基体の製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法、多層構造基板の製造方法、表示装置の製造方法
【課題】基体をハンドリングする時の基体の耐衝撃性を向上させ、基体コーナ部分のチッピングの発生を抑制することによって、歩留まりを向上させることが可能な基体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体としての基板Ｐの製造方法は、レーザ光４５を基体としての基板Ｐに照射させて分割片Ｑ１を形成する基板Ｐの製造方法であって、基板Ｐの表面Ｐｕに対してレーザ光４５を斜めに照射させて、材料変質部４７を形成する工程と、基板Ｐに応力Ｆを加えて、分割片Ｑ１を形成する工程と、を備え、基板Ｐに傾斜した面Ｍを形成する。
【解決手段】基体としての基板Ｐの製造方法は、レーザ光４５を基体としての基板Ｐに照射させて分割片Ｑ１を形成する基板Ｐの製造方法であって、基板Ｐの表面Ｐｕに対してレーザ光４５を斜めに照射させて、材料変質部４７を形成する工程と、基板Ｐに応力Ｆを加えて、分割片Ｑ１を形成する工程と、を備え、基板Ｐに傾斜した面Ｍを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光による基体の製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法、および多層構造基板の製造方法、並びに表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体材料基板、圧電材料基板、ガラス基板などの基板を切断する場合、基板にレーザ光を照射させて、切断・分割する方法があった。
【０００３】
例えば特許文献１に開示されているように、半導体材料基板、圧電材料基板、ガラス基板などの基板を切断・分割する方法では、その切断予定ラインに沿って基板が吸収するレーザ光を照射し、多光子吸収による改質領域部を基板の表面から裏面に向けて形成し、この改質領域部に沿って切断・分割することで分割片を形成する方法が提案されていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、特許文献１の方法では、基板をハンドリングするときの取り扱い時の衝撃力が基板に加わることによって、基板のコーナ部分にチッピング（欠け）が生じてしまうことがあった。特に、半導体材料基板や、ガラス基板などでは、基板の剛性や、厚さなどによっても異なるが、取り扱い時のチッピングが発生しやすく、基板の厚さがより薄くなればなるほどチッピングが多くなる傾向にあった。これら半導体材料基板や、ガラス基板にチッピングが生じてしまうと、チッピングの大きさにもよるが、その基板は、不良になってしまうことがあり、歩留まり低下の要因となってしまうので、基板を切断・分割する上では好ましいとはいえない。
【０００６】
本発明の目的は、基体をハンドリングする時の基体の耐衝撃性を向上させ、基体コーナ部分のチッピングの発生を抑制することによって、歩留まりを向上させることが可能な基体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基体の製造方法は、レーザ光を基体に照射させて分割片を形成する基体の製造方法であって、前記基体の表面に対して前記レーザ光を斜めに照射させて、材料変質部を形成する材料変質部形成工程と、前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備え、前記基体に傾斜した面を形成することを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、基体の表面に対してレーザ光を斜めに照射するから、基体の表面に対して斜めに傾斜した材料変質部を形成することができるので、形成されたこの材料変質部に沿って基体を切断・分割すれば、基体の表面と側面とを結ぶように傾斜した面を形成することができる。基体に傾斜した面を形成することができれば、取り扱い時の衝撃によって発生しやすいチッピングを抑制することができる。
【０００９】
本発明の基体の製造方法は、前記材料変質部形成工程では、前記基体の表面と、前記基体の側面とを通過するように前記レーザ光を照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００１０】
この発明によれば、基体の表面と、基体の側面とを通過するようにレーザ光を照射することで材料変質部を斜めに形成することができるから、基体が薄くなったとしても基体に傾斜した面を形成することができる。
【００１１】
本発明の基体の製造方法は、前記材料変質部形成工程では、前記レーザ光の照射角度を変えて前記レーザ光を複数回照射させて、複数の前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００１２】
この発明によれば、レーザ光の照射角度を変えて基体にレーザ光を複数回照射することで、基体の表面と、側面とを通過するように複数の材料変質部を形成することができる。形成された複数の材料変質部に沿って基体を切断・分割すれば、基体に多角形状の面を形成することができる。基体に多角形状の面を形成することができれば、取り扱い時の衝撃によって発生しやすいチッピングをより抑制することができる。
【００１３】
本発明の基体の製造方法は、前記基体が、前記レーザ光に対して透過性を有する材料で構成されており、前記材料変質部形成工程では、前記基体に前記レーザ光を集光素子で集光して照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００１４】
この発明によれば、レーザ光を集光素子で集光して基体に照射させるから、基体の所定の位置に材料変質部を形成することができる。
【００１５】
本発明の基体の製造方法は、前記材料変質部形成工程では、前記レーザ光が、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザのうちのいずれかであり、前記チタンサファイヤレーザ、または前記ＹＡＧレーザの基本波を照射させて、前記材料変質部を形成すること望ましい。
【００１６】
この発明によれば、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波を基体に照射させると、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波が、基体に対して透過性を有している波長であるので、基体の所定の位置に材料変質部を形成することができる。
【００１７】
本発明の基体の製造方法は、レーザ光を基体に照射させて分割片を形成する基体の製造方法であって、前記基体の表面から裏面に向けて略垂直に前記レーザ光を照射させて、第１の材料変質部を形成する工程と、前記第１の材料変質部に接続するように前記基体の表面に対して斜めに前記レーザ光を照射させて、第２の材料変質部を形成する工程と、前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備え、前記分割片に傾斜した面を形成することを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、基体の表面に対して略直角に形成された第１の材料変質部に接続するように第２の材料変質部を斜めに形成することができるから、第１の材料変質部および第２の材料変質部に沿って基体を分割すれば、傾斜した面を備えた分割片を形成することができる。
【００１９】
本発明の基体の製造方法は、前記分割片を形成する工程では、前記基体に曲げ応力または引っ張り応力のうち、いずれか一方の応力を加えて、前記分割片を形成することが望ましい。
【００２０】
この発明によれば、基体に応力を加えるだけで基体を切断・分割することができるので、分割片を簡単に形成することができる。
【００２１】
本発明のＴＦＴ基板の製造方法は、前述に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、ＴＦＴ基板が、前述に記載の基体の製造方法で形成されているから、チッピングの少ないＴＦＴ基板を製造できる。
【００２３】
本発明の多層構造基板の製造方法は、前述に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、多層構造基板が、前述に記載の基体の製造方法で形成されているから、チッピングの少ない多層構造基板を製造できる。
【００２５】
本発明の表示装置の製造方法は、前述に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、表示装置が、前述に記載の基体の製造方法で形成されているから、チッピングの少ない表示装置を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の基体の製造方法について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。なお、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、本実施形態で使用する基板、および基板内部に材料変質部を形成する形成方法について説明する。
＜基体＞
【００２８】
本実施形態で用いうる基板は、その材料にガラス、石英、水晶、シリコン、などの材料（主に、セラミックス材料）を用いることができる。なお、ここでは、基板材料として石英を用いた。
＜材料変質部の形成方法＞
【００２９】
基板にレーザ光を照射して基板内部に材料変質部を形成する形成方法について説明する。
【００３０】
図１は、レーザ光による改質層としての材料変質部の形成方法を説明するための説明図である。
【００３１】
図１において、基板Ｐの内部にレーザ光４５を集光して照射させて、スキャン方向Ｘ（分割方向）に、レーザ光４５をスキャンする。レーザ光４５は集光素子としてのレンズ４６で集光されるから、基板Ｐの内部に焦点を合わせることができる。スキャン方向Ｘ（分割方向）に、レーザ光４５をスキャンさせると、基板Ｐの内部に改質層としての材料変質部４７を形成できる。なお、レーザ光４５のスキャン方向Ｘにおける移動速度は、１００ｍｍ／ｓｅｃである。基板Ｐの厚さは約２００μｍである。
【００３２】
また、レーザ光４５を１回スキャンさせるだけでは、改質層としての材料変質部４７のできる量が数十μｍであるので、基板Ｐの深さ方向全域に材料変質部４７を形成するためには、レーザ光４５を何回かスキャン方向Ｘ（分割方向）にスキャンさせる必要がある。そして、レーザ光４５をスキャンさせるごとに、集光素子としてのレンズ４６の焦点位置を基板Ｐの下面から上面に向かって上昇させる。ここで、基板Ｐの下面から上面に向けてレーザ光４５の焦点位置を上昇させるのは、先に形成された材料変質部４７によってレーザ光４５が散乱してしまい、基板Ｐの深さ方向全域にわたって材料変質部４７を形成することができなくなることを避けるためである。
【００３３】
（第１実施形態）
本実施形態では、基体の表面から側面に向けてレーザ光を斜めに照射して、基体内部に材料変質部を形成し、基体の外部から応力を加えて基体を切断・分割して分割片を製造する基体の製造方法について説明する。
【００３４】
図２は、本実施形態におけるレーザ加工装置の概略図であり、図３は、レーザ加工装置の制御系のブロック図である。
【００３５】
図２および図３を参照して、レーザ加工装置について説明する。
【００３６】
図２に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光４５を射出するレーザ光源１０１と、レーザ光源１０１から射出されたレーザ光４５を反射する反射板としてのダイクロイックミラー１０２とを、備えている。また、ダイクロイックミラー１０２は、入射したレーザ光４５の光量を反射させる機能を有している。そして、ダイクロイックミラー１０２は、同図に示すように、レーザ光４５が基板Ｐの表面に対して照射できるように配置されている。
【００３７】
レーザ加工装置１００は、ダイクロイックミラー１０２で反射したレーザ光４５を集光する集光素子としてのレンズ４６を備えている。そして、レンズ４６は、同図に示すように、レーザ光４５が基板Ｐの表面に対して照射できるように配置されている。
【００３８】
また、加工対象物である基板Ｐを載置するステージ１０７と、ステージ１０７を集光素子としてのレンズ４６に対して、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向へ移動させるＸ軸スライド部１１０およびＹ軸スライド部１０８を、備えている。
【００３９】
なお、レーザ加工装置１００は、ステージ１０７を任意の角度に傾斜させて基板Ｐを傾斜させる機能を有している（図示省略）。
【００４０】
また、ステージ１０７に載置された基板Ｐに対して集光素子としてのレンズ４６のＺ軸方向の位置を変えてレーザ光４５の集光点の位置を調整するＺ軸スライド機構１０４を備えている。集光素子としてのレンズ４６は、Ｚ軸スライド機構１０４から延びたスライドアーム１０４ａによって支持されている。集光素子としてのレンズ４６は、倍率が５０倍、開口数が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズである。
【００４１】
さらに、レーザ加工装置１００は、ダイクロイックミラー１０２を挟んで集光素子としてのレンズ４６の反対側に位置する撮像装置１１２を備えている。撮像装置１１２は、同軸落射型光源（図示省略）と、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）（図示省略）とが、組み込まれたものである。撮像装置１１２は、画像を撮像することができ、撮像した画像データは、画像処理部１２４に取り込まれるように構成されている。そして、同軸落射型光源（図示省略）から射出した可視光は、集光素子としてのレンズ４６を透過して焦点を結ぶ。
【００４２】
ここで、レーザ光４５は、基板Ｐに対して透過性を有するものが採用される。本実施形態では、レーザ光源１０１から射出されるレーザ光には、半導体レーザを励起するＹＡＧレーザを採用した。ＹＡＧレーザは、ナノ秒のパルス幅で射出するいわゆるナノ秒レーザである。レーザ光４５の詳細な条件は以下のとおりである。レーザ光源１０１は、半導体レーザを励起するものである。レーザ媒質：Ｎｄ：ＹＡＧ。レーザ波長：１０６４ｎｍ。レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8ｃｍ2。発振形態：Ｑスイッチパルス。繰り返し周波数：１００ＫＨｚ。パルス幅：３０ｎｓ。出力：２０μＪ／パルス。レーザ光品質：ＴＥＭ00。偏光特性：直線偏光（Ｃ）。集光用レンズ倍率：５０倍。ＮＡ：０．５５。レーザ光波長に対する透過率：６０％（Ｄ）。移動速度：１００ｍｍ／ｓｅｃである。
【００４３】
ＹＡＧレーザのレーザ波長は、１０６４ｎｍにこだわることはなく、例えばＹＡＧレーザの第２高調波を用いてもよい。第２高調波のレーザ波長は、５３２ｎｍである。また、レーザ光４５は、ＹＡＧレーザでなくてもよく、例えばチタンサファイヤレーザに代表される超短パルスレーザを採用してもよい。超短パルスレーザであるチタンサファイヤレーザを使用すれば、収差の影響でビーム径が多少大きくなったとしても、問題なく内部加工ができ、材料変質部４７（図１参照）を形成することができる。この場合のレーザ光４５の詳細な条件は以下のとおりである。レーザ波長：約８００ｎｍ。パルス幅：約３００ｆｓ（フェムト秒）。パルス周期：１ｋＨｚである。出力：約７００ｍＷである。
【００４４】
レーザ光４５を射出するレーザ光源１０１は、レーザ制御部１２１によって所定の条件で制御されている。
【００４５】
図３に示すように、レーザ加工装置１００（図２参照）は、上記各構成を制御することができるメインコンピュータ１２０を備えている。メインコンピュータ１２０には、ＣＰＵ１２７（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）と、ＲＡＭ１２８（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）と、画像処理部１２４とを、備えている。ＣＰＵ１２７は、加工異常が発生したら、その判定をすることができる機能を有している。ＲＡＭ１２８は、切断予定ラインの座標位置を記憶しておくことができる機能を有している。
【００４６】
メインコンピュータ１２０は、入力部１２５と、表示部１２６と、接続されている。入力部１２５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力することができる。表示部１２６は、レーザ加工時の各種情報を表示することができる。
【００４７】
レーザ制御部１２１は、Ｉ／Ｆ１３１を介して、バッファ１２９によってメインコンピュータ１２０と接続されており、レーザ光源１０１の出力や、パルス幅、パルス周期などを制御することができる。
【００４８】
レンズ制御部１２２は、Ｉ／Ｆ１３１を介して、バッファ１２９によってメインコンピュータ１２０と接続されている。レンズ制御部１２２には、移動距離を検出することが可能な位置センサ（図示省略）が内蔵されている。そして、この位置センサの出力を検出することにより、図２に示すＺ軸スライド機構１０４を駆動して集光素子としてのレンズ４６のＺ軸方向の位置を制御することができる。
【００４９】
ステージ制御部１２３は、Ｉ／Ｆ１３１を介して、バッファ１２９によってメインコンピュータ１２０と接続されている。ステージ制御部１２３は、図２に示すＸ軸スライド部１１０と、Ｙ軸スライド部１０８とを、それぞれレール１１１、１０９（図２参照）に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動することができる。
【００５０】
画像処理部１２４は、撮像装置１１２（図２参照）と接続されている。画像処理部１２４は、撮像装置１１２で取得された画像情報の撮像データに基づいて、集光素子としてのレンズ４６のＺ軸方向の位置を確認することや、集光素子としてのレンズ４６の焦点位置を調整する処理を行うことができる。さらに、画像処理部１２４は、基板Ｐにおける切断予定ラインの位置を確認することや、その位置を調整する処理を行うこともできる。
【００５１】
レーザ加工装置１００は、これら、レーザ制御部１２１と、レンズ制御部１２２と、ステージ制御部１２３と、画像処理部１２４とを、制御することができる制御部としてのメインコンピュータ１２０を備えている。
【００５２】
図４は、本実施形態における基板の図であり、図（ａ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｂ）は、分割片を示す図であり、図（ｃ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図である。図５は、本実施形態における基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャートである。
【００５３】
図４および図５を参照して、基体の製造方法について説明する。より、具体的には、基板の表面に対して材料変質部を基板内部に斜めに形成して、分割片を除去する基板の製造方法について説明する。
【００５４】
図５のステップＳ１では、図４（ａ）に示すように、内部加工を行う（内部加工１）。この内部加工では、レーザ光４５を集光素子としてのレンズ４６で集光して基板Ｐに対して照射して、基板Ｐの内部に材料変質部４７を形成する。照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θは、約４５度である。基板Ｐの表面Ｐｕに照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの側面Ｐｓへ射出される。そして、約４５度傾いた材料変質部４７を形成することができる。なお、ここで射出されるレーザ光４５は、ＹＡＧレーザを採用したナノ秒レーザである。
【００５５】
図５のステップＳ２では、図４（ｂ）に示すように、分割を行う（加圧・分割１）。ここでの分割方法は、基板Ｐの上面側から基板Ｐに対して応力Ｆを加える。基板Ｐの外部から応力Ｆを加える方法としては、例えば材料変質部４７が形成された切断予定ラインに沿って基板Ｐに曲げや、せん断応力を加えることである。また、基板Ｐに温度差を与えることによって熱応力を発生させることでもできる。材料変質部４７を有する基板Ｐに対して外部から応力Ｆを加えると、材料変質部４７に沿って基板Ｐが割れ、分割片Ｑ１を形成することができる。
【００５６】
図５のステップＳ３では、図４（ｃ）に示すように、内部加工を行う（内部加工２）。この内部加工では、基板Ｐを裏返しにして、基板Ｐの裏面Ｐｄに対してレーザ光４５を傾斜させて照射する。基板Ｐの裏面Ｐｄに照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの側面Ｐｓへ射出される。このときの内部加工方法は、図５のステップＳ１と同様であるので説明を省略する。
【００５７】
図５のステップＳ４では、図４（ｄ）に示すように、分割を行う（加圧・分割２）。そして、材料変質部４７に沿って基板Ｐが割れ、分割片Ｑ１を形成することができる。同時に、基板Ｐに面Ｍを形成することができ、この面Ｍは約４５度傾いている。ここでの分割方法は、図５のステップＳ２と同様であるので説明を省略する。
【００５８】
以上のような第１実施形態の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）基体としての基板Ｐの表面Ｐｕに対してレーザ光４５を斜めに照射するから、基板Ｐの表面Ｐｕに対して斜めに傾斜した材料変質部４７を形成することができるので、形成されたこの材料変質部４７に沿って基板Ｐを切断・分割すれば、基板Ｐの表面Ｐｕと側面Ｐｓとを結ぶように傾斜した面Ｍを形成することができる。基板Ｐに傾斜した面Ｍを形成することができれば、取り扱い時の衝撃によって発生しやすいチッピングを抑制することができる。
（２）基板Ｐの表面Ｐｕと側面Ｐｓとを通過するようにレーザ光４５を照射することで材料変質部４７を斜めに形成することができるから、基板Ｐが薄くなったとしても基板Ｐに傾斜した面Ｍを形成することができる。
（３）レーザ光４５を集光素子としてのレンズ４６で集光して基板Ｐに照射させるから、基板Ｐの所定の位置に材料変質部４７を簡単に形成することができる。
（４）チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波を基板Ｐに照射させると、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波が、基板Ｐに対して透過性を有している波長であるので、基板Ｐの所定の位置に材料変質部４７を簡単に形成することができる。
（５）基板Ｐに応力Ｆを加えるだけで基板Ｐを切断・分割することができるので、分割片Ｑ１を簡単に形成することができ、基板Ｐに新たな面Ｍを斜めに形成することができる。
【００５９】
（第２実施形態）
本実施形態では、基体の表面から基体の側面に向けてレーザ光を斜めに複数回照射して、基体内部に材料変質部を複数形成し、基体の外部から応力を加えて基体を切断・分割して、分割片を製造する基体の製造方法について説明する。前述の第１実施形態と異なる点は、レーザ光の照射角度を複数回変えて材料変質部を複数形成したことである。ここで用いるレーザ加工装置は、第１実施形態で採用したものと同じである。なお、前述の第１実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
【００６０】
図６は、本実施形態における基板の図であり、図（ａ）〜図（ｃ）は、レーザ光を照射して複数の材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図である。図７は、本実施形態における基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャートである。
【００６１】
図７のステップＳ１１では、図６（ａ）に示すように、内部加工を行う（内部加工１）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θ１は、約６０度である。表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの側面Ｐｓへ射出される。そして、表面Ｐｕに対して約６０度傾いた材料変質部４７ａを形成する。
【００６２】
図７のステップＳ１２では、図６（ｂ）に示すように、内部加工を行う（内部加工２）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θ２は、約４５度である。表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの側面Ｐｓへ射出される。そして、表面Ｐｕに対して約４５度傾いた材料変質部４７ｂを形成する。なお、このときの内部加工方法は、図７のステップＳ１１と同様であるので説明を省略する。
【００６３】
図７のステップＳ１３では、図６（ｃ）に示すように、内部加工を行う（内部加工３）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θ３は、約３０度である。表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの側面Ｐｓへ射出される。そして、表面Ｐｕに対して約３０度傾いた材料変質部４７ｃを形成する。なお、このときの内部加工方法は、図７のステップＳ１１と同様であるので説明を省略する。以上により、傾きを有する複数の材料変質部４７ａ、４７ｂ、４７ｃを形成することができる。
【００６４】
図７のステップＳ１４では、図６（ｄ）に示すように、分割を行う。ここでの分割方法は、材料変質部４７ａ、４７ｂ、４７ｃが形成された切断予定ラインに沿って外部から応力Ｆを加えると、材料変質部４７ａ、４７ｂ、４７ｃに沿って基板Ｐが割れ、分割片Ｑ１を形成することができる。そして、基板Ｐに多角形状の面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）を形成することができる。ここで、本実施形態では、材料変質部４７ａ、４７ｂ、４７ｃを３箇所形成したが、これにこだわることはなく、レーザ光４５の照射角度を色々な角度に設定して基板Ｐに照射させて、より多く形成してもよい。このようにすれば、より多くの面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、・・・Ｍｎ）を有する基板Ｐを形成することができ、面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、・・・Ｍｎ）を多く形成できれば、チッピングの発生をより低減させることができる。また、レーザ加工装置１００（図２参照）がレーザ光４５の照射角度θを制御できる機能を有しているので、より多くの数量の材料変質部４７（４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、・・・４７ｎ）を形成できることもできるから、例えば材料変質部４７（４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、・・・４７ｎ）を半円状（Ｒ状）に分布させて形成することもできる。材料変質部４７（４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、・・・４７ｎ）を半円状（Ｒ状）に分布させることができれば、半円状（Ｒ状）の面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、・・・Ｍｎ）を有する基板Ｐを形成することもできる。
【００６５】
以上のような第２実施形態の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（６）レーザ光４５の照射角度を変えて基体としての基板Ｐにレーザ光４５を複数回照射することで、基板Ｐの表面Ｐｕと側面Ｐｓとを通過するように複数の材料変質部４７（４７ａ、４７ｂ、４７ｃ）を形成することができる。形成された複数の材料変質部４７（４７ａ、４７ｂ、４７ｃ）に沿って基板Ｐを切断・分割すれば、基板Ｐに多角形状の面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）を形成することができる。基板Ｐに多角形状の面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）を形成することができれば、取り扱い時の衝撃によって発生しやすいチッピングをより抑制することができる。
【００６６】
（第３実施形態）
本実施形態では、基体の表面に対して略直角な方向と、斜め方向との両方向からレーザ光を照射して、基体内部に材料変質部を形成し、基体の外部から応力を加えて基体を切断・分割する基体の製造方法について説明する。前述の第１実施形態および第２実施形態と異なる点は、基体の厚さの全域までレーザ光を照射して第１の材料変質部を形成し、さらに基体の斜め方向からレーザ光を複数回照射して第２の材料変質部を形成したことである。ここで用いるレーザ加工装置は、第１実施形態で採用したものと同じである。なお、前述の第１実施形態および第２実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
【００６７】
図８は、本実施形態における基板の図であり、図（ａ）〜図（ｃ）は、レーザ光を複数回照射して複数の材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図である。図９は、本実施形態における基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャートである。
【００６８】
図９のステップＳ２１では、図８（ａ）に示すように、内部加工を行う（内部加工１）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して略直角に照射され、表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの裏面Ｐｄへ射出される。そして、基板Ｐの表面Ｐｕに対して略直角な方向に第１の材料変質部４７ａを形成する。
【００６９】
図９のステップＳ２２では、図８（ｂ）に示すように、内部加工を行う（内部加工２）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θは、約４５度である。表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの裏面Ｐｄへ射出される。そして、約４５度傾いた第２の材料変質部４７ｂを形成する。同図に示すように、第２の材料変質部４７ｂは２箇所形成される。なお、このときの内部加工方法は、図９のステップＳ２１と同様であるので説明を省略する。
【００７０】
図９のステップＳ２３では、図８（ｃ）に示すように、内部加工を行う（内部加工３）。基板Ｐを裏返しにして、基板Ｐの裏面Ｐｄに対してレーザ光４５を傾斜させて照射する。基板Ｐの裏面Ｐｄに照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕへ射出される。そして、約４５度傾いた第２の材料変質部４７ｂを形成する。このときの内部加工方法は、図９のステップＳ２２と同様であるので説明を省略する。
【００７１】
図９のステップＳ２４では、図８（ｄ）に示すように、分割を行う。ここでの分割方法は、基板Ｐ（図８（ｃ）参照）の上面側から基板Ｐに対して応力Ｆを加える。基板Ｐの外部から応力Ｆを加える方法としては、例えば第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂが形成された切断予定ラインに沿って基板Ｐに曲げや、せん断応力を加えることである。また、基板Ｐに温度差を与えることによって熱応力を発生させることでもできる。第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂを有する基板Ｐに対して外部から応力Ｆを加えると、第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂに沿って基板Ｐが割れ、分割片Ｑ（この場合、２個）と、分割片Ｑ１（この場合、２個）とを、形成することができる。同時に分割片Ｑに面Ｍを形成することができる。
【００７２】
以上のような第３実施形態の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（７）基板Ｐの表面Ｐｕに対して略直角に形成された第１の材料変質部４７ａに接続するように第２の材料変質部４７ｂを斜めに形成することができるから、第１の材料変質部４７ａおよび第２の材料変質部４７ｂに沿って基板Ｐを分割すれば、傾斜した面Ｍを備えた分割片Ｑを形成することができる。分割片Ｑが面Ｍを備えているので、取り扱い時に加わる衝撃力などによって発生しやすいチッピングを抑制することができる。
【００７３】
（第４実施形態）
本実施形態では、基体の表面に対して略直角な方向と、斜め方向との両方向からレーザ光を照射して、基体内部に材料変質部を形成し、基体の外部から応力を加えて基体を切断・分割する基体の製造方法について説明する。前述の第１実施形態や、第２実施形態、第３実施形態と異なる点は、基体の厚さの途中までレーザ光を照射して第１の材料変質部を形成し、さらに基体の斜め方向からレーザ光を複数回照射して第２の材料変質部を形成したことである。ここで用いるレーザ加工装置は、第１実施形態で採用したものと同じである。なお、前述の第１実施形態〜第３実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
【００７４】
図１０は、本実施形態における基板の図であり、図（ａ）、図（ｂ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｃ）は、分割状態を示す概略斜視図である。図１１は、本実施形態における基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャートである。
【００７５】
図１１のステップＳ３１では、図１０（ａ）に示すように、内部加工を行う（内部加工１）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して略直角に照射され、表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの裏面Ｐｄへ射出される。そして、略直角な方向に第１の材料変質部４７ａを形成する。そして、同図に示すように、形成された第１の材料変質部４７ａは、高さＨ２までであり、その高さＨ２は、基板Ｐの厚さＨ１より低くなっている。つまり、第１の材料変質部４７ａは、基板Ｐの厚さの途中まで形成されている。
【００７６】
図１１のステップＳ３２では、図１０（ｂ）に示すように、内部加工を行う（内部加工２）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θは、約４５度である。表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの裏面Ｐｄへ射出される。そして、表面Ｐｕに対して約４５度傾いた第２の材料変質部４７ｂを形成する。同図に示すように、第２の材料変質部４７ｂは２箇所形成されており、第１の材料変質部４７ａに接続するように形成される。なお、このときの内部加工方法は、図１１のステップＳ３１と同様であるので説明を省略する。
【００７７】
図１１のステップＳ３３では、図１０（ｃ）に示すように、分割を行う。ここでの分割方法は、基板Ｐ（図１０（ｂ）参照）の上面側から基板Ｐに対して応力Ｆを加える。基板Ｐの外部から応力Ｆを加える方法としては、例えば第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂが形成された切断予定ラインに沿って基板Ｐに曲げや、せん断応力を加えることである。また、基板Ｐに温度差を与えることによって熱応力を発生させることでもできる。第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂを有する基板Ｐに対して外部から応力Ｆを加えると、第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂに沿って基板Ｐが割れ、分割片Ｑ（この場合、２個）と、分割片Ｑ１（この場合、１個）とを、形成することができる。同時に分割片Ｑにあらたな面Ｍを形成することができる。
【００７８】
以上のような第４実施形態の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（８）基板Ｐの厚さ方向において、第１の材料変質部４７ａを必要最小限の高さＨ２に抑えることができるから、第１の材料変質部４７ａを形成するときの時間短縮を実現することができるので、効率的である。
【００７９】
次に、本発明に係る表示装置としての液晶パネルについて説明する。
【００８０】
図１２は、本実施形態における液晶パネルの構造を示す概略図であり、図（ａ）は、概略平面図であり、図（ｂ）は、図（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図である。
【００８１】
図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、液晶パネル１０は、ＴＦＴ３を有するＴＦＴ基板１と、対向電極６を有する対向基板２と、シール材４によって接着されたＴＦＴ基板１と、対向基板２との隙間に充填された液晶５とを備えている。
【００８２】
ＴＦＴ基板１には、厚さ約１．２ｍｍの石英基板が用いられており、その表面には画素
を構成する画素電極（図示省略）と、複数のトランジスタ素子（図示省略）で構成されて
いるＴＦＴ３とが形成されている。ＴＦＴ３を構成する個々のトランジスタ素子の３端子
のうちの一つは画素電極に接続されており、残りの二つは、画素電極を囲んで互いに絶縁
状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されてい
る。データ線および走査線は、配線パターン１１を介して端子部１ａにおいて駆動回路部９に接続されている。駆動回路部９の入力側配線パターン１２は、端子部１ａに配列形成された実装端子１３に接続されている。なお、ＴＦＴ基板１には本実施形態により形成された面Ｍ（材料変質部４７）を有している。
【００８３】
対向基板２は、対向基板本体２ａ、マイクロレンズ１５およびカバーガラス１６により構成されている。対向基板本体２ａには、厚さ約１．１ｍｍの石英基板が用いられており、ＴＦＴ基板１の画素電極に対向する部分にはマイクロレンズ面２ｂが形成されている。マイクロレンズ１５は、対向基板本体２ａのマイクロレンズ面２ｂに合性樹脂を充填することにより形成したものである。カバーガラス１６には、厚さ約５０μｍの石英基板が用いられており、マイクロレンズ１５を形成している合性樹脂により、対向基板本体２ａに接着されている。なお、対向基板２には本実施形態により形成された面Ｍ（材料変質部４７）を有している。
【００８４】
マイクロレンズ１５は、液晶パネル１０の開口率を向上させる働きをしており、画素電
極とは一対一で対応している。カバーガラス１６は、対向基板本体２ａの全域を覆うこと
により、マイクロレンズ１５を保護している。
【００８５】
対向基板２には、共通電極としての対向電極６が設けられている。対向電極６は、対向
基板２の四隅に設けられた上下導通部１４を介してＴＦＴ基板１側に設けられた配線パタ
ーン（図示省略）と導通しており、当該配線パターンも端子部１ａに設けられた実装端子
１３に接続されている。液晶５に面するＴＦＴ基板１の表面および対向基板２の表面には、それぞれ配向膜７、８が形成されている。
【００８６】
液晶パネル１０は、外部駆動回路（図示省略）と電気的に繋がる中継基板（図示省略）
が実装端子１３に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が駆動回路部９に入
力されることにより、ＴＦＴ３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極
６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００８７】
ＴＦＴ基板１が、本発明の切断・分割方法で製造されており、あらたな面Ｍを有しているので、チッピングを抑制することが可能なＴＦＴ基板１を製造できる。また、ＴＦＴ基板１と、対向基板２とで構成される多層構造基板１７が、本発明の切断・分割方法で製造されており、あらたな面Ｍを有しているので、チッピングを抑制することが可能な多層構造基板１７を製造できる。そして、表示装置としての液晶パネル１０が、前述の多層構造基板１７を備えているので、チッピングを抑制することが可能な表示装置としての液晶パネル１０を提供できる。
【００８８】
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
【００８９】
図１３は、電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図である。
【００９０】
図１３に示すように、液晶表示装置５００は、多層回路基板３０を備えている。そして、液晶表示装置５００は、カラー表示用の液晶パネル１０と、液晶パネル１０に接続される多層回路基板３０と、多層回路基板３０に実装される液晶駆動用ＩＣ３００などで構成されている。なお必要に応じて、バックライト等の照明装置や、その他の付帯機器が、液晶パネル１０に付設される。なお、液晶表示装置５００は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ・Ｏｎ・Ｆｉｌｍ）構造である。
【００９１】
液晶パネル１０は、シール材４によって接着された一対のＴＦＴ基板１および対向基板２を有し、これらのＴＦＴ基板１と、対向基板２との、間に形成される間隙（セルギャップ）に液晶５（図１２（ｂ）参照）が封入され、封入された液晶５（図１２（ｂ）参照）は、ＴＦＴ基板１と、対向基板２とに、よって挟持される。これらのＴＦＴ基板１と、対向基板２とは、一般には透光性材料、例えば石英、ガラス、合成樹脂等によって形成される。ＴＦＴ基板１および対向基板２の外側表面には偏光板５６が貼り付けられている。
【００９２】
また、ＴＦＴ基板１の内側表面には画素電極６６が形成され、対向基板２の内側表面には対向電極６が形成される。これらの画素電極６６、対向電極６は、例えばＩＴＯ（（Ｉｎｄｉｕｍ・Ｔｉｎ・Ｏｘｉｄｅ）：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成される。ＴＦＴ基板１は対向基板２に対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の実装端子１３が形成されている。これらの実装端子１３は、ＴＦＴ基板１上に画素電極６６を形成するときに画素電極６６と同時に形成される。従って、これらの実装端子１３は、例えばＩＴＯによって形成される。これらの実装端子１３には、画素電極６６から一体に延びるもの、および導電材（図示省略）を介して対向電極６に接続されるものが含まれる。
【００９３】
一方、多層回路基板３０の表面には、配線パターン３９ａ、３９ｂが形成されている。すなわち、多層回路基板３０の一方の短辺から中央に向かって入力用配線パターン３９ａが形成され、他方の短辺から中央に向かって出力用配線パターン３９ｂが形成されている。これらの入力用配線パターン３９ａおよび出力用配線パターン３９ｂの中央側の端部には、電極パッド（図示省略）が形成されている。
【００９４】
多層回路基板３０の表面には、液晶駆動用ＩＣ３００が実装されている。具体的には、多層回路基板３０の表面に形成された複数の電極パッド（図示省略）に対して、液晶駆動用ＩＣ３００の能動面に形成された複数のバンプ電極が、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ・Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ・Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）１６０を介して接続されている。このＡＣＦ１６０は、熱可塑性または熱硬化性の接着用樹脂の中に、多数の導電性粒子を分散させることによって形成されている。このように、多層回路基板３０の表面に液晶駆動用ＩＣ３００を実装することにより、いわゆるＣＯＦ構造が実現されている。
【００９５】
そして、液晶駆動用ＩＣ３００を備えた多層回路基板３０が、液晶パネル１０のＴＦＴ基板１に接続されている。具体的には、多層回路基板３０の出力用配線パターン３９ｂが、ＡＣＦ１４０を介して、ＴＦＴ基板１の実装端子１３と電気的に接続されている。なお、多層回路基板３０は可撓性を有するので、自在に折り畳むことによって省スペース化を実現しうるようになっている。
【００９６】
上記のように構成された液晶表示装置５００では、多層回路基板３０の入力用配線パターン３９ａを介して、液晶駆動用ＩＣ３００に信号が入力される。すると、液晶駆動用ＩＣ３００から、多層回路基板３０の出力用配線パターン３９ｂを介して、液晶パネル１０に駆動信号が出力される。これにより、液晶パネル１０において画像表示が行われるようになっている。
【００９７】
液晶表示装置５００は、チッピングを抑制することが可能な表示装置としての液晶パネル１０を備えているので、歩留まりを向上させることが可能で、よりコストの安価な電気光学装置としての液晶表示装置５００を提供することができる。
【００９８】
次に、本発明に係る電気光学装置としての液晶表示装置を搭載した電子機器について説明する。
【００９９】
図１４は、電子機器としての携帯電話の斜視図である。
【０１００】
図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯電話２０００は、上述した液晶表示装置５００を表示手段として搭載している。携帯電話２０００は、表示部２００１を備えている。このように本発明に係る電子機器としての携帯電話２０００は、生産効率の良好な電気光学装置としての液晶表示装置５００を備えることができるので、生産効率の良好な電子機器としての携帯電話２０００を提供できる。また、電子機器としては、携帯電話２０００にこだわることはなく、例えばプリンタ、腕時計、ＮＯＴＥ―ＰＣ、ＰＤＡ、電子ペーパ、と呼ばれる携帯型情報機器、携帯端末機器、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、モニタ直視型のデジタルビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等々の画像表示手段として好適に用いることができる。このようにすれば、電気光学装置としての液晶表示装置５００の用途は広がり、いろいろな電子機器を提供できる。
【０１０１】
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
【０１０２】
（変形例）
前述の第１実施形態で、照射するレーザ光４５の照射角度θを約４５度に設定して基板Ｐの表面Ｐｕに対して照射したが、これに限らない。例えば照射角度θを約４５度より小さく設定してもよいし、大きく設定してもよい。このようにしても基板Ｐの角部（この場合、表面Ｐｕと側面Ｐｓとの角部、および裏面Ｐｄと側面Ｐｓとの角部）に面Ｍを形成することができるので、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】レーザ光による改質層としての材料変質部の形成方法を説明するための説明図。
【図２】第１実施形態におけるレーザ加工装置の概略図。
【図３】レーザ加工装置の制御系のブロック図。
【図４】基板の図であり、図（ａ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｂ）は、分割片を示す図であり、図（ｃ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図。
【図５】基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャート。
【図６】第２実施形態における基板の図であり、図（ａ）〜図（ｃ）は、レーザ光を照射して複数の材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図。
【図７】基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャート。
【図８】第３実施形態における基板の図であり、図（ａ）〜図（ｃ）は、レーザ光を照射して複数の材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図。
【図９】基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャート。
【図１０】第４実施形態における基板の図であり、図（ａ）、図（ｂ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｃ）は、分割状態を示す概略斜視図。
【図１１】基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャート。
【図１２】表示装置としての液晶パネルの構造を示す概略図であり、図（ａ）は、概略平面図であり、図（ｂ）は、図（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図。
【図１３】電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図。
【図１４】電子機器としての携帯電話の斜視図。
【符号の説明】
【０１０４】
１…ＴＦＴ基板、１０…表示装置としての液晶パネル、１７…多層構造基板、４５…レーザ光、４６…集光素子としてのレンズ、４７…改質層としての材料変質部、４７ａ…第１の材料変質部、４７ｂ…第２の材料変質部、１００…レーザ加工装置、１０１…レーザ光源、１０２…反射板としてのダイクロイックミラー、１０７…ステージ、１１２…撮像装置、１２０…制御部としてのメインコンピュータ、１２１…レーザ制御部、１２２…レンズ制御部、１２３…ステージ制御部、５００…電気光学装置としての液晶表示装置、２０００…電子機器としての携帯電話、Ｆ…応力、Ｈ１…基板の厚さ、Ｈ２…第１の材料変質部の高さ、Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）…面、Ｐ…基体としての基板、Ｐｕ…表面、Ｐｄ…裏面、Ｐｓ…側面、Ｑ（Ｑ１）…分割片、θ（θ１、θ２、θ３）…照射角度。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光による基体の製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法、および多層構造基板の製造方法、並びに表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体材料基板、圧電材料基板、ガラス基板などの基板を切断する場合、基板にレーザ光を照射させて、切断・分割する方法があった。
【０００３】
例えば特許文献１に開示されているように、半導体材料基板、圧電材料基板、ガラス基板などの基板を切断・分割する方法では、その切断予定ラインに沿って基板が吸収するレーザ光を照射し、多光子吸収による改質領域部を基板の表面から裏面に向けて形成し、この改質領域部に沿って切断・分割することで分割片を形成する方法が提案されていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、特許文献１の方法では、基板をハンドリングするときの取り扱い時の衝撃力が基板に加わることによって、基板のコーナ部分にチッピング（欠け）が生じてしまうことがあった。特に、半導体材料基板や、ガラス基板などでは、基板の剛性や、厚さなどによっても異なるが、取り扱い時のチッピングが発生しやすく、基板の厚さがより薄くなればなるほどチッピングが多くなる傾向にあった。これら半導体材料基板や、ガラス基板にチッピングが生じてしまうと、チッピングの大きさにもよるが、その基板は、不良になってしまうことがあり、歩留まり低下の要因となってしまうので、基板を切断・分割する上では好ましいとはいえない。
【０００６】
本発明の目的は、基体をハンドリングする時の基体の耐衝撃性を向上させ、基体コーナ部分のチッピングの発生を抑制することによって、歩留まりを向上させることが可能な基体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基体の製造方法は、レーザ光を基体に照射させて分割片を形成する基体の製造方法であって、前記基体の表面に対して前記レーザ光を斜めに照射させて、材料変質部を形成する材料変質部形成工程と、前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備え、前記基体に傾斜した面を形成することを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、基体の表面に対してレーザ光を斜めに照射するから、基体の表面に対して斜めに傾斜した材料変質部を形成することができるので、形成されたこの材料変質部に沿って基体を切断・分割すれば、基体の表面と側面とを結ぶように傾斜した面を形成することができる。基体に傾斜した面を形成することができれば、取り扱い時の衝撃によって発生しやすいチッピングを抑制することができる。
【０００９】
本発明の基体の製造方法は、前記材料変質部形成工程では、前記基体の表面と、前記基体の側面とを通過するように前記レーザ光を照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００１０】
この発明によれば、基体の表面と、基体の側面とを通過するようにレーザ光を照射することで材料変質部を斜めに形成することができるから、基体が薄くなったとしても基体に傾斜した面を形成することができる。
【００１１】
本発明の基体の製造方法は、前記材料変質部形成工程では、前記レーザ光の照射角度を変えて前記レーザ光を複数回照射させて、複数の前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００１２】
この発明によれば、レーザ光の照射角度を変えて基体にレーザ光を複数回照射することで、基体の表面と、側面とを通過するように複数の材料変質部を形成することができる。形成された複数の材料変質部に沿って基体を切断・分割すれば、基体に多角形状の面を形成することができる。基体に多角形状の面を形成することができれば、取り扱い時の衝撃によって発生しやすいチッピングをより抑制することができる。
【００１３】
本発明の基体の製造方法は、前記基体が、前記レーザ光に対して透過性を有する材料で構成されており、前記材料変質部形成工程では、前記基体に前記レーザ光を集光素子で集光して照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００１４】
この発明によれば、レーザ光を集光素子で集光して基体に照射させるから、基体の所定の位置に材料変質部を形成することができる。
【００１５】
本発明の基体の製造方法は、前記材料変質部形成工程では、前記レーザ光が、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザのうちのいずれかであり、前記チタンサファイヤレーザ、または前記ＹＡＧレーザの基本波を照射させて、前記材料変質部を形成すること望ましい。
【００１６】
この発明によれば、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波を基体に照射させると、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波が、基体に対して透過性を有している波長であるので、基体の所定の位置に材料変質部を形成することができる。
【００１７】
本発明の基体の製造方法は、レーザ光を基体に照射させて分割片を形成する基体の製造方法であって、前記基体の表面から裏面に向けて略垂直に前記レーザ光を照射させて、第１の材料変質部を形成する工程と、前記第１の材料変質部に接続するように前記基体の表面に対して斜めに前記レーザ光を照射させて、第２の材料変質部を形成する工程と、前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備え、前記分割片に傾斜した面を形成することを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、基体の表面に対して略直角に形成された第１の材料変質部に接続するように第２の材料変質部を斜めに形成することができるから、第１の材料変質部および第２の材料変質部に沿って基体を分割すれば、傾斜した面を備えた分割片を形成することができる。
【００１９】
本発明の基体の製造方法は、前記分割片を形成する工程では、前記基体に曲げ応力または引っ張り応力のうち、いずれか一方の応力を加えて、前記分割片を形成することが望ましい。
【００２０】
この発明によれば、基体に応力を加えるだけで基体を切断・分割することができるので、分割片を簡単に形成することができる。
【００２１】
本発明のＴＦＴ基板の製造方法は、前述に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、ＴＦＴ基板が、前述に記載の基体の製造方法で形成されているから、チッピングの少ないＴＦＴ基板を製造できる。
【００２３】
本発明の多層構造基板の製造方法は、前述に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、多層構造基板が、前述に記載の基体の製造方法で形成されているから、チッピングの少ない多層構造基板を製造できる。
【００２５】
本発明の表示装置の製造方法は、前述に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、表示装置が、前述に記載の基体の製造方法で形成されているから、チッピングの少ない表示装置を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の基体の製造方法について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。なお、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、本実施形態で使用する基板、および基板内部に材料変質部を形成する形成方法について説明する。
＜基体＞
【００２８】
本実施形態で用いうる基板は、その材料にガラス、石英、水晶、シリコン、などの材料（主に、セラミックス材料）を用いることができる。なお、ここでは、基板材料として石英を用いた。
＜材料変質部の形成方法＞
【００２９】
基板にレーザ光を照射して基板内部に材料変質部を形成する形成方法について説明する。
【００３０】
図１は、レーザ光による改質層としての材料変質部の形成方法を説明するための説明図である。
【００３１】
図１において、基板Ｐの内部にレーザ光４５を集光して照射させて、スキャン方向Ｘ（分割方向）に、レーザ光４５をスキャンする。レーザ光４５は集光素子としてのレンズ４６で集光されるから、基板Ｐの内部に焦点を合わせることができる。スキャン方向Ｘ（分割方向）に、レーザ光４５をスキャンさせると、基板Ｐの内部に改質層としての材料変質部４７を形成できる。なお、レーザ光４５のスキャン方向Ｘにおける移動速度は、１００ｍｍ／ｓｅｃである。基板Ｐの厚さは約２００μｍである。
【００３２】
また、レーザ光４５を１回スキャンさせるだけでは、改質層としての材料変質部４７のできる量が数十μｍであるので、基板Ｐの深さ方向全域に材料変質部４７を形成するためには、レーザ光４５を何回かスキャン方向Ｘ（分割方向）にスキャンさせる必要がある。そして、レーザ光４５をスキャンさせるごとに、集光素子としてのレンズ４６の焦点位置を基板Ｐの下面から上面に向かって上昇させる。ここで、基板Ｐの下面から上面に向けてレーザ光４５の焦点位置を上昇させるのは、先に形成された材料変質部４７によってレーザ光４５が散乱してしまい、基板Ｐの深さ方向全域にわたって材料変質部４７を形成することができなくなることを避けるためである。
【００３３】
（第１実施形態）
本実施形態では、基体の表面から側面に向けてレーザ光を斜めに照射して、基体内部に材料変質部を形成し、基体の外部から応力を加えて基体を切断・分割して分割片を製造する基体の製造方法について説明する。
【００３４】
図２は、本実施形態におけるレーザ加工装置の概略図であり、図３は、レーザ加工装置の制御系のブロック図である。
【００３５】
図２および図３を参照して、レーザ加工装置について説明する。
【００３６】
図２に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光４５を射出するレーザ光源１０１と、レーザ光源１０１から射出されたレーザ光４５を反射する反射板としてのダイクロイックミラー１０２とを、備えている。また、ダイクロイックミラー１０２は、入射したレーザ光４５の光量を反射させる機能を有している。そして、ダイクロイックミラー１０２は、同図に示すように、レーザ光４５が基板Ｐの表面に対して照射できるように配置されている。
【００３７】
レーザ加工装置１００は、ダイクロイックミラー１０２で反射したレーザ光４５を集光する集光素子としてのレンズ４６を備えている。そして、レンズ４６は、同図に示すように、レーザ光４５が基板Ｐの表面に対して照射できるように配置されている。
【００３８】
また、加工対象物である基板Ｐを載置するステージ１０７と、ステージ１０７を集光素子としてのレンズ４６に対して、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向へ移動させるＸ軸スライド部１１０およびＹ軸スライド部１０８を、備えている。
【００３９】
なお、レーザ加工装置１００は、ステージ１０７を任意の角度に傾斜させて基板Ｐを傾斜させる機能を有している（図示省略）。
【００４０】
また、ステージ１０７に載置された基板Ｐに対して集光素子としてのレンズ４６のＺ軸方向の位置を変えてレーザ光４５の集光点の位置を調整するＺ軸スライド機構１０４を備えている。集光素子としてのレンズ４６は、Ｚ軸スライド機構１０４から延びたスライドアーム１０４ａによって支持されている。集光素子としてのレンズ４６は、倍率が５０倍、開口数が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズである。
【００４１】
さらに、レーザ加工装置１００は、ダイクロイックミラー１０２を挟んで集光素子としてのレンズ４６の反対側に位置する撮像装置１１２を備えている。撮像装置１１２は、同軸落射型光源（図示省略）と、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）（図示省略）とが、組み込まれたものである。撮像装置１１２は、画像を撮像することができ、撮像した画像データは、画像処理部１２４に取り込まれるように構成されている。そして、同軸落射型光源（図示省略）から射出した可視光は、集光素子としてのレンズ４６を透過して焦点を結ぶ。
【００４２】
ここで、レーザ光４５は、基板Ｐに対して透過性を有するものが採用される。本実施形態では、レーザ光源１０１から射出されるレーザ光には、半導体レーザを励起するＹＡＧレーザを採用した。ＹＡＧレーザは、ナノ秒のパルス幅で射出するいわゆるナノ秒レーザである。レーザ光４５の詳細な条件は以下のとおりである。レーザ光源１０１は、半導体レーザを励起するものである。レーザ媒質：Ｎｄ：ＹＡＧ。レーザ波長：１０６４ｎｍ。レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8ｃｍ2。発振形態：Ｑスイッチパルス。繰り返し周波数：１００ＫＨｚ。パルス幅：３０ｎｓ。出力：２０μＪ／パルス。レーザ光品質：ＴＥＭ00。偏光特性：直線偏光（Ｃ）。集光用レンズ倍率：５０倍。ＮＡ：０．５５。レーザ光波長に対する透過率：６０％（Ｄ）。移動速度：１００ｍｍ／ｓｅｃである。
【００４３】
ＹＡＧレーザのレーザ波長は、１０６４ｎｍにこだわることはなく、例えばＹＡＧレーザの第２高調波を用いてもよい。第２高調波のレーザ波長は、５３２ｎｍである。また、レーザ光４５は、ＹＡＧレーザでなくてもよく、例えばチタンサファイヤレーザに代表される超短パルスレーザを採用してもよい。超短パルスレーザであるチタンサファイヤレーザを使用すれば、収差の影響でビーム径が多少大きくなったとしても、問題なく内部加工ができ、材料変質部４７（図１参照）を形成することができる。この場合のレーザ光４５の詳細な条件は以下のとおりである。レーザ波長：約８００ｎｍ。パルス幅：約３００ｆｓ（フェムト秒）。パルス周期：１ｋＨｚである。出力：約７００ｍＷである。
【００４４】
レーザ光４５を射出するレーザ光源１０１は、レーザ制御部１２１によって所定の条件で制御されている。
【００４５】
図３に示すように、レーザ加工装置１００（図２参照）は、上記各構成を制御することができるメインコンピュータ１２０を備えている。メインコンピュータ１２０には、ＣＰＵ１２７（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）と、ＲＡＭ１２８（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）と、画像処理部１２４とを、備えている。ＣＰＵ１２７は、加工異常が発生したら、その判定をすることができる機能を有している。ＲＡＭ１２８は、切断予定ラインの座標位置を記憶しておくことができる機能を有している。
【００４６】
メインコンピュータ１２０は、入力部１２５と、表示部１２６と、接続されている。入力部１２５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力することができる。表示部１２６は、レーザ加工時の各種情報を表示することができる。
【００４７】
レーザ制御部１２１は、Ｉ／Ｆ１３１を介して、バッファ１２９によってメインコンピュータ１２０と接続されており、レーザ光源１０１の出力や、パルス幅、パルス周期などを制御することができる。
【００４８】
レンズ制御部１２２は、Ｉ／Ｆ１３１を介して、バッファ１２９によってメインコンピュータ１２０と接続されている。レンズ制御部１２２には、移動距離を検出することが可能な位置センサ（図示省略）が内蔵されている。そして、この位置センサの出力を検出することにより、図２に示すＺ軸スライド機構１０４を駆動して集光素子としてのレンズ４６のＺ軸方向の位置を制御することができる。
【００４９】
ステージ制御部１２３は、Ｉ／Ｆ１３１を介して、バッファ１２９によってメインコンピュータ１２０と接続されている。ステージ制御部１２３は、図２に示すＸ軸スライド部１１０と、Ｙ軸スライド部１０８とを、それぞれレール１１１、１０９（図２参照）に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動することができる。
【００５０】
画像処理部１２４は、撮像装置１１２（図２参照）と接続されている。画像処理部１２４は、撮像装置１１２で取得された画像情報の撮像データに基づいて、集光素子としてのレンズ４６のＺ軸方向の位置を確認することや、集光素子としてのレンズ４６の焦点位置を調整する処理を行うことができる。さらに、画像処理部１２４は、基板Ｐにおける切断予定ラインの位置を確認することや、その位置を調整する処理を行うこともできる。
【００５１】
レーザ加工装置１００は、これら、レーザ制御部１２１と、レンズ制御部１２２と、ステージ制御部１２３と、画像処理部１２４とを、制御することができる制御部としてのメインコンピュータ１２０を備えている。
【００５２】
図４は、本実施形態における基板の図であり、図（ａ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｂ）は、分割片を示す図であり、図（ｃ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図である。図５は、本実施形態における基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャートである。
【００５３】
図４および図５を参照して、基体の製造方法について説明する。より、具体的には、基板の表面に対して材料変質部を基板内部に斜めに形成して、分割片を除去する基板の製造方法について説明する。
【００５４】
図５のステップＳ１では、図４（ａ）に示すように、内部加工を行う（内部加工１）。この内部加工では、レーザ光４５を集光素子としてのレンズ４６で集光して基板Ｐに対して照射して、基板Ｐの内部に材料変質部４７を形成する。照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θは、約４５度である。基板Ｐの表面Ｐｕに照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの側面Ｐｓへ射出される。そして、約４５度傾いた材料変質部４７を形成することができる。なお、ここで射出されるレーザ光４５は、ＹＡＧレーザを採用したナノ秒レーザである。
【００５５】
図５のステップＳ２では、図４（ｂ）に示すように、分割を行う（加圧・分割１）。ここでの分割方法は、基板Ｐの上面側から基板Ｐに対して応力Ｆを加える。基板Ｐの外部から応力Ｆを加える方法としては、例えば材料変質部４７が形成された切断予定ラインに沿って基板Ｐに曲げや、せん断応力を加えることである。また、基板Ｐに温度差を与えることによって熱応力を発生させることでもできる。材料変質部４７を有する基板Ｐに対して外部から応力Ｆを加えると、材料変質部４７に沿って基板Ｐが割れ、分割片Ｑ１を形成することができる。
【００５６】
図５のステップＳ３では、図４（ｃ）に示すように、内部加工を行う（内部加工２）。この内部加工では、基板Ｐを裏返しにして、基板Ｐの裏面Ｐｄに対してレーザ光４５を傾斜させて照射する。基板Ｐの裏面Ｐｄに照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの側面Ｐｓへ射出される。このときの内部加工方法は、図５のステップＳ１と同様であるので説明を省略する。
【００５７】
図５のステップＳ４では、図４（ｄ）に示すように、分割を行う（加圧・分割２）。そして、材料変質部４７に沿って基板Ｐが割れ、分割片Ｑ１を形成することができる。同時に、基板Ｐに面Ｍを形成することができ、この面Ｍは約４５度傾いている。ここでの分割方法は、図５のステップＳ２と同様であるので説明を省略する。
【００５８】
以上のような第１実施形態の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）基体としての基板Ｐの表面Ｐｕに対してレーザ光４５を斜めに照射するから、基板Ｐの表面Ｐｕに対して斜めに傾斜した材料変質部４７を形成することができるので、形成されたこの材料変質部４７に沿って基板Ｐを切断・分割すれば、基板Ｐの表面Ｐｕと側面Ｐｓとを結ぶように傾斜した面Ｍを形成することができる。基板Ｐに傾斜した面Ｍを形成することができれば、取り扱い時の衝撃によって発生しやすいチッピングを抑制することができる。
（２）基板Ｐの表面Ｐｕと側面Ｐｓとを通過するようにレーザ光４５を照射することで材料変質部４７を斜めに形成することができるから、基板Ｐが薄くなったとしても基板Ｐに傾斜した面Ｍを形成することができる。
（３）レーザ光４５を集光素子としてのレンズ４６で集光して基板Ｐに照射させるから、基板Ｐの所定の位置に材料変質部４７を簡単に形成することができる。
（４）チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波を基板Ｐに照射させると、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波が、基板Ｐに対して透過性を有している波長であるので、基板Ｐの所定の位置に材料変質部４７を簡単に形成することができる。
（５）基板Ｐに応力Ｆを加えるだけで基板Ｐを切断・分割することができるので、分割片Ｑ１を簡単に形成することができ、基板Ｐに新たな面Ｍを斜めに形成することができる。
【００５９】
（第２実施形態）
本実施形態では、基体の表面から基体の側面に向けてレーザ光を斜めに複数回照射して、基体内部に材料変質部を複数形成し、基体の外部から応力を加えて基体を切断・分割して、分割片を製造する基体の製造方法について説明する。前述の第１実施形態と異なる点は、レーザ光の照射角度を複数回変えて材料変質部を複数形成したことである。ここで用いるレーザ加工装置は、第１実施形態で採用したものと同じである。なお、前述の第１実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
【００６０】
図６は、本実施形態における基板の図であり、図（ａ）〜図（ｃ）は、レーザ光を照射して複数の材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図である。図７は、本実施形態における基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャートである。
【００６１】
図７のステップＳ１１では、図６（ａ）に示すように、内部加工を行う（内部加工１）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θ１は、約６０度である。表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの側面Ｐｓへ射出される。そして、表面Ｐｕに対して約６０度傾いた材料変質部４７ａを形成する。
【００６２】
図７のステップＳ１２では、図６（ｂ）に示すように、内部加工を行う（内部加工２）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θ２は、約４５度である。表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの側面Ｐｓへ射出される。そして、表面Ｐｕに対して約４５度傾いた材料変質部４７ｂを形成する。なお、このときの内部加工方法は、図７のステップＳ１１と同様であるので説明を省略する。
【００６３】
図７のステップＳ１３では、図６（ｃ）に示すように、内部加工を行う（内部加工３）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θ３は、約３０度である。表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの側面Ｐｓへ射出される。そして、表面Ｐｕに対して約３０度傾いた材料変質部４７ｃを形成する。なお、このときの内部加工方法は、図７のステップＳ１１と同様であるので説明を省略する。以上により、傾きを有する複数の材料変質部４７ａ、４７ｂ、４７ｃを形成することができる。
【００６４】
図７のステップＳ１４では、図６（ｄ）に示すように、分割を行う。ここでの分割方法は、材料変質部４７ａ、４７ｂ、４７ｃが形成された切断予定ラインに沿って外部から応力Ｆを加えると、材料変質部４７ａ、４７ｂ、４７ｃに沿って基板Ｐが割れ、分割片Ｑ１を形成することができる。そして、基板Ｐに多角形状の面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）を形成することができる。ここで、本実施形態では、材料変質部４７ａ、４７ｂ、４７ｃを３箇所形成したが、これにこだわることはなく、レーザ光４５の照射角度を色々な角度に設定して基板Ｐに照射させて、より多く形成してもよい。このようにすれば、より多くの面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、・・・Ｍｎ）を有する基板Ｐを形成することができ、面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、・・・Ｍｎ）を多く形成できれば、チッピングの発生をより低減させることができる。また、レーザ加工装置１００（図２参照）がレーザ光４５の照射角度θを制御できる機能を有しているので、より多くの数量の材料変質部４７（４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、・・・４７ｎ）を形成できることもできるから、例えば材料変質部４７（４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、・・・４７ｎ）を半円状（Ｒ状）に分布させて形成することもできる。材料変質部４７（４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、・・・４７ｎ）を半円状（Ｒ状）に分布させることができれば、半円状（Ｒ状）の面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、・・・Ｍｎ）を有する基板Ｐを形成することもできる。
【００６５】
以上のような第２実施形態の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（６）レーザ光４５の照射角度を変えて基体としての基板Ｐにレーザ光４５を複数回照射することで、基板Ｐの表面Ｐｕと側面Ｐｓとを通過するように複数の材料変質部４７（４７ａ、４７ｂ、４７ｃ）を形成することができる。形成された複数の材料変質部４７（４７ａ、４７ｂ、４７ｃ）に沿って基板Ｐを切断・分割すれば、基板Ｐに多角形状の面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）を形成することができる。基板Ｐに多角形状の面Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）を形成することができれば、取り扱い時の衝撃によって発生しやすいチッピングをより抑制することができる。
【００６６】
（第３実施形態）
本実施形態では、基体の表面に対して略直角な方向と、斜め方向との両方向からレーザ光を照射して、基体内部に材料変質部を形成し、基体の外部から応力を加えて基体を切断・分割する基体の製造方法について説明する。前述の第１実施形態および第２実施形態と異なる点は、基体の厚さの全域までレーザ光を照射して第１の材料変質部を形成し、さらに基体の斜め方向からレーザ光を複数回照射して第２の材料変質部を形成したことである。ここで用いるレーザ加工装置は、第１実施形態で採用したものと同じである。なお、前述の第１実施形態および第２実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
【００６７】
図８は、本実施形態における基板の図であり、図（ａ）〜図（ｃ）は、レーザ光を複数回照射して複数の材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図である。図９は、本実施形態における基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャートである。
【００６８】
図９のステップＳ２１では、図８（ａ）に示すように、内部加工を行う（内部加工１）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して略直角に照射され、表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの裏面Ｐｄへ射出される。そして、基板Ｐの表面Ｐｕに対して略直角な方向に第１の材料変質部４７ａを形成する。
【００６９】
図９のステップＳ２２では、図８（ｂ）に示すように、内部加工を行う（内部加工２）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θは、約４５度である。表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの裏面Ｐｄへ射出される。そして、約４５度傾いた第２の材料変質部４７ｂを形成する。同図に示すように、第２の材料変質部４７ｂは２箇所形成される。なお、このときの内部加工方法は、図９のステップＳ２１と同様であるので説明を省略する。
【００７０】
図９のステップＳ２３では、図８（ｃ）に示すように、内部加工を行う（内部加工３）。基板Ｐを裏返しにして、基板Ｐの裏面Ｐｄに対してレーザ光４５を傾斜させて照射する。基板Ｐの裏面Ｐｄに照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕへ射出される。そして、約４５度傾いた第２の材料変質部４７ｂを形成する。このときの内部加工方法は、図９のステップＳ２２と同様であるので説明を省略する。
【００７１】
図９のステップＳ２４では、図８（ｄ）に示すように、分割を行う。ここでの分割方法は、基板Ｐ（図８（ｃ）参照）の上面側から基板Ｐに対して応力Ｆを加える。基板Ｐの外部から応力Ｆを加える方法としては、例えば第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂが形成された切断予定ラインに沿って基板Ｐに曲げや、せん断応力を加えることである。また、基板Ｐに温度差を与えることによって熱応力を発生させることでもできる。第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂを有する基板Ｐに対して外部から応力Ｆを加えると、第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂに沿って基板Ｐが割れ、分割片Ｑ（この場合、２個）と、分割片Ｑ１（この場合、２個）とを、形成することができる。同時に分割片Ｑに面Ｍを形成することができる。
【００７２】
以上のような第３実施形態の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（７）基板Ｐの表面Ｐｕに対して略直角に形成された第１の材料変質部４７ａに接続するように第２の材料変質部４７ｂを斜めに形成することができるから、第１の材料変質部４７ａおよび第２の材料変質部４７ｂに沿って基板Ｐを分割すれば、傾斜した面Ｍを備えた分割片Ｑを形成することができる。分割片Ｑが面Ｍを備えているので、取り扱い時に加わる衝撃力などによって発生しやすいチッピングを抑制することができる。
【００７３】
（第４実施形態）
本実施形態では、基体の表面に対して略直角な方向と、斜め方向との両方向からレーザ光を照射して、基体内部に材料変質部を形成し、基体の外部から応力を加えて基体を切断・分割する基体の製造方法について説明する。前述の第１実施形態や、第２実施形態、第３実施形態と異なる点は、基体の厚さの途中までレーザ光を照射して第１の材料変質部を形成し、さらに基体の斜め方向からレーザ光を複数回照射して第２の材料変質部を形成したことである。ここで用いるレーザ加工装置は、第１実施形態で採用したものと同じである。なお、前述の第１実施形態〜第３実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
【００７４】
図１０は、本実施形態における基板の図であり、図（ａ）、図（ｂ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｃ）は、分割状態を示す概略斜視図である。図１１は、本実施形態における基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャートである。
【００７５】
図１１のステップＳ３１では、図１０（ａ）に示すように、内部加工を行う（内部加工１）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して略直角に照射され、表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの裏面Ｐｄへ射出される。そして、略直角な方向に第１の材料変質部４７ａを形成する。そして、同図に示すように、形成された第１の材料変質部４７ａは、高さＨ２までであり、その高さＨ２は、基板Ｐの厚さＨ１より低くなっている。つまり、第１の材料変質部４７ａは、基板Ｐの厚さの途中まで形成されている。
【００７６】
図１１のステップＳ３２では、図１０（ｂ）に示すように、内部加工を行う（内部加工２）。この内部加工で照射するレーザ光４５は、基板Ｐの表面Ｐｕに対して傾斜させて照射され、その照射角度θは、約４５度である。表面Ｐｕに対して照射されたレーザ光４５は、基板Ｐの裏面Ｐｄへ射出される。そして、表面Ｐｕに対して約４５度傾いた第２の材料変質部４７ｂを形成する。同図に示すように、第２の材料変質部４７ｂは２箇所形成されており、第１の材料変質部４７ａに接続するように形成される。なお、このときの内部加工方法は、図１１のステップＳ３１と同様であるので説明を省略する。
【００７７】
図１１のステップＳ３３では、図１０（ｃ）に示すように、分割を行う。ここでの分割方法は、基板Ｐ（図１０（ｂ）参照）の上面側から基板Ｐに対して応力Ｆを加える。基板Ｐの外部から応力Ｆを加える方法としては、例えば第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂが形成された切断予定ラインに沿って基板Ｐに曲げや、せん断応力を加えることである。また、基板Ｐに温度差を与えることによって熱応力を発生させることでもできる。第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂを有する基板Ｐに対して外部から応力Ｆを加えると、第１の材料変質部４７ａ、第２の材料変質部４７ｂに沿って基板Ｐが割れ、分割片Ｑ（この場合、２個）と、分割片Ｑ１（この場合、１個）とを、形成することができる。同時に分割片Ｑにあらたな面Ｍを形成することができる。
【００７８】
以上のような第４実施形態の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（８）基板Ｐの厚さ方向において、第１の材料変質部４７ａを必要最小限の高さＨ２に抑えることができるから、第１の材料変質部４７ａを形成するときの時間短縮を実現することができるので、効率的である。
【００７９】
次に、本発明に係る表示装置としての液晶パネルについて説明する。
【００８０】
図１２は、本実施形態における液晶パネルの構造を示す概略図であり、図（ａ）は、概略平面図であり、図（ｂ）は、図（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図である。
【００８１】
図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、液晶パネル１０は、ＴＦＴ３を有するＴＦＴ基板１と、対向電極６を有する対向基板２と、シール材４によって接着されたＴＦＴ基板１と、対向基板２との隙間に充填された液晶５とを備えている。
【００８２】
ＴＦＴ基板１には、厚さ約１．２ｍｍの石英基板が用いられており、その表面には画素
を構成する画素電極（図示省略）と、複数のトランジスタ素子（図示省略）で構成されて
いるＴＦＴ３とが形成されている。ＴＦＴ３を構成する個々のトランジスタ素子の３端子
のうちの一つは画素電極に接続されており、残りの二つは、画素電極を囲んで互いに絶縁
状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されてい
る。データ線および走査線は、配線パターン１１を介して端子部１ａにおいて駆動回路部９に接続されている。駆動回路部９の入力側配線パターン１２は、端子部１ａに配列形成された実装端子１３に接続されている。なお、ＴＦＴ基板１には本実施形態により形成された面Ｍ（材料変質部４７）を有している。
【００８３】
対向基板２は、対向基板本体２ａ、マイクロレンズ１５およびカバーガラス１６により構成されている。対向基板本体２ａには、厚さ約１．１ｍｍの石英基板が用いられており、ＴＦＴ基板１の画素電極に対向する部分にはマイクロレンズ面２ｂが形成されている。マイクロレンズ１５は、対向基板本体２ａのマイクロレンズ面２ｂに合性樹脂を充填することにより形成したものである。カバーガラス１６には、厚さ約５０μｍの石英基板が用いられており、マイクロレンズ１５を形成している合性樹脂により、対向基板本体２ａに接着されている。なお、対向基板２には本実施形態により形成された面Ｍ（材料変質部４７）を有している。
【００８４】
マイクロレンズ１５は、液晶パネル１０の開口率を向上させる働きをしており、画素電
極とは一対一で対応している。カバーガラス１６は、対向基板本体２ａの全域を覆うこと
により、マイクロレンズ１５を保護している。
【００８５】
対向基板２には、共通電極としての対向電極６が設けられている。対向電極６は、対向
基板２の四隅に設けられた上下導通部１４を介してＴＦＴ基板１側に設けられた配線パタ
ーン（図示省略）と導通しており、当該配線パターンも端子部１ａに設けられた実装端子
１３に接続されている。液晶５に面するＴＦＴ基板１の表面および対向基板２の表面には、それぞれ配向膜７、８が形成されている。
【００８６】
液晶パネル１０は、外部駆動回路（図示省略）と電気的に繋がる中継基板（図示省略）
が実装端子１３に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が駆動回路部９に入
力されることにより、ＴＦＴ３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極
６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００８７】
ＴＦＴ基板１が、本発明の切断・分割方法で製造されており、あらたな面Ｍを有しているので、チッピングを抑制することが可能なＴＦＴ基板１を製造できる。また、ＴＦＴ基板１と、対向基板２とで構成される多層構造基板１７が、本発明の切断・分割方法で製造されており、あらたな面Ｍを有しているので、チッピングを抑制することが可能な多層構造基板１７を製造できる。そして、表示装置としての液晶パネル１０が、前述の多層構造基板１７を備えているので、チッピングを抑制することが可能な表示装置としての液晶パネル１０を提供できる。
【００８８】
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
【００８９】
図１３は、電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図である。
【００９０】
図１３に示すように、液晶表示装置５００は、多層回路基板３０を備えている。そして、液晶表示装置５００は、カラー表示用の液晶パネル１０と、液晶パネル１０に接続される多層回路基板３０と、多層回路基板３０に実装される液晶駆動用ＩＣ３００などで構成されている。なお必要に応じて、バックライト等の照明装置や、その他の付帯機器が、液晶パネル１０に付設される。なお、液晶表示装置５００は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ・Ｏｎ・Ｆｉｌｍ）構造である。
【００９１】
液晶パネル１０は、シール材４によって接着された一対のＴＦＴ基板１および対向基板２を有し、これらのＴＦＴ基板１と、対向基板２との、間に形成される間隙（セルギャップ）に液晶５（図１２（ｂ）参照）が封入され、封入された液晶５（図１２（ｂ）参照）は、ＴＦＴ基板１と、対向基板２とに、よって挟持される。これらのＴＦＴ基板１と、対向基板２とは、一般には透光性材料、例えば石英、ガラス、合成樹脂等によって形成される。ＴＦＴ基板１および対向基板２の外側表面には偏光板５６が貼り付けられている。
【００９２】
また、ＴＦＴ基板１の内側表面には画素電極６６が形成され、対向基板２の内側表面には対向電極６が形成される。これらの画素電極６６、対向電極６は、例えばＩＴＯ（（Ｉｎｄｉｕｍ・Ｔｉｎ・Ｏｘｉｄｅ）：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成される。ＴＦＴ基板１は対向基板２に対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の実装端子１３が形成されている。これらの実装端子１３は、ＴＦＴ基板１上に画素電極６６を形成するときに画素電極６６と同時に形成される。従って、これらの実装端子１３は、例えばＩＴＯによって形成される。これらの実装端子１３には、画素電極６６から一体に延びるもの、および導電材（図示省略）を介して対向電極６に接続されるものが含まれる。
【００９３】
一方、多層回路基板３０の表面には、配線パターン３９ａ、３９ｂが形成されている。すなわち、多層回路基板３０の一方の短辺から中央に向かって入力用配線パターン３９ａが形成され、他方の短辺から中央に向かって出力用配線パターン３９ｂが形成されている。これらの入力用配線パターン３９ａおよび出力用配線パターン３９ｂの中央側の端部には、電極パッド（図示省略）が形成されている。
【００９４】
多層回路基板３０の表面には、液晶駆動用ＩＣ３００が実装されている。具体的には、多層回路基板３０の表面に形成された複数の電極パッド（図示省略）に対して、液晶駆動用ＩＣ３００の能動面に形成された複数のバンプ電極が、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ・Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ・Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）１６０を介して接続されている。このＡＣＦ１６０は、熱可塑性または熱硬化性の接着用樹脂の中に、多数の導電性粒子を分散させることによって形成されている。このように、多層回路基板３０の表面に液晶駆動用ＩＣ３００を実装することにより、いわゆるＣＯＦ構造が実現されている。
【００９５】
そして、液晶駆動用ＩＣ３００を備えた多層回路基板３０が、液晶パネル１０のＴＦＴ基板１に接続されている。具体的には、多層回路基板３０の出力用配線パターン３９ｂが、ＡＣＦ１４０を介して、ＴＦＴ基板１の実装端子１３と電気的に接続されている。なお、多層回路基板３０は可撓性を有するので、自在に折り畳むことによって省スペース化を実現しうるようになっている。
【００９６】
上記のように構成された液晶表示装置５００では、多層回路基板３０の入力用配線パターン３９ａを介して、液晶駆動用ＩＣ３００に信号が入力される。すると、液晶駆動用ＩＣ３００から、多層回路基板３０の出力用配線パターン３９ｂを介して、液晶パネル１０に駆動信号が出力される。これにより、液晶パネル１０において画像表示が行われるようになっている。
【００９７】
液晶表示装置５００は、チッピングを抑制することが可能な表示装置としての液晶パネル１０を備えているので、歩留まりを向上させることが可能で、よりコストの安価な電気光学装置としての液晶表示装置５００を提供することができる。
【００９８】
次に、本発明に係る電気光学装置としての液晶表示装置を搭載した電子機器について説明する。
【００９９】
図１４は、電子機器としての携帯電話の斜視図である。
【０１００】
図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯電話２０００は、上述した液晶表示装置５００を表示手段として搭載している。携帯電話２０００は、表示部２００１を備えている。このように本発明に係る電子機器としての携帯電話２０００は、生産効率の良好な電気光学装置としての液晶表示装置５００を備えることができるので、生産効率の良好な電子機器としての携帯電話２０００を提供できる。また、電子機器としては、携帯電話２０００にこだわることはなく、例えばプリンタ、腕時計、ＮＯＴＥ―ＰＣ、ＰＤＡ、電子ペーパ、と呼ばれる携帯型情報機器、携帯端末機器、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、モニタ直視型のデジタルビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等々の画像表示手段として好適に用いることができる。このようにすれば、電気光学装置としての液晶表示装置５００の用途は広がり、いろいろな電子機器を提供できる。
【０１０１】
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
【０１０２】
（変形例）
前述の第１実施形態で、照射するレーザ光４５の照射角度θを約４５度に設定して基板Ｐの表面Ｐｕに対して照射したが、これに限らない。例えば照射角度θを約４５度より小さく設定してもよいし、大きく設定してもよい。このようにしても基板Ｐの角部（この場合、表面Ｐｕと側面Ｐｓとの角部、および裏面Ｐｄと側面Ｐｓとの角部）に面Ｍを形成することができるので、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】レーザ光による改質層としての材料変質部の形成方法を説明するための説明図。
【図２】第１実施形態におけるレーザ加工装置の概略図。
【図３】レーザ加工装置の制御系のブロック図。
【図４】基板の図であり、図（ａ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｂ）は、分割片を示す図であり、図（ｃ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図。
【図５】基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャート。
【図６】第２実施形態における基板の図であり、図（ａ）〜図（ｃ）は、レーザ光を照射して複数の材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図。
【図７】基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャート。
【図８】第３実施形態における基板の図であり、図（ａ）〜図（ｃ）は、レーザ光を照射して複数の材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｄ）は、分割状態を示す概略斜視図。
【図９】基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャート。
【図１０】第４実施形態における基板の図であり、図（ａ）、図（ｂ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｃ）は、分割状態を示す概略斜視図。
【図１１】基板を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャート。
【図１２】表示装置としての液晶パネルの構造を示す概略図であり、図（ａ）は、概略平面図であり、図（ｂ）は、図（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図。
【図１３】電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図。
【図１４】電子機器としての携帯電話の斜視図。
【符号の説明】
【０１０４】
１…ＴＦＴ基板、１０…表示装置としての液晶パネル、１７…多層構造基板、４５…レーザ光、４６…集光素子としてのレンズ、４７…改質層としての材料変質部、４７ａ…第１の材料変質部、４７ｂ…第２の材料変質部、１００…レーザ加工装置、１０１…レーザ光源、１０２…反射板としてのダイクロイックミラー、１０７…ステージ、１１２…撮像装置、１２０…制御部としてのメインコンピュータ、１２１…レーザ制御部、１２２…レンズ制御部、１２３…ステージ制御部、５００…電気光学装置としての液晶表示装置、２０００…電子機器としての携帯電話、Ｆ…応力、Ｈ１…基板の厚さ、Ｈ２…第１の材料変質部の高さ、Ｍ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）…面、Ｐ…基体としての基板、Ｐｕ…表面、Ｐｄ…裏面、Ｐｓ…側面、Ｑ（Ｑ１）…分割片、θ（θ１、θ２、θ３）…照射角度。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を基体に照射させて分割片を形成する基体の製造方法であって、
前記基体の表面に対して前記レーザ光を斜めに照射させて、材料変質部を形成する材料変質部形成工程と、
前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備え、
前記基体に傾斜した面を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基体の製造方法において、
前記材料変質部形成工程では、
前記基体の表面と、前記基体の側面とを通過するように前記レーザ光を斜めに照射させて、前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基体の製造方法において
前記材料変質部形成工程では、
前記レーザ光の照射角度を変えて前記レーザ光を複数回照射させて、複数の前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記基体が、前記レーザ光に対して透過性を有する材料で構成されており、
前記材料変質部形成工程では、
前記基体に前記レーザ光を集光素子で集光して照射させて、前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記材料変質部形成工程では、
前記レーザ光が、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザのうちのいずれかであり、
前記チタンサファイヤレーザ、または前記ＹＡＧレーザの基本波を照射させて、前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項６】
レーザ光を基体に照射させて分割片を形成する基体の製造方法であって、
前記基体の表面から裏面に向けて略垂直に前記レーザ光を照射させて、第１の材料変質部を形成する工程と、
前記第１の材料変質部に接続するように前記基体の表面に対して斜めに前記レーザ光を照射させて、第２の材料変質部を形成する工程と、
前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備え、
前記分割片に傾斜した面を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記分割片を形成する工程では、
前記基体に曲げ応力または引っ張り応力のうち、いずれか一方の応力を加えて、前記分割片を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とする多層構造基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１】
レーザ光を基体に照射させて分割片を形成する基体の製造方法であって、
前記基体の表面に対して前記レーザ光を斜めに照射させて、材料変質部を形成する材料変質部形成工程と、
前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備え、
前記基体に傾斜した面を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基体の製造方法において、
前記材料変質部形成工程では、
前記基体の表面と、前記基体の側面とを通過するように前記レーザ光を斜めに照射させて、前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基体の製造方法において
前記材料変質部形成工程では、
前記レーザ光の照射角度を変えて前記レーザ光を複数回照射させて、複数の前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記基体が、前記レーザ光に対して透過性を有する材料で構成されており、
前記材料変質部形成工程では、
前記基体に前記レーザ光を集光素子で集光して照射させて、前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記材料変質部形成工程では、
前記レーザ光が、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザのうちのいずれかであり、
前記チタンサファイヤレーザ、または前記ＹＡＧレーザの基本波を照射させて、前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項６】
レーザ光を基体に照射させて分割片を形成する基体の製造方法であって、
前記基体の表面から裏面に向けて略垂直に前記レーザ光を照射させて、第１の材料変質部を形成する工程と、
前記第１の材料変質部に接続するように前記基体の表面に対して斜めに前記レーザ光を照射させて、第２の材料変質部を形成する工程と、
前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備え、
前記分割片に傾斜した面を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記分割片を形成する工程では、
前記基体に曲げ応力または引っ張り応力のうち、いずれか一方の応力を加えて、前記分割片を形成することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とする多層構造基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の基体の製造方法で形成されていることを特徴とする表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００８−１８５４７（Ｐ２００８−１８５４７Ａ）
【公開日】平成２０年１月３１日（２００８．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１９００８５（Ｐ２００６−１９００８５）
【出願日】平成１８年７月１１日（２００６．７．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月３１日（２００８．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月１１日（２００６．７．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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