【課題】駆動トランジスタにＰチャネル型のトランジスタを採用すると単極性のトランジ
スタのみで構成される表示パネルを作製することは困難となる。表示パネルに形成される
回路を単極性のトランジスタで構成すると製造工程を削減し、コストダウンを図ることが
できる。そこで、製造コストが削減された表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】発光素子を駆動する駆動トランジスタにＮチャネル型のトランジスタを用い
る。そして、駆動トランジスタと発光素子でソースフォロワ回路を構成する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
容量素子と、
第１のスイッチと、
第２のスイッチと、
第３のスイッチと、
第１の配線と、
第２の配線と、を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子を介して前記第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタの第１の端子は、画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタの第２の端子は、前記第３のスイッチ及び前記第１のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタの第２の端子は、前記第２のスイッチ及び前記第３のスイッチを介して前記トランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載された半導体装置、又は、請求項４乃至請求項５のいずれか一項に記載された表示装置を具備することを特徴とする電子機器。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【図６２】

【図６３】

【図６４】

【図６５】

【図６６】

【図６７】

【図６８】

【図６９】

【図７０】

【図７１】

【図７２】

【図７３】

【図７４】

【図７５】

【図７６】

【図７７】

【図７８】

【図７９】

【図８０】

【図８１】

【図８２】

【公開番号】特開２０１２−６８６５７（Ｐ２０１２−６８６５７Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３９０４０（Ｐ２０１１−２３９０４０）
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【分割の表示】特願２００５−３４４４６１（Ｐ２００５−３４４４６１）の分割
【原出願日】平成１７年１１月２９日（２００５．１１．２９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】