説明

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法

【課題】パターン倒れの抑制およびラインエッジラフネスの改善を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、(A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位および酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を含む樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する


一般式(1)中、Lは、2価の連結基を表し;Rは、水素原子またはアルキル基を表し;Zは、環状酸無水物構造を表す。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
(A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位および酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を含む樹脂と、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と
を含有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物:
【化1】

一般式(1)中、
Lは、2価の連結基を表し;
は、水素原子またはアルキル基を表し;
Zは、環状酸無水物構造を表す。
【請求項2】
前記一般式(1)におけるLは、少なくとも1つの酸素原子を含むことを特徴とする請求項1に記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
【請求項3】
前記一般式(1)におけるZは、複環構造を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
【請求項4】
前記一般式(1)におけるZは、下記一般式(2)で表されることを特徴とする請求項3に記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物:
【化2】

一般式(2)中、
Lは、前記式(1)におけるLを表し;
Wは、存在しないか、またはメチレン基、エチレン基、酸素原子、もしくは硫黄原子を表し;
pは、1以上の整数を表し;
qは、0〜2の整数を表し;
mは、それぞれ独立に0〜2の整数を表す。
【請求項5】
前記一般式(1)におけるZは、下記一般式(3)で表されることを特徴とする請求項4に記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物:
【化3】

一般式(3)中、
Lは、前記一般式(1)におけるLを表し;
pは、1または2を表す。
【請求項6】
前記樹脂(A)は、前記一般式(1)で表される繰り返し単位を5〜50mol%含有し、前記酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を30〜70mol%含有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
【請求項7】
請求項1〜6のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
【請求項8】
請求項1〜6のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、該膜を露光することと、露光した膜を現像することとを含むパターン形成方法。
【請求項9】
請求項8に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項10】
請求項9に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
【請求項11】
下記一般式(4)で表される化合物:
【化4】

一般式(4)中、
Lは、2価の連結基を表し;
は、水素原子またはアルキル基を表し;
Wは、存在しないか、またはメチレン基、エチレン基、酸素原子、もしくは硫黄原子を表し;
pは、1以上の整数を表し;
qは、0〜2の整数を表し;
mは、各々独立に0〜2の整数を表す。

【公開番号】特開2013−76946(P2013−76946A)
【公開日】平成25年4月25日(2013.4.25)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−218278(P2011−218278)
【出願日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】