半導体チップの製造方法
【課題】接着層付きの半導体チップを製造するために使用する接着層転写シートを、フォトリソグラフィ法を使用することがなく、しかもロールツーロールで作成できるようにした接着層付きの半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】ペリフェラル配置のバンプ３３に囲まれた領域に接着層１２ｂが形成された半導体チップ１００の製造方法は、ベースフィルム１０ｂとカバーフィルムとの間に接着層１２ｂが挟持された積層体に対しベースフィルム１０ｂ側からハーフカット処理を行い、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれていない領域に対応する接着層１２ｂとベースフィルム１０ｂとをカバーフィルム上から除去し、積層体のベースフィルム１０ｂ側表面にキャリアフィルムを貼り合わせて得た接着層転写シートを使用することを特徴とする。
【解決手段】ペリフェラル配置のバンプ３３に囲まれた領域に接着層１２ｂが形成された半導体チップ１００の製造方法は、ベースフィルム１０ｂとカバーフィルムとの間に接着層１２ｂが挟持された積層体に対しベースフィルム１０ｂ側からハーフカット処理を行い、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれていない領域に対応する接着層１２ｂとベースフィルム１０ｂとをカバーフィルム上から除去し、積層体のベースフィルム１０ｂ側表面にキャリアフィルムを貼り合わせて得た接着層転写シートを使用することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ形成面に接着層が形成された、フリップチップ実装に適した半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フリップチップ実装に適した半導体チップとして、半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域（接着層形成領域）に接着層が形成された接着層付き半導体チップが提案されている（特許文献１）。この半導体チップは、次のように製造されている。
（１）セパレータ上に感光性接着層を成膜する。
（２）セパレータ上に形成された感光性接着層を、半導体ウエハに形成された個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域（接着層形成領域）の数、形状に対応するように、フォトリソグラフィ法によりパターニングし、これにより、セパレータ上に複数の接着層を離隔的に配置した接着層転写シートを得る。
（３）次に、この接着層転写シートの離隔的に配置された接着層を、半導体ウエハに形成された個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域（接着層形成領域）に転写する。
（４）接着層が転写された半導体ウエハを、ダイシングラインに沿ってダイシングする。これにより、ペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域（接着層形成領域）に接着層が形成された半導体チップが得られる。
【０００３】
このような製造方法によれば、接着層が半導体ウエハに形成された個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域（接着層形成領域）だけに形成されるので、半導体ウエハ上のアライメントマークの視認性の低下を防止できることが期待される。また、半導体チップをマザーボードに実装する際に、接着層からバンプを頭出しさせる必要がないため、バンプの破損を防止できることが期待される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３１９６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、接着層付きの半導体チップを製造する特許文献１の製造方法においては、セパレータに複数の接着層を離隔的に配置するためのパターニングに高コストのフォトリソグラフィ法を利用するために、接着層付きの半導体チップの製造コストを低減させることが困難になるという問題があった。また、フォトリソグラフィ法によるパターニングは、枚葉式で行わなければならず、製造効率の観点から、ロールツーロールでパターニングを可能とすることが求められていた。
【０００６】
本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、接着層付きの半導体チップを製造するために使用する接着層転写シートを、フォトリソグラフィ法を使用することがなく、しかもロールツーロールで作成できるようにした上で、接着層付きの半導体チップを製造できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、キャリアフィルム上に、半導体ウエハの個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に対応するように、フォトリソグラフィ法を利用することなくハーフカット処理により離隔的に接着層を配置して得た接着層転写シートを使用し、当該接着層を半導体ウエハに転写することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、ペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層が形成された半導体チップの製造方法であって、
（Ａ）ベースフィルムとカバーフィルムとの間に接着層が挟持された積層体に対し、ベースフィルム側からハーフカット処理を行う工程；
（Ｂ）半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれていない領域に対応する接着層とベースフィルムとをカバーフィルム上から除去する工程；
（Ｃ）積層体のベースフィルム側表面にキャリアフィルムを貼り合わせ、それにより接着層転写シートを作成する工程；
（Ｄ）接着層転写シートに貼り合わされたカバーフィルムを除去し、露出した接着層を、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域に転写する工程； 及び
（Ｅ）接着層が転写された半導体ウエハを、ダイシングラインに沿ってダイシングして半導体チップを得る工程
を有することを特徴とする製造方法を提供する。
【０００９】
また、本発明は、ペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層が形成された半導体チップの製造方法であって、
（ａ）キャリアフィルム上にベースフィルム、更に接着層が積層された積層体に対し、接着層側からハーフカット処理を行う工程；
（ｂ）半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれていない領域に対応する接着層とベースフィルムとをキャリアフィルム上から除去し、それにより接着層転写シートを作成する工程；
（ｃ）接着層転写シートの接着層を、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域に転写する工程； 及び
（ｄ）接着層が転写された半導体ウエハを、ダイシングラインに沿ってダイシングして半導体チップを得る工程
を有することを特徴とする製造方法を提供する。
【００１０】
更に、本発明は、半導体チップのバンプが、配線基板の電極に接着層により接合されてなる半導体装置の製造方法であって、
上述の本発明の半導体チップの製造方法で得た半導体チップの接着層上のベースフィルムを取り除いた後、当該半導体チップのバンプを配線基板の電極に位置合わせして仮圧着し、半導体チップ側からボンダーにより本圧着することにより半導体チップのバンプと配線基板の電極とを接合することを特徴とする製造方法を提供する。
【００１１】
加えて、本発明は、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層を形成するための接着層転写シートであって、ベースフィルム及び接着層からなる複数の積層物が、キャリアフィルムとカバーフィルムとの間で、互いに離隔的に設けられており、積層物のベースフィルムがキャリアフィルム側に配置されていることを特徴とする接着層転写シートを提供する。
【００１２】
また、本発明は、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層を形成するための接着層転写シートであって、ベースフィルム及び接着層からなる複数の積層物が、キャリアフィルム上に、互いに離隔的に設けられており、積層物のベースフィルムがキャリアフィルム側に配置されていることを特徴とする接着層転写シートを提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明においては、キャリアフィルム上に、半導体ウエハの個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に対応するようにハーフカット処理により離隔的に接着層を配置して得た接着層転写シートを使用し、当該接着層を半導体ウエハに転写する。このため、フォトリソグラフィ法を利用することなく、ロールツーロールで接着層付きの半導体チップを製造するために使用する接着層転写シートを作成した上で、接着層付きの半導体チップを製造できる。従って、半導体ウエハ上のアライメントマークの視認性の低下を防止でき、また、半導体チップを配線基板に実装する際に、接着層からバンプを頭出しさせる必要がないため、バンプの破損も防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の半導体チップの製造方法で製造された半導体チップの断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図３】図３は、半導体ウエハの部分上面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の半導体装置の製造方法の説明図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の半導体装置の製造方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら、図１に示す半導体チップ１００の製造方法を工程毎に説明する。なお、この半導体チップ１００は、ペリフェラル配置のバンプ３３に囲まれた領域３４に接着層１２ｂと、必要に応じて更にベースフィルム１０ｂとが積層された構造を有するものである。
【００１６】
＜半導体チップの製造方法の第１の態様＞
（工程（Ａ））
まず、図２Ａに示すように、ベースフィルム１０とカバーフィルム１１との間に接着層１２が挟持された積層体１３に対し、ベースフィルム１０側から、トムソン刃を備えたプレスハーフカッターやピナクル刃を備えたロールハーフカッター等の公知のハーフカッターを用いてハーフカット処理を行い、カバーフィルム１１に達するハーフカットライン１４を形成する。
【００１７】
ベースフィルム１０やカバーフィルム１１としては、剥離処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム等を使用することができる。
【００１８】
接着層１２としては、絶縁性接着剤から形成された絶縁性接着層や、絶縁性接着剤に導電性粒子が分散した異方性導電接着剤から形成された異方導電性接着層を適用することができる。
【００１９】
絶縁性接着剤としては、ペースト状或いはフィルム状の熱硬化型エポキシ系接着剤を使用することができる。そのような熱硬化型エポキシ系接着剤は、膜形成樹脂、エポキシ樹脂（硬化成分）、硬化剤、シランカップリング剤等から構成することができる。また、更に、導電粒子を配合することにより、接着層１２に異方導電性を付与することができる。これらの構成成分は、接着層に求める特性等に応じて公知のものから適宜選択して使用することができる。
【００２０】
膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂等を挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。これらの中でも、成膜性、加工性、接続信頼性の観点から、フェノキシ樹脂を好ましく使用することができる。
【００２１】
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、それらの変性エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。エポキシ樹脂は液状または固形であってよい。
【００２２】
硬化剤としては、ポリアミン、イミダゾール等のアニオン系硬化剤やスルホニウム塩などのカチオン系硬化剤、フェノール系硬化剤等の潜在性硬化剤を挙げることができる。
【００２３】
シランカップリング剤としては、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤等を挙げることができる。これらのシランカップリング剤は、主としてアルコキシシラン誘導体である。
【００２４】
導電粒子としては、異方性導電接着剤に従来用いられているものの中から適宜選択して使用することができる。例えばニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウムなどの金属粒子、金属被覆樹脂粒子などが挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。
【００２５】
熱硬化型エポキシ系接着剤には、必要に応じて充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料）、有機溶剤、イオンキャッチャー剤などを配合することができる。
【００２６】
積層体１３は、ベースフィルム１０に、熱硬化型エポキシ系接着剤等の接着層形成用組成物を常法により塗布し乾燥して接着層１２を形成した後、更にカバーフィルム１１を積層することにより作成することができる。
【００２７】
（工程（Ｂ））
半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれていない領域に対応する接着層１２ａとベースフィルム１０ａとをカバーフィルム１１上から除去する。除去は常法に従って行うことができる。これにより、カバーフィルム１１上に、ベースフィルム１０ｂと接着層１２ｂとからなる複数の積層物１６が保持されることになる。
【００２８】
なお、図３に半導体ウエハを示す。半導体ウエハ３０には、半導体チップとなる複数の半導体素子３１が作り込まれており、最終的にダイシングライン３２でダイシングされ個々の半導体チップに分割される。ここで、半導体素子３１のバンプ３３はペリフェラル配置となっており、ペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれた領域３４（図中斜線部分）に接着層が転写される。従って、半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれていない領域とは、領域３４以外の領域を示す。
【００２９】
（工程（Ｃ））
次に、積層体１３のベースフィルム１０側表面に、粘着層が形成されたポリエチレンフィルム等のキャリアフィルム１５を貼り合わせ、それにより接着層転写シート１７を作成する。この接着層転写シート１７は、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域（図３、３４）に接着層を形成するためのものであり、具体的には、図２Ｃに示されているように、ベースフィルム１０ｂ及び接着層１２ｂからなる複数の積層物１６が、キャリアフィルム１５上に、互いに離隔的に設けられ、積層物１６のベースフィルム１０ｂがキャリアフィルム１５側に配置され、反対側にカバーフィルム１１が積層された構造を有する。ここで、“離隔的に設け”とは、図３の半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３に囲まれた領域３４に対応して設けることを意味する。
【００３０】
このような接着層転写シート１７も本発明の一つの態様であり、詳しくは後述する。
【００３１】
なお、図３において、半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３に囲まれた領域３４の面積は、小さすぎるとバンプまで十分に接着層が広がらなくなり接着力が低下し、接続信頼性にも不具合が生じることとなり、大きすぎるとバンプの外側まで接着層が広がり、不要な接着層が存在することになり、コスト的な観点を含めて好ましくない。半導体素子３１（半導体チップ１００（図１））のバンプ側表面積の好ましくは５０〜９０％、より好ましくは７０〜８０％となるように設定する。
【００３２】
（工程（Ｄ））
次に、図２Ｄに示すように、接着層転写シート１７に貼り合わされたカバーフィルム１１を除去する。露出した接着層１２ｂを、半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれた領域３４に常法により必要に応じて加熱しながら押圧して転写し、キャリアフィルム１５を取り去る。これにより、図２Ｅに示すように、半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれている領域３４に接着層１２ｂが、ベースフィルム１０ｂともども転写される。
【００３３】
（工程（Ｅ））
次に、図２Ｅに示すように、接着層１２ｂが転写された半導体ウエハ３０を、ダイシングライン３２に沿って常法によりダイシングし、図１に示すように分割された半導体チップ１００が得られる。
【００３４】
以上説明した半導体チップの製造方法の第１態様では、接着層転写シート１７を作成する際にカバーフィルムを使用したが、そのようなカバーフィルムを使用しない態様を以下に説明する。
【００３５】
＜半導体チップの製造方法の第２の態様＞
（工程（ａ））
図４Ａに示すように、キャリアフィルム１５上にベースフィルム１０、更に接着層１２が積層された積層体１８に対し、接着層１２側からハーフカット処理を行い、キャリアフィルム１５に達するハーフカットライン１４を形成する。
【００３６】
積層体１８は、ベースフィルム１０に、熱硬化型エポキシ系接着剤などの接着層形成用組成物を常法により塗布し乾燥して接着層１２を形成した後、ベースフィルム１０側に更にキャリアフィルム１５を積層することにより作成することができる。
【００３７】
（工程（ｂ））
図３に示すような半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれていない領域に対応する接着層１２ａとベースフィルム１０ａとをキャリアフィルム１５上から除去する。除去は常法に従って行うことができる。これにより図４Ｂの接着層転写シート１９が得られる。この接着層転写シート１９においては、キャリアフィルム１５上に、ベースフィルム１０ｂと接着層１２ｂとからなる複数の積層物１６が保持されることになる。
【００３８】
このような接着層転写シート１９も本発明の一つの態様であるが、接着層転写シート１７と共に後述する。
【００３９】
（工程（ｃ））
次に、本発明の半導体チップの製造方法の第１の態様における工程（Ｄ）を繰り返すことにより、図２Ｅに示すように、半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれている領域３４に接着層１２ｂが、ベースフィルム１０ｂともども転写される。
【００４０】
（工程（ｄ））
次に、本発明の半導体チップの製造方法の第１の態様における工程（Ｅ）を繰り返すことにより、図１に示すように分割された半導体チップ１００が得られる。
【００４１】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本発明は半導体チップの製造方法により得られた半導体チップを使用する半導体装置の製造方法について説明する。この製造方法は、半導体チップの製造方法の工程に引き続いて実施することができる。従って、本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の半導体チップの製造方法の発明の構成を必須の構成として有する発明として位置づけることができる。
【００４２】
即ち、図５Ａに示すように、得られた図１の半導体チップ１００の接着層１２ｂ上のベースフィルム１０ｂを取り除いた後、当該半導体チップ１００のバンプ３３を、ガラス配線基板やフレキシブル配線基板、ガラスエポキシ配線基板などの公知の配線基板５０の銅などの電極５１に位置合わせして仮圧着し、半導体チップ１００側から公知のボンダー５２により本圧着することにより半導体チップ１００のバンプ３３と配線基板５０の電極５１とを接合することにより半導体装置２００を得ることができる（図５Ｂ）。なお、本圧着の際に使用するボンダーとして、押圧面が弾性体から構成されている弾性ボンダー（例えば、特開２００５−３２９５２号公報、同２００６−２４５５４号公報のそれぞれの請求項１参照）を使用することにより、バンプ性状の配線高さの誤差によらず半導体チップを配線基板に実装することが容易となる。また、複数の半導体チップを配線基板に一括実装することも容易となる。
【００４３】
なお、接着層１２ｂとして絶縁性接着層を適用した場合には、バンプ３３と電極５１との間からそれらが接触して導通が可能となる程度まで接着層を排除して導通を確保する。他方、接着層１２ｂとして異方導電性接着層を適用した場合には、バンプ３３と電極５１との間に導電粒子を介して異方性導電接続が可能となる。
【００４４】
＜接着層転写シートその１＞
図２Ｃの本発明の接着層転写シート１７は、ベースフィルム１０ｂ及び接着層１２ｂからなる複数の積層物１６が、キャリアフィルム１５上に、互いに離隔的に設けられ、積層物１６のベースフィルム１０ｂがキャリアフィルム１５側に配置され、反対側にカバーフィルム１１が積層された構造を有する。材料並びに作成方法については既に説明したとおりである。
【００４５】
この接着層転写シート１７において、接着層１２ｂとベースフィルム１０ｂとの間の剥離力をａ[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルム１５とベースフィルム１０ｂの間の剥離力をｂ[Ｎ／５ｃｍ]とし、接着層１２ｂとカバーフィルム１１との間の剥離力をｃ[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ＞ｂ＞ｃの関係が満たされていることが好ましい。これは、最初に剥離除去するものがカバーフィルムであり、次に剥離除去するものがキャリアフィルムだからである。従って、ｂは好ましくは０．３ａ〜０．７ａ、より好ましくは０．４ａ〜０．６ａであり、ｃは好ましくは０．１ａ〜０．３ａ、より好ましくは０．１〜０．２ａという剥離力であることが好ましい。剥離力の調整は、材料の配合や表面改質処理等により行うことができる。
【００４６】
剥離力の測定は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して行うことができる。
【００４７】
このような接着層転写シート１７における接着層１２ｂの厚さは、圧着時に接着層が半導体チップのバンプまで拡がるような容積を確保するために、半導体素子（半導体チップ）（図３の３１）のバンプ（図３の３３）高さよりも高いことが好ましい。好ましくは、バンプ高さの１．１〜２．０倍、より好ましくは１．４〜１．６倍である。
【００４８】
なお、接着層１２ｂのガラス転移温度に関し、室温より低い場合には粘着性が高まるため、半導体ウエハへの転写を加熱なしもしくは弱加熱で容易に行うことができる傾向があり、しかもベースフィルムとの密着性も良好なためダイシングや搬送時の破損を防止することができる傾向があるが、他方、フィルム加工性（ハーフカット加工）が低下する傾向がある。従って、接着層１２ｂの材料としては、転写の際に加熱処理することを踏まえて、ガラス転移温度が好ましくは０〜６０℃、より好ましくは２０〜４０℃のものを使用する。
【００４９】
また、接着層１２ｂは、単層であってもよいが、第１接着層に第２接着層が積層された積層構造にしてもよい。この場合、ベースフィルム側に配置する第１接着層の軟化点を第２接着層の軟化点よりも低く、好ましくは室温以下とすることが好ましい。これにより、比較的高いガラス転移温度の第２接着層により、良好なフィルム加工性を担保することができ、しかも半導体チップの配線基板への良好な仮圧着を実現することができる。更に、第１接着層、第２接着層及び第３接着層の３層構造としてもよい。この場合、第３接着層は第１接着層と同じ構成とすることが好ましい。これにより、ベースフィルムとの密着性も高めることができ、ダイシングや搬送時の破損をより防止することができる。
【００５０】
＜接着層転写シートその２＞
図４Ｂの本発明の接着層転写シート１９は、ベースフィルム１０ｂ及び接着層１２ｂからなる複数の積層物１６が、キャリアフィルム１５上に、互いに離隔的に設けられ、積層物１６のベースフィルム１０ｂがキャリアフィルム１５側に配置された構造を有する。材料並びに作成方法については既に説明したとおりである。
【００５１】
この接着層転写シート１９において、接着層１２ｂとベースフィルム１０ｂとの間の剥離力をａ′[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルム１５とベースフィルム１０ｂの間の剥離力をｂ′[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ′＞ｂ′の関係が満たされていることが好ましい。これは、先に剥離除去するものがキャリアフィルムだからである。従って、ｂ′は好ましくは０．３ａ′〜０．７ａ′、より好ましくは０．４ａ′〜０．６ａ′という剥離力である。
【００５２】
また、このような接着層転写シート１９における接着層１２ｂの厚さは、先に説明した接着層転写シート１７の場合と同じである。
【００５３】
以上説明した接着層転写シート１９における接着層のガラス転移点に関し、接着層転写シート１７の場合と同様に、室温より低い場合には粘着性が高まるため、半導体ウエハへの転写を加熱なしもしくは弱加熱で容易に行うことができる傾向があり、しかもベースフィルムとの密着性も良好なためダイシングや搬送時の破損を防止することができる傾向があるが、他方、フィルム加工性（ハーフカット加工）が低下する傾向がある。従って、接着層１２ｂの材料としては、転写の際に加熱処理することを踏まえて、ガラス転移温度が好ましくは０〜６０℃、より好ましくは２０〜４０℃のものを使用する。
【００５４】
なお、接着層１２ｂを多層化する場合には、カバーシートが存在しないため、キャリアフィルム１５の背面に離型処理を施した（離型層を設ける）という構成にすることが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明によれば、キャリアフィルム上に、半導体ウエハの個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に対応するようにハーフカット処理により離隔的に接着層を配置して得た接着層転写シートを使用し、当該接着層を半導体ウエハに転写する。このため、フォトリソグラフィ法を利用することなく、接着層付きの半導体チップを製造するために使用する接着層転写シートを作成することができるので、接着層付きの半導体チップの製造に有用である。
【符号の説明】
【００５６】
１０、１０ａ、１０ｂ ベースフィルム
１１ カバーフィルム
１２、１２ａ、１２ｂ 接着層
１３、１８ 積層体
１４ ハーフカットライン
１５ キャリアフィルム
１６ 積層物
１７、１９ 接着層転写シート
３０ 半導体ウエハ
３１ 半導体素子
３２ ダイシングライン
３３ ペリフェラル配置のバンプ
３４ 半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域
５０ 配線基板
５１ 電極
５２ ボンダー
１００ 半導体チップ
２００ 半導体装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ形成面に接着層が形成された、フリップチップ実装に適した半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フリップチップ実装に適した半導体チップとして、半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域（接着層形成領域）に接着層が形成された接着層付き半導体チップが提案されている（特許文献１）。この半導体チップは、次のように製造されている。
（１）セパレータ上に感光性接着層を成膜する。
（２）セパレータ上に形成された感光性接着層を、半導体ウエハに形成された個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域（接着層形成領域）の数、形状に対応するように、フォトリソグラフィ法によりパターニングし、これにより、セパレータ上に複数の接着層を離隔的に配置した接着層転写シートを得る。
（３）次に、この接着層転写シートの離隔的に配置された接着層を、半導体ウエハに形成された個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域（接着層形成領域）に転写する。
（４）接着層が転写された半導体ウエハを、ダイシングラインに沿ってダイシングする。これにより、ペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域（接着層形成領域）に接着層が形成された半導体チップが得られる。
【０００３】
このような製造方法によれば、接着層が半導体ウエハに形成された個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域（接着層形成領域）だけに形成されるので、半導体ウエハ上のアライメントマークの視認性の低下を防止できることが期待される。また、半導体チップをマザーボードに実装する際に、接着層からバンプを頭出しさせる必要がないため、バンプの破損を防止できることが期待される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３１９６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、接着層付きの半導体チップを製造する特許文献１の製造方法においては、セパレータに複数の接着層を離隔的に配置するためのパターニングに高コストのフォトリソグラフィ法を利用するために、接着層付きの半導体チップの製造コストを低減させることが困難になるという問題があった。また、フォトリソグラフィ法によるパターニングは、枚葉式で行わなければならず、製造効率の観点から、ロールツーロールでパターニングを可能とすることが求められていた。
【０００６】
本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、接着層付きの半導体チップを製造するために使用する接着層転写シートを、フォトリソグラフィ法を使用することがなく、しかもロールツーロールで作成できるようにした上で、接着層付きの半導体チップを製造できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、キャリアフィルム上に、半導体ウエハの個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に対応するように、フォトリソグラフィ法を利用することなくハーフカット処理により離隔的に接着層を配置して得た接着層転写シートを使用し、当該接着層を半導体ウエハに転写することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、ペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層が形成された半導体チップの製造方法であって、
（Ａ）ベースフィルムとカバーフィルムとの間に接着層が挟持された積層体に対し、ベースフィルム側からハーフカット処理を行う工程；
（Ｂ）半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれていない領域に対応する接着層とベースフィルムとをカバーフィルム上から除去する工程；
（Ｃ）積層体のベースフィルム側表面にキャリアフィルムを貼り合わせ、それにより接着層転写シートを作成する工程；
（Ｄ）接着層転写シートに貼り合わされたカバーフィルムを除去し、露出した接着層を、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域に転写する工程； 及び
（Ｅ）接着層が転写された半導体ウエハを、ダイシングラインに沿ってダイシングして半導体チップを得る工程
を有することを特徴とする製造方法を提供する。
【０００９】
また、本発明は、ペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層が形成された半導体チップの製造方法であって、
（ａ）キャリアフィルム上にベースフィルム、更に接着層が積層された積層体に対し、接着層側からハーフカット処理を行う工程；
（ｂ）半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれていない領域に対応する接着層とベースフィルムとをキャリアフィルム上から除去し、それにより接着層転写シートを作成する工程；
（ｃ）接着層転写シートの接着層を、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域に転写する工程； 及び
（ｄ）接着層が転写された半導体ウエハを、ダイシングラインに沿ってダイシングして半導体チップを得る工程
を有することを特徴とする製造方法を提供する。
【００１０】
更に、本発明は、半導体チップのバンプが、配線基板の電極に接着層により接合されてなる半導体装置の製造方法であって、
上述の本発明の半導体チップの製造方法で得た半導体チップの接着層上のベースフィルムを取り除いた後、当該半導体チップのバンプを配線基板の電極に位置合わせして仮圧着し、半導体チップ側からボンダーにより本圧着することにより半導体チップのバンプと配線基板の電極とを接合することを特徴とする製造方法を提供する。
【００１１】
加えて、本発明は、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層を形成するための接着層転写シートであって、ベースフィルム及び接着層からなる複数の積層物が、キャリアフィルムとカバーフィルムとの間で、互いに離隔的に設けられており、積層物のベースフィルムがキャリアフィルム側に配置されていることを特徴とする接着層転写シートを提供する。
【００１２】
また、本発明は、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層を形成するための接着層転写シートであって、ベースフィルム及び接着層からなる複数の積層物が、キャリアフィルム上に、互いに離隔的に設けられており、積層物のベースフィルムがキャリアフィルム側に配置されていることを特徴とする接着層転写シートを提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明においては、キャリアフィルム上に、半導体ウエハの個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に対応するようにハーフカット処理により離隔的に接着層を配置して得た接着層転写シートを使用し、当該接着層を半導体ウエハに転写する。このため、フォトリソグラフィ法を利用することなく、ロールツーロールで接着層付きの半導体チップを製造するために使用する接着層転写シートを作成した上で、接着層付きの半導体チップを製造できる。従って、半導体ウエハ上のアライメントマークの視認性の低下を防止でき、また、半導体チップを配線基板に実装する際に、接着層からバンプを頭出しさせる必要がないため、バンプの破損も防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の半導体チップの製造方法で製造された半導体チップの断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図３】図３は、半導体ウエハの部分上面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の半導体チップの製造方法の説明図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の半導体装置の製造方法の説明図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の半導体装置の製造方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら、図１に示す半導体チップ１００の製造方法を工程毎に説明する。なお、この半導体チップ１００は、ペリフェラル配置のバンプ３３に囲まれた領域３４に接着層１２ｂと、必要に応じて更にベースフィルム１０ｂとが積層された構造を有するものである。
【００１６】
＜半導体チップの製造方法の第１の態様＞
（工程（Ａ））
まず、図２Ａに示すように、ベースフィルム１０とカバーフィルム１１との間に接着層１２が挟持された積層体１３に対し、ベースフィルム１０側から、トムソン刃を備えたプレスハーフカッターやピナクル刃を備えたロールハーフカッター等の公知のハーフカッターを用いてハーフカット処理を行い、カバーフィルム１１に達するハーフカットライン１４を形成する。
【００１７】
ベースフィルム１０やカバーフィルム１１としては、剥離処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム等を使用することができる。
【００１８】
接着層１２としては、絶縁性接着剤から形成された絶縁性接着層や、絶縁性接着剤に導電性粒子が分散した異方性導電接着剤から形成された異方導電性接着層を適用することができる。
【００１９】
絶縁性接着剤としては、ペースト状或いはフィルム状の熱硬化型エポキシ系接着剤を使用することができる。そのような熱硬化型エポキシ系接着剤は、膜形成樹脂、エポキシ樹脂（硬化成分）、硬化剤、シランカップリング剤等から構成することができる。また、更に、導電粒子を配合することにより、接着層１２に異方導電性を付与することができる。これらの構成成分は、接着層に求める特性等に応じて公知のものから適宜選択して使用することができる。
【００２０】
膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂等を挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。これらの中でも、成膜性、加工性、接続信頼性の観点から、フェノキシ樹脂を好ましく使用することができる。
【００２１】
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、それらの変性エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。エポキシ樹脂は液状または固形であってよい。
【００２２】
硬化剤としては、ポリアミン、イミダゾール等のアニオン系硬化剤やスルホニウム塩などのカチオン系硬化剤、フェノール系硬化剤等の潜在性硬化剤を挙げることができる。
【００２３】
シランカップリング剤としては、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤等を挙げることができる。これらのシランカップリング剤は、主としてアルコキシシラン誘導体である。
【００２４】
導電粒子としては、異方性導電接着剤に従来用いられているものの中から適宜選択して使用することができる。例えばニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウムなどの金属粒子、金属被覆樹脂粒子などが挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。
【００２５】
熱硬化型エポキシ系接着剤には、必要に応じて充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料）、有機溶剤、イオンキャッチャー剤などを配合することができる。
【００２６】
積層体１３は、ベースフィルム１０に、熱硬化型エポキシ系接着剤等の接着層形成用組成物を常法により塗布し乾燥して接着層１２を形成した後、更にカバーフィルム１１を積層することにより作成することができる。
【００２７】
（工程（Ｂ））
半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれていない領域に対応する接着層１２ａとベースフィルム１０ａとをカバーフィルム１１上から除去する。除去は常法に従って行うことができる。これにより、カバーフィルム１１上に、ベースフィルム１０ｂと接着層１２ｂとからなる複数の積層物１６が保持されることになる。
【００２８】
なお、図３に半導体ウエハを示す。半導体ウエハ３０には、半導体チップとなる複数の半導体素子３１が作り込まれており、最終的にダイシングライン３２でダイシングされ個々の半導体チップに分割される。ここで、半導体素子３１のバンプ３３はペリフェラル配置となっており、ペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれた領域３４（図中斜線部分）に接着層が転写される。従って、半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれていない領域とは、領域３４以外の領域を示す。
【００２９】
（工程（Ｃ））
次に、積層体１３のベースフィルム１０側表面に、粘着層が形成されたポリエチレンフィルム等のキャリアフィルム１５を貼り合わせ、それにより接着層転写シート１７を作成する。この接着層転写シート１７は、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域（図３、３４）に接着層を形成するためのものであり、具体的には、図２Ｃに示されているように、ベースフィルム１０ｂ及び接着層１２ｂからなる複数の積層物１６が、キャリアフィルム１５上に、互いに離隔的に設けられ、積層物１６のベースフィルム１０ｂがキャリアフィルム１５側に配置され、反対側にカバーフィルム１１が積層された構造を有する。ここで、“離隔的に設け”とは、図３の半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３に囲まれた領域３４に対応して設けることを意味する。
【００３０】
このような接着層転写シート１７も本発明の一つの態様であり、詳しくは後述する。
【００３１】
なお、図３において、半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３に囲まれた領域３４の面積は、小さすぎるとバンプまで十分に接着層が広がらなくなり接着力が低下し、接続信頼性にも不具合が生じることとなり、大きすぎるとバンプの外側まで接着層が広がり、不要な接着層が存在することになり、コスト的な観点を含めて好ましくない。半導体素子３１（半導体チップ１００（図１））のバンプ側表面積の好ましくは５０〜９０％、より好ましくは７０〜８０％となるように設定する。
【００３２】
（工程（Ｄ））
次に、図２Ｄに示すように、接着層転写シート１７に貼り合わされたカバーフィルム１１を除去する。露出した接着層１２ｂを、半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれた領域３４に常法により必要に応じて加熱しながら押圧して転写し、キャリアフィルム１５を取り去る。これにより、図２Ｅに示すように、半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれている領域３４に接着層１２ｂが、ベースフィルム１０ｂともども転写される。
【００３３】
（工程（Ｅ））
次に、図２Ｅに示すように、接着層１２ｂが転写された半導体ウエハ３０を、ダイシングライン３２に沿って常法によりダイシングし、図１に示すように分割された半導体チップ１００が得られる。
【００３４】
以上説明した半導体チップの製造方法の第１態様では、接着層転写シート１７を作成する際にカバーフィルムを使用したが、そのようなカバーフィルムを使用しない態様を以下に説明する。
【００３５】
＜半導体チップの製造方法の第２の態様＞
（工程（ａ））
図４Ａに示すように、キャリアフィルム１５上にベースフィルム１０、更に接着層１２が積層された積層体１８に対し、接着層１２側からハーフカット処理を行い、キャリアフィルム１５に達するハーフカットライン１４を形成する。
【００３６】
積層体１８は、ベースフィルム１０に、熱硬化型エポキシ系接着剤などの接着層形成用組成物を常法により塗布し乾燥して接着層１２を形成した後、ベースフィルム１０側に更にキャリアフィルム１５を積層することにより作成することができる。
【００３７】
（工程（ｂ））
図３に示すような半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれていない領域に対応する接着層１２ａとベースフィルム１０ａとをキャリアフィルム１５上から除去する。除去は常法に従って行うことができる。これにより図４Ｂの接着層転写シート１９が得られる。この接着層転写シート１９においては、キャリアフィルム１５上に、ベースフィルム１０ｂと接着層１２ｂとからなる複数の積層物１６が保持されることになる。
【００３８】
このような接着層転写シート１９も本発明の一つの態様であるが、接着層転写シート１７と共に後述する。
【００３９】
（工程（ｃ））
次に、本発明の半導体チップの製造方法の第１の態様における工程（Ｄ）を繰り返すことにより、図２Ｅに示すように、半導体ウエハ３０に形成された半導体素子３１のペリフェラル配置のバンプ３３で囲まれている領域３４に接着層１２ｂが、ベースフィルム１０ｂともども転写される。
【００４０】
（工程（ｄ））
次に、本発明の半導体チップの製造方法の第１の態様における工程（Ｅ）を繰り返すことにより、図１に示すように分割された半導体チップ１００が得られる。
【００４１】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本発明は半導体チップの製造方法により得られた半導体チップを使用する半導体装置の製造方法について説明する。この製造方法は、半導体チップの製造方法の工程に引き続いて実施することができる。従って、本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の半導体チップの製造方法の発明の構成を必須の構成として有する発明として位置づけることができる。
【００４２】
即ち、図５Ａに示すように、得られた図１の半導体チップ１００の接着層１２ｂ上のベースフィルム１０ｂを取り除いた後、当該半導体チップ１００のバンプ３３を、ガラス配線基板やフレキシブル配線基板、ガラスエポキシ配線基板などの公知の配線基板５０の銅などの電極５１に位置合わせして仮圧着し、半導体チップ１００側から公知のボンダー５２により本圧着することにより半導体チップ１００のバンプ３３と配線基板５０の電極５１とを接合することにより半導体装置２００を得ることができる（図５Ｂ）。なお、本圧着の際に使用するボンダーとして、押圧面が弾性体から構成されている弾性ボンダー（例えば、特開２００５−３２９５２号公報、同２００６−２４５５４号公報のそれぞれの請求項１参照）を使用することにより、バンプ性状の配線高さの誤差によらず半導体チップを配線基板に実装することが容易となる。また、複数の半導体チップを配線基板に一括実装することも容易となる。
【００４３】
なお、接着層１２ｂとして絶縁性接着層を適用した場合には、バンプ３３と電極５１との間からそれらが接触して導通が可能となる程度まで接着層を排除して導通を確保する。他方、接着層１２ｂとして異方導電性接着層を適用した場合には、バンプ３３と電極５１との間に導電粒子を介して異方性導電接続が可能となる。
【００４４】
＜接着層転写シートその１＞
図２Ｃの本発明の接着層転写シート１７は、ベースフィルム１０ｂ及び接着層１２ｂからなる複数の積層物１６が、キャリアフィルム１５上に、互いに離隔的に設けられ、積層物１６のベースフィルム１０ｂがキャリアフィルム１５側に配置され、反対側にカバーフィルム１１が積層された構造を有する。材料並びに作成方法については既に説明したとおりである。
【００４５】
この接着層転写シート１７において、接着層１２ｂとベースフィルム１０ｂとの間の剥離力をａ[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルム１５とベースフィルム１０ｂの間の剥離力をｂ[Ｎ／５ｃｍ]とし、接着層１２ｂとカバーフィルム１１との間の剥離力をｃ[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ＞ｂ＞ｃの関係が満たされていることが好ましい。これは、最初に剥離除去するものがカバーフィルムであり、次に剥離除去するものがキャリアフィルムだからである。従って、ｂは好ましくは０．３ａ〜０．７ａ、より好ましくは０．４ａ〜０．６ａであり、ｃは好ましくは０．１ａ〜０．３ａ、より好ましくは０．１〜０．２ａという剥離力であることが好ましい。剥離力の調整は、材料の配合や表面改質処理等により行うことができる。
【００４６】
剥離力の測定は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して行うことができる。
【００４７】
このような接着層転写シート１７における接着層１２ｂの厚さは、圧着時に接着層が半導体チップのバンプまで拡がるような容積を確保するために、半導体素子（半導体チップ）（図３の３１）のバンプ（図３の３３）高さよりも高いことが好ましい。好ましくは、バンプ高さの１．１〜２．０倍、より好ましくは１．４〜１．６倍である。
【００４８】
なお、接着層１２ｂのガラス転移温度に関し、室温より低い場合には粘着性が高まるため、半導体ウエハへの転写を加熱なしもしくは弱加熱で容易に行うことができる傾向があり、しかもベースフィルムとの密着性も良好なためダイシングや搬送時の破損を防止することができる傾向があるが、他方、フィルム加工性（ハーフカット加工）が低下する傾向がある。従って、接着層１２ｂの材料としては、転写の際に加熱処理することを踏まえて、ガラス転移温度が好ましくは０〜６０℃、より好ましくは２０〜４０℃のものを使用する。
【００４９】
また、接着層１２ｂは、単層であってもよいが、第１接着層に第２接着層が積層された積層構造にしてもよい。この場合、ベースフィルム側に配置する第１接着層の軟化点を第２接着層の軟化点よりも低く、好ましくは室温以下とすることが好ましい。これにより、比較的高いガラス転移温度の第２接着層により、良好なフィルム加工性を担保することができ、しかも半導体チップの配線基板への良好な仮圧着を実現することができる。更に、第１接着層、第２接着層及び第３接着層の３層構造としてもよい。この場合、第３接着層は第１接着層と同じ構成とすることが好ましい。これにより、ベースフィルムとの密着性も高めることができ、ダイシングや搬送時の破損をより防止することができる。
【００５０】
＜接着層転写シートその２＞
図４Ｂの本発明の接着層転写シート１９は、ベースフィルム１０ｂ及び接着層１２ｂからなる複数の積層物１６が、キャリアフィルム１５上に、互いに離隔的に設けられ、積層物１６のベースフィルム１０ｂがキャリアフィルム１５側に配置された構造を有する。材料並びに作成方法については既に説明したとおりである。
【００５１】
この接着層転写シート１９において、接着層１２ｂとベースフィルム１０ｂとの間の剥離力をａ′[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルム１５とベースフィルム１０ｂの間の剥離力をｂ′[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ′＞ｂ′の関係が満たされていることが好ましい。これは、先に剥離除去するものがキャリアフィルムだからである。従って、ｂ′は好ましくは０．３ａ′〜０．７ａ′、より好ましくは０．４ａ′〜０．６ａ′という剥離力である。
【００５２】
また、このような接着層転写シート１９における接着層１２ｂの厚さは、先に説明した接着層転写シート１７の場合と同じである。
【００５３】
以上説明した接着層転写シート１９における接着層のガラス転移点に関し、接着層転写シート１７の場合と同様に、室温より低い場合には粘着性が高まるため、半導体ウエハへの転写を加熱なしもしくは弱加熱で容易に行うことができる傾向があり、しかもベースフィルムとの密着性も良好なためダイシングや搬送時の破損を防止することができる傾向があるが、他方、フィルム加工性（ハーフカット加工）が低下する傾向がある。従って、接着層１２ｂの材料としては、転写の際に加熱処理することを踏まえて、ガラス転移温度が好ましくは０〜６０℃、より好ましくは２０〜４０℃のものを使用する。
【００５４】
なお、接着層１２ｂを多層化する場合には、カバーシートが存在しないため、キャリアフィルム１５の背面に離型処理を施した（離型層を設ける）という構成にすることが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明によれば、キャリアフィルム上に、半導体ウエハの個々の半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に対応するようにハーフカット処理により離隔的に接着層を配置して得た接着層転写シートを使用し、当該接着層を半導体ウエハに転写する。このため、フォトリソグラフィ法を利用することなく、接着層付きの半導体チップを製造するために使用する接着層転写シートを作成することができるので、接着層付きの半導体チップの製造に有用である。
【符号の説明】
【００５６】
１０、１０ａ、１０ｂ ベースフィルム
１１ カバーフィルム
１２、１２ａ、１２ｂ 接着層
１３、１８ 積層体
１４ ハーフカットライン
１５ キャリアフィルム
１６ 積層物
１７、１９ 接着層転写シート
３０ 半導体ウエハ
３１ 半導体素子
３２ ダイシングライン
３３ ペリフェラル配置のバンプ
３４ 半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域
５０ 配線基板
５１ 電極
５２ ボンダー
１００ 半導体チップ
２００ 半導体装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層が形成された半導体チップの製造方法であって、
（Ａ）ベースフィルムとカバーフィルムとの間に接着層が挟持された積層体に対し、ベースフィルム側からハーフカット処理を行う工程；
（Ｂ）半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれていない領域に対応する接着層とベースフィルムとをカバーフィルム上から除去する工程；
（Ｃ）積層体のベースフィルム側表面にキャリアフィルムを貼り合わせ、それにより接着層転写シートを作成する工程；
（Ｄ）接着層転写シートに貼り合わされたカバーフィルムを除去し、露出した接着層を、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域に転写する工程； 及び
（Ｅ）接着層が転写された半導体ウエハを、ダイシングラインに沿ってダイシングして半導体チップを得る工程
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
転写条件下での接着層とベースフィルムとの間の剥離力をａ[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルムとベースフィルムとの間の剥離力をｂ[Ｎ／５ｃｍ]とし、接着層とカバーフィルムとの間の剥離力をｃ[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ＞ｂ＞ｃの関係が満たされている請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
ペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層が形成された半導体チップの製造方法であって、
（ａ）キャリアフィルム上にベースフィルム、更に接着層が積層された積層体に対し、接着層側からハーフカット処理を行う工程；
（ｂ）半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれていない領域に対応する接着層とベースフィルムとをキャリアフィルム上から除去し、それにより接着層転写シートを作成する工程；
（ｃ）接着層転写シートの接着層を、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域に転写する工程； 及び
（ｄ）接着層が転写された半導体ウエハを、ダイシングラインに沿ってダイシングして半導体チップを得る工程
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項４】
転写条件下での接着層とベースフィルムとの間の剥離力をａ[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルムとベースフィルムとの間の剥離力をｂ[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ＞ｂの関係が満たされている請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
接着層の厚さが、半導体チップのバンプ高さよりも大である請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
半導体チップのペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域の面積が、半導体チップのバンプ側表面積の５０〜８０％である請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
接着層が、第１接着層に第２接着層が積層された積層構造を有しており、ベースフィルム側に配置された第１接着層の軟化点が第２接着層の軟化点よりも低い請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
該接着層が、絶縁性接着剤または異方性導電接着剤から構成される請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法
【請求項９】
半導体チップのバンプが、配線基板の電極に接着層により接合されてなる半導体装置の製造方法であって、
請求項１〜８のいずれかに記載の半導体チップの製造方法で得た半導体チップの接着層上のベースフィルムを取り除いた後、当該半導体チップのバンプを配線基板の電極に位置合わせして仮圧着し、半導体チップ側からボンダーにより本圧着することにより半導体チップのバンプと配線基板の電極とを接合することを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
本圧着に際に使用するボンダーが、押圧面が弾性体から構成されている弾性ボンダーである請求項９記載の製造方法。
【請求項１１】
半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層を形成するための接着層転写シートであって、ベースフィルム及び接着層からなる複数の積層物が、キャリアフィルムとカバーフィルムとの間で、互いに離隔的に設けられており、積層物のベースフィルムがキャリアフィルム側に配置されていることを特徴とする接着層転写シート。
【請求項１２】
転写条件下での接着層とベースフィルムとの間の剥離力をａ[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルムとベースフィルムとの間の剥離力をｂ[Ｎ／５ｃｍ]とし、接着層とカバーフィルムとの間の剥離力をｃ[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ＞ｂ＞ｃの関係が満たされている請求項１１記載の接着層転写シート。
【請求項１３】
半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層を形成するための接着層転写シートであって、ベースフィルム及び接着層からなる複数の積層物が、キャリアフィルム上に、互いに離隔的に設けられており、積層物のベースフィルムがキャリアフィルム側に配置されていることを特徴とする接着層転写シート。
【請求項１４】
転写条件下での接着層とベースフィルムとの間の剥離力をａ′[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルムとベースフィルムとの間の剥離力をｂ′[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ′＞ｂ′の関係が満たされている請求項１３記載の接着層転写シート。
【請求項１】
ペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層が形成された半導体チップの製造方法であって、
（Ａ）ベースフィルムとカバーフィルムとの間に接着層が挟持された積層体に対し、ベースフィルム側からハーフカット処理を行う工程；
（Ｂ）半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれていない領域に対応する接着層とベースフィルムとをカバーフィルム上から除去する工程；
（Ｃ）積層体のベースフィルム側表面にキャリアフィルムを貼り合わせ、それにより接着層転写シートを作成する工程；
（Ｄ）接着層転写シートに貼り合わされたカバーフィルムを除去し、露出した接着層を、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域に転写する工程； 及び
（Ｅ）接着層が転写された半導体ウエハを、ダイシングラインに沿ってダイシングして半導体チップを得る工程
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
転写条件下での接着層とベースフィルムとの間の剥離力をａ[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルムとベースフィルムとの間の剥離力をｂ[Ｎ／５ｃｍ]とし、接着層とカバーフィルムとの間の剥離力をｃ[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ＞ｂ＞ｃの関係が満たされている請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
ペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層が形成された半導体チップの製造方法であって、
（ａ）キャリアフィルム上にベースフィルム、更に接着層が積層された積層体に対し、接着層側からハーフカット処理を行う工程；
（ｂ）半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれていない領域に対応する接着層とベースフィルムとをキャリアフィルム上から除去し、それにより接着層転写シートを作成する工程；
（ｃ）接着層転写シートの接着層を、半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプで囲まれた領域に転写する工程； 及び
（ｄ）接着層が転写された半導体ウエハを、ダイシングラインに沿ってダイシングして半導体チップを得る工程
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項４】
転写条件下での接着層とベースフィルムとの間の剥離力をａ[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルムとベースフィルムとの間の剥離力をｂ[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ＞ｂの関係が満たされている請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
接着層の厚さが、半導体チップのバンプ高さよりも大である請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
半導体チップのペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域の面積が、半導体チップのバンプ側表面積の５０〜８０％である請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
接着層が、第１接着層に第２接着層が積層された積層構造を有しており、ベースフィルム側に配置された第１接着層の軟化点が第２接着層の軟化点よりも低い請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
該接着層が、絶縁性接着剤または異方性導電接着剤から構成される請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法
【請求項９】
半導体チップのバンプが、配線基板の電極に接着層により接合されてなる半導体装置の製造方法であって、
請求項１〜８のいずれかに記載の半導体チップの製造方法で得た半導体チップの接着層上のベースフィルムを取り除いた後、当該半導体チップのバンプを配線基板の電極に位置合わせして仮圧着し、半導体チップ側からボンダーにより本圧着することにより半導体チップのバンプと配線基板の電極とを接合することを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
本圧着に際に使用するボンダーが、押圧面が弾性体から構成されている弾性ボンダーである請求項９記載の製造方法。
【請求項１１】
半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層を形成するための接着層転写シートであって、ベースフィルム及び接着層からなる複数の積層物が、キャリアフィルムとカバーフィルムとの間で、互いに離隔的に設けられており、積層物のベースフィルムがキャリアフィルム側に配置されていることを特徴とする接着層転写シート。
【請求項１２】
転写条件下での接着層とベースフィルムとの間の剥離力をａ[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルムとベースフィルムとの間の剥離力をｂ[Ｎ／５ｃｍ]とし、接着層とカバーフィルムとの間の剥離力をｃ[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ＞ｂ＞ｃの関係が満たされている請求項１１記載の接着層転写シート。
【請求項１３】
半導体ウエハに形成された半導体素子のペリフェラル配置のバンプに囲まれた領域に接着層を形成するための接着層転写シートであって、ベースフィルム及び接着層からなる複数の積層物が、キャリアフィルム上に、互いに離隔的に設けられており、積層物のベースフィルムがキャリアフィルム側に配置されていることを特徴とする接着層転写シート。
【請求項１４】
転写条件下での接着層とベースフィルムとの間の剥離力をａ′[Ｎ／５ｃｍ]とし、キャリアフィルムとベースフィルムとの間の剥離力をｂ′[Ｎ／５ｃｍ]としたとき、ａ′＞ｂ′の関係が満たされている請求項１３記載の接着層転写シート。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【公開番号】特開２０１０−２１２７０９（Ｐ２０１０−２１２７０９Ａ）
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【公開請求】
【出願番号】特願２０１０−１００３３９（Ｐ２０１０−１００３３９）
【出願日】平成２２年４月２３日（２０１０．４．２３）
【出願人】（０００１０８４１０）ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 (595)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１００３３９（Ｐ２０１０−１００３３９）
【出願日】平成２２年４月２３日（２０１０．４．２３）
【出願人】（０００１０８４１０）ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 (595)
【Ｆターム（参考）】
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