【課題】 帯域外特性を改善できる弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】 ＳＡＷフィルタを２組備えた共振型フィルタを備え、１組目のＳＡＷフィルタに形成される複数のグランド電極７ａ，７ｂをパッケージ４０の第１のグランド電極パッド３０ａにワイヤー１２ａ，１２ｂで接続し、２組目のＳＡＷフィルタに形成される複数のグランド電極８ａ，８ｂをパッケージ４０の第２のグランド電極パッド３０ｃにワイヤー１２ｃ，１２ｄで接続し、第１、第２のグランド電極パッド３０ａ，３０ｃが、スルーホールで導通して下層の共通グランド電極に接続し、各組のグランド電極のパターンを、接続するグランド電極パッド側に近づけるよう引き出した形状とした弾性表面波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低背化を実現しながら、十分な強度を有し、かつ通過帯域内リップルの発生や帯域外減衰量劣化の少ない弾性波装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】圧電基板２１と、この圧電基板２１の主面上に零と異なる同一のパワーフロー角をもたせて配置した第１および第２の弾性波共振器２２、２３とを備え、前記第１および第２の弾性波共振器２２、２３はそれぞれ、一対の反射器と、この一対の反射器の間に設けられたＩＤＴと、このＩＤＴを構成する櫛電極の電極指が交差した交差部とを有し、前記第１の弾性波共振器の交差部を第１の弾性波共振器の位相速度の伝播方向に延長した領域を第１の領域とし、前記第２の弾性波共振器の交差部を第２の弾性波共振器の位相速度の伝播方向に延長した領域を第２の領域としたとき、前記第１の領域と第２の領域の少なくとも一部が重なるように配置したものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を圧電基板上に送信側電極及び受信側電極として弾性波の伝搬方向に並べた弾性波フィルタにおいて、フィルタの寸法を小さく抑えながらも、リプルの発生を抑制すると共に良好な減衰特性を持つ弾性波フィルタを得ること。
【解決手段】２つのフィルタ部１１、１２を送信ポート２１と受信ポート２２との間に並列に接続すると共に、各々のフィルタ部１１、１２で生じるリプル１０の周期Ｔが互いに同じ寸法となるように、これらフィルタ部１１、１２において、中心間距離Ｌが互いに同じ寸法となり、且つ電極指８の対数が送信側電極２、２同士及び受信側電極３、３同士で各々同じ数量となるようにする。そして、各々のフィルタ部１１、１２で生じるリプル１０が相殺されるように、各々の配列周期λ１、λ２を設定する。 （もっと読む）

【課題】通過帯域よりも低周波数側及び高周波数側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性表面波フィルタにおいて、前記減衰域において良好な減衰量を得ること。
【解決手段】２つのＳＡＷ共振子１１、１２を入力ポート５と出力ポート６との間に互いに並列に接続する。そして、周波数と減衰量との関係を示す特性図において、これらＳＡＷ共振子１１、１２の各々の減衰域に形成されるサイドローブの位置を互いに位置ずれさせるために、第１のＳＡＷ共振子１１の本数Ｎと、第２のＳＡＷ共振子１２の本数Ｎと、を互いに異なる本数に設定する。更に、このように本数Ｎを互いに異なる数量に設定したことに伴うインピーダンスの不整合を解消するために、これらＳＡＷ共振子１１、１２の互いの交差長Ｗを異なった寸法にする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを低下させずに、モジュール化の際の圧力で変形しない中空構造を得ること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた弾性波素子１２上に空洞部１６を有するように設けられた感光性樹脂の第１封止部２６と、第１封止部上に設けられた感光性樹脂の第２封止部２８と、第２封止部上に設けられた外部接続部２２と、第１封止部及び第２封止部を貫通して第１封止部及び第２封止部に直接接し、弾性波素子と外部接続部を電気的に接続させる柱状電極２０と、を具備し、第１封止部は、基板側の幅が反対側の幅よりも広くなる段差を有するように、弾性波素子の機能部分を囲うように設けられた第３封止部３０と、機能部分上に空洞部を形成するように第３封止部上に設けられた第４封止部３２と、を有し、第３封止部の幅が第４封止部の幅よりも広く、第２封止部は、第１封止部の段差の部分を含んで第１封止部に直接接している弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】位相反転用のインダクタからなる直列腕と減衰域に対応する周波数で直列共振を起こす素子部からなる並列腕とを備えたノッチフィルタにおいて、これら直列腕及び並列腕を基板上に実装した場合であっても、減衰域における特性の劣化を抑えること。
【解決手段】内部領域に導電路３４の形成されたパッケージ基板５上にインダクタ１１及びＳＡＷ共振子１２（圧電基板４）を配置して、この導電路３４を介してＳＡＷ共振子１２を接地する。そして、前記ＳＡＷ共振子１２と前記接地ポート３との間に、前記減衰域に対応する周波数において前記導電路３４のインダクタ成分と直列共振が起こるように容量値の設定された容量成分３７を接続して直列共振回路２１を構成する。 （もっと読む）

【課題】通過周波数帯域よりも高域側におけるサイドローブの生成を抑えながら、通過周波数帯域におけるピーク位置から３ｄＢ減衰した領域の帯域幅をＢＷ_３ｄＢ、この帯域幅ＢＷ_３ｄＢにおける中心周波数をｆｎとすると、比帯域幅ＢＷ_３ｄＢ／ｆｎが０．０１〜０．０２もの狭帯域の縦結合共振器型フィルタを提供すること。
【解決手段】圧電基板１１を伝搬する弾性波の波長に対応する電極指１５の周期単位λ及び電極指１５のの膜厚ｈについて、膜厚比ｈ／λが０．０５〜０．０８５となるように設定すると共に、ＩＤＴ電極１２の合計の電極指１５の対数Ｎ_Ｔについて、１００≦Ｎ_Ｔ≦４００に設定する。 （もっと読む）

【課題】 低損失かつ小型化可能な弾性波フィルタを提供すること。
【解決手段】 第１多重モードフィルタ１０及び１２が第１平衡出力ノードＯｕｔ１０及びＯｕｔ１２に接続された第１弾性波フィルタ１００と、フィルタ１０及び１２と開口長が異なる第２多重モードフィルタ２０及び２２が第２平衡出力ノードＯｕｔ２０及び２２に接続され、フィルタ１００と通過周波数帯域が異なる第２弾性波フィルタ２００とを具備し、Ｏｕｔ１０とＯｕｔ２０とは第３平衡出力ノードＯｕｔ３０、Ｏｕｔ１２とＯｕｔ２２とは第４平衡出力ノードＯｕｔ４０を形成し、Ｏｕｔ３０〜Ｏｕｔ１０間距離はＯｕｔ４０〜Ｏｕｔ１２間距離と、Ｏｕｔ３０〜Ｏｕｔ２０間距離はＯｕｔ４０〜Ｏｕｔ２２間距離と異なり、フィルタ１０及び１２のＩＤＴの開口長はほぼ同一、フィルタ２０及び２２のＩＤＴの開口長はほぼ同一の、弾性波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲内（−４０℃から＋８５℃）における周波数変動量を１０ｐｐｍ以内とすることのできる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】３次関数温度特性を備え前記３次関数温度特性における３次温度係数が−γ_１でありγ_１＞０である第１の共振子１４と、第１の共振子１４に接続され、３次関数温度特性を備え前記３次関数温度特性における３次温度係数がγ_２でありγ_２＞０である第２の共振子１６とを備え、第１の共振子１４と第２の共振子１６との間における変曲点の差が１９℃以下であり、０＜｜γ_１｜≦｜２．４γ_２｜の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】通過周波数帯域における周波数特性の平坦性の劣化を抑えながら、ＥＳＤ耐性に優れた弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】電極指１２、１２の交差領域からバスバー１１側に離れた位置において、互いに隣接するＩＤＴ電極１、１間及び互いに隣接するＩＤＴ電極１とグレーティング反射器２との間に夫々第１のフロートダミー電極１６、１６及び第２のフロートダミー電極１８を設けて、これらフロートダミー電極１６、１８を他の部位から電気的に浮いた状態にすると共に、これらフロートダミー電極１６、１８をＩＤＴ電極１における電極指１２の配列パターンに対応するように形成する。 （もっと読む）

【課題】温度が変化した場合でも、測定対象の状態を精度良く検知することができる弾性表面波センサ、センシングシステム、及び圧力測定方法を提供すること。
【解決手段】第１弾性表面波素子と第２弾性表面波素子との出力電圧の差をとって、（圧力と温度の影響を含む）第１の演算値を求め、第３弾性表面波素子と第２弾性表面波素子との出力電圧の差をとって、（温度のみの影響を含む）第２の演算値を求める。第２の演算値と温度による基板変化量のマップを用いて、第２の演算値を温度（のみ）による基板変化量に換算し、この温度による基板変化量から（圧力基準値に対応する）温度補正量を求め、温度補正量に第１の演算値を加えた加算値を求め、加算値から圧力及び温度による基板変化量を求める。そして、圧力及び温度による基板変化量から温度のみによる基板変化量を引くことにより、圧力のみによる基板変化量を求める。 （もっと読む）

【課題】気密性を高くすることが可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板２と、圧電基板２上に形成された弾性波素子４と、弾性波素子４と電気的に接続され、上面１０ａが圧電基板２の上面２ａと平坦になるように、圧電基板２に埋め込まれた配線１０と、弾性波素子４上に中空部２０が形成され、かつ下面１６ａが圧電基板２の上面２ａ及び配線１０の上面１０ａに接触するように、弾性波素子４を封止するキャップ１６と、を具備する弾性波デバイス、及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良好なバランス性を有するバランス型の弾性波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置１では、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０の最も第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０側に位置しているＩＤＴ電極２３と、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０の最も第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０側に位置しているＩＤＴ電極３１とが同位相の信号を出力するように構成されている。ＩＤＴ電極２３と、第１の平衡信号端子１１ａとを接続している第１の配線１６の第１の平衡信号端子１１ａ側の部分と、ＩＤＴ電極３１と、第１の平衡信号端子１１ａとを接続している第２の配線１７の第１の平衡信号端子１１ａ側の部分とが共通化されている。 （もっと読む）

【課題】出力される平衡信号の位相差を小さくできる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、不平衡信号ｓが入力される第１段のＳＡＷ素子７と、第１段のＳＡＷ素子７からの平衡信号が入力される第２段のＳＡＷ素子９とを有する。第２段のＳＡＷ素子９は、非反転信号ｓ０の位相を反転していない非反転−非反転信号ｓ００と、非反転信号ｓ０の位相を１回反転した非反転−反転信号ｓ０１と、反転信号ｓ１の位相を反転していない反転−非反転信号ｓ１０と、反転信号ｓ１の位相を１回反転した反転−反転信号ｓ１１とを出力する。平衡出力端子１０は、非反転−反転信号ｓ０１と反転−非反転信号ｓ１０とを足し合わせた信号を出力する第１出力端子１１Ａと、非反転−非反転信号ｓ００と反転−反転信号ｓ１１とを足し合わせた信号を出力する第２出力端子１１Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、櫛型電極の本数が多く容量を大きくした場合においても、スプリアスが抑制された広帯域の弾性表面波共振器を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波共振器は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１１を有する第１の弾性表面波共振器２０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２を有する第２の弾性表面波共振器３０とを備え、第１の弾性表面波共振器２０および第２の弾性表面波共振器３０は、アポダイズが施された構成であって、かつ、並列に接続されており、また、第１の弾性表面波共振器における櫛型電極の本数と第２の弾性表面波共振器における櫛型電極の本数とは異なる構成とした。 （もっと読む）

【課題】直列分割型のＩＤＴ電極を用いた弾性表面波装置におけるフィルタ特性の改善を図る。
【解決手段】ＳＡＷ素子１２，１３がＩＤＴ電極１〜５を備えており、各ＩＤＴ電極は、中心バスバー電極と、一方の長辺に対して一端が接続され互いに間隔を空けて配置される複数の第１浮き電極と、他方の長辺に対して一端が接続され互いに間隔を空けて配列される複数の第２浮き電極と、第１浮き電極の間に位置するように配置された第１電極と、第２浮き電極の間に位置するように配置された第２電極とを備える。中心バスバー電極の中心線を境に第１浮き電極及び第１電極が配置された領域と、第２浮き電極及び第２電極が配置された領域において、ＩＤＴ電極の一方端から他方端にかけての電極指ピッチの変化の仕方を異ならせた構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は１対の平衡端子を有する弾性波フィルタにおいて、平衡端子間の平衡度を改善することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の弾性波フィルタ１０は、不平衡端子１７に接続された第１の信号電極指１１ａと第１のグランド電極指１１ｂからなる第１のＩＤＴ電極１１と、第１の平衡端子１８ａに接続された第２の信号電極指１２ａと第２のグランド電極指１２ｂからなる第２のＩＤＴ電極１２と、第２の平衡端子１８ｂに接続された第３の信号電極指１３ａと第３のグランド電極指１３ｂからなる第３のＩＤＴ電極１３と、を備え、第１のＩＤＴ電極１１における第２のＩＤＴ電極１２側に、不平衡端子１７及びグランドのいずれとも接続されない擬似電極指１１ｅが設けられている。 （もっと読む）

本発明は、ＥＳＤ保護機能を向上させたＳＡＷフィルタ回路に関する。本発明によるＳＡＷフィルタ回路においては、ＳＡＷ共振器の直列接続配列を、第１信号ポート（ＳＰ１）とＤＭＳポート（ＤＭＳＰ１，ＤＭＳＰ２）との間に接続する。この場合の直列接続配列における静電容量が、この直列接続配列に接続されたＤＭＳ変換器の静電容量に比べ、最大で４倍になるようにする。 （もっと読む）

【課題】 横モードのリップルを抑制して、フィルタ通過帯域内の特性を改善し、フィルタの通過帯域低域側の周波数特性も向上させること。
【解決手段】 圧電体上に配置された第１から第３のくし歯状電極と、弾性波伝搬方向両側に配置された第１、第２の反射器とを有し、
弾性波伝搬方向のくし歯状電極同士が隣り合っている部分において、狭ピッチ電極指部が設けられた、縦結合共振子型の弾性波装置において、
前記狭ピッチ電極指部を有する前記第１から第３のくし歯状電極の大部分は、アポダイズ重み付けされており、狭ピッチ電極指部および狭ピッチ電極指に隣接する電極指部分は正規型のくし歯状電極とされていること。 （もっと読む）