多層配線基板およびその製造方法
【課題】 簡素な構成で多層配線基板における広い周波数帯域に亘るノイズを低減できる多層配線基板を提供する。
【解決手段】 グランド層１４１と電源層１５との間に形成された高容量層１２１と、電源層１５とグランド層１４２との間に形成された高容量層１２２とを有している。高容量層１２１および１２２は、それらの電気容量が互いに異なっている。多層配線基板１０は、電源層１５を兼用した互いに電気容量の異なる２つのキャパシタを内蔵している。
【解決手段】 グランド層１４１と電源層１５との間に形成された高容量層１２１と、電源層１５とグランド層１４２との間に形成された高容量層１２２とを有している。高容量層１２１および１２２は、それらの電気容量が互いに異なっている。多層配線基板１０は、電源層１５を兼用した互いに電気容量の異なる２つのキャパシタを内蔵している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板に関し、特に、多層配線基板のノイズ対策のために、電源層とグランド層の間にコンデンサ機能を具備した多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機やノート型パーソナルコンピュータ等の携帯型電子機器の小型軽量化と高機能化が求められている。それに伴い、半導体用基板やＬＳＩパッケージ等に使用される回路基板については、高密度配線、小型軽量化と併せて、伝送速度の高速化が求められている。
【０００３】
しかし、信号速度が高くなるにつれて低速では問題にならなかったノイズが情報の伝達を妨げるという問題が生ずる。伝送速度の高速化のためには、ノイズを低減させるような回路基板の設計が必要である。
【０００４】
従来、多層配線基板上にデカップリングコンデンサを実装して電気的ノイズを削減する方法が一般的にとられてきた。
【０００５】
図１に従来の多層配線基板の斜視図を示す。
【０００６】
図１の多層配線基板８０は、回路基板に用いられる絶縁材料から成る電気容量が低い低容量層８１１および８１２と、電気容量値が低容量層８１１および８１２よりも高い高容量層８２とを備えている。低容量層８１１および８１２はそれぞれ、多層配線基板８０の裏面側と、多層配線基板８０のＬＳＩチップなどの電子部品６０が実装される表面側とに配置されている。多層配線基板８０上には、ＬＳＩチップの電源ノイズを低減する目的でデカップリングコンデンサ９０が実装されている。
【０００７】
図２は、図１の多層配線基板におけるライン２−２に沿った断面図である。
【０００８】
多層配線基板８０の表面側および裏面側の低容量層８１１および８１２上に配置された導電層が信号層８３１および８３２である。信号層８３１および８３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６０と接続される。２つの信号層の間には下から低容量層８１１、電源層８５、高容量層８２、グランド層８４、低容量層８１２の順に積層されている。ＬＳＩチップなどの電子部品６０は、グランド層ビア８７、電源ビア８８を介して、グランド層８４、電源層８５のそれぞれに接続される。
【０００９】
しかし、信号伝送周波数の高周波数化が近年ますます進んでおり、それに伴い基板に実装されるコンデンサの数も増大してきている。コンデンサの多用は、部品間の最短配線を不可能なものとし、同期をとることを難しくするなど、配線設計を困難なものとしており、また、回路基板の小型化を妨げ、コスト増加を引き起こしている。
【００１０】
このため、近年では、ＬＳＩパッケージ等の多層配線基板中に高誘電率材料から成る層を設け、コンデンサとして機能する構成をＬＳＩパッケージ等に内蔵させることにより、電気的ノイズを削減させる方法が提案されている。このような手法は、例えば、特許文献１、特許文献２に開示されている。この方法では、ＬＳＩ直下にコンデンサを配置できるため、基板上に実装されたデカップリングコンデンサに比べてＬＳＩとコンデンサとの間を非常に短い線路で接続でき、回路の寄生インダクタンス成分を低減させ得るため、ＬＳＩ電源のノイズを低減することができる。
【００１１】
【特許文献１】実開平７−１０９７９号公報
【特許文献２】特開２００２−２１７５４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、特許文献１に開示された多層配線基板では、多層配線基板内に内蔵された高誘電率材料で除去しきれない周波数帯域のノイズに対しては、結局、基板上やＬＳＩパッケージ上へデカップリングコンデンサを追加する必要があるという問題があった。
【００１３】
また、特許文献２に開示された多層配線基板では、電源層とグランド層とから成る一電源層対毎に容量層を有しているがために全体の層数が多く、複雑な構成であり、回路基板の小型化を十分に達成することはできない。
【００１４】
それ故、本発明の課題は、簡素な構成で多層配線基板における広い周波数帯域に亘るノイズを低減できる多層配線基板を提供することである。
【００１５】
本発明の他の課題は、上記のような多層配線基板を容易に製造できる多層配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明によれば、第１〜第３の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に形成された第１の絶縁層と、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間に形成された第２の絶縁層とを有し、前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なることを特徴とする多層配線基板が得られる。
【００１７】
本発明によればまた、第１〜第４の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に形成された第１の絶縁層と、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間に形成された第２の絶縁層と、前記第３の導電層と前記第４の導電層との間に形成された第３の絶縁層とを有し、前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なることを特徴とする多層配線基板が得られる。
【００１８】
本発明によればさらに、第１および第２の絶縁層で挟まれ、さらに２つの外側導電層で挟まれた内側導電層を有し、前記内側導電層は、電源層およびグランド層のうちの一方であり、前記外側導電層は、電源層およびグランド層のうちの他方であり、前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なることを特徴とする多層配線基板が得られる。
【００１９】
また、本発明によれば、第１および第２の絶縁層で挟まれ、さらに２つの外側導電層で挟まれた内側導電層と、前記外側導電層の一方の上に第３の絶縁層を介して形成された付加的外側導電層とを有し、前記内側導電層は、電源層およびグランド層のうちの一方であり、前記外側導電層は、電源層およびグランド層のうちの他方であり、前記付加的外側導電層は、電源層またはグランド層であり、前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なることを特徴とする多層配線基板が得られる。
【００２０】
さらに、本発明によれば、多層配線基板の製造方法であって、第１の容量層の両面に導電層を形成して第１の部材を生成する工程と、第２の容量層の片面に導電層を形成して第２の部材を生成する工程とを有し、前記第１および前記第２の容量層は、それらの電気容量が互いに異なり、さらに、前記第１の部材の一方の面上に前記第２の部材の導電層の無い面が突き合わさるようにプレス成形によって積層する工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法が得られる。
【００２１】
また、本発明によれば、多層配線基板の製造方法であって、第１の容量層の両面に導電層を形成して第１の部材を生成する工程と、第２の容量層の片面に導電層を形成して第２の部材を生成する工程と、第３の容量層の片面に導電層を形成して第３の部材を生成する工程とを有し、前記第１、前記第２、および前記第３の容量層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なり、さらに、前記第１の部材の一方の面上に前記第２の部材の導電層の無い面が突き合わさると共に、該第１の部材の他方の面上に前記第３の部材の導電層の無い面が突き合わさるように、プレス成形によって積層する工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法が得られる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明による多層配線基板は、広い周波数帯域に亘るノイズを低減でき、かつデカップリングコンデンサの個数を減らすか、無くすことができる。
【００２３】
本発明による多層配線基板はさらに、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素である。
【００２４】
また、本発明による多層配線基板の製造方法は、上記のような多層配線基板を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明による多層配線基板は、第１〜第３の導電層と、第１の導電層と第２の導電層との間に形成された第１の絶縁層と、第２の導電層と第３の導電層との間に形成された第２の絶縁層とを有し、第１および第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なっている。
【００２６】
また、本発明による多層配線基板は、第１および第２の絶縁層で挟まれ、さらに２つの外側導電層で挟まれた内側導電層を有し、内側導電層は、電源層およびグランド層のうちの一方であり、外側導電層は、電源層およびグランド層のうちの他方であり、第１および第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なっている。
【００２７】
即ち、本発明による多層配線基板は、２つ以上のコンデンサ機能を奏する構成を、多層基板内に内蔵している。このため、広い周波数帯域に亘るノイズを低減でき、かつデカップリングコンデンサの個数を減らすか、無くすことができる。
【００２８】
さらに、本発明は、間に容量を持つ絶縁層を有する電源層とグランド層との電源層対の少なくとも一方が、他の電源層対に兼用される構成である。このため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素である。
【００２９】
また、本発明による多層配線基板の製造方法は、第１の容量層の両面に導電層を形成して第１の部材を生成する工程と、第２の容量層の片面に導電層を形成して第２の部材を生成する工程と、第１の部材の一方の面上に第２の部材の導電層の無い面が突き合わさるようにプレス成形によって積層する工程とを有している。尚、第１および第２の容量層は、それらの電気容量が互いに異なっている。このため、上記のような多層配線基板を容易に製造できる。
【実施例】
【００３０】
以下、図面を参照して、本発明の実施例による多層配線基板およびその製造方法について詳細に説明する。
【００３１】
［第１の実施例］
図３は、本発明の第１の実施例による多層配線基板の斜視図である。
【００３２】
多層配線基板１０は、回路基板に用いられる絶縁材料であってこれを挟む導電層間の電気容量値が低い低容量層１１１および１１２と、導電層間の電気容量値が低容量層１１１および１１２よりも高い２つの高容量層１２１および１２２とを備えている。
【００３３】
低容量層１１１および１１２は、多層配線基板１０の裏面側と、多層配線基板１０のＬＳＩチップなどの電子部品６０が実装される表面側とに配置されている。
【００３４】
また、高容量層１２１および１２２は、互いに容量が異なり、また隣接して配置される。
【００３５】
図４は、図３の多層配線基板のライン４−４に沿った断面図である。
【００３６】
多層配線基板１０の裏面側および表面側の低容量層１１１および１１２上に配置された導電層が信号層１３１および１３２である。信号層１３１および１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６０と接続される。２つの信号層１３１および１３２の間には下から順に、低容量層１１１、グランド層１４１および１４２、高容量層１２１、電源層１５、高容量層１２２、グランド層１４２、低容量層１１２の順に積層されている。
【００３７】
尚、信号層１３１および１３２、グランド層１４１および１４２、電源層１５は、銅箔としてよいが、これに限らず、多層配線基板の導電層に一般に用いられる材料を使用してもよい。
【００３８】
このように、本発明の多層配線基板１０は、電源層１５を電気容量が互いに異なる高容量層１２１および１２２で挟み込み、それをさらにグランド層１４１および１４２で挟み、低容量層１１１および１１２を介してそれをさらに信号層１３１および１３２で挟むように積層され形成されたものである。
【００３９】
尚、信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１および１４２との間には、グランドビア１７が形成されている。信号層１３１および１３２の電源配線と電源層１５との間には、電源ビア１８が形成されている。また図示していないが表面側の信号層１３１および１３２の信号配線と、裏面側の信号層１３１および１３２の信号配線との間にビアが形成されてもよい。尚、図４に示すように２つの信号層１３１および１３２の平面視で同じ位置にグランド配線および電源配線が存在するようにし、グランドビア１７、電源ビア１８が多層配線基板１０を貫いて形成されて２つの信号層１３１および１３２上のグランド配線および電源配線に接続されるようにしてもよい。
【００４０】
グランド層１４１および１４２および電源層１５は、基本的にグランドビア１７、電源ビア１８等との干渉を避けた最大限の範囲に形成されている。
【００４１】
低容量層１１１および１１２の絶縁材料の誘電率は、例えば比誘電率が２〜５程度である。低容量層１１１および１１２の絶縁材料は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥したものを用いているが、これに限られるものではない。例えば比誘電率４．２の材料を用い、厚さを２００μｍとすると、単位面積あたりの電気容量は、０．２ｐＦ／ｍｍ２程度である。
【００４２】
高容量層１２２の電気容量は、高周波のノイズを吸収する小容量のデカップリングコンデンサを代用できるような容量に設定する。コンデンサの電気容量Ｃは、下記（１）式で定義されるように、電極面積Ａと誘電体の比誘電率εｒに比例し、電極間距離ｄに反比例する。
【００４３】
Ｃ＝ε０・εｒ・Ａ／ｄ ・・・（１）
（ε０：真空の誘電率）
【００４４】
そこで例えば、低容量層１１１および１１２の絶縁材料と同じ比誘電率４．２の材料を用いて厚さを５０μｍとすることにより、電気容量を０．７８ｐＦ／ｍｍ２とする。
【００４５】
高容量層１２１の電気容量は、電源リップル電圧などを吸収する大容量のデカップリングコンデンサを代用できるような容量に設定し、望ましくは２ｐＦ／ｍｍ２以上に設定する。本実施例では、高容量層１２１の絶縁材料として、高容量層１２２よりも高誘電率化したものを用いる。例えば高容量層１２２のエポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーを充填したものを用い、比誘電率を１６とし、厚さを５０μｍとすることにより、高容量層１２１の電気容量は２．８ｐＦ／ｍｍ２とする。
【００４６】
本実施例ではこのように、高容量層１２１および１２２に使用される誘電材料の電気容量が互いに異なる。この効果について図５を参照して説明する。
【００４７】
図５は、図３および図４の多層配線基板を用いて、周波数に対するインピーダンスの変化をシミュレーションした例を示す図である。信号層１５、高容量層１２２、およびグランド層１４２による第１キャパシタは、４００ＭＨｚ付近でインピーダンスが最も低くなる。一方、信号層１５、高容量層１２１、およびグランド層１４１による第２キャパシタは、１ＭＨｚでインピーダンスが最も低くなった。そして、この両者をもつ本実施例による多層配線基板は、１ＭＨｚ付近と４００ＭＨｚ付近での２箇所の周波数で低いインピーダンスを示した。このように、異なる誘電率の第キャパシタを共存させると、各々の周波数帯域においてノイズ削減効果が得られることが示された。
【００４８】
また、本実施例は、間に高容量層１２２を有する電源層１５とグランド層１４１のうちの電源層１５が、間に高容量層１２１を有する他の電源層対に兼用される構成であるため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素であるという効果がある。
【００４９】
次に、本実施例の変形例について説明する。図６は、本発明の第１の実施例の変形例の多層配線基板の断面図である。図３および図４と同一符号は同一或いは同等構成要素を示す。
【００５０】
本変形例では、高容量層１２２と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを薄くすることにより、高容量層１２２よりも電気容量の大きい高容量層１２１’を形成している点で図３および図４の例と異なる。
【００５１】
高容量層１２１’は、低容量層１１１および１１２および高容量層１２２の絶縁材料と同じ比誘電率４．２の材料を用い、例えば、厚さを２５μｍとし、電気容量を１．５６ｐＦ／ｍｍ２としている。このような構成により、層によって誘電率が異なる絶縁材料を使用せず、各層が同じ絶縁材料で構成されるため、低容量層１１１および１１２ならびに２つの高容量層１２１’および１２２の熱膨張係数等が同じになり、信頼性の点で優位性がある。
【００５２】
次に、本実施例の多層配線基板の製造方法について図７（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【００５３】
（工程１）
各層の絶縁性部材の両面または片面に銅箔をつけた樹脂付き銅箔を準備する。
【００５４】
即ち、図３および図４に示された実施例による基板を製造するべく、図７（ａ）に示されるように、第１の部材としてのコア材（両面銅箔付き樹脂部材）Ａ１０３と、第２の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ１０２と、第３の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ１０１と、第４の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ１０４とをそれぞれ準備する。
【００５５】
銅箔付き樹脂部材Ａ１０１は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ２００μｍの材料の片側に銅箔Ａ１３１をつけたものである。銅箔付き樹脂部材Ａ１０２は、エポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーを充填してガラスクロスに含浸乾燥した比誘電率１６、厚さ５０μｍの部材Ａ１２１の片側に銅箔Ａ１４１をつけたものである。コア材Ａ１０３は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ５０μｍの部材Ａ１２２の両面に銅箔Ａ１５およびＡ１４２をつけたものである。銅箔付き樹脂部材Ａ１０４は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ２００μｍの部材Ａ１１２の片側に銅箔Ａ１３２をつけたものである。
【００５６】
尚、図６に示された変形例による基板を製造する場合には、銅箔付き樹脂部材Ａ１０２に代えて、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ２５μｍの部材の片側に銅箔をつけた樹脂付き銅箔を準備する。
【００５７】
銅箔Ａ１５、Ａ１４１およびＡ１４２、ならびにＡ１３１およびＡ１３２は全て、エッチングにより回路形成されている。
【００５８】
（工程２）
図７（ｂ）に示されるように、工程１で準備されたコア材Ａ１０３と銅箔付き樹脂部材Ａ１０２をプレス成形により積層する。
【００５９】
（工程３）
図７（ｃ）に示されるように、２つの銅箔付き樹脂部材Ａ１０１およびＡ１０４を用いて、工程２で積層された材料をさらにビルドアップにより下および上から積層する。
【００６０】
工程１〜３で銅箔５枚が積層され、５層基板ができる。銅箔Ａ１５は図４における電源層１５に相当し、銅箔Ａ１４１およびＡ１４２は、図４におけるグランド層１４１および１４２に相当する。銅箔Ａ１３１およびＡ１３２は、図４における信号層１３１および１３２に相当する。
【００６１】
（工程４）
図７（ｄ）に示されるように、積層後にはグランドビア１７、電源ビア１８等が形成され、信号層１３１および１３２となる銅箔Ａ１３１およびＡ１３２と、グランド層１４１および１４２となる銅箔Ａ１４１およびＡ１４２または電源層となる銅箔Ａ１５とが接続される。その後、ＬＳＩチップなどの電子部品６０が銅箔Ａ１３２上に実装されボンディングワイヤで接続される。
【００６２】
以上説明したように、本発明の多層配線基板は、高容量層となる絶縁性部材の両面または片面に銅箔をつけた樹脂付き銅箔を準備し、銅箔に回路形成し、プレス成形し、さらに低容量層となる樹脂付き銅箔をビルドアップしてグランドビア、電源ビア等を形成することにより、１層ずつ順に形成していくよりも効率的に容易に製造できる。
【００６３】
［第２の実施例］
次に、３種類の異なる高容量層が組み込まれた多層配線基板の第２の実施例について図８を用いて説明する。
【００６４】
図８は本発明の第２の実施例による多層配線基板の断面図である。
【００６５】
多層配線基板２０は、回路基板に用いられる絶縁材料で比較的誘電率が低いものを導電層で挟んだ低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い３つの高容量層１２１、１２２、および１２３とを備えている。
【００６６】
低容量層１１１および１１２は、多層配線基板２０のＬＳＩチップなどの電子部品６０が実装される表面側と、多層配線基板２０の裏面側に配置されている。
【００６７】
また高容量層１２１、１２２、および１２３は、互いに容量が異なり、また隣接して配置される。
【００６８】
多層配線基板２０の表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上に配置された導電層が信号層１３１および１３２である。信号層１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６０と接続される。
【００６９】
高容量層１２３と低容量層１１２との間の導電層、および高容量層１２１と１２２との間の導電層がグランド層１４２、１４１である。また高容量層１２２と１２３との間の導電層、および高容量層１２１と低容量層１１１との間の導電層が電源層１５２、１５１である。尚、信号層１３１および１３２、グランド層１４１および１４２、電源層１５１および１５２は、銅箔としてよいが、第１の実施例の信号層、グランド層、電源層と同様に、これに限らず、多層配線基板の導電層に一般に用いられる材料を使用してもよい。
【００７０】
このように、本実施例には、第１の実施例の構成が２つ組み込まれており、電源層１５２を電気容量が互いに異なる高容量層１２２および１２３で挟み込み、それをさらにグランド層１４１および１４２で挟んだ第１構成と、グランド層１４１を電気容量が互いに異なる高容量層１２１および１２２で挟み込み、それをさらに電源層１５１および１５２で挟んだ第２構成との２つの部分が、第１の実施例の構成に相当する。
【００７１】
尚、信号層１３１および１３２のグランド配線と２つのグランド層１４１および１４２との間には、グランドビア１７が形成されている。信号層１３１および１３２の電源配線と電源層１５１および１５２との間には、電源ビア１８が形成されている。また表面側の信号層１３２の配線と、裏面側の信号層１３１の配線との間にビアが形成されてもよい。尚、本実施例においても図８に示すように２つの信号層１３１および１３２の同じ位置にグランド配線および電源配線が存在するようにし、グランドビア１７、電源ビア１８が多層配線基板２０を貫いて形成されてグランド配線および電源配線に接続されるようにしてもよい。
【００７２】
また、本実施例でも、グランド層１４１および１４２および電源層１５１および１５２は、基本的にグランドビア１７、電源ビア１８等との干渉を避けた最大限の範囲に形成されている。
【００７３】
低容量層１１１および１１２の絶縁材料の誘電率は、第１の実施例と同様に例えば比誘電率が２〜５程度である。低容量層１１１および１１２の絶縁材料は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥したものを用いてられるが、これに限られるものではない。例えば、比誘電率４．２の材料を用い、厚さを２００μｍとすると、単位面積あたりの電気容量は、０．２ｐＦ／ｍｍ２程度である。
【００７４】
高容量層１２３の電気容量は、高周波のノイズを吸収する小容量のデカップリングコンデンサを代用できるような容量に設定する。例えば、第１の実施例の高容量層１２２と同様に、低容量層１１１および１１２の絶縁材料と同じ比誘電率４．２の材料を用い、厚さを５０μｍとし、電気容量を０．７８ｐＦ／ｍｍ２とする。
【００７５】
高容量層１２２の電気容量は、電源リップル電圧などを吸収する大容量のデカップリングコンデンサを代用できるような容量に設定し、望ましくは２〜５ｐＦ／ｍｍ２に設定する。本実施例では、高容量層１２１の絶縁材料として、高容量層１２２よりも高誘電率化したものを用いる。例えば第１の実施例の高容量層１２１と同様に、高容量層１２２のエポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーを充填したものを用い、比誘電率を１６とし、厚さを５０μｍとすることにより、高容量層１２１の電気容量は２．８ｐＦ／ｍｍ２とする。
【００７６】
高容量層１２１の電気容量は、さらに大容量のデカップリングコンデンサを代用できるような容量に設定し、望ましくは５ｐＦ／ｍｍ２以上に設定する。本実施例では、高容量層１２１の絶縁材料として、高容量層１２２よりも高誘電率化したものを用いる。例えば高容量層１２３のエポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーをさらに多く充填したものを用い、比誘電率を４０とし、厚さを３０μｍとすることにより、高容量層１２１の電気容量は１１ｐＦ／ｍｍ２とする。
【００７７】
本実施例ではこのように、高容量層１２１、１２２、および１２３のうちの少なくとも二者の電気容量が互いに異なるため、複数の周波数帯域においてノイズ削減効果が得られることが示された。
【００７８】
尚、本実施例について、高容量層１２２、１２３の代わりに高容量層１２１と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを厚くすることにより、高容量層１２１よりも電気容量の小さい高容量層を形成してもよい。また高容量層１２２、１２３の代わりに高容量層１２１と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを薄くしたもの、厚くしたものを用いてもよい。このような構成により、高容量が同じ絶縁材料で構成されるため、各層の熱膨張係数等も同じで、信頼性の点で優位性がある。
【００７９】
本実施例においては、間に高容量層１２３を有するグランド層１４２と電源層１５２との電源層対のうちの電源層１５２が、間に高容量層１２２を有する他の電源層対に兼用されている。さらに、間に高容量層１２２を有する電源層１５２とグランド層１４１との電源層対のうちのグランド層１４１が、間に高容量層１２１を有するさらに他の電源層対に兼用されている。このため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素であるという効果がある。
【００８０】
次に、本実施例の多層配線基板の製造方法について図９（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【００８１】
（工程１）
各層の絶縁性部材の両面または片面に銅箔をつけた樹脂付き銅箔を準備する。即ち、図９（ａ）に示されるように、第１の部材としてのコア材（両面銅箔付き樹脂部材）Ａ２０３と、第２の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ２０２と、第３の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ２０４と、第４の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ２０１と、第５の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ２０５とをそれぞれ準備する。
【００８２】
銅箔付き樹脂部材Ａ２０１は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ２００μｍの部材Ａ１１１の片側に銅箔Ａ１３１をつけたものである。銅箔付き樹脂部材Ａ２０２は、エポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーを充填してガラスクロスに含浸乾燥した比誘電率１６、厚さ５０μｍの部材Ａ１２１の片側に銅箔Ａ１５１をつけたものである。コア材Ａ２０３は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ５０μｍの部材Ａ１２２の両面に銅箔Ａ１４１およびＡ１５２のついたものである。銅箔付き樹脂部材Ａ２０４は、エポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーをさらに多く充填してガラスクロスに含浸乾燥した比誘電率４０、厚さ３０μｍの部材Ａ１２３の片側に銅箔Ａ１４２をつけたものである。銅箔付き樹脂部材Ａ２０５は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ２００μｍの部材Ａ１１２の片側に銅箔Ａ１３２をつけたものである。
【００８３】
銅箔は全て、エッチングにより回路形成されている。
【００８４】
（工程２）
図９（ｂ）に示されるように、工程１で準備されたコア材Ａ２０３と銅箔付き樹脂部材Ａ２０２、Ａ２０４をプレス成形により積層する。
【００８５】
（工程３）
図９（ｃ）に示されるように、２つの銅箔付き樹脂部材Ａ２０１、Ａ２０５を用いて、工程２で積層された材料をさらにビルドアップにより上下から積層する。
【００８６】
工程１〜３で銅箔６枚が積層され、６層基板ができる。銅箔Ａ１４１およびＡ１４２は、図８におけるグランド層１４１および１４２に相当する。銅箔Ａ１５１およびＡ１５２は、電源層１５１および１５２に相当する。銅箔Ａ１３１およびＡ１３２は、図８の信号層１３１および１３２に相当する。
【００８７】
（工程４）
図９（ｄ）に示されるように、積層後にはグランドビア１７、電源ビア１８等が形成され、信号層１３１および１３２となる銅箔Ａ１３１およびＡ１３２と、グランド層１４１および１４２となる銅箔Ａ１４１およびＡ１４２または電源層１５１および１５２となる銅箔Ａ１５１およびＡ１５２とが接続される。その後、ＬＳＩチップなどの電子部品６０が信号層１３２となる銅箔Ａ１３２に実装されボンディングワイヤで接続される。
【００８８】
以上説明したように、本発明の多層配線基板は、高容量層となる絶縁性部材の両面または片面に銅箔をつけた樹脂付き銅箔（もしくは銅箔付き樹脂部材）を準備し、銅箔に回路形成し、プレス成形し、さらに低容量層となる樹脂付き銅箔をビルドアップしてグランドビア、電源ビア等を形成することにより、１層ずつ順に形成していくよりも効率的に容易に製造できる。
【００８９】
［第３の実施例］
図１０は、本発明の第３の実施例による多層配線基板の断面図である。
【００９０】
本発明の第３の実施例は、図４に示された第１の実施例の電源層とグランド層を入れ替えた様な構造を有している。このため、第１の実施例と同一或いは同等構成要素には、図１０において同符号を付すと共に、詳細な説明を省略する。
【００９１】
図１０を参照すると、本発明の第３の実施例による多層配線基板３０においては、２つの信号層１３１および１３２間に、下から低容量層１１１、第１の電源層１５、高容量層１２１、グランド層１４、高容量層１２２、第２の電源層１６、低容量層１１２の順に積層されている。
【００９２】
低容量層１１１および１１２は、多層配線基板３０の裏面側と、ＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２が実装される多層配線基板３０の表面側とに配置されている。
【００９３】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、第１および第１電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４との間には、グランドビア１７が形成されている。第１電源配線と第１の電源層１５との間には、第１の電源ビア１８１が形成されている。第２電源配線と第２の電源層１６との間には、第２の電源ビア１８２が形成されている。
【００９４】
電源の種類が豊富なＬＳＩパッケージにおいて、異種電源間に異なる高容量層を入れて、各電源毎に異なる周波数帯域のノイズ削減効果を得ることができる。例えば、第１の電源層１５を通る電源Ｖ１で動作するＬＳＩチップ６１の回路の動作周波数が１ＧＨｚである一方、第２の電源層１６を通る電源Ｖ２で動作するＬＳＩチップ６２の回路の動作周波数が１００ＭＨｚである場合、ノイズの周波数帯域も異なる。そこで、異なる容量の絶縁層（高容量層１２１と１２２）を設けることで、それぞれの周波数帯域に対応可能である。
【００９５】
尚、本実施例においても、高容量層１２２と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを薄くすることにより、高容量層１２２よりも電気容量の大きい高容量層１２１を形成してもよい。逆に、高容量層１２１と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを厚くすることにより、高容量層１２１よりも電気容量の小さい高容量層１２２を形成してもよい。このような構成により、異なる容量が同じ絶縁材料で構成されるため、各層の熱膨張係数等も同じで、信頼性の点で優位性がある。
【００９６】
また、本実施例も、間に高容量層１２１を有する第１の電源層１５とグランド層１４との電源層対の一方であるグランド層１４が、間に高容量層１２２を有する他の電源層対に兼用される構成であるため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素であるという効果がある。
【００９７】
［第４の実施例］
図１１は、本発明の第４の実施例による多層配線基板の断面図である。
【００９８】
本発明の第３の実施例は、図８に示された第２の実施例の電源層とグランド層を入れ替えた様な構造を有している。このため、第２の実施例と同一或いは同等構成要素には、図１１において同符号を付すと共に、詳細な説明を省略する。
【００９９】
図１１を参照すると、多層配線基板４０は、回路基板に用いられる絶縁材料で比較的誘電率が低いものを導電層で挟んだ低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い３つの高容量層１２１、１２２、および１２３とを備えている。高容量層１２１、１２２、および１２３は、互いに容量が異なり、また隣接して配置される。
【０１００】
低容量層１１１および１１２は、多層配線基板４０の裏面側と、多層配線基板４０のＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２が実装される表面側とに配置されている。
【０１０１】
高容量層１２３と低容量層１１２との間の導電層、および高容量層１２１と１２２との間の導電層が第１の電源層１５である。また高容量層１２２と１２３との間の導電層、および高容量層１２１と低容量層１１１との間の導電層がグランド層１４２、１４１である。
【０１０２】
多層配線基板４０の表面側および裏面側の低容量層２２上に配置された導電層が信号層１３１および１３２である。信号層１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２と接続される。
【０１０３】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、第１および第１電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４２、１４１との間には、グランドビア３０が形成されている。第１電源配線と第１の電源層１５との間には、第１の電源ビア１８１が形成されている。第２電源配線と第２の電源層１６との間には、第２の電源ビア１８２が形成されている。
【０１０４】
本実施例には第３の実施例の構成が２つ組み込まれているとも言える。グランド層１４２を電気容量が互いに異なる高容量層１２２および１２３で挟み込み、それをさらに第１の電源層１５と第２の電源層１６とで挟んだ第１構成と、第１の電源層１５を電気容量が互いに異なる高容量層１２１および１２２で挟み込み、それをさらにグランド層１４２、１４１で挟んだ第２構成との２つの部分が第３の実施例の構成に相当する。
【０１０５】
本実施例ではこのように、高容量層１２１、１２２、および１２３のうちの少なくとも二者の電気容量が互いに異なるため、複数の周波数帯域においてノイズ削減効果が得られる。
【０１０６】
尚、本実施例についても、高容量層１２２および１２３の代わりに高容量層１２１と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを厚くすることにより、高容量層１２１よりも電気容量の小さい高容量層を形成してもよい。また、高容量層１２２、１２３の代わりに高容量層１２１と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを薄くしたもの、厚くしたものを用いてもよい。このような構成により、高容量が同じ絶縁材料で構成されるため、各層の熱膨張係数等も同じで、信頼性の点で優位性がある。
【０１０７】
さらに、本実施例においては、間に高容量層１２３を有する第２の電源層１６とグランド層１４２との電源層対のうちのグランド層１４２が、間に高容量層１２２を有する他の電源層対に兼用されている。さらに、間に高容量層１２２を有するグランド層１４２と第１の電源層１５との電源層対のうちの第１の電源層１５が、間に高容量層１２１を有するさらに他の電源層対に兼用されている。このため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素であるという効果がある。
【０１０８】
［第５〜第９の実施例］
図１２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第５〜第９の実施例による多層配線基板の断面図である。
【０１０９】
これらの実施例において、図１〜図１１に示された第１〜第４の実施例と同一部または同様部については、詳細な説明を省略する。
【０１１０】
図１２（ａ）を参照すると、本発明の第５の実施例による多層配線基板５０ａは、低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い４つの高容量層１２１〜１２４と、電源層１５１〜１５３と、グランド層１４１および１４２とを備えている。つまり、下から、信号層１３１、低容量層１１１、電源層１５１、高容量層１２１、グランド層１４１、高容量層１２２、電源層１５２、高容量層１２３、グランド層１４２、高容量層１２４、電源層１５３、低容量層１１２、および信号層１３２が順に積層されている。
【０１１１】
高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者間は、互いに容量が異なっている。
【０１１２】
多層配線基板５０ａの表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上には、信号層１３１および１３２が配されている。信号層１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６０と接続される。
【０１１３】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１および１４２との間には、グランドビア１７が形成されている。電源配線と電源層１５１〜１５３との間には電源ビア１８が形成されている。
【０１１４】
図１２（ｂ）を参照すると、本発明の第６の実施例による多層配線基板５０ｂは、低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い４つの高容量層１２１〜１２４と、第１の電源層１５と、２つの第２の電源層１６１および１６２と、グランド層１４１および１４２とを備えている。つまり、下から、信号層１３１、低容量層１１１、第１の電源層１５、高容量層１２１、グランド層１４１、高容量層１２２、第２の電源層１６１、高容量層１２３、グランド層１４２、高容量層１２４、第２の電源層１６２、低容量層１１２、および信号層１３２が順に積層されている。
【０１１５】
高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者間は、互いに容量が異なっている。
【０１１６】
多層配線基板５０ｂの表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上には、信号層１３１および１３２が配されている。信号層１３１および１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２と接続される。
【０１１７】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１および１４２との間には、グランドビア１７が形成されている。第１電源配線と第１の電源層１５との間には、第１の電源ビア１８１が形成されている。第２電源配線と第２の電源層１６１および１６２との間には、第２の第２の電源ビア１８２が形成されている。
【０１１８】
図１２（ｃ）を参照すると、本発明の第７の実施例による多層配線基板５０ｃは、低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い４つの高容量層１２１〜１２４と、２つの第１の電源層１５１および１５２と、第２の電源層１６と、グランド層１４１および１４２とを備えている。つまり、下から、信号層１３１、低容量層１１１、第１の電源層１５１、高容量層１２１、グランド層１４１、高容量層１２２、第１の電源層１５２、高容量層１２３、グランド層１４２、高容量層１２４、第２の電源層１６、低容量層１１２、および信号層１３２が順に積層されている。
【０１１９】
高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者間は、互いに容量が異なっている。
【０１２０】
多層配線基板５０ｃの表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上には、信号層１３１および１３２が配されている。信号層１３１および１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２と接続される。
【０１２１】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１および１４２との間には、グランドビア１７が形成されている。第１電源配線と第１の電源層１５１および１５２との間には、第１の電源ビア１８１が形成されている。第２電源配線と第２の電源層１６との間には、第２の電源ビア１８２が形成されている。
【０１２２】
図１２（ｄ）を参照すると、本発明の第８の実施例による多層配線基板５０ｄは、低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い４つの高容量層１２１〜１２４と、電源層１５１および１５２と、グランド層１４１〜１４３とを備えている。つまり、下から、信号層１３１、低容量層１１１、グランド層１４１、高容量層１２１、電源層１５１、高容量層１２２、グランド層１４２、高容量層１２３、電源層１５２、高容量層１２４、グランド層１４３、低容量層１１２、および信号層１３２が順に積層されている。
【０１２３】
高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者間は、互いに容量が異なっている。
【０１２４】
多層配線基板５０ｄの表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上には、信号層１３１および１３２が配されている。信号層１３１および１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６０と接続される。
【０１２５】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１〜１４３との間には、グランドビア１７が形成されている。電源配線と電源層１５１および１５２との間には、電源ビア１８が形成されている。
【０１２６】
図１２（ｅ）を参照すると、本発明の第９の実施例による多層配線基板５０ｅは、低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い４つの高容量層１２１〜１２４と、第１の電源層１５と、第２の電源層１６と、グランド層１４１〜１４３とを備えている。つまり、下から、信号層１３１、低容量層１１１、グランド層１４１、高容量層１２１、第１の電源層１５、高容量層１２２、グランド層１４２、高容量層１２３、第２の電源層１６、高容量層１２４、グランド層１４３、低容量層１１２、および信号層１３２が順に積層されている。
【０１２７】
高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者間は、互いに容量が異なっている。
【０１２８】
多層配線基板５０ｅの表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上には、信号層１３１および１３２が配されている。信号層１３１および１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２と接続される。
【０１２９】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１〜１４３との間には、グランドビア１７が形成されている。第１電源配線と第１の電源層１５との間には、第１の電源ビア１８１が形成されている。第２電源配線と第２の電源層１６との間には、第２の電源ビア１８２が形成されている。
【０１３０】
第５〜第９の実施例ではこのように、高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者の電気容量が互いに異なるため、複数の周波数帯域においてノイズ削減効果が得られる。
【０１３１】
尚、第５〜第９の実施例についても、各容量層の形成厚さに応じて所望の容量を得てもよい。この場合、高容量が同じ絶縁材料で構成されるため、各層の熱膨張係数等も同じで、信頼性の点で優位性がある。
【０１３２】
さらに、第５〜第９の実施例においても、重なり合う電源層対間で電源層またはグランド層を兼用しているため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素であるという効果がある。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
以上説明した実施例に限定されることなく、本発明は、当該特許請求の範囲に記載された技術範囲内であれば、種々の変形が可能であることは云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】従来の多層配線基板の斜視図である。
【図２】図１中のライン２−２に沿った多層配線基板の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例による多層配線基板の斜視図である。
【図４】図３中のライン４−４に沿った多層配線基板の断面図である。
【図５】図３および図４の多層配線基板を用いて、周波数に対するインピーダンスの変化をシュミレーションした例を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施例の変形例による多層配線基板の断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例およびその変形例の多層配線基板の製造方法を示した断面図である。
【図８】本発明の第２の実施例による多層配線基板の断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施例の多層配線基板の製造方法を示した断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施例による多層配線基板の断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施例による多層配線基板の断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第５〜９の実施例の変形例による多層配線基板の断面図である。
【符号の説明】
【０１３５】
１０、１０’、２０、３０、４０、５０ａ〜５０ｅ 多層配線基板
１１１、１１２ 低容量層
１２１、１２１’、１２２、１２３、１２４ 高容量層
１３１、１３２ 信号層
１４１、１４２ グランド層
１５、１５２、１６ 電源層
１７ グランドビア
１８ 電源ビア
６０、６１、６２ 電子部品
９０ デカップリングコンデンサ
Ａ１０１〜Ａ１０４、Ａ２０１〜Ａ２０５ 銅箔付き樹脂部材
Ａ１１１、Ａ１１２、Ａ１２１、Ａ１２２、Ａ１２３ 部材
Ａ１３１、Ａ１３２、Ａ１４１、Ａ１４２、Ａ１５、Ａ１５１、Ａ１５２ 銅箔
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板に関し、特に、多層配線基板のノイズ対策のために、電源層とグランド層の間にコンデンサ機能を具備した多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機やノート型パーソナルコンピュータ等の携帯型電子機器の小型軽量化と高機能化が求められている。それに伴い、半導体用基板やＬＳＩパッケージ等に使用される回路基板については、高密度配線、小型軽量化と併せて、伝送速度の高速化が求められている。
【０００３】
しかし、信号速度が高くなるにつれて低速では問題にならなかったノイズが情報の伝達を妨げるという問題が生ずる。伝送速度の高速化のためには、ノイズを低減させるような回路基板の設計が必要である。
【０００４】
従来、多層配線基板上にデカップリングコンデンサを実装して電気的ノイズを削減する方法が一般的にとられてきた。
【０００５】
図１に従来の多層配線基板の斜視図を示す。
【０００６】
図１の多層配線基板８０は、回路基板に用いられる絶縁材料から成る電気容量が低い低容量層８１１および８１２と、電気容量値が低容量層８１１および８１２よりも高い高容量層８２とを備えている。低容量層８１１および８１２はそれぞれ、多層配線基板８０の裏面側と、多層配線基板８０のＬＳＩチップなどの電子部品６０が実装される表面側とに配置されている。多層配線基板８０上には、ＬＳＩチップの電源ノイズを低減する目的でデカップリングコンデンサ９０が実装されている。
【０００７】
図２は、図１の多層配線基板におけるライン２−２に沿った断面図である。
【０００８】
多層配線基板８０の表面側および裏面側の低容量層８１１および８１２上に配置された導電層が信号層８３１および８３２である。信号層８３１および８３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６０と接続される。２つの信号層の間には下から低容量層８１１、電源層８５、高容量層８２、グランド層８４、低容量層８１２の順に積層されている。ＬＳＩチップなどの電子部品６０は、グランド層ビア８７、電源ビア８８を介して、グランド層８４、電源層８５のそれぞれに接続される。
【０００９】
しかし、信号伝送周波数の高周波数化が近年ますます進んでおり、それに伴い基板に実装されるコンデンサの数も増大してきている。コンデンサの多用は、部品間の最短配線を不可能なものとし、同期をとることを難しくするなど、配線設計を困難なものとしており、また、回路基板の小型化を妨げ、コスト増加を引き起こしている。
【００１０】
このため、近年では、ＬＳＩパッケージ等の多層配線基板中に高誘電率材料から成る層を設け、コンデンサとして機能する構成をＬＳＩパッケージ等に内蔵させることにより、電気的ノイズを削減させる方法が提案されている。このような手法は、例えば、特許文献１、特許文献２に開示されている。この方法では、ＬＳＩ直下にコンデンサを配置できるため、基板上に実装されたデカップリングコンデンサに比べてＬＳＩとコンデンサとの間を非常に短い線路で接続でき、回路の寄生インダクタンス成分を低減させ得るため、ＬＳＩ電源のノイズを低減することができる。
【００１１】
【特許文献１】実開平７−１０９７９号公報
【特許文献２】特開２００２−２１７５４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、特許文献１に開示された多層配線基板では、多層配線基板内に内蔵された高誘電率材料で除去しきれない周波数帯域のノイズに対しては、結局、基板上やＬＳＩパッケージ上へデカップリングコンデンサを追加する必要があるという問題があった。
【００１３】
また、特許文献２に開示された多層配線基板では、電源層とグランド層とから成る一電源層対毎に容量層を有しているがために全体の層数が多く、複雑な構成であり、回路基板の小型化を十分に達成することはできない。
【００１４】
それ故、本発明の課題は、簡素な構成で多層配線基板における広い周波数帯域に亘るノイズを低減できる多層配線基板を提供することである。
【００１５】
本発明の他の課題は、上記のような多層配線基板を容易に製造できる多層配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明によれば、第１〜第３の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に形成された第１の絶縁層と、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間に形成された第２の絶縁層とを有し、前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なることを特徴とする多層配線基板が得られる。
【００１７】
本発明によればまた、第１〜第４の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に形成された第１の絶縁層と、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間に形成された第２の絶縁層と、前記第３の導電層と前記第４の導電層との間に形成された第３の絶縁層とを有し、前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なることを特徴とする多層配線基板が得られる。
【００１８】
本発明によればさらに、第１および第２の絶縁層で挟まれ、さらに２つの外側導電層で挟まれた内側導電層を有し、前記内側導電層は、電源層およびグランド層のうちの一方であり、前記外側導電層は、電源層およびグランド層のうちの他方であり、前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なることを特徴とする多層配線基板が得られる。
【００１９】
また、本発明によれば、第１および第２の絶縁層で挟まれ、さらに２つの外側導電層で挟まれた内側導電層と、前記外側導電層の一方の上に第３の絶縁層を介して形成された付加的外側導電層とを有し、前記内側導電層は、電源層およびグランド層のうちの一方であり、前記外側導電層は、電源層およびグランド層のうちの他方であり、前記付加的外側導電層は、電源層またはグランド層であり、前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なることを特徴とする多層配線基板が得られる。
【００２０】
さらに、本発明によれば、多層配線基板の製造方法であって、第１の容量層の両面に導電層を形成して第１の部材を生成する工程と、第２の容量層の片面に導電層を形成して第２の部材を生成する工程とを有し、前記第１および前記第２の容量層は、それらの電気容量が互いに異なり、さらに、前記第１の部材の一方の面上に前記第２の部材の導電層の無い面が突き合わさるようにプレス成形によって積層する工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法が得られる。
【００２１】
また、本発明によれば、多層配線基板の製造方法であって、第１の容量層の両面に導電層を形成して第１の部材を生成する工程と、第２の容量層の片面に導電層を形成して第２の部材を生成する工程と、第３の容量層の片面に導電層を形成して第３の部材を生成する工程とを有し、前記第１、前記第２、および前記第３の容量層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なり、さらに、前記第１の部材の一方の面上に前記第２の部材の導電層の無い面が突き合わさると共に、該第１の部材の他方の面上に前記第３の部材の導電層の無い面が突き合わさるように、プレス成形によって積層する工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法が得られる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明による多層配線基板は、広い周波数帯域に亘るノイズを低減でき、かつデカップリングコンデンサの個数を減らすか、無くすことができる。
【００２３】
本発明による多層配線基板はさらに、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素である。
【００２４】
また、本発明による多層配線基板の製造方法は、上記のような多層配線基板を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明による多層配線基板は、第１〜第３の導電層と、第１の導電層と第２の導電層との間に形成された第１の絶縁層と、第２の導電層と第３の導電層との間に形成された第２の絶縁層とを有し、第１および第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なっている。
【００２６】
また、本発明による多層配線基板は、第１および第２の絶縁層で挟まれ、さらに２つの外側導電層で挟まれた内側導電層を有し、内側導電層は、電源層およびグランド層のうちの一方であり、外側導電層は、電源層およびグランド層のうちの他方であり、第１および第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なっている。
【００２７】
即ち、本発明による多層配線基板は、２つ以上のコンデンサ機能を奏する構成を、多層基板内に内蔵している。このため、広い周波数帯域に亘るノイズを低減でき、かつデカップリングコンデンサの個数を減らすか、無くすことができる。
【００２８】
さらに、本発明は、間に容量を持つ絶縁層を有する電源層とグランド層との電源層対の少なくとも一方が、他の電源層対に兼用される構成である。このため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素である。
【００２９】
また、本発明による多層配線基板の製造方法は、第１の容量層の両面に導電層を形成して第１の部材を生成する工程と、第２の容量層の片面に導電層を形成して第２の部材を生成する工程と、第１の部材の一方の面上に第２の部材の導電層の無い面が突き合わさるようにプレス成形によって積層する工程とを有している。尚、第１および第２の容量層は、それらの電気容量が互いに異なっている。このため、上記のような多層配線基板を容易に製造できる。
【実施例】
【００３０】
以下、図面を参照して、本発明の実施例による多層配線基板およびその製造方法について詳細に説明する。
【００３１】
［第１の実施例］
図３は、本発明の第１の実施例による多層配線基板の斜視図である。
【００３２】
多層配線基板１０は、回路基板に用いられる絶縁材料であってこれを挟む導電層間の電気容量値が低い低容量層１１１および１１２と、導電層間の電気容量値が低容量層１１１および１１２よりも高い２つの高容量層１２１および１２２とを備えている。
【００３３】
低容量層１１１および１１２は、多層配線基板１０の裏面側と、多層配線基板１０のＬＳＩチップなどの電子部品６０が実装される表面側とに配置されている。
【００３４】
また、高容量層１２１および１２２は、互いに容量が異なり、また隣接して配置される。
【００３５】
図４は、図３の多層配線基板のライン４−４に沿った断面図である。
【００３６】
多層配線基板１０の裏面側および表面側の低容量層１１１および１１２上に配置された導電層が信号層１３１および１３２である。信号層１３１および１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６０と接続される。２つの信号層１３１および１３２の間には下から順に、低容量層１１１、グランド層１４１および１４２、高容量層１２１、電源層１５、高容量層１２２、グランド層１４２、低容量層１１２の順に積層されている。
【００３７】
尚、信号層１３１および１３２、グランド層１４１および１４２、電源層１５は、銅箔としてよいが、これに限らず、多層配線基板の導電層に一般に用いられる材料を使用してもよい。
【００３８】
このように、本発明の多層配線基板１０は、電源層１５を電気容量が互いに異なる高容量層１２１および１２２で挟み込み、それをさらにグランド層１４１および１４２で挟み、低容量層１１１および１１２を介してそれをさらに信号層１３１および１３２で挟むように積層され形成されたものである。
【００３９】
尚、信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１および１４２との間には、グランドビア１７が形成されている。信号層１３１および１３２の電源配線と電源層１５との間には、電源ビア１８が形成されている。また図示していないが表面側の信号層１３１および１３２の信号配線と、裏面側の信号層１３１および１３２の信号配線との間にビアが形成されてもよい。尚、図４に示すように２つの信号層１３１および１３２の平面視で同じ位置にグランド配線および電源配線が存在するようにし、グランドビア１７、電源ビア１８が多層配線基板１０を貫いて形成されて２つの信号層１３１および１３２上のグランド配線および電源配線に接続されるようにしてもよい。
【００４０】
グランド層１４１および１４２および電源層１５は、基本的にグランドビア１７、電源ビア１８等との干渉を避けた最大限の範囲に形成されている。
【００４１】
低容量層１１１および１１２の絶縁材料の誘電率は、例えば比誘電率が２〜５程度である。低容量層１１１および１１２の絶縁材料は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥したものを用いているが、これに限られるものではない。例えば比誘電率４．２の材料を用い、厚さを２００μｍとすると、単位面積あたりの電気容量は、０．２ｐＦ／ｍｍ２程度である。
【００４２】
高容量層１２２の電気容量は、高周波のノイズを吸収する小容量のデカップリングコンデンサを代用できるような容量に設定する。コンデンサの電気容量Ｃは、下記（１）式で定義されるように、電極面積Ａと誘電体の比誘電率εｒに比例し、電極間距離ｄに反比例する。
【００４３】
Ｃ＝ε０・εｒ・Ａ／ｄ ・・・（１）
（ε０：真空の誘電率）
【００４４】
そこで例えば、低容量層１１１および１１２の絶縁材料と同じ比誘電率４．２の材料を用いて厚さを５０μｍとすることにより、電気容量を０．７８ｐＦ／ｍｍ２とする。
【００４５】
高容量層１２１の電気容量は、電源リップル電圧などを吸収する大容量のデカップリングコンデンサを代用できるような容量に設定し、望ましくは２ｐＦ／ｍｍ２以上に設定する。本実施例では、高容量層１２１の絶縁材料として、高容量層１２２よりも高誘電率化したものを用いる。例えば高容量層１２２のエポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーを充填したものを用い、比誘電率を１６とし、厚さを５０μｍとすることにより、高容量層１２１の電気容量は２．８ｐＦ／ｍｍ２とする。
【００４６】
本実施例ではこのように、高容量層１２１および１２２に使用される誘電材料の電気容量が互いに異なる。この効果について図５を参照して説明する。
【００４７】
図５は、図３および図４の多層配線基板を用いて、周波数に対するインピーダンスの変化をシミュレーションした例を示す図である。信号層１５、高容量層１２２、およびグランド層１４２による第１キャパシタは、４００ＭＨｚ付近でインピーダンスが最も低くなる。一方、信号層１５、高容量層１２１、およびグランド層１４１による第２キャパシタは、１ＭＨｚでインピーダンスが最も低くなった。そして、この両者をもつ本実施例による多層配線基板は、１ＭＨｚ付近と４００ＭＨｚ付近での２箇所の周波数で低いインピーダンスを示した。このように、異なる誘電率の第キャパシタを共存させると、各々の周波数帯域においてノイズ削減効果が得られることが示された。
【００４８】
また、本実施例は、間に高容量層１２２を有する電源層１５とグランド層１４１のうちの電源層１５が、間に高容量層１２１を有する他の電源層対に兼用される構成であるため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素であるという効果がある。
【００４９】
次に、本実施例の変形例について説明する。図６は、本発明の第１の実施例の変形例の多層配線基板の断面図である。図３および図４と同一符号は同一或いは同等構成要素を示す。
【００５０】
本変形例では、高容量層１２２と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを薄くすることにより、高容量層１２２よりも電気容量の大きい高容量層１２１’を形成している点で図３および図４の例と異なる。
【００５１】
高容量層１２１’は、低容量層１１１および１１２および高容量層１２２の絶縁材料と同じ比誘電率４．２の材料を用い、例えば、厚さを２５μｍとし、電気容量を１．５６ｐＦ／ｍｍ２としている。このような構成により、層によって誘電率が異なる絶縁材料を使用せず、各層が同じ絶縁材料で構成されるため、低容量層１１１および１１２ならびに２つの高容量層１２１’および１２２の熱膨張係数等が同じになり、信頼性の点で優位性がある。
【００５２】
次に、本実施例の多層配線基板の製造方法について図７（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【００５３】
（工程１）
各層の絶縁性部材の両面または片面に銅箔をつけた樹脂付き銅箔を準備する。
【００５４】
即ち、図３および図４に示された実施例による基板を製造するべく、図７（ａ）に示されるように、第１の部材としてのコア材（両面銅箔付き樹脂部材）Ａ１０３と、第２の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ１０２と、第３の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ１０１と、第４の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ１０４とをそれぞれ準備する。
【００５５】
銅箔付き樹脂部材Ａ１０１は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ２００μｍの材料の片側に銅箔Ａ１３１をつけたものである。銅箔付き樹脂部材Ａ１０２は、エポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーを充填してガラスクロスに含浸乾燥した比誘電率１６、厚さ５０μｍの部材Ａ１２１の片側に銅箔Ａ１４１をつけたものである。コア材Ａ１０３は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ５０μｍの部材Ａ１２２の両面に銅箔Ａ１５およびＡ１４２をつけたものである。銅箔付き樹脂部材Ａ１０４は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ２００μｍの部材Ａ１１２の片側に銅箔Ａ１３２をつけたものである。
【００５６】
尚、図６に示された変形例による基板を製造する場合には、銅箔付き樹脂部材Ａ１０２に代えて、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ２５μｍの部材の片側に銅箔をつけた樹脂付き銅箔を準備する。
【００５７】
銅箔Ａ１５、Ａ１４１およびＡ１４２、ならびにＡ１３１およびＡ１３２は全て、エッチングにより回路形成されている。
【００５８】
（工程２）
図７（ｂ）に示されるように、工程１で準備されたコア材Ａ１０３と銅箔付き樹脂部材Ａ１０２をプレス成形により積層する。
【００５９】
（工程３）
図７（ｃ）に示されるように、２つの銅箔付き樹脂部材Ａ１０１およびＡ１０４を用いて、工程２で積層された材料をさらにビルドアップにより下および上から積層する。
【００６０】
工程１〜３で銅箔５枚が積層され、５層基板ができる。銅箔Ａ１５は図４における電源層１５に相当し、銅箔Ａ１４１およびＡ１４２は、図４におけるグランド層１４１および１４２に相当する。銅箔Ａ１３１およびＡ１３２は、図４における信号層１３１および１３２に相当する。
【００６１】
（工程４）
図７（ｄ）に示されるように、積層後にはグランドビア１７、電源ビア１８等が形成され、信号層１３１および１３２となる銅箔Ａ１３１およびＡ１３２と、グランド層１４１および１４２となる銅箔Ａ１４１およびＡ１４２または電源層となる銅箔Ａ１５とが接続される。その後、ＬＳＩチップなどの電子部品６０が銅箔Ａ１３２上に実装されボンディングワイヤで接続される。
【００６２】
以上説明したように、本発明の多層配線基板は、高容量層となる絶縁性部材の両面または片面に銅箔をつけた樹脂付き銅箔を準備し、銅箔に回路形成し、プレス成形し、さらに低容量層となる樹脂付き銅箔をビルドアップしてグランドビア、電源ビア等を形成することにより、１層ずつ順に形成していくよりも効率的に容易に製造できる。
【００６３】
［第２の実施例］
次に、３種類の異なる高容量層が組み込まれた多層配線基板の第２の実施例について図８を用いて説明する。
【００６４】
図８は本発明の第２の実施例による多層配線基板の断面図である。
【００６５】
多層配線基板２０は、回路基板に用いられる絶縁材料で比較的誘電率が低いものを導電層で挟んだ低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い３つの高容量層１２１、１２２、および１２３とを備えている。
【００６６】
低容量層１１１および１１２は、多層配線基板２０のＬＳＩチップなどの電子部品６０が実装される表面側と、多層配線基板２０の裏面側に配置されている。
【００６７】
また高容量層１２１、１２２、および１２３は、互いに容量が異なり、また隣接して配置される。
【００６８】
多層配線基板２０の表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上に配置された導電層が信号層１３１および１３２である。信号層１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６０と接続される。
【００６９】
高容量層１２３と低容量層１１２との間の導電層、および高容量層１２１と１２２との間の導電層がグランド層１４２、１４１である。また高容量層１２２と１２３との間の導電層、および高容量層１２１と低容量層１１１との間の導電層が電源層１５２、１５１である。尚、信号層１３１および１３２、グランド層１４１および１４２、電源層１５１および１５２は、銅箔としてよいが、第１の実施例の信号層、グランド層、電源層と同様に、これに限らず、多層配線基板の導電層に一般に用いられる材料を使用してもよい。
【００７０】
このように、本実施例には、第１の実施例の構成が２つ組み込まれており、電源層１５２を電気容量が互いに異なる高容量層１２２および１２３で挟み込み、それをさらにグランド層１４１および１４２で挟んだ第１構成と、グランド層１４１を電気容量が互いに異なる高容量層１２１および１２２で挟み込み、それをさらに電源層１５１および１５２で挟んだ第２構成との２つの部分が、第１の実施例の構成に相当する。
【００７１】
尚、信号層１３１および１３２のグランド配線と２つのグランド層１４１および１４２との間には、グランドビア１７が形成されている。信号層１３１および１３２の電源配線と電源層１５１および１５２との間には、電源ビア１８が形成されている。また表面側の信号層１３２の配線と、裏面側の信号層１３１の配線との間にビアが形成されてもよい。尚、本実施例においても図８に示すように２つの信号層１３１および１３２の同じ位置にグランド配線および電源配線が存在するようにし、グランドビア１７、電源ビア１８が多層配線基板２０を貫いて形成されてグランド配線および電源配線に接続されるようにしてもよい。
【００７２】
また、本実施例でも、グランド層１４１および１４２および電源層１５１および１５２は、基本的にグランドビア１７、電源ビア１８等との干渉を避けた最大限の範囲に形成されている。
【００７３】
低容量層１１１および１１２の絶縁材料の誘電率は、第１の実施例と同様に例えば比誘電率が２〜５程度である。低容量層１１１および１１２の絶縁材料は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥したものを用いてられるが、これに限られるものではない。例えば、比誘電率４．２の材料を用い、厚さを２００μｍとすると、単位面積あたりの電気容量は、０．２ｐＦ／ｍｍ２程度である。
【００７４】
高容量層１２３の電気容量は、高周波のノイズを吸収する小容量のデカップリングコンデンサを代用できるような容量に設定する。例えば、第１の実施例の高容量層１２２と同様に、低容量層１１１および１１２の絶縁材料と同じ比誘電率４．２の材料を用い、厚さを５０μｍとし、電気容量を０．７８ｐＦ／ｍｍ２とする。
【００７５】
高容量層１２２の電気容量は、電源リップル電圧などを吸収する大容量のデカップリングコンデンサを代用できるような容量に設定し、望ましくは２〜５ｐＦ／ｍｍ２に設定する。本実施例では、高容量層１２１の絶縁材料として、高容量層１２２よりも高誘電率化したものを用いる。例えば第１の実施例の高容量層１２１と同様に、高容量層１２２のエポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーを充填したものを用い、比誘電率を１６とし、厚さを５０μｍとすることにより、高容量層１２１の電気容量は２．８ｐＦ／ｍｍ２とする。
【００７６】
高容量層１２１の電気容量は、さらに大容量のデカップリングコンデンサを代用できるような容量に設定し、望ましくは５ｐＦ／ｍｍ２以上に設定する。本実施例では、高容量層１２１の絶縁材料として、高容量層１２２よりも高誘電率化したものを用いる。例えば高容量層１２３のエポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーをさらに多く充填したものを用い、比誘電率を４０とし、厚さを３０μｍとすることにより、高容量層１２１の電気容量は１１ｐＦ／ｍｍ２とする。
【００７７】
本実施例ではこのように、高容量層１２１、１２２、および１２３のうちの少なくとも二者の電気容量が互いに異なるため、複数の周波数帯域においてノイズ削減効果が得られることが示された。
【００７８】
尚、本実施例について、高容量層１２２、１２３の代わりに高容量層１２１と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを厚くすることにより、高容量層１２１よりも電気容量の小さい高容量層を形成してもよい。また高容量層１２２、１２３の代わりに高容量層１２１と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを薄くしたもの、厚くしたものを用いてもよい。このような構成により、高容量が同じ絶縁材料で構成されるため、各層の熱膨張係数等も同じで、信頼性の点で優位性がある。
【００７９】
本実施例においては、間に高容量層１２３を有するグランド層１４２と電源層１５２との電源層対のうちの電源層１５２が、間に高容量層１２２を有する他の電源層対に兼用されている。さらに、間に高容量層１２２を有する電源層１５２とグランド層１４１との電源層対のうちのグランド層１４１が、間に高容量層１２１を有するさらに他の電源層対に兼用されている。このため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素であるという効果がある。
【００８０】
次に、本実施例の多層配線基板の製造方法について図９（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【００８１】
（工程１）
各層の絶縁性部材の両面または片面に銅箔をつけた樹脂付き銅箔を準備する。即ち、図９（ａ）に示されるように、第１の部材としてのコア材（両面銅箔付き樹脂部材）Ａ２０３と、第２の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ２０２と、第３の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ２０４と、第４の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ２０１と、第５の部材としての銅箔付き樹脂部材Ａ２０５とをそれぞれ準備する。
【００８２】
銅箔付き樹脂部材Ａ２０１は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ２００μｍの部材Ａ１１１の片側に銅箔Ａ１３１をつけたものである。銅箔付き樹脂部材Ａ２０２は、エポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーを充填してガラスクロスに含浸乾燥した比誘電率１６、厚さ５０μｍの部材Ａ１２１の片側に銅箔Ａ１５１をつけたものである。コア材Ａ２０３は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ５０μｍの部材Ａ１２２の両面に銅箔Ａ１４１およびＡ１５２のついたものである。銅箔付き樹脂部材Ａ２０４は、エポキシ樹脂中にチタン酸バリウム系の高誘電率フィラーをさらに多く充填してガラスクロスに含浸乾燥した比誘電率４０、厚さ３０μｍの部材Ａ１２３の片側に銅箔Ａ１４２をつけたものである。銅箔付き樹脂部材Ａ２０５は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸乾燥した比誘電率４．２、厚さ２００μｍの部材Ａ１１２の片側に銅箔Ａ１３２をつけたものである。
【００８３】
銅箔は全て、エッチングにより回路形成されている。
【００８４】
（工程２）
図９（ｂ）に示されるように、工程１で準備されたコア材Ａ２０３と銅箔付き樹脂部材Ａ２０２、Ａ２０４をプレス成形により積層する。
【００８５】
（工程３）
図９（ｃ）に示されるように、２つの銅箔付き樹脂部材Ａ２０１、Ａ２０５を用いて、工程２で積層された材料をさらにビルドアップにより上下から積層する。
【００８６】
工程１〜３で銅箔６枚が積層され、６層基板ができる。銅箔Ａ１４１およびＡ１４２は、図８におけるグランド層１４１および１４２に相当する。銅箔Ａ１５１およびＡ１５２は、電源層１５１および１５２に相当する。銅箔Ａ１３１およびＡ１３２は、図８の信号層１３１および１３２に相当する。
【００８７】
（工程４）
図９（ｄ）に示されるように、積層後にはグランドビア１７、電源ビア１８等が形成され、信号層１３１および１３２となる銅箔Ａ１３１およびＡ１３２と、グランド層１４１および１４２となる銅箔Ａ１４１およびＡ１４２または電源層１５１および１５２となる銅箔Ａ１５１およびＡ１５２とが接続される。その後、ＬＳＩチップなどの電子部品６０が信号層１３２となる銅箔Ａ１３２に実装されボンディングワイヤで接続される。
【００８８】
以上説明したように、本発明の多層配線基板は、高容量層となる絶縁性部材の両面または片面に銅箔をつけた樹脂付き銅箔（もしくは銅箔付き樹脂部材）を準備し、銅箔に回路形成し、プレス成形し、さらに低容量層となる樹脂付き銅箔をビルドアップしてグランドビア、電源ビア等を形成することにより、１層ずつ順に形成していくよりも効率的に容易に製造できる。
【００８９】
［第３の実施例］
図１０は、本発明の第３の実施例による多層配線基板の断面図である。
【００９０】
本発明の第３の実施例は、図４に示された第１の実施例の電源層とグランド層を入れ替えた様な構造を有している。このため、第１の実施例と同一或いは同等構成要素には、図１０において同符号を付すと共に、詳細な説明を省略する。
【００９１】
図１０を参照すると、本発明の第３の実施例による多層配線基板３０においては、２つの信号層１３１および１３２間に、下から低容量層１１１、第１の電源層１５、高容量層１２１、グランド層１４、高容量層１２２、第２の電源層１６、低容量層１１２の順に積層されている。
【００９２】
低容量層１１１および１１２は、多層配線基板３０の裏面側と、ＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２が実装される多層配線基板３０の表面側とに配置されている。
【００９３】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、第１および第１電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４との間には、グランドビア１７が形成されている。第１電源配線と第１の電源層１５との間には、第１の電源ビア１８１が形成されている。第２電源配線と第２の電源層１６との間には、第２の電源ビア１８２が形成されている。
【００９４】
電源の種類が豊富なＬＳＩパッケージにおいて、異種電源間に異なる高容量層を入れて、各電源毎に異なる周波数帯域のノイズ削減効果を得ることができる。例えば、第１の電源層１５を通る電源Ｖ１で動作するＬＳＩチップ６１の回路の動作周波数が１ＧＨｚである一方、第２の電源層１６を通る電源Ｖ２で動作するＬＳＩチップ６２の回路の動作周波数が１００ＭＨｚである場合、ノイズの周波数帯域も異なる。そこで、異なる容量の絶縁層（高容量層１２１と１２２）を設けることで、それぞれの周波数帯域に対応可能である。
【００９５】
尚、本実施例においても、高容量層１２２と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを薄くすることにより、高容量層１２２よりも電気容量の大きい高容量層１２１を形成してもよい。逆に、高容量層１２１と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを厚くすることにより、高容量層１２１よりも電気容量の小さい高容量層１２２を形成してもよい。このような構成により、異なる容量が同じ絶縁材料で構成されるため、各層の熱膨張係数等も同じで、信頼性の点で優位性がある。
【００９６】
また、本実施例も、間に高容量層１２１を有する第１の電源層１５とグランド層１４との電源層対の一方であるグランド層１４が、間に高容量層１２２を有する他の電源層対に兼用される構成であるため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素であるという効果がある。
【００９７】
［第４の実施例］
図１１は、本発明の第４の実施例による多層配線基板の断面図である。
【００９８】
本発明の第３の実施例は、図８に示された第２の実施例の電源層とグランド層を入れ替えた様な構造を有している。このため、第２の実施例と同一或いは同等構成要素には、図１１において同符号を付すと共に、詳細な説明を省略する。
【００９９】
図１１を参照すると、多層配線基板４０は、回路基板に用いられる絶縁材料で比較的誘電率が低いものを導電層で挟んだ低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い３つの高容量層１２１、１２２、および１２３とを備えている。高容量層１２１、１２２、および１２３は、互いに容量が異なり、また隣接して配置される。
【０１００】
低容量層１１１および１１２は、多層配線基板４０の裏面側と、多層配線基板４０のＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２が実装される表面側とに配置されている。
【０１０１】
高容量層１２３と低容量層１１２との間の導電層、および高容量層１２１と１２２との間の導電層が第１の電源層１５である。また高容量層１２２と１２３との間の導電層、および高容量層１２１と低容量層１１１との間の導電層がグランド層１４２、１４１である。
【０１０２】
多層配線基板４０の表面側および裏面側の低容量層２２上に配置された導電層が信号層１３１および１３２である。信号層１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２と接続される。
【０１０３】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、第１および第１電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４２、１４１との間には、グランドビア３０が形成されている。第１電源配線と第１の電源層１５との間には、第１の電源ビア１８１が形成されている。第２電源配線と第２の電源層１６との間には、第２の電源ビア１８２が形成されている。
【０１０４】
本実施例には第３の実施例の構成が２つ組み込まれているとも言える。グランド層１４２を電気容量が互いに異なる高容量層１２２および１２３で挟み込み、それをさらに第１の電源層１５と第２の電源層１６とで挟んだ第１構成と、第１の電源層１５を電気容量が互いに異なる高容量層１２１および１２２で挟み込み、それをさらにグランド層１４２、１４１で挟んだ第２構成との２つの部分が第３の実施例の構成に相当する。
【０１０５】
本実施例ではこのように、高容量層１２１、１２２、および１２３のうちの少なくとも二者の電気容量が互いに異なるため、複数の周波数帯域においてノイズ削減効果が得られる。
【０１０６】
尚、本実施例についても、高容量層１２２および１２３の代わりに高容量層１２１と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを厚くすることにより、高容量層１２１よりも電気容量の小さい高容量層を形成してもよい。また、高容量層１２２、１２３の代わりに高容量層１２１と同じ誘電率の絶縁材料の厚さを薄くしたもの、厚くしたものを用いてもよい。このような構成により、高容量が同じ絶縁材料で構成されるため、各層の熱膨張係数等も同じで、信頼性の点で優位性がある。
【０１０７】
さらに、本実施例においては、間に高容量層１２３を有する第２の電源層１６とグランド層１４２との電源層対のうちのグランド層１４２が、間に高容量層１２２を有する他の電源層対に兼用されている。さらに、間に高容量層１２２を有するグランド層１４２と第１の電源層１５との電源層対のうちの第１の電源層１５が、間に高容量層１２１を有するさらに他の電源層対に兼用されている。このため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素であるという効果がある。
【０１０８】
［第５〜第９の実施例］
図１２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第５〜第９の実施例による多層配線基板の断面図である。
【０１０９】
これらの実施例において、図１〜図１１に示された第１〜第４の実施例と同一部または同様部については、詳細な説明を省略する。
【０１１０】
図１２（ａ）を参照すると、本発明の第５の実施例による多層配線基板５０ａは、低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い４つの高容量層１２１〜１２４と、電源層１５１〜１５３と、グランド層１４１および１４２とを備えている。つまり、下から、信号層１３１、低容量層１１１、電源層１５１、高容量層１２１、グランド層１４１、高容量層１２２、電源層１５２、高容量層１２３、グランド層１４２、高容量層１２４、電源層１５３、低容量層１１２、および信号層１３２が順に積層されている。
【０１１１】
高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者間は、互いに容量が異なっている。
【０１１２】
多層配線基板５０ａの表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上には、信号層１３１および１３２が配されている。信号層１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６０と接続される。
【０１１３】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１および１４２との間には、グランドビア１７が形成されている。電源配線と電源層１５１〜１５３との間には電源ビア１８が形成されている。
【０１１４】
図１２（ｂ）を参照すると、本発明の第６の実施例による多層配線基板５０ｂは、低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い４つの高容量層１２１〜１２４と、第１の電源層１５と、２つの第２の電源層１６１および１６２と、グランド層１４１および１４２とを備えている。つまり、下から、信号層１３１、低容量層１１１、第１の電源層１５、高容量層１２１、グランド層１４１、高容量層１２２、第２の電源層１６１、高容量層１２３、グランド層１４２、高容量層１２４、第２の電源層１６２、低容量層１１２、および信号層１３２が順に積層されている。
【０１１５】
高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者間は、互いに容量が異なっている。
【０１１６】
多層配線基板５０ｂの表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上には、信号層１３１および１３２が配されている。信号層１３１および１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２と接続される。
【０１１７】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１および１４２との間には、グランドビア１７が形成されている。第１電源配線と第１の電源層１５との間には、第１の電源ビア１８１が形成されている。第２電源配線と第２の電源層１６１および１６２との間には、第２の第２の電源ビア１８２が形成されている。
【０１１８】
図１２（ｃ）を参照すると、本発明の第７の実施例による多層配線基板５０ｃは、低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い４つの高容量層１２１〜１２４と、２つの第１の電源層１５１および１５２と、第２の電源層１６と、グランド層１４１および１４２とを備えている。つまり、下から、信号層１３１、低容量層１１１、第１の電源層１５１、高容量層１２１、グランド層１４１、高容量層１２２、第１の電源層１５２、高容量層１２３、グランド層１４２、高容量層１２４、第２の電源層１６、低容量層１１２、および信号層１３２が順に積層されている。
【０１１９】
高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者間は、互いに容量が異なっている。
【０１２０】
多層配線基板５０ｃの表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上には、信号層１３１および１３２が配されている。信号層１３１および１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２と接続される。
【０１２１】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１および１４２との間には、グランドビア１７が形成されている。第１電源配線と第１の電源層１５１および１５２との間には、第１の電源ビア１８１が形成されている。第２電源配線と第２の電源層１６との間には、第２の電源ビア１８２が形成されている。
【０１２２】
図１２（ｄ）を参照すると、本発明の第８の実施例による多層配線基板５０ｄは、低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い４つの高容量層１２１〜１２４と、電源層１５１および１５２と、グランド層１４１〜１４３とを備えている。つまり、下から、信号層１３１、低容量層１１１、グランド層１４１、高容量層１２１、電源層１５１、高容量層１２２、グランド層１４２、高容量層１２３、電源層１５２、高容量層１２４、グランド層１４３、低容量層１１２、および信号層１３２が順に積層されている。
【０１２３】
高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者間は、互いに容量が異なっている。
【０１２４】
多層配線基板５０ｄの表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上には、信号層１３１および１３２が配されている。信号層１３１および１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６０と接続される。
【０１２５】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１〜１４３との間には、グランドビア１７が形成されている。電源配線と電源層１５１および１５２との間には、電源ビア１８が形成されている。
【０１２６】
図１２（ｅ）を参照すると、本発明の第９の実施例による多層配線基板５０ｅは、低容量層１１１および１１２と、低容量層１１１および１１２よりも電気容量の高い４つの高容量層１２１〜１２４と、第１の電源層１５と、第２の電源層１６と、グランド層１４１〜１４３とを備えている。つまり、下から、信号層１３１、低容量層１１１、グランド層１４１、高容量層１２１、第１の電源層１５、高容量層１２２、グランド層１４２、高容量層１２３、第２の電源層１６、高容量層１２４、グランド層１４３、低容量層１１２、および信号層１３２が順に積層されている。
【０１２７】
高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者間は、互いに容量が異なっている。
【０１２８】
多層配線基板５０ｅの表面側および裏面側の低容量層１１１および１１２上には、信号層１３１および１３２が配されている。信号層１３１および１３２は、ボンディングワイヤを介して表面に実装されたＬＳＩチップなどの電子部品６１、６２と接続される。
【０１２９】
信号層１３１および１３２は、グランド配線、電源配線、信号配線を含んでいる。グランド配線とグランド層１４１〜１４３との間には、グランドビア１７が形成されている。第１電源配線と第１の電源層１５との間には、第１の電源ビア１８１が形成されている。第２電源配線と第２の電源層１６との間には、第２の電源ビア１８２が形成されている。
【０１３０】
第５〜第９の実施例ではこのように、高容量層１２１〜１２４のうちの少なくとも二者の電気容量が互いに異なるため、複数の周波数帯域においてノイズ削減効果が得られる。
【０１３１】
尚、第５〜第９の実施例についても、各容量層の形成厚さに応じて所望の容量を得てもよい。この場合、高容量が同じ絶縁材料で構成されるため、各層の熱膨張係数等も同じで、信頼性の点で優位性がある。
【０１３２】
さらに、第５〜第９の実施例においても、重なり合う電源層対間で電源層またはグランド層を兼用しているため、それぞれ独立した複数の電源層対を有する従来の構造よりも全体の層数が少なく、構造が簡素であるという効果がある。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
以上説明した実施例に限定されることなく、本発明は、当該特許請求の範囲に記載された技術範囲内であれば、種々の変形が可能であることは云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】従来の多層配線基板の斜視図である。
【図２】図１中のライン２−２に沿った多層配線基板の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例による多層配線基板の斜視図である。
【図４】図３中のライン４−４に沿った多層配線基板の断面図である。
【図５】図３および図４の多層配線基板を用いて、周波数に対するインピーダンスの変化をシュミレーションした例を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施例の変形例による多層配線基板の断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例およびその変形例の多層配線基板の製造方法を示した断面図である。
【図８】本発明の第２の実施例による多層配線基板の断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施例の多層配線基板の製造方法を示した断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施例による多層配線基板の断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施例による多層配線基板の断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第５〜９の実施例の変形例による多層配線基板の断面図である。
【符号の説明】
【０１３５】
１０、１０’、２０、３０、４０、５０ａ〜５０ｅ 多層配線基板
１１１、１１２ 低容量層
１２１、１２１’、１２２、１２３、１２４ 高容量層
１３１、１３２ 信号層
１４１、１４２ グランド層
１５、１５２、１６ 電源層
１７ グランドビア
１８ 電源ビア
６０、６１、６２ 電子部品
９０ デカップリングコンデンサ
Ａ１０１〜Ａ１０４、Ａ２０１〜Ａ２０５ 銅箔付き樹脂部材
Ａ１１１、Ａ１１２、Ａ１２１、Ａ１２２、Ａ１２３ 部材
Ａ１３１、Ａ１３２、Ａ１４１、Ａ１４２、Ａ１５、Ａ１５１、Ａ１５２ 銅箔
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１〜第３の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に形成された第１の絶縁層と、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間に形成された第２の絶縁層とを有し、
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらを構成する絶縁体の誘電率が互いに異なる請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの厚さが互いに異なる請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
第１〜第４の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に形成された第１の絶縁層と、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間に形成された第２の絶縁層と、前記第３の導電層と前記第４の導電層との間に形成された第３の絶縁層とを有し、
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なることを特徴とする多層配線基板。
【請求項５】
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらを構成する絶縁体の誘電率が互いに異なる請求項４に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの厚さが互いに異なる請求項４または５に記載の多層配線基板。
【請求項７】
第１および第２の絶縁層で挟まれ、さらに２つの外側導電層で挟まれた内側導電層を有し、
前記内側導電層は、電源層およびグランド層のうちの一方であり、
前記外側導電層は、電源層およびグランド層のうちの他方であり、
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なることを特徴とする多層配線基板。
【請求項８】
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらを構成する絶縁体の誘電率が互いに異なる請求項７に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの厚さが互いに異なる請求項７または８に記載の多層配線基板。
【請求項１０】
第１および第２の絶縁層で挟まれ、さらに２つの外側導電層で挟まれた内側導電層と、前記外側導電層の一方の上に第３の絶縁層を介して形成された付加的外側導電層とを有し、
前記内側導電層は、電源層およびグランド層のうちの一方であり、
前記外側導電層は、電源層およびグランド層のうちの他方であり、
前記付加的外側導電層は、電源層またはグランド層であり、
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なることを特徴とする多層配線基板。
【請求項１１】
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらを構成する絶縁体の誘電率が互いに異なる請求項１０に記載の多層配線基板。
【請求項１２】
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの厚さが互いに異なる請求項１０または１１に記載の多層配線基板。
【請求項１３】
多層配線基板の製造方法であって、
第１の容量層の両面に導電層を形成して第１の部材を生成する工程と、
第２の容量層の片面に導電層を形成して第２の部材を生成する工程とを有し、
前記第１および前記第２の容量層は、それらの電気容量が互いに異なり、
さらに、前記第１の部材の一方の面上に前記第２の部材の導電層の無い面が突き合わさるように、プレス成形によって積層する工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１４】
多層配線基板の製造方法であって、
第１の容量層の両面に導電層を形成して第１の部材を生成する工程と、
第２の容量層の片面に導電層を形成して第２の部材を生成する工程と、
第３の容量層の片面に導電層を形成して第３の部材を生成する工程とを有し、
前記第１、前記第２、および前記第３の容量層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なり、
さらに、前記第１の部材の一方の面上に前記第２の部材の導電層の無い面が突き合わさると共に、該第１の部材の他方の面上に前記第３の部材の導電層の無い面が突き合わさるように、プレス成形によって積層する工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１】
第１〜第３の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に形成された第１の絶縁層と、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間に形成された第２の絶縁層とを有し、
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらを構成する絶縁体の誘電率が互いに異なる請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの厚さが互いに異なる請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
第１〜第４の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に形成された第１の絶縁層と、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間に形成された第２の絶縁層と、前記第３の導電層と前記第４の導電層との間に形成された第３の絶縁層とを有し、
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なることを特徴とする多層配線基板。
【請求項５】
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらを構成する絶縁体の誘電率が互いに異なる請求項４に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの厚さが互いに異なる請求項４または５に記載の多層配線基板。
【請求項７】
第１および第２の絶縁層で挟まれ、さらに２つの外側導電層で挟まれた内側導電層を有し、
前記内側導電層は、電源層およびグランド層のうちの一方であり、
前記外側導電層は、電源層およびグランド層のうちの他方であり、
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの電気容量が互いに異なることを特徴とする多層配線基板。
【請求項８】
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらを構成する絶縁体の誘電率が互いに異なる請求項７に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記第１および前記第２の絶縁層は、それらの厚さが互いに異なる請求項７または８に記載の多層配線基板。
【請求項１０】
第１および第２の絶縁層で挟まれ、さらに２つの外側導電層で挟まれた内側導電層と、前記外側導電層の一方の上に第３の絶縁層を介して形成された付加的外側導電層とを有し、
前記内側導電層は、電源層およびグランド層のうちの一方であり、
前記外側導電層は、電源層およびグランド層のうちの他方であり、
前記付加的外側導電層は、電源層またはグランド層であり、
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なることを特徴とする多層配線基板。
【請求項１１】
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらを構成する絶縁体の誘電率が互いに異なる請求項１０に記載の多層配線基板。
【請求項１２】
前記第１、前記第２、および前記第３の絶縁層のうちの少なくとも二者は、それらの厚さが互いに異なる請求項１０または１１に記載の多層配線基板。
【請求項１３】
多層配線基板の製造方法であって、
第１の容量層の両面に導電層を形成して第１の部材を生成する工程と、
第２の容量層の片面に導電層を形成して第２の部材を生成する工程とを有し、
前記第１および前記第２の容量層は、それらの電気容量が互いに異なり、
さらに、前記第１の部材の一方の面上に前記第２の部材の導電層の無い面が突き合わさるように、プレス成形によって積層する工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１４】
多層配線基板の製造方法であって、
第１の容量層の両面に導電層を形成して第１の部材を生成する工程と、
第２の容量層の片面に導電層を形成して第２の部材を生成する工程と、
第３の容量層の片面に導電層を形成して第３の部材を生成する工程とを有し、
前記第１、前記第２、および前記第３の容量層のうちの少なくとも二者は、それらの電気容量が相互に異なり、
さらに、前記第１の部材の一方の面上に前記第２の部材の導電層の無い面が突き合わさると共に、該第１の部材の他方の面上に前記第３の部材の導電層の無い面が突き合わさるように、プレス成形によって積層する工程を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−１６５８５７（Ｐ２００７−１６５８５７Ａ）
【公開日】平成１９年６月２８日（２００７．６．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２９１２４６（Ｐ２００６−２９１２４６）
【出願日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【出願人】（３９０００１３９５）ＮＥＣシステムテクノロジー株式会社 (438)
【出願人】（３０２０６２９３１）ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月２８日（２００７．６．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【出願人】（３９０００１３９５）ＮＥＣシステムテクノロジー株式会社 (438)
【出願人】（３０２０６２９３１）ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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