樹脂封止方法及び樹脂封止用金型
【課題】製造歩留まり、信頼性を向上させる半導体装置を製造する樹脂封止方法及び樹脂封止用金型を提供する。
【解決手段】半導体素子２０ｃが搭載された支持基板２０ｓを、下金型上に載置し、下金型と、下金型と衝合する上金型１０ｕとを型締めし、金型の樹脂注入口１０ｇから樹脂３０ｒを注入し、樹脂注入口からエアベント孔１０ａの方向に樹脂を流動させ、上金型の内側壁１０ｕｗに樹脂を到達させて、半導体素子を樹脂により封止する。上金型の内側面は、キャビティ１０ｃａ内に於いて、被処理基板、半導体素子方向に突出する波形形状１０ｃｖ−１を有している。これにより、半導体装置を、高い製造歩留まりで、高い信頼性を以て、製造することができる。
【解決手段】半導体素子２０ｃが搭載された支持基板２０ｓを、下金型上に載置し、下金型と、下金型と衝合する上金型１０ｕとを型締めし、金型の樹脂注入口１０ｇから樹脂３０ｒを注入し、樹脂注入口からエアベント孔１０ａの方向に樹脂を流動させ、上金型の内側壁１０ｕｗに樹脂を到達させて、半導体素子を樹脂により封止する。上金型の内側面は、キャビティ１０ｃａ内に於いて、被処理基板、半導体素子方向に突出する波形形状１０ｃｖ−１を有している。これにより、半導体装置を、高い製造歩留まりで、高い信頼性を以て、製造することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止方法及び樹脂封止用金型に関し、特にワイヤボンディング法が適用された半導体素子などの電子部品を樹脂封止する方法、並びに当該樹脂封止法を実施するに用いられる樹脂封止用金型に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を回路基板等の支持基板上に搭載し、ワイヤボンディング等を行った後、当該半導体素子、ボンディングワイヤ等を封止して半導体装置を形成するための手段の一つとして、樹脂封止（樹脂モールド）工程が挙げられる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
かかる樹脂封止工程に於いて用いられる一般的な樹脂封止用金型の構造の一部を、図２０に示す。
この図では、樹脂モールドを形成する金型の下金型１００ｄと上金型１００ｕが、型締めされて一対になった状態が示されている。
【０００４】
即ち、下金型１００ｄと上金型１００ｕとが型締めされた状態を以て、キャビティ１００ｃを形成している。
また、下金型１００ｄ上には、複数個の半導体素子２００ｃが搭載された支持基板２００ｓが載置されている。また、半導体素子２００ｃの電極（図示せず）から支持基板２００ｓの電極端子（図示せず）には、ボンディングワイヤ２００ｗが接続されている。
【０００５】
そして、封止用樹脂３００ｒがゲート部１００ｇから注入され、当該ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａの方向に向かい流動して、当該キャビティ１００ｃ内に充填される。
【０００６】
これにより、支持基板２００ｓ上の半導体素子２００ｃ並びにボンディングワイヤ２００ｗが封止用樹脂３００ｒにより封止される。
【特許文献１】特開２００２−１１０７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この様に、ゲート部１００ｇから注入された封止用樹脂３００ｒがエアベント孔１００ａ方向に流動すると、封止用樹脂３００ｒの樹脂圧によってボンディングワイヤ２００ｗが変形し、ボンディングワイヤ２００ｗの一部が相互に接触し、短絡を生ずる場合がある。
【０００８】
かかる現象を、図２１乃至図２３を用いて説明する。当該図２１乃至図２３には、図２０のＸ−Ｘ’断面に於けるエアベント孔１００ａ付近の状態を示す。
上記ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａの方向に、封止用樹脂３００ｒを充填させる様子を図２１に示す。
【０００９】
即ち、ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａの方向に封止用樹脂３００ｒを充填させると、矢印ａの方向に封止用樹脂３００ｒが流動する。
図２１に示される様に、矢印Ａ（楕円状の実線で包囲した部分）で示されるボンディングワイヤ２００ｗは、封止用樹脂３００ｒと接触していないため、原形を維持している。
【００１０】
しかし、封止用樹脂３００ｒがこれらのボンディングワイヤ２００ｗにまで到達し、当該封止用樹脂３００ｒと当該ボンディングワイヤ２００ｗとが接触すると、当該封止用樹脂３００ｒの流動方向とボンディングワイヤ２００ｗの延在する方向が異なるため、当該ボンディングワイヤ２００ｗは、封止用樹脂３００ｒから圧力を受け、図２２に示される様に湾曲してしまう。
【００１１】
また、封止用樹脂３００ｒの充填を続けると、上金型１００ｕのエアベント孔１００ａ付近の内側壁１００ｕｗに於いて、封止用樹脂３００ｒの跳ね返りが生じ、矢印ａとは逆方向に流動する状態が出現する。
【００１２】
即ち、上金型１００ｕの側壁１００ｕｗの近傍では、矢印ａの方向に流動した封止用樹脂３００ｒが内側壁１００ｕｗに於いて逆方向に跳ね返り、図２３に示される様に、矢印ａとは逆方向の矢印ｂの方向に流動する樹脂が出現する。
【００１３】
この様な樹脂の跳ね返りが生ずると、矢印ａの方向に湾曲したボンディングワイヤ２００ｗと、矢印ｂの方向に湾曲したボンディングワイヤ２００ｗとが接触、即ち短絡を生じてしまう。
【００１４】
この様に、ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａに封止用樹脂３００ｒを注入すると、特にエアベント近傍に位置する半導体素子２００ｃに於いて、その電極から導出されたボンディングワイヤの相互にショート（短絡）を生じてしまう。
【００１５】
特に、半導体素子２００ｃが高集積化、小型化する傾向にあり、隣接するボンディングワイヤの導出ピッチが狭小化する傾向にある。このため、前記ボンディングワイヤ間のショートは、発生し易い状況にある。
【００１６】
本発明はこの様な点に鑑みてなされたものであり、製造歩留まりを向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する樹脂封止方法及び樹脂封止用金型を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面が、波形を有する金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法が提供される。
【００１８】
また、被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面近傍に、柱状体が配設された金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法が提供される。
【００１９】
また、上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の内側面が波形を有することを特徴とする樹脂封止用金型が提供される。
また、上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の近傍に、柱状体が配設されてなることを特徴とする樹脂封止用金型が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
上記手段によれば、半導体装置の製造歩留まりを高めることができ、且つ信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本実施の形態に係る樹脂封止方法、並びに当該樹脂封止方法を実施する樹脂封止装置（樹脂封止用金型）について、図面を参照しながら説明する。
＜第１の実施の形態＞
本発明の、第１の実施の形態に係る、半導体装置の製造方法の製造工程フローを、図１に示す。
【００２２】
先ず、半導体素子が搭載された支持基板を、下金型上に載置する（ステップＳ１）。
次に、下金型と、下金型と衝合する上金型とを型締めする（ステップＳ２）。
これにより、金型内のキャビティ内に、半導体素子が搭載された支持基板が配置される。
【００２３】
次いで、金型の樹脂注入口から、キャビティ内に封止用樹脂を注入する（ステップＳ３）。
そして、当該キャビティ内に於いて、封止用樹脂をエアベント孔の方向に流動させ、上金型の内側壁に樹脂を到達させて、前記半導体素子を樹脂により封止する（ステップＳ４）。
【００２４】
この時、前記上金型の内側面は、キャビティ内に於いて、被処理基板、半導体素子方向に突出する波形形状を有している。
この様な製造方法により、第１の実施の形態に係る半導体装置が製造される。
【００２５】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
尚、以下に示す図に於いては、同一の部材には同一の符号を付している。
本発明の第１の実施の形態で用いられる樹脂封止装置１Ａの、金型部分の要部断面を図２に示す。
【００２６】
図２に於いては、上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合し、それらが一対になって型締めされた状態が示されている。
上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合されると、樹脂封止装置１Ａの金型内に、キャビティ１０ｃａが形成される。当該キャビティ１０ｃａ内には、被処理基板として、一方の主面（上面）に複数個の半導体素子２０ｃが搭載された大判の支持基板２０ｓが、下金型１０ｄ上に載置された状態で収容されている。
【００２７】
上金型１０ｕの側壁には、ゲート部（樹脂注入口）１０ｇとエアベント孔１０ａとが、対向して配置されている。
ゲート部１０ｇは、封止用樹脂３０ｒの注入口である。
【００２８】
当該ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態にある封止用樹脂３０ｒが注入されると、当該封止用樹脂３０ｒはエアベント孔１０ａが配置されている側壁の方向（矢印ａの方向）に流動してキャビティ１０ｃａ内に充填される。この時、キャビティ１０ｃａ内に存在するガスは、エアベント孔１０ａから放出される。
【００２９】
尚、上金型１０ｕの内側壁は、上金型１０ｕの主面１０ｓに垂直な方向から傾いた傾斜面１０ｔｐの角度を“θ”とすると、θが下金型１０ｄの主面の垂直方向に対し、５°〜１５°に選択された傾斜面とされている。
【００３０】
かかる上金型１０ｕの内側壁を傾斜面とすることにより、硬化した封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとを容易に分離することができる。即ち封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから容易に取り外すことができる。尚、かかる傾斜角θが５°より小さくなると、封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとの密着により、封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから取り外し難く、また、θが１５°より大きいと、支持基板２０ｓに搭載される半導体素子数が減少してしまう。
【００３１】
本発明による樹脂封止装置１Ａにあっては、図２並びに図２のＸ−Ｘ’断面である図３に示される様に、前記エアベント孔１０ａが配設される上金型１０ｕの内側壁に、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する半円状の凸部と同様に半円状の凹部含む凹凸部１０ｃｖ−１が複数個配設される。
【００３２】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する円弧状の波形とされている。
尚、当該凹凸部１０ｃｖ−１の内側壁は、前述の如き傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
【００３３】
また、前記下金型１０ｄは、支持基板２０ｓの支持台としても機能する。
当該下金型１０ｄには、ガイドピン（固定用ピン）を設け、当該ガイドピンにより支持基板２０ｓの位置決めを行ってもよい（図示せず）。
【００３４】
また、当該支持基板２０ｓを載置した後、必要に応じて支持基板２０ｓを下金型１０ｄに吸引保持してもよい。
尚、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの材質としては、例えば、ステンレス鋼材が適用される。但し、上金型１０ｕが封止用樹脂３０ｒと接する面、下金型１０ｄが支持基板２０ｓと接する面には、超硬材を配置してもよい。
【００３５】
また、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄには、夫々、ヒータ機構が備えられている（図示せず）。そして、当該ヒータ機構により、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの温度調整が行われる。
【００３６】
また、被処理基板である支持基板２０ｓは、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、またはポリイミド等の有機絶縁材料、あるいは、セラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成される。
【００３７】
当該支持基板２０ｓは、必要に応じて、片面配線構造、両面配線構造或いは多層配線構造とされる。尚、当該支持基板２０ｓは、回路基板、配線基板、プリント基板、インターポーザー、あるいはパッケージ基板とも称される。
【００３８】
一方、前記支持基板２０ｓ上に搭載される複数個の半導体素子２０ｃに於いては、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウエハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層をもって電子回路が形成されている。
【００３９】
そして、夫々の半導体素子２０ｃに於ける電極と、支持基板２０ｓに形成された電極端子との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより相互に接続されている。当該ボンディングワイヤ２０ｗとしては、例えば、金（Ａｕ）線が適用される。
【００４０】
次に、前記樹脂封止装置１Ａを用いて、支持基板２０ｓ上に搭載された複数個の半導体素子２０ｃ並びにボンディングワイヤ２０ｗ等を封止用樹脂３０ｒにより封止する過程について、図４乃至図６を用いて説明する。
【００４１】
尚、図４乃至図６は、図２のＸ−Ｘ’断面に於いて、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【００４２】
前記樹脂封止装置１Ａ内に、被処理支持基板２０ｓを配置して、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとを型締めした状態を図４に示す。
上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、前述の如く、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【００４３】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが所定の間隔をもって複数配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する半円状の凸部と、同様に半円状の凹部とを含む凹凸部１０ｃｖ−１が複数個配設されている。
【００４４】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する円弧状の波形とされている。
そして、当該円弧状の波形を有する凹凸部１０ｃｖ−１は、エアベント孔１０ａに連通している。
【００４５】
かかる凹凸部１０ｃｖ−１にあっては、凹凸部の深さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。
特に、ｄ１とｄ２とが等しく、例えば、ｄ１，ｄ２が５ｍｍの場合、ｒは２．５ｍｍのＲ加工が施されている。
【００４６】
また、隣り合う凹凸部間のピッチｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍに選択される。
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
また、上金型１０ｕ並びに下金型１０ｄは、この段階に於いて、所定の温度に加熱されている。
【００４７】
例えば、樹脂封止装置１Ａに於けるキャビティ内に注入する樹脂として、熱硬化性のエポキシ系樹脂を適用する場合には、被処理支持基板２０ｓを下金型１０ｄ上に載置する前に、下金型１０ｄ及び上金型１０ｕを、１６０℃〜１８０℃程度に加熱しておく。
【００４８】
次に、図５に示す如く、樹脂注入手段を適用して、前記ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態の封止用樹脂３０ｒを注入・充填する。
当該封止用樹脂３０ｒとしては、加熱されることにより溶融・硬化するエポキシ系樹脂が適用される。また、当該封止用樹脂３０ｒには、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる無機フィラーを含有してもよい。
【００４９】
注入された封止用樹脂３０ｒは、キャビティ１０ｃａ内に於いて、前記ゲート部１０ｇからエアベント孔１０ａの方向に向かい流動する（図中の矢印ａの方向）。
この時、エアベント孔１０ａの方向に向かって流動する封止用樹脂３０ｒにより、矢印ａとは略垂直方向に配設されたボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、封止用樹脂３０ｒにより圧力を受け、矢印ａの方向に湾曲してしまう。
【００５０】
尚、この時、隣接するボンディングワイヤ２０ｗは一様に同じ方向に変形することから、互いに接触することは生じない。
そして、溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内を流動して、エアベント孔１０ａを具備した上金型１０ｕの内側面にまで到達した状態を図６に示す。
【００５１】
本実施の形態にかかる樹脂封止装置１Ａにあっては、前述の如く、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する円弧状の波形とされている。
【００５２】
このため、当該上金型１０ｕの内側面に衝突する封止用樹脂３０ｒは、当該連続する円弧状の波形部に於いて反射するも、その殆どの反射方向が矢印ｂの方向であって、多くは前記矢印ａとは逆方向とはならない。即ち、当該円弧状の波形部に於ける封止用樹脂３０ｒの反射は、斜め方向あるいは直交する方向にもなされる。
【００５３】
従って、封止用樹脂３０ｒの流動により矢印ａの方向に湾曲したボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、矢印ａとは逆方向の圧力を受ける確率が低下し、当該矢印ａとは逆方向に再度変形することが抑制される。
【００５４】
これにより、当該ボンディングワイヤ２０ｗ同士の接触が防止される。
前記溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内に充填されることにより、被処理支持基板２０ｓ上の複数個の半導体素子２０ｃ、並びにボンディングワイヤ２０ｗなどが、当該封止用樹脂３０ｒにより被覆される。
【００５５】
しかる後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型締めした状態に於いて封止用樹脂３０ｒを引き続き加熱し、当該封止用樹脂３０ｒを硬化せしめる。
当該封止用樹脂３０ｒの硬化がなされた後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型開きし、下金型１０ｄ上から成形品、即ち樹脂封止品を取り出す。
【００５６】
取り出した樹脂成型品の形態を、図７に示す。
当該図７では、樹脂成型品即ち樹脂封止体の平面形状が示されているが、封止状態を示すため、被処理支持基板２０ｓ上に於いて、封止用樹脂３０ｒにより被覆された半導体素子２０ｃ、ボンディングワイヤ２０ｗなども表記している。
【００５７】
当該成形品には、前記半導体素子２０ｃなどの被覆部に連続して、前記上金型１０ｕに於けるところの、連続する円弧状の波形部に対応した突出部３０ｒｂｐが含まれている。
しかる後、前記支持基板２０ｓの他方の主面（裏面側）に於いて、半導体素子２０ｃの電極に対応して配設された電極端子に対し、半田ボール等からなる外部接続用端子を配設する（図示せず）。
【００５８】
複数の半田ボールを支持基板２０ｓ裏面に格子状に配設させることにより、所謂ＢＧＡ（Ball Grid Array）構造を形成する。
しかる後、封止用樹脂３０ｒと支持基板２０ｓとを含む成形体を、ダイシングラインＤＬに沿って、その厚さ方向（積層方向）にダイシングし、個片化された樹脂封止型の半導体装置を形成する。
【００５９】
前述の如く、上金型のエアベント孔が配設された壁の内側面に、連続する円弧状の波形部を配設することにより、当該上金型の内側面に於いて封止用樹脂の反射方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【００６０】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００６１】
尚、前記樹脂封止装置１Ａを複数、並設させた樹脂封止装置を用いてもよい。この様な樹脂封止装置であれば、より多数の半導体素子２０ｃを一括して樹脂封止することができる。
【００６２】
この様な本発明の第１の実施の形態にかかる樹脂封止装置は、以下の様に、種々の変形を可能としている。
＜第１の実施の形態の変形例１＞
前記第１の実施の形態に於ける樹脂封止装置１Ａの、第１の変形例１Ｂを、図８に示す。
【００６３】
当該図８にあっては、図４と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【００６４】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【００６５】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する矩形の凸部を含む矩形状の凹凸部１０ｃｖ−２が複数個配設されている。
【００６６】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する矩形状の波形とされている。
そして、当該矩形状の波形を有する凹凸部１０ｃｖ−２は、エアベント孔１０ａに連通している。
【００６７】
かかる構成に於いて、側壁１０ｕｗ側に形成された凹部の深さをｄ１、凹凸部１０ｃｖ−２の幅をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。
【００６８】
また、隣り合う凹凸部間のピッチｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍとされる。
尚、この様な寸法は、一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第１の実施の形態の変形例１にあっては、上金型の内側面に連続する矩形状の波形部を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射の方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【００６９】
また、当該上金型の内側面からボンディングワイヤ迄の距離を遠くして、反射される封止用樹脂の流動を抑制することができる。
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００７０】
尚、図８に示される形態にあっては、凹凸部１０ｃｖ−２は、エアベント孔１０ａの位置に対応して配設されているが、かかる構成に限られるものではなく、例えば隣り合うエアベント孔１０ａの間に、細幅の凹部を配設してもよい。
【００７１】
＜第１の実施の形態の変形例２＞
前記第１の実施の形態に於ける樹脂封止装置１Ａの、第２の変形例１Ｃを、図９に示す。
【００７２】
当該図９にあっては、図４と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【００７３】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【００７４】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する三角形状の凸部と、同様に三角形状の凹部を含む波形の凹凸部１０ｃｖ−３が複数個配設されている。
【００７５】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する三角形状の波形とされている。
そして、当該三角形状の波形の凹凸部１０ｃｖ−３は、エアベント孔１０ａに連通している。
【００７６】
かかる構成に於いて、側壁１０ｕｗ側に形成された凹凸部１０ｃｖ−３の深さをｄ１、三角形の底辺をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。
【００７７】
また、隣り合う凹凸部間のピッチｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍとされる。
尚、この様な寸法は、一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第１の実施の形態の変形例２にあっては、上金型の内側面に連続する三角形状の波形部を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射の方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【００７８】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００７９】
尚、当該変形例２にあっては、三角形の頂点が平坦化された状態であるが、当該頂点が鋭角をなすものとされることは勿論可能である。
＜第１の実施の形態の変形例３＞
前記第１の実施の形態に於ける樹脂封止装置１Ａの、第３の変形例１Ｄを、図１０に示す。
【００８０】
当該図１０にあっては、図４と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【００８１】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【００８２】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、円弧状の凹部１０ｃｖ−４が複数個配設されている。
【００８３】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、直線状の内側面に、互いに離間して、円弧状の凹部１０ｃｖ−４が複数個配設された形状とされている。
【００８４】
そして、当該円弧状の凹部１０ｃｖ−４は、エアベント孔１０ａに連通している。
かかる構成に於いて、側壁１０ｕｗ側に配設された凹部１０ｃｖ−４の深さをｄ１、円弧状の径をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。
【００８５】
また、隣り合う凹部１０ｃｖ−４のピッチをｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍとされる。
尚、この様な寸法は、一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第１の実施の形態の変形例３にあっては、上金型の内側面に連続する円弧状の凹部を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射の方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【００８６】
また、当該上金型の内側面からボンディングワイヤ迄の距離を遠くして、反射される封止用樹脂の流動を抑制することができる。
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００８７】
＜第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
第２の実施の形態で用いられる樹脂封止装置２Ａの、金型部分の要部断面を図１１に示す。
【００８８】
図１１に於いては、上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合し、それらが一対になって型締めされた状態が示されている。
上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合されると、樹脂封止装置２Ａの金型内に、キャビティ１０ｃａが形成される。当該キャビティ１０ｃａ内には、被処理基板として、一方の主面（上面）に複数個の半導体素子２０ｃが搭載された大判の支持基板２０ｓが、下金型１０ｄ上に載置された状態で収容されている。
【００８９】
上金型１０ｕの側壁には、ゲート部（樹脂注入口）１０ｇとエアベント孔１０ａとが、対向して配置されている。
ゲート部１０ｇは、封止用樹脂３０ｒの注入口である。
【００９０】
当該ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態にある封止用樹脂３０ｒが注入されると、当該封止用樹脂３０ｒはエアベント孔１０ａが配置されている側壁の方向（矢印ａの方向）に流動してキャビティ１０ｃａ内に充填される。この時、キャビティ１０ｃａ内に存在するガスは、エアベント孔１０ａから放出される。
【００９１】
尚、上金型１０ｕの内側壁は、上金型１０ｕの主面１０ｓに垂直な方向から傾いた傾斜面１０ｔｐの角度を“θ”とすると、θが下金型１０ｄの主面の垂直方向に対し、５°〜１５°に選択された傾斜面とされている。
【００９２】
かかる上金型１０ｕの内側壁を傾斜面とすることにより、硬化した封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとを容易に分離することができる。即ち封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから容易に取り外すことができる。尚、かかる傾斜角θが５°より小さくなると、封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとの密着により、封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから取り外し難く、また、θが１５°より大きいと、支持基板２０ｓに搭載される半導体素子数が減少してしまう。
【００９３】
本実施の形態にかかる樹脂封止装置２Ａにあっては、当該図１１並びに当該図１１のＸ−Ｘ’断面である図１２に示される様に、キャビティ１０ｃａ内に於いて、前記エアベント孔１０ａが配設される上金型１０ｕの内側壁の近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設される。
【００９４】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の近傍に、鋭角部が半導体素子の搭載部に向けられて、五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設される。
【００９５】
尚、当該五角形柱１０ｂｐ−１も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
また、前記下金型１０ｄは、支持基板２０ｓの支持台としても機能する。
【００９６】
当該下金型１０ｄには、ガイドピン（固定用ピン）を設け、当該ガイドピンにより支持基板２０ｓの位置決めを行ってもよい（図示せず）。
また、当該支持基板２０ｓを載置した後、必要に応じて支持基板２０ｓを下金型１０ｄに吸引保持してもよい。
【００９７】
尚、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの材質としては、例えば、ステンレス鋼材が適用される。但し、上金型１０ｕが封止用樹脂３０ｒと接する面、下金型１０ｄが支持基板２０ｓと接する面には、超硬材を配置してもよい。
【００９８】
また、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄには、夫々、ヒータ機構が備えられている（図示せず）。そして、当該ヒータ機構により、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの温度調整が行われる。
【００９９】
また、被処理基板である支持基板２０ｓは、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、またはポリイミド等の有機絶縁材料、あるいは、セラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成される。
【０１００】
当該支持基板２０ｓは、必要に応じて、片面配線構造、両面配線構造或いは多層配線構造とされる。尚、当該支持基板２０ｓは、回路基板、配線基板、プリント基板、インターポーザー、あるいはパッケージ基板とも称される。
【０１０１】
一方、前記支持基板２０ｓ上に搭載される複数個の半導体素子２０ｃに於いては、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウエハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層をもって電子回路が形成されている。
【０１０２】
そして、夫々の半導体素子２０ｃに於ける電極と、支持基板２０ｓに形成された電極端子との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより相互に接続されている。当該ボンディングワイヤ２０ｗとしては、例えば、金（Ａｕ）線が適用される。
【０１０３】
次に、前記樹脂封止装置２Ａを用いて、支持基板２０ｓ上に搭載された複数個の半導体素子２０ｃ並びにボンディングワイヤ２０ｗ等を封止用樹脂３０ｒにより封止する過程について、図１３乃至図１５を用いて説明する。
【０１０４】
尚、図１３乃至図１５は、前記図１１のＸ−Ｘ’断面に於いて、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【０１０５】
前記樹脂封止装置２Ａ内に、被処理支持基板２０ｓを配置して、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとを型締めした状態を図１３に示す。
上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、前述の如く、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【０１０６】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、エアベント孔１０ａが所定の間隔をもって複数配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面近傍には、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１０７】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の近傍に、一つの鋭角部（図中に矢印αで示す部位）が半導体素子２０ｃの搭載部に向けられた五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、その側面（図中に矢印βで示す部位）を平行に、且つ当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。当該五角形柱１０ｂｐ−１の前記一つの鋭角部は、前記キャビティ内に対して封止用樹脂が流入して来る方向に対向することとなる。
【０１０８】
かかる五角形柱１０ｂｐ−１の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う五角形柱１０ｂｐ−１間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該五角形柱１０ｂｐ−１と側壁１０ｕｗ間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１０９】
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
また、上金型１０ｕ並びに下金型１０ｄは、この段階に於いて、所定の温度に加熱されている。
【０１１０】
例えば、樹脂封止装置２Ａに於けるキャビティ内に注入する樹脂として、熱硬化性のエポキシ系樹脂を適用する場合には、被処理支持基板２０ｓを下金型１０ｄ上に載置する前に、下金型１０ｄ及び上金型１０ｕを、１６０℃〜１８０℃程度に加熱しておく。
【０１１１】
次に、図１４に示す如く、樹脂注入手段を適用して、前記ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態の封止用樹脂３０ｒを注入・充填する。
当該封止用樹脂３０ｒとしては、前記第１の実施の態様と同様に、加熱されることにより溶融・硬化するエポキシ系樹脂が適用される。また、当該封止用樹脂３０ｒには、同様に、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる無機フィラーを含有してもよい。
【０１１２】
注入された封止用樹脂３０ｒは、キャビティ１０ｃａ内に於いて、前記ゲート部１０ｇからエアベント孔１０ａの方向に向かい流動する（図中の矢印ａの方向）。
この時、エアベント孔１０ａの方向に向かって流動する封止用樹脂３０ｒにより、矢印ａとは略垂直方向に配設されたボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、封止用樹脂３０ｒにより圧力を受け、矢印ａの方向に湾曲してしまう。
【０１１３】
尚、この時、隣接するボンディングワイヤ２０ｗは一様に同じ方向に変形することから、互いに接触することは生じない。
そして、溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内を流動して、エアベント孔１０ａを具備した上金型１０ｕの内側面にまで到達した状態を図１５に示す。
【０１１４】
本実施の形態にかかる樹脂封止装置２Ａにあっては、前述の如く、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面近傍には、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１１５】
このため、封止用樹脂３０ｒは当該五角形柱１０ｂｐ−１に衝突し、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於いて反射される。
しかしながら、その殆どの反射方向が矢印ｂの方向であって、前記矢印ａとは逆方向とはならない。即ち、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於ける封止用樹脂３０ｒの反射は、斜め方向になされる。
【０１１６】
また、当該五角形柱１０ｂｐ−１の間を通り抜けて上金型１０ｕの内側壁面に到達した封止用樹脂３０ｒは、当該内側壁面に於いて反射されるも、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於ける内側壁面との対向面（図中に矢印γで示す部位）に於いてその流動が制限される。
【０１１７】
従って、封止用樹脂３０ｒの流動により矢印ａの方向に湾曲したボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、矢印ａの逆方向に圧力を受ける率が低下し、矢印ａの逆方向に再度変形することが抑制される。
【０１１８】
これにより、当該ボンディングワイヤ２０ｗ同士の接触が防止される。
前記溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内に充填されることにより、被処理支持基板２０ｓ上の複数個の半導体素子２０ｃ、並びにボンディングワイヤ２０ｗなどが、当該封止用樹脂３０ｒにより被覆される。
【０１１９】
しかる後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型締めした状態に於いて封止用樹脂３０ｒを引き続き加熱し、当該封止用樹脂３０ｒを硬化せしめる。
当該封止用樹脂３０ｒの硬化がなされた後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型開きし、下金型１０ｄ上から成形品、即ち樹脂封止品を取り出す。
【０１２０】
この様に、本実施の形態にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１２１】
かかる五角形柱１０ｂｐ−１を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【０１２２】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１２３】
＜第２の実施の形態の変形例１＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第１の変形例２Ｂを、図１６に示す。
【０１２４】
当該図１６にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【０１２５】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【０１２６】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−２が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１２７】
当該柱状体１０ｂｐ−２は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向する部位（図中に矢印αで示す部位）が円弧状とされ、他の三つの面が平面とされている。
【０１２８】
即ち、隣り合う柱状体１０ｂｐ−２と対向する面（図中に矢印βで示す部位）は平面とされ、また上金型の内側面に対向する面（図中に矢印γで示す部位）も平面とされている。
【０１２９】
尚、当該柱状体１０ｂｐ−２も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
かかる構成に於いて、柱状体１０ｂｐ−２の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１３０】
また、隣り合う柱状体１０ｂｐ−２間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該柱状体１０ｂｐ−２と上金型の内側面（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１３１】
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例１にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−２が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１３２】
かかる柱状体１０ｂｐ−２を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該柱状体１０ｂｐ−２に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【０１３３】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１３４】
＜第２の実施の形態の変形例２＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第２の変形例２Ｃを、図１７に示す。
【０１３５】
当該図１７にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【０１３６】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【０１３７】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる三角柱１０ｂｐ−３が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１３８】
当該三角柱１０ｂｐ−３は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向して鋭角部（図中に矢印αで示す部位）が配置された二等辺三角形状を有し、他の一辺（図中の矢印βで示す部位）のなす面が平面とされている。
【０１３９】
即ち、上金型の内側面に対向する面が平面とされている。
尚、当該三角柱１０ｂｐ−３も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
【０１４０】
かかる構成に於いて、三角柱１０ｂｐ−３の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う三角柱１０ｂｐ−３間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該三角柱１０ｂｐ−３と上金型の内側壁（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１４１】
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例２にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる三角柱１０ｂｐ−３が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１４２】
かかる三角柱１０ｂｐ−３を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該三角柱１０ｂｐ−３に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【０１４３】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１４４】
＜第２の実施の形態の変形例３＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第３の変形例２Ｄを、図１８（ａ）に示す。
【０１４５】
当該図１８（ａ）にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【０１４６】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【０１４７】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−４が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１４８】
当該柱状体１０ｂｐ−４は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向して円弧状部（図中に矢印αで示す部位）が配置されている。
【０１４９】
また、隣り合う柱状体１０ｂｐ−４と対向する面（図中の矢印βで示す部位）は平面とされ、また上金型の内側面に対向して円弧状部（図中の矢印γで示す部位）が位置する。
尚、当該柱状体１０ｂｐ−４も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
【０１５０】
かかる構成に於いて、柱状体１０ｂｐ−４の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う柱状体１０ｂｐ−４間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該柱状体１０ｂｐ−４と上金型の内側壁（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１５１】
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例３にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−４が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１５２】
かかる柱状体１０ｂｐ−４を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該柱状体１０ｂｐ−４に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【０１５３】
また、当該柱状体１０ｂｐ−４の、上金型の内側面への対向部は円弧状を有することから、図１８（ｂ）に示される様に、封止用樹脂は、エアベント孔１０ａに向かい矢印ｃをもって示す流れにより円滑に流れ、目詰まりなどを生じない。
【０１５４】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１５５】
＜第２の実施の形態の変形例４＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第４の変形例２Ｅを、図１９（ａ）に示す。
【０１５６】
当該図１９（ａ）にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【０１５７】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【０１５８】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる六角柱１０ｂｐ−５が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１５９】
当該六角柱１０ｂｐ−５は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向して鋭角部（図中に矢印αで示す部位）が配置されている。
【０１６０】
従って、隣り合う六角柱１０ｂｐ−５と対向する面（図中の矢印βで示す部位）は平面とされ、また上金型の内側面に対向して鋭角部（図中の矢印γで示す部位）が位置する。
尚、当該六角柱１０ｂｐ−５も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
【０１６１】
かかる構成に於いて、六角柱１０ｂｐ−５の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う六角柱１０ｂｐ−５間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該六角柱１０ｂｐ−５と上金型の内側壁（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１６２】
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例４にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる六角柱１０ｂｐ−５が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１６３】
かかる六角柱１０ｂｐ−５を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該六角柱１０ｂｐ−５に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【０１６４】
また、当該六角柱１０ｂｐ−５の、上金型の内側面への対向部は鋭角を有することから、図１９（ｂ）に示される様に、封止用樹脂は、エアベント孔１０ａに向かい矢印ｃをもって示す流れにより円滑に流れ、目詰まりなどを生じない。
【０１６５】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１６６】
尚、上述した第１の実施の形態及びその変形例、並びに第２の実施の形態及びその変形例は、夫々が独立した実施の形態とは限らず、第１の実施の形態及びその変形例、第２の実施の形態及びその変形例の中から２つ以上の実施の形態を複合させた実施の形態を構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その１）。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その２）。
【図４】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その３）。
【図５】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その４）。
【図６】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その５）。
【図７】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その６）。
【図８】第１の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その１）。
【図９】第１の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その２）。
【図１０】第１の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その３）。
【図１１】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その１）。
【図１２】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その２）。
【図１３】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その３）。
【図１４】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その４）。
【図１５】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その５）。
【図１６】第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その１）。
【図１７】第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その２）。
【図１８】第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その３）。
【図１９】第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その４）。
【図２０】樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その１）。
【図２１】樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その２）。
【図２２】樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その３）。
【図２３】樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その４）。
【符号の説明】
【０１６８】
１Ａ，２Ａ 樹脂封止装置
１０ａ エアベント孔
１０ｃａ キャビティ
１０ｇ ゲート部
１０ｂｐ−１ 五角形柱
１０ｂｐ−２，４ 柱状体
１０ｂｐ−３ 三角柱
１０ｂｐ−５ 六角柱
１０ｃｖ−１，２，３ 凹凸部
１０ｃｖ−４ 凹部
１０ｄ 下金型
１０ｕ 上金型
１０ｓ 主面
１０ｔｐ 傾斜面
１０ｕｗ 側壁
２０ｃ 半導体素子
２０ｓ 支持基板
２０ｗ ボンディングワイヤ
３０ｒ 封止用樹脂
３０ｒｂｐ 突出部
ＤＬ ダイシングライン
θ 傾斜角
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止方法及び樹脂封止用金型に関し、特にワイヤボンディング法が適用された半導体素子などの電子部品を樹脂封止する方法、並びに当該樹脂封止法を実施するに用いられる樹脂封止用金型に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を回路基板等の支持基板上に搭載し、ワイヤボンディング等を行った後、当該半導体素子、ボンディングワイヤ等を封止して半導体装置を形成するための手段の一つとして、樹脂封止（樹脂モールド）工程が挙げられる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
かかる樹脂封止工程に於いて用いられる一般的な樹脂封止用金型の構造の一部を、図２０に示す。
この図では、樹脂モールドを形成する金型の下金型１００ｄと上金型１００ｕが、型締めされて一対になった状態が示されている。
【０００４】
即ち、下金型１００ｄと上金型１００ｕとが型締めされた状態を以て、キャビティ１００ｃを形成している。
また、下金型１００ｄ上には、複数個の半導体素子２００ｃが搭載された支持基板２００ｓが載置されている。また、半導体素子２００ｃの電極（図示せず）から支持基板２００ｓの電極端子（図示せず）には、ボンディングワイヤ２００ｗが接続されている。
【０００５】
そして、封止用樹脂３００ｒがゲート部１００ｇから注入され、当該ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａの方向に向かい流動して、当該キャビティ１００ｃ内に充填される。
【０００６】
これにより、支持基板２００ｓ上の半導体素子２００ｃ並びにボンディングワイヤ２００ｗが封止用樹脂３００ｒにより封止される。
【特許文献１】特開２００２−１１０７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この様に、ゲート部１００ｇから注入された封止用樹脂３００ｒがエアベント孔１００ａ方向に流動すると、封止用樹脂３００ｒの樹脂圧によってボンディングワイヤ２００ｗが変形し、ボンディングワイヤ２００ｗの一部が相互に接触し、短絡を生ずる場合がある。
【０００８】
かかる現象を、図２１乃至図２３を用いて説明する。当該図２１乃至図２３には、図２０のＸ−Ｘ’断面に於けるエアベント孔１００ａ付近の状態を示す。
上記ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａの方向に、封止用樹脂３００ｒを充填させる様子を図２１に示す。
【０００９】
即ち、ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａの方向に封止用樹脂３００ｒを充填させると、矢印ａの方向に封止用樹脂３００ｒが流動する。
図２１に示される様に、矢印Ａ（楕円状の実線で包囲した部分）で示されるボンディングワイヤ２００ｗは、封止用樹脂３００ｒと接触していないため、原形を維持している。
【００１０】
しかし、封止用樹脂３００ｒがこれらのボンディングワイヤ２００ｗにまで到達し、当該封止用樹脂３００ｒと当該ボンディングワイヤ２００ｗとが接触すると、当該封止用樹脂３００ｒの流動方向とボンディングワイヤ２００ｗの延在する方向が異なるため、当該ボンディングワイヤ２００ｗは、封止用樹脂３００ｒから圧力を受け、図２２に示される様に湾曲してしまう。
【００１１】
また、封止用樹脂３００ｒの充填を続けると、上金型１００ｕのエアベント孔１００ａ付近の内側壁１００ｕｗに於いて、封止用樹脂３００ｒの跳ね返りが生じ、矢印ａとは逆方向に流動する状態が出現する。
【００１２】
即ち、上金型１００ｕの側壁１００ｕｗの近傍では、矢印ａの方向に流動した封止用樹脂３００ｒが内側壁１００ｕｗに於いて逆方向に跳ね返り、図２３に示される様に、矢印ａとは逆方向の矢印ｂの方向に流動する樹脂が出現する。
【００１３】
この様な樹脂の跳ね返りが生ずると、矢印ａの方向に湾曲したボンディングワイヤ２００ｗと、矢印ｂの方向に湾曲したボンディングワイヤ２００ｗとが接触、即ち短絡を生じてしまう。
【００１４】
この様に、ゲート部１００ｇからエアベント孔１００ａに封止用樹脂３００ｒを注入すると、特にエアベント近傍に位置する半導体素子２００ｃに於いて、その電極から導出されたボンディングワイヤの相互にショート（短絡）を生じてしまう。
【００１５】
特に、半導体素子２００ｃが高集積化、小型化する傾向にあり、隣接するボンディングワイヤの導出ピッチが狭小化する傾向にある。このため、前記ボンディングワイヤ間のショートは、発生し易い状況にある。
【００１６】
本発明はこの様な点に鑑みてなされたものであり、製造歩留まりを向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する樹脂封止方法及び樹脂封止用金型を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面が、波形を有する金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法が提供される。
【００１８】
また、被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面近傍に、柱状体が配設された金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法が提供される。
【００１９】
また、上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の内側面が波形を有することを特徴とする樹脂封止用金型が提供される。
また、上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の近傍に、柱状体が配設されてなることを特徴とする樹脂封止用金型が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
上記手段によれば、半導体装置の製造歩留まりを高めることができ、且つ信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本実施の形態に係る樹脂封止方法、並びに当該樹脂封止方法を実施する樹脂封止装置（樹脂封止用金型）について、図面を参照しながら説明する。
＜第１の実施の形態＞
本発明の、第１の実施の形態に係る、半導体装置の製造方法の製造工程フローを、図１に示す。
【００２２】
先ず、半導体素子が搭載された支持基板を、下金型上に載置する（ステップＳ１）。
次に、下金型と、下金型と衝合する上金型とを型締めする（ステップＳ２）。
これにより、金型内のキャビティ内に、半導体素子が搭載された支持基板が配置される。
【００２３】
次いで、金型の樹脂注入口から、キャビティ内に封止用樹脂を注入する（ステップＳ３）。
そして、当該キャビティ内に於いて、封止用樹脂をエアベント孔の方向に流動させ、上金型の内側壁に樹脂を到達させて、前記半導体素子を樹脂により封止する（ステップＳ４）。
【００２４】
この時、前記上金型の内側面は、キャビティ内に於いて、被処理基板、半導体素子方向に突出する波形形状を有している。
この様な製造方法により、第１の実施の形態に係る半導体装置が製造される。
【００２５】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
尚、以下に示す図に於いては、同一の部材には同一の符号を付している。
本発明の第１の実施の形態で用いられる樹脂封止装置１Ａの、金型部分の要部断面を図２に示す。
【００２６】
図２に於いては、上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合し、それらが一対になって型締めされた状態が示されている。
上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合されると、樹脂封止装置１Ａの金型内に、キャビティ１０ｃａが形成される。当該キャビティ１０ｃａ内には、被処理基板として、一方の主面（上面）に複数個の半導体素子２０ｃが搭載された大判の支持基板２０ｓが、下金型１０ｄ上に載置された状態で収容されている。
【００２７】
上金型１０ｕの側壁には、ゲート部（樹脂注入口）１０ｇとエアベント孔１０ａとが、対向して配置されている。
ゲート部１０ｇは、封止用樹脂３０ｒの注入口である。
【００２８】
当該ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態にある封止用樹脂３０ｒが注入されると、当該封止用樹脂３０ｒはエアベント孔１０ａが配置されている側壁の方向（矢印ａの方向）に流動してキャビティ１０ｃａ内に充填される。この時、キャビティ１０ｃａ内に存在するガスは、エアベント孔１０ａから放出される。
【００２９】
尚、上金型１０ｕの内側壁は、上金型１０ｕの主面１０ｓに垂直な方向から傾いた傾斜面１０ｔｐの角度を“θ”とすると、θが下金型１０ｄの主面の垂直方向に対し、５°〜１５°に選択された傾斜面とされている。
【００３０】
かかる上金型１０ｕの内側壁を傾斜面とすることにより、硬化した封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとを容易に分離することができる。即ち封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから容易に取り外すことができる。尚、かかる傾斜角θが５°より小さくなると、封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとの密着により、封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから取り外し難く、また、θが１５°より大きいと、支持基板２０ｓに搭載される半導体素子数が減少してしまう。
【００３１】
本発明による樹脂封止装置１Ａにあっては、図２並びに図２のＸ−Ｘ’断面である図３に示される様に、前記エアベント孔１０ａが配設される上金型１０ｕの内側壁に、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する半円状の凸部と同様に半円状の凹部含む凹凸部１０ｃｖ−１が複数個配設される。
【００３２】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する円弧状の波形とされている。
尚、当該凹凸部１０ｃｖ−１の内側壁は、前述の如き傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
【００３３】
また、前記下金型１０ｄは、支持基板２０ｓの支持台としても機能する。
当該下金型１０ｄには、ガイドピン（固定用ピン）を設け、当該ガイドピンにより支持基板２０ｓの位置決めを行ってもよい（図示せず）。
【００３４】
また、当該支持基板２０ｓを載置した後、必要に応じて支持基板２０ｓを下金型１０ｄに吸引保持してもよい。
尚、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの材質としては、例えば、ステンレス鋼材が適用される。但し、上金型１０ｕが封止用樹脂３０ｒと接する面、下金型１０ｄが支持基板２０ｓと接する面には、超硬材を配置してもよい。
【００３５】
また、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄには、夫々、ヒータ機構が備えられている（図示せず）。そして、当該ヒータ機構により、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの温度調整が行われる。
【００３６】
また、被処理基板である支持基板２０ｓは、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、またはポリイミド等の有機絶縁材料、あるいは、セラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成される。
【００３７】
当該支持基板２０ｓは、必要に応じて、片面配線構造、両面配線構造或いは多層配線構造とされる。尚、当該支持基板２０ｓは、回路基板、配線基板、プリント基板、インターポーザー、あるいはパッケージ基板とも称される。
【００３８】
一方、前記支持基板２０ｓ上に搭載される複数個の半導体素子２０ｃに於いては、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウエハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層をもって電子回路が形成されている。
【００３９】
そして、夫々の半導体素子２０ｃに於ける電極と、支持基板２０ｓに形成された電極端子との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより相互に接続されている。当該ボンディングワイヤ２０ｗとしては、例えば、金（Ａｕ）線が適用される。
【００４０】
次に、前記樹脂封止装置１Ａを用いて、支持基板２０ｓ上に搭載された複数個の半導体素子２０ｃ並びにボンディングワイヤ２０ｗ等を封止用樹脂３０ｒにより封止する過程について、図４乃至図６を用いて説明する。
【００４１】
尚、図４乃至図６は、図２のＸ−Ｘ’断面に於いて、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【００４２】
前記樹脂封止装置１Ａ内に、被処理支持基板２０ｓを配置して、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとを型締めした状態を図４に示す。
上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、前述の如く、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【００４３】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが所定の間隔をもって複数配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する半円状の凸部と、同様に半円状の凹部とを含む凹凸部１０ｃｖ−１が複数個配設されている。
【００４４】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する円弧状の波形とされている。
そして、当該円弧状の波形を有する凹凸部１０ｃｖ−１は、エアベント孔１０ａに連通している。
【００４５】
かかる凹凸部１０ｃｖ−１にあっては、凹凸部の深さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。
特に、ｄ１とｄ２とが等しく、例えば、ｄ１，ｄ２が５ｍｍの場合、ｒは２．５ｍｍのＲ加工が施されている。
【００４６】
また、隣り合う凹凸部間のピッチｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍに選択される。
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
また、上金型１０ｕ並びに下金型１０ｄは、この段階に於いて、所定の温度に加熱されている。
【００４７】
例えば、樹脂封止装置１Ａに於けるキャビティ内に注入する樹脂として、熱硬化性のエポキシ系樹脂を適用する場合には、被処理支持基板２０ｓを下金型１０ｄ上に載置する前に、下金型１０ｄ及び上金型１０ｕを、１６０℃〜１８０℃程度に加熱しておく。
【００４８】
次に、図５に示す如く、樹脂注入手段を適用して、前記ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態の封止用樹脂３０ｒを注入・充填する。
当該封止用樹脂３０ｒとしては、加熱されることにより溶融・硬化するエポキシ系樹脂が適用される。また、当該封止用樹脂３０ｒには、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる無機フィラーを含有してもよい。
【００４９】
注入された封止用樹脂３０ｒは、キャビティ１０ｃａ内に於いて、前記ゲート部１０ｇからエアベント孔１０ａの方向に向かい流動する（図中の矢印ａの方向）。
この時、エアベント孔１０ａの方向に向かって流動する封止用樹脂３０ｒにより、矢印ａとは略垂直方向に配設されたボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、封止用樹脂３０ｒにより圧力を受け、矢印ａの方向に湾曲してしまう。
【００５０】
尚、この時、隣接するボンディングワイヤ２０ｗは一様に同じ方向に変形することから、互いに接触することは生じない。
そして、溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内を流動して、エアベント孔１０ａを具備した上金型１０ｕの内側面にまで到達した状態を図６に示す。
【００５１】
本実施の形態にかかる樹脂封止装置１Ａにあっては、前述の如く、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する円弧状の波形とされている。
【００５２】
このため、当該上金型１０ｕの内側面に衝突する封止用樹脂３０ｒは、当該連続する円弧状の波形部に於いて反射するも、その殆どの反射方向が矢印ｂの方向であって、多くは前記矢印ａとは逆方向とはならない。即ち、当該円弧状の波形部に於ける封止用樹脂３０ｒの反射は、斜め方向あるいは直交する方向にもなされる。
【００５３】
従って、封止用樹脂３０ｒの流動により矢印ａの方向に湾曲したボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、矢印ａとは逆方向の圧力を受ける確率が低下し、当該矢印ａとは逆方向に再度変形することが抑制される。
【００５４】
これにより、当該ボンディングワイヤ２０ｗ同士の接触が防止される。
前記溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内に充填されることにより、被処理支持基板２０ｓ上の複数個の半導体素子２０ｃ、並びにボンディングワイヤ２０ｗなどが、当該封止用樹脂３０ｒにより被覆される。
【００５５】
しかる後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型締めした状態に於いて封止用樹脂３０ｒを引き続き加熱し、当該封止用樹脂３０ｒを硬化せしめる。
当該封止用樹脂３０ｒの硬化がなされた後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型開きし、下金型１０ｄ上から成形品、即ち樹脂封止品を取り出す。
【００５６】
取り出した樹脂成型品の形態を、図７に示す。
当該図７では、樹脂成型品即ち樹脂封止体の平面形状が示されているが、封止状態を示すため、被処理支持基板２０ｓ上に於いて、封止用樹脂３０ｒにより被覆された半導体素子２０ｃ、ボンディングワイヤ２０ｗなども表記している。
【００５７】
当該成形品には、前記半導体素子２０ｃなどの被覆部に連続して、前記上金型１０ｕに於けるところの、連続する円弧状の波形部に対応した突出部３０ｒｂｐが含まれている。
しかる後、前記支持基板２０ｓの他方の主面（裏面側）に於いて、半導体素子２０ｃの電極に対応して配設された電極端子に対し、半田ボール等からなる外部接続用端子を配設する（図示せず）。
【００５８】
複数の半田ボールを支持基板２０ｓ裏面に格子状に配設させることにより、所謂ＢＧＡ（Ball Grid Array）構造を形成する。
しかる後、封止用樹脂３０ｒと支持基板２０ｓとを含む成形体を、ダイシングラインＤＬに沿って、その厚さ方向（積層方向）にダイシングし、個片化された樹脂封止型の半導体装置を形成する。
【００５９】
前述の如く、上金型のエアベント孔が配設された壁の内側面に、連続する円弧状の波形部を配設することにより、当該上金型の内側面に於いて封止用樹脂の反射方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【００６０】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００６１】
尚、前記樹脂封止装置１Ａを複数、並設させた樹脂封止装置を用いてもよい。この様な樹脂封止装置であれば、より多数の半導体素子２０ｃを一括して樹脂封止することができる。
【００６２】
この様な本発明の第１の実施の形態にかかる樹脂封止装置は、以下の様に、種々の変形を可能としている。
＜第１の実施の形態の変形例１＞
前記第１の実施の形態に於ける樹脂封止装置１Ａの、第１の変形例１Ｂを、図８に示す。
【００６３】
当該図８にあっては、図４と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【００６４】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【００６５】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する矩形の凸部を含む矩形状の凹凸部１０ｃｖ−２が複数個配設されている。
【００６６】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する矩形状の波形とされている。
そして、当該矩形状の波形を有する凹凸部１０ｃｖ−２は、エアベント孔１０ａに連通している。
【００６７】
かかる構成に於いて、側壁１０ｕｗ側に形成された凹部の深さをｄ１、凹凸部１０ｃｖ−２の幅をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。
【００６８】
また、隣り合う凹凸部間のピッチｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍとされる。
尚、この様な寸法は、一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第１の実施の形態の変形例１にあっては、上金型の内側面に連続する矩形状の波形部を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射の方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【００６９】
また、当該上金型の内側面からボンディングワイヤ迄の距離を遠くして、反射される封止用樹脂の流動を抑制することができる。
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００７０】
尚、図８に示される形態にあっては、凹凸部１０ｃｖ−２は、エアベント孔１０ａの位置に対応して配設されているが、かかる構成に限られるものではなく、例えば隣り合うエアベント孔１０ａの間に、細幅の凹部を配設してもよい。
【００７１】
＜第１の実施の形態の変形例２＞
前記第１の実施の形態に於ける樹脂封止装置１Ａの、第２の変形例１Ｃを、図９に示す。
【００７２】
当該図９にあっては、図４と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【００７３】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【００７４】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、キャビティ内部、即ち、被処理基板、半導体素子方向に突出する三角形状の凸部と、同様に三角形状の凹部を含む波形の凹凸部１０ｃｖ−３が複数個配設されている。
【００７５】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、連続する三角形状の波形とされている。
そして、当該三角形状の波形の凹凸部１０ｃｖ−３は、エアベント孔１０ａに連通している。
【００７６】
かかる構成に於いて、側壁１０ｕｗ側に形成された凹凸部１０ｃｖ−３の深さをｄ１、三角形の底辺をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。
【００７７】
また、隣り合う凹凸部間のピッチｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍとされる。
尚、この様な寸法は、一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第１の実施の形態の変形例２にあっては、上金型の内側面に連続する三角形状の波形部を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射の方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【００７８】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００７９】
尚、当該変形例２にあっては、三角形の頂点が平坦化された状態であるが、当該頂点が鋭角をなすものとされることは勿論可能である。
＜第１の実施の形態の変形例３＞
前記第１の実施の形態に於ける樹脂封止装置１Ａの、第３の変形例１Ｄを、図１０に示す。
【００８０】
当該図１０にあっては、図４と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【００８１】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【００８２】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面には、円弧状の凹部１０ｃｖ−４が複数個配設されている。
【００８３】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の平面形状は、直線状の内側面に、互いに離間して、円弧状の凹部１０ｃｖ−４が複数個配設された形状とされている。
【００８４】
そして、当該円弧状の凹部１０ｃｖ−４は、エアベント孔１０ａに連通している。
かかる構成に於いて、側壁１０ｕｗ側に配設された凹部１０ｃｖ−４の深さをｄ１、円弧状の径をｄ２とすると、ｄ１は、３ｍｍ〜１０ｍｍであり、ｄ２は、３ｍｍ〜１０ｍｍとされる。
【００８５】
また、隣り合う凹部１０ｃｖ−４のピッチをｄ３は、８ｍｍ〜１５ｍｍとされる。
尚、この様な寸法は、一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第１の実施の形態の変形例３にあっては、上金型の内側面に連続する円弧状の凹部を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射の方向を分散させ、当該樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【００８６】
また、当該上金型の内側面からボンディングワイヤ迄の距離を遠くして、反射される封止用樹脂の流動を抑制することができる。
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００８７】
＜第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
第２の実施の形態で用いられる樹脂封止装置２Ａの、金型部分の要部断面を図１１に示す。
【００８８】
図１１に於いては、上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合し、それらが一対になって型締めされた状態が示されている。
上金型１０ｕと下金型１０ｄとが衝合されると、樹脂封止装置２Ａの金型内に、キャビティ１０ｃａが形成される。当該キャビティ１０ｃａ内には、被処理基板として、一方の主面（上面）に複数個の半導体素子２０ｃが搭載された大判の支持基板２０ｓが、下金型１０ｄ上に載置された状態で収容されている。
【００８９】
上金型１０ｕの側壁には、ゲート部（樹脂注入口）１０ｇとエアベント孔１０ａとが、対向して配置されている。
ゲート部１０ｇは、封止用樹脂３０ｒの注入口である。
【００９０】
当該ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態にある封止用樹脂３０ｒが注入されると、当該封止用樹脂３０ｒはエアベント孔１０ａが配置されている側壁の方向（矢印ａの方向）に流動してキャビティ１０ｃａ内に充填される。この時、キャビティ１０ｃａ内に存在するガスは、エアベント孔１０ａから放出される。
【００９１】
尚、上金型１０ｕの内側壁は、上金型１０ｕの主面１０ｓに垂直な方向から傾いた傾斜面１０ｔｐの角度を“θ”とすると、θが下金型１０ｄの主面の垂直方向に対し、５°〜１５°に選択された傾斜面とされている。
【００９２】
かかる上金型１０ｕの内側壁を傾斜面とすることにより、硬化した封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとを容易に分離することができる。即ち封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから容易に取り外すことができる。尚、かかる傾斜角θが５°より小さくなると、封止用樹脂３０ｒと上金型１０ｕとの密着により、封止用樹脂３０ｒ部を上金型１０ｕから取り外し難く、また、θが１５°より大きいと、支持基板２０ｓに搭載される半導体素子数が減少してしまう。
【００９３】
本実施の形態にかかる樹脂封止装置２Ａにあっては、当該図１１並びに当該図１１のＸ−Ｘ’断面である図１２に示される様に、キャビティ１０ｃａ内に於いて、前記エアベント孔１０ａが配設される上金型１０ｕの内側壁の近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設される。
【００９４】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の近傍に、鋭角部が半導体素子の搭載部に向けられて、五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設される。
【００９５】
尚、当該五角形柱１０ｂｐ−１も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
また、前記下金型１０ｄは、支持基板２０ｓの支持台としても機能する。
【００９６】
当該下金型１０ｄには、ガイドピン（固定用ピン）を設け、当該ガイドピンにより支持基板２０ｓの位置決めを行ってもよい（図示せず）。
また、当該支持基板２０ｓを載置した後、必要に応じて支持基板２０ｓを下金型１０ｄに吸引保持してもよい。
【００９７】
尚、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの材質としては、例えば、ステンレス鋼材が適用される。但し、上金型１０ｕが封止用樹脂３０ｒと接する面、下金型１０ｄが支持基板２０ｓと接する面には、超硬材を配置してもよい。
【００９８】
また、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄには、夫々、ヒータ機構が備えられている（図示せず）。そして、当該ヒータ機構により、上金型１０ｕ及び下金型１０ｄの温度調整が行われる。
【００９９】
また、被処理基板である支持基板２０ｓは、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、またはポリイミド等の有機絶縁材料、あるいは、セラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成される。
【０１００】
当該支持基板２０ｓは、必要に応じて、片面配線構造、両面配線構造或いは多層配線構造とされる。尚、当該支持基板２０ｓは、回路基板、配線基板、プリント基板、インターポーザー、あるいはパッケージ基板とも称される。
【０１０１】
一方、前記支持基板２０ｓ上に搭載される複数個の半導体素子２０ｃに於いては、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウエハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層をもって電子回路が形成されている。
【０１０２】
そして、夫々の半導体素子２０ｃに於ける電極と、支持基板２０ｓに形成された電極端子との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより相互に接続されている。当該ボンディングワイヤ２０ｗとしては、例えば、金（Ａｕ）線が適用される。
【０１０３】
次に、前記樹脂封止装置２Ａを用いて、支持基板２０ｓ上に搭載された複数個の半導体素子２０ｃ並びにボンディングワイヤ２０ｗ等を封止用樹脂３０ｒにより封止する過程について、図１３乃至図１５を用いて説明する。
【０１０４】
尚、図１３乃至図１５は、前記図１１のＸ−Ｘ’断面に於いて、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【０１０５】
前記樹脂封止装置２Ａ内に、被処理支持基板２０ｓを配置して、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとを型締めした状態を図１３に示す。
上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、前述の如く、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【０１０６】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、エアベント孔１０ａが所定の間隔をもって複数配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、前記エアベント孔１０ａが配設された壁の内側面近傍には、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１０７】
即ち、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面の近傍に、一つの鋭角部（図中に矢印αで示す部位）が半導体素子２０ｃの搭載部に向けられた五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、その側面（図中に矢印βで示す部位）を平行に、且つ当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。当該五角形柱１０ｂｐ−１の前記一つの鋭角部は、前記キャビティ内に対して封止用樹脂が流入して来る方向に対向することとなる。
【０１０８】
かかる五角形柱１０ｂｐ−１の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う五角形柱１０ｂｐ−１間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該五角形柱１０ｂｐ−１と側壁１０ｕｗ間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１０９】
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
また、上金型１０ｕ並びに下金型１０ｄは、この段階に於いて、所定の温度に加熱されている。
【０１１０】
例えば、樹脂封止装置２Ａに於けるキャビティ内に注入する樹脂として、熱硬化性のエポキシ系樹脂を適用する場合には、被処理支持基板２０ｓを下金型１０ｄ上に載置する前に、下金型１０ｄ及び上金型１０ｕを、１６０℃〜１８０℃程度に加熱しておく。
【０１１１】
次に、図１４に示す如く、樹脂注入手段を適用して、前記ゲート部１０ｇからキャビティ１０ｃａ内に、溶融状態の封止用樹脂３０ｒを注入・充填する。
当該封止用樹脂３０ｒとしては、前記第１の実施の態様と同様に、加熱されることにより溶融・硬化するエポキシ系樹脂が適用される。また、当該封止用樹脂３０ｒには、同様に、シリカ（ＳｉＯ2）またはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等からなる無機フィラーを含有してもよい。
【０１１２】
注入された封止用樹脂３０ｒは、キャビティ１０ｃａ内に於いて、前記ゲート部１０ｇからエアベント孔１０ａの方向に向かい流動する（図中の矢印ａの方向）。
この時、エアベント孔１０ａの方向に向かって流動する封止用樹脂３０ｒにより、矢印ａとは略垂直方向に配設されたボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、封止用樹脂３０ｒにより圧力を受け、矢印ａの方向に湾曲してしまう。
【０１１３】
尚、この時、隣接するボンディングワイヤ２０ｗは一様に同じ方向に変形することから、互いに接触することは生じない。
そして、溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内を流動して、エアベント孔１０ａを具備した上金型１０ｕの内側面にまで到達した状態を図１５に示す。
【０１１４】
本実施の形態にかかる樹脂封止装置２Ａにあっては、前述の如く、前記エアベント孔１０ａが配設されて、流動する封止用樹脂３０ｒが到達する上金型１０ｕの内側面近傍には、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１１５】
このため、封止用樹脂３０ｒは当該五角形柱１０ｂｐ−１に衝突し、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於いて反射される。
しかしながら、その殆どの反射方向が矢印ｂの方向であって、前記矢印ａとは逆方向とはならない。即ち、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於ける封止用樹脂３０ｒの反射は、斜め方向になされる。
【０１１６】
また、当該五角形柱１０ｂｐ−１の間を通り抜けて上金型１０ｕの内側壁面に到達した封止用樹脂３０ｒは、当該内側壁面に於いて反射されるも、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於ける内側壁面との対向面（図中に矢印γで示す部位）に於いてその流動が制限される。
【０１１７】
従って、封止用樹脂３０ｒの流動により矢印ａの方向に湾曲したボンディングワイヤ２０ｗ（矢印Ａで示す楕円状の実線で包囲した部分のボンディングワイヤ２０ｗ）は、矢印ａの逆方向に圧力を受ける率が低下し、矢印ａの逆方向に再度変形することが抑制される。
【０１１８】
これにより、当該ボンディングワイヤ２０ｗ同士の接触が防止される。
前記溶融状態の封止用樹脂３０ｒが、キャビティ１０ｃａ内に充填されることにより、被処理支持基板２０ｓ上の複数個の半導体素子２０ｃ、並びにボンディングワイヤ２０ｗなどが、当該封止用樹脂３０ｒにより被覆される。
【０１１９】
しかる後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型締めした状態に於いて封止用樹脂３０ｒを引き続き加熱し、当該封止用樹脂３０ｒを硬化せしめる。
当該封止用樹脂３０ｒの硬化がなされた後、上金型１０ｕと下金型１０ｄとを型開きし、下金型１０ｄ上から成形品、即ち樹脂封止品を取り出す。
【０１２０】
この様に、本実施の形態にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる五角形柱１０ｂｐ−１が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１２１】
かかる五角形柱１０ｂｐ−１を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該五角形柱１０ｂｐ−１に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【０１２２】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１２３】
＜第２の実施の形態の変形例１＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第１の変形例２Ｂを、図１６に示す。
【０１２４】
当該図１６にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【０１２５】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【０１２６】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−２が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１２７】
当該柱状体１０ｂｐ−２は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向する部位（図中に矢印αで示す部位）が円弧状とされ、他の三つの面が平面とされている。
【０１２８】
即ち、隣り合う柱状体１０ｂｐ−２と対向する面（図中に矢印βで示す部位）は平面とされ、また上金型の内側面に対向する面（図中に矢印γで示す部位）も平面とされている。
【０１２９】
尚、当該柱状体１０ｂｐ−２も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
かかる構成に於いて、柱状体１０ｂｐ−２の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１３０】
また、隣り合う柱状体１０ｂｐ−２間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該柱状体１０ｂｐ−２と上金型の内側面（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１３１】
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例１にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−２が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１３２】
かかる柱状体１０ｂｐ−２を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該柱状体１０ｂｐ−２に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【０１３３】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１３４】
＜第２の実施の形態の変形例２＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第２の変形例２Ｃを、図１７に示す。
【０１３５】
当該図１７にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【０１３６】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【０１３７】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる三角柱１０ｂｐ−３が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１３８】
当該三角柱１０ｂｐ−３は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向して鋭角部（図中に矢印αで示す部位）が配置された二等辺三角形状を有し、他の一辺（図中の矢印βで示す部位）のなす面が平面とされている。
【０１３９】
即ち、上金型の内側面に対向する面が平面とされている。
尚、当該三角柱１０ｂｐ−３も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
【０１４０】
かかる構成に於いて、三角柱１０ｂｐ−３の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う三角柱１０ｂｐ−３間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該三角柱１０ｂｐ−３と上金型の内側壁（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１４１】
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例２にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる三角柱１０ｂｐ−３が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１４２】
かかる三角柱１０ｂｐ−３を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該三角柱１０ｂｐ−３に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【０１４３】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１４４】
＜第２の実施の形態の変形例３＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第３の変形例２Ｄを、図１８（ａ）に示す。
【０１４５】
当該図１８（ａ）にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【０１４６】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【０１４７】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−４が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１４８】
当該柱状体１０ｂｐ−４は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向して円弧状部（図中に矢印αで示す部位）が配置されている。
【０１４９】
また、隣り合う柱状体１０ｂｐ−４と対向する面（図中の矢印βで示す部位）は平面とされ、また上金型の内側面に対向して円弧状部（図中の矢印γで示す部位）が位置する。
尚、当該柱状体１０ｂｐ−４も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
【０１５０】
かかる構成に於いて、柱状体１０ｂｐ−４の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う柱状体１０ｂｐ−４間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該柱状体１０ｂｐ−４と上金型の内側壁（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１５１】
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例３にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる柱状体１０ｂｐ−４が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１５２】
かかる柱状体１０ｂｐ−４を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該柱状体１０ｂｐ−４に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【０１５３】
また、当該柱状体１０ｂｐ−４の、上金型の内側面への対向部は円弧状を有することから、図１８（ｂ）に示される様に、封止用樹脂は、エアベント孔１０ａに向かい矢印ｃをもって示す流れにより円滑に流れ、目詰まりなどを生じない。
【０１５４】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１５５】
＜第２の実施の形態の変形例４＞
前記第２の実施の形態に於ける樹脂封止装置２Ａの、第４の変形例２Ｅを、図１９（ａ）に示す。
【０１５６】
当該図１９（ａ）にあっては、図１３と同様に、上金型１０ｕから下金型１０ｄの方向に俯瞰した状態を示すもので、上金型に於ける、エアベント孔１０ａ近傍の構成が拡大して示されている。
【０１５７】
即ち、上金型１０ｕと上記下金型１０ｄとにより形成されたキャビティ内に配置された被処理支持基板２０ｓの主面には、複数の半導体素子２０ｃが搭載され、当該半導体素子２０ｃの電極（図示せず）と支持基板２０ｓ上の電極端子（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０ｗにより接続されている。
【０１５８】
一方、上金型１０ｕの一つの壁の、下金型１０ｄへの対向面には、選択的にエアベント孔１０ａが配設されている。
そして、当該上金型１０ｕに於ける、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる六角柱１０ｂｐ−５が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１５９】
当該六角柱１０ｂｐ−５は、前記半導体素子２０ｃの搭載部に対向する面、即ち封止用樹脂が流入して来る方向に対向して鋭角部（図中に矢印αで示す部位）が配置されている。
【０１６０】
従って、隣り合う六角柱１０ｂｐ−５と対向する面（図中の矢印βで示す部位）は平面とされ、また上金型の内側面に対向して鋭角部（図中の矢印γで示す部位）が位置する。
尚、当該六角柱１０ｂｐ−５も、上金型１０ｕ近傍では太く、そして下金型１０ｄ方向に細くされて、その側面は、傾斜角θ（θ＝５°〜１５°）を有する。
【０１６１】
かかる構成に於いて、六角柱１０ｂｐ−５の封止用樹脂の流動方向に沿う長さをｄ１、幅をｄ２とすると、ｄ１は、２ｍｍ〜５ｍｍであり、ｄ２は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
また、隣り合う六角柱１０ｂｐ−５間の距離ｄ３は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。更に、当該六角柱１０ｂｐ−５と上金型の内側壁（側壁１０ｕｗ）との間の距離ｄ４は、１ｍｍ〜３ｍｍとされる。
【０１６２】
尚、かかる寸法は一例であり、これに限定されるものではない。
この様に、第２の実施の形態の変形例４にあっては、上金型の内側面近傍に、当該上金型の上面から下金型方向に延びる六角柱１０ｂｐ−５が複数本、当該上金型１０ｕの内側壁面に平行して配設されている。
【０１６３】
かかる六角柱１０ｂｐ−５を配設することにより、当該上金型の内側面に於ける封止用樹脂の反射が防止・抑制され、且つ、当該六角柱１０ｂｐ−５に於ける反射の方向も分散されて、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの特定方向への湾曲を防止することができる。
【０１６４】
また、当該六角柱１０ｂｐ−５の、上金型の内側面への対向部は鋭角を有することから、図１９（ｂ）に示される様に、封止用樹脂は、エアベント孔１０ａに向かい矢印ｃをもって示す流れにより円滑に流れ、目詰まりなどを生じない。
【０１６５】
これにより、樹脂封止される半導体素子に於けるボンディングワイヤ相互間の接触が防止されて、当該半導体素子を含む半導体装置の製造歩留りを高めることができ、また当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１６６】
尚、上述した第１の実施の形態及びその変形例、並びに第２の実施の形態及びその変形例は、夫々が独立した実施の形態とは限らず、第１の実施の形態及びその変形例、第２の実施の形態及びその変形例の中から２つ以上の実施の形態を複合させた実施の形態を構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その１）。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その２）。
【図４】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その３）。
【図５】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その４）。
【図６】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その５）。
【図７】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その６）。
【図８】第１の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その１）。
【図９】第１の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その２）。
【図１０】第１の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その３）。
【図１１】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その１）。
【図１２】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その２）。
【図１３】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その３）。
【図１４】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その４）。
【図１５】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法並びに樹脂封止装置を説明するための要部図である（その５）。
【図１６】第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その１）。
【図１７】第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その２）。
【図１８】第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その３）。
【図１９】第２の実施の形態の樹脂封止装置の変形例を説明する要部図である（その４）。
【図２０】樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その１）。
【図２１】樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その２）。
【図２２】樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その３）。
【図２３】樹脂封止用金型の構造を説明するための要部図である（その４）。
【符号の説明】
【０１６８】
１Ａ，２Ａ 樹脂封止装置
１０ａ エアベント孔
１０ｃａ キャビティ
１０ｇ ゲート部
１０ｂｐ−１ 五角形柱
１０ｂｐ−２，４ 柱状体
１０ｂｐ−３ 三角柱
１０ｂｐ−５ 六角柱
１０ｃｖ−１，２，３ 凹凸部
１０ｃｖ−４ 凹部
１０ｄ 下金型
１０ｕ 上金型
１０ｓ 主面
１０ｔｐ 傾斜面
１０ｕｗ 側壁
２０ｃ 半導体素子
２０ｓ 支持基板
２０ｗ ボンディングワイヤ
３０ｒ 封止用樹脂
３０ｒｂｐ 突出部
ＤＬ ダイシングライン
θ 傾斜角
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、
金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面が、波形を有する金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法。
【請求項２】
被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、
金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面近傍に、柱状体が配設された金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法。
【請求項３】
上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の内側面が波形を有することを特徴とする樹脂封止用金型。
【請求項４】
上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の近傍に、柱状体が配設されてなることを特徴とする樹脂封止用金型。
【請求項１】
被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、
金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面が、波形を有する金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法。
【請求項２】
被処理体を上金型と下金型により形成されるキャビティ内に配置し、当該キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記被処理体を樹脂封止する方法に於いて、
金型として、エアベント孔が配設された側壁の前記キャビティ内側面近傍に、柱状体が配設された金型を用いることを特徴とする樹脂封止方法。
【請求項３】
上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の内側面が波形を有することを特徴とする樹脂封止用金型。
【請求項４】
上金型と下金型により構成されるキャビティ内に於いて、エアベント孔が配設された側壁の近傍に、柱状体が配設されてなることを特徴とする樹脂封止用金型。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２０１０−９８２２９（Ｐ２０１０−９８２２９Ａ）
【公開日】平成２２年４月３０日（２０１０．４．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２６９５８８（Ｐ２００８−２６９５８８）
【出願日】平成２０年１０月２０日（２００８．１０．２０）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月３０日（２０１０．４．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月２０日（２００８．１０．２０）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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