リードフレーム及びインターポーザ
【課題】 半導体パッケージで発生する電磁ノイズを当該パッケージ内部で減衰させることができるリードフレーム及びインターポーザを提供すること。
【解決手段】 ＬＳＩチップ１０と外部の電気回路とを接続するものであり、複数のリード６を備えている。この複数のリード６の１本であるリード６ａの一端はＬＳＩチップ１０と導線７ａにより接続され他端がプリント基板に接続され、リード６ａは一端において隣接するリード６ｂに導線７ｂにより接続され、リード６ｂの他端はリード６ｂに隣接するリード６ｃの一端に導線７ｃにより接続され、リード６ｃの他端はオープンとなっている。これにより、リード６ａに接続されたリード６ｂ、６ｃがオープンのスタブ線路として機能する。
【解決手段】 ＬＳＩチップ１０と外部の電気回路とを接続するものであり、複数のリード６を備えている。この複数のリード６の１本であるリード６ａの一端はＬＳＩチップ１０と導線７ａにより接続され他端がプリント基板に接続され、リード６ａは一端において隣接するリード６ｂに導線７ｂにより接続され、リード６ｂの他端はリード６ｂに隣接するリード６ｃの一端に導線７ｃにより接続され、リード６ｃの他端はオープンとなっている。これにより、リード６ａに接続されたリード６ｂ、６ｃがオープンのスタブ線路として機能する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体パッケージ等において半導体ベアチップと外部の電気回路とを接続するために用いられるリードフレーム及びインターポーザに関し、特に特定周波数の伝導ノイズを除去する機能を有するリードフレーム及びインターポーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器の電磁ノイズ対策は、当該機器が外部に放射する電磁ノイズを減らす対策や外部からの電磁ノイズに対する耐性を高める対策、すなわち外部の電子機器との電磁干渉問題を対象としていた。しかしながら、電子機器の高周波化、小型化、多機能化の進展に伴い、機器の内部の電子部品間あるいは電子回路間の電磁干渉対策が必要不可欠となっている。例えば、主要なノイズ発生源である半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）を内蔵した半導体パッケージから発生するノイズに対する対策が必要となる。このような問題の対策部品として、磁性金属粉末がポリマー中に分散された構造をもつノイズ抑制シート、インピーダンス素子、あるいは特許文献１に記載の、信号の高次高調波成分を減衰させるためのオープンスタブを備えた積層誘電体フィルターのような電磁ノイズ対策部品が公知となっている。
【０００３】
上記のような従来のノイズ対策部品は、主として、ノイズ発生源である半導体パッケージが搭載されるプリント配線板に実装して使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１７８３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、部品実装と配線の高密度化等により、機器内部の電磁環境は複雑化し、ノイズ抑制シート、インピーダンス素子や特許文献１の積層誘電体フィルターような既存のノイズ対策部品をプリント基板上に実装するだけでは対策しきれない問題も発生してきている。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、半導体パッケージで発生する電磁ノイズを当該パッケージ内部で減衰させることができるリードフレーム及びインターポーザを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明のリードフレームまたはインターポーザは、半導体ベアチップと外部の電気回路とを接続するリードフレームまたはインターポーザにおいて、複数のリードを備え、該複数のリードの少なくとも１本が隣接するリードまたはその他の少なくとも１本のリードと電気的に接続され、該電気的に接続されたリードがオープンまたはショートのスタブ線路として機能することを特徴とする。
【０００８】
また、前記オープンまたはショートのスタブ線路として機能するリードの少なくとも１本に軟磁性を有する膜が付着していてもよい。
【０００９】
オープンスタブは特定の周波数帯を減衰させるＢＥＦ（Ｂａｎｄ Ｅｌｉｍｉｎａｔｉｏｎ Ｆｉｌｔｅｒ）として、またショートスタブは、特定の周波数帯のみを透過させるＢＰＦ（Ｂａｎｄ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）として機能することが一般的に知られている。オープンスタブは、スタブの長さＬが、Ｌ＜λ／４（ここでλは波長）の範囲ではキャパシタとして、λ／４＜Ｌ＜λ／２の範囲ではインダクタとして機能することが知られている。オープンスタブの長さは減衰させるべき中心周波数（ｆｏ）においてλ／４に設定されている。この場合、ｆｏにおいてオープンスタブの先端では電圧振幅が最大になり、スタブの付け根では電圧振幅は０になり、ｆｏにおいてスタブの付け根があたかもＧＮＤのように振る舞う為、ＢＥＦとして働く。ショートスタブは、スタブの長さＬが、Ｌ＜λ／４の範囲ではインダクタとして、λ／４＜Ｌ＜λ／２の範囲ではキャパシタとして機能することが知られている。ショートスタブの長さは透過させるべき中心周波数（ｆｏ）においてλ／４に設定されている。本発明においては、スタブとして機能するリードは、先端をオープンにすればＢＥＦとして機能し、先端をショートにすればＢＰＦとして機能する。よって、用途に応じて両者の機能を使い分けることができる。さらに、スタブとして機能するリードの先端を実装基板のランドや配線パターンに接続し、そこに接続される配線パターンの長さや終端方法を任意に調整することによりフィルターとしての周波数特性を調整することもできる。
【００１０】
上記のようなオープンスタブまたはショートスタブを用いた従来のＢＥＦまたはＢＰＦは、プリント配線板上に設けるものが一般的であるが、本発明は半導体パッケージ自体に設けるものであり、省スペースでのノイズ対策を可能とするものである。
【００１１】
また、本発明において、オープンまたはショートのスタブ線路として機能するリードの少なくとも１本に軟磁性を有する膜を付着させることにより、スタブの長さを変えずにｆｏを変えることができる。これは、軟磁性膜がそのスタブが有するインダクタンスまたはキャパシタンスを変化させるため、または軟磁性膜を付着したスタブ線路の伝搬特性が変化し波長λが変化するためである。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明によれば、半導体パッケージで発生する電磁ノイズを当該パッケージ内部で減衰させることができるリードフレーム及びインターポーザが得られる。これにより、半導体パッケージ自体でのノイズ対策が可能となり、さらに、リードフレームあるいはインターポーザを構成するリードのうち、信号伝送や電力供給等に使用しないリードを用いることができるので、新たな配線の追加や部品の追加を少なくすることができ、省スペースでのノイズ対策が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明によるリードフレームまたはインターポーザの一実施の形態を示す図であり、半導体パッケージ内部の一部を示す平面図。
【図２】本発明の効果を評価するためのリードフレームまたはインターポーザのリード部分の模擬的な第一の実験素子を示す斜視図。
【図３】本発明の効果を評価するためのリードフレームまたはインターポーザのリード部分の模擬的な第二の実験素子を示す斜視図。
【図４】リード部分の模擬的な実験素子の透過パラメータＳ２１の測定結果を示す図であり、図４（ａ）は測定結果ｇ及び測定結果ｈを示す図、図４（ｂ）は測定結果ｉ及び測定結果ｊを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明によるリードフレームまたはインターポーザの実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明によるリードフレームまたはインターポーザの一実施の形態を示す図であり、半導体パッケージ内部の一部を示す平面図である。図１において、本実施の形態のリードフレーム及びインターポーザ５は半導体ベアチップであるＬＳＩチップ１０と外部のプリント基板上に設置された電気回路とを接続するものであり、複数のリード６を備えている。この複数のリード６の１本であるリード６ａの一端はＬＳＩチップ１０と導線７ａにより接続され他端がプリント基板に接続される。ここで、本実施の形態においては、リード６ａのＬＳＩチップ１０と接続された一端において隣接するリード６ｂに導線７ｂにより接続され、リード６ｂの他端はリード６ｂに隣接するリード６ｃの一端に導線７ｃにより接続され、リード６ｃの他端はオープンとなっている。これにより、リード６ａに接続されたリード６ｂ、６ｃがオープンのスタブ線路として機能することとなる。
【００１６】
すなわち、図１のリードフレームまたはインターポーザ５では、リード６ａのＬＳＩチップ１０との接続点において、導線７ｂ、リード６ｂ、導線７ｃ、リード６ｃからなる経路８を有するオープンスタブが接続されていることにより、そのオープンスタブの長さが波長の１／４に相当する周波数のノイズが減衰し、このノイズはプリント基板には伝わらない。
【００１７】
本実施の形態では、ＬＳＩチップで発生するノイズの周波数に合わせてスタブとして使用するリードの数およびその長さを選択することができる。また、スタブとして使用するリードの先端を接地することによりショートスタブとして機能させることもできる。
【００１８】
また、ここではスタブを構成するために隣接するリードとはワイヤーボンディング等により電気的に接続するものとしたが、あらかじめ隣接のリードと接続したリードを備える構造であってもよく、また、外部のプリント基板などの実装基板側のランドを介して他のリードに接続することも可能である。
【００１９】
上記の実施の形態においては、軟磁性を有する膜を付着させていないが、オープンまたはショートのスタブ線路として機能するリードの少なくとも１本に軟磁性膜を付着させることにより、スタブの長さを変えずに減衰させるべき周波数を変えることができる。軟磁性膜としてはフェライト膜、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金膜、軟磁性粉末を含んだ複合材料膜など様々な膜を用いることができ、付着方法としては、塗布、めっき、蒸着、スパッタなど様々な方法を用いることができる。
【００２０】
次に、本発明の効果を確認するために、リードフレームまたはインターポーザのリード部分の模擬的な素子を作製し、測定評価を行った結果を説明する。図２はリードフレームまたはインターポーザのリード部分の模擬的な第一の実験素子を示す斜視図である。
【００２１】
リードフレームまたはインターポーザの模擬的なリードとして、図２に示すように、断面が一辺の長さｄが０．２ｍｍの正方形で、長さｅが２．８ｍｍの銅合金製の７本のリード線１を０．５ｍｍの間隔ｆで互いに平行に配置し、１本を半導体ベアチップと外部の電気回路を接続するためのシグナル用のＳリード線、１本をグランド用のＧリード線、他の５本をＳリード線に接続されるスタブ用のリード線とした。すなわち、図２のように、ワイヤーボンディングにより、Ｓリード線に隣接する５本のリード線を接続用ワイヤー２により順次電気的に接続し、５本のリード線とワイヤーの長さが合わせて１６ｍｍになるように設置した。これにより、長さ１６ｍｍのオープンスタブ線路がＳリード線に接続されることとなる。測定では、Ｓリード線とＧリード線にマイクロプローブのシグナル線とグラウンド線をそれぞれ接続し、同軸ケーブルを介してネットワークアナライザーのポート１およびポート２に接続し、Ｓリードの透過減衰量を表す透過パラメータＳ２１を測定した。
【００２２】
図３はリードフレームまたはインターポーザのリード部分の模擬的な第二の実験素子を示す斜視図である。
【００２３】
リードフレームまたはインターポーザの模擬的なリードとして、図３に示すように、図２と同様な材質および形状の９本のリード線１を０．５ｍｍの間隔ｆで互いに平行に配置し、１本をシグナル用のＳリード線、１本をグランド用のＧリード線、他の７本をＳリード線に接続されるスタブ用のリード線とした。すなわち、図３のようにＳリード線に接続用ワイヤー２を用いて隣接する７本のリード線を順次電気的に接続し、７本のリード線とワイヤーの長さが合わせて２３ｍｍになるように配置した。これにより、長さ２３ｍｍのオープンスタブ線路がＳリード線に接続されることとなる。Ｓリード線とＧリード線にマイクロプローブのシグナル線とグラウンド線をそれぞれ接続し、同軸ケーブルを介してネットワークアナライザーのポート１およびポート２に接続し、透過パラメータＳ２１を測定した。
【００２４】
図２、図３と同様に、リードフレームまたはインターポーザの模擬的な第三の実験素子として、上記と同様な１８本のリード線を０．５ｍｍの間隔ｆで互いに平行に配置し、１本をシグナル用のＳリード線、１本をグランド用のＧリード線、他の１６本をＳリード線に接続されるスタブ用のリード線とした。すなわち、Ｓリード線にワイヤーを用いて隣接する１６本のリード線を順次電気的に接続し、１６本のリード線とワイヤーの長さが合わせて５２ｍｍになるように配置した。これにより、長さ５２ｍｍのオープンスタブ線路がＳリード線に接続されることとなる。Ｓリード線とＧリード線にマイクロプローブのシグナル線とグラウンド線をそれぞれ接続し、同軸ケーブルを介してネットワークアナライザーのポート１およびポート２に接続し、透過パラメータＳ２１を測定した。
【００２５】
図４に各実験素子、およびＳリード線とＧリード線のみでスタブのリード線を用いない場合の透過パラメータＳ２１の測定結果を示す。図４（ａ）及び図４（ｂ）に記載の、測定結果ｇは、スタブのリード線を用いない場合の透過パラメータＳ２１の測定結果を示し、測定結果ｈは、Ｓリード線に接続したスタブ線路の長さが１６ｍｍの場合の透過パラメータＳ２１の測定結果を示し、測定結果ｉは、Ｓリード線に接続したスタブ線路の長さが２３ｍｍの場合の透過パラメータＳ２１の測定結果を示し、測定結果ｊは、Ｓリード線に接続したスタブ線路の長さが５２ｍｍの場合の透過パラメータＳ２１の測定結果を示しており、Ｓリード線に接続したスタブ線路の長さが１６ｍｍ、２３ｍｍ、５２ｍｍの場合に、ほぼλ／４に対応するそれぞれの周波数４．７ＧＨｚ、３．２ＧＨｚ、１．２ＧＨｚの近傍で透過減衰量が大きくなっている。これにより、スタブとして用いたリードの長さに対応する周波数のノイズをリードフレームまたはインターポーザの部分で減衰させることができることがわかる。なお、５２ｍｍの場合に４．４ＧＨｚ近傍で透過減衰量が大きくなっているのは、３λ／４に対応する周波数での減衰が現れているためと考えられる。
【００２６】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではないことはいうまでもなく、目的とする半導体ベアチップ、半導体パッケージ、プリント基板等の外部回路などの形態に応じて設計変更可能である。インターポーザでもリードフレームでも同様の効果が得られ、スタブとして使用するリードの数、リードの形状、それらの配置など目的に合わせて選択可能である。また、半導体パッケージの内部のみでスタブとしての機能をもたせる場合だけでなく、スタブとして機能するリードの先端を実装基板のランドや配線パターンに接続してそこをスタブの一部とし、その配線パターンの長さや終端方法を任意に調整することも可能である。
【符号の説明】
【００２７】
１ リード線
２ 接続用ワイヤー
５ リードフレームまたはインターポーザ
６、６ａ、６ｂ、６ｃ リード
７ａ、７ｂ、７ｃ 導線
８ 経路
１０ ＬＳＩチップ
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体パッケージ等において半導体ベアチップと外部の電気回路とを接続するために用いられるリードフレーム及びインターポーザに関し、特に特定周波数の伝導ノイズを除去する機能を有するリードフレーム及びインターポーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器の電磁ノイズ対策は、当該機器が外部に放射する電磁ノイズを減らす対策や外部からの電磁ノイズに対する耐性を高める対策、すなわち外部の電子機器との電磁干渉問題を対象としていた。しかしながら、電子機器の高周波化、小型化、多機能化の進展に伴い、機器の内部の電子部品間あるいは電子回路間の電磁干渉対策が必要不可欠となっている。例えば、主要なノイズ発生源である半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）を内蔵した半導体パッケージから発生するノイズに対する対策が必要となる。このような問題の対策部品として、磁性金属粉末がポリマー中に分散された構造をもつノイズ抑制シート、インピーダンス素子、あるいは特許文献１に記載の、信号の高次高調波成分を減衰させるためのオープンスタブを備えた積層誘電体フィルターのような電磁ノイズ対策部品が公知となっている。
【０００３】
上記のような従来のノイズ対策部品は、主として、ノイズ発生源である半導体パッケージが搭載されるプリント配線板に実装して使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１７８３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、部品実装と配線の高密度化等により、機器内部の電磁環境は複雑化し、ノイズ抑制シート、インピーダンス素子や特許文献１の積層誘電体フィルターような既存のノイズ対策部品をプリント基板上に実装するだけでは対策しきれない問題も発生してきている。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、半導体パッケージで発生する電磁ノイズを当該パッケージ内部で減衰させることができるリードフレーム及びインターポーザを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明のリードフレームまたはインターポーザは、半導体ベアチップと外部の電気回路とを接続するリードフレームまたはインターポーザにおいて、複数のリードを備え、該複数のリードの少なくとも１本が隣接するリードまたはその他の少なくとも１本のリードと電気的に接続され、該電気的に接続されたリードがオープンまたはショートのスタブ線路として機能することを特徴とする。
【０００８】
また、前記オープンまたはショートのスタブ線路として機能するリードの少なくとも１本に軟磁性を有する膜が付着していてもよい。
【０００９】
オープンスタブは特定の周波数帯を減衰させるＢＥＦ（Ｂａｎｄ Ｅｌｉｍｉｎａｔｉｏｎ Ｆｉｌｔｅｒ）として、またショートスタブは、特定の周波数帯のみを透過させるＢＰＦ（Ｂａｎｄ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）として機能することが一般的に知られている。オープンスタブは、スタブの長さＬが、Ｌ＜λ／４（ここでλは波長）の範囲ではキャパシタとして、λ／４＜Ｌ＜λ／２の範囲ではインダクタとして機能することが知られている。オープンスタブの長さは減衰させるべき中心周波数（ｆｏ）においてλ／４に設定されている。この場合、ｆｏにおいてオープンスタブの先端では電圧振幅が最大になり、スタブの付け根では電圧振幅は０になり、ｆｏにおいてスタブの付け根があたかもＧＮＤのように振る舞う為、ＢＥＦとして働く。ショートスタブは、スタブの長さＬが、Ｌ＜λ／４の範囲ではインダクタとして、λ／４＜Ｌ＜λ／２の範囲ではキャパシタとして機能することが知られている。ショートスタブの長さは透過させるべき中心周波数（ｆｏ）においてλ／４に設定されている。本発明においては、スタブとして機能するリードは、先端をオープンにすればＢＥＦとして機能し、先端をショートにすればＢＰＦとして機能する。よって、用途に応じて両者の機能を使い分けることができる。さらに、スタブとして機能するリードの先端を実装基板のランドや配線パターンに接続し、そこに接続される配線パターンの長さや終端方法を任意に調整することによりフィルターとしての周波数特性を調整することもできる。
【００１０】
上記のようなオープンスタブまたはショートスタブを用いた従来のＢＥＦまたはＢＰＦは、プリント配線板上に設けるものが一般的であるが、本発明は半導体パッケージ自体に設けるものであり、省スペースでのノイズ対策を可能とするものである。
【００１１】
また、本発明において、オープンまたはショートのスタブ線路として機能するリードの少なくとも１本に軟磁性を有する膜を付着させることにより、スタブの長さを変えずにｆｏを変えることができる。これは、軟磁性膜がそのスタブが有するインダクタンスまたはキャパシタンスを変化させるため、または軟磁性膜を付着したスタブ線路の伝搬特性が変化し波長λが変化するためである。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明によれば、半導体パッケージで発生する電磁ノイズを当該パッケージ内部で減衰させることができるリードフレーム及びインターポーザが得られる。これにより、半導体パッケージ自体でのノイズ対策が可能となり、さらに、リードフレームあるいはインターポーザを構成するリードのうち、信号伝送や電力供給等に使用しないリードを用いることができるので、新たな配線の追加や部品の追加を少なくすることができ、省スペースでのノイズ対策が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明によるリードフレームまたはインターポーザの一実施の形態を示す図であり、半導体パッケージ内部の一部を示す平面図。
【図２】本発明の効果を評価するためのリードフレームまたはインターポーザのリード部分の模擬的な第一の実験素子を示す斜視図。
【図３】本発明の効果を評価するためのリードフレームまたはインターポーザのリード部分の模擬的な第二の実験素子を示す斜視図。
【図４】リード部分の模擬的な実験素子の透過パラメータＳ２１の測定結果を示す図であり、図４（ａ）は測定結果ｇ及び測定結果ｈを示す図、図４（ｂ）は測定結果ｉ及び測定結果ｊを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明によるリードフレームまたはインターポーザの実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明によるリードフレームまたはインターポーザの一実施の形態を示す図であり、半導体パッケージ内部の一部を示す平面図である。図１において、本実施の形態のリードフレーム及びインターポーザ５は半導体ベアチップであるＬＳＩチップ１０と外部のプリント基板上に設置された電気回路とを接続するものであり、複数のリード６を備えている。この複数のリード６の１本であるリード６ａの一端はＬＳＩチップ１０と導線７ａにより接続され他端がプリント基板に接続される。ここで、本実施の形態においては、リード６ａのＬＳＩチップ１０と接続された一端において隣接するリード６ｂに導線７ｂにより接続され、リード６ｂの他端はリード６ｂに隣接するリード６ｃの一端に導線７ｃにより接続され、リード６ｃの他端はオープンとなっている。これにより、リード６ａに接続されたリード６ｂ、６ｃがオープンのスタブ線路として機能することとなる。
【００１６】
すなわち、図１のリードフレームまたはインターポーザ５では、リード６ａのＬＳＩチップ１０との接続点において、導線７ｂ、リード６ｂ、導線７ｃ、リード６ｃからなる経路８を有するオープンスタブが接続されていることにより、そのオープンスタブの長さが波長の１／４に相当する周波数のノイズが減衰し、このノイズはプリント基板には伝わらない。
【００１７】
本実施の形態では、ＬＳＩチップで発生するノイズの周波数に合わせてスタブとして使用するリードの数およびその長さを選択することができる。また、スタブとして使用するリードの先端を接地することによりショートスタブとして機能させることもできる。
【００１８】
また、ここではスタブを構成するために隣接するリードとはワイヤーボンディング等により電気的に接続するものとしたが、あらかじめ隣接のリードと接続したリードを備える構造であってもよく、また、外部のプリント基板などの実装基板側のランドを介して他のリードに接続することも可能である。
【００１９】
上記の実施の形態においては、軟磁性を有する膜を付着させていないが、オープンまたはショートのスタブ線路として機能するリードの少なくとも１本に軟磁性膜を付着させることにより、スタブの長さを変えずに減衰させるべき周波数を変えることができる。軟磁性膜としてはフェライト膜、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金膜、軟磁性粉末を含んだ複合材料膜など様々な膜を用いることができ、付着方法としては、塗布、めっき、蒸着、スパッタなど様々な方法を用いることができる。
【００２０】
次に、本発明の効果を確認するために、リードフレームまたはインターポーザのリード部分の模擬的な素子を作製し、測定評価を行った結果を説明する。図２はリードフレームまたはインターポーザのリード部分の模擬的な第一の実験素子を示す斜視図である。
【００２１】
リードフレームまたはインターポーザの模擬的なリードとして、図２に示すように、断面が一辺の長さｄが０．２ｍｍの正方形で、長さｅが２．８ｍｍの銅合金製の７本のリード線１を０．５ｍｍの間隔ｆで互いに平行に配置し、１本を半導体ベアチップと外部の電気回路を接続するためのシグナル用のＳリード線、１本をグランド用のＧリード線、他の５本をＳリード線に接続されるスタブ用のリード線とした。すなわち、図２のように、ワイヤーボンディングにより、Ｓリード線に隣接する５本のリード線を接続用ワイヤー２により順次電気的に接続し、５本のリード線とワイヤーの長さが合わせて１６ｍｍになるように設置した。これにより、長さ１６ｍｍのオープンスタブ線路がＳリード線に接続されることとなる。測定では、Ｓリード線とＧリード線にマイクロプローブのシグナル線とグラウンド線をそれぞれ接続し、同軸ケーブルを介してネットワークアナライザーのポート１およびポート２に接続し、Ｓリードの透過減衰量を表す透過パラメータＳ２１を測定した。
【００２２】
図３はリードフレームまたはインターポーザのリード部分の模擬的な第二の実験素子を示す斜視図である。
【００２３】
リードフレームまたはインターポーザの模擬的なリードとして、図３に示すように、図２と同様な材質および形状の９本のリード線１を０．５ｍｍの間隔ｆで互いに平行に配置し、１本をシグナル用のＳリード線、１本をグランド用のＧリード線、他の７本をＳリード線に接続されるスタブ用のリード線とした。すなわち、図３のようにＳリード線に接続用ワイヤー２を用いて隣接する７本のリード線を順次電気的に接続し、７本のリード線とワイヤーの長さが合わせて２３ｍｍになるように配置した。これにより、長さ２３ｍｍのオープンスタブ線路がＳリード線に接続されることとなる。Ｓリード線とＧリード線にマイクロプローブのシグナル線とグラウンド線をそれぞれ接続し、同軸ケーブルを介してネットワークアナライザーのポート１およびポート２に接続し、透過パラメータＳ２１を測定した。
【００２４】
図２、図３と同様に、リードフレームまたはインターポーザの模擬的な第三の実験素子として、上記と同様な１８本のリード線を０．５ｍｍの間隔ｆで互いに平行に配置し、１本をシグナル用のＳリード線、１本をグランド用のＧリード線、他の１６本をＳリード線に接続されるスタブ用のリード線とした。すなわち、Ｓリード線にワイヤーを用いて隣接する１６本のリード線を順次電気的に接続し、１６本のリード線とワイヤーの長さが合わせて５２ｍｍになるように配置した。これにより、長さ５２ｍｍのオープンスタブ線路がＳリード線に接続されることとなる。Ｓリード線とＧリード線にマイクロプローブのシグナル線とグラウンド線をそれぞれ接続し、同軸ケーブルを介してネットワークアナライザーのポート１およびポート２に接続し、透過パラメータＳ２１を測定した。
【００２５】
図４に各実験素子、およびＳリード線とＧリード線のみでスタブのリード線を用いない場合の透過パラメータＳ２１の測定結果を示す。図４（ａ）及び図４（ｂ）に記載の、測定結果ｇは、スタブのリード線を用いない場合の透過パラメータＳ２１の測定結果を示し、測定結果ｈは、Ｓリード線に接続したスタブ線路の長さが１６ｍｍの場合の透過パラメータＳ２１の測定結果を示し、測定結果ｉは、Ｓリード線に接続したスタブ線路の長さが２３ｍｍの場合の透過パラメータＳ２１の測定結果を示し、測定結果ｊは、Ｓリード線に接続したスタブ線路の長さが５２ｍｍの場合の透過パラメータＳ２１の測定結果を示しており、Ｓリード線に接続したスタブ線路の長さが１６ｍｍ、２３ｍｍ、５２ｍｍの場合に、ほぼλ／４に対応するそれぞれの周波数４．７ＧＨｚ、３．２ＧＨｚ、１．２ＧＨｚの近傍で透過減衰量が大きくなっている。これにより、スタブとして用いたリードの長さに対応する周波数のノイズをリードフレームまたはインターポーザの部分で減衰させることができることがわかる。なお、５２ｍｍの場合に４．４ＧＨｚ近傍で透過減衰量が大きくなっているのは、３λ／４に対応する周波数での減衰が現れているためと考えられる。
【００２６】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではないことはいうまでもなく、目的とする半導体ベアチップ、半導体パッケージ、プリント基板等の外部回路などの形態に応じて設計変更可能である。インターポーザでもリードフレームでも同様の効果が得られ、スタブとして使用するリードの数、リードの形状、それらの配置など目的に合わせて選択可能である。また、半導体パッケージの内部のみでスタブとしての機能をもたせる場合だけでなく、スタブとして機能するリードの先端を実装基板のランドや配線パターンに接続してそこをスタブの一部とし、その配線パターンの長さや終端方法を任意に調整することも可能である。
【符号の説明】
【００２７】
１ リード線
２ 接続用ワイヤー
５ リードフレームまたはインターポーザ
６、６ａ、６ｂ、６ｃ リード
７ａ、７ｂ、７ｃ 導線
８ 経路
１０ ＬＳＩチップ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ベアチップと外部の電気回路とを接続するリードフレームにおいて、複数のリードを備え、該複数のリードの少なくとも１本が隣接するリードまたはその他の少なくとも１本のリードと電気的に接続され、該電気的に接続されたリードがオープンまたはショートのスタブ線路として機能することを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記オープンまたはショートのスタブ線路として機能するリードの少なくとも１本に軟磁性を有する膜が付着していることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
半導体ベアチップと外部の電気回路とを接続するインターポーザにおいて、複数のリードを備え、該複数のリードの少なくとも１本が隣接するリードまたはその他の少なくとも１本のリードと電気的に接続され、該電気的に接続されたリードがオープンまたはショートのスタブ線路として機能することを特徴とするインターポーザ。
【請求項４】
前記オープンまたはショートのスタブ線路として機能するリードの少なくとも１本に軟磁性を有する膜が付着していることを特徴とする請求項３に記載のインターポーザ。
【請求項１】
半導体ベアチップと外部の電気回路とを接続するリードフレームにおいて、複数のリードを備え、該複数のリードの少なくとも１本が隣接するリードまたはその他の少なくとも１本のリードと電気的に接続され、該電気的に接続されたリードがオープンまたはショートのスタブ線路として機能することを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記オープンまたはショートのスタブ線路として機能するリードの少なくとも１本に軟磁性を有する膜が付着していることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
半導体ベアチップと外部の電気回路とを接続するインターポーザにおいて、複数のリードを備え、該複数のリードの少なくとも１本が隣接するリードまたはその他の少なくとも１本のリードと電気的に接続され、該電気的に接続されたリードがオープンまたはショートのスタブ線路として機能することを特徴とするインターポーザ。
【請求項４】
前記オープンまたはショートのスタブ線路として機能するリードの少なくとも１本に軟磁性を有する膜が付着していることを特徴とする請求項３に記載のインターポーザ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−４９１９８（Ｐ２０１１−４９１９８Ａ）
【公開日】平成２３年３月１０日（２０１１．３．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１９３９１３（Ｐ２００９−１９３９１３）
【出願日】平成２１年８月２５日（２００９．８．２５）
【出願人】（０００１３４２５７）ＮＥＣトーキン株式会社 (1,832)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月１０日（２０１１．３．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年８月２５日（２００９．８．２５）
【出願人】（０００１３４２５７）ＮＥＣトーキン株式会社 (1,832)
【Ｆターム（参考）】
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