多層プリント配線板
【課題】マイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを備えた多層配線板のアートワーク設計を容易にする。
【解決手段】複数の導体パターン２０１〜２０３と複数の基準パターン３０１〜３０３とによりマイクロストリップラインＭＬ1〜ＭＬ3が構成された多層配線板において、導体パターン２０１〜２０３は、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、各導体パターンと対応する基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインＭＬ1〜ＭＬ3の特性インピーダンスを所定の値とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応する基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定される。
【解決手段】複数の導体パターン２０１〜２０３と複数の基準パターン３０１〜３０３とによりマイクロストリップラインＭＬ1〜ＭＬ3が構成された多層配線板において、導体パターン２０１〜２０３は、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、各導体パターンと対応する基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインＭＬ1〜ＭＬ3の特性インピーダンスを所定の値とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応する基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを備えた多層配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波やミリ波を扱う高周波回路においては、例えば特許文献１に示されているように、電子部品を実装する配線板として、複数の誘電体誘電体層を積層した構造を有する多層基板に、マイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを構成するように回路パターンを設けた多層配線板が用いられている。
【０００３】
この種の多層配線板に設けられるマイクロストリップラインは、例えば、多層基板の積層方向の一端側の端面に形成されたマイクロストリップライン形成用導体パターンと、多層基板の層間または積層方向の他端側の端面に形成されてマイクロストリップライン形成用導体パターンに対向させられたマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより構成される。一つの多層配線板にマイクロストリップラインが複数設けられる場合には、多層基板の積層方向の端面に複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンが形成され、これらの導体パターンにそれぞれ対応する複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンが、多層基板の層間（内層）または積層方向の他の端面に形成される。
【０００４】
また、ストリップラインは、多層基板の層間に形成されたストリップライン形成用導体パターンと、多層基板の層間または積層方向の端面に設けられて、ストリップライン形成用導体パターンを間にして多層基板の積層方向に対向させられた対をなす２つのストリップライン形成用基準パターンとにより構成される。一つの多層配線板に複数のストリップラインが設けられる場合には、多層基板の層間に複数のストリップライン形成用導体パターンが設けられるとともに、多層基板の層間または積層方向の端面に、これら複数のストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応する複数対のストリップライン形成用基準パターンが設けられる。各対のストリップライン形成用基準パターンは、対応するストリップライン形成用導体パターンを間にして多層基板の積層方向に対向するように設けられ、各ストリップライン形成用導体パターンと対応する対のストリップライン形成用基準パターンとによりストリップラインが構成される。
【特許文献１】特開２００２−５７４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
マイクロストリップライン及びストリップラインを構成する回路パターンが設けられる多層配線板においては、各マイクロストリップライン及びストリップラインの特性インピーダンスを所望の値に設定する必要がある。マイクロストリップラインの特性インピーダンスは、マイクロストリップライン形成用導体パターンの幅及び厚さと、マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間の距離と、マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在している誘電体の比誘電率との関数になる。
【０００６】
同様に、ストリップラインの特性インピーダンスは、ストリップライン形成用導体パターンの幅及び厚さと、ストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さと、ストリップライン形成用導体パターンと対応するストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体の比誘電率との関数になる。
【０００７】
このように、マイクロストリップライン及びストリップラインの特性インピーダンスを決める関数は多くの変数を有しているため、多層配線板に複数のマイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを形成する場合に、そのアートワークの設計が面倒になるのを避けられなかった。
【０００８】
またマイクロストリップラインを備えた従来の多層配線板では、マイクロストリップラインの特性インピーダンスに応じて、マイクロストリップライン形成用導体パターンの幅寸法を変えていたため、配線板を観察するだけで、各マイクロストリップラインの特性インピーダンスを推測することができ、第三者に回路を模倣され易いという問題があった。
【０００９】
本発明の目的は、マイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを備えた多層配線板のアートワーク設計を容易にすることができるようにすることにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、マイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを備えた多層配線板のアートワーク設計を容易にするとともに、その回路の模倣を困難にすることができるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、複数の誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、多層基板の積層方向の端面または層間に形成された複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて多層基板の層間または積層方向の端面に形成されて対応するマイクロストリップライン形成用導体パターンに対向させられた複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとを備えて、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより、複数のマイクロストリップラインが構成され、少なくとも一つのマイクロストリップラインは他のマイクロストリップラインと異なる特性インピーダンスを有するように構成されている多層配線板を対象とする。
【００１２】
本発明においては、多層基板の複数の誘電体層が、同一の比誘電率を有する誘電体材料により形成されて、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンが、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定される。
【００１３】
上記のように多層基板を構成する複数の誘電体層の比誘電率を同一とし、多層配線板に設けるマイクロストリップライン形成用導体パターンの幅を同一とし、厚さも一定として導体パターンを規格化すると、誘電体層の比誘電率と、導体パターンの幅及び厚さとを定数として扱って、特性インピーダンスを決定する関数の変数を、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さだけとすることができるため、所望の特性インピーダンスを有するマイクロストリップラインを形成するためのアートワーク設計を容易にすることができる。
【００１４】
また上記のように、すべてのマイクロストリップライン形成用導体パターンが同一の幅と同一の厚みとを有するようにしておくと、配線板を観察しただけでは。いかなる特性インピーダンスのマイクロストリップラインが形成されているのかを推測することができないため、回路を模倣され難いという利点が得られる。
【００１５】
本発明はまた、複数の誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、多層基板の層間に形成された複数のストリップライン形成用導体パターンと、複数のストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて多層基板の層間または積層方向の端面に設けられて対応するストリップライン形成用導体パターンを間にして多層基板の積層方向に対向させられた複数対のストリップライン形成用基準パターンとを備えて、複数のストリップライン形成用導体パターンと複数対のストリップライン形成用基準パターンとにより複数のストリップラインが構成され、少なくとも一つのストリップラインは他のストリップラインと異なる特性インピーダンスを有している多層配線板を対象とする。
【００１６】
この場合も、多層基板の複数の誘電体層は、同一の比誘電率を有する誘電体材料により形成される。複数のストリップライン形成用導体パターンが、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、各ストリップライン形成用導体パターンと対応する対のストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各対のストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さが設定される。
【００１７】
更に本発明は、複数の誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、多層基板の積層方向の端面または層間に形成された複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて多層基板の層間または積層方向の端面に形成されて対応するマイクロストリップライン形成用導体パターンに対向させられた複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとを備えて、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより複数のマイクロストリップラインが構成されるとともに、多層基板の層間に形成された複数のストリップライン形成用導体パターンと、複数のストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて多層基板の層間または積層方向の端面に設けられて対応するストリップライン形成用導体パターンを間にして多層基板の積層方向に対向させられた複数対のストリップライン形成用基準パターンとを備えて、複数のストリップライン形成用導体パターンと複数対のストリップライン形成用基準パターンとにより複数のストリップラインが構成され、少なくとも一つのマイクロストリップラインは他のマイクロストリップラインと異なる特性インピーダンスを有し、少なくとも一つのストリップラインは他のストリップラインと異なる特性インピーダンスを有するように構成されている多層配線板を対象とする。
【００１８】
本発明においては、多層基板の複数の誘電体層が、同一の比誘電率を有する誘電体材料により形成されて、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターン及び複数のストリップライン形成用導体パターンがすべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応する基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定され、各ストリップライン形成用導体パターンと対応するストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各ストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さが設定される。
【発明の効果】
【００１９】
上記のように、本発明では、多層基板の複数の誘電体層を同一の比誘電率を有する誘電体材料により形成するとともに、特性インピーダンスの如何に関わりなく、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンに同一の幅及び同一の厚みを持たせて、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さを設定するだけで、各マイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とすることができるようにしたので、複数のマイクロストリップラインを有する多層配線板のアートワーク設計を容易にすることができる。
【００２０】
本発明ではまた、多層基板の複数の誘電体層を同一の比誘電率を有する誘電体材料により形成するとともに、特性インピーダンスの如何に関わりなく、複数のストリップライン形成用導体パターンに同一の幅及び同一の厚みを持たせて、各ストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さを設定するだけで、各ストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とすることができるようにしたので、複数のストリップラインを有する多層配線板のアートワーク設計を容易にすることができる。
【００２１】
また本発明によれば、すべてのマイクロストリップライン形成用導体パターンに同一の幅と同一の厚みとを持たせて、配線板を観察しただけではいかなる特性インピーダンスのマイクロストリップラインが設けられているのかを推測することができないようにしたため、回路を模倣され難いという利点が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
図１及び図２は本発明の第１の実施形態を示したもので、図１は斜視図、図２は縦断面図である。これらの図において、１は３層の誘電体層１０１、１０２及び１０３を積層した構造を有する多層基板である。本発明では、多層基板１を構成する誘電体層１０１、１０２及び１０３が比誘電率が等しい誘電体材料により構成されている。多層基板１の積層方向の一方の端面（多層基板の表面）には、多層基板１の長手方向に延びる３本の帯状のマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３が形成されている。３本のマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３にそれぞれ対応させて、多層基板１の層間または積層方向の端面に３つのマイクロストリップライン形成用基準パターン３０１ないし３０３が形成されて、これらの基準パターン３０１ないし３０３がそれぞれマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３に対向させられている。
【００２３】
図示の例では、第１層の誘電体層１０１と第２層の誘電体層１０２との間に導体パターン２０１に対応する基準パターン３０１が、また第２層の誘電体層１０２と第３層の誘電体層１０３との間に導体パターン２０２に対応する基準パターン３０２がそれぞれ形成され、これらの基準パターン３０１及び３０２の幅方向のほぼ中央に導体パターン２０１及び２０２がそれぞれ対向するように、基準パターン３０１及び３０２の位置と幅寸法とが設定されている。
【００２４】
また多層基板１の他方の端面（裏面）に、導体パターン２０３に対応する基準パターン３０３が形成されている。図示の例では、基準パターン３０３がグランドパターン（アースパターン）となっていて、この基準パターン３０３が多層基板１の裏面のほぼ全体に亘るように設けられている。基準パターン３０１及び３０２は図示しないスルーホールを通して基準パターン３０３に接続され、基準パターン３０３がアース電位部に接続される。
【００２５】
導体パターン２０２は、その途中で２つの部分２０２ａ及び２０２ｂに分断されていて、導体パターン２０２ａ及び２０２ｂの互いに対向する端部にそれぞれ電子部品を半田付けするためのランド２０２a1及び２０２b1が形成されている。ランド２０２a1及び２０２b1はそれぞれ導体パターン２０２ａ及び２０２ｂと同一の幅寸法と同一の厚み寸法とを有して、導体パターン２０２ａ及び２０２ｂからはみ出すことがないように設けられている。ランド２０２a1及び２０２b1には電子部品４の端子が半田５により接続されている。
【００２６】
本実施形態においては、導体パターン２０１と基準パターン３０１とにより第１のマイクロストリップラインＭＬ1が、また導体パターン２０２と基準パターン３０２とにより第２のマイクロストリップラインＭＬ2がそれぞれ構成され、導体パターン２０３と基準パターン３０３とにより第３のマイクロストリップラインＭＬ3が構成されている。第１のマイクロストリップラインがＭＬ1ないし第３のマイクロストリップラインＭＬ3はそれぞれ異なる特性インピーダンスを持つように構成されている。
【００２７】
本実施形態では、３つのマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３が、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値（所望の値）とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定される。
【００２８】
上記のように、すべての誘電体層の比誘電率を同じにするとともに、マイクロストリップライン形成用導体パターンの幅及び厚みを同じにして、マイクロストリップライン形成用導体パターンを規格化しておくと、マイクロストリップライン形成用導体パターンの幅及び厚さと、誘電体の比誘電率とを定数として扱い、特性インピーダンスを決定する関数の変数を、導体パターンと基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さのみにすることができるため、アートワーク設計を簡単にすることができる。
【００２９】
また上記のように構成すると、すべてのマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３が同一の幅と同一の厚みとを有するため、外部から観察しただけでは、いかなる特性インピーダンスのマイクロストリップラインが設けられているのかを推測することができない。そのため、多層配線板に設けられている回路を容易に模倣することができないようにすることができる。
【００３０】
図３は本発明の他の実施形態を示したものである。この例では、多層基板１が第１ないし第７の誘電体層１０１〜１０７からなっている。多層基板１の積層方向の一端１ａ側の端面（表面）にマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３が形成され、第１の誘電体層１０１と第２の誘電体層１０２との間、第２の誘電体層１０２と第３の誘電体層１０３との間及び第５の誘電体層１０５と第６の誘電体層１０６との間にそれぞれ第１ないし第４の基準パターン３０１ないし３０４が形成されている。また多層基板１の積層方向の他端側の端面（裏面）に第５の基準パターン３０５が形成され、第６の誘電体層１０６と第７の誘電体層１０７との間、第４の誘電体層１０４と第５の誘電体層１０５との間及び第５の誘電体層１０５と第６の誘電体層１０６との間にそれぞれ第１のストリップライン形成用導体パターン４０１ないし第３のストリップライン形成用導体パターン４０３が形成されている。
【００３１】
第１の基準パターン３０１及び第２の基準パターン３０２はそれぞれの幅方向のほぼ中央部が導体パターン２０１及び２０２に対向するように設けられている。第３の基準パターン３０３は、第２の基準パターン３０２に対向する部分と、第２の基準パターン３０２を越えて多層基板１の幅方向の他端１ｂ側に延びる部分とを有し、第３の基準パターン３０３の第２の基準パターン３０２を越えて多層基板１の幅方向の他端１ｂ側に延びる部分の幅方向のほぼ中央に導体パターン２０３が対向するように、第３の基準パターン３０３と導体パターン２０２との間の位置関係が設定されている。また第４の基準パターン３０４は多層基板１の幅方向の一端１ａ側から他端１ｂ側に、第２の基準パターン３０２が設けられている部分まで延びるように設けられている。第５の基準パターン３０５は多層基板１の裏面全体に亘るように設けられている。
【００３２】
図示の例では、第１のストリップライン形成用導体パターン４０１が、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０１に相応する位置で第４の基準パターン３０４と第５の基準パターン３０５とに対向し、第２のストリップライン形成用導体パターン４０２が、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０２に対応する位置で、第３の基準パターン３０３と第４の基準パターン３０４とに対向するように設けられている。またストリップライン形成用導体パターン４０３が、第３のマイクロストリップライン形成用導体パターン２０３に対応する位置で、第３の基準パターン３０３と第５の基準パターン３０５とに対向させられている。
【００３３】
この例では、第１の基準パターン３０１ないし第３の基準パターン３０３がそれぞれマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３に対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとなっていて、導体パターン２０１と基準パターン３０１、導体パターン２０２と基準パターン３０２及び導体パターン２０３と基準パターン３０３によりそれぞれマイクロストリップラインＭＬ1ないしＭＬ3が構成されている。
【００３４】
また第４の基準パターン３０４及び第５の基準パターン３０５がストリップライン形成用導体パターン４０１に対応する１対のストリップライン形成用基準パターンとなっていて、ストリップライン形成用導体パターン４０１と第４の基準パターン３０４及び第５の基準パターン３０５とによりストリップラインＳＬ1が構成されている。更に、第３の基準パターン３０３及び第４の基準パターン３０４がストリップライン形成用導体パターン４０２に対応する１対のストリップライン形成用基準パターンとなっていて、ストリップライン形成用導体パターン４０２と対の基準パターン３０３及び３０４とにより、ストリップラインＳＬ2が構成されている。また第３の基準パターン３０３及び第５の基準パターン３０５がストリップライン形成用導体パターン４０３に対応する１対のストリップライン形成用基準パターンとなっていて、ストリップライン形成用導体パターン４０３と対の基準パターン３０３及び３０５とによりストリップラインＳＬ3が構成されている。
【００３５】
図示の例では、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０２とストリップライン形成用導体パターン４０２との間が、基準パターン３０２及び３０３に接触しないように、両基準パターンに形成された孔３０２ａ及び３０３ａ内を貫通したスルーホール６０２により電気的に接続されている。また、第５の基準パターン３０５の導体パターン２０３に対応する位置に孔３０５ａが設けられて、この孔３０５ａ内に位置させて、多層基板１の裏面に端子パターン７０３が形成され、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０３とストリップライン形成用導体パターン４０３と端子パターン７０３とが、スルーホール６０３により電気的に接続されている。第３の基準パターン３０３のスルーホール６０３を貫通させる部分には、スルーホール６０３を逃がすための孔３０３ｂが形成されている。
【００３６】
第５の基準パターン３０５はグランドパターンとなっていて、第１の基準パターン３０１ないし第４の基準パターン３０４が図示しないスルーホールを通して第５の基準パターン３０５に接続されている。
【００３７】
本実施形態では、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３及びストリップライン形成用導体パターン４０１ないし４０３が同一の幅寸法と同一の厚み寸法とを有するように形成され、各マイクロストリップラインに所定の（所望の）特性インピーダンスを持たせるように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚みが設定されている。
【００３８】
同様に、各ストリップラインに所定の特性インピーダンスを持たせるように、各ストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚みが設定されている。
【００３９】
図３に示した実施形態において、誘電体層１０１ないし１０７の厚さは等しくてもよく、異なっていてもよい。また各マイクロストリップライン形成用導体パターンに対応する基準パターンは、各マイクロストリップライン形成用導体パターンに対向する部分が十分な面積を有するように設けられていればよく、各ストリップライン形成用導体パターンに対応する対の基準パターンは、各ストリップライン形成用導体パターンに対向する部分が十分な面積を有するように設けられていればよい。各ストリップライン形成用導体パターンと対応する対の基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚みは等しくてもよく、等しくなくてもよい。図３に示した例では、ストリップライン形成用導体パターン４０１とストリップライン形成用基準パターン（第５の基準パターン）３０５との間に存在する誘電体層１０７の厚みが、ストリップライン形成用導体パターン４０１とストリップライン形成用基準パターン（第４の基準パターン）３０４との間に存在する誘電体層１０６の厚みよりも薄く設定されている。この場合、ストリップラインＳＬ1の特性インピーダンスは、誘電体層１０６の厚みと誘電体層１０７の厚みとの和（基準パターン３０４と３０５との間に存在する誘電体層の厚み）を調整することにより、所望の値に設定される。
【００４０】
図示の例では、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０１と基準パターン３０１との間に存在する誘電体層の厚さよりも、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０２と基準パターン３０２との間に存在する誘電体層の厚さが厚く設定されて、マイクロストリップラインＭＬ2の特性インピーダンスがマイクロストリップラインＭＬ1の特性インピーダンスよりも大きく設定されている。またマイクロストリップライン形成用導体パターン２０２と基準パターン３０２との間に存在する誘電体層の厚さよりもマイクロストリップライン形成用導体パターン２０３と基準パターン３０３との間に存在する誘電体層の厚さが厚く設定されていて、マイクロストリップラインＭＬ3の特性インピーダンスがマイクロストリップラインＭＬ2の特性インピーダンスよりも大きく設定されている。
【００４１】
またストリップラインＳＬ1の導体パターン４０１に対応する対の基準パターン３０４及び３０５の間に存在する誘電体層の厚さが、ストリップラインＳＬ2の導体パターン４０２に対応する対の基準パターン３０３及び３０４の間に存在する誘電体層の厚さよりも薄く設定されていて、ストリップラインＳＬ1がストリップラインＳＬ2よりも小さい特性インピーダンスを持つように構成されている。更に、ストリップラインＳＬ3の導体パターン４０３に対応する対の基準パターン３０３及び３０５の間に存在する誘電体層の厚さが，ストリップラインＳＬ2の導体パターン４０２に対応する対の基準パターン３０３及び３０４の間に存在する誘電体層の厚さよりも厚く設定されていて、ストリップラインＳＬ3がストリップラインＳＬ2よりも大きい特性インピーダンスを持つように構成されている。
【００４２】
図３に示した実施形態では、マイクロストリップライン形成用導体パターン及びストリップライン形成用導体パターンが共に同一の幅寸法と同一の厚み寸法とを有するようにしたが、マイクロストリップライン形成用導体パターンの幅寸法及び厚み寸法と、ストリップライン形成用導体パターンの幅寸法及び厚み寸法とを異ならせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１の実施形態の構成を概略的に示した斜視図である。
【図２】図１の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態の構成を概略的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１ 多層基板
１０１〜１０７ 多層基板を構成する誘電体層
２０１ないし２０３ マイクロストリップライン形成用導体パターン
３０１ないし３０５ 基準パターン
ＭＬ1ないしＭＬ3 マイクロストリップライン
ＳＬ1ないしＳＬ3 ストリップライン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを備えた多層配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波やミリ波を扱う高周波回路においては、例えば特許文献１に示されているように、電子部品を実装する配線板として、複数の誘電体誘電体層を積層した構造を有する多層基板に、マイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを構成するように回路パターンを設けた多層配線板が用いられている。
【０００３】
この種の多層配線板に設けられるマイクロストリップラインは、例えば、多層基板の積層方向の一端側の端面に形成されたマイクロストリップライン形成用導体パターンと、多層基板の層間または積層方向の他端側の端面に形成されてマイクロストリップライン形成用導体パターンに対向させられたマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより構成される。一つの多層配線板にマイクロストリップラインが複数設けられる場合には、多層基板の積層方向の端面に複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンが形成され、これらの導体パターンにそれぞれ対応する複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンが、多層基板の層間（内層）または積層方向の他の端面に形成される。
【０００４】
また、ストリップラインは、多層基板の層間に形成されたストリップライン形成用導体パターンと、多層基板の層間または積層方向の端面に設けられて、ストリップライン形成用導体パターンを間にして多層基板の積層方向に対向させられた対をなす２つのストリップライン形成用基準パターンとにより構成される。一つの多層配線板に複数のストリップラインが設けられる場合には、多層基板の層間に複数のストリップライン形成用導体パターンが設けられるとともに、多層基板の層間または積層方向の端面に、これら複数のストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応する複数対のストリップライン形成用基準パターンが設けられる。各対のストリップライン形成用基準パターンは、対応するストリップライン形成用導体パターンを間にして多層基板の積層方向に対向するように設けられ、各ストリップライン形成用導体パターンと対応する対のストリップライン形成用基準パターンとによりストリップラインが構成される。
【特許文献１】特開２００２−５７４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
マイクロストリップライン及びストリップラインを構成する回路パターンが設けられる多層配線板においては、各マイクロストリップライン及びストリップラインの特性インピーダンスを所望の値に設定する必要がある。マイクロストリップラインの特性インピーダンスは、マイクロストリップライン形成用導体パターンの幅及び厚さと、マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間の距離と、マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在している誘電体の比誘電率との関数になる。
【０００６】
同様に、ストリップラインの特性インピーダンスは、ストリップライン形成用導体パターンの幅及び厚さと、ストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さと、ストリップライン形成用導体パターンと対応するストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体の比誘電率との関数になる。
【０００７】
このように、マイクロストリップライン及びストリップラインの特性インピーダンスを決める関数は多くの変数を有しているため、多層配線板に複数のマイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを形成する場合に、そのアートワークの設計が面倒になるのを避けられなかった。
【０００８】
またマイクロストリップラインを備えた従来の多層配線板では、マイクロストリップラインの特性インピーダンスに応じて、マイクロストリップライン形成用導体パターンの幅寸法を変えていたため、配線板を観察するだけで、各マイクロストリップラインの特性インピーダンスを推測することができ、第三者に回路を模倣され易いという問題があった。
【０００９】
本発明の目的は、マイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを備えた多層配線板のアートワーク設計を容易にすることができるようにすることにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、マイクロストリップライン及び（または）ストリップラインを備えた多層配線板のアートワーク設計を容易にするとともに、その回路の模倣を困難にすることができるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、複数の誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、多層基板の積層方向の端面または層間に形成された複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて多層基板の層間または積層方向の端面に形成されて対応するマイクロストリップライン形成用導体パターンに対向させられた複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとを備えて、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより、複数のマイクロストリップラインが構成され、少なくとも一つのマイクロストリップラインは他のマイクロストリップラインと異なる特性インピーダンスを有するように構成されている多層配線板を対象とする。
【００１２】
本発明においては、多層基板の複数の誘電体層が、同一の比誘電率を有する誘電体材料により形成されて、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンが、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定される。
【００１３】
上記のように多層基板を構成する複数の誘電体層の比誘電率を同一とし、多層配線板に設けるマイクロストリップライン形成用導体パターンの幅を同一とし、厚さも一定として導体パターンを規格化すると、誘電体層の比誘電率と、導体パターンの幅及び厚さとを定数として扱って、特性インピーダンスを決定する関数の変数を、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さだけとすることができるため、所望の特性インピーダンスを有するマイクロストリップラインを形成するためのアートワーク設計を容易にすることができる。
【００１４】
また上記のように、すべてのマイクロストリップライン形成用導体パターンが同一の幅と同一の厚みとを有するようにしておくと、配線板を観察しただけでは。いかなる特性インピーダンスのマイクロストリップラインが形成されているのかを推測することができないため、回路を模倣され難いという利点が得られる。
【００１５】
本発明はまた、複数の誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、多層基板の層間に形成された複数のストリップライン形成用導体パターンと、複数のストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて多層基板の層間または積層方向の端面に設けられて対応するストリップライン形成用導体パターンを間にして多層基板の積層方向に対向させられた複数対のストリップライン形成用基準パターンとを備えて、複数のストリップライン形成用導体パターンと複数対のストリップライン形成用基準パターンとにより複数のストリップラインが構成され、少なくとも一つのストリップラインは他のストリップラインと異なる特性インピーダンスを有している多層配線板を対象とする。
【００１６】
この場合も、多層基板の複数の誘電体層は、同一の比誘電率を有する誘電体材料により形成される。複数のストリップライン形成用導体パターンが、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、各ストリップライン形成用導体パターンと対応する対のストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各対のストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さが設定される。
【００１７】
更に本発明は、複数の誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、多層基板の積層方向の端面または層間に形成された複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて多層基板の層間または積層方向の端面に形成されて対応するマイクロストリップライン形成用導体パターンに対向させられた複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとを備えて、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより複数のマイクロストリップラインが構成されるとともに、多層基板の層間に形成された複数のストリップライン形成用導体パターンと、複数のストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて多層基板の層間または積層方向の端面に設けられて対応するストリップライン形成用導体パターンを間にして多層基板の積層方向に対向させられた複数対のストリップライン形成用基準パターンとを備えて、複数のストリップライン形成用導体パターンと複数対のストリップライン形成用基準パターンとにより複数のストリップラインが構成され、少なくとも一つのマイクロストリップラインは他のマイクロストリップラインと異なる特性インピーダンスを有し、少なくとも一つのストリップラインは他のストリップラインと異なる特性インピーダンスを有するように構成されている多層配線板を対象とする。
【００１８】
本発明においては、多層基板の複数の誘電体層が、同一の比誘電率を有する誘電体材料により形成されて、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターン及び複数のストリップライン形成用導体パターンがすべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応する基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定され、各ストリップライン形成用導体パターンと対応するストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各ストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さが設定される。
【発明の効果】
【００１９】
上記のように、本発明では、多層基板の複数の誘電体層を同一の比誘電率を有する誘電体材料により形成するとともに、特性インピーダンスの如何に関わりなく、複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンに同一の幅及び同一の厚みを持たせて、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さを設定するだけで、各マイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とすることができるようにしたので、複数のマイクロストリップラインを有する多層配線板のアートワーク設計を容易にすることができる。
【００２０】
本発明ではまた、多層基板の複数の誘電体層を同一の比誘電率を有する誘電体材料により形成するとともに、特性インピーダンスの如何に関わりなく、複数のストリップライン形成用導体パターンに同一の幅及び同一の厚みを持たせて、各ストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さを設定するだけで、各ストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とすることができるようにしたので、複数のストリップラインを有する多層配線板のアートワーク設計を容易にすることができる。
【００２１】
また本発明によれば、すべてのマイクロストリップライン形成用導体パターンに同一の幅と同一の厚みとを持たせて、配線板を観察しただけではいかなる特性インピーダンスのマイクロストリップラインが設けられているのかを推測することができないようにしたため、回路を模倣され難いという利点が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
図１及び図２は本発明の第１の実施形態を示したもので、図１は斜視図、図２は縦断面図である。これらの図において、１は３層の誘電体層１０１、１０２及び１０３を積層した構造を有する多層基板である。本発明では、多層基板１を構成する誘電体層１０１、１０２及び１０３が比誘電率が等しい誘電体材料により構成されている。多層基板１の積層方向の一方の端面（多層基板の表面）には、多層基板１の長手方向に延びる３本の帯状のマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３が形成されている。３本のマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３にそれぞれ対応させて、多層基板１の層間または積層方向の端面に３つのマイクロストリップライン形成用基準パターン３０１ないし３０３が形成されて、これらの基準パターン３０１ないし３０３がそれぞれマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３に対向させられている。
【００２３】
図示の例では、第１層の誘電体層１０１と第２層の誘電体層１０２との間に導体パターン２０１に対応する基準パターン３０１が、また第２層の誘電体層１０２と第３層の誘電体層１０３との間に導体パターン２０２に対応する基準パターン３０２がそれぞれ形成され、これらの基準パターン３０１及び３０２の幅方向のほぼ中央に導体パターン２０１及び２０２がそれぞれ対向するように、基準パターン３０１及び３０２の位置と幅寸法とが設定されている。
【００２４】
また多層基板１の他方の端面（裏面）に、導体パターン２０３に対応する基準パターン３０３が形成されている。図示の例では、基準パターン３０３がグランドパターン（アースパターン）となっていて、この基準パターン３０３が多層基板１の裏面のほぼ全体に亘るように設けられている。基準パターン３０１及び３０２は図示しないスルーホールを通して基準パターン３０３に接続され、基準パターン３０３がアース電位部に接続される。
【００２５】
導体パターン２０２は、その途中で２つの部分２０２ａ及び２０２ｂに分断されていて、導体パターン２０２ａ及び２０２ｂの互いに対向する端部にそれぞれ電子部品を半田付けするためのランド２０２a1及び２０２b1が形成されている。ランド２０２a1及び２０２b1はそれぞれ導体パターン２０２ａ及び２０２ｂと同一の幅寸法と同一の厚み寸法とを有して、導体パターン２０２ａ及び２０２ｂからはみ出すことがないように設けられている。ランド２０２a1及び２０２b1には電子部品４の端子が半田５により接続されている。
【００２６】
本実施形態においては、導体パターン２０１と基準パターン３０１とにより第１のマイクロストリップラインＭＬ1が、また導体パターン２０２と基準パターン３０２とにより第２のマイクロストリップラインＭＬ2がそれぞれ構成され、導体パターン２０３と基準パターン３０３とにより第３のマイクロストリップラインＭＬ3が構成されている。第１のマイクロストリップラインがＭＬ1ないし第３のマイクロストリップラインＭＬ3はそれぞれ異なる特性インピーダンスを持つように構成されている。
【００２７】
本実施形態では、３つのマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３が、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値（所望の値）とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定される。
【００２８】
上記のように、すべての誘電体層の比誘電率を同じにするとともに、マイクロストリップライン形成用導体パターンの幅及び厚みを同じにして、マイクロストリップライン形成用導体パターンを規格化しておくと、マイクロストリップライン形成用導体パターンの幅及び厚さと、誘電体の比誘電率とを定数として扱い、特性インピーダンスを決定する関数の変数を、導体パターンと基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さのみにすることができるため、アートワーク設計を簡単にすることができる。
【００２９】
また上記のように構成すると、すべてのマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３が同一の幅と同一の厚みとを有するため、外部から観察しただけでは、いかなる特性インピーダンスのマイクロストリップラインが設けられているのかを推測することができない。そのため、多層配線板に設けられている回路を容易に模倣することができないようにすることができる。
【００３０】
図３は本発明の他の実施形態を示したものである。この例では、多層基板１が第１ないし第７の誘電体層１０１〜１０７からなっている。多層基板１の積層方向の一端１ａ側の端面（表面）にマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３が形成され、第１の誘電体層１０１と第２の誘電体層１０２との間、第２の誘電体層１０２と第３の誘電体層１０３との間及び第５の誘電体層１０５と第６の誘電体層１０６との間にそれぞれ第１ないし第４の基準パターン３０１ないし３０４が形成されている。また多層基板１の積層方向の他端側の端面（裏面）に第５の基準パターン３０５が形成され、第６の誘電体層１０６と第７の誘電体層１０７との間、第４の誘電体層１０４と第５の誘電体層１０５との間及び第５の誘電体層１０５と第６の誘電体層１０６との間にそれぞれ第１のストリップライン形成用導体パターン４０１ないし第３のストリップライン形成用導体パターン４０３が形成されている。
【００３１】
第１の基準パターン３０１及び第２の基準パターン３０２はそれぞれの幅方向のほぼ中央部が導体パターン２０１及び２０２に対向するように設けられている。第３の基準パターン３０３は、第２の基準パターン３０２に対向する部分と、第２の基準パターン３０２を越えて多層基板１の幅方向の他端１ｂ側に延びる部分とを有し、第３の基準パターン３０３の第２の基準パターン３０２を越えて多層基板１の幅方向の他端１ｂ側に延びる部分の幅方向のほぼ中央に導体パターン２０３が対向するように、第３の基準パターン３０３と導体パターン２０２との間の位置関係が設定されている。また第４の基準パターン３０４は多層基板１の幅方向の一端１ａ側から他端１ｂ側に、第２の基準パターン３０２が設けられている部分まで延びるように設けられている。第５の基準パターン３０５は多層基板１の裏面全体に亘るように設けられている。
【００３２】
図示の例では、第１のストリップライン形成用導体パターン４０１が、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０１に相応する位置で第４の基準パターン３０４と第５の基準パターン３０５とに対向し、第２のストリップライン形成用導体パターン４０２が、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０２に対応する位置で、第３の基準パターン３０３と第４の基準パターン３０４とに対向するように設けられている。またストリップライン形成用導体パターン４０３が、第３のマイクロストリップライン形成用導体パターン２０３に対応する位置で、第３の基準パターン３０３と第５の基準パターン３０５とに対向させられている。
【００３３】
この例では、第１の基準パターン３０１ないし第３の基準パターン３０３がそれぞれマイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３に対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとなっていて、導体パターン２０１と基準パターン３０１、導体パターン２０２と基準パターン３０２及び導体パターン２０３と基準パターン３０３によりそれぞれマイクロストリップラインＭＬ1ないしＭＬ3が構成されている。
【００３４】
また第４の基準パターン３０４及び第５の基準パターン３０５がストリップライン形成用導体パターン４０１に対応する１対のストリップライン形成用基準パターンとなっていて、ストリップライン形成用導体パターン４０１と第４の基準パターン３０４及び第５の基準パターン３０５とによりストリップラインＳＬ1が構成されている。更に、第３の基準パターン３０３及び第４の基準パターン３０４がストリップライン形成用導体パターン４０２に対応する１対のストリップライン形成用基準パターンとなっていて、ストリップライン形成用導体パターン４０２と対の基準パターン３０３及び３０４とにより、ストリップラインＳＬ2が構成されている。また第３の基準パターン３０３及び第５の基準パターン３０５がストリップライン形成用導体パターン４０３に対応する１対のストリップライン形成用基準パターンとなっていて、ストリップライン形成用導体パターン４０３と対の基準パターン３０３及び３０５とによりストリップラインＳＬ3が構成されている。
【００３５】
図示の例では、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０２とストリップライン形成用導体パターン４０２との間が、基準パターン３０２及び３０３に接触しないように、両基準パターンに形成された孔３０２ａ及び３０３ａ内を貫通したスルーホール６０２により電気的に接続されている。また、第５の基準パターン３０５の導体パターン２０３に対応する位置に孔３０５ａが設けられて、この孔３０５ａ内に位置させて、多層基板１の裏面に端子パターン７０３が形成され、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０３とストリップライン形成用導体パターン４０３と端子パターン７０３とが、スルーホール６０３により電気的に接続されている。第３の基準パターン３０３のスルーホール６０３を貫通させる部分には、スルーホール６０３を逃がすための孔３０３ｂが形成されている。
【００３６】
第５の基準パターン３０５はグランドパターンとなっていて、第１の基準パターン３０１ないし第４の基準パターン３０４が図示しないスルーホールを通して第５の基準パターン３０５に接続されている。
【００３７】
本実施形態では、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０１ないし２０３及びストリップライン形成用導体パターン４０１ないし４０３が同一の幅寸法と同一の厚み寸法とを有するように形成され、各マイクロストリップラインに所定の（所望の）特性インピーダンスを持たせるように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚みが設定されている。
【００３８】
同様に、各ストリップラインに所定の特性インピーダンスを持たせるように、各ストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚みが設定されている。
【００３９】
図３に示した実施形態において、誘電体層１０１ないし１０７の厚さは等しくてもよく、異なっていてもよい。また各マイクロストリップライン形成用導体パターンに対応する基準パターンは、各マイクロストリップライン形成用導体パターンに対向する部分が十分な面積を有するように設けられていればよく、各ストリップライン形成用導体パターンに対応する対の基準パターンは、各ストリップライン形成用導体パターンに対向する部分が十分な面積を有するように設けられていればよい。各ストリップライン形成用導体パターンと対応する対の基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚みは等しくてもよく、等しくなくてもよい。図３に示した例では、ストリップライン形成用導体パターン４０１とストリップライン形成用基準パターン（第５の基準パターン）３０５との間に存在する誘電体層１０７の厚みが、ストリップライン形成用導体パターン４０１とストリップライン形成用基準パターン（第４の基準パターン）３０４との間に存在する誘電体層１０６の厚みよりも薄く設定されている。この場合、ストリップラインＳＬ1の特性インピーダンスは、誘電体層１０６の厚みと誘電体層１０７の厚みとの和（基準パターン３０４と３０５との間に存在する誘電体層の厚み）を調整することにより、所望の値に設定される。
【００４０】
図示の例では、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０１と基準パターン３０１との間に存在する誘電体層の厚さよりも、マイクロストリップライン形成用導体パターン２０２と基準パターン３０２との間に存在する誘電体層の厚さが厚く設定されて、マイクロストリップラインＭＬ2の特性インピーダンスがマイクロストリップラインＭＬ1の特性インピーダンスよりも大きく設定されている。またマイクロストリップライン形成用導体パターン２０２と基準パターン３０２との間に存在する誘電体層の厚さよりもマイクロストリップライン形成用導体パターン２０３と基準パターン３０３との間に存在する誘電体層の厚さが厚く設定されていて、マイクロストリップラインＭＬ3の特性インピーダンスがマイクロストリップラインＭＬ2の特性インピーダンスよりも大きく設定されている。
【００４１】
またストリップラインＳＬ1の導体パターン４０１に対応する対の基準パターン３０４及び３０５の間に存在する誘電体層の厚さが、ストリップラインＳＬ2の導体パターン４０２に対応する対の基準パターン３０３及び３０４の間に存在する誘電体層の厚さよりも薄く設定されていて、ストリップラインＳＬ1がストリップラインＳＬ2よりも小さい特性インピーダンスを持つように構成されている。更に、ストリップラインＳＬ3の導体パターン４０３に対応する対の基準パターン３０３及び３０５の間に存在する誘電体層の厚さが，ストリップラインＳＬ2の導体パターン４０２に対応する対の基準パターン３０３及び３０４の間に存在する誘電体層の厚さよりも厚く設定されていて、ストリップラインＳＬ3がストリップラインＳＬ2よりも大きい特性インピーダンスを持つように構成されている。
【００４２】
図３に示した実施形態では、マイクロストリップライン形成用導体パターン及びストリップライン形成用導体パターンが共に同一の幅寸法と同一の厚み寸法とを有するようにしたが、マイクロストリップライン形成用導体パターンの幅寸法及び厚み寸法と、ストリップライン形成用導体パターンの幅寸法及び厚み寸法とを異ならせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１の実施形態の構成を概略的に示した斜視図である。
【図２】図１の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態の構成を概略的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１ 多層基板
１０１〜１０７ 多層基板を構成する誘電体層
２０１ないし２０３ マイクロストリップライン形成用導体パターン
３０１ないし３０５ 基準パターン
ＭＬ1ないしＭＬ3 マイクロストリップライン
ＳＬ1ないしＳＬ3 ストリップライン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、前記多層基板の積層方向の端面または層間に形成された複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと、前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて前記多層基板の層間または積層方向の端面に形成されて対応するマイクロストリップライン形成用導体パターンに対向させられた複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとを備えて、前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより複数のマイクロストリップラインが構成され、少なくとも一つのマイクロストリップラインは他のマイクロストリップラインと異なる特性インピーダンスを有している多層配線板において、
前記複数の誘電体層は、同一の比誘電率を有する誘電材料からなり、
前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンは、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、
各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定されていること、
を特徴とする多層配線板。
【請求項２】
複数の誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、前記多層基板の層間に形成された複数のストリップライン形成用導体パターンと、前記複数のストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて前記多層基板の層間または積層方向の端面に設けられて対応するストリップライン形成用導体パターンを間にして前記多層基板の積層方向に対向させられた複数対のストリップライン形成用基準パターンとを備えて、前記複数のストリップライン形成用導体パターンと複数対のストリップライン形成用基準パターンとにより複数のストリップラインが構成され、少なくとも一つのストリップラインは他のストリップラインと異なる特性インピーダンスを有している多層配線板において、
前記複数の誘電体層は、同一の比誘電率を有する誘電体材料からなり、
前記複数のストリップライン形成用導体パターンは、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、
各ストリップライン形成用導体パターンと対応するストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さが設定されていること、
を特徴とする多層配線板。
【請求項３】
複数の誘電体誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、前記多層基板の積層方向の端面または層間に形成された複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと、前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて前記多層基板の層間または積層方向の端面に形成されて対応するマイクロストリップライン形成用導体パターンに対向させられた複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとを備えて、前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより複数のマイクロストリップラインが構成されるとともに、前記多層基板の層間に形成された複数のストリップライン形成用導体パターンと、前記複数のストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて前記多層基板の層間または積層方向の端面に設けられて対応するストリップライン形成用導体パターンを間にして前記多層基板の積層方向に対向させられた複数対のストリップライン形成用基準パターンとを備えて、前記複数のストリップライン形成用導体パターンと複数対のストリップライン形成用基準パターンとにより複数のストリップラインが構成され、少なくとも一つのマイクロストリップラインは他のマイクロストリップラインと異なる特性インピーダンスを有し、少なくとも一つのストリップラインは他のストリップラインと異なる特性インピーダンスを有するように構成されている多層配線板において、
前記複数の誘電体層は、同一の比誘電率を有する誘電体材料からなり、
前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターン及び前記複数のストリップライン形成用導体パターンは、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、
各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応する基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定され、
各ストリップライン形成用導体パターンと対応するストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各ストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さが設定されていること、
を特徴とする多層配線板。
【請求項１】
複数の誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、前記多層基板の積層方向の端面または層間に形成された複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと、前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて前記多層基板の層間または積層方向の端面に形成されて対応するマイクロストリップライン形成用導体パターンに対向させられた複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとを備えて、前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより複数のマイクロストリップラインが構成され、少なくとも一つのマイクロストリップラインは他のマイクロストリップラインと異なる特性インピーダンスを有している多層配線板において、
前記複数の誘電体層は、同一の比誘電率を有する誘電材料からなり、
前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンは、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、
各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定されていること、
を特徴とする多層配線板。
【請求項２】
複数の誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、前記多層基板の層間に形成された複数のストリップライン形成用導体パターンと、前記複数のストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて前記多層基板の層間または積層方向の端面に設けられて対応するストリップライン形成用導体パターンを間にして前記多層基板の積層方向に対向させられた複数対のストリップライン形成用基準パターンとを備えて、前記複数のストリップライン形成用導体パターンと複数対のストリップライン形成用基準パターンとにより複数のストリップラインが構成され、少なくとも一つのストリップラインは他のストリップラインと異なる特性インピーダンスを有している多層配線板において、
前記複数の誘電体層は、同一の比誘電率を有する誘電体材料からなり、
前記複数のストリップライン形成用導体パターンは、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、
各ストリップライン形成用導体パターンと対応するストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さが設定されていること、
を特徴とする多層配線板。
【請求項３】
複数の誘電体誘電体層を積層した構造を有する多層基板と、前記多層基板の積層方向の端面または層間に形成された複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと、前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて前記多層基板の層間または積層方向の端面に形成されて対応するマイクロストリップライン形成用導体パターンに対向させられた複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとを備えて、前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターンと複数のマイクロストリップライン形成用基準パターンとにより複数のマイクロストリップラインが構成されるとともに、前記多層基板の層間に形成された複数のストリップライン形成用導体パターンと、前記複数のストリップライン形成用導体パターンにそれぞれ対応させて前記多層基板の層間または積層方向の端面に設けられて対応するストリップライン形成用導体パターンを間にして前記多層基板の積層方向に対向させられた複数対のストリップライン形成用基準パターンとを備えて、前記複数のストリップライン形成用導体パターンと複数対のストリップライン形成用基準パターンとにより複数のストリップラインが構成され、少なくとも一つのマイクロストリップラインは他のマイクロストリップラインと異なる特性インピーダンスを有し、少なくとも一つのストリップラインは他のストリップラインと異なる特性インピーダンスを有するように構成されている多層配線板において、
前記複数の誘電体層は、同一の比誘電率を有する誘電体材料からなり、
前記複数のマイクロストリップライン形成用導体パターン及び前記複数のストリップライン形成用導体パターンは、特性インピーダンスの如何に関わりなく、すべて同一の幅と同一の厚みとを有するように形成され、
各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応する基準パターンとにより構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各マイクロストリップライン形成用導体パターンと対応するマイクロストリップライン形成用基準パターンとの間に存在する誘電体層の厚さが設定され、
各ストリップライン形成用導体パターンと対応するストリップライン形成用基準パターンとにより構成されるストリップラインの特性インピーダンスを所定の値とするように、各ストリップライン形成用導体パターンに対応する対のストリップライン形成用基準パターンの間に存在する誘電体層の厚さが設定されていること、
を特徴とする多層配線板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００９−１３５２４８（Ｐ２００９−１３５２４８Ａ）
【公開日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３０９７２７（Ｐ２００７−３０９７２７）
【出願日】平成１９年１１月３０日（２００７．１１．３０）
【出願人】（０００２１９００４）島田理化工業株式会社 (205)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月３０日（２００７．１１．３０）
【出願人】（０００２１９００４）島田理化工業株式会社 (205)
【Ｆターム（参考）】
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