半導体発光装置
【課題】配光特性を改善したＬＥＤ装置を提供する。
【解決手段】長方形で電極面の中心からはずれた位置にｎ側電極１５ａ，１６ａを備える２個のＬＥＤダイ１５，１６を回路基板１２上にフリップチップ実装する際、各ＬＥＤダイ１５，１６の長辺が互いに平行であり、それぞれのｎ側電極１５ａ，１６ａが回路基板１２の中心を軸として回転対称となる位置に配置する。この結果、ＬＥＤ装置１０の配光が回転対称となり、その放射光が取り扱い易くなる。
【解決手段】長方形で電極面の中心からはずれた位置にｎ側電極１５ａ，１６ａを備える２個のＬＥＤダイ１５，１６を回路基板１２上にフリップチップ実装する際、各ＬＥＤダイ１５，１６の長辺が互いに平行であり、それぞれのｎ側電極１５ａ，１６ａが回路基板１２の中心を軸として回転対称となる位置に配置する。この結果、ＬＥＤ装置１０の配光が回転対称となり、その放射光が取り扱い易くなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板に半導体発光素子を実装しパケージ化した半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハーから切り出された半導体発光素子（以後とくに断らない限りＬＥＤダイと呼ぶ）を回路基板等に実装しパッケージ化した半導体発光装置（以後とくに断らない限りＬＥＤ装置と呼ぶ）が普及している。このＬＥＤ装置を複数備えた照明装置では、性能や品質を向上させるための課題の一つとして配光分布の改善があげられ、さらに配光分布を劣化させる原因の一つとしてＬＥＤ装置自体の不均一な配光分布がある。
【０００３】
例えば特許文献１の図３に示されているＬＥＤパネルアレイ１は、個々のＬＥＤ素子３（ＬＥＤ装置）が偏りのある強度（配光）分布で発光しているとき、各々のＬＥＤ素子３をその光軸７２の周りに９０度異なる角度で配置し、各々のＬＥＤ素子３の発光を重ね合わせることにより、スクリーン上で均一な配光分布が得られるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３７４００４号公報 （図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の図３に示された照明装置（ＬＥＤアレイパネル１）は、複数のＬＥＤ装置（ＬＥＤ素子３）を相互に回転対称となるよう配置し、ＬＥＤ装置がもともと持っていた不均一な配光分布を補償することにより、照明装置としての配光分布を均一化させるものであった。しかしながらＬＥＤ装置の配光分布が強い偏りを持っている場合、このＬＥＤ装置を使う照明装置の配光分布を均一化するためには、ＬＥＤ装置の相対的な配置関係の工夫による改善だけでは限度があり、レンズや拡散板など他の光学部材に強く頼らざるをえないという実体がある。すなわち簡単に照明装置の配光分布を改善するには、ＬＥＤ装置自体の配光分布の偏りを小さくしておかなくてはいけない。
【０００６】
そこで本発明は、この課題を解決するため、配光特性を改善した半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため本発明の半導体発光素子は、回路基板に複数の半導体発光素子を実装し、該半導体発光素子を樹脂等で被覆しパケージ化した半導体発光装置において、
前記複数の半導体発光素子が同一形状であり、
前記半導体発光素子の電極面上の電極配置が該電極面の中心に対し回転対称でなく、
一の前記半導体発光素子の電極が他の前記半導体発光素子の電極と回転対称となるよう前記回路基板上に配置されている
ことを特徴とする。
【０００８】
半導体発光素子は、電極面を備え、この電極面上にｎ側電極とｐ側電極を有する。すなわち、絶縁基板上にｎ型半導体層とｐ型半導体層が積層し、ｐ型半導体層上にｐ側電極を設け、ｐ型半導体層の一部を削って露出させたｎ型半導体層上にｎ側電極を備えている。発光層はｎ型半導体層とｐ型半導体層の境界部にあるため、ｎ型半導体層の露出領域は発光しない。そこでｎ側電極を電極面の角部や辺部など目立たない位置に配置することがあ
るが、この結果電極面上の電極配置がこの電極面の中心に対する回転対称性を失い、半導体発光素子の配光分布が強い偏りを持つようになる。この半導体発光素子を複数個準備し回路基板上に実装する際、回路基板上において一の半導体発光素子のｎ側電極の配置位置が他の半導体発光素子のｎ電極の配置位置と回転対称となるようにすると、半導体発光装置の配光分布も回転対称となる。このようにして配光分布の偏りが大きな半導体発光素子を使用しても、半導体発光装置の配光分布は回転対称となり改善する。
【０００９】
前記半導体発光素子の電極面が長方形であり、２個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記２個の半導体発光素子の長辺同士が平行であっても良い。
【００１０】
上部に反射層を備え、前記回路基板が長方形で、該回路基板の長辺側に前記半導体発光素子の短辺があっても良い。
【００１１】
上部に反射層を備えていても良い。
【００１２】
２個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記２個の半導体発光素子が直線状に配列していても良い。
【００１３】
４個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記４個の半導体発光素子が十字状に配列していても良い。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子の配光分布が強く偏っていても、回路基板上において各半導体発光素子の電極位置が回転対称になるよう配置することにより、半導体発光装置の配光分布も回転対称となり改善する。このように半導体装置の配光分布を改善した結果、本発明の半導体発光装置を使う照明装置は拡散板など簡単な光学部材で均一な配光分布が得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置の正面図。
【図２】図１に示したＬＥＤ装置おいて樹脂封止材を除去した状態の斜視図。
【図３】図１に示したＬＥＤ装置に含まれるＬＥＤダイの配置説明図。
【図４】図３に示したＬＥＤダイの実装部の詳細な断面図。
【図５】本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ装置の正面図。
【図６】図５に示したＬＥＤ装置の断面図。
【図７】本発明の第３実施形態におけるＬＥＤダイの配置図。
【図８】本発明の第４実施形態におけるＬＥＤダイの配置図。
【図９】本発明の第５実施形態におけるＬＥＤダイの配置図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図１〜９を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
（第１実施形態）
【００１７】
図１により本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置１０（半導体発光装置）の外観を説明する。図１はＬＥＤ装置１０の正面図である。回路基板１２の上側には樹脂封止材１１、下側に２個の外部接続電極１３，１４がある。
【００１８】
図２によりＬＥＤ装置１０の内部構造を説明する。図２は、図１のＬＥＤ装置１０から樹脂封止部材１１をとり除いた状態の斜視図である。回路基板１２上に２個のＬＥＤダイ１５，１６（半導体発光素子）が配置されている。ＬＥＤダイ１５，１６は長方形であり、それぞれの長辺が平行になるよう配列している。またＬＥＤダイ１５，１６の短辺は、それぞれ一直線上に配列し、長方形の回路基板１２の長辺側にある。なお図２では回路基板１２上の内部接続電極（図３で説明する）を図示していない。
【００１９】
図３によりＬＥＤ装置１０の内部構造をさらに詳しく説明する。図３は図１に示したＬＥＤ装置１０に含まれるＬＥＤダイ１５，１６の配置説明図であり、（ａ）が回路基板１２の平面図であり、（ｂ）が回路基板１２にＬＥＤダイ１５，１６をフリップチップ実装した状態の平面図であり、（ｃ）が（ｂ）のＡＡ線に沿って描いた断面図である。
【００２０】
（ａ）に示すように回路基板１２上には、内部接続電極３１，３２，３３がある。内部接続電極３１，３３は、スルーホール電極３４，３５を覆っており、スルーホール電極３４，３５を介してそれぞれ外部接続電極１３，１４と接続している。内部接続電極３２は回路基板１２上で孤立している。
【００２１】
（ｂ）に示すようにＬＥＤダイ１５，１６は回路基板１２にフリップチップ実装されている。なお（ｂ）では、下面に形成されたＬＥＤダイ１５，１６のｎ側電極１５ａ，１６ａ及びｐ側電極１５ｂ，１６ｂを点線で示している。ＬＥＤダイ１５のｐ側電極１５ｂは内部接続電極３１と接続し、ＬＥＤダイ１５のｎ側電極１５ａは内部接続電極３２と接続している。同様にＬＥＤダイ１６のｐ側電極１６ｂは内部接続電極３２と接続し、ＬＥＤダイ１６のｎ側電極１６ａは内部接続電極３３と接続している。すなわちＬＥＤダイ１５とＬＥＤダイ１６は直列接続しており、外部接続電極１３がＬＥＤ装置１０（図１，２参照）のアノード、外部接続電極１４がＬＥＤ装置１０のカノードとなる。なおｎ側電極１５ａ，１６ａは発光や放熱に直接的には係わらないのでｐ側電極１５ｂ，１６ｂより小さい。
【００２２】
ＬＥＤダイ１５とＬＥＤダイ１６は、それぞれの電極配置が回路基板１２の中心を軸として回転対称になっている。つまりこの軸についてＬＥＤダイ１５を１８０度回転させると、ＬＥＤダイ１５のｎ側電極１５ａがＬＥＤダイ１６のｎ側電極１６ａと重なる。同様にＬＥＤダイ１５のｐ側電極１５ｂもＬＥＤダイ１６のｐ側電極１６ｂと重なる。
【００２３】
（ｃ）によりＬＥＤダイ１５，１６に係る積層構造を説明する。前述のように（ｃ）は（ｂ）のＡＡ線に沿った断面図であり、この断面において回路基板１２の下面には外部接続電極１３，１４が見える。回路基板１２の上面には内部接続電極３２があり、内部接続電極３２にＬＥＤダイ１５のｎ側電極１５ａが接続し、同時に内部接続電極３２にＬＥＤダイ１６のｐ側電極１６ｂが接続している。
【００２４】
図４によりＬＥＤダイ１５の接続部の周りの積層構造をさらに詳しく説明する。図４は、図３（ｂ）のＢＢ線に沿って描いた断面図である。ＬＥＤダイ１５はサファイア基板４１（絶縁基板）、ｎ型半導体層４２、ｐ型半導体層４３、絶縁膜４４、ｎ側電極１５ａ及びｐ側電極１５ｂからなる。サファイア基板４１の下にはｎ型半導体層４２が形成され、さらにｎ型半導体層４２の下にｐ型半導体層４３が形成されている。絶縁膜４４は開口部を除きｎ型半導体層４２及びｐ型半導体層４３を被覆している。図中、絶縁膜４４の左側の開口部ではｐ型半導体層４３とｐ側電極１５ｂが接続し、右側の開口部ではｎ型半導体層４２とｎ側電極１５ａが接続している。ｐ側電極１５ｂ及びｎ側電極１５ａは、それぞれ回路基板１２上に形成された内部接続電極３１及び内部接続電極３２と接続している。なおこの断面では外部接続電極１３だけが見える。
【００２５】
サファイア基板４１は透明絶縁基板であり厚さが８０〜１２０μｍである。ｎ型半導体層４２はＧａＮバッファ層とｎ型ＧａＮ層からなり厚さが５μｍ程度である。ｐ型半導体層４３は、反射層や原子拡散防止層などを含む金属多層膜とｐ型ＧａＮ層からなり厚みが１μｍ程度である。図示していないが発光層はｐ型半導体層４３とｎ型半導体層４２の境界部にあり、平面形状はｐ型半導体層４３とほぼ等しい。絶縁膜４４はＳｉＯ２やポリイミドからなり厚さが数１００ｎｍ〜１μｍ程度である。ｎ側電極１５ａ並びにｐ側電極１５ｂはＡｕ又はＣｕをコアとするバンプであり、電解メッキ法で形成し厚さが１０〜３０μｍ程度である。内部接続電極３１，３２及び外部接続電極１３は、Ａｕ及びＮｉメッキした銅箔であり厚さが数μｍから数１０μｍである。回路基板１２の部材は、厚みが数１０μｍ〜数１００μｍで、熱伝導性や反射率等を考慮し、樹脂、セラミックス、金属などから選択する。
【００２６】
次に図１〜４に基づいてＬＥＤ装置１０（図１，２参照）の発光特性を説明する。図４で示したようにＬＥＤダイ１５では、ｐ型半導体層４３の一部を切り欠いてｎ型半導体層４２をｐ型半導体層４３から露出させている。この露出部は発光しないので出来る限り小さくしている。すなわち図３（ｂ）においてｎ側電極１５ａ，１６ａの占める領域及びその周辺部は発光しない。この結果、ＬＥＤ装置１０においてｎ側電極１５ａ，１６ａ付近が暗くなり、発光特性の偏りが生じる。
【００２７】
仮に図３（ｂ）において、ｎ側電極１５ａ，１６ａがともに回路基板１２の上辺側にあったとした場合、上辺側の放射光が極端に弱くなる。これに対し本実施形態では図３（ｂ）のようにｎ側電極１５ａを回路基板１２の下辺側に配置し、ｎ側電極１６ａを回路基板１２の上辺側に配置している。このようにすればｎ側電極１５ａとｎ側電極１６ａとは干渉しなくなり、放射光の分布（配光分布）が極端に低下することはない。また配向分布が回路基板１２の中心に対し回転対称になるため、このＬＥＤ装置１０を組み込んだ照明装置は拡散板等の簡単な光学部材で配光分布を矯正しやすくなっている。
【００２８】
以上のように、ＬＥＤダイ１５，１６のｎ側電極１５ａ，１６ａが電極面の中心から外れた位置にあり、ＬＥＤダイ１５，１６が強い偏りのある配光分布を持っていたとしても、ＬＥＤ装置１０はｎ側電極１５ａ，１６ａが回路基板１２の中心に対し回転対称となっているため配光分布も回転対称となり偏りが軽減する。このＬＥＤ装置１０は、照明装置に組み込む際、配光分布が回転対称性を持つため取り扱い易いものになっている。なおＬＥＤダイ１５，１６を被覆する樹脂封止材１１に蛍光体を含有させると、蛍光体の発光が等方的であるためさらに配光分布の偏りが軽減する。
【００２９】
本実施形態のＬＥＤ装置１０ではＬＥＤダイ１５，１６をフリップチップ実装していた。しかしながら実装方法はフリップチップ実装に限られず、回路基板と電極面を対向させないファイスアップ実装でも良い。フェイスアップ実装の場合は、ワイアボンディングの影も配光分布を偏らせる原因となるが、ｎ側及びｐ側の電極が回転対称となるようにＬＥＤダイを配置すれば、ワイヤも回転対称となるよう張れるので本実施形態と同様の効果が得られる。またＬＥＤ装置１０は電極層を備えた板状の回路基板１２を用いていたが、回路基板はリードフレームであっても良い。
（第２実施形態）
【００３０】
図１等で示したＬＥＤ装置１０は、回路基板１２を下側とした場合、平面的には回転対称であるとしても、上方に強い放射光が現れ、方位角が大きくなるに従って急速に放射光が弱くなる配方分布を持ちやすい。一般的に配光分布を広げるためレンズを使うことがあるが、点光源でないＬＥＤ装置に対しして広く均一な配光分布を得ようとするとレンズ形状が複雑化することが多い。さらにＬＥＤ装置とレンズを積層すると照明装置が厚くなるという課題も生じる。これらの課題に対し上部に反射層を形成し側面からだけ光を放射す
るＬＥＤ装置を準備し、このＬＥＤ装置の側部に反射体又は導光板を配置して照明装置を薄くすることがある。この方式はＬＥＤ装置上のレンズが不要となるためコストダウンも可能となる。そこで第２実施形態として図５と図６により上部に反射層を備えたＬＥＤ装置５０を説明する。
【００３１】
図５によりＬＥＤ装置５０の外観を説明する。図５はＬＥＤ装置５０の正面図である。回路基板１２の上側には樹脂封止材１１、下側には２個の外部接続電極１３，１４がある。樹脂封止材１１、回路基板１２、外部接続電極１３，１４は、図１のＬＥＤ装置１０と同じものであり、ＬＥＤ装置５０はＬＥＤ装置１０に対して樹脂封止材１１上に反射層５１を有するところだけが異なっている。反射層５１はシリコーン樹脂に酸化チタン等の反射性微粒子を混練したもので、厚みを数１０μｍ〜１００μｍ程度にする。また反射層５１は金属層や半透過反射で置き換えることも可能であり、このとき拡散性をもたせるとなお良い。
【００３２】
図６によりＬＥＤ装置５０の内部構造を説明する。図６はＬＥＤ装置５０の断面図である。図６は、図３（ｃ）に示した断面図に樹脂封止材１１と反射層５１を描き加えたものである。また回路基板１２の上面及びＬＥＤダイ１５，１６の配置については、第１実施形態のＬＥＤ装置１０と等しい（図３（ａ），（ｂ）参照）。
【００３３】
図６において、ＬＥＤダイ１５，１６の長辺側（図の左右方向）は回路基板１２の短辺側（図の左右方向）に強く光を放射するが、ＬＥＤ装置５０の側面に達するまでに、反射層５１による拡散的な反射による光線の方向変換やその他の損失を受け、回路基板１２の短辺側から出射する光量が減る。これに対し、ＬＥＤダイ１５，１６の短辺側（図の表裏方向）は、発光に係わる部位が短いことに加えｎ側電極１５ａ，１６ａ（図３参照）があることにより発光量が少な目ではあるが、回路基板１２の長辺までの距離が短いためＬＥＤ装置５０から出射する光量の減衰が少ない。またＬＥＤダイ１５，１６から上側に出射する光は、反射層５１の拡散反射によりＬＥＤ装置５０の短辺側と長辺側に振り分けられるので、ＬＥＤ装置５０の短辺側と長辺側の出射光の不均一を是正するように作用する。
【００３４】
すなわちＬＥＤ装置５０は、ＬＥＤダイ１５，１６のｎ側電極１５ａ，１６ａ及びｐ側電極１５ｂ，１６ｂが回転対称となるように配置されたことにより配光分布が改善されているばかりでなく、上部に配置した反射層５１が側面方向の配光分布を均一化させようとしている。さらに回路基板１２の長辺とＬＥＤダイ１５，１６の短辺が近接していることも配光分布を均一化させようとする。以上のようにしてＬＥＤ装置５０では水平方向の配向分布が改善している。
（第３実施形態）
【００３５】
第１及び第２実施形態におけるＬＥＤ装置１０，５０では、回路基板１２上で長方形のＬＥＤダイ１５，１６が平行に配列し、ｐ側電極１５ｂからｎ側電極１５ａに向かう方向と、ｐ側電極１６ｂからｎ側電極１６ａに向かう方向が逆方向であった（図３（ｂ）参照）。しかしながら配向分布を改善するには一のＬＥＤダイの電極と他のＬＥＤダイの電極を回転対称に配置すれば良いので、前述のようなＬＥＤダイ１５，１６の配置に限られない。そこで図７により第３実施形態として他の配置例を示す。
【００３６】
図７は本発明の第３実施形態のＬＥＤ装置７０におけるＬＥＤダイ７５，７６の配置図である。図７はＬＥＤ装置７０から樹脂封止材（図示せず）を取り去った状態における回路基板７２の上面を示している。回路基板７２の上面にはＬＥＤダイ７５，７６がフリップチップ実装されている。なお内部接続電極は図示していない。またｎ側電極７５ａ，７６ａ及びｐ側電極７５ｂ，７６ｂを点線で示している。
【００３７】
図７で示したようにＬＥＤダイ７５，７６には、角部にｎ側電極７５ａ，７６ａがあり、残りの領域にｎ側電極７５ａ，７６ａを囲むようにして大きな面積を占めるｐ側電極７５ｂ，７６ｂがある。ＬＥＤダイ７５のｎ側及びｐ側の電極７５ａ，７５ｂと、ＬＥＤダイ７６のｎ側及びｐ側の電極７６ａ，７６ｂは回路基板７２の中心を軸として回転対称となるよう配置されている。同時にＬＥＤダイ７５，７６は図の左右方向に直線的に配列している。
（第４実施形態）
【００３８】
第１〜３実施形態におけるＬＥＤ装置１０，５０，７０では回路基板１２，７２上に実装するＬＥＤダイ１５，１６，７５，７６が２個であった。しかしながら一のＬＥＤダイの電極と他のＬＥＤダイの電極を回転対称に配置し、配向分布を回転対称にすれば良いので、回路基板に実装するＬＥＤダイの数は２個に限られない。そこで図８により第４実施形態として４個のＬＥＤダイ８５を備えるＬＥＤ装置８０を説明する。
【００３９】
図８は本発明の第４実施形態のＬＥＤ装置８０におけるＬＥＤダイ８５の配置図である。図８はＬＥＤ装置８０から樹脂封止材（図示せず）を取り去った状態における回路基板８２の上面を示している。回路基板８２の上面には４個のＬＥＤダイ８５がフリップチップ実装されている。なお内部接続電極は図示していない。またｎ側及びｐ側の電極８５ａ，８５ｂを点線で示している。
【００４０】
図８で示したようにＬＥＤダイ８５には、角部にｎ側電極８５ａがあり、残りの領域にｎ側電極８５ａを囲むようにして大きな面積を占めるｐ側電極８５ｂがある。各ＬＥＤダイ８５のｎ側及びｐ側の電極８５ａ，８５ｂは、それぞれ回路基板８２の中心を軸として回転対称となるよう配置されている。同時に４個のＬＥＤダイ８５は十字形に配列している。
（第５実施形態）
【００４１】
第１〜４実施形態におけるＬＥＤ装置１０，５０，７０，８０では、電極配置を無視したとき、回路基板１２，７２，８２上に実装するＬＥＤダイ１５，１６，７５，７６，８５が、図３（ｂ）、図７、図８に示されるように回路基板１２，７２，８２を上面から見た場合、その外郭に対する縦及び横方向の中心線（図示せず）について対称となるよう配置している。しかしながら一のＬＥＤダイの電極と他のＬＥＤダイの電極を回転対称に配置し、配向分布を回転対称にすれば良いので、回路基板に実装するＬＥＤダイの配置は線対称に限られない。そこで図９により第５実施形態として４個のＬＥＤダイ９５を備えるＬＥＤ装置９０を説明する。
【００４２】
図９は本発明の第５実施形態のＬＥＤ装置９０におけるＬＥＤダイ９５の配置図である。図９はＬＥＤ装置９０から樹脂封止材（図示せず）を取り去った状態における回路基板９２の上面を示している。回路基板９２の上面には４個のＬＥＤダイ９５がフリップチップ実装されている。なお内部接続電極は図示していない。またｎ側及びｐ側の電極９５ａ，９５ｂを点線で示している。
【００４３】
図９で示したようにＬＥＤダイ９５には、短辺側にｎ側電極９５ａがあり、残りの領域に大きな面積を占めるようにしてｐ側電極９５ｂがある。各ＬＥＤダイ９５のｎ側及びｐ側の電極９５ａ，９５ｂは、それぞれ回路基板９２の中心を軸として回転対称となるよう配置されている。このとき４個のＬＥＤダイ９５の配置は線対称になっていない。
【符号の説明】
【００４４】
１０，５０，７０，８０，９０…ＬＥＤ装置（半導体発光装置）、
１１…樹脂封止材、
１２，７２，８２，９２…回路基板、
１３，１４…外部接続電極、
１５，１６，７５，７６，８５，９５…ＬＥＤ素子（半導体発光素子）、
１５ａ，１６ａ，７５ａ，７６ａ，８５ａ，９５ａ…ｎ側電極、
１５ｂ，１６ｂ，７５ｂ，７６ｂ，８５ｂ，９５ｂ…ｐ側電極、
３１，３２，３３…内部接続電極、
３４，３５…スルーホール電極、
４１…サファイア基板（絶縁基板）、
４２…ｎ型半導体層、
４３…ｐ型半導体層、
４４…絶縁膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板に半導体発光素子を実装しパケージ化した半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハーから切り出された半導体発光素子（以後とくに断らない限りＬＥＤダイと呼ぶ）を回路基板等に実装しパッケージ化した半導体発光装置（以後とくに断らない限りＬＥＤ装置と呼ぶ）が普及している。このＬＥＤ装置を複数備えた照明装置では、性能や品質を向上させるための課題の一つとして配光分布の改善があげられ、さらに配光分布を劣化させる原因の一つとしてＬＥＤ装置自体の不均一な配光分布がある。
【０００３】
例えば特許文献１の図３に示されているＬＥＤパネルアレイ１は、個々のＬＥＤ素子３（ＬＥＤ装置）が偏りのある強度（配光）分布で発光しているとき、各々のＬＥＤ素子３をその光軸７２の周りに９０度異なる角度で配置し、各々のＬＥＤ素子３の発光を重ね合わせることにより、スクリーン上で均一な配光分布が得られるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３７４００４号公報 （図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の図３に示された照明装置（ＬＥＤアレイパネル１）は、複数のＬＥＤ装置（ＬＥＤ素子３）を相互に回転対称となるよう配置し、ＬＥＤ装置がもともと持っていた不均一な配光分布を補償することにより、照明装置としての配光分布を均一化させるものであった。しかしながらＬＥＤ装置の配光分布が強い偏りを持っている場合、このＬＥＤ装置を使う照明装置の配光分布を均一化するためには、ＬＥＤ装置の相対的な配置関係の工夫による改善だけでは限度があり、レンズや拡散板など他の光学部材に強く頼らざるをえないという実体がある。すなわち簡単に照明装置の配光分布を改善するには、ＬＥＤ装置自体の配光分布の偏りを小さくしておかなくてはいけない。
【０００６】
そこで本発明は、この課題を解決するため、配光特性を改善した半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため本発明の半導体発光素子は、回路基板に複数の半導体発光素子を実装し、該半導体発光素子を樹脂等で被覆しパケージ化した半導体発光装置において、
前記複数の半導体発光素子が同一形状であり、
前記半導体発光素子の電極面上の電極配置が該電極面の中心に対し回転対称でなく、
一の前記半導体発光素子の電極が他の前記半導体発光素子の電極と回転対称となるよう前記回路基板上に配置されている
ことを特徴とする。
【０００８】
半導体発光素子は、電極面を備え、この電極面上にｎ側電極とｐ側電極を有する。すなわち、絶縁基板上にｎ型半導体層とｐ型半導体層が積層し、ｐ型半導体層上にｐ側電極を設け、ｐ型半導体層の一部を削って露出させたｎ型半導体層上にｎ側電極を備えている。発光層はｎ型半導体層とｐ型半導体層の境界部にあるため、ｎ型半導体層の露出領域は発光しない。そこでｎ側電極を電極面の角部や辺部など目立たない位置に配置することがあ
るが、この結果電極面上の電極配置がこの電極面の中心に対する回転対称性を失い、半導体発光素子の配光分布が強い偏りを持つようになる。この半導体発光素子を複数個準備し回路基板上に実装する際、回路基板上において一の半導体発光素子のｎ側電極の配置位置が他の半導体発光素子のｎ電極の配置位置と回転対称となるようにすると、半導体発光装置の配光分布も回転対称となる。このようにして配光分布の偏りが大きな半導体発光素子を使用しても、半導体発光装置の配光分布は回転対称となり改善する。
【０００９】
前記半導体発光素子の電極面が長方形であり、２個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記２個の半導体発光素子の長辺同士が平行であっても良い。
【００１０】
上部に反射層を備え、前記回路基板が長方形で、該回路基板の長辺側に前記半導体発光素子の短辺があっても良い。
【００１１】
上部に反射層を備えていても良い。
【００１２】
２個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記２個の半導体発光素子が直線状に配列していても良い。
【００１３】
４個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記４個の半導体発光素子が十字状に配列していても良い。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子の配光分布が強く偏っていても、回路基板上において各半導体発光素子の電極位置が回転対称になるよう配置することにより、半導体発光装置の配光分布も回転対称となり改善する。このように半導体装置の配光分布を改善した結果、本発明の半導体発光装置を使う照明装置は拡散板など簡単な光学部材で均一な配光分布が得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置の正面図。
【図２】図１に示したＬＥＤ装置おいて樹脂封止材を除去した状態の斜視図。
【図３】図１に示したＬＥＤ装置に含まれるＬＥＤダイの配置説明図。
【図４】図３に示したＬＥＤダイの実装部の詳細な断面図。
【図５】本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ装置の正面図。
【図６】図５に示したＬＥＤ装置の断面図。
【図７】本発明の第３実施形態におけるＬＥＤダイの配置図。
【図８】本発明の第４実施形態におけるＬＥＤダイの配置図。
【図９】本発明の第５実施形態におけるＬＥＤダイの配置図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図１〜９を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
（第１実施形態）
【００１７】
図１により本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置１０（半導体発光装置）の外観を説明する。図１はＬＥＤ装置１０の正面図である。回路基板１２の上側には樹脂封止材１１、下側に２個の外部接続電極１３，１４がある。
【００１８】
図２によりＬＥＤ装置１０の内部構造を説明する。図２は、図１のＬＥＤ装置１０から樹脂封止部材１１をとり除いた状態の斜視図である。回路基板１２上に２個のＬＥＤダイ１５，１６（半導体発光素子）が配置されている。ＬＥＤダイ１５，１６は長方形であり、それぞれの長辺が平行になるよう配列している。またＬＥＤダイ１５，１６の短辺は、それぞれ一直線上に配列し、長方形の回路基板１２の長辺側にある。なお図２では回路基板１２上の内部接続電極（図３で説明する）を図示していない。
【００１９】
図３によりＬＥＤ装置１０の内部構造をさらに詳しく説明する。図３は図１に示したＬＥＤ装置１０に含まれるＬＥＤダイ１５，１６の配置説明図であり、（ａ）が回路基板１２の平面図であり、（ｂ）が回路基板１２にＬＥＤダイ１５，１６をフリップチップ実装した状態の平面図であり、（ｃ）が（ｂ）のＡＡ線に沿って描いた断面図である。
【００２０】
（ａ）に示すように回路基板１２上には、内部接続電極３１，３２，３３がある。内部接続電極３１，３３は、スルーホール電極３４，３５を覆っており、スルーホール電極３４，３５を介してそれぞれ外部接続電極１３，１４と接続している。内部接続電極３２は回路基板１２上で孤立している。
【００２１】
（ｂ）に示すようにＬＥＤダイ１５，１６は回路基板１２にフリップチップ実装されている。なお（ｂ）では、下面に形成されたＬＥＤダイ１５，１６のｎ側電極１５ａ，１６ａ及びｐ側電極１５ｂ，１６ｂを点線で示している。ＬＥＤダイ１５のｐ側電極１５ｂは内部接続電極３１と接続し、ＬＥＤダイ１５のｎ側電極１５ａは内部接続電極３２と接続している。同様にＬＥＤダイ１６のｐ側電極１６ｂは内部接続電極３２と接続し、ＬＥＤダイ１６のｎ側電極１６ａは内部接続電極３３と接続している。すなわちＬＥＤダイ１５とＬＥＤダイ１６は直列接続しており、外部接続電極１３がＬＥＤ装置１０（図１，２参照）のアノード、外部接続電極１４がＬＥＤ装置１０のカノードとなる。なおｎ側電極１５ａ，１６ａは発光や放熱に直接的には係わらないのでｐ側電極１５ｂ，１６ｂより小さい。
【００２２】
ＬＥＤダイ１５とＬＥＤダイ１６は、それぞれの電極配置が回路基板１２の中心を軸として回転対称になっている。つまりこの軸についてＬＥＤダイ１５を１８０度回転させると、ＬＥＤダイ１５のｎ側電極１５ａがＬＥＤダイ１６のｎ側電極１６ａと重なる。同様にＬＥＤダイ１５のｐ側電極１５ｂもＬＥＤダイ１６のｐ側電極１６ｂと重なる。
【００２３】
（ｃ）によりＬＥＤダイ１５，１６に係る積層構造を説明する。前述のように（ｃ）は（ｂ）のＡＡ線に沿った断面図であり、この断面において回路基板１２の下面には外部接続電極１３，１４が見える。回路基板１２の上面には内部接続電極３２があり、内部接続電極３２にＬＥＤダイ１５のｎ側電極１５ａが接続し、同時に内部接続電極３２にＬＥＤダイ１６のｐ側電極１６ｂが接続している。
【００２４】
図４によりＬＥＤダイ１５の接続部の周りの積層構造をさらに詳しく説明する。図４は、図３（ｂ）のＢＢ線に沿って描いた断面図である。ＬＥＤダイ１５はサファイア基板４１（絶縁基板）、ｎ型半導体層４２、ｐ型半導体層４３、絶縁膜４４、ｎ側電極１５ａ及びｐ側電極１５ｂからなる。サファイア基板４１の下にはｎ型半導体層４２が形成され、さらにｎ型半導体層４２の下にｐ型半導体層４３が形成されている。絶縁膜４４は開口部を除きｎ型半導体層４２及びｐ型半導体層４３を被覆している。図中、絶縁膜４４の左側の開口部ではｐ型半導体層４３とｐ側電極１５ｂが接続し、右側の開口部ではｎ型半導体層４２とｎ側電極１５ａが接続している。ｐ側電極１５ｂ及びｎ側電極１５ａは、それぞれ回路基板１２上に形成された内部接続電極３１及び内部接続電極３２と接続している。なおこの断面では外部接続電極１３だけが見える。
【００２５】
サファイア基板４１は透明絶縁基板であり厚さが８０〜１２０μｍである。ｎ型半導体層４２はＧａＮバッファ層とｎ型ＧａＮ層からなり厚さが５μｍ程度である。ｐ型半導体層４３は、反射層や原子拡散防止層などを含む金属多層膜とｐ型ＧａＮ層からなり厚みが１μｍ程度である。図示していないが発光層はｐ型半導体層４３とｎ型半導体層４２の境界部にあり、平面形状はｐ型半導体層４３とほぼ等しい。絶縁膜４４はＳｉＯ２やポリイミドからなり厚さが数１００ｎｍ〜１μｍ程度である。ｎ側電極１５ａ並びにｐ側電極１５ｂはＡｕ又はＣｕをコアとするバンプであり、電解メッキ法で形成し厚さが１０〜３０μｍ程度である。内部接続電極３１，３２及び外部接続電極１３は、Ａｕ及びＮｉメッキした銅箔であり厚さが数μｍから数１０μｍである。回路基板１２の部材は、厚みが数１０μｍ〜数１００μｍで、熱伝導性や反射率等を考慮し、樹脂、セラミックス、金属などから選択する。
【００２６】
次に図１〜４に基づいてＬＥＤ装置１０（図１，２参照）の発光特性を説明する。図４で示したようにＬＥＤダイ１５では、ｐ型半導体層４３の一部を切り欠いてｎ型半導体層４２をｐ型半導体層４３から露出させている。この露出部は発光しないので出来る限り小さくしている。すなわち図３（ｂ）においてｎ側電極１５ａ，１６ａの占める領域及びその周辺部は発光しない。この結果、ＬＥＤ装置１０においてｎ側電極１５ａ，１６ａ付近が暗くなり、発光特性の偏りが生じる。
【００２７】
仮に図３（ｂ）において、ｎ側電極１５ａ，１６ａがともに回路基板１２の上辺側にあったとした場合、上辺側の放射光が極端に弱くなる。これに対し本実施形態では図３（ｂ）のようにｎ側電極１５ａを回路基板１２の下辺側に配置し、ｎ側電極１６ａを回路基板１２の上辺側に配置している。このようにすればｎ側電極１５ａとｎ側電極１６ａとは干渉しなくなり、放射光の分布（配光分布）が極端に低下することはない。また配向分布が回路基板１２の中心に対し回転対称になるため、このＬＥＤ装置１０を組み込んだ照明装置は拡散板等の簡単な光学部材で配光分布を矯正しやすくなっている。
【００２８】
以上のように、ＬＥＤダイ１５，１６のｎ側電極１５ａ，１６ａが電極面の中心から外れた位置にあり、ＬＥＤダイ１５，１６が強い偏りのある配光分布を持っていたとしても、ＬＥＤ装置１０はｎ側電極１５ａ，１６ａが回路基板１２の中心に対し回転対称となっているため配光分布も回転対称となり偏りが軽減する。このＬＥＤ装置１０は、照明装置に組み込む際、配光分布が回転対称性を持つため取り扱い易いものになっている。なおＬＥＤダイ１５，１６を被覆する樹脂封止材１１に蛍光体を含有させると、蛍光体の発光が等方的であるためさらに配光分布の偏りが軽減する。
【００２９】
本実施形態のＬＥＤ装置１０ではＬＥＤダイ１５，１６をフリップチップ実装していた。しかしながら実装方法はフリップチップ実装に限られず、回路基板と電極面を対向させないファイスアップ実装でも良い。フェイスアップ実装の場合は、ワイアボンディングの影も配光分布を偏らせる原因となるが、ｎ側及びｐ側の電極が回転対称となるようにＬＥＤダイを配置すれば、ワイヤも回転対称となるよう張れるので本実施形態と同様の効果が得られる。またＬＥＤ装置１０は電極層を備えた板状の回路基板１２を用いていたが、回路基板はリードフレームであっても良い。
（第２実施形態）
【００３０】
図１等で示したＬＥＤ装置１０は、回路基板１２を下側とした場合、平面的には回転対称であるとしても、上方に強い放射光が現れ、方位角が大きくなるに従って急速に放射光が弱くなる配方分布を持ちやすい。一般的に配光分布を広げるためレンズを使うことがあるが、点光源でないＬＥＤ装置に対しして広く均一な配光分布を得ようとするとレンズ形状が複雑化することが多い。さらにＬＥＤ装置とレンズを積層すると照明装置が厚くなるという課題も生じる。これらの課題に対し上部に反射層を形成し側面からだけ光を放射す
るＬＥＤ装置を準備し、このＬＥＤ装置の側部に反射体又は導光板を配置して照明装置を薄くすることがある。この方式はＬＥＤ装置上のレンズが不要となるためコストダウンも可能となる。そこで第２実施形態として図５と図６により上部に反射層を備えたＬＥＤ装置５０を説明する。
【００３１】
図５によりＬＥＤ装置５０の外観を説明する。図５はＬＥＤ装置５０の正面図である。回路基板１２の上側には樹脂封止材１１、下側には２個の外部接続電極１３，１４がある。樹脂封止材１１、回路基板１２、外部接続電極１３，１４は、図１のＬＥＤ装置１０と同じものであり、ＬＥＤ装置５０はＬＥＤ装置１０に対して樹脂封止材１１上に反射層５１を有するところだけが異なっている。反射層５１はシリコーン樹脂に酸化チタン等の反射性微粒子を混練したもので、厚みを数１０μｍ〜１００μｍ程度にする。また反射層５１は金属層や半透過反射で置き換えることも可能であり、このとき拡散性をもたせるとなお良い。
【００３２】
図６によりＬＥＤ装置５０の内部構造を説明する。図６はＬＥＤ装置５０の断面図である。図６は、図３（ｃ）に示した断面図に樹脂封止材１１と反射層５１を描き加えたものである。また回路基板１２の上面及びＬＥＤダイ１５，１６の配置については、第１実施形態のＬＥＤ装置１０と等しい（図３（ａ），（ｂ）参照）。
【００３３】
図６において、ＬＥＤダイ１５，１６の長辺側（図の左右方向）は回路基板１２の短辺側（図の左右方向）に強く光を放射するが、ＬＥＤ装置５０の側面に達するまでに、反射層５１による拡散的な反射による光線の方向変換やその他の損失を受け、回路基板１２の短辺側から出射する光量が減る。これに対し、ＬＥＤダイ１５，１６の短辺側（図の表裏方向）は、発光に係わる部位が短いことに加えｎ側電極１５ａ，１６ａ（図３参照）があることにより発光量が少な目ではあるが、回路基板１２の長辺までの距離が短いためＬＥＤ装置５０から出射する光量の減衰が少ない。またＬＥＤダイ１５，１６から上側に出射する光は、反射層５１の拡散反射によりＬＥＤ装置５０の短辺側と長辺側に振り分けられるので、ＬＥＤ装置５０の短辺側と長辺側の出射光の不均一を是正するように作用する。
【００３４】
すなわちＬＥＤ装置５０は、ＬＥＤダイ１５，１６のｎ側電極１５ａ，１６ａ及びｐ側電極１５ｂ，１６ｂが回転対称となるように配置されたことにより配光分布が改善されているばかりでなく、上部に配置した反射層５１が側面方向の配光分布を均一化させようとしている。さらに回路基板１２の長辺とＬＥＤダイ１５，１６の短辺が近接していることも配光分布を均一化させようとする。以上のようにしてＬＥＤ装置５０では水平方向の配向分布が改善している。
（第３実施形態）
【００３５】
第１及び第２実施形態におけるＬＥＤ装置１０，５０では、回路基板１２上で長方形のＬＥＤダイ１５，１６が平行に配列し、ｐ側電極１５ｂからｎ側電極１５ａに向かう方向と、ｐ側電極１６ｂからｎ側電極１６ａに向かう方向が逆方向であった（図３（ｂ）参照）。しかしながら配向分布を改善するには一のＬＥＤダイの電極と他のＬＥＤダイの電極を回転対称に配置すれば良いので、前述のようなＬＥＤダイ１５，１６の配置に限られない。そこで図７により第３実施形態として他の配置例を示す。
【００３６】
図７は本発明の第３実施形態のＬＥＤ装置７０におけるＬＥＤダイ７５，７６の配置図である。図７はＬＥＤ装置７０から樹脂封止材（図示せず）を取り去った状態における回路基板７２の上面を示している。回路基板７２の上面にはＬＥＤダイ７５，７６がフリップチップ実装されている。なお内部接続電極は図示していない。またｎ側電極７５ａ，７６ａ及びｐ側電極７５ｂ，７６ｂを点線で示している。
【００３７】
図７で示したようにＬＥＤダイ７５，７６には、角部にｎ側電極７５ａ，７６ａがあり、残りの領域にｎ側電極７５ａ，７６ａを囲むようにして大きな面積を占めるｐ側電極７５ｂ，７６ｂがある。ＬＥＤダイ７５のｎ側及びｐ側の電極７５ａ，７５ｂと、ＬＥＤダイ７６のｎ側及びｐ側の電極７６ａ，７６ｂは回路基板７２の中心を軸として回転対称となるよう配置されている。同時にＬＥＤダイ７５，７６は図の左右方向に直線的に配列している。
（第４実施形態）
【００３８】
第１〜３実施形態におけるＬＥＤ装置１０，５０，７０では回路基板１２，７２上に実装するＬＥＤダイ１５，１６，７５，７６が２個であった。しかしながら一のＬＥＤダイの電極と他のＬＥＤダイの電極を回転対称に配置し、配向分布を回転対称にすれば良いので、回路基板に実装するＬＥＤダイの数は２個に限られない。そこで図８により第４実施形態として４個のＬＥＤダイ８５を備えるＬＥＤ装置８０を説明する。
【００３９】
図８は本発明の第４実施形態のＬＥＤ装置８０におけるＬＥＤダイ８５の配置図である。図８はＬＥＤ装置８０から樹脂封止材（図示せず）を取り去った状態における回路基板８２の上面を示している。回路基板８２の上面には４個のＬＥＤダイ８５がフリップチップ実装されている。なお内部接続電極は図示していない。またｎ側及びｐ側の電極８５ａ，８５ｂを点線で示している。
【００４０】
図８で示したようにＬＥＤダイ８５には、角部にｎ側電極８５ａがあり、残りの領域にｎ側電極８５ａを囲むようにして大きな面積を占めるｐ側電極８５ｂがある。各ＬＥＤダイ８５のｎ側及びｐ側の電極８５ａ，８５ｂは、それぞれ回路基板８２の中心を軸として回転対称となるよう配置されている。同時に４個のＬＥＤダイ８５は十字形に配列している。
（第５実施形態）
【００４１】
第１〜４実施形態におけるＬＥＤ装置１０，５０，７０，８０では、電極配置を無視したとき、回路基板１２，７２，８２上に実装するＬＥＤダイ１５，１６，７５，７６，８５が、図３（ｂ）、図７、図８に示されるように回路基板１２，７２，８２を上面から見た場合、その外郭に対する縦及び横方向の中心線（図示せず）について対称となるよう配置している。しかしながら一のＬＥＤダイの電極と他のＬＥＤダイの電極を回転対称に配置し、配向分布を回転対称にすれば良いので、回路基板に実装するＬＥＤダイの配置は線対称に限られない。そこで図９により第５実施形態として４個のＬＥＤダイ９５を備えるＬＥＤ装置９０を説明する。
【００４２】
図９は本発明の第５実施形態のＬＥＤ装置９０におけるＬＥＤダイ９５の配置図である。図９はＬＥＤ装置９０から樹脂封止材（図示せず）を取り去った状態における回路基板９２の上面を示している。回路基板９２の上面には４個のＬＥＤダイ９５がフリップチップ実装されている。なお内部接続電極は図示していない。またｎ側及びｐ側の電極９５ａ，９５ｂを点線で示している。
【００４３】
図９で示したようにＬＥＤダイ９５には、短辺側にｎ側電極９５ａがあり、残りの領域に大きな面積を占めるようにしてｐ側電極９５ｂがある。各ＬＥＤダイ９５のｎ側及びｐ側の電極９５ａ，９５ｂは、それぞれ回路基板９２の中心を軸として回転対称となるよう配置されている。このとき４個のＬＥＤダイ９５の配置は線対称になっていない。
【符号の説明】
【００４４】
１０，５０，７０，８０，９０…ＬＥＤ装置（半導体発光装置）、
１１…樹脂封止材、
１２，７２，８２，９２…回路基板、
１３，１４…外部接続電極、
１５，１６，７５，７６，８５，９５…ＬＥＤ素子（半導体発光素子）、
１５ａ，１６ａ，７５ａ，７６ａ，８５ａ，９５ａ…ｎ側電極、
１５ｂ，１６ｂ，７５ｂ，７６ｂ，８５ｂ，９５ｂ…ｐ側電極、
３１，３２，３３…内部接続電極、
３４，３５…スルーホール電極、
４１…サファイア基板（絶縁基板）、
４２…ｎ型半導体層、
４３…ｐ型半導体層、
４４…絶縁膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に複数の半導体発光素子を実装し、該半導体発光素子を樹脂等で被覆しパケージ化した半導体発光装置において、
前記複数の半導体発光素子が同一形状であり、
前記半導体発光素子の電極面上の電極配置が該電極面の中心に対し回転対称でなく、
一の前記半導体発光素子の電極が他の前記半導体発光素子の電極と回転対称となるよう前記回路基板上に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子の電極面が長方形であり、２個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記２個の半導体発光素子の長辺同士が平行であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
上部に反射層を備え、前記回路基板が長方形で、該回路基板の長辺側に前記半導体発光素子の短辺があることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
上部に反射層を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
２個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記２個の半導体発光素子が直線状に配列していることを特徴とする請求項１又は４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
４個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記４個の半導体発光素子が十字状に配列していることを特徴とする請求項１又は５に記載の半導体発光装置。
【請求項１】
回路基板に複数の半導体発光素子を実装し、該半導体発光素子を樹脂等で被覆しパケージ化した半導体発光装置において、
前記複数の半導体発光素子が同一形状であり、
前記半導体発光素子の電極面上の電極配置が該電極面の中心に対し回転対称でなく、
一の前記半導体発光素子の電極が他の前記半導体発光素子の電極と回転対称となるよう前記回路基板上に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子の電極面が長方形であり、２個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記２個の半導体発光素子の長辺同士が平行であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
上部に反射層を備え、前記回路基板が長方形で、該回路基板の長辺側に前記半導体発光素子の短辺があることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
上部に反射層を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
２個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記２個の半導体発光素子が直線状に配列していることを特徴とする請求項１又は４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
４個の前記半導体発光素子が前記回路基板に実装され、前記４個の半導体発光素子が十字状に配列していることを特徴とする請求項１又は５に記載の半導体発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−１１０１７９（Ｐ２０１３−１１０１７９Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５２２５３（Ｐ２０１１−２５２２５３）
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００００１９６０）シチズンホールディングス株式会社 (1,939)
【出願人】（０００１３１４３０）シチズン電子株式会社 (798)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００００１９６０）シチズンホールディングス株式会社 (1,939)
【出願人】（０００１３１４３０）シチズン電子株式会社 (798)
【Ｆターム（参考）】
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