基板搬送装置
【課題】被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置であって、特に、浮上搬送される前記基板の下面に帯電している電荷を除去する。
【解決手段】浮上ステージ２Ａ，２Ｃは、ガス噴射孔２ａに隣設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気するガス抜き孔１６と、前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段１７とを備え、前記イオン発生手段は、所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極１８と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブル２０とを有し、前記針電極は前記ガス噴射孔の中に配置され、前記給電ケーブルは前記ガス抜き孔から前記浮上ステージ外へ引き出される。
【解決手段】浮上ステージ２Ａ，２Ｃは、ガス噴射孔２ａに隣設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気するガス抜き孔１６と、前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段１７とを備え、前記イオン発生手段は、所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極１８と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブル２０とを有し、前記針電極は前記ガス噴射孔の中に配置され、前記給電ケーブルは前記ガス抜き孔から前記浮上ステージ外へ引き出される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造においては、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成することが行われている。
具体的には、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するものである。
【０００３】
ところで近年、このフォトリソグラフィ工程では、スループット向上の目的により、被処理基板を略水平姿勢の状態で搬送しながら、その被処理面に対しレジストの塗布、乾燥、加熱、冷却処理等の各処理を施す構成が多く採用されている。
前記基板搬送の構成としては、基板支持部材のレジスト塗布面への転写を防止するため、基板を略水平姿勢の状態で所定の高さに浮上させ、基板搬送方向に搬送する浮上搬送が注目されている。
【０００４】
この浮上搬送を用いた基板搬送装置は、例えばレジスト塗布処理装置に採用されている。その一般的な構成について図１３に基づいて説明する。
例えば、図１３の基板搬送装置２００は、被処理基板であるＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ基板）Ｇを浮上搬送するための浮上ステージ２０１と、浮上ステージ２０１の左右両側に敷設された一対のレール２０２と、基板Ｇの左右両側を保持し、レール２０２上をスライド移動するスライダ２０３とを備えている。
【０００５】
また、浮上ステージ２０１上で浮上搬送されるＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル２０４を備え、このレジストノズル２０４には、基板幅方向に長いスリット状の吐出口（図示せず）が設けられている。
また、浮上ステージ２０１の前段及び後段には、複数の搬送コロ２０６，２０７が回転可能に設けられ、基板Ｇは搬送コロ２０６によって浮上ステージ２０１に搬入され、浮上搬送後の基板Ｇは前記搬送コロ２０７によって搬出される構成となされている。
【０００６】
また、浮上ステージ２０１の上面には、上方（Ｚ方向）に向かって不活性ガスを噴射するための多数のガス噴射孔２０１ａと、吸気を行うための多数の吸気孔２０１ｂとが夫々、Ｘ方向とＹ方向に一定間隔で交互に設けられている。そして、ガス噴射孔２０１ａから噴射されるガス噴射量と吸気孔２０１ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、基板Ｇを浮上ステージ２０１の表面から一定の高さに浮上させるように構成されている。
【０００７】
この構成により、レジスト液の塗布処理に際しては、浮上ステージ２０１上の基板Ｇは、レール２０２上をスライド移動するスライダ２０３により左右両端が保持され、Ｘ軸方向に移動する。そして、基板Ｇがレジストノズル２０４の下方を移動する際、スリット状の吐出口（図示せず）よりレジスト液が帯状に供給され、レジスト液が基板Ｇに塗布される。
【０００８】
ところで、この基板搬送装置２００において、浮上ステージ２０１に搬入された基板Ｇにあっては、浮上する基板Ｇの下面と浮上ステージ２０１の上面とを一対の極板として、その間に静電容量が形成される。
このため、前記レジスト液を基板Ｇ上に塗布する際、レジスト液が基板Ｇに接触することによって生じた電荷が基板Ｇに帯電しやすく、基板Ｇに塵埃等が付着したり、配線パターンが破損する虞があった。
【０００９】
このような課題に対し、従来は、図示するように浮上ステージ２０１の後端部上方に、棒状のイオナイザ（イオン発生器）２０８を配置し、下方を搬送される帯電した基板に対しイオンを供給し、帯電を中和させて除電するようになされている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１１−２９３１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、浮上ステージ２０１上の基板Ｇには、前記したレジスト液の塗布中に生じた帯電だけではなく、浮上ステージ２０１への搬入前において搬送コロ２０６との接触により生じた電荷が基板Ｇの下面に帯電する。
しかしながら、図１３に示す構成にあっては、基板Ｇの上面に対してイオンを供給するものであるため、基板Ｇの下面に帯電した電荷は除去することができなかった。
このため、基板Ｇは、帯電が残った状態で搬送コロ２０７に搬出され、その後端部が浮上ステージ上から搬送コロに移動する瞬間に、基板とステージとの間に形成された静電容量が突然に無くなり（急激に減少し）、基板電圧が突発的に上昇することがあった。そして、基板電圧が突発的に上昇すると、除電されずに残留していた電荷が放電され、それが配線パターンの破損や断線等の原因となるという課題があった。
【００１２】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置であって、特に、浮上搬送される前記基板の下面に帯電している電荷を除去することのできる基板搬送装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送装置は、基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、前記浮上ステージは、前記ガス噴射孔に隣設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気するガス抜き孔と、前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備え、前記イオン発生手段は、所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルとを有し、前記針電極は前記ガス噴射孔の中に配置され、前記給電ケーブルは前記ガス抜き孔から前記浮上ステージ外へ引き出されることに特徴を有する。
このように構成することにより、放電針の周りに発生したイオンをガス噴射孔から噴射したガスと共に基板下面に吹き付けることができる。このため、浮上ステージに搬入された基板の下面に帯電している電荷をステージ搬送の間に除電することができる。
【００１４】
また、前記イオン発生手段は、一端から前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、他端部から前記給電ケーブルが引き出された電極保持部を有し、前記浮上ステージにおいて、前記イオン発生手段が設けられる前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間には溝部が形成され、前記電極保持部が前記溝部に嵌合し、前記浮上ステージの上面と前記電極保持部の上面とが面一となされることが望ましい。
このように前記浮上ステージの上面と前記電極保持部の上面とが面一となされることにより、ガス噴射孔から噴射されたガスの乱流発生を抑制することができる。
【００１５】
或いは、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送装置は、基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、前記浮上ステージは、該ステージ上面にライン状に穿設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気する複数のガス抜き孔と、前記ガス抜き孔の一部領域を塞ぐように設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備え、前記イオン発生手段は、所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルと、前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、前記給電ケーブルが引き出された電極保持部とを有し、前記電極保持部が前記ガス抜き孔に嵌合することにより、前記電極保持部における前記針電極が設けられた面が前記ガス抜き孔の前記一部領域を塞ぎ、前記針電極が上方に臨んで配置されることに特徴を有する。
このように構成することにより、放電針の周りに発生したイオンを、噴射したガスと共に電極保持部の上面に沿って流し、基板の下面に接触させることができる。このため、浮上ステージに搬入された基板の下面に帯電している電荷をステージ搬送の間に除電することができる。
【００１６】
また、前記電極保持部が前記ガス抜き孔に嵌合された状態で、該電極保持部の前記針電極が設けられた面は、前記浮上ステージの上面よりも低く配置されることが望ましい。
このように構成することで、電極保持部の上面とガス抜き孔の側面とによりガス流路を形成し基板下面に対し効率的にイオンを接触させることができる。
【００１７】
また、前記イオン発生手段は、少なくとも基板幅方向に複数配置されていることが望ましく、それにより基板搬送に伴い、基板下面全体にイオンを供給することができる。
【００１８】
或いは、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送装置は、基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、前記浮上ステージは、該ステージ内に形成され、前記複数のガス噴射孔にガスを供給するマニホールドと、前記マニホールド内に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備えることに特徴を有する。
尚、前記イオン発生手段は、所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルと、前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、前記給電ケーブルが引き出された電極保持部とを有し、少なくとも前記針電極が前記マニホールド内に配置されていることが望ましい。
また、前記マニホールドの内面と前記ガス噴射孔の内面には、絶縁層が形成されていることが望ましい。
【００１９】
このように構成することにより、マニホールド内にイオンを発生させることができ、マニホールドをガスと共に流れるイオンを、マニホールドに連通する複数のガス噴射孔から噴射し、基板の下面に吹き付けることができる。
これにより、基板の下面に帯電している電荷の大部分を、吹き付けたイオンによって中和し除電することができる。
即ち、この構成によれば、１つのイオン発生手段により発生させたイオンを複数のガス噴射孔から噴射させることができる。このため、例えば、全てのガス噴射孔からイオンを噴射させたい場合には、ガス噴射孔の数に対して大幅に少ない数のイオン発生手段の配置により対応することができる。
また、マニホールド底面側から針電極がマニホールド内に突出するように電極保持部を配置すれば、気流が形成されるステージ上面を加工形成する必要がなく、比較的容易に構成することができる。
【００２０】
尚、前記浮上ステージの後端部上方に、下方を搬送される前記基板の表面に対し基板上の電荷を中和するためのイオンを供給する第２のイオン供給手段を備えることが望ましい。
このようにステージ後端において基板上面にイオンを供給する第２のイオン発生手段を設けることにより、浮上ステージから基板を搬出する際に、基板上面に帯電する電荷を除電することができる。
即ち、基板の上下面に対し除電することができるため、浮上ステージからの基板搬出時における基板電圧の突発的上昇を抑制し、パターン形成に係る不具合発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置であって、特に、浮上搬送される前記基板の下面に帯電している電荷を除去することのできる基板搬送装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明にかかる一実施形態の全体概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図３は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）の基板搬入部（及び基板搬出部）の第一の実施形態の平面図である。
【図４】図４は、図３の基板搬入部（及び基板搬出部）のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図５】図５は、基板搬入部（及び基板搬出部）に設けられた除電プローブの断面図及び平面図である。
【図６】図６は、図５の断面図において、除電プローブを設ける方法を説明するための断面図である。
【図７】図７は、図１のレジスト塗布処理ユニットにおける基板搬送処理の流れを示すフローである。
【図８】図８は、図１のレジスト塗布処理ユニットの基板搬送方向に沿った概略断面図である。
【図９】図９は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）の基板搬入部（及び基板搬出部）の第二の実施形態の平面図である。
【図１０】図１０は、図９の基板搬入部（及び基板搬出部）のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図１１】図１１は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）の基板搬入部（及び基板搬出部）の第二の実施形態の変形例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）の基板搬入部（及び基板搬出部）の第三の実施形態の断面図である。
【図１３】図１３は、従来の基板搬送装置（レジスト塗布処理ユニット）の概略構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の基板搬送装置にかかる第一の実施形態を、図面に基づき説明する。尚、この実施形態にあっては、本発明に係る基板搬送装置が、被処理基板であるガラス基板を浮上搬送しながら、前記基板に対し処理液であるレジスト液の塗布処理を行うレジスト塗布処理ユニットにおいて適用される場合を例にとって説明する。
図１は、本発明の基板搬送装置が適用されるレジスト塗布ユニットの平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００２４】
図１、図２に示すように、このレジスト塗布処理ユニット１は、ガラス基板Ｇを枚様式に一枚ずつ浮上搬送するための浮上ステージ２（基板搬送路）を備え、基板Ｇが所謂平流し搬送されるように構成されている。
浮上ステージ２は、基板搬送方向（Ｘ軸方向）に沿って、基板搬入部２Ａと、塗布処理部２Ｂと、基板搬出部２Ｃとが順に配置され構成されている。基板搬入部２Ａ及び基板搬出部２Ｃの上面には、図１に示すように多数のガス噴射孔２ａがＸ方向とＹ方向に一定間隔で設けられ、ガス噴射孔２ａからの不活性ガスの噴射による圧力負荷によって、ガラス基板Ｇを浮上させている。
【００２５】
また、塗布処理部２Ｂの上面には、多数のガス噴射孔２ａとガス吸気孔２ｂとがＸ方向とＹ方向に一定間隔で交互に設けられている。そして、この塗布処理部２Ｂにおいては、ガス噴射孔２ａからの不活性ガスの噴射量と、ガス吸気孔２ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、ガラス基板Ｇをよりステージに近接させた状態で浮上させている。
【００２６】
また、浮上ステージ２の幅方向（Ｙ軸方向）の左右側方には、Ｘ軸方向に平行に延びる一対のガイドレール５が設けられている。この一対のガイドレール５には、基板搬送方向（Ｘ軸方向）に移動可能に取り付けられたスライダ６（基板搬送手段）が設けられている。スライダ６には、ガラス基板Ｇの端部を下方から吸着保持する基板保持部７が設けられ、２つの基板保持部７により基板Ｇの幅方向両端部が保持されている。
【００２７】
各基板保持部７は、図２に示すように、基板Ｇの下面に対し吸引動作により吸着可能な吸着部材７ａと、吸着部材７ａを昇降移動させる昇降駆動部７ｂとを有する。
尚、吸着部材７ａには、吸引ポンプ（図示せず）が接続され、基板Ｇとの接触領域の空気を吸引して真空状態に近づけることにより、基板Ｇに吸着するようになされている。
【００２８】
また、塗布処理部２Ｂの上方には、基板Ｇにレジスト液を吐出するノズル１１が設けられている。ノズル１１は、基板幅方向（Ｙ方向）に向けて長い略直方体形状に形成され、基板幅よりも長く形成されている。
また、図２に示すようにノズル１１の下端部には、スリット状の吐出口１１ａが形成され、このノズル１１には、レジスト液供給源（図示せず）からレジスト液が供給され、前記吐出口１１ａからレジスト液が吐出されるようになされている。
【００２９】
また、図１に示すようにノズル１１の両側には、Ｘ方向に延びる第２のガイドレール８が設けられている。ノズル１１は、第２のガイドレール８上を移動するノズルアーム９によって保持されている。このノズル１１は、ノズルアーム９が有する駆動機構により、第２のガイドレール８に沿ってＸ方向に移動可能となされている。
また、ノズルアーム９には、昇降機構が設けられており、ノズル１１は、所定の高さに昇降可能である。かかる構成により、ノズル１１は、ガラス基板Ｇにレジスト液を吐出する吐出位置と、それより上流側にあるプライミングローラ１０及び待機部１２との間を移動可能となされている。
【００３０】
前記プライミングローラ１０は、洗浄タンク２７内に軸周りに回転可能に収容されている。基板Ｇへの塗布処理前においては、プライミングローラ１０の最上部にノズル１１の吐出口１１ａが近接され、プライミングローラ１０に対し所定量のレジスト液が吐出される。そして、プライミングローラ１０が所定方向に回転され、ノズル１１の吐出口１１ａにおけるレジスト液の付着状態が整えられるようになっている。
また、プライミングローラ１０のさらに上流側には，ノズル１１の待機部１２が設けられている。この待機部１２には、ノズル１１を洗浄するノズル洗浄部１２ａとノズル１１の乾燥防止部１２ｂとが設けられ、基板Ｇへの塗布処理後に、ノズル洗浄部１２ａによりノズル先端が洗浄される。また、長時間、ノズル１１を使用しないときには、ノズル先端が乾燥防止部１２ｂに挿入され、ノズル内の乾燥が防止されるようになっている。
【００３１】
また、基板搬出部２Ｃの後端部上方には、基板搬送路の幅方向に沿って取り付けられ、下方を搬送されるガラス基板Ｇの表面にイオンを供給する棒状のイオナイザ１５が設けられている。
即ち、レジスト塗布に伴い電荷が帯電した基板Ｇの上面に対し、イオナイザ１５からイオンが供給され、このイオンによって電荷が中和され、除電されるようになっている。
尚、このイオナイザ１５は、例えば軟Ｘ線の照射により雰囲気をイオン化させる方式、あるいは、コロナ放電により発生させたイオンを基板Ｇに吹き付ける方式を用いることができる
【００３２】
また、浮上ステージ２の後段には、コロ搬送部３が設けられている。このコロ搬送部３においては、浮上ステージ２の後段に、コロ駆動部３０によって軸周りに回転可能となされた複数本のコロ軸３１が並列に設けられている。各コロ軸３１には、複数の搬送コロ３２が取り付けられ、これら搬送コロ３２の回転によって基板Ｇを搬送する構成となされている。
【００３３】
続いて、前記浮上ステージ２の基板搬入部２Ａ及び基板搬出部２Ｃの構成について、図３、図４に基づき詳しく説明する。尚、基板搬入部２Ａと基板搬出部２Ｃとは、基本的に同じ構成であるため、共通の図面として説明する。
図３は、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）の平面図であり、図４は、図３のＢ−Ｂ矢視断面図である。
前記したように基板搬入部２Ａ及び基板搬出部２Ｃの上面には、多数のガス噴射孔２ａがＸ軸方向とＹ軸方向に一定間隔で設けられ、ガス噴射孔２ａからの不活性ガスの噴射による圧力負荷によって、ガラス基板Ｇを浮上させるようになっている。
【００３４】
また、図３に示すように、ステージ上面には、前記ガス噴射孔２ａからステージ上に噴射されたガスを排気するためのライン状のガス抜き孔１６が複数形成されている。これら複数のガス抜き孔１６は、この実施形態においてはＸ軸方向（基板搬送方向）及びＹ軸方向（基板幅方向）に対して斜めに延びる方向に形成され、それらは互いに平行に配置されている。
尚、ガス抜き孔１６の配置パターンは、図示したものに限定されず、各ガス抜き孔１６は、Ｙ軸方向（基板幅方向）、或いはＸ軸方向（基板搬送方向）に沿って平行に形成されていてもよい。
このガス抜き孔１６がステージ上に設けられることにより、ガス噴射孔２ａから噴射されたガスがステージ上において整流され、基板Ｇを安定して浮上させることができる。
【００３５】
また、図示するように、ガス噴射孔２ａは、前記ガス抜き孔１６に沿って配列されている。本実施形態にあっては、それぞれ隣り合うガス抜き孔１６の間の領域に、２列に配列された複数のガス噴射孔２ａを設けているが、これは１列、或いは３列以上であってもよい。
また、図４の断面図に示すように、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）は、例えばＳＵＳにより形成されたステージ本体２３を有し、このステージ本体２３に前記ガス噴射孔２ａとこれに連通する正圧マニホールド２４が形成されている。前記正圧マニホールド２４には、板状の基材２５を介して圧縮ガスを該正圧マニホールド２４に送り込むための圧縮ガス供給管２６が接続されている。
【００３６】
また、図３に示すように、ステージ上には、イオン発生手段としての除電プローブ１７が複数設置されている。これら複数の除電プローブ１７は、少なくとも基板幅方向に複数配置され、好ましくは、図示するように、基板搬送方向に対し千鳥配置される。尚、この複数の除電プローブ１７の配置は、千鳥配置に限定されるものではなく、碁盤目状に配置してもよい。
各除電プローブ１７は、図５（ａ）の断面図、図５（ｂ）の平面図に示すように、イオンを発生するための放電針１８（針電極）と、放電針１８に高電圧を印加する給電ケーブル２０とを備える。放電針１８は、給電ケーブル２０の先端部２０ａを覆う絶縁部材１９によって保持され、さらに絶縁部材１９は、ステージ本体２３と同材質（例えばＳＵＳ）の板部材２１により覆われている。
尚、絶縁部材１９と板部材２１とにより電極保持部２８が構成され、この電極保持部２８の一端において、放電針１８が突出させた状態で保持され、他端部から前記給電ケーブル２０が引き出されている。
【００３７】
また、この除電プローブ１７は、図６の断面図に示すようにガス抜き孔１６とガス噴射孔２ａとの間に形成された溝部２２に嵌合し、放電針１８がガス噴射孔２ａ内に位置するように配置されている。また、板部材２１には螺子留め孔２１ａが形成され、これを利用してステージ本体に螺子固定されるようになされている。また、除電プローブ１７は、溝部２２に固定されると、図４に示すように、その上面がステージ面と面一となり、また、その側面と溝部２２の側面との間には隙間が生じないように形成されている。これにより、ガス噴出口２ａから噴射された不活性ガスの乱流発生が抑制される。
また、電極保持部２８の後端から引き出された給電ケーブル２０は、ガス抜き孔１６からステージ下方に引き出され、電圧印加手段（図示せず）に接続されるようになされている。
【００３８】
この構成において、給電ケーブル２０から、前記電圧印加手段により放電針１８に対し所定の高電圧（例えば、ＡＣ７ＫＶ）が印加されると、放電針１８からコロナ放電が発生し、それにより空気がイオン化され、発生したイオンがガス噴射孔２ａから噴射する不活性ガスと共に基板Ｇの下面に吹き付けられるようになっている。
【００３９】
続いて、このように構成されたレジスト塗布処理ユニット１における基板搬送の一連の流れについて図７、図８を用いて説明する。
レジスト塗布処理ユニット１において、基板搬入部２Ａに搬入されたガラス基板Ｇは、その幅方向両端が基板保持部７によって保持され、スライダ６の移動により基板搬入部２Ａ上を搬送される（図７のステップＳ１）。この基板搬入部２Ａにおける基板搬送時には、そのステージ上においてガス噴射孔２ａより不活性ガスが噴射され、この不活性ガスが基板下面に当たった後にガス抜き孔１６から排気される気流が形成される。即ち、ガス抜き孔１６によって、不活性ガスの逃げ道が確保されるため、ステージ上で乱流が生じることが無く、基板Ｇは安定して浮上した状態となされる。
【００４０】
また、除電プローブ１７が配置された複数箇所のガス噴射孔２ａにおいては、給電ケーブル２０から放電針１８に対し所定の高電圧が印加され、放電針１８の周りにコロナ放電により発生したイオンが、ガス噴射孔２ａから噴射する不活性ガスと共に基板Ｇの下面に吹き付けられる。
これにより、搬入された基板Ｇの下面に帯電している電荷の大部分が、吹き付けられたイオンによって中和され除電される。
また、基板搬送により基板Ｇの先端が、塗布処理部２Ｂにおける塗布開始位置に達すると、スライダ６の移動が停止される。
【００４１】
また、一方でプライミングローラ１０によりプライミング処理が施されたノズル１１は、その先端（吐出口１１ａ）が基板先端に近接される。
そして、吐出口１１ａからレジスト液Ｒが基板上に吐出されると共に、スライダ６が再びレール５に沿って塗布処理部２Ｂを移動開始し、これにより搬送される基板Ｇの上面にレジスト液Ｒが塗布される（図７のステップＳ２）。
尚、この塗布処理部２Ｂにおける基板搬送にあっては、ガス噴射孔２ａから噴射したガスがガス吸気孔２ｂから吸引されるため、図８に示すようにガス吸気孔２ｂからの吸引力により基板Ｇはステージ面に近接された状態となり、基板Ｇの平面度がより安定した状態となされる。
【００４２】
レジスト液の塗布が終了した基板Ｇは、基板搬出部２Ｃ上を搬送される（図７のステップＳ３）。ここでは、基板搬入部２Ａと同様に、そのステージ上においてガス噴射孔２ａより不活性ガスが噴射され、この不活性ガスが基板下面に吹き付けられてガス抜き孔１６から排気される気流が形成される。
そして、除電プローブ１７により発生されたイオンがガス噴射孔２ａから噴射される不活性ガスと共に基板下面に吹き付けられ、これにより基板下面に残る電荷が略全て除電される。
さらに基板Ｇは、イオナイザ１５の下方を通過しながら基板搬出部２Ｃから搬出される。ここで、イオナイザ１５からは基板Ｇの上面にイオンが供給され、レジスト塗布処理によって基板Ｇに帯電していた電荷の大部分が中和され、除電される。
【００４３】
また、浮上ステージ２上から搬出される基板Ｇは、その前端側から搬送コロ３２上に載置され、搬送コロ３２の回転によって搬送される（図７のステップＳ４）。この浮上ステージ２からの搬出工程にあっては、浮上搬送からコロ搬送に次第に切り替わるため、基板Ｇの下面に対向していた面の面積（対向面積）が基板Ｇの移動と共に急激に減少していく。
しかしながら、前記のように基板下面に帯電する電荷は、除電プローブ１７から発生するイオンにより除電され、基板上面に帯電する電荷は、イオナイザ１５から発生するイオンにより除電されるため、基板下面とステージ面との間に形成されていた静電容量が急激に減少しても、基板電圧の突発的な上昇が抑制される。
【００４４】
以上のように、本発明に係る第一の実施形態によれば、浮上ステージ２の基板搬入部２Ａと基板搬出部２Ｃとにおいて、複数の除電プローブ１７がステージ上に配置され、それらプローブ先端の放電針１８の周りに発生したイオンがガス噴射孔２ａから噴射する不活性ガスと共に基板下面に吹き付けられる構成となされる。このため、浮上ステージ２に搬入された基板Ｇの下面に帯電している電荷をステージ搬送の間に除電することができる。
また、ステージ後端において基板上面にイオンを供給するイオナイザ１５を設けることにより、ステージ２から基板Ｇを搬出する際に、基板上面に帯電する電荷を除電することができる。
即ち、基板Ｇの上下面に対し除電することができるため、浮上ステージ２からの基板搬出時における基板電圧の突発的上昇を抑制し、パターン形成に係る不具合発生を防止することができる。
【００４５】
続いて、本発明の基板搬送装置にかかる第二の実施形態について図９、図１０に基づき説明する。図９は、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）の第二の実施形態の平面図であり、図１０は、図９のＣ−Ｃ矢視断面図である。
この第二の実施形態にあっては、前記第一の実施形態における除電プローブ１７に代えて除電プローブ３５が設けられる。この除電プローブ３５は、図１０に示すようにイオンを発生するための放電針３６（針電極）と、放電針３６に高電圧を印加する給電ケーブル３８とを備える。放電針３６は、給電ケーブル３８の先端部３８ａを覆う絶縁部材３７によって保持され、さらに絶縁部材３７は、ステージ本体２３と同材質（例えばＳＵＳ）の板部材３９により覆われている。
尚、絶縁部材１７と板部材３９とにより直方体形状の電極保持部４０が構成され、この電極保持部４０の上面において、放電針３６が突出させた状態で保持され、下面側から前記給電ケーブル３８が引き出されている。
【００４６】
また、図示するように除電プローブ３５は、ガス抜き孔１６の一部領域を塞ぐように配置され、図９の例では基板幅方向（Ｙ軸方向）に複数の除電プローブ３５が一列に配置されている。
各除電プローブ３５は、図１０に示すようにガス抜き孔１６の下端から嵌め込まれ（嵌合し）、電極保持部４０に形成されたフランジ４０ａがガス抜き孔１６の下端部に係止して設けられている。このとき、上方に臨むプローブ上面３５ａ（電極保持部４０の上面）は、ステージ本体２３の上面よりも低い位置となり、ガス抜き孔１６の側壁１６ａと共に横方向のガス流路を形成している。
また、前記上方に臨むプローブ上面３５ａは、ガス抜き孔１６の長手方向に沿って長い方形状に形成され、その中央に放電針３６が配置されている。
また、図９に示すように複数の除電プローブ３５は、各プローブ上面３５ａのＹ軸方向成分を連結することにより基板幅方向長さを略カバーするように配置されている。
【００４７】
尚、この第二の実施形態にあっては、前記第一の実施形態とは除電プローブ３５の設置箇所が異なるため、図６に示した溝部２２をステージ本体２３に形成する必要はない。即ち、ガス抜き孔１６を利用して除電プローブ３５を設置することができる。
また、本実施形態にあっては、それぞれ隣り合うガス抜き孔１６の間の領域に、１列に配列された複数のガス噴射孔２ａを設けているが、これは２列以上であってもよい。
【００４８】
この構成により給電ケーブル３８から、電圧印加手段（図示せず）により放電針３６に対し所定の高電圧（例えば、ＡＣ７ＫＶ）が印加されると、放電針３６からコロナ放電が発生し、それにより空気がイオン化される。
一方、ガス噴射孔２ａから噴射された不活性ガスは、基板下面に吹き付けられた後、プローブ上面３５ａに沿って流れ、ガス抜き孔１６から排気される。このため、放電針３６の周りに発生したイオンは、前記不活性ガスと共にプローブ上面３５ａに沿って流れ、その間に基板Ｇの下面に接触する。ここで、前記したように各プローブ上面３５ａのＹ軸方向成分により基板幅方向長さが略カバーされるため、基板Ｇが搬送されることによって、前記発生したイオンを基板下面全体に供給することができる。
したがって、前記した第一の実施形態と同様に、浮上ステージ２に搬入された基板Ｇの下面に帯電している電荷をステージ搬送の間に除電することができる。
【００４９】
尚、前記除電プローブ３５は、ガス抜き孔１６に嵌め込むことにより設置可能であるため、その位置を適宜変更することができる。
また、図９の例では、複数の除電プローブ３５をＹ軸方向（基板幅方向）に沿って１列に配列するものとしたが、図１１に示すように複数の除電プローブ３５をステージ面において千鳥状に配置してもよい。
【００５０】
続いて、本発明の基板搬送装置にかかる第三の実施形態について図１２に基づき説明する。図１２は、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）の第三の実施形態の一部拡大断面図である。
この第三の実施形態にあっては、前記第一の実施形態における除電プローブ１７の配置が異なり、図１２に示すように、除電プローブ１７は、その放電針１８が正圧マニホールド２４内に位置するように配置される。
また、マニホールド２４及びガス噴射孔２ａの内面には、除電プローブ１７により発生されたイオンが帯電しないよう、絶縁層２９がコーティングされて形成されている。
【００５１】
この構成により、給電ケーブル２０から放電針１８に対し所定の高電圧が印加されると、放電針１８の周りに発生したイオンは、正圧マニホールド２４を流れる。正圧マニホールド２４を不活性ガスと共に流れるイオンは、マニホールド２４に連通する複数のガス噴射孔２ａから噴射され、基板Ｇの下面に吹き付けられる。
これにより、搬入された基板Ｇの下面に帯電している電荷の大部分が、吹き付けられたイオンによって中和され除電される。
即ち、この構成によれば、１つの除電プローブ１７により発生させたイオンを複数のガス噴射孔２ａから噴射させることができる。このため、例えば、全てのガス噴射孔２ａからイオンを噴射させたい場合には、ガス噴射孔２ａの数に対して大幅に少ない数の除電プローブ１７の配置により対応することができる。
また、図示するように正圧マニホールド２４の底面側から放電針１８がマニホールド内に突出するように電極保持部２８を配置すれば、気流が形成されるステージ上面を加工形成する必要がなく、比較的容易に構成することができる。
【００５２】
尚、前記第一乃至第三の実施形態にあっては、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）において、浮上搬送される基板Ｇの下面にイオンを吹き付けて除電するものとしたが、その形態に限定されるものではない。例えば、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）において、基板Ｇを搬送停止の状態で保持し、停止している基板Ｇの下面にイオンを所定時間吹き付けて除電するようにしてもよい。
また、前記第一乃至第三の実施形態にあっては、本発明にかかる基板搬送装置をレジスト塗布処理ユニットに適用した場合を例にとって説明したが、塗布処理ユニットに限定されることなく、他の基板処理ユニット等においても好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００５３】
１ レジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）
２ 浮上ステージ（基板搬送路）
２Ａ 基板搬入部（浮上ステージ）
２Ｃ 基板搬出部（浮上ステージ）
２ａ ガス噴射孔
６ スライダ（基板搬送手段）
１１ ノズル
１１ａ 吐出口
１６ ガス抜き孔
１７ 除電プローブ（イオン発生手段）
１８ 放電針（針電極）
２０ 給電ケーブル
２８ 電極保持部
Ｇ ガラス基板（被処理基板）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造においては、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成することが行われている。
具体的には、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するものである。
【０００３】
ところで近年、このフォトリソグラフィ工程では、スループット向上の目的により、被処理基板を略水平姿勢の状態で搬送しながら、その被処理面に対しレジストの塗布、乾燥、加熱、冷却処理等の各処理を施す構成が多く採用されている。
前記基板搬送の構成としては、基板支持部材のレジスト塗布面への転写を防止するため、基板を略水平姿勢の状態で所定の高さに浮上させ、基板搬送方向に搬送する浮上搬送が注目されている。
【０００４】
この浮上搬送を用いた基板搬送装置は、例えばレジスト塗布処理装置に採用されている。その一般的な構成について図１３に基づいて説明する。
例えば、図１３の基板搬送装置２００は、被処理基板であるＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ基板）Ｇを浮上搬送するための浮上ステージ２０１と、浮上ステージ２０１の左右両側に敷設された一対のレール２０２と、基板Ｇの左右両側を保持し、レール２０２上をスライド移動するスライダ２０３とを備えている。
【０００５】
また、浮上ステージ２０１上で浮上搬送されるＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル２０４を備え、このレジストノズル２０４には、基板幅方向に長いスリット状の吐出口（図示せず）が設けられている。
また、浮上ステージ２０１の前段及び後段には、複数の搬送コロ２０６，２０７が回転可能に設けられ、基板Ｇは搬送コロ２０６によって浮上ステージ２０１に搬入され、浮上搬送後の基板Ｇは前記搬送コロ２０７によって搬出される構成となされている。
【０００６】
また、浮上ステージ２０１の上面には、上方（Ｚ方向）に向かって不活性ガスを噴射するための多数のガス噴射孔２０１ａと、吸気を行うための多数の吸気孔２０１ｂとが夫々、Ｘ方向とＹ方向に一定間隔で交互に設けられている。そして、ガス噴射孔２０１ａから噴射されるガス噴射量と吸気孔２０１ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、基板Ｇを浮上ステージ２０１の表面から一定の高さに浮上させるように構成されている。
【０００７】
この構成により、レジスト液の塗布処理に際しては、浮上ステージ２０１上の基板Ｇは、レール２０２上をスライド移動するスライダ２０３により左右両端が保持され、Ｘ軸方向に移動する。そして、基板Ｇがレジストノズル２０４の下方を移動する際、スリット状の吐出口（図示せず）よりレジスト液が帯状に供給され、レジスト液が基板Ｇに塗布される。
【０００８】
ところで、この基板搬送装置２００において、浮上ステージ２０１に搬入された基板Ｇにあっては、浮上する基板Ｇの下面と浮上ステージ２０１の上面とを一対の極板として、その間に静電容量が形成される。
このため、前記レジスト液を基板Ｇ上に塗布する際、レジスト液が基板Ｇに接触することによって生じた電荷が基板Ｇに帯電しやすく、基板Ｇに塵埃等が付着したり、配線パターンが破損する虞があった。
【０００９】
このような課題に対し、従来は、図示するように浮上ステージ２０１の後端部上方に、棒状のイオナイザ（イオン発生器）２０８を配置し、下方を搬送される帯電した基板に対しイオンを供給し、帯電を中和させて除電するようになされている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１１−２９３１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、浮上ステージ２０１上の基板Ｇには、前記したレジスト液の塗布中に生じた帯電だけではなく、浮上ステージ２０１への搬入前において搬送コロ２０６との接触により生じた電荷が基板Ｇの下面に帯電する。
しかしながら、図１３に示す構成にあっては、基板Ｇの上面に対してイオンを供給するものであるため、基板Ｇの下面に帯電した電荷は除去することができなかった。
このため、基板Ｇは、帯電が残った状態で搬送コロ２０７に搬出され、その後端部が浮上ステージ上から搬送コロに移動する瞬間に、基板とステージとの間に形成された静電容量が突然に無くなり（急激に減少し）、基板電圧が突発的に上昇することがあった。そして、基板電圧が突発的に上昇すると、除電されずに残留していた電荷が放電され、それが配線パターンの破損や断線等の原因となるという課題があった。
【００１２】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置であって、特に、浮上搬送される前記基板の下面に帯電している電荷を除去することのできる基板搬送装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送装置は、基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、前記浮上ステージは、前記ガス噴射孔に隣設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気するガス抜き孔と、前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備え、前記イオン発生手段は、所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルとを有し、前記針電極は前記ガス噴射孔の中に配置され、前記給電ケーブルは前記ガス抜き孔から前記浮上ステージ外へ引き出されることに特徴を有する。
このように構成することにより、放電針の周りに発生したイオンをガス噴射孔から噴射したガスと共に基板下面に吹き付けることができる。このため、浮上ステージに搬入された基板の下面に帯電している電荷をステージ搬送の間に除電することができる。
【００１４】
また、前記イオン発生手段は、一端から前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、他端部から前記給電ケーブルが引き出された電極保持部を有し、前記浮上ステージにおいて、前記イオン発生手段が設けられる前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間には溝部が形成され、前記電極保持部が前記溝部に嵌合し、前記浮上ステージの上面と前記電極保持部の上面とが面一となされることが望ましい。
このように前記浮上ステージの上面と前記電極保持部の上面とが面一となされることにより、ガス噴射孔から噴射されたガスの乱流発生を抑制することができる。
【００１５】
或いは、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送装置は、基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、前記浮上ステージは、該ステージ上面にライン状に穿設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気する複数のガス抜き孔と、前記ガス抜き孔の一部領域を塞ぐように設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備え、前記イオン発生手段は、所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルと、前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、前記給電ケーブルが引き出された電極保持部とを有し、前記電極保持部が前記ガス抜き孔に嵌合することにより、前記電極保持部における前記針電極が設けられた面が前記ガス抜き孔の前記一部領域を塞ぎ、前記針電極が上方に臨んで配置されることに特徴を有する。
このように構成することにより、放電針の周りに発生したイオンを、噴射したガスと共に電極保持部の上面に沿って流し、基板の下面に接触させることができる。このため、浮上ステージに搬入された基板の下面に帯電している電荷をステージ搬送の間に除電することができる。
【００１６】
また、前記電極保持部が前記ガス抜き孔に嵌合された状態で、該電極保持部の前記針電極が設けられた面は、前記浮上ステージの上面よりも低く配置されることが望ましい。
このように構成することで、電極保持部の上面とガス抜き孔の側面とによりガス流路を形成し基板下面に対し効率的にイオンを接触させることができる。
【００１７】
また、前記イオン発生手段は、少なくとも基板幅方向に複数配置されていることが望ましく、それにより基板搬送に伴い、基板下面全体にイオンを供給することができる。
【００１８】
或いは、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送装置は、基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、前記浮上ステージは、該ステージ内に形成され、前記複数のガス噴射孔にガスを供給するマニホールドと、前記マニホールド内に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備えることに特徴を有する。
尚、前記イオン発生手段は、所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルと、前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、前記給電ケーブルが引き出された電極保持部とを有し、少なくとも前記針電極が前記マニホールド内に配置されていることが望ましい。
また、前記マニホールドの内面と前記ガス噴射孔の内面には、絶縁層が形成されていることが望ましい。
【００１９】
このように構成することにより、マニホールド内にイオンを発生させることができ、マニホールドをガスと共に流れるイオンを、マニホールドに連通する複数のガス噴射孔から噴射し、基板の下面に吹き付けることができる。
これにより、基板の下面に帯電している電荷の大部分を、吹き付けたイオンによって中和し除電することができる。
即ち、この構成によれば、１つのイオン発生手段により発生させたイオンを複数のガス噴射孔から噴射させることができる。このため、例えば、全てのガス噴射孔からイオンを噴射させたい場合には、ガス噴射孔の数に対して大幅に少ない数のイオン発生手段の配置により対応することができる。
また、マニホールド底面側から針電極がマニホールド内に突出するように電極保持部を配置すれば、気流が形成されるステージ上面を加工形成する必要がなく、比較的容易に構成することができる。
【００２０】
尚、前記浮上ステージの後端部上方に、下方を搬送される前記基板の表面に対し基板上の電荷を中和するためのイオンを供給する第２のイオン供給手段を備えることが望ましい。
このようにステージ後端において基板上面にイオンを供給する第２のイオン発生手段を設けることにより、浮上ステージから基板を搬出する際に、基板上面に帯電する電荷を除電することができる。
即ち、基板の上下面に対し除電することができるため、浮上ステージからの基板搬出時における基板電圧の突発的上昇を抑制し、パターン形成に係る不具合発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置であって、特に、浮上搬送される前記基板の下面に帯電している電荷を除去することのできる基板搬送装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明にかかる一実施形態の全体概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図３は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）の基板搬入部（及び基板搬出部）の第一の実施形態の平面図である。
【図４】図４は、図３の基板搬入部（及び基板搬出部）のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図５】図５は、基板搬入部（及び基板搬出部）に設けられた除電プローブの断面図及び平面図である。
【図６】図６は、図５の断面図において、除電プローブを設ける方法を説明するための断面図である。
【図７】図７は、図１のレジスト塗布処理ユニットにおける基板搬送処理の流れを示すフローである。
【図８】図８は、図１のレジスト塗布処理ユニットの基板搬送方向に沿った概略断面図である。
【図９】図９は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）の基板搬入部（及び基板搬出部）の第二の実施形態の平面図である。
【図１０】図１０は、図９の基板搬入部（及び基板搬出部）のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図１１】図１１は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）の基板搬入部（及び基板搬出部）の第二の実施形態の変形例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）の基板搬入部（及び基板搬出部）の第三の実施形態の断面図である。
【図１３】図１３は、従来の基板搬送装置（レジスト塗布処理ユニット）の概略構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の基板搬送装置にかかる第一の実施形態を、図面に基づき説明する。尚、この実施形態にあっては、本発明に係る基板搬送装置が、被処理基板であるガラス基板を浮上搬送しながら、前記基板に対し処理液であるレジスト液の塗布処理を行うレジスト塗布処理ユニットにおいて適用される場合を例にとって説明する。
図１は、本発明の基板搬送装置が適用されるレジスト塗布ユニットの平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００２４】
図１、図２に示すように、このレジスト塗布処理ユニット１は、ガラス基板Ｇを枚様式に一枚ずつ浮上搬送するための浮上ステージ２（基板搬送路）を備え、基板Ｇが所謂平流し搬送されるように構成されている。
浮上ステージ２は、基板搬送方向（Ｘ軸方向）に沿って、基板搬入部２Ａと、塗布処理部２Ｂと、基板搬出部２Ｃとが順に配置され構成されている。基板搬入部２Ａ及び基板搬出部２Ｃの上面には、図１に示すように多数のガス噴射孔２ａがＸ方向とＹ方向に一定間隔で設けられ、ガス噴射孔２ａからの不活性ガスの噴射による圧力負荷によって、ガラス基板Ｇを浮上させている。
【００２５】
また、塗布処理部２Ｂの上面には、多数のガス噴射孔２ａとガス吸気孔２ｂとがＸ方向とＹ方向に一定間隔で交互に設けられている。そして、この塗布処理部２Ｂにおいては、ガス噴射孔２ａからの不活性ガスの噴射量と、ガス吸気孔２ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、ガラス基板Ｇをよりステージに近接させた状態で浮上させている。
【００２６】
また、浮上ステージ２の幅方向（Ｙ軸方向）の左右側方には、Ｘ軸方向に平行に延びる一対のガイドレール５が設けられている。この一対のガイドレール５には、基板搬送方向（Ｘ軸方向）に移動可能に取り付けられたスライダ６（基板搬送手段）が設けられている。スライダ６には、ガラス基板Ｇの端部を下方から吸着保持する基板保持部７が設けられ、２つの基板保持部７により基板Ｇの幅方向両端部が保持されている。
【００２７】
各基板保持部７は、図２に示すように、基板Ｇの下面に対し吸引動作により吸着可能な吸着部材７ａと、吸着部材７ａを昇降移動させる昇降駆動部７ｂとを有する。
尚、吸着部材７ａには、吸引ポンプ（図示せず）が接続され、基板Ｇとの接触領域の空気を吸引して真空状態に近づけることにより、基板Ｇに吸着するようになされている。
【００２８】
また、塗布処理部２Ｂの上方には、基板Ｇにレジスト液を吐出するノズル１１が設けられている。ノズル１１は、基板幅方向（Ｙ方向）に向けて長い略直方体形状に形成され、基板幅よりも長く形成されている。
また、図２に示すようにノズル１１の下端部には、スリット状の吐出口１１ａが形成され、このノズル１１には、レジスト液供給源（図示せず）からレジスト液が供給され、前記吐出口１１ａからレジスト液が吐出されるようになされている。
【００２９】
また、図１に示すようにノズル１１の両側には、Ｘ方向に延びる第２のガイドレール８が設けられている。ノズル１１は、第２のガイドレール８上を移動するノズルアーム９によって保持されている。このノズル１１は、ノズルアーム９が有する駆動機構により、第２のガイドレール８に沿ってＸ方向に移動可能となされている。
また、ノズルアーム９には、昇降機構が設けられており、ノズル１１は、所定の高さに昇降可能である。かかる構成により、ノズル１１は、ガラス基板Ｇにレジスト液を吐出する吐出位置と、それより上流側にあるプライミングローラ１０及び待機部１２との間を移動可能となされている。
【００３０】
前記プライミングローラ１０は、洗浄タンク２７内に軸周りに回転可能に収容されている。基板Ｇへの塗布処理前においては、プライミングローラ１０の最上部にノズル１１の吐出口１１ａが近接され、プライミングローラ１０に対し所定量のレジスト液が吐出される。そして、プライミングローラ１０が所定方向に回転され、ノズル１１の吐出口１１ａにおけるレジスト液の付着状態が整えられるようになっている。
また、プライミングローラ１０のさらに上流側には，ノズル１１の待機部１２が設けられている。この待機部１２には、ノズル１１を洗浄するノズル洗浄部１２ａとノズル１１の乾燥防止部１２ｂとが設けられ、基板Ｇへの塗布処理後に、ノズル洗浄部１２ａによりノズル先端が洗浄される。また、長時間、ノズル１１を使用しないときには、ノズル先端が乾燥防止部１２ｂに挿入され、ノズル内の乾燥が防止されるようになっている。
【００３１】
また、基板搬出部２Ｃの後端部上方には、基板搬送路の幅方向に沿って取り付けられ、下方を搬送されるガラス基板Ｇの表面にイオンを供給する棒状のイオナイザ１５が設けられている。
即ち、レジスト塗布に伴い電荷が帯電した基板Ｇの上面に対し、イオナイザ１５からイオンが供給され、このイオンによって電荷が中和され、除電されるようになっている。
尚、このイオナイザ１５は、例えば軟Ｘ線の照射により雰囲気をイオン化させる方式、あるいは、コロナ放電により発生させたイオンを基板Ｇに吹き付ける方式を用いることができる
【００３２】
また、浮上ステージ２の後段には、コロ搬送部３が設けられている。このコロ搬送部３においては、浮上ステージ２の後段に、コロ駆動部３０によって軸周りに回転可能となされた複数本のコロ軸３１が並列に設けられている。各コロ軸３１には、複数の搬送コロ３２が取り付けられ、これら搬送コロ３２の回転によって基板Ｇを搬送する構成となされている。
【００３３】
続いて、前記浮上ステージ２の基板搬入部２Ａ及び基板搬出部２Ｃの構成について、図３、図４に基づき詳しく説明する。尚、基板搬入部２Ａと基板搬出部２Ｃとは、基本的に同じ構成であるため、共通の図面として説明する。
図３は、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）の平面図であり、図４は、図３のＢ−Ｂ矢視断面図である。
前記したように基板搬入部２Ａ及び基板搬出部２Ｃの上面には、多数のガス噴射孔２ａがＸ軸方向とＹ軸方向に一定間隔で設けられ、ガス噴射孔２ａからの不活性ガスの噴射による圧力負荷によって、ガラス基板Ｇを浮上させるようになっている。
【００３４】
また、図３に示すように、ステージ上面には、前記ガス噴射孔２ａからステージ上に噴射されたガスを排気するためのライン状のガス抜き孔１６が複数形成されている。これら複数のガス抜き孔１６は、この実施形態においてはＸ軸方向（基板搬送方向）及びＹ軸方向（基板幅方向）に対して斜めに延びる方向に形成され、それらは互いに平行に配置されている。
尚、ガス抜き孔１６の配置パターンは、図示したものに限定されず、各ガス抜き孔１６は、Ｙ軸方向（基板幅方向）、或いはＸ軸方向（基板搬送方向）に沿って平行に形成されていてもよい。
このガス抜き孔１６がステージ上に設けられることにより、ガス噴射孔２ａから噴射されたガスがステージ上において整流され、基板Ｇを安定して浮上させることができる。
【００３５】
また、図示するように、ガス噴射孔２ａは、前記ガス抜き孔１６に沿って配列されている。本実施形態にあっては、それぞれ隣り合うガス抜き孔１６の間の領域に、２列に配列された複数のガス噴射孔２ａを設けているが、これは１列、或いは３列以上であってもよい。
また、図４の断面図に示すように、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）は、例えばＳＵＳにより形成されたステージ本体２３を有し、このステージ本体２３に前記ガス噴射孔２ａとこれに連通する正圧マニホールド２４が形成されている。前記正圧マニホールド２４には、板状の基材２５を介して圧縮ガスを該正圧マニホールド２４に送り込むための圧縮ガス供給管２６が接続されている。
【００３６】
また、図３に示すように、ステージ上には、イオン発生手段としての除電プローブ１７が複数設置されている。これら複数の除電プローブ１７は、少なくとも基板幅方向に複数配置され、好ましくは、図示するように、基板搬送方向に対し千鳥配置される。尚、この複数の除電プローブ１７の配置は、千鳥配置に限定されるものではなく、碁盤目状に配置してもよい。
各除電プローブ１７は、図５（ａ）の断面図、図５（ｂ）の平面図に示すように、イオンを発生するための放電針１８（針電極）と、放電針１８に高電圧を印加する給電ケーブル２０とを備える。放電針１８は、給電ケーブル２０の先端部２０ａを覆う絶縁部材１９によって保持され、さらに絶縁部材１９は、ステージ本体２３と同材質（例えばＳＵＳ）の板部材２１により覆われている。
尚、絶縁部材１９と板部材２１とにより電極保持部２８が構成され、この電極保持部２８の一端において、放電針１８が突出させた状態で保持され、他端部から前記給電ケーブル２０が引き出されている。
【００３７】
また、この除電プローブ１７は、図６の断面図に示すようにガス抜き孔１６とガス噴射孔２ａとの間に形成された溝部２２に嵌合し、放電針１８がガス噴射孔２ａ内に位置するように配置されている。また、板部材２１には螺子留め孔２１ａが形成され、これを利用してステージ本体に螺子固定されるようになされている。また、除電プローブ１７は、溝部２２に固定されると、図４に示すように、その上面がステージ面と面一となり、また、その側面と溝部２２の側面との間には隙間が生じないように形成されている。これにより、ガス噴出口２ａから噴射された不活性ガスの乱流発生が抑制される。
また、電極保持部２８の後端から引き出された給電ケーブル２０は、ガス抜き孔１６からステージ下方に引き出され、電圧印加手段（図示せず）に接続されるようになされている。
【００３８】
この構成において、給電ケーブル２０から、前記電圧印加手段により放電針１８に対し所定の高電圧（例えば、ＡＣ７ＫＶ）が印加されると、放電針１８からコロナ放電が発生し、それにより空気がイオン化され、発生したイオンがガス噴射孔２ａから噴射する不活性ガスと共に基板Ｇの下面に吹き付けられるようになっている。
【００３９】
続いて、このように構成されたレジスト塗布処理ユニット１における基板搬送の一連の流れについて図７、図８を用いて説明する。
レジスト塗布処理ユニット１において、基板搬入部２Ａに搬入されたガラス基板Ｇは、その幅方向両端が基板保持部７によって保持され、スライダ６の移動により基板搬入部２Ａ上を搬送される（図７のステップＳ１）。この基板搬入部２Ａにおける基板搬送時には、そのステージ上においてガス噴射孔２ａより不活性ガスが噴射され、この不活性ガスが基板下面に当たった後にガス抜き孔１６から排気される気流が形成される。即ち、ガス抜き孔１６によって、不活性ガスの逃げ道が確保されるため、ステージ上で乱流が生じることが無く、基板Ｇは安定して浮上した状態となされる。
【００４０】
また、除電プローブ１７が配置された複数箇所のガス噴射孔２ａにおいては、給電ケーブル２０から放電針１８に対し所定の高電圧が印加され、放電針１８の周りにコロナ放電により発生したイオンが、ガス噴射孔２ａから噴射する不活性ガスと共に基板Ｇの下面に吹き付けられる。
これにより、搬入された基板Ｇの下面に帯電している電荷の大部分が、吹き付けられたイオンによって中和され除電される。
また、基板搬送により基板Ｇの先端が、塗布処理部２Ｂにおける塗布開始位置に達すると、スライダ６の移動が停止される。
【００４１】
また、一方でプライミングローラ１０によりプライミング処理が施されたノズル１１は、その先端（吐出口１１ａ）が基板先端に近接される。
そして、吐出口１１ａからレジスト液Ｒが基板上に吐出されると共に、スライダ６が再びレール５に沿って塗布処理部２Ｂを移動開始し、これにより搬送される基板Ｇの上面にレジスト液Ｒが塗布される（図７のステップＳ２）。
尚、この塗布処理部２Ｂにおける基板搬送にあっては、ガス噴射孔２ａから噴射したガスがガス吸気孔２ｂから吸引されるため、図８に示すようにガス吸気孔２ｂからの吸引力により基板Ｇはステージ面に近接された状態となり、基板Ｇの平面度がより安定した状態となされる。
【００４２】
レジスト液の塗布が終了した基板Ｇは、基板搬出部２Ｃ上を搬送される（図７のステップＳ３）。ここでは、基板搬入部２Ａと同様に、そのステージ上においてガス噴射孔２ａより不活性ガスが噴射され、この不活性ガスが基板下面に吹き付けられてガス抜き孔１６から排気される気流が形成される。
そして、除電プローブ１７により発生されたイオンがガス噴射孔２ａから噴射される不活性ガスと共に基板下面に吹き付けられ、これにより基板下面に残る電荷が略全て除電される。
さらに基板Ｇは、イオナイザ１５の下方を通過しながら基板搬出部２Ｃから搬出される。ここで、イオナイザ１５からは基板Ｇの上面にイオンが供給され、レジスト塗布処理によって基板Ｇに帯電していた電荷の大部分が中和され、除電される。
【００４３】
また、浮上ステージ２上から搬出される基板Ｇは、その前端側から搬送コロ３２上に載置され、搬送コロ３２の回転によって搬送される（図７のステップＳ４）。この浮上ステージ２からの搬出工程にあっては、浮上搬送からコロ搬送に次第に切り替わるため、基板Ｇの下面に対向していた面の面積（対向面積）が基板Ｇの移動と共に急激に減少していく。
しかしながら、前記のように基板下面に帯電する電荷は、除電プローブ１７から発生するイオンにより除電され、基板上面に帯電する電荷は、イオナイザ１５から発生するイオンにより除電されるため、基板下面とステージ面との間に形成されていた静電容量が急激に減少しても、基板電圧の突発的な上昇が抑制される。
【００４４】
以上のように、本発明に係る第一の実施形態によれば、浮上ステージ２の基板搬入部２Ａと基板搬出部２Ｃとにおいて、複数の除電プローブ１７がステージ上に配置され、それらプローブ先端の放電針１８の周りに発生したイオンがガス噴射孔２ａから噴射する不活性ガスと共に基板下面に吹き付けられる構成となされる。このため、浮上ステージ２に搬入された基板Ｇの下面に帯電している電荷をステージ搬送の間に除電することができる。
また、ステージ後端において基板上面にイオンを供給するイオナイザ１５を設けることにより、ステージ２から基板Ｇを搬出する際に、基板上面に帯電する電荷を除電することができる。
即ち、基板Ｇの上下面に対し除電することができるため、浮上ステージ２からの基板搬出時における基板電圧の突発的上昇を抑制し、パターン形成に係る不具合発生を防止することができる。
【００４５】
続いて、本発明の基板搬送装置にかかる第二の実施形態について図９、図１０に基づき説明する。図９は、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）の第二の実施形態の平面図であり、図１０は、図９のＣ−Ｃ矢視断面図である。
この第二の実施形態にあっては、前記第一の実施形態における除電プローブ１７に代えて除電プローブ３５が設けられる。この除電プローブ３５は、図１０に示すようにイオンを発生するための放電針３６（針電極）と、放電針３６に高電圧を印加する給電ケーブル３８とを備える。放電針３６は、給電ケーブル３８の先端部３８ａを覆う絶縁部材３７によって保持され、さらに絶縁部材３７は、ステージ本体２３と同材質（例えばＳＵＳ）の板部材３９により覆われている。
尚、絶縁部材１７と板部材３９とにより直方体形状の電極保持部４０が構成され、この電極保持部４０の上面において、放電針３６が突出させた状態で保持され、下面側から前記給電ケーブル３８が引き出されている。
【００４６】
また、図示するように除電プローブ３５は、ガス抜き孔１６の一部領域を塞ぐように配置され、図９の例では基板幅方向（Ｙ軸方向）に複数の除電プローブ３５が一列に配置されている。
各除電プローブ３５は、図１０に示すようにガス抜き孔１６の下端から嵌め込まれ（嵌合し）、電極保持部４０に形成されたフランジ４０ａがガス抜き孔１６の下端部に係止して設けられている。このとき、上方に臨むプローブ上面３５ａ（電極保持部４０の上面）は、ステージ本体２３の上面よりも低い位置となり、ガス抜き孔１６の側壁１６ａと共に横方向のガス流路を形成している。
また、前記上方に臨むプローブ上面３５ａは、ガス抜き孔１６の長手方向に沿って長い方形状に形成され、その中央に放電針３６が配置されている。
また、図９に示すように複数の除電プローブ３５は、各プローブ上面３５ａのＹ軸方向成分を連結することにより基板幅方向長さを略カバーするように配置されている。
【００４７】
尚、この第二の実施形態にあっては、前記第一の実施形態とは除電プローブ３５の設置箇所が異なるため、図６に示した溝部２２をステージ本体２３に形成する必要はない。即ち、ガス抜き孔１６を利用して除電プローブ３５を設置することができる。
また、本実施形態にあっては、それぞれ隣り合うガス抜き孔１６の間の領域に、１列に配列された複数のガス噴射孔２ａを設けているが、これは２列以上であってもよい。
【００４８】
この構成により給電ケーブル３８から、電圧印加手段（図示せず）により放電針３６に対し所定の高電圧（例えば、ＡＣ７ＫＶ）が印加されると、放電針３６からコロナ放電が発生し、それにより空気がイオン化される。
一方、ガス噴射孔２ａから噴射された不活性ガスは、基板下面に吹き付けられた後、プローブ上面３５ａに沿って流れ、ガス抜き孔１６から排気される。このため、放電針３６の周りに発生したイオンは、前記不活性ガスと共にプローブ上面３５ａに沿って流れ、その間に基板Ｇの下面に接触する。ここで、前記したように各プローブ上面３５ａのＹ軸方向成分により基板幅方向長さが略カバーされるため、基板Ｇが搬送されることによって、前記発生したイオンを基板下面全体に供給することができる。
したがって、前記した第一の実施形態と同様に、浮上ステージ２に搬入された基板Ｇの下面に帯電している電荷をステージ搬送の間に除電することができる。
【００４９】
尚、前記除電プローブ３５は、ガス抜き孔１６に嵌め込むことにより設置可能であるため、その位置を適宜変更することができる。
また、図９の例では、複数の除電プローブ３５をＹ軸方向（基板幅方向）に沿って１列に配列するものとしたが、図１１に示すように複数の除電プローブ３５をステージ面において千鳥状に配置してもよい。
【００５０】
続いて、本発明の基板搬送装置にかかる第三の実施形態について図１２に基づき説明する。図１２は、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）の第三の実施形態の一部拡大断面図である。
この第三の実施形態にあっては、前記第一の実施形態における除電プローブ１７の配置が異なり、図１２に示すように、除電プローブ１７は、その放電針１８が正圧マニホールド２４内に位置するように配置される。
また、マニホールド２４及びガス噴射孔２ａの内面には、除電プローブ１７により発生されたイオンが帯電しないよう、絶縁層２９がコーティングされて形成されている。
【００５１】
この構成により、給電ケーブル２０から放電針１８に対し所定の高電圧が印加されると、放電針１８の周りに発生したイオンは、正圧マニホールド２４を流れる。正圧マニホールド２４を不活性ガスと共に流れるイオンは、マニホールド２４に連通する複数のガス噴射孔２ａから噴射され、基板Ｇの下面に吹き付けられる。
これにより、搬入された基板Ｇの下面に帯電している電荷の大部分が、吹き付けられたイオンによって中和され除電される。
即ち、この構成によれば、１つの除電プローブ１７により発生させたイオンを複数のガス噴射孔２ａから噴射させることができる。このため、例えば、全てのガス噴射孔２ａからイオンを噴射させたい場合には、ガス噴射孔２ａの数に対して大幅に少ない数の除電プローブ１７の配置により対応することができる。
また、図示するように正圧マニホールド２４の底面側から放電針１８がマニホールド内に突出するように電極保持部２８を配置すれば、気流が形成されるステージ上面を加工形成する必要がなく、比較的容易に構成することができる。
【００５２】
尚、前記第一乃至第三の実施形態にあっては、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）において、浮上搬送される基板Ｇの下面にイオンを吹き付けて除電するものとしたが、その形態に限定されるものではない。例えば、基板搬入部２Ａ（基板搬出部２Ｃ）において、基板Ｇを搬送停止の状態で保持し、停止している基板Ｇの下面にイオンを所定時間吹き付けて除電するようにしてもよい。
また、前記第一乃至第三の実施形態にあっては、本発明にかかる基板搬送装置をレジスト塗布処理ユニットに適用した場合を例にとって説明したが、塗布処理ユニットに限定されることなく、他の基板処理ユニット等においても好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００５３】
１ レジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）
２ 浮上ステージ（基板搬送路）
２Ａ 基板搬入部（浮上ステージ）
２Ｃ 基板搬出部（浮上ステージ）
２ａ ガス噴射孔
６ スライダ（基板搬送手段）
１１ ノズル
１１ａ 吐出口
１６ ガス抜き孔
１７ 除電プローブ（イオン発生手段）
１８ 放電針（針電極）
２０ 給電ケーブル
２８ 電極保持部
Ｇ ガラス基板（被処理基板）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、
前記浮上ステージは、
前記ガス噴射孔に隣設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気するガス抜き孔と、前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備え、
前記イオン発生手段は、
所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルとを有し、
前記針電極は前記ガス噴射孔の中に配置され、前記給電ケーブルは前記ガス抜き孔から前記浮上ステージ外へ引き出されることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記イオン発生手段は、一端から前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、他端部から前記給電ケーブルが引き出された電極保持部を有し、
前記浮上ステージにおいて、前記イオン発生手段が設けられる前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間には溝部が形成され、
前記電極保持部が前記溝部に嵌合し、前記浮上ステージの上面と前記電極保持部の上面とが面一となされることを特徴とする請求項１に記載された基板搬送装置。
【請求項３】
基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、
前記浮上ステージは、
該ステージ上面にライン状に穿設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気する複数のガス抜き孔と、前記ガス抜き孔の一部領域を塞ぐように設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備え、
前記イオン発生手段は、
所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルと、前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、前記給電ケーブルが引き出された電極保持部とを有し、
前記電極保持部が前記ガス抜き孔に嵌合することにより、前記電極保持部における前記針電極が設けられた面が前記ガス抜き孔の前記一部領域を塞ぎ、前記針電極が上方に臨んで配置されることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項４】
前記電極保持部が前記ガス抜き孔に嵌合された状態で、該電極保持部の前記針電極が設けられた面は、前記浮上ステージの上面よりも低く配置されることを特徴とする請求項３に記載された基板搬送装置。
【請求項５】
前記イオン発生手段は、少なくとも基板幅方向に複数配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された基板搬送装置。
【請求項６】
基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、
前記浮上ステージは、
該ステージ内に形成され、前記複数のガス噴射孔にガスを供給するマニホールドと、
前記マニホールド内に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備えることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項７】
前記イオン発生手段は、
所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルと、前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、前記給電ケーブルが引き出された電極保持部とを有し、
少なくとも前記針電極が前記マニホールド内に配置されていることを特徴とする請求項６に記載された基板搬送装置。
【請求項８】
前記マニホールドの内面と前記ガス噴射孔の内面には、絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載された基板搬送装置。
【請求項９】
前記浮上ステージの後端部上方に、下方を搬送される前記基板の表面に対し基板上の電荷を中和するためのイオンを供給する第２のイオン供給手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載された基板搬送装置。
【請求項１】
基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、
前記浮上ステージは、
前記ガス噴射孔に隣設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気するガス抜き孔と、前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備え、
前記イオン発生手段は、
所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルとを有し、
前記針電極は前記ガス噴射孔の中に配置され、前記給電ケーブルは前記ガス抜き孔から前記浮上ステージ外へ引き出されることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記イオン発生手段は、一端から前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、他端部から前記給電ケーブルが引き出された電極保持部を有し、
前記浮上ステージにおいて、前記イオン発生手段が設けられる前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間には溝部が形成され、
前記電極保持部が前記溝部に嵌合し、前記浮上ステージの上面と前記電極保持部の上面とが面一となされることを特徴とする請求項１に記載された基板搬送装置。
【請求項３】
基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、
前記浮上ステージは、
該ステージ上面にライン状に穿設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気する複数のガス抜き孔と、前記ガス抜き孔の一部領域を塞ぐように設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備え、
前記イオン発生手段は、
所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルと、前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、前記給電ケーブルが引き出された電極保持部とを有し、
前記電極保持部が前記ガス抜き孔に嵌合することにより、前記電極保持部における前記針電極が設けられた面が前記ガス抜き孔の前記一部領域を塞ぎ、前記針電極が上方に臨んで配置されることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項４】
前記電極保持部が前記ガス抜き孔に嵌合された状態で、該電極保持部の前記針電極が設けられた面は、前記浮上ステージの上面よりも低く配置されることを特徴とする請求項３に記載された基板搬送装置。
【請求項５】
前記イオン発生手段は、少なくとも基板幅方向に複数配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された基板搬送装置。
【請求項６】
基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送路に沿って移動することにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、
前記浮上ステージは、
該ステージ内に形成され、前記複数のガス噴射孔にガスを供給するマニホールドと、
前記マニホールド内に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段とを備えることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項７】
前記イオン発生手段は、
所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブルと、前記針電極を突出させた状態で保持すると共に、前記給電ケーブルが引き出された電極保持部とを有し、
少なくとも前記針電極が前記マニホールド内に配置されていることを特徴とする請求項６に記載された基板搬送装置。
【請求項８】
前記マニホールドの内面と前記ガス噴射孔の内面には、絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載された基板搬送装置。
【請求項９】
前記浮上ステージの後端部上方に、下方を搬送される前記基板の表面に対し基板上の電荷を中和するためのイオンを供給する第２のイオン供給手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載された基板搬送装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−１９５３６２（Ｐ２０１２−１９５３６２Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５６７２４（Ｐ２０１１−５６７２４）
【出願日】平成２３年３月１５日（２０１１．３．１５）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１５日（２０１１．３．１５）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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