弾性表面波デバイス

【課題】本発明は、弾性表面波デバイスの温度特性の向上を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、ベース基板３上に圧電基板２をフリップチップ実装してその励振領域６を樹脂フィルム５で封止する弾性表面波デバイスにおいて、櫛形電極１の伝播路１２の延長領域で且つ圧電基板２の外周端近傍のベース基板３上に突起堤部１３を設けた。この構成により、弾性表面波デバイスにおける温度特性を改善できるのである。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等に用いられる弾性表面波デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の弾性表面波デバイスは、図５に示すごとく、櫛形電極１を有する圧電基板２をベース基板３にバンプ４を用いてフリップチップ実装し、この圧電基板２を樹脂フィルム５で覆い櫛形電極１の励振領域６を封止するとともに、圧電基板２の外周端部分のベース基板３の間にも樹脂フィルム５ａを介在させて、弾性表面波デバイスを樹脂モールドするようなモジュール化に伴うモールド圧力に対して耐圧補強を行っていた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】国際公開第２００６／０９３０７８号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような弾性表面波デバイスにおいては、樹脂フィルム５の熱膨張特性により弾性表面波デバイスの温度変化に応じて特に樹脂フィルム５ａの膨張応力が圧電基板２の両端部分を上方に押し上げるように加わり、その応力が櫛形電極１の伝播路の延長上に加わった場合、櫛形電極１の電極指ピッチ７が変動し、弾性表面波デバイスの周波数特性が変化してしまうという温度特性の問題があった。
【０００５】
そこで、本発明はこのような問題を解決し弾性表面波デバイスにおける温度特性の改善を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そして、この目的を達成するために本発明は、弾性表面波デバイスにおいて櫛形電極の伝播路の延長領域で且つ圧電基板の外周端近傍のベース基板上に突起堤部を設けたのである。
【発明の効果】
【０００７】
この構成により、弾性表面波デバイスにおける温度特性を改善できるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態における弾性表面波デバイスについて図面を用いて説明する。なお、上述した従来の技術と同様の構成については同じ符号を付して説明する。
【０００９】
図１は弾性表面波デバイスの断面を模式的に示したものであり、その基本構造はベース基板３上に圧電基板２をバンプ４を介してフリップチップ実装し、この圧電基板２を樹脂フィルム５で覆い弾性表面波デバイスの励振領域６を封止した構造となっている。
【００１０】
また、圧電基板２のベース基板３と対峙する表面には、図２に示すように弾性表面波を励振させる３つの櫛形電極１が伝播方向に並設され、さらにその両外側に反射器８を設けて縦モード結合型フィルタを形成する構成となっている。
【００１１】
なお、櫛形電極１は一対の櫛電極１ａ、１ｂにより構成されており、中央の櫛形電極１は一方の櫛電極１ａが入力パッド９に接続されるとともに他方の櫛電極１ｂが接地パッド１０に接続され、両外側の櫛形電極１は一方の櫛電極１ｂが出力パッド１１に接続されるとともに他方の櫛電極１ａが接地パッド１０に接続されている。また、各入力パッド９、出力パッド１１、接地パッド１０は図１に示されるようにバンプ４を介してベース基板３に実装した構成となっている。
【００１２】
また、圧電基板２はタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどが用いられ、ベース基板３はアルミナなどの高温焼成セラミックスやセラミックスにガラスを配合した低温焼成セラミックスが用いられる。
【００１３】
ここで、このようなベース基板３に圧電基板２をフリップチップ実装しその励振領域６を樹脂フィルム５で封止するタイプの弾性表面波デバイスは、その用途として他の周辺回路と共に樹脂モールドし一体化するモジュール品の一部として使用されることから、弾性表面波デバイスとしてモールド圧力に耐えなければならず、その耐圧補強構成として図５に示したように圧電基板２の外周端部分のベース基板３間にも樹脂フィルム５ａを介在させていたのであるが、この樹脂フィルム５の熱膨張特性により弾性表面波デバイスの温度変化に応じて応力が圧電基板２に加わり、その応力が櫛形電極１の伝播路の延長上に加わった場合、櫛形電極１の電極指ピッチ７が変動し、これに合わせて弾性表面波デバイスの周波数特性が変化してしまうという温度特性の問題があった。
【００１４】
そこで、この弾性表面波デバイスにおいては図３に示すごとく櫛形電極１の伝播路１２の延長領域で且つ圧電基板２の外周端近傍に位置するベース基板３の上面部分に圧電基板２側に突出した突起堤部１３を設けることでこの弾性表面波デバイスの温度特性を向上させたのである。なお、この図３はベース基板３の上面を示したもので、破線はこのベース基板３に実装される圧電基板２の外形及び櫛形電極１や反射器８等の電極パターンを示したものである。
【００１５】
すなわち、櫛形電極１の伝播路１２の延長領域で且つ圧電基板２の外周端近傍のベース基板３の表面に突起堤部１３を設けたことにより、弾性表面波デバイスにおける周波数特性に影響を及ぼす櫛形電極１の伝播路１２の延長領域に存在する樹脂量が低減され、これに伴い熱膨張が抑制されて電極指ピッチ７の変化を低減させ、結果として弾性表面波デバイスの温度特性を向上させることが出来るのである。
【００１６】
なお、圧電基板２の外周端近傍にバンプ４が配置されている場合、バンプ４と突起堤部１３や樹脂との接触が高周波特性的に好ましくなく、これを回避するためにバンプ４と突起堤部１３の間隔を大きくすれば製品が大型化してしまうという問題が生じるが、バンプ４自体が圧電基板２の支柱構造であることから、このバンプ４の近傍を突起堤部１３の非形成領域と突起堤部１３を圧電基板２の外周に沿って断続的に配置することが好ましい。なお、バンプ４がハンダ素材により形成されている場合には、突起堤部１３を圧電基板２の外周端に沿って断続的に配置することでフリップチップ実装工程においてハンダバンプ４に含まれていたフラックスの洗浄における突起堤部１３で囲まれる励振領域６にも十分に洗浄液を循環させることが可能となり、フラックスの洗浄効率が高められるのである。
【００１７】
また、突起堤部１３が圧電基板２の外周端近傍における外側にのみ存在する場合、樹脂を介する突起堤部１３と圧電基板２の支持構造がベース基板３に対して傾斜してしまいモールド樹脂に対する耐圧性が弱まってしまい、突起堤部１３が圧電基板２の外周端近傍における内側にのみ存在する場合、突起堤部１３の外側におけるベース基板３と圧電基板２との間に樹脂が形成されるので、上述した従来技術と同様に樹脂の熱膨張特性の影響を受けやすくなるので、突起堤部１３は圧電基板２の外周端を境にその内外領域にわたって形成することが好ましい。
【００１８】
なお、突起堤部１３の高さは、ベース基板３と圧電基板２の間隔より小さくすることにより、ベース基板３上に圧電基板２をフリップチップ実装する際に圧電基板２が突起堤部１３に接触し損傷することが防止できるとともに、ベース基板３上にバンプ４を形成する際に複数のバンプ４の高さを板状の治具を用いて簡単に合わせることもでき高い組立精度が確立できるとともに、突起堤部１３と圧電基板２の間に樹脂フィルム５が介在することにより弾性表面波デバイスをモジュール化する際に加わるモールド圧力に対しても緩衝効果を得ることが出来る。
【００１９】
また、突起堤部１３と圧電基板２との隙間には樹脂フィルム５が介在するのであるが、先にも述べたように弾性表面波デバイスにおいて櫛形電極１が反射器といった高周波回路を形成する電極と樹脂との接触は高周波特性的に好ましくないことから、図４に示すように突起堤部１３と圧電基板２との間隔を圧電基板２の外周端部分１４より内側部分１５を広く設定することで、樹脂フィルム５が間隔の狭い圧電基板２の外周端側から内側に向けて圧入されることになり、圧入された樹脂の分散速度が内側に侵入するにつれ遅くなるので、結果として組立における制御がより簡易なものと出来るのである。
【００２０】
なお、突起堤部１３およびバンプ４をハンダで形成することで、ベース基板３にバンプ４を形成する工程、つまり、ベース基板３におけるバンプ４の形成位置にクリームハンダを塗布しリフロー処理する工程において突起堤部１３の形成位置にもクリームハンダを塗布しておくことにより一括形成することが出来るのである。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明の弾性表面波デバイスは、温度特性を改善できるという効果を有し、特に小型の電子機器に対応する弾性表面波デバイスにおいて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態の弾性表面波デバイスの断面図
【図２】同弾性表面波デバイスを構成する圧電基板の電極パターン図
【図３】同弾性表面波デバイスを構成するベース基板の構造を示す模式図
【図４】同弾性表面波デバイスのベース基板と圧電基板の支持構造を示す模式図
【図５】従来の弾性表面波デバイスの断面図
【符号の説明】
【００２３】
１櫛形電極
２圧電基板
３ベース基板
５樹脂フィルム
１２伝播路
１３突起堤部

【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、この圧電基板をバンプ接続するベース基板と、前記圧電基板の前記ベース基板と対峙する主面に設けられた櫛形電極と、前記ベース基板上にて前記圧電基板を覆い前記櫛形電極の励振領域を封止する樹脂フィルムとを備え、前記ベース基板上において前記櫛形電極の伝播路の延長領域で且つ前記圧電基板の外周端近傍に突起堤部を設けたことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
突起堤部を圧電基板の外周端を境にその内外領域にわたって設けたことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
突起堤部の高さをベース基板と圧電基板の間隔より小さくしたことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
突起堤部と圧電基板との間隔を前記圧電基板の外周端より内側部分を広く設定したことを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
突起堤部およびバンプをハンダで形成したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。

【図１】