支持部材、半導体製造装置及び基板の支持方法
【課題】基板の傾きを一方向に揃えることができ、移載トラブルを低減できるようにした支持部材、半導体製造装置及び基板の支持方法を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１の上面に形成された溝部３とを備え、ウエーハＷを溝部３に挟んだ状態で支持するプッシャー１０であって、溝部３の底面６は、当該底面６と接触したウエーハＷの縁端Ｗ１を溝部３の側面４の側へ片寄せする形状を有する。例えば、溝部３の底面６は、側面５から側面４に向かって下がる斜面となっている。このような構成であれば、ウエーハＷの縁端Ｗ１を底面６に沿って滑らせて側面４の側へ片寄せすることができ、ウエーハＷの傾きを一方向に揃えることができる。
【解決手段】基材１と、基材１の上面に形成された溝部３とを備え、ウエーハＷを溝部３に挟んだ状態で支持するプッシャー１０であって、溝部３の底面６は、当該底面６と接触したウエーハＷの縁端Ｗ１を溝部３の側面４の側へ片寄せする形状を有する。例えば、溝部３の底面６は、側面５から側面４に向かって下がる斜面となっている。このような構成であれば、ウエーハＷの縁端Ｗ１を底面６に沿って滑らせて側面４の側へ片寄せすることができ、ウエーハＷの傾きを一方向に揃えることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持部材、半導体製造装置及び基板の支持方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の従来技術としては、例えば特許文献１に開示されたものがある。即ち、この特許文献１には、複数枚のウエーハを一方のカセットから他方のカセットに移し替える際に、これらウエーハを一時的に支持するための支持部材が開示されている。そして、この支持部材には所定のピッチで互いに平行するように複数の支持溝が設けられていること、及び、これら支持溝の各々はその底部から上方に向かって徐々に溝幅が広がる形状を有すること、が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１０９８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記の特許文献１に開示された支持部材では、支持溝の底面は支持部材の上面に対して平行（即ち、平ら）となっている。このため、上記の特許文献１に開示された支持部材では、例えば図９に示すように、隣り合う２枚のウエーハＷ´のうちの一方は左側に傾き、他方は右側に傾いてしまう可能性があった。このように、支持部材９０上においてウエーハＷ´の傾く方向がそれぞれ異なると、ウエーハＷ´間の距離にバラツキが生じてしまい、例えば、支持部材９０の上方に待機している溝付チャック（図示せず）の１つの溝部に２枚のウエーハＷ´が一緒に入ったり、本来入るべき溝部の隣の位置にある溝部にウエーハＷ´が入ったりするなどの、移載トラブルが発生してしまう可能性があった。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板の傾きを一方向に揃えることができ、移載トラブルを低減できるようにした支持部材、半導体製造装置及び基板の支持方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る基板支持装置は、複数の溝部を備える支持部材と、を含む基板支持装置であって、前記複数の溝部の底面の第１の部分は、傾斜していることを特徴とするものである。
また、上記の基板支持装置において、前記複数の溝部は、それぞれ第１の側面及び前記第１の側面に対向する第２の側面を有し、前記第１の部分に形成された傾斜は、前記第１の側面の底部が、前記第２の側面の底部より下方に位置することにより形成されていても良い。
【０００６】
また、上記の基板支持装置において、前記複数の溝部は、それぞれ第１の開口部及び第２の開口部を有し、前記第２の開口部は、前記第１の開口部の上方に位置し、前記第２の開口部が有する幅は、前記第１の開口部が有する幅よりも大きいことを特徴としても良い。
また、上記の基板支持装置において、前記第２の開口部は、前記支持部材の上方に向かって幅が広がるように形成されていることを特徴としても良い。
【０００７】
また、上記の基板支持装置において、前記複数の溝部は、一定の間隔で前記支持部材に形成されていることを特徴としても良い。
本発明の別の態様に係る半導体製造装置は、上記の支持部材を備えることを特徴としても良い。
本発明のさらに別の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の半導体製造装置を用いることを特徴としても良い。
本発明のさらに別の態様に係る半導体基板の支持方法は、上記の支持部材を用いて、複数の基板を同一方向に傾斜させる工程を備えることを特徴としても良い。
【０００８】
本発明のさらに別の態様に係る支持部材、半導体製造装置、又は、基板の支持方法は、例えば下記の発明１〜８であっても良い。
発明１の支持部材は、基材と、前記基材の上面に形成された溝部とを備え、基板を前記溝部に挟んだ状態で支持する支持部材であって、前記溝部の底面は、当該底面と接触した前記基板の縁部の端を前記溝部の第１の側面の側へ片寄せする形状を有することを特徴とするものである。このような構成であれば、基板の傾きを一方向に揃えることができる。
発明２の支持部材は、発明１の支持部材において、前記溝部の底面は、前記溝部の前記第１の側面と対向する第２の側面から、前記第１の側面に向かって下がる斜面、を含むことを特徴とするものである。このような構成であれば、基板の縁部の端（以下、縁端ともいう。）を溝部の底面に沿って滑らせて、当該縁端を溝部の第１の側面の側へ片寄せすることができる。また、この片寄せの結果、基板の傾きを一方向に揃えることができる。
【０００９】
発明３の支持部材は、発明２の支持部材において、前記溝部は、前記第１の側面と前記第２の側面との間の距離が一定である第１の開口部と、前記第１の開口部上に位置して、前記第１の側面と前記第２の側面との間の距離が前記基材の上方に向かって徐々に拡がる第２の開口部と、を有し、前記第１の側面において前記第１の開口部と第２の開口部との境界部分には第１の角部が存在し、前記第２の側面において前記第１の開口部と第２の開口部との境界部分には第２の角部が存在し、前記第２の角部は、前記第１の角部よりも上方に位置することを特徴とするものである。このような構成であれば、第１の角部と第２の角部とが同じ高さに位置する場合と比べて、基板をより直立に近い状態で支持することができる。
【００１０】
発明４の支持部材は、発明３の支持部材において、前記第１の角部の前記底面からの高さは、３ｍｍ以上、５ｍｍ以下であることを特徴とするものである。このような構成であれば、基板の第１の面において、溝部の第１の側面と接触する領域は縁端から中心に向かって５ｍｍまでの領域となる。縁端から中心に向かって５ｍｍ以上離れた領域が溝部の第１の側面と接触することを防ぐことができ、当該領域に傷が付くことを防ぐことができる。例えば、ウエーハの表面に設定される製品領域（即ち、製品としての半導体装置が作りこまれる領域）は、通常、ウエーハの縁端から中心に向かって５ｍｍ以上離れた領域に設定されるが、上記の構成であれば、製品領域が溝部の第１の側面と接触することを防ぐことができ、製品領域に傷が付くことを防ぐことができる。
【００１１】
発明５の支持部材は、発明１から発明４の何れか一の支持部材において、前記溝部は、一定の間隔で複数形成されていることを特徴とするものである。このような構成であれば、複数枚の基板を一定の間隔で支持することができる。
発明６の支持部材は、発明５の支持部材において、前記一定の間隔で複数形成された前記溝部のうちの、隣り合う一方の溝部と他方の溝部との境界部分は、前記基材の上方に向かって突き出た形状を有することを特徴とするものである。このような構成であれば、基板を溝部に挟み込む際に、基板の縁端が溝部の底面ではなく、上記の境界部分に接触した場合でも、この縁端を境界部分の表面に沿って滑らせて溝部の底面に誘導することができる。従って、溝部と基板との位置合わせのマージンを大きくする（つまり、余裕を持たせる）ことができる。
【００１２】
発明７の半導体製造装置は、基板を第１のカセットから第２のカセットに移し替える半導体製造装置であって、発明１から発明６の何れか一の支持部材を備えることを特徴とするものである。ここで、「基板」としては、例えばウエーハが挙げられる。このような構成であれば、例えば、複数枚のウエーハを支持部材で支持した際に、支持部材上でのウエーハの傾きを一方向に揃えることができる。従って、複数枚のウエーハを第１のカセットから第２のカセットに移し替える際に、溝付チャックの１つの溝に２枚のウエーハが一緒に入ったり、本来入るべき溝の隣の位置にある溝にウエーハが入ったりするなどの移載トラブルを低減することができる。これにより、移載トラブルに起因したウエーハの破損（割れ、欠け等）を防止することができるので、半導体装置の歩留まりの向上に寄与することができる。
【００１３】
発明８の基板の支持方法は、基材と、前記基材の上面に形成された溝部とを備えた支持基材の前記溝部に、基板を挟み込んで支持する方法であって、前記基板の縁部の端を前記溝部の底面に接触させる工程と、前記底面と接触した前記縁部の端を前記溝部の第１の側面の側へ片寄せする工程と、を含むことを特徴とするものである。このような方法によれば、支持部材上での基板の傾きを一方向に揃えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係るプッシャー１０の構成例を示す図。
【図２】実施形態に係るウエーハ移載装置１００の構成例を示す図。
【図３】実施形態に係るウエーハＷの移載方法を示す図（その１）。
【図４】実施形態に係るウエーハＷの移載方法を示す図（その２）。
【図５】プッシャー１０による支持の仕組みを示す図。
【図６】ウエーハＷの傾きが一方向に揃っている状態を示す図。
【図７】プッシャー１０の他の構成例を示す図（その１）。
【図８】プッシャー１０の他の構成例を示す図（その２）。
【図９】従来技術の課題を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態に係るプッシャー１０の構成例を示す図であり、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の斜視図をＹ−Ｚ平面で切断したときの拡大断面図である。
【００１６】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すプッシャー１０は、例えば、シリコン基板又はＳＯＩ基板などのウエーハを一方のカセット（キャリアとも呼ばれる。）から他方のカセットに移し替える際に使用されるものである。具体的には、半導体装置の製造工程において、ウエーハは２５枚程度を１ロットとして取り扱われるが、この１ロット（即ち、２５枚）のウエーハは、箱型の容器に仕切りの溝が設けられたカセットに１枚ずつ垂直に離して収納される。そして、１ロットのウエーハは、カセットに収納された状態で一方の工程から他方の工程へ搬送されたり、所定の製造装置において半導体装置を作りこむための処理が施されたりする。ここで、上記のカセットは、搬送用カセット、プロセス用カセット等のように使用環境に応じて使い分けられており、１ロットのウエーハを一方のカセットから他方のカセットへと移し替えることが半導体装置の製造工程において頻繁に行われている。この移し替えは、後述するウエーハ移載装置により行われるが、図１（ａ）及び（ｂ）に示すプッシャー１０は、このウエーハ移載装置に組み込まれて使用されるものである。
【００１７】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、このプッシャー１０は、例えば、耐磨耗性に優れた樹脂からなる基材１を有し、この基材１の上面に複数の溝部３が形成されている。耐摩耗性に優れた樹脂としては、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、又は、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）等が挙げられる。また、複数の溝部３は、複数枚のウエーハの縁部を挟んで支持するためのものである。例えば、１ロット（即ち、２５枚）のウエーハに対応して、基材１には２５個の溝部３が形成されている。また、これら溝部３はその各々が互いに同一の形状を有し、且つその各々が互いに平行となるように、図１（ａ）のＺ軸方向に向けて所定のピッチ（即ち、間隔）で形成されている。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、溝部３のピッチをＰとする。このプッシャー１０が６インチ径のウエーハ（以下、６インチウエーハともいう。）を支持する場合は、各溝部３は例えばＰ＝４．７６ｍｍとなるように形成されている。ここで、図示しない６インチウエーハを収納するカセットの溝部のピッチは、通常４．７６ｍｍに設定されている。従って、プッシャー１０のピッチＰを６インチ用カセットのピッチと一致させることにより、このカセットに収納されている６インチウエーハの縁部をそのままプッシャー１０の溝部３に差し込むことができる。
【００１９】
また、これら溝部３の各々は、開口部３ａと開口部３ｂとによって構成されている。開口部３ａは、対向する側面４と側面５との間の距離が一定である。また、開口部３ｂは、開口部３ａの上方に位置し、側面４と側面５との間の距離が基材１の上方に向かって徐々に拡がっている。図１（ｂ）に示すように、開口部３ａの幅（即ち、Ｚ方向の長さ）をＷとしたとき、Ｗは例えばウエーハの標準的な厚さの１．１倍程度の大きさである。一例を挙げると、６インチウエーハの標準的な厚さは６２５μｍであり、このプッシャー１０が６インチウエーハを支持する場合は、各溝部３は例えばＷ＝６２５μｍ×１．１＝６８７．５μｍ、つまり、Ｗ≒７００μｍとなるように形成されている。
【００２０】
また、図１（ｂ）に示すように、開口部３ａと開口部３ｂとからなる溝部３の底面６は、側面５から側面４に向かって下がる斜面（即ち、傾斜）となっている。この斜面の角度（即ち、Ｚ軸方向を０゜としたときの角度）をθとしたとき、θは例えば１５〜７０゜であり、この範囲の中でも特にθ≧３０゜であることが好ましい。そして、これら溝部３の各々について、側面４における開口部３ａと開口部３ｂとの境界部分である角部７は、側面５における開口部３ａと開口部３ｂとの境界部分である角部８よりも下方に位置している。なお、これら溝部３の各々について、底面６から角部７までの高さをＨ１とし、底面６から角部８までの高さをＨ２としたとき、Ｈ１は例えば３〜５ｍｍであり、Ｈ２は例えば３〜５ｍｍ程度である。Ｈ１＝Ｈ２であっても良いし、Ｈ１≠Ｈ２であっても良い。次に、このようなプッシャー１０を備えたウエーハ移載装置について説明する。
【００２１】
図２は、本発明の実施形態に係るウエーハ移載装置１００の構成例を示す図である。
図２に示すように、このウエーハ移載装置１００は、プッシャー１０と、ロッド２０と、ステージ３０と、溝付チャック４０と、を含んだ構成となっている。これらの中で、ロッド２０の先端にはプッシャー１０が取り付けられており、その他端の側には図示しない昇降機構が取り付けられている。この図示しない昇降機構が動作することにより、プッシャー１０はステージ３０の下から上へ移動し、また、ステージ３０の上から下へ移動するようになっている。
【００２２】
ステージ３０はカセット５０が載せられる台であり、その表面にはカセット５０の位置を決めるガイド３１が設けられている。例えば、このガイド３１によって脚部５１が両側から挟まれるようにカセット５０を置くことにより、カセット５０を毎回同じ位置に配置することができる。さらに、ステージ３０の真上には、一対の溝付チャック４０が設けられている。図示しないが、この溝付チャック４０には、ガイド３１によってステージ３０上で位置決めされたカセット５０の溝部と対応するように、複数の溝部が形成されている。この溝付チャック４０も、プッシャー１０と同様、例えば、耐磨耗性に優れた樹脂からなる。また、この一対の溝付チャック４０にはそれぞれアーム４１が取り付けられている。次に、上記のプッシャー１０を備えたウエーハ移載装置１００を用いて、一方のカセットから他方のカセットへウエーハＷを移し替える場合について説明する。
【００２３】
図３（ａ）〜図４（ｂ）は、本発明の実施形態に係るウエーハＷの移載方法を示す図である。また、図５（ａ）及び（ｂ）は、移載過程でのウエーハＷの動きを示す図である、
図３（ａ）では、まず始めに、１ロット（即ち、２５枚）のウエーハＷを収納したカセット５０をステージ３０上に配置する。このとき、カセット５０の脚部５１をガイド３１で挟むようにすることで、カセット５０を所定の位置に配置することができる。なお、カセット５０に収納されたウエーハＷのオリエンテーションフラット（以下、オリフラという。）は、カセット５０をステージ３０上に配置した後で、図示しないオリフラ合わせ機によって例えば下方に調整する。或いは、このようなオリフラ合わせは、カセット５０をステージ３０上に配置する前に、行っても良い。
【００２４】
次に、図示しない昇降機構を動作させて、ロッド２０の先端に取り付けられたプッシャー１０を上方へ移動させる。これにより、プッシャー１０の溝部にウエーハＷの縁部が入り、ウエーハＷは直立に近い状態で支持される。そして、ウエーハＷは、直立に近い状態で支持されたまま、上方へ押し上げられてカセット５０から取り出される。このプッシャー１０による支持の仕組みについて、より詳しく説明する。
図５（ａ）に示すように、まず、ウエーハＷの縁部が溝部３に入り、ウエーハＷの縁部の端（即ち、縁端）Ｗ１が溝部３の底面６に接触する。すると、底面６は側面４に向かって下がる斜面となっているので、ウエーハＷの縁端Ｗ１は斜面に沿って滑り、側面４の側へ片寄せされる。そして、この片寄せの結果、ウエーハＷは縁端Ｗ１を側面４の側に残したまま反対側（即ち、側面５の側）へ倒れ、図５（ｂ）に示すように、ウエーハＷの裏面が角部８と接触した状態で支えられることとなる。
【００２５】
ここで、製品領域（即ち、製品としての半導体装置が作りこまれる領域）は、通常、ウエーハＷの表面Ｗ２に設定されている。従って、ウエーハＷの裏面Ｗ３と角部８とが接触しても製品領域に傷が付くことはない。また、角部８は角部７よりも上方に位置するので、角部７と角部８が同じ高さにある場合と比べて、ウエーハＷをより直立に近い状態で支持することができる。さらに、図５（ａ）の状態から図５（ｂ）の状態に移行する際に、ウエーハＷの表面Ｗ２と溝部３の側面４とが一時的に接触することも想定される。しかしながら、側面４の高さＨ１（図１（ｂ）参照。）を例えば３〜５ｍｍ程度に設定していれば、この側面４は製品領域に届かないので、製品領域に傷が付くことを防ぐことができる。
【００２６】
図３（ａ）に戻って、このようにプッシャー１０によってウエーハＷはその下側から支持され、この状態で上方に押し上げられる。そして、ウエーハＷがカセット５０から完全に取り出され、溝付チャック４０と同じ高さまで押し上げられると、一対の溝付チャック４０が内側へ閉じる。これにより、図３（ｂ）に示すように、溝付チャック４０によってウエーハＷはその両側から支持されることとなる。次に、図示しない昇降機構を動作させて、プッシャー１０をステージ３０の下まで移動させる。そして、ステージ３０上にある一方のカセット５０を、他方のカセット５０に置き換える。なお、一方のカセット５０とは、例えば搬送用カセット又はプロセス用カセットのうちの一方のことであり、他方のカセット５０とは搬送用カセット又はプロセス用カセットのうちの他方のことである。
【００２７】
次に、図４（ａ）において、図示しない昇降機構を動作させて、プッシャー１０を上方に移動させる。これにより、プッシャー１０の溝部にウエーハＷの縁部が入り、ウエーハＷはその下側から支持される。次に、一対の溝付チャック４０が外側へ開く。これにより、溝付チャック４０による支持状態が解除され、ウエーハＷはプッシャー１０によってのみ支持された状態となる。その後、図4（ｂ）において、図示しない昇降機構を動作させ
て、プッシャー１０をステージ３０の下まで移動させる。これにより、１ロットのウエーハＷは他方のカセット５０に収納されて、その移載作業が完了する。
【００２８】
このように、本発明の実施形態によれば、溝部３の底面６が側面５から側面４に向かって下がる斜面（即ち、傾斜）となっている。これにより、ウエーハＷの縁端Ｗ１を底面６に沿って滑らせて、側面４の側へ片寄せすることができる。また、この片寄せの結果、ウエーハＷの傾きを一方向（例えば、図５（ｂ）において、右側）に揃えることができる。
それゆえ、例えば図６に示すように、１ロットのウエーハＷを移載する際に、溝付チャック４０の１つの溝部に１枚のウエーハＷを正しく入れることができる。つまり、それぞれのウエーハＷを本来入るべき溝部に正しく入れることができる。従来例で課題とした挙げた移載トラブルを低減することができ、移載トラブルに起因したウエーハＷの破損（割れ、欠け等）を防止することができるので、半導体装置の歩留まりの向上に寄与することができる。
【００２９】
また、角部８は角部７よりも高い位置にあり、底面から角部までの高さをＨ１、底面から角部までの高さをＨ２としたとき、Ｈ１、Ｈ２は例えば３〜５ｍｍとなっている。これにより、ウエーハＷをより直立に近い状態で支持すると共に、ウエーハＷの表面Ｗ２に設定される製品領域に傷が付くことを防ぐことができる。
この実施形態では、プッシャー１０が本発明の「基板支持装置」に対応し、基材１が本発明の「支持部材」に対応し、ウエーハＷが本発明の「基板」に対応している。また、側面４が本発明の「第１の側面」に対応し、側面５が本発明の「第２の側面」に対応し、底面６全体が本発明の「底面の第１の部分」に対応している。さらに、開口部３ａが本発明の「第１の開口部」に対応し、開口部３ｂが本発明の「第２の開口部」に対応している。また、角部７が本発明の「第１の角部」に対応し、角部８が本発明の「第２の角部」に対応している。そして、ウエーハ移載装置１００が本発明の「半導体製造装置」に対応している。
【００３０】
なお、本発明において、プッシャー１０の構成は図１に示した構成に限定されるものではなく、例えば、図７（ａ）又は図７（ｂ）に示すような構成であっても良い。即ち、図７（ａ）に示すように、隣り合う一方の溝部３と他方の溝部３との境界部分９は、上方に向かって突き出た角部となっていても良い。このような構成であれば、ウエーハの縁端が溝部３の底面ではなく、境界部分９に接触した場合でも、この縁端を境界部分９の表面（即ち、角部の斜面）に沿って滑らせて、溝部３の底面６に誘導することができる。従って、溝部３とウエーハとの位置合わせのマージンを大きくする（つまり、余裕を持たせる）ことができる。
【００３１】
或いは、図７（ｂ）に示すように、プッシャー１０において、上記の境界部分９は、角部ではなく、上方に向かって突き出た曲部であっても良い。このような構成であっても、ウエーハの縁端を境界部分９の表面（即ち、曲面）に沿って滑らせて底面６に誘導することができるので、図７（ａ）と同様の効果を得ることができる。
また、本発明において、プッシャー１０の底面は、例えば図７（ａ）又は図７（ｂ）に示すように、底面６は側面５から側面４に向かって下がる斜面６ａと、プッシャー１０の上面に対して平ら（つまり、Ｘ−Ｚ平面に対して水平）な平面６ｂとにより構成されていても良い。このような構成であっても、斜面６ａに接触したウエーハの縁端を側面４の側へ片寄せすることができるので、上記の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、図７（ａ）及び（ｂ）では、斜面６ａが本発明の「底面の第１の部分」に対応している。
【００３２】
また、本発明において、プッシャー１０の底面は、例えば図８に示すように、Ｘ−Ｙ平面において弧を描くように湾曲していても良い。このような構成であれば、ウエーハＷを移載する際にオリフラＯＦを上にした場合であっても、ウエーハＷの左右への動きを湾曲した底面６によって制限することができる。また、この場合は、プッシャー１０の上面も底面と同じように湾曲させることが好ましい。これにより、Ｘ−Ｙ平面において溝部３の深さを均一にすることができる。
【００３３】
さらに、本発明において、支持の対象となるウエーハＷの直径は６インチに限定されるものではなく、例えば、ウエーハＷは８インチであっても良い。また、ウエーハＷの大きさに応じて、プッシャー１０の大きさを適宜に調整することが可能である。例えば、８インチ径のウエーハ（以下、８インチウエーハともいう。）をプッシャー１０で支持する場合は、溝部３のピッチＰを例えばＰ＝６．３５ｍｍとなるように形成する。８インチウエーハを収納するカセットは、その溝部のピッチが通常６．３５ｍｍに設定されているので、プッシャー１０のピッチＰを８インチ用カセットのピッチと一致させることにより、このカセットに収納されている８インチウエーハの縁部をそのままプッシャー１０の溝部３に差し込むことができる。これにより、上記の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００３４】
１ 基材、３ 溝部、３ａ、３ｂ 開口部、４、５ 側面、６ 底面、６ａ 斜面、６ｂ 平面、７、８ 角部、９ 境界部分、１０ プッシャー、２０ ロッド、３０ ステージ、３１ ガイド、４０ 溝付チャック、４１ アーム、５０ カセット、５１ 脚部、ＯＦ オリフラ、Ｗ ウエーハ、Ｗ１ 縁端、Ｗ２ 表面、Ｗ３ 裏面、
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持部材、半導体製造装置及び基板の支持方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の従来技術としては、例えば特許文献１に開示されたものがある。即ち、この特許文献１には、複数枚のウエーハを一方のカセットから他方のカセットに移し替える際に、これらウエーハを一時的に支持するための支持部材が開示されている。そして、この支持部材には所定のピッチで互いに平行するように複数の支持溝が設けられていること、及び、これら支持溝の各々はその底部から上方に向かって徐々に溝幅が広がる形状を有すること、が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１０９８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記の特許文献１に開示された支持部材では、支持溝の底面は支持部材の上面に対して平行（即ち、平ら）となっている。このため、上記の特許文献１に開示された支持部材では、例えば図９に示すように、隣り合う２枚のウエーハＷ´のうちの一方は左側に傾き、他方は右側に傾いてしまう可能性があった。このように、支持部材９０上においてウエーハＷ´の傾く方向がそれぞれ異なると、ウエーハＷ´間の距離にバラツキが生じてしまい、例えば、支持部材９０の上方に待機している溝付チャック（図示せず）の１つの溝部に２枚のウエーハＷ´が一緒に入ったり、本来入るべき溝部の隣の位置にある溝部にウエーハＷ´が入ったりするなどの、移載トラブルが発生してしまう可能性があった。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板の傾きを一方向に揃えることができ、移載トラブルを低減できるようにした支持部材、半導体製造装置及び基板の支持方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る基板支持装置は、複数の溝部を備える支持部材と、を含む基板支持装置であって、前記複数の溝部の底面の第１の部分は、傾斜していることを特徴とするものである。
また、上記の基板支持装置において、前記複数の溝部は、それぞれ第１の側面及び前記第１の側面に対向する第２の側面を有し、前記第１の部分に形成された傾斜は、前記第１の側面の底部が、前記第２の側面の底部より下方に位置することにより形成されていても良い。
【０００６】
また、上記の基板支持装置において、前記複数の溝部は、それぞれ第１の開口部及び第２の開口部を有し、前記第２の開口部は、前記第１の開口部の上方に位置し、前記第２の開口部が有する幅は、前記第１の開口部が有する幅よりも大きいことを特徴としても良い。
また、上記の基板支持装置において、前記第２の開口部は、前記支持部材の上方に向かって幅が広がるように形成されていることを特徴としても良い。
【０００７】
また、上記の基板支持装置において、前記複数の溝部は、一定の間隔で前記支持部材に形成されていることを特徴としても良い。
本発明の別の態様に係る半導体製造装置は、上記の支持部材を備えることを特徴としても良い。
本発明のさらに別の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の半導体製造装置を用いることを特徴としても良い。
本発明のさらに別の態様に係る半導体基板の支持方法は、上記の支持部材を用いて、複数の基板を同一方向に傾斜させる工程を備えることを特徴としても良い。
【０００８】
本発明のさらに別の態様に係る支持部材、半導体製造装置、又は、基板の支持方法は、例えば下記の発明１〜８であっても良い。
発明１の支持部材は、基材と、前記基材の上面に形成された溝部とを備え、基板を前記溝部に挟んだ状態で支持する支持部材であって、前記溝部の底面は、当該底面と接触した前記基板の縁部の端を前記溝部の第１の側面の側へ片寄せする形状を有することを特徴とするものである。このような構成であれば、基板の傾きを一方向に揃えることができる。
発明２の支持部材は、発明１の支持部材において、前記溝部の底面は、前記溝部の前記第１の側面と対向する第２の側面から、前記第１の側面に向かって下がる斜面、を含むことを特徴とするものである。このような構成であれば、基板の縁部の端（以下、縁端ともいう。）を溝部の底面に沿って滑らせて、当該縁端を溝部の第１の側面の側へ片寄せすることができる。また、この片寄せの結果、基板の傾きを一方向に揃えることができる。
【０００９】
発明３の支持部材は、発明２の支持部材において、前記溝部は、前記第１の側面と前記第２の側面との間の距離が一定である第１の開口部と、前記第１の開口部上に位置して、前記第１の側面と前記第２の側面との間の距離が前記基材の上方に向かって徐々に拡がる第２の開口部と、を有し、前記第１の側面において前記第１の開口部と第２の開口部との境界部分には第１の角部が存在し、前記第２の側面において前記第１の開口部と第２の開口部との境界部分には第２の角部が存在し、前記第２の角部は、前記第１の角部よりも上方に位置することを特徴とするものである。このような構成であれば、第１の角部と第２の角部とが同じ高さに位置する場合と比べて、基板をより直立に近い状態で支持することができる。
【００１０】
発明４の支持部材は、発明３の支持部材において、前記第１の角部の前記底面からの高さは、３ｍｍ以上、５ｍｍ以下であることを特徴とするものである。このような構成であれば、基板の第１の面において、溝部の第１の側面と接触する領域は縁端から中心に向かって５ｍｍまでの領域となる。縁端から中心に向かって５ｍｍ以上離れた領域が溝部の第１の側面と接触することを防ぐことができ、当該領域に傷が付くことを防ぐことができる。例えば、ウエーハの表面に設定される製品領域（即ち、製品としての半導体装置が作りこまれる領域）は、通常、ウエーハの縁端から中心に向かって５ｍｍ以上離れた領域に設定されるが、上記の構成であれば、製品領域が溝部の第１の側面と接触することを防ぐことができ、製品領域に傷が付くことを防ぐことができる。
【００１１】
発明５の支持部材は、発明１から発明４の何れか一の支持部材において、前記溝部は、一定の間隔で複数形成されていることを特徴とするものである。このような構成であれば、複数枚の基板を一定の間隔で支持することができる。
発明６の支持部材は、発明５の支持部材において、前記一定の間隔で複数形成された前記溝部のうちの、隣り合う一方の溝部と他方の溝部との境界部分は、前記基材の上方に向かって突き出た形状を有することを特徴とするものである。このような構成であれば、基板を溝部に挟み込む際に、基板の縁端が溝部の底面ではなく、上記の境界部分に接触した場合でも、この縁端を境界部分の表面に沿って滑らせて溝部の底面に誘導することができる。従って、溝部と基板との位置合わせのマージンを大きくする（つまり、余裕を持たせる）ことができる。
【００１２】
発明７の半導体製造装置は、基板を第１のカセットから第２のカセットに移し替える半導体製造装置であって、発明１から発明６の何れか一の支持部材を備えることを特徴とするものである。ここで、「基板」としては、例えばウエーハが挙げられる。このような構成であれば、例えば、複数枚のウエーハを支持部材で支持した際に、支持部材上でのウエーハの傾きを一方向に揃えることができる。従って、複数枚のウエーハを第１のカセットから第２のカセットに移し替える際に、溝付チャックの１つの溝に２枚のウエーハが一緒に入ったり、本来入るべき溝の隣の位置にある溝にウエーハが入ったりするなどの移載トラブルを低減することができる。これにより、移載トラブルに起因したウエーハの破損（割れ、欠け等）を防止することができるので、半導体装置の歩留まりの向上に寄与することができる。
【００１３】
発明８の基板の支持方法は、基材と、前記基材の上面に形成された溝部とを備えた支持基材の前記溝部に、基板を挟み込んで支持する方法であって、前記基板の縁部の端を前記溝部の底面に接触させる工程と、前記底面と接触した前記縁部の端を前記溝部の第１の側面の側へ片寄せする工程と、を含むことを特徴とするものである。このような方法によれば、支持部材上での基板の傾きを一方向に揃えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係るプッシャー１０の構成例を示す図。
【図２】実施形態に係るウエーハ移載装置１００の構成例を示す図。
【図３】実施形態に係るウエーハＷの移載方法を示す図（その１）。
【図４】実施形態に係るウエーハＷの移載方法を示す図（その２）。
【図５】プッシャー１０による支持の仕組みを示す図。
【図６】ウエーハＷの傾きが一方向に揃っている状態を示す図。
【図７】プッシャー１０の他の構成例を示す図（その１）。
【図８】プッシャー１０の他の構成例を示す図（その２）。
【図９】従来技術の課題を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態に係るプッシャー１０の構成例を示す図であり、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の斜視図をＹ−Ｚ平面で切断したときの拡大断面図である。
【００１６】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すプッシャー１０は、例えば、シリコン基板又はＳＯＩ基板などのウエーハを一方のカセット（キャリアとも呼ばれる。）から他方のカセットに移し替える際に使用されるものである。具体的には、半導体装置の製造工程において、ウエーハは２５枚程度を１ロットとして取り扱われるが、この１ロット（即ち、２５枚）のウエーハは、箱型の容器に仕切りの溝が設けられたカセットに１枚ずつ垂直に離して収納される。そして、１ロットのウエーハは、カセットに収納された状態で一方の工程から他方の工程へ搬送されたり、所定の製造装置において半導体装置を作りこむための処理が施されたりする。ここで、上記のカセットは、搬送用カセット、プロセス用カセット等のように使用環境に応じて使い分けられており、１ロットのウエーハを一方のカセットから他方のカセットへと移し替えることが半導体装置の製造工程において頻繁に行われている。この移し替えは、後述するウエーハ移載装置により行われるが、図１（ａ）及び（ｂ）に示すプッシャー１０は、このウエーハ移載装置に組み込まれて使用されるものである。
【００１７】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、このプッシャー１０は、例えば、耐磨耗性に優れた樹脂からなる基材１を有し、この基材１の上面に複数の溝部３が形成されている。耐摩耗性に優れた樹脂としては、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、又は、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）等が挙げられる。また、複数の溝部３は、複数枚のウエーハの縁部を挟んで支持するためのものである。例えば、１ロット（即ち、２５枚）のウエーハに対応して、基材１には２５個の溝部３が形成されている。また、これら溝部３はその各々が互いに同一の形状を有し、且つその各々が互いに平行となるように、図１（ａ）のＺ軸方向に向けて所定のピッチ（即ち、間隔）で形成されている。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、溝部３のピッチをＰとする。このプッシャー１０が６インチ径のウエーハ（以下、６インチウエーハともいう。）を支持する場合は、各溝部３は例えばＰ＝４．７６ｍｍとなるように形成されている。ここで、図示しない６インチウエーハを収納するカセットの溝部のピッチは、通常４．７６ｍｍに設定されている。従って、プッシャー１０のピッチＰを６インチ用カセットのピッチと一致させることにより、このカセットに収納されている６インチウエーハの縁部をそのままプッシャー１０の溝部３に差し込むことができる。
【００１９】
また、これら溝部３の各々は、開口部３ａと開口部３ｂとによって構成されている。開口部３ａは、対向する側面４と側面５との間の距離が一定である。また、開口部３ｂは、開口部３ａの上方に位置し、側面４と側面５との間の距離が基材１の上方に向かって徐々に拡がっている。図１（ｂ）に示すように、開口部３ａの幅（即ち、Ｚ方向の長さ）をＷとしたとき、Ｗは例えばウエーハの標準的な厚さの１．１倍程度の大きさである。一例を挙げると、６インチウエーハの標準的な厚さは６２５μｍであり、このプッシャー１０が６インチウエーハを支持する場合は、各溝部３は例えばＷ＝６２５μｍ×１．１＝６８７．５μｍ、つまり、Ｗ≒７００μｍとなるように形成されている。
【００２０】
また、図１（ｂ）に示すように、開口部３ａと開口部３ｂとからなる溝部３の底面６は、側面５から側面４に向かって下がる斜面（即ち、傾斜）となっている。この斜面の角度（即ち、Ｚ軸方向を０゜としたときの角度）をθとしたとき、θは例えば１５〜７０゜であり、この範囲の中でも特にθ≧３０゜であることが好ましい。そして、これら溝部３の各々について、側面４における開口部３ａと開口部３ｂとの境界部分である角部７は、側面５における開口部３ａと開口部３ｂとの境界部分である角部８よりも下方に位置している。なお、これら溝部３の各々について、底面６から角部７までの高さをＨ１とし、底面６から角部８までの高さをＨ２としたとき、Ｈ１は例えば３〜５ｍｍであり、Ｈ２は例えば３〜５ｍｍ程度である。Ｈ１＝Ｈ２であっても良いし、Ｈ１≠Ｈ２であっても良い。次に、このようなプッシャー１０を備えたウエーハ移載装置について説明する。
【００２１】
図２は、本発明の実施形態に係るウエーハ移載装置１００の構成例を示す図である。
図２に示すように、このウエーハ移載装置１００は、プッシャー１０と、ロッド２０と、ステージ３０と、溝付チャック４０と、を含んだ構成となっている。これらの中で、ロッド２０の先端にはプッシャー１０が取り付けられており、その他端の側には図示しない昇降機構が取り付けられている。この図示しない昇降機構が動作することにより、プッシャー１０はステージ３０の下から上へ移動し、また、ステージ３０の上から下へ移動するようになっている。
【００２２】
ステージ３０はカセット５０が載せられる台であり、その表面にはカセット５０の位置を決めるガイド３１が設けられている。例えば、このガイド３１によって脚部５１が両側から挟まれるようにカセット５０を置くことにより、カセット５０を毎回同じ位置に配置することができる。さらに、ステージ３０の真上には、一対の溝付チャック４０が設けられている。図示しないが、この溝付チャック４０には、ガイド３１によってステージ３０上で位置決めされたカセット５０の溝部と対応するように、複数の溝部が形成されている。この溝付チャック４０も、プッシャー１０と同様、例えば、耐磨耗性に優れた樹脂からなる。また、この一対の溝付チャック４０にはそれぞれアーム４１が取り付けられている。次に、上記のプッシャー１０を備えたウエーハ移載装置１００を用いて、一方のカセットから他方のカセットへウエーハＷを移し替える場合について説明する。
【００２３】
図３（ａ）〜図４（ｂ）は、本発明の実施形態に係るウエーハＷの移載方法を示す図である。また、図５（ａ）及び（ｂ）は、移載過程でのウエーハＷの動きを示す図である、
図３（ａ）では、まず始めに、１ロット（即ち、２５枚）のウエーハＷを収納したカセット５０をステージ３０上に配置する。このとき、カセット５０の脚部５１をガイド３１で挟むようにすることで、カセット５０を所定の位置に配置することができる。なお、カセット５０に収納されたウエーハＷのオリエンテーションフラット（以下、オリフラという。）は、カセット５０をステージ３０上に配置した後で、図示しないオリフラ合わせ機によって例えば下方に調整する。或いは、このようなオリフラ合わせは、カセット５０をステージ３０上に配置する前に、行っても良い。
【００２４】
次に、図示しない昇降機構を動作させて、ロッド２０の先端に取り付けられたプッシャー１０を上方へ移動させる。これにより、プッシャー１０の溝部にウエーハＷの縁部が入り、ウエーハＷは直立に近い状態で支持される。そして、ウエーハＷは、直立に近い状態で支持されたまま、上方へ押し上げられてカセット５０から取り出される。このプッシャー１０による支持の仕組みについて、より詳しく説明する。
図５（ａ）に示すように、まず、ウエーハＷの縁部が溝部３に入り、ウエーハＷの縁部の端（即ち、縁端）Ｗ１が溝部３の底面６に接触する。すると、底面６は側面４に向かって下がる斜面となっているので、ウエーハＷの縁端Ｗ１は斜面に沿って滑り、側面４の側へ片寄せされる。そして、この片寄せの結果、ウエーハＷは縁端Ｗ１を側面４の側に残したまま反対側（即ち、側面５の側）へ倒れ、図５（ｂ）に示すように、ウエーハＷの裏面が角部８と接触した状態で支えられることとなる。
【００２５】
ここで、製品領域（即ち、製品としての半導体装置が作りこまれる領域）は、通常、ウエーハＷの表面Ｗ２に設定されている。従って、ウエーハＷの裏面Ｗ３と角部８とが接触しても製品領域に傷が付くことはない。また、角部８は角部７よりも上方に位置するので、角部７と角部８が同じ高さにある場合と比べて、ウエーハＷをより直立に近い状態で支持することができる。さらに、図５（ａ）の状態から図５（ｂ）の状態に移行する際に、ウエーハＷの表面Ｗ２と溝部３の側面４とが一時的に接触することも想定される。しかしながら、側面４の高さＨ１（図１（ｂ）参照。）を例えば３〜５ｍｍ程度に設定していれば、この側面４は製品領域に届かないので、製品領域に傷が付くことを防ぐことができる。
【００２６】
図３（ａ）に戻って、このようにプッシャー１０によってウエーハＷはその下側から支持され、この状態で上方に押し上げられる。そして、ウエーハＷがカセット５０から完全に取り出され、溝付チャック４０と同じ高さまで押し上げられると、一対の溝付チャック４０が内側へ閉じる。これにより、図３（ｂ）に示すように、溝付チャック４０によってウエーハＷはその両側から支持されることとなる。次に、図示しない昇降機構を動作させて、プッシャー１０をステージ３０の下まで移動させる。そして、ステージ３０上にある一方のカセット５０を、他方のカセット５０に置き換える。なお、一方のカセット５０とは、例えば搬送用カセット又はプロセス用カセットのうちの一方のことであり、他方のカセット５０とは搬送用カセット又はプロセス用カセットのうちの他方のことである。
【００２７】
次に、図４（ａ）において、図示しない昇降機構を動作させて、プッシャー１０を上方に移動させる。これにより、プッシャー１０の溝部にウエーハＷの縁部が入り、ウエーハＷはその下側から支持される。次に、一対の溝付チャック４０が外側へ開く。これにより、溝付チャック４０による支持状態が解除され、ウエーハＷはプッシャー１０によってのみ支持された状態となる。その後、図4（ｂ）において、図示しない昇降機構を動作させ
て、プッシャー１０をステージ３０の下まで移動させる。これにより、１ロットのウエーハＷは他方のカセット５０に収納されて、その移載作業が完了する。
【００２８】
このように、本発明の実施形態によれば、溝部３の底面６が側面５から側面４に向かって下がる斜面（即ち、傾斜）となっている。これにより、ウエーハＷの縁端Ｗ１を底面６に沿って滑らせて、側面４の側へ片寄せすることができる。また、この片寄せの結果、ウエーハＷの傾きを一方向（例えば、図５（ｂ）において、右側）に揃えることができる。
それゆえ、例えば図６に示すように、１ロットのウエーハＷを移載する際に、溝付チャック４０の１つの溝部に１枚のウエーハＷを正しく入れることができる。つまり、それぞれのウエーハＷを本来入るべき溝部に正しく入れることができる。従来例で課題とした挙げた移載トラブルを低減することができ、移載トラブルに起因したウエーハＷの破損（割れ、欠け等）を防止することができるので、半導体装置の歩留まりの向上に寄与することができる。
【００２９】
また、角部８は角部７よりも高い位置にあり、底面から角部までの高さをＨ１、底面から角部までの高さをＨ２としたとき、Ｈ１、Ｈ２は例えば３〜５ｍｍとなっている。これにより、ウエーハＷをより直立に近い状態で支持すると共に、ウエーハＷの表面Ｗ２に設定される製品領域に傷が付くことを防ぐことができる。
この実施形態では、プッシャー１０が本発明の「基板支持装置」に対応し、基材１が本発明の「支持部材」に対応し、ウエーハＷが本発明の「基板」に対応している。また、側面４が本発明の「第１の側面」に対応し、側面５が本発明の「第２の側面」に対応し、底面６全体が本発明の「底面の第１の部分」に対応している。さらに、開口部３ａが本発明の「第１の開口部」に対応し、開口部３ｂが本発明の「第２の開口部」に対応している。また、角部７が本発明の「第１の角部」に対応し、角部８が本発明の「第２の角部」に対応している。そして、ウエーハ移載装置１００が本発明の「半導体製造装置」に対応している。
【００３０】
なお、本発明において、プッシャー１０の構成は図１に示した構成に限定されるものではなく、例えば、図７（ａ）又は図７（ｂ）に示すような構成であっても良い。即ち、図７（ａ）に示すように、隣り合う一方の溝部３と他方の溝部３との境界部分９は、上方に向かって突き出た角部となっていても良い。このような構成であれば、ウエーハの縁端が溝部３の底面ではなく、境界部分９に接触した場合でも、この縁端を境界部分９の表面（即ち、角部の斜面）に沿って滑らせて、溝部３の底面６に誘導することができる。従って、溝部３とウエーハとの位置合わせのマージンを大きくする（つまり、余裕を持たせる）ことができる。
【００３１】
或いは、図７（ｂ）に示すように、プッシャー１０において、上記の境界部分９は、角部ではなく、上方に向かって突き出た曲部であっても良い。このような構成であっても、ウエーハの縁端を境界部分９の表面（即ち、曲面）に沿って滑らせて底面６に誘導することができるので、図７（ａ）と同様の効果を得ることができる。
また、本発明において、プッシャー１０の底面は、例えば図７（ａ）又は図７（ｂ）に示すように、底面６は側面５から側面４に向かって下がる斜面６ａと、プッシャー１０の上面に対して平ら（つまり、Ｘ−Ｚ平面に対して水平）な平面６ｂとにより構成されていても良い。このような構成であっても、斜面６ａに接触したウエーハの縁端を側面４の側へ片寄せすることができるので、上記の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、図７（ａ）及び（ｂ）では、斜面６ａが本発明の「底面の第１の部分」に対応している。
【００３２】
また、本発明において、プッシャー１０の底面は、例えば図８に示すように、Ｘ−Ｙ平面において弧を描くように湾曲していても良い。このような構成であれば、ウエーハＷを移載する際にオリフラＯＦを上にした場合であっても、ウエーハＷの左右への動きを湾曲した底面６によって制限することができる。また、この場合は、プッシャー１０の上面も底面と同じように湾曲させることが好ましい。これにより、Ｘ−Ｙ平面において溝部３の深さを均一にすることができる。
【００３３】
さらに、本発明において、支持の対象となるウエーハＷの直径は６インチに限定されるものではなく、例えば、ウエーハＷは８インチであっても良い。また、ウエーハＷの大きさに応じて、プッシャー１０の大きさを適宜に調整することが可能である。例えば、８インチ径のウエーハ（以下、８インチウエーハともいう。）をプッシャー１０で支持する場合は、溝部３のピッチＰを例えばＰ＝６．３５ｍｍとなるように形成する。８インチウエーハを収納するカセットは、その溝部のピッチが通常６．３５ｍｍに設定されているので、プッシャー１０のピッチＰを８インチ用カセットのピッチと一致させることにより、このカセットに収納されている８インチウエーハの縁部をそのままプッシャー１０の溝部３に差し込むことができる。これにより、上記の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００３４】
１ 基材、３ 溝部、３ａ、３ｂ 開口部、４、５ 側面、６ 底面、６ａ 斜面、６ｂ 平面、７、８ 角部、９ 境界部分、１０ プッシャー、２０ ロッド、３０ ステージ、３１ ガイド、４０ 溝付チャック、４１ アーム、５０ カセット、５１ 脚部、ＯＦ オリフラ、Ｗ ウエーハ、Ｗ１ 縁端、Ｗ２ 表面、Ｗ３ 裏面、
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の溝部を備える支持部材と、を含む基板支持装置であって、
前記複数の溝部の底面の第１の部分は、傾斜していることを特徴とする基板支持装置。
【請求項２】
前記複数の溝部は、それぞれ第１の側面及び前記第１の側面に対向する第２の側面を有し、
前記第１の部分に形成された傾斜は、前記第１の側面の底部が、前記第２の側面の底部より下方に位置することにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
【請求項３】
前記複数の溝部は、それぞれ第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記第２の開口部は、前記第１の開口部の上方に位置し、
前記第２の開口部が有する幅は、前記第１の開口部が有する幅よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の基板支持装置。
【請求項４】
前記第２の開口部は、前記支持部材の上方に向かって幅が広がるように形成されていることを特徴とする請求項３に記載の基板支持装置。
【請求項５】
前記複数の溝部は、一定の間隔で前記支持部材に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板支持装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の支持部材を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体製造装置を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の支持部材を用いて、複数の基板を同一方向に傾斜させる工程を備えることを特徴とする半導体基板の支持方法。
【請求項１】
複数の溝部を備える支持部材と、を含む基板支持装置であって、
前記複数の溝部の底面の第１の部分は、傾斜していることを特徴とする基板支持装置。
【請求項２】
前記複数の溝部は、それぞれ第１の側面及び前記第１の側面に対向する第２の側面を有し、
前記第１の部分に形成された傾斜は、前記第１の側面の底部が、前記第２の側面の底部より下方に位置することにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
【請求項３】
前記複数の溝部は、それぞれ第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記第２の開口部は、前記第１の開口部の上方に位置し、
前記第２の開口部が有する幅は、前記第１の開口部が有する幅よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の基板支持装置。
【請求項４】
前記第２の開口部は、前記支持部材の上方に向かって幅が広がるように形成されていることを特徴とする請求項３に記載の基板支持装置。
【請求項５】
前記複数の溝部は、一定の間隔で前記支持部材に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板支持装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の支持部材を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体製造装置を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の支持部材を用いて、複数の基板を同一方向に傾斜させる工程を備えることを特徴とする半導体基板の支持方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１０−３４５０１（Ｐ２０１０−３４５０１Ａ）
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７０７０４（Ｐ２００９−７０７０４）
【出願日】平成２１年３月２３日（２００９．３．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２３日（２００９．３．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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