塩の製造方法
【課題】 本発明が解決しようとする課題は、工業的により安価かつ容易な水分量の少ない塩の製造方法を提供することである。
【解決手段】
アニオン成分とカチオン成分からなり水分を含有する塩（Ａ）好ましくはアミジニウム塩、テトラアルキルアンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の塩１００重量部に対して、炭酸エステル類（Ｂ）好ましくはジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート及びジエチルカーボネートからなる群から選ばれる少なくとも一種を０．０１〜１００重量部仕込み、加熱処理することを特徴とする水分含量が５００ｐｐｍ以下である塩の製造方法。
【解決手段】
アニオン成分とカチオン成分からなり水分を含有する塩（Ａ）好ましくはアミジニウム塩、テトラアルキルアンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の塩１００重量部に対して、炭酸エステル類（Ｂ）好ましくはジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート及びジエチルカーボネートからなる群から選ばれる少なくとも一種を０．０１〜１００重量部仕込み、加熱処理することを特徴とする水分含量が５００ｐｐｍ以下である塩の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塩の製造方法に関する。さらに詳しくは、特に水分量の少ない塩が要求される、電気２重層キャパシター用電解液、電解コンデンサー用電解液、二次電池用電解液、色素増感太陽電池用電解液、反応用溶媒および触媒等に有用な塩の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水分量の少ない塩の製造方法としては、アルコール類を添加した後、このアルコール類を蒸留により除去することに伴い水分を除去する方法が知られている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特許３２４９４８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記製造方法ではアルコール類が多量に必要であり、しかも水分量を少なくするためには何度も操作を繰り返す必要があるため、工業的には高価であり多量のアルコール類が廃棄物になる等の問題点を有している。本発明が解決しようとする課題は、工業的により安価かつ容易な水分量の少ない塩の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
すなわち本発明は、アニオン成分とカチオン成分からなる塩（Ａ）１００重量部に対して炭酸エステル類（Ｂ）を０．１〜１００重量部加え、加熱処理することを特徴とする水分含量が５００ｐｐｍ以下である塩の製造方法である。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の方法によれば、工業的により安価かつ容易に水分量の少ない塩の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の製造方法の対象となる塩は、アニオン成分とカチオン成分からなる塩（Ａ）である。
アニオン成分として、無機酸、有機カルボン酸 モノおよびジアルキルリン酸エステル、フェノール類、トリアゾール、有機スルホン酸、フルオロカルボン酸、ホウ素錯体等が挙げられる。
【０００７】
カチオン成分としては以下のカチオンがあげられる。
（１）無機カチオン：リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン等のアルカリ金属イオン又は、カルシウムイオン、マグネシウムイオン等のアルカリ土類金属イオン、又は、鉄イオン、ニッケルイオン、アルミニウムイオン等の遷移金属イオン。
【０００８】
（２）有機カチオン：アミジニウムカチオン（イミダゾリニウムカチオン類、イミダゾリウムカチオン類、グアニジウムカチオン類）、テトラアルキルアンモニウムカチオン類、ピリジニウムカチオン類、テトラアルキルホスホニウムカチオン類、ピロリジニウムカチオン類、ピペリジウムカチオン類、ヘキサメチレンイミニウムカチオン類、モルホリニウムカチオン類、ピペラジニウムカチオン類、テトラヒドロピリミジニウムカチオン類、ピコリニウムカチオン類、キノリニウムカチオン類、及びビピリジニウムカチオン類等。主な例として、以下の化合物があげられる。
・ピリジニウムカチオン類
Ｎ−メチルピリジニウムカチオン、Ｎ−エチルピリジニウムカチオン、Ｎ−メチル−４−ジメチルアミノピリジニウムカチオン、Ｎ−エチル−４−ジメチルアミノピリジニウムカチオンなど。
・テトラアルキルホスホニウムカチオン類
テトラメチルホスホニウムカチオン、テトラエチルホスホニウムカチオン、テトラブチルホスホニウムカチオン、ジメチルジエチルホスホニウムカチオン、メチルトリエチルホスホニウムカチオンなど。
・ピロリジニウムカチオン類
Ｎ，Ｎ−ジメチルピロリジニウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルピロリジニウムカチオン、Ｎ，Ｎ−ジエチルピロリジニウムカチオンなど。
・ピペリジウムカチオン類
Ｎ、Ｎ−ジメチルピペリジウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルピペリジウムカチオン、Ｎ、Ｎ−ジエチルピペリジウムカチオン、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルピペリジウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−ｎ−ブチルピペリジウムカチオンなど
・ヘキサメチレンイミニウムカチオン類
Ｎ，Ｎ−ジメチルヘキサメチレンイミニウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルヘキサメチレンイミニウムカチオン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヘキサメチレンイミニウムカチオンなど。
・モルホリニウムカチオン類
Ｎ，Ｎ−ジメチルモルホリニウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルモルホリニウムカチオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−ブチルモルホリニウムカチオンなど。
・ピペラジニウムカチオン類
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルピペラジニウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルピペラジニウムカチオン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジニウムカチオン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリエチル−Ｎ’−メチルピペラジニウムカチオン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルピペラジニウムカチオンなど。
・テトラヒドロピリミジニウムカチオン類
１，３−ジメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリエチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，５−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、８−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセニウムカチオン、５−メチル−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネニウムカチオン、８−エチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセニウムカチオン、５−エチル−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネニウムカチオンなど。
・ピコリニウムカチオン類
Ｎ−メチルピリジニウムカチオン、Ｎ−エチルピリジニウムカチオン、Ｎ−メチル−４−ジメチルアミノピリジニウムカチオン、Ｎ−エチル−４−ジメチルアミノピリジニウムカチオンなど。
・キノリニウムカチオン類
Ｎ−メチルキノリニウムイオン、Ｎ−エチルキノリニウムイオンなど。
・ビピリジニウムカチオン類
Ｎ−メチル−２，２’−ビピリジニウムカチオン、Ｎ−エチル−２，２’−ビピリニウムカチオンなど。
【０００９】
これらのカチオン成分の中で、好ましくは下記一般式（１）又は（２）で表されるアミジニウムカチオン、下記一般式（３）で表されるテトラアルキルアンモニウムカチオンからなる群から選ばれる少なくとも一種のカチオンが挙げられる。
【００１０】
【化１】
【００１１】
【化２】
式中、Ｒ1は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及び／又はホルミル基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基又は水素原子であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及び／又はホルミル基を有していてもよい炭素数１〜１０の１価炭化水素基であって、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の一部又は全部が結合して環を形成していてもよい。Ｘ-は、対アニオンを表す。
【００１２】
【化３】
式中Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及び／又はホルミル基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基であってＲ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9の一部又は全部が結合して環を形成していてもよい。Ｙ-は、対アニオンを表す。
【００１３】
塩（Ａ）としては無機塩および有機塩が挙げられ、好ましくは一般式（１）又は（２）で表されるアミジニウム塩、一般式（３）で表されるテトラアルキルアンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の塩（Ａ１）である。
【００１４】
一般式（１）及び（２）のカチオン成分について説明する。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が互いに環を形成していない場合、Ｒ1のうち、水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及び／又はホルミル基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基としては、直鎖脂肪族炭化水素基、分岐脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基等が含まれる。
直鎖脂肪族炭化水素基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−オクタデセニル、ｎ−エイコシル、ヒドロキシメチル、１−ヒドロキシエチル及び２−ヒドロキシエチル、アミノメチル、アミノエチル、ニトロメチル、ニトロエチル、シアノメチル、シアノエチル、カルボキシメチル、カルボキシエチル、メトキシメチル、メトキシエチル、ホルミルメチル及びホルミルエチル等が挙げられる。
分岐脂肪族炭化水素基としては、ｉｓｏ−プロピル、２−メチルプロピル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチルプロピル、２−エチルプロピル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、３−エチルブチル、４−エチルブチル、２−エチルヘキシル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、２−エチル−ｎ−オクチル、２−エチル−ｎ−ヘキサデセニル、２−エチル−ｎ−オクタデセニル、２−ヒドロキシ−ｉｓｏ−プロピル及び１−ヒドロキシ−２−メチルプロピル、２−アミノ−ｉｓｏ−プロピル、１−アミノ−２−メチルプロピル、２−ニトロ−ｉｓｏ−プロピル、１−ニトロ−２−メチルプロピル、２−シアノ−ｉｓｏ−プロピル、１−シアノ−２−メチルプロピル、２−カルボキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−カルボキシ−２−メチルプロピル、２−メトキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−メトキシ−２−メチルプロピル、２−ホルミル−ｉｓｏ−プロピル及び１−ホルミル−２−メチルプロピル等が挙げられる。
環式炭化水素基としては、シクロヘキシル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、１−ヒドロキシヘキシル、２−ヒドロキシヘキシル、３−ヒドロキシヘキシル及び４−ヒドロキシヘキシル、１−メトキシ−ヘキシル、２−メトキシヘキシル、３−メトキシヘキシル、４−メトキシヘキシル、１−ホルミル−ヘキシル、２−ホルミルヘキシル、３−ホルミルヘキシル及び４−ホルミルヘキシル等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル、トルイル及びベンジル等が挙げられる。
これらＲ1のうち、水素原子、直鎖脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が好ましく、さらに好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、メトキシエチル基、ｎ−ブチル基、フェニル基及びベンジル基、特に好ましくは水素原子、メトキシエチル基及びメチル基、最も好ましくはメチル基である。
【００１５】
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基もしくはホルミルを有していてもよい炭素数１〜１０の１価炭化水素基であり、環を形成していない場合、直鎖脂肪族炭化水素基、分岐脂肪族炭化水素基、環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基等が含まれる。
直鎖脂肪族炭化水素基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−デシル、アミノメチル、アミノエチル、ニトロメチル、ニトロエチル、シアノメチル、シアノエチル、カルボキシメチル、カルボキシエチル、メトキシメチル、メトキシエチル、ホルミルメチル及びホルミルエチル等が挙げられる。
分岐脂肪族炭化水素基としては、ｉｓｏ−プロピル、２−メチルプロピル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチルプロピル、２−エチルプロピル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、３−エチルブチル、４−エチルブチル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、２−エチル−ｎ−オクチル、２−アミノ−ｉｓｏ−プロピル、１−アミノ−２−メチルプロピル、２−ニトロ−ｉｓｏ−プロピル、１−ニトロ−２−メチルプロピル、２−シアノ−ｉｓｏ−プロピル、１−シアノ−２−メチルプロピル、２−カルボキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−カルボキシ−２−メチルプロピル、２−メトキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−メトキシ−２−メチルプロピル、２−ホルミル−ｉｓｏ−プロピル及び１−ホルミル−２−メチルプロピル等が挙げられる。
環式炭化水素基としては、シクロヘキシル、１−メチル−ヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、１−アミノ−ヘキシル、２−アミノヘキシル、３−アミノヘキシル、４−アミノヘキシル、１−シアノ−ヘキシル、２−シアノヘキシル、３−シアノヘキシル、４−シアノヘキシル、１−カルボキシ−ヘキシル、２−カルボキシヘキシル、３−カルボキシヘキシル、４−カルボキシヘキシル、１−メトキシ−ヘキシル、２−メトキシヘキシル、３−メトキシヘキシル、４−メトキシヘキシル、１−ホルミル−ヘキシル、２−ホルミルヘキシル、３−ホルミルヘキシル及び４−ホルミルヘキシル等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル、トルイル及びベンジル等が挙げられる。
これらのうち、直鎖脂肪族炭化水素基が好ましく、さらに好ましくはメチル基、メトキシエチル基及びエチル基、特に好ましくはメチル基及びエチル基である。
【００１６】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の一部又は全部が互いに結合して環を形成する場合、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の一部又は全部が結合して形成される環としては、イミダゾリン環、イミダゾール環、ピリミジン環及びテトラヒドロピリミジン環等が含まれる。これらのうち、イミダゾリン環及びイミダゾール環がより好ましく、さらに好ましくはイミダゾール環である。
【００１７】
一般式（１）又は（２）で表されるアミジン塩に含まれるカチオン成分、すなわち、塩（Ａ１）を構成するアミジニウムカチオンとしては、次のカチオン等が含まれる。
（ｉ）イミダゾリニウムカチオン
１，２，３−トリメチルイミダゾリニウム、１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリニウム、１，３，４−トリメチル−２−エチルイミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２，４−ジエチルイミダゾリニウム、１，２−ジメチル−３，４−ジエチルイミダゾリニウム、１−メチル−２，３，４−トリエチルイミダゾリニウム、１，２，３，４−テトラエチルイミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２−エチルイミダゾリニウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリニウム、１，２，３−トリエチルイミダゾリニウム、１，１−ジメチル−２−ヘプチルイミダゾリニウム、１，１−ジメチル−２−（−２’ヘプチル）イミダゾリニウム、１，１−ジメチル−２−（−３’ヘプチル）イミダゾリニウム、１，１−ジメチル−２−（−４’ヘプチル）イミダゾリニウム、１，１−ジメチル−２−ドデシルイミダゾリニウム、１，１−ジメチルイミダゾリニウム、１，１，２−トリメチルイミダゾリニウム、１，１，２，４−テトラメチルイミダゾリニウム、１，１，２，５−テトラメチルイミダゾリニウム、２，３-ジヒドロ-１Ｈ-ピロロイミダゾリニウム及び１，１，２，４，５−ペンタメチルイミダゾリニウム等。
【００１８】
（ｉｉ）イミダゾリウムカチオン
１，３−ジメチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１，３−ジエチルイミダゾリウム、１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリウム、１，３，４−トリメチル−２−エチルイミダゾリウム、１，３−ジメチル−２，４−ジエチルイミダゾリウム、１，２−ジメチル−３，４−ジエチルイミダゾリウム、１−メチル−２，３，４−トリエチルイミダゾリウム、１，２，３，４−テトラエチルイミダゾリウム、１，３−ジメチル−２−エチルイミダゾリウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、１，２，３−トリエチルイミダゾリウム、１，１−ジメチル−２−ヘプチルイミダゾリウム、１，１−ジメチル−２−（−２’ヘプチル）イミダゾリウム、１，１−ジメチル−２−（−３’ヘプチル）イミダゾリウム、１，１−ジメチル−２−（−４’ヘプチル）イミダゾリウム、１，１−ジメチル−２−ドデシルイミダゾリウム、１，１−ジメチルイミダゾリウム、１，１，２−トリメチルイミダゾリウム、１，１，２，４−テトラメチルイミダゾリウム、１，１，２，５−テトラメチルイミダゾリウム、２，３-ジヒドロ-１Ｈピロロイミダゾリウム及び１，１，２，４，５−ペンタメチルイミダゾリウム等。
【００１９】
（ｉｉｉ）ピリミジニウムカチオン
１，３−ジメチルピリミジニウム、１−エチル−３−メチルピリミジニウム、１，３−ジエチルピリミジニウム、１，２，３−トリメチルピリミジニウム、１，２，３，４−テトラメチルピリミジニウム、１，３，４−トリメチル−２−エチルイミダゾリウム、１，３−ジメチル−２，４−ジエチルピリミジニウム、１，２−ジメチル−３，４−ジエチルピリミジニウム、１−メチル−２，３，４−トリエチルピリミジニウム、１，２，３，４，５−ヘキサメチルイミダゾリウム等。
【００２０】
（ｉｖ）テトラヒドロピリミジニウムカチオン
１，３−ジメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウム、１，２，３−トリメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウム、１，２，３，４−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウム、１，２，３，５−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウム、８−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセニウム、５−メチル−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネニウム、８−エチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセニウム及び５−エチル−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネニウム等。
【００２１】
これらのうち、（ｉｉ）イミダゾリウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１，３−ジメチルイミダゾリウム、１，３−ジエチルイミダゾリウム、１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム及び１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリウム、２−エチル−１，３−ジメチルイミダゾリウム、４−エチル−１，３−ジメチルイミダゾリウム、３−エチル−１，４−ジメチルイミダゾリウム、３−エチル−１，５−ジメチルイミダゾリウム、１，２，４，５−テトラメチルイミダゾリウム、特に好ましくは１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１，２，３−トリメチルイミダゾリウム及び１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、最も好ましくは１−エチル−３−メチルイミダゾリウム及び１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムである
【００２２】
一般式（３）のカチオン成分について説明する。
Ｒ6〜Ｒ9には水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及び／又はホルミル基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基としては、直鎖脂肪族炭化水素基、分岐脂肪族炭化水素基脂、環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基等が含まれる。
直鎖脂肪族炭化水素基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−オクタデセニル、ｎ−エイコシル、ヒドロキシメチル、１−ヒドロキシエチル及び２−ヒドロキシエチル、アミノメチル、アミノエチル、ニトロメチル、ニトロエチル、シアノメチル、シアノエチル、カルボキシメチル、カルボキシエチル、メトキシメチル、メトキシエチル、ホルミルメチル及びホルミルエチル等が挙げられる。
分岐脂肪族炭化水素基としては、ｉｓｏ−プロピル、２−メチルプロピル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチルプロピル、２−エチルプロピル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、３−エチルブチル、４−エチルブチル、２−エチルヘキシル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、２−エチル−ｎ−オクチル、２−エチル−ｎ−ヘキサデセニル、２−エチル−ｎ−オクタデセニル、２−ヒドロキシ−ｉｓｏ−プロピル及び１−ヒドロキシ−２−メチルプロピル、２−アミノ−ｉｓｏ−プロピル、１−アミノ−２−メチルプロピル、２−ニトロ−ｉｓｏ−プロピル、１−ニトロ−２−メチルプロピル、２−シアノ−ｉｓｏ−プロピル、１−シアノ−２−メチルプロピル、２−カルボキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−カルボキシ−２−メチルプロピル、２−メトキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−メトキシ−２−メチルプロピル、２−ホルミル−ｉｓｏ−プロピル及び１−ホルミル−２−メチルプロピル等が挙げられる。
環式炭化水素基としては、シクロヘキシル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、１−ヒドロキシヘキシル、２−ヒドロキシヘキシル、３−ヒドロキシヘキシル及び４−ヒドロキシヘキシル、１−メトキシ−ヘキシル、２−メトキシヘキシル、３−メトキシヘキシル、４−メトキシヘキシル、１−ホルミル−ヘキシル、２−ホルミルヘキシル、３−ホルミルヘキシル及び４−ホルミルヘキシル等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル、トルイル及びベンジル等が挙げられる。
Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は水素原子、直鎖脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が好ましく、さらに好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、メトキシエチル基、ｎ−ブチル基、フェニル基及びベンジル基、特に好ましくは、メチル基、エチル基及びメトキシエチル基である。
【００２３】
一般式（３）で表されるテトラアルキルアンモニウム塩に含まれるカチオン成分、すなわち、塩（Ａ１）を構成するテトラアルキルアンモニウムカチオンとしては、次のカチオン等が含まれる。
テトラメチルアンモニウム、エチルトリメチルアンモニウム、ジエチルジメチルアンモニウム、トリエチルメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、トリメチル−ｎ−プロピルアンモニウム、トリメチルイソプロピルアンモニウム、エチルジメチル−ｎ−プロピルアンモニウム、エチルジメチルイソプロピルアンモニウム、ジエチルメチル−ｎ−プロピルアンモニウム、ジエチルメチルイソプロピルアンモニウム、ジメチルジ−ｎ−プロピルアンモニウム、ジメチル−ｎ−プロピルイソプロピルアンモニウム、ジメチルジイソプロピルアンモニウム、トリエチル−ｎ−プロピルアンモニウム、ｎ−ブチルトリメチルアンモニウム、イソブチルトリメチルアンモニウム、ｔ−ブチルトリメチルアンモニウム、トリエチルイソプロピルアンモニウム、エチルメチルジ−ｎ−プロピルアンモニウム、エチルメチル−ｎ−プロピルイソプロピルアンモニウム、エチルメチルジイソプロピルアンモニウム、ｎ−ブチルエチルジメチルアンモニウム、イソブチルエチルジメチルアンモニウム、ｔ−ブチルエチルジメチルアンモニウム、ジエチルジ−ｎ−プロピルアンモニウム、ジエチル−ｎ−プロピルイソプロピルアンモニウム、ジエチルジイソプロピルアンモニウム、メチルトリ−ｎ−プロピルアンモニウム、メチルジ−ｎ−プロピルイソプロピルアンモニウム、メチル−ｎ−プロピルジイソプロピルアンモニウム、ｎ−ブチルトリエチルアンモニウム、イソブチルトリエチルアンモニウム、ｔ−ブチルトリエチルアンモニウム、ジ−ｎ−ブチルジメチルアンモニウム、ジイソブチルジメチルアンモニウム、ジ−ｔ−ブチルジメチルアンモニウム、ｎ−ブチルイソブチルジメチルアンモニウム、ｎ−ブチル−ｔ−ブチルジメチルアンモニウム、イソブチル−ｔ−ブチルジメチルアンモニウム、ジエチルメチルメトキシエチルアンモニウム、エチルジメチルメトキシエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシヘキシル）トリメチルアンモニウム、（１−ヒドロキシヘキシル）トリエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシヘキシル）ジメチルエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシヘキシル）メチルジエチルアンモニウム、（１−メトキシヘキシル）トリメチルアンモニウム、（１−メトキシヘキシル）トリエチルアンモニウム、（１−メトキシヘキシル）ジメチルエチルアンモニウム、（１−メトキシヘキシル）メチルジエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシ−３−メチルペンチル）トリメチルアンモニウム、（１−ヒドロキシ−３−メチルペンチル）トリエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシ−３−メチルペンチル）ジメチルエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシ−３−メチルペンチル）メチルジエチルアンモニウム、（１−メトキシ−３−メチルペンチル）トリメチルアンモニウム、（１−メトキシ−３−メチルペンチル）トリエチルアンモニウム、（１−メトキシ−３−メチルペンチル）ジメチルエチルアンモニウム、（１−メトキシ−３−メチルペンチル）メチルジエチルアンモニウム等が挙げられる。
【００２４】
上記塩（Ａ）のアニオン成分としての無機酸、有機カルボン酸 モノおよびジアルキルリン酸エステル、フェノール類、トリアゾール、有機スルホン酸、フルオロカルボン酸、ホウ素錯体等の中で、上記の式（１）、式（２）及び式（３）のアニオン成分が好ましい。これらについて説明する。
Ｘ-はＰＦ6-、ＢＦ4-、ＡｓＦ6-、Ｆ-、Ｃｌ-、ＰＣｌ6-、ＢＣｌ4-、ＡｓＣｌ6-、ＳｂＣｌ6-、ＴａＣｌ6-、ＮｂＣｌ6-、ＰＢｒ6-、ＢＢｒ6-、ＡｓＢｒ6-、ＡｌＢｒ4-、ＴａＢｒ6-、ＮｂＢｒ6-、ＰＣｌ6-、ＳｂＦ6-、ＡｌＦ4-、ＣｌＯ4-、ＡｌＣｌ4-、ＴａＦ6-、ＮｂＦ6-、ＳｉＦ6-、ＣＮ-、Ｆ（ＨＦ）n-、Ｎ（ＲｆＳＯ3）2-、Ｃ（ＲｆＳＯ3）3-、ＲｆＳＯ3-、ＲｆＣＯ2-（Ｒｆは炭素数１〜１２のフルオロアルキル基）、（当該式中、ｎは１以上４以下の数値を表す）が好ましく、さらに好ましくは、電気化学的安定性の観点等から、ＰＦ6-、ＢＦ4-又はＮ（ＲｆＳＯ3）2-で表される対アニオン、特に好ましくはＰＦ6-又はＢＦ4-で表される対アニオン、最も好ましくはＢＦ4-で表される対アニオンである。 Ｎ（ＲｆＳＯ3）2-、Ｃ（ＲｆＳＯ3）3-、ＲｆＳＯ3-又はＲｆＣＯ2-で表されるアニオンに含まれるＲｆは、炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を表し、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル及びノナフルオロブチルなどが挙げられる。これらのうち、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル及びヘプタフルオロプロピルが好ましく、さらに好ましくはトリフルオロメチル及びペンタフルオロエチル、特に好ましくはトリフルオロメチルである。Ｙ-はＸ-と同様である。
【００２５】
塩（Ａ）として好ましいものを例示すると、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，３−ジエチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，２，３−トリメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、２−エチル−１，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、４−エチル−１，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、３−エチル−１，４−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、３−エチル−１，５−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，２，４，５−テトラメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロフォスフェート、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、トリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート、エチルジメチルメトキシエチルアンモニウムテトラフルオロボレート等が挙げられるが、これらに限定されない。なお、これらの電解質のうち、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，２，３−トリメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート及び１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートが特に好ましい。
【００２６】
本発明の塩の製造方法は塩を主成分とし水分が含まれる塩（Ａ）において、塩１００重量部に対して炭酸エステル類（Ｂ）を０．１〜１００重量部を加え、加熱処理し、水分を除去する工程である。加熱処理後、炭酸エステル類および反応生成物を必要により蒸発除去してもよい。
【００２７】
本発明で使用される炭酸エステル類（Ｂ）としては１価のアルコール類の炭酸エステル（Ｂ１）および２価のアルコール類の炭酸エステル（Ｂ２）が挙げられる。
・１価のアルコールの炭酸エステル：ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ｎ−プロピルメチルカーボネート、ｎ−プロピルエチルカーボネート、ジｎ−プロピルカーボネート、ｉ−プロピルメチルカーボネート、ｉ−プロピルエチルカーボネート、ジｉ−プロピルカーボネート、ジブチルカーボネート等及び２種以上の混合物。
・２価のアルコール類の炭酸エステル：エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート等及び２種以上の混合物。
好ましくは１価のアルコールの炭酸エステル、特に好ましくはジメチルカーボネート及び／又はジメチルカーボネート及び／又はジエチルカーボネートである。炭酸エステル類（Ｂ）の沸点は好ましくは３００℃以下であり、さらに好ましくは、２００℃以下である。
【００２８】
上記塩（Ａ）に炭酸エステル類（Ｂ）を仕込む時、塩（Ａ）１００重量部に対して（Ｂ）は０．０１〜１００重量部、好ましくは０．１〜５０重量部、特に好ましくは１〜３０重量部である。０．０１重量部未満では水分を除去する効率が悪く、また１００重量部を超えると仕込んだ（Ｂ）に対して水分除去の効率が悪くなる。
処理温度は好ましくは５０〜２００℃、より好ましくは７０〜１８０℃であり、特に好ましくは９０〜１４０℃である。
（Ｂ）および反応物を蒸発除去する場合、絶対圧力は、（Ｂ）の種類によるが、好ましくは０ｋＰａ〜１０１ｋＰａ、さらに好ましくは０ｋＰａ〜５０ｋＰａであり、処理時間は通常１〜５０時間、好ましくは２〜３０時間であるが、要求される水分量によりさらに延長してもよい。
【００２９】
本発明の製造方法により得られた水分が５００ｐｐｍ以下の塩（Ａ）を塩（Ｃ）と呼ぶものとする。
塩（Ｃ）に求められる水分含量は、電気２重層キャパシター用電解液、電解コンデンサー用電解液、二次電池用電解液、色素増感太陽電池用電解液、反応用溶媒および触媒等において通常５００ｐｐｍ以下が求められる。特に電気二重層コンデンサ用電解液又は二次電池用電解液では、耐電圧の低下、長期信頼性の低下の観点から好ましくは３００ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下、特に好ましくは３０ｐｐｍ以下が求められる。塩（Ｃ）中のアルコール類の残存量は好ましくは３０００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｍ以下である。
【００３０】
本発明の製造方法により得られる塩（Ｃ）を用いる非水電解液の製造方法としては、得られた塩（Ｃ）を有機溶媒に溶解させる方法、塩（Ａ）を有機溶媒に溶解させた後、本発明の製造方法により水分を除去する方法が挙げられる。有機溶媒の具体例としては以下のものが挙げられる。これらのうち２種類以上を併用することも可能である。
【００３１】
・エーテル類：鎖状エーテル［炭素数２〜６（ジエチルエーテル、メチルイソプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなど）；炭素数７〜１２（ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルなど）］、環状エーテル［炭素数２〜４（テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサンなど）；炭素数５〜１８（４−ブチルジオキソラン、クラウンエーテルなど）］。
・アミド類：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリドンなど。
・カルボン酸エステル類：酢酸メチル、プロピオン酸メチルなど。
・ラクトン類：γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、β−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトンなど。
・ニトリル類：アセトニトリル、グルタロニトリル、アジポニトリル、メトキシアセトニトリル、３−メトキシプロピオニトリル、アクリロニトリルなど。
・炭酸エステル類：エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネート、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、ジエチルカーボネートなど。
・スルホキシド類：ジメチルスルホキシド、スルホラン、３−メチルスルホラン、２，４−ジメチルスルホランなど。
・ニトロ化合物：ニトロメタン、ニトロエタンなど。
・複素環式溶媒：Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン、３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリジノンなど。
・ケトン類：アセトン、２，５ヘキサンジオン、シクロヘキサンなど。
・リン酸エステル類：トリメチルリン酸、トリエチルリン酸、トリプロピルリン酸など。
これらのうち好ましいのは炭酸エステル類およびスルホキシド類であり、特に好ましくはエチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、スルホランである。
電解液中に占める電解質塩の濃度は、電解液の電気伝導度、内部抵抗の観点から好ましくは０．１モル／リットル以上、さらに好ましくは０．５モル／リットル以上、低温時の塩析出の観点から好ましくは４モル／リットル以下、さらに好ましくは３モル／リットル以下である。電解液中の含水量は電気化学的安定性の観点から３００ｐｐｍ以下が好ましく、さらに好ましくは１００ｐｐｍ以下、特に好ましくは５０ｐｐｍ以下である。
【００３２】
実施例 次に本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。例の中で、部は重量部を示す。
下記実施例において、水分及びカーボネート類（Ｂ）の残存量は以下の方法で測定した。
＜水分＞
塩の水分量はカールフィッシャー水分測定装置により測定した。水分測定装置：平沼産業株式会社製、ＡＱ−７。塩を露点−５０℃以下雰囲気下で２ｍｌ注射器に採取し、水分測定装置に注入し、注入量と電量滴定量から水分測定値を算出した。
＜カーボネート類（Ｂ）の残存量＞
カーボネート類（Ｂ）の残存量はガスクロマトグラフィーにより測定した。ガスクロマトグラフィーの条件は次に示す条件で行った。カラム：ＤＢ−ＷＡＸ（ジーエルサイエンス社製）、キャリアーガス：ヘリウム、カラム温度：５０℃〜２３０℃（昇温速度１０℃／分）、注入口温度：２３０℃、検出器温度：２３０℃、検出器：ＦＩＤ、サンプル注入量：１マイクロリットル。カーボネート類の残存量は、濃度既知のカーボネート類をあらかじめガスクロマトグラフィーによって測定し、検量線作成後、定法に従い定量した。
【００３３】
実施例１
ガラス製オートクレーブに純度９９．４％、水分６０００ｐｐｍの１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートを１００部仕込んだ。撹拌下、ジメチルカーボネートを１５部仕込み、温度１２５℃の条件で処理を３時間行った。ジメチルカーボネートを含有する１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート（Ｃ−１）を１１４部得た。（Ｃ−１）の水分は３５ｐｐｍであった。
【００３４】
実施例２
実施例１で得られた（Ｃ−１）から温度１２５℃、圧力３ｋＰａ、１時間で残存するジメチルカーボネートを除去して、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート（Ｃ−２）を９９．５部得た。（Ｃ−２）の水分量は４０ｐｐｍであり、ジメチルカーボネートの残存量は１００ｐｐｍであった。
【００３５】
実施例３
ガラス製オートクレーブに純度９９．８％、水分２０００ｐｐｍの１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートを１００部仕込んだ。撹拌下、ジメチルカーボネートを５部仕込み、温度１１０℃の条件で６時間処理を行った。処理物から温度１２０℃、圧力２ｋＰａ、１時間で残存するジメチルカーボネートを除去して、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート（Ｃ−３）を９９．８部得た。（Ｃ−３）の水分量は８０ｐｐｍであり、ジメチルカーボネートの残存量は１５０ｐｐｍであった。
【００３６】
実施例４
ガラス製オートクレーブに純度９９．２％、水分８０００ｐｐｍの１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロフォスフェートを１００部仕込んだ。撹拌下、ジメチルカーボネートを２０部仕込み、温度１００℃の条件で１０時間処理を行った。処理物から温度１００℃、圧力２ｋＰａ、１時間で残存するジメチルカーボネートを除去して、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロフォスフェート（Ｃ−４）を９９．２部得た。（Ｃ−４）の水分量は５０ｐｐｍであり、ジメチルカーボネートの残存量は３１０ｐｐｍであった。
【００３７】
実施例５
ガラス製オートクレーブに純度９９．５％、水分５０００ｐｐｍの１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホネートを１００部仕込んだ。撹拌下、エチルメチルカーボネートを１５部仕込み、温度１３０℃の条件で４時間処理を行った。処理物から温度１３０℃、圧力３ｋＰａ、１時間で残存するエチルメチルカーボネートを除去して、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホネートを９９．５部を得た。（Ｃ−５）の水分量は３０ｐｐｍであり、エチルメチルカーボネートの残存量は１２０ｐｐｍであった。
【００３８】
実施例６
ガラス製オートクレーブに純度９９．４％、水分６０００ｐｐｍの１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートを５０部、純度９９．４％、水分６０００ｐｐｍのトリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレートを５０部仕込んだ。撹拌下、ジエチルカーボネートを２０部仕込み、温度１２５℃の条件で７時間処理を行った。処理物から温度１２５℃、圧力２ｋＰａ、１時間で残存するジエチルカーボネートを除去して、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート及び、トリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレート（Ｃ−６）を９９．４部得た。（Ｃ−６）の水分量は７０ｐｐｍであり、ジエチルカーボネートの残存量は２２０ｐｐｍであった。
【００３９】
実施例７
ガラス製オートクレーブに純度９９．７％、水分３０００ｐｐｍのエチルジメチルメトキシエチルアンモニウムテトラフルオロボレートを１００部仕込んだ。撹拌下、ジメチルカーボネートを１０部仕込み、温度１１０℃の条件で５時間処理を行った。処理物から温度１１０℃、圧力２ｋＰａ、１時間で残存するジメチルカーボネートを除去して、エチルジメチルメトキシエチルアンモニウムテトラフルオロボレート（Ｃ−７）を９９．７部得た。（Ｃ−７）の水分量は４０ｐｐｍであり、ジメチルカーボネートの残存量は２００ｐｐｍであった。
【００４０】
実施例８
ガラス製オートクレーブに純度９９．４％、水分６０００ｐｐｍの１，２，３−トリメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートを１００部、スルホランを２００部仕込んだ。撹拌下、ジメチルカーボネートを１０部仕込み、温度１００℃の条件で８時間処理を行った。処理物から温度１００℃、圧力２ｋＰａ、１時間で残存するジメチルカーボネートを除去して、１，２，３−トリメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートのスルホラン溶液（Ｃ−７）を２９９．４部得た。（Ｃ−７）の水分量は４０ｐｐｍであり、ジメチルカーボネートの残存量は２１０ｐｐｍであった。
【００４１】
比較例１
ガラス製オートクレーブに純度：９９．５％、水分５０００ｐｐｍの１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート１００部、メタノールを１００部仕込んだ。撹拌下、温度１２５℃まで昇温し、徐々に減圧しながら、温度１２５℃、圧力２ｋＰａ、１時間でメタノールを完全に除去して塩を９９．５部を得た。塩の水分量は５００ｐｐｍであり、メタノールの残存量は７０ｐｐｍであった。
【００４２】
比較例２
ガラス製オートクレーブに純度：９９．６％、水分４０００ｐｐｍの１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート１００部、メタノールを１００部仕込んだ。撹拌下、温度１２０℃まで昇温し、徐々に減圧しながら、温度１１０℃、圧力２ｋＰａ、１時間でメタノールを完全に除去して塩を９９．６部を得た。塩の水分量は６００ｐｐｍであり、メタノールの残存量は１００ｐｐｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の製造方法によれば、水分量の少ない塩を工業的に安価に製造することができる。水分量の少ない塩が要求される、電気２重層キャパシター用電解液、電解コンデンサー用電解液、二次電池用電解液、色素増感太陽電池用電解液、反応用溶媒および触媒等に特に有用である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塩の製造方法に関する。さらに詳しくは、特に水分量の少ない塩が要求される、電気２重層キャパシター用電解液、電解コンデンサー用電解液、二次電池用電解液、色素増感太陽電池用電解液、反応用溶媒および触媒等に有用な塩の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水分量の少ない塩の製造方法としては、アルコール類を添加した後、このアルコール類を蒸留により除去することに伴い水分を除去する方法が知られている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特許３２４９４８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記製造方法ではアルコール類が多量に必要であり、しかも水分量を少なくするためには何度も操作を繰り返す必要があるため、工業的には高価であり多量のアルコール類が廃棄物になる等の問題点を有している。本発明が解決しようとする課題は、工業的により安価かつ容易な水分量の少ない塩の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
すなわち本発明は、アニオン成分とカチオン成分からなる塩（Ａ）１００重量部に対して炭酸エステル類（Ｂ）を０．１〜１００重量部加え、加熱処理することを特徴とする水分含量が５００ｐｐｍ以下である塩の製造方法である。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の方法によれば、工業的により安価かつ容易に水分量の少ない塩の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の製造方法の対象となる塩は、アニオン成分とカチオン成分からなる塩（Ａ）である。
アニオン成分として、無機酸、有機カルボン酸 モノおよびジアルキルリン酸エステル、フェノール類、トリアゾール、有機スルホン酸、フルオロカルボン酸、ホウ素錯体等が挙げられる。
【０００７】
カチオン成分としては以下のカチオンがあげられる。
（１）無機カチオン：リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン等のアルカリ金属イオン又は、カルシウムイオン、マグネシウムイオン等のアルカリ土類金属イオン、又は、鉄イオン、ニッケルイオン、アルミニウムイオン等の遷移金属イオン。
【０００８】
（２）有機カチオン：アミジニウムカチオン（イミダゾリニウムカチオン類、イミダゾリウムカチオン類、グアニジウムカチオン類）、テトラアルキルアンモニウムカチオン類、ピリジニウムカチオン類、テトラアルキルホスホニウムカチオン類、ピロリジニウムカチオン類、ピペリジウムカチオン類、ヘキサメチレンイミニウムカチオン類、モルホリニウムカチオン類、ピペラジニウムカチオン類、テトラヒドロピリミジニウムカチオン類、ピコリニウムカチオン類、キノリニウムカチオン類、及びビピリジニウムカチオン類等。主な例として、以下の化合物があげられる。
・ピリジニウムカチオン類
Ｎ−メチルピリジニウムカチオン、Ｎ−エチルピリジニウムカチオン、Ｎ−メチル−４−ジメチルアミノピリジニウムカチオン、Ｎ−エチル−４−ジメチルアミノピリジニウムカチオンなど。
・テトラアルキルホスホニウムカチオン類
テトラメチルホスホニウムカチオン、テトラエチルホスホニウムカチオン、テトラブチルホスホニウムカチオン、ジメチルジエチルホスホニウムカチオン、メチルトリエチルホスホニウムカチオンなど。
・ピロリジニウムカチオン類
Ｎ，Ｎ−ジメチルピロリジニウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルピロリジニウムカチオン、Ｎ，Ｎ−ジエチルピロリジニウムカチオンなど。
・ピペリジウムカチオン類
Ｎ、Ｎ−ジメチルピペリジウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルピペリジウムカチオン、Ｎ、Ｎ−ジエチルピペリジウムカチオン、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルピペリジウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−ｎ−ブチルピペリジウムカチオンなど
・ヘキサメチレンイミニウムカチオン類
Ｎ，Ｎ−ジメチルヘキサメチレンイミニウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルヘキサメチレンイミニウムカチオン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヘキサメチレンイミニウムカチオンなど。
・モルホリニウムカチオン類
Ｎ，Ｎ−ジメチルモルホリニウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルモルホリニウムカチオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ−ブチルモルホリニウムカチオンなど。
・ピペラジニウムカチオン類
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルピペラジニウムカチオン、Ｎ−エチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルピペラジニウムカチオン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジニウムカチオン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリエチル−Ｎ’−メチルピペラジニウムカチオン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルピペラジニウムカチオンなど。
・テトラヒドロピリミジニウムカチオン類
１，３−ジメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリエチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，５−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、８−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセニウムカチオン、５−メチル−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネニウムカチオン、８−エチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセニウムカチオン、５−エチル−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネニウムカチオンなど。
・ピコリニウムカチオン類
Ｎ−メチルピリジニウムカチオン、Ｎ−エチルピリジニウムカチオン、Ｎ−メチル−４−ジメチルアミノピリジニウムカチオン、Ｎ−エチル−４−ジメチルアミノピリジニウムカチオンなど。
・キノリニウムカチオン類
Ｎ−メチルキノリニウムイオン、Ｎ−エチルキノリニウムイオンなど。
・ビピリジニウムカチオン類
Ｎ−メチル−２，２’−ビピリジニウムカチオン、Ｎ−エチル−２，２’−ビピリニウムカチオンなど。
【０００９】
これらのカチオン成分の中で、好ましくは下記一般式（１）又は（２）で表されるアミジニウムカチオン、下記一般式（３）で表されるテトラアルキルアンモニウムカチオンからなる群から選ばれる少なくとも一種のカチオンが挙げられる。
【００１０】
【化１】
【００１１】
【化２】
式中、Ｒ1は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及び／又はホルミル基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基又は水素原子であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及び／又はホルミル基を有していてもよい炭素数１〜１０の１価炭化水素基であって、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の一部又は全部が結合して環を形成していてもよい。Ｘ-は、対アニオンを表す。
【００１２】
【化３】
式中Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及び／又はホルミル基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基であってＲ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9の一部又は全部が結合して環を形成していてもよい。Ｙ-は、対アニオンを表す。
【００１３】
塩（Ａ）としては無機塩および有機塩が挙げられ、好ましくは一般式（１）又は（２）で表されるアミジニウム塩、一般式（３）で表されるテトラアルキルアンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の塩（Ａ１）である。
【００１４】
一般式（１）及び（２）のカチオン成分について説明する。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が互いに環を形成していない場合、Ｒ1のうち、水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及び／又はホルミル基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基としては、直鎖脂肪族炭化水素基、分岐脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基等が含まれる。
直鎖脂肪族炭化水素基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−オクタデセニル、ｎ−エイコシル、ヒドロキシメチル、１−ヒドロキシエチル及び２−ヒドロキシエチル、アミノメチル、アミノエチル、ニトロメチル、ニトロエチル、シアノメチル、シアノエチル、カルボキシメチル、カルボキシエチル、メトキシメチル、メトキシエチル、ホルミルメチル及びホルミルエチル等が挙げられる。
分岐脂肪族炭化水素基としては、ｉｓｏ−プロピル、２−メチルプロピル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチルプロピル、２−エチルプロピル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、３−エチルブチル、４−エチルブチル、２−エチルヘキシル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、２−エチル−ｎ−オクチル、２−エチル−ｎ−ヘキサデセニル、２−エチル−ｎ−オクタデセニル、２−ヒドロキシ−ｉｓｏ−プロピル及び１−ヒドロキシ−２−メチルプロピル、２−アミノ−ｉｓｏ−プロピル、１−アミノ−２−メチルプロピル、２−ニトロ−ｉｓｏ−プロピル、１−ニトロ−２−メチルプロピル、２−シアノ−ｉｓｏ−プロピル、１−シアノ−２−メチルプロピル、２−カルボキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−カルボキシ−２−メチルプロピル、２−メトキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−メトキシ−２−メチルプロピル、２−ホルミル−ｉｓｏ−プロピル及び１−ホルミル−２−メチルプロピル等が挙げられる。
環式炭化水素基としては、シクロヘキシル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、１−ヒドロキシヘキシル、２−ヒドロキシヘキシル、３−ヒドロキシヘキシル及び４−ヒドロキシヘキシル、１−メトキシ−ヘキシル、２−メトキシヘキシル、３−メトキシヘキシル、４−メトキシヘキシル、１−ホルミル−ヘキシル、２−ホルミルヘキシル、３−ホルミルヘキシル及び４−ホルミルヘキシル等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル、トルイル及びベンジル等が挙げられる。
これらＲ1のうち、水素原子、直鎖脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が好ましく、さらに好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、メトキシエチル基、ｎ−ブチル基、フェニル基及びベンジル基、特に好ましくは水素原子、メトキシエチル基及びメチル基、最も好ましくはメチル基である。
【００１５】
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基もしくはホルミルを有していてもよい炭素数１〜１０の１価炭化水素基であり、環を形成していない場合、直鎖脂肪族炭化水素基、分岐脂肪族炭化水素基、環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基等が含まれる。
直鎖脂肪族炭化水素基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−デシル、アミノメチル、アミノエチル、ニトロメチル、ニトロエチル、シアノメチル、シアノエチル、カルボキシメチル、カルボキシエチル、メトキシメチル、メトキシエチル、ホルミルメチル及びホルミルエチル等が挙げられる。
分岐脂肪族炭化水素基としては、ｉｓｏ−プロピル、２−メチルプロピル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチルプロピル、２−エチルプロピル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、３−エチルブチル、４−エチルブチル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、２−エチル−ｎ−オクチル、２−アミノ−ｉｓｏ−プロピル、１−アミノ−２−メチルプロピル、２−ニトロ−ｉｓｏ−プロピル、１−ニトロ−２−メチルプロピル、２−シアノ−ｉｓｏ−プロピル、１−シアノ−２−メチルプロピル、２−カルボキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−カルボキシ−２−メチルプロピル、２−メトキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−メトキシ−２−メチルプロピル、２−ホルミル−ｉｓｏ−プロピル及び１−ホルミル−２−メチルプロピル等が挙げられる。
環式炭化水素基としては、シクロヘキシル、１−メチル−ヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、１−アミノ−ヘキシル、２−アミノヘキシル、３−アミノヘキシル、４−アミノヘキシル、１−シアノ−ヘキシル、２−シアノヘキシル、３−シアノヘキシル、４−シアノヘキシル、１−カルボキシ−ヘキシル、２−カルボキシヘキシル、３−カルボキシヘキシル、４−カルボキシヘキシル、１−メトキシ−ヘキシル、２−メトキシヘキシル、３−メトキシヘキシル、４−メトキシヘキシル、１−ホルミル−ヘキシル、２−ホルミルヘキシル、３−ホルミルヘキシル及び４−ホルミルヘキシル等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル、トルイル及びベンジル等が挙げられる。
これらのうち、直鎖脂肪族炭化水素基が好ましく、さらに好ましくはメチル基、メトキシエチル基及びエチル基、特に好ましくはメチル基及びエチル基である。
【００１６】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の一部又は全部が互いに結合して環を形成する場合、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の一部又は全部が結合して形成される環としては、イミダゾリン環、イミダゾール環、ピリミジン環及びテトラヒドロピリミジン環等が含まれる。これらのうち、イミダゾリン環及びイミダゾール環がより好ましく、さらに好ましくはイミダゾール環である。
【００１７】
一般式（１）又は（２）で表されるアミジン塩に含まれるカチオン成分、すなわち、塩（Ａ１）を構成するアミジニウムカチオンとしては、次のカチオン等が含まれる。
（ｉ）イミダゾリニウムカチオン
１，２，３−トリメチルイミダゾリニウム、１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリニウム、１，３，４−トリメチル−２−エチルイミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２，４−ジエチルイミダゾリニウム、１，２−ジメチル−３，４−ジエチルイミダゾリニウム、１−メチル−２，３，４−トリエチルイミダゾリニウム、１，２，３，４−テトラエチルイミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２−エチルイミダゾリニウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリニウム、１，２，３−トリエチルイミダゾリニウム、１，１−ジメチル−２−ヘプチルイミダゾリニウム、１，１−ジメチル−２−（−２’ヘプチル）イミダゾリニウム、１，１−ジメチル−２−（−３’ヘプチル）イミダゾリニウム、１，１−ジメチル−２−（−４’ヘプチル）イミダゾリニウム、１，１−ジメチル−２−ドデシルイミダゾリニウム、１，１−ジメチルイミダゾリニウム、１，１，２−トリメチルイミダゾリニウム、１，１，２，４−テトラメチルイミダゾリニウム、１，１，２，５−テトラメチルイミダゾリニウム、２，３-ジヒドロ-１Ｈ-ピロロイミダゾリニウム及び１，１，２，４，５−ペンタメチルイミダゾリニウム等。
【００１８】
（ｉｉ）イミダゾリウムカチオン
１，３−ジメチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１，３−ジエチルイミダゾリウム、１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリウム、１，３，４−トリメチル−２−エチルイミダゾリウム、１，３−ジメチル−２，４−ジエチルイミダゾリウム、１，２−ジメチル−３，４−ジエチルイミダゾリウム、１−メチル−２，３，４−トリエチルイミダゾリウム、１，２，３，４−テトラエチルイミダゾリウム、１，３−ジメチル−２−エチルイミダゾリウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、１，２，３−トリエチルイミダゾリウム、１，１−ジメチル−２−ヘプチルイミダゾリウム、１，１−ジメチル−２−（−２’ヘプチル）イミダゾリウム、１，１−ジメチル−２−（−３’ヘプチル）イミダゾリウム、１，１−ジメチル−２−（−４’ヘプチル）イミダゾリウム、１，１−ジメチル−２−ドデシルイミダゾリウム、１，１−ジメチルイミダゾリウム、１，１，２−トリメチルイミダゾリウム、１，１，２，４−テトラメチルイミダゾリウム、１，１，２，５−テトラメチルイミダゾリウム、２，３-ジヒドロ-１Ｈピロロイミダゾリウム及び１，１，２，４，５−ペンタメチルイミダゾリウム等。
【００１９】
（ｉｉｉ）ピリミジニウムカチオン
１，３−ジメチルピリミジニウム、１−エチル−３−メチルピリミジニウム、１，３−ジエチルピリミジニウム、１，２，３−トリメチルピリミジニウム、１，２，３，４−テトラメチルピリミジニウム、１，３，４−トリメチル−２−エチルイミダゾリウム、１，３−ジメチル−２，４−ジエチルピリミジニウム、１，２−ジメチル−３，４−ジエチルピリミジニウム、１−メチル−２，３，４−トリエチルピリミジニウム、１，２，３，４，５−ヘキサメチルイミダゾリウム等。
【００２０】
（ｉｖ）テトラヒドロピリミジニウムカチオン
１，３−ジメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウム、１，２，３−トリメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウム、１，２，３，４−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウム、１，２，３，５−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウム、８−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセニウム、５−メチル−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネニウム、８−エチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセニウム及び５−エチル−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネニウム等。
【００２１】
これらのうち、（ｉｉ）イミダゾリウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１，３−ジメチルイミダゾリウム、１，３−ジエチルイミダゾリウム、１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム及び１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリウム、２−エチル−１，３−ジメチルイミダゾリウム、４−エチル−１，３−ジメチルイミダゾリウム、３−エチル−１，４−ジメチルイミダゾリウム、３−エチル−１，５−ジメチルイミダゾリウム、１，２，４，５−テトラメチルイミダゾリウム、特に好ましくは１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１，２，３−トリメチルイミダゾリウム及び１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、最も好ましくは１−エチル−３−メチルイミダゾリウム及び１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムである
【００２２】
一般式（３）のカチオン成分について説明する。
Ｒ6〜Ｒ9には水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及び／又はホルミル基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基としては、直鎖脂肪族炭化水素基、分岐脂肪族炭化水素基脂、環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基等が含まれる。
直鎖脂肪族炭化水素基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−オクタデセニル、ｎ−エイコシル、ヒドロキシメチル、１−ヒドロキシエチル及び２−ヒドロキシエチル、アミノメチル、アミノエチル、ニトロメチル、ニトロエチル、シアノメチル、シアノエチル、カルボキシメチル、カルボキシエチル、メトキシメチル、メトキシエチル、ホルミルメチル及びホルミルエチル等が挙げられる。
分岐脂肪族炭化水素基としては、ｉｓｏ−プロピル、２−メチルプロピル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチルプロピル、２−エチルプロピル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、３−エチルブチル、４−エチルブチル、２−エチルヘキシル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、２−エチル−ｎ−オクチル、２−エチル−ｎ−ヘキサデセニル、２−エチル−ｎ−オクタデセニル、２−ヒドロキシ−ｉｓｏ−プロピル及び１−ヒドロキシ−２−メチルプロピル、２−アミノ−ｉｓｏ−プロピル、１−アミノ−２−メチルプロピル、２−ニトロ−ｉｓｏ−プロピル、１−ニトロ−２−メチルプロピル、２−シアノ−ｉｓｏ−プロピル、１−シアノ−２−メチルプロピル、２−カルボキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−カルボキシ−２−メチルプロピル、２−メトキシ−ｉｓｏ−プロピル、１−メトキシ−２−メチルプロピル、２−ホルミル−ｉｓｏ−プロピル及び１−ホルミル−２−メチルプロピル等が挙げられる。
環式炭化水素基としては、シクロヘキシル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、１−ヒドロキシヘキシル、２−ヒドロキシヘキシル、３−ヒドロキシヘキシル及び４−ヒドロキシヘキシル、１−メトキシ−ヘキシル、２−メトキシヘキシル、３−メトキシヘキシル、４−メトキシヘキシル、１−ホルミル−ヘキシル、２−ホルミルヘキシル、３−ホルミルヘキシル及び４−ホルミルヘキシル等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル、トルイル及びベンジル等が挙げられる。
Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は水素原子、直鎖脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が好ましく、さらに好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、メトキシエチル基、ｎ−ブチル基、フェニル基及びベンジル基、特に好ましくは、メチル基、エチル基及びメトキシエチル基である。
【００２３】
一般式（３）で表されるテトラアルキルアンモニウム塩に含まれるカチオン成分、すなわち、塩（Ａ１）を構成するテトラアルキルアンモニウムカチオンとしては、次のカチオン等が含まれる。
テトラメチルアンモニウム、エチルトリメチルアンモニウム、ジエチルジメチルアンモニウム、トリエチルメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、トリメチル−ｎ−プロピルアンモニウム、トリメチルイソプロピルアンモニウム、エチルジメチル−ｎ−プロピルアンモニウム、エチルジメチルイソプロピルアンモニウム、ジエチルメチル−ｎ−プロピルアンモニウム、ジエチルメチルイソプロピルアンモニウム、ジメチルジ−ｎ−プロピルアンモニウム、ジメチル−ｎ−プロピルイソプロピルアンモニウム、ジメチルジイソプロピルアンモニウム、トリエチル−ｎ−プロピルアンモニウム、ｎ−ブチルトリメチルアンモニウム、イソブチルトリメチルアンモニウム、ｔ−ブチルトリメチルアンモニウム、トリエチルイソプロピルアンモニウム、エチルメチルジ−ｎ−プロピルアンモニウム、エチルメチル−ｎ−プロピルイソプロピルアンモニウム、エチルメチルジイソプロピルアンモニウム、ｎ−ブチルエチルジメチルアンモニウム、イソブチルエチルジメチルアンモニウム、ｔ−ブチルエチルジメチルアンモニウム、ジエチルジ−ｎ−プロピルアンモニウム、ジエチル−ｎ−プロピルイソプロピルアンモニウム、ジエチルジイソプロピルアンモニウム、メチルトリ−ｎ−プロピルアンモニウム、メチルジ−ｎ−プロピルイソプロピルアンモニウム、メチル−ｎ−プロピルジイソプロピルアンモニウム、ｎ−ブチルトリエチルアンモニウム、イソブチルトリエチルアンモニウム、ｔ−ブチルトリエチルアンモニウム、ジ−ｎ−ブチルジメチルアンモニウム、ジイソブチルジメチルアンモニウム、ジ−ｔ−ブチルジメチルアンモニウム、ｎ−ブチルイソブチルジメチルアンモニウム、ｎ−ブチル−ｔ−ブチルジメチルアンモニウム、イソブチル−ｔ−ブチルジメチルアンモニウム、ジエチルメチルメトキシエチルアンモニウム、エチルジメチルメトキシエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシヘキシル）トリメチルアンモニウム、（１−ヒドロキシヘキシル）トリエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシヘキシル）ジメチルエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシヘキシル）メチルジエチルアンモニウム、（１−メトキシヘキシル）トリメチルアンモニウム、（１−メトキシヘキシル）トリエチルアンモニウム、（１−メトキシヘキシル）ジメチルエチルアンモニウム、（１−メトキシヘキシル）メチルジエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシ−３−メチルペンチル）トリメチルアンモニウム、（１−ヒドロキシ−３−メチルペンチル）トリエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシ−３−メチルペンチル）ジメチルエチルアンモニウム、（１−ヒドロキシ−３−メチルペンチル）メチルジエチルアンモニウム、（１−メトキシ−３−メチルペンチル）トリメチルアンモニウム、（１−メトキシ−３−メチルペンチル）トリエチルアンモニウム、（１−メトキシ−３−メチルペンチル）ジメチルエチルアンモニウム、（１−メトキシ−３−メチルペンチル）メチルジエチルアンモニウム等が挙げられる。
【００２４】
上記塩（Ａ）のアニオン成分としての無機酸、有機カルボン酸 モノおよびジアルキルリン酸エステル、フェノール類、トリアゾール、有機スルホン酸、フルオロカルボン酸、ホウ素錯体等の中で、上記の式（１）、式（２）及び式（３）のアニオン成分が好ましい。これらについて説明する。
Ｘ-はＰＦ6-、ＢＦ4-、ＡｓＦ6-、Ｆ-、Ｃｌ-、ＰＣｌ6-、ＢＣｌ4-、ＡｓＣｌ6-、ＳｂＣｌ6-、ＴａＣｌ6-、ＮｂＣｌ6-、ＰＢｒ6-、ＢＢｒ6-、ＡｓＢｒ6-、ＡｌＢｒ4-、ＴａＢｒ6-、ＮｂＢｒ6-、ＰＣｌ6-、ＳｂＦ6-、ＡｌＦ4-、ＣｌＯ4-、ＡｌＣｌ4-、ＴａＦ6-、ＮｂＦ6-、ＳｉＦ6-、ＣＮ-、Ｆ（ＨＦ）n-、Ｎ（ＲｆＳＯ3）2-、Ｃ（ＲｆＳＯ3）3-、ＲｆＳＯ3-、ＲｆＣＯ2-（Ｒｆは炭素数１〜１２のフルオロアルキル基）、（当該式中、ｎは１以上４以下の数値を表す）が好ましく、さらに好ましくは、電気化学的安定性の観点等から、ＰＦ6-、ＢＦ4-又はＮ（ＲｆＳＯ3）2-で表される対アニオン、特に好ましくはＰＦ6-又はＢＦ4-で表される対アニオン、最も好ましくはＢＦ4-で表される対アニオンである。 Ｎ（ＲｆＳＯ3）2-、Ｃ（ＲｆＳＯ3）3-、ＲｆＳＯ3-又はＲｆＣＯ2-で表されるアニオンに含まれるＲｆは、炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を表し、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル及びノナフルオロブチルなどが挙げられる。これらのうち、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル及びヘプタフルオロプロピルが好ましく、さらに好ましくはトリフルオロメチル及びペンタフルオロエチル、特に好ましくはトリフルオロメチルである。Ｙ-はＸ-と同様である。
【００２５】
塩（Ａ）として好ましいものを例示すると、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，３−ジエチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，２，３−トリメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、２−エチル−１，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、４−エチル−１，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、３−エチル−１，４−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、３−エチル−１，５−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，２，４，５−テトラメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロフォスフェート、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、トリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート、エチルジメチルメトキシエチルアンモニウムテトラフルオロボレート等が挙げられるが、これらに限定されない。なお、これらの電解質のうち、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１，２，３−トリメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート及び１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートが特に好ましい。
【００２６】
本発明の塩の製造方法は塩を主成分とし水分が含まれる塩（Ａ）において、塩１００重量部に対して炭酸エステル類（Ｂ）を０．１〜１００重量部を加え、加熱処理し、水分を除去する工程である。加熱処理後、炭酸エステル類および反応生成物を必要により蒸発除去してもよい。
【００２７】
本発明で使用される炭酸エステル類（Ｂ）としては１価のアルコール類の炭酸エステル（Ｂ１）および２価のアルコール類の炭酸エステル（Ｂ２）が挙げられる。
・１価のアルコールの炭酸エステル：ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ｎ−プロピルメチルカーボネート、ｎ−プロピルエチルカーボネート、ジｎ−プロピルカーボネート、ｉ−プロピルメチルカーボネート、ｉ−プロピルエチルカーボネート、ジｉ−プロピルカーボネート、ジブチルカーボネート等及び２種以上の混合物。
・２価のアルコール類の炭酸エステル：エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート等及び２種以上の混合物。
好ましくは１価のアルコールの炭酸エステル、特に好ましくはジメチルカーボネート及び／又はジメチルカーボネート及び／又はジエチルカーボネートである。炭酸エステル類（Ｂ）の沸点は好ましくは３００℃以下であり、さらに好ましくは、２００℃以下である。
【００２８】
上記塩（Ａ）に炭酸エステル類（Ｂ）を仕込む時、塩（Ａ）１００重量部に対して（Ｂ）は０．０１〜１００重量部、好ましくは０．１〜５０重量部、特に好ましくは１〜３０重量部である。０．０１重量部未満では水分を除去する効率が悪く、また１００重量部を超えると仕込んだ（Ｂ）に対して水分除去の効率が悪くなる。
処理温度は好ましくは５０〜２００℃、より好ましくは７０〜１８０℃であり、特に好ましくは９０〜１４０℃である。
（Ｂ）および反応物を蒸発除去する場合、絶対圧力は、（Ｂ）の種類によるが、好ましくは０ｋＰａ〜１０１ｋＰａ、さらに好ましくは０ｋＰａ〜５０ｋＰａであり、処理時間は通常１〜５０時間、好ましくは２〜３０時間であるが、要求される水分量によりさらに延長してもよい。
【００２９】
本発明の製造方法により得られた水分が５００ｐｐｍ以下の塩（Ａ）を塩（Ｃ）と呼ぶものとする。
塩（Ｃ）に求められる水分含量は、電気２重層キャパシター用電解液、電解コンデンサー用電解液、二次電池用電解液、色素増感太陽電池用電解液、反応用溶媒および触媒等において通常５００ｐｐｍ以下が求められる。特に電気二重層コンデンサ用電解液又は二次電池用電解液では、耐電圧の低下、長期信頼性の低下の観点から好ましくは３００ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下、特に好ましくは３０ｐｐｍ以下が求められる。塩（Ｃ）中のアルコール類の残存量は好ましくは３０００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｍ以下である。
【００３０】
本発明の製造方法により得られる塩（Ｃ）を用いる非水電解液の製造方法としては、得られた塩（Ｃ）を有機溶媒に溶解させる方法、塩（Ａ）を有機溶媒に溶解させた後、本発明の製造方法により水分を除去する方法が挙げられる。有機溶媒の具体例としては以下のものが挙げられる。これらのうち２種類以上を併用することも可能である。
【００３１】
・エーテル類：鎖状エーテル［炭素数２〜６（ジエチルエーテル、メチルイソプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなど）；炭素数７〜１２（ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルなど）］、環状エーテル［炭素数２〜４（テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサンなど）；炭素数５〜１８（４−ブチルジオキソラン、クラウンエーテルなど）］。
・アミド類：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリドンなど。
・カルボン酸エステル類：酢酸メチル、プロピオン酸メチルなど。
・ラクトン類：γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、β−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトンなど。
・ニトリル類：アセトニトリル、グルタロニトリル、アジポニトリル、メトキシアセトニトリル、３−メトキシプロピオニトリル、アクリロニトリルなど。
・炭酸エステル類：エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネート、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、ジエチルカーボネートなど。
・スルホキシド類：ジメチルスルホキシド、スルホラン、３−メチルスルホラン、２，４−ジメチルスルホランなど。
・ニトロ化合物：ニトロメタン、ニトロエタンなど。
・複素環式溶媒：Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン、３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリジノンなど。
・ケトン類：アセトン、２，５ヘキサンジオン、シクロヘキサンなど。
・リン酸エステル類：トリメチルリン酸、トリエチルリン酸、トリプロピルリン酸など。
これらのうち好ましいのは炭酸エステル類およびスルホキシド類であり、特に好ましくはエチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、スルホランである。
電解液中に占める電解質塩の濃度は、電解液の電気伝導度、内部抵抗の観点から好ましくは０．１モル／リットル以上、さらに好ましくは０．５モル／リットル以上、低温時の塩析出の観点から好ましくは４モル／リットル以下、さらに好ましくは３モル／リットル以下である。電解液中の含水量は電気化学的安定性の観点から３００ｐｐｍ以下が好ましく、さらに好ましくは１００ｐｐｍ以下、特に好ましくは５０ｐｐｍ以下である。
【００３２】
実施例 次に本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。例の中で、部は重量部を示す。
下記実施例において、水分及びカーボネート類（Ｂ）の残存量は以下の方法で測定した。
＜水分＞
塩の水分量はカールフィッシャー水分測定装置により測定した。水分測定装置：平沼産業株式会社製、ＡＱ−７。塩を露点−５０℃以下雰囲気下で２ｍｌ注射器に採取し、水分測定装置に注入し、注入量と電量滴定量から水分測定値を算出した。
＜カーボネート類（Ｂ）の残存量＞
カーボネート類（Ｂ）の残存量はガスクロマトグラフィーにより測定した。ガスクロマトグラフィーの条件は次に示す条件で行った。カラム：ＤＢ−ＷＡＸ（ジーエルサイエンス社製）、キャリアーガス：ヘリウム、カラム温度：５０℃〜２３０℃（昇温速度１０℃／分）、注入口温度：２３０℃、検出器温度：２３０℃、検出器：ＦＩＤ、サンプル注入量：１マイクロリットル。カーボネート類の残存量は、濃度既知のカーボネート類をあらかじめガスクロマトグラフィーによって測定し、検量線作成後、定法に従い定量した。
【００３３】
実施例１
ガラス製オートクレーブに純度９９．４％、水分６０００ｐｐｍの１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートを１００部仕込んだ。撹拌下、ジメチルカーボネートを１５部仕込み、温度１２５℃の条件で処理を３時間行った。ジメチルカーボネートを含有する１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート（Ｃ−１）を１１４部得た。（Ｃ−１）の水分は３５ｐｐｍであった。
【００３４】
実施例２
実施例１で得られた（Ｃ−１）から温度１２５℃、圧力３ｋＰａ、１時間で残存するジメチルカーボネートを除去して、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート（Ｃ−２）を９９．５部得た。（Ｃ−２）の水分量は４０ｐｐｍであり、ジメチルカーボネートの残存量は１００ｐｐｍであった。
【００３５】
実施例３
ガラス製オートクレーブに純度９９．８％、水分２０００ｐｐｍの１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートを１００部仕込んだ。撹拌下、ジメチルカーボネートを５部仕込み、温度１１０℃の条件で６時間処理を行った。処理物から温度１２０℃、圧力２ｋＰａ、１時間で残存するジメチルカーボネートを除去して、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート（Ｃ−３）を９９．８部得た。（Ｃ−３）の水分量は８０ｐｐｍであり、ジメチルカーボネートの残存量は１５０ｐｐｍであった。
【００３６】
実施例４
ガラス製オートクレーブに純度９９．２％、水分８０００ｐｐｍの１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロフォスフェートを１００部仕込んだ。撹拌下、ジメチルカーボネートを２０部仕込み、温度１００℃の条件で１０時間処理を行った。処理物から温度１００℃、圧力２ｋＰａ、１時間で残存するジメチルカーボネートを除去して、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロフォスフェート（Ｃ−４）を９９．２部得た。（Ｃ−４）の水分量は５０ｐｐｍであり、ジメチルカーボネートの残存量は３１０ｐｐｍであった。
【００３７】
実施例５
ガラス製オートクレーブに純度９９．５％、水分５０００ｐｐｍの１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホネートを１００部仕込んだ。撹拌下、エチルメチルカーボネートを１５部仕込み、温度１３０℃の条件で４時間処理を行った。処理物から温度１３０℃、圧力３ｋＰａ、１時間で残存するエチルメチルカーボネートを除去して、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホネートを９９．５部を得た。（Ｃ−５）の水分量は３０ｐｐｍであり、エチルメチルカーボネートの残存量は１２０ｐｐｍであった。
【００３８】
実施例６
ガラス製オートクレーブに純度９９．４％、水分６０００ｐｐｍの１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートを５０部、純度９９．４％、水分６０００ｐｐｍのトリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレートを５０部仕込んだ。撹拌下、ジエチルカーボネートを２０部仕込み、温度１２５℃の条件で７時間処理を行った。処理物から温度１２５℃、圧力２ｋＰａ、１時間で残存するジエチルカーボネートを除去して、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート及び、トリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレート（Ｃ−６）を９９．４部得た。（Ｃ−６）の水分量は７０ｐｐｍであり、ジエチルカーボネートの残存量は２２０ｐｐｍであった。
【００３９】
実施例７
ガラス製オートクレーブに純度９９．７％、水分３０００ｐｐｍのエチルジメチルメトキシエチルアンモニウムテトラフルオロボレートを１００部仕込んだ。撹拌下、ジメチルカーボネートを１０部仕込み、温度１１０℃の条件で５時間処理を行った。処理物から温度１１０℃、圧力２ｋＰａ、１時間で残存するジメチルカーボネートを除去して、エチルジメチルメトキシエチルアンモニウムテトラフルオロボレート（Ｃ−７）を９９．７部得た。（Ｃ−７）の水分量は４０ｐｐｍであり、ジメチルカーボネートの残存量は２００ｐｐｍであった。
【００４０】
実施例８
ガラス製オートクレーブに純度９９．４％、水分６０００ｐｐｍの１，２，３−トリメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートを１００部、スルホランを２００部仕込んだ。撹拌下、ジメチルカーボネートを１０部仕込み、温度１００℃の条件で８時間処理を行った。処理物から温度１００℃、圧力２ｋＰａ、１時間で残存するジメチルカーボネートを除去して、１，２，３−トリメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートのスルホラン溶液（Ｃ−７）を２９９．４部得た。（Ｃ−７）の水分量は４０ｐｐｍであり、ジメチルカーボネートの残存量は２１０ｐｐｍであった。
【００４１】
比較例１
ガラス製オートクレーブに純度：９９．５％、水分５０００ｐｐｍの１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート１００部、メタノールを１００部仕込んだ。撹拌下、温度１２５℃まで昇温し、徐々に減圧しながら、温度１２５℃、圧力２ｋＰａ、１時間でメタノールを完全に除去して塩を９９．５部を得た。塩の水分量は５００ｐｐｍであり、メタノールの残存量は７０ｐｐｍであった。
【００４２】
比較例２
ガラス製オートクレーブに純度：９９．６％、水分４０００ｐｐｍの１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート１００部、メタノールを１００部仕込んだ。撹拌下、温度１２０℃まで昇温し、徐々に減圧しながら、温度１１０℃、圧力２ｋＰａ、１時間でメタノールを完全に除去して塩を９９．６部を得た。塩の水分量は６００ｐｐｍであり、メタノールの残存量は１００ｐｐｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の製造方法によれば、水分量の少ない塩を工業的に安価に製造することができる。水分量の少ない塩が要求される、電気２重層キャパシター用電解液、電解コンデンサー用電解液、二次電池用電解液、色素増感太陽電池用電解液、反応用溶媒および触媒等に特に有用である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アニオン成分とカチオン成分からなり水分を含有する塩（Ａ）１００重量部に対して炭酸エステル類（Ｂ）を０．１〜１００重量部加え、加熱処理することにより水分を除去することを特徴とする水分含量が５００ｐｐｍ以下である塩の製造方法。
【請求項２】
さらに炭酸エステル類（Ｂ）を加熱蒸留して除去する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
炭酸エステル類（Ｂ）がジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート及びジエチルカーボネートからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１または２に記載の製造方法。、
【請求項４】
加熱処理の温度が５０〜２００℃である請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
塩（Ａ）が、一般式（１）で表されるアミジニウム塩、一般式（２）で表されるアミジニウム塩および一般式（３）で表されるテトラアルキルアンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の塩である請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【化１】
【化２】
［式中、Ｒ1は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及びホルミル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基又は水素原子であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及びホルミル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有していてもよい炭素数１〜１０の１価炭化水素基であって、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の一部又は全部が結合して環を形成していてもよい。Ｘ-は、対アニオンを表す。］
【化３】
［式中Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及びホルミル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基であってＲ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9の一部又は全部が結合して環を形成していてもよい。Ｙ-は、対アニオンを表す。］
【請求項６】
塩（Ａ）が四フッ化ホウ酸、過塩素酸、六フッ化リン酸、四フッ化アルミニウム酸、六フッ化ヒ酸、六フッ化アンチモン酸、パーフルオロアルカンスルホン酸、パーフルオロアルカンカルボン酸、パーフルオロアルカンスルホニルイミド、パーフルオロアルカンスルホニルメチドからなる群から選ばれる少なくとも１種の酸の塩である請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法で得られる塩を用いた非水電解液の製造方法。
【請求項１】
アニオン成分とカチオン成分からなり水分を含有する塩（Ａ）１００重量部に対して炭酸エステル類（Ｂ）を０．１〜１００重量部加え、加熱処理することにより水分を除去することを特徴とする水分含量が５００ｐｐｍ以下である塩の製造方法。
【請求項２】
さらに炭酸エステル類（Ｂ）を加熱蒸留して除去する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
炭酸エステル類（Ｂ）がジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート及びジエチルカーボネートからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１または２に記載の製造方法。、
【請求項４】
加熱処理の温度が５０〜２００℃である請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
塩（Ａ）が、一般式（１）で表されるアミジニウム塩、一般式（２）で表されるアミジニウム塩および一般式（３）で表されるテトラアルキルアンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の塩である請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【化１】
【化２】
［式中、Ｒ1は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及びホルミル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基又は水素原子であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及びホルミル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有していてもよい炭素数１〜１０の１価炭化水素基であって、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の一部又は全部が結合して環を形成していてもよい。Ｘ-は、対アニオンを表す。］
【化３】
［式中Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は水酸基，アミノ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，エーテル結合を有する基及びホルミル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有していてもよい炭素数１〜２０の１価炭化水素基であってＲ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9の一部又は全部が結合して環を形成していてもよい。Ｙ-は、対アニオンを表す。］
【請求項６】
塩（Ａ）が四フッ化ホウ酸、過塩素酸、六フッ化リン酸、四フッ化アルミニウム酸、六フッ化ヒ酸、六フッ化アンチモン酸、パーフルオロアルカンスルホン酸、パーフルオロアルカンカルボン酸、パーフルオロアルカンスルホニルイミド、パーフルオロアルカンスルホニルメチドからなる群から選ばれる少なくとも１種の酸の塩である請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法で得られる塩を用いた非水電解液の製造方法。
【公開番号】特開２００７−３０２６１８（Ｐ２００７−３０２６１８Ａ）
【公開日】平成１９年１１月２２日（２００７．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１３３４７６（Ｐ２００６−１３３４７６）
【出願日】平成１８年５月１２日（２００６．５．１２）
【出願人】（０００００２２８８）三洋化成工業株式会社 (1,719)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月２２日（２００７．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月１２日（２００６．５．１２）
【出願人】（０００００２２８８）三洋化成工業株式会社 (1,719)
【Ｆターム（参考）】
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