半導体発光装置及びその製造方法
【課題】電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面１０ｂと第１主面とは反対の側の第２主面１０ａとを有する半導体積層体と、第２主面１０ａに設けられた第１、第２電極と、を含む。第１、第２導電部は、それぞれ第１、第２電極に電気的に接続され、第２主面に立設された第１、第２柱部を含む。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面に設けられ、発光部からの発光光の波長を変換する波長変換部を含む。第１導電部の半導体積層体とは反対側の第１端面３１ａｅと第２導電部の半導体積層体とは反対側の第２端面３１ｂｅとは非対称である。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面１０ｂと第１主面とは反対の側の第２主面１０ａとを有する半導体積層体と、第２主面１０ａに設けられた第１、第２電極と、を含む。第１、第２導電部は、それぞれ第１、第２電極に電気的に接続され、第２主面に立設された第１、第２柱部を含む。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面に設けられ、発光部からの発光光の波長を変換する波長変換部を含む。第１導電部の半導体積層体とは反対側の第１端面３１ａｅと第２導電部の半導体積層体とは反対側の第２端面３１ｂｅとは非対称である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型で低消費電力の発光装置として、青色ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの半導体発光素子と、蛍光体と、を組み合わせることで白色光を発する白色ＬＥＤ発光装置が開発されている。
【０００３】
例えば、ＬＥＤチップをリードフレームや導電性基板にダイボンドしてワイヤーボンドを行った後、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を塗布する構成の半導体発光装置が知られている。しかしながら、このような半導体発光装置においては、ＬＥＤチップの他に、リードフレーム、導電性基板及びボンディングワイヤなどのような部材が必要であるため、装置が大きくなる。
【０００４】
半導体発光装置の小型化のための新しい技術の開発が期待されている。
半導体発光装置において小型化を進めると、ＬＥＤチップへの電流供給のための電極サイズも小さくなるため、陽極電極と陰極電極との判別が困難になり、例えば、半導体発光装置の実装の際に不良が発生し易くなる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２１０８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、発光部と、第１導電部と、第２導電部と、封止部と、光学層と、を備えた半導体発光装置が提供される。前記発光部は、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有する半導体積層体と、前記半導体積層体の前記第２主面に設けられた第１電極及び第２電極と、を含む。前記第１導電部は、前記第１電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む。前記第２導電部は、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む。前記封止部は、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う。前記光学層は、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられ、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む。前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称である。
【０００８】
本発明の別の実施形態によれば、発光部と、第１導電部と、第２導電部と、封止部と、光学層と、を有する半導体発光装置の製造方法が提供される。前記発光部は、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有する半導体積層体と、前記半導体積層体の前記第２主面に設けられた第１電極及び第２電極と、を含む。前記第１導電部は、前記第１電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む。前記第２導電部は、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む。前記封止部は、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う。前記光学層は、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられ、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む。前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称である。前記製造方法においては、前記半導体積層体の前記第２主面の上に、前記第１柱部に対応する第１開口領域と、前記第２柱部に対応し前記第１開口領域とは非対称な第２開口領域と、を有するレジスト膜を形成し、前記第１開口領域と前記第２開口領域とに導電膜を形成して前記第１柱部と前記第２柱部とを形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
【図９】第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的斜視図である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式的平面図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式的平面図である。
【図１４】図１４（ａ）〜図１４（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式平面図である。
【図１５】第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図１（ｂ）は模式的平面図であり、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００１２】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０は、発光部１０ｄと、第１導電部３０ａと、第２導電部３０ｂと、封止部５０と、光学層６０と、を備える。
【００１３】
発光部１０ｄは、半導体積層体１０と、第１電極１４と、第２電極１５と、を含む。
半導体積層体１０は、第１導電形の第１半導体層１１と、第２導電形の第２半導体層１２と、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられた発光層１３と、を含む。
【００１４】
半導体積層体１０においては、第２半導体層１２及び発光層１３が選択的に除去されて第２半導体層１２の側の第２主面１０ａにおいて第１半導体層１１の一部が露出している。
【００１５】
すなわち、半導体積層体１０は、第１主面１０ｂと、第１主面１０ｂとは反対側の第２主面１０ａと、を有している。第２主面１０ａの側に第２半導体層１２が配置され、第１主面１０ｂの側に、第１半導体層１１が配置される。第２半導体層１２及び発光層１３の面積は、第１半導体層１１の面積よりも小さく、第２主面１０ａの側において、第１半導体層１１の一部は、第２半導体層１２及び発光層１３に覆われていない。
【００１６】
第１導電形は例えばｎ形であり、第２導電形は例えばｐ形である。ただし、実施形態はこれに限らず、第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。以下では、第１導電形がｎ形であり、第２導電形がｐ形である場合として説明する。すなわち、第１半導体層１１は、ｎ形半導体層である。第２半導体層１２は、ｐ形半導体層である。
【００１７】
第１半導体層１１、第２半導体層１２及び発光層１３には、例えば、窒化物半導体を用いることができる。第１半導体層１１は、例えばＧａＮを含むｎ形クラッド層である。第２半導体層１２は、例えばｐ形クラッド層である。発光層１３は、例えば量子井戸層と、量子井戸層に積層された障壁層と、を有する。発光層１３は、例えば、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有することができる。
【００１８】
ここで、第２主面１０ａから第１主面１０ｂに向かう方向をＺ軸方向とする。すなわち、Ｚ軸方向は、第１半導体層１１、発光層１３及び第２半導体層１２の積層方向である。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１９】
半導体積層体１０は、例えば、サファイアなどの基板の上に、第１半導体層１１となる結晶、発光層１３となる結晶、及び、第２半導体層１２となる結晶が順次成長され、その後、所定の領域の、第１半導体層１１の一部、発光層１３、及び、第２半導体層１２が除去されて形成される。
【００２０】
第１電極１４は、第２主面１０ａの側において第１半導体層１１に電気的に接続される。第２電極１５は、第２主面１０ａの側において第２半導体層１２に電気的に接続される。第１電極１４は、例えばｎ側電極であり、第２電極１５は、例えばｐ側電極である。発光部１０ｄにおいて、第１電極１４と第２電極１５とを介して、半導体積層体１０に電流を供給することで、発光層１３から光（発光光）が放出される。
【００２１】
このように、発光部１０ｄは、第１主面１０ｂと、第１主面１０ｂとは反対側の第２主面１０ａと、第２主面１０ａに設けられた第１電極１４と及び第２電極１５と、を有する
第１導電部３０ａは、第１電極１４に電気的に接続される。第１導電部３０ａは、第２主面１０ａの上に立設された第１柱部３１ａを含む。第１柱部３１ａは、例えばＺ軸方向に沿って延在する部分を少なくとも含む。
【００２２】
第２導電部３０ｂは、第２電極１５に電気的に接続される。第２導電部３０ｂは、第２主面１０ａの上に立設された第２柱部３１ｂを含む。第２柱部３１ｂは、Ｚ軸方向に沿って延在する部分を少なくとも含む。
【００２３】
本具体例では、半導体積層体１０の１つの辺の延在方向が、Ｘ軸方向に設定されている。本具体例では、Ｘ軸方向は、第１柱部３１ａから第２柱部３１ｂに向かう方向に沿う半導体積層体１０の辺の方向とされている。
【００２４】
封止部５０は、第１導電部３０ａの側面、及び、第２導電部３０ｂの側面を覆う。すなわち、封止部５０は、第１柱部３１ａの側面、及び、第２柱部３１ｂの側面を覆う。封止部５０は、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対の側の第１端面３１ａｅを露出する。封止部５０は、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対の側の第２端面３１ｂｅを露出する。なお、第１端面３１ａｅは、第１柱部３１ａの半導体積層体１０とは反対の側の端面である。第２端面３１ｂｅは、第２柱部３１ｂの半導体積層体１０とは反対の側の端面である。
【００２５】
光学層６０は、半導体積層体１０の第２主面１０ａとは反対側の第１主面１０ｂに設けられる。光学層６０は、蛍光体層６１（波長変換部）を含む。蛍光体層６１は、発光層１３から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する。
【００２６】
本具体例では、光学層６０は、例えば蛍光体を含む蛍光体層６１と、蛍光体層６１と半導体積層体１０との間に設けられた透光部６２と、を含む。透光部６２は、発光層１３から放出される発光光に対する透光性を有する。透光部６２は、例えばレンズ作用や屈折作用などの光の進行方向を変化させる作用を有することができる。これにより、発光層１３で発生した光の放射角や色ずれを調整することができる。透光部６２は必要に応じて設けられ、透光部６２は場合によっては省略できる。
【００２７】
蛍光体層６１は、例えば透光性の樹脂と、この樹脂に分散された蛍光体と、を含む。蛍光体は、発光層１３から放出される発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する。なお、蛍光体層６１は、複数種の蛍光体を含むことができる。蛍光体には、例えば、黄色光を放出する蛍光体、緑色光を放出する蛍光体、及び、赤色光を放出する蛍光体など、任意の色を放出する蛍光体を用いることができる。蛍光体層６１は、波長が異なる蛍光体を含む積層された複数の層を含むこともできる。
【００２８】
半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａ、第１電極１４、第２導電部３０ｂ及び第２電極１５を介して、半導体積層体１０に電流が供給され、これにより、発光層１３から光（発光光）が放出される。発光光は、例えば、青色光、紫色光及び紫外光などの比較的短い波長の光とすることができる。
【００２９】
発光層１３から放出された例えば青色の発光光は、光学層６０の内部に進行し、蛍光体層６１によって例えば黄色の光に波長が変換される。そして、発光層１３から放出された例えば青色の発光光と、蛍光体層６１で得られた例えば黄色の光と、が合成される。これにより、半導体発光装置１１０は、白色光を発光することができる。
【００３０】
なお、発光層１３から放出される発光光の波長、及び、蛍光体層６１で変換された光の波長は任意である。半導体発光装置１１０から出射する光の色は、白色の他、任意の色とすることができる。
【００３１】
なお、本具体例では、半導体発光装置１１０は、絶縁層２０をさらに備えている。絶縁層２０は、第１柱部３１ａの少なくとも一部と半導体積層体１０との間、及び、第２柱部３１ｂの少なくとも一部と半導体積層体１０との間の少なくともいずれかに設けられる。絶縁層２０は、封止部５０に覆われる。
【００３２】
絶縁層２０は、第１導電部３０ａと第２半導体層１２との間、及び、第１導電部３０ａと第２電極１５との間を電気的に遮断する。これにより、第１導電部３０ａの数、サイズ、形状及び配置を任意に設計し易くなる。すなわち、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの数、面積、形状及び配置を、第１電極１４と独立して設計できる。
【００３３】
絶縁層２０は、第２導電部３０ｂと第１半導体層１１との間、及び、第２導電部３０ｂと第１電極１４との間を電気的に遮断する。これにより、第２導電部３０ｂの数、サイズ、形状及び配置を任意に設計し易くなる。すなわち、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅの数、面積、形状及び配置を、第２電極１５と独立して設計できる。
【００３４】
絶縁層２０には、例えば、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。絶縁層２０は、半導体積層体１０に加わる応力を緩和する応力緩和層として機能することができる。
【００３５】
本具体例は、絶縁層２０は、第１柱部３１ａの一部と半導体積層体１０との間に設けられている例である。
【００３６】
絶縁層２０は、第１導電部３０ａと、第１電極１４の一部と、の間に設けられることができる。本具体例では、絶縁層２０は、第１導電部３０ａのうちの第１柱部３１ａの少なくとも一部と、第１電極１４の一部と、の間に設けられている。
【００３７】
なお、第１導電部３０ａと第１電極１４との電気的な接続を実現するために、絶縁層２０は、第１電極１４の少なくとも一部の上には設けられていない。絶縁層２０は、例えば、第１電極１４の側の第１開口部２０ｏ１を有し、第１開口部２０ｏ１において、第１導電部３０ａと第１電極１４との電気的な接続が行われる。第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０を貫通する孔を含むことができる。ただし、実施形態はこれに限らず、第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０の端部のうち、第１電極１４の端部から後退し、第１電極１４を露出させる部分を便宜的に含むことができる。すなわち、第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０のうちで第１電極１４の少なくとも一部を露出させる部分を含むことができ、その形状は任意である。第１開口部２０ｏ１の数は、任意である。
【００３８】
なお、後述するように、絶縁層２０は、第２導電部３０ｂと、第２電極１５の一部と、の間にさらに設けられても良い。例えば、絶縁層２０は、第２柱部３１ｂの少なくとも一部と、第２電極１５の一部と、の間にさらに設けられても良い。
【００３９】
なお、第２導電部３０ｂと第２電極１５との電気的な接続を実現するために、絶縁層２０は、第２電極１５の少なくとも一部の上には設けられていない。絶縁層２０は、例えば、第２電極１５の側の第２開口部２０ｏ２を有し、第２開口部２０ｏ２において、第２導電部３０ｂと第２電極１５との電気的な接続が行われる。第２開口部２０ｏ２は、絶縁層２０を貫通する孔を含むことができる。ただし、実施形態はこれに限らず、第２開口部２０ｏ２は、絶縁層２０の端部のうち、第２電極１５の端部から後退し、第２電極１５を露出させる部分を便宜的に含むことができる。すなわち、第２開口部２０ｏ２は、絶縁層２０のうちで第２電極１５の少なくとも一部を露出させる部分を含むことができ、その形状は任意である。第２開口部２０ｏ２の数は、任意である。
【００４０】
本具体例では、発光部１０ｄは、半導体積層体１０の第２主面１０ａの側の第１電極１４及び第２電極１５を除く部分に設けられた保護層１８をさらに含む。保護層１８は、半導体積層体１０の端部を覆う。保護層１８には、絶縁材料を用いることができる。これにより、例えば、第１電極１４と第２電極１５との間の絶縁性が向上する。保護層１８は、半導体積層体１０の端部の全部を覆うこともできる。保護層１８は、半導体積層体１０の端部の一部を覆うこともできる。この保護層１８には、例えば酸化シリコンなどを用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、保護層１８には任意の絶縁材料を用いることができる。保護層１８は必要に応じて設けられ、場合によっては省略できる。
【００４１】
第２電極１５は積層構造を有することができる。例えば、第２電極１５は、導電層と、その導電層と第２半導体層１２との間に設けられた反射層（図示しない）と、を含むことができる。これにより、発光層１３から放出され、第２主面１０ａの側に進行する光が反射層で反射され、光を光学層６０の側に効率良く進行させることができる。
【００４２】
本具体例では、第１導電部３０ａは、第１接続部３２ａをさらに含む。第１接続部３２ａは、絶縁層２０の半導体積層体１０とは反対の側の面の少なくとも一部を覆い、第１電極１４と第１柱部３１ａとを電気的に接続する。第１接続部３２ａは、例えばＸ−Ｙ平面に沿って延在する部分を含むことができる。
【００４３】
このように、絶縁層２０が、第１柱部３１ａの少なくとも一部と半導体積層体１０との間に設けられるときにおいて、第１導電部３０ａは、第１接続部をさらに含むことができる。
【００４４】
第２導電部３０ｂは、第２接続部３２ｂをさらに含むことができる。第２接続部３２ｂは、第２電極１５と第２柱部３１ｂとを電気的に接続する。第２接続部３２ｂは、例えばＸ−Ｙ平面に沿って延在する部分を含むことができる。
【００４５】
すなわち、後述するように、絶縁層２０が、第２柱部３１ｂの少なくとも一部と半導体積層体１０との間に設けられるときにおいて、第２導電部３０ｂは、絶縁層２０の半導体積層体１０とは反対の側の面の少なくとも一部を覆い第２電極１５と第２柱部３１ｂとを電気的に接続する第２接続部３２ｂをさらに含むことができる。
【００４６】
第１柱部３１ａ、第１接続部３２ａ、第２柱部３１ｂ及び第２接続部３２ｂには、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、及び、Ａｌ（アルミニウム）などの金属を用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、第１柱部３１ａ、第１接続部３２ａ、第２柱部３１ｂ及び第２接続部３２ｂに用いられる材料は任意である。
【００４７】
封止部５０は、例えばエポキシ樹脂などの樹脂を用いることができる。封止部５０に用いられる樹脂は、例えば石英フィラーやアルミナフィラーなどのフィラーを含有することができる。これにより、封止部５０の熱伝導率を上昇させることができ、これにより放熱性を高め、半導体積層体の温度上昇を抑制でき、発光効率を向上できる。
【００４８】
図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対側の第１端面３１ａｅと、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対側の第２端面３１ｂｅと、は、非対称である。
【００４９】
本具体例では、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なるパターン形状を有している。具体的には、第１端面３１ａｅは円形のパターン形状を有しており、第２端面３１ｂｅは四角形のパターン形状を有している。これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとの判別が容易になる。例えば、Ｚ軸方向を中心にして半導体発光装置１１０を回転した場合においても、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。
このように、半導体発光装置１１０によれば、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置を提供することができる。これにより、例えば、半導体発光装置の実装の際に、ｎ側の電極とｐ側の電極とを取り違えて実装する不良の発生を抑制することができる。
【００５０】
なお、本具体例は、第１端面３１ａｅが、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なるパターン形状を有する例であるが、実施形態はこれに限らず種々の形態があり得る。これに関しては後述する。
【００５１】
第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとを非対称に設定することによって電極の判別を容易にする効果は、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂを設け、これらを介して電気的な接続を行うことで半導体発光装置の小型化を実現する構成において特に効果的に発揮される。
【００５２】
すなわち、このような構成を採用することで、半導体発光装置１１０において、小型化が可能となる。
例えば、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面の大きさは、下面電極タイプの電子部品の最小サイズとされることができる。例えば、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面は、６００μｍ×３００μｍの長方形とすることができる。例えば、半導体発光装置１１０の外形は、例えば６００μｍ×３００μｍ×３００μｍの直方体とすることができる。半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面は、１０００μｍ×５００μｍの長方形とすることができる。例えば、半導体発光装置１１０の外形は、例えば１０００μｍ×５００μｍ×５００μｍの直方体とすることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に対して平行な面の大きさ及び形状、並びに、半導体発光装置１１０の大きさ及び形状は、任意である。
【００５３】
以下、半導体発光装置１１０の構成の例についてさらに説明する。
蛍光体層６１には、例えば、光を吸収し、その光の波長よりも長い波長を有する光を放出する蛍光体の粒子を混合して樹脂を用いることができる。この蛍光体は、例えば、青色光、紫光、及び、紫外光の少なくともいずれかの光を吸収し、その光よりも長い波長を有する光（例えば、緑色光、黄色光及び赤色光など）を放出する。蛍光体が混合される樹脂には、例えばシリコーン樹脂が用いられる。蛍光体層６１の厚さは、例えば２００μｍとされる。蛍光体層６１に用いられるシリコーン樹脂には、例えば、屈折率が約１．５のメチルフェニルシリコーンを用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、蛍光体層６１に含まれる樹脂及び蛍光体は任意である。
【００５４】
なお、既に説明したように、第２電極１５は、導電層と、その導電層と第２半導体層１２との間に設けられた反射層を含むことができる。この反射層は、例えばＡｇ及びＡｌの少なくともいずれかを含有することができる。この反射層の厚さは、例えば０．３μｍとすることができる。この反射層は、例えば、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けることができる。これにより、発光層１３から放出された光を効率的に第１主面１０ｂに向けて反射することができる。ただし、反射層が設けられる領域は、任意であり、例えば、反射層は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部の領域に設けても良い。
【００５５】
また、第２電極１５は、上記の反射層と、第２半導体層１２と、の間に設けられたコンタクト電極層をさらに含んでも良い。このコンタクト電極層は、例えば、Ａｕ層（金層）と、Ａｕ層と第２半導体層１２との間に設けられたＮｉ層（ニッケル層）と、を含むことができる。なお、Ｎｉ層の厚さは０．１μｍとすることができ、Ａｕ層の厚さは０．１μｍとすることができる。
【００５６】
第１電極１４は、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層と第１半導体層１１との間に設けられたＮｉ層と、を含むことができる。このＡｕ層の厚さは例えば０．１μｍとすることができ、このＮｉ層の厚さは０．１μｍとすることができる。第１電極１４は、例えば、第１半導体層１１の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けられることができる。ただし、第１電極１４が設けられる領域は任意であり、第１電極１４は第１半導体層１１の第２主面１０ａの側の少なくとも一部に設けられる。
なお、第１電極１４は、導電層と、その導電層と第１半導体層１１との間に設けられた反射層と、を含んでも良い。このように、第１電極１４は積層構造を有することができる。
【００５７】
第２電極１５の導電層は、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層と第２半導体層１２との間に設けられたＮｉ層と、を含むことができる。このＡｕ層の厚さは例えば０．１μｍとすることができ、このＮｉ層の厚さは０．１μｍとすることができる。第２電極１５は、例えば、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けられることができる。ただし、第２電極１５が設けられる領域は任意であり、第２電極１５は第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の少なくとも一部に設けられる。
【００５８】
第１導電部３０ａに含まれる第１接続部３２ａには、例えばＣｕ等の金属が用いられる。第１接続部３２ａは、第１層と、第２層と、を含むことができる。第１層は、第２層と第１電極１４との間に設けられる。すなわち、第１層は第１電極１４に接する。第１層は、例えばシード層であり、第２層は、例えばメッキ層である。第１層の厚さは、例えば約１μｍとすることができる。第２層の厚さは、例えば１０μｍとすることができる。
【００５９】
第２導電部３０ｂに含まれる第２接続部３２ｂには、例えばＣｕ等の金属が用いられる。第２接続部３２ｂは、第３層と、第４層と、を含むことができる。第３層は、第４層と第２電極１５との間に設けられる。すなわち、第３層は第２電極１５に接する。第３層は、例えばシード層であり、第４層は、例えばメッキ層である。第３層は、第１層と同層であり、第３層には、第１層に用いられる材料と同じ材料を用いることができる。第４層は第２層と同層であり、第４層には、第２層に用いられる材料と同じ材料を用いることができる。第３層の厚さは、例えば約１μｍとすることができる。第４層の厚さは、例えば１０μｍとすることができる。
【００６０】
ただし、第１〜第４層の面積、形状及び厚さは任意である。第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂは、単層の薄膜でも良く、上記のように、積層膜でも良い。第１接続部３２ａは、第１層及び第２層に積層された他の層をさらに有しても良い。第２接続部３２ｂは、第３層及び第４層に積層された他の層をさらに有しても良い。
【００６１】
第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂには、例えばＣｕ等の金属を用いることができる。第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂの厚さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）は、例えば６０μｍ程度とすることができる。第１接続部３２ａによって、第１電極１４と第１柱部３１ａとが電気的に接続される。第２接続部３２ｂによって、第２電極１５と第２柱部３１ｂとが電気的に接続される。
【００６２】
第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂに用いられる材料、断面の形状、断面積及び厚さは上記に限らず任意である。
【００６３】
封止部５０には、例えば、熱硬化性樹脂を用いることができる。封止部５０の厚さは、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂの厚さと同程度であり、例えば、６０μｍ程度である。封止部５０は、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅ、及び、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅを露出しつつ、第１導電部３０ａの側面（第１柱部３１ａの側面及び第１接続部３２ａの側面）、及び、第２導電部３０ｂの側面（第２柱部３１ｂの側面及び第２接続部３２ｂの側面）を覆う。封止部５０は、さらに、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂの半導体積層体１０とは反対側の面を覆うことができる。さらに、封止部５０は、半導体積層体１０の第２主面１０ａの側の全体を覆うことができる。
【００６４】
以下、半導体発光装置１１０の製造方法の例について説明する。
図２（ａ）〜図２（ｅ）、図３（ａ）〜図３（ｅ）、及び、図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
すなわち、これらの図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
本製造方法は、複数の半導体発光装置１１０をウェーハレベルで一括して製造する方法である。
【００６５】
図２（ａ）に表したように、半導体積層体１０が形成された基板１０ｓが用いられる。なお、基板１０ｓには、例えばサファイア基板が用いられる。基板１０ｓのサイズは、例えば直径が４インチであり、基板１０ｓの厚さは、例えば５００μｍ程度である。なお、半導体積層体１０の形成方法は、例えば以下である。すなわち、基板１０ｓ上に、窒化物半導体の、第１半導体層１１となる結晶膜、発光層１３となる結晶膜、及び、第２半導体層１２となる結晶膜が、エピタキシャル成長され、これらの結晶膜が、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理によりエッチングされ、第２主面１０ａの側に第１半導体層１１の一部を露出させる。さらに、これらの結晶膜が、例えばＲＩＥ処理により加工され、個別化され、複数の半導体積層体１０が形成される。
【００６６】
次に、図２（ｂ）に表したように、半導体積層体１０の第２主面１０ａに、第１電極１４及び第２電極１５となる膜を形成し、所定の形状にこの膜を加工し、第１電極１４及び第２電極１５を形成する。さらに、保護層１８を形成する。なお、図２（ｂ）においては、煩雑さを避けるために、保護層１８は図示されていない。
【００６７】
具体的には、例えば、半導体積層体１０の第２主面１０ａに、コンタクト電極層となる膜を形成する。すなわち、厚さが０．１μｍのＮｉ膜を形成し、その上に厚さが０．１μｍのＡｕ膜を形成する。これにより、コンタクト電極層となる膜が形成される。Ｎｉ膜及びＡｕ膜の形成には例えばスパッタ法を用いることができる。さらに、このＡｕ膜の上に、反射層となる層が形成される。すなわち、反射層として、Ａｇ及びＡｌの少なくともいずれかを含む、例えば厚さが０．３μｍの膜が形成される。この場合にもスパッタ法を用いることができる。これにより、反射層となる膜が形成される。
【００６８】
さらに、反射層となる膜の上に、第１電極１４及び第２電極１５の導電層となる導電膜が形成される。すなわち、反射層となる膜の上に、例えば０．１μｍのＮｉ膜を形成し、その上に厚さが０．１μｍのＡｕ膜を形成する。このＮｉ膜及びＡｕ膜の形成にも、例えばスパッタ法を用いることができる。
【００６９】
上記のコンタクト電極層となる膜、反射層となる膜、第１電極１４及び第２電極１５の導電層となる導電膜を所定の形状に加工する。これにより、第１電極１４及び第２電極１５が形成される。なお、上記の各膜の加工には、例えばリフトオフ法などの任意の方法を用いることができる。なお、コンタクト電極層、反射層、及び、第１電極１４の導電層は、互いに異なるパターン形状を有することができる。コンタクト電極層、反射層、及び、第２電極１５の導電層は、互いに異なるパターン形状を有することができる。
【００７０】
さらに、第１電極１４の少なくとも一部を除き、第２電極１５の少なくとも一部を除く領域に、保護層１８となる、例えば、厚さが０．３μｍのＳｉＯ２膜を例えばＣＶＤ法により形成し、例えば、ドライエッチングやウエットエッチングによって加工して保護層１８を形成する。
【００７１】
次に、図２（ｃ）に表したように、半導体積層体１０の第２主面１０ａの、第１柱部３１ａの少なくとも一部、及び、第２柱部３１ｂの少なくとも一部、の少なくともいずれかに対応する領域に、絶縁層２０を形成する。本具体例では、第１柱部３１ａの一部に対応する領域の半導体積層体１０の上に絶縁層２０が設けられる。この絶縁層２０は、第１電極１４の少なくとも一部を除き、第２電極１５の少なくとも一部を除く領域に形成される。なお、本具体例では、絶縁層２０は、複数の半導体積層体１０どうしの間にさらに設けられる。
【００７２】
絶縁層２０には、例えばポリイミドやＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）などが用いられる。すなわち、例えば、半導体積層体１０の第２主面１０ａの全面に、絶縁層２０となるポリイミド膜を形成し、例えばマスクを用いた露光と、現像と、を行うことにより、選択的に絶縁層２０を形成する。加工された絶縁層２０は、必要に応じてベーキングされる。
【００７３】
そして、この後、絶縁層２０の上に、第１導電部３０ａの少なくとも一部、及び、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となる導電膜を形成する。この導電膜は、絶縁層２０に覆われていない第１電極１４の少なくとも一部と、絶縁層２０に覆われていない第２電極１５の少なくとも一部と、を覆うように、形成されることができる。具体的には以下の処理が行われる。
【００７４】
すなわち、図２（ｄ）に表したように、例えば、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の全面に、第１接続部３２ａの第１層、及び、第２接続部３２ｂの第３層、となるシード層３３を形成する。シード層３３は、例えば、蒸着法やスパッタ法などの物理的被着法により形成される。シード層３３は、後述するメッキ工程における給電層として機能する。シード層３３には、例えば、Ｔｉ膜とＣｕ膜との積層膜を用いることができる。なお、シード層３３のＴｉ層により、Ｃｕ膜と、レジストやパッド（第１電極１４及び第２電極１５）と、の密着強度を高めることができる。Ｔｉ層の厚さは、例えば０．２μｍ程度とされる。一方、シード層３３のＣｕ膜は、主に給電に寄与する。Ｃｕ膜の厚さは、０．２μｍ以上とすることが望ましい。
【００７５】
次に、図２（ｅ）に表したように、第１接続部３２ａに対応する領域を除き、第２接続部３２ｂに対応する領域を除く領域に、第１レジスト層３７を形成する。第１レジスト層３７には、例えば、感光性の液状レジストやドライフィルムレジストを用いることができる。第１レジスト層３７は、第１レジスト層３７となる膜を形成した後に、所定の開口部を有する遮光マスクを用いた露光と、現像と、を実施することにより形成される。なお、必要に応じて第１レジスト層３７はベーキングされる。
【００７６】
次に、図３（ａ）に表したように、第１レジスト層３７が設けられていない領域に、第１接続部３２ａの第２層、及び、第２接続部３２ｂの第４層、となる接続部導電膜３２ｆを形成する。接続部導電膜３２ｆは、例えば、電気メッキ法により形成される。電気メッキ法においては、例えば、硫酸銅と硫酸とからなるメッキ液中に、上記の被加工体が設けられた基板１０ｓを浸漬し、シード層３３と直流電源の負極とを接続し、基板１０ｓの被メッキ面と対向するように設置したアノードとなるＣｕ板と直流電源の陽極とを接続する。そして、負極と陽極との間に電流を通電し、Ｃｕのメッキを行う。メッキ工程において、メッキ膜の厚さは時間の経過と共に増加し、メッキ膜の厚さが必要な厚さに達したときに通電が停止されてメッキが完了する。これにより、メッキ膜からなる接続部導電膜３２ｆが、第１レジスト層３７の開口部に形成される。
【００７７】
第１電極１４に対応する位置のシード層３３（第１層）と、第１電極１４に対応する位置の接続部導電膜３２ｆ（第２層）と、が第１接続部３２ａとなる。第２電極１５に対応する位置のシード層３３（第３層）と、第２電極１５に対応する位置の接続部導電膜３２ｆ（第４層）と、が第２接続部３２ｂとなる。
【００７８】
このように、シード層３３及び接続部導電膜３２ｆが、第１導電部３０ａの少なくとも一部、及び、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となる導電膜に相当する。
【００７９】
この導電膜となるシード層３３及び接続部導電膜３２ｆは、絶縁層２０に覆われていない第１電極１４の少なくとも一部と、絶縁層２０に覆われていない第２電極１５の少なくとも一部と、を覆うように形成されている。
【００８０】
この後、第１接続部３２ａの上に、第１柱部３１ａを形成し、第１接続部３２ａの上に、第１柱部３１ａを形成する。具体的には、例えば以下の処理が行われる。
【００８１】
図３（ｂ）に表したように、第１柱部３１ａに対応する領域を除き、第２柱部３１ｂに対応する領域を除く領域に第２レジスト層３８を形成する。すなわち、第１柱部３１ａに対応する第１開口領域３９ａと、第２柱部３１ｂに対応する第２開口領域３９ｂと、を有する第２レジスト層３８を形成する。第２レジスト層３８に用いられる材料、及び、第２レジスト層３８の形成には、第１レジスト層３７に関して説明した材料及び方法を採用することができる。
【００８２】
このとき、第１柱部３１ａに対応する第１開口領域３９ａと、第２柱部３１ｂに対応する第２開口領域３９ｂと、が非対称とされる。すなわち、第１開口領域３９ａは、第２開口領域３９ｂの面積とは異なる面積、第２開口領域３９ｂのパターン形状とは異なるパターン形状、第２開口領域３９ｂの数とは異なる数、及び、第２開口領域３９ｂの配置とは異なる配置、の少なくともいずれかを有するように設定される。ここで、第１開口領域３９ａの配置は、例えば半導体積層体１０の外形に対する第１開口領域３９ａの配置とすることができ、第２開口領域３９ｂの配置は、例えば半導体積層体１０の外形に対する第２開口領域３９ｂの配置とすることができる。
【００８３】
本具体例では、第１開口領域３９ａが円形とされ、第２開口領域３９ｂが四角形とされる。すなわち、第１開口領域３９ａが、第２開口領域３９ｂのパターン形状とは異なるパターン形状を有する例である。
【００８４】
このように、この工程では、半導体積層体１０の第２主面１０ａの上に、第１柱部３１ａに対応する第１開口領域３９ａと、第２柱部３１ｂに対応し、第１開口領域３９ａとは非対称な第２開口領域３９ｂと、を有する第２レジスト層３８（レジスト膜）を形成する。
【００８５】
次に、図３（ｃ）に表したように、第２レジスト層３８が設けられていない領域（すなわち、第１開口領域３９ａ及び第２開口領域３９ｂ）に、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂとなる柱部導電膜３１ｆを形成する。なお、柱部導電膜３１ｆも、例えば、電気メッキ法により形成される。柱部導電膜３１ｆの形成には、接続部導電膜３２ｆの形成に関して説明した材料及び方法を適用することができる。第１接続部３２ａに接続される部分の柱部導電膜３１ｆが第１柱部３１ａとなり、第２接続部３２ｂに接続される部分の柱部導電膜３１ｆが第２柱部３１ｂとなる。なお、柱部導電膜３１ｆは、第１導電部３０ａの少なくとも一部、及び、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となる導電膜に含まれることができる。
【００８６】
これにより、第１開口領域３９ａに第１柱部３１ａが形成され、第２開口領域３９ｂに第２柱部３１ｂが形成される。そして、第１柱部３１ａの断面（Ｚ軸方向に対して垂直な平面で切断したときの断面）の形状は、第１開口領域３９ａのパターン形状となる。そして、そして、第２柱部３１ｂの断面（Ｚ軸方向に対して垂直な平面で切断したときの断面）の形状は、第２開口領域３９ｂのパターン形状となる。すなわち、第１柱部３１ａの断面の形状は円形となり、第２柱部３１ｂの断面の形状は四角形となる。
【００８７】
次に、図３（ｄ）に表したように、第１レジスト層３７及び第２レジスト層３８を除去する。さらに、露出したシード層３３を、例えば、酸洗浄により除去する。なお、接続部導電膜３２ｆに覆われているシード層３３は、第１層及び第３層として残存し、それぞれ第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂに含まれる。
【００８８】
次に、図３（ｅ）に表したように、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の面に、封止部５０となる樹脂層５０ｆを形成する。樹脂層５０ｆには、例えば、熱硬化性樹脂を用いることができる。例えば、印刷等の手法によって、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂが埋没する程度の厚さで、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の面に樹脂層５０ｆとなる膜を形成し、加熱して硬化させ樹脂層５０ｆを形成する。樹脂層５０ｆの硬化の際の加熱条件は、例えば、１５０℃程度で２時間程度とされる。
【００８９】
次に、図４（ａ）に表したように、樹脂層５０ｆの表面を研削し、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂを露出させる。これにより、封止部５０が形成される。なお、この研削において、樹脂層５０ｆの研削と共に、第１柱部３１ａの一部と、第２柱部３１ｂの一部と、を研削することができ、これにより、第１柱部３１ａの第１端面３１ａｅ、及び、第２柱部３１ｂの第２端面３１ｂｅは、封止部５０の第２主面１０ａとは反対の側の面を含む面内に配置される。そして、本具体例では、円形の第１端面３１ａｅと、四角形の第２端面３１ｂｅと、が形成される。
【００９０】
なお、上記の研削には、例えば、回転研磨ホイールを用いることができる。回転研削によって、平坦性を確保しながら研削を実施することができる。なお、研削後に、必要に応じて、乾燥が行われる。
【００９１】
次に、図４（ｂ）に表したように、半導体積層体１０から基板１０ｓを除去する。すなわち、例えば、基板１０ｓの半導体積層体１０とは反対側の面から、基板１０ｓを介して、半導体積層体１０に含まれる層（例えばＧａＮ層）にレーザ光を照射し、この層の少なくとも一部を分解することで、半導体積層体１０から基板１０ｓを分離する。このレーザ光には、例えば、ＧａＮの禁制帯幅に基づく禁制帯幅波長よりも短い波長を有するレーザ光を用いることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＡＧの三倍高調波レーザを用いることができる。ただし、用いられるレーザ光は任意である。
【００９２】
次に、図４（ｃ）に表したように、本具体例では、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに、光学層６０の一部となる透光部６２を形成する。すなわち、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに、例えば、液状の透明樹脂層を印刷等によって塗布し、所定の形状を有する型をこの透明樹脂層に押し付け、透明樹脂層を所定の形状に変形させた後に、型を離型し、必要に応じて加熱及び紫外線照射の少なくともいずれかの処理を施して硬化させ、透光部６２を形成する。この方法を採用することにより、所望の形状を有する型を用いることで任意の形状を有する透光部６２を容易に形成することができる。
【００９３】
次に、図４（ｄ）に表したように、透光部６２を覆うように蛍光体層６１となる蛍光体膜６１ｆを形成する。蛍光体膜６１ｆは、例えば、蛍光体の粒子と、シリコーン樹脂と、が混合された樹脂材料を、透光部６２を覆うように、スピンコートまたは印刷により塗布し、その後、樹脂材料を加熱硬化して形成される。この樹脂材料には、例えば、１５０℃で１時間の加熱により硬化する材料が用いられる。
【００９４】
そして、図４（ｅ）に表したように、封止部５０となる樹脂層５０ｆ、及び、蛍光体層６１となる蛍光体膜６１ｆを切断し、複数の半導体積層体１０のそれぞれを分離する。これにより、複数の半導体発光装置１１０が一括して製造できる。なお、上記の切断には、例えばダイサによるダイシング法を採用することができる。
【００９５】
上記の製造方法においては、ウェーハレベルで一括して、電極、封止部及び光学層を形成することができ、生産性が高い。また、ウェーハレベルでの検査も可能となる。これにより生産性高く半導体発光装置を製造できる。また、リードフレーム、導電性基板及びボンディングワイヤなどのような部材を必要としないため、小型化が容易にできる。また、低コスト化も可能になる。
【００９６】
なお、図４（ｂ）に関して説明した、半導体積層体１０から基板１０ｓを分離する工程において、絶縁層２０となる膜に高い温度が加わる場合があることがある。すなわち、基板１０ｓの半導体積層体１０とは反対側の面から、基板１０ｓを介して、半導体積層体１０にレーザ光を照射する際に、複数の半導体積層体１０どうしの間において、絶縁層２０となる膜が加熱されることがある。このときの加熱による絶縁層２０となる膜の劣化を抑制するために、絶縁層２０となる膜には、耐熱性の高い材料を用いることが望ましい。
【００９７】
例えば、絶縁層２０には、封止部５０に用いられる樹脂よりも耐熱性が高い樹脂を用いることが、より望ましい。すなわち、絶縁層２０の熱分解温度は、封止部５０の熱分解温度よりも高いことが、より望ましい。例えば、絶縁層２０には、熱分解温度が３８０℃程度以上のポリイミドを用いることができ、封止部５０には、例えば、熱分解温度が２８０℃以上３００℃以下程度のエポキシ樹脂を用いることができる。なお、熱分解温度は、例えば、加熱によって重量が一定の割合（例えば５パーセント）で減少するときの温度を採用することができる。
【００９８】
また、絶縁層２０となる膜がフィラーを含んだ場合においては、絶縁層２０となる膜に加わる高温によってフィラーに起因した不良が発生することがある。この不良を抑制するため、絶縁層２０に含まれるフィラーの含有率は、封止部５０に含まれるフィラーの含有率よりも低く設定されることが望ましい。例えば、絶縁層２０には、実質的にフィラーを含まないポリイミドを用いることができる。
【００９９】
図５（ａ）〜図５（ｃ）、及び、図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、これらの図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１００】
図５（ａ）〜図５（ｃ）及び図６（ａ）〜図６（ｃ）に例示する半導体発光装置１１０ａ〜１１０ｆにおいても、第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅのパターン形状は、半導体発光装置１１０と同様に、互いに非対称であり、同様に電極の判別が容易である。以下では、半導体発光装置１１０ａ〜１１０ｆにおける第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅのパターン形状以外の構成に関して説明する。
【０１０１】
図５（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ａにおいては、透光部６２が凸レンズの形状を有している。
【０１０２】
さらに、透光部６２の厚さが一定であっても良い。すなわち、透光部６２は、レンズ作用を有する他、半導体積層体１０の温度上昇を抑制する作用を有することもできる。すなわち、蛍光体層６１においては、波長変換の際に一部のエネルギーが吸収され発熱するが、透光部６２を蛍光体層６１と半導体積層体１０との間に設けることで、蛍光体層６１を半導体積層体１０から離すことができ、半導体積層体１０の温度の上昇を抑制できる。
このように、透光部６２の形状は任意である。
【０１０３】
図５（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１１０ｂにおいては、光学層６０には、蛍光体層６１が設けられているが、透光部６２が設けられていない。このように、透光部６２は、必要に応じて設けられる。
【０１０４】
図５（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ｃにおいては、光学層６０は、蛍光体を含む蛍光体層６１と、蛍光体層６１の半導体積層体１０とは反対側に設けられた硬質膜６３と、を有する。硬質膜６３は、蛍光体層６１の硬度よりも高い硬度を有する。硬質膜６３は透光性を有する。硬質膜６３には、例えば硬度の高いシリコーン樹脂を用いることができる。硬質膜６３の形成には、例えば、スピンコート法または印刷法を採用できる。また、硬質膜６３には、例えば窒化シリコンや酸化シリコンなどを用いることができる。この場合には、硬質膜６３は、例えばスパッタなどの方法によって形成される。ただし、硬質膜６３の材料及び形成方法は任意である。
【０１０５】
硬質膜６３を設けることで、半導体発光装置１１０ｃの発光面（光学層６０の側の面）において高い硬度が得られるため、例えば、半導体発光装置１１０ｃのハンドリングが容易になる。
【０１０６】
例えば、蛍光体層６１に用いられるシリコーン樹脂の硬度が低い場合において、光学層６０の最表面（半導体積層体１０から最も離れた面）に蛍光体層６１が露出していると、例えば、半導体発光装置をコレットでピックアップする際に、蛍光体層６１がコレットに密着し適切な実装が行われ難い場合がある。このとき、蛍光体層６１よりも硬度が高い硬質膜６３を蛍光体層６１の上に設けることで、良好な実装がより実施し易くなる。
【０１０７】
図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ｄ、１１０ｅ及び１１０ｆにおいては、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂが設けられていない。このように、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂは必要に応じて設けられる。
【０１０８】
なお、図６（ａ）に例示した半導体発光装置１１０ｄにおいては、透光部６２は、凸レンズの形状を有しているが、半導体発光装置１１０のように、透光部６２の形状を凹レンズの形状としても良い。また、透光部６２の厚さは一定としても良い。
【０１０９】
なお、図６（ｂ）に例示した半導体発光装置１１０ｅは、透光部６２が省略される例であり、図６（ｃ）に例示した半導体発光装置１１０ｆは、図５（ｃ）に関して説明した硬質膜６３が設けられる例である。
【０１１０】
図７（ａ）〜図７（ｃ）及び図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
これらの図は、Ｚ軸方向に沿って半導体発光装置をみたときの、第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅの形状を例示している。
【０１１１】
図７（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１１ａにおいては、第１端面３１ａｅの大きさは、第２端面３１ｂｅの大きさよりも小さい。すなわち、第１端面３１ａｅの面積は、第２端面３１ｂｅの面積よりも小さい。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１１２】
なお、このように、第１端面３１ａｅの大きさを第２端面３１ｂｅの大きさとは異ならせる場合には、ｐ形半導体層に接続される電極の端面を、ｎ形半導体層に接続される電極の端面のよりも大きくすることが望ましい。すなわち、ｐ形半導体層に接続される電極の端面の面積を、ｎ形半導体層に接続される電極の端面の面積のよりも大きくすることが望ましい。ｐ形半導体層の方がｎ形半導体層よりも高温になり易いため、この構成を採用することで、高温になり易いｐ形半導体層の熱をより放熱し易くできる。
【０１１３】
図７（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１１１ｂにおいては、第１端面３１ａｅは４つの端面を含む。すなわち、第１端面３１ａｅは、第１〜第４サブ端面３１ａｅ１〜３１ａｅ４を含む。一方、第２端面３１ｂｅは１つである。
【０１１４】
このように、第１端面３１ａｅの数（第１端面３１ａｅに含まれる面の数）と、第２端面３１ｂｅの数（第２端面３１ｂｅに含まれる面の数）と、を異ならせることができる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。なお、本具体例においては、第１〜第４サブ端面３１ａｅ１〜３１ａｅ４を含む第１端面３１ａｅの全体の形状は、第２端面３１ｂｅの形状と、線対称または点対称の関係を有しているが、第１端面３１ａｅに含まれる面の数と、第２端面３１ｂｅに含まれる面の数とが異なることで、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとは非対称とされる。
【０１１５】
図７（ｃ）に表したように、別の半導体発光装置１１１ｃにおいては、第１端面３１ａｅは１つである。一方、第２端面３１ｂｅは、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２の２つの面を含む。このように、この場合も、第１端面３１ａｅに含まれる面の数と、第２端面３１ｂｅに含まれる面の数とが異なる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。本具体例においては、第１端面３１ａｅのパターン形状は、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２を含む第２端面３１ｂｅの全体のパターン形状と、非対称である。なお、本具体例においては、第２半導体層１２に接続され、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２を含む第２端面３１ｂｅの全体の面積は、第１半導体層１１に接続される第１端面３１ａｅの面積よりも大きく設定されている。
【０１１６】
図８（ａ）に表したように、別の半導体発光装置１１１ｄにおいては、第１端面３１ａｅは６角形であり、第２端面３１ｂｅは四角形である。このように、第１端面３１ａｅのパターン形状と、第２端面３１ｂｅのパターン形状と、が異なる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１１７】
さらに、本具体例では、第１端面３１ａｅは、第１端面３１ａｅから第２端面３１ｂｅに向かう方向（この例ではＸ軸方向）に沿って異方性を有する多角形のパターン形状を有している。パターン形状が異方性を有することから、そのパターン形状の基づいて電流の流れる方向を直感的に把握することも可能になり、これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとがより判別し易くできる。
【０１１８】
図８（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１１１ｅにおいては、第１端面３１ａｅの第２端面３１ｂｅとは反対の側の２つの角部に、Ｘ軸方向に対して傾斜した斜めの辺が設けられている。一方、第２端面３１ｂｅの第１端面３１ａｅの側の２つの角部に、Ｘ軸方向に対して傾斜した斜めの辺が設けられている。すなわち、第１端面３１ａｅの形状と、第２端面３１ｂｅの形状と、は互いに並進の関係を有するが、非対称の関係を有する。すなわち、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとは、Ｙ軸方向に平行な軸に関して線対称でない。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別し易くできる。
【０１１９】
図８（ｃ）に表したように、別の半導体発光装置１１１ｆにおいては、第１端面３１ａｅの半導体積層体１０とは反対の側の封止部実装面５０ｓ内の配置と、第２端面３１ｂｅの封止部実装面５０ｓ内の配置と、が非対称である。すなわち、本具体例では、封止部実装面５０ｓのＹ軸方向に延在する辺のうちの第１端面３１ａｅに近接する辺と、第１端面３１ａｅと、の距離は、封止部実装面５０ｓのＹ軸方向に延在する辺のうちの第２端面３１ｂｅに近接する辺と、第２端面３１ｂｅと、の距離よりも短く設定されている。このように、第１端面３１ａｅの配置（例えば封止部実装面５０ｓ内における配置）と、第２端面３１ｂｅの配置（例えば封止部実装面５０ｓ内における配置）と、を非対称にすることで、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１２０】
このように、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが非対称であることは、例えば、第１端面３１ａｅの大きさが、第２端面３１ｂｅの大きさとは異なる場合を含む。例えば、第１端面３１ａｅの数が、第２端面３１ｂｅの数とは異なる場合を含む。例えば、第１端面３１ａｅのパターン形状が、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なる場合を含む。例えば、第１端面３１ａｅの配置が、第２端面３１ｂｅの配置と非対称である場合を含む。
【０１２１】
このように、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの面積とは異なる面積、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なるパターン形状、第２端面３１ｂｅの数とは異なる数、及び、第２端面３１ｂｅの、封止部５０の半導体積層体１０とは反対の側の封止部実装面５０ｓ内における配置とは異なる封止部実装面５０ｓ内における配置、の少なくともいずれかを有する。
【０１２２】
図９は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的斜視図である。
図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図１０（ｃ）は模式的平面図であり、図１０（ａ）は、図１０（ｃ）のＣ−Ｃ’線断面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ｃ）のＤ−Ｄ’線断面図である。
図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式的平面図である。
すなわち、これらの図は、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１２に含まれる構成要素をＺ軸方向に沿ってみたときのパターン形状を例示する図である。図１１（ａ）は、第１電極１４及び第２電極１５のパターン形状を例示し、図１１（ｂ）は、絶縁層２０のパターン形状を例示し、図１１（ｃ）は、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂのパターン形状を例示し、図１１（ｄ）は、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂのパターン形状を例示している。
【０１２３】
図９、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１２においては、第１柱部３１ａが１つ設けられ、第２柱部３１ｂが２つ設けられている。すなわち、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの数とは異なる数を有する。そして、半導体発光装置１１２及び半導体積層体１０をＺ軸方向からみたときの形状が、略正方形とされている。そして、２つの第２柱部３１ｂは半導体発光装置１１２の１つの辺に沿って並び、その辺に対向する辺の中心部に近接して第１柱部３１ａが配置されている。
【０１２４】
本具体例では、第２柱部３１ｂの数は、第１柱部３１ａの数よりも多い。１つの柱部の断面積が例えば製造工程の諸条件によって定められる場合などにおいては、第２柱部３１ｂの数を第１柱部３１ａの数よりも多く設定することで、第２柱部３１ｂの全体としての断面積は、第１柱部３１ａの全体としての断面積よりも大きくできる。これにより、特に発熱し易い第２半導体層１２の側の第２柱部３１ｂにおける放熱性が向上し、発光効率がより向上できる。
【０１２５】
図１１（ａ）に表したように、第１電極１４は、半導体積層体１０の１つの辺の中央部に近接して設けられている。一方、第２電極１５は、半導体積層体１０の第１電極１４を除く領域に設けられている。第２電極１５の面積は、第１電極１４の面積よりも大きい。これにより、放熱性が向上し、また、電流の注入効率が向上し、発光効率が向上できる。
【０１２６】
図１１（ｂ）及び図１０（ａ）に表したように、絶縁層２０には、第１開口部２０ｏ１と、複数の第２開口部２０ｏ２と、が設けられている。複数の第２開口部２０ｏ２の１つのパターン形状は、例えば１０μｍ×１０μｍの略正方形である。
【０１２７】
図１０（ａ）に例示したように、第１開口部２０ｏ１により、第１電極１４の少なくとも一部が露出されている。そして、図１０（ｂ）に例示したように、複数の第２開口部２０ｏ２により、第２電極１５の一部が露出されている。
【０１２８】
図１１（ｃ）及び図１０（ａ）に表したように、第１接続部３２ａは、第１開口部２０ｏ１から露出された第１電極１４の少なくとも一部を覆うパターン形状を有している。そして、図１１（ｃ）及び図１０（ｂ）に表したように、第２接続部３２ｂは、複数の第２開口部２０ｏ２から露出された第２電極１５の一部を覆うパターン形状を有している。
【０１２９】
図１１（ｄ）に表したように、第１柱部３１ａは、Ｚ軸方向に沿ってみたときに、第１接続部３２ａと重なるパターン形状を有している。そして、図１１（ｄ）に表したように、第２柱部３１ｂは、Ｚ軸方向に沿ってみたときに、第２接続部３２ｂと重なるパターン形状を有している。
【０１３０】
このようなパターン形状を採用することで、第１柱部３１ａは、第１接続部３２ａを介して、第１開口部２０ｏ１から露出する第１電極１４と電気的に接続される。そして、第２柱部３１ｂは、第２接続部３２ｂを介して、複数の第２開口部２０ｏ２から露出する第２電極１５と電気的に接続される。
【０１３１】
そして、本具体例では、絶縁層２０は、第１柱部３１ａの半導体積層体１０の側の全面と、半導体積層体１０と、の間に設けられている。そして、絶縁層２０は、第２柱部３１ｂの半導体積層体１０の側の全面と、半導体積層体１０と、の間にさらに設けられている。具体的には、絶縁層２０は、第２柱部３１ｂの半導体積層体１０の側の全面と、第２電極１５と、の間に設けられている。
【０１３２】
図１１（ｄ）に表したように、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの数とは異なる数を有する。そして、２つの第２端面３１ｂｅは、封止部５０の半導体積層体１０とは反対の側の封止部実装面５０ｓの辺に沿って配列している。一方、第１端面３１ａｅは、封止部実装面５０ｓの、第２端面３１ｂｅが近接して設けられた辺に対向する辺の中心部に近接して配置されている。このように、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの数とは異なる数を有する。そして、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの封止部実装面５０ｓ内における配置とは異なる封止部実装面５０ｓ内における配置を有している。このように、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅと非対称である。
【０１３３】
これにより、半導体発光装置１１２を例えばＺ軸方向を中心にして回転した場合においても、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとが判別できる。このように、半導体発光装置１１２によれば、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置が提供できる。
【０１３４】
なお、図９、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に表したように、半導体発光装置１１２においては、第１導電部３０ａの第１柱部３１ａの半導体積層体１０とは反対の側の端に、第１接続部材７２ａが設けられ、第２導電部３０ｂの第２柱部３１ｂの半導体積層体１０とは反対の側の端に、第２接続部材７２ｂが設けられている。第１接続部材７２ａ及び第２接続部材７２ｂには、はんだを用いることができる。第１接続部材７２ａ及び第２接続部材７２ｂは省略しても良い。
【０１３５】
なお、第１柱部３１ａの第１端面３１ａｅ（第１接続部材７２ａと接する部分）、及び、第２柱部３１ｂの第１端面３１ｂｅ（第２接続部材７２ｂと接する部分）に、表面層を設けても良い。この表面層には、例えば、水溶性プリフラックス、無電解Ｎｉ／Ａｊｕメッキ、及び、ＡｕＳｎメッキなどの少なくともいずれかの処理が行われた層を用いることができる。これにより、第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅにおけるはんだとの濡れ性が向上でき、実装性が向上する。
【０１３６】
本具体例においても、光学層６０は、蛍光体層６１を有し、さらに、透光部６２及び硬質膜６３を有しても良い。
【０１３７】
図１２（ａ）、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図１２（ｃ）は模式的平面図であり、図１２（ａ）は、図１２（ｃ）のＥ−Ｅ’線断面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ｃ）のＦ−Ｆ’線断面図である。
図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式的平面図である。
すなわち、これらの図は、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１２ａに含まれる構成要素をＺ軸方向に沿ってみたときのパターン形状を例示する図である。図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、第１電極１４及び第２電極１５のパターン形状、絶縁層２０のパターン形状、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂのパターン形状、並びに、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂのパターン形状を、それぞれ例示している。
【０１３８】
図１２（ａ）〜図１２（ｃ）、図１３（ｄ）に表したように、半導体発光装置１１２ａにおいても、第２柱部３１ｂが２つ設けられている。すなわち、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの数とは異なる数を有する。そして、２つの第２端面３１ｂｅは封止部実装面５０ｓの辺に沿って配列し、第１端面３１ａｅは、封止部実装面５０ｓの、第２端面３１ｂｅが近接して設けられた辺に対向する辺の中心部に近接して配置されている。すなわち、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの封止部実装面５０ｓ内における配置とは異なる封止部実装面５０ｓ内における配置を有している。この場合も、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。
【０１３９】
図１３（ａ）に表したように、第１電極１４及び第２電極１５のパターン形状は、半導体発光装置１１２と同様である。
【０１４０】
図１３（ｂ）に表したように、半導体発光装置１１２ａにおいては、絶縁層２０には、１つの第１開口部２０ｏ１と、１つの第２開口部２０ｏ２と、が設けられている。そして、絶縁層２０は、第２柱部３１ｂが設けられる領域には設けられていない。すなわち、第２柱部３１ｂが設けられる領域には、第２開口部２０ｏ２が配置される。
【０１４１】
図１２（ａ）に例示したように、第１開口部２０ｏ１により、第１電極１４の少なくとも一部が露出されている。そして、図１２（ｂ）に例示したように、第２開口部２０ｏ２により、第２電極１５の一部が露出されている。
【０１４２】
図１３（ｃ）及び図１２（ａ）に表したように、第１接続部３２ａは、第１開口部２０ｏ１から露出された第１電極１４の少なくとも一部を覆うパターン形状を有している。そして、図１３（ｃ）及び図１２（ｂ）に表したように、第２接続部３２ｂは、第２開口部２０ｏ２から露出された第２電極１５の一部を覆うパターン形状を有している。この場合には、第２接続部３２ｂの実質的に全面が、半導体積層体１０の第２電極１５に直接的に接続されている。
【０１４３】
図１３（ｄ）に表したように、第１柱部３１ａは、Ｚ軸方向に沿ってみたときに、第１接続部３２ａと重なるパターン形状を有している。そして、第２柱部３１ｂは、Ｚ軸方向に沿ってみたときに、第２接続部３２ｂと重なるパターン形状を有している。
【０１４４】
このようなパターン形状を採用することで、第１柱部３１ａは、第１接続部３２ａを介して、第１開口部２０ｏ１から露出する第１電極１４と電気的に接続される。そして、第２柱部３１ｂは、第２接続部３２ｂを介して、複数の第２開口部２０ｏ２から露出する第２電極１５と電気的に接続される。
このように、絶縁層２０のパターン形状は種々の変形が可能である。
【０１４５】
なお、半導体発光装置１１２においては、絶縁層２０は、第１柱部３１ａと半導体積層体１０との間、及び、第２柱部３１ｂと半導体積層体１０との間、の両方に設けられている。これにより、半導体積層体１０に加わる応力を緩和する効果が高い。一方、半導体発光装置１１２ａにおいては、絶縁層２０は、第１柱部３１ａと半導体積層体１０との間に設けられ、第２柱部３１ｂと半導体積層体１０との間には設けられていない。このため、第２柱部３１ｂは、絶縁層２０を介さないで第２接続部３２ｂを介して半導体積層体１０に対向するので、半導体積層体１０と第２導電部３０ｂとが、（第２電極１５を介して）熱的に接続される。このため、熱抵抗が低下でき、放熱性を高めることができる。このように、絶縁層２０の配置は、応力緩和と放熱性向上とに関する所望の特性に応じて適切に選択されることができる。
【０１４６】
図１４（ａ）、図１４（ｂ）、図１４（ｃ）及び図１４（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式的平面図である。
すなわち、これらの図は、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂのパターン形状をそれぞれ例示している。
【０１４７】
図１４（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１３ａにおいては、第１端面３１ａｅの面積は、第２端面３１ｂｅの面積よりも小さい。これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。なお、第１端面３１ａｅは、封止部実装面５０ｓの１つの角部に近接して配置され、第２端面３１ｂｅは、封止部実装面５０ｓの別の１つの角部に近接して配置されている。
【０１４８】
図１４（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１３ｂにおいては、第１端面３１ａｅのパターン形状は、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なる。すなわち、第１端面３１ａｅは凹状部を有しており、第２端面３１ｂｅは凸状部を有している。これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。
【０１４９】
なお、第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅのパターン形状は、第１端面３１ａｅから第２端面３１ｂｅに向かう方向に関して異方性を有する形状を有しており、これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとの間に流れる電流の向きを直感的に把握できる。なお、この場合も、第１端面３１ａｅは、封止部実装面５０ｓの１つの角部に近接して配置され、第２端面３１ｂｅは、封止部実装面５０ｓの別の１つの角部に近接して配置されている。
【０１５０】
図１４（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１３ｃにおいては、封止部実装面５０ｓの周縁部と第１端面３１ａｅとの距離は、封止部実装面５０ｓの周縁部と第２端面３１ｂｅとの距離よりも短い。すなわち、第１端面３１ａｅは封止部実装面５０ｓの１つの角部に近接して配置されており、第２端面３１ｂｅは、封止部実装面５０ｓの中央部に配置されている。すなわち、第１端面３１ａｅの配置は、第２端面３１ｂｅの配置とは異なる。これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。
【０１５１】
図１４（ｄ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１３ｄにおいては、第１端面３１ａｅが１つ設けられ、第２端面３１ｂｅが２つ設けられている。そして、第１端面３１ａｅは封止部実装面５０ｓの１つの角部に近接して配置されている。一方、第２端面３１ｂｅのうちの１つは、封止部実装面５０ｓの１つの辺の中央部に近接して配置されており、第２端面３１ｂｅのうちの別の１つは、封止部実装面５０ｓの別の１つの辺の中央部に近接して配置されている。このように、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとで、数及び配置が異なる。これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。
【０１５２】
このように、半導体発光装置１１３ａ〜１１３ｄにおいても、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが非対称であり、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置が提供できる。
【０１５３】
（第２の実施の形態）
図１５は、第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
本実施形態は、上記の実施形態に係るいずれかの半導体発光装置を製造する方法である。すなわち、本製造方法は、第１主面１０ｂと、第１主面１０ｂとは反対側の第２主面１０ａと、を有する半導体積層体１０と、半導体積層体１０の第２主面１０ａに設けられた第１電極１４及び第２電極１５と、を含む発光部１０ｄと、第１電極１４に電気的に接続され、第２主面１０ａの上に立設された第１柱部３１ａを含む第１導電部３０ａと、第２電極１５に電気的に接続され、第２主面１０ａの上に立設された第２柱部３１ｂを含む第２導電部３０ｂと、第１導電部３０ａの側面及び第２導電部３０ｂの側面を覆う封止部５０と、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに設けられ、発光層１３から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する蛍光体層６１（波長変換部）を含む光学層６０と、を有し、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対側の第１端面３１ａｅと、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対側の第２端面３１ｂｅと、は、非対称である半導体発光装置の製造方法である。なお、半導体積層体１０は、第１主面１０ｂの側に設けられた第１導電形の第１半導体層１１と、第２主面１０ａの側に設けられた第２導電形の第２半導体層１２と、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられた発光層１３と、を含み、半導体積層体１０においては、第２半導体層１２及び発光層１３が選択的に除去されて第２主面１０ｂにおいて第１半導体層１１の一部が露出する。第１電極１４は第２主面１０ａの側において第１半導体層１１に電気的に接続され、第２電極１５は第２主面１０ａの側において第２半導体層１２に電気的に接続される。
【０１５４】
図１５に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法においては、半導体積層体１０の第２主面１０ａの上に、第１柱部３１ａに対応する第１開口領域３９ａと、第２柱部３１ｂに対応し第１開口領域３９ａとは非対称な第２開口領域３９ｂと、を有するレジスト膜（第２レジスト層３８）を形成する（ステップＳ１１０）。すなわち、例えば、図３（ｂ）に関して説明した処理を行う。
【０１５５】
そして、図１５に表したように、第１開口領域３９ａと第２開口領域３９ｂとに導電膜（柱部導電膜３１ｆ）を形成して第１柱部３１ａと第２柱部３１ｂとを形成する（ステップＳ１２０）。すなわち、例えば、図３（ｃ）に関して説明した処理を行う。
【０１５６】
これにより、互いに非対称な第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとを形成でき、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置を製造することができる。
【０１５７】
そして、既に説明したように、上記のレジスト膜（第２レジスト層３８）の形成（ステップＳ１１０）と、上記の第１柱部３１ａと第２柱部３１ｂとの形成（柱部導電膜３１ｆの形成、ステップＳ１２０）と、は、複数の半導体積層体１０が設けられた基板１０ｓにおいて、複数の半導体積層体１０について一括して実施されることができる。これにより、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置を高い生産性で製造することができる。
【０１５８】
赤色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光体は、これに限定されない。
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋顔料、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、
ＹＶＯ４：Ｅｕ、
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋、
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋、
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋ 。
【０１５９】
緑色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光体は、これに限定されない。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ 。
【０１６０】
青色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光体はこれに限定されない。
ＺｎＳ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋顔料、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ 。
【０１６１】
黄色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光体はこれに限定されない。
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋ 。
【０１６２】
なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むものや、導電形などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【０１６３】
以上説明したように、実施形態によれば、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供することができる。
【０１６４】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。
【０１６５】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施の形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光部に含まれる半導体層、発光層、電極、導電層、反射層及びコンタクト電極層、並びに、半導体発光装置に含まれる導電部、電極、柱部、接続部、絶縁層、封止部、光学層、波長変換部、蛍光体層、蛍光体、透光部及び硬質膜などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１６６】
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光装置及びその製造方法も、本発明の実施の形態の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１６７】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１６８】
１０…半導体積層体、 １０ａ…第２主面、 １０ｂ…第１主面、 １０ｄ…発光部、 １０ｓ…基板、 １１…第１半導体層、 １２…第２半導体層、 １３…発光層、 １４…第１電極、 １５…第２電極、 １８…保護層、 ２０…絶縁層、 ２０ｏ１…第１開口部、 ２０ｏ２…第２開口部、 ３０ａ…第１導電部、 ３０ｂ…第２導電部、 ３１ａ…第１柱部、 ３１ａｅ…第１端面、 ３１ａｅ１〜３１ａｅ４…第１〜第４サブ端面、 ３１ｂ…第２柱部、 ３１ｂｅ…第２端面、 ３１ｂｅ１〜３１ｂｅ２…第５及び第６サブ端面、 ３１ｆ…柱部導電膜、 ３２ａ…第１接続部、 ３２ｂ…第２接続部、 ３２ｆ…接続部導電膜、 ３３…シード層、 ３７…第１レジスト層、 ３８…第２レジスト層（レジスト膜）、 ３９ａ…第１開口領域、 ３９ｂ…第２開口領域、 ５０…封止部、 ５０ｆ…樹脂層、 ５０ｓ…封止部実装面、 ６０…光学層、 ６１…蛍光体層（波長変換部）、 ６１ｆ…蛍光体膜、 ６２…透光部、 ６３…硬質膜、 ７２ａ…第１接続部材、 ７２ｂ…第２接続部材、 １１０、１１０ａ〜１１０ｆ、１１１ａ〜１１１ｆ、１１２、１１２ａ、１１３ａ〜１１３ｄ…半導体発光装置
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型で低消費電力の発光装置として、青色ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの半導体発光素子と、蛍光体と、を組み合わせることで白色光を発する白色ＬＥＤ発光装置が開発されている。
【０００３】
例えば、ＬＥＤチップをリードフレームや導電性基板にダイボンドしてワイヤーボンドを行った後、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を塗布する構成の半導体発光装置が知られている。しかしながら、このような半導体発光装置においては、ＬＥＤチップの他に、リードフレーム、導電性基板及びボンディングワイヤなどのような部材が必要であるため、装置が大きくなる。
【０００４】
半導体発光装置の小型化のための新しい技術の開発が期待されている。
半導体発光装置において小型化を進めると、ＬＥＤチップへの電流供給のための電極サイズも小さくなるため、陽極電極と陰極電極との判別が困難になり、例えば、半導体発光装置の実装の際に不良が発生し易くなる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２１０８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、発光部と、第１導電部と、第２導電部と、封止部と、光学層と、を備えた半導体発光装置が提供される。前記発光部は、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有する半導体積層体と、前記半導体積層体の前記第２主面に設けられた第１電極及び第２電極と、を含む。前記第１導電部は、前記第１電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む。前記第２導電部は、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む。前記封止部は、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う。前記光学層は、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられ、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む。前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称である。
【０００８】
本発明の別の実施形態によれば、発光部と、第１導電部と、第２導電部と、封止部と、光学層と、を有する半導体発光装置の製造方法が提供される。前記発光部は、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有する半導体積層体と、前記半導体積層体の前記第２主面に設けられた第１電極及び第２電極と、を含む。前記第１導電部は、前記第１電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む。前記第２導電部は、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む。前記封止部は、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う。前記光学層は、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられ、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む。前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称である。前記製造方法においては、前記半導体積層体の前記第２主面の上に、前記第１柱部に対応する第１開口領域と、前記第２柱部に対応し前記第１開口領域とは非対称な第２開口領域と、を有するレジスト膜を形成し、前記第１開口領域と前記第２開口領域とに導電膜を形成して前記第１柱部と前記第２柱部とを形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
【図９】第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的斜視図である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式的平面図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式的平面図である。
【図１４】図１４（ａ）〜図１４（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式平面図である。
【図１５】第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図１（ｂ）は模式的平面図であり、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００１２】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０は、発光部１０ｄと、第１導電部３０ａと、第２導電部３０ｂと、封止部５０と、光学層６０と、を備える。
【００１３】
発光部１０ｄは、半導体積層体１０と、第１電極１４と、第２電極１５と、を含む。
半導体積層体１０は、第１導電形の第１半導体層１１と、第２導電形の第２半導体層１２と、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられた発光層１３と、を含む。
【００１４】
半導体積層体１０においては、第２半導体層１２及び発光層１３が選択的に除去されて第２半導体層１２の側の第２主面１０ａにおいて第１半導体層１１の一部が露出している。
【００１５】
すなわち、半導体積層体１０は、第１主面１０ｂと、第１主面１０ｂとは反対側の第２主面１０ａと、を有している。第２主面１０ａの側に第２半導体層１２が配置され、第１主面１０ｂの側に、第１半導体層１１が配置される。第２半導体層１２及び発光層１３の面積は、第１半導体層１１の面積よりも小さく、第２主面１０ａの側において、第１半導体層１１の一部は、第２半導体層１２及び発光層１３に覆われていない。
【００１６】
第１導電形は例えばｎ形であり、第２導電形は例えばｐ形である。ただし、実施形態はこれに限らず、第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。以下では、第１導電形がｎ形であり、第２導電形がｐ形である場合として説明する。すなわち、第１半導体層１１は、ｎ形半導体層である。第２半導体層１２は、ｐ形半導体層である。
【００１７】
第１半導体層１１、第２半導体層１２及び発光層１３には、例えば、窒化物半導体を用いることができる。第１半導体層１１は、例えばＧａＮを含むｎ形クラッド層である。第２半導体層１２は、例えばｐ形クラッド層である。発光層１３は、例えば量子井戸層と、量子井戸層に積層された障壁層と、を有する。発光層１３は、例えば、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有することができる。
【００１８】
ここで、第２主面１０ａから第１主面１０ｂに向かう方向をＺ軸方向とする。すなわち、Ｚ軸方向は、第１半導体層１１、発光層１３及び第２半導体層１２の積層方向である。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１９】
半導体積層体１０は、例えば、サファイアなどの基板の上に、第１半導体層１１となる結晶、発光層１３となる結晶、及び、第２半導体層１２となる結晶が順次成長され、その後、所定の領域の、第１半導体層１１の一部、発光層１３、及び、第２半導体層１２が除去されて形成される。
【００２０】
第１電極１４は、第２主面１０ａの側において第１半導体層１１に電気的に接続される。第２電極１５は、第２主面１０ａの側において第２半導体層１２に電気的に接続される。第１電極１４は、例えばｎ側電極であり、第２電極１５は、例えばｐ側電極である。発光部１０ｄにおいて、第１電極１４と第２電極１５とを介して、半導体積層体１０に電流を供給することで、発光層１３から光（発光光）が放出される。
【００２１】
このように、発光部１０ｄは、第１主面１０ｂと、第１主面１０ｂとは反対側の第２主面１０ａと、第２主面１０ａに設けられた第１電極１４と及び第２電極１５と、を有する
第１導電部３０ａは、第１電極１４に電気的に接続される。第１導電部３０ａは、第２主面１０ａの上に立設された第１柱部３１ａを含む。第１柱部３１ａは、例えばＺ軸方向に沿って延在する部分を少なくとも含む。
【００２２】
第２導電部３０ｂは、第２電極１５に電気的に接続される。第２導電部３０ｂは、第２主面１０ａの上に立設された第２柱部３１ｂを含む。第２柱部３１ｂは、Ｚ軸方向に沿って延在する部分を少なくとも含む。
【００２３】
本具体例では、半導体積層体１０の１つの辺の延在方向が、Ｘ軸方向に設定されている。本具体例では、Ｘ軸方向は、第１柱部３１ａから第２柱部３１ｂに向かう方向に沿う半導体積層体１０の辺の方向とされている。
【００２４】
封止部５０は、第１導電部３０ａの側面、及び、第２導電部３０ｂの側面を覆う。すなわち、封止部５０は、第１柱部３１ａの側面、及び、第２柱部３１ｂの側面を覆う。封止部５０は、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対の側の第１端面３１ａｅを露出する。封止部５０は、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対の側の第２端面３１ｂｅを露出する。なお、第１端面３１ａｅは、第１柱部３１ａの半導体積層体１０とは反対の側の端面である。第２端面３１ｂｅは、第２柱部３１ｂの半導体積層体１０とは反対の側の端面である。
【００２５】
光学層６０は、半導体積層体１０の第２主面１０ａとは反対側の第１主面１０ｂに設けられる。光学層６０は、蛍光体層６１（波長変換部）を含む。蛍光体層６１は、発光層１３から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する。
【００２６】
本具体例では、光学層６０は、例えば蛍光体を含む蛍光体層６１と、蛍光体層６１と半導体積層体１０との間に設けられた透光部６２と、を含む。透光部６２は、発光層１３から放出される発光光に対する透光性を有する。透光部６２は、例えばレンズ作用や屈折作用などの光の進行方向を変化させる作用を有することができる。これにより、発光層１３で発生した光の放射角や色ずれを調整することができる。透光部６２は必要に応じて設けられ、透光部６２は場合によっては省略できる。
【００２７】
蛍光体層６１は、例えば透光性の樹脂と、この樹脂に分散された蛍光体と、を含む。蛍光体は、発光層１３から放出される発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する。なお、蛍光体層６１は、複数種の蛍光体を含むことができる。蛍光体には、例えば、黄色光を放出する蛍光体、緑色光を放出する蛍光体、及び、赤色光を放出する蛍光体など、任意の色を放出する蛍光体を用いることができる。蛍光体層６１は、波長が異なる蛍光体を含む積層された複数の層を含むこともできる。
【００２８】
半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａ、第１電極１４、第２導電部３０ｂ及び第２電極１５を介して、半導体積層体１０に電流が供給され、これにより、発光層１３から光（発光光）が放出される。発光光は、例えば、青色光、紫色光及び紫外光などの比較的短い波長の光とすることができる。
【００２９】
発光層１３から放出された例えば青色の発光光は、光学層６０の内部に進行し、蛍光体層６１によって例えば黄色の光に波長が変換される。そして、発光層１３から放出された例えば青色の発光光と、蛍光体層６１で得られた例えば黄色の光と、が合成される。これにより、半導体発光装置１１０は、白色光を発光することができる。
【００３０】
なお、発光層１３から放出される発光光の波長、及び、蛍光体層６１で変換された光の波長は任意である。半導体発光装置１１０から出射する光の色は、白色の他、任意の色とすることができる。
【００３１】
なお、本具体例では、半導体発光装置１１０は、絶縁層２０をさらに備えている。絶縁層２０は、第１柱部３１ａの少なくとも一部と半導体積層体１０との間、及び、第２柱部３１ｂの少なくとも一部と半導体積層体１０との間の少なくともいずれかに設けられる。絶縁層２０は、封止部５０に覆われる。
【００３２】
絶縁層２０は、第１導電部３０ａと第２半導体層１２との間、及び、第１導電部３０ａと第２電極１５との間を電気的に遮断する。これにより、第１導電部３０ａの数、サイズ、形状及び配置を任意に設計し易くなる。すなわち、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅの数、面積、形状及び配置を、第１電極１４と独立して設計できる。
【００３３】
絶縁層２０は、第２導電部３０ｂと第１半導体層１１との間、及び、第２導電部３０ｂと第１電極１４との間を電気的に遮断する。これにより、第２導電部３０ｂの数、サイズ、形状及び配置を任意に設計し易くなる。すなわち、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅの数、面積、形状及び配置を、第２電極１５と独立して設計できる。
【００３４】
絶縁層２０には、例えば、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。絶縁層２０は、半導体積層体１０に加わる応力を緩和する応力緩和層として機能することができる。
【００３５】
本具体例は、絶縁層２０は、第１柱部３１ａの一部と半導体積層体１０との間に設けられている例である。
【００３６】
絶縁層２０は、第１導電部３０ａと、第１電極１４の一部と、の間に設けられることができる。本具体例では、絶縁層２０は、第１導電部３０ａのうちの第１柱部３１ａの少なくとも一部と、第１電極１４の一部と、の間に設けられている。
【００３７】
なお、第１導電部３０ａと第１電極１４との電気的な接続を実現するために、絶縁層２０は、第１電極１４の少なくとも一部の上には設けられていない。絶縁層２０は、例えば、第１電極１４の側の第１開口部２０ｏ１を有し、第１開口部２０ｏ１において、第１導電部３０ａと第１電極１４との電気的な接続が行われる。第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０を貫通する孔を含むことができる。ただし、実施形態はこれに限らず、第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０の端部のうち、第１電極１４の端部から後退し、第１電極１４を露出させる部分を便宜的に含むことができる。すなわち、第１開口部２０ｏ１は、絶縁層２０のうちで第１電極１４の少なくとも一部を露出させる部分を含むことができ、その形状は任意である。第１開口部２０ｏ１の数は、任意である。
【００３８】
なお、後述するように、絶縁層２０は、第２導電部３０ｂと、第２電極１５の一部と、の間にさらに設けられても良い。例えば、絶縁層２０は、第２柱部３１ｂの少なくとも一部と、第２電極１５の一部と、の間にさらに設けられても良い。
【００３９】
なお、第２導電部３０ｂと第２電極１５との電気的な接続を実現するために、絶縁層２０は、第２電極１５の少なくとも一部の上には設けられていない。絶縁層２０は、例えば、第２電極１５の側の第２開口部２０ｏ２を有し、第２開口部２０ｏ２において、第２導電部３０ｂと第２電極１５との電気的な接続が行われる。第２開口部２０ｏ２は、絶縁層２０を貫通する孔を含むことができる。ただし、実施形態はこれに限らず、第２開口部２０ｏ２は、絶縁層２０の端部のうち、第２電極１５の端部から後退し、第２電極１５を露出させる部分を便宜的に含むことができる。すなわち、第２開口部２０ｏ２は、絶縁層２０のうちで第２電極１５の少なくとも一部を露出させる部分を含むことができ、その形状は任意である。第２開口部２０ｏ２の数は、任意である。
【００４０】
本具体例では、発光部１０ｄは、半導体積層体１０の第２主面１０ａの側の第１電極１４及び第２電極１５を除く部分に設けられた保護層１８をさらに含む。保護層１８は、半導体積層体１０の端部を覆う。保護層１８には、絶縁材料を用いることができる。これにより、例えば、第１電極１４と第２電極１５との間の絶縁性が向上する。保護層１８は、半導体積層体１０の端部の全部を覆うこともできる。保護層１８は、半導体積層体１０の端部の一部を覆うこともできる。この保護層１８には、例えば酸化シリコンなどを用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、保護層１８には任意の絶縁材料を用いることができる。保護層１８は必要に応じて設けられ、場合によっては省略できる。
【００４１】
第２電極１５は積層構造を有することができる。例えば、第２電極１５は、導電層と、その導電層と第２半導体層１２との間に設けられた反射層（図示しない）と、を含むことができる。これにより、発光層１３から放出され、第２主面１０ａの側に進行する光が反射層で反射され、光を光学層６０の側に効率良く進行させることができる。
【００４２】
本具体例では、第１導電部３０ａは、第１接続部３２ａをさらに含む。第１接続部３２ａは、絶縁層２０の半導体積層体１０とは反対の側の面の少なくとも一部を覆い、第１電極１４と第１柱部３１ａとを電気的に接続する。第１接続部３２ａは、例えばＸ−Ｙ平面に沿って延在する部分を含むことができる。
【００４３】
このように、絶縁層２０が、第１柱部３１ａの少なくとも一部と半導体積層体１０との間に設けられるときにおいて、第１導電部３０ａは、第１接続部をさらに含むことができる。
【００４４】
第２導電部３０ｂは、第２接続部３２ｂをさらに含むことができる。第２接続部３２ｂは、第２電極１５と第２柱部３１ｂとを電気的に接続する。第２接続部３２ｂは、例えばＸ−Ｙ平面に沿って延在する部分を含むことができる。
【００４５】
すなわち、後述するように、絶縁層２０が、第２柱部３１ｂの少なくとも一部と半導体積層体１０との間に設けられるときにおいて、第２導電部３０ｂは、絶縁層２０の半導体積層体１０とは反対の側の面の少なくとも一部を覆い第２電極１５と第２柱部３１ｂとを電気的に接続する第２接続部３２ｂをさらに含むことができる。
【００４６】
第１柱部３１ａ、第１接続部３２ａ、第２柱部３１ｂ及び第２接続部３２ｂには、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、及び、Ａｌ（アルミニウム）などの金属を用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、第１柱部３１ａ、第１接続部３２ａ、第２柱部３１ｂ及び第２接続部３２ｂに用いられる材料は任意である。
【００４７】
封止部５０は、例えばエポキシ樹脂などの樹脂を用いることができる。封止部５０に用いられる樹脂は、例えば石英フィラーやアルミナフィラーなどのフィラーを含有することができる。これにより、封止部５０の熱伝導率を上昇させることができ、これにより放熱性を高め、半導体積層体の温度上昇を抑制でき、発光効率を向上できる。
【００４８】
図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０においては、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対側の第１端面３１ａｅと、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対側の第２端面３１ｂｅと、は、非対称である。
【００４９】
本具体例では、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なるパターン形状を有している。具体的には、第１端面３１ａｅは円形のパターン形状を有しており、第２端面３１ｂｅは四角形のパターン形状を有している。これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとの判別が容易になる。例えば、Ｚ軸方向を中心にして半導体発光装置１１０を回転した場合においても、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。
このように、半導体発光装置１１０によれば、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置を提供することができる。これにより、例えば、半導体発光装置の実装の際に、ｎ側の電極とｐ側の電極とを取り違えて実装する不良の発生を抑制することができる。
【００５０】
なお、本具体例は、第１端面３１ａｅが、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なるパターン形状を有する例であるが、実施形態はこれに限らず種々の形態があり得る。これに関しては後述する。
【００５１】
第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとを非対称に設定することによって電極の判別を容易にする効果は、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂを設け、これらを介して電気的な接続を行うことで半導体発光装置の小型化を実現する構成において特に効果的に発揮される。
【００５２】
すなわち、このような構成を採用することで、半導体発光装置１１０において、小型化が可能となる。
例えば、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面の大きさは、下面電極タイプの電子部品の最小サイズとされることができる。例えば、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面は、６００μｍ×３００μｍの長方形とすることができる。例えば、半導体発光装置１１０の外形は、例えば６００μｍ×３００μｍ×３００μｍの直方体とすることができる。半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に平行な面は、１０００μｍ×５００μｍの長方形とすることができる。例えば、半導体発光装置１１０の外形は、例えば１０００μｍ×５００μｍ×５００μｍの直方体とすることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、半導体発光装置１１０のＸ−Ｙ平面に対して平行な面の大きさ及び形状、並びに、半導体発光装置１１０の大きさ及び形状は、任意である。
【００５３】
以下、半導体発光装置１１０の構成の例についてさらに説明する。
蛍光体層６１には、例えば、光を吸収し、その光の波長よりも長い波長を有する光を放出する蛍光体の粒子を混合して樹脂を用いることができる。この蛍光体は、例えば、青色光、紫光、及び、紫外光の少なくともいずれかの光を吸収し、その光よりも長い波長を有する光（例えば、緑色光、黄色光及び赤色光など）を放出する。蛍光体が混合される樹脂には、例えばシリコーン樹脂が用いられる。蛍光体層６１の厚さは、例えば２００μｍとされる。蛍光体層６１に用いられるシリコーン樹脂には、例えば、屈折率が約１．５のメチルフェニルシリコーンを用いることができる。ただし、実施形態はこれに限らず、蛍光体層６１に含まれる樹脂及び蛍光体は任意である。
【００５４】
なお、既に説明したように、第２電極１５は、導電層と、その導電層と第２半導体層１２との間に設けられた反射層を含むことができる。この反射層は、例えばＡｇ及びＡｌの少なくともいずれかを含有することができる。この反射層の厚さは、例えば０．３μｍとすることができる。この反射層は、例えば、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けることができる。これにより、発光層１３から放出された光を効率的に第１主面１０ｂに向けて反射することができる。ただし、反射層が設けられる領域は、任意であり、例えば、反射層は、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の一部の領域に設けても良い。
【００５５】
また、第２電極１５は、上記の反射層と、第２半導体層１２と、の間に設けられたコンタクト電極層をさらに含んでも良い。このコンタクト電極層は、例えば、Ａｕ層（金層）と、Ａｕ層と第２半導体層１２との間に設けられたＮｉ層（ニッケル層）と、を含むことができる。なお、Ｎｉ層の厚さは０．１μｍとすることができ、Ａｕ層の厚さは０．１μｍとすることができる。
【００５６】
第１電極１４は、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層と第１半導体層１１との間に設けられたＮｉ層と、を含むことができる。このＡｕ層の厚さは例えば０．１μｍとすることができ、このＮｉ層の厚さは０．１μｍとすることができる。第１電極１４は、例えば、第１半導体層１１の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けられることができる。ただし、第１電極１４が設けられる領域は任意であり、第１電極１４は第１半導体層１１の第２主面１０ａの側の少なくとも一部に設けられる。
なお、第１電極１４は、導電層と、その導電層と第１半導体層１１との間に設けられた反射層と、を含んでも良い。このように、第１電極１４は積層構造を有することができる。
【００５７】
第２電極１５の導電層は、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層と第２半導体層１２との間に設けられたＮｉ層と、を含むことができる。このＡｕ層の厚さは例えば０．１μｍとすることができ、このＮｉ層の厚さは０．１μｍとすることができる。第２電極１５は、例えば、第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の実質的に全部の領域に設けられることができる。ただし、第２電極１５が設けられる領域は任意であり、第２電極１５は第２半導体層１２の第２主面１０ａの側の少なくとも一部に設けられる。
【００５８】
第１導電部３０ａに含まれる第１接続部３２ａには、例えばＣｕ等の金属が用いられる。第１接続部３２ａは、第１層と、第２層と、を含むことができる。第１層は、第２層と第１電極１４との間に設けられる。すなわち、第１層は第１電極１４に接する。第１層は、例えばシード層であり、第２層は、例えばメッキ層である。第１層の厚さは、例えば約１μｍとすることができる。第２層の厚さは、例えば１０μｍとすることができる。
【００５９】
第２導電部３０ｂに含まれる第２接続部３２ｂには、例えばＣｕ等の金属が用いられる。第２接続部３２ｂは、第３層と、第４層と、を含むことができる。第３層は、第４層と第２電極１５との間に設けられる。すなわち、第３層は第２電極１５に接する。第３層は、例えばシード層であり、第４層は、例えばメッキ層である。第３層は、第１層と同層であり、第３層には、第１層に用いられる材料と同じ材料を用いることができる。第４層は第２層と同層であり、第４層には、第２層に用いられる材料と同じ材料を用いることができる。第３層の厚さは、例えば約１μｍとすることができる。第４層の厚さは、例えば１０μｍとすることができる。
【００６０】
ただし、第１〜第４層の面積、形状及び厚さは任意である。第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂは、単層の薄膜でも良く、上記のように、積層膜でも良い。第１接続部３２ａは、第１層及び第２層に積層された他の層をさらに有しても良い。第２接続部３２ｂは、第３層及び第４層に積層された他の層をさらに有しても良い。
【００６１】
第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂには、例えばＣｕ等の金属を用いることができる。第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂの厚さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）は、例えば６０μｍ程度とすることができる。第１接続部３２ａによって、第１電極１４と第１柱部３１ａとが電気的に接続される。第２接続部３２ｂによって、第２電極１５と第２柱部３１ｂとが電気的に接続される。
【００６２】
第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂに用いられる材料、断面の形状、断面積及び厚さは上記に限らず任意である。
【００６３】
封止部５０には、例えば、熱硬化性樹脂を用いることができる。封止部５０の厚さは、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂの厚さと同程度であり、例えば、６０μｍ程度である。封止部５０は、第１導電部３０ａの第１端面３１ａｅ、及び、第２導電部３０ｂの第２端面３１ｂｅを露出しつつ、第１導電部３０ａの側面（第１柱部３１ａの側面及び第１接続部３２ａの側面）、及び、第２導電部３０ｂの側面（第２柱部３１ｂの側面及び第２接続部３２ｂの側面）を覆う。封止部５０は、さらに、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂの半導体積層体１０とは反対側の面を覆うことができる。さらに、封止部５０は、半導体積層体１０の第２主面１０ａの側の全体を覆うことができる。
【００６４】
以下、半導体発光装置１１０の製造方法の例について説明する。
図２（ａ）〜図２（ｅ）、図３（ａ）〜図３（ｅ）、及び、図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
すなわち、これらの図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
本製造方法は、複数の半導体発光装置１１０をウェーハレベルで一括して製造する方法である。
【００６５】
図２（ａ）に表したように、半導体積層体１０が形成された基板１０ｓが用いられる。なお、基板１０ｓには、例えばサファイア基板が用いられる。基板１０ｓのサイズは、例えば直径が４インチであり、基板１０ｓの厚さは、例えば５００μｍ程度である。なお、半導体積層体１０の形成方法は、例えば以下である。すなわち、基板１０ｓ上に、窒化物半導体の、第１半導体層１１となる結晶膜、発光層１３となる結晶膜、及び、第２半導体層１２となる結晶膜が、エピタキシャル成長され、これらの結晶膜が、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理によりエッチングされ、第２主面１０ａの側に第１半導体層１１の一部を露出させる。さらに、これらの結晶膜が、例えばＲＩＥ処理により加工され、個別化され、複数の半導体積層体１０が形成される。
【００６６】
次に、図２（ｂ）に表したように、半導体積層体１０の第２主面１０ａに、第１電極１４及び第２電極１５となる膜を形成し、所定の形状にこの膜を加工し、第１電極１４及び第２電極１５を形成する。さらに、保護層１８を形成する。なお、図２（ｂ）においては、煩雑さを避けるために、保護層１８は図示されていない。
【００６７】
具体的には、例えば、半導体積層体１０の第２主面１０ａに、コンタクト電極層となる膜を形成する。すなわち、厚さが０．１μｍのＮｉ膜を形成し、その上に厚さが０．１μｍのＡｕ膜を形成する。これにより、コンタクト電極層となる膜が形成される。Ｎｉ膜及びＡｕ膜の形成には例えばスパッタ法を用いることができる。さらに、このＡｕ膜の上に、反射層となる層が形成される。すなわち、反射層として、Ａｇ及びＡｌの少なくともいずれかを含む、例えば厚さが０．３μｍの膜が形成される。この場合にもスパッタ法を用いることができる。これにより、反射層となる膜が形成される。
【００６８】
さらに、反射層となる膜の上に、第１電極１４及び第２電極１５の導電層となる導電膜が形成される。すなわち、反射層となる膜の上に、例えば０．１μｍのＮｉ膜を形成し、その上に厚さが０．１μｍのＡｕ膜を形成する。このＮｉ膜及びＡｕ膜の形成にも、例えばスパッタ法を用いることができる。
【００６９】
上記のコンタクト電極層となる膜、反射層となる膜、第１電極１４及び第２電極１５の導電層となる導電膜を所定の形状に加工する。これにより、第１電極１４及び第２電極１５が形成される。なお、上記の各膜の加工には、例えばリフトオフ法などの任意の方法を用いることができる。なお、コンタクト電極層、反射層、及び、第１電極１４の導電層は、互いに異なるパターン形状を有することができる。コンタクト電極層、反射層、及び、第２電極１５の導電層は、互いに異なるパターン形状を有することができる。
【００７０】
さらに、第１電極１４の少なくとも一部を除き、第２電極１５の少なくとも一部を除く領域に、保護層１８となる、例えば、厚さが０．３μｍのＳｉＯ２膜を例えばＣＶＤ法により形成し、例えば、ドライエッチングやウエットエッチングによって加工して保護層１８を形成する。
【００７１】
次に、図２（ｃ）に表したように、半導体積層体１０の第２主面１０ａの、第１柱部３１ａの少なくとも一部、及び、第２柱部３１ｂの少なくとも一部、の少なくともいずれかに対応する領域に、絶縁層２０を形成する。本具体例では、第１柱部３１ａの一部に対応する領域の半導体積層体１０の上に絶縁層２０が設けられる。この絶縁層２０は、第１電極１４の少なくとも一部を除き、第２電極１５の少なくとも一部を除く領域に形成される。なお、本具体例では、絶縁層２０は、複数の半導体積層体１０どうしの間にさらに設けられる。
【００７２】
絶縁層２０には、例えばポリイミドやＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）などが用いられる。すなわち、例えば、半導体積層体１０の第２主面１０ａの全面に、絶縁層２０となるポリイミド膜を形成し、例えばマスクを用いた露光と、現像と、を行うことにより、選択的に絶縁層２０を形成する。加工された絶縁層２０は、必要に応じてベーキングされる。
【００７３】
そして、この後、絶縁層２０の上に、第１導電部３０ａの少なくとも一部、及び、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となる導電膜を形成する。この導電膜は、絶縁層２０に覆われていない第１電極１４の少なくとも一部と、絶縁層２０に覆われていない第２電極１５の少なくとも一部と、を覆うように、形成されることができる。具体的には以下の処理が行われる。
【００７４】
すなわち、図２（ｄ）に表したように、例えば、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の全面に、第１接続部３２ａの第１層、及び、第２接続部３２ｂの第３層、となるシード層３３を形成する。シード層３３は、例えば、蒸着法やスパッタ法などの物理的被着法により形成される。シード層３３は、後述するメッキ工程における給電層として機能する。シード層３３には、例えば、Ｔｉ膜とＣｕ膜との積層膜を用いることができる。なお、シード層３３のＴｉ層により、Ｃｕ膜と、レジストやパッド（第１電極１４及び第２電極１５）と、の密着強度を高めることができる。Ｔｉ層の厚さは、例えば０．２μｍ程度とされる。一方、シード層３３のＣｕ膜は、主に給電に寄与する。Ｃｕ膜の厚さは、０．２μｍ以上とすることが望ましい。
【００７５】
次に、図２（ｅ）に表したように、第１接続部３２ａに対応する領域を除き、第２接続部３２ｂに対応する領域を除く領域に、第１レジスト層３７を形成する。第１レジスト層３７には、例えば、感光性の液状レジストやドライフィルムレジストを用いることができる。第１レジスト層３７は、第１レジスト層３７となる膜を形成した後に、所定の開口部を有する遮光マスクを用いた露光と、現像と、を実施することにより形成される。なお、必要に応じて第１レジスト層３７はベーキングされる。
【００７６】
次に、図３（ａ）に表したように、第１レジスト層３７が設けられていない領域に、第１接続部３２ａの第２層、及び、第２接続部３２ｂの第４層、となる接続部導電膜３２ｆを形成する。接続部導電膜３２ｆは、例えば、電気メッキ法により形成される。電気メッキ法においては、例えば、硫酸銅と硫酸とからなるメッキ液中に、上記の被加工体が設けられた基板１０ｓを浸漬し、シード層３３と直流電源の負極とを接続し、基板１０ｓの被メッキ面と対向するように設置したアノードとなるＣｕ板と直流電源の陽極とを接続する。そして、負極と陽極との間に電流を通電し、Ｃｕのメッキを行う。メッキ工程において、メッキ膜の厚さは時間の経過と共に増加し、メッキ膜の厚さが必要な厚さに達したときに通電が停止されてメッキが完了する。これにより、メッキ膜からなる接続部導電膜３２ｆが、第１レジスト層３７の開口部に形成される。
【００７７】
第１電極１４に対応する位置のシード層３３（第１層）と、第１電極１４に対応する位置の接続部導電膜３２ｆ（第２層）と、が第１接続部３２ａとなる。第２電極１５に対応する位置のシード層３３（第３層）と、第２電極１５に対応する位置の接続部導電膜３２ｆ（第４層）と、が第２接続部３２ｂとなる。
【００７８】
このように、シード層３３及び接続部導電膜３２ｆが、第１導電部３０ａの少なくとも一部、及び、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となる導電膜に相当する。
【００７９】
この導電膜となるシード層３３及び接続部導電膜３２ｆは、絶縁層２０に覆われていない第１電極１４の少なくとも一部と、絶縁層２０に覆われていない第２電極１５の少なくとも一部と、を覆うように形成されている。
【００８０】
この後、第１接続部３２ａの上に、第１柱部３１ａを形成し、第１接続部３２ａの上に、第１柱部３１ａを形成する。具体的には、例えば以下の処理が行われる。
【００８１】
図３（ｂ）に表したように、第１柱部３１ａに対応する領域を除き、第２柱部３１ｂに対応する領域を除く領域に第２レジスト層３８を形成する。すなわち、第１柱部３１ａに対応する第１開口領域３９ａと、第２柱部３１ｂに対応する第２開口領域３９ｂと、を有する第２レジスト層３８を形成する。第２レジスト層３８に用いられる材料、及び、第２レジスト層３８の形成には、第１レジスト層３７に関して説明した材料及び方法を採用することができる。
【００８２】
このとき、第１柱部３１ａに対応する第１開口領域３９ａと、第２柱部３１ｂに対応する第２開口領域３９ｂと、が非対称とされる。すなわち、第１開口領域３９ａは、第２開口領域３９ｂの面積とは異なる面積、第２開口領域３９ｂのパターン形状とは異なるパターン形状、第２開口領域３９ｂの数とは異なる数、及び、第２開口領域３９ｂの配置とは異なる配置、の少なくともいずれかを有するように設定される。ここで、第１開口領域３９ａの配置は、例えば半導体積層体１０の外形に対する第１開口領域３９ａの配置とすることができ、第２開口領域３９ｂの配置は、例えば半導体積層体１０の外形に対する第２開口領域３９ｂの配置とすることができる。
【００８３】
本具体例では、第１開口領域３９ａが円形とされ、第２開口領域３９ｂが四角形とされる。すなわち、第１開口領域３９ａが、第２開口領域３９ｂのパターン形状とは異なるパターン形状を有する例である。
【００８４】
このように、この工程では、半導体積層体１０の第２主面１０ａの上に、第１柱部３１ａに対応する第１開口領域３９ａと、第２柱部３１ｂに対応し、第１開口領域３９ａとは非対称な第２開口領域３９ｂと、を有する第２レジスト層３８（レジスト膜）を形成する。
【００８５】
次に、図３（ｃ）に表したように、第２レジスト層３８が設けられていない領域（すなわち、第１開口領域３９ａ及び第２開口領域３９ｂ）に、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂとなる柱部導電膜３１ｆを形成する。なお、柱部導電膜３１ｆも、例えば、電気メッキ法により形成される。柱部導電膜３１ｆの形成には、接続部導電膜３２ｆの形成に関して説明した材料及び方法を適用することができる。第１接続部３２ａに接続される部分の柱部導電膜３１ｆが第１柱部３１ａとなり、第２接続部３２ｂに接続される部分の柱部導電膜３１ｆが第２柱部３１ｂとなる。なお、柱部導電膜３１ｆは、第１導電部３０ａの少なくとも一部、及び、第２導電部３０ｂの少なくとも一部となる導電膜に含まれることができる。
【００８６】
これにより、第１開口領域３９ａに第１柱部３１ａが形成され、第２開口領域３９ｂに第２柱部３１ｂが形成される。そして、第１柱部３１ａの断面（Ｚ軸方向に対して垂直な平面で切断したときの断面）の形状は、第１開口領域３９ａのパターン形状となる。そして、そして、第２柱部３１ｂの断面（Ｚ軸方向に対して垂直な平面で切断したときの断面）の形状は、第２開口領域３９ｂのパターン形状となる。すなわち、第１柱部３１ａの断面の形状は円形となり、第２柱部３１ｂの断面の形状は四角形となる。
【００８７】
次に、図３（ｄ）に表したように、第１レジスト層３７及び第２レジスト層３８を除去する。さらに、露出したシード層３３を、例えば、酸洗浄により除去する。なお、接続部導電膜３２ｆに覆われているシード層３３は、第１層及び第３層として残存し、それぞれ第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂに含まれる。
【００８８】
次に、図３（ｅ）に表したように、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の面に、封止部５０となる樹脂層５０ｆを形成する。樹脂層５０ｆには、例えば、熱硬化性樹脂を用いることができる。例えば、印刷等の手法によって、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂが埋没する程度の厚さで、基板１０ｓの第２主面１０ａの側の面に樹脂層５０ｆとなる膜を形成し、加熱して硬化させ樹脂層５０ｆを形成する。樹脂層５０ｆの硬化の際の加熱条件は、例えば、１５０℃程度で２時間程度とされる。
【００８９】
次に、図４（ａ）に表したように、樹脂層５０ｆの表面を研削し、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂを露出させる。これにより、封止部５０が形成される。なお、この研削において、樹脂層５０ｆの研削と共に、第１柱部３１ａの一部と、第２柱部３１ｂの一部と、を研削することができ、これにより、第１柱部３１ａの第１端面３１ａｅ、及び、第２柱部３１ｂの第２端面３１ｂｅは、封止部５０の第２主面１０ａとは反対の側の面を含む面内に配置される。そして、本具体例では、円形の第１端面３１ａｅと、四角形の第２端面３１ｂｅと、が形成される。
【００９０】
なお、上記の研削には、例えば、回転研磨ホイールを用いることができる。回転研削によって、平坦性を確保しながら研削を実施することができる。なお、研削後に、必要に応じて、乾燥が行われる。
【００９１】
次に、図４（ｂ）に表したように、半導体積層体１０から基板１０ｓを除去する。すなわち、例えば、基板１０ｓの半導体積層体１０とは反対側の面から、基板１０ｓを介して、半導体積層体１０に含まれる層（例えばＧａＮ層）にレーザ光を照射し、この層の少なくとも一部を分解することで、半導体積層体１０から基板１０ｓを分離する。このレーザ光には、例えば、ＧａＮの禁制帯幅に基づく禁制帯幅波長よりも短い波長を有するレーザ光を用いることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＡＧの三倍高調波レーザを用いることができる。ただし、用いられるレーザ光は任意である。
【００９２】
次に、図４（ｃ）に表したように、本具体例では、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに、光学層６０の一部となる透光部６２を形成する。すなわち、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに、例えば、液状の透明樹脂層を印刷等によって塗布し、所定の形状を有する型をこの透明樹脂層に押し付け、透明樹脂層を所定の形状に変形させた後に、型を離型し、必要に応じて加熱及び紫外線照射の少なくともいずれかの処理を施して硬化させ、透光部６２を形成する。この方法を採用することにより、所望の形状を有する型を用いることで任意の形状を有する透光部６２を容易に形成することができる。
【００９３】
次に、図４（ｄ）に表したように、透光部６２を覆うように蛍光体層６１となる蛍光体膜６１ｆを形成する。蛍光体膜６１ｆは、例えば、蛍光体の粒子と、シリコーン樹脂と、が混合された樹脂材料を、透光部６２を覆うように、スピンコートまたは印刷により塗布し、その後、樹脂材料を加熱硬化して形成される。この樹脂材料には、例えば、１５０℃で１時間の加熱により硬化する材料が用いられる。
【００９４】
そして、図４（ｅ）に表したように、封止部５０となる樹脂層５０ｆ、及び、蛍光体層６１となる蛍光体膜６１ｆを切断し、複数の半導体積層体１０のそれぞれを分離する。これにより、複数の半導体発光装置１１０が一括して製造できる。なお、上記の切断には、例えばダイサによるダイシング法を採用することができる。
【００９５】
上記の製造方法においては、ウェーハレベルで一括して、電極、封止部及び光学層を形成することができ、生産性が高い。また、ウェーハレベルでの検査も可能となる。これにより生産性高く半導体発光装置を製造できる。また、リードフレーム、導電性基板及びボンディングワイヤなどのような部材を必要としないため、小型化が容易にできる。また、低コスト化も可能になる。
【００９６】
なお、図４（ｂ）に関して説明した、半導体積層体１０から基板１０ｓを分離する工程において、絶縁層２０となる膜に高い温度が加わる場合があることがある。すなわち、基板１０ｓの半導体積層体１０とは反対側の面から、基板１０ｓを介して、半導体積層体１０にレーザ光を照射する際に、複数の半導体積層体１０どうしの間において、絶縁層２０となる膜が加熱されることがある。このときの加熱による絶縁層２０となる膜の劣化を抑制するために、絶縁層２０となる膜には、耐熱性の高い材料を用いることが望ましい。
【００９７】
例えば、絶縁層２０には、封止部５０に用いられる樹脂よりも耐熱性が高い樹脂を用いることが、より望ましい。すなわち、絶縁層２０の熱分解温度は、封止部５０の熱分解温度よりも高いことが、より望ましい。例えば、絶縁層２０には、熱分解温度が３８０℃程度以上のポリイミドを用いることができ、封止部５０には、例えば、熱分解温度が２８０℃以上３００℃以下程度のエポキシ樹脂を用いることができる。なお、熱分解温度は、例えば、加熱によって重量が一定の割合（例えば５パーセント）で減少するときの温度を採用することができる。
【００９８】
また、絶縁層２０となる膜がフィラーを含んだ場合においては、絶縁層２０となる膜に加わる高温によってフィラーに起因した不良が発生することがある。この不良を抑制するため、絶縁層２０に含まれるフィラーの含有率は、封止部５０に含まれるフィラーの含有率よりも低く設定されることが望ましい。例えば、絶縁層２０には、実質的にフィラーを含まないポリイミドを用いることができる。
【００９９】
図５（ａ）〜図５（ｃ）、及び、図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、これらの図は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線断面に相当する断面図である。
【０１００】
図５（ａ）〜図５（ｃ）及び図６（ａ）〜図６（ｃ）に例示する半導体発光装置１１０ａ〜１１０ｆにおいても、第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅのパターン形状は、半導体発光装置１１０と同様に、互いに非対称であり、同様に電極の判別が容易である。以下では、半導体発光装置１１０ａ〜１１０ｆにおける第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅのパターン形状以外の構成に関して説明する。
【０１０１】
図５（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ａにおいては、透光部６２が凸レンズの形状を有している。
【０１０２】
さらに、透光部６２の厚さが一定であっても良い。すなわち、透光部６２は、レンズ作用を有する他、半導体積層体１０の温度上昇を抑制する作用を有することもできる。すなわち、蛍光体層６１においては、波長変換の際に一部のエネルギーが吸収され発熱するが、透光部６２を蛍光体層６１と半導体積層体１０との間に設けることで、蛍光体層６１を半導体積層体１０から離すことができ、半導体積層体１０の温度の上昇を抑制できる。
このように、透光部６２の形状は任意である。
【０１０３】
図５（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１１０ｂにおいては、光学層６０には、蛍光体層６１が設けられているが、透光部６２が設けられていない。このように、透光部６２は、必要に応じて設けられる。
【０１０４】
図５（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ｃにおいては、光学層６０は、蛍光体を含む蛍光体層６１と、蛍光体層６１の半導体積層体１０とは反対側に設けられた硬質膜６３と、を有する。硬質膜６３は、蛍光体層６１の硬度よりも高い硬度を有する。硬質膜６３は透光性を有する。硬質膜６３には、例えば硬度の高いシリコーン樹脂を用いることができる。硬質膜６３の形成には、例えば、スピンコート法または印刷法を採用できる。また、硬質膜６３には、例えば窒化シリコンや酸化シリコンなどを用いることができる。この場合には、硬質膜６３は、例えばスパッタなどの方法によって形成される。ただし、硬質膜６３の材料及び形成方法は任意である。
【０１０５】
硬質膜６３を設けることで、半導体発光装置１１０ｃの発光面（光学層６０の側の面）において高い硬度が得られるため、例えば、半導体発光装置１１０ｃのハンドリングが容易になる。
【０１０６】
例えば、蛍光体層６１に用いられるシリコーン樹脂の硬度が低い場合において、光学層６０の最表面（半導体積層体１０から最も離れた面）に蛍光体層６１が露出していると、例えば、半導体発光装置をコレットでピックアップする際に、蛍光体層６１がコレットに密着し適切な実装が行われ難い場合がある。このとき、蛍光体層６１よりも硬度が高い硬質膜６３を蛍光体層６１の上に設けることで、良好な実装がより実施し易くなる。
【０１０７】
図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１０ｄ、１１０ｅ及び１１０ｆにおいては、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂが設けられていない。このように、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂは必要に応じて設けられる。
【０１０８】
なお、図６（ａ）に例示した半導体発光装置１１０ｄにおいては、透光部６２は、凸レンズの形状を有しているが、半導体発光装置１１０のように、透光部６２の形状を凹レンズの形状としても良い。また、透光部６２の厚さは一定としても良い。
【０１０９】
なお、図６（ｂ）に例示した半導体発光装置１１０ｅは、透光部６２が省略される例であり、図６（ｃ）に例示した半導体発光装置１１０ｆは、図５（ｃ）に関して説明した硬質膜６３が設けられる例である。
【０１１０】
図７（ａ）〜図７（ｃ）及び図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的平面図である。
これらの図は、Ｚ軸方向に沿って半導体発光装置をみたときの、第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅの形状を例示している。
【０１１１】
図７（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１１ａにおいては、第１端面３１ａｅの大きさは、第２端面３１ｂｅの大きさよりも小さい。すなわち、第１端面３１ａｅの面積は、第２端面３１ｂｅの面積よりも小さい。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１１２】
なお、このように、第１端面３１ａｅの大きさを第２端面３１ｂｅの大きさとは異ならせる場合には、ｐ形半導体層に接続される電極の端面を、ｎ形半導体層に接続される電極の端面のよりも大きくすることが望ましい。すなわち、ｐ形半導体層に接続される電極の端面の面積を、ｎ形半導体層に接続される電極の端面の面積のよりも大きくすることが望ましい。ｐ形半導体層の方がｎ形半導体層よりも高温になり易いため、この構成を採用することで、高温になり易いｐ形半導体層の熱をより放熱し易くできる。
【０１１３】
図７（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１１１ｂにおいては、第１端面３１ａｅは４つの端面を含む。すなわち、第１端面３１ａｅは、第１〜第４サブ端面３１ａｅ１〜３１ａｅ４を含む。一方、第２端面３１ｂｅは１つである。
【０１１４】
このように、第１端面３１ａｅの数（第１端面３１ａｅに含まれる面の数）と、第２端面３１ｂｅの数（第２端面３１ｂｅに含まれる面の数）と、を異ならせることができる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。なお、本具体例においては、第１〜第４サブ端面３１ａｅ１〜３１ａｅ４を含む第１端面３１ａｅの全体の形状は、第２端面３１ｂｅの形状と、線対称または点対称の関係を有しているが、第１端面３１ａｅに含まれる面の数と、第２端面３１ｂｅに含まれる面の数とが異なることで、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとは非対称とされる。
【０１１５】
図７（ｃ）に表したように、別の半導体発光装置１１１ｃにおいては、第１端面３１ａｅは１つである。一方、第２端面３１ｂｅは、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２の２つの面を含む。このように、この場合も、第１端面３１ａｅに含まれる面の数と、第２端面３１ｂｅに含まれる面の数とが異なる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。本具体例においては、第１端面３１ａｅのパターン形状は、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２を含む第２端面３１ｂｅの全体のパターン形状と、非対称である。なお、本具体例においては、第２半導体層１２に接続され、第５及び第６サブ端面３１ｂｅ１及び３１ｂｅ２を含む第２端面３１ｂｅの全体の面積は、第１半導体層１１に接続される第１端面３１ａｅの面積よりも大きく設定されている。
【０１１６】
図８（ａ）に表したように、別の半導体発光装置１１１ｄにおいては、第１端面３１ａｅは６角形であり、第２端面３１ｂｅは四角形である。このように、第１端面３１ａｅのパターン形状と、第２端面３１ｂｅのパターン形状と、が異なる。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１１７】
さらに、本具体例では、第１端面３１ａｅは、第１端面３１ａｅから第２端面３１ｂｅに向かう方向（この例ではＸ軸方向）に沿って異方性を有する多角形のパターン形状を有している。パターン形状が異方性を有することから、そのパターン形状の基づいて電流の流れる方向を直感的に把握することも可能になり、これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとがより判別し易くできる。
【０１１８】
図８（ｂ）に表したように、別の半導体発光装置１１１ｅにおいては、第１端面３１ａｅの第２端面３１ｂｅとは反対の側の２つの角部に、Ｘ軸方向に対して傾斜した斜めの辺が設けられている。一方、第２端面３１ｂｅの第１端面３１ａｅの側の２つの角部に、Ｘ軸方向に対して傾斜した斜めの辺が設けられている。すなわち、第１端面３１ａｅの形状と、第２端面３１ｂｅの形状と、は互いに並進の関係を有するが、非対称の関係を有する。すなわち、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとは、Ｙ軸方向に平行な軸に関して線対称でない。これによって、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別し易くできる。
【０１１９】
図８（ｃ）に表したように、別の半導体発光装置１１１ｆにおいては、第１端面３１ａｅの半導体積層体１０とは反対の側の封止部実装面５０ｓ内の配置と、第２端面３１ｂｅの封止部実装面５０ｓ内の配置と、が非対称である。すなわち、本具体例では、封止部実装面５０ｓのＹ軸方向に延在する辺のうちの第１端面３１ａｅに近接する辺と、第１端面３１ａｅと、の距離は、封止部実装面５０ｓのＹ軸方向に延在する辺のうちの第２端面３１ｂｅに近接する辺と、第２端面３１ｂｅと、の距離よりも短く設定されている。このように、第１端面３１ａｅの配置（例えば封止部実装面５０ｓ内における配置）と、第２端面３１ｂｅの配置（例えば封止部実装面５０ｓ内における配置）と、を非対称にすることで、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが判別できる。
【０１２０】
このように、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが非対称であることは、例えば、第１端面３１ａｅの大きさが、第２端面３１ｂｅの大きさとは異なる場合を含む。例えば、第１端面３１ａｅの数が、第２端面３１ｂｅの数とは異なる場合を含む。例えば、第１端面３１ａｅのパターン形状が、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なる場合を含む。例えば、第１端面３１ａｅの配置が、第２端面３１ｂｅの配置と非対称である場合を含む。
【０１２１】
このように、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの面積とは異なる面積、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なるパターン形状、第２端面３１ｂｅの数とは異なる数、及び、第２端面３１ｂｅの、封止部５０の半導体積層体１０とは反対の側の封止部実装面５０ｓ内における配置とは異なる封止部実装面５０ｓ内における配置、の少なくともいずれかを有する。
【０１２２】
図９は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式的斜視図である。
図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図１０（ｃ）は模式的平面図であり、図１０（ａ）は、図１０（ｃ）のＣ−Ｃ’線断面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ｃ）のＤ−Ｄ’線断面図である。
図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式的平面図である。
すなわち、これらの図は、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１２に含まれる構成要素をＺ軸方向に沿ってみたときのパターン形状を例示する図である。図１１（ａ）は、第１電極１４及び第２電極１５のパターン形状を例示し、図１１（ｂ）は、絶縁層２０のパターン形状を例示し、図１１（ｃ）は、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂのパターン形状を例示し、図１１（ｄ）は、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂのパターン形状を例示している。
【０１２３】
図９、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１２においては、第１柱部３１ａが１つ設けられ、第２柱部３１ｂが２つ設けられている。すなわち、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの数とは異なる数を有する。そして、半導体発光装置１１２及び半導体積層体１０をＺ軸方向からみたときの形状が、略正方形とされている。そして、２つの第２柱部３１ｂは半導体発光装置１１２の１つの辺に沿って並び、その辺に対向する辺の中心部に近接して第１柱部３１ａが配置されている。
【０１２４】
本具体例では、第２柱部３１ｂの数は、第１柱部３１ａの数よりも多い。１つの柱部の断面積が例えば製造工程の諸条件によって定められる場合などにおいては、第２柱部３１ｂの数を第１柱部３１ａの数よりも多く設定することで、第２柱部３１ｂの全体としての断面積は、第１柱部３１ａの全体としての断面積よりも大きくできる。これにより、特に発熱し易い第２半導体層１２の側の第２柱部３１ｂにおける放熱性が向上し、発光効率がより向上できる。
【０１２５】
図１１（ａ）に表したように、第１電極１４は、半導体積層体１０の１つの辺の中央部に近接して設けられている。一方、第２電極１５は、半導体積層体１０の第１電極１４を除く領域に設けられている。第２電極１５の面積は、第１電極１４の面積よりも大きい。これにより、放熱性が向上し、また、電流の注入効率が向上し、発光効率が向上できる。
【０１２６】
図１１（ｂ）及び図１０（ａ）に表したように、絶縁層２０には、第１開口部２０ｏ１と、複数の第２開口部２０ｏ２と、が設けられている。複数の第２開口部２０ｏ２の１つのパターン形状は、例えば１０μｍ×１０μｍの略正方形である。
【０１２７】
図１０（ａ）に例示したように、第１開口部２０ｏ１により、第１電極１４の少なくとも一部が露出されている。そして、図１０（ｂ）に例示したように、複数の第２開口部２０ｏ２により、第２電極１５の一部が露出されている。
【０１２８】
図１１（ｃ）及び図１０（ａ）に表したように、第１接続部３２ａは、第１開口部２０ｏ１から露出された第１電極１４の少なくとも一部を覆うパターン形状を有している。そして、図１１（ｃ）及び図１０（ｂ）に表したように、第２接続部３２ｂは、複数の第２開口部２０ｏ２から露出された第２電極１５の一部を覆うパターン形状を有している。
【０１２９】
図１１（ｄ）に表したように、第１柱部３１ａは、Ｚ軸方向に沿ってみたときに、第１接続部３２ａと重なるパターン形状を有している。そして、図１１（ｄ）に表したように、第２柱部３１ｂは、Ｚ軸方向に沿ってみたときに、第２接続部３２ｂと重なるパターン形状を有している。
【０１３０】
このようなパターン形状を採用することで、第１柱部３１ａは、第１接続部３２ａを介して、第１開口部２０ｏ１から露出する第１電極１４と電気的に接続される。そして、第２柱部３１ｂは、第２接続部３２ｂを介して、複数の第２開口部２０ｏ２から露出する第２電極１５と電気的に接続される。
【０１３１】
そして、本具体例では、絶縁層２０は、第１柱部３１ａの半導体積層体１０の側の全面と、半導体積層体１０と、の間に設けられている。そして、絶縁層２０は、第２柱部３１ｂの半導体積層体１０の側の全面と、半導体積層体１０と、の間にさらに設けられている。具体的には、絶縁層２０は、第２柱部３１ｂの半導体積層体１０の側の全面と、第２電極１５と、の間に設けられている。
【０１３２】
図１１（ｄ）に表したように、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの数とは異なる数を有する。そして、２つの第２端面３１ｂｅは、封止部５０の半導体積層体１０とは反対の側の封止部実装面５０ｓの辺に沿って配列している。一方、第１端面３１ａｅは、封止部実装面５０ｓの、第２端面３１ｂｅが近接して設けられた辺に対向する辺の中心部に近接して配置されている。このように、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの数とは異なる数を有する。そして、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの封止部実装面５０ｓ内における配置とは異なる封止部実装面５０ｓ内における配置を有している。このように、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅと非対称である。
【０１３３】
これにより、半導体発光装置１１２を例えばＺ軸方向を中心にして回転した場合においても、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとが判別できる。このように、半導体発光装置１１２によれば、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置が提供できる。
【０１３４】
なお、図９、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に表したように、半導体発光装置１１２においては、第１導電部３０ａの第１柱部３１ａの半導体積層体１０とは反対の側の端に、第１接続部材７２ａが設けられ、第２導電部３０ｂの第２柱部３１ｂの半導体積層体１０とは反対の側の端に、第２接続部材７２ｂが設けられている。第１接続部材７２ａ及び第２接続部材７２ｂには、はんだを用いることができる。第１接続部材７２ａ及び第２接続部材７２ｂは省略しても良い。
【０１３５】
なお、第１柱部３１ａの第１端面３１ａｅ（第１接続部材７２ａと接する部分）、及び、第２柱部３１ｂの第１端面３１ｂｅ（第２接続部材７２ｂと接する部分）に、表面層を設けても良い。この表面層には、例えば、水溶性プリフラックス、無電解Ｎｉ／Ａｊｕメッキ、及び、ＡｕＳｎメッキなどの少なくともいずれかの処理が行われた層を用いることができる。これにより、第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅにおけるはんだとの濡れ性が向上でき、実装性が向上する。
【０１３６】
本具体例においても、光学層６０は、蛍光体層６１を有し、さらに、透光部６２及び硬質膜６３を有しても良い。
【０１３７】
図１２（ａ）、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図１２（ｃ）は模式的平面図であり、図１２（ａ）は、図１２（ｃ）のＥ−Ｅ’線断面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ｃ）のＦ−Ｆ’線断面図である。
図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式的平面図である。
すなわち、これらの図は、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１２ａに含まれる構成要素をＺ軸方向に沿ってみたときのパターン形状を例示する図である。図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、第１電極１４及び第２電極１５のパターン形状、絶縁層２０のパターン形状、第１接続部３２ａ及び第２接続部３２ｂのパターン形状、並びに、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂのパターン形状を、それぞれ例示している。
【０１３８】
図１２（ａ）〜図１２（ｃ）、図１３（ｄ）に表したように、半導体発光装置１１２ａにおいても、第２柱部３１ｂが２つ設けられている。すなわち、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの数とは異なる数を有する。そして、２つの第２端面３１ｂｅは封止部実装面５０ｓの辺に沿って配列し、第１端面３１ａｅは、封止部実装面５０ｓの、第２端面３１ｂｅが近接して設けられた辺に対向する辺の中心部に近接して配置されている。すなわち、第１端面３１ａｅは、第２端面３１ｂｅの封止部実装面５０ｓ内における配置とは異なる封止部実装面５０ｓ内における配置を有している。この場合も、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。
【０１３９】
図１３（ａ）に表したように、第１電極１４及び第２電極１５のパターン形状は、半導体発光装置１１２と同様である。
【０１４０】
図１３（ｂ）に表したように、半導体発光装置１１２ａにおいては、絶縁層２０には、１つの第１開口部２０ｏ１と、１つの第２開口部２０ｏ２と、が設けられている。そして、絶縁層２０は、第２柱部３１ｂが設けられる領域には設けられていない。すなわち、第２柱部３１ｂが設けられる領域には、第２開口部２０ｏ２が配置される。
【０１４１】
図１２（ａ）に例示したように、第１開口部２０ｏ１により、第１電極１４の少なくとも一部が露出されている。そして、図１２（ｂ）に例示したように、第２開口部２０ｏ２により、第２電極１５の一部が露出されている。
【０１４２】
図１３（ｃ）及び図１２（ａ）に表したように、第１接続部３２ａは、第１開口部２０ｏ１から露出された第１電極１４の少なくとも一部を覆うパターン形状を有している。そして、図１３（ｃ）及び図１２（ｂ）に表したように、第２接続部３２ｂは、第２開口部２０ｏ２から露出された第２電極１５の一部を覆うパターン形状を有している。この場合には、第２接続部３２ｂの実質的に全面が、半導体積層体１０の第２電極１５に直接的に接続されている。
【０１４３】
図１３（ｄ）に表したように、第１柱部３１ａは、Ｚ軸方向に沿ってみたときに、第１接続部３２ａと重なるパターン形状を有している。そして、第２柱部３１ｂは、Ｚ軸方向に沿ってみたときに、第２接続部３２ｂと重なるパターン形状を有している。
【０１４４】
このようなパターン形状を採用することで、第１柱部３１ａは、第１接続部３２ａを介して、第１開口部２０ｏ１から露出する第１電極１４と電気的に接続される。そして、第２柱部３１ｂは、第２接続部３２ｂを介して、複数の第２開口部２０ｏ２から露出する第２電極１５と電気的に接続される。
このように、絶縁層２０のパターン形状は種々の変形が可能である。
【０１４５】
なお、半導体発光装置１１２においては、絶縁層２０は、第１柱部３１ａと半導体積層体１０との間、及び、第２柱部３１ｂと半導体積層体１０との間、の両方に設けられている。これにより、半導体積層体１０に加わる応力を緩和する効果が高い。一方、半導体発光装置１１２ａにおいては、絶縁層２０は、第１柱部３１ａと半導体積層体１０との間に設けられ、第２柱部３１ｂと半導体積層体１０との間には設けられていない。このため、第２柱部３１ｂは、絶縁層２０を介さないで第２接続部３２ｂを介して半導体積層体１０に対向するので、半導体積層体１０と第２導電部３０ｂとが、（第２電極１５を介して）熱的に接続される。このため、熱抵抗が低下でき、放熱性を高めることができる。このように、絶縁層２０の配置は、応力緩和と放熱性向上とに関する所望の特性に応じて適切に選択されることができる。
【０１４６】
図１４（ａ）、図１４（ｂ）、図１４（ｃ）及び図１４（ｄ）は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置の要素の構成を例示する模式的平面図である。
すなわち、これらの図は、第１柱部３１ａ及び第２柱部３１ｂのパターン形状をそれぞれ例示している。
【０１４７】
図１４（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１３ａにおいては、第１端面３１ａｅの面積は、第２端面３１ｂｅの面積よりも小さい。これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。なお、第１端面３１ａｅは、封止部実装面５０ｓの１つの角部に近接して配置され、第２端面３１ｂｅは、封止部実装面５０ｓの別の１つの角部に近接して配置されている。
【０１４８】
図１４（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１３ｂにおいては、第１端面３１ａｅのパターン形状は、第２端面３１ｂｅのパターン形状とは異なる。すなわち、第１端面３１ａｅは凹状部を有しており、第２端面３１ｂｅは凸状部を有している。これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。
【０１４９】
なお、第１端面３１ａｅ及び第２端面３１ｂｅのパターン形状は、第１端面３１ａｅから第２端面３１ｂｅに向かう方向に関して異方性を有する形状を有しており、これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとの間に流れる電流の向きを直感的に把握できる。なお、この場合も、第１端面３１ａｅは、封止部実装面５０ｓの１つの角部に近接して配置され、第２端面３１ｂｅは、封止部実装面５０ｓの別の１つの角部に近接して配置されている。
【０１５０】
図１４（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１３ｃにおいては、封止部実装面５０ｓの周縁部と第１端面３１ａｅとの距離は、封止部実装面５０ｓの周縁部と第２端面３１ｂｅとの距離よりも短い。すなわち、第１端面３１ａｅは封止部実装面５０ｓの１つの角部に近接して配置されており、第２端面３１ｂｅは、封止部実装面５０ｓの中央部に配置されている。すなわち、第１端面３１ａｅの配置は、第２端面３１ｂｅの配置とは異なる。これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。
【０１５１】
図１４（ｄ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１３ｄにおいては、第１端面３１ａｅが１つ設けられ、第２端面３１ｂｅが２つ設けられている。そして、第１端面３１ａｅは封止部実装面５０ｓの１つの角部に近接して配置されている。一方、第２端面３１ｂｅのうちの１つは、封止部実装面５０ｓの１つの辺の中央部に近接して配置されており、第２端面３１ｂｅのうちの別の１つは、封止部実装面５０ｓの別の１つの辺の中央部に近接して配置されている。このように、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとで、数及び配置が異なる。これにより、第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂとを容易に判別できる。
【０１５２】
このように、半導体発光装置１１３ａ〜１１３ｄにおいても、第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとが非対称であり、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置が提供できる。
【０１５３】
（第２の実施の形態）
図１５は、第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
本実施形態は、上記の実施形態に係るいずれかの半導体発光装置を製造する方法である。すなわち、本製造方法は、第１主面１０ｂと、第１主面１０ｂとは反対側の第２主面１０ａと、を有する半導体積層体１０と、半導体積層体１０の第２主面１０ａに設けられた第１電極１４及び第２電極１５と、を含む発光部１０ｄと、第１電極１４に電気的に接続され、第２主面１０ａの上に立設された第１柱部３１ａを含む第１導電部３０ａと、第２電極１５に電気的に接続され、第２主面１０ａの上に立設された第２柱部３１ｂを含む第２導電部３０ｂと、第１導電部３０ａの側面及び第２導電部３０ｂの側面を覆う封止部５０と、半導体積層体１０の第１主面１０ｂに設けられ、発光層１３から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する蛍光体層６１（波長変換部）を含む光学層６０と、を有し、第１導電部３０ａの半導体積層体１０とは反対側の第１端面３１ａｅと、第２導電部３０ｂの半導体積層体１０とは反対側の第２端面３１ｂｅと、は、非対称である半導体発光装置の製造方法である。なお、半導体積層体１０は、第１主面１０ｂの側に設けられた第１導電形の第１半導体層１１と、第２主面１０ａの側に設けられた第２導電形の第２半導体層１２と、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられた発光層１３と、を含み、半導体積層体１０においては、第２半導体層１２及び発光層１３が選択的に除去されて第２主面１０ｂにおいて第１半導体層１１の一部が露出する。第１電極１４は第２主面１０ａの側において第１半導体層１１に電気的に接続され、第２電極１５は第２主面１０ａの側において第２半導体層１２に電気的に接続される。
【０１５４】
図１５に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法においては、半導体積層体１０の第２主面１０ａの上に、第１柱部３１ａに対応する第１開口領域３９ａと、第２柱部３１ｂに対応し第１開口領域３９ａとは非対称な第２開口領域３９ｂと、を有するレジスト膜（第２レジスト層３８）を形成する（ステップＳ１１０）。すなわち、例えば、図３（ｂ）に関して説明した処理を行う。
【０１５５】
そして、図１５に表したように、第１開口領域３９ａと第２開口領域３９ｂとに導電膜（柱部導電膜３１ｆ）を形成して第１柱部３１ａと第２柱部３１ｂとを形成する（ステップＳ１２０）。すなわち、例えば、図３（ｃ）に関して説明した処理を行う。
【０１５６】
これにより、互いに非対称な第１端面３１ａｅと第２端面３１ｂｅとを形成でき、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置を製造することができる。
【０１５７】
そして、既に説明したように、上記のレジスト膜（第２レジスト層３８）の形成（ステップＳ１１０）と、上記の第１柱部３１ａと第２柱部３１ｂとの形成（柱部導電膜３１ｆの形成、ステップＳ１２０）と、は、複数の半導体積層体１０が設けられた基板１０ｓにおいて、複数の半導体積層体１０について一括して実施されることができる。これにより、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置を高い生産性で製造することができる。
【０１５８】
赤色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光体は、これに限定されない。
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋顔料、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、
ＹＶＯ４：Ｅｕ、
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋、
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋、
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋ 。
【０１５９】
緑色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光体は、これに限定されない。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ 。
【０１６０】
青色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光体はこれに限定されない。
ＺｎＳ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋顔料、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ 。
【０１６１】
黄色の蛍光体として例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光体はこれに限定されない。
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋ 。
【０１６２】
なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むものや、導電形などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【０１６３】
以上説明したように、実施形態によれば、電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供することができる。
【０１６４】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。
【０１６５】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施の形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光部に含まれる半導体層、発光層、電極、導電層、反射層及びコンタクト電極層、並びに、半導体発光装置に含まれる導電部、電極、柱部、接続部、絶縁層、封止部、光学層、波長変換部、蛍光体層、蛍光体、透光部及び硬質膜などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１６６】
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光装置及びその製造方法も、本発明の実施の形態の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１６７】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１６８】
１０…半導体積層体、 １０ａ…第２主面、 １０ｂ…第１主面、 １０ｄ…発光部、 １０ｓ…基板、 １１…第１半導体層、 １２…第２半導体層、 １３…発光層、 １４…第１電極、 １５…第２電極、 １８…保護層、 ２０…絶縁層、 ２０ｏ１…第１開口部、 ２０ｏ２…第２開口部、 ３０ａ…第１導電部、 ３０ｂ…第２導電部、 ３１ａ…第１柱部、 ３１ａｅ…第１端面、 ３１ａｅ１〜３１ａｅ４…第１〜第４サブ端面、 ３１ｂ…第２柱部、 ３１ｂｅ…第２端面、 ３１ｂｅ１〜３１ｂｅ２…第５及び第６サブ端面、 ３１ｆ…柱部導電膜、 ３２ａ…第１接続部、 ３２ｂ…第２接続部、 ３２ｆ…接続部導電膜、 ３３…シード層、 ３７…第１レジスト層、 ３８…第２レジスト層（レジスト膜）、 ３９ａ…第１開口領域、 ３９ｂ…第２開口領域、 ５０…封止部、 ５０ｆ…樹脂層、 ５０ｓ…封止部実装面、 ６０…光学層、 ６１…蛍光体層（波長変換部）、 ６１ｆ…蛍光体膜、 ６２…透光部、 ６３…硬質膜、 ７２ａ…第１接続部材、 ７２ｂ…第２接続部材、 １１０、１１０ａ〜１１０ｆ、１１１ａ〜１１１ｆ、１１２、１１２ａ、１１３ａ〜１１３ｄ…半導体発光装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有する半導体積層体と、前記半導体積層体の前記第２主面に設けられた第１電極及び第２電極と、を含む発光部と、
前記第１電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む第１導電部と、
前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、
前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う封止部と、
前記半導体積層体の前記第１主面に設けられ、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む光学層と、
を備え、
前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１端面は、
前記第２端面の面積とは異なる面積、
前記第２端面のパターン形状とは異なるパターン形状、
前記第２端面の数とは異なる数、及び、
前記第２端面の、前記封止部の前記半導体積層体とは反対の側の封止部実装面内における配置とは異なる前記封止部実装面内における配置、
の少なくともいずれかを有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記半導体積層体は、前記第１主面の側に設けられた第１導電形の第１半導体層と、前記第２主面の側に設けられた第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、
前記半導体積層体においては、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出し、
前記第１電極は前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続され、
前記第２電極は前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続され、
前記第２柱部の数は、前記第１柱部の数よりも多いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記半導体積層体は、前記第１主面の側に設けられた第１導電形の第１半導体層と、前記第２主面の側に設けられた第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、
前記半導体積層体においては、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出し、
前記第１電極は前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続され、
前記第２電極は前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続され、
前記第２柱部の前記第１主面に対して平行な平面で切断したときの断面積は、前記第１柱部の前記第１主面に対して平行な前記平面で切断したときの断面積よりも大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体積層体は、前記第１主面の側に設けられた第１導電形の第１半導体層と、前記第２主面の側に設けられた第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、
前記半導体積層体においては、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出し、
前記第１電極は前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続され、
前記第２電極は前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続され、
前記第２端面は複数設けられ、前記複数の第２端面は、前記封止部の前記半導体積層体とは反対の側の封止部実装面の辺に沿って配列することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記第１柱部の少なくとも一部と前記半導体積層体との間、及び、前記第２柱部の少なくとも一部と前記半導体積層体との間、の少なくともいずれかに設けられた絶縁層をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第１導電部は、前記絶縁層の前記半導体積層体とは反対の側の面の少なくとも一部を覆い前記第１電極と前記第１柱部とを電気的に接続する第１接続部をさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第２導電部は、前記絶縁層の前記半導体積層体とは反対の側の面の少なくとも一部を覆い前記第２電極と前記第２柱部とを電気的に接続する第２接続部をさらに含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有する半導体積層体と、前記半導体積層体の前記第２主面に設けられた第１電極及び第２電極と、を含む発光部と、前記第１電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む第１導電部と、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う封止部と、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられ、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む光学層と、を有し、前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称である半導体発光装置の製造方法であって、
前記半導体積層体の前記第２主面の上に、前記第１柱部に対応する第１開口領域と、前記第２柱部に対応し前記第１開口領域とは非対称な第２開口領域と、を有するレジスト膜を形成し、
前記第１開口領域と前記第２開口領域とに導電膜を形成して前記第１柱部と前記第２柱部とを形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記レジスト膜の前記形成と、前記第１柱部と前記第２柱部との前記形成と、は、
複数の前記半導体積層体が設けられた基板において、前記複数の半導体積層体について一括して実施されることを特徴とする請求項９記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１】
第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有する半導体積層体と、前記半導体積層体の前記第２主面に設けられた第１電極及び第２電極と、を含む発光部と、
前記第１電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む第１導電部と、
前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、
前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う封止部と、
前記半導体積層体の前記第１主面に設けられ、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む光学層と、
を備え、
前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１端面は、
前記第２端面の面積とは異なる面積、
前記第２端面のパターン形状とは異なるパターン形状、
前記第２端面の数とは異なる数、及び、
前記第２端面の、前記封止部の前記半導体積層体とは反対の側の封止部実装面内における配置とは異なる前記封止部実装面内における配置、
の少なくともいずれかを有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記半導体積層体は、前記第１主面の側に設けられた第１導電形の第１半導体層と、前記第２主面の側に設けられた第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、
前記半導体積層体においては、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出し、
前記第１電極は前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続され、
前記第２電極は前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続され、
前記第２柱部の数は、前記第１柱部の数よりも多いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記半導体積層体は、前記第１主面の側に設けられた第１導電形の第１半導体層と、前記第２主面の側に設けられた第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、
前記半導体積層体においては、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出し、
前記第１電極は前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続され、
前記第２電極は前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続され、
前記第２柱部の前記第１主面に対して平行な平面で切断したときの断面積は、前記第１柱部の前記第１主面に対して平行な前記平面で切断したときの断面積よりも大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体積層体は、前記第１主面の側に設けられた第１導電形の第１半導体層と、前記第２主面の側に設けられた第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、
前記半導体積層体においては、前記第２半導体層及び前記発光層が選択的に除去されて前記第２主面において前記第１半導体層の一部が露出し、
前記第１電極は前記第２主面の側において前記第１半導体層に電気的に接続され、
前記第２電極は前記第２主面の側において前記第２半導体層に電気的に接続され、
前記第２端面は複数設けられ、前記複数の第２端面は、前記封止部の前記半導体積層体とは反対の側の封止部実装面の辺に沿って配列することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記第１柱部の少なくとも一部と前記半導体積層体との間、及び、前記第２柱部の少なくとも一部と前記半導体積層体との間、の少なくともいずれかに設けられた絶縁層をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第１導電部は、前記絶縁層の前記半導体積層体とは反対の側の面の少なくとも一部を覆い前記第１電極と前記第１柱部とを電気的に接続する第１接続部をさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第２導電部は、前記絶縁層の前記半導体積層体とは反対の側の面の少なくとも一部を覆い前記第２電極と前記第２柱部とを電気的に接続する第２接続部をさらに含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有する半導体積層体と、前記半導体積層体の前記第２主面に設けられた第１電極及び第２電極と、を含む発光部と、前記第１電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第１柱部を含む第１導電部と、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、前記第１導電部の側面及び前記第２導電部の側面を覆う封止部と、前記半導体積層体の前記第１主面に設けられ、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む光学層と、を有し、前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称である半導体発光装置の製造方法であって、
前記半導体積層体の前記第２主面の上に、前記第１柱部に対応する第１開口領域と、前記第２柱部に対応し前記第１開口領域とは非対称な第２開口領域と、を有するレジスト膜を形成し、
前記第１開口領域と前記第２開口領域とに導電膜を形成して前記第１柱部と前記第２柱部とを形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記レジスト膜の前記形成と、前記第１柱部と前記第２柱部との前記形成と、は、
複数の前記半導体積層体が設けられた基板において、前記複数の半導体積層体について一括して実施されることを特徴とする請求項９記載の半導体発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１５】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
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【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−２５８６７３（Ｐ２０１１−２５８６７３Ａ）
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３０５２１（Ｐ２０１０−１３０５２１）
【出願日】平成２２年６月７日（２０１０．６．７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月７日（２０１０．６．７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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