【課題】発光材料や電荷輸送材料として有用で、電子注入性に優れた高分子化合物を提供する。
【解決手段】下記式（a）で示される構造を部分構造として含む共役高分子化合物。


〔式中、Ａ環およびＢ環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表し、Ａ環およびＢ環の少なくとも一方は芳香族環である。また、Ｃ環は置換基を有していてもよい芳香族環を表す。Ｚ₁は炭素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、珪素原子、硼素原子、燐原子、セレン原子から選ばれる原子または該原子を含む基を表し、Ｚ₂〜Ｚ₆はそれぞれ独立に炭素原子、珪素原子、窒素原子および硼素原子から選ばれる原子または該原子を含む基を表す。また、Ｂ環及びＣ環が置換基を有する場合これらが結合して環を形成してもよい。〕

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共役高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子（高分子ＬＥＤ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
溶媒に可溶な高分子量の発光材料や電荷輸送材料は塗布法により発光素子における有機層を形成できることから種々検討されており、その例として、繰り返し単位として、シクロペンタジエン環に、２個のベンゼン環が縮合した下の構造を有する高分子化合物が知られている（例えば、非特許文献１、特許文献１）。

【０００３】
【非特許文献１】Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ １９９７年９巻１０号 ７９８頁
【特許文献１】国際公開第９９／５４３８５号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上記の共役高分子化合物は、その電子注入性等が必ずしも十分でないという問題があった。本発明の目的は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、電子注入性に優れた高分子化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
即ち本発明は、下記式（a）で示される構造を部分構造として含む共役高分子化合物を提供するものである。

〔式中、Ａ環およびＢ環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表し、Ａ環およびＢ環の少なくとも一方は芳香族環である。また、Ｃ環は置換基を有していてもよい芳香族環を表す。Ｚ₁は炭素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、珪素原子、硼素原子、燐原子、セレン原子から選ばれる原子または該原子を含む基を表し、Ｚ₂〜Ｚ₆はそれぞれ独立に炭素原子、珪素原子、窒素原子および硼素原子から選ばれる原子または該原子を含む基を表す。また、Ｂ環及びＣ環が置換基を有する場合これらが結合して環を形成してもよい。〕


【発明の効果】
【０００６】
本発明の共役高分子化合物は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、電子注入性に優れる。したがって、本発明の共役高分子化合物を含む高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライトまたは照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
下記式（１）は、前記式（ａ）において、Ｚ₄〜Ｚ₆が炭素原子の場合の構造を示す。

〔式中、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、Ｚ₁、Ｚ₂およびＺ₃の定義は前記と同じである。〕
【０００８】
前記式（１）において、Ｚ₁が−Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）−、＞Ｃ＝Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ_w）−、−Si（Ｒ_w）（Ｒ_x）−、−Ｐ（＝Ｏ）(Ｒ_w)−、−Ｐ（Ｒ_w）−、−Ｂ（Ｒ_w）−、−Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ_w）＝Ｎ−、または−Ｓｅ−であることが好ましく、−Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）−、＞Ｃ＝Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）、−Si（Ｒ_w）（Ｒ_x）−であることが好ましい。
ここにＲ_wおよびＲ_xは、それぞれ独立に水素原子、またはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、ニトロ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基もしくはシアノ基などの置換基を表す。
【０００９】
前記式（１）のＲ_w、Ｒ_xはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、ニトロ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基から選ばれることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基から選ばれることがさらに好ましい。
【００１０】
溶解性の観点からＲ_w、Ｒ_xはアルキル基、アリールアルキル基から選ばれることがさらに好ましい。
【００１１】
前記式（１）において、耐熱性、発光特性の観点から、Ｚ₁は1つ以上の置換基を持つことが好ましく、２つの置換基を持つことがより好ましい。
【００１２】
前記式（１）において、Ｚ₂、Ｚ₃はそれぞれ独立に炭素原子、珪素原子、窒素原子、硼素原子から選ばれる原子または該原子を含む基を表す。その例として＞ＣＨ−、＞ＣＲ’−、＞Ｃ＝、＞SiＨ−、＞SiＲ’−または窒素（＞Ｎ-）であることが好ましく、耐熱性、発光特性の観点から全てが＞ＣＨ−、＞ＣＲ’−、＞Ｃ＝から選ばれることがより好ましい。
ここにＲ’は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、ニトロ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基などを表す。
【００１３】
前記式（１）における置換基を有していてもよい芳香族環としては、芳香族炭化水素環、および芳香族複素環があげられる。芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環単独または２個以上のベンゼン環が縮合したものが好ましく、その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられる。芳香族複素環としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、フェナントロリン環、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、インドール環、チアゾール環、オキサゾール環等があげられる。
【００１４】
置換基を有していてもよい非芳香族環としては、脂肪族炭化水素環、非芳香族複素環があげられる。脂肪族炭化水素環としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロペプタン環、シクロノナン環等が挙げられる。非芳香族複素環としては、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロチオフラン環、ピロリジン環、ホスホロラン環、シロラン環、ボロラン環、テトラヒドロピラン環、テトラヒドロチオピラン環、ピペリジン環、ホスフィナン環、ボリナン環、シリナン環等があげられる。
【００１５】
前記式(１)で示される構造においてＡ環、Ｂ環、Ｃ環を構成する元素が全て炭素であることが好ましい。
発光特性の観点からＡ環、Ｂ環およびＣ環はすべて芳香族炭化水素環であることが好ましく、それぞれ独立に置換基を有していてもよいベンゼン環、置換基を有していてもよいナフタレン環、置換基を有していてもよいアントラセン環から選ばれることが好ましい。
Ａ環、Ｂ環およびＣ環がそれぞれ独立にベンゼン環またはナフタレン環であることをがより好ましく、Ａ環、Ｂ環およびＣ環が全てベンゼン環であることがさらに好ましい。
【００１６】
前記式（１）で示される構造は、共役高分子化合物中の主鎖中に１分子含む場合、繰り返し単位として含む場合、側鎖中に含む場合がある。耐熱性や溶解性、発光特性、輝度半減寿命等の素子特性の観点からは、共役高分子化合物中に繰り返し単位として含まれることが好ましい。
【００１７】
本発明の共役高分子化合物としては、前記式（１）で示される構造が繰り返し単位として含まれものが挙げられる。
【００１８】
その例として下記式（２）で示される構造が挙げられる。


〔式中、Ｂ’環およびＣ’環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環を表し、Ａ’環は置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表す。２つの結合手はそれぞれＢ’環およびＣ’環上に存在する。Ｚ₁〜Ｚ₃はそれぞれ前記と同じ意味を表す。〕
【００１９】
他の例として、下記式（３）で示される構造があげられる。


〔式中、Ａ''環およびＣ''環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環を表し、Ｂ''環は置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表す。２つの結合手はそれぞれＡ''環およびＣ''環上に存在する。Ｚ₁〜Ｚ₃はそれぞれ前記と同じ意味を表す。〕
式（２）、（３）における置換基を有していてもよい芳香族環、置換基を有していてもよい非芳香族環の定義、具体例等は、上記式（１）におけるそれらについての定義、具体例と同様である。
【００２０】
本発明の共役高分子化合物が前記式（２）および/または（３）で示される構造を繰り返し単位として含む場合、本発明の共役高分子化合物が有するこれらの繰り返し単位の量は全繰り返し単位の合計の通常１モル％以上１００モル％以下であり、２０モル％以上であることが好ましく、５０モル％以上１００モル％以下であることがさらに好ましい。
【００２１】
前記式（２）、（３）で示される構造においてＺ2、Ｚ3が炭素以外である時の具体例としては、以下の式（１V−１）〜（１V−９）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。

【００２２】
前記式（２）、（３）で示される構造においてＺ1が炭素である具体例としては、以下の式（１A−１）〜（１Ｊ−１２）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。
【００２３】

【００２４】

【００２５】

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【００３０】





【００３１】

【００３２】


【００３３】
前記式（２）、（３）で示される構造においてB環の置換基とC環の置換基が互いに結合し、環を形成する時の具体例としては、以下のもの（１Ｋ−１）〜（１Ｋ−3）、（１Ｌ−１）〜（１Ｌ−3）、以下のものに置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。
【００３４】

〔式中、RwおよびRxの定義は前記と同じ。Rw’およびRx’はRw、Rxと同様の置換基を表す。〕
【００３５】

〔式中、Rw、Rx、Rw’およびRx’の定義は前記と同じ。Rw’’およびRx’’はRw、Rxと同様の置換基を表す。〕
【００３６】
前記式（２）、（３）で示される構造においてZ1が珪素のものとしては、以下の式（１M−１）〜（１M−５）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。

【００３７】
前記式（２）、（３）で示される構造においてZ1が窒素のものとしては、以下の式（１N−１）〜（１N−５）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。

【００３８】
前記式（２）、（３）で示される構造においてZ1が酸素のものとしては、以下の式（１O−１）〜（１O−５）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。


【００３９】
前記式（２）、（３）で示される構造においてZ1がホウ素のものとしては、以下の式（１P−１）〜（１P−５）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。

【００４０】
前記式（２）、（３）で示される構造においてZ1が炭素のものとしては、以下の式（１Q−１）〜（１Q−５）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。



【００４１】
前記式（２）、（３）で示される構造においてZ1が炭素でありB’環、Ｂ’’環が５員環のものとしては、以下の式（１R−１）〜（１R−８）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。


【００４２】
前記式（２）、（３）で示される構造においてZ1が炭素でありB’環、Ｂ’’環がチオフェン環のものとしては、以下の式（１S−１）〜（１S−3）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。


【００４３】
前記式（２）、（３）で示される構造においてZ1が炭素でありB’環、Ｂ’’環がフラン環のものとしては、以下の式（１T−１）〜（１T−3）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。


【００４４】
その他、前記式（２）、（３）で示される構造においてZ1が炭素のものとしては、以下の式（１U−１）〜（１U−3）、およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環におけるそれぞれの結合手は任意の位置をとり得ることを表す。



【００４５】
化合物の安定性の観点から、前記式(１)、（２）、（３）で示される構造においてＺ1〜Ｚ3は全て炭素原子であることが好ましい。
【００４６】
上記式（1）で示される構造において、耐熱性、蛍光強度等の観点から、Ａ環、Ｂ環およびＣ環はすべて芳香族炭化水素環であることが好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環およびアントラセン環から選ばれることがより好ましく、Ａ環、Ｂ環およびＣ環が全てベンゼン環であることがさらに最も好ましい。
【００４７】
上記式（２）、（３）で示される構造において、より好ましくは、Ａ’環、Ｂ'環、Ｃ'環、Ａ''環、Ｂ''環、Ｃ''環がともにベンゼン環からなる共役高分子化合物であり、さらに好ましくは、電子注入性の観点から２つの結合手がそれぞれＢ環およびＣ環上に一つずつ存在するものあるいはＡ環およびＣ環上に一つずつ存在するものが好ましい。
【００４８】
中でも、下記式（６）、（７）で示される繰り返し単位を含む共役高分子化合物が好ましい。


（６） （７）

〔式中、Ｒ_p1、Ｒ_q1、Ｒ_p2、Ｒ_q2、Ｒ_w1、Ｒ_x1、Ｒ_w2およびＲ_x2はそれぞれ独立に置換基を表す。ａおよびｃは０〜５の整数を表し、ｂおよびｄは０〜３の整数を表す。Ｒ_p1とＲ_q1、Ｒ_p2とＲ_q2、Ｒ_w1とＲ_x1およびＲ_w2とＲ_x2はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。〕
式（６）、（７）の中で、Ｒ_w1とＲ_x1の少なくとも１つ、およびＲ_w2とＲ_x2の少なくとも１つの炭素数が２以上であるものが好ましい。
【００４９】
上記式（６）、（７）において、Ｒ_p1、Ｒ_q1、Ｒ_p2、Ｒ_q2、Ｒ_w1、Ｒ_x1、Ｒ_w2およびＲ_x2としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、ニトロ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基が好ましく、アリール基およびアリールアルキル基がさらに好ましい。アリール基として、より具体的には、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等の炭素数が通常６〜６０程度のアリール基等が例示される。
アリールアルキル基としては、より具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基など炭素数が通常７〜６０程度であり、好ましくは炭素数が７〜４８程度のアリールアルキル基が例示される。
【００５０】
合成の簡便さから上記式(６)で示される繰り返し単位を含む共役高分子化合物が好ましい。
【００５１】
式（１）における芳香族環、非芳香族環、あるいはＺ₁が置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。
【００５２】
アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００５３】
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００５４】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００５５】
アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。
【００５６】
アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１,３,５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。
【００５７】
アリールチオ基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【００５８】
アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。
【００５９】
アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。
【００６０】
アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基が好ましい。
【００６１】
アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。
【００６２】
アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。
【００６３】
置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基があげられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基などが例示される。
【００６４】
置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基があげられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
【００６５】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。
【００６６】
アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。
【００６７】
アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。
【００６８】
イミン残基としては、イミン化合物（分子内に、−Ｎ＝Ｃ-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子１個を除いた残基があげられ、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。

【００６９】
アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、などが例示される。
【００７０】
酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される。

【００７１】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素、珪素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。
【００７２】
置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基があげられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
【００７３】
本発明の共役高分子化合物は電子注入性の観点から、Rw、Rx、Rw1、Rx1、Rw2、Rx2ががそれぞれ独立にアリール基またはアリールアルキル基である場合が好ましく、RwとRxが同一のアリール基である場合、Ｒ_w1とＲ_x1が同一のアリール基である場合、Ｒ_w2とＲ_x2が同一のアリール基である場合がより好ましい。
ここでアリール基およびアリールアルキル基の定義および具体例は、前述と同様である。
アリール基としては電子の注入性、溶解性、素子特性等の観点から、フェニル基、２-メチルフェニル基、３-メチルフェニル基、４-メチルフェニル基、2,6-ジメチルフェニル基、3,5-ジメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、2-エチルフェニル基、3-エチルフェニル基、4-エチルフェニル基、2,6-ジエチルフェニル基、3,5-ジエチルフェニル基、2-プロピルフェニル基、3-プロピルフェニル基、4-プロピルフェニル基、2,6-ジプロピルフェニル基、3,5-ジプロピルフェニル基、2,4,6−トリプロピルフェニル基、２-イソプロピルフェニル基、３-イソプロピルフェニル基、4-イソプロピルフェニル基、2,6-ジイソプロピルフェニル基、3,5-ジイソプロピルフェニル基、2,4,6−トリイソプロピルフェニル基、２-ブチルフェニル基、３-ブチルフェニル基、4-ブチルフェニル基、2,6-ブチルフェニル基、3,5-ブチルフェニル基、2,4,6−ブチルフェニル基、２-t-ブチルフェニル基、３-t-ブチルフェニル基、4-t-ブチルフェニル基、2,6-ジ-t-ブチルフェニル基、3,5-ジ-t-ブチルフェニル基、2,4,6−トリ-t-ブチルフェニル基などがあげられ、好ましくは炭素数が６〜２０程度であり、フェニル基がさらに好ましい。
【００７４】
化合物の溶解性の観点から、上記式（２）で示される繰り返し単位の具体的な構造としては下記式（２A−１）〜（２A−３）が例示される。


（２A−１） （２A−２） （２A−３）
【００７５】
化合物の溶解性の観点から、上記式（３）で示される繰り返し単位の具体的な構造としては下記式（３A−１）〜（３A−３）が例示される。


（３A−１） （３A−２） （３A−３）
【００７６】
電子注入性に優れる上記式（６）で示される繰り返し単位の具体的な構造として、Ｒ_w1、Ｒ_x1がそれぞれ同一のアリール基を有するものが挙げられ、下記式（２B−１）〜（２B−４）が例示される



（２B−１） （２B−２） （２B−３） （２B−４）
。
【００７７】
電子注入性に優れる上記式（７）で示される繰り返し単位の具体的な構造として、Ｒ_w1、Ｒ_x1がそれぞれ同一のアリール基を有するものが挙げられ、下記式（３B−１）〜（３B−４）が例示される。


（３B−１） （３B−２） （３B−３） （３B−４）
【００７８】
上記式（２）で示される繰り返し単位の具体例として、Ｒ_wとＲ_xとが互いに結合して環を形成しているものとしては、下記式（２C−１）〜（２C−４）が例示される。


（２C−１） （２C−２） （２C−３） （２C−４）
【００７９】
上記式（３）で示される繰り返し単位の具体例として、Ｒ_wとＲ_xとが互いに結合して環を形成しているものとしては、下記式（３C−１）〜（３C−４）が例示される。


（３C−１） （３C−２） （３C−３） （３C−４）
【００８０】
上記式（２）で示される繰り返し単位として、Ｂ'環とＣ'環の置換基が互いに結合し、環を形成している場合の具体例として、下記式（２D−１）〜（２D−４）で示される構造が例示される。


（２D−１） （２D−２） （２D−３） （２D−４）

【００８１】
上記式（３）で示される繰り返し単位として、Ｂ''環とＣ''環の置換基が互いに結合し、環を形成している場合の具体例として、下記式（３D−１）〜（３D−４）で示される構造が例示される。

（３D−１） （３D−２） （３D−３） （３D−３）
【００８２】
上記式（６）で示される繰り返し単位のうち、Ｒｗ１、Ｒ１ｘが、脂肪族炭化水素環、非芳香族複素環等の非芳香族環である場合の具体例としては以下のものがあげられる。

【００８３】
上記式（７）で示される繰り返し単位のうち、Ｒｗ１、Ｒ１ｘが、脂肪族炭化水素環、非芳香族複素環等の非芳香族環である場合の具体例としては以下のものがあげられる。

【００８４】
化合物の耐熱性の観点から、Ｒ_w1とＲ_x1の少なくとも１つ、あるいはＲ_w2とＲ_x2の少なくとも１つが、炭素数が２以上の置換基である事が好ましく、４〜１２であることがより好ましい。
【００８５】
前記式（１）の他の好ましい構造として、下記式（４）で示される構造があげられる。


〔式中、Ａ'''環およびＢ'''環は、置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表し、Ａ'''環およびＢ'''環の少なくとも一方は置換基を有していてもよい芳香族環である。また、Ｃ'''環は置換基を有していてもよい芳香族環を表す。結合手はＡ'''環、Ｂ'''環またはＣ'''環上に存在する。Ｚ₁〜Ｚ₃はそれぞれ前記と同じ意味を表す。〕
式（４）における置換基を有していてもよい芳香族環、置換基を有していてもよい非芳香族環の定義、具体例等は、上記式（1）におけるそれらについての定義、具体例と同様である。
【００８６】
上記式（４）で示される構造は、共役高分子化合物の側鎖または末端に存在する。これらの場合、共役高分子化合物の繰り返し単位に前記式（２）または（３）で示される構造を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。
【００８７】
前記式（４）で示される構造の具体例としては、前述の構造（１A−１）〜（１U−３）および前述の構造に置換基を有する構造から結合手を１個削除した構造が挙げられる。
【００８８】
他の前記式（１）の好ましい構造として、下記式（５）で示される構造があげられる。


〔式中、Ａ''''環およびＢ''''環は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表し、Ａ環およびＢ環の少なくとも一方は置換基を有していてもよい芳香族環である。また、Ｃ''''環は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。３つの結合手はそれぞれＡ''''環、Ｂ''''環またはＣ''''環上のいずれかに存在し、Ｚ₁〜Ｚ₃は前記と同じ意味を表す。〕
またＡ''''環、Ｂ''''環またはＣ''''環のいずれか一つの環が結合手を複数個有していても良い。
式（５）における置換基を有していてもよい芳香族環、置換基を有していてもよい非芳香族環の定義、具体例等は、上記式（1）におけるそれらについての定義、具体例と同様である。
【００８９】
前記式（５）で示される構造を含む場合、共役高分子化合物は通常は分岐構造をとる。前記式（５）を繰り返し単位として含む場合、溶解性等の観点から、前記式（５）で示される繰り返し単位が全繰り返し単位の１０モル％以下であることが好ましく、１モル％以下であることがより好ましい。
【００９０】
前記式（５）で示される構造の具体例としては、前述の構造（１A−１）〜（１U−３）のＡ環またはＢ環もしくはＣ環のいずれかに結合手を１個加えた構造が挙げられる。
【００９１】
本発明の共役高分子化合物は、発光特性の観点から、上記式（１）以外の構造を少なくとも１つ含むことが好ましい。
【００９２】
さらに（１）以外の構造を有する繰り返し単位を１種類以上含むことが好ましい。
上記式（１）以外の構造を有する繰り返し単位としては、下記式（８）〜（１１）で示される繰り返し単位が挙げられる。

〔式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃およびＡｒ₄はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｘ₁、Ｘ₂およびＸ₃はそれぞれ独立に−ＣＲ₉＝ＣＲ₁₀−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ₁₁）−、または−（ＳｉＲ₁₂Ｒ₁₃）_m−を示す。Ｒ₉およびＲ₁₀は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂およびＲ₁₃は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基または置換アミノ基を含む基を示す。ｆｆは１または２を示す。ｍは１〜１２の整数を示す。Ｒ₉、Ｒ₁₀、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂およびＲ₁₃がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００９３】
ここでアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。
アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００程度である。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下式１〜３）、ナフタレンジイル基（下式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下式２０〜２５）、フルオレン−ジイル基（下式３６〜３８）、ターフェニル−ジイル基（下式２６〜２８）、縮合環化合物基（下式２９〜３５）、スチルベン−ジイル（下式Ａ〜Ｄ）， ジスチルベン−ジイル （下式Ｅ，Ｆ）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
【００９４】







【００９５】


【００９６】


【００９７】

【００９８】

【００９９】
また、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃およびＡｒ₄における２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。２価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。
２価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常３〜６０程度である。また、２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００程度である。
【０１００】
２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；ピリジンージイル基（下式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下式４５〜４８）、キノリンジイル基（下式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下式７６〜７８）、など。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下式７９〜９３）。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、セレンなどを含む５員環縮合複素基：（下式９９〜１１０）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下式１１１〜１１２）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下式１１３〜１１９）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基：（下式１２０〜１２５）が挙げられる。
【０１０１】





【０１０２】


【０１０３】






【０１０４】

【０１０５】

【０１０６】

【０１０７】




【０１０８】

【０１０９】



【０１１０】
また、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃およびＡｒ₄における金属錯体構造を有する２価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を２個除いた残りの２価の基である。
該有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度であり、その例としては、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。
金属錯体構造を有する２価の基としては、具体的には、以下の（１２６〜１３２）が例示される。
【０１１１】













【０１１２】
上記の式１〜１３２において、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を示す。また、式１〜１３２の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
ここに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例、好ましい例は、前記芳香族炭化水素環が置換基を有する場合におけるそれらと同様である。
【０１１３】
溶解性、素子特性等の観点から、前記式（８）としては、下記式（１２）で示される繰り返し単位が好ましい。


〔式中、E1環およびF1環はそれぞれ独立にベンゼン環またはナフタレン環であることがより好ましく、E1環およびF1環が全てベンゼン環であることがさらに好ましい。２つの結合手はそれぞれＥ１環またはＦ１環上に存在する。Ｚ₄は−Ｃ（Ｒa）（Ｒ_b）−、＞Ｃ＝Ｃ（Ｒ_a）（Ｒ_b）、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ_a）−、−Si（Ｒ_a）（Ｒ_b）−、−Ｐ（＝Ｏ）(Ｒ_a)−、−Ｐ（Ｒ_a）−、−Ｂ（Ｒ_a）−、−Ｃ（Ｒ_a）（Ｒ_b）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ_a）＝Ｎ−または−Ｓｅ−を表す。また、（Ｒ_a）、（Ｒ_b）はそれぞれ独立に置換基を表す。〕
【０１１４】
前記式（１２）で示される繰り返し単位においてZ4が炭素である具体的な構造としては、下記構造（１２−１〜１２−７３）および下記構造に置換基を有する構造が例示される。Ｅ１環およびＦ１環が有する置換基の種類としては、前述のＡ環〜Ｃ環が有する置換基と同様の基が例示される。
【０１１５】

【０１１６】

【０１１７】

【０１１８】

【０１１９】




【０１２０】


【０１２１】

【０１２２】


【０１２３】
上記式中Ｒa、Ｒb、およびＲ₆〜Ｒ₇はそれぞれ独立に置換基を表す。置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、ニトロ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基などがあげられる。
【０１２４】
前記式（１２）で示される繰り返し単位においてZ4が炭素以外の原子である具体的な構造としては、下記構造（１２−７４〜１２−８５）および下記構造に置換基を有する構造が例示される。置換基の種類としては、前述のE環およびF環が有する置換基と同様の基が例示される。
【０１２５】

〔上記式中Ｒw3、Ｒx3はそれぞれ独立に置換基を表す。置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、ニトロ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基などがあげられる〕
【０１２６】
前記式（８）で示される繰り返し単位としては、下記式（１３）〜（１９）で示される繰り返し単位が好ましい。


〔式中、Ｒ₁₄は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｎは０〜４の整数を示す。Ｒ₁₄が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ₁₅およびＲ₁₆は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｏおよびｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ₁₅およびＲ₁₆がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕


〔式中、Ｒ₁₇およびＲ₂₀は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ₁₈およびＲ₁₉は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ₁₇およびＲ₂₀が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕


〔式中、Ｒ₂₁は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。sは０〜２の整数を示す。Ａｒ₁₃およびＡｒ₁₄はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。ｓｓおよびｔｔはそれぞれ独立に０または１を示す。
Ｘ₄は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、Ｓｅ，またはＴｅを示す。Ｒ₂₁が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕


〔式中、Ｒ₃₄は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。ｈは０〜４の整数を表す。Ｒ₃₄が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕


〔式中、Ｒ₂₂およびＲ₂₅は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。tおよびuはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｘ₅は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ₂、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ₂₄、またはＳｉＲ₂₅Ｒ₂₆を示す。Ｘ₆およびＸ₇は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ₂₇を示す。Ｒ₂₄、Ｒ_25、Ｒ₂₆およびＲ₂₇はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を示す。Ｒ₂₂、Ｒ₂₃およびＲ₂₇が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
式（１８）で示される繰り返し単位の中央の５員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどが挙げられる。
【０１２７】



〔式中、Ｒ₂₈およびＲ₃₃は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。vおよびwはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ₂₉、Ｒ₃₀、Ｒ₃₁およびＲ₃₆は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ａｒ₅はアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｒ₂₈およびＲ₃₃が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【０１２８】
また、上記式（９）で示される繰り返し単位の中で、下記式（２０）で示される繰り返し単位が、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点からも好ましい。


〔式中、Ａｒ₆、Ａｒ₇、Ａｒ₈およびＡｒ₉はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を示す。Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁およびＡｒ₁₂はそれぞれ独立にアリール基、または１価の複素環基を示す。Ａｒ₆、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁およびＡｒ₁₂は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または正の整数を示す。〕
【０１２９】
発光素子の安定性の観点や合成の行いやすさから、前記式（２０）で示される繰り返し単位を１種類以上３種類以下含むことが好ましく、１種類または２種類含むことがより好ましい。さらに好ましくは、式（２０）で示される繰り返し単位を１種類含む場合である。
【０１３０】
本発明の共役高分子化合物の中で、繰り返し単位として前記式（２０）で示される繰り返し単位を２種類有する場合、発光波長を調節する観点、素子特性等の観点から、ｘ＝ｙ＝０で示される繰り返し単位とｘ＝１かつｙ＝０で示される繰り返し単位の組み合わせ、あるいはｘ＝１かつｙ＝０で示される繰り返し単位２種の組み合わせから選ばれる場合が好ましい。
【０１３１】
本発明において前記式（２）または（３）で示される繰り返し単位と前記式（９）で示される繰り返し単位を含む場合、そのモル比は９８：２〜６０：４０であることが好ましい。
蛍光強度、素子特性等の観点からは、前記式（９）で示される繰り返し単位が前記式（２）または（３）で示される繰り返し単位と前記式（２０）で示される繰り返し単位の合計に対して３０モル％以下であることがより好ましい。本発明の共役高分子化合物を１種類のみ用いてＥＬ用素子を作製する場合、素子特性等の観点から、前記式（２）または（３）で示される繰り返し単位と前記式（２０）で示される繰り返し単位の比率は、好ましくは９５：５〜７０：３０である。
【０１３２】
本発明において前記式（２）または（３）で示される繰り返し単位と前記式（８）、（１０）、（１１）で示される繰り返し単位を含む場合、そのモル比は９０：１０〜１０：９０であることが好ましい。
本発明において前記式（２）または（３）で示される繰り返し単位と前記式（８）〜（１１）（ただし、前記式（８）が前記式（８）、（１０）、（１１）である場合および前記式（９）が前記式（２０）である場合は除く）で示される繰り返し単位を含む場合、そのモル比は９９：１〜６０：４０であることが好ましく、９９：１〜７０：３０であることがより好ましい。
【０１３３】
上記式（９）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下の（式１３３〜１４０）で示されるものが挙げられる。






【０１３４】

【０１３５】


【０１３６】
上記式においてＲは、前記式１〜１３２のそれと同じである。有機溶媒への溶解性を高めるためには、水素原子以外を１つ以上有していることが好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。
【０１３７】
上記式においてＲがアルキルを含む置換基においては、共役高分子化合物の有機溶媒への溶解性を高めるために、１つ以上に環状または分岐のあるアルキルが含まれることが好ましい。さらに、上記式においてＲがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。上記式１３３〜１４０で示される構造のうち、発光波長を調節する観点から、上記式１３４および上記式１３７で示される構造が好ましい。
【０１３８】
上記式（２０）で示される繰り返し単位において、発光波長を調節する観点、素子特性等の観点から、Ａｒ₆、Ａｒ₇、Ａｒ₈およびＡｒ₉がそれぞれ独立にアリーレン基であり、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁およびＡｒ₁₂がそれぞれ独立にアリール基を示すものが好ましい。
【０１３９】
Ａｒ₆、Ａｒ₇、Ａｒ₈としては、それぞれ独立に、無置換のフェニレン基、無置換のビフェニル基、無置換のナフチレン基、無置換のアントラセンジイル基である場合が好ましい。
【０１４０】
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁およびＡｒ₁₂としては_、有機溶媒への溶解性、素子特性等の観点から、それぞれ独立に、３つ以上の置換基を有するアリール基であるものが好ましく、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁およびＡｒ₁₂が置換基を３つ以上有するフェニル基、３つ以上の置換基を有するナフチル基または３つ以上の置換基を有するアントラニル基であるものがより好ましく、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁およびＡｒ₁₂が置換基を３つ以上有するフェニル基であるものがさらに好ましい。
【０１４１】
中でも、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁およびＡｒ₁₂が、それぞれ独立に下記式（３５）であり、かつｘ＋ｙ≦３であるものが好ましく、ｘ＋ｙ＝１であるものがより好ましく、さらに好ましくはｘ＝１、ｙ＝０の場合である。


〔式中、Ｒe、ＲfおよびＲgは、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表す。Ｒe、ＲfおよびＲgに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。〕
【０１４２】
より好ましくは上記式（３５）において、ＲeおよびＲfがそれぞれ独立に、炭素数３以下のアルキル基、炭素数３以下のアルコキシ基、炭素数３以下のアルキルチオ基であり、かつＲgが炭素数３〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアルキルチオ基であるものが挙げられる。
【０１４３】
前記式（２０）で示される繰り返し単位において、Ａｒ₇が下記式（３６−１）または（３６−２）であることが好ましい。



〔ここで、(３６−１)、(３６−２)で示される構造に含まれるベンゼン環は、それぞれ独立に１個以上４個以下の置換基を有していてもよい。それら置換基は、互いに同一であっても、異なっていても良い。また、複数の置換基が連結して環を形成していても良い。さらに、該ベンゼン環に隣接して他の芳香族炭化水素環または複素環が結合していても良い。〕
【０１４４】
前記式（２０）で示される繰り返し単位として、特に好ましい具体例としては、以下の（式１４１〜１４２）で示されるものが挙げられる。


【０１４５】
前記式（２）または（３）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含む共役高分子化合物としては、蛍光特性や素子特性等の観点から、前記式（６）、（７）で示される繰り返し単位から選ばれる１種以上の繰り返し単位と前記式（１２）、（１４）〜（２０）で示される繰り返し単位の１種以上とからなるものが好ましく、式１３３、１３４および１３７、１３８で示される繰り返し単位のいずれか１種類と式（６）または（７）で示される繰り返し単位とからなるものがより好ましく、式１３４および式１３７で示される繰り返し単位のいずれか１種類と式（６）または（７）で示される繰り返し単位とからなるものがさらに好ましい。
【０１４６】
本発明の共役高分子化合物の中では、その主鎖を構成する芳香環同士の間の全ての結合が、実質的に、直接結合しているかまたは、-O-、-N（R）-（Rは置換基を表す）、-S-、-CR=CR-もしくは-C≡C-を介して結合しているものが好ましい。
【０１４７】
本発明の共役高分子化合物は、蛍光特性や素子特性等の観点から、前記式（６）、（７）で示される繰り返し単位から選ばれる１種以上の繰り返し単位と前記式（１２）、（１４）〜（２０）で示される繰り返し単位の１種以上とからなるものが好ましく、式１３３、１３４、１３７および１３８で示される繰り返し単位のいずれか１種類と式（６）または（７）で示される繰り返し単位とからなるものがより好ましく、式１３４および式１３７で示される繰り返し単位のいずれか１種類と式（６）または（７）で示される繰り返し単位とからなるものがさらに好ましい。
【０１４８】
次に本発明の共役高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明の共役高分子化合物の中で、式（２）〜（３）で示される構造を繰り返し単位を有する共役高分子化合物は、例えば、式（２７）で示される化合物を原料の一つとして用いて重合させることにより製造することができる。


〔式中Ａ環、Ｂ環、Ｃ環およびＺ₁〜Ｚ₃については前述のとおり。Ｙ_tおよびＹ_uはそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を表す。ｅ、ｆは０以上の整数値を示し、ｅ＋ｆ≧１かつｅ≦2、ｆ≦1である。〕
【０１４９】
前記式（２７）で示される化合物の中では、重合度のあがりやすさおよび重合の制御の行いやすさの観点から、下記式（３８）、（３９）で示される化合物を用いて重合することが好ましい。

（３８） （３９）
〔式中、Ａ環、Ｂ環およびＣ環は前述と同様である。Ｙ_t、Ｙ_Uはそれぞれ独立に置換基を表し、Ｙ_tはＡ環またはＢ環と、Ｙ_uはＣ環と結合している。〕
【０１５０】
式（６）、（７）で示される繰り返し単位を有する共役高分子化合物の原料としては、下記式（２８）、（２９）で示される化合物があげられる。

（２８） （２９）
〔式中、Ｒ_w1、Ｒ_x1、Ｒ_w2、Ｒ_x2はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基またはシアノ基を表し、ａおよびｃは０〜５の整数を表し、ｂおよびｄは０〜３の整数を表し、Ｒ_p1、Ｒ_q1、Ｒ_p2、Ｒ_q2がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｙ_t1、Ｙ_u1、Ｙ_t2、Ｙ_u2はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を表す。〕で示される化合物を原料の一つとして用いて重合させることにより製造することができる。
【０１５１】
合成の簡便さから上記式(２９)で示される繰り返し単位を含む共役高分子化合物が好ましい。
【０１５２】
Ｒ_w1、Ｒ_x1、Ｒ_w2、Ｒ_x2およびＲ_p1、Ｒ_q1、Ｒ_p2、Ｒ_q2におけるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例は、前記（１）式のＡ環およびＢ環が置換基を有する場合の置換基におけるそれらの定義、具体例と同様である。
【０１５３】
Ｙ_t、Ｙ_u、Ｙ_t1、Ｙ_u1、Ｙ_t2およびＹ_u2において重合に関与しうる置換基がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基から選ばれる場合、合成が容易な点や種々の重合反応の原料として用いることができる点から好ましい。
【０１５４】
また（２８）においてＹ_t1、Ｙ_u1が臭素原子である場合、合成が容易な点、官能基変換が容易な点および種々の重合反応の原料として用いることができる点から好ましい。
【０１５５】
また（２９）においてＹ_t2、Ｙ_u2が臭素原子である場合、合成が容易な点、官能基変換が容易な点および種々の重合反応の原料として用いることができる点から好ましい。
【０１５６】
また（２８）において耐熱性を向上させる観点から、ａ＝ｂ＝０であることが好ましい。
【０１５７】
また（２９）において耐熱性を向上させる観点から、ｃ＝ｄ＝０であることが好ましい。

【０１５８】
また、主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある共役高分子化合物やデンドリマーを製造する場合は、下記式（４０）で示される化合物を原料の一つとして用いて重合させることにより製造することができる。




（４０）

〔式中、Ｙ_t、Ｙ_u、Y_vはそれぞれ縮合重合に関与する置換基を表す。ｅ、ｆは０又は正の整数を表す。〕で示される化合物を原料の一つとして用いて重合させることにより製造することができる。
【０１５９】
式（４０）で示される原料としては、好ましくは、下記式（４１）、（４２）で示される




（４１）
化合物が挙げられる。
〔式中、Ｒ_w1、Ｒ_x1、Ｒ_p1、Ｒ_q1、Ｙ_t1、Ｙ_u1、Ｙ_v1はそれぞれ置換基を表し、ａ’は０〜４の整数を表し、ｂ’は０〜３の整数を表しす。Ｒ_p1、Ｒ_q1がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【０１６０】
式（４０）で示される原料としては、好ましくは、下記式（４２）で示される



（４２）

化合物が挙げられる。
〔式中、Ｒ_w2、Ｒ_x2、Ｒ_p2、Ｒ_q2、Ｙ_t2、Ｙ_u2、およびＹ_v2はそれぞれ置換基を表し、ｃ’は０〜４の整数を表し、ｄ’は０〜３の整数を表しす。Ｒ_p2、Ｒ_q2がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【０１６１】
また（４１）において耐熱性を向上させる観点から、ａ’＝ｂ’＝０であることが好ましい。
【０１６２】
また（４２）において耐熱性を向上させる観点から、ｃ’＝ｄ’＝０であることが好ましい。
【０１６３】
本発明の共役高分子化合物の製造において、原料であるモノマー中に前記式（４０）あるいは（４１）、（４２）で示される化合物が含まれた場合のほうが高い分子量の共役高分子化合物が得られる。この場合の前記式（４０）あるいは（４１）、（４２）で示される化合物は、前記式（２８）で示される化合物を１００モル％とした場合、好ましくは１０モル％以下の範囲で原料であるモノマー中に含み、さらに好ましくは１モル％以下の範囲で含む。
【０１６４】
また、本発明の共役高分子化合物が、式（２）または（３）以外の繰り返し単位を有する場合には、式（４１）または（４２）以外の繰り返し単位となる、２個の重合に関与する置換基を有する化合物を共存させて重合させればよい。
【０１６５】
上記式（２）または（３）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位となる、２個の重合しうる置換基を有する化合物としては、下記式（３１）〜（３４）の化合物が例示される。
上記式（４０）で示される化合物に加えて、下記式（３１）〜（３４）のいずれかで示される化合物を重合させることにより、上記式（２）または（３）で示される単位に加えて、順に（８）〜（１１）の単位を１つ以上有する共役高分子化合物を製造することができる。


〔式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃、Ａｒ₄、ｆｆ、Ｘ₁、Ｘ₂およびＸ₃は前記と同じである。Ｙ₅、Ｙ₆、Ｙ₇、Ｙ₈、Ｙ₉、Ｙ₁₀、Ｙ₁₁、およびＹ₁₂はそれぞれ独立に重合に関与する置換基を表す。〕
【０１６６】
末端を封止した共役高分子化合物は、上記式（３８）、（３９）、（２８）、（２９）、（４０）、（４１）、（４２）、上記式（３１）〜（３４）に加えて下記式（４３）、（４４）示される化合物を原料として用いて重合することにより製造することができる。

Ｅ₁−Ｙ₁₅ （４３）
Ｅ₂−Ｙ₁₆ （４４）

（Ｅ₁、Ｅ₂は１価の複素環、置換基を有するアリール基、１価の芳香族アミン基、複素環配位金属錯体から誘導される１価の基を表し、Ｙ₁₅、Ｙ₁₆はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。）
【０１６７】
また、上記式（２）または（３）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位となる、上記式（２０）に対応する２個の縮合に関与する置換基を有する化合物としては、下記式（４５）で示される化合物があげられる。

〔式中、Ａｒ₆、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂、ｘおよびｙの定義および好ましい例については前記と同じ。Ｙ₁₃およびＹ₁₄はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を示す。〕
【０１６８】
特に上記式（３８）または（３９）で表される化合物と、上記式（４５）で表される化合物とを用いて共重合することにより下記式（４６）で示される連鎖を有する共役高分子を得ることができる。

【０１６９】
本発明の製造方法において、重合に関与しうる置換基のなかで、重合に関与しうる置換基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等があげられる。
【０１７０】
ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。
【０１７１】
アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。
【０１７２】

ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。

式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を示す。
【０１７３】
スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｍｅ₂Ｘ^-、−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｐｈ₂Ｘ^-
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。）
【０１７４】
ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｐ⁺Ｐｈ₃Ｘ^- （Ｘはハロゲン原子を示す。）
【０１７５】
ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂ＰＯ（ＯＲ’）₂ （Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ’はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。）
【０１７６】
モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。
【０１７７】
縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応など０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。またＳｕｚｕｋｉカップリング反応などニッケル触媒あるいはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、-Ｂ（ＯＨ）₂などが挙げられる。
【０１７８】
本発明の製造方法は、具体的には、モノマーとなる、重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で行うことができる。例えば、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）’’，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、 “オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）’’，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。
【０１７９】
本発明の共役高分子化合物の製造方法において、縮合重合させる方法としては、原料化合物の縮合重合に関与する置換基に応じて、既知の縮合反応を用いることにより製造できる。
本発明の共役高分子化合物が縮合重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、もしくはホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
本発明の共役高分子化合物が縮合重合によって主鎖に三重結合を生成する場合には、例えば、Ｈｅｃｋ反応、Ｓｏｎｏｇａｓｈｉｒａ反応が利用できる。
【０１８０】
また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
【０１８１】
これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。中でも、分子量制御のしやすさの観点、高分子ＬＥＤの寿命、発光開始電圧、電流密度、駆動時の電圧上昇等の素子特性および耐熱性の観点からからニッケルゼロ化錯体により重合する方法が好ましい。
【０１８２】
本発明の共役高分子化合物はその繰り返し単位において、式（２）または（３）に示されるように、非対称な骨格を有しているため、共役高分子化合物に繰り返し単位の向きが存在する。これらの繰り返し単位の向きを制御する場合には、例えば、該当するモノマーの縮合重合に関与する置換基および用いる重合反応の組合せを選択して、繰り返し単位の向きを制御して重合する方法などが例示される。
【０１８３】
本発明の共役高分子化合物において、２種類以上の繰り返し単位のシーケンスを制御する場合には、目的とするシーケンスの中での繰り返し単位の一部または全部を有するオリゴマーを合成してから重合する方法、用いるそれぞれのモノマーの、縮合重合に関与する置換基および用いる重合反応を選択して、繰り返し単位のシーケンスを制御して重合する方法などが例示される。
【０１８４】
本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基がハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基から選ばれ、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物あるいはハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
【０１８５】
この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、繰り返し単位の向きやシーケンスを制御した共役高分子化合物を製造する方法が挙げられる。
【０１８６】
また、本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基がハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、またはホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、ホウ酸基（−Ｂ（ＯＨ）₂）およびホウ酸エステル基のモル数の合計（Ｋ）の比が実質的に１（通常 Ｋ／Ｊ は０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物またはビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物またはジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物挙げられる。
【０１８７】
この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物を用いることにより、繰り返し単位の向きやシーケンスを制御した共役高分子化合物を製造する方法が挙げられる。
【０１８８】
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０１８９】
溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ， Ｎ‘，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類などが例示され、単一溶媒、またはこれらの混合溶媒を用いてもよい。これらの中で、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルがさらに好ましい。
【０１９０】
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１９１】
また、本発明の共役高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光またはりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【０１９２】
前記式（２）で示される構造において、2つの式（２）が隣接する場合の構造は、下記式（２１）、（２２）、（２３）のいずれかで示される構造になる。電子の注入性や輸送性の観点から、共役高分子化合物中に（２１）〜（２３）のうちの少なくとも１種類を含むことが好ましい。

【０１９３】
前記式（３）で示される構造において、2つの式（３）が隣接する場合の構造は、下記式（２４）、（２５）、（２６）のいずれかで示される構造になる。電子の注入性や輸送性の観点から、共役高分子化合物中に（２４）〜（２６）のうちの少なくとも１種類を含むことが好ましい。

【０１９４】
発光素子等を作成するための様々なプロセスに耐えうる為には、共役高分子化合物のガラス転移温度は１００℃程度以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましく、１５０℃以上であることがさらに好ましい。
【０１９５】
本発明の共役高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は通常１０³〜１０⁸程度であり、好ましくは１０⁴〜１０⁶である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は通常１０³〜１０⁸程度であり、成膜性の観点および素子にした場合の効率の観点から、好ましくは５×１０⁴以上であり、１０⁵以上がさらに好ましい。また、溶解性の観点からは、１０⁵〜５×１０⁶であることが好ましい。好ましい範囲の共役高分子化合物は、単独で素子に用いた場合でも２種類以上を混合して素子に用いた場合でも高効率になる。また、同じく共役高分子化合物の成膜性を向上させる観点から、分散度（重量平均分子量／数平均分子量）が１．５以上であることが好ましい。
【０１９６】
また本発明の共役高分子化合物は、主鎖に分岐構造を有していてもよいが、分岐構造としては、前記式（５）で示される構造を含む場合があげられるが、結合手がB環に１個以上含まれかつC環に１個以上含まれる場合が好ましい。
【０１９７】
分岐構造として、下記式（３７）である場合がさらに好ましい。

〔式中、Ｒ_p1、Ｒ_q1、R_w1およびR_x1は前記と同様の意味を表す。ａは０〜４の整数値を表し、ｂは０〜３の整数値を表す。〕
【０１９８】
また、本発明の共役高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていることが好ましい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【０１９９】
本発明の共役高分子化合物においてはその分子鎖末端の少なくとも一方が、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、複素環配位金属錯体から誘導される１価の基または式量９０以上のアリール基から選ばれる芳香族末端基を有することが好ましい。この芳香族末端基は１種類でも２種類以上であってもよい。芳香族末端基以外の末端基は、蛍光特性や素子特性の観点から、全末端の３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましく、実質的に存在しないことがより好ましい。ここで、分子鎖末端とは、本発明の製造方法により共役高分子化合物の末端に存在する芳香族末端基、重合に用いた単量体の脱離基であって重合時に脱離しないで共役高分子化合物の末端に存在する脱離基、共役高分子化合物の末端に存在する単量体において重合体の脱離基が外れたものの芳香族末端基が結合しないでかわりに結合したプロトンを言う。これらの分子鎖末端のうち、重合に用いた単量体の脱離基であって重合時に脱離しないで共役高分子化合物の末端に存在する脱離基、例えば、原料としてハロゲン原子を有する単量体を用いて本発明の共役高分子化合物を製造する場合等には、ハロゲンが共役高分子化合物末端に残っていると蛍光特性等が低下する傾向があるため、末端には単量体の脱離基が実質的に残っていないことが好ましい。
【０２００】
本発明の共役高分子化合物においてはその分子鎖末端の少なくとも一方を、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、複素環配位金属錯体から誘導される１価の基または式量９０以上のアリール基から選ばれる芳香族末端基で封止することにより、共役高分子化合物にさまざまな特性を付加することが期待される。具体的には、素子の輝度低下に要する時間を長くする効果、電荷注入性、電荷輸送性、発光特性等を高める効果、共重合体間の相溶性や相互作用を高める効果、アンカー的な効果等などがあげられる。
【０２０１】
１価の複素環基としては、前記載の基があげられるが、具体的には下記構造が例示される。

【０２０２】

【０２０３】

【０２０４】

【０２０５】

【０２０６】

【０２０７】

【０２０８】

【０２０９】
１価の芳香族アミン基としては、前記式（２０）の構造において２個有する結合手のうちの１つをＲで封止した構造が例示される。
【０２１０】
複素環配位金属錯体から誘導される１価の基としては、前述の金属錯体構造を有する２価の基において２個有する結合手のうちの１つをＲで封止した構造が例示される。
【０２１１】
末端基のなかで、式量９０以上のアリール基としては、炭素数は通常６〜６０程度である。ここにアリール基の式量とは、アリール基を化学式で表したときに、該化学式中の各元素について、それぞれの元素の原子数に原子量を乗じたものの和をいう。
【０２１２】
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオレン構造を有する基、縮合環化合物基などあげられる。
【０２１３】
末端を封止するフェニル基としては、例えば


があげられる。
【０２１４】
末端を封止するナフチル基としては、例えば、

があげられる。
【０２１５】
アントラセニル基としては、例えば、

があげられる。
【０２１６】
フルオレン構造を含む基としては、例えば、

があげられる。
【０２１７】
縮合環化合物基としては、例えば、


があげられる。
【０２１８】
電荷注入性、電荷輸送性を高める末端基としては、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、縮合環化合物基が好ましく、１価の複素環基、縮合環化合物基がより好ましい。
【０２１９】
発光特性を高める末端基としては、ナフチル基、アントラセニル基、縮合環化合物基、複素環配位金属錯体から誘導される１価の基が好ましい。
【０２２０】
素子の輝度低下に要する時間を長くする効果がある末端基としては、置換基を有するアリール基が好ましく、アルキル基を１〜３個有するフェニル基が好ましい。
【０２２１】

共役高分子化合物間の相溶性や相互作用を高める効果がある末端基としては、置換基を有するアリール基が好ましい。また、炭素数６以上のアルキル基が置換したフェニル基を用いることによりアンカー的な効果を奏することができる。アンカー効果とは末端基がポリマーの凝集体に対してアンカー的な役割をし、相互作用を高める効果をいう。
【０２２２】
素子特性を高める基としては、下記構造が好ましい。





〔式中のＲは前述のＲが例示されるが、水素、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、炭素数６〜１８のアリール基、アリールオキシ基、炭素数４〜１４の複素環基が好ましい。〕
【０２２３】
素子特性を高める基としては、下記構造がより好ましい。

【０２２４】
本発明の共役高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。共役高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。
【０２２５】
本発明の共役高分子化合物は、蛍光強度や素子特性等の観点から、蛍光量子収率が３０％以上であることが好ましく、５０％以上がより好ましく、６０％以上がさらに好ましい。
高分子ＬＥＤ用の共役高分子化合物に望まれる特性の１つに、電子の注入性がある。電子の注入性は一般的に共役高分子化合物の最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）の値に依存しており、ＬＵＭＯの絶対値の値が大きい程、電子の注入性がよい。ＬＵＭＯの絶対値が２．５ｅＶ以上であることが好ましく、２．７ｅＶ以上であることがより好ましく、２．８ｅＶ以上であることがさらに好ましい。
【０２２６】
本発明の共役高分子化合物を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。本発明の共役高分子化合物の中では、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法により製造されたものが、高分子ＬＥＤの寿命、発光開始電圧、電流密度、駆動時の電圧上昇等の素子特性、または耐熱性等の観点から好ましい。
【０２２７】
本発明の共役高分子化合物の原料における縮合重合に関与する置換基がハロゲンのものは、例えばカップリング反応、閉環反応等を用いて（３８）、（３９）、（２８）、（２９）、（４０）、（４１）、（４２）、（３１）、（３２）、（３３）、（３４）、（４３）、（４４）、（４５）のＹ_r1、Ｙ_s1、Ｙ_r2、Ｙ_s2、Ｙ_t、Ｙ_u、Ｙ_v、Ｙ_t1、Ｙ_u1、Ｙ_v1、Ｙ_t2、Ｙ_u2、Ｙ_v2、を水素原子に置き換えた構造の化合物を合成した後に、例えば、塩素、臭素、ヨウ素、Ｎ−クロロスクシンイミド、Ｎ−ブロモスクシンイミド、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミド等の種々のハロゲン化試剤によりハロゲン化することによって得られる。
【０２２８】
本発明の共役高分子化合物の原料における縮合重合に関与する置換基としては、ハロゲンが好ましく、高分子量化の観点や反応終了後の精製の行いやすさの観点から、ハロゲンが臭素であることが好ましい。
【０２２９】
また、本発明の共役高分子化合物の原料における縮合重合に関与する置換基がアルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、またはアリールアルキルスルホネート基であるものは、例えば、それぞれ、アルコキシ基等の水酸基へ誘導可能な官能基をもつ化合物をカップリング反応、閉環反応等に供して、（３８）、（３９）、（２８）、（２９）、（４０）、（４１）、（４２）、（３１）、（３２）、（３３）、（３４）、（４３）、（４４）、（４５）の中で、Ｙ_r1、Ｙ_s1、Ｙ_r2、Ｙ_s2、Ｙ_t、Ｙ_u、Ｙ_v、Ｙ_t1、Ｙ_u1、Ｙ_v1、Ｙ_t2、Ｙ_u2、Ｙ_v2、をアルコキシ基等の水酸基へ誘導可能な官能基に置き換えた化合物を合成した後に、例えば三臭化ホウ素等により脱アルキル化試剤用いるなどの種々の反応により、Ｙ_r1、Ｙ_s1、Ｙ_r2、Ｙ_s2、Ｙ_t、Ｙ_u、Ｙ_v、Ｙ_t1、Ｙ_u1、Ｙ_v1、Ｙ_t2、Ｙ_u2、Ｙ_v2、を水酸基に置き換えた化合物を合成し、ついで、例えば、種々のスルホニルクロライド、スルホン酸無水物等により水酸基をスルホニル化することにより得られる。
【０２３０】
また、本発明の共役高分子化合物の原料における縮合重合に関与する置換基がホウ酸基、またはホウ酸エステル基であるものは、前記の方法等により、（３８）、（３９）、（２８）、（２９）、（４０）、（４１）、（４２）、（３１）、（３２）、（３３）、（３４）、（４３）、（４４）、（４５）の中で、Ｙ_r1、Ｙ_s1、Ｙ_r2、Ｙ_s2、Ｙ_t、Ｙ_u、Ｙ_v、Ｙ_t1、Ｙ_u1、Ｙ_v1、Ｙ_t2、Ｙ_u2、Ｙ_v2、をハロゲン原子に置き換えた化合物を合成した後に、アルキルリチウム、金属マグネシウム等を作用させ、さらにホウ酸トリメチルによりホウ酸化することにより、ハロゲン原子をホウ酸基に変換すること、および、ホウ酸化した後に、アルコールを作用させてホウ酸エステル化することにより得られる。また、前記の方法等により、（３８）、（３９）、（２８）、（２９）、（４０）、（４１）、（４２）、（３１）、（３２）、（３３）、（３４）、（４３）、（４４）、（４５）の中で、Ｙ_r1、Ｙ_s1、Ｙ_r2、Ｙ_s2、Ｙ_t、Ｙ_u、Ｙ_v、Ｙ_t1、Ｙ_u1、Ｙ_v1、Ｙ_t2、Ｙ_u2、Ｙ_v2、をハロゲン、トリフルオロメタンスルホネート基等に置き換えた化合物を合成し、ついで、非特許文献［Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， 1１９９５，６０，７５０８−７５１０、Ｔｅｔｒａｈｅｄｏｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９７，２８（１９），３４４７−３４５０］等に記載の方法により、ホウ酸エステル化することにより得られる。本発明の共役高分子化合物の中では、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法により製造されたものが、寿命特性の観点から好ましい。
【０２３１】
次に本発明の共役高分子化合物の用途について説明する。
本発明の共役高分子化合物は、通常は、固体状態で蛍光または燐光を発し、高分子発光体(高分子量の発光材料)として用いることができる。
また、該共役高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子ＬＥＤ用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子ＬＥＤは低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子ＬＥＤである。従って、該高分子ＬＥＤは液晶ディスプレイのバックライト、または照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
また、本発明の共役高分子化合物はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることができる。
さらに、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。
【０２３２】
次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の共役高分子化合物を含むことを特徴とする。
有機層（有機物を含む層）は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。
【０２３３】
ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
【０２３４】
有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料または発光性材料を含んでいてもよい。ここで、発光性材料とは、蛍光および／または燐光を示す材料のことをさす。
本発明の共役高分子化合物と正孔輸送性材料と混合する場合には、その混合物全体
に対して、正孔輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子材料と電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、本発明の共役高分子化合物と発光性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の共役高分子化合物と発光性材料、正孔輸送性材料および／または電子輸送性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料はそれらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、本発明の共役高分子化合物の含有量は９９ｗｔ％〜２０ｗｔ％である。
【０２３５】
混合する正孔輸送性材料、電子輸送性材料、発光性材料は公知の低分子化合物、三重項発光錯体、または共役高分子化合物が使用できるが、共役高分子化合物を用いることが好ましい。 共役高分子化合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミンおよびその誘導体の（共）重合体が例示される。
低分子化合物の蛍光性材料としでは、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【０２３６】
三重項発光錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）₃、Ｂｔｐ₂Ｉｒ（ａｃａｃ）、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）₃ｐｈｅｎ等が挙げられる。
【０２３７】


【０２３８】

【０２３９】

【０２４０】


三重項発光錯体として具体的には、例えばＮａｔｕｒｅ，（１９９８），３９５，１５１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（１９９９），７５（１），４、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．（２００１），４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＩＶ），１１９、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（２００１），１２３，４３０４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（１９９７），７１（１８），２５９６、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９８），９４（１），１０３、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９９），９９（２），１３６１、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，（１９９９），１１（１０），８５２、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３４，１８８３（１９９５）などに記載されている。
【０２４１】
本発明の共役高分子化合物は、式（1）の構造を有することにより、耐熱性に優れ得る。
本発明の共役高分子化合物の中で、ガラス転移温度が１３０℃以上であることが好ましく、１５０℃以上であることがより好ましく、１６０℃以上であることがさらに好ましい。
【０２４２】
本発明の高分子組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の共役高分子化合物を含有し、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
その正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の共役高分子化合物の含有比率は、用途に応じて決めればよいが、発光材料の用途の場合は、上記の発光層におけると同じ含有比率が好ましい。
【０２４３】
本発明の別の実施態様としては、本発明の共役高分子化合物を２種類以上含む高分子組成物が例示される。
具体的には、前記式（２）または（３）で示される繰り返し単位を含む共役高分子化合物を２種類以上含み、該共役高分子化合物の合計量が全体の５０重量％以上である高分子組成物が、高分子ＬＥＤの発光材料として用いた場合に、発光効率、寿命特性などの点で優れており、好ましい。より好ましくは、該共役高分子化合物の合計量は全体の７０重量％以上である。
本発明の高分子組成物は、共役高分子化合物を単独で高分子ＬＥＤに用いる場合よりも、寿命等の素子特性を高めることができる。
【０２４４】
本発明の共役高分子化合物を高分子組成物として用いる場合、有機溶媒への溶解性の観点や発光効率や寿命特性等の素子特性の観点から、前記式（２）または（３）で示される繰り返し単位は、前記式（６）で示される繰り返し単位または式（７）で示される繰り返し単位から選ばれることが好ましく、式（６）で示される繰り返し単位である場合がより好ましく、式（６）においてａおよびｂが０の場合がさらに好ましい。また、前記式（２０）で示される繰り返し単位は、前記式１３４で示される繰り返し単位もしくは前記式１３７で示される繰り返し単位であることがさらに好ましい。
【０２４５】
本発明の高分子組成物のポリスチレン換算の数平均分子量は通常１０³〜１０⁸程度であり、好ましくは１０⁴〜１０⁶である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は通常１０³〜１０⁸程度であり、成膜性の観点および素子にした場合の効率の観点から、好ましくは５×１０⁴〜５×１０⁶であり、１０⁵〜５×１０⁶がさらに好ましい。ここで、高分子組成物の平均分子量とは、２種類以上の共役高分子化合物を混合して得られた組成物をＧＰＣで分析して求めた値をいう。
【０２４６】
本発明の高分子ＬＥＤが有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２４７】
発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【０２４８】
印刷法等で用いる溶液（インク組成物）としては、少なくとも１種類の本発明の共役高分子化合物が含有されていればよく、また本発明の共役高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の共役高分子化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましく、５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることがより好ましい。
【０２４９】
本発明の溶液は、発明の共役高分子化合物の他に、粘度および／または表面張力を調節するための添加剤を含有していても良い。該添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の共役高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤などを適宜組み合わせて使用すれば良い。
【０２５０】
前記の高分子量の共役高分子化合物としては、本発明の共役高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであれば良い。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、あるいは本発明の共役高分子化合物のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。重量平均分子量が５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。
貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すれば良い。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０ｗｔ％以下であることが好ましい。
【０２５１】
また、本発明の溶液は、保存安定性を改善するために、本発明の共役高分子化合物の他に、酸化防止剤を含有していても良い。酸化防止剤としては、本発明の共役高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであれば良く、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。
【０２５２】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、本発明の共役高分子化合物を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。上記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが好ましい。
【０２５３】
溶媒の種類としては、有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、テトラリン、ジシクロヘキシルケトン、シクロヘキサノン、フェニルヘキサン、デカリンが好ましく、キシレン、アニソール、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキサノン、フェニルヘキサン、デカリンのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。
【０２５４】
溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。
【０２５５】
溶液中に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が２００℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒ともに、６０℃において１ｗｔ％以上の共役高分子化合物が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の共役高分子化合物が溶解することが好ましい。
【０２５６】
溶液中に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が２００℃以上３００℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、６０℃において１ｗｔ％以上の共役高分子化合物が溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の共役高分子化合物が溶解することが好ましい。
【０２５７】
溶液中に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度および成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の４０〜９０ｗｔ％であることが好ましく、５０〜９０ｗｔ％であることがより好ましい。
【０２５８】
本発明の溶液としては、粘度および成膜性の観点から、例えばアニソールおよびビシクロヘキシルからなる溶液、アニソールおよびシクロヘキシルベンゼンからなる溶液、キシレンおよびビシクロヘキシルからなる溶液、キシレンおよびシクロヘキシルベンゼン等が挙げられる。
【０２５９】
共役高分子化合物の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメータと、共役高分子化合物の溶解度パラメータとの差が１０以下であることをが好ましく、７以下であることがより好ましい。
【０２６０】
溶媒の溶解度パラメーターと共役高分子化合物の溶解度パラメーターは、「溶剤ハンドブック（講談社刊、１９７６年）」に記載の方法で求めることができる。
【０２６１】
溶液中に含まれる本発明の共役高分子化合物は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の共役高分子化合物以外の共役高分子化合物を含んでいてもよい。
【０２６２】
本発明の溶液には、水、金属およびその塩を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。金属としては、具体的にはリチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等があげられる。また、珪素、リン、フッ素、塩素、臭素を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。
【０２６３】
本発明の溶液を用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等により薄膜を作製することができる。中でも、本発明の溶液をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法により成膜する用途に用いることが好ましく、インクジェット法で成膜する用途に用いることがより好ましい。
【０２６４】
本発明の溶液を用いて薄膜を作製する場合、溶液に含まれる共役高分子化合物のガラス転移温度が高いため、１００℃以上の温度でベークすることが可能であり、１３０℃の温度でベークしても素子特性の低下が非常に小さい。また、共役高分子化合物の種類によっては、１６０℃以上の温度でベークすることも可能である。
【０２６５】
本発明の溶液を用いて作製できる薄膜としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。
【０２６６】
本発明の発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。
【０２６７】
本発明の導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物などをドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□であることがさらに好ましい。
【０２６８】
本発明の有機半導体薄膜は、電子移動度または正孔移動度のいずれか大きいほうが、１０^-5ｃｍ²／Ｖ／秒以上であることが好ましい。より好ましくは、１０^-3ｃｍ²／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは、１０^-1ｃｍ²／Ｖ／秒以上である。
ＳｉＯ２などの絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に該有機半導体薄膜を形成し、Ａｕなどでソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。
【０２６９】
本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から陽極と陰極との間に３．５Ｖ以上の電圧を印加したときの最大外部量子収率が１％以上であることが好ましく、１．５％以上がより好ましい。
【０２７０】
また、本発明の高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤ）としては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
【０２７１】
例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０２７２】
本発明の高分子ＬＥＤとしては、本発明の共役高分子化合物が正孔輸送層および／または電子輸送層に含まれているものも含む。
本発明の共役高分子化合物が正孔輸送層に用いられる場合には、本発明の共役高分子化合物が正孔輸送性基を含む共役高分子化合物であることが好ましく、その具体例としては、芳香族アミンとの共重合体、スチルベンとの共重合体などが例示される。
また、本発明の共役高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、本発明の共役高分子化合物が電子輸送性基を含む共役高分子化合物であることが好ましく、その具体例としては、オキサジアゾールとの共重合体、トリアゾールとの共重合体、キノリンとの共重合体、キノキサリンとの共重合体、ベンゾチアジアゾールとの共重合体などが例示される。
【０２７３】
本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。
【０２７４】
具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２７５】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。
【０２７６】
また、低分子化合物の正孔輸送性材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送性材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２７７】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０２７８】
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。
【０２７９】
ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０２８０】
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。
【０２８１】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２８２】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。
【０２８３】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２８４】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２８５】
本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
【０２８６】
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２８７】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２８８】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。
【０２８９】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。
【０２９０】
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２９１】
本発明の共役高分子化合物は、高分子電界効果トランジスタとしても用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極およびドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
【０２９２】
高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板の材質としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。
【０２９３】
電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば特開平５−１１００６９号公報記載の方法により製造することができる。
【０２９４】
活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。高分子を有機溶剤に溶解した溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。
【０２９５】
高分子電界効果トランジスタを作成後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界トランジスタの特性の低下を抑えることができる。
封止する方法としては、ＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜などでカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂などで張り合わせる方法などがあげられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作成後封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中など）行うことが好ましい。
【０２９６】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２９７】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０２９８】
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【０２９９】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｍ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｐ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
【０３００】
本発明の高分子ＬＥＤとしては、前述のとおり、本発明の共役高分子化合物が正孔輸送層および／または電子輸送層に含まれているものも含む。
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、本発明の共役高分子化合物が正孔注入層および／または電子注入層に含まれているものも含む。本発明の共役高分子化合物が正孔注入層に用いられる場合には、電子受容性化合物と同時に用いられることが好ましい。また、本発明の共役高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、電子供与性化合物と同時に用いられることが好ましい。ここで、同時に用いるためには、混合、共重合、側鎖としての導入などの方法がある。
【０３０１】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
【０３０２】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹以下がさらに好ましい。
【０３０３】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０３０４】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０３０５】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【０３０６】
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０３０７】
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
本発明の高分子ＬＥＤは、上記ａ)〜ａｂ）に例示した素子構造において、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のうちのいずれかに、本発明の高分子
化合物を含むものがあげられる。
【０３０８】
本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。
【０３０９】
通常本発明の高分子ＬＥＤが有する陽極および陰極の少なくとも一方が透明または半透明である。陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０３１０】
本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０３１１】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
【０３１２】
該保護層としては、共役高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０３１３】
本発明の高分子ＬＥＤは面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
【０３１４】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０３１５】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（数平均分子量および重量平均分子量）
ここで、数平均分子量および重量平均分子量については、ＧＰＣ（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
【０３１６】
(蛍光スペクトル)
蛍光スペクトルの測定は以下の方法で行った。重合体の０．８ｗｔ％トルエンまたはクロロホルム溶液を石英上にスピンコートして重合体の薄膜を作製した。この薄膜を３５０ｎｍの波長で励起し、蛍光分光光度計（堀場製作所製Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ）を用いて蛍光スペクトルを測定した。薄膜での相対的な蛍光強度を得るために、水のラマン線の強度を標準に、波数プロットした蛍光スペクトルをスペクトル測定範囲で積分して、分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製 Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて測定した、励起波長での吸光度で割り付けた値を求めた。
【０３１７】
（ガラス転移温度）
ガラス転移温度はＤＳＣ（ＤＳＣ２９２０、ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製）により求めた。
【０３１８】
（ＬＵＭＯの測定）
共役共役高分子化合物のＬＵＭＯの測定にはサイクリックボルタンメトリー（ビー・エー・エス製：ＡＬＳ６００）を用い、０．１ｗｔ％テトラブチルアンモニウム−テトラフルオロボレートを含むアセトニトリル溶媒中で測定を行なった。共役共役高分子化合物をクロロホルムに約０．２ｗｔ%となるように溶解させた後、作用極上に共役共役高分子化合物のクロロホルム溶液を１ｍＬ塗布し、クロロホルムを気化させて共役共役高分子化合物の薄膜を形成した。測定は、参照電極に銀／銀イオン電極、作用極にグラッシーカーボン電極、対極に白金電極を用い、窒素で置換したグローブボックス中で行なった。また、電位の掃引速度は共に５０ｍＶ／ｓで測定した。サイクリックボルタンメトリーから求めた還元電位からＬＵＭＯを計算した
【０３１９】
合成例１
（化合物１の合成）




化合物１
アルゴンガスで置換した１０Ｌセパラブルフラスコにブロモ安息香酸メチル６１９ｇ、炭酸カリウム９０４ｇ、1-ナフチルボロン酸４５０ｇを加え、トルエン３６００ｍｌおよび水４０００ｍｌを加えて攪拌する。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)３０ｇを加えてから加熱還流し、そのまま３時間攪拌した。室温まで冷却後分液し、水２０００ｍｌで洗浄した。溶媒を留去したのち、トルエンを用いてシリカゲルカラム精製を行った。得られたクルドを濃縮しヘキサン７７４ｍｌで２回洗浄し、乾燥することにより化合物１を５９６．９ｇ白色固体として得た。
【０３２０】
（化合物２の合成）

化合物２
３Lの３口フラスコに4-t-ブチルフェニルブロミド １１３g、テトラヒドロフラン１５００ｍｌを加え窒素雰囲気下で−７８℃まで冷却する。ｎ-ブチルリチウムを滴下漏斗に６００mlとり系内の温度が変化しないようにゆっくりと滴下する。滴下後室温で２時間攪拌したのち、−78℃に冷却し化合物１３４．６ｇをテトラヒドロフラン５００ｍｌに溶解した溶液を６０分かけて滴下した。さらに−７８℃で２時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を５００ｍｌ用いて反応を停止し、トルエン１０００ｍｌで抽出した。水で洗浄後、シリカゲルショートカラムを通して不純物を取り除き、化合物２を６１．５g得た。
【０３２１】
（化合物３の合成）

化合物３
三フッ化ホウ素エーテル錯体３２５ｍＬを入れた２０００ｍｌの三口フラスコに、ジクロロメタンを１５００ml加え、氷浴で十分に冷却した。化合物２を１３２ｇをジクロロメタン溶液とし、等圧でない滴下漏斗を用いて1時間かけて滴下した。氷浴をはずし、室温で２時間攪拌した後、水を加えて反応を停止した。クロロホルムを用いて抽出し、有機層を濃縮後、橙色の油状物を得た。トルエン２４０ml、2-プロパノール５０mlを用いて再結晶することにより目的とする化合物３を36.2ｇ得た。
【０３２２】
実施例１
（化合物４の合成）


化合物４
窒素雰囲気下、１０００ｍｌ3口フラスコに閉環体３を２０ｇ(純度99.6%)を仕込み、ジクロロメタン100ｍｌを加えて溶解し、酢酸を259ｍｌ加えて油浴中50℃に加熱した。加熱しながら塩化亜鉛11.2ｇを加えて攪拌し、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミド35.4ｇをジクロロメタン150ｍｌに溶かした溶液を加熱還流しながら60分かけて加えた。さらに1時間50℃で攪拌し、室温まで冷却した後、水200ｍｌを加えて反応を停止した。分液し、水層はクロロホルム300ｍｌで抽出し、有機層を合一した。有機層は飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液300ｍｌで洗浄後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液500ｍｌ、水200ｍｌで洗浄した。得られた有機層はプレコートしたシリカゲルを通してろ過した。溶媒を留去し、得られた混合物をヘキサンより再結晶し、目的化合物４を白色の固体として17.2g得た。
<分析>
¹H-NMR（300MHz／CDCl₃）：δ1.27 (s, 18H), 6.79(dd, 2H), 7.15-7.23 (m, 3H), 7.48 (ddd, 1H), 7.54 (td, 1H), 7.81 (dd, 1H), 7.86 (d, 1H), 7.88 (d, 1H), 8.16 (dt, 1H).
LC/MS(APPI(pos))： m/z calcd for [C₃₇H₃₄Br₂]^+・, 638.47; found, 638.0.
【０３２３】
合成例２
（１−ブロモ−４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルベンゼンの合成）

化合物５
不活性雰囲気下で、５００ｍｌの３つ口フラスコに酢酸２２５ｇを入れ、５−ｔ−ブチル−ｍ−キシレン２４．３ｇを加えた。続いて臭素３１．２ｇを加えた後、１５〜２０℃で３時間反応させた。
反応液を水５００ｍｌに加え析出した沈殿をろ過した。水２５０ｍｌで２回洗浄し、化合物５を白色の固体３４．２ｇを得た。
【０３２４】
（化合物６の合成）



化合物６
不活性雰囲気下で、３００ｍｌの３つ口フラスコに脱気した脱水トルエン１６６０ｍｌを入れ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン２７５．０ｇ、４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルブロモベンゼン４４９．０ｇを加えた。続いてトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム７．４８ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１９６．４ｇ、を加えた後、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン５．０ｇを加えた。その後、１０５℃で７時間反応させた。
反応液にトルエン２０００ｍｌを加え、セライト濾過し、濾液を水１０００ｍｌで３回洗浄した後、７００ｍｌまで濃縮した。これにトルエン／メタノール（１：１）溶液１６００ｍｌを加え、析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄した。白色の固体４７９．４ｇを得た。
【０３２５】
（化合物７の合成）



化合物７
不活性雰囲気下で、クロロホルム４７３０ｇに、上記Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ‐ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−ベンジジン４７２．８ｇを溶解した後、遮光および氷浴下でＮ−ブロモスクシンイミド２８１．８ｇを１２分割で１時間かけて仕込み、３時間反応させた。
クロロホルム１４３９ｍｌを反応液に加え、濾過し、濾液のクロロホルム溶液を５％チオ硫酸ナトリウム２１５９ｍｌで洗浄し、トルエンを溶媒留去して白色結晶を得た。得られた白色結晶をトルエン／エタノールで再結晶し、白色結晶６７８．７ｇを得た。
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）⁺ ８１５．２
【０３２６】
実施例２ ＜高分子化合物１の合成＞
化合物４（１．９２ｇ）および２，２’−ビピリジル（１．２７ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン２１６ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液を６０℃まで昇温し、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）₂｝（２．２３ｇ）加え、６０℃で攪拌しながら３時間反応させた。この反応液を室温（約２５℃）まで冷却し、２５％アンモニア水１１ｍＬ／メタノール２１６ｍＬ／イオン交換水２１６ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、その後、トルエン約１００ｍＬに溶解させてからろ過を行い、ろ液をアルミナカラムを通して精製し、５．２％塩酸水約２００ｍｌを加えて、３時間攪拌した後に水層を除去した。、次に４％アンモニア水約２００ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約２００ｍＬを加え1時間攪拌した後、水層を除去した。有機層をメタノール約６００ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥した。得られた共重合体（以後、高分子化合物１と呼ぶ）の収量は０．０８０ｇであった。ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝6.5ｘ１０⁴、Ｍｗ＝3.0ｘ１０⁵であった。
【０３２７】
実施例３ ＜高分子化合物２の合成＞
化合物４（０．８９ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ‐ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−ベンジジン（０．４９ｇ）（化合物７）および２，２’−ビピリジル（０．８４ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１４４ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液を６０℃まで昇温し、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）₂｝（１．４９ｇ）加え、６０℃で攪拌しながら３時間反応させた。この反応液を室温（約２５℃）まで冷却し、２５％アンモニア水７ｍＬ／メタノール１４４ｍＬ／イオン交換水１４４ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、その後、トルエン約６０ｍＬに溶解させてからろ過を行い、ろ液をアルミナカラムを通して精製し、５．２％塩酸水約１２０ｍｌを加えて、３時間攪拌した後に水層を除去した。、次に４％アンモニア水約１２０ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約１２０ｍＬを加え1時間攪拌した後、水層を除去した。有機層をメタノール約４００ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥した。得られた共重合体（以後、高分子化合物２と呼ぶ）の収量は０．４２０ｇであった。ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝2.0ｘ１０⁴、Ｍｗ＝1.5ｘ１０⁵であった。
【０３２８】
合成例４ （高分子化合物３の合成）
不活性雰囲気下にて２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン(２８７ｍｇ、０．５２３ｍｍｏｌ)、２，７−（９，９−ジオクチル）フルオレンジボロン酸エチレングリコール環状エステル (３０５ｍｇ、０．５７５ｍｍｏｌ)、アリコート３３６(１５ｍｇ)をトルエン(４．３ｇ)に溶解させ、これに炭酸カリウム(２３１ｍｇ、１．６７ｍｍｏｌ)を約１ｇの水溶液とし加えた。さらにテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(０．３９ｍｇ、０．０００３４ｍｍｏｌ)を加え、２０時間加熱還流した。続いてブロモベンゼン (１１．５ｍｇ)を加え、更に５時間加熱還流した。加熱完了後、反応マスをメタノール(４０ｍｌ)と１Ｎ塩酸水(２．２ｍｌ)の混合液に滴下し、析出した沈殿を濾別した。得られた沈殿は、メタノールと水で洗浄し、減圧乾燥を行い、固形物を得た。つづいて固形物をトルエン５０ｍｌに溶解させ、シリカカラムで通液後、２０ｍｌまで濃縮した。濃縮液をメタノールに滴下、析出した沈殿を濾別し、減圧乾燥を行い高分子化合物３を得た。収量３４０ｍｇ。
得られた高分子化合物３のポリスチレン換算の分子量は、Ｍｎ＝１．２×１０³、Ｍｗ＝３．２×１０³であった。
【０３２９】
実施例４（蛍光スペクトルの測定）
高分子化合物１を前述の方法で蛍光スペクトルを測定したところ、４７０ｎｍにピークを有する蛍光スペクトルが得られた。
【０３３０】
実施例５（蛍光スペクトルの測定）
高分子化合物２を前述の方法で蛍光スペクトルを測定したところ、４７８ｎｍにピークを有する蛍光スペクトルが得られた。
【０３３１】
実施例６ （電子注入性評価）
前述の条件により高分子化合物１のＬＵＭＯ値を測定したところ、２．９３eVであった。
【０３３２】
実施例７ （電子注入性評価）
前述の条件により高分子化合物２のＬＵＭＯ値を測定したところ、２．９２eVであった。
【０３３３】
比較例１
前述の条件により高分子化合物３のＬＵＭＯ値を測定したところ、２．４４eVであった
【０３３４】
高分子化合物１、２、４、５は共に優れた電子注入性を示すことが分かる。
【表１】


【０３３５】
合成例５
（化合物７−２の合成）


化合物７−２
三口の丸底フラスコ（５００ｍｌ）に２−ブロモヨードベンゼン２５．１ｇ、ナフタレンボロン酸２０．０ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．４２７ｇおよび炭酸カリウム２５．５ｇを加えた後、トルエン９２ｍｌ、水９１ｍｌを加え加熱還流した。２４時間攪拌した後、室温まで冷却した。反応溶液をシリカゲルを通してろ過し、溶媒を留去し組成生物２５ｇを得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した後、ヘキサンを用いて再結晶を行い、化合物７−２を白色固体として１２．２ｇ得た。
【０３３６】
（化合物８の合成）

化合物８
窒素雰囲気下、３口フラスコ（２００ｍｌ）に化合物７−２（７．３ｇ）を仕込み、テトラヒドロフラン７３ｍｌを加えて溶解した。−７８℃に冷却した後、n-ブチルリチウム１８．１４ｍｌを加えた。３０分攪拌後、プロピルシクロヘキサノンを６．３８ｍLのＴＨＦに溶かして加えた。室温まで昇温した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を５０ｍｌ加えて反応を停止し、ＴＨＦ１００ｍｌで抽出した。得られた有機層をプレコートしたシリカゲルを通し、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物８を７．５ｇ得た。
＜分析＞
¹H-NMR（300MHz／CDCl₃）
δ0.86-0.94 (m, 3H), 1.28-1.90 (m, 17H), 1.95-2.10 (m, 1H), 2.15-2.35 (m, 1H), 7.10 (d, 1H), 7.26-7.51 (m, 7H), 7.61 (dd, 1H), 7.86 (t, 1H), 7.86 (t, 1H).
LC-MS（APPI-posi）：m/z calcd. for [C28H34O], 386.57, found for [C28H34O]+・, 387.2
【０３３７】
（化合物９の合成）

化合物９
窒素雰囲気下、１００ｍｌ2口フラスコにBF3Et2Oを１２．５ｇ、ジクロロメタン４０ｍｌを仕込み、水浴で冷却した。化合物８をジクロロメタン１５ｍｌにとかして滴下し、30分撹拌した。水５０ｍLを加えて反応を停止し、クロロホルム５０ｍLで二回抽出した。得られた溶液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物９を２g得た。
＜分析＞
¹H-NMR（300MHz／CDCl₃）
δ0.80 (t, 3H), 1.09-1.26 (m, 10H), 1.31-1.45 (m, 4H), 1.63-1.78 (m, 1H), 1.84 (q, 1H), 2.05 (m, 1H), 2.54 (m, 1H), 2.84 (t, 1H), 7.23-7.35 (m, 3H), 7.42-7.53 (m, 2H), 7.56 (d, 1H), 7.77 (d, 1H), 7.85 (t, 1H, 7.91 (d, 1H), 8.54-8.57 (m, 1H).
【０３３８】
実施例８

（化合物１０の合成）
化合物１０
窒素雰囲気下、１００ｍｌ３口フラスコに化合物９を仕込み、ジクロロメタン３３ｍ、酢酸３３ｍｌを加えて50℃に加熱した。加熱下、塩化亜鉛を仕込み、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミド４．４５ｇをジクロロメタン３３ｍｌに溶かして溶液とし、加熱還流しながら滴下した。３０分攪拌後、室温まで放冷し、水を加えて反応を停止し、クロロホルムを用いて抽出した。得られた有機層は飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液５０ｍｌで2回洗浄し、さらに飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１００ｍｌ、水５０ｍｌで洗浄した。有機溶媒を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した後、再結晶を行い、化合物１０を１ｇ得た。
＜分析＞
¹H-NMR（300MHz／CDCl₃）
δ0.83 (t, 3H), 1.0-1.24 (m, 11H), 1.3-1.53 (m, 3H), 1.6-1.77 (m, 1H), 1.8-1.94 (m, 1H), 2.0-2.12 (m, 1H), 2.4-2.54 (dd, 1H), 2.56-2.85 (t, 1H), 7.43-7.47 (m, 1H), 7.50 (s, 1H), 7.50-7.61 (m, 2H), 7.70 (d, 1H), 7.83 (s, 1H), 8.29 (d, 1H), 8.43 (d, 1H).再測定中
LC-MS（APPI-posi）：m/z calcd for [C28H30Br2], 526.35; found for [C28H30Br2]+・, 524.
【０３３９】
実施例９ （高分子化合物４の合成）
反応容器(200mL)に化合物１０を0.316g、2,2’-ビピリジル(0.159g)を窒素雰囲気下で仕込んだ後、テトラヒドロフラン（43ｍL）を加えて溶液とし、ビス（1,5-シクロオクタジエン）ニッケル(0)｛Ni(COD)₂｝0.281gを仕込んだ。撹拌しながら60℃まで昇温し、3時間撹拌した。この反応液を室温（約25℃）まで冷却し、25%アンモニア水2ｍＬ／メタノール43ｍＬ／イオン交換水43ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、その後、トルエン約20ｍＬに溶解させてからラジオライトでプレコートしたグラスフィルターを用いてろ過を行い、ろ液はアルミナカラムを通して精製し、5.2%塩酸水約35ｍｌを加えて、３時間攪拌した後に水層を除去した。次に4%アンモニア水約35ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約35ｍＬを加え1時間攪拌した後、水層を除去した。有機層をメタノール約120ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥した。得られた高分子化合物４の収量は0.140ｇであった。ポリスチレン換算の数平均分子量、重量平均分子量およびｚ平均分子量は、それぞれMn=1.56×10⁵、Mw=7.19×10⁵、Mz=1.66×10⁶であった。
【０３４０】
実施例１０ （高分子化合物５の合成）
反応容器(200mL)に化合物１０を0.184g、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ‐ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−ベンジジン（０．４９ｇ）（化合物７）（0.111g）、2,2’-ビピリジル(0.133g)を仕込んだ後、窒素雰囲気下で予めアルゴンガスをバブリング(10分)した脱水テトラヒドロフラン（54ｍL）を加えて溶液とし、ビス（1,5-シクロオクタジエン）ニッケル(0)｛Ni(COD)₂｝（0.234g）を仕込んだ。撹拌しながら60℃まで昇温し、3時間撹拌した。この反応液を室温（約25℃）まで冷却し、25%アンモニア水2ｍＬ／メタノール54ｍＬ／イオン交換水54ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、その後、トルエン約20ｍＬに溶解させてからラジオライトでプレコートしたグラスフィルターを用いてろ過を行い、ろ液はアルミナカラムを通して精製し、5.2%塩酸水約30ｍｌを加えて、３時間攪拌した後に水層を除去した。次に4%アンモニア水約30ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約30ｍＬを加え1時間攪拌した後、水層を除去した。有機層をメタノール約50ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた高分子化合物５の収量は0.150ｇ(収率70%)であった。ポリスチレン換算の数平均分子量、重量平均分子量およびｚ平均分子量は、それぞれMn=2.1×10⁴、Mw=8.2×10⁴、Mz=1.7×10⁵であった。
【０３４１】
合成例６ （高分子化合物６の合成）
小スケール用６連反応装置の容器(200mL)に化合物１０を（53mg）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（332mg）、2,2’-ビピリジル（266mg）を仕込んだ後、窒素雰囲気下で予めアルゴンガスをバブリング(10分)した脱水テトラヒドロフラン（47ｍL）を加えて溶液とし、ビス（1,5-シクロオクタジエン）ニッケル(0)｛Ni(COD)₂｝（468mg）を仕込んだ。撹拌しながら60℃まで昇温し、3時間撹拌した。この反応液を室温（約25℃）まで冷却し、25%アンモニア水4ｍＬ／メタノール72ｍＬ／イオン交換水72ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、その後、トルエン約30ｍＬに溶解させてからラジオライト120mgを加えて攪拌し、ラジオライト（2mm）でプレコートしたキリヤマ漏斗を用いてろ過を行い、ろ液はアルミナカラムを通して精製し、5.2%塩酸水約59ｍｌを加えて、３時間攪拌した後に水層を除去した。次に4%アンモニア水約59ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約59ｍＬを加え1時間攪拌した後、水層を除去した。有機層をメタノール約94ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥した。得られた高分子化合物６の収量は0.186ｇであった。ポリスチレン換算の数平均分子量、重量平均分子量およびｚ平均分子量は、それぞれMn=1.28×10⁵、Mw=3.15×10⁵、Mz=5.27×10⁵であった。

【０３４２】
実施例１１（蛍光スペクトルの測定）
高分子化合物４を前述の方法で蛍光スペクトルを測定したところ、４５４ｎｍにピークを有する蛍光スペクトルが得られた。
【０３４３】
実施例１２（蛍光スペクトルの測定）
高分子化合物５を前述の方法で蛍光スペクトルを測定したところ、４７８ｎｍにピークを有する蛍光スペクトルが得られた。
【０３４４】
実施例１３ （電子注入性評価）
前述の条件により高分子化合物４のＬＵＭＯ値を測定したところ、２．８３eVであった。
【０３４５】
実施例１４ （電子注入性評価）
前述の条件により高分子化合物５のＬＵＭＯ値を測定したところ、２．７５eVであった。
【０３４６】
実施例１５ （耐熱性評価）
前述の条件により高分子化合物４のガラス転移点を測定したところ、２６７℃であった。
【０３４７】
実施例１６ （耐熱性評価）
前述の条件により高分子化合物５のガラス転移点を測定したところ、２９５℃であった。
【０３４８】
比較例２ （耐熱性評価）
前述の条件により高分子化合物３のガラス転移点を測定したところ、７３℃であった。
【０３４９】
高分子化合物４，５は共に優れた耐熱性を示すことが分かる。
【表２】

【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（a）で示される構造を部分構造として含むことを特徴とする共役高分子化合物。


〔式中、Ａ環およびＢ環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表し、Ａ環およびＢ環の少なくとも一方は芳香族環である。また、Ｃ環は置換基を有していてもよい芳香族環を表す。Ｚ₁は炭素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、珪素原子、硼素原子、燐原子、セレン原子から選ばれる原子または該原子を含む基を表し、Ｚ₂〜Ｚ₆はそれぞれ独立に炭素原子、珪素原子、窒素原子および硼素原子から選ばれる原子または該原子を含む基を表す。また、Ｂ環及びＣ環が置換基を有する場合これらが結合して環を形成してもよい。〕
【請求項２】
上記式(a)中、Ｚ₄〜Ｚ₆が炭素原子である下記式（１）で示される構造を部分構造として含むことを特徴とする請求項１記載の共役高分子化合物。


【請求項３】
下記式（２）で示される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とする請求項１または２記載の共役高分子化合物。


〔式中、Ｂ'環およびＣ'環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環を表し、Ａ'環は置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表す。２つの結合手はそれぞれＢ'環およびＣ'環上に存在する。Ｚ₁〜Ｚ₃はそれぞれ前記と同じ意味を表す。〕
【請求項４】
下記式（３）で示される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とする請求項１または２記載の共役高分子化合物。


〔式中、Ａ''環およびＣ''環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環を表し、Ｂ''環は置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表す。２つの結合手はそれぞれＡ''環およびＣ''環上に存在する。Ｚ₁〜Ｚ₃はそれぞれ前記と同じ意味を表す。〕
【請求項５】

下記式（４）で示される構造を含むことを特徴とする請求項１または２記載の共役高分子化合物。
〔式中、Ａ'''環およびＢ'''環は、置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表し、Ａ'''環およびＢ'''環の少なくとも一方は置換基を有していてもよい芳香族環である。また、Ｃ'''環は置換基を有していてもよい芳香族環を表す。結合手はＡ'''環、Ｂ'''環またはＣ'''環上に存在する。Ｚ₁〜Ｚ₃はそれぞれ前記と同じ意味を表す。〕
【請求項６】
下記式（５）で示される構造を含むことを特徴とする請求項１または２記載の共役高分子化合物。

〔式中、Ａ''''環およびＢ''''環は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環または置換基を有していてもよい非芳香族環を表し、Ａ環およびＢ環の少なくとも一方は置換基を有していてもよい芳香族環である。また、Ｃ''''環は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。３つの結合手はそれぞれＡ''''環、Ｂ''''環またはＣ''''環上のいずれかに存在し、Ｚ₁〜Ｚ₃は前記と同じ意味を表す。〕
【請求項７】
Ｚ₂およびＺ₃がそれぞれ独立に、＞ＣＨ−、＞ＣＲ'−、＞Ｃ＝、＞SiＨ−、＞SiＲ'−または＞Ｎ−、＝Ｎ−、＞Ｂ−であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の共役高分子化合物（式中、Ｒ’はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、ニトロ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す）。
【請求項８】
Ｚ₁が−Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）−、＞Ｃ＝Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ_w）−、−Si（Ｒ_w）（Ｒ_x）−、−Ｐ（＝Ｏ）(Ｒ_w)−、−Ｐ（Ｒ_w）−、−Ｂ（Ｒ_w）−、−Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ_w）＝Ｎ−、または−Ｓｅ− （式中、Ｒ_wおよびＲ_xは、それぞれ独立に置換基を表す。）であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の共役高分子化合物。
【請求項９】
Ｚ₁〜Ｚ₃が全て炭素原子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の共役高分子化合物。
【請求項１０】
Ａ環、Ｂ環およびＣ環を構成する元素が全て炭素であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の共役高分子化合物。
【請求項１１】
Ａ環、Ｂ環およびＣ環がそれぞれ独立にベンゼン環またはナフタレン環であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の共役高分子化合物。
【請求項１２】
Ａ環、Ｂ環およびＣ環が全てベンゼン環であることを特徴とする請求項１１記載の共役高分子化合物。
【請求項１３】
下記式（６）または（７）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の共役高分子化合物。


（６） （７）
〔式中、Ｒ_p1、Ｒ_q1、Ｒ_p2、Ｒ_q2、Ｒ_w1、Ｒ_x1、Ｒ_w2およびＲ_x2はそれぞれ独立に置換基を表し、ａおよびｃはそれぞれ独立に０〜５の整数を表し、ｂおよびｄはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ_p1とＲ_q1、Ｒ_p2とＲ_q2、Ｒ_w1とＲ_x1およびＲ_w2とＲ_x2はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。〕
【請求項１４】
Ｒ_w1とＲ_x1の少なくとも１つ、およびＲ_w2とＲ_x2の少なくとも１つの炭素数が２以上であることを特徴とする請求項１３記載の共役高分子化合物。
【請求項１５】
さらに上記式（２）、（３）以外の繰り返し単位を少なくとも１つ含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項１６】
上記式（２）、（３）以外の繰り返し単位が下記式（８）〜（１１）で示される繰り返し単位から選ばれることを特徴とする請求項１５記載の共役高分子化合物。


〔式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃およびＡｒ₄はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｘ₁、Ｘ₂およびＸ₃はそれぞれ独立に−ＣＲ₁＝ＣＲ₂−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ₃）−、または−（ＳｉＲ₄Ｒ₅）_n−を表す。Ｒ₁およびＲ₂は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基または置換アミノ基を示す。ｅは０〜２の整数を表す。ｎは１〜１２の整数を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項１７】
前記式（８）で示される繰り返し単位が、下記式（１２）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項１６記載の共役高分子化合物。


〔式中、Ｅ環およびＦ環は芳香族環を表し、２つの結合手はそれぞれＥ環またはＦ環上に存在し、Ｚ₄は−Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）−、＞Ｃ＝Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ_w）−、−Si（Ｒ_w）（Ｒ_x）−、−Ｐ（＝Ｏ）(Ｒ_w)−、−Ｐ（Ｒ_w）−、−Ｂ（Ｒ_w）−、−Ｃ（Ｒ_w）（Ｒ_x）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ_w）＝Ｎ−または−Ｓｅ−を表す。Ｒ_w、Ｒ_xはそれぞれ独立に置換基を表す。〕
【請求項１８】
上記式（８）で示される繰り返し単位が、下記式（１３）〜（２０）のいずれかで示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項１６記載の共役高分子化合物。

〔式中、Ｒ₁₄は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。nは０〜４の整数を表す。Ｒ₁₄が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ₁₅およびＲ₁₆は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。oおよびpはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ₁₅およびＲ₁₆がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ₁₇およびＲ₂₀は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。qおよびrはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ₁₈およびＲ₁₉は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ₁₇およびＲ₂₀が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ₂₁は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。ｇは０〜２の整数を表す。Ａｒ₁₃およびＡｒ₁₄はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。ｅおよびｆはそれぞれ独立に０または１を表す。Ｘ₄は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、Ｓｅ，またはＴｅを表す。Ｒ₂₁が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕


〔式中、Ｒ₃₄は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。ｈは０〜４の整数を表す。Ｒ₃₄が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ₂₂およびＲ₂₃は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。iおよびｊはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｘ₅は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ₂、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ₂₄、またはＳｉＲ₂₅Ｒ₂₆を表す。Ｘ₆およびＸ₇は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ₂₇を表す。Ｒ₂₄、Ｒ_25、Ｒ₂₆およびＲ₂₇はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を表す。Ｒ₂₅、Ｒ₂₆およびＲ₂₇が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ₂₈およびＲ₃₃は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。ｋおよびｌはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ₂₉、Ｒ₃₀、Ｒ₃₁およびＲ₃₂は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ａｒ₅はアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｒ₂₈およびＲ₃₃が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項１９】
上記式（９）で示される繰り返し単位が、下記式（２０）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項１６記載の共役高分子化合物。


〔式中、Ａｒ₆、Ａｒ₇、Ａｒ₈およびＡｒ₉はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を表す。Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁およびＡｒ₁₂はそれぞれ独立にアリール基、または１価の複素環基を表す。Ａｒ₆、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉、およびＡｒ₁₀は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または１を表し、０≦ｘ＋ｙ≦１である。〕
【請求項２０】
繰り返し単位として上記式（２）または（３）で示される構造と、上記式（２０）で示される構造を含むことを特徴とする請求項１〜１５記載の共役高分子化合物。
【請求項２１】
ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする１〜２０のいずれかに記載の共役高分子化合物。
【請求項２２】
下記式（２７）で示される化合物。

〔式中Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、Ｚ₁〜Ｚ₃は前述のとおり。Ｙ_tおよびＹ_uはそれぞれ独立に置換基を表す。ｅおよびｆはそれぞれ独立に０以上の整数を示し、ｅ＋ｆ≧１かつe≦２、ｆ≦１である。〕
【請求項２３】
下記式（２８）または（２９）で示される請求項２２記載の化合物。

（２８） （２９）
〔式中、Ｒ_p1、Ｒ_q1、Ｒ_p2およびＲ_q2はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、ａおよびｃはそれぞれ独立に０〜５の整数を表し、ｂおよびｄはそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、Ｒ_p1、Ｒ_q1、Ｒ_p2およびＲ_q2がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ_w1、Ｒ_x1、Ｒ_w2、Ｒ_x2はそれぞれ独立に炭素数３以上のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、Ｒ_p1とＲ_q1、Ｒ_p2とＲ_q2、Ｒ_w1とＲ_x1およびＲ_w2とＲ_x2はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。Ｙ_t1、Ｙ_u1、Ｙ_t2およびＹ_u2はそれぞれ独立にハロゲン原子、チオール基、アルコキシ基、フェノキシ基、アルキルフノキシ基、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、シアノ基、ビニル基またはトリアゼン基を表す。〕
【請求項２４】
Ｙ_t1、Ｙ_u1、Ｙ_t2およびＹ_u2がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、ホウ酸基、トリアゼン基であることを特徴とする請求項２２または２３記載の化合物。
【請求項２５】
上記式（２７）〜（２９）で示されるいずれかの化合物を原料の一つとしてもちいて重合させることを特徴とする請求項２〜２０のいずれかに記載の共役高分子化合物の製造方法。
【請求項２６】
上記式（２８）および/または（２９）で示される化合物に加えて、下記式（３０）〜（３３）のいずれかで示される化合物と重合させることを特徴とする請求項２５記載の製造方法。

〔式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃、Ａｒ₄、ｆｆ、Ｘ₁、Ｘ₂およびＸ₃は前記と同じ意味を表す。Ｙ₇、Ｙ₈、Ｙ₉、Ｙ₁₀、Ｙ₁₁、Ｙ₁₂、Ｙ₁₃およびＹ₁₄はそれぞれ独立に重合に関与する置換基を表す。〕
【請求項２７】
重合に関与する置換基がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基から選ばれ、ニッケルゼロ価錯体存在下で重合することを特徴とする請求項２６または２７に記載の製造方法。
【請求項２８】
重合に関与する置換基がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、またはホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有するハロゲン原子、アルキルスルホネート基アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計と、ホウ酸基およびホウ酸エステル基のモル数の合計の比が実質的に１であり、ニッケルまたはパラジウム触媒を用いて重合することを特徴とする請求項２４〜２６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項２９】
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と請求項１〜２１のいずれかに記載の共役高分子化合物とを含有することを特徴とする高分子組成物。
【請求項３０】
請求項１〜２１のいずれかに記載の共役高分子化合物を２種類以上含有することを特徴とする高分子組成物。
【請求項３１】
請求項１〜２１のいずれかに記載の共役高分子化合物または請求項３１もしくは３２に記載の高分子組成物を含有することを特徴とする溶液。
【請求項３２】
粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項３１に記載の記載の溶液。
【請求項３３】
請求項１〜２１のいずれかに記載の共役高分子化合物または請求項２９もしくは３０に記載の高分子組成物を含有する発光性薄膜。
【請求項３４】
請求項１〜２１のいずれかに記載の共役高分子化合物または請求項２９もしくは３０に記載の高分子組成物を含有する導電性薄膜。
【請求項３５】
請求項１〜２１のいずれかに記載の共役高分子化合物または請求項２９もしくは３０に記載の高分子組成物を含有する有機半導体薄膜。
【請求項３６】
請求項３５記載の有機半導体薄膜を有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項３７】
陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が請求項１〜２１のいずれかに記載の共役高分子化合物または請求項２９もしくは３０に記載の高分子組成物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
【請求項３８】
有機層が発光層であることを特徴とする請求項３７記載の高分子発光素子。
【請求項３９】
発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料または発光材料を含むことを特徴とする請求項３８記載の高分子発光素子。
【請求項４０】
陽極および陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層が請求項１〜２１のいずれかに記載の共役高分子化合物または請求項２９もしくは３０記載の高分子組成物を含むことを特徴とする請求項３９記載の高分子発光素子。
【請求項４１】
陽極および陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層と電極との間に電荷注入層を有し、該電荷注入層が請求項１〜２１のいずれかに記載の共役高分子化合物または請求項２９もしくは３０に記載の高分子組成物を含むことを特徴とする請求項４０記載の高分子発光素子。
【請求項４２】
請求項３７〜４１のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
【請求項４３】
請求項３７〜４１のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
【請求項４４】
請求項３７〜４１のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
【請求項４５】
請求項３７〜４１のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。

【公開番号】特開２００７−１５４１７４（Ｐ２００７−１５４１７４Ａ）
【公開日】平成１９年６月２１日（２００７．６．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３０５０６７（Ｐ２００６−３０５０６７）
【出願日】平成１８年１１月１０日（２００６．１１．１０）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】