レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器
【課題】レーザ光の透過を抑制し、基板のパターン焼けやパターン切断による不具合を防止することができるレーザスクライブ方法、電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】端子部１１ａが形成された第１基板１１と、端子部１１ａが形成された第１基板１１の面に対向して第２基板１２が配置され、第２基板１２を切断するための第１切断予定ラインＬ１が設けられ、少なくとも第１切断予定ラインＬ１上であって、端子部１１ａと端子部１１ａに対向する第２基板１２の面との間に、レーザ光５９の透過を抑制する抑制部材としての液晶材２５ｂを備える基板製造工程（図４（ａ），（ｂ））と、端子部１１ａが形成された第１基板１１の面に対向して配置された第２基板１２の面の反対面から、第１切断予定ラインＬ１に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光５９の集光点Ｐが移動するようにレーザ光５９を照射する照射工程（図４（ｃ））と、を有する。
【解決手段】端子部１１ａが形成された第１基板１１と、端子部１１ａが形成された第１基板１１の面に対向して第２基板１２が配置され、第２基板１２を切断するための第１切断予定ラインＬ１が設けられ、少なくとも第１切断予定ラインＬ１上であって、端子部１１ａと端子部１１ａに対向する第２基板１２の面との間に、レーザ光５９の透過を抑制する抑制部材としての液晶材２５ｂを備える基板製造工程（図４（ａ），（ｂ））と、端子部１１ａが形成された第１基板１１の面に対向して配置された第２基板１２の面の反対面から、第１切断予定ラインＬ１に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光５９の集光点Ｐが移動するようにレーザ光５９を照射する照射工程（図４（ｃ））と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光を用いて基板を切断するレーザスクライブ方法が知られている。例えば、特許文献１に記載のレーザスクライブ方法では、切断しようとする基板の内部にレーザ光の集光点を合わせて、即ち、集光点でレーザ光のパワー密度が最大となるようにレーザ光を照射し、多光子吸収という現象を利用することにより、集光点部に改質領域を形成させる。そして、外力を加えることにより改質領域を起点にして当該基板を切断するという方法である。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上下に貼り合わされた基板の上基板の上方から上基板の内部に集光点を設定してレーザ光を照射すると、照射されたレーザ光が、上基板を透過して下基板に形成されたパターンに到達してしまい、パターン焼けやパターン切断による電気的接続不具合を引き起こしやすくなるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、レーザ光の透過を抑制し、基板のパターン焼けやパターン切断による不具合を防止することができるレーザスクライブ方法、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、パターンが形成された第１基板と、パターンが形成された第１基板の面に対向して第２基板が配置され、第２基板を切断するための切断予定ラインが設けられ、少なくとも切断予定ライン上であって、パターンとパターンに対向する第２基板の面との間に、レーザ光の透過を抑制する抑制部材を備える基板製造工程と、パターンが形成された第１基板の面に対向して配置された第２基板の面の反対面から、切断予定ラインに沿って、第２基板の内部にレーザ光の集光点が移動するようにレーザ光を照射する照射工程とを有することを要旨とする。
【０００７】
本発明に係るレーザスクライブ方法によれば、基板製造工程では、切断予定ライン上であって、パターンとパターンに対向する第２基板の面との間に、レーザ光の透過を抑制する抑制部材が備えられる。そして、照射工程では、切断予定ラインに沿って照射されたレーザ光のうち第２基板の内部に設定された集光点を超えて、更に透過したレーザ光は、抑止部材に達する。当該抑止部材に達したレーザ光は、抑止部材によってレーザ光の透過が抑制される。従って、集光点を超えたレーザ光は、抑止部材によって進行が抑制され、抑止部材を超える個所に形成されたパターンに対して、レーザ光の強度が弱まるので、パターン焼けや切断によるパターン欠陥等の不具合を防止することができる。
【０００８】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、抑止部材は、液晶材であってもよい。
【０００９】
これによれば、液晶材によって、照射されたレーザ光の透過を抑制することができる。
【００１０】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程には、第１基板と第２基板との間に表示材料としての液晶材を塗布する液晶材塗布工程を有し、抑止部としての液晶材は、表示材料としての液晶材と同じ材料であってもよい。
【００１１】
これによれば、抑止部材としての液晶材は、表示材料としての液晶材と同じ材料が用いられるので、材料選定等の工数を省き、作業効率を向上させることができる。
【００１２】
本発明のレーザスクライブ方法の液晶材塗布工程では、抑止部材としての液晶材と表示材料としての液晶材とを同時期に塗布してもよい。
【００１３】
これによれば、前記抑止部材としての液晶材と前記表示材料としての液晶材とを同時期に設けることにより、基板の製造における作業効率を向上させることができる。
【００１４】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、抑止部材は、スペーサ材であってもよい。
【００１５】
これによれば、スペーサ材によって、照射されたレーザ光の透過を抑制することができるとともに、ドライ加工を行うことができる。
【００１６】
本発明のレーザスクライブ方法では、抑止部としてのスペーサ材は、表示材料としての液晶材に含まれるスペーサ材と同じ材料であってもよい。
【００１７】
これによれば、抑止部材としてのスペーサ材は、表示材料としての液晶材に含まれるスペーサ材と同じ材料が用いられるので、材料選定等の工数を省き、作業効率を向上させることができる。
【００１８】
本発明のレーザスクライブの基板製造工程では、抑止部材は、樹脂材であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【００１９】
これによれば、樹脂材によって、照射されたレーザ光の透過を抑制することができる。
【００２０】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、抑止部材は、金属材であってもよい。
【００２１】
これによれば、金属材によって、照射されたレーザ光の透過を抑制することができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置は、上記のレーザスクライブ方法によって製造されたことを要旨とする。
【００２３】
これによれば、レーザ光を照射して、第２基板の一部を切断するとき、レーザ光の照射方向に対して抑止部を超える個所にあたる第１基板に形成されたパターンの焼けや切断によるパターン欠陥等の不具合を抑えるので、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【００２４】
本発明の電気機器は、上記の電気光学装置を搭載したことを要旨とする。
【００２５】
これによれば、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した第１及び第２実施形態について図面に従って説明する。なお、本発明の実施形態では、電気光学装置としての液晶表示パネルが形成された基板に対してレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ方法と、当該レーザスクライブ方法によって製造された液晶表示パネル及び電子機器を例に説明する。
【００２７】
[第１実施形態]
【００２８】
（基板の構成）
まず、基板の構成について説明する。図１は、基板の構成を示し、図１（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図を示す。
【００２９】
図１（ａ），（ｂ）において、基板１０は、ウエハ形状であり、第１基板１１と第２基板１２とが接着され、複数の電気光学装置としての液晶表示パネル２０で構成されている。１つの液晶表示パネル２０は、基板１０の液晶表示パネル２０の区画形成領域に設けられた切断予定ラインに沿って切断して、基板１０から分割される。
【００３０】
（電気光学装置の構成）
次に、電気光学装置の構成について説明する。図２は、電気光学装置としての液晶表示パネルの構成を示し、図２（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線で切った概略断面図を示す。
【００３１】
図２において、液晶表示パネル２０は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２３を有する第１基板１１と、対向電極２６を有する第２基板１２と、シール材２４によって接着された両基板１１，１２の隙間に充填された表示材料としての液晶材２５とを備えている。第１基板１１は第２基板１２より一回り大きく額縁状に張り出した状態となっており、当該張り出した第１基板１１の一方の面には、パターンとしての端子部１１ａが形成されている。
【００３２】
第１基板１１は、厚みおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴＦＴ素子２３が形成されている。ＴＦＴ素子２３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されて端子部１１ａに形成されたデータ線駆動回路部２９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形成された２つの走査線駆動回路部３３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部２９および走査線駆動回路部３３の入力側配線は、端子部１１ａに沿って配列した実装端子３１にそれぞれ接続されている。端子部１１ａとは反対側の額縁領域には、２つの走査線駆動回路部３３を繋ぐ配線３２が設けられている。
【００３３】
第２基板１２は、厚みおよそ１．０ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共通電極としての対向電極２６が設けられている。対向電極２６は、第２基板１２の四隅に設けられた上下導通部３４を介して第１基板１１側に設けられた配線と導通しており、当該配線も端子部１１ａに設けられた実装端子３１に接続されている。
【００３４】
液晶材２５に面する第１基板１１の表面および第２基板１２の表面には、それぞれ配向膜２７，２８が形成されている。
【００３５】
液晶表示パネル２０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子３１に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部２９および走査線駆動回路部３３に入力されることにより、ＴＦＴ素子２３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極２６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００３６】
（レーザ照射装置の構成）
次に、基板１０に形成された液晶表示パネル２０の区画形成領域に設けられた切断予定ラインに向けてレーザ光を照射して、当該レーザ光が照射された部分に改質層を形成するためのレーザ照射装置の構成について説明する。
【００３７】
図３は、レーザ照射装置の構成を示す模式図である。図３において、レーザ照射装置４０は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源４１と、出射されたパルスレーザ光を反射するダイクロイックミラー４２と、反射したパルスレーザ光を集光する集光手段としての集光レンズ４３とを備えている。また、基板１０を載置するステージ４７と、ステージ４７を集光レンズ４３に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させる移動手段としてのＸ軸スライド部４８およびＹ軸スライド部５１とを備えている。また、ステージ４７に載置された基板１０に対して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置を調整する調整手段としてのＺ軸スライド機構５４を備えている。さらに、ダイクロイックミラー４２を挟んで集光レンズ４３と反対側に位置する撮像装置５５を備えている。
【００３８】
レーザ照射装置４０は、上記各構成を制御するメインコンピュータ６０を備えており、メインコンピュータ６０には、ＣＰＵや各種メモリ（図示省略）の他に撮像装置５５が撮像した画像情報を処理する画像処理部６１を有している。撮像装置５５は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ４３を透過して焦点を結ぶ。
【００３９】
メインコンピュータ６０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部６３とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部６４が接続されている。また、レーザ光源４１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部６６と、Ｚ軸スライド機構５４を駆動して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部６７とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１をそれぞれレール６８，６９に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部７０が接続されている。
【００４０】
集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構５４には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部６７は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置５５の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板１０の表面と合うように集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させれば、基板１０の厚みを計測することが可能である。
【００４１】
レーザ光源４１は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。
【００４２】
集光レンズ４３は、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Working Distance）が３ｍｍの対物レンズである。集光レンズ４３はＺ軸スライド機構５４から延びたスライドアーム５４ａによって支持されている。
【００４３】
なお、本実施形態では、ステージ４７は、Ｙ軸スライド部５１に支持されているが、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部４８に支持される形態としてもよい。また、ステージ４７をθテーブル（図示せず）を介してＹ軸スライド部５１に支持することが好ましい。これによれば、基板１０を光軸４１ａに対してより垂直な状態とすることが可能である。
【００４４】
（レーザスクライブ方法）
次に、第１実施形態に係るレーザスクライブ方法について説明する。図４は、本実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図である。
【００４５】
まず、基板製造工程について説明する。図４（ａ）の液晶塗布工程では、ＴＦＴ素子２３や端子部１１ａ等が形成された第１基板の面にシール材２４を形成した後、シール材２４によって区画された第１，第２区画領域Ｓ１，Ｓ２のそれぞれに液晶材２５（２５ａ，２５ｂ）を塗布する。第１区画領域Ｓ１は、ＴＦＴ素子２３等が形成された領域であり、第２区画領域Ｓ２は、端子部１１ａが形成された領域である。塗布された液晶材２５のうち、第１区画領域Ｓ１に塗布された液晶材２５は、表示材料としての液晶材２５ａであり、第２区画領域Ｓ２に塗布された液晶材２５は、後の工程のレーザ光の透過を抑制する抑止部材としての液晶材２５ｂであり、液晶材２５ａは、少なくとも第２基板１２の一部を切断するために設けられた第１切断予定ラインＬ１上であって、第１基板１１の端子部１１ａと第１基板１１に対向する第２基板１２の面との間に塗布する。なお、液晶材２５には、第１基板１１と第２基板１２との間のスペースを確保するためのスペーサ材が含まれていてもよい。
【００４６】
次に、図４（ｂ）では、第１基板１１と、対向電極２６等が形成された第２基板１２とをシール材２４の接着力によって接着する。
【００４７】
以上の工程を経ることにより、基板１０が形成される。
【００４８】
次に、照射工程について説明する。図４（ｃ）の照射工程では、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第１及び第２切断予定ラインＬ１，Ｌ２のうち、第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射する。第１切断予定ラインＬ１は、第２基板１２を部分的に切断するために設けられたラインであり、第１切断予定ラインＬ１の延長線上には第１基板１１の端子部１１ａが形成されている。第２切断予定ラインＬ２は、第１及び第２基板１１，１２を切断して、液晶表示パネル２０に分割するために設けられたラインである。
【００４９】
レーザ光５９は、第２基板１２の対向電極２６等が形成された面の反対面から第２基板１２に向けて、第２基板１２と略垂直な方向に、かつ、第１切断予定ラインＬ１に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光５９の集光点Ｐが位置するように照射される。
【００５０】
そして、第１切断予定ラインＬ１に沿って、集光点Ｐをレーザ光が照射される第２基板１２の面に近づく方向に位置設定し、レーザ光５９を照射しながら走査する。これを複数回走査することにより、第２基板１２の内部に第１切断予定ラインＬ１に沿った改質層Ｒｃ１が形成される。
【００５１】
次に、図４（ｄ）に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第２切断予定ラインＬ２に沿ってレーザ光５９を照射する。そして、同図（ｃ）と同様に、レーザ光５９を照射しながら複数回走査により、第１及び第２基板１１，１２の内部に第２切断予定ラインＬ２に沿った改質層Ｒｃ２が形成される。
【００５２】
そして、図４（ｅ）では、基板１０に外力を与えることにより、改質層Ｒｃ１，Ｒｃ２を起点として、第１及び第２基板１１，１２が切断され、液晶表示パネル２０が形成される。
【００５３】
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。図５は、電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図である。図５において、プロジェクタ８０を構成する光学系に液晶表示パネル２０が搭載されている。
【００５４】
従って、上記の第１実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００５５】
（１）第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射したとき、集光点Ｐを超えて透過したレーザ光５９は、第１基板１１と第２基板１２との間の第１切断予定ラインＬ１上に形成された液晶材２５ｂによって、反射、散乱または吸収されるので、レーザ光５９の透過がほぼ抑制され、端子部１１ａの実装端子３１等への照射をほぼ抑えることができる。従って、端子部１１ａのパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００５６】
（２）抑止部材としての液晶材２５ｂは、表示材料としての液晶材２５ａと同じ材料を用いるので、材料選定等の管理を省いて、作業効率を向上させることができる。
【００５７】
（３）液晶材２５ａ，２５ｂは、液晶材塗布工程において同時期に形成されるので、作業効率を向上させることができる。
【００５８】
[第２実施形態]
次に、第２実施形態について説明する。なお、基板の構成、電気光学装置としての液晶表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成及び電子機器としてのプロジェクタの構成については、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００５９】
（レーザスクライブ方法）
図６は、本実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図である。
【００６０】
まず、基板製造工程について説明する。図６（ａ）では、ＴＦＴ素子２３や端子部１１ａ等が形成された第１基板の面にシール材２４を形成した後、シール材２４によって区画された第１，第２区画領域Ｓ１，Ｓ２のうち、第１区画領域Ｓ１に液晶材２５を塗布し、第２区画領域Ｓ２には、抑止部材としてのスペーサ材９０を散布する。スペーサ材９０は、少なくとも第２基板１２の一部を切断するために設けられた第１切断予定ラインＬ１上であって、第１基板１１の端子部１１ａと第１基板１１に対向する第２基板１２の面との間に塗布する。スペーサ材９０としては、ガラスファイバ、シリカ、プラスチック等を用いることができる。なお、スペーサ材９０は、第１区画領域Ｓ１に塗布した液晶材２５に含まれるスペーサ材と同じもの用いることができる。
【００６１】
次に、図６（ｂ）では、第１基板１１と、対向電極２６等が形成された第２基板１２とをシール材２４の接着力によって接着する。
【００６２】
以上の工程を経ることにより、基板１０が形成される。
【００６３】
次に、照射工程について説明する。図６（ｃ）の照射工程では、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第１及び第２切断予定ラインＬ１，Ｌ２のうち、第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射する。第１切断予定ラインＬ１は、第２基板１２を部分的に切断するために設けられたラインであり、第１切断予定ラインＬ１の延長線上には第１基板１１の端子部１１ａが形成されている。第２切断予定ラインＬ２は、第１及び第２基板１１，１２を切断して、液晶表示パネル２０に分割するために設けられたラインである。
【００６４】
レーザ光５９は、第２基板１２の対向電極２６等が形成された面の反対面から第２基板１２に向けて、第２基板１２と略垂直な方向に、かつ、第１切断予定ラインＬ１に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光５９の集光点Ｐが位置するように照射される。
【００６５】
そして、第１切断予定ラインＬ１に沿って、集光点Ｐをレーザ光が照射される第２基板１２の面に近づく方向に位置設定し、レーザ光５９を照射しながら走査する。これを複数回走査することにより、第２基板１２の内部に第１切断予定ラインＬ１に沿った改質層Ｒｃ１が形成される。
【００６６】
次に、図６（ｄ）に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第２切断予定ラインＬ２に沿ってレーザ光５９を照射する。そして、同図（ｃ）と同様に、レーザ光５９を照射しながら複数回走査により、第１及び第２基板１１，１２の内部に第２切断予定ラインＬ２に沿った改質層Ｒｃ２が形成される。
【００６７】
そして、図６（ｅ）では、基板１０に外力を与えることにより、改質層Ｒｃ１，Ｒｃ２を起点として、第１及び第２基板１１，１２が切断され、液晶表示パネル２０が形成される。
【００６８】
従って、上記の第２実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００６９】
（１）第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射したとき、集光点Ｐを超えて透過したレーザ光５９は、第１基板１１と第２基板１２との間の第１切断予定ラインＬ１上に形成されたスペーサ材９０によって、反射、散乱または吸収されるので、レーザ光５９の透過がほぼ抑制され、端子部１１ａの実装端子３１等への照射をほぼ抑えることができる。従って、端子部１１ａのパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００７０】
（２）抑止部材としてのスペーサ材９０は、液晶材２５に含まれるスペーサ材と同じ材料を用いるので、材料選定等の管理作業を省いて、作業効率を向上させることができる。
【００７１】
（３）スペーサ材９０は、固体物質であるため基板１０を分割した際に、容易に排除することができる。
【００７２】
[第３実施形態]
次に、第３実施形態について説明する。なお、基板の構成、電気光学装置としての液晶表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成及び電子機器としてのプロジェクタの構成については、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００７３】
（レーザスクライブ方法）
図７は、本実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図である。
【００７４】
まず、基板製造工程について説明する。図７（ａ）では、ＴＦＴ素子２３や端子部１１ａ等が形成された第１基板の面にシール材２４を形成した後、シール材２４によって区画された第１，第２区画領域Ｓ１，Ｓ２のうち、第１区画領域Ｓ１に液晶材２５を塗布し、第２区画領域Ｓ２には、抑止部材としての樹脂材１００を配置する。樹脂材１００は、少なくとも第２基板１２の一部を切断するために設けられた第１切断予定ラインＬ１上であって、第１基板１１の端子部１１ａと第１基板１１に対向する第２基板１２の面との間に配置する。樹脂材１００は、例えば、エポキシ樹脂や塩化ビニル樹脂等を用いることができる。また、樹脂材１００の色彩は、黒色を採用することが好ましいが、半透明であってもよい。
【００７５】
次に、図７（ｂ）では、第１基板１１と、対向電極２６等が形成された第２基板１２とをシール材２４の接着力によって接着する。
【００７６】
以上の工程を経ることにより、基板１０が形成される。
【００７７】
次に、照射工程について説明する。図７（ｃ）の照射工程では、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第１及び第２切断予定ラインＬ１，Ｌ２のうち、第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射する。第１切断予定ラインＬ１は、第２基板１２を部分的に切断するために設けられたラインであり、第１切断予定ラインＬ１の延長線上には第１基板１１の端子部１１ａが形成されている。第２切断予定ラインＬ２は、第１及び第２基板１１，１２を切断して、液晶表示パネル２０に分割するために設けられたラインである。
【００７８】
レーザ光５９は、第２基板１２の対向電極２６等が形成された面の反対面から第２基板１２に向けて、第２基板１２と略垂直な方向に、かつ、第１切断予定ラインＬ１に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光５９の集光点Ｐが位置するように照射される。
【００７９】
そして、第１切断予定ラインＬ１に沿って、集光点Ｐをレーザ光が照射される第２基板１２の面に近づく方向に位置設定し、レーザ光５９を照射しながら走査する。これを複数回走査することにより、第２基板１２の内部に第１切断予定ラインＬ１に沿った改質層Ｒｃ１が形成される。
【００８０】
次に、図７（ｄ）に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第２切断予定ラインＬ２に沿ってレーザ光５９を照射する。そして、同図（ｃ）と同様に、レーザ光５９を照射しながら複数回走査により、第１及び第２基板１１，１２の内部に第２切断予定ラインＬ２に沿った改質層Ｒｃ２が形成される。
【００８１】
そして、図７（ｅ）では、基板１０に外力を与えることにより、改質層Ｒｃ１，Ｒｃ２を起点として、第１及び第２基板１１，１２が切断され、液晶表示パネル２０が形成される。
【００８２】
従って、上記の第３実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００８３】
（１）第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射したとき、集光点Ｐを超えて透過したレーザ光５９は、第１基板１１と第２基板１２との間の第１切断予定ラインＬ１上に配置された樹脂材１００によって、反射、散乱または吸収されるので、レーザ光５９の透過がほぼ抑制され、端子部１１ａの実装端子３１等への照射をほぼ抑えることができる。従って、端子部１１ａのパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００８４】
[第４実施形態]
次に、第４実施形態について説明する。なお、基板の構成、電気光学装置としての液晶表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成及び電子機器としてのプロジェクタの構成については、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００８５】
（レーザスクライブ方法）
図８は、本実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図である。
【００８６】
まず、基板製造工程について説明する。図８（ａ）では、ＴＦＴ素子２３や端子部１１ａ等が形成された第１基板の面にシール材２４を形成した後、シール材２４によって区画された第１，第２区画領域Ｓ１，Ｓ２のうち、第１区画領域Ｓ１に液晶材２５を塗布し、第２区画領域Ｓ２には、抑止部材としての金属材１１０を配置する。金属材１１０は、少なくとも第２基板１２の一部を切断するために設けられた第１切断予定ラインＬ１上であって、第１基板１１の端子部１１ａと第１基板１１に対向する第２基板１２の面との間に配置する。
【００８７】
次に、図８（ｂ）では、第１基板１１と、対向電極２６等が形成された第２基板１２とをシール材２４の接着力によって接着する。
【００８８】
以上の工程を経ることにより、基板１０が形成される。
【００８９】
次に、照射工程について説明する。図８（ｃ）の照射工程では、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第１及び第２切断予定ラインＬ１，Ｌ２のうち、第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射する。第１切断予定ラインＬ１は、第２基板１２を部分的に切断するために設けられたラインであり、第１切断予定ラインＬ１の延長線上には第１基板１１の端子部１１ａが形成されている。第２切断予定ラインＬ２は、第１及び第２基板１１，１２を切断して、液晶表示パネル２０に分割するために設けられたラインである。
【００９０】
レーザ光５９は、第２基板１２の対向電極２６等が形成された面の反対面から第２基板１２に向けて、第２基板１２と略垂直な方向に、かつ、第１切断予定ラインＬ１に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光５９の集光点Ｐが位置するように照射される。
【００９１】
そして、第１切断予定ラインＬ１に沿って、集光点Ｐをレーザ光が照射される第２基板１２の面に近づく方向に位置設定し、レーザ光５９を照射しながら走査する。これを複数回走査することにより、第２基板１２の内部に第１切断予定ラインＬ１に沿った改質層Ｒｃ１が形成される。
【００９２】
次に、図８（ｄ）に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第２切断予定ラインＬ２に沿ってレーザ光５９を照射する。そして、同図（ｃ）と同様に、レーザ光５９を照射しながら複数回走査により、第１及び第２基板１１，１２の内部に第２切断予定ラインＬ２に沿った改質層Ｒｃ２が形成される。
【００９３】
そして、図８（ｅ）では、基板１０に外力を与えることにより、改質層Ｒｃ１，Ｒｃ２を起点として、第１及び第２基板１１，１２が切断され、液晶表示パネル２０が形成される。
【００９４】
従って、上記の第４実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００９５】
（１）第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射したとき、集光点Ｐを超えて透過したレーザ光５９は、第１基板１１と第２基板１２との間の第１切断予定ラインＬ１上に配置された金属材１１０によって、反射または散乱されるので、レーザ光５９の透過がほぼ抑制され、端子部１１ａの実装端子３１等への照射をほぼ抑えることができる。従って、端子部１１ａのパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００９６】
本発明は、上記の第１〜第４実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
【００９７】
（変形例１）第１実施形態において、第２区画領域Ｓ２いっぱいに液晶材２５ｂを塗布したが、これに限定されず、少なくとも端子部１１ａを覆う程度であってもよい。このようにしても、レーザ光５９による端子部１１ａの損傷等を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】基板の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）概略断面図。
【図２】電気光学装置としての液晶表示パネルの構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図。
【図３】レーザ照射装置の構成を示す模式図。
【図４】第１実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図。
【図５】電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図。
【図６】第２実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図。
【図７】第３実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図。
【図８】第４実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図。
【符号の説明】
【００９９】
１０…基板、１１…第１基板、１１ａ…パターンとしての端子部、１２…第２基板、２４…シール材、２５…液晶材、２５ａ…表示材料としての液晶材、２５ｂ…抑止部材としての液晶材、３１…実装端子、４０…レーザ照射装置、５９…レーザ光、８０…プロジェクタ、９０…抑止部材としてのスペーサ材、１００…抑止部材としての樹脂材、１１０…抑止部材としての金属材、Ｓ１…第１区画領域、Ｓ２…第２区画領域、Ｌ１…第１切断予定ライン、Ｌ２…第２切断予定ライン、Ｐ…集光点、Ｒｃ１，Ｒｃ２…改質層。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光を用いて基板を切断するレーザスクライブ方法が知られている。例えば、特許文献１に記載のレーザスクライブ方法では、切断しようとする基板の内部にレーザ光の集光点を合わせて、即ち、集光点でレーザ光のパワー密度が最大となるようにレーザ光を照射し、多光子吸収という現象を利用することにより、集光点部に改質領域を形成させる。そして、外力を加えることにより改質領域を起点にして当該基板を切断するという方法である。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上下に貼り合わされた基板の上基板の上方から上基板の内部に集光点を設定してレーザ光を照射すると、照射されたレーザ光が、上基板を透過して下基板に形成されたパターンに到達してしまい、パターン焼けやパターン切断による電気的接続不具合を引き起こしやすくなるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、レーザ光の透過を抑制し、基板のパターン焼けやパターン切断による不具合を防止することができるレーザスクライブ方法、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、パターンが形成された第１基板と、パターンが形成された第１基板の面に対向して第２基板が配置され、第２基板を切断するための切断予定ラインが設けられ、少なくとも切断予定ライン上であって、パターンとパターンに対向する第２基板の面との間に、レーザ光の透過を抑制する抑制部材を備える基板製造工程と、パターンが形成された第１基板の面に対向して配置された第２基板の面の反対面から、切断予定ラインに沿って、第２基板の内部にレーザ光の集光点が移動するようにレーザ光を照射する照射工程とを有することを要旨とする。
【０００７】
本発明に係るレーザスクライブ方法によれば、基板製造工程では、切断予定ライン上であって、パターンとパターンに対向する第２基板の面との間に、レーザ光の透過を抑制する抑制部材が備えられる。そして、照射工程では、切断予定ラインに沿って照射されたレーザ光のうち第２基板の内部に設定された集光点を超えて、更に透過したレーザ光は、抑止部材に達する。当該抑止部材に達したレーザ光は、抑止部材によってレーザ光の透過が抑制される。従って、集光点を超えたレーザ光は、抑止部材によって進行が抑制され、抑止部材を超える個所に形成されたパターンに対して、レーザ光の強度が弱まるので、パターン焼けや切断によるパターン欠陥等の不具合を防止することができる。
【０００８】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、抑止部材は、液晶材であってもよい。
【０００９】
これによれば、液晶材によって、照射されたレーザ光の透過を抑制することができる。
【００１０】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程には、第１基板と第２基板との間に表示材料としての液晶材を塗布する液晶材塗布工程を有し、抑止部としての液晶材は、表示材料としての液晶材と同じ材料であってもよい。
【００１１】
これによれば、抑止部材としての液晶材は、表示材料としての液晶材と同じ材料が用いられるので、材料選定等の工数を省き、作業効率を向上させることができる。
【００１２】
本発明のレーザスクライブ方法の液晶材塗布工程では、抑止部材としての液晶材と表示材料としての液晶材とを同時期に塗布してもよい。
【００１３】
これによれば、前記抑止部材としての液晶材と前記表示材料としての液晶材とを同時期に設けることにより、基板の製造における作業効率を向上させることができる。
【００１４】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、抑止部材は、スペーサ材であってもよい。
【００１５】
これによれば、スペーサ材によって、照射されたレーザ光の透過を抑制することができるとともに、ドライ加工を行うことができる。
【００１６】
本発明のレーザスクライブ方法では、抑止部としてのスペーサ材は、表示材料としての液晶材に含まれるスペーサ材と同じ材料であってもよい。
【００１７】
これによれば、抑止部材としてのスペーサ材は、表示材料としての液晶材に含まれるスペーサ材と同じ材料が用いられるので、材料選定等の工数を省き、作業効率を向上させることができる。
【００１８】
本発明のレーザスクライブの基板製造工程では、抑止部材は、樹脂材であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【００１９】
これによれば、樹脂材によって、照射されたレーザ光の透過を抑制することができる。
【００２０】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、抑止部材は、金属材であってもよい。
【００２１】
これによれば、金属材によって、照射されたレーザ光の透過を抑制することができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置は、上記のレーザスクライブ方法によって製造されたことを要旨とする。
【００２３】
これによれば、レーザ光を照射して、第２基板の一部を切断するとき、レーザ光の照射方向に対して抑止部を超える個所にあたる第１基板に形成されたパターンの焼けや切断によるパターン欠陥等の不具合を抑えるので、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【００２４】
本発明の電気機器は、上記の電気光学装置を搭載したことを要旨とする。
【００２５】
これによれば、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した第１及び第２実施形態について図面に従って説明する。なお、本発明の実施形態では、電気光学装置としての液晶表示パネルが形成された基板に対してレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ方法と、当該レーザスクライブ方法によって製造された液晶表示パネル及び電子機器を例に説明する。
【００２７】
[第１実施形態]
【００２８】
（基板の構成）
まず、基板の構成について説明する。図１は、基板の構成を示し、図１（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図を示す。
【００２９】
図１（ａ），（ｂ）において、基板１０は、ウエハ形状であり、第１基板１１と第２基板１２とが接着され、複数の電気光学装置としての液晶表示パネル２０で構成されている。１つの液晶表示パネル２０は、基板１０の液晶表示パネル２０の区画形成領域に設けられた切断予定ラインに沿って切断して、基板１０から分割される。
【００３０】
（電気光学装置の構成）
次に、電気光学装置の構成について説明する。図２は、電気光学装置としての液晶表示パネルの構成を示し、図２（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線で切った概略断面図を示す。
【００３１】
図２において、液晶表示パネル２０は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２３を有する第１基板１１と、対向電極２６を有する第２基板１２と、シール材２４によって接着された両基板１１，１２の隙間に充填された表示材料としての液晶材２５とを備えている。第１基板１１は第２基板１２より一回り大きく額縁状に張り出した状態となっており、当該張り出した第１基板１１の一方の面には、パターンとしての端子部１１ａが形成されている。
【００３２】
第１基板１１は、厚みおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴＦＴ素子２３が形成されている。ＴＦＴ素子２３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されて端子部１１ａに形成されたデータ線駆動回路部２９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形成された２つの走査線駆動回路部３３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部２９および走査線駆動回路部３３の入力側配線は、端子部１１ａに沿って配列した実装端子３１にそれぞれ接続されている。端子部１１ａとは反対側の額縁領域には、２つの走査線駆動回路部３３を繋ぐ配線３２が設けられている。
【００３３】
第２基板１２は、厚みおよそ１．０ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共通電極としての対向電極２６が設けられている。対向電極２６は、第２基板１２の四隅に設けられた上下導通部３４を介して第１基板１１側に設けられた配線と導通しており、当該配線も端子部１１ａに設けられた実装端子３１に接続されている。
【００３４】
液晶材２５に面する第１基板１１の表面および第２基板１２の表面には、それぞれ配向膜２７，２８が形成されている。
【００３５】
液晶表示パネル２０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子３１に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部２９および走査線駆動回路部３３に入力されることにより、ＴＦＴ素子２３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極２６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００３６】
（レーザ照射装置の構成）
次に、基板１０に形成された液晶表示パネル２０の区画形成領域に設けられた切断予定ラインに向けてレーザ光を照射して、当該レーザ光が照射された部分に改質層を形成するためのレーザ照射装置の構成について説明する。
【００３７】
図３は、レーザ照射装置の構成を示す模式図である。図３において、レーザ照射装置４０は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源４１と、出射されたパルスレーザ光を反射するダイクロイックミラー４２と、反射したパルスレーザ光を集光する集光手段としての集光レンズ４３とを備えている。また、基板１０を載置するステージ４７と、ステージ４７を集光レンズ４３に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させる移動手段としてのＸ軸スライド部４８およびＹ軸スライド部５１とを備えている。また、ステージ４７に載置された基板１０に対して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置を調整する調整手段としてのＺ軸スライド機構５４を備えている。さらに、ダイクロイックミラー４２を挟んで集光レンズ４３と反対側に位置する撮像装置５５を備えている。
【００３８】
レーザ照射装置４０は、上記各構成を制御するメインコンピュータ６０を備えており、メインコンピュータ６０には、ＣＰＵや各種メモリ（図示省略）の他に撮像装置５５が撮像した画像情報を処理する画像処理部６１を有している。撮像装置５５は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ４３を透過して焦点を結ぶ。
【００３９】
メインコンピュータ６０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部６３とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部６４が接続されている。また、レーザ光源４１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部６６と、Ｚ軸スライド機構５４を駆動して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部６７とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１をそれぞれレール６８，６９に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部７０が接続されている。
【００４０】
集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構５４には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部６７は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置５５の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板１０の表面と合うように集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させれば、基板１０の厚みを計測することが可能である。
【００４１】
レーザ光源４１は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。
【００４２】
集光レンズ４３は、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Working Distance）が３ｍｍの対物レンズである。集光レンズ４３はＺ軸スライド機構５４から延びたスライドアーム５４ａによって支持されている。
【００４３】
なお、本実施形態では、ステージ４７は、Ｙ軸スライド部５１に支持されているが、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部４８に支持される形態としてもよい。また、ステージ４７をθテーブル（図示せず）を介してＹ軸スライド部５１に支持することが好ましい。これによれば、基板１０を光軸４１ａに対してより垂直な状態とすることが可能である。
【００４４】
（レーザスクライブ方法）
次に、第１実施形態に係るレーザスクライブ方法について説明する。図４は、本実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図である。
【００４５】
まず、基板製造工程について説明する。図４（ａ）の液晶塗布工程では、ＴＦＴ素子２３や端子部１１ａ等が形成された第１基板の面にシール材２４を形成した後、シール材２４によって区画された第１，第２区画領域Ｓ１，Ｓ２のそれぞれに液晶材２５（２５ａ，２５ｂ）を塗布する。第１区画領域Ｓ１は、ＴＦＴ素子２３等が形成された領域であり、第２区画領域Ｓ２は、端子部１１ａが形成された領域である。塗布された液晶材２５のうち、第１区画領域Ｓ１に塗布された液晶材２５は、表示材料としての液晶材２５ａであり、第２区画領域Ｓ２に塗布された液晶材２５は、後の工程のレーザ光の透過を抑制する抑止部材としての液晶材２５ｂであり、液晶材２５ａは、少なくとも第２基板１２の一部を切断するために設けられた第１切断予定ラインＬ１上であって、第１基板１１の端子部１１ａと第１基板１１に対向する第２基板１２の面との間に塗布する。なお、液晶材２５には、第１基板１１と第２基板１２との間のスペースを確保するためのスペーサ材が含まれていてもよい。
【００４６】
次に、図４（ｂ）では、第１基板１１と、対向電極２６等が形成された第２基板１２とをシール材２４の接着力によって接着する。
【００４７】
以上の工程を経ることにより、基板１０が形成される。
【００４８】
次に、照射工程について説明する。図４（ｃ）の照射工程では、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第１及び第２切断予定ラインＬ１，Ｌ２のうち、第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射する。第１切断予定ラインＬ１は、第２基板１２を部分的に切断するために設けられたラインであり、第１切断予定ラインＬ１の延長線上には第１基板１１の端子部１１ａが形成されている。第２切断予定ラインＬ２は、第１及び第２基板１１，１２を切断して、液晶表示パネル２０に分割するために設けられたラインである。
【００４９】
レーザ光５９は、第２基板１２の対向電極２６等が形成された面の反対面から第２基板１２に向けて、第２基板１２と略垂直な方向に、かつ、第１切断予定ラインＬ１に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光５９の集光点Ｐが位置するように照射される。
【００５０】
そして、第１切断予定ラインＬ１に沿って、集光点Ｐをレーザ光が照射される第２基板１２の面に近づく方向に位置設定し、レーザ光５９を照射しながら走査する。これを複数回走査することにより、第２基板１２の内部に第１切断予定ラインＬ１に沿った改質層Ｒｃ１が形成される。
【００５１】
次に、図４（ｄ）に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第２切断予定ラインＬ２に沿ってレーザ光５９を照射する。そして、同図（ｃ）と同様に、レーザ光５９を照射しながら複数回走査により、第１及び第２基板１１，１２の内部に第２切断予定ラインＬ２に沿った改質層Ｒｃ２が形成される。
【００５２】
そして、図４（ｅ）では、基板１０に外力を与えることにより、改質層Ｒｃ１，Ｒｃ２を起点として、第１及び第２基板１１，１２が切断され、液晶表示パネル２０が形成される。
【００５３】
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。図５は、電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図である。図５において、プロジェクタ８０を構成する光学系に液晶表示パネル２０が搭載されている。
【００５４】
従って、上記の第１実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００５５】
（１）第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射したとき、集光点Ｐを超えて透過したレーザ光５９は、第１基板１１と第２基板１２との間の第１切断予定ラインＬ１上に形成された液晶材２５ｂによって、反射、散乱または吸収されるので、レーザ光５９の透過がほぼ抑制され、端子部１１ａの実装端子３１等への照射をほぼ抑えることができる。従って、端子部１１ａのパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００５６】
（２）抑止部材としての液晶材２５ｂは、表示材料としての液晶材２５ａと同じ材料を用いるので、材料選定等の管理を省いて、作業効率を向上させることができる。
【００５７】
（３）液晶材２５ａ，２５ｂは、液晶材塗布工程において同時期に形成されるので、作業効率を向上させることができる。
【００５８】
[第２実施形態]
次に、第２実施形態について説明する。なお、基板の構成、電気光学装置としての液晶表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成及び電子機器としてのプロジェクタの構成については、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００５９】
（レーザスクライブ方法）
図６は、本実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図である。
【００６０】
まず、基板製造工程について説明する。図６（ａ）では、ＴＦＴ素子２３や端子部１１ａ等が形成された第１基板の面にシール材２４を形成した後、シール材２４によって区画された第１，第２区画領域Ｓ１，Ｓ２のうち、第１区画領域Ｓ１に液晶材２５を塗布し、第２区画領域Ｓ２には、抑止部材としてのスペーサ材９０を散布する。スペーサ材９０は、少なくとも第２基板１２の一部を切断するために設けられた第１切断予定ラインＬ１上であって、第１基板１１の端子部１１ａと第１基板１１に対向する第２基板１２の面との間に塗布する。スペーサ材９０としては、ガラスファイバ、シリカ、プラスチック等を用いることができる。なお、スペーサ材９０は、第１区画領域Ｓ１に塗布した液晶材２５に含まれるスペーサ材と同じもの用いることができる。
【００６１】
次に、図６（ｂ）では、第１基板１１と、対向電極２６等が形成された第２基板１２とをシール材２４の接着力によって接着する。
【００６２】
以上の工程を経ることにより、基板１０が形成される。
【００６３】
次に、照射工程について説明する。図６（ｃ）の照射工程では、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第１及び第２切断予定ラインＬ１，Ｌ２のうち、第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射する。第１切断予定ラインＬ１は、第２基板１２を部分的に切断するために設けられたラインであり、第１切断予定ラインＬ１の延長線上には第１基板１１の端子部１１ａが形成されている。第２切断予定ラインＬ２は、第１及び第２基板１１，１２を切断して、液晶表示パネル２０に分割するために設けられたラインである。
【００６４】
レーザ光５９は、第２基板１２の対向電極２６等が形成された面の反対面から第２基板１２に向けて、第２基板１２と略垂直な方向に、かつ、第１切断予定ラインＬ１に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光５９の集光点Ｐが位置するように照射される。
【００６５】
そして、第１切断予定ラインＬ１に沿って、集光点Ｐをレーザ光が照射される第２基板１２の面に近づく方向に位置設定し、レーザ光５９を照射しながら走査する。これを複数回走査することにより、第２基板１２の内部に第１切断予定ラインＬ１に沿った改質層Ｒｃ１が形成される。
【００６６】
次に、図６（ｄ）に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第２切断予定ラインＬ２に沿ってレーザ光５９を照射する。そして、同図（ｃ）と同様に、レーザ光５９を照射しながら複数回走査により、第１及び第２基板１１，１２の内部に第２切断予定ラインＬ２に沿った改質層Ｒｃ２が形成される。
【００６７】
そして、図６（ｅ）では、基板１０に外力を与えることにより、改質層Ｒｃ１，Ｒｃ２を起点として、第１及び第２基板１１，１２が切断され、液晶表示パネル２０が形成される。
【００６８】
従って、上記の第２実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００６９】
（１）第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射したとき、集光点Ｐを超えて透過したレーザ光５９は、第１基板１１と第２基板１２との間の第１切断予定ラインＬ１上に形成されたスペーサ材９０によって、反射、散乱または吸収されるので、レーザ光５９の透過がほぼ抑制され、端子部１１ａの実装端子３１等への照射をほぼ抑えることができる。従って、端子部１１ａのパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００７０】
（２）抑止部材としてのスペーサ材９０は、液晶材２５に含まれるスペーサ材と同じ材料を用いるので、材料選定等の管理作業を省いて、作業効率を向上させることができる。
【００７１】
（３）スペーサ材９０は、固体物質であるため基板１０を分割した際に、容易に排除することができる。
【００７２】
[第３実施形態]
次に、第３実施形態について説明する。なお、基板の構成、電気光学装置としての液晶表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成及び電子機器としてのプロジェクタの構成については、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００７３】
（レーザスクライブ方法）
図７は、本実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図である。
【００７４】
まず、基板製造工程について説明する。図７（ａ）では、ＴＦＴ素子２３や端子部１１ａ等が形成された第１基板の面にシール材２４を形成した後、シール材２４によって区画された第１，第２区画領域Ｓ１，Ｓ２のうち、第１区画領域Ｓ１に液晶材２５を塗布し、第２区画領域Ｓ２には、抑止部材としての樹脂材１００を配置する。樹脂材１００は、少なくとも第２基板１２の一部を切断するために設けられた第１切断予定ラインＬ１上であって、第１基板１１の端子部１１ａと第１基板１１に対向する第２基板１２の面との間に配置する。樹脂材１００は、例えば、エポキシ樹脂や塩化ビニル樹脂等を用いることができる。また、樹脂材１００の色彩は、黒色を採用することが好ましいが、半透明であってもよい。
【００７５】
次に、図７（ｂ）では、第１基板１１と、対向電極２６等が形成された第２基板１２とをシール材２４の接着力によって接着する。
【００７６】
以上の工程を経ることにより、基板１０が形成される。
【００７７】
次に、照射工程について説明する。図７（ｃ）の照射工程では、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第１及び第２切断予定ラインＬ１，Ｌ２のうち、第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射する。第１切断予定ラインＬ１は、第２基板１２を部分的に切断するために設けられたラインであり、第１切断予定ラインＬ１の延長線上には第１基板１１の端子部１１ａが形成されている。第２切断予定ラインＬ２は、第１及び第２基板１１，１２を切断して、液晶表示パネル２０に分割するために設けられたラインである。
【００７８】
レーザ光５９は、第２基板１２の対向電極２６等が形成された面の反対面から第２基板１２に向けて、第２基板１２と略垂直な方向に、かつ、第１切断予定ラインＬ１に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光５９の集光点Ｐが位置するように照射される。
【００７９】
そして、第１切断予定ラインＬ１に沿って、集光点Ｐをレーザ光が照射される第２基板１２の面に近づく方向に位置設定し、レーザ光５９を照射しながら走査する。これを複数回走査することにより、第２基板１２の内部に第１切断予定ラインＬ１に沿った改質層Ｒｃ１が形成される。
【００８０】
次に、図７（ｄ）に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第２切断予定ラインＬ２に沿ってレーザ光５９を照射する。そして、同図（ｃ）と同様に、レーザ光５９を照射しながら複数回走査により、第１及び第２基板１１，１２の内部に第２切断予定ラインＬ２に沿った改質層Ｒｃ２が形成される。
【００８１】
そして、図７（ｅ）では、基板１０に外力を与えることにより、改質層Ｒｃ１，Ｒｃ２を起点として、第１及び第２基板１１，１２が切断され、液晶表示パネル２０が形成される。
【００８２】
従って、上記の第３実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００８３】
（１）第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射したとき、集光点Ｐを超えて透過したレーザ光５９は、第１基板１１と第２基板１２との間の第１切断予定ラインＬ１上に配置された樹脂材１００によって、反射、散乱または吸収されるので、レーザ光５９の透過がほぼ抑制され、端子部１１ａの実装端子３１等への照射をほぼ抑えることができる。従って、端子部１１ａのパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００８４】
[第４実施形態]
次に、第４実施形態について説明する。なお、基板の構成、電気光学装置としての液晶表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成及び電子機器としてのプロジェクタの構成については、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００８５】
（レーザスクライブ方法）
図８は、本実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図である。
【００８６】
まず、基板製造工程について説明する。図８（ａ）では、ＴＦＴ素子２３や端子部１１ａ等が形成された第１基板の面にシール材２４を形成した後、シール材２４によって区画された第１，第２区画領域Ｓ１，Ｓ２のうち、第１区画領域Ｓ１に液晶材２５を塗布し、第２区画領域Ｓ２には、抑止部材としての金属材１１０を配置する。金属材１１０は、少なくとも第２基板１２の一部を切断するために設けられた第１切断予定ラインＬ１上であって、第１基板１１の端子部１１ａと第１基板１１に対向する第２基板１２の面との間に配置する。
【００８７】
次に、図８（ｂ）では、第１基板１１と、対向電極２６等が形成された第２基板１２とをシール材２４の接着力によって接着する。
【００８８】
以上の工程を経ることにより、基板１０が形成される。
【００８９】
次に、照射工程について説明する。図８（ｃ）の照射工程では、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第１及び第２切断予定ラインＬ１，Ｌ２のうち、第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射する。第１切断予定ラインＬ１は、第２基板１２を部分的に切断するために設けられたラインであり、第１切断予定ラインＬ１の延長線上には第１基板１１の端子部１１ａが形成されている。第２切断予定ラインＬ２は、第１及び第２基板１１，１２を切断して、液晶表示パネル２０に分割するために設けられたラインである。
【００９０】
レーザ光５９は、第２基板１２の対向電極２６等が形成された面の反対面から第２基板１２に向けて、第２基板１２と略垂直な方向に、かつ、第１切断予定ラインＬ１に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光５９の集光点Ｐが位置するように照射される。
【００９１】
そして、第１切断予定ラインＬ１に沿って、集光点Ｐをレーザ光が照射される第２基板１２の面に近づく方向に位置設定し、レーザ光５９を照射しながら走査する。これを複数回走査することにより、第２基板１２の内部に第１切断予定ラインＬ１に沿った改質層Ｒｃ１が形成される。
【００９２】
次に、図８（ｄ）に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、基板１０に設けられた第２切断予定ラインＬ２に沿ってレーザ光５９を照射する。そして、同図（ｃ）と同様に、レーザ光５９を照射しながら複数回走査により、第１及び第２基板１１，１２の内部に第２切断予定ラインＬ２に沿った改質層Ｒｃ２が形成される。
【００９３】
そして、図８（ｅ）では、基板１０に外力を与えることにより、改質層Ｒｃ１，Ｒｃ２を起点として、第１及び第２基板１１，１２が切断され、液晶表示パネル２０が形成される。
【００９４】
従って、上記の第４実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００９５】
（１）第１切断予定ラインＬ１に沿ってレーザ光５９を照射したとき、集光点Ｐを超えて透過したレーザ光５９は、第１基板１１と第２基板１２との間の第１切断予定ラインＬ１上に配置された金属材１１０によって、反射または散乱されるので、レーザ光５９の透過がほぼ抑制され、端子部１１ａの実装端子３１等への照射をほぼ抑えることができる。従って、端子部１１ａのパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００９６】
本発明は、上記の第１〜第４実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
【００９７】
（変形例１）第１実施形態において、第２区画領域Ｓ２いっぱいに液晶材２５ｂを塗布したが、これに限定されず、少なくとも端子部１１ａを覆う程度であってもよい。このようにしても、レーザ光５９による端子部１１ａの損傷等を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】基板の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）概略断面図。
【図２】電気光学装置としての液晶表示パネルの構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図。
【図３】レーザ照射装置の構成を示す模式図。
【図４】第１実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図。
【図５】電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図。
【図６】第２実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図。
【図７】第３実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図。
【図８】第４実施形態におけるスクライブ方法を示す工程図。
【符号の説明】
【００９９】
１０…基板、１１…第１基板、１１ａ…パターンとしての端子部、１２…第２基板、２４…シール材、２５…液晶材、２５ａ…表示材料としての液晶材、２５ｂ…抑止部材としての液晶材、３１…実装端子、４０…レーザ照射装置、５９…レーザ光、８０…プロジェクタ、９０…抑止部材としてのスペーサ材、１００…抑止部材としての樹脂材、１１０…抑止部材としての金属材、Ｓ１…第１区画領域、Ｓ２…第２区画領域、Ｌ１…第１切断予定ライン、Ｌ２…第２切断予定ライン、Ｐ…集光点、Ｒｃ１，Ｒｃ２…改質層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された第１基板と、前記パターンが形成された前記第１基板の面に対向して第２基板が配置され、前記第２基板を切断するための切断予定ラインが設けられ、少なくとも前記切断予定ライン上であって、前記パターンと前記パターンに対向する前記第２基板の面との間に、レーザ光の透過を抑制する抑制部材を備える基板製造工程と、
前記パターンが形成された前記第１基板の面に対向して配置された前記第２基板の面の反対面から、前記切断予定ラインに沿って、前記第２基板の内部にレーザ光の集光点が移動するように前記レーザ光を照射する照射工程と、を有することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記抑止部材は、液晶材であることを特徴とする表示パネルのレーザスクライブ方法。
【請求項３】
請求項２に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程は、前記第１基板と前記第２基板との間に表示材料としての液晶材を塗布する液晶材塗布工程を有し、
前記抑止部としての液晶材は、前記表示材料としての液晶材と同じ材料であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載のレーザスクライブ方法において、
前記液晶材塗布工程では、前記抑止部材としての液晶材と前記表示材料としての液晶材とを同時期に塗布することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項５】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記抑止部材は、スペーサ材であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記抑止部としてのスペーサ材は、前記表示材料としての液晶材に含まれるスペーサ材と同じ材料であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項７】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記抑止部材は、樹脂材であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項８】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、抑止部材は、金属材であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法によって製造された電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
パターンが形成された第１基板と、前記パターンが形成された前記第１基板の面に対向して第２基板が配置され、前記第２基板を切断するための切断予定ラインが設けられ、少なくとも前記切断予定ライン上であって、前記パターンと前記パターンに対向する前記第２基板の面との間に、レーザ光の透過を抑制する抑制部材を備える基板製造工程と、
前記パターンが形成された前記第１基板の面に対向して配置された前記第２基板の面の反対面から、前記切断予定ラインに沿って、前記第２基板の内部にレーザ光の集光点が移動するように前記レーザ光を照射する照射工程と、を有することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記抑止部材は、液晶材であることを特徴とする表示パネルのレーザスクライブ方法。
【請求項３】
請求項２に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程は、前記第１基板と前記第２基板との間に表示材料としての液晶材を塗布する液晶材塗布工程を有し、
前記抑止部としての液晶材は、前記表示材料としての液晶材と同じ材料であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載のレーザスクライブ方法において、
前記液晶材塗布工程では、前記抑止部材としての液晶材と前記表示材料としての液晶材とを同時期に塗布することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項５】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記抑止部材は、スペーサ材であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記抑止部としてのスペーサ材は、前記表示材料としての液晶材に含まれるスペーサ材と同じ材料であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項７】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記抑止部材は、樹脂材であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項８】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、抑止部材は、金属材であることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法によって製造された電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図５】
【図４】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図５】
【図４】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００７−２２９７９３（Ｐ２００７−２２９７９３Ａ）
【公開日】平成１９年９月１３日（２００７．９．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５７３１４（Ｐ２００６−５７３１４）
【出願日】平成１８年３月３日（２００６．３．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月１３日（２００７．９．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月３日（２００６．３．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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