多層配線基板
【課題】 表面配線導体と貫通導体との接続部にクラックや剥がれが発生して信頼性が低下するのを抑制することができる多層配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明の多層配線基板は、絶縁層１１、１２、１３が複数積層された絶縁基体１と、絶縁層１１、１２、１３を貫通する貫通導体２（２１、２２、２３）と、絶縁基体１の表面に設けられた表面配線導体３と、絶縁基体１の内部に設けられた内部配線導体４とを備え、最上層または最下層となる絶縁層１１、１３を貫通する貫通導体２１、２３は、表面配線導体３との接続端部に表面配線導体３と同じ成分を最も多く含み、表面配線導体３との接続端部から遠ざかるにしたがって表面配線導体３と同じ成分が徐々に少なくなっている。
【解決手段】 本発明の多層配線基板は、絶縁層１１、１２、１３が複数積層された絶縁基体１と、絶縁層１１、１２、１３を貫通する貫通導体２（２１、２２、２３）と、絶縁基体１の表面に設けられた表面配線導体３と、絶縁基体１の内部に設けられた内部配線導体４とを備え、最上層または最下層となる絶縁層１１、１３を貫通する貫通導体２１、２３は、表面配線導体３との接続端部に表面配線導体３と同じ成分を最も多く含み、表面配線導体３との接続端部から遠ざかるにしたがって表面配線導体３と同じ成分が徐々に少なくなっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体部品を実装した電子部品に用いられる多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体部品を多層配線基板に実装した電子部品の小型化の要求に対応するため、多層配線基板を小型化する必要がある。多層配線基板は、複数の絶縁層からなる絶縁基体と、絶縁基体の表面および内部に設けられた配線導体と、配線導体間を接続するための貫通導体等とで構成されていて、多層配線基板の小型化に伴い、配線導体、貫通導体等を微細化する必要がある。
【０００３】
表面配線導体を微細化すると、絶縁基体との接合強度が低下することによる剥がれが発生するおそれがある。そこで、表面配線導体と絶縁基体との接合強度を調整するため、表面配線導体に絶縁基体の成分などを、量や種類を適宜調整して添加することが知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１３８３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記構成では表面配線導体と貫通導体との間で熱膨張係数が異なるため、表面配線導体と貫通導体との接続部にクラックが発生したり、表面配線導体が貫通導体から剥がれてしまったりするおそれがある。今後、電子部品の小型化に伴う表面配線導体や貫通導体の微細化が進むと、表面配線導体と貫通導体との接続面積が小さくなり、より信頼性の低下が懸念される。
【０００６】
また、用途に応じて、表面配線導体と貫通導体や内部配線導体とは、添加剤の量や種類の異なる導体が使用される場合がある。例えば、生体埋設用途として、表面配線導体には生体適合性のよい白金を用い、貫通導体や内部配線導体にはなるべく高価な白金を用いたくない場合がある。このような場合においても、表面配線導体とこれに接続された貫通導体との接続部にクラックが発生したり、表面配線導体が貫通導体から剥がれてしまったりするおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、表面配線導体と貫通導体との接続部にクラックや剥がれが発生して信頼性が低下するのを抑制することができる多層配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の多層配線基板は、絶縁層が複数積層された絶縁基体と、前記絶縁層を貫通する貫通導体と、前記絶縁基体の表面に設けられた表面配線導体と、前記絶縁基体の内部に設けられた内部配線導体とを備え、最上層または最下層となる絶縁層を貫通する貫通導体は、前記表面配線導体との接続端部に前記表面配線導体と同じ成分を最も多く含み、前記表面配線導体との前記接続端部から遠ざかるにしたがって前記表面配線導体と同じ成分が徐々に少なくなっていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の多層配線基板は、前記最上層または最下層となる絶縁層を貫通する前記
貫通導体を積層方向に平行な断面で視たとき、前記表面配線導体と同じ成分からなる第１領域と該第１領域とは異なる成分からなる第２領域とを含み、前記第２領域を第１領域が取り囲むようになっていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、貫通導体と表面配線導体の接続部において、貫通導体と表面配線導体との熱膨張係数が近似することとなる。したがって、表面配線導体と貫通導体との接続部にクラックや剥がれが発生して信頼性が低下するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ線断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の多層配線基板の製造方法の一例を工程順に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態の一例について説明する。
【００１３】
図１は本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図であり、図２は図１に示すＡ−Ａ線断面図である。
【００１４】
図１に示す多層配線基板は、絶縁層１１、１２、１３が複数積層された絶縁基体１と、絶縁層１１、１２、１３を貫通する貫通導体２（２１、２２、２３）と、絶縁基体１の表面に設けられた表面配線導体３と、絶縁基体１の内部に設けられた内部配線導体４とを備え、最上層または最下層となる絶縁層１１、１３を貫通する貫通導体２１、２３は、表面配線導体３との接続端部に表面配線導体３と同じ成分を最も多く含み、表面配線導体３との接続端部から遠ざかるにしたがって表面配線導体３と同じ成分が徐々に少なくなっている。
【００１５】
絶縁基体１は、複数の絶縁層１１、１２、１３からなり、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミック材料により形成されている。
【００１６】
絶縁基体１の内部には、絶縁層１１、１２、１３を貫通する貫通導体２（２１、２２、２３）が設けられているとともに、内部配線導体４が設けられている。また、絶縁基体１の表面には表面配線導体３（上側表面配線導体３１、下側表面配線導体３２）が設けられている。
【００１７】
貫通導体２（２１、２２、２３）、表面配線導体３（上側表面配線導体３１、下側表面配線導体３２）および内部配線導体４は、主成分として、例えばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），パラジウム（Ｐｄ）および白金（Ｐｔ）のうち１種または２種以上を含み、絶縁基体１の形成材料等により使い分けることが可能である。ここで、主成分として銅，銀もしくは金を用いるのが、抵抗値を低くし高周波の信号を通りやすくすることから、好ましい。
【００１８】
貫通導体２（２１、２２、２３）、表面配線導体３（上側表面配線導体３１、下側表面配線導体３２）および内部配線導体４の主成分以外の副成分としては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系ガラス，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（ただし、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）ガラス，ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（ただし、Ｍ１およびＭ２は同じまたは異なって
Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）ガラス，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（ただし、Ｍ１およびＭ２は上記と同じである）ガラス，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（ただし、Ｍ３はＬｉ、ＮａまたはＫを示す）ガラス，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（ただし、Ｍ３は上記と同じである）ガラス，Ｐｂ系ガラス，Ｂｉ系ガラス等や、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物，ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物，Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（例えばスピネル，ムライト，コージェライト）等のセラミックスが挙げられる。
【００１９】
なお、表面配線導体３（上側表面配線導体３１、下側表面配線導体３２）および内部配線導体４においては、広面積のいわゆるベタパターンや線状のラインパターンが形成されるが、ラインパターンに比べてベタパターンにおける主成分となる導体の量を多くすることにより、ベタパターンの周辺における絶縁基体１のクラックの発生を抑制し、かつラインパターンの抵抗値を低く維持することができる。例えば、幅が５０μｍのラインパターンでは主成分となる導体の量は９２乃至９９質量％とし、ベタパターンでは主成分となる導体の量は８５乃至９５質量％とするのが好ましい。
【００２０】
そして、最上層となる絶縁層１１を貫通する貫通導体２１は、表面配線導体３（上側表面配線導体３１）との接続端部に表面配線導体３（上側表面配線導体３１）と同じ成分を最も多く含み、表面配線導体３（上側表面配線導体３１）との接続端部から遠ざかるにしたがって表面配線導体３（上側表面配線導体３１）と同じ成分が徐々に少なくなっている。一方、最下層となる絶縁層１３を貫通する貫通導体２３は、表面配線導体３（下側表面配線導体３２）との接続端部に表面配線導体３（下側表面配線導体３２）と同じ成分を最も多く含み、表面配線導体３（下側表面配線導体３２）との接続端部から遠ざかるにしたがって表面配線導体３（下側表面配線導体３２）と同じ成分が徐々に少なくなっている。
【００２１】
なお、貫通導体２１、２３における表面配線導体３と同じ成分とは、含まれている主成分および副成分が同じであるとともにその配合割合も同じであることをいう。
【００２２】
このように、表面配線導体３が、貫通導体２２や内部配線導体４とは異なる材料であっても、最上層となる絶縁層１１に設けられた貫通導体２１または最下層となる絶縁層１３に設けられた貫通導体２３を上述の構成とすることで、貫通導体２１と上側表面配線導体３１との接続部においてこれらの熱膨張係数が近似することになるとともに、貫通導体２３と下側配線導体３２との接続部においてこれらの熱膨張係数が近似することとなる。これにより、表面配線導体３と貫通導体２１、２３との接続部にクラックや剥がれが発生して信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００２３】
ここで、具体的な構成としては、最上層または最下層となる絶縁層１１、１３を貫通する貫通導体２１、２３を積層方向に平行な断面で視たとき、表面配線導体３と同じ成分からなる第１領域２１１、２３１と、第１領域２１１、２３１とは異なる成分からなる第２領域２１２、２３２とを含み、さらに例えば第１領域２１１、２３１が表面配線導体３の上に先細り形状（特に円錐状ないし円錐台状）に立設され、第２領域２１２、２３２が先細り形状の第１領域２１１、２３１と嵌合、または、図１および図２に示すように、第２領域２１２、２３２が内部配線導体４の上に先細り形状（特に円錐状ないし円錐台状）に立設され、第１領域２１１、２３１が先細り形状の第２領域２１２、２３２と嵌合するような形状、いわゆる雄雌の関係にある形状になっているものが挙げられる。このような構成によれば、アンカー効果により、表面配線導体３の剥がれを確実に抑制することができる。
【００２４】
特に、図１および図２に示すように、表面配線導体３と絶縁基体１との接合強度を高め
るために表面配線導体３に絶縁基体１の成分を添加した場合において、表面配線導体３と同じ成分からなる第１領域２１１、２３１が第１領域２１１、２３１とは異なる成分からなる第２領域２１２、２３２を取り囲むようになっているのが好ましく、このような構成になっていることで、貫通導体２１、２３の側壁に絶縁層１１、１３との接合強度の高い第１領域２１１、２３１を配置し、この第１領域２１１、２３１を絶縁層１１、１３と接合させることができるため、貫通導体２１、２３と絶縁層２１、２３との間に隙間が形成されるのを抑制することができる。
【００２５】
特に、第１領域２１１、２３１と第２領域２１２、２３２との境界が積層方向に平行な断面で視たときにＶ字状となっているのが好ましい。このようになっていることで、多層配線基板を実装した際の熱等によって第１領域２１１、２３１と第２領域２１２、２３２との境界の熱膨張係数差による水平方向の熱応力が発生した場合、水平方向の応力を境界面に平行な方向と垂直な方向とに分散することができる。また、第１領域２１１、２３１と第２領域２１２、２３２との境界面積を大きくすることができるため、接続信頼性を向上させることができる。
【００２６】
なお、図１および図２に示す例では、最上層となる絶縁層１１を貫通する貫通導体２１は、上側表面配線導体３１との接続端部に上側表面配線導体３１と同じ成分を最も多く含み、上側表面配線導体３１との接続端部から遠ざかるにしたがって上側表面配線導体３１と同じ成分が徐々に少なくなっているとともに、最下層となる絶縁層１３を貫通する貫通導体２３は、下側表面配線導体３２との接続端部に下側表面配線導体３２と同じ成分を最も多く含み、下側表面配線導体３２との接続端部から遠ざかるにしたがって下側表面配線導体３２と同じ成分が徐々に少なくなっている構成となっているが、本発明は貫通導体２１と貫通導体２３のうちの一方のみがこのような構成になっているものであってもよい。
【００２７】
以下、本発明の多層配線基板の製造方法の一例について説明する。
【００２８】
まず、図３（ａ）に示すように、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の支持体４１上に表層配線導体となる表面配線導体用導体ペースト４２を塗布し、表面配線導体用導体ペースト４２上には、貫通導体の第１領域となる第１領域用導体ペースト４３を形成する。なお、図では便宜上、上下を逆に示している。
【００２９】
表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３を形成する方法としては、印刷用のマスクの開口部から導体ペーストを塗布するスクリーン印刷法およびインクジェットやディスペンサー等の導体ペーストを直接描画する方法等のいずれの方法も適用することができる。スクリーン印刷法を用いる場合、たとえば比較的厚いメタルマスクを用いることにより、アスペクト比（高さ）の高い第１領域用導体ペースト４３を形成でき、その高さ、大きさ、及び分布は適宜設定される。なお、スクリーン印刷法を用いて図３（ａ）に示すような円錐状ないし円錐台状に第１領域用導体ペースト４３を形成するには、上面と下面とで貫通孔の開口径が異なり、上面から下面にかけて徐々に径が拡大するような形状のメタルマスクを用いればよい。また、ディスペンサーを用いて図３（ａ）に示すような円錐状ないし円錐台状に第１領域用導体ペースト４３を形成するには、段階的に塗布面積を変えて塗布すればよい。
【００３０】
表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３は、主成分となる導体粒子および主成分以外の副成分となる粒子等にバインダ樹脂および溶剤を調合して、加熱および混合することにより作製される。
【００３１】
主成分となる導体粒子は、上述の金属粉末をアトマイズ法または還元法等により処理して製造されたものであり、必要により酸化防止または凝集防止等の処理を行なってもよい
。導体粒子が２種類以上の場合は、２種類以上の粉末を混合してもよいし、合金またはコーティング等により２種類以上の金属材料が一体となった粉末を用いてもよい。また、分級等により微粉末または粗粉末を除去して粒度分布を所望の分布に調整したものであってもよい。
【００３２】
主成分以外の副成分となる粒子は、ガラス粉末やセラミック粉末をアトマイズ法により製造したものや、ボールミル等で粉砕処理したもの等を用いることができる。また、必要により酸化防止または凝集防止等の処理を行なってもよい。副成分となる粒子が２種類以上の場合は、２種類以上の粉末を混合してもよいし、コーティング等により２種類以上の絶縁材料が一体となった粉末を用いてもよい。また、分級等により微粉末または粗粉末を除去して粒度分布を所望の分布に調整したものであってもよい。
【００３３】
導体ペーストに含まれるバインダ樹脂は、従来から導体ペーストに使用されているものが使用可能である。例えば、アクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等），ポリビニルブチラール系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，セルロース系等の単独重合体または共重合体の他、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂が挙げられるが、セラミックグリーンシートを積層する際の加熱温度により硬度の変化しにくい、熱硬化性樹脂、特にエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、１分子中に２個のエポキシ基を有し、好ましくは少なくとも１つのナフタレン骨格を有する。具体的にはナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類と、ナフトール類またはフェノール、クレゾール、レジルシノール等のフェノール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、ズルオキザール、アルカンジアール等のアルデヒド類と反応生成物であるノボラック型エポキシ樹脂が挙げられ、これらのエポキシ樹脂の１種類または２種類以上が持ちられる。
【００３４】
バインダ樹脂の添加量としては、導体ペーストに用いる主成分および副成分の種類等により異なるが、焼成時に分解・除去されやすく、かつ主成分および副成分を良好に分散できる量であればよく、その目安としては主成分および副成分の合計１００質量部に外添加で５乃至２０質量部が望ましい。
【００３５】
また、溶剤としては、テルピネオール，ブチルカルビトールアセテートおよびフタル酸等の可塑剤等が使用可能である。溶剤の量としては、上記バインダ量で適切な粘度になるように適宜調整する。
【００３６】
そして、表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３を形成した支持体４１上にセラミックスラリー４４を形成する。
【００３７】
セラミックスラリー４４は、例えば酸化アルミニウム，酸化珪素および酸化カルシウム等の原料粉末をバインダ樹脂および溶剤とともに混練したものである。このセラミックスラリー４４は、支持体４１上に直接塗布してもよく、他の支持体に塗布したものを積層（転写）してもよい。
【００３８】
次に、図３（ｂ）に示すように、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の支持体４５上に内部配線導体となる内部配線導体用導体ペースト４６を塗布し、内部配線導体用導体ペースト４６上に、貫通導体の第２領域となる第２領域用導体ペースト４７を形成する。
【００３９】
ここで、第２領域用導体ペースト４７としては、第１領域用導体ペースト４３とは導体粒子が異なるもの（例えば白金とタングステンなど）、第１領域用導体ペースト４３に含まれる副成分となる粒子の種類や比率が異なるものなどが挙げられる。なお、内部配線導体用導体ペースト４６および第２領域用導体ペースト４７を形成する方法は、表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３を形成する方法と同様である。
【００４０】
このとき、第２領域用導体ペースト４７の乾燥後の硬度を第１領域用導体ペースト４３の乾燥後の硬度よりも高くしておくことで、後述する積層工程において、第２領域用導体ペースト４７が第１領域用導体ペースト４３に突き刺さるように積層することができる。
【００４１】
ここで、硬度とは、ＪＩＳ１４５７７に規定された超微小硬度計を用いた測定値のことである。セラミックスラリー４４の乾燥後の硬度が１乃至４ＭＰａ、第１領域用導体ペースト４３の乾燥後の硬度が０．０１乃至０．７ＭＰａの場合、第２領域用導体ペースト４７の乾燥後の硬度が５乃至５００ＭＰａ程度であれば、第２領域用導体ペースト４７で突き刺した際に、第２領域用導体ペースト４７にクラック等が発生せず、第１領域用導体ペースト４３を突き刺すことができる。
【００４２】
なお、ペーストに添加する溶剤の中で、可塑剤（ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート）は乾燥後のペーストの硬度を低下させる効果があるため、内部配線導体用導体ペースト４６および第２領域用導体ペースト４７の可塑剤添加量を表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３の可塑剤添加量と比較して少なくすることで、内部配線導体用導体ペースト４６および第２領域用導体ペースト４７の硬度を高くすることができる。
【００４３】
また、内部配線導体用導体ペースト４６および第２領域用導体ペースト４７の揮発する溶剤量を、表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３の揮発する溶剤量より少なくすることにより、乾燥後の密度を低くすることができるので、より貫通しやすくすることができる。
【００４４】
さらに、使用する導体材料等にもよるが、バインダ樹脂量については、少ない方が上記乾燥により揮発する溶剤量を多くした場合と同様に少ない方が密度が低下する傾向にあるので、表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３のバインダ量を少なくするのが好ましい。
【００４５】
次に、図３（ｃ）に示すように、図３（ａ）で作成した成形体と図３（ｂ）で作成した成形体とを、第１領域用導体ペースト４３の形成された側と第２領域用導体ペースト４７の形成された側とを向かい合わせて積層する。その後、支持体４１と支持体４５とを剥離して、セラミックグリーンシートを作製する。
【００４６】
積層する際には、支持体４１の他方主面に当て板として寸法や変動の少ない、例えばステンレス板、真鍮板などの金属板、ポイリミド樹脂板等を配置し、支持体４５の他方主面より加圧したときに弾性的に変形する、例えばブタジエン、ネオプレン等のゴム製のローラで加圧することにより、第２領域用導体ペースト４７が第１領域用導体ペースト４３に突き刺さりやすくなることから、好ましい。
【００４７】
次に、図３（ｄ）に示すように、図３（ｃ）の工程によって作製されたセラミックグリーンシートおよび貫通孔に貫通導体用導体ペーストの充填されたセラミックグリーンシートなどを組み合わせて積層したセラミックグリーンシート積層体４８を作製する。
【００４８】
このとき、セラミックグリーンシート同士が位置ずれしないように、また、複数のセラ
ミックグリーンシート１を確実に積層できるように押さえる程度の加圧（０．１〜１ＭＰａ）をして積層するのがよく、より精度よく確実な圧着が可能となる。
【００４９】
最後に、このセラミックグリーンシート積層体を焼成することで、図１に示すような多層配線基板が得られる。
【００５０】
焼成する工程は、有機成分の除去工程（脱脂工程）とセラミック粉末の焼結工程とから成る。有機成分の除去工程は、１００〜８００℃の温度範囲でセラミックグリーンシート積層体を加熱することによって行ない、有機成分を分解、揮発させるものである。また、焼結工程における焼結温度は、セラミックスの組成により異なり、約８００〜１６００℃の範囲内で行なう。焼成雰囲気は、セラミック粉末および導体材料により異なり、大気中、還元雰囲気中、非酸化性雰囲気中等適宜選択され、有機成分の除去を効果的に行なうために水蒸気等を含ませてもよい。
【００５１】
なお、焼成して得られた多層配線基板は、その表面に露出した表面配線導体の表面に、表面配線導体の腐食防止、半田および金属ワイヤ等の外部の基板および電子部品等との良好な接続のために、Ｎｉ，Ａｕのめっき層を施すとよい。
【００５２】
以上の製造方法により、表面配線導体と貫通導体との接続部にクラックや剥がれが発生して信頼性が低下するのを抑制された多層配線基板が得られる。
【符号の説明】
【００５３】
１：絶縁基体
１１、１２、１３：絶縁層
２、２１、２２、２３：貫通導体
２１１：第１領域
２１２：第２領域
３：表面配線導体
３１：上側表面配線導体
３２：下側表面配線導体
４１、４５：支持体
４２：表面配線導体用導体ペースト
４３：第１領域用導体ペースト
４４：セラミックスラリー
４６：内部配線導体用導体ペースト
４７：第２領域用導体ペースト
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体部品を実装した電子部品に用いられる多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体部品を多層配線基板に実装した電子部品の小型化の要求に対応するため、多層配線基板を小型化する必要がある。多層配線基板は、複数の絶縁層からなる絶縁基体と、絶縁基体の表面および内部に設けられた配線導体と、配線導体間を接続するための貫通導体等とで構成されていて、多層配線基板の小型化に伴い、配線導体、貫通導体等を微細化する必要がある。
【０００３】
表面配線導体を微細化すると、絶縁基体との接合強度が低下することによる剥がれが発生するおそれがある。そこで、表面配線導体と絶縁基体との接合強度を調整するため、表面配線導体に絶縁基体の成分などを、量や種類を適宜調整して添加することが知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１３８３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記構成では表面配線導体と貫通導体との間で熱膨張係数が異なるため、表面配線導体と貫通導体との接続部にクラックが発生したり、表面配線導体が貫通導体から剥がれてしまったりするおそれがある。今後、電子部品の小型化に伴う表面配線導体や貫通導体の微細化が進むと、表面配線導体と貫通導体との接続面積が小さくなり、より信頼性の低下が懸念される。
【０００６】
また、用途に応じて、表面配線導体と貫通導体や内部配線導体とは、添加剤の量や種類の異なる導体が使用される場合がある。例えば、生体埋設用途として、表面配線導体には生体適合性のよい白金を用い、貫通導体や内部配線導体にはなるべく高価な白金を用いたくない場合がある。このような場合においても、表面配線導体とこれに接続された貫通導体との接続部にクラックが発生したり、表面配線導体が貫通導体から剥がれてしまったりするおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、表面配線導体と貫通導体との接続部にクラックや剥がれが発生して信頼性が低下するのを抑制することができる多層配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の多層配線基板は、絶縁層が複数積層された絶縁基体と、前記絶縁層を貫通する貫通導体と、前記絶縁基体の表面に設けられた表面配線導体と、前記絶縁基体の内部に設けられた内部配線導体とを備え、最上層または最下層となる絶縁層を貫通する貫通導体は、前記表面配線導体との接続端部に前記表面配線導体と同じ成分を最も多く含み、前記表面配線導体との前記接続端部から遠ざかるにしたがって前記表面配線導体と同じ成分が徐々に少なくなっていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の多層配線基板は、前記最上層または最下層となる絶縁層を貫通する前記
貫通導体を積層方向に平行な断面で視たとき、前記表面配線導体と同じ成分からなる第１領域と該第１領域とは異なる成分からなる第２領域とを含み、前記第２領域を第１領域が取り囲むようになっていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、貫通導体と表面配線導体の接続部において、貫通導体と表面配線導体との熱膨張係数が近似することとなる。したがって、表面配線導体と貫通導体との接続部にクラックや剥がれが発生して信頼性が低下するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ線断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の多層配線基板の製造方法の一例を工程順に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態の一例について説明する。
【００１３】
図１は本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図であり、図２は図１に示すＡ−Ａ線断面図である。
【００１４】
図１に示す多層配線基板は、絶縁層１１、１２、１３が複数積層された絶縁基体１と、絶縁層１１、１２、１３を貫通する貫通導体２（２１、２２、２３）と、絶縁基体１の表面に設けられた表面配線導体３と、絶縁基体１の内部に設けられた内部配線導体４とを備え、最上層または最下層となる絶縁層１１、１３を貫通する貫通導体２１、２３は、表面配線導体３との接続端部に表面配線導体３と同じ成分を最も多く含み、表面配線導体３との接続端部から遠ざかるにしたがって表面配線導体３と同じ成分が徐々に少なくなっている。
【００１５】
絶縁基体１は、複数の絶縁層１１、１２、１３からなり、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミック材料により形成されている。
【００１６】
絶縁基体１の内部には、絶縁層１１、１２、１３を貫通する貫通導体２（２１、２２、２３）が設けられているとともに、内部配線導体４が設けられている。また、絶縁基体１の表面には表面配線導体３（上側表面配線導体３１、下側表面配線導体３２）が設けられている。
【００１７】
貫通導体２（２１、２２、２３）、表面配線導体３（上側表面配線導体３１、下側表面配線導体３２）および内部配線導体４は、主成分として、例えばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），パラジウム（Ｐｄ）および白金（Ｐｔ）のうち１種または２種以上を含み、絶縁基体１の形成材料等により使い分けることが可能である。ここで、主成分として銅，銀もしくは金を用いるのが、抵抗値を低くし高周波の信号を通りやすくすることから、好ましい。
【００１８】
貫通導体２（２１、２２、２３）、表面配線導体３（上側表面配線導体３１、下側表面配線導体３２）および内部配線導体４の主成分以外の副成分としては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系ガラス，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（ただし、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）ガラス，ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（ただし、Ｍ１およびＭ２は同じまたは異なって
Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）ガラス，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（ただし、Ｍ１およびＭ２は上記と同じである）ガラス，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（ただし、Ｍ３はＬｉ、ＮａまたはＫを示す）ガラス，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（ただし、Ｍ３は上記と同じである）ガラス，Ｐｂ系ガラス，Ｂｉ系ガラス等や、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物，ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物，Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（例えばスピネル，ムライト，コージェライト）等のセラミックスが挙げられる。
【００１９】
なお、表面配線導体３（上側表面配線導体３１、下側表面配線導体３２）および内部配線導体４においては、広面積のいわゆるベタパターンや線状のラインパターンが形成されるが、ラインパターンに比べてベタパターンにおける主成分となる導体の量を多くすることにより、ベタパターンの周辺における絶縁基体１のクラックの発生を抑制し、かつラインパターンの抵抗値を低く維持することができる。例えば、幅が５０μｍのラインパターンでは主成分となる導体の量は９２乃至９９質量％とし、ベタパターンでは主成分となる導体の量は８５乃至９５質量％とするのが好ましい。
【００２０】
そして、最上層となる絶縁層１１を貫通する貫通導体２１は、表面配線導体３（上側表面配線導体３１）との接続端部に表面配線導体３（上側表面配線導体３１）と同じ成分を最も多く含み、表面配線導体３（上側表面配線導体３１）との接続端部から遠ざかるにしたがって表面配線導体３（上側表面配線導体３１）と同じ成分が徐々に少なくなっている。一方、最下層となる絶縁層１３を貫通する貫通導体２３は、表面配線導体３（下側表面配線導体３２）との接続端部に表面配線導体３（下側表面配線導体３２）と同じ成分を最も多く含み、表面配線導体３（下側表面配線導体３２）との接続端部から遠ざかるにしたがって表面配線導体３（下側表面配線導体３２）と同じ成分が徐々に少なくなっている。
【００２１】
なお、貫通導体２１、２３における表面配線導体３と同じ成分とは、含まれている主成分および副成分が同じであるとともにその配合割合も同じであることをいう。
【００２２】
このように、表面配線導体３が、貫通導体２２や内部配線導体４とは異なる材料であっても、最上層となる絶縁層１１に設けられた貫通導体２１または最下層となる絶縁層１３に設けられた貫通導体２３を上述の構成とすることで、貫通導体２１と上側表面配線導体３１との接続部においてこれらの熱膨張係数が近似することになるとともに、貫通導体２３と下側配線導体３２との接続部においてこれらの熱膨張係数が近似することとなる。これにより、表面配線導体３と貫通導体２１、２３との接続部にクラックや剥がれが発生して信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００２３】
ここで、具体的な構成としては、最上層または最下層となる絶縁層１１、１３を貫通する貫通導体２１、２３を積層方向に平行な断面で視たとき、表面配線導体３と同じ成分からなる第１領域２１１、２３１と、第１領域２１１、２３１とは異なる成分からなる第２領域２１２、２３２とを含み、さらに例えば第１領域２１１、２３１が表面配線導体３の上に先細り形状（特に円錐状ないし円錐台状）に立設され、第２領域２１２、２３２が先細り形状の第１領域２１１、２３１と嵌合、または、図１および図２に示すように、第２領域２１２、２３２が内部配線導体４の上に先細り形状（特に円錐状ないし円錐台状）に立設され、第１領域２１１、２３１が先細り形状の第２領域２１２、２３２と嵌合するような形状、いわゆる雄雌の関係にある形状になっているものが挙げられる。このような構成によれば、アンカー効果により、表面配線導体３の剥がれを確実に抑制することができる。
【００２４】
特に、図１および図２に示すように、表面配線導体３と絶縁基体１との接合強度を高め
るために表面配線導体３に絶縁基体１の成分を添加した場合において、表面配線導体３と同じ成分からなる第１領域２１１、２３１が第１領域２１１、２３１とは異なる成分からなる第２領域２１２、２３２を取り囲むようになっているのが好ましく、このような構成になっていることで、貫通導体２１、２３の側壁に絶縁層１１、１３との接合強度の高い第１領域２１１、２３１を配置し、この第１領域２１１、２３１を絶縁層１１、１３と接合させることができるため、貫通導体２１、２３と絶縁層２１、２３との間に隙間が形成されるのを抑制することができる。
【００２５】
特に、第１領域２１１、２３１と第２領域２１２、２３２との境界が積層方向に平行な断面で視たときにＶ字状となっているのが好ましい。このようになっていることで、多層配線基板を実装した際の熱等によって第１領域２１１、２３１と第２領域２１２、２３２との境界の熱膨張係数差による水平方向の熱応力が発生した場合、水平方向の応力を境界面に平行な方向と垂直な方向とに分散することができる。また、第１領域２１１、２３１と第２領域２１２、２３２との境界面積を大きくすることができるため、接続信頼性を向上させることができる。
【００２６】
なお、図１および図２に示す例では、最上層となる絶縁層１１を貫通する貫通導体２１は、上側表面配線導体３１との接続端部に上側表面配線導体３１と同じ成分を最も多く含み、上側表面配線導体３１との接続端部から遠ざかるにしたがって上側表面配線導体３１と同じ成分が徐々に少なくなっているとともに、最下層となる絶縁層１３を貫通する貫通導体２３は、下側表面配線導体３２との接続端部に下側表面配線導体３２と同じ成分を最も多く含み、下側表面配線導体３２との接続端部から遠ざかるにしたがって下側表面配線導体３２と同じ成分が徐々に少なくなっている構成となっているが、本発明は貫通導体２１と貫通導体２３のうちの一方のみがこのような構成になっているものであってもよい。
【００２７】
以下、本発明の多層配線基板の製造方法の一例について説明する。
【００２８】
まず、図３（ａ）に示すように、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の支持体４１上に表層配線導体となる表面配線導体用導体ペースト４２を塗布し、表面配線導体用導体ペースト４２上には、貫通導体の第１領域となる第１領域用導体ペースト４３を形成する。なお、図では便宜上、上下を逆に示している。
【００２９】
表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３を形成する方法としては、印刷用のマスクの開口部から導体ペーストを塗布するスクリーン印刷法およびインクジェットやディスペンサー等の導体ペーストを直接描画する方法等のいずれの方法も適用することができる。スクリーン印刷法を用いる場合、たとえば比較的厚いメタルマスクを用いることにより、アスペクト比（高さ）の高い第１領域用導体ペースト４３を形成でき、その高さ、大きさ、及び分布は適宜設定される。なお、スクリーン印刷法を用いて図３（ａ）に示すような円錐状ないし円錐台状に第１領域用導体ペースト４３を形成するには、上面と下面とで貫通孔の開口径が異なり、上面から下面にかけて徐々に径が拡大するような形状のメタルマスクを用いればよい。また、ディスペンサーを用いて図３（ａ）に示すような円錐状ないし円錐台状に第１領域用導体ペースト４３を形成するには、段階的に塗布面積を変えて塗布すればよい。
【００３０】
表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３は、主成分となる導体粒子および主成分以外の副成分となる粒子等にバインダ樹脂および溶剤を調合して、加熱および混合することにより作製される。
【００３１】
主成分となる導体粒子は、上述の金属粉末をアトマイズ法または還元法等により処理して製造されたものであり、必要により酸化防止または凝集防止等の処理を行なってもよい
。導体粒子が２種類以上の場合は、２種類以上の粉末を混合してもよいし、合金またはコーティング等により２種類以上の金属材料が一体となった粉末を用いてもよい。また、分級等により微粉末または粗粉末を除去して粒度分布を所望の分布に調整したものであってもよい。
【００３２】
主成分以外の副成分となる粒子は、ガラス粉末やセラミック粉末をアトマイズ法により製造したものや、ボールミル等で粉砕処理したもの等を用いることができる。また、必要により酸化防止または凝集防止等の処理を行なってもよい。副成分となる粒子が２種類以上の場合は、２種類以上の粉末を混合してもよいし、コーティング等により２種類以上の絶縁材料が一体となった粉末を用いてもよい。また、分級等により微粉末または粗粉末を除去して粒度分布を所望の分布に調整したものであってもよい。
【００３３】
導体ペーストに含まれるバインダ樹脂は、従来から導体ペーストに使用されているものが使用可能である。例えば、アクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等），ポリビニルブチラール系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，セルロース系等の単独重合体または共重合体の他、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂が挙げられるが、セラミックグリーンシートを積層する際の加熱温度により硬度の変化しにくい、熱硬化性樹脂、特にエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、１分子中に２個のエポキシ基を有し、好ましくは少なくとも１つのナフタレン骨格を有する。具体的にはナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類と、ナフトール類またはフェノール、クレゾール、レジルシノール等のフェノール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、ズルオキザール、アルカンジアール等のアルデヒド類と反応生成物であるノボラック型エポキシ樹脂が挙げられ、これらのエポキシ樹脂の１種類または２種類以上が持ちられる。
【００３４】
バインダ樹脂の添加量としては、導体ペーストに用いる主成分および副成分の種類等により異なるが、焼成時に分解・除去されやすく、かつ主成分および副成分を良好に分散できる量であればよく、その目安としては主成分および副成分の合計１００質量部に外添加で５乃至２０質量部が望ましい。
【００３５】
また、溶剤としては、テルピネオール，ブチルカルビトールアセテートおよびフタル酸等の可塑剤等が使用可能である。溶剤の量としては、上記バインダ量で適切な粘度になるように適宜調整する。
【００３６】
そして、表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３を形成した支持体４１上にセラミックスラリー４４を形成する。
【００３７】
セラミックスラリー４４は、例えば酸化アルミニウム，酸化珪素および酸化カルシウム等の原料粉末をバインダ樹脂および溶剤とともに混練したものである。このセラミックスラリー４４は、支持体４１上に直接塗布してもよく、他の支持体に塗布したものを積層（転写）してもよい。
【００３８】
次に、図３（ｂ）に示すように、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の支持体４５上に内部配線導体となる内部配線導体用導体ペースト４６を塗布し、内部配線導体用導体ペースト４６上に、貫通導体の第２領域となる第２領域用導体ペースト４７を形成する。
【００３９】
ここで、第２領域用導体ペースト４７としては、第１領域用導体ペースト４３とは導体粒子が異なるもの（例えば白金とタングステンなど）、第１領域用導体ペースト４３に含まれる副成分となる粒子の種類や比率が異なるものなどが挙げられる。なお、内部配線導体用導体ペースト４６および第２領域用導体ペースト４７を形成する方法は、表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３を形成する方法と同様である。
【００４０】
このとき、第２領域用導体ペースト４７の乾燥後の硬度を第１領域用導体ペースト４３の乾燥後の硬度よりも高くしておくことで、後述する積層工程において、第２領域用導体ペースト４７が第１領域用導体ペースト４３に突き刺さるように積層することができる。
【００４１】
ここで、硬度とは、ＪＩＳ１４５７７に規定された超微小硬度計を用いた測定値のことである。セラミックスラリー４４の乾燥後の硬度が１乃至４ＭＰａ、第１領域用導体ペースト４３の乾燥後の硬度が０．０１乃至０．７ＭＰａの場合、第２領域用導体ペースト４７の乾燥後の硬度が５乃至５００ＭＰａ程度であれば、第２領域用導体ペースト４７で突き刺した際に、第２領域用導体ペースト４７にクラック等が発生せず、第１領域用導体ペースト４３を突き刺すことができる。
【００４２】
なお、ペーストに添加する溶剤の中で、可塑剤（ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート）は乾燥後のペーストの硬度を低下させる効果があるため、内部配線導体用導体ペースト４６および第２領域用導体ペースト４７の可塑剤添加量を表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３の可塑剤添加量と比較して少なくすることで、内部配線導体用導体ペースト４６および第２領域用導体ペースト４７の硬度を高くすることができる。
【００４３】
また、内部配線導体用導体ペースト４６および第２領域用導体ペースト４７の揮発する溶剤量を、表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３の揮発する溶剤量より少なくすることにより、乾燥後の密度を低くすることができるので、より貫通しやすくすることができる。
【００４４】
さらに、使用する導体材料等にもよるが、バインダ樹脂量については、少ない方が上記乾燥により揮発する溶剤量を多くした場合と同様に少ない方が密度が低下する傾向にあるので、表面配線導体用導体ペースト４２および第１領域用導体ペースト４３のバインダ量を少なくするのが好ましい。
【００４５】
次に、図３（ｃ）に示すように、図３（ａ）で作成した成形体と図３（ｂ）で作成した成形体とを、第１領域用導体ペースト４３の形成された側と第２領域用導体ペースト４７の形成された側とを向かい合わせて積層する。その後、支持体４１と支持体４５とを剥離して、セラミックグリーンシートを作製する。
【００４６】
積層する際には、支持体４１の他方主面に当て板として寸法や変動の少ない、例えばステンレス板、真鍮板などの金属板、ポイリミド樹脂板等を配置し、支持体４５の他方主面より加圧したときに弾性的に変形する、例えばブタジエン、ネオプレン等のゴム製のローラで加圧することにより、第２領域用導体ペースト４７が第１領域用導体ペースト４３に突き刺さりやすくなることから、好ましい。
【００４７】
次に、図３（ｄ）に示すように、図３（ｃ）の工程によって作製されたセラミックグリーンシートおよび貫通孔に貫通導体用導体ペーストの充填されたセラミックグリーンシートなどを組み合わせて積層したセラミックグリーンシート積層体４８を作製する。
【００４８】
このとき、セラミックグリーンシート同士が位置ずれしないように、また、複数のセラ
ミックグリーンシート１を確実に積層できるように押さえる程度の加圧（０．１〜１ＭＰａ）をして積層するのがよく、より精度よく確実な圧着が可能となる。
【００４９】
最後に、このセラミックグリーンシート積層体を焼成することで、図１に示すような多層配線基板が得られる。
【００５０】
焼成する工程は、有機成分の除去工程（脱脂工程）とセラミック粉末の焼結工程とから成る。有機成分の除去工程は、１００〜８００℃の温度範囲でセラミックグリーンシート積層体を加熱することによって行ない、有機成分を分解、揮発させるものである。また、焼結工程における焼結温度は、セラミックスの組成により異なり、約８００〜１６００℃の範囲内で行なう。焼成雰囲気は、セラミック粉末および導体材料により異なり、大気中、還元雰囲気中、非酸化性雰囲気中等適宜選択され、有機成分の除去を効果的に行なうために水蒸気等を含ませてもよい。
【００５１】
なお、焼成して得られた多層配線基板は、その表面に露出した表面配線導体の表面に、表面配線導体の腐食防止、半田および金属ワイヤ等の外部の基板および電子部品等との良好な接続のために、Ｎｉ，Ａｕのめっき層を施すとよい。
【００５２】
以上の製造方法により、表面配線導体と貫通導体との接続部にクラックや剥がれが発生して信頼性が低下するのを抑制された多層配線基板が得られる。
【符号の説明】
【００５３】
１：絶縁基体
１１、１２、１３：絶縁層
２、２１、２２、２３：貫通導体
２１１：第１領域
２１２：第２領域
３：表面配線導体
３１：上側表面配線導体
３２：下側表面配線導体
４１、４５：支持体
４２：表面配線導体用導体ペースト
４３：第１領域用導体ペースト
４４：セラミックスラリー
４６：内部配線導体用導体ペースト
４７：第２領域用導体ペースト
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層が複数積層された絶縁基体と、前記絶縁層を貫通する貫通導体と、前記絶縁基体の表面に設けられた表面配線導体と、前記絶縁基体の内部に設けられた内部配線導体とを備え、最上層または最下層となる絶縁層を貫通する貫通導体は、前記表面配線導体との接続端部に前記表面配線導体と同じ成分を最も多く含み、前記表面配線導体との前記接続端部から遠ざかるにしたがって前記表面配線導体と同じ成分が徐々に少なくなっていることを特徴とすることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記最上層または最下層となる絶縁層を貫通する前記貫通導体を積層方向に平行な断面で視たとき、前記表面配線導体と同じ成分からなる第１領域と該第１領域とは異なる成分からなる第２領域とを含み、前記第２領域を第１領域が取り囲むようになっていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項１】
絶縁層が複数積層された絶縁基体と、前記絶縁層を貫通する貫通導体と、前記絶縁基体の表面に設けられた表面配線導体と、前記絶縁基体の内部に設けられた内部配線導体とを備え、最上層または最下層となる絶縁層を貫通する貫通導体は、前記表面配線導体との接続端部に前記表面配線導体と同じ成分を最も多く含み、前記表面配線導体との前記接続端部から遠ざかるにしたがって前記表面配線導体と同じ成分が徐々に少なくなっていることを特徴とすることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記最上層または最下層となる絶縁層を貫通する前記貫通導体を積層方向に平行な断面で視たとき、前記表面配線導体と同じ成分からなる第１領域と該第１領域とは異なる成分からなる第２領域とを含み、前記第２領域を第１領域が取り囲むようになっていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−２３０９７４（Ｐ２０１２−２３０９７４Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９７３２８（Ｐ２０１１−９７３２８）
【出願日】平成２３年４月２５日（２０１１．４．２５）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２５日（２０１１．４．２５）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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