太陽電池用はんだめっき線およびその製造方法
【課題】太陽電池を薄板化した場合でも接続用リード線の接合時に太陽電池の反りもしくは破損が生じにくい太陽電池用はんだめっき線を提供する。
【解決手段】平角状に形成された導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆された太陽電池用はんだめっき線において、前記導体の引張り試験における０．２％耐力値が９０ＭＰａ以下であり、かつ前記導体の結晶粒径が２０μｍ以上３００μｍ以下である。
【解決手段】平角状に形成された導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆された太陽電池用はんだめっき線において、前記導体の引張り試験における０．２％耐力値が９０ＭＰａ以下であり、かつ前記導体の結晶粒径が２０μｍ以上３００μｍ以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池用はんだめっき線およびその製造方法に係り、特に、太陽電池のシリコンセルとはんだ接続するのに好適な太陽電池用はんだめっき線およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板上にシリコン結晶を成長させた太陽電池においては、図６に示すように、通常、シリコン結晶ウェハ（シリコンセル）５１の所定の領域に接続用リード線５３を接合し、これを通じて電力を伝送する構成としている。
【０００３】
上記接続用リード線５３は、平角導体の表面に、シリコンセルとの接続のためのはんだめっき膜が形成される。例えば、図７に示すように、平角導体６１としてタフピッチ銅や無酸素銅などの純銅を用い、その外側に形成されたはんだめっき膜６３として、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだを用いたものがある（例えば、特許文献１参照）。また、近年、環境への配慮から、はんだめっき膜の構成材として、Ｐｂを含まないはんだ（Ｐｂフリーはんだ）への切り替えが検討されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
ところで、太陽電池を構成する部材のうち、シリコン結晶ウェハが材料コストの大半を占めていることから、製造コストの低減を図るべくシリコン結晶ウェハの薄板化が検討されている。しかし、シリコン結晶ウェハを薄板化すると、接続用リード線のはんだ接合時における加熱プロセスや、太陽電池使用時における温度変化により、図８に示すように、はんだ接続前（ａ）はフラットであったシリコンセル５１及び接続用リード線５３が、はんだ接続後（ｂ）にはんだめっき５５を介して接続したシリコンセル５１と接続用リード線５３が反ったり、破損したりするおそれがあった。このため、これに対処すべく、接続用リード線５３として、熱膨張の小さい線材のニーズが高まっている。
【０００５】
熱膨張の小さい接続用リード線の従来例として、図９に示すように、インバー（Ｆｅ−３６ｍａｓｓ％Ｎｉ）７３をＣｕ材７１でクラッドし、表面にはんだめっき膜７５を形成したクラッド材が採用される場合もある。
【０００６】
図４に、このような銅−インバー−銅（Ｃｕ／Ｆｅ−３６ｍａｓｓ％Ｎｉ／Ｃｕ）のクラッド材特性を、Ｃｕ単独、インバー単独（Ｆｅ−３６ｍａｓｓ％Ｎｉ）、シリコン単独の材料特性と比較して示す。インバー単独ではなくクラッド材を採用するのは、同図からわかるように、インバーの体積抵抗率がＣｕに比べて５０倍近く大きいため、接続用リード線全体の体積抵抗率をＣｕ材で下げるためである。Ｃｕよりも熱膨張係数の小さいクラッド材を用いると、Ｃｕを用いた場合と比べて、シリコンとの熱膨張整合が可能になるので、シリコンセルと接続用リード線が反ったり、破損したりするおそれが低減する。
【特許文献１】特開平１１−２１６６０号公報
【特許文献２】特開２００２−２６３８８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、銅−インバー−銅の３層構造による接続用リード線では、インバーの両面に配置されている銅材料の結晶の配向、または結晶粒の不均一によって、なお太陽電池に反りなどの変形が生ずることがあった。これらは、太陽電池モジュールの生産性低下や、長期間使用した際の発電効率低下など信頼性を低下させる原因となっていた。加えて、側面の銅−インバー−銅接合部が水分にさらされることにより、局部電池化し腐食するおそれもあった。
また、熱膨張の小さいインバーを用いて、銅−インバー−銅をクラッドした平角導体を製造すると、シリコンとの熱膨張整合が可能になるものの、Ｃｕに比べて体積抵抗率が増大するため、導電率が低下して太陽電池としての発電効率が下落する。しかも、インバーにはニッケル（Ｎｉ）が３６％程度も含まれているため、高価になってしまうという欠点があった。
更に、インバーを用いたリードフレームでは、回路形成時に打抜き加工を行うため、無駄になる材料が大量に発生してしまい、製造コストの上昇を招くという問題もあった。
導体材料としてＣｕ系の材料を使用する場合、酸素含有量が少ない材料はコスト高であるため、酸素含有量がコントロールされていない材料を用いるのが経済的であるが、導体材料はコイル状にして熱処理が行われるため、酸素含有量が多い材料ではその熱処理の際に材料間の粘着が発生し、巻き出す際に導体が変形してしまうという問題があった。
【０００８】
従って、本発明の目的は、太陽電池を薄板化した場合でも接続用リード線の接合時に太陽電池の反りもしくは破損が生じにくい太陽電池用はんだめっき線を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、導電率が良好な太陽電池用はんだめっき線を提供することにある。
【００１０】
更に、本発明の他の目的は、製造コストの上昇を抑えることが可能な太陽電池用はんだめっき線の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、平角状に形成された導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆された太陽電池用はんだめっき線において、前記導体の引張り試験における０．２％耐力値が９０ＭＰａ以下であり、かつ前記導体の結晶粒径が２０μｍ以上３００μｍ以下である太陽電池用はんだめっき線が提供される。
好ましくは前記導体の体積抵抗率を５０μΩ・ｍｍ以下とする。また、好ましくは前記はんだめっきが、Ｓｎ系はんだ、または第２成分としてＰｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕから選択される少なくとも１種の元素を０．１ｗｔ％以上含むＳｎ系合金はんだとする。また、好ましくは前記導体がＡｌ、Ａｇ、およびＡｕからなる群から選ばれた１種とする。また、好ましくは前記導体がタフピッチＣｕ、無酸素Ｃｕ、リン脱酸Ｃｕ、および高純度Ｃｕ（９９．９９９９％以上）からなる群から選ばれた１種とする。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、導体を圧延またはスリット加工によって平角状断面に成形し、前記平角状断面に形成された導体に熱処理を施して、前記導体の引張り試験における０．２％耐力値を９０ＭＰａ以下とし、かつ前記導体の結晶粒径を２０μｍ以上３００μｍ以下とし、さらに前記導体の表面の一部又は全部にはんだめっきを被覆した太陽電池用はんだめっき線の製造方法が提供される。
好ましくは、前記導体を、その体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下とする。また、好ましくは前記熱処理の条件を、温度４５０〜７５０℃で、かつ時間３０〜９０分とする。また、好ましくは前記熱処理の条件を、温度２００〜４５０℃、かつ時間６０〜１２０分とする。また、好ましくは前記導体がＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、およびＡｕからなる群から選ばれた１種とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、太陽電池を薄板化した場合でも接続用リード線の接合時に太陽電池の反りもしくは破損が生じにくい太陽電池用はんだめっき線を提供することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、導電率が良好な太陽電池用はんだめっき線を提供することができる。
【００１５】
更に、本発明によれば、熱処理の際に材料間に粘着が発生せず、かつ製造コストの上昇を抑えることができる太陽電池用はんだめっき線の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施の形態について説明する。ここでは、太陽電池用はんだめっき線は、太陽電池用導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆されたものをいう。
【００１７】
（太陽電池用導体）
一実施の形態の太陽電池用導体（以下、導体という）は、太陽電池モジュール（シリコン結晶ウェハ）のシリコンセル面ヘのはんだ接続が容易となるように、軟質材の導体の外形形状が断面平角状とされている。
【００１８】
（導体の体積抵抗率）
上記導体は、太陽電池の発電ロスを軽減する観点から、体積抵抗率が比較的小さい導体材料、例えば、体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下の材料を用いることが好ましい。
体積抵抗率が比較的小さい導体材料としては、図３に示すように、Ｃｕの他にＡｕ，Ａｇ，Ａｌなどがある。この中で体積抵抗率が最も低いのはＡｇであり、発電効率を最大限にすることが可能である。一方、低コスト化を優先するときにはＣｕが良く、軽量化を図りたいときにはＡｌを選択するのが望ましい。
特にＣｕの種類としてはタフピッチＣｕ、無酸素Ｃｕ、リン脱酸Ｃｕ、高純度Ｃｕ（純度９９．９９９９％以上）のいずれを用いることも可能である。導体の引張り試験における０．２％耐力を最も小さくするためには純度が高いＣｕが有利であり、すなわち高純度Ｃｕ（純度９９．９９９９％以上）を選択する。一方、不純物が入り０．２％耐力は大きくなるが低コスト化を図りたい時には、タフピッチＣｕもしくはリン脱酸Ｃｕを選択する。
【００１９】
（導体の０．２％耐力値）
一般に熱膨張率の異なる異種金属を高温で接続した場合には、温度変化に熱膨張率、ヤング率を積算した値が反りを発生させる力となる。しかし、太陽電池のように接続する両部材の剛性が著しく異なり、また、はんだ接続温度も２００℃以上と高温のものでは、断面積が小さい導体の方が降伏してしまい、上記熱膨張率、ヤング率による力がそのまま反り発生力とはならない。
【００２０】
導体の場合、降伏応力が小さいと少ない力で塑性変形してしまい、それ以上の変形抵抗とならない。即ち、低強度および低耐力であるほど、接合時のシリコン結晶ウェハへの負荷が軽減する。このため、塑性変形の指標として引張り試験における０．２％耐力値を用い、導体の０．２％耐力を９０ＭＰａ以下とする。このような０．２％耐力値の低い軟質の導体を選択することにより、シリコン結晶ウェハヘ導体接合の際の熱応力（シリコンセルを反らせる力）を低減することができる。特に、０．２％耐力を８０ＭＰａ以下にすることにより銅−インバー−銅のクラッド材よりもシリコンの反りを低減することが可能となり、実用上大きな効果が得られる。
【００２１】
（導体の結晶粒径）
また、上記０．２％耐力は導体の結晶粒径との相関が大きいことが知られており、一方で粒界が少ないほど、すなわち結晶粒径が大きいほど変形抵抗は小さい。他方で粒径が大きくなりすぎると材料の伸びは低下し、脆い材料となる。従って、結晶粒径および導体の伸びは一定条件範囲に入っている必要がある。ここでの結晶粒径とは、導体の結晶粒径を平均化したものである。
導体の結晶粒径が３００μｍ以上であり、導体の伸びが１０％未満であると、導体が脆くなるため耐クラック性が落ちる。そのため導体の結晶粒径が３００μｍ以上だと太陽電池パネルなどへ組み込む成型加工の際、太陽電池用はんだめっき線、例えばはんだ被覆導体平角線に亀裂が発生したり、長期信頼性が不十分になるといった不具合の原因になる。また、結晶粒径が２０μｍ以下だと、耐クラック性は問題はないが、導体の軟質性が失われるため、シリコンセルの反りが大きくなる。従って、導体の結晶粒径としては２０〜３００μｍの範囲が好ましい。
【００２２】
（好適な導体の０．２％耐力値、および結晶粒径）
上述したことから、導体の０．２％耐力は９０ＭＰａ以下で、また、導体の結晶粒径としては２０〜３００μｍの条件が好ましい。この範囲であれば、従来方式よりも大幅にシリコンセルの反りを低減出来、尚かつ結晶粒径粗大化による脆性を防止できるため、クラックや長期信頼性の低下を防止することができる。
【００２３】
（太陽電池用平角導体の製造方法）
導体の加工法としては圧延加工、スリット加工のいずれも適用可能である。丸線から圧延して平角化する方式は長尺で均一なものが製造できる。スリット方式では種々の幅の材料に対応できるメリットがある。
例えば、好適な太陽電池用平角導体は、導体をダイス伸線もしくはロール圧延、あるいはそれらの複合工程により平角状に成形した後、通電方式もしくはバッチ式の設備で熱処理して０．２％耐力を低減することで得られる。ここで、０．２％耐力を低減するための熱処理方式としては、通電加熱方式よりも熱エネルギーを十分に与えられるヒータによるバッチ式加熱方式が望ましい。あるいは酸化を防止する観点から水素還元雰囲気の炉を用いることもできる。
【００２４】
熱処理する場合、所望の結晶粒径を得るためには、時間と温度を規定する必要がある。
高温では比較的短時間で熱処理が完了する。低温では長時間を必要とするが、設備的には安価なものを用いることができる。
導体がＣｕの場合、温度が４５０〜７５０℃の時には加熱時間は３０〜９０分程度のときが適正であり、結晶粒径２０〜３００μｍを得ることができる。
【００２５】
熱処理条件は上記の場合に限定されず温度と時間の組み合わせで、結晶粒径を制御できる。例えば、温度が２００〜４５０℃の時には加熱時間は６０〜１２０分程度のときが適正であり、結晶粒径２０〜３００μｍを得ることができる。
なお、導体としてＣｕ以外のＡｇ、Ａｕ、Ａｌについても、Ｃｕの場合と同様に熱処理条件で結晶粒径を制御できる。
【００２６】
（太陽電池用はんだめっき線）
本発明の一実施形態における太陽電池用はんだめっき線は、導体の表面全体に、はんだめっき膜を施したものである。はんだめっきは、環境面から、好ましくは鉛フリー品とし、導体の表面の外周の一部又は全部について実施する。
【００２７】
また、はんだ組成については、これまで導体にＣｕを用いたものではシリコンセルとの熱膨張整合を考慮して低温接続が可能なものが求められていたが、本実施形態の導体を用いることで、シリコンセルの反りが小さいことから、接続温度が高いＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の組成のはんだを用いることが可能となる。
導体の被覆に用いるはんだは、Ｓｎ系はんだ、あるいは第２成分としてＰｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕから選択される少なくとも１種の元素を０．１ｗｔ％以上含むＳｎ系合金はんだであるが、第３成分として１０００ｐｐｍ以下の微量元素を含んでいるものを用いてもよい。
【００２８】
この太陽電池用はんだめっき線を、シリコン結晶ウェハ（太陽電池モジュール）におけるシリコンセル面の所定の接点領域（例えば、Ａｇメッキ領域）に接続することで、太陽電池アセンブリが得られる。
【００２９】
（太陽電池用はんだめっき線の効果）
以上説明したように、本実施形態の太陽電池用はんだめっき線は、太陽電池のシリコンセルとはんだ接続しても、従来方式よりもシリコンセルの反りが少なく、結晶粒粗大化による脆化を防止でき、かつ電気的特性にも優れる。
すなわち、導体の０．２％耐力値として９０ＭＰａ以下のものを用いているので、はんだ接続後の導体の熱収縮によって、シリコンセルに発生する熱応力を低減できる。このため、シリコンセルとはんだ接続後の熱収縮の際に、シリコンセルの反りを減少させることができる。
また、導体の結晶粒径が２０〜３００μｍの範囲に入るものを用いて、結晶粒径の最大値を規制しているので導体の脆化を防止することができ、結晶粒径の最小値を規制しているので結晶粒径の面からもシリコンセルの反りを防止することができる。
【００３０】
また、Ｃｕの結晶粒径が３００μｍ以上だと太陽電池パネルなどへ組み込む成型加工の際、平角線に亀裂が発生したり、長期信頼性が不十分になるといった不具合の原因になるが、本実施の形態のＣｕの結晶粒径は２０〜３００μｍであるため、太陽電池用はんだめっき線の好適な伸び量を十分に得ることができ、成型加工、長期にわたる信頼性に優れる。
また、本実施形態の太陽電池用はんだめっき線は、体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下の高導電性を有する導体を用いているので、太陽電池としての発電効率を良好に維持することができる。
【００３１】
更に、本実施形態の製造方法によれば、熱処理条件により、導体の０．２％耐力値を所定値以下となるようにし、かつ導体の結晶粒径が所定の範囲に入るようにしているので、コストがかからず簡易な方法で太陽電池用はんだめっき線を提供することができる。
【実施例】
【００３２】
（実施例）
幅２．０ｍｍ、厚さ０．１６ｍｍのＣｕ材料を平角線状に圧延成形して導体とし、熱処理条件を８５０℃／４０分、７５０℃／４０分、６５０℃／６０分、…３００℃／９０分、および２００℃／１２０分、１５０℃／１５０分と変えて熱処理した。熱処理後導体の周囲をＳｎ−３％Ａｇ−０．５％Ｃｕ系の鉛フリーはんだで被覆してはんだめっき膜を設け、はんだ被覆Ｃｕ平角線を形成し、そのときのＣｕの結晶粒径、Ｃｕ及びはんだ被覆Ｃｕの０．２％耐力を調べた。その結果を図１に示す。
【００３３】
ここでの結晶粒径とは、はんだめっき平角線の断面において、結晶粒の大きい方から例えば１０個選び、その径を平均化したものである。また、はんだ被覆品Ｃｕの０．２％耐力σは、はんだを除く導体の断面積Ａで、導体に０．２％の歪を与える引張試験における荷重（外力）Ｆを除算して求めている。式で示せば、次の通りである。
σ＝Ｆ／Ａ
【００３４】
熱処理条件を７５０℃／４０分…２００℃／１２０分と変えて処理した場合、平角Ｃｕの結晶粒径は３００〜２０μｍであった。また、平角Ｃｕの０．２％耐力は２０〜９０ＭＰａであり、すべて９０ＭＰａ以下であった。熱処理条件を８５０℃／４０分と１５０℃／１５０分と変えて処理した場合は、平角Ｃｕの結晶粒径はそれぞれ４００μｍ、１５μｍであった。また、Ｃｕの０．２％耐力はそれぞれ２０ＭＰａ、１２０ＭＰａであり、熱処理条件が１５０℃／１５０分のときの０．２％耐力は９０ＭＰａを超えていた。
【００３５】
上述したはんだ被覆Ｃｕ平角線を縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ２００μｍのシリコンセルにはんだ接続したものの耐クラックとシリコンセルの反りを調べた。その結果を同じく図１に示す。同図において、耐クラック、シリコンセルの反りの欄における評価印の○、△、×はそれぞれ良、やや良、不良を意味する。
【００３６】
結晶粒径の大径化に伴ってＣｕの伸びが増加し、Ｃｕの０．２％耐力は減少する。Ｃｕの結晶粒径が２５０μｍを超えると逆にＣｕの伸びが低下し始める。Ｃｕの０．２％耐力が８０ＭＰａや９０ＭＰａを示す結晶粒径が４０μｍや２０μｍのとき、シリコンセルの反りは減少傾向にあるため、やや良であった。Ｃｕの０．２％耐力が５０ＭＰａを示す結晶粒径が６０μｍを超えると、シリコンセルの反りは減少させることができ、良であった。Ｃｕの結晶粒径が３００μｍになると、２５０μｍまでは良であった耐クラック性がやや良に落ちた。
【００３７】
Ｃｕの結晶粒径が４００μｍのときは耐クラック性は不良であった。また、Ｃｕの０．２％耐力が１２０ＭＰａを示す結晶粒径が１５μｍのとき、シリコンセルの反りが大きく、不良であった。
【００３８】
特に、図１の中からはんだ被覆Ｃｕの０．２％耐力が６０、７０、１００ＭＰａのものについて、具体的な反りの量（ｍｍ）を調べた結果を図２に示す。図２の結果より、０．２％耐力の低下とともに反りも低減し、はんだ被覆Ｃｕの０．２％耐力が７０ＭＰａのものでは、従来の１６０ＭＰａを用いたものよりも１／２程度に反りが低減できることが分かった。この範囲であれば太陽電池用はんだめっき線として使用可能である。比較例としてＣｕ−インバー−Ｃｕ（比率２：１：２）を接続したものと、０．２％耐力が６０ＭＰａのＣｕ導体を接続したもののシリコンセルの反りを調べたところ、前者では３．０ｍｍあったものが、後者では１．５ｍｍと半分となることを確認できた。
【００３９】
また、図５にＣｕ系材料の酸素含有量を変えた際の実施例を示す。コストの欄における評価印の◎、○、△、×は、それぞれ優良、良好、やや良、不良を意味する。粘着性の欄における評価印の○、△、×は、それぞれ良好、やや良、不良を意味する。Ｃｕ系の材料を用いる場合、酸素の含有量が２０ｐｐｍを下まわる領域では材料が高価となる。そのため酸素をある程度含んだ材料の選択が必要となる。しかし、その量が４００ｐｐｍを超えると熱処理時に密着しているところが粘着し、巻き出し時に導体が変形するため、酸素含有量は２５〜４００ｐｐｍの範囲が望ましいことが確認できた。したがって、本発明によれば、酸素含有量が適正な材料を用いることにより、材料の低コスト化を図りながら熱処理（バッチ式熱処理）時の材料同士の粘着を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施の形態における熱処理条件および結晶粒径と、０．２％耐力、耐クラック、およびセルのそりの関係を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態における種々の０．２％耐力のはんだ被覆Ｃｕ平角線を接続した際のセルの反り量を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態における各種導体材料の熱膨張係数、ヤング率、体積抵抗率を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態における銅−インバー−銅の材料特性を、Ｃｕ単独、インバー単独、シリコン単独の材料特性と比較した図である。
【図５】本発明の実施の形態におけるＣｕ系材料の酸素含有量を変化させた場合の、コスト及び粘着性を比較した図である。
【図６】一般的な太陽電池セルヘの接続用リード線の接続状態を示す斜視図である。
【図７】従来例の太陽電池用はんだめっき線を示す断面図である。
【図８】従来例のシリコンセルと接続用リード線とをはんだ接続する際に発生する反りを示す説明図である。
【図９】従来例の別な太陽電池用はんだめっき線を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１ 導体
１０ 太陽電池用平角導体
１３ はんだめっき膜
２０ 太陽電池用はんだめっき線
５１ シリコンセル
５３ 接続用リード線
５５ はんだめっき
６１ 平角導体
６３ はんだめっき膜
７１ 銅材
７３ インバー
７５ はんだめっき膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池用はんだめっき線およびその製造方法に係り、特に、太陽電池のシリコンセルとはんだ接続するのに好適な太陽電池用はんだめっき線およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板上にシリコン結晶を成長させた太陽電池においては、図６に示すように、通常、シリコン結晶ウェハ（シリコンセル）５１の所定の領域に接続用リード線５３を接合し、これを通じて電力を伝送する構成としている。
【０００３】
上記接続用リード線５３は、平角導体の表面に、シリコンセルとの接続のためのはんだめっき膜が形成される。例えば、図７に示すように、平角導体６１としてタフピッチ銅や無酸素銅などの純銅を用い、その外側に形成されたはんだめっき膜６３として、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだを用いたものがある（例えば、特許文献１参照）。また、近年、環境への配慮から、はんだめっき膜の構成材として、Ｐｂを含まないはんだ（Ｐｂフリーはんだ）への切り替えが検討されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
ところで、太陽電池を構成する部材のうち、シリコン結晶ウェハが材料コストの大半を占めていることから、製造コストの低減を図るべくシリコン結晶ウェハの薄板化が検討されている。しかし、シリコン結晶ウェハを薄板化すると、接続用リード線のはんだ接合時における加熱プロセスや、太陽電池使用時における温度変化により、図８に示すように、はんだ接続前（ａ）はフラットであったシリコンセル５１及び接続用リード線５３が、はんだ接続後（ｂ）にはんだめっき５５を介して接続したシリコンセル５１と接続用リード線５３が反ったり、破損したりするおそれがあった。このため、これに対処すべく、接続用リード線５３として、熱膨張の小さい線材のニーズが高まっている。
【０００５】
熱膨張の小さい接続用リード線の従来例として、図９に示すように、インバー（Ｆｅ−３６ｍａｓｓ％Ｎｉ）７３をＣｕ材７１でクラッドし、表面にはんだめっき膜７５を形成したクラッド材が採用される場合もある。
【０００６】
図４に、このような銅−インバー−銅（Ｃｕ／Ｆｅ−３６ｍａｓｓ％Ｎｉ／Ｃｕ）のクラッド材特性を、Ｃｕ単独、インバー単独（Ｆｅ−３６ｍａｓｓ％Ｎｉ）、シリコン単独の材料特性と比較して示す。インバー単独ではなくクラッド材を採用するのは、同図からわかるように、インバーの体積抵抗率がＣｕに比べて５０倍近く大きいため、接続用リード線全体の体積抵抗率をＣｕ材で下げるためである。Ｃｕよりも熱膨張係数の小さいクラッド材を用いると、Ｃｕを用いた場合と比べて、シリコンとの熱膨張整合が可能になるので、シリコンセルと接続用リード線が反ったり、破損したりするおそれが低減する。
【特許文献１】特開平１１−２１６６０号公報
【特許文献２】特開２００２−２６３８８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、銅−インバー−銅の３層構造による接続用リード線では、インバーの両面に配置されている銅材料の結晶の配向、または結晶粒の不均一によって、なお太陽電池に反りなどの変形が生ずることがあった。これらは、太陽電池モジュールの生産性低下や、長期間使用した際の発電効率低下など信頼性を低下させる原因となっていた。加えて、側面の銅−インバー−銅接合部が水分にさらされることにより、局部電池化し腐食するおそれもあった。
また、熱膨張の小さいインバーを用いて、銅−インバー−銅をクラッドした平角導体を製造すると、シリコンとの熱膨張整合が可能になるものの、Ｃｕに比べて体積抵抗率が増大するため、導電率が低下して太陽電池としての発電効率が下落する。しかも、インバーにはニッケル（Ｎｉ）が３６％程度も含まれているため、高価になってしまうという欠点があった。
更に、インバーを用いたリードフレームでは、回路形成時に打抜き加工を行うため、無駄になる材料が大量に発生してしまい、製造コストの上昇を招くという問題もあった。
導体材料としてＣｕ系の材料を使用する場合、酸素含有量が少ない材料はコスト高であるため、酸素含有量がコントロールされていない材料を用いるのが経済的であるが、導体材料はコイル状にして熱処理が行われるため、酸素含有量が多い材料ではその熱処理の際に材料間の粘着が発生し、巻き出す際に導体が変形してしまうという問題があった。
【０００８】
従って、本発明の目的は、太陽電池を薄板化した場合でも接続用リード線の接合時に太陽電池の反りもしくは破損が生じにくい太陽電池用はんだめっき線を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、導電率が良好な太陽電池用はんだめっき線を提供することにある。
【００１０】
更に、本発明の他の目的は、製造コストの上昇を抑えることが可能な太陽電池用はんだめっき線の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、平角状に形成された導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆された太陽電池用はんだめっき線において、前記導体の引張り試験における０．２％耐力値が９０ＭＰａ以下であり、かつ前記導体の結晶粒径が２０μｍ以上３００μｍ以下である太陽電池用はんだめっき線が提供される。
好ましくは前記導体の体積抵抗率を５０μΩ・ｍｍ以下とする。また、好ましくは前記はんだめっきが、Ｓｎ系はんだ、または第２成分としてＰｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕから選択される少なくとも１種の元素を０．１ｗｔ％以上含むＳｎ系合金はんだとする。また、好ましくは前記導体がＡｌ、Ａｇ、およびＡｕからなる群から選ばれた１種とする。また、好ましくは前記導体がタフピッチＣｕ、無酸素Ｃｕ、リン脱酸Ｃｕ、および高純度Ｃｕ（９９．９９９９％以上）からなる群から選ばれた１種とする。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、導体を圧延またはスリット加工によって平角状断面に成形し、前記平角状断面に形成された導体に熱処理を施して、前記導体の引張り試験における０．２％耐力値を９０ＭＰａ以下とし、かつ前記導体の結晶粒径を２０μｍ以上３００μｍ以下とし、さらに前記導体の表面の一部又は全部にはんだめっきを被覆した太陽電池用はんだめっき線の製造方法が提供される。
好ましくは、前記導体を、その体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下とする。また、好ましくは前記熱処理の条件を、温度４５０〜７５０℃で、かつ時間３０〜９０分とする。また、好ましくは前記熱処理の条件を、温度２００〜４５０℃、かつ時間６０〜１２０分とする。また、好ましくは前記導体がＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、およびＡｕからなる群から選ばれた１種とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、太陽電池を薄板化した場合でも接続用リード線の接合時に太陽電池の反りもしくは破損が生じにくい太陽電池用はんだめっき線を提供することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、導電率が良好な太陽電池用はんだめっき線を提供することができる。
【００１５】
更に、本発明によれば、熱処理の際に材料間に粘着が発生せず、かつ製造コストの上昇を抑えることができる太陽電池用はんだめっき線の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施の形態について説明する。ここでは、太陽電池用はんだめっき線は、太陽電池用導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆されたものをいう。
【００１７】
（太陽電池用導体）
一実施の形態の太陽電池用導体（以下、導体という）は、太陽電池モジュール（シリコン結晶ウェハ）のシリコンセル面ヘのはんだ接続が容易となるように、軟質材の導体の外形形状が断面平角状とされている。
【００１８】
（導体の体積抵抗率）
上記導体は、太陽電池の発電ロスを軽減する観点から、体積抵抗率が比較的小さい導体材料、例えば、体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下の材料を用いることが好ましい。
体積抵抗率が比較的小さい導体材料としては、図３に示すように、Ｃｕの他にＡｕ，Ａｇ，Ａｌなどがある。この中で体積抵抗率が最も低いのはＡｇであり、発電効率を最大限にすることが可能である。一方、低コスト化を優先するときにはＣｕが良く、軽量化を図りたいときにはＡｌを選択するのが望ましい。
特にＣｕの種類としてはタフピッチＣｕ、無酸素Ｃｕ、リン脱酸Ｃｕ、高純度Ｃｕ（純度９９．９９９９％以上）のいずれを用いることも可能である。導体の引張り試験における０．２％耐力を最も小さくするためには純度が高いＣｕが有利であり、すなわち高純度Ｃｕ（純度９９．９９９９％以上）を選択する。一方、不純物が入り０．２％耐力は大きくなるが低コスト化を図りたい時には、タフピッチＣｕもしくはリン脱酸Ｃｕを選択する。
【００１９】
（導体の０．２％耐力値）
一般に熱膨張率の異なる異種金属を高温で接続した場合には、温度変化に熱膨張率、ヤング率を積算した値が反りを発生させる力となる。しかし、太陽電池のように接続する両部材の剛性が著しく異なり、また、はんだ接続温度も２００℃以上と高温のものでは、断面積が小さい導体の方が降伏してしまい、上記熱膨張率、ヤング率による力がそのまま反り発生力とはならない。
【００２０】
導体の場合、降伏応力が小さいと少ない力で塑性変形してしまい、それ以上の変形抵抗とならない。即ち、低強度および低耐力であるほど、接合時のシリコン結晶ウェハへの負荷が軽減する。このため、塑性変形の指標として引張り試験における０．２％耐力値を用い、導体の０．２％耐力を９０ＭＰａ以下とする。このような０．２％耐力値の低い軟質の導体を選択することにより、シリコン結晶ウェハヘ導体接合の際の熱応力（シリコンセルを反らせる力）を低減することができる。特に、０．２％耐力を８０ＭＰａ以下にすることにより銅−インバー−銅のクラッド材よりもシリコンの反りを低減することが可能となり、実用上大きな効果が得られる。
【００２１】
（導体の結晶粒径）
また、上記０．２％耐力は導体の結晶粒径との相関が大きいことが知られており、一方で粒界が少ないほど、すなわち結晶粒径が大きいほど変形抵抗は小さい。他方で粒径が大きくなりすぎると材料の伸びは低下し、脆い材料となる。従って、結晶粒径および導体の伸びは一定条件範囲に入っている必要がある。ここでの結晶粒径とは、導体の結晶粒径を平均化したものである。
導体の結晶粒径が３００μｍ以上であり、導体の伸びが１０％未満であると、導体が脆くなるため耐クラック性が落ちる。そのため導体の結晶粒径が３００μｍ以上だと太陽電池パネルなどへ組み込む成型加工の際、太陽電池用はんだめっき線、例えばはんだ被覆導体平角線に亀裂が発生したり、長期信頼性が不十分になるといった不具合の原因になる。また、結晶粒径が２０μｍ以下だと、耐クラック性は問題はないが、導体の軟質性が失われるため、シリコンセルの反りが大きくなる。従って、導体の結晶粒径としては２０〜３００μｍの範囲が好ましい。
【００２２】
（好適な導体の０．２％耐力値、および結晶粒径）
上述したことから、導体の０．２％耐力は９０ＭＰａ以下で、また、導体の結晶粒径としては２０〜３００μｍの条件が好ましい。この範囲であれば、従来方式よりも大幅にシリコンセルの反りを低減出来、尚かつ結晶粒径粗大化による脆性を防止できるため、クラックや長期信頼性の低下を防止することができる。
【００２３】
（太陽電池用平角導体の製造方法）
導体の加工法としては圧延加工、スリット加工のいずれも適用可能である。丸線から圧延して平角化する方式は長尺で均一なものが製造できる。スリット方式では種々の幅の材料に対応できるメリットがある。
例えば、好適な太陽電池用平角導体は、導体をダイス伸線もしくはロール圧延、あるいはそれらの複合工程により平角状に成形した後、通電方式もしくはバッチ式の設備で熱処理して０．２％耐力を低減することで得られる。ここで、０．２％耐力を低減するための熱処理方式としては、通電加熱方式よりも熱エネルギーを十分に与えられるヒータによるバッチ式加熱方式が望ましい。あるいは酸化を防止する観点から水素還元雰囲気の炉を用いることもできる。
【００２４】
熱処理する場合、所望の結晶粒径を得るためには、時間と温度を規定する必要がある。
高温では比較的短時間で熱処理が完了する。低温では長時間を必要とするが、設備的には安価なものを用いることができる。
導体がＣｕの場合、温度が４５０〜７５０℃の時には加熱時間は３０〜９０分程度のときが適正であり、結晶粒径２０〜３００μｍを得ることができる。
【００２５】
熱処理条件は上記の場合に限定されず温度と時間の組み合わせで、結晶粒径を制御できる。例えば、温度が２００〜４５０℃の時には加熱時間は６０〜１２０分程度のときが適正であり、結晶粒径２０〜３００μｍを得ることができる。
なお、導体としてＣｕ以外のＡｇ、Ａｕ、Ａｌについても、Ｃｕの場合と同様に熱処理条件で結晶粒径を制御できる。
【００２６】
（太陽電池用はんだめっき線）
本発明の一実施形態における太陽電池用はんだめっき線は、導体の表面全体に、はんだめっき膜を施したものである。はんだめっきは、環境面から、好ましくは鉛フリー品とし、導体の表面の外周の一部又は全部について実施する。
【００２７】
また、はんだ組成については、これまで導体にＣｕを用いたものではシリコンセルとの熱膨張整合を考慮して低温接続が可能なものが求められていたが、本実施形態の導体を用いることで、シリコンセルの反りが小さいことから、接続温度が高いＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の組成のはんだを用いることが可能となる。
導体の被覆に用いるはんだは、Ｓｎ系はんだ、あるいは第２成分としてＰｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕから選択される少なくとも１種の元素を０．１ｗｔ％以上含むＳｎ系合金はんだであるが、第３成分として１０００ｐｐｍ以下の微量元素を含んでいるものを用いてもよい。
【００２８】
この太陽電池用はんだめっき線を、シリコン結晶ウェハ（太陽電池モジュール）におけるシリコンセル面の所定の接点領域（例えば、Ａｇメッキ領域）に接続することで、太陽電池アセンブリが得られる。
【００２９】
（太陽電池用はんだめっき線の効果）
以上説明したように、本実施形態の太陽電池用はんだめっき線は、太陽電池のシリコンセルとはんだ接続しても、従来方式よりもシリコンセルの反りが少なく、結晶粒粗大化による脆化を防止でき、かつ電気的特性にも優れる。
すなわち、導体の０．２％耐力値として９０ＭＰａ以下のものを用いているので、はんだ接続後の導体の熱収縮によって、シリコンセルに発生する熱応力を低減できる。このため、シリコンセルとはんだ接続後の熱収縮の際に、シリコンセルの反りを減少させることができる。
また、導体の結晶粒径が２０〜３００μｍの範囲に入るものを用いて、結晶粒径の最大値を規制しているので導体の脆化を防止することができ、結晶粒径の最小値を規制しているので結晶粒径の面からもシリコンセルの反りを防止することができる。
【００３０】
また、Ｃｕの結晶粒径が３００μｍ以上だと太陽電池パネルなどへ組み込む成型加工の際、平角線に亀裂が発生したり、長期信頼性が不十分になるといった不具合の原因になるが、本実施の形態のＣｕの結晶粒径は２０〜３００μｍであるため、太陽電池用はんだめっき線の好適な伸び量を十分に得ることができ、成型加工、長期にわたる信頼性に優れる。
また、本実施形態の太陽電池用はんだめっき線は、体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下の高導電性を有する導体を用いているので、太陽電池としての発電効率を良好に維持することができる。
【００３１】
更に、本実施形態の製造方法によれば、熱処理条件により、導体の０．２％耐力値を所定値以下となるようにし、かつ導体の結晶粒径が所定の範囲に入るようにしているので、コストがかからず簡易な方法で太陽電池用はんだめっき線を提供することができる。
【実施例】
【００３２】
（実施例）
幅２．０ｍｍ、厚さ０．１６ｍｍのＣｕ材料を平角線状に圧延成形して導体とし、熱処理条件を８５０℃／４０分、７５０℃／４０分、６５０℃／６０分、…３００℃／９０分、および２００℃／１２０分、１５０℃／１５０分と変えて熱処理した。熱処理後導体の周囲をＳｎ−３％Ａｇ−０．５％Ｃｕ系の鉛フリーはんだで被覆してはんだめっき膜を設け、はんだ被覆Ｃｕ平角線を形成し、そのときのＣｕの結晶粒径、Ｃｕ及びはんだ被覆Ｃｕの０．２％耐力を調べた。その結果を図１に示す。
【００３３】
ここでの結晶粒径とは、はんだめっき平角線の断面において、結晶粒の大きい方から例えば１０個選び、その径を平均化したものである。また、はんだ被覆品Ｃｕの０．２％耐力σは、はんだを除く導体の断面積Ａで、導体に０．２％の歪を与える引張試験における荷重（外力）Ｆを除算して求めている。式で示せば、次の通りである。
σ＝Ｆ／Ａ
【００３４】
熱処理条件を７５０℃／４０分…２００℃／１２０分と変えて処理した場合、平角Ｃｕの結晶粒径は３００〜２０μｍであった。また、平角Ｃｕの０．２％耐力は２０〜９０ＭＰａであり、すべて９０ＭＰａ以下であった。熱処理条件を８５０℃／４０分と１５０℃／１５０分と変えて処理した場合は、平角Ｃｕの結晶粒径はそれぞれ４００μｍ、１５μｍであった。また、Ｃｕの０．２％耐力はそれぞれ２０ＭＰａ、１２０ＭＰａであり、熱処理条件が１５０℃／１５０分のときの０．２％耐力は９０ＭＰａを超えていた。
【００３５】
上述したはんだ被覆Ｃｕ平角線を縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ２００μｍのシリコンセルにはんだ接続したものの耐クラックとシリコンセルの反りを調べた。その結果を同じく図１に示す。同図において、耐クラック、シリコンセルの反りの欄における評価印の○、△、×はそれぞれ良、やや良、不良を意味する。
【００３６】
結晶粒径の大径化に伴ってＣｕの伸びが増加し、Ｃｕの０．２％耐力は減少する。Ｃｕの結晶粒径が２５０μｍを超えると逆にＣｕの伸びが低下し始める。Ｃｕの０．２％耐力が８０ＭＰａや９０ＭＰａを示す結晶粒径が４０μｍや２０μｍのとき、シリコンセルの反りは減少傾向にあるため、やや良であった。Ｃｕの０．２％耐力が５０ＭＰａを示す結晶粒径が６０μｍを超えると、シリコンセルの反りは減少させることができ、良であった。Ｃｕの結晶粒径が３００μｍになると、２５０μｍまでは良であった耐クラック性がやや良に落ちた。
【００３７】
Ｃｕの結晶粒径が４００μｍのときは耐クラック性は不良であった。また、Ｃｕの０．２％耐力が１２０ＭＰａを示す結晶粒径が１５μｍのとき、シリコンセルの反りが大きく、不良であった。
【００３８】
特に、図１の中からはんだ被覆Ｃｕの０．２％耐力が６０、７０、１００ＭＰａのものについて、具体的な反りの量（ｍｍ）を調べた結果を図２に示す。図２の結果より、０．２％耐力の低下とともに反りも低減し、はんだ被覆Ｃｕの０．２％耐力が７０ＭＰａのものでは、従来の１６０ＭＰａを用いたものよりも１／２程度に反りが低減できることが分かった。この範囲であれば太陽電池用はんだめっき線として使用可能である。比較例としてＣｕ−インバー−Ｃｕ（比率２：１：２）を接続したものと、０．２％耐力が６０ＭＰａのＣｕ導体を接続したもののシリコンセルの反りを調べたところ、前者では３．０ｍｍあったものが、後者では１．５ｍｍと半分となることを確認できた。
【００３９】
また、図５にＣｕ系材料の酸素含有量を変えた際の実施例を示す。コストの欄における評価印の◎、○、△、×は、それぞれ優良、良好、やや良、不良を意味する。粘着性の欄における評価印の○、△、×は、それぞれ良好、やや良、不良を意味する。Ｃｕ系の材料を用いる場合、酸素の含有量が２０ｐｐｍを下まわる領域では材料が高価となる。そのため酸素をある程度含んだ材料の選択が必要となる。しかし、その量が４００ｐｐｍを超えると熱処理時に密着しているところが粘着し、巻き出し時に導体が変形するため、酸素含有量は２５〜４００ｐｐｍの範囲が望ましいことが確認できた。したがって、本発明によれば、酸素含有量が適正な材料を用いることにより、材料の低コスト化を図りながら熱処理（バッチ式熱処理）時の材料同士の粘着を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施の形態における熱処理条件および結晶粒径と、０．２％耐力、耐クラック、およびセルのそりの関係を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態における種々の０．２％耐力のはんだ被覆Ｃｕ平角線を接続した際のセルの反り量を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態における各種導体材料の熱膨張係数、ヤング率、体積抵抗率を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態における銅−インバー−銅の材料特性を、Ｃｕ単独、インバー単独、シリコン単独の材料特性と比較した図である。
【図５】本発明の実施の形態におけるＣｕ系材料の酸素含有量を変化させた場合の、コスト及び粘着性を比較した図である。
【図６】一般的な太陽電池セルヘの接続用リード線の接続状態を示す斜視図である。
【図７】従来例の太陽電池用はんだめっき線を示す断面図である。
【図８】従来例のシリコンセルと接続用リード線とをはんだ接続する際に発生する反りを示す説明図である。
【図９】従来例の別な太陽電池用はんだめっき線を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１ 導体
１０ 太陽電池用平角導体
１３ はんだめっき膜
２０ 太陽電池用はんだめっき線
５１ シリコンセル
５３ 接続用リード線
５５ はんだめっき
６１ 平角導体
６３ はんだめっき膜
７１ 銅材
７３ インバー
７５ はんだめっき膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平角状に形成された導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆された太陽電池用はんだめっき線において、
前記導体の引張り試験における０．２％耐力値が９０ＭＰａ以下であり、かつ前記導体の結晶粒径が２０μｍ以上３００μｍ以下である太陽電池用はんだめっき線。
【請求項２】
前記導体の引張り試験における伸びが１０％以上である請求項１に記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項３】
前記導体の体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下である請求項１または２に記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項４】
前記はんだめっきが、Ｓｎ系はんだ、または第２成分としてＰｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕから選択される少なくとも１種の元素を０．１ｗｔ％以上含むＳｎ系合金はんだである請求項１ないし３のいずれかに記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項５】
前記導体がＡｌ、Ａｇ、およびＡｕからなる群から選ばれた１種である請求項１ないし４のいずれかに記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項６】
前記導体がタフピッチＣｕ、無酸素Ｃｕ、リン脱酸Ｃｕ、および高純度Ｃｕ（９９．９９９９％以上）からなる群から選ばれた１種である請求項１ないし４のいずれかに記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項７】
前記導体の酸素含有量が２５ｐｐｍ〜４００ｐｐｍであることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項８】
導体を圧延またはスリット加工によって平角状断面に成形し、
前記平角状断面に形成された導体に熱処理を施して、前記導体の引張り試験における０．２％耐力値を９０ＭＰａ以下とし、かつ前記導体の結晶粒径を２０μｍ以上３００μｍ以下とし、
さらに前記導体の表面の一部又は全部にはんだめっきを被覆した太陽電池用はんだめっき線の製造方法。
【請求項９】
前記導体が、その体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下である請求項８に記載の太陽電池用はんだめっき線の製造方法。
【請求項１０】
前記熱処理の条件が、温度４５０〜７５０℃で、かつ時間３０〜９０分である請求項８又は９に記載の太陽電池用はんだめっき線の製造方法。
【請求項１１】
前記熱処理の条件が、温度２００〜４５０℃、かつ時間６０〜１２０分である請求項８又は９に記載の太陽電池用はんだめっき線の製造方法。
【請求項１２】
前記導体がＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、およびＡｕからなる群から選ばれた１種である請求項８ないし１１のいずれかに記載の太陽電池用はんだめっき線の製造方法。
【請求項１】
平角状に形成された導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆された太陽電池用はんだめっき線において、
前記導体の引張り試験における０．２％耐力値が９０ＭＰａ以下であり、かつ前記導体の結晶粒径が２０μｍ以上３００μｍ以下である太陽電池用はんだめっき線。
【請求項２】
前記導体の引張り試験における伸びが１０％以上である請求項１に記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項３】
前記導体の体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下である請求項１または２に記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項４】
前記はんだめっきが、Ｓｎ系はんだ、または第２成分としてＰｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕから選択される少なくとも１種の元素を０．１ｗｔ％以上含むＳｎ系合金はんだである請求項１ないし３のいずれかに記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項５】
前記導体がＡｌ、Ａｇ、およびＡｕからなる群から選ばれた１種である請求項１ないし４のいずれかに記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項６】
前記導体がタフピッチＣｕ、無酸素Ｃｕ、リン脱酸Ｃｕ、および高純度Ｃｕ（９９．９９９９％以上）からなる群から選ばれた１種である請求項１ないし４のいずれかに記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項７】
前記導体の酸素含有量が２５ｐｐｍ〜４００ｐｐｍであることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池用はんだめっき線。
【請求項８】
導体を圧延またはスリット加工によって平角状断面に成形し、
前記平角状断面に形成された導体に熱処理を施して、前記導体の引張り試験における０．２％耐力値を９０ＭＰａ以下とし、かつ前記導体の結晶粒径を２０μｍ以上３００μｍ以下とし、
さらに前記導体の表面の一部又は全部にはんだめっきを被覆した太陽電池用はんだめっき線の製造方法。
【請求項９】
前記導体が、その体積抵抗率が５０μΩ・ｍｍ以下である請求項８に記載の太陽電池用はんだめっき線の製造方法。
【請求項１０】
前記熱処理の条件が、温度４５０〜７５０℃で、かつ時間３０〜９０分である請求項８又は９に記載の太陽電池用はんだめっき線の製造方法。
【請求項１１】
前記熱処理の条件が、温度２００〜４５０℃、かつ時間６０〜１２０分である請求項８又は９に記載の太陽電池用はんだめっき線の製造方法。
【請求項１２】
前記導体がＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、およびＡｕからなる群から選ばれた１種である請求項８ないし１１のいずれかに記載の太陽電池用はんだめっき線の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００８−１４０７８７（Ｐ２００８−１４０７８７Ａ）
【公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３１８５０９（Ｐ２００６−３１８５０９）
【出願日】平成１８年１１月２７日（２００６．１１．２７）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【出願人】（３０００５５７１９）日立電線ファインテック株式会社 (96)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月２７日（２００６．１１．２７）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【出願人】（３０００５５７１９）日立電線ファインテック株式会社 (96)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]