液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
【課題】額縁領域の小さい液晶表示装置であっても、表示品質を低下させることなく且つ
コモン引回し線の配線抵抗の小さな液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置１は、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦとを
表面が互いに対向するようにシール材２で貼り合わされ、両基板間に液晶４０が封入され
てなり、アレイ基板の表面には、少なくとも、表示領域ＤＡに沿ってマトリクス状に形成
された走査線１１及び信号線１２と、画素領域ＰＡに設けられた少なくとも１つの電極と
、走査線及び信号線の端部に接続されて表示領域の外周囲を引回されたゲート引回し線Ｇ
Ｌ及びソース引回し線ＳＬと、ゲート引回し線及びソース引回し線の更に外側を引回され
たコモン引回し線Ｃｏｍと、が形成され、コモン引回し線は、少なくとも３層の導電性部
材が積層され互いに接続されて形成されている。
コモン引回し線の配線抵抗の小さな液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置１は、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦとを
表面が互いに対向するようにシール材２で貼り合わされ、両基板間に液晶４０が封入され
てなり、アレイ基板の表面には、少なくとも、表示領域ＤＡに沿ってマトリクス状に形成
された走査線１１及び信号線１２と、画素領域ＰＡに設けられた少なくとも１つの電極と
、走査線及び信号線の端部に接続されて表示領域の外周囲を引回されたゲート引回し線Ｇ
Ｌ及びソース引回し線ＳＬと、ゲート引回し線及びソース引回し線の更に外側を引回され
たコモン引回し線Ｃｏｍと、が形成され、コモン引回し線は、少なくとも３層の導電性部
材が積層され互いに接続されて形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に関するものである。詳しくは、コ
モン配線の配線抵抗を低減することでパネル特性の劣化を防止した液晶表示装置及びこの
液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
公知の液晶表示装置は、各種配線等が形成されたアレイ基板とカラーフィルタ基板とを
互いに表面が対向するようにその外周囲をシール材で貼り合わせた後、一対の基板とシー
ル材とに囲まれた領域に液晶を封入することで形成されている。このような液晶表示装置
においては、アレイ基板に走査線、信号線に加えてコモン引回し線が形成されており、こ
れらの配線は基板の１箇所に集線されてドライバＩＣや外部制御基板に接続されたＦＰＣ
（Flexible Printed Circuit）等に接続される。
【０００３】
このような液晶表示装置においては、表示領域をより大きくするために狭額縁化が要求
されている。しかしながら、液晶表示装置の額縁領域は各種配線を引き回すための引回し
領域となっているため、狭額縁化が進むとこの引回し領域が小さくなり、それに伴って各
種配線の幅及び配線同士の間隔も小さくなってしまう。このように配線の幅や配線同士の
間隔が小さくなると、断線や短絡等の各種配線不良が生じやすくなると共に、配線抵抗が
増大してしまいパネル特性が劣化してしまうという課題が存在している。この点について
は、表示品質の向上に伴う配線本数の増大に伴い、より顕著な課題となっている。
【０００４】
図９Ａは下記特許文献１に開示された液晶表示装置の一部を拡大して示す拡大平面図、
図９Ｂは図９ＡのIXＢ−IXＢ線で切断した断面図である。
上述の課題を解決するために、下記特許文献１に開示された液晶表示装置１００は、配
線基板１０１と対向基板１０９とをシール材１０８により貼り合せて形成されている。配
線基板１０１上には、複数の走査信号用配線１０３が平行に形成されている。複数の走査
信号用配線１０３は一定の間隔で、横方向に沿って配置される。また、ゲート絶縁膜１０
４を介して走査信号用配線１０３と交差するように複数の表示信号用配線１０５が形成さ
れている。すなわち、走査信号用配線１０３を覆うように設けられたゲート絶縁膜１０４
上に、表示信号用配線１０５が走査信号用配線３と直交する方向に沿って設けられている
。複数の表示信号用配線１０５は一定の間隔で、縦方向に沿って形成される。また、配線
基板１０１の中央部、詳しくは図９Ａに示す点線よりも内側（左上側）の領域が表示領域
１０２となり、点線よりも外側（右下側）の領域が額縁領域となる。
【０００５】
配線基板１０１の額縁領域には駆動ＩＣ１０６が実装されている。この駆動ＩＣ１０６
から走査信号と表示信号とが出力される。従って、駆動ＩＣ１０６には、走査信号用配線
１０３と接続される走査信号用引き回し配線１０３ａと、表示信号用配線１０５と接続さ
れる表示信号用引き回し配線１０５ａが接続されている。また、額縁領域の走査信号用引
き回し配線１０３ａの外側には、コモン信号用配線１０７が形成されている。コモン信号
用配線１０７は、図９Ｂに示すように２つのコモン信号用配線１０７ａ及び１０７ｂの２
層により構成される。コモン信号用配線１０７ａは、走査信号用引き回し配線１０３ａと
同じ導電層により形成され、コモン信号用配線１０７ｂは、表示信号用引き回し配線１０
５ａと同じ導電層により形成される。さらに、コモン信号用配線１０７ａとコモン信号用
配線１０７ｂとの間には、ゲート絶縁膜１０４が形成されている。そして、配線基板１０
１の端部において、ゲート絶縁膜１０４にコモン信号用配線１０７ａとコモン信号用配線
１０７ｂとを接続するためのコンタクトホール（図示せず）が形成され、コモン信号用配
線１０７ａ及び１０７ｂが接続されている。以上のように、下記特許文献１の液晶表示装
置１００においては、コモン信号用配線１０７を２層構造としているので、コモン信号用
配線１０７の低抵抗化を図ることができる。
【特許文献１】特開２００７− ４７２５９号公報（請求項１、段落［００２７］〜［００３３］、図１、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に開示された液晶表示装置１００によれば、コモン信号用配線１０７を
２層構造としたことにより、額縁領域を大きくすることなく、配線抵抗を低減することが
可能となる点が開示されている。しかしながら、近年の表示品質の向上及び狭額縁化の要
求は更に大きくなっており、たとえ上記特許文献１に開示されているようにコモン信号用
配線１０７を２層にしたとしても十分な配線抵抗の低減ができないほど配線自体の幅を小
さくしなければいけない状態となっている。
【０００７】
また、従来のアレイ基板（配線基板）は帯電し易い性質を有している。詳しくは基板表
面に種々の配線及び絶縁膜などが形成される工程においてこのアレイ基板が高電圧の静電
気で帯電されることがある。特に、ＴＦＴなどが形成されたアレイ基板は、その製造工程
時に、例えば配向膜のラビング処理時或いは大判のマザー基板から個々のアレイ基板に分
断する際などで高電圧の静電気が発生し、この静電気が基板に蓄積されることがある。こ
のラビング処理時の静電気は、配向膜がラビング布で擦られたときに多く発生する。すな
わち、このラビング処理は、ＴＦＴなどが形成された基板上にポリイミド（ＰＩ）系樹脂
等の有機高分子膜からなる配向膜を成膜して、この配向膜の表面にフェルトや木綿などの
繊維からなるラビング布を所定の荷重下で一定方向に擦りつけることによって配向膜の表
面が液晶分子を所定方向へ向くように配向される。そして、この処理の際に配向膜とラビ
ング布の繊維との摩擦によって静電気が発生する。
【０００８】
ところで、アレイ基板の表示領域内は画素電極の上が配向膜（ＰＩ）で覆われた構成と
なっている。それに対し、アレイ基板の額縁領域のコモン引回し線は保護絶縁膜が最表面
に存在し、配向膜は額縁領域にまでは形成されていない。そのため、ラビングローラーで
擦られた際に、保護絶縁膜と配向膜と材料の性質が異なるので極性が異なり、陽極と陰極
に分極するため、静電気が発生しやすくなる傾向にある。そしてコモン引回し線上での静
電気発生により、ＴＦＴ特性がシフトして放電不良が発生することが確認された。これに
対し、上記特許文献１の構造は、ギャップの均一化と低抵抗化については記載されている
が、文献中に記載してあるように、コモン配線の幅を広くとれるようにコモン配線を幅広
にする構造が開示されている。そのため、ラビングローラーで擦られるコモン配線の面積
が大きく、静電気が発生しやすい構造になっていた。
【０００９】
更に、このような静電気がアレイ基板に蓄積されると、この静電気によって基板に形成
されたＴＦＴが静電破壊され、或いは隣接する配線間に電位差が発生して短絡事故が誘発
されてパネル不良の原因となり、パネル製造の歩留まりが低下することになる。
【００１０】
本発明者らは上記問題点に鑑み、額縁領域が小さい場合であってもコモン引回し線の配
線抵抗を十分に抑え、且つコモン引き回し線のラビングローラーで擦られる面積を少なく
することで、ＴＦＴ特性のシフトを抑制することができ、しかもこのコモン引回し線を作
成するために別途製造工程を追加することのない液晶表示装置を見出し、本発明に至った
ものである。
【００１１】
すなわち、本発明の目的は、額縁領域の小さい液晶表示装置であっても、表示品質を低
下させることなく且つコモン引回し線の配線抵抗の小さな液晶表示装置を提供することに
ある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、ラビング時に生じる静電気に基づくＴＦＴ特性のシフト等
の問題を抑制した液晶表示装置を提供することにある。
【００１３】
さらに、本発明の更に他の目的は、製造工程を増大させることなく上述した液晶表示装
置を製造することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、アレイ基板とカラーフィルタ基
板とを表面が互いに対向するようにシール材で貼り合わされ、両基板間に液晶が封入され
てなる液晶表示装置において、
前記アレイ基板の表面には、少なくとも、表示領域に沿ってマトリクス状に形成された
走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線で区画された領域に設けられた少なくとも１
つの電極と、前記走査線及び信号線の端部に接続されて前記表示領域の外周囲を引回され
たゲート引回し線及びソース引回し線と、前記ゲート引回し線及びソース引回し線の更に
外側を引回されたコモン引回し線と、が形成され、
前記コモン引回し線は、少なくとも３層の導電性部材が積層され互いに接続されて形成
されていることを特徴とする。
【００１５】
上記液晶表示装置によれば、コモン引回し線を互いに電気的に接続された少なくとも３
層の導電性部材により形成したので、配線幅が小さいことに起因する配線抵抗の増大を抑
制することが可能となる。
【００１６】
また、上記液晶表示装置において、前記少なくとも３層の導電性部材からなるコモン引
回し線のうち、最表面に位置する導電性部材は、外部に露出していると好ましい。
【００１７】
上記好ましい態様によれば、コモン引回し線を構成する導電性部材が外部に露出するこ
とで、表示領域内に形成された配向膜をラビング処理する際には、この導電性部材表面に
もラビング処理が施されることになる。この際、この導電性部材と配向膜の材料の性質が
異なるので、極性が異なり陽極と陰極に分極するため、静電気が発生することになる。し
かしながら、導電性部材はコモン引回し線の一部であるため、発生した静電気は用意に外
部に放電させることができる。したがってラビング処理時等に生じる静電気に起因するＴ
ＦＴ特性のシフト等は有効に抑制することができるようになる。更には、本発明の液晶表
示装置のようにコモン引回し線を少なくとも３層の導電性部材で形成すると、表示品質を
低下させることなく額縁領域の面積は小さく抑えることができるので、上述した静電気は
生じ難くなるので、静電気に起因する問題をさらに抑制することができるようになる。
【００１８】
また、上記液晶表示装置において、前記コモン引回し線は、前記走査線と同一の材料か
らなる第１の導電性層と、前記信号線と同一の材料からなる第２の導電性層と、前記少な
くとも１つの電極と同一の材料からなる第３の導電性層とを含むと好ましい。
【００１９】
上記好ましい態様によれば、コモン引回し線を従来の液晶表示装置において使用されて
いる走査線、信号線及び電極（例えば画素電極）と同一材料からなる導電性層で形成した
ので、これらの配線と導電性層を同時に形成することが可能となる。
【００２０】
また、上記液晶表示装置において、前記走査線及び信号線で囲まれた領域の少なくとも
一部には反射板が形成されており、前記コモン引回し線は、更に前記反射板と同一の材料
からなる第４の導電性層を含むと好ましい。
【００２１】
上記好ましい態様によれば、反射板を有するいわゆる半透過型あるいは反射型の液晶表
示装置においては、反射板と同一材料からなる第４の導電性層を更に形成することが可能
となるので、コモン引回し線の配線抵抗を更に低減することが可能となる。また、この反
射板は通常アルミニウム等の良導電性材料が使用されるので、配線抵抗を効果的に低減さ
せることができる。
【００２２】
また、上記液晶表示装置において、前記第３の導電性層は、前記第４の導電性層上に直
接重畳されていると好ましい。
【００２３】
上記好ましい態様によれば、第４の導電性層と第３の導電性層とを直接重畳させること
により、第３及び第４の導電性層の接続のために特段の作業を有しなくなるので、簡単に
両導電性層の電気的な接続を確保することができる。
【００２４】
また、上記液晶表示装置において、前記複数の導電性層のうち、間に絶縁膜を介して積
層された導電性層同士は、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されて
いると好ましい。
【００２５】
上記好ましい態様によれば、絶縁膜にコンタクトホールを形成するだけで上述の効果を
奏するコモン引回し線を提供することが可能となる。また、このコンタクトホールの形成
を表示領域内の各種配線の接続時に行うコンタクトホールの形成と同時に行えば製造工数
を増加させることもない。
【００２６】
また、上記液晶表示装置において、前記第１の導電性層と前記第２の導電性層とは、一
部が互いに平面視で重ならないように延在されており、前記平面視で重ならない一部同士
がブリッジ接続により接続されていると好ましい。
【００２７】
上記好ましい態様のように、第１の導電性層と第２の導電性層の一部とを平面視で異な
る位置に設け、更に、これらの導電性層をブリッジ接続しても両導電性層間の電気的な接
続が確保できる。また、このようなブリッジ接続構造を採用すると、第１の導電性層及び
第２の導電性層を外部に部分的に露出するためのコンタクトホールの形成工程を１回でま
とめて行えるので、液晶表示装置の製造工数が増えることがない。
【００２８】
また、上記液晶表示装置において、前記ブリッジ接続の際に前記第１の導電性層と前記
第２の導電性層とを接続するブリッジ電極は、前記第３の導電性層の一部又は前記第４の
導電性層の一部からなると好ましい。
【００２９】
上記好ましい態様によれば、ブリッジ電極を第３又は第４の導電性層の一部で形成する
ことにより、第１の導電性層と第２の導電性層との電気的な接続のみならず、第１及び第
２の導電性層と第３又は第４の導電性層との電気的な接続をも達成することができる。
【００３０】
また、上記液晶表示装置において、前記少なくとも１つの電極は、前記走査線及び信号
線で囲まれた領域毎に形成されたくし歯状の第１電極と、前記第１電極と噛み合うように
同じくくし歯状に形成されるとともに前記コモン引回し線に接続された第２電極と、から
なり、前記第３の導電性層は、前記第１電極と同一の材料からなる層と前記第２電極と同
一の材料からなる層とで形成されていると好ましい。
【００３１】
上記好ましい態様によれば、いわゆるＩＰＳ（In-Plane Switching）モードの液晶表示
装置であっても上記効果を奏することが可能となる。
【００３２】
また、上記液晶表示装置において、前記少なくとも１つの電極は、複数本のスリットが
形成された上電極と、前記上電極に絶縁膜を介して対向配置した下電極と、からなり、前
記第３の導電性層は、前記上電極と同一の材料からなる層と前記下電極と同一の材料から
なる層とで形成されていると好ましい。
【００３３】
上記好ましい態様によれば、いわゆるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶
表示装置であっても上記効果を奏することが可能となる。加えて、このＦＦＳモードは絶
縁層を介して異なるそうに上電極と下電極とが形成されているので、第３の導電性層を２
つの層で形成することができるようになり、コモン引回し線の層の数を簡単に増やせるの
で、コモン引回し線の配線抵抗を更に低減させることができるようになる。
【００３４】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上述した液晶表示装置の製造方法であって
、前記複数の導電性層を、同一の材料からなる各種配線と同一工程で形成することを特徴
とする。
【００３５】
上記液晶表示装置の製造方法によれば、上述した液晶表示装置を、従来の液晶表示装置
の製造プロセスと同一のプロセスで、上述した効果を奏するコモン引回し線を形成するこ
とが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法を例
示するものであって、本発明をこの液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に特定する
ことを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等し
く適応し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いられた各図面にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものでは
ない。
【００３７】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略平面図である。図２は図１の
液晶表示装置においてカラーフィルタ基板を透視して示す概略平面図である。図３は図１
の液晶表示装置の１画素領域を示す拡大平面図である。図４は図３のIV−IV線で切断した
断面図である。図５は図２のＶ部分を拡大して示す拡大平面図である。図６Ａは図５のVI
Ａ−VIＡ線で切断した断面図、図６Ｂは図５のVIＢ−VIＢ線で切断した断面図である。図
７は本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置における図５に対応する拡大平面図であ
る。図８は図７のVIII−VIII線で切断した断面図である。
【００３８】
本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置１は、ＴＮ(Twisted Nematic）モード、Ｖ
Ａ（Vertical Alignment）モードあるいはＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）
モード等のいわゆる縦電界方式で駆動する半透過型の液晶表示装置である。詳しくは、図
１に示すように、アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦと、両基板ＡＲ、ＣＦを貼
り合わせるシール材２と、アレイ基板ＡＲ、カラーフィルタ基板ＣＦ及びシール材２によ
り囲まれた領域に封入された液晶層４０（図３参照）と、から構成されたいわゆるＣＯＧ
（Chip On Glass）型の液晶表示装置である。この液晶表示装置１においては、シール材
２により囲まれた領域が表示領域ＤＡを形成しており、この表示領域ＤＡの外側が額縁領
域となっている。なお、図１には表示領域ＤＡに当たる領域に格子状のハッチングが施さ
れている。
【００３９】
アレイ基板ＡＲは、図１及び図２に示すように、対向する一対の長辺１０Ａ、１０Ｂと
、同じく対向する一対の短辺１０Ｃ、１０Ｄと、を有する矩形状のガラス基板からなる透
明基板１０の表面に液晶駆動用の各種配線等が形成されたものである。このアレイ基板Ａ
Ｒはカラーフィルタ基板ＣＦよりもその長手方向の長さが長く、両基板ＡＲ、ＣＦを貼り
合わせた際に外部に延在する延在部１０ａが形成されるようになっている。この延在部１
０ａには駆動信号を出力するＩＣチップあるいはＬＳＩ等からなるドライバＤｒが設けら
れている。
【００４０】
アレイ基板ＡＲの透明基板１０上の表示領域ＤＡ内には、図２及び図３に示すように、
マトリクス状に複数本の走査線１１及び信号線１２が形成されており、この複数本の走査
線１１及び信号線１２は、表示領域ＤＡ外まで延出されて引回されてドライバＤｒに接続
されている。詳しくは、走査線１１は表示領域ＤＡの左右、すなわち透明基板１０の一対
の長辺１０Ａ、１０Ｂの何れかに向かって延在しており、その端部にはゲート引回し線Ｇ
Ｌがそれぞれ接続されて、このゲート引回し線ＧＬが一方の短辺１０Ｄ近傍に設けられた
ドライバＤｒに向かって引回されている。また、信号線１２は表示領域ＤＡの下方、すな
わち透明基板１０の一方の短辺１０Ｄに向かって延在しており、その端部にソース引回し
線ＳＬがそれぞれ接続されて、このソース引回し線ＳＬも同じくドライバＤｒに向かって
引回されている。また、このドライバＤｒからは、さらにコモン引回し線Ｃｏｍが延在し
ている。
【００４１】
更に、アレイ基板ＡＲの表示領域ＤＡ内には、図３及び図４に示すように、複数本の走
査線１１及び信号線１２に加えて、複数本の走査線１１間に設けられこの走査線１１と平
行な複数本の補助容量線１３と、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、及び半
導体層１５からなるスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）と、走査
線１１と信号線１２とで囲まれた領域の一部を覆う反射板Ｒと、走査線１１と信号線１２
とで囲まれた領域を覆う画素電極１８と、が設けられている。このように複数本の走査線
１１及び信号線１２により囲まれた領域が１画素領域（サブ画素）ＰＡを形成している。
そして、この１画素領域ＰＡのうち、反射板Ｒが設けられた部分は外光を反射することで
表示を行う反射領域ＲＡを形成しており、反射板Ｒが設けられていない部分は図示しない
バックライトからの光により表示を行う透過領域ＴＡを形成している。なお、ＴＦＴの半
導体層１５としてはポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ある
いはＬＴＰＳ（Low Temperature Poly Silicon）等が用いられる。
【００４２】
カラーフィルタ基板ＣＦは、図１及び図４に示すように、矩形状のガラス基板からなる
透明基板３０の表面に液晶駆動用の各種配線等が形成されたものである。詳しくは、アレ
イ基板ＡＲに形成された走査線１１及び信号線１２に合わせて格子状に形成されるととも
にアレイ基板ＡＲに形成されたＴＦＴ上を覆うように形成された遮光層３１と、各画素領
域ＰＡにそれぞれ形成された複数色、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色
からなるカラーフィルタ層３２と、遮光層３１及びカラーフィルタ層３２とを覆う保護膜
３３とを備えている。なお、遮光層３１の形状は、上記のような格子状に必ずしも限定さ
れるものではなく、例えばストライプ状やＴＦＴ上を覆うだけの形状であってもよい。
【００４３】
加えて、この保護膜３３の表面には、アレイ基板ＡＲに設けられた画素電極１８との間
で電界を形成し液晶層４０を駆動するためのＩＴＯまたはＩＺＯからなる共通電極３４と
、この共通電極３４の表面を覆う配向膜３５と、が形成されている。共通電極３４は、カ
ラーフィルタ基板ＣＦの額縁部分に形成されたトランスファ電極Ｔ（図１及び図２参照）
を介してアレイ基板ＡＲ側に引回されており、コモン引回し線Ｃｏｍを介してドライバＤ
ｒに接続されている。なお、このカラーフィルタ基板ＣＦ及び上述したアレイ基板ＡＲの
外側表面には偏光板４１（図４参照）が配設されている。
【００４４】
次に、アレイ基板ＡＲの額縁領域に引回された各種引回し線の構成について、図２及び
図５を参照して説明する。
図２に示すように、アレイ基板ＡＲの額縁領域は、表示領域ＤＡを囲むように枠状に形
成されており、この額縁領域のうち、特に一対の対向する長辺１０Ａ、１０Ｂに沿って延
びる部分には、複数本のゲート引回し線ＧＬと、コモン引回し線Ｃｏｍとが引回されてい
る。
【００４５】
このうち、複数のゲート引回し線ＧＬは、所定間隔をおいて互いに平行に延在しており
、ドライバＤｒから額縁領域の一対の長辺１０Ａ、１０Ｂに近接する部分まで引回された
後、短辺１０Ｃ側に向かって延在するとともに表示領域ＤＡ側に徐々に近接するように、
長辺１０Ａ、１０Ｂに対して所定角度傾斜した状態で延在されている。したがって、この
複数本のゲート引回し線ＧＬはその本数が短辺１０Ｃに近接するにしたがって減少する。
よって、これら複数本のゲート引回し線ＧＬのうち最も長辺１０Ａ又は１０Ｂに近接した
位置を引回されるものと長辺１０Ａ又は１０Ｂとの間の幅は、短辺１０Ｃに近接するにし
たがって徐々に広くなっている。
【００４６】
コモン引回し線Ｃｏｍは、複数のゲート引回し線ＧＬのさらに外側を引回されている。
このコモン引回し線Ｃｏｍは、その両端がドライバＤｒに接続されると共に、透明基板１
０の一対の長辺１０Ａ、１０Ｂ及び一方の短辺に沿って配線されており、平面視でほぼＵ
字状に配線されている。加えて、このコモン引回し線Ｃｏｍは、他の引回し線に比してそ
の幅が大きく設定されている。特に、図２及び図５に示すように、額縁領域の長辺１０Ａ
、１０Ｂに沿って延びる部分に配線されたコモン引回し線Ｃｏｍは、所定角度に傾斜して
延在するゲート引回し線ＧＬに沿って、すなわち一方の短辺１０Ｃに近接するに伴ってそ
の幅が徐々に拡幅されている。そして、このコモン引回し線Ｃｏｍの一部、例えば長辺１
０Ａと短辺１０Ｃとの交点に近接する位置及び長辺１０Ｂと短辺１０Ｃとの交点に近接す
る位置には、カラーフィルタ基板ＣＦの共通電極３４に接続するためのトランスファ電極
Ｔが形成されている。
【００４７】
次に、コモン引回し線Ｃｏｍの配線構造について、図５、図６Ａ及び図６Ｂを参照して
説明する。
コモン引回し線Ｃｏｍは、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、複数の導電性層Ｃ１〜Ｃ４
が積層されて形成されている。詳しくは、透明基板１０表面に形成された第１の導電性層
Ｃ１と、第１の導電性層Ｃ１の上部に絶縁膜（ゲート絶縁膜１４）を間に挟んで積層され
た第２の導電性層Ｃ２と、第２の導電性層Ｃ２の上部に絶縁膜（パッシベーション膜１６
、層間絶縁膜１７）を間に挟んで積層された第４の導電性層Ｃ４と、第４の導電性層Ｃ４
の上部に直接形成された第３の導電性層Ｃ３と、から形成されている。
【００４８】
これらの第１〜第４の導電性層Ｃ１〜Ｃ４は互いに電気的に接続されている。この接続
方法としては、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、第１の導電性層Ｃ１と第２の導電性層Ｃ
２との間に形成されたコンタクトホールＣＨ２、及び第２の導電性層Ｃ２と第４の導電性
層Ｃ４との間に形成されたコンタクトホールＣＨ１によりなされている。このように、導
電性層同士が電気的に接続されているので、これら第１〜第４の導電性層Ｃ１〜Ｃ４のう
ち、第１の導電性層Ｃ１以外の導電性層Ｃ２〜Ｃ４は、その端部が直接ドライバＤｒに接
続されている必要はなく、例えば長辺１０Ａ、１０Ｂに沿った部分など特に配線抵抗が大
きくなり易い箇所にのみ形成するようにしてもよい。なお、これら第１〜第４の導電性層
Ｃ１〜Ｃ４の更に詳細な構成については、後述の製造工程の説明の際に詳述する。
【００４９】
次に、本実施形態の液晶表示装置１のアレイ基板ＡＲの製造工程について、図２〜図６
を参照して説明を行う。
先ず、透明基板１０上に所定厚のアルミニウム、モリブデン、クロム、チタンあるいは
これらの合金からなる導電物質を成膜する。なお、前述した材料以外の材料でも可能であ
る。そして、周知のフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによりその一部
をエッチング除去して、横方向に伸びる複数本の走査線１１と、複数本の走査線１１とド
ライバＤｒとをそれぞれ接続するゲート絶縁膜ＧＬと、複数本の走査線１１間に位置する
補助容量線１３と、走査線１１から延在するゲート電極Ｇと、補助容量線１３の一部を拡
幅して形成される補助容量電極１３ａと、を形成すると共に、ゲート引回し線ＧＬの外側
を引回されたコモン引回し線Ｃｏｍの第１の導電性層Ｃ１を形成する。なお、この第１の
導電性層Ｃ１の形成は、上述の走査線１１、ゲート引回し線ＧＬ、補助容量線１３、ゲー
ト電極Ｇ及び補助容量電極１３ａを形成する際にパターン形成に用いられるマスクパター
ンに予めこの第１の導電性層Ｃ１に合わせたパターンを設けておけばよく、何ら製造工数
を増加させることがない。
【００５０】
次に、前記工程によって走査線１１や第１の導電性層Ｃ１等が形成された透明基板１０
上を覆うように公知のプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等を用いて所定厚のゲ
ート絶縁膜１４が成膜される。このゲート絶縁膜１４としては窒化シリコン（ＳｉＮＸ）
、酸化シリコン（ＳｉＯ２）等からなる透明な無機絶縁材料が用いられる。また、このゲ
ート絶縁膜１４の第１の導電性層Ｃ１を覆う部分の一部にコンタクトホールＣＨ２が形成
される。
【００５１】
次に、ゲート絶縁膜１４上に半導体材料、例えばａ−Ｓｉを成膜する。そして、ゲート
電極Ｇを覆う部分を残してａ−Ｓｉ層をエッチング除去し、ＴＦＴの一部となる半導体層
１５を形成する。そして同様の手法により、上述の工程で複数の層が形成された透明基板
１０上に更に導電性物質を成膜し、走査線１１に対して交差する方向に延びる複数本の信
号線１２、複数の信号線１２とドライバＤｒとをそれぞれ接続するソース引回し線ＳＬ、
各信号線１２から延設され半導体層１５に接続されるソース電極Ｓ、補助容量電極１３ａ
上を覆うとともに一端が半導体層１５に接続されるドレイン電極Ｄ、及び第１の導電性層
Ｃ１の少なくとも一部、例えば長辺１０Ａ、１０Ｂに沿って延びる額縁領域に形成された
第１の導電性層Ｃ１上をゲート絶縁膜１４を間に挟んで覆う第２の導電性層Ｃ２をパター
ニングする。これにより、透明基板１０の走査線１１と信号線１２との交差部近傍にＴＦ
Ｔが形成されるとともに、コンタクトホールＣＨ２を介して第１の導電性層Ｃ１に電気的
に接続される第２の導電性層Ｃ２が形成される。なお、この第２の導電性層Ｃ２の形成に
おいても、上述の各種配線等を形成する際に用いるマスクパターンを変更するだけで簡単
に形成することができる。
【００５２】
さらにまた、これらの各種配線を覆うように表面の安定化のための透明な無機絶縁材料
、例えばＳｉＮＸあるいはＳｉＯ２からなるパッシベーション膜（保護絶縁膜ともいう）
１６を成膜し、続いて、アレイ基板ＡＲの表面を平坦化するための透明な感光性樹脂材料
、例えばフォトレジストからなる層間絶縁膜１７が成膜される。この層間絶縁膜１７は、
ＴＦＴが形成された透明基板１０の表面にフォトレジスト等の感光性樹脂材料からなる膜
を形成し、プリベークした後、公知の露光装置を用いて露光すると共に現像処理して、表
示領域ＤＡに層間膜１７を形成した後、光反応処理及びベーキング処理を行なう。このう
ち、光反応処理は、感光性樹脂膜の透明性を向上させる目的でＵＶ光を照射して感光性官
能基を光反応させる処理である。また、ベーキング処理は、加熱処理を行うことにより、
パターン形成された感光性樹脂を焼成し、樹脂内の化学反応（主には架橋反応）によって
化学的、物理的に安定な絶縁膜として基板上に形成する処理である。また、層間絶縁膜１
７及びパッシベーション膜１６の補助容量電極１３ａ上に位置する部分、及び第２の導電
性層Ｃ２の少なくとも一部には、後述する画素電極１８とドレイン電極Ｄとを電気的に接
続するためのコンタクトホールＣＨ、及び第２の導電性層Ｃ２と後述する第４の導電性層
Ｃ４とを電気的に接続するためのコンタクトホールＣＨ１が設けられる。このコンタクト
ホールＣＨ及びＣＨ１は、露光形成される層間絶縁膜１７の成膜プロセス時に層間絶縁膜
１７の該当箇所に形成された穴の底部に露出したパッシベーション膜１６をエッチング除
去することにより形成される。
【００５３】
次に、層間樹脂膜１７の表面及びコンタクトホールＣＨ、ＣＨ１により露出したドレイ
ン電極Ｄ及び第２の導電性層Ｃ２を覆うように光反射性の高いアルミニウム等からなる導
電性材料の膜を形成し、画素領域ＰＡ内の一部、例えば画素領域ＰＡ内のＴＦＴやコンタ
クトホールＣＨ等が形成された領域（図３においては画素領域ＰＡの下半分）、及び第２
の導電性層Ｃ２上を残してこの導電性材料の膜をパターニングする。これにより、画素領
域ＰＡ内には反射板Ｒが形成されると共に、第４の導電性層Ｃ４が形成される。なお、反
射板Ｒが形成された部分は反射領域ＲＡを形成することになるが、この反射領域ＲＡに該
当する層間樹脂膜１７の表面は、光反射率を向上させるために凹凸状に予め表面処理が施
されている。ただし、この凹凸状の表面処理の状態については図４では省略している。
【００５４】
さらには、走査線１１及び信号線１２によって囲まれた画素領域ＰＡと第４の導電性層
Ｃ４の表面に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）
からなる画素電極１８と、第３の導電性層Ｃ３を形成する。画素電極１８は、好ましくは
その外縁部が走査線１１及び信号線１２上に位置し、かつ隣接する画素電極１８同士が非
接続状態となるように設ける。最後に、上述の工程を経て複数の層が形成された基板上の
表示領域ＤＡ内に配向膜１９を成膜し、配向膜１９の表面をラビングローラ等を用いてラ
ビング処理する。ちなみに本実施形態においては、配向膜１９は表示領域ＤＡ内にのみ形
成され、額縁領域には形成しないようにしている。このようにすると、額縁領域の最表面
にはコモン引回し線Ｃｏｍの第３の導電性層Ｃ３が露出することになる。以上の工程によ
りアレイ基板ＡＲが製造される。
【００５５】
以上の工程を経て形成されたコモン引回し線Ｃｏｍは、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ
２を介して、あるいは直接重畳されることにより、全てが電気的に接続された第１〜第４
の導電性層Ｃ１〜Ｃ４によって形成される。したがって、コモン引回し線Ｃｏｍの配線幅
はこれら４つの導電性層Ｃ１〜Ｃ４の幅を合算したものとなるので、配線幅の縮小に伴う
配線抵抗の増大を抑制することが可能となる。また、従来よりもコモン引回し線Ｃｏｍの
層数が多くなるので、従来よりも額縁領域を小さくすることができ、液晶表示装置１の設
計の自由度を高くすることができる。
【００５６】
ラビング処理時にラビングローラーで擦られる際、表示領域ＤＡの最表面に形成された
配向膜１９と、コモン引き回し線Ｃｏｍの最表面に形成された導電性層Ｃ３は、それぞれ
の材料の性質が異なるので極性が異なるが、配向膜１９に蓄電された静電気が導電性層Ｃ
３に印加したとしても、導電性層Ｃ３はコンタクトホールＣＨ１を介して、コモン引き回
し線Ｃｏｍに導通されているため、電流が外部へ流れるようになっている。その結果、画
素領域ＰＡとコモン引き回し線Ｃｏｍの境界線で静電気起因による不良が発生しにくくな
る。また、狭額縁化に対応してコモン引き回し線Ｃｏｍの表面積を小さく形成することで
、ラビングローラーで擦られる面積が小さくなることから、更なる静電気対策になる。こ
れにより、表示領域ＤＡ周辺部で発生しやすいＴＦＴ特性による放電不良を抑制すること
ができる。
【００５７】
また、コモン引き回し線Ｃｏｍの表面には反射板Ｒと同材料で同時形成された、導電性
層Ｃ４が連続的に形成されているため、透明電極を備えている装飾用反射部（見切り領域
）として見栄えを良くする効果を有している。
【００５８】
なお、上記第１の実施形態においては、半透過型の液晶表示装置１について説明を行っ
たが、本発明は透過型あるいは反射型の液晶表示装置であっても同様に適応可能である。
ただし、透過型の液晶表示装置の場合には、反射板Ｒが存在しないので、反射板Ｒと同時
に形成される第４の導電性層Ｃ４は設けられない。よって、その場合にはコモン引回し線
Ｃｏｍは第１〜第３の導電性層Ｃ１〜Ｃ３で構成される３層構造の配線となる。また、上
記第１の実施形態においては、パッシベーション膜１６と反射板Ｒあるいは画素電極１８
との間に層間絶縁膜１７を形成した例について説明したが、この層間絶縁膜１７は必ずし
も形成する必要はない。
【００５９】
上記第１の実施形態においては、各導電性層間に配設された絶縁膜にコンタクトホール
ＣＨ１、ＣＨ２を形成したことにより、導電性層同士の導通が確保されている。しかしな
がら、上述の方法で絶縁膜にコンタクトホール、特にゲート絶縁膜１４に形成されるコン
タクトホールＣＨ２の形成は別途製造プロセスを追加せざるを得ない。そこで、従来の液
晶表示装置の製造方法に何らのプロセスをも追加することなく上記第１の実施形態と同様
の効果を得ることが可能な液晶表示装置を、第２の実施形態として以下に説明する。なお
、この第２の実施形態に係る液晶表示装置は、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置１
に比して、コモン引回し線Ｃｏｍの構成のみが異なっており、他の構成は同一であるので
、第１の実施形態に係る液晶表示装置１と同一の構成については同一の符号を付してその
説明を省略し、異なる構成についてのみ詳述するものとする。
【００６０】
第２の実施形態に係る液晶表示装置のアレイ基板ＡＲ１には、図７及び図８に示すよう
に、額縁領域に沿ってコモン引回し線Ｃｏｍ１が形成されている。このコモン引回し線Ｃ
ｏｍ１は上記液晶表示装置１のコモン引回し線Ｃｏｍと同様に、短辺１０Ｃに近接するに
したがって拡幅されている。
【００６１】
このコモン引回し線Ｃｏｍ１は、上記コモン引回し線Ｃｏｍと同様に、第１〜第４の導
電性層Ｃ１〜Ｃ４から形成されているが、上記コモン引回し線Ｃｏｍと異なる点は、第２
の導電性層Ｃ２の一端部が第１の導電性層Ｃ１と平面視で重ならない位置まで延在された
延在部を形成しており、この延在部と第１の導電性層Ｃ１の他の導電性層Ｃ２〜Ｃ４と重
なっていない部分とが、ブリッジ電極ＢＥにより電気的に接続されている点である。すな
わち、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置１は、第１の導電性層Ｃ１と第２の導電性
層Ｃ２との間の接続がゲート絶縁膜１４に形成されたコンタクトホールＣＨ２を介してな
されていたが、本実施形態の液晶表示装置においては、ブリッジ電極ＢＥを用いて第１の
導電性層Ｃ１と第２の導電性層Ｃ２との間の接続を行っている。このブリッジ電極ＢＥは
、好ましくは第３の導電性層Ｃ３あるいは第４の導電性層Ｃ４と同一の材料で形成され、
第３の導電性層Ｃ３あるいは第４の導電性層Ｃ４と同時に形成されると好ましい。加えて
、このブリッジ電極ＢＥと第３の導電性層Ｃ３あるいは第４の導電性層Ｃ４とは一体に形
成されているとさらに好ましい。
【００６２】
次に、本実施形態の液晶表示装置のアレイ基板ＡＲ１の製造工程、特にコモン引回し線
Ｃｏｍ１の形成プロセスについて説明する。なお、アレイ基板ＡＲ１の製造工程はコモン
引回し線Ｃｏｍ１の形成プロセス以外は上記第１の実施形態に係るアレイ基板ＡＲと同様
であるので、その説明は省略する。
【００６３】
先ず、走査線１１及びゲート引回し線ＧＬ等の形成と同時に第１の導電性層Ｃ１を形成
する。次いで、ゲート絶縁膜１４を成膜した後、信号線１２及びソース引回し線ＳＬ等の
形成と同時に第２の導電性層Ｃ２を形成する。なお、この第２の導電性層Ｃ２を形成する
際は、その端部、好ましくは短辺１０Ｄに近接する側の端部が第１の導電性層Ｃ１と平面
視で重ならないようにする。そして、半導体層１５、パッシベーション膜１６及び層間絶
縁膜１７を順次形成した後、画素領域ＰＡ内に形成されるコンタクトホールＣＨと同時に
、第１の導電性層Ｃ１の短辺１０Ｄ側の一部と、及び第２の導電性層Ｃ２の第１の導電性
層Ｃ１と平面視で重ならないように配設された端部とを覆う層間絶縁膜１７、パッシベー
ション膜１６、及び、第１の導電性層Ｃ１を覆うゲート絶縁膜１４を除去してコンタクト
ホールＣＨ３、ＣＨ４を形成する。なお、コンタクトホールＣＨの形成は露光形成される
層間絶縁膜１７の成膜プロセス時に予め該当箇所に穴を形成しておき、この穴の底部に露
出したパッシベーション膜１６をエッチング除去することで行われるため、コンタクトホ
ールＣＨ３、ＣＨ４においても、層間絶縁膜１７の成膜プロセス時に予め該当箇所に穴を
形成しておき、この穴の底部に露出したパッシベーション膜１６及びこの露出したパッシ
ベーション膜１６の更に直下層に形成されているゲート絶縁膜１４をエッチング除去する
ことで形成できる。なお、パッシベーション膜１６とゲート絶縁膜１４は一般に同一材料
、例えばＳｉＮＸ、ＳｉＯ２で形成されるので、エッチングの際に特にエッチング液を変
更する必要もない。
【００６４】
コンタクトホールＣＨ、ＣＨ３、ＣＨ４が形成された後は、反射板Ｒ及び第４の導電性
層Ｃ４を形成すると共に、この第４の導電性層Ｃ４の端部をコンタクトホールＣＨ３、Ｃ
Ｈ４上まで延在することにより、この第４の導電性層Ｃ４の端部でブリッジ電極ＢＥを形
成する。そして、画素電極１８、第３の導電性層Ｃ３を形成し、最後に表示領域ＤＡ内に
配向膜１９を形成することで本実施形態に係る液晶表示装置のアレイ基板ＡＲ１が製造さ
れる。
【００６５】
以上の工程によりコモン引回し線Ｃｏｍ１を形成すれば、従来の液晶表示装置の製造工
程に何ら工程を追加することなく、４層構造のコモン引回し線Ｃｏｍ１を形成することが
できる。なお、上記工程においてはブリッジ電極を第４の導電性層Ｃ４で形成した例を説
明したが、第３の導電性層Ｃ３で形成することも可能である。また、ブリッジ電極ＢＥと
第４の導電性層Ｃ４とを一体に形成せずに、第４の導電性層Ｃ４と第２の導電性層Ｃ２は
コンタクトホールＣＨ形成時に別途第２の導電性層Ｃ２上にコンタクトホール（すなわち
上記第１の実施形態において示したコンタクトホールＣＨ１）を形成して接続を行うよう
にしても良い。
【００６６】
また、上述した第１及び第２の実施形態に係る液晶表示装置においては、何れもいわゆ
る縦電界方式の液晶表示装置について説明を行っているが、これに限らず、いわゆる横電
界方式、例えばＩＰＳモードの液晶表示装置であっても本発明の目的を達成することが可
能である。ただし、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、アレイ基板側にくし歯状に互いに噛
み合う第１電極（画素電極）と第２電極（共通電極）が形成されるので、これら第１及び
第２電極の形成時に同時に第３の導電性層を形成することになる。
【００６７】
加えて、他の横電界方式であるＦＦＳモードの液晶表示装置においても同様に本発明の
目的を達成することが可能である。ただし、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、アレイ基板
側に絶縁膜を介して上電極と下電極とが対向配置された構造を有している。これらの電極
は、例えば、下電極は画素領域毎に形成されＴＦＴに接続された画素電極を構成し、上電
極は複数本のスリットが形成されるとともに額縁領域においてコモン引回し線に接続され
た共通電極を構成する。このようにＦＦＳモードの液晶表示装置は、画素電極（下電極）
と共通電極（上電極）とがアレイ基板上の異なる層上に形成されているので、画素電極の
形成時及び共通電極の形成時にそれぞれコモン引回し線を構成する導電性層を形成するこ
とが可能となる。したがって、最大で５層構造のコモン引回し線を形成することができる
ようになるので、更に配線抵抗の低減を図ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１の液晶表示装置においてカラーフィルタ基板を透視して示す概略平面図である。
【図３】図３は図１の液晶表示装置の１画素領域を示す拡大平面図である。
【図４】図４は図３のIV−IV線で切断した断面図である。
【図５】図５は図２のＶ部分を拡大して示す拡大平面図である。
【図６】図６Ａは図５のVIＡ−VIＡ線で切断した断面図、図６Ｂは図５のVIＢ−VIＢ線で切断した断面図である。
【図７】図７は本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置における図５に対応する拡大平面図である。
【図８】図８は図７のVIII−VIII線で切断した断面図である。
【図９】図９Ａは従来の液晶表示装置の一部を拡大して示す拡大平面図、図９Ｂは図９ＡのIXＢ−IXＢ線で切断した断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１：液晶表示装置 ２：シール材 １０、３０：透明電極 １１：走査線 １２：信号線
１３：補助容量線 １４：ゲート絶縁膜 １５：半導体層 １６：パッシベーション膜
１７：層間絶縁膜 １８：画素電極 １９、３５：配向膜 ３１：遮光膜 ３２：カラ
ーフィルタ層 ３３：保護膜 ３４：共通電極 ４０：液晶 ４１：偏光板 ＡＲ、ＡＲ
１：アレイ基板 ＣＦ：カラーフィルタ基板 ＧＬ：ゲート引回し線 ＳＬ：ソース引回
し線 Ｃｏｍ、Ｃｏｍ１：コモン引回し線 Ｃ１〜Ｃ４：第１〜第４の導電性層 ＢＥ：
ブリッジ電極 ＣＨ、ＣＨ１〜ＣＨ４：コンタクトホール ＤＡ：表示領域 Ｄｒ：ドラ
イバ Ｔ：トランスファ電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に関するものである。詳しくは、コ
モン配線の配線抵抗を低減することでパネル特性の劣化を防止した液晶表示装置及びこの
液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
公知の液晶表示装置は、各種配線等が形成されたアレイ基板とカラーフィルタ基板とを
互いに表面が対向するようにその外周囲をシール材で貼り合わせた後、一対の基板とシー
ル材とに囲まれた領域に液晶を封入することで形成されている。このような液晶表示装置
においては、アレイ基板に走査線、信号線に加えてコモン引回し線が形成されており、こ
れらの配線は基板の１箇所に集線されてドライバＩＣや外部制御基板に接続されたＦＰＣ
（Flexible Printed Circuit）等に接続される。
【０００３】
このような液晶表示装置においては、表示領域をより大きくするために狭額縁化が要求
されている。しかしながら、液晶表示装置の額縁領域は各種配線を引き回すための引回し
領域となっているため、狭額縁化が進むとこの引回し領域が小さくなり、それに伴って各
種配線の幅及び配線同士の間隔も小さくなってしまう。このように配線の幅や配線同士の
間隔が小さくなると、断線や短絡等の各種配線不良が生じやすくなると共に、配線抵抗が
増大してしまいパネル特性が劣化してしまうという課題が存在している。この点について
は、表示品質の向上に伴う配線本数の増大に伴い、より顕著な課題となっている。
【０００４】
図９Ａは下記特許文献１に開示された液晶表示装置の一部を拡大して示す拡大平面図、
図９Ｂは図９ＡのIXＢ−IXＢ線で切断した断面図である。
上述の課題を解決するために、下記特許文献１に開示された液晶表示装置１００は、配
線基板１０１と対向基板１０９とをシール材１０８により貼り合せて形成されている。配
線基板１０１上には、複数の走査信号用配線１０３が平行に形成されている。複数の走査
信号用配線１０３は一定の間隔で、横方向に沿って配置される。また、ゲート絶縁膜１０
４を介して走査信号用配線１０３と交差するように複数の表示信号用配線１０５が形成さ
れている。すなわち、走査信号用配線１０３を覆うように設けられたゲート絶縁膜１０４
上に、表示信号用配線１０５が走査信号用配線３と直交する方向に沿って設けられている
。複数の表示信号用配線１０５は一定の間隔で、縦方向に沿って形成される。また、配線
基板１０１の中央部、詳しくは図９Ａに示す点線よりも内側（左上側）の領域が表示領域
１０２となり、点線よりも外側（右下側）の領域が額縁領域となる。
【０００５】
配線基板１０１の額縁領域には駆動ＩＣ１０６が実装されている。この駆動ＩＣ１０６
から走査信号と表示信号とが出力される。従って、駆動ＩＣ１０６には、走査信号用配線
１０３と接続される走査信号用引き回し配線１０３ａと、表示信号用配線１０５と接続さ
れる表示信号用引き回し配線１０５ａが接続されている。また、額縁領域の走査信号用引
き回し配線１０３ａの外側には、コモン信号用配線１０７が形成されている。コモン信号
用配線１０７は、図９Ｂに示すように２つのコモン信号用配線１０７ａ及び１０７ｂの２
層により構成される。コモン信号用配線１０７ａは、走査信号用引き回し配線１０３ａと
同じ導電層により形成され、コモン信号用配線１０７ｂは、表示信号用引き回し配線１０
５ａと同じ導電層により形成される。さらに、コモン信号用配線１０７ａとコモン信号用
配線１０７ｂとの間には、ゲート絶縁膜１０４が形成されている。そして、配線基板１０
１の端部において、ゲート絶縁膜１０４にコモン信号用配線１０７ａとコモン信号用配線
１０７ｂとを接続するためのコンタクトホール（図示せず）が形成され、コモン信号用配
線１０７ａ及び１０７ｂが接続されている。以上のように、下記特許文献１の液晶表示装
置１００においては、コモン信号用配線１０７を２層構造としているので、コモン信号用
配線１０７の低抵抗化を図ることができる。
【特許文献１】特開２００７− ４７２５９号公報（請求項１、段落［００２７］〜［００３３］、図１、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に開示された液晶表示装置１００によれば、コモン信号用配線１０７を
２層構造としたことにより、額縁領域を大きくすることなく、配線抵抗を低減することが
可能となる点が開示されている。しかしながら、近年の表示品質の向上及び狭額縁化の要
求は更に大きくなっており、たとえ上記特許文献１に開示されているようにコモン信号用
配線１０７を２層にしたとしても十分な配線抵抗の低減ができないほど配線自体の幅を小
さくしなければいけない状態となっている。
【０００７】
また、従来のアレイ基板（配線基板）は帯電し易い性質を有している。詳しくは基板表
面に種々の配線及び絶縁膜などが形成される工程においてこのアレイ基板が高電圧の静電
気で帯電されることがある。特に、ＴＦＴなどが形成されたアレイ基板は、その製造工程
時に、例えば配向膜のラビング処理時或いは大判のマザー基板から個々のアレイ基板に分
断する際などで高電圧の静電気が発生し、この静電気が基板に蓄積されることがある。こ
のラビング処理時の静電気は、配向膜がラビング布で擦られたときに多く発生する。すな
わち、このラビング処理は、ＴＦＴなどが形成された基板上にポリイミド（ＰＩ）系樹脂
等の有機高分子膜からなる配向膜を成膜して、この配向膜の表面にフェルトや木綿などの
繊維からなるラビング布を所定の荷重下で一定方向に擦りつけることによって配向膜の表
面が液晶分子を所定方向へ向くように配向される。そして、この処理の際に配向膜とラビ
ング布の繊維との摩擦によって静電気が発生する。
【０００８】
ところで、アレイ基板の表示領域内は画素電極の上が配向膜（ＰＩ）で覆われた構成と
なっている。それに対し、アレイ基板の額縁領域のコモン引回し線は保護絶縁膜が最表面
に存在し、配向膜は額縁領域にまでは形成されていない。そのため、ラビングローラーで
擦られた際に、保護絶縁膜と配向膜と材料の性質が異なるので極性が異なり、陽極と陰極
に分極するため、静電気が発生しやすくなる傾向にある。そしてコモン引回し線上での静
電気発生により、ＴＦＴ特性がシフトして放電不良が発生することが確認された。これに
対し、上記特許文献１の構造は、ギャップの均一化と低抵抗化については記載されている
が、文献中に記載してあるように、コモン配線の幅を広くとれるようにコモン配線を幅広
にする構造が開示されている。そのため、ラビングローラーで擦られるコモン配線の面積
が大きく、静電気が発生しやすい構造になっていた。
【０００９】
更に、このような静電気がアレイ基板に蓄積されると、この静電気によって基板に形成
されたＴＦＴが静電破壊され、或いは隣接する配線間に電位差が発生して短絡事故が誘発
されてパネル不良の原因となり、パネル製造の歩留まりが低下することになる。
【００１０】
本発明者らは上記問題点に鑑み、額縁領域が小さい場合であってもコモン引回し線の配
線抵抗を十分に抑え、且つコモン引き回し線のラビングローラーで擦られる面積を少なく
することで、ＴＦＴ特性のシフトを抑制することができ、しかもこのコモン引回し線を作
成するために別途製造工程を追加することのない液晶表示装置を見出し、本発明に至った
ものである。
【００１１】
すなわち、本発明の目的は、額縁領域の小さい液晶表示装置であっても、表示品質を低
下させることなく且つコモン引回し線の配線抵抗の小さな液晶表示装置を提供することに
ある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、ラビング時に生じる静電気に基づくＴＦＴ特性のシフト等
の問題を抑制した液晶表示装置を提供することにある。
【００１３】
さらに、本発明の更に他の目的は、製造工程を増大させることなく上述した液晶表示装
置を製造することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、アレイ基板とカラーフィルタ基
板とを表面が互いに対向するようにシール材で貼り合わされ、両基板間に液晶が封入され
てなる液晶表示装置において、
前記アレイ基板の表面には、少なくとも、表示領域に沿ってマトリクス状に形成された
走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線で区画された領域に設けられた少なくとも１
つの電極と、前記走査線及び信号線の端部に接続されて前記表示領域の外周囲を引回され
たゲート引回し線及びソース引回し線と、前記ゲート引回し線及びソース引回し線の更に
外側を引回されたコモン引回し線と、が形成され、
前記コモン引回し線は、少なくとも３層の導電性部材が積層され互いに接続されて形成
されていることを特徴とする。
【００１５】
上記液晶表示装置によれば、コモン引回し線を互いに電気的に接続された少なくとも３
層の導電性部材により形成したので、配線幅が小さいことに起因する配線抵抗の増大を抑
制することが可能となる。
【００１６】
また、上記液晶表示装置において、前記少なくとも３層の導電性部材からなるコモン引
回し線のうち、最表面に位置する導電性部材は、外部に露出していると好ましい。
【００１７】
上記好ましい態様によれば、コモン引回し線を構成する導電性部材が外部に露出するこ
とで、表示領域内に形成された配向膜をラビング処理する際には、この導電性部材表面に
もラビング処理が施されることになる。この際、この導電性部材と配向膜の材料の性質が
異なるので、極性が異なり陽極と陰極に分極するため、静電気が発生することになる。し
かしながら、導電性部材はコモン引回し線の一部であるため、発生した静電気は用意に外
部に放電させることができる。したがってラビング処理時等に生じる静電気に起因するＴ
ＦＴ特性のシフト等は有効に抑制することができるようになる。更には、本発明の液晶表
示装置のようにコモン引回し線を少なくとも３層の導電性部材で形成すると、表示品質を
低下させることなく額縁領域の面積は小さく抑えることができるので、上述した静電気は
生じ難くなるので、静電気に起因する問題をさらに抑制することができるようになる。
【００１８】
また、上記液晶表示装置において、前記コモン引回し線は、前記走査線と同一の材料か
らなる第１の導電性層と、前記信号線と同一の材料からなる第２の導電性層と、前記少な
くとも１つの電極と同一の材料からなる第３の導電性層とを含むと好ましい。
【００１９】
上記好ましい態様によれば、コモン引回し線を従来の液晶表示装置において使用されて
いる走査線、信号線及び電極（例えば画素電極）と同一材料からなる導電性層で形成した
ので、これらの配線と導電性層を同時に形成することが可能となる。
【００２０】
また、上記液晶表示装置において、前記走査線及び信号線で囲まれた領域の少なくとも
一部には反射板が形成されており、前記コモン引回し線は、更に前記反射板と同一の材料
からなる第４の導電性層を含むと好ましい。
【００２１】
上記好ましい態様によれば、反射板を有するいわゆる半透過型あるいは反射型の液晶表
示装置においては、反射板と同一材料からなる第４の導電性層を更に形成することが可能
となるので、コモン引回し線の配線抵抗を更に低減することが可能となる。また、この反
射板は通常アルミニウム等の良導電性材料が使用されるので、配線抵抗を効果的に低減さ
せることができる。
【００２２】
また、上記液晶表示装置において、前記第３の導電性層は、前記第４の導電性層上に直
接重畳されていると好ましい。
【００２３】
上記好ましい態様によれば、第４の導電性層と第３の導電性層とを直接重畳させること
により、第３及び第４の導電性層の接続のために特段の作業を有しなくなるので、簡単に
両導電性層の電気的な接続を確保することができる。
【００２４】
また、上記液晶表示装置において、前記複数の導電性層のうち、間に絶縁膜を介して積
層された導電性層同士は、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されて
いると好ましい。
【００２５】
上記好ましい態様によれば、絶縁膜にコンタクトホールを形成するだけで上述の効果を
奏するコモン引回し線を提供することが可能となる。また、このコンタクトホールの形成
を表示領域内の各種配線の接続時に行うコンタクトホールの形成と同時に行えば製造工数
を増加させることもない。
【００２６】
また、上記液晶表示装置において、前記第１の導電性層と前記第２の導電性層とは、一
部が互いに平面視で重ならないように延在されており、前記平面視で重ならない一部同士
がブリッジ接続により接続されていると好ましい。
【００２７】
上記好ましい態様のように、第１の導電性層と第２の導電性層の一部とを平面視で異な
る位置に設け、更に、これらの導電性層をブリッジ接続しても両導電性層間の電気的な接
続が確保できる。また、このようなブリッジ接続構造を採用すると、第１の導電性層及び
第２の導電性層を外部に部分的に露出するためのコンタクトホールの形成工程を１回でま
とめて行えるので、液晶表示装置の製造工数が増えることがない。
【００２８】
また、上記液晶表示装置において、前記ブリッジ接続の際に前記第１の導電性層と前記
第２の導電性層とを接続するブリッジ電極は、前記第３の導電性層の一部又は前記第４の
導電性層の一部からなると好ましい。
【００２９】
上記好ましい態様によれば、ブリッジ電極を第３又は第４の導電性層の一部で形成する
ことにより、第１の導電性層と第２の導電性層との電気的な接続のみならず、第１及び第
２の導電性層と第３又は第４の導電性層との電気的な接続をも達成することができる。
【００３０】
また、上記液晶表示装置において、前記少なくとも１つの電極は、前記走査線及び信号
線で囲まれた領域毎に形成されたくし歯状の第１電極と、前記第１電極と噛み合うように
同じくくし歯状に形成されるとともに前記コモン引回し線に接続された第２電極と、から
なり、前記第３の導電性層は、前記第１電極と同一の材料からなる層と前記第２電極と同
一の材料からなる層とで形成されていると好ましい。
【００３１】
上記好ましい態様によれば、いわゆるＩＰＳ（In-Plane Switching）モードの液晶表示
装置であっても上記効果を奏することが可能となる。
【００３２】
また、上記液晶表示装置において、前記少なくとも１つの電極は、複数本のスリットが
形成された上電極と、前記上電極に絶縁膜を介して対向配置した下電極と、からなり、前
記第３の導電性層は、前記上電極と同一の材料からなる層と前記下電極と同一の材料から
なる層とで形成されていると好ましい。
【００３３】
上記好ましい態様によれば、いわゆるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶
表示装置であっても上記効果を奏することが可能となる。加えて、このＦＦＳモードは絶
縁層を介して異なるそうに上電極と下電極とが形成されているので、第３の導電性層を２
つの層で形成することができるようになり、コモン引回し線の層の数を簡単に増やせるの
で、コモン引回し線の配線抵抗を更に低減させることができるようになる。
【００３４】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上述した液晶表示装置の製造方法であって
、前記複数の導電性層を、同一の材料からなる各種配線と同一工程で形成することを特徴
とする。
【００３５】
上記液晶表示装置の製造方法によれば、上述した液晶表示装置を、従来の液晶表示装置
の製造プロセスと同一のプロセスで、上述した効果を奏するコモン引回し線を形成するこ
とが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法を例
示するものであって、本発明をこの液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に特定する
ことを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等し
く適応し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いられた各図面にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものでは
ない。
【００３７】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略平面図である。図２は図１の
液晶表示装置においてカラーフィルタ基板を透視して示す概略平面図である。図３は図１
の液晶表示装置の１画素領域を示す拡大平面図である。図４は図３のIV−IV線で切断した
断面図である。図５は図２のＶ部分を拡大して示す拡大平面図である。図６Ａは図５のVI
Ａ−VIＡ線で切断した断面図、図６Ｂは図５のVIＢ−VIＢ線で切断した断面図である。図
７は本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置における図５に対応する拡大平面図であ
る。図８は図７のVIII−VIII線で切断した断面図である。
【００３８】
本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置１は、ＴＮ(Twisted Nematic）モード、Ｖ
Ａ（Vertical Alignment）モードあるいはＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）
モード等のいわゆる縦電界方式で駆動する半透過型の液晶表示装置である。詳しくは、図
１に示すように、アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦと、両基板ＡＲ、ＣＦを貼
り合わせるシール材２と、アレイ基板ＡＲ、カラーフィルタ基板ＣＦ及びシール材２によ
り囲まれた領域に封入された液晶層４０（図３参照）と、から構成されたいわゆるＣＯＧ
（Chip On Glass）型の液晶表示装置である。この液晶表示装置１においては、シール材
２により囲まれた領域が表示領域ＤＡを形成しており、この表示領域ＤＡの外側が額縁領
域となっている。なお、図１には表示領域ＤＡに当たる領域に格子状のハッチングが施さ
れている。
【００３９】
アレイ基板ＡＲは、図１及び図２に示すように、対向する一対の長辺１０Ａ、１０Ｂと
、同じく対向する一対の短辺１０Ｃ、１０Ｄと、を有する矩形状のガラス基板からなる透
明基板１０の表面に液晶駆動用の各種配線等が形成されたものである。このアレイ基板Ａ
Ｒはカラーフィルタ基板ＣＦよりもその長手方向の長さが長く、両基板ＡＲ、ＣＦを貼り
合わせた際に外部に延在する延在部１０ａが形成されるようになっている。この延在部１
０ａには駆動信号を出力するＩＣチップあるいはＬＳＩ等からなるドライバＤｒが設けら
れている。
【００４０】
アレイ基板ＡＲの透明基板１０上の表示領域ＤＡ内には、図２及び図３に示すように、
マトリクス状に複数本の走査線１１及び信号線１２が形成されており、この複数本の走査
線１１及び信号線１２は、表示領域ＤＡ外まで延出されて引回されてドライバＤｒに接続
されている。詳しくは、走査線１１は表示領域ＤＡの左右、すなわち透明基板１０の一対
の長辺１０Ａ、１０Ｂの何れかに向かって延在しており、その端部にはゲート引回し線Ｇ
Ｌがそれぞれ接続されて、このゲート引回し線ＧＬが一方の短辺１０Ｄ近傍に設けられた
ドライバＤｒに向かって引回されている。また、信号線１２は表示領域ＤＡの下方、すな
わち透明基板１０の一方の短辺１０Ｄに向かって延在しており、その端部にソース引回し
線ＳＬがそれぞれ接続されて、このソース引回し線ＳＬも同じくドライバＤｒに向かって
引回されている。また、このドライバＤｒからは、さらにコモン引回し線Ｃｏｍが延在し
ている。
【００４１】
更に、アレイ基板ＡＲの表示領域ＤＡ内には、図３及び図４に示すように、複数本の走
査線１１及び信号線１２に加えて、複数本の走査線１１間に設けられこの走査線１１と平
行な複数本の補助容量線１３と、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、及び半
導体層１５からなるスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）と、走査
線１１と信号線１２とで囲まれた領域の一部を覆う反射板Ｒと、走査線１１と信号線１２
とで囲まれた領域を覆う画素電極１８と、が設けられている。このように複数本の走査線
１１及び信号線１２により囲まれた領域が１画素領域（サブ画素）ＰＡを形成している。
そして、この１画素領域ＰＡのうち、反射板Ｒが設けられた部分は外光を反射することで
表示を行う反射領域ＲＡを形成しており、反射板Ｒが設けられていない部分は図示しない
バックライトからの光により表示を行う透過領域ＴＡを形成している。なお、ＴＦＴの半
導体層１５としてはポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ある
いはＬＴＰＳ（Low Temperature Poly Silicon）等が用いられる。
【００４２】
カラーフィルタ基板ＣＦは、図１及び図４に示すように、矩形状のガラス基板からなる
透明基板３０の表面に液晶駆動用の各種配線等が形成されたものである。詳しくは、アレ
イ基板ＡＲに形成された走査線１１及び信号線１２に合わせて格子状に形成されるととも
にアレイ基板ＡＲに形成されたＴＦＴ上を覆うように形成された遮光層３１と、各画素領
域ＰＡにそれぞれ形成された複数色、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色
からなるカラーフィルタ層３２と、遮光層３１及びカラーフィルタ層３２とを覆う保護膜
３３とを備えている。なお、遮光層３１の形状は、上記のような格子状に必ずしも限定さ
れるものではなく、例えばストライプ状やＴＦＴ上を覆うだけの形状であってもよい。
【００４３】
加えて、この保護膜３３の表面には、アレイ基板ＡＲに設けられた画素電極１８との間
で電界を形成し液晶層４０を駆動するためのＩＴＯまたはＩＺＯからなる共通電極３４と
、この共通電極３４の表面を覆う配向膜３５と、が形成されている。共通電極３４は、カ
ラーフィルタ基板ＣＦの額縁部分に形成されたトランスファ電極Ｔ（図１及び図２参照）
を介してアレイ基板ＡＲ側に引回されており、コモン引回し線Ｃｏｍを介してドライバＤ
ｒに接続されている。なお、このカラーフィルタ基板ＣＦ及び上述したアレイ基板ＡＲの
外側表面には偏光板４１（図４参照）が配設されている。
【００４４】
次に、アレイ基板ＡＲの額縁領域に引回された各種引回し線の構成について、図２及び
図５を参照して説明する。
図２に示すように、アレイ基板ＡＲの額縁領域は、表示領域ＤＡを囲むように枠状に形
成されており、この額縁領域のうち、特に一対の対向する長辺１０Ａ、１０Ｂに沿って延
びる部分には、複数本のゲート引回し線ＧＬと、コモン引回し線Ｃｏｍとが引回されてい
る。
【００４５】
このうち、複数のゲート引回し線ＧＬは、所定間隔をおいて互いに平行に延在しており
、ドライバＤｒから額縁領域の一対の長辺１０Ａ、１０Ｂに近接する部分まで引回された
後、短辺１０Ｃ側に向かって延在するとともに表示領域ＤＡ側に徐々に近接するように、
長辺１０Ａ、１０Ｂに対して所定角度傾斜した状態で延在されている。したがって、この
複数本のゲート引回し線ＧＬはその本数が短辺１０Ｃに近接するにしたがって減少する。
よって、これら複数本のゲート引回し線ＧＬのうち最も長辺１０Ａ又は１０Ｂに近接した
位置を引回されるものと長辺１０Ａ又は１０Ｂとの間の幅は、短辺１０Ｃに近接するにし
たがって徐々に広くなっている。
【００４６】
コモン引回し線Ｃｏｍは、複数のゲート引回し線ＧＬのさらに外側を引回されている。
このコモン引回し線Ｃｏｍは、その両端がドライバＤｒに接続されると共に、透明基板１
０の一対の長辺１０Ａ、１０Ｂ及び一方の短辺に沿って配線されており、平面視でほぼＵ
字状に配線されている。加えて、このコモン引回し線Ｃｏｍは、他の引回し線に比してそ
の幅が大きく設定されている。特に、図２及び図５に示すように、額縁領域の長辺１０Ａ
、１０Ｂに沿って延びる部分に配線されたコモン引回し線Ｃｏｍは、所定角度に傾斜して
延在するゲート引回し線ＧＬに沿って、すなわち一方の短辺１０Ｃに近接するに伴ってそ
の幅が徐々に拡幅されている。そして、このコモン引回し線Ｃｏｍの一部、例えば長辺１
０Ａと短辺１０Ｃとの交点に近接する位置及び長辺１０Ｂと短辺１０Ｃとの交点に近接す
る位置には、カラーフィルタ基板ＣＦの共通電極３４に接続するためのトランスファ電極
Ｔが形成されている。
【００４７】
次に、コモン引回し線Ｃｏｍの配線構造について、図５、図６Ａ及び図６Ｂを参照して
説明する。
コモン引回し線Ｃｏｍは、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、複数の導電性層Ｃ１〜Ｃ４
が積層されて形成されている。詳しくは、透明基板１０表面に形成された第１の導電性層
Ｃ１と、第１の導電性層Ｃ１の上部に絶縁膜（ゲート絶縁膜１４）を間に挟んで積層され
た第２の導電性層Ｃ２と、第２の導電性層Ｃ２の上部に絶縁膜（パッシベーション膜１６
、層間絶縁膜１７）を間に挟んで積層された第４の導電性層Ｃ４と、第４の導電性層Ｃ４
の上部に直接形成された第３の導電性層Ｃ３と、から形成されている。
【００４８】
これらの第１〜第４の導電性層Ｃ１〜Ｃ４は互いに電気的に接続されている。この接続
方法としては、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、第１の導電性層Ｃ１と第２の導電性層Ｃ
２との間に形成されたコンタクトホールＣＨ２、及び第２の導電性層Ｃ２と第４の導電性
層Ｃ４との間に形成されたコンタクトホールＣＨ１によりなされている。このように、導
電性層同士が電気的に接続されているので、これら第１〜第４の導電性層Ｃ１〜Ｃ４のう
ち、第１の導電性層Ｃ１以外の導電性層Ｃ２〜Ｃ４は、その端部が直接ドライバＤｒに接
続されている必要はなく、例えば長辺１０Ａ、１０Ｂに沿った部分など特に配線抵抗が大
きくなり易い箇所にのみ形成するようにしてもよい。なお、これら第１〜第４の導電性層
Ｃ１〜Ｃ４の更に詳細な構成については、後述の製造工程の説明の際に詳述する。
【００４９】
次に、本実施形態の液晶表示装置１のアレイ基板ＡＲの製造工程について、図２〜図６
を参照して説明を行う。
先ず、透明基板１０上に所定厚のアルミニウム、モリブデン、クロム、チタンあるいは
これらの合金からなる導電物質を成膜する。なお、前述した材料以外の材料でも可能であ
る。そして、周知のフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによりその一部
をエッチング除去して、横方向に伸びる複数本の走査線１１と、複数本の走査線１１とド
ライバＤｒとをそれぞれ接続するゲート絶縁膜ＧＬと、複数本の走査線１１間に位置する
補助容量線１３と、走査線１１から延在するゲート電極Ｇと、補助容量線１３の一部を拡
幅して形成される補助容量電極１３ａと、を形成すると共に、ゲート引回し線ＧＬの外側
を引回されたコモン引回し線Ｃｏｍの第１の導電性層Ｃ１を形成する。なお、この第１の
導電性層Ｃ１の形成は、上述の走査線１１、ゲート引回し線ＧＬ、補助容量線１３、ゲー
ト電極Ｇ及び補助容量電極１３ａを形成する際にパターン形成に用いられるマスクパター
ンに予めこの第１の導電性層Ｃ１に合わせたパターンを設けておけばよく、何ら製造工数
を増加させることがない。
【００５０】
次に、前記工程によって走査線１１や第１の導電性層Ｃ１等が形成された透明基板１０
上を覆うように公知のプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等を用いて所定厚のゲ
ート絶縁膜１４が成膜される。このゲート絶縁膜１４としては窒化シリコン（ＳｉＮＸ）
、酸化シリコン（ＳｉＯ２）等からなる透明な無機絶縁材料が用いられる。また、このゲ
ート絶縁膜１４の第１の導電性層Ｃ１を覆う部分の一部にコンタクトホールＣＨ２が形成
される。
【００５１】
次に、ゲート絶縁膜１４上に半導体材料、例えばａ−Ｓｉを成膜する。そして、ゲート
電極Ｇを覆う部分を残してａ−Ｓｉ層をエッチング除去し、ＴＦＴの一部となる半導体層
１５を形成する。そして同様の手法により、上述の工程で複数の層が形成された透明基板
１０上に更に導電性物質を成膜し、走査線１１に対して交差する方向に延びる複数本の信
号線１２、複数の信号線１２とドライバＤｒとをそれぞれ接続するソース引回し線ＳＬ、
各信号線１２から延設され半導体層１５に接続されるソース電極Ｓ、補助容量電極１３ａ
上を覆うとともに一端が半導体層１５に接続されるドレイン電極Ｄ、及び第１の導電性層
Ｃ１の少なくとも一部、例えば長辺１０Ａ、１０Ｂに沿って延びる額縁領域に形成された
第１の導電性層Ｃ１上をゲート絶縁膜１４を間に挟んで覆う第２の導電性層Ｃ２をパター
ニングする。これにより、透明基板１０の走査線１１と信号線１２との交差部近傍にＴＦ
Ｔが形成されるとともに、コンタクトホールＣＨ２を介して第１の導電性層Ｃ１に電気的
に接続される第２の導電性層Ｃ２が形成される。なお、この第２の導電性層Ｃ２の形成に
おいても、上述の各種配線等を形成する際に用いるマスクパターンを変更するだけで簡単
に形成することができる。
【００５２】
さらにまた、これらの各種配線を覆うように表面の安定化のための透明な無機絶縁材料
、例えばＳｉＮＸあるいはＳｉＯ２からなるパッシベーション膜（保護絶縁膜ともいう）
１６を成膜し、続いて、アレイ基板ＡＲの表面を平坦化するための透明な感光性樹脂材料
、例えばフォトレジストからなる層間絶縁膜１７が成膜される。この層間絶縁膜１７は、
ＴＦＴが形成された透明基板１０の表面にフォトレジスト等の感光性樹脂材料からなる膜
を形成し、プリベークした後、公知の露光装置を用いて露光すると共に現像処理して、表
示領域ＤＡに層間膜１７を形成した後、光反応処理及びベーキング処理を行なう。このう
ち、光反応処理は、感光性樹脂膜の透明性を向上させる目的でＵＶ光を照射して感光性官
能基を光反応させる処理である。また、ベーキング処理は、加熱処理を行うことにより、
パターン形成された感光性樹脂を焼成し、樹脂内の化学反応（主には架橋反応）によって
化学的、物理的に安定な絶縁膜として基板上に形成する処理である。また、層間絶縁膜１
７及びパッシベーション膜１６の補助容量電極１３ａ上に位置する部分、及び第２の導電
性層Ｃ２の少なくとも一部には、後述する画素電極１８とドレイン電極Ｄとを電気的に接
続するためのコンタクトホールＣＨ、及び第２の導電性層Ｃ２と後述する第４の導電性層
Ｃ４とを電気的に接続するためのコンタクトホールＣＨ１が設けられる。このコンタクト
ホールＣＨ及びＣＨ１は、露光形成される層間絶縁膜１７の成膜プロセス時に層間絶縁膜
１７の該当箇所に形成された穴の底部に露出したパッシベーション膜１６をエッチング除
去することにより形成される。
【００５３】
次に、層間樹脂膜１７の表面及びコンタクトホールＣＨ、ＣＨ１により露出したドレイ
ン電極Ｄ及び第２の導電性層Ｃ２を覆うように光反射性の高いアルミニウム等からなる導
電性材料の膜を形成し、画素領域ＰＡ内の一部、例えば画素領域ＰＡ内のＴＦＴやコンタ
クトホールＣＨ等が形成された領域（図３においては画素領域ＰＡの下半分）、及び第２
の導電性層Ｃ２上を残してこの導電性材料の膜をパターニングする。これにより、画素領
域ＰＡ内には反射板Ｒが形成されると共に、第４の導電性層Ｃ４が形成される。なお、反
射板Ｒが形成された部分は反射領域ＲＡを形成することになるが、この反射領域ＲＡに該
当する層間樹脂膜１７の表面は、光反射率を向上させるために凹凸状に予め表面処理が施
されている。ただし、この凹凸状の表面処理の状態については図４では省略している。
【００５４】
さらには、走査線１１及び信号線１２によって囲まれた画素領域ＰＡと第４の導電性層
Ｃ４の表面に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）
からなる画素電極１８と、第３の導電性層Ｃ３を形成する。画素電極１８は、好ましくは
その外縁部が走査線１１及び信号線１２上に位置し、かつ隣接する画素電極１８同士が非
接続状態となるように設ける。最後に、上述の工程を経て複数の層が形成された基板上の
表示領域ＤＡ内に配向膜１９を成膜し、配向膜１９の表面をラビングローラ等を用いてラ
ビング処理する。ちなみに本実施形態においては、配向膜１９は表示領域ＤＡ内にのみ形
成され、額縁領域には形成しないようにしている。このようにすると、額縁領域の最表面
にはコモン引回し線Ｃｏｍの第３の導電性層Ｃ３が露出することになる。以上の工程によ
りアレイ基板ＡＲが製造される。
【００５５】
以上の工程を経て形成されたコモン引回し線Ｃｏｍは、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ
２を介して、あるいは直接重畳されることにより、全てが電気的に接続された第１〜第４
の導電性層Ｃ１〜Ｃ４によって形成される。したがって、コモン引回し線Ｃｏｍの配線幅
はこれら４つの導電性層Ｃ１〜Ｃ４の幅を合算したものとなるので、配線幅の縮小に伴う
配線抵抗の増大を抑制することが可能となる。また、従来よりもコモン引回し線Ｃｏｍの
層数が多くなるので、従来よりも額縁領域を小さくすることができ、液晶表示装置１の設
計の自由度を高くすることができる。
【００５６】
ラビング処理時にラビングローラーで擦られる際、表示領域ＤＡの最表面に形成された
配向膜１９と、コモン引き回し線Ｃｏｍの最表面に形成された導電性層Ｃ３は、それぞれ
の材料の性質が異なるので極性が異なるが、配向膜１９に蓄電された静電気が導電性層Ｃ
３に印加したとしても、導電性層Ｃ３はコンタクトホールＣＨ１を介して、コモン引き回
し線Ｃｏｍに導通されているため、電流が外部へ流れるようになっている。その結果、画
素領域ＰＡとコモン引き回し線Ｃｏｍの境界線で静電気起因による不良が発生しにくくな
る。また、狭額縁化に対応してコモン引き回し線Ｃｏｍの表面積を小さく形成することで
、ラビングローラーで擦られる面積が小さくなることから、更なる静電気対策になる。こ
れにより、表示領域ＤＡ周辺部で発生しやすいＴＦＴ特性による放電不良を抑制すること
ができる。
【００５７】
また、コモン引き回し線Ｃｏｍの表面には反射板Ｒと同材料で同時形成された、導電性
層Ｃ４が連続的に形成されているため、透明電極を備えている装飾用反射部（見切り領域
）として見栄えを良くする効果を有している。
【００５８】
なお、上記第１の実施形態においては、半透過型の液晶表示装置１について説明を行っ
たが、本発明は透過型あるいは反射型の液晶表示装置であっても同様に適応可能である。
ただし、透過型の液晶表示装置の場合には、反射板Ｒが存在しないので、反射板Ｒと同時
に形成される第４の導電性層Ｃ４は設けられない。よって、その場合にはコモン引回し線
Ｃｏｍは第１〜第３の導電性層Ｃ１〜Ｃ３で構成される３層構造の配線となる。また、上
記第１の実施形態においては、パッシベーション膜１６と反射板Ｒあるいは画素電極１８
との間に層間絶縁膜１７を形成した例について説明したが、この層間絶縁膜１７は必ずし
も形成する必要はない。
【００５９】
上記第１の実施形態においては、各導電性層間に配設された絶縁膜にコンタクトホール
ＣＨ１、ＣＨ２を形成したことにより、導電性層同士の導通が確保されている。しかしな
がら、上述の方法で絶縁膜にコンタクトホール、特にゲート絶縁膜１４に形成されるコン
タクトホールＣＨ２の形成は別途製造プロセスを追加せざるを得ない。そこで、従来の液
晶表示装置の製造方法に何らのプロセスをも追加することなく上記第１の実施形態と同様
の効果を得ることが可能な液晶表示装置を、第２の実施形態として以下に説明する。なお
、この第２の実施形態に係る液晶表示装置は、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置１
に比して、コモン引回し線Ｃｏｍの構成のみが異なっており、他の構成は同一であるので
、第１の実施形態に係る液晶表示装置１と同一の構成については同一の符号を付してその
説明を省略し、異なる構成についてのみ詳述するものとする。
【００６０】
第２の実施形態に係る液晶表示装置のアレイ基板ＡＲ１には、図７及び図８に示すよう
に、額縁領域に沿ってコモン引回し線Ｃｏｍ１が形成されている。このコモン引回し線Ｃ
ｏｍ１は上記液晶表示装置１のコモン引回し線Ｃｏｍと同様に、短辺１０Ｃに近接するに
したがって拡幅されている。
【００６１】
このコモン引回し線Ｃｏｍ１は、上記コモン引回し線Ｃｏｍと同様に、第１〜第４の導
電性層Ｃ１〜Ｃ４から形成されているが、上記コモン引回し線Ｃｏｍと異なる点は、第２
の導電性層Ｃ２の一端部が第１の導電性層Ｃ１と平面視で重ならない位置まで延在された
延在部を形成しており、この延在部と第１の導電性層Ｃ１の他の導電性層Ｃ２〜Ｃ４と重
なっていない部分とが、ブリッジ電極ＢＥにより電気的に接続されている点である。すな
わち、上記第１の実施形態に係る液晶表示装置１は、第１の導電性層Ｃ１と第２の導電性
層Ｃ２との間の接続がゲート絶縁膜１４に形成されたコンタクトホールＣＨ２を介してな
されていたが、本実施形態の液晶表示装置においては、ブリッジ電極ＢＥを用いて第１の
導電性層Ｃ１と第２の導電性層Ｃ２との間の接続を行っている。このブリッジ電極ＢＥは
、好ましくは第３の導電性層Ｃ３あるいは第４の導電性層Ｃ４と同一の材料で形成され、
第３の導電性層Ｃ３あるいは第４の導電性層Ｃ４と同時に形成されると好ましい。加えて
、このブリッジ電極ＢＥと第３の導電性層Ｃ３あるいは第４の導電性層Ｃ４とは一体に形
成されているとさらに好ましい。
【００６２】
次に、本実施形態の液晶表示装置のアレイ基板ＡＲ１の製造工程、特にコモン引回し線
Ｃｏｍ１の形成プロセスについて説明する。なお、アレイ基板ＡＲ１の製造工程はコモン
引回し線Ｃｏｍ１の形成プロセス以外は上記第１の実施形態に係るアレイ基板ＡＲと同様
であるので、その説明は省略する。
【００６３】
先ず、走査線１１及びゲート引回し線ＧＬ等の形成と同時に第１の導電性層Ｃ１を形成
する。次いで、ゲート絶縁膜１４を成膜した後、信号線１２及びソース引回し線ＳＬ等の
形成と同時に第２の導電性層Ｃ２を形成する。なお、この第２の導電性層Ｃ２を形成する
際は、その端部、好ましくは短辺１０Ｄに近接する側の端部が第１の導電性層Ｃ１と平面
視で重ならないようにする。そして、半導体層１５、パッシベーション膜１６及び層間絶
縁膜１７を順次形成した後、画素領域ＰＡ内に形成されるコンタクトホールＣＨと同時に
、第１の導電性層Ｃ１の短辺１０Ｄ側の一部と、及び第２の導電性層Ｃ２の第１の導電性
層Ｃ１と平面視で重ならないように配設された端部とを覆う層間絶縁膜１７、パッシベー
ション膜１６、及び、第１の導電性層Ｃ１を覆うゲート絶縁膜１４を除去してコンタクト
ホールＣＨ３、ＣＨ４を形成する。なお、コンタクトホールＣＨの形成は露光形成される
層間絶縁膜１７の成膜プロセス時に予め該当箇所に穴を形成しておき、この穴の底部に露
出したパッシベーション膜１６をエッチング除去することで行われるため、コンタクトホ
ールＣＨ３、ＣＨ４においても、層間絶縁膜１７の成膜プロセス時に予め該当箇所に穴を
形成しておき、この穴の底部に露出したパッシベーション膜１６及びこの露出したパッシ
ベーション膜１６の更に直下層に形成されているゲート絶縁膜１４をエッチング除去する
ことで形成できる。なお、パッシベーション膜１６とゲート絶縁膜１４は一般に同一材料
、例えばＳｉＮＸ、ＳｉＯ２で形成されるので、エッチングの際に特にエッチング液を変
更する必要もない。
【００６４】
コンタクトホールＣＨ、ＣＨ３、ＣＨ４が形成された後は、反射板Ｒ及び第４の導電性
層Ｃ４を形成すると共に、この第４の導電性層Ｃ４の端部をコンタクトホールＣＨ３、Ｃ
Ｈ４上まで延在することにより、この第４の導電性層Ｃ４の端部でブリッジ電極ＢＥを形
成する。そして、画素電極１８、第３の導電性層Ｃ３を形成し、最後に表示領域ＤＡ内に
配向膜１９を形成することで本実施形態に係る液晶表示装置のアレイ基板ＡＲ１が製造さ
れる。
【００６５】
以上の工程によりコモン引回し線Ｃｏｍ１を形成すれば、従来の液晶表示装置の製造工
程に何ら工程を追加することなく、４層構造のコモン引回し線Ｃｏｍ１を形成することが
できる。なお、上記工程においてはブリッジ電極を第４の導電性層Ｃ４で形成した例を説
明したが、第３の導電性層Ｃ３で形成することも可能である。また、ブリッジ電極ＢＥと
第４の導電性層Ｃ４とを一体に形成せずに、第４の導電性層Ｃ４と第２の導電性層Ｃ２は
コンタクトホールＣＨ形成時に別途第２の導電性層Ｃ２上にコンタクトホール（すなわち
上記第１の実施形態において示したコンタクトホールＣＨ１）を形成して接続を行うよう
にしても良い。
【００６６】
また、上述した第１及び第２の実施形態に係る液晶表示装置においては、何れもいわゆ
る縦電界方式の液晶表示装置について説明を行っているが、これに限らず、いわゆる横電
界方式、例えばＩＰＳモードの液晶表示装置であっても本発明の目的を達成することが可
能である。ただし、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、アレイ基板側にくし歯状に互いに噛
み合う第１電極（画素電極）と第２電極（共通電極）が形成されるので、これら第１及び
第２電極の形成時に同時に第３の導電性層を形成することになる。
【００６７】
加えて、他の横電界方式であるＦＦＳモードの液晶表示装置においても同様に本発明の
目的を達成することが可能である。ただし、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、アレイ基板
側に絶縁膜を介して上電極と下電極とが対向配置された構造を有している。これらの電極
は、例えば、下電極は画素領域毎に形成されＴＦＴに接続された画素電極を構成し、上電
極は複数本のスリットが形成されるとともに額縁領域においてコモン引回し線に接続され
た共通電極を構成する。このようにＦＦＳモードの液晶表示装置は、画素電極（下電極）
と共通電極（上電極）とがアレイ基板上の異なる層上に形成されているので、画素電極の
形成時及び共通電極の形成時にそれぞれコモン引回し線を構成する導電性層を形成するこ
とが可能となる。したがって、最大で５層構造のコモン引回し線を形成することができる
ようになるので、更に配線抵抗の低減を図ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１の液晶表示装置においてカラーフィルタ基板を透視して示す概略平面図である。
【図３】図３は図１の液晶表示装置の１画素領域を示す拡大平面図である。
【図４】図４は図３のIV−IV線で切断した断面図である。
【図５】図５は図２のＶ部分を拡大して示す拡大平面図である。
【図６】図６Ａは図５のVIＡ−VIＡ線で切断した断面図、図６Ｂは図５のVIＢ−VIＢ線で切断した断面図である。
【図７】図７は本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置における図５に対応する拡大平面図である。
【図８】図８は図７のVIII−VIII線で切断した断面図である。
【図９】図９Ａは従来の液晶表示装置の一部を拡大して示す拡大平面図、図９Ｂは図９ＡのIXＢ−IXＢ線で切断した断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１：液晶表示装置 ２：シール材 １０、３０：透明電極 １１：走査線 １２：信号線
１３：補助容量線 １４：ゲート絶縁膜 １５：半導体層 １６：パッシベーション膜
１７：層間絶縁膜 １８：画素電極 １９、３５：配向膜 ３１：遮光膜 ３２：カラ
ーフィルタ層 ３３：保護膜 ３４：共通電極 ４０：液晶 ４１：偏光板 ＡＲ、ＡＲ
１：アレイ基板 ＣＦ：カラーフィルタ基板 ＧＬ：ゲート引回し線 ＳＬ：ソース引回
し線 Ｃｏｍ、Ｃｏｍ１：コモン引回し線 Ｃ１〜Ｃ４：第１〜第４の導電性層 ＢＥ：
ブリッジ電極 ＣＨ、ＣＨ１〜ＣＨ４：コンタクトホール ＤＡ：表示領域 Ｄｒ：ドラ
イバ Ｔ：トランスファ電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板とカラーフィルタ基板とを表面が互いに対向するようにシール材で貼り合わ
され、両基板間に液晶が封入されてなる液晶表示装置において、
前記アレイ基板の表面には、少なくとも、表示領域に沿ってマトリクス状に形成された
走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線で区画された領域に設けられた少なくとも１
つの電極と、前記走査線及び信号線の端部に接続されて前記表示領域の外周囲を引回され
たゲート引回し線及びソース引回し線と、前記ゲート引回し線及びソース引回し線の更に
外側を引回されたコモン引回し線と、が形成され、
前記コモン引回し線は、少なくとも３層の導電性部材が積層され互いに接続されて形成
されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記少なくとも３層の導電性部材からなるコモン引回し線のうち、最表面に位置する導
電性部材は、外部に露出していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記コモン引回し線は、前記走査線と同一の材料からなる第１の導電性層と、前記信号
線と同一の材料からなる第２の導電性層と、前記少なくとも１つの電極と同一の材料から
なる第３の導電性層とを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記走査線及び信号線で囲まれた領域の少なくとも一部には反射板が形成されており、
前記コモン引回し線は、更に前記反射板と同一の材料からなる第４の導電性層を含むこと
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第３の導電性層は、前記第４の導電性層上に直接重畳されていることを特徴とする
請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記複数の導電性層のうち、間に絶縁膜を介して積層された導電性層同士は、前記絶縁
膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項１〜５
の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１の導電性層と前記第２の導電性層とは、一部が互いに平面視で重ならないよう
に延在されており、前記平面視で重ならない一部同士がブリッジ接続により接続されてい
ることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記ブリッジ接続の際に前記第１の導電性層と前記第２の導電性層とを接続するブリッ
ジ電極は、前記第３の導電性層の一部又は前記第４の導電性層の一部からなることを特徴
とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つの電極は、前記走査線及び信号線で囲まれた領域毎に形成されたく
し歯状の第１電極と、前記第１電極と噛み合うように同じくくし歯状に形成されるととも
に前記コモン引回し線に接続された第２電極と、からなり、前記第３の導電性層は、前記
第１電極及び第２電極と同一の材料からなる層で形成されていることを特徴とする請求項
１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの電極は、複数本のスリットが形成された上電極と、前記上電極に
絶縁膜を介して対向配置した下電極と、からなり、前記第３の導電性層は、前記上電極と
同一の材料からなる層と前記下電極と同一の材料からなる層とで形成されていることを特
徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記請求項１〜１０の何れかに記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記複数の導
電性層を、同一の材料からなる各種配線と同一工程で形成することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
【請求項１】
アレイ基板とカラーフィルタ基板とを表面が互いに対向するようにシール材で貼り合わ
され、両基板間に液晶が封入されてなる液晶表示装置において、
前記アレイ基板の表面には、少なくとも、表示領域に沿ってマトリクス状に形成された
走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線で区画された領域に設けられた少なくとも１
つの電極と、前記走査線及び信号線の端部に接続されて前記表示領域の外周囲を引回され
たゲート引回し線及びソース引回し線と、前記ゲート引回し線及びソース引回し線の更に
外側を引回されたコモン引回し線と、が形成され、
前記コモン引回し線は、少なくとも３層の導電性部材が積層され互いに接続されて形成
されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記少なくとも３層の導電性部材からなるコモン引回し線のうち、最表面に位置する導
電性部材は、外部に露出していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記コモン引回し線は、前記走査線と同一の材料からなる第１の導電性層と、前記信号
線と同一の材料からなる第２の導電性層と、前記少なくとも１つの電極と同一の材料から
なる第３の導電性層とを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記走査線及び信号線で囲まれた領域の少なくとも一部には反射板が形成されており、
前記コモン引回し線は、更に前記反射板と同一の材料からなる第４の導電性層を含むこと
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第３の導電性層は、前記第４の導電性層上に直接重畳されていることを特徴とする
請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記複数の導電性層のうち、間に絶縁膜を介して積層された導電性層同士は、前記絶縁
膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項１〜５
の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１の導電性層と前記第２の導電性層とは、一部が互いに平面視で重ならないよう
に延在されており、前記平面視で重ならない一部同士がブリッジ接続により接続されてい
ることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記ブリッジ接続の際に前記第１の導電性層と前記第２の導電性層とを接続するブリッ
ジ電極は、前記第３の導電性層の一部又は前記第４の導電性層の一部からなることを特徴
とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つの電極は、前記走査線及び信号線で囲まれた領域毎に形成されたく
し歯状の第１電極と、前記第１電極と噛み合うように同じくくし歯状に形成されるととも
に前記コモン引回し線に接続された第２電極と、からなり、前記第３の導電性層は、前記
第１電極及び第２電極と同一の材料からなる層で形成されていることを特徴とする請求項
１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの電極は、複数本のスリットが形成された上電極と、前記上電極に
絶縁膜を介して対向配置した下電極と、からなり、前記第３の導電性層は、前記上電極と
同一の材料からなる層と前記下電極と同一の材料からなる層とで形成されていることを特
徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記請求項１〜１０の何れかに記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記複数の導
電性層を、同一の材料からなる各種配線と同一工程で形成することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−２０４６４４（Ｐ２００９−２０４６４４Ａ）
【公開日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４３９２７（Ｐ２００８−４３９２７）
【出願日】平成２０年２月２６日（２００８．２．２６）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２６日（２００８．２．２６）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
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