流れ防止用ダムを備えたプリント基板及びその製造方法
【課題】ソルダーバンプの形成に使用されるドライフィルムレジストによってアンダーフィル液の外部流出を防止する流れ防止用ダムを備えたプリント基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ソルダーパッド１０４が形成されたベース基板１０２、前記ベース基板１０２のソルダーパッド１０４に形成されたソルダーバンプ１１６、及び前記ベース基板１０２の縁部にドライフィルムレジストで形成された流れ防止用ダム１１０ｃを含む。流れ防止用ダム１１０ｃがアンダーフィル液の外部流出を防止して、流れ防止用ダム１１０ｃを簡単な製造する簡単な方法を提供する。
【解決手段】ソルダーパッド１０４が形成されたベース基板１０２、前記ベース基板１０２のソルダーパッド１０４に形成されたソルダーバンプ１１６、及び前記ベース基板１０２の縁部にドライフィルムレジストで形成された流れ防止用ダム１１０ｃを含む。流れ防止用ダム１１０ｃがアンダーフィル液の外部流出を防止して、流れ防止用ダム１１０ｃを簡単な製造する簡単な方法を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は流れ防止用ダムを備えたプリント基板及びその製造方法に係り、より詳しくはプリント基板の縁部に流れ防止用ダムを具備してプリント基板に半導体チップをフリップチップボンディングしてその間に注入されるアンダーフィル液の外部流出を防止することができる流れ防止用ダムを備えたプリント基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子産業の発達につれて電子部品の高性能化、高機能化、小型化が要求されており、これに応えて、ＳＩＰ（ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｐａｃｋａｇｅ）、３Ｄパッケージなどの表面実装部品用基板においても固集積化、薄型化、微細回路パターン化の要求が増加している。
【０００３】
特に、電子部品の基板への表面実装技術において、半導体チップとプリント基板の電気的連結のために、ワイヤボンディング方式及びフリップチップボンディング方式が使用されている。
【０００４】
ここで、ワイヤボンディング方式は、プリント基板に設計回路が印刷された半導体チップを接着剤でプリント基板にボンディングさせ、プリント基板のリードフレームと半導体チップの金属端子（つまり、パッド）の間に情報送受信のために金属ワイヤで接続させた後、電子素子及びワイヤを熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などでモールディングさせるものである。
【０００５】
また、フリップチップボンディング方式は、半導体チップに金、半田あるいはその他の金属などの素材で数十μｍないし数百μｍの大きさの外部接続端子（つまり、バンプ）を形成し、既存のワイヤボンディングによる実装法とは反対に、バンプが形成された半導体チップを覆して（ｆｌｉｐ）、表面が基板方向に向かうように実装させるものである。
【０００６】
しかし、ワイヤボンディング方式は、他のパッケージング方式に比べて生産性が高いが、ワイヤを利用してプリント基板と連結しなければならないため、モジュールの大きさが大きくなって、追加の工程が必要な欠点があり、フリップチップボンディング方式が多く使用されている実情である。
【０００７】
図１及び図２は従来技術によるフリップチップ半導体パッケージをパッケージングする方法を説明する図である。
【０００８】
図１及び図２に示すように、従来技術によるフリップチップボンディングは、プリント基板１２に形成された接続パッド１４にソルダーボール１６が付着され、このソルダーボール１６を介して半導体チップ１８が実装される。
【０００９】
しかし、このような方法によってプリント基板１２に半導体チップ１８が実装されれば、接続パッド１４に付着されたソルダーボール１６の高さによって、半導体チップ１８とプリント基板１２の間にギャップＧが発生して半導体チップ１８の支持力が低くなり、ソルダーボール１６のソルダーリング部位でクラックが発生する。特に、ソルダーボール１６で発生するクラックは、温度変化が発生する場合、半導体チップ１８とプリント基板１２の間の熱膨張係数が互いに異なり、ソルダーボール１６に熱応力が加わり、この熱応力によってソルダーボール１６でクラックが発生することになるものである。
【００１０】
したがって、半導体チップ１８を安定的に支持するためには、半導体チップ１８とプリント基板１２の間で発生したギャップＧに、ディスペンサー（ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ）２０を利用して液状物質のアンダーフィル液２２を注入する。
【００１１】
ここで、アンダーフィル液２２は、半導体チップ１８の全体を包んでパッケージングする既存の半導体モールディング材（ＥＭＣ）とは異なり、半導体チップ１８とプリント基板１２の間に少量注入されてチップを固定させる接着剤の役目と外部衝撃から保護する役目をする。
【００１２】
しかし、ディスペンサー２０でアンダーフィル液２２を注入する過程において、半導体チップ１８とプリント基板１２の間のギャップＧに注入されるアンダーフィル液２２の一部は、ディスペンサー２０が配置される注入位置からプリント基板１２の外縁部まで流れて外部に溢れることになる注入不良が発生する問題点があった。
【００１３】
このような問題点を解決するために、プリント基板の縁部にディスペンシング工程でダムを形成する方法が提案された。
【００１４】
しかし、ディスペンシング工程はディスペンシングノズルからエポキシ樹脂を線形に押し出して線形のダムを形成するもので、ダムの幅が不規則になり、ダムの形状もディスペンシングノズル端部での摩擦力によってジグザグになる問題点があった。
【００１５】
また、ダムを形成するために、別途のディスペンシング装置が要求され、その形成のための工程を別に伴わなければならない問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、アンダーフィル液の外部流出を防止することができる流れ防止用ダムを備えたプリント基板及びその製造方法を提供することである。
【００１７】
本発明の他の目的は、別途のディスペンシング装置またはディスペンシング工程なしに、ソルダーバンプの形成に使用されるドライフィルムレジストで流れ防止用ダムを形成することができるプリント基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記目的を達成するために、本発明の一観点によれば、本発明は、ソルダーパッドが形成されたベース基板；前記ベース基板のソルダーパッドに形成されたソルダーバンプ；及び前記ベース基板の縁部にドライフィルムレジストで形成された流れ防止用ダム；を含む、流れ防止用ダムを備えたプリント基板を提供する。
【００１９】
前記ベース基板には、前記ソルダーパッドを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層が形成されることができる。
【００２０】
前記流れ防止用ダムは、ドライフィルムレジストが過露光によって過硬化した状態で前記ソルダーレジスト層に付着されることができる。
【００２１】
前記プリント基板は、前記ソルダーパッドに形成された前記ソルダーバンプを介してフリップチップボンディングされる半導体チップをさらに含むことができる。
【００２２】
前記流れ防止用ダムは、前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップに注入されるアンダーフィル液の外部流出を防止するために、前記半導体チップの外縁部に沿って前記ベース基板上に突出するように備えられることができる。
【００２３】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板上にフリップチップボンディングされる半導体チップの上面の高さよりは低くて前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップよりは高い高さを持つことができる。
【００２４】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板の外縁部と前記半導体チップの外縁部の間に備えられることができる。
【００２５】
また、本発明の他の観点によれば、本発明は、（Ａ）ソルダーパッドが形成されたベース基板にドライフィルムレジストを塗布し、前記ドライフィルムレジストを１次露光させる段階；（Ｂ）前記ベース基板の縁部に形成された１次露光された前記ドライフィルムレジストを２次露光させて流れ防止用ダムを形成する段階；（Ｃ）前記ソルダーパッドが露出するように、露光されていない前記ドライフィルムレジストを除去して開口部を形成する段階；（Ｄ）前記開口部にソルダーペーストを印刷し、リフロー工程によってソルダーバンプを形成する段階；及び（Ｅ）１次露光された前記ドライフィルムレジストを除去する段階；を含む、流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を提供する。
【００２６】
前記方法は、前記（Ｅ）段階の後、（Ｆ）前記ソルダーパッドに形成されたソルダーバンプを介して半導体チップをフリップチップボンディングする段階をさらに含むことができる。
【００２７】
前記方法は、前記（Ｆ）段階の後、（Ｇ）前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップにアンダーフィル液を注入する段階をさらに含むことができる。
【００２８】
前記流れ防止用ダムは、前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップに注入される前記アンダーフィル液の外部流出を防止するために、前記半導体チップの外縁部に沿って前記ベース基板上に突出するように形成されることができる。
【００２９】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板上にフリップチップボンディングされる前記半導体チップの上面の高さよりは低くて前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップよりは高い高さを持つことができる。
【００３０】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板の外縁部と前記半導体チップの外縁部の間に備えられることができる。
【００３１】
前記ベース基板には、ソルダーパッドを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層が形成されることができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、流れ防止用ダムを備えることにより、アンダーフィル液の膨脹及び外部流出を防止することができる。
【００３３】
また、本発明によれば、ソルダーバンプを形成する工程に使用されるドライフィルムレジストの過露光によって流れ防止用ダムを形成することにより、別途の材料、装置、及び工程が不要になる。
【００３４】
また、本発明によれば、ドライフィルムレジストで流れ防止用ダムを形成することにより、均一な高さ及び幅を持つ流れ防止用ダムを形成することができる。
【００３５】
また、本発明によれば、アンダーフィル液の外部流出を防止することにより、パッケージ全体の信頼性が向上される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来技術によるフリップチップ半導体パッケージをパッケージングする方法を説明する図である。
【図２】従来技術によるフリップチップ半導体パッケージをパッケージングする方法を説明する図である。
【図３】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の断面図である。
【図４】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板に半導体チップにフリップチップボンディングされた状態を示す断面図である。
【図５】図４の平面図である。
【図６】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図７】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図８】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図９】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１０】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１１】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１２】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１３】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は添付図面に基づく以下の詳細な説明と好適な実施例からより明らかになるであろう。本明細書において、“第１”、“第２”などの用語は特定の量、順序または重要度を示すものではなく、構成要素を互いに区別するために使用するものであり、各図の構成要素に参照符号を付けるに際して、同一構成要素は、たとえ相異なる図上に表示されても、できるだけ同一符号を有するようにすることに気をつけなければならない。また、本発明を説明することにおいて、関連公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要にあいまいにすることができると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。
【００３８】
以下、添付図面に基づいて本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００３９】
流れ防止用ダムを備えたプリント基板
【００４０】
図３は本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の断面図である。以下、同図に基づいて、本発明による流れ防止用ダムを備えたプリント基板１００について説明する。
【００４１】
図３に示すように、本発明による流れ防止用ダムを備えたプリント基板１００は、ベース基板１０２のソルダーパッド１０４にソルダーバンプ１１６が形成され、その両側部に流れ防止用ダム１１０ｃが形成されていることを特徴とする。
【００４２】
ここで、ベース基板１０２は、片面または両面にソルダーパッド１０４が形成されており、このソルダーパッド１０４を露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層１０６が形成されている構造を持つ。
【００４３】
また、流れ防止用ダム１１０ｃはドライフィルムレジストで形成され、過露光によって過硬化した状態でソルダーレジスト層１０６に付着されている。
【００４４】
一方、図４及び図５は本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板に半導体チップがフリップチップボンディングされた状態を示す断面図及び平面図を示す。
【００４５】
図４及び図５に示すように、半導体チップ１１８が、ベース基板１０２のソルダーパッド１０４に形成されたソルダーバンプ１１６を介してフリップチップボンディングされ、半導体チップ１１８とベース基板１０２の間にはアンダーフィル液１２０が注入される。
【００４６】
この際、流れ防止用ダム１１０ｃは、半導体チップ１１８の外縁部に沿ってベース基板１０２上に突出するように備えられることにより、アンダーフィル液１２０の外部流出を防止するようになる。
【００４７】
ここで、流れ防止用ダム１１０ｃはベース基板１０２の外縁部と半導体チップ１１８の外縁部の間に備えられ、アンダーフィル液１２０の流出を防止するように、ベース基板１０２と半導体チップ１１８の間のギャップＧより大きいが半導体チップ１１８の上面よりは小さな高さを持つことが好ましい。
【００４８】
流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法
【００４９】
図６〜図１３は本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００５０】
以下、図６〜図１３に基づいて、本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明する。
【００５１】
まず、図６に示すように、ソルダーパッド１０４が形成されたベース基板１０２にドライフィルムレジスト１１０を塗布する。
【００５２】
この際、ベース基板１０２は一面にソルダーパッド１０４を備え、このソルダーパッド１０４を露出させるオープン部１０８が形成されたソルダーレジスト層１０６が形成された構造を持つ。
【００５３】
また、ドライフィルムレジスト１１０は、フィルム形態になった感光材（フォトレジスト）の一面に伸縮性を付与するためのマイラーフィルム（Ｍｙｌａｒ ｆｉｌｍ）と感光材の他面に形成されたカバーフィルム（ｃｏｖｅｒ ｆｉｌｍ）でなる。
【００５４】
ここで、ドライフィルムレジスト１１０は一般的なドライフィルムラミネーティング装置によって塗布され、カバーフィルムが剥げた状態で塗布される。
【００５５】
一方、ドライフィルムレジスト１１０は、ソルダーバンプ１１６の大きさ及び流れ防止用ダム１１０ｃの高さを考慮して、所定の厚さに形成することが好ましい。
【００５６】
ついで、図７に示すように、ソルダーパッド１０４上に塗布されたドライフィルムレジスト１１０を除き、ドライフィルムレジスト１１０を１次に露光する。
【００５７】
この際、１次露光は、所定のマスクパターン（図示せず）を用いて、ソルダーパッド１０４上に塗布されたドライフィルムレジスト１１０を除き、紫外線に露出させることで行われる。
【００５８】
ここで、ソルダーパッド１０４上に塗布された露光されていないドライフィルムレジスト１１０ａを除き、１次露光されたドライフィルムレジスト１１０ｂは１次露光の際に重合反応によって硬化状態になる。
【００５９】
ついで、図８に示すように、ベース基板１０２の側面に形成された１次露光されたドライフィルムレジスト１１０の一部を２次露光して流れ防止用ダム１１０ｃを形成する。
【００６０】
この際、２次露光されたドライフィルムレジストは流れ防止用ダム１１０ｃを形成し、過露光によって過硬化状態になり、ソルダーレジスト層１０６との結合力が増大するようになる。よって、以後のドライフィルムレジスト剥離工程で除去できなくなる。
【００６１】
ついで、図９に示すように、ソルダーパッド１０４が露出するように、露光されていないドライフィルムレジスト１１０ａを現像工程で除去して開口部１１２を形成する。
【００６２】
ここで、現像工程は、露光工程で紫外線に露出して硬化した部分は残し、その以外の部分は溶解させて除去する過程であって、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）または炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）のような現像液を用いて、露光されていないドライフィルムレジスト１１０ａを除去する。
【００６３】
ついで、図１０に示すように、開口部１１２にソルダーペースト１１４を印刷する。
【００６４】
この際、ソルダーペースト１１４は、印刷テーブルにベース基板１０２を配置し、その上部に、複数の開口部を備えたマスクを介してスキージでソルダーペーストを押し込むスクリーンプリンティング方式で印刷される。
【００６５】
ついで、図１１に示すように、印刷されたソルダーペースト１１４にリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を行ってソルダーバンプ１１６を形成する。
【００６６】
この際、ドライフィルムレジスト１１０に形成された開口部１１２内に印刷されるソルダーレジスト１１４はリフロー工程によって円形になりながら流れ防止用ダム１１０ｃの高さより低くなる。よって、ソルダーバンプ１１６に半導体チップ１１８が実装される場合、ベース基板１０２と半導体チップ１１８の間のギャップＧは流れ防止用ダム１１０ｃの高さより小さいので、流れ防止用ダム１１０ｃはギャップＧに注入されるアンダーフィル液１２０の外部流出を防止することができるようになる。
【００６７】
最後に、図１２に示すように、１次露光されたドライフィルムレジスト１１０ｂを除去する。
【００６８】
この際、１次露光されたドライフィルムレジスト１１０ｂは、例えばＮａＯＨまたはＫＯＨのような剥離液によって剥離される。
【００６９】
ここで、剥離液のＯＨ−とドライフィルムレジストのカルボキシル基（ＣＯＯＨ＋）が結合する過程で、１次露光されたドライフィルムレジスト１１０ｂが浮かび上がることにより剥離が生じるが、２次露光されたドライフィルムレジスト、つまり流れ防止用ダム１１０ｃは過露光によって過硬化状態になってソルダーレジスト層１０６と付着するので、この剥離液によって除去されなくなる。
【００７０】
一方、図１３に示すように、ベース基板１０２のソルダーバンプ１１６を介して半導体チップ１１８がフリップチップ実装され、ベース基板１０２と半導体チップ１１８の間のギャップＧにアンダーフィル液１２０が注入されることにより、フリップチップパッケージができあがる。
【００７１】
この際、流れ防止用ダム１１０ｃは半導体チップ１１８の外縁部に沿ってベース基板上に突出するように備えられるが、ベース基板１０２と半導体チップ１１８の間のギャップより大きいながらも半導体チップ１１８の上面より低い高さを持つので、アンダーフィル液１２０の外部流出を防止するようになる。
【００７２】
以上、本発明をその具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による流れ防止用ダムを備えたプリント基板及びその製造方法はこれに限定されなく、本発明の技術的思想内で当業者によってその変形や改良が可能であることは明らかであろう。
【００７３】
本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の領域に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求の範囲によって決められるものである。
【符号の説明】
【００７４】
１０２ ベース基板
１０４ ソルダーパッド
１０６ ソルダーレジスト層
１１０ ドライフィルムレジスト
１１０ａ 未露光されたドライフィルムレジスト
１１０ｂ １次露光されたドライフィルムレジスト
１１０ｃ 流れ防止用ダム
１１２ 開口部
１１４ ソルダーペースト
１１６ ソルダーバンプ
１１８ 半導体チップ
１２０ アンダーフィル液
【技術分野】
【０００１】
本発明は流れ防止用ダムを備えたプリント基板及びその製造方法に係り、より詳しくはプリント基板の縁部に流れ防止用ダムを具備してプリント基板に半導体チップをフリップチップボンディングしてその間に注入されるアンダーフィル液の外部流出を防止することができる流れ防止用ダムを備えたプリント基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子産業の発達につれて電子部品の高性能化、高機能化、小型化が要求されており、これに応えて、ＳＩＰ（ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｐａｃｋａｇｅ）、３Ｄパッケージなどの表面実装部品用基板においても固集積化、薄型化、微細回路パターン化の要求が増加している。
【０００３】
特に、電子部品の基板への表面実装技術において、半導体チップとプリント基板の電気的連結のために、ワイヤボンディング方式及びフリップチップボンディング方式が使用されている。
【０００４】
ここで、ワイヤボンディング方式は、プリント基板に設計回路が印刷された半導体チップを接着剤でプリント基板にボンディングさせ、プリント基板のリードフレームと半導体チップの金属端子（つまり、パッド）の間に情報送受信のために金属ワイヤで接続させた後、電子素子及びワイヤを熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などでモールディングさせるものである。
【０００５】
また、フリップチップボンディング方式は、半導体チップに金、半田あるいはその他の金属などの素材で数十μｍないし数百μｍの大きさの外部接続端子（つまり、バンプ）を形成し、既存のワイヤボンディングによる実装法とは反対に、バンプが形成された半導体チップを覆して（ｆｌｉｐ）、表面が基板方向に向かうように実装させるものである。
【０００６】
しかし、ワイヤボンディング方式は、他のパッケージング方式に比べて生産性が高いが、ワイヤを利用してプリント基板と連結しなければならないため、モジュールの大きさが大きくなって、追加の工程が必要な欠点があり、フリップチップボンディング方式が多く使用されている実情である。
【０００７】
図１及び図２は従来技術によるフリップチップ半導体パッケージをパッケージングする方法を説明する図である。
【０００８】
図１及び図２に示すように、従来技術によるフリップチップボンディングは、プリント基板１２に形成された接続パッド１４にソルダーボール１６が付着され、このソルダーボール１６を介して半導体チップ１８が実装される。
【０００９】
しかし、このような方法によってプリント基板１２に半導体チップ１８が実装されれば、接続パッド１４に付着されたソルダーボール１６の高さによって、半導体チップ１８とプリント基板１２の間にギャップＧが発生して半導体チップ１８の支持力が低くなり、ソルダーボール１６のソルダーリング部位でクラックが発生する。特に、ソルダーボール１６で発生するクラックは、温度変化が発生する場合、半導体チップ１８とプリント基板１２の間の熱膨張係数が互いに異なり、ソルダーボール１６に熱応力が加わり、この熱応力によってソルダーボール１６でクラックが発生することになるものである。
【００１０】
したがって、半導体チップ１８を安定的に支持するためには、半導体チップ１８とプリント基板１２の間で発生したギャップＧに、ディスペンサー（ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ）２０を利用して液状物質のアンダーフィル液２２を注入する。
【００１１】
ここで、アンダーフィル液２２は、半導体チップ１８の全体を包んでパッケージングする既存の半導体モールディング材（ＥＭＣ）とは異なり、半導体チップ１８とプリント基板１２の間に少量注入されてチップを固定させる接着剤の役目と外部衝撃から保護する役目をする。
【００１２】
しかし、ディスペンサー２０でアンダーフィル液２２を注入する過程において、半導体チップ１８とプリント基板１２の間のギャップＧに注入されるアンダーフィル液２２の一部は、ディスペンサー２０が配置される注入位置からプリント基板１２の外縁部まで流れて外部に溢れることになる注入不良が発生する問題点があった。
【００１３】
このような問題点を解決するために、プリント基板の縁部にディスペンシング工程でダムを形成する方法が提案された。
【００１４】
しかし、ディスペンシング工程はディスペンシングノズルからエポキシ樹脂を線形に押し出して線形のダムを形成するもので、ダムの幅が不規則になり、ダムの形状もディスペンシングノズル端部での摩擦力によってジグザグになる問題点があった。
【００１５】
また、ダムを形成するために、別途のディスペンシング装置が要求され、その形成のための工程を別に伴わなければならない問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、アンダーフィル液の外部流出を防止することができる流れ防止用ダムを備えたプリント基板及びその製造方法を提供することである。
【００１７】
本発明の他の目的は、別途のディスペンシング装置またはディスペンシング工程なしに、ソルダーバンプの形成に使用されるドライフィルムレジストで流れ防止用ダムを形成することができるプリント基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記目的を達成するために、本発明の一観点によれば、本発明は、ソルダーパッドが形成されたベース基板；前記ベース基板のソルダーパッドに形成されたソルダーバンプ；及び前記ベース基板の縁部にドライフィルムレジストで形成された流れ防止用ダム；を含む、流れ防止用ダムを備えたプリント基板を提供する。
【００１９】
前記ベース基板には、前記ソルダーパッドを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層が形成されることができる。
【００２０】
前記流れ防止用ダムは、ドライフィルムレジストが過露光によって過硬化した状態で前記ソルダーレジスト層に付着されることができる。
【００２１】
前記プリント基板は、前記ソルダーパッドに形成された前記ソルダーバンプを介してフリップチップボンディングされる半導体チップをさらに含むことができる。
【００２２】
前記流れ防止用ダムは、前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップに注入されるアンダーフィル液の外部流出を防止するために、前記半導体チップの外縁部に沿って前記ベース基板上に突出するように備えられることができる。
【００２３】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板上にフリップチップボンディングされる半導体チップの上面の高さよりは低くて前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップよりは高い高さを持つことができる。
【００２４】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板の外縁部と前記半導体チップの外縁部の間に備えられることができる。
【００２５】
また、本発明の他の観点によれば、本発明は、（Ａ）ソルダーパッドが形成されたベース基板にドライフィルムレジストを塗布し、前記ドライフィルムレジストを１次露光させる段階；（Ｂ）前記ベース基板の縁部に形成された１次露光された前記ドライフィルムレジストを２次露光させて流れ防止用ダムを形成する段階；（Ｃ）前記ソルダーパッドが露出するように、露光されていない前記ドライフィルムレジストを除去して開口部を形成する段階；（Ｄ）前記開口部にソルダーペーストを印刷し、リフロー工程によってソルダーバンプを形成する段階；及び（Ｅ）１次露光された前記ドライフィルムレジストを除去する段階；を含む、流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を提供する。
【００２６】
前記方法は、前記（Ｅ）段階の後、（Ｆ）前記ソルダーパッドに形成されたソルダーバンプを介して半導体チップをフリップチップボンディングする段階をさらに含むことができる。
【００２７】
前記方法は、前記（Ｆ）段階の後、（Ｇ）前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップにアンダーフィル液を注入する段階をさらに含むことができる。
【００２８】
前記流れ防止用ダムは、前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップに注入される前記アンダーフィル液の外部流出を防止するために、前記半導体チップの外縁部に沿って前記ベース基板上に突出するように形成されることができる。
【００２９】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板上にフリップチップボンディングされる前記半導体チップの上面の高さよりは低くて前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップよりは高い高さを持つことができる。
【００３０】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板の外縁部と前記半導体チップの外縁部の間に備えられることができる。
【００３１】
前記ベース基板には、ソルダーパッドを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層が形成されることができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、流れ防止用ダムを備えることにより、アンダーフィル液の膨脹及び外部流出を防止することができる。
【００３３】
また、本発明によれば、ソルダーバンプを形成する工程に使用されるドライフィルムレジストの過露光によって流れ防止用ダムを形成することにより、別途の材料、装置、及び工程が不要になる。
【００３４】
また、本発明によれば、ドライフィルムレジストで流れ防止用ダムを形成することにより、均一な高さ及び幅を持つ流れ防止用ダムを形成することができる。
【００３５】
また、本発明によれば、アンダーフィル液の外部流出を防止することにより、パッケージ全体の信頼性が向上される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来技術によるフリップチップ半導体パッケージをパッケージングする方法を説明する図である。
【図２】従来技術によるフリップチップ半導体パッケージをパッケージングする方法を説明する図である。
【図３】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の断面図である。
【図４】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板に半導体チップにフリップチップボンディングされた状態を示す断面図である。
【図５】図４の平面図である。
【図６】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図７】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図８】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図９】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１０】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１１】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１２】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１３】本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は添付図面に基づく以下の詳細な説明と好適な実施例からより明らかになるであろう。本明細書において、“第１”、“第２”などの用語は特定の量、順序または重要度を示すものではなく、構成要素を互いに区別するために使用するものであり、各図の構成要素に参照符号を付けるに際して、同一構成要素は、たとえ相異なる図上に表示されても、できるだけ同一符号を有するようにすることに気をつけなければならない。また、本発明を説明することにおいて、関連公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要にあいまいにすることができると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。
【００３８】
以下、添付図面に基づいて本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００３９】
流れ防止用ダムを備えたプリント基板
【００４０】
図３は本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の断面図である。以下、同図に基づいて、本発明による流れ防止用ダムを備えたプリント基板１００について説明する。
【００４１】
図３に示すように、本発明による流れ防止用ダムを備えたプリント基板１００は、ベース基板１０２のソルダーパッド１０４にソルダーバンプ１１６が形成され、その両側部に流れ防止用ダム１１０ｃが形成されていることを特徴とする。
【００４２】
ここで、ベース基板１０２は、片面または両面にソルダーパッド１０４が形成されており、このソルダーパッド１０４を露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層１０６が形成されている構造を持つ。
【００４３】
また、流れ防止用ダム１１０ｃはドライフィルムレジストで形成され、過露光によって過硬化した状態でソルダーレジスト層１０６に付着されている。
【００４４】
一方、図４及び図５は本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板に半導体チップがフリップチップボンディングされた状態を示す断面図及び平面図を示す。
【００４５】
図４及び図５に示すように、半導体チップ１１８が、ベース基板１０２のソルダーパッド１０４に形成されたソルダーバンプ１１６を介してフリップチップボンディングされ、半導体チップ１１８とベース基板１０２の間にはアンダーフィル液１２０が注入される。
【００４６】
この際、流れ防止用ダム１１０ｃは、半導体チップ１１８の外縁部に沿ってベース基板１０２上に突出するように備えられることにより、アンダーフィル液１２０の外部流出を防止するようになる。
【００４７】
ここで、流れ防止用ダム１１０ｃはベース基板１０２の外縁部と半導体チップ１１８の外縁部の間に備えられ、アンダーフィル液１２０の流出を防止するように、ベース基板１０２と半導体チップ１１８の間のギャップＧより大きいが半導体チップ１１８の上面よりは小さな高さを持つことが好ましい。
【００４８】
流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法
【００４９】
図６〜図１３は本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００５０】
以下、図６〜図１３に基づいて、本発明の好適な実施例による流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法を説明する。
【００５１】
まず、図６に示すように、ソルダーパッド１０４が形成されたベース基板１０２にドライフィルムレジスト１１０を塗布する。
【００５２】
この際、ベース基板１０２は一面にソルダーパッド１０４を備え、このソルダーパッド１０４を露出させるオープン部１０８が形成されたソルダーレジスト層１０６が形成された構造を持つ。
【００５３】
また、ドライフィルムレジスト１１０は、フィルム形態になった感光材（フォトレジスト）の一面に伸縮性を付与するためのマイラーフィルム（Ｍｙｌａｒ ｆｉｌｍ）と感光材の他面に形成されたカバーフィルム（ｃｏｖｅｒ ｆｉｌｍ）でなる。
【００５４】
ここで、ドライフィルムレジスト１１０は一般的なドライフィルムラミネーティング装置によって塗布され、カバーフィルムが剥げた状態で塗布される。
【００５５】
一方、ドライフィルムレジスト１１０は、ソルダーバンプ１１６の大きさ及び流れ防止用ダム１１０ｃの高さを考慮して、所定の厚さに形成することが好ましい。
【００５６】
ついで、図７に示すように、ソルダーパッド１０４上に塗布されたドライフィルムレジスト１１０を除き、ドライフィルムレジスト１１０を１次に露光する。
【００５７】
この際、１次露光は、所定のマスクパターン（図示せず）を用いて、ソルダーパッド１０４上に塗布されたドライフィルムレジスト１１０を除き、紫外線に露出させることで行われる。
【００５８】
ここで、ソルダーパッド１０４上に塗布された露光されていないドライフィルムレジスト１１０ａを除き、１次露光されたドライフィルムレジスト１１０ｂは１次露光の際に重合反応によって硬化状態になる。
【００５９】
ついで、図８に示すように、ベース基板１０２の側面に形成された１次露光されたドライフィルムレジスト１１０の一部を２次露光して流れ防止用ダム１１０ｃを形成する。
【００６０】
この際、２次露光されたドライフィルムレジストは流れ防止用ダム１１０ｃを形成し、過露光によって過硬化状態になり、ソルダーレジスト層１０６との結合力が増大するようになる。よって、以後のドライフィルムレジスト剥離工程で除去できなくなる。
【００６１】
ついで、図９に示すように、ソルダーパッド１０４が露出するように、露光されていないドライフィルムレジスト１１０ａを現像工程で除去して開口部１１２を形成する。
【００６２】
ここで、現像工程は、露光工程で紫外線に露出して硬化した部分は残し、その以外の部分は溶解させて除去する過程であって、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）または炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）のような現像液を用いて、露光されていないドライフィルムレジスト１１０ａを除去する。
【００６３】
ついで、図１０に示すように、開口部１１２にソルダーペースト１１４を印刷する。
【００６４】
この際、ソルダーペースト１１４は、印刷テーブルにベース基板１０２を配置し、その上部に、複数の開口部を備えたマスクを介してスキージでソルダーペーストを押し込むスクリーンプリンティング方式で印刷される。
【００６５】
ついで、図１１に示すように、印刷されたソルダーペースト１１４にリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を行ってソルダーバンプ１１６を形成する。
【００６６】
この際、ドライフィルムレジスト１１０に形成された開口部１１２内に印刷されるソルダーレジスト１１４はリフロー工程によって円形になりながら流れ防止用ダム１１０ｃの高さより低くなる。よって、ソルダーバンプ１１６に半導体チップ１１８が実装される場合、ベース基板１０２と半導体チップ１１８の間のギャップＧは流れ防止用ダム１１０ｃの高さより小さいので、流れ防止用ダム１１０ｃはギャップＧに注入されるアンダーフィル液１２０の外部流出を防止することができるようになる。
【００６７】
最後に、図１２に示すように、１次露光されたドライフィルムレジスト１１０ｂを除去する。
【００６８】
この際、１次露光されたドライフィルムレジスト１１０ｂは、例えばＮａＯＨまたはＫＯＨのような剥離液によって剥離される。
【００６９】
ここで、剥離液のＯＨ−とドライフィルムレジストのカルボキシル基（ＣＯＯＨ＋）が結合する過程で、１次露光されたドライフィルムレジスト１１０ｂが浮かび上がることにより剥離が生じるが、２次露光されたドライフィルムレジスト、つまり流れ防止用ダム１１０ｃは過露光によって過硬化状態になってソルダーレジスト層１０６と付着するので、この剥離液によって除去されなくなる。
【００７０】
一方、図１３に示すように、ベース基板１０２のソルダーバンプ１１６を介して半導体チップ１１８がフリップチップ実装され、ベース基板１０２と半導体チップ１１８の間のギャップＧにアンダーフィル液１２０が注入されることにより、フリップチップパッケージができあがる。
【００７１】
この際、流れ防止用ダム１１０ｃは半導体チップ１１８の外縁部に沿ってベース基板上に突出するように備えられるが、ベース基板１０２と半導体チップ１１８の間のギャップより大きいながらも半導体チップ１１８の上面より低い高さを持つので、アンダーフィル液１２０の外部流出を防止するようになる。
【００７２】
以上、本発明をその具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による流れ防止用ダムを備えたプリント基板及びその製造方法はこれに限定されなく、本発明の技術的思想内で当業者によってその変形や改良が可能であることは明らかであろう。
【００７３】
本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の領域に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求の範囲によって決められるものである。
【符号の説明】
【００７４】
１０２ ベース基板
１０４ ソルダーパッド
１０６ ソルダーレジスト層
１１０ ドライフィルムレジスト
１１０ａ 未露光されたドライフィルムレジスト
１１０ｂ １次露光されたドライフィルムレジスト
１１０ｃ 流れ防止用ダム
１１２ 開口部
１１４ ソルダーペースト
１１６ ソルダーバンプ
１１８ 半導体チップ
１２０ アンダーフィル液
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソルダーパッドが形成されたベース基板；
前記ベース基板のソルダーパッドに形成されたソルダーバンプ；及び
前記ベース基板の縁部にドライフィルムレジストで形成された流れ防止用ダム；
を含むことを特徴とする、流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項２】
前記ベース基板には、前記ソルダーパッドを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項３】
前記流れ防止用ダムは、ドライフィルムレジストが過露光によって過硬化した状態で前記ソルダーレジスト層に付着されていることを特徴とする、請求項１に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項４】
前記ソルダーパッドに形成された前記ソルダーバンプを介してフリップチップボンディングされる半導体チップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項５】
前記流れ防止用ダムは、前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップに注入されるアンダーフィル液の外部流出を防止するために、前記半導体チップの外縁部に沿って前記ベース基板上に突出するように備えられていることを特徴とする、請求項４に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項６】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板上にフリップチップボンディングされる半導体チップの上面の高さよりは低くて前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップよりは高い高さを持つことを特徴とする、請求項４に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項７】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板の外縁部と前記半導体チップの外縁部の間に備えられることを特徴とする、請求項４に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項８】
（Ａ）ソルダーパッドが形成されたベース基板にドライフィルムレジストを塗布し、前記ドライフィルムレジストを１次露光させる段階；
（Ｂ）前記ベース基板の縁部に形成された１次露光された前記ドライフィルムレジストを２次露光させて流れ防止用ダムを形成する段階；
（Ｃ）前記ソルダーパッドが露出するように、露光されていない前記ドライフィルムレジストを除去して開口部を形成する段階；
（Ｄ）前記開口部にソルダーペーストを印刷し、リフロー工程によってソルダーバンプを形成する段階；及び
（Ｅ）１次露光された前記ドライフィルムレジストを除去する段階；
を含むことを特徴とする、流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｅ）段階の後、（Ｆ）前記ソルダーパッドに形成されたソルダーバンプを介して半導体チップをフリップチップボンディングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｆ）段階の後、（Ｇ）前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップにアンダーフィル液を注入する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記流れ防止用ダムは、前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップに注入される前記アンダーフィル液の外部流出を防止するために、前記半導体チップの外縁部に沿って前記ベース基板上に突出するように形成されていることを特徴とする、請求項９に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板上にフリップチップボンディングされる前記半導体チップの上面の高さよりは低くて前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップよりは高い高さを持つことを特徴とする、請求項９に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板の外縁部と前記半導体チップの外縁部の間に備えられることを特徴とする、請求項９に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１４】
前記ベース基板には、ソルダーパッドを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層が形成されていることを特徴とする、請求項８に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１】
ソルダーパッドが形成されたベース基板；
前記ベース基板のソルダーパッドに形成されたソルダーバンプ；及び
前記ベース基板の縁部にドライフィルムレジストで形成された流れ防止用ダム；
を含むことを特徴とする、流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項２】
前記ベース基板には、前記ソルダーパッドを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項３】
前記流れ防止用ダムは、ドライフィルムレジストが過露光によって過硬化した状態で前記ソルダーレジスト層に付着されていることを特徴とする、請求項１に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項４】
前記ソルダーパッドに形成された前記ソルダーバンプを介してフリップチップボンディングされる半導体チップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項５】
前記流れ防止用ダムは、前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップに注入されるアンダーフィル液の外部流出を防止するために、前記半導体チップの外縁部に沿って前記ベース基板上に突出するように備えられていることを特徴とする、請求項４に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項６】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板上にフリップチップボンディングされる半導体チップの上面の高さよりは低くて前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップよりは高い高さを持つことを特徴とする、請求項４に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項７】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板の外縁部と前記半導体チップの外縁部の間に備えられることを特徴とする、請求項４に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板。
【請求項８】
（Ａ）ソルダーパッドが形成されたベース基板にドライフィルムレジストを塗布し、前記ドライフィルムレジストを１次露光させる段階；
（Ｂ）前記ベース基板の縁部に形成された１次露光された前記ドライフィルムレジストを２次露光させて流れ防止用ダムを形成する段階；
（Ｃ）前記ソルダーパッドが露出するように、露光されていない前記ドライフィルムレジストを除去して開口部を形成する段階；
（Ｄ）前記開口部にソルダーペーストを印刷し、リフロー工程によってソルダーバンプを形成する段階；及び
（Ｅ）１次露光された前記ドライフィルムレジストを除去する段階；
を含むことを特徴とする、流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｅ）段階の後、（Ｆ）前記ソルダーパッドに形成されたソルダーバンプを介して半導体チップをフリップチップボンディングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｆ）段階の後、（Ｇ）前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップにアンダーフィル液を注入する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記流れ防止用ダムは、前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップに注入される前記アンダーフィル液の外部流出を防止するために、前記半導体チップの外縁部に沿って前記ベース基板上に突出するように形成されていることを特徴とする、請求項９に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板上にフリップチップボンディングされる前記半導体チップの上面の高さよりは低くて前記半導体チップと前記ベース基板の間のギャップよりは高い高さを持つことを特徴とする、請求項９に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記流れ防止用ダムは、前記ベース基板の外縁部と前記半導体チップの外縁部の間に備えられることを特徴とする、請求項９に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【請求項１４】
前記ベース基板には、ソルダーパッドを露出させるオープン部を持つソルダーレジスト層が形成されていることを特徴とする、請求項８に記載の流れ防止用ダムを備えたプリント基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１０−１１８６３４（Ｐ２０１０−１１８６３４Ａ）
【公開日】平成２２年５月２７日（２０１０．５．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−３２９１４（Ｐ２００９−３２９１４）
【出願日】平成２１年２月１６日（２００９．２．１６）
【出願人】（５９１００３７７０）三星電機株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月２７日（２０１０．５．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月１６日（２００９．２．１６）
【出願人】（５９１００３７７０）三星電機株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
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