半導体発光装置及びそれを用いたバックライトユニット
【課題】薄型、小型で且つ信頼性の高い半導体発光装置とこれを用いたバックライトユニットを安価に提供する。
【解決手段】半導体発光装置１００は、素子搭載部１０１と、素子搭載部１０１上に固定され且つ素子搭載部１０１に電気的に接続された半導体発光素子１０３と、半導体発光素子１０３を囲む壁部１１０ａを有するケースボディ１０６と、半導体発光素子１０３を封止する封止部材１０７とを備える。素子搭載部１０１及びケースボディ１０６によってケースボディ凹部１１０が構成される。封止部材１０７は、ケースボディ凹部１１０内において半導体発光素子１０３を封止する。素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の少なくとも一方のうちの封止部材１０７と接する部分は、少なくとも１本の線状に延びる凹部１０８ａ又は凸部１０８ｂを含む凹凸１０８を有する
【解決手段】半導体発光装置１００は、素子搭載部１０１と、素子搭載部１０１上に固定され且つ素子搭載部１０１に電気的に接続された半導体発光素子１０３と、半導体発光素子１０３を囲む壁部１１０ａを有するケースボディ１０６と、半導体発光素子１０３を封止する封止部材１０７とを備える。素子搭載部１０１及びケースボディ１０６によってケースボディ凹部１１０が構成される。封止部材１０７は、ケースボディ凹部１１０内において半導体発光素子１０３を封止する。素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の少なくとも一方のうちの封止部材１０７と接する部分は、少なくとも１本の線状に延びる凹部１０８ａ又は凸部１０８ｂを含む凹凸１０８を有する
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関し、特に、ディスプレイ、携帯電話、照明器具及び光源等に用いられる樹脂封止型の半導体発光装置及びそれを用いたバックライトユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置は、小型、低背で且つ発光効率が良いことが求められている。これを実現するために、半導体発光装置内に複数の半導体発光素子を直線状に配置した構造が提案されてきている。このような構造を取ると、半導体発光装置の長手方向と短手方向の比率が大きくなる。
【０００３】
従来の半導体発光装置として、リフレクター材料（特にプラスチック材料）から製造されたケースボディと、ケースボディに設けられた凹部に配置された半導体発光素子と、半導体発光素子に電気的に接続された金属製の電極端子（リードフレームからなる）と、ケースボディの凹部に充填された透過率の高い封止部材とを備えた半導体発光装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２００３／０３８９１２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上に説明した半導体発光装置において、ケースボディ凹部に透過率の高い封止部材を充填するには、一般的にディスペンサーにより封止部材を塗布する。しかしながら、封止部材がケースボディ凹部に吐出された後、ケースボディ凹部を充填するまでに要する時間が長く、生産性が悪い。また、ケースボディ凹部に対する封止部材の充填性が劣化すると、半導体発光装置の輝度むらを大きくさせる原因となる。これらは、半導体発光装置の長手方向と短手方向との寸法比が大きくなると、顕著になる。
【０００６】
このことに鑑み、本開示の技術の目的は、薄型、小型で且つ信頼性の高い半導体発光装置と、これを用いたバックライトユニットを安価に提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するために、本開示の半導体発光装置は、素子搭載部と、素子搭載部上に固定され且つ素子搭載部に電気的に接続された半導体発光素子と、半導体発光素子を囲む壁部を有するケースボディと、半導体発光素子を封止する封止部材とを備え、素子搭載部及びケースボディによってケースボディ凹部が構成され、封止部材は、ケースボディ凹部内において半導体発光素子を封止し、素子搭載部及びケースボディの少なくとも一方のうちの封止部材と接する部分は、少なくとも１本の線状に延びる凹部又は凸部を含む凹凸を有する。
【０００８】
尚、凹凸は、素子搭載部に形成されていても良い。
【０００９】
また、凹凸は、ケースボディのうちのケースボディ凹部の底部を構成する部分に形成されていても良い。
【００１０】
このような半導体発光装置によると、ケースボディ凹部の底面において、凹部と凸部とでは封止部材との接触角が異なるようになる。
【００１１】
従って、封止部材を充填する際、凹凸構造を横切るためには付加的なエネルギーが必要になるので、これを利用して封止部材の底面に対する濡れ性を制御できる。つまり、封止部材を充填する際、封止部材は、凹凸を横切る方向には進みにくいので凹凸に沿う方向への濡れ広がりが速くなる。これを利用して、凹部及び凸部の延びる方向に封止部材を誘導すると共に、速やかに濡れ広がるようにすることができる。このことから、ケースボディ凹部に対する封止部材の充填性を良くすることができ、半導体発光装置の生産性が向上する。生産性の向上は、低コスト化にも貢献する。また、封止部材がより均一に濡れ広がるので、封止部材の表面の凹凸及び封止部材内の気泡の発生を抑制し、半導体発光装置から照射される光の輝度むらを低減することができる。凹凸は、ケースボディ凹部の底面と、当該底面に設けられた突起部又は溝により構成されていても良い。
【００１２】
また、凹凸は、素子搭載部及びケースボディの両方の表面に亘って連続して形成されていても良い。
【００１３】
このようにすると、素子搭載部及びケースボディの両方において封止部材の充填性を向上させることができる。また、充填の際、封止部材が素子搭載部とケースボディとの境界を容易に横切るようにすることができる。
【００１４】
また、外部との電気的接続を得るための電極端子を更に備え、電極端子は、ケースボディによって一部が覆われるように保持されていても良い。
【００１５】
半導体発光素子を半導体発光装置の外部と電気的に接続するために、このような電極端子を備えていても良い。
【００１６】
また、ケースボディは、リフレクター素材からなっていても良い。
【００１７】
このようにすると、半導体発光素子から出射された光をケースボディによって反射し、発光効率を向上させることができる。
【００１８】
また、半導体装置は、平面視において一方に長い形状を有し、少なくとも１本の線状に延びる凹部又は凸部は、半導体発光装置の長手方向に延びるように形成されていても良い。
【００１９】
このようにすると、充填の際に、封止部材が半導体発光装置の長手方向に進みやすくなり、充填性を向上させる（封止部材が未充填の箇所が発生するのを抑制する）ことができる。
【００２０】
また、凹凸は、ラインアンドスペース状に形成された複数の凹部及び凸部を含んでも良い。つまり、凹部及び凸部が縞状に形成されていても良い。
【００２１】
また、凹凸は、等間隔に並んで複数形成された凹部及び凸部を含んでいても良い。
【００２２】
このようにすると、凹部及び凸部の延びる方向に封止部材をより確実に誘導できる。
【００２３】
また、凹凸のピッチは、１μｍ以上で且つ１００μｍ以下であっても良い。
【００２４】
また、凹凸の高さの差は、０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下であっても良い。
【００２５】
また、凹凸のうちの凸部の幅は、凹部の幅よりも狭くても良い。
【００２６】
凹部及び凸部の寸法に関し、以上のようになっていても良い。
【００２７】
また、凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、四角形状、三角形状又は円弧状の断面を有していても良い。
【００２８】
また、凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、破線状に形成されていても良い。
【００２９】
つまり、小型の凹部又は凸部が複数並んでなる断続的な構造であっても良い。
【００３０】
また、凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、平面視において、曲線状に形成されていても良い。
【００３１】
以上のような構造の凹凸を設けることにより、それぞれ封止部材の充填性を調整すること及び向上することができるので、半導体発光装置の生産性及び信頼性を向上させることができる。
【００３２】
また、凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、平面視において、壁部の形状に沿って形成されていても良い。
【００３３】
また、凹凸は、ケースボディ凹部の中央からコーナー部に向かって延びる凹部又は凸部を含んでいても良い。
【００３４】
また、凹凸の高さの差は、ケースボディ凹部の中央側において大きく、ケースボディ凹部の周縁側にむかって小さくなっていても良い。
【００３５】
このようにすると、特に、ケースボディ凹部のコーナー部、周縁部に封止部材を誘導して充填性を向上させることができる。
【００３６】
また、ケースボディ凹部内に、複数の半導体発光素子を備えていても良い。
【００３７】
これにより、小型で且つ高輝度の半導体発光装置を実現することができる。
【００３８】
また、半導体装置は、平面視において一方に長い形状を有し、半導体発光装置の縦横の寸法比が１以上で且つ３０以下であっても良い。
【００３９】
このような場合に、封止部材を誘導して充填性を向上させる本開示の技術の効果が顕著に発揮される。
【００４０】
また、半導体発光素子と素子搭載部とを電気的に接続する金属細線を更に備え、金属細線は、封止部材によって封止されていても良い。
【００４１】
また、金属細線が接合される部分の素子搭載部は平坦であっても良い。
【００４２】
このようにすると、金属細線と素子搭載部との接続をより確実にすることができる。
【００４３】
また、半導体発光素子は、素子搭載部上にフリップチップ接合されていても良い。
【００４４】
次に、本開示のバックライトユニットは、本開示のいずれかの半導体発光装置と、当該半導体発光装置が発する光を誘導する導光板とを備えるバックライトユニットである。
【００４５】
薄型、小型で且つ信頼性の高い本開示の半導体発光装置を用いることにより、より薄いバックライトユニットが実現し、ディスプレイ等の薄型に貢献する。
【発明の効果】
【００４６】
本開示の半導体発光装置によると、ケースボディ凹部に対する封止部材の濡れ性を制御し、充填性を向上させることができる。従って、ケースボディ凹部に対してより速やかに且つ確実に封止部材を充填することができ、生産性を向上させると共に、輝度むらが抑制された薄型、小型で且つ信頼性の高い半導体発光装置を実現することができる。また、このような半導体発光装置を用いるバックライトユニットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、本開示の一実施形態の例示的半導体発光装置を説明する図である。
【図２】図２は、本開示の半導体発光装置に設けられる凹凸の断面形状を例示する図である。
【図３】図３は、本開示の半導体発光装置に設けられる凹凸の断面形状を例示する図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、本開示の半導体発光装置において、凹凸が設けられた素子搭載部のうち金属細線の接続箇所については平坦にすることを説明する図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は、本開示の第１の変形例の半導体発光装置を説明する図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、本開示の第２の変形例の半導体発光装置を説明する図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は、本開示の半導体発光装置における凹凸の平面視形状に関する他の例を説明する図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｄ）は、本開示の半導体発光装置における凹凸の形状について更に説明する図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｄ）は、本開示の第３の変形例の半導体発光装置を説明する図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、本開示の第４の変形例の半導体発光装置を説明する図である。
【図１１】図１１は、本開示の第５の変形例について、凹凸の平面形状の例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、本開示の一実施形態の例示的半導体発光装置１００について、図面を参照しながら説明する。但し、本開示の技術は以下に例示する内容に限定されるものではなく、技術的範囲を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００４９】
図１（ａ）及び（ｂ）は、半導体発光装置１００の模式的な断面及び平面図ある。また、図１（ｂ）の一部１５０を図１（ｃ）に拡大して示すと共に、そのId-Id'線による断面を図１（ｄ）に示している。
【００５０】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体発光装置１００は、金属材料からなる素子搭載部１０１と、その上に有機系接着剤等の接着剤１０２によって固着された半導体発光素子１０３とを有する。この例では、複数（３つ）の素子搭載部１０１上にそれぞれ半導体発光素子１０３が搭載され、半導体発光素子１０３と素子搭載部１０１とは金属細線１０４によって電気的に接続されている。
【００５１】
また、半導体発光装置１００を外部と電気的に接続するための電極端子１０５が備えられている。電極端子１０５及び素子搭載部１０１は、光の反射率が高いリフレクター材料等からなるケースボディ１０６によって、それぞれ一部が覆われるように保持されている。電極端子１０５と素子搭載部１０１とは同じ材料からなり、リードフレームを用いて形成される。
【００５２】
ケースボディ１０６は、素子搭載部１０１上において半導体発光素子１０３及び金属細線１０４の周囲を囲む壁部１１０ａを有する。また、素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の一部により底部１１０ｂが構成され、壁部１１０ａ及び底部１１０ｂによりケースボディ凹部１１０が構成されている。ケースボディ凹部１１０には、半導体発光素子１０３及び金属細線１０４を封止する封止部材１０７が充填されている。封止部材１０７は、透光性の樹脂等からなる。
【００５３】
また、封止部材１０７に接している素子搭載部１０１の上面には、半導体発光装置１００の長手方向に線状に延びる凹部１０８ａと、その間の部分である凸部１０８ｂとによって凹凸１０８が形成されている。尚、素子搭載部１０１の上面に設けられた突起部を凸部１０８ｂ、その間の部分を凹部１０８ａとする凹凸１０８であっても良いし、素子搭載部１０１の上面に設けられた溝を凹部１０８ａ、その間の部分を凸部１０８ｂとする凹凸１０８であっても良い。
【００５４】
このような凹凸１０８が素子搭載部１０１上に形成されていることにより、ケースボディ凹部１１０に液状の封止部材１０７を充填する際、吐出された封止部材１０７は、凹凸１０８に沿って速やかに濡れ広がる。つまり、凹部１０８ａと凸部１０８ｂとでは封止部材１０７との接触角が異なるので、液状の封止部材１０７が凹凸１０８を横切るためには付加的なエネルギーが必要になる。このことから、封止部材１０７は凹凸１０８に沿って蒸れ広がる。従って、封止部材１０７の充填に要する時間が短くなり、半導体発光装置１００の生産性が向上する。生産性の向上は低コスト化に貢献するので、より安価に半導体発光装置１００を製造することもできる。
【００５５】
また、封止部材１０７が速やかに濡れ広がることにより、ケースボディ凹部１１０内において封止部材１０７が充填されずに残る箇所が発生するのを抑えると共に、封止部材１０７の上面に凹凸が生じるのを抑えることができる。このことから、封止部材１０７をより均一に充填することができる。従って、封止部材１０７の上面を平坦にすることができ、半導体発光素子１０３（更には半導体発光装置１００）から照射される光の輝度むらを抑えることができる。
【００５６】
以上のように、ケースボディ凹部１１０内に複数の半導体発光素子１０３を配置し且つ封止部材１０７により封止を行なう構造をすることにより、小型化及び低背化を実現する。更に、凹凸１０８により、封止部材１０７を速やかに且つ均一に充填することができ、生産性及び信頼性が高く且つ安価な半導体発光装置１００が実現される。
【００５７】
素子搭載部１０１において、凹凸１０８は、半導体発光装置１００（又はケースボディ１０６）の長手方向に延びるように（長手方向に平行又は略平行に）形成されている。これにより、半導体発光装置１００の長手方向に液状の封止部材１０７を誘導し、ケースボディ凹部１１０内により確実に封止部材１０７を充填することができる。但し、凹凸１０８は、他の方向、例えば半導体発光装置１００の長手方向に垂直な方向等に延びていても良い。
【００５８】
また、素子搭載部１０１の一部を拡大する図１（ｃ）及びその断面である図１（ｄ）に示すように、凹凸１０８を構成する凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂは、ラインアンドスペース状（縞状）に複数設けられている。また、凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂは、等間隔に、周期的に形成されており、望ましい構成ではある。但し、これには限定されず、凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂの幅及び間隔は、規則的に変更されていても良いし、ランダムであっても良い。
【００５９】
凹凸１０８の高さＨ（凹部１０８ａと凸部１０８ｂの差、凸部１０８ｂの高さは又は凹部１０８ａの深さとも言える）は、０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下とするのが良い。また、凹凸１０８のピッチＰは、１μｍ以上で且つ１００μｍ以下とするのが良い。光の反射率を高める（例えば、初期値として９０％以上とする）ために、このようにするのがよい。
【００６０】
また、凸部１０８ｂの断面が四角形状であり、凸部１０８ｂの幅が、凹部１０８ａの幅よりも狭いことが望ましい。但し、凸部１０８ｂの幅が凹部１０８ａの幅と同じである場合にも、凸部の幅の方が広い場合にも、封止部材１０７の充填性を向上させる効果は得られる。
【００６１】
尚、図１（ｂ）に示すように、本実施形態の半導体発光装置１００の場合、ケースボディ１０６は長辺と短辺とを有する長方形の平面形状を有している。しかし、これに限定されることはなく、正方形、円形等であっても良い。半導体発光装置１００が長方形の平面形状を有する場合、縦横比（長手方向の長さと短手方向の長さの比）は、１以上で且つ３０以下であることが望ましく、１以上で且つ５以下であることが更に望ましい。
【００６２】
また、平面視において、素子搭載部１０１は長方形であって、ケースボディ１０６の長辺方向に３つ並んで配置されているが、このような素子搭載部１０１の平面形状、個数及び配置についても、図１（ｂ）の例に限定されることはない。
【００６３】
（各構成要素の材料）
素子搭載部１０１及び電極端子１０５は、金属系素材からなるリードフレームの一部として形成される。リードフレームは、機械的強度、電気伝導度、熱伝導度及び耐腐食性等を考慮して選択される金属系素材、例えばＣｕ合金系素材、鉄合金系素材の薄板を材料として、打ち抜き（プレス）又はエッチング等の加工方法によって形成される。また、リードフレームの表面には、光の反射率が高い素材（高反射率素材）である銀化合物がめっきされていることが望ましい。銀化合物に代える高反射率素材として、金、白金又は金銀合金等のめっき材料を用いることもできる。
【００６４】
接着剤１０２としては、有機系接着剤が好ましく、特に、熱硬化性樹脂系の接着剤が好ましい。具体的には、酢酸ビニル樹脂系、ポリビニルアルコール系、ポリビニルアセタール系、エチレン・酢酸ビニル樹脂系、塩化ビニル系、アクリル樹脂系、ポリアミド系、セルロース系、α−オレフィン樹脂系、イソシアネート系、ユリア樹脂系、メラミン樹脂系、フェノール樹脂系、レゾルシノール樹脂系、エポキシ樹脂系、ポリエステル系、ウレタン樹脂系、ポリイミド系、ポリベンズイミダゾール系、クロロプレンゴム系、ニトリルゴム系、スチレンブタジエンゴム系、ポリサルファイド系、ブチルゴム系、シリコーン系、アリルゴム系、変性シリコーン系又はウレタン樹脂系等の樹脂を用いることができる。また、フィラーが混合された接着剤であっても良い。
【００６５】
半導体発光素子１０３は、基板上に、ＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮ等のうち１つ又は複数の半導体を発光層として形成して構造を有していても良い。
【００６６】
また、ケースボディ１０６は、例えばリフレクター材料である樹脂等から形成されている。熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂のいずれを使用してもよい。具体例としては、フェノール樹脂系、ユリア樹脂系、メラミン樹脂系、エポキシ樹脂系、ジアリルフタレート樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、ポリイミド系、ポリウレタン系、シリコーン系、変性シリコーン系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリスチレン系、ＡＢＳ（acrylonitrile butadiene styrene ）樹脂系、メタクリル樹脂系、アクリル樹脂系、ポリ塩化ビニル系、ポリアセタール系、ポリアミド系、ポリカーボネート系、変性ポリフェニレンエーテル系、ポリブチレンテフタレート系、ポリエチレンテレフタレート系、ポリサルフォン系、ポリフェニレンサルファイド系、ポリアミドイミド系、ポリメチルペンテン系、又は、液晶ポリマー系等の材料を用いることができる。尚、これらの樹脂内に、ガラス繊維、フィラー等の補強材が含有されていても良い。また、ケースボディ１０６は、樹脂に代えて、セラミックスから構成されていても良い。
【００６７】
封止部材１０７は、例えば、シリコーン樹脂からなる。その他には、エポキシ樹脂等の可視光領域における光透過率が高い（例えば５０％以上である）樹脂を使用することもできる。また、樹脂中に、半導体発光素子１０３から照射された所定は長の光を吸収して別の波長の光を発する蛍光体粒子、又は、粘度調整剤等のフィラーが含まれていても良い。また、光、熱等の物理的エネルギーにより架橋反応が進む樹脂材料を用いることもできる。
【００６８】
（半導体発光装置の製造方法）
次に、半導体発光装置１００の製造方法について、具体例を説明する。素子搭載部１０１及び電極端子１０５は、リードフレームから形成される。リードフレームは、例えば厚さ０．１５ｍｍ〜０．３ｍｍ程度のＣｕ合金からなり、表面には厚さ３μｍ〜６μｍ程度のＡｇめっきが施されている。ここで、加熱によるＣｕの拡散を防止するために、Ａｇめっきの下地として厚さ０．５μｍ〜３μｍ程度のＮｉめっきを更に施しても良い。また、めっきの反射率低下を抑えるために、Ｎｉ下地めっき上に、厚さ０．０１μｍ〜０．３μｍ程度のＡｕＡｇめっきを施しても良い。
【００６９】
また、リードフレームからなる素子搭載部１０１の上面に凹凸１０８を形成するためには、レジスト材料によりマスキングを行なった後にエッチングによりパターニングする方法がある。また、金型等によりリードフレームの素子搭載部１０１をクランプすることにより、凹凸１０８をパターニングしても良い。更に、レーザー加工、ダイヤモンド切削、ブラスト加工、インプリント又はリソグラフィ等の加工プロセスを用いても良い。
【００７０】
素子搭載部１０１に凹凸１０８を形成した後、リードフレームの素子搭載部１０１及び電極端子１０５が対向して保持されるように、インジェクション成形によりケースボディ１０６を形成する。この際、ケースボディ１０６の一部として、素子搭載部１０１上にて半導体発光素子１０３を囲む壁部１１０ａを形成する。また、電極端子１０５及び素子搭載部１０１の裏面（金属細線１０４の接続される面とは反対側の面）の少なくとも一部が、ケースボディ１０６に覆われない外部端子となるようにする。尚、ケースボディ１０６は、インジェクション成型に代えて、トランスファー成形等により成形しても良い。
【００７１】
ケースボディ１０６を形成した後、素子搭載部１０１上に接着剤１０２を塗布し、当該接着剤１０２を用いて半導体発光素子１０３を接着する。図１（ａ）及び（ｂ）に示す本実施形態では３個の半導体発光素子１０３が用いられているが、１つ又は２つであっても良いし、４つ以上の半導体発光素子１０３を搭載しても良い。
【００７２】
次に、半導体発光素子１０３と素子搭載部１０１とを金属細線１０４により電気的に接続する。但し、金属細線１０４を用いるのに代えて、フリップチップ工法により半導体発光素子１０３を素子搭載部１０１上に搭載し、電気的接続を得ても良い。
【００７３】
この後、ケースボディ凹部１１０に、ディスペンサーから液状の封止部材１０７を吐出する。これにより、ケースボディ凹部１１０内において半導体発光素子１０３及び金属細線１０４を封止する。
【００７４】
この際、素子搭載部１０１上に形成した凹凸１０８により、封止部材１０７の濡れ広がりを制御することができ、ケースボディ凹部１１０内に未充填の箇所を生じさせることなく封止部材１０７を充填できる。また、封止部材１０７は均一に濡れ広がるので、充填された封止部材１０７の上面に凹凸が生じるのを避けることができる。従って、半導体発光装置１００から照射される光の輝度むらを抑制することができる。
【００７５】
封止部材１０７を充填した後、硬化炉にて過熱することにより封止部材１０７を硬化させる。これにより、半導体発光装置１００が製造される。
【００７６】
以上のように、ケースボディ１０６内に素子搭載部１０１を配置する構造により薄型化及び小型化を実現できると共に、封止部材１０７を速やかに且つ均一に充填することができ、信頼性が高く且つ安価な半導体発光装置を得ることができる。
【００７７】
（凹凸の断面形状に関する他の例）
次に、凹凸１０８の断面形状について、他の例を説明する。
【００７８】
先に説明した例では、図１（ｄ）に示す通り、凹凸１０８は四角形状の断面を有する（凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂは、ケースボディ凹部１１０の底面に垂直な側面を有し、また、いずれも断面が四角形状である。凹部１０８ａ及び凸部がいずれも四角柱状であるとも言える）。これに代わる断面形状の例が、図２及び図３に示されている。図２及び図３は、図１（ｄ）と同様に、図１（ｃ）のId-Id'線による断面と考えることができる。
【００７９】
図２の場合、凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂの側面が（ケースボディ凹部１１０の底面に対して）傾斜を有する。この結果、素子搭載部１０１の上面に、三角形状の断面を有する凹部１０８ａが複数並んで設けられ、その間の部分は台形状の断面を有する凸部１０８ｂとなっている。三角柱状の凸部１０８ｂが設けられていると考えても良い。
【００８０】
但し、図２では凸部１０８ｂの断面は台形状であるが、三角形状であっても良い。また、凹部１０８ａの断面が台形状になっていても良い。高さＨとピッチＰとの関係、凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂの側面の角度等により断面形状が定まることになる。
【００８１】
また、図３の場合、凹凸１０８は、半円形状の断面を有する凸部１０８ｂと、その間の凹部１０８ａとによって構成されている。但し、これに代えて、半円形状の凹部１０８ａと、その間の凸部１０８ｂとによって構成される凹凸１０８であっても良い。更に、半円以外の円弧状の断面形状としても良い。尚、四角形状、三角形状、台形状、半円状及び円弧状等について、厳密にそれぞれの形状である場合に限らず、略四角形等でもよい。
【００８２】
図２及び図３に示す断面形状の凹凸１０８は、四角形状の断面を有する凹凸１０８に比べて形成しやすい。また、封止部材１０７を充填する際、凹部１０８ａ内に空気がトラップされてるのを抑制しやすく、液状の封止部材１０７の濡れ性をより確実に制御できる。従って、封止部材１０７内に気泡が生じるのを抑え、より確実且つ容易に特性に優れた半導体発光装置１００を得ることができる。
【００８３】
尚、図２又は図３の断面形状を有する凹凸１０８に関し、平面視における配置は、図１（ａ）〜（ｄ）に示した例と同様である。つまり、凹凸１０８がラインアンドスペースパターンとして形成されていること、等間隔に、また、周期的に形成されていること、ケースボディ１０６の長手方向に平行（又は略平行）に形成されていること等が望ましい。但し、これらに限定はされない。更に、凹凸１０８の高さＨ（凹部１０８ａと凸部１０８ｂの差、凹部１０８ａの深さとも言える）を０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下とすること、凹凸１０８のピッチＰを１μｍ以上で且つ１００μｍ以下とすることが望ましい。
【００８４】
また、金属細線１０４が接続される部分の素子搭載部１０１を平坦にしても良い。図４（ａ）及び（ｂ）は、このことを示す図であって、金属細線１０４が素子搭載部１０１の上面に接続される箇所を拡大して示す平面図及びそのIVb-IVb'線による断面図である。
【００８５】
半導体発光装置１００において、素子搭載部１０１上に凹凸１０８が設けられているので、素子搭載部１０１に金属細線１０４を接続しにくくなることが考えられる。そこで、図４（ａ）及び（ｂ）に示す通り、素子搭載部１０１の上面に、凹凸１０８を設けない（つまり、平坦な）金属細線接続部１０１ａを設定し、当該金属細線接続部１０１ａに対して金属細線１０４を接続する。これにより、凹凸１０８を設ける効果を得ると共に、金属細線１０４と素子搭載部１０１との接続の信頼性を向上させることができる。
【００８６】
（第１の変形例）
次に、本実施形態の第１の変形例の例示的半導体発光装置１００ａについて説明する。
【００８７】
図５（ａ）及び（ｂ）は半導体発光装置１００ａの模式的な断面図及び平面図である。また、図５（ｂ）の一部１５１を図５（ｃ）に拡大して示すと共に、そのVd-Vd'線による断面を図５（ｄ）に示している。尚、図５（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００ａにおいて、図１（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００と同様の構成要素については同じ符号を用い、以下には相違点について詳しく説明する。
【００８８】
図１（ａ）〜（ｄ）の半導体発光装置１００の場合、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂを構成する部分の素子搭載部１０１及びケースボディ１０６のうち、素子搭載部１０１の上面に凹凸１０８が設けられている。
【００８９】
これに対し、図５（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００ａの場合、ケースボディ凹部１１０の底面を構成する部分の素子搭載部１０１及びケースボディ１０６のうち、ケースボディ１０６の上面に凹凸１０９（凹部１０９ａ及び凸部１０９ｂ）が設けられている。凹凸１０９は、半導体発光装置１００ａの長手方向に延びるように設けられている。
【００９０】
このようにな凹凸１０９も、液状の封止部材１０７を速やかに濡れ広がらせる効果を発揮する。従って、凹凸１０９を設けることにより、ケースボディ凹部１１０に対する封止部材１０７の充填をより速やかで且つ確実にすることができる。
【００９１】
このようにして、小型且つ底背であって、更に、生産性及び信頼性が高く且つ安価な半導体発光装置１００ａが実現する。
【００９２】
尚、図５（ｄ）に示す通り、凹凸１０９は、四角形状の断面を有する凹部１０９ａ及び凸部１０９ｂからなっていても良い。また、図２及び図３に示す凹凸１０８と同様に、三角形状、半円状等の断面形状を有していても良い。このようにすると、四角形状の断面である場合に比べて凹凸１０９の形成が容易になり、且つ、封止部材１０７内に気泡が生じるのを抑えることができる。
【００９３】
尚、凹凸１０９の平面視における配置については、図１（ａ）〜（ｄ）に示した凹凸１０８の場合と同様である。つまり、凹凸１０９がラインアンドスペースパターンとして形成されていること、等間隔に、また、周期的に形成されていること、ケースボディ１０６の長手方向に平行（又は略平行）に形成されていること等が望ましい構成である。但し、これらに限定はされない。更に、凹凸１０９の高さＨ（凹部１０９ａと凸部１０９ｂの差、凸部１０９ｂの高さ又は凹部１０９ａの深さとも言える）を０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下とすること、凹凸１０９のピッチＰを１μｍ以上で且つ１００μｍ以下とすることが望ましい。
【００９４】
底部１１０ｂを構成する部分のケースボディ１０６に凹凸１０９を設けるためには、例えば、所定の部分に凹凸が形成された金型を用い、インジェクション成型によってケースボディ１０６を形成する方法がある。
【００９５】
また、ケースボディ１０６を形成した後、レジスト材料によるマスキングを行ない、エッチングによって凹部１０９ａをパターニングすることもできる。更に、ケースボディ１０６に金型等の凹凸パターンを押し付けることによるパターニング又はレーザーによる凹凸の形成も可能である。更に、ダイヤモンド切削、ブラスト加工、インプリント又はリソグラフィ等の加工プロセスを利用することもできる。
【００９６】
（第２の変形例）
次に、本実施形態の第２の変形例の例示的半導体発光装置１００ｂについて説明する。
【００９７】
図６（ａ）及び（ｂ）は、半導体発光装置１００ｂの模式的な平面図及びその一部１５２を拡大して示す図である。図６（ａ）及び（ｂ）に示す半導体発光装置１００ｂにおいて、図１（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００と同様の構成要素については同じ符号を用い、以下には相違点について詳しく説明する。
【００９８】
図１（ａ）〜（ｄ）の半導体発光装置１００の場合、素子搭載部１０１の上面に凹凸１０８が設けられている。また、図５（ａ）〜（ｄ）の半導体発光装置１００ａの場合、底部１１０ｂを構成する部分のケースボディ１０６の上面に凹凸１０９が形成されている。
【００９９】
これらに対し、半導体発光装置１００ｂでは、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂを構成する部分の素子搭載部１０１上面に凹凸１０８、ケースボディ１０６上面に凹凸１０９が形成されている。
【０１００】
このように、底部１１０ｂを構成する部分の素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の両方に凹凸が形成されていることにより、いずれか一方のみに凹凸が形成されている場合に比べ、封止部材１０７を更に速やかに且つ確実に濡れ広がらせることができる。
【０１０１】
尚、素子搭載部１０１上面の凹凸１０８と、ケースボディ１０６上面の凹凸１０９とは、一続きに切れ目無く接続されている。つまり、凹部１０８ａと凹部１０９ａとは連続して形成されていると共に、凸部１０８ｂと凸部１０９ｂとは連続して形成されている。
【０１０２】
このようにすると、底部１１０ｂにおける素子搭載部１０１とケースボディ１０６との継ぎ目に邪魔されることなく封止部材１０７が濡れ広がる。従って、より速やかに且つ確実に封止部材１０７を充填するために、このような構成が有用である。
【０１０３】
凹凸１０８及び凹凸１０９の断面形状及び平面視形状と、形成方法とについては、半導体発光装置１００及び１００ａに関して既に説明したのと同様である。
【０１０４】
（凹凸の平面視形状に関する他の例）
次に、ケースボディ凹部１１０の底面に設ける凹凸の平面視における形状に関し、更に他の例を説明する。
【０１０５】
図７（ａ）は、他の例示的半導体発光装置１００ｃの平面図であり、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂに設けられる凹凸の形状以外については、半導体発光装置１００等と同様の構成を有する。但し、図７（ａ）においては凹凸の図示を省略している。
【０１０６】
図７（ｂ）は、半導体発光装置１００ｃにおける底部１１０ｂのコーナー部１５３を拡大して示す平面図である。
【０１０７】
図７（ｂ）に示す通り、半導体発光装置１００ｃにおける凹凸１０８（凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂ）と、凹凸１０９（凹部１０９ａ及び凸部１０９ｂ）とは、ケースボディ凹部１１０のコーナー部の形状に相似した平面形状に設けられている。あるいは、ケースボディ凹部１１０の壁部１１０ａに沿った形状と考えても良い。但し、図７（ｂ）には素子搭載部１０１上の凹凸１０８及びケースボディ１０６上の凹凸１０９を共に示しているが、これらの内のいずれか一方のみが形成されていても良い。
【０１０８】
このような平面形状の凹凸を設けることにより、ケースボディ凹部１１０のコーナー付近にまで封止部材１０７を確実に充填することができる。
【０１０９】
また、図７（ｃ）に示すように、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂにおける中央側からコーナー部側に延びる凹凸（凹部又は凸部）１０９ｃを備えていても良い。これにより、封止部材１０７を充填する際に、底部１１０ｂのコーナー部側に封止部材１０７を誘導し、より確実に充填することができる。
【０１１０】
次に、図８（ａ）は、更に他の例示的半導体発光装置１００ｄの平面図であり、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂに設けられる凹凸の形状以外については、半導体発光装置１００等と同様の構成を有する。但し、図８（ａ）において、半導体発光素子１０３及び金属細線１０４の図示は省略している。
【０１１１】
素子搭載部１０１には、半導体発光装置１００ｄの長手方向に沿って凹凸１０８（凹凸１０８及び凸部１０８ｂ）が設けられている。図８（ｂ）は、当該凹凸１０８に沿って延びるVIIIb-VIIIb'線よる断面を示す。
【０１１２】
図８（ｂ）に示す通り、凹凸１０８は、ケースボディ凹部１１０の中央付近において高く、外周側に向かって低くなるように形成されている。このようにすると、充填の際に封止部材１０７をケースボディ凹部１１０の外周側に向かって誘導することができ、充填性を向上させることができる。尚、図８（ｂ）には凸部１０８ｂについて示しているが、凹部１０８ａについてもケースボディ凹部１１０の中央付近において高く、外周側に向かって低くなるように形成するのが良い。
【０１１３】
また、ここでは素子搭載部１０１の凹凸１０８についてのみ示しているが、ケースボディ１０６上に凹凸１０９（凹部１０９ａ及び凸部１０９ｂ）が設けられ、それぞれ、ケースボディ凹部１１０の中央付近において高く、外周側に向かって低くなるように形成されていても良い。
【０１１４】
また、図８（ｃ）には、図８（ａ）のVIIIc-VIIIc'線（半導体発光装置１００ｄの短手方向）による断面を示す。図８（ｃ）に示す通り、短手方向について、ケースボディ凹部１１０の中央側において凹凸の高さの差が大きく、外周側に向かって凹凸の高さの差が小さくなるように形成されている。これによっても、充填の際に封止部材１０７をケースボディ凹部１１０の外周側に向かって誘導することができ、充填性を向上させることができる。
【０１１５】
また、図８（ｄ）には、VIIIc-VIIIc'線による断面の他の例を示す。図８（ｃ）の場合、凸部１０８ｂの上面の高さは一定であり、凹部１０８ａの底面の高さが異なる。これに対し、図８（ｄ）に示すように、凹部１０８ａの底面の高さは一定であり、凸部１０８ｂの上面の高さが異なるようになっていても良い。この場合にも、ケースボディ凹部１１０の外周における封止部材１０７の充填性を向上させることができる。
【０１１６】
（第３の変形例）
次に、本実施形態の第３の変形例の例示的半導体発光装置１００ｅについて説明する。
【０１１７】
図９（ａ）は半導体発光装置１００ｅの模式的な平面図である。また、図９（ａ）の一部１５４を図９（ｂ）に拡大して示すと共に、そのIX-IX'線による断面の例を図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示している。尚、図９（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００ｅにおいて、図１（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００と同様の構成要素については同じ符号を用い、以下には相違点について詳しく説明する。
【０１１８】
半導体発光装置１００ではケースボディ凹部１１０内に３つの半導体発光素子１０３が備えられているのに対し、半導体発光装置１００ｅのケースボディ凹部１１０内において、素子搭載部１０１上に半導体発光素子１０３が１つだけ備えられている。
【０１１９】
また、素子搭載部１０１上に、半導体発光装置１００ｅの長手方向と平行（又は略平行）に延びるように凹凸１１１が設けられている。
【０１２０】
ここで、凹凸１１１は、図９（ｃ）に示すように、素子搭載部１０１に設けられた溝を凹部１１１ａ、他の部分を凸部１１１ｂとするものであっても良い。また、図９（ｄ）に示すように、素子搭載部１０１に設けられた突起部を凸部１１１ｂ、他の部分を凹部１１１ａとするものであっても良い。半導体発光装置１００ｅにおいて、独立した凹部１１１ａ又は凸部１１１ｂを含む凹凸１１１が形成されている。凹凸１１１の高さＨ（凹部１１１ａの深さ又は凸部１１１ｂの高さ）は、０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下であるのがよい。
【０１２１】
このように、独立した凹部１１１ａ又は凸部１１１ｂを含む凹凸１１１であっても、ケースボディ凹部１１０内に対する封止部材１０７の充填性を向上させる効果を有する。従って、半導体発光装置１００ｅの生産性向上及び輝度むら低減が実現する。また、このような凹凸１１１は、容易に形成することができる。
【０１２２】
また、図９（ｃ）及び（ｄ）には、四角形状の断面を有する凹部１１１ａ及び凸部１１１ｂを示しているが、この他に、三角形状、半円形状等の断面を有する凹部１１１ａ又は凸部１１１ｂであっても良い。
【０１２３】
また、素子搭載部１０１に代えて、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂを構成する部分のケースボディ１０６に１本の凹凸１１１が設けられていても良い。更に、素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の両方に亘って凹凸１１１が設けられていても良い。
【０１２４】
また、半導体発光装置１００ｅにおいて、凹凸１１１が１本だけ形成されている例を説明したが、独立して複数本形成されていても構わない。図１（ａ）〜（ｄ）の半導体発光装置１００ｅの場合等では凹部１１１ａ及び凸部１１１ｂが交互に周期的に形成されているのに対し、例えば、半導体発光素子１０３の列の両側に１本ずつ凹凸１１１が形成されている等の構成でも良い。更に、凹部１１１ａ（溝）と凸部１１１ｂ（突起部）の両方が個別に形成されていても良い。
【０１２５】
（第４の変形例）
次に、本実施形態の第４の変形例の例示的半導体発光装置１００ｆについて説明する。
【０１２６】
図１０（ａ）は半導体発光装置１００ｆの模式的な平面図であり、図１０（ａ）の一部１５５を図１０（ｂ）に拡大して示す。また、図１０（ｂ）におけるXc-Xc'線における断面の例を図１０（ｃ）に示す。図１０（ａ）〜（ｃ）に示す半導体発光装置１００ｆにおいて、図１（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００と同様の構成要素については同じ符号を用い、以下には相違点について詳しく説明する。
【０１２７】
半導体発光装置１００ｆにおいて、素子搭載部１０１上に凹凸１１２が一列だけ設けられている。但し、図１０（ｂ）及び（ｃ）に示すように、凹凸１１２は、凹部１１２ａ及び凸部１１２ｂが並んだ破線状の構造を有する。尚、素子搭載部１０１に形成された溝を凹部１１２ａ、他の部分を凸部１１２ｂとして凹凸１１２が構成されていても良いし、素子搭載部１０１に形成された突起部を凸部１１２ｂ、他の部分を凹部１１２ａとして凹凸１１２が構成されていても良い。
【０１２８】
このような凹凸１１２を設けることによっても、封止部材１０７の充填性を向上し、半導体発光装置１００ｅの生産性向上及び輝度むら低減を実現することができる。
【０１２９】
尚、破線状の凹凸１１２についても、第３の変形例における凹凸１１１と同様に種々の構成を取ることができる。つまり、凹凸１１２は、素子搭載部１０１に代えてケースボディ１０６に設けても良いし、素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の両方に設けても良い。また、断面形状、配置、望ましい凹凸の寸法等についても、第３の変形例にて説明したのと同様である。
【０１３０】
（第５の変形例）
次に、第５の変形例について説明する。図１１は、半導体発光装置１００等と同様のケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂ（底部１１０ｂを構成する部分の素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の一方又は両方）の一部を拡大して示す平面図である。図１１に示す通り、曲線状（一具体例として波線状）の凹凸１１３が複数形成され、ラインアンドスペース状に配置されている。また、凹凸１１３は、半導体発光装置の長手方向に延びるように形成されている。尚、凹凸１１３の断面形状については、図１（ｄ）、図２及び図３等に例示したのと同様である。
【０１３１】
このような凹凸１１３によっても、ケースボディ凹部１１０に対する封止部材１０７の充填性を向上し、半導体発光装置１００ｅの生産性向上及び輝度むら低減を実現することができる。また、封止部材１０７の充填方向が直線状になるのを避けてることができるので、封止部材１０７が硬化した後の応力破壊に強くなることが期待できる。
【０１３２】
（バックライトユニット）
また、以上に説明した半導体発光装置のいずれかと、導光板とを組み合わせることにより、小型、低背で且つ信頼性の高いバックライトユニットを実現することができる。導光板としては、平板状のもの又は表面に凹凸が形成されているもの等を使用することができる。また、導光板の材料としては特に限定されないが、例えば、ガラスを用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
本開示の技術によると、小型、低背で且つ信頼性が良好であり、安価な半導体発光装置を提供することができるので、照明器具、ディスプレイ及び携帯電話等に用いるバックライト及び光源として、情報通信機器及び家電機器等にも有用である。
【符号の説明】
【０１３４】
１００ 半導体発光装置
１００ａ 半導体発光装置
１００ｂ 半導体発光装置
１００ｃ 半導体発光装置
１００ｄ 半導体発光装置
１００ｅ 半導体発光装置
１００ｆ 半導体発光装置
１０１ 素子搭載部
１０１ａ 金属細線接続部
１０２ 接着剤
１０３ 半導体発光素子
１０４ 金属細線
１０５ 電極端子
１０６ ケースボディ
１０７ 封止部材
１０８ 凹凸
１０８ａ 凹部
１０８ｂ 凸部
１０９ 凹凸
１０９ａ 凹部
１０９ｂ 凸部
１０９ｃ 凹凸
１１０ ケースボディ凹部
１１０ａ 壁部
１１０ｂ 底部
１１１ 凹凸
１１１ａ 凹部
１１１ｂ 凸部
１１２ 凹凸
１１２ａ 凹部
１１２ｂ 凸部
１１３ 凹凸
１５０ （ケースボディ凹部の底部の）一部
１５１ （ケースボディ凹部の底部の）一部
１５２ （ケースボディ凹部の底部の）一部
１５３ （ケースボディ凹部の底部の）コーナー部
１５４ （ケースボディ凹部の底部の）一部
１５５ （ケースボディ凹部の底部の）一部
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関し、特に、ディスプレイ、携帯電話、照明器具及び光源等に用いられる樹脂封止型の半導体発光装置及びそれを用いたバックライトユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置は、小型、低背で且つ発光効率が良いことが求められている。これを実現するために、半導体発光装置内に複数の半導体発光素子を直線状に配置した構造が提案されてきている。このような構造を取ると、半導体発光装置の長手方向と短手方向の比率が大きくなる。
【０００３】
従来の半導体発光装置として、リフレクター材料（特にプラスチック材料）から製造されたケースボディと、ケースボディに設けられた凹部に配置された半導体発光素子と、半導体発光素子に電気的に接続された金属製の電極端子（リードフレームからなる）と、ケースボディの凹部に充填された透過率の高い封止部材とを備えた半導体発光装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２００３／０３８９１２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上に説明した半導体発光装置において、ケースボディ凹部に透過率の高い封止部材を充填するには、一般的にディスペンサーにより封止部材を塗布する。しかしながら、封止部材がケースボディ凹部に吐出された後、ケースボディ凹部を充填するまでに要する時間が長く、生産性が悪い。また、ケースボディ凹部に対する封止部材の充填性が劣化すると、半導体発光装置の輝度むらを大きくさせる原因となる。これらは、半導体発光装置の長手方向と短手方向との寸法比が大きくなると、顕著になる。
【０００６】
このことに鑑み、本開示の技術の目的は、薄型、小型で且つ信頼性の高い半導体発光装置と、これを用いたバックライトユニットを安価に提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するために、本開示の半導体発光装置は、素子搭載部と、素子搭載部上に固定され且つ素子搭載部に電気的に接続された半導体発光素子と、半導体発光素子を囲む壁部を有するケースボディと、半導体発光素子を封止する封止部材とを備え、素子搭載部及びケースボディによってケースボディ凹部が構成され、封止部材は、ケースボディ凹部内において半導体発光素子を封止し、素子搭載部及びケースボディの少なくとも一方のうちの封止部材と接する部分は、少なくとも１本の線状に延びる凹部又は凸部を含む凹凸を有する。
【０００８】
尚、凹凸は、素子搭載部に形成されていても良い。
【０００９】
また、凹凸は、ケースボディのうちのケースボディ凹部の底部を構成する部分に形成されていても良い。
【００１０】
このような半導体発光装置によると、ケースボディ凹部の底面において、凹部と凸部とでは封止部材との接触角が異なるようになる。
【００１１】
従って、封止部材を充填する際、凹凸構造を横切るためには付加的なエネルギーが必要になるので、これを利用して封止部材の底面に対する濡れ性を制御できる。つまり、封止部材を充填する際、封止部材は、凹凸を横切る方向には進みにくいので凹凸に沿う方向への濡れ広がりが速くなる。これを利用して、凹部及び凸部の延びる方向に封止部材を誘導すると共に、速やかに濡れ広がるようにすることができる。このことから、ケースボディ凹部に対する封止部材の充填性を良くすることができ、半導体発光装置の生産性が向上する。生産性の向上は、低コスト化にも貢献する。また、封止部材がより均一に濡れ広がるので、封止部材の表面の凹凸及び封止部材内の気泡の発生を抑制し、半導体発光装置から照射される光の輝度むらを低減することができる。凹凸は、ケースボディ凹部の底面と、当該底面に設けられた突起部又は溝により構成されていても良い。
【００１２】
また、凹凸は、素子搭載部及びケースボディの両方の表面に亘って連続して形成されていても良い。
【００１３】
このようにすると、素子搭載部及びケースボディの両方において封止部材の充填性を向上させることができる。また、充填の際、封止部材が素子搭載部とケースボディとの境界を容易に横切るようにすることができる。
【００１４】
また、外部との電気的接続を得るための電極端子を更に備え、電極端子は、ケースボディによって一部が覆われるように保持されていても良い。
【００１５】
半導体発光素子を半導体発光装置の外部と電気的に接続するために、このような電極端子を備えていても良い。
【００１６】
また、ケースボディは、リフレクター素材からなっていても良い。
【００１７】
このようにすると、半導体発光素子から出射された光をケースボディによって反射し、発光効率を向上させることができる。
【００１８】
また、半導体装置は、平面視において一方に長い形状を有し、少なくとも１本の線状に延びる凹部又は凸部は、半導体発光装置の長手方向に延びるように形成されていても良い。
【００１９】
このようにすると、充填の際に、封止部材が半導体発光装置の長手方向に進みやすくなり、充填性を向上させる（封止部材が未充填の箇所が発生するのを抑制する）ことができる。
【００２０】
また、凹凸は、ラインアンドスペース状に形成された複数の凹部及び凸部を含んでも良い。つまり、凹部及び凸部が縞状に形成されていても良い。
【００２１】
また、凹凸は、等間隔に並んで複数形成された凹部及び凸部を含んでいても良い。
【００２２】
このようにすると、凹部及び凸部の延びる方向に封止部材をより確実に誘導できる。
【００２３】
また、凹凸のピッチは、１μｍ以上で且つ１００μｍ以下であっても良い。
【００２４】
また、凹凸の高さの差は、０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下であっても良い。
【００２５】
また、凹凸のうちの凸部の幅は、凹部の幅よりも狭くても良い。
【００２６】
凹部及び凸部の寸法に関し、以上のようになっていても良い。
【００２７】
また、凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、四角形状、三角形状又は円弧状の断面を有していても良い。
【００２８】
また、凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、破線状に形成されていても良い。
【００２９】
つまり、小型の凹部又は凸部が複数並んでなる断続的な構造であっても良い。
【００３０】
また、凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、平面視において、曲線状に形成されていても良い。
【００３１】
以上のような構造の凹凸を設けることにより、それぞれ封止部材の充填性を調整すること及び向上することができるので、半導体発光装置の生産性及び信頼性を向上させることができる。
【００３２】
また、凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、平面視において、壁部の形状に沿って形成されていても良い。
【００３３】
また、凹凸は、ケースボディ凹部の中央からコーナー部に向かって延びる凹部又は凸部を含んでいても良い。
【００３４】
また、凹凸の高さの差は、ケースボディ凹部の中央側において大きく、ケースボディ凹部の周縁側にむかって小さくなっていても良い。
【００３５】
このようにすると、特に、ケースボディ凹部のコーナー部、周縁部に封止部材を誘導して充填性を向上させることができる。
【００３６】
また、ケースボディ凹部内に、複数の半導体発光素子を備えていても良い。
【００３７】
これにより、小型で且つ高輝度の半導体発光装置を実現することができる。
【００３８】
また、半導体装置は、平面視において一方に長い形状を有し、半導体発光装置の縦横の寸法比が１以上で且つ３０以下であっても良い。
【００３９】
このような場合に、封止部材を誘導して充填性を向上させる本開示の技術の効果が顕著に発揮される。
【００４０】
また、半導体発光素子と素子搭載部とを電気的に接続する金属細線を更に備え、金属細線は、封止部材によって封止されていても良い。
【００４１】
また、金属細線が接合される部分の素子搭載部は平坦であっても良い。
【００４２】
このようにすると、金属細線と素子搭載部との接続をより確実にすることができる。
【００４３】
また、半導体発光素子は、素子搭載部上にフリップチップ接合されていても良い。
【００４４】
次に、本開示のバックライトユニットは、本開示のいずれかの半導体発光装置と、当該半導体発光装置が発する光を誘導する導光板とを備えるバックライトユニットである。
【００４５】
薄型、小型で且つ信頼性の高い本開示の半導体発光装置を用いることにより、より薄いバックライトユニットが実現し、ディスプレイ等の薄型に貢献する。
【発明の効果】
【００４６】
本開示の半導体発光装置によると、ケースボディ凹部に対する封止部材の濡れ性を制御し、充填性を向上させることができる。従って、ケースボディ凹部に対してより速やかに且つ確実に封止部材を充填することができ、生産性を向上させると共に、輝度むらが抑制された薄型、小型で且つ信頼性の高い半導体発光装置を実現することができる。また、このような半導体発光装置を用いるバックライトユニットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、本開示の一実施形態の例示的半導体発光装置を説明する図である。
【図２】図２は、本開示の半導体発光装置に設けられる凹凸の断面形状を例示する図である。
【図３】図３は、本開示の半導体発光装置に設けられる凹凸の断面形状を例示する図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、本開示の半導体発光装置において、凹凸が設けられた素子搭載部のうち金属細線の接続箇所については平坦にすることを説明する図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は、本開示の第１の変形例の半導体発光装置を説明する図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、本開示の第２の変形例の半導体発光装置を説明する図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は、本開示の半導体発光装置における凹凸の平面視形状に関する他の例を説明する図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｄ）は、本開示の半導体発光装置における凹凸の形状について更に説明する図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｄ）は、本開示の第３の変形例の半導体発光装置を説明する図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、本開示の第４の変形例の半導体発光装置を説明する図である。
【図１１】図１１は、本開示の第５の変形例について、凹凸の平面形状の例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、本開示の一実施形態の例示的半導体発光装置１００について、図面を参照しながら説明する。但し、本開示の技術は以下に例示する内容に限定されるものではなく、技術的範囲を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００４９】
図１（ａ）及び（ｂ）は、半導体発光装置１００の模式的な断面及び平面図ある。また、図１（ｂ）の一部１５０を図１（ｃ）に拡大して示すと共に、そのId-Id'線による断面を図１（ｄ）に示している。
【００５０】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体発光装置１００は、金属材料からなる素子搭載部１０１と、その上に有機系接着剤等の接着剤１０２によって固着された半導体発光素子１０３とを有する。この例では、複数（３つ）の素子搭載部１０１上にそれぞれ半導体発光素子１０３が搭載され、半導体発光素子１０３と素子搭載部１０１とは金属細線１０４によって電気的に接続されている。
【００５１】
また、半導体発光装置１００を外部と電気的に接続するための電極端子１０５が備えられている。電極端子１０５及び素子搭載部１０１は、光の反射率が高いリフレクター材料等からなるケースボディ１０６によって、それぞれ一部が覆われるように保持されている。電極端子１０５と素子搭載部１０１とは同じ材料からなり、リードフレームを用いて形成される。
【００５２】
ケースボディ１０６は、素子搭載部１０１上において半導体発光素子１０３及び金属細線１０４の周囲を囲む壁部１１０ａを有する。また、素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の一部により底部１１０ｂが構成され、壁部１１０ａ及び底部１１０ｂによりケースボディ凹部１１０が構成されている。ケースボディ凹部１１０には、半導体発光素子１０３及び金属細線１０４を封止する封止部材１０７が充填されている。封止部材１０７は、透光性の樹脂等からなる。
【００５３】
また、封止部材１０７に接している素子搭載部１０１の上面には、半導体発光装置１００の長手方向に線状に延びる凹部１０８ａと、その間の部分である凸部１０８ｂとによって凹凸１０８が形成されている。尚、素子搭載部１０１の上面に設けられた突起部を凸部１０８ｂ、その間の部分を凹部１０８ａとする凹凸１０８であっても良いし、素子搭載部１０１の上面に設けられた溝を凹部１０８ａ、その間の部分を凸部１０８ｂとする凹凸１０８であっても良い。
【００５４】
このような凹凸１０８が素子搭載部１０１上に形成されていることにより、ケースボディ凹部１１０に液状の封止部材１０７を充填する際、吐出された封止部材１０７は、凹凸１０８に沿って速やかに濡れ広がる。つまり、凹部１０８ａと凸部１０８ｂとでは封止部材１０７との接触角が異なるので、液状の封止部材１０７が凹凸１０８を横切るためには付加的なエネルギーが必要になる。このことから、封止部材１０７は凹凸１０８に沿って蒸れ広がる。従って、封止部材１０７の充填に要する時間が短くなり、半導体発光装置１００の生産性が向上する。生産性の向上は低コスト化に貢献するので、より安価に半導体発光装置１００を製造することもできる。
【００５５】
また、封止部材１０７が速やかに濡れ広がることにより、ケースボディ凹部１１０内において封止部材１０７が充填されずに残る箇所が発生するのを抑えると共に、封止部材１０７の上面に凹凸が生じるのを抑えることができる。このことから、封止部材１０７をより均一に充填することができる。従って、封止部材１０７の上面を平坦にすることができ、半導体発光素子１０３（更には半導体発光装置１００）から照射される光の輝度むらを抑えることができる。
【００５６】
以上のように、ケースボディ凹部１１０内に複数の半導体発光素子１０３を配置し且つ封止部材１０７により封止を行なう構造をすることにより、小型化及び低背化を実現する。更に、凹凸１０８により、封止部材１０７を速やかに且つ均一に充填することができ、生産性及び信頼性が高く且つ安価な半導体発光装置１００が実現される。
【００５７】
素子搭載部１０１において、凹凸１０８は、半導体発光装置１００（又はケースボディ１０６）の長手方向に延びるように（長手方向に平行又は略平行に）形成されている。これにより、半導体発光装置１００の長手方向に液状の封止部材１０７を誘導し、ケースボディ凹部１１０内により確実に封止部材１０７を充填することができる。但し、凹凸１０８は、他の方向、例えば半導体発光装置１００の長手方向に垂直な方向等に延びていても良い。
【００５８】
また、素子搭載部１０１の一部を拡大する図１（ｃ）及びその断面である図１（ｄ）に示すように、凹凸１０８を構成する凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂは、ラインアンドスペース状（縞状）に複数設けられている。また、凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂは、等間隔に、周期的に形成されており、望ましい構成ではある。但し、これには限定されず、凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂの幅及び間隔は、規則的に変更されていても良いし、ランダムであっても良い。
【００５９】
凹凸１０８の高さＨ（凹部１０８ａと凸部１０８ｂの差、凸部１０８ｂの高さは又は凹部１０８ａの深さとも言える）は、０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下とするのが良い。また、凹凸１０８のピッチＰは、１μｍ以上で且つ１００μｍ以下とするのが良い。光の反射率を高める（例えば、初期値として９０％以上とする）ために、このようにするのがよい。
【００６０】
また、凸部１０８ｂの断面が四角形状であり、凸部１０８ｂの幅が、凹部１０８ａの幅よりも狭いことが望ましい。但し、凸部１０８ｂの幅が凹部１０８ａの幅と同じである場合にも、凸部の幅の方が広い場合にも、封止部材１０７の充填性を向上させる効果は得られる。
【００６１】
尚、図１（ｂ）に示すように、本実施形態の半導体発光装置１００の場合、ケースボディ１０６は長辺と短辺とを有する長方形の平面形状を有している。しかし、これに限定されることはなく、正方形、円形等であっても良い。半導体発光装置１００が長方形の平面形状を有する場合、縦横比（長手方向の長さと短手方向の長さの比）は、１以上で且つ３０以下であることが望ましく、１以上で且つ５以下であることが更に望ましい。
【００６２】
また、平面視において、素子搭載部１０１は長方形であって、ケースボディ１０６の長辺方向に３つ並んで配置されているが、このような素子搭載部１０１の平面形状、個数及び配置についても、図１（ｂ）の例に限定されることはない。
【００６３】
（各構成要素の材料）
素子搭載部１０１及び電極端子１０５は、金属系素材からなるリードフレームの一部として形成される。リードフレームは、機械的強度、電気伝導度、熱伝導度及び耐腐食性等を考慮して選択される金属系素材、例えばＣｕ合金系素材、鉄合金系素材の薄板を材料として、打ち抜き（プレス）又はエッチング等の加工方法によって形成される。また、リードフレームの表面には、光の反射率が高い素材（高反射率素材）である銀化合物がめっきされていることが望ましい。銀化合物に代える高反射率素材として、金、白金又は金銀合金等のめっき材料を用いることもできる。
【００６４】
接着剤１０２としては、有機系接着剤が好ましく、特に、熱硬化性樹脂系の接着剤が好ましい。具体的には、酢酸ビニル樹脂系、ポリビニルアルコール系、ポリビニルアセタール系、エチレン・酢酸ビニル樹脂系、塩化ビニル系、アクリル樹脂系、ポリアミド系、セルロース系、α−オレフィン樹脂系、イソシアネート系、ユリア樹脂系、メラミン樹脂系、フェノール樹脂系、レゾルシノール樹脂系、エポキシ樹脂系、ポリエステル系、ウレタン樹脂系、ポリイミド系、ポリベンズイミダゾール系、クロロプレンゴム系、ニトリルゴム系、スチレンブタジエンゴム系、ポリサルファイド系、ブチルゴム系、シリコーン系、アリルゴム系、変性シリコーン系又はウレタン樹脂系等の樹脂を用いることができる。また、フィラーが混合された接着剤であっても良い。
【００６５】
半導体発光素子１０３は、基板上に、ＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮ等のうち１つ又は複数の半導体を発光層として形成して構造を有していても良い。
【００６６】
また、ケースボディ１０６は、例えばリフレクター材料である樹脂等から形成されている。熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂のいずれを使用してもよい。具体例としては、フェノール樹脂系、ユリア樹脂系、メラミン樹脂系、エポキシ樹脂系、ジアリルフタレート樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、ポリイミド系、ポリウレタン系、シリコーン系、変性シリコーン系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリスチレン系、ＡＢＳ（acrylonitrile butadiene styrene ）樹脂系、メタクリル樹脂系、アクリル樹脂系、ポリ塩化ビニル系、ポリアセタール系、ポリアミド系、ポリカーボネート系、変性ポリフェニレンエーテル系、ポリブチレンテフタレート系、ポリエチレンテレフタレート系、ポリサルフォン系、ポリフェニレンサルファイド系、ポリアミドイミド系、ポリメチルペンテン系、又は、液晶ポリマー系等の材料を用いることができる。尚、これらの樹脂内に、ガラス繊維、フィラー等の補強材が含有されていても良い。また、ケースボディ１０６は、樹脂に代えて、セラミックスから構成されていても良い。
【００６７】
封止部材１０７は、例えば、シリコーン樹脂からなる。その他には、エポキシ樹脂等の可視光領域における光透過率が高い（例えば５０％以上である）樹脂を使用することもできる。また、樹脂中に、半導体発光素子１０３から照射された所定は長の光を吸収して別の波長の光を発する蛍光体粒子、又は、粘度調整剤等のフィラーが含まれていても良い。また、光、熱等の物理的エネルギーにより架橋反応が進む樹脂材料を用いることもできる。
【００６８】
（半導体発光装置の製造方法）
次に、半導体発光装置１００の製造方法について、具体例を説明する。素子搭載部１０１及び電極端子１０５は、リードフレームから形成される。リードフレームは、例えば厚さ０．１５ｍｍ〜０．３ｍｍ程度のＣｕ合金からなり、表面には厚さ３μｍ〜６μｍ程度のＡｇめっきが施されている。ここで、加熱によるＣｕの拡散を防止するために、Ａｇめっきの下地として厚さ０．５μｍ〜３μｍ程度のＮｉめっきを更に施しても良い。また、めっきの反射率低下を抑えるために、Ｎｉ下地めっき上に、厚さ０．０１μｍ〜０．３μｍ程度のＡｕＡｇめっきを施しても良い。
【００６９】
また、リードフレームからなる素子搭載部１０１の上面に凹凸１０８を形成するためには、レジスト材料によりマスキングを行なった後にエッチングによりパターニングする方法がある。また、金型等によりリードフレームの素子搭載部１０１をクランプすることにより、凹凸１０８をパターニングしても良い。更に、レーザー加工、ダイヤモンド切削、ブラスト加工、インプリント又はリソグラフィ等の加工プロセスを用いても良い。
【００７０】
素子搭載部１０１に凹凸１０８を形成した後、リードフレームの素子搭載部１０１及び電極端子１０５が対向して保持されるように、インジェクション成形によりケースボディ１０６を形成する。この際、ケースボディ１０６の一部として、素子搭載部１０１上にて半導体発光素子１０３を囲む壁部１１０ａを形成する。また、電極端子１０５及び素子搭載部１０１の裏面（金属細線１０４の接続される面とは反対側の面）の少なくとも一部が、ケースボディ１０６に覆われない外部端子となるようにする。尚、ケースボディ１０６は、インジェクション成型に代えて、トランスファー成形等により成形しても良い。
【００７１】
ケースボディ１０６を形成した後、素子搭載部１０１上に接着剤１０２を塗布し、当該接着剤１０２を用いて半導体発光素子１０３を接着する。図１（ａ）及び（ｂ）に示す本実施形態では３個の半導体発光素子１０３が用いられているが、１つ又は２つであっても良いし、４つ以上の半導体発光素子１０３を搭載しても良い。
【００７２】
次に、半導体発光素子１０３と素子搭載部１０１とを金属細線１０４により電気的に接続する。但し、金属細線１０４を用いるのに代えて、フリップチップ工法により半導体発光素子１０３を素子搭載部１０１上に搭載し、電気的接続を得ても良い。
【００７３】
この後、ケースボディ凹部１１０に、ディスペンサーから液状の封止部材１０７を吐出する。これにより、ケースボディ凹部１１０内において半導体発光素子１０３及び金属細線１０４を封止する。
【００７４】
この際、素子搭載部１０１上に形成した凹凸１０８により、封止部材１０７の濡れ広がりを制御することができ、ケースボディ凹部１１０内に未充填の箇所を生じさせることなく封止部材１０７を充填できる。また、封止部材１０７は均一に濡れ広がるので、充填された封止部材１０７の上面に凹凸が生じるのを避けることができる。従って、半導体発光装置１００から照射される光の輝度むらを抑制することができる。
【００７５】
封止部材１０７を充填した後、硬化炉にて過熱することにより封止部材１０７を硬化させる。これにより、半導体発光装置１００が製造される。
【００７６】
以上のように、ケースボディ１０６内に素子搭載部１０１を配置する構造により薄型化及び小型化を実現できると共に、封止部材１０７を速やかに且つ均一に充填することができ、信頼性が高く且つ安価な半導体発光装置を得ることができる。
【００７７】
（凹凸の断面形状に関する他の例）
次に、凹凸１０８の断面形状について、他の例を説明する。
【００７８】
先に説明した例では、図１（ｄ）に示す通り、凹凸１０８は四角形状の断面を有する（凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂは、ケースボディ凹部１１０の底面に垂直な側面を有し、また、いずれも断面が四角形状である。凹部１０８ａ及び凸部がいずれも四角柱状であるとも言える）。これに代わる断面形状の例が、図２及び図３に示されている。図２及び図３は、図１（ｄ）と同様に、図１（ｃ）のId-Id'線による断面と考えることができる。
【００７９】
図２の場合、凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂの側面が（ケースボディ凹部１１０の底面に対して）傾斜を有する。この結果、素子搭載部１０１の上面に、三角形状の断面を有する凹部１０８ａが複数並んで設けられ、その間の部分は台形状の断面を有する凸部１０８ｂとなっている。三角柱状の凸部１０８ｂが設けられていると考えても良い。
【００８０】
但し、図２では凸部１０８ｂの断面は台形状であるが、三角形状であっても良い。また、凹部１０８ａの断面が台形状になっていても良い。高さＨとピッチＰとの関係、凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂの側面の角度等により断面形状が定まることになる。
【００８１】
また、図３の場合、凹凸１０８は、半円形状の断面を有する凸部１０８ｂと、その間の凹部１０８ａとによって構成されている。但し、これに代えて、半円形状の凹部１０８ａと、その間の凸部１０８ｂとによって構成される凹凸１０８であっても良い。更に、半円以外の円弧状の断面形状としても良い。尚、四角形状、三角形状、台形状、半円状及び円弧状等について、厳密にそれぞれの形状である場合に限らず、略四角形等でもよい。
【００８２】
図２及び図３に示す断面形状の凹凸１０８は、四角形状の断面を有する凹凸１０８に比べて形成しやすい。また、封止部材１０７を充填する際、凹部１０８ａ内に空気がトラップされてるのを抑制しやすく、液状の封止部材１０７の濡れ性をより確実に制御できる。従って、封止部材１０７内に気泡が生じるのを抑え、より確実且つ容易に特性に優れた半導体発光装置１００を得ることができる。
【００８３】
尚、図２又は図３の断面形状を有する凹凸１０８に関し、平面視における配置は、図１（ａ）〜（ｄ）に示した例と同様である。つまり、凹凸１０８がラインアンドスペースパターンとして形成されていること、等間隔に、また、周期的に形成されていること、ケースボディ１０６の長手方向に平行（又は略平行）に形成されていること等が望ましい。但し、これらに限定はされない。更に、凹凸１０８の高さＨ（凹部１０８ａと凸部１０８ｂの差、凹部１０８ａの深さとも言える）を０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下とすること、凹凸１０８のピッチＰを１μｍ以上で且つ１００μｍ以下とすることが望ましい。
【００８４】
また、金属細線１０４が接続される部分の素子搭載部１０１を平坦にしても良い。図４（ａ）及び（ｂ）は、このことを示す図であって、金属細線１０４が素子搭載部１０１の上面に接続される箇所を拡大して示す平面図及びそのIVb-IVb'線による断面図である。
【００８５】
半導体発光装置１００において、素子搭載部１０１上に凹凸１０８が設けられているので、素子搭載部１０１に金属細線１０４を接続しにくくなることが考えられる。そこで、図４（ａ）及び（ｂ）に示す通り、素子搭載部１０１の上面に、凹凸１０８を設けない（つまり、平坦な）金属細線接続部１０１ａを設定し、当該金属細線接続部１０１ａに対して金属細線１０４を接続する。これにより、凹凸１０８を設ける効果を得ると共に、金属細線１０４と素子搭載部１０１との接続の信頼性を向上させることができる。
【００８６】
（第１の変形例）
次に、本実施形態の第１の変形例の例示的半導体発光装置１００ａについて説明する。
【００８７】
図５（ａ）及び（ｂ）は半導体発光装置１００ａの模式的な断面図及び平面図である。また、図５（ｂ）の一部１５１を図５（ｃ）に拡大して示すと共に、そのVd-Vd'線による断面を図５（ｄ）に示している。尚、図５（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００ａにおいて、図１（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００と同様の構成要素については同じ符号を用い、以下には相違点について詳しく説明する。
【００８８】
図１（ａ）〜（ｄ）の半導体発光装置１００の場合、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂを構成する部分の素子搭載部１０１及びケースボディ１０６のうち、素子搭載部１０１の上面に凹凸１０８が設けられている。
【００８９】
これに対し、図５（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００ａの場合、ケースボディ凹部１１０の底面を構成する部分の素子搭載部１０１及びケースボディ１０６のうち、ケースボディ１０６の上面に凹凸１０９（凹部１０９ａ及び凸部１０９ｂ）が設けられている。凹凸１０９は、半導体発光装置１００ａの長手方向に延びるように設けられている。
【００９０】
このようにな凹凸１０９も、液状の封止部材１０７を速やかに濡れ広がらせる効果を発揮する。従って、凹凸１０９を設けることにより、ケースボディ凹部１１０に対する封止部材１０７の充填をより速やかで且つ確実にすることができる。
【００９１】
このようにして、小型且つ底背であって、更に、生産性及び信頼性が高く且つ安価な半導体発光装置１００ａが実現する。
【００９２】
尚、図５（ｄ）に示す通り、凹凸１０９は、四角形状の断面を有する凹部１０９ａ及び凸部１０９ｂからなっていても良い。また、図２及び図３に示す凹凸１０８と同様に、三角形状、半円状等の断面形状を有していても良い。このようにすると、四角形状の断面である場合に比べて凹凸１０９の形成が容易になり、且つ、封止部材１０７内に気泡が生じるのを抑えることができる。
【００９３】
尚、凹凸１０９の平面視における配置については、図１（ａ）〜（ｄ）に示した凹凸１０８の場合と同様である。つまり、凹凸１０９がラインアンドスペースパターンとして形成されていること、等間隔に、また、周期的に形成されていること、ケースボディ１０６の長手方向に平行（又は略平行）に形成されていること等が望ましい構成である。但し、これらに限定はされない。更に、凹凸１０９の高さＨ（凹部１０９ａと凸部１０９ｂの差、凸部１０９ｂの高さ又は凹部１０９ａの深さとも言える）を０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下とすること、凹凸１０９のピッチＰを１μｍ以上で且つ１００μｍ以下とすることが望ましい。
【００９４】
底部１１０ｂを構成する部分のケースボディ１０６に凹凸１０９を設けるためには、例えば、所定の部分に凹凸が形成された金型を用い、インジェクション成型によってケースボディ１０６を形成する方法がある。
【００９５】
また、ケースボディ１０６を形成した後、レジスト材料によるマスキングを行ない、エッチングによって凹部１０９ａをパターニングすることもできる。更に、ケースボディ１０６に金型等の凹凸パターンを押し付けることによるパターニング又はレーザーによる凹凸の形成も可能である。更に、ダイヤモンド切削、ブラスト加工、インプリント又はリソグラフィ等の加工プロセスを利用することもできる。
【００９６】
（第２の変形例）
次に、本実施形態の第２の変形例の例示的半導体発光装置１００ｂについて説明する。
【００９７】
図６（ａ）及び（ｂ）は、半導体発光装置１００ｂの模式的な平面図及びその一部１５２を拡大して示す図である。図６（ａ）及び（ｂ）に示す半導体発光装置１００ｂにおいて、図１（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００と同様の構成要素については同じ符号を用い、以下には相違点について詳しく説明する。
【００９８】
図１（ａ）〜（ｄ）の半導体発光装置１００の場合、素子搭載部１０１の上面に凹凸１０８が設けられている。また、図５（ａ）〜（ｄ）の半導体発光装置１００ａの場合、底部１１０ｂを構成する部分のケースボディ１０６の上面に凹凸１０９が形成されている。
【００９９】
これらに対し、半導体発光装置１００ｂでは、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂを構成する部分の素子搭載部１０１上面に凹凸１０８、ケースボディ１０６上面に凹凸１０９が形成されている。
【０１００】
このように、底部１１０ｂを構成する部分の素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の両方に凹凸が形成されていることにより、いずれか一方のみに凹凸が形成されている場合に比べ、封止部材１０７を更に速やかに且つ確実に濡れ広がらせることができる。
【０１０１】
尚、素子搭載部１０１上面の凹凸１０８と、ケースボディ１０６上面の凹凸１０９とは、一続きに切れ目無く接続されている。つまり、凹部１０８ａと凹部１０９ａとは連続して形成されていると共に、凸部１０８ｂと凸部１０９ｂとは連続して形成されている。
【０１０２】
このようにすると、底部１１０ｂにおける素子搭載部１０１とケースボディ１０６との継ぎ目に邪魔されることなく封止部材１０７が濡れ広がる。従って、より速やかに且つ確実に封止部材１０７を充填するために、このような構成が有用である。
【０１０３】
凹凸１０８及び凹凸１０９の断面形状及び平面視形状と、形成方法とについては、半導体発光装置１００及び１００ａに関して既に説明したのと同様である。
【０１０４】
（凹凸の平面視形状に関する他の例）
次に、ケースボディ凹部１１０の底面に設ける凹凸の平面視における形状に関し、更に他の例を説明する。
【０１０５】
図７（ａ）は、他の例示的半導体発光装置１００ｃの平面図であり、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂに設けられる凹凸の形状以外については、半導体発光装置１００等と同様の構成を有する。但し、図７（ａ）においては凹凸の図示を省略している。
【０１０６】
図７（ｂ）は、半導体発光装置１００ｃにおける底部１１０ｂのコーナー部１５３を拡大して示す平面図である。
【０１０７】
図７（ｂ）に示す通り、半導体発光装置１００ｃにおける凹凸１０８（凹部１０８ａ及び凸部１０８ｂ）と、凹凸１０９（凹部１０９ａ及び凸部１０９ｂ）とは、ケースボディ凹部１１０のコーナー部の形状に相似した平面形状に設けられている。あるいは、ケースボディ凹部１１０の壁部１１０ａに沿った形状と考えても良い。但し、図７（ｂ）には素子搭載部１０１上の凹凸１０８及びケースボディ１０６上の凹凸１０９を共に示しているが、これらの内のいずれか一方のみが形成されていても良い。
【０１０８】
このような平面形状の凹凸を設けることにより、ケースボディ凹部１１０のコーナー付近にまで封止部材１０７を確実に充填することができる。
【０１０９】
また、図７（ｃ）に示すように、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂにおける中央側からコーナー部側に延びる凹凸（凹部又は凸部）１０９ｃを備えていても良い。これにより、封止部材１０７を充填する際に、底部１１０ｂのコーナー部側に封止部材１０７を誘導し、より確実に充填することができる。
【０１１０】
次に、図８（ａ）は、更に他の例示的半導体発光装置１００ｄの平面図であり、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂに設けられる凹凸の形状以外については、半導体発光装置１００等と同様の構成を有する。但し、図８（ａ）において、半導体発光素子１０３及び金属細線１０４の図示は省略している。
【０１１１】
素子搭載部１０１には、半導体発光装置１００ｄの長手方向に沿って凹凸１０８（凹凸１０８及び凸部１０８ｂ）が設けられている。図８（ｂ）は、当該凹凸１０８に沿って延びるVIIIb-VIIIb'線よる断面を示す。
【０１１２】
図８（ｂ）に示す通り、凹凸１０８は、ケースボディ凹部１１０の中央付近において高く、外周側に向かって低くなるように形成されている。このようにすると、充填の際に封止部材１０７をケースボディ凹部１１０の外周側に向かって誘導することができ、充填性を向上させることができる。尚、図８（ｂ）には凸部１０８ｂについて示しているが、凹部１０８ａについてもケースボディ凹部１１０の中央付近において高く、外周側に向かって低くなるように形成するのが良い。
【０１１３】
また、ここでは素子搭載部１０１の凹凸１０８についてのみ示しているが、ケースボディ１０６上に凹凸１０９（凹部１０９ａ及び凸部１０９ｂ）が設けられ、それぞれ、ケースボディ凹部１１０の中央付近において高く、外周側に向かって低くなるように形成されていても良い。
【０１１４】
また、図８（ｃ）には、図８（ａ）のVIIIc-VIIIc'線（半導体発光装置１００ｄの短手方向）による断面を示す。図８（ｃ）に示す通り、短手方向について、ケースボディ凹部１１０の中央側において凹凸の高さの差が大きく、外周側に向かって凹凸の高さの差が小さくなるように形成されている。これによっても、充填の際に封止部材１０７をケースボディ凹部１１０の外周側に向かって誘導することができ、充填性を向上させることができる。
【０１１５】
また、図８（ｄ）には、VIIIc-VIIIc'線による断面の他の例を示す。図８（ｃ）の場合、凸部１０８ｂの上面の高さは一定であり、凹部１０８ａの底面の高さが異なる。これに対し、図８（ｄ）に示すように、凹部１０８ａの底面の高さは一定であり、凸部１０８ｂの上面の高さが異なるようになっていても良い。この場合にも、ケースボディ凹部１１０の外周における封止部材１０７の充填性を向上させることができる。
【０１１６】
（第３の変形例）
次に、本実施形態の第３の変形例の例示的半導体発光装置１００ｅについて説明する。
【０１１７】
図９（ａ）は半導体発光装置１００ｅの模式的な平面図である。また、図９（ａ）の一部１５４を図９（ｂ）に拡大して示すと共に、そのIX-IX'線による断面の例を図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示している。尚、図９（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００ｅにおいて、図１（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００と同様の構成要素については同じ符号を用い、以下には相違点について詳しく説明する。
【０１１８】
半導体発光装置１００ではケースボディ凹部１１０内に３つの半導体発光素子１０３が備えられているのに対し、半導体発光装置１００ｅのケースボディ凹部１１０内において、素子搭載部１０１上に半導体発光素子１０３が１つだけ備えられている。
【０１１９】
また、素子搭載部１０１上に、半導体発光装置１００ｅの長手方向と平行（又は略平行）に延びるように凹凸１１１が設けられている。
【０１２０】
ここで、凹凸１１１は、図９（ｃ）に示すように、素子搭載部１０１に設けられた溝を凹部１１１ａ、他の部分を凸部１１１ｂとするものであっても良い。また、図９（ｄ）に示すように、素子搭載部１０１に設けられた突起部を凸部１１１ｂ、他の部分を凹部１１１ａとするものであっても良い。半導体発光装置１００ｅにおいて、独立した凹部１１１ａ又は凸部１１１ｂを含む凹凸１１１が形成されている。凹凸１１１の高さＨ（凹部１１１ａの深さ又は凸部１１１ｂの高さ）は、０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下であるのがよい。
【０１２１】
このように、独立した凹部１１１ａ又は凸部１１１ｂを含む凹凸１１１であっても、ケースボディ凹部１１０内に対する封止部材１０７の充填性を向上させる効果を有する。従って、半導体発光装置１００ｅの生産性向上及び輝度むら低減が実現する。また、このような凹凸１１１は、容易に形成することができる。
【０１２２】
また、図９（ｃ）及び（ｄ）には、四角形状の断面を有する凹部１１１ａ及び凸部１１１ｂを示しているが、この他に、三角形状、半円形状等の断面を有する凹部１１１ａ又は凸部１１１ｂであっても良い。
【０１２３】
また、素子搭載部１０１に代えて、ケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂを構成する部分のケースボディ１０６に１本の凹凸１１１が設けられていても良い。更に、素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の両方に亘って凹凸１１１が設けられていても良い。
【０１２４】
また、半導体発光装置１００ｅにおいて、凹凸１１１が１本だけ形成されている例を説明したが、独立して複数本形成されていても構わない。図１（ａ）〜（ｄ）の半導体発光装置１００ｅの場合等では凹部１１１ａ及び凸部１１１ｂが交互に周期的に形成されているのに対し、例えば、半導体発光素子１０３の列の両側に１本ずつ凹凸１１１が形成されている等の構成でも良い。更に、凹部１１１ａ（溝）と凸部１１１ｂ（突起部）の両方が個別に形成されていても良い。
【０１２５】
（第４の変形例）
次に、本実施形態の第４の変形例の例示的半導体発光装置１００ｆについて説明する。
【０１２６】
図１０（ａ）は半導体発光装置１００ｆの模式的な平面図であり、図１０（ａ）の一部１５５を図１０（ｂ）に拡大して示す。また、図１０（ｂ）におけるXc-Xc'線における断面の例を図１０（ｃ）に示す。図１０（ａ）〜（ｃ）に示す半導体発光装置１００ｆにおいて、図１（ａ）〜（ｄ）に示す半導体発光装置１００と同様の構成要素については同じ符号を用い、以下には相違点について詳しく説明する。
【０１２７】
半導体発光装置１００ｆにおいて、素子搭載部１０１上に凹凸１１２が一列だけ設けられている。但し、図１０（ｂ）及び（ｃ）に示すように、凹凸１１２は、凹部１１２ａ及び凸部１１２ｂが並んだ破線状の構造を有する。尚、素子搭載部１０１に形成された溝を凹部１１２ａ、他の部分を凸部１１２ｂとして凹凸１１２が構成されていても良いし、素子搭載部１０１に形成された突起部を凸部１１２ｂ、他の部分を凹部１１２ａとして凹凸１１２が構成されていても良い。
【０１２８】
このような凹凸１１２を設けることによっても、封止部材１０７の充填性を向上し、半導体発光装置１００ｅの生産性向上及び輝度むら低減を実現することができる。
【０１２９】
尚、破線状の凹凸１１２についても、第３の変形例における凹凸１１１と同様に種々の構成を取ることができる。つまり、凹凸１１２は、素子搭載部１０１に代えてケースボディ１０６に設けても良いし、素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の両方に設けても良い。また、断面形状、配置、望ましい凹凸の寸法等についても、第３の変形例にて説明したのと同様である。
【０１３０】
（第５の変形例）
次に、第５の変形例について説明する。図１１は、半導体発光装置１００等と同様のケースボディ凹部１１０の底部１１０ｂ（底部１１０ｂを構成する部分の素子搭載部１０１及びケースボディ１０６の一方又は両方）の一部を拡大して示す平面図である。図１１に示す通り、曲線状（一具体例として波線状）の凹凸１１３が複数形成され、ラインアンドスペース状に配置されている。また、凹凸１１３は、半導体発光装置の長手方向に延びるように形成されている。尚、凹凸１１３の断面形状については、図１（ｄ）、図２及び図３等に例示したのと同様である。
【０１３１】
このような凹凸１１３によっても、ケースボディ凹部１１０に対する封止部材１０７の充填性を向上し、半導体発光装置１００ｅの生産性向上及び輝度むら低減を実現することができる。また、封止部材１０７の充填方向が直線状になるのを避けてることができるので、封止部材１０７が硬化した後の応力破壊に強くなることが期待できる。
【０１３２】
（バックライトユニット）
また、以上に説明した半導体発光装置のいずれかと、導光板とを組み合わせることにより、小型、低背で且つ信頼性の高いバックライトユニットを実現することができる。導光板としては、平板状のもの又は表面に凹凸が形成されているもの等を使用することができる。また、導光板の材料としては特に限定されないが、例えば、ガラスを用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
本開示の技術によると、小型、低背で且つ信頼性が良好であり、安価な半導体発光装置を提供することができるので、照明器具、ディスプレイ及び携帯電話等に用いるバックライト及び光源として、情報通信機器及び家電機器等にも有用である。
【符号の説明】
【０１３４】
１００ 半導体発光装置
１００ａ 半導体発光装置
１００ｂ 半導体発光装置
１００ｃ 半導体発光装置
１００ｄ 半導体発光装置
１００ｅ 半導体発光装置
１００ｆ 半導体発光装置
１０１ 素子搭載部
１０１ａ 金属細線接続部
１０２ 接着剤
１０３ 半導体発光素子
１０４ 金属細線
１０５ 電極端子
１０６ ケースボディ
１０７ 封止部材
１０８ 凹凸
１０８ａ 凹部
１０８ｂ 凸部
１０９ 凹凸
１０９ａ 凹部
１０９ｂ 凸部
１０９ｃ 凹凸
１１０ ケースボディ凹部
１１０ａ 壁部
１１０ｂ 底部
１１１ 凹凸
１１１ａ 凹部
１１１ｂ 凸部
１１２ 凹凸
１１２ａ 凹部
１１２ｂ 凸部
１１３ 凹凸
１５０ （ケースボディ凹部の底部の）一部
１５１ （ケースボディ凹部の底部の）一部
１５２ （ケースボディ凹部の底部の）一部
１５３ （ケースボディ凹部の底部の）コーナー部
１５４ （ケースボディ凹部の底部の）一部
１５５ （ケースボディ凹部の底部の）一部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子搭載部と、
前記素子搭載部上に固定され且つ前記素子搭載部に電気的に接続された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を囲む壁部を有するケースボディと、
前記半導体発光素子を封止する封止部材とを備え、
前記素子搭載部及び前記ケースボディによってケースボディ凹部が構成され、
前記封止部材は、前記ケースボディ凹部内において前記半導体発光素子を封止し、
前記素子搭載部及び前記ケースボディの少なくとも一方のうちの前記封止部材と接する部分は、少なくとも１本の線状に延びる凹部又は凸部を含む凹凸を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
請求項１の半導体発光装置において、
前記凹凸は、前記素子搭載部に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２の半導体発光装置において、
前記凹凸は、前記ケースボディのうちの前記ケースボディ凹部の底部を構成する部分に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸は、前記素子搭載部及び前記ケースボディの両方の表面に亘って連続して形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つの半導体発光装置において、
外部との電気的接続を得るための電極端子を更に備え、
前記電極端子は、前記ケースボディによって一部が覆われるように保持されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかの半導体発光装置において、
前記ケースボディは、リフレクター素材からなることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの半導体発光装置において、
前記半導体装置は、平面視において一方に長い形状を有し、
前記少なくとも１本の線状に延びる凹部又は凸部は、前記半導体発光装置の長手方向に延びるように形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸は、ラインアンドスペース状に形成された複数の凹部及び凸部を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸は、等間隔に並んで複数形成された凹部及び凸部を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１０】
請求項９の半導体発光装置において、
前記凹凸のピッチは、１μｍ以上で且つ１００μｍ以下であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸の高さの差は、０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸のうちの凸部の幅は、凹部の幅よりも狭いことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、四角形状、三角形状又は円弧状の断面を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、破線状に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、平面視において、曲線状に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、平面視において、前記壁部の形状に沿って形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸は、前記ケースボディ凹部の中央からコーナー部に向かって延びる凹部又は凸部を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸の高さの差は、前記ケースボディ凹部の中央側において大きく、前記ケースボディ凹部の周縁側にむかって小さくなることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記ケースボディ凹部内に、複数の前記半導体発光素子を備えることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記半導体装置は、平面視において一方に長い形状を有し、
前記半導体発光装置の縦横の寸法比が１以上で且つ３０以下であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記半導体発光素子と前記素子搭載部とを電気的に接続する金属細線を更に備え、
前記金属細線は、前記封止部材によって封止されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２２】
請求項２１の半導体発光装置において、
前記金属細線が接合される部分の前記素子搭載部は平坦であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記半導体発光素子は、前記素子搭載部上にフリップチップ接合されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２４】
請求項１〜２４のいずれか１つの半導体発光装置と、
前記半導体発光装置が発する光を誘導する導光板とを備えることを特徴とするバックライトユニット。
【請求項１】
素子搭載部と、
前記素子搭載部上に固定され且つ前記素子搭載部に電気的に接続された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を囲む壁部を有するケースボディと、
前記半導体発光素子を封止する封止部材とを備え、
前記素子搭載部及び前記ケースボディによってケースボディ凹部が構成され、
前記封止部材は、前記ケースボディ凹部内において前記半導体発光素子を封止し、
前記素子搭載部及び前記ケースボディの少なくとも一方のうちの前記封止部材と接する部分は、少なくとも１本の線状に延びる凹部又は凸部を含む凹凸を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
請求項１の半導体発光装置において、
前記凹凸は、前記素子搭載部に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２の半導体発光装置において、
前記凹凸は、前記ケースボディのうちの前記ケースボディ凹部の底部を構成する部分に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸は、前記素子搭載部及び前記ケースボディの両方の表面に亘って連続して形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つの半導体発光装置において、
外部との電気的接続を得るための電極端子を更に備え、
前記電極端子は、前記ケースボディによって一部が覆われるように保持されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかの半導体発光装置において、
前記ケースボディは、リフレクター素材からなることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの半導体発光装置において、
前記半導体装置は、平面視において一方に長い形状を有し、
前記少なくとも１本の線状に延びる凹部又は凸部は、前記半導体発光装置の長手方向に延びるように形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸は、ラインアンドスペース状に形成された複数の凹部及び凸部を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸は、等間隔に並んで複数形成された凹部及び凸部を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１０】
請求項９の半導体発光装置において、
前記凹凸のピッチは、１μｍ以上で且つ１００μｍ以下であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸の高さの差は、０．１μｍ以上で且つ２５μｍ以下であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸のうちの凸部の幅は、凹部の幅よりも狭いことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、四角形状、三角形状又は円弧状の断面を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、破線状に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、平面視において、曲線状に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸のうちの凹部及び凸部の少なくとも一方は、平面視において、前記壁部の形状に沿って形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸は、前記ケースボディ凹部の中央からコーナー部に向かって延びる凹部又は凸部を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記凹凸の高さの差は、前記ケースボディ凹部の中央側において大きく、前記ケースボディ凹部の周縁側にむかって小さくなることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記ケースボディ凹部内に、複数の前記半導体発光素子を備えることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記半導体装置は、平面視において一方に長い形状を有し、
前記半導体発光装置の縦横の寸法比が１以上で且つ３０以下であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記半導体発光素子と前記素子搭載部とを電気的に接続する金属細線を更に備え、
前記金属細線は、前記封止部材によって封止されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２２】
請求項２１の半導体発光装置において、
前記金属細線が接合される部分の前記素子搭載部は平坦であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか１つの半導体発光装置において、
前記半導体発光素子は、前記素子搭載部上にフリップチップ接合されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２４】
請求項１〜２４のいずれか１つの半導体発光装置と、
前記半導体発光装置が発する光を誘導する導光板とを備えることを特徴とするバックライトユニット。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−２２７１７９（Ｐ２０１２−２２７１７９Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９０４３７（Ｐ２０１１−９０４３７）
【出願日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]