないことが分かる。
【００５５】
図２（ａ）は、試料の滴下がない場合の結果であり、点灯時間が長くなるに従って色度座標が右上に向かっている。この結果は、青の発光が弱くなったことを示しているが、一般に、青の蛍光体が最も劣化しやすいので、予想された結果である。
【００５６】
図２（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、フタル酸エステルであるＤＢＰ及びＤＯＰを滴下した場合の結果であり、点灯時間が長くなるに従って色度座標が右下に向かっている。この結果は、青の発光と緑の発光の両方が弱くなったことを示している。青の発光は、何も滴下しない場合（図２（ａ）の場合）でも劣化しやすいので、図２（ｂ）及び（ｃ）の結果は、フタル酸エステルであるＤＢＰ及びＤＯＰによって緑の蛍光体の劣化が促進されたことを示している。
【００５７】
図３（ｄ）は、ＭＭＡを滴下した場合の結果であり、点灯時間が４０時間までは点灯時間が長くなるに従って色度座標がほぼ右上に向かっており、図２（ａ）とほぼ同様の傾向を示している。また、点灯時間が４０時間を超えてからは、色度座標がゆるやかに右下に向かっている。この結果は、ＭＭＡは、緑の蛍光体の劣化をいくらか促進するが、劣化の速度は、図２（ｂ）や図２（ｃ）の場合よりもはるかに緩やかであり、ＭＭＡが緑の蛍光体の劣化を促進する度合いは、フタル酸エステルの場合よりはるかに小さいことを示している。
【００５８】
図３（ｅ）〜（ｆ）は、それぞれ、ＢＣＡ及び酢酸ブチルを滴下した場合の結果であり、点灯時間が長くなるに従って色度座標がほぼ右上に向かっており、図２（ａ）とほぼ同様の傾向を示している。これらの結果は、ＢＣＡ及び酢酸ブチルによっては、緑の蛍光体の劣化がほとんど促進されないことを示している。
【００５９】
以上より、フタル酸エステルによって緑の蛍光体の劣化が大きく促進されることが検証された。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の一実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、試料滴下なし、ＤＢＰを滴下した場合、ＤＯＰを滴下した場合の、ＰＤＰの白色表示の、長時間点灯による色度座標変化を示すグラフである。
【図３】（ｄ）〜（ｆ）は、それぞれ、ＭＭＡ、ＢＣＡ及び酢酸ブチルを滴下した場合の、ＰＤＰの白色表示の、長時間点灯による色度座標変化を示すグラフである。
【図４】従来のＰＤＰの構成を示す斜視図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、従来のＰＤＰの背面側基板構体の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１：前面側基板構体 １ａ：前面側基板 ２：背面側基板構体 ２ａ：背面側基板 ３：表示電極 ３ａ：透明電極 ３ｂ：バス電極 ４：誘電体層 ５：保護層 ６：アドレス電極 ７：隔壁 ８：蛍光体層 ９：誘電体層 １１：隔壁形成材料層 １１ａ：隔壁形成材料層の下層 １１ｂ：隔壁形成材料層の上層 １３：レジストパターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に隔壁形成材料層を形成し、焼成前の隔壁形成材料層上に耐サンドブラスト性のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記隔壁形成材料層をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、焼成することによって隔壁を形成する工程を備え、
前記隔壁形成材料層は、前記レジストパターンに接する上層と、前記上層と前記基板の間の下層とを有し、前記下層及び前記上層は、前記下層のフタル酸エステルの重量濃度が前記上層よりも低くなるように形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項２】
前記隔壁形成材料層は、前記基板上に第１ガラスペーストを塗布し、塗布した第１ガラスペーストを乾燥させることによって前記下層を形成し、前記下層上に第２ガラスペーストを塗布し、塗布した第２ガラスペーストを乾燥させることによって前記上層を形成することによって形成され、
第１ガラスペーストは、フタル酸エステルの重量濃度が第２ガラスペーストより低いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項３】
前記上層は、その厚さが、前記隔壁形成材料層の厚さの５％以上５０％以下である請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項４】
第２ガラスペーストは、フタル酸エステルの重量濃度が３ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であり、第１ガラスペーストは、フタル酸エステルの重量濃度が０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項５】
前記フタル酸エステルは、フタル酸ジオクチル又はフタル酸ジブチルからなる請求項１から４の何れか１つに記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項１】
基板上に隔壁形成材料層を形成し、焼成前の隔壁形成材料層上に耐サンドブラスト性のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記隔壁形成材料層をサンドブラストにより隔壁形状にパターニングし、焼成することによって隔壁を形成する工程を備え、
前記隔壁形成材料層は、前記レジストパターンに接する上層と、前記上層と前記基板の間の下層とを有し、前記下層及び前記上層は、前記下層のフタル酸エステルの重量濃度が前記上層よりも低くなるように形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項２】
前記隔壁形成材料層は、前記基板上に第１ガラスペーストを塗布し、塗布した第１ガラスペーストを乾燥させることによって前記下層を形成し、前記下層上に第２ガラスペーストを塗布し、塗布した第２ガラスペーストを乾燥させることによって前記上層を形成することによって形成され、
第１ガラスペーストは、フタル酸エステルの重量濃度が第２ガラスペーストより低いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項３】
前記上層は、その厚さが、前記隔壁形成材料層の厚さの５％以上５０％以下である請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項４】
第２ガラスペーストは、フタル酸エステルの重量濃度が３ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であり、第１ガラスペーストは、フタル酸エステルの重量濃度が０ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項５】
前記フタル酸エステルは、フタル酸ジオクチル又はフタル酸ジブチルからなる請求項１から４の何れか１つに記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−１５３１１６（Ｐ２００８−１５３１１６Ａ）
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３４１２５７（Ｐ２００６−３４１２５７）
【出願日】平成１８年１２月１９日（２００６．１２．１９）
【出願人】（５９９１３２７０８）日立プラズマディスプレイ株式会社 (328)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月１９日（２００６．１２．１９）
【出願人】（５９９１３２７０８）日立プラズマディスプレイ株式会社 (328)
【Ｆターム（参考）】
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