温度補償型水晶発振器
【課題】 小型化が可能であり、かつ、機械的強度に優れた温度補償型水晶発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】 セラミック基板内部に回路部品１２１ａ〜１２１ｃが埋設された樹脂基板１２０上に、内部の空間１１３に水晶振動子１１４が収納されたパッケージ１１０を実装することにより、温度補償型水晶発振器１００を構成する。
【解決手段】 セラミック基板内部に回路部品１２１ａ〜１２１ｃが埋設された樹脂基板１２０上に、内部の空間１１３に水晶振動子１１４が収納されたパッケージ１１０を実装することにより、温度補償型水晶発振器１００を構成する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ：temperature compensated crystal oscillator）に関する。
【０００２】
【従来の技術】温度補償型水晶発振器は、携帯電話などの電子機器に広く用いられており、近年の電子機器の小型化にともない、温度補償型水晶発振器にも一層の小型化が求めれられている。図１２は、特開２００１−１７７０４４号公報に開示された温度補償型水晶発振器を示す断面図である。温度補償型水晶発振器３００は、パッケージ３１０とセラミック基板３２０とからなる。パッケージ３１０内部の空間には水晶振動子３１１が収納され、セラミック基板３２０上部には側壁３２１に囲まれたキャビティ３２２が形成され、その中に回路部品３２３が実装されている。また、セラミック基板３２０の下面には抵抗膜３２４が形成されており、抵抗膜３２４をレーザートリミングすることにより、水晶振動子３１１の温度周波数特性が微調整される。
【０００３】図１３は、特開２０００−１５１２８３号公報に開示された温度補償型水晶発振器を示す断面図である。温度補償型水晶発振器４００は、セラミック基板４２０とセラミック基板４２０上に実装された水晶振動子４１１とからなる。水晶振動子４１１は、セラミック基板４２０上面の周縁部に形成されたシールリング４１２、およびシールリング４１２に溶接された金属蓋４１３により覆われている。セラミック基板４２０下部には側壁４２１に囲まれたキャビティ４２２が形成され、その中に回路部品４２３が実装されるとともに、樹脂４２４が充填されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来の温度補償型水晶発振器では、以下の点から小型化に制約がある。まず、従来の温度補償型水晶発振器では、キャビティ内に回路部品を高精度に実装するために、キャビティ周囲の側壁と回路部品との間に一定の間隔を設ける必要がある。したがって、この間隔の分、温度補償型水晶発振器の面積が大きくなってしまう。
【０００５】また、従来の温度補償型水晶発振器を小型化しようとすると、キャビティ周囲の側壁の幅を小さくする必要がある。しかし、このように側壁の幅を小さくすると、側壁の機械的強度が低下してしまう。また、特開２００１−１７７０４４号公報のようにキャビティ上面にパッケージを実装する場合、側壁上に形成するパッケージ固着用の電極面積が十分に大きくとれなくなり、パッケージとセラミック基板の固着強度が低下してしまう。
【０００６】また、従来の温度補償型水晶発振器においては、セラミック基板内に立体的に回路を形成してキャビティ内に実装する回路部品を減らすことにより、温度補償型水晶発振器の面積を小さくしている。しかし、この場合、温度補償型水晶発振器を低背化することができない。
【０００７】本発明は、小型化が可能であり、かつ、機械的強度に優れた温度補償型水晶発振器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る温度補償型水晶発振器は、セラミック基板と、セラミック基板の上側主面上に形成された少なくとも１層の樹脂層と、樹脂層の上側主面上に搭載され、内部の空間に水晶振動子が収納されたパッケージと、からなり、セラミック基板の上側主面上には配線導体が形成され、樹脂層の内部には、配線導体と電気的に接続される回路部品が埋設されるとともに、配線導体と電気的に接続されるビア導体が形成され、樹脂層の上側主面上には、ビア導体と電気的に接続される表面導体が形成され、パッケージ下面には、水晶振動子および表面導体と電気的に接続される端子電極が形成されている、ことを特徴とする。
【０００９】また、上記セラミック基板は、複数のセラミック層が積層されてなり、セラミック層間に配線導体が形成されていることが好ましい。
【００１０】また、上記セラミック基板の下側主面上に抵抗膜が形成されていることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る温度補償型水晶発振器の一実施形態を示す断面図である。図１に示すように、温度補償型水晶発振器１００は、セラミック基板１１０と、セラミック基板１１０の上側主面上に形成された樹脂層１２０と、樹脂層１２０の上側主面上に搭載されたパッケージ１３０と、からなる。
【００１２】セラミック基板１１０は、複数のセラミック層１１１が積層されたものである。セラミック基板１１０内部には、セラミック層１１１の積層方向に延びるようにビア導体１１２が形成されている。また、セラミック基板１１０の上側主面上には、ビア導体１１２と電気的に接続された配線導体１１３ａが形成されている。また、セラミック基板１１０の内部には、ビア導体１１２と電気的に接続された配線導体１１３ｂが形成されている。配線導体１１３ｂは、セラミック層１１１を挟んで互いに対向するように形成されており、この対向部分でコンデンサを形成している。また、セラミック基板１１０の下側主面上には、配線導体１１３ｃおよび抵抗膜１１４が形成されている。
【００１３】セラミック基板１１０が複数のセラミック層１１１で構成されることにより、配線導体１１３ｂを形成したり、セラミック層１１１を挟んでコンデンサを形成することができる。したがって、セラミック基板１１０内部において多様な回路設計が可能となる。
【００１４】セラミック層１１１を構成する材料としては、例えば、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系などの絶縁体材料を用いることができる。また、ビア導体１１２および配線導体１１３ａ〜１１３ｃとしては、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどの金属を用いることができる。
【００１５】抵抗膜１１４は、パッケージ１３０に収納された水晶振動子１３４の温度周波数特性を微調整するためのものであり、後述する補正電圧発生回路を構成する回路要素の一つである。具体的には、抵抗膜１１４の一部をレーザーなどによりトリミングすることにより、水晶振動子１３４に入力される電圧を調整し、水晶振動子１３４の温度周波数特性を平坦化することができる。抵抗膜１１４は、例えば、ＲｕＯ2とガラスとの混合材料を含むペーストを焼き付けることにより形成される。
【００１６】樹脂層１２０内部には、配線導体１１３ａと電気的に接続される回路部品１２１ａ〜１２１ｃが埋設されるとともに、配線導体１１３ａと電気的に接続されるビア導体１２２が形成されている。また、樹脂層１２０の上側主面上には、ビア導体１２２と電気的に接続される表面導体１２３が形成されている。
【００１７】樹脂層１２０は、例えば、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを混合したものからなる。無機フィラーとしては、例えば、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2などを用いることができる。これらの無機フィラーを用いることにより、放熱性を向上させるとともに、樹脂層１２０の流動性、充填性を制御することができる。また、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などを用いることができる。中でも、エポキシ樹脂は、耐熱性、耐湿性に優れているため好ましい。
【００１８】なお、図２に示すように、樹脂層１２０が複数の樹脂層１２０ａ，１２０ｂにより構成され、樹脂層１２０ａ，１２０ｂ間に配線導体１２４が形成されていてもよい。これにより、樹脂層１２０内部において多様な回路設計が可能となる。
【００１９】図１、図２において、回路部品１２１ａ〜１２１ｃとしては、発振回路や補正電圧発生回路など、温度補償型水晶発振器１００に必要な回路を構成する。回路部品１２１ａ〜１２１ｃとしては、例えば、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの能動素子や、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップサーミスタなどの受動素子を用いることができる。能動素子を配線導体１１３ａ上に実装する方法としては、例えば、能動素子の端子電極上に金や半田のバンプを形成し、超音波ボンディングを行う方法などが挙げられる。また、受動素子を配線導体１１３ａ上に実装する方法としては、導電性接着剤による接着や半田付けなどが挙げられる。なお、回路部品１２１ａ〜１２１ｃの端子電極については図示を省略している。
【００２０】ビア導体１２２としては、例えば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉなどを用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などを用いることができる。
【００２１】表面導体１２３としては、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどの金属を用いることができる。
【００２２】パッケージ１３０は、上面が開口したパッケージ本体１３１と、パッケージ本体１３１の上面を被覆する金属製のシールド板１３２とからなる。また、パッケージ本体１３１とシールド板１３２とにより形成される空間１３３には、水晶振動子１３４が振動可能な状態で収納されている。また、水晶振動子１３４は、配線導体１３５およびビア導体１３６を介して，パッケージ本体１３１表面に形成された端子電極１３７と電気的に接続されている。
【００２３】パッケージ本体１３１としては、例えば、セラミックなどの無機材料を用いることができる。また、シールド板１３２としては、例えば、コバールや４２アロイなどの金属材料を用いることができる。また、水晶振動子１３４は、用途に応じて適当な発振周波数のものが用いられる。また、配線導体１３５、ビア導体１３６、および端子電極１３７としては、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどの金属を用いることができる。
【００２４】図３は、温度補償型水晶発振器１００の等価回路を示す回路図である。この回路は、発振回路１４０、補正電圧発生回路１５０、および緩衝増幅回路１６０からなる。
【００２５】発振回路１４０は、水晶振動子１３４、ベース−エミッタ間をコンデンサ１４１ａでつながれたトランジスタ１４２、抵抗１４３ａ〜１４３ｄ、コンデンサ１４１ｂなどにより構成された、コレクタ接地のコルピッツ形発振回路である。
【００２６】発振回路１４０では、抵抗１４３ａおよびコンデンサ１４１ｃによって電源電圧Ｖｃｃの直流成分がトランジスタ１４２のコレクタに印加され、トランジスタ１４２のエミッタが抵抗１４３ｂを介してグランドに接続され、抵抗１４３ｃ，１４３ｄによって電源電圧Ｖｃｃが分圧され、トランジスタ１４２のベースに印加されている。
【００２７】また、発振回路１４０では、グランドから水晶振動子１３４の端子電極に向けて可変容量ダイオード１４４を接続しており、抵抗１４３ｅを介して補正電圧発生回路１５０の出力電圧を水晶振動子１３４へ入力させている。
【００２８】補正電圧回路１５０は、周囲の温度変化に応じて水晶振動子１３４に印加する出力電圧の特性を変化させることにより、水晶振動子１３４の温度周波数特性を打ち消して周波数を安定させるものであり、抵抗、ＮＴＣサーミスタ（いずれも図示せず）などで構成されている。
【００２９】緩衝増幅回路１６０は、コンデンサ１６１、トランジスタ１６２、抵抗１６３ａ〜１６３ｄなどにより構成されている。緩衝増幅回路１６０では、抵抗１６３ａを介して電源電圧Ｖｃｃがトランジスタ１６２のコレクタに入力され、抵抗１６３ｂおよびコンデンサ１６１を介してトランジスタ１６２のエミッタがグランドに接続され、抵抗１６３ｃ，１６３ｄによって電源電圧Ｖｃｃが分圧され、トランジスタ１６２のベースに印加されている。
【００３０】温度補償型水晶発振器１００においては、発振回路１４０で水晶振動子１３４を発振させ、水晶振動子１３４の付加容量を可変容量ダイオード１４４に印加する電圧で制御することにより、発振周波数を制御することが可能になる。発振出力は、トランジスタ１４２のエミッタにより取り出され、緩衝増幅回路１６０で増幅されてトランジスタ１６２のコレクタから出力される。また、出力周波数の温度による変動は、補正電圧発生回路１５０により補正される。
【００３１】
【実施例】（実施例１）以下に、本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す。まず、出発原料として、ＢａＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣａＯを準備し、各出発原料を所定量秤量し、混合した。次に、得られた混合物を１３００℃で２時間仮焼し、得られた仮焼物を粉砕して仮焼粉末を得た。
【００３２】次に、この仮焼粉末に、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤を加えて混練し、セラミックスラリーを得た。次に、このセラミックスラリーを、ドクターブレード法によりシート状に形成し、セラミックグリーンシートを得た。次に、セラミックグリーンシートの所定の位置にビアホールを形成した。
【００３３】次に、Ａｇ粉末、適当量のバインダ、ガラス粉末、分散剤からなる導体ペーストを作製し、この導体ペーストを、スクリーン印刷によりセラミックグリーンシート上に印刷し、セラミックグリーンシートのビアホールに充填した。
【００３４】次に、セラミックグリーンシートを複数枚積層し、圧着することによりセラミック積層体を作製した。次に、セラミック積層体を８００〜１０００℃の温度で５時間焼成し、図４（Ａ）に示すように、複数のセラミック層２１１からなり、ビア導体２１２および配線導体２１３ａ〜２１３ｂが形成されたセラミック基板２１０を得た。
【００３５】なお、セラミック基板の製造方法については上述の限りではなく、その他公知の製造方法を用いてもよい。
【００３６】次に、図４（Ｂ）に示すように、セラミック基板２１０の下側主面上に、ＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、分散剤からなる抵抗ペーストを塗布し、焼き付けて抵抗膜２１４を形成した。その後、図４（Ｂ）に示すように、セラミック基板２１０の配線導体２１３ａ上にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、チップサーミスタ２２１ｃを搭載し、半田付けを行った。
【００３７】次に、図５（Ａ）に示すように、一方主面上に銅箔が形成されたエポキシ樹脂プリプレグシートを作製した。次に、樹脂プリプレグシート上に形成された銅箔をフォトリソグラフィーによりエッチングし、図５（Ｂ）に示すように、主面上に表面導体２２３が形成された樹脂プリプレグシート２７０を作製した。
【００３８】次に、炭酸ガスレーザーを用いて、図５（Ｃ）に示すように、樹脂プリプレグシート２７０にビアホール２７１を形成した。次に、図５（Ｄ）に示すように、導体ペーストをスクリーン印刷によりビアホール２７１内に充填して、ビア導体２２２を形成した。
【００３９】次に、図６に示すように、樹脂プリプレグシート２７０をセラミック基板２１０上に重ね、真空プレスにより１６０℃の温度で６０分間圧着した。このようにして、樹脂プリプレグシート２７０にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、およびチップサーミスタ２２１ｃを埋没させるとともに、樹脂プリプレグシート２７０およびビア導体２２２を熱硬化させた。
【００４０】次に、表面導体２２３上に半田ペーストを塗布し、図７に示すように、水晶振動子が収納されたパッケージ２３０を樹脂層２２０（樹脂プリプレグシート２７０が熱硬化したもの）上に搭載した。次に、リフローにより半田ペーストを溶解させ、端子電極２３７と表面導体２２３とを接合させて、温度補償型水晶発振器２００ａを作製した。なお、図７では、パッケージ２３０について詳細な図示を省略している。
【００４１】また、複数の樹脂層を形成する場合は、樹脂層２２０を一層目の樹脂層として、樹脂層２２０上にさらに樹脂プリプレグシート２７０を積層し、同様の工程を繰り返して二層目、三層目、・・・の樹脂層を形成すればよい。
【００４２】（実施例２）以下に、本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す。まず、実施例１と同様にして、図４（Ａ）に示すセラミック基板２１０を作製した。次に、図４（Ｂ）に示すように、セラミック基板２１０の下側主面上に、ＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、分散剤からなる抵抗ペーストを塗布して焼き付け、抵抗膜２１４を形成した。その後、図４（Ｂ）に示すように、セラミック基板２１０の配線導体２１３ａ上にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、チップサーミスタ２２１ｃを搭載し、半田付けを行った。
【００４３】次に、図８（Ａ）に示すように、セラミック基板２１０上にエポキシ樹脂材料２７２をコーターで流し込み、チップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、チップサーミスタ２２１ｃを覆った。
【００４４】次に、エポキシ樹脂材料２７２でコートされたセラミック基板２１０を真空オーブンに入れ１００℃で１０分間加熱し、エポキシ樹脂材料２７２をチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、およびチップサーミスタ２２１ｃの下面に回り込ませた。これにより、上側主面上にエポキシ樹脂材料２７２が形成されたセラミック基板２１０を作製した。なお、この温度では、エポキシ樹脂材料２７２は完全には熱硬化せず、半硬化の状態である。
【００４５】次に、セラミック基板２１０を真空オーブンから取り出し、炭酸ガスレーザーを用いて、図８（Ｂ）に示すように、エポキシ樹脂材料２７２を貫通するビアホール２７１を形成した。次に、図８（Ｃ）に示すように、導体ペーストをスクリーン印刷によりビアホール２７１内に充填して、ビア導体２２２を形成した。
【００４６】次に、一方主面が粗面化された電解銅箔を準備し、図９（Ａ）に示すように、エポキシ樹脂材料２７２の上側主面と電解銅箔２２３ａの粗面とを合わせるようにして、エポキシ樹脂材料２７２に電解銅箔２２３ａを重ね、真空プレスにより１６０℃で６０分間圧着した。なお、この温度で、エポキシ樹脂材料２７２、およびビア導体２２２は熱硬化した。
【００４７】次に、図９（Ｂ）に示すように、樹脂層２２０（エポキシ樹脂材料２７２が熱硬化したもの）上に形成された電解銅箔２２３ａをフォトリソグラフィーによりエッチングし、表面導体２２３を形成した。
【００４８】次に、樹脂層２２０の表面導体２２３上に半田ペーストを塗布した。次に、図１０に示すように、水晶振動子が収納されたパッケージ２３０を樹脂層２２０上に搭載し、リフローにより半田ペーストを溶解させ、端子電極２３７と表面導体２２３とを接合させて、温度補償型水晶発振器２００ｂを作製した。なお、図１０R>０では、パッケージ２３０について詳細な図示を省略している。
【００４９】また、複数の樹脂層を形成する場合は、樹脂層２２０を一層目の樹脂層として、樹脂層２２０上にさらにエポキシ樹脂材料２７２を流し込んだ後、同様の工程を繰り返して二層目、三層目、・・・の樹脂層を形成すればよい。
【００５０】（実施例３）以下に、本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す。まず、実施例１と同様にして、ＢａＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣａＯからなるセラミックグリーンシートを作製し、これを第１のセラミックグリーンシートとした。次に、Ａｇからなる導体ペーストを、スクリーン印刷により第１のセラミックグリーンシート上に印刷し、第１のセラミックグリーンシートのビアホールに充填した。
【００５１】一方、Ａｌ2Ｏ3粉末に、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤を加えて混練し、セラミックスラリーを得た。次に、このセラミックスラリーを、ドクターブレード法によりシート状に成形してセラミックグリーンシートを作製し、これを第２のセラミックグリーンシートとした。次に、第２のセラミックグリーンシートの４隅にビアホールを形成し、Ａｇからなる導体ペーストを充填した。
【００５２】次に、図１１（Ａ）に示すように、第１のセラミックグリーンシート２７３および第２のセラミックグリーンシート２７４を積層し、圧着することにより、配線導体２１３ａ〜２１３ｃ、およびビア導体２１２、２２２が形成されたセラミック積層体２１０ａを作製した。なお、セラミック積層体２１０ａの最下層に配置された第１のセラミックグリーンシートの下側主面上には、ＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、分散剤からなる抵抗ペースト２１４が塗布されている。
【００５３】次に、セラミック積層体２１０ａを８００〜１０００℃の温度で５時間焼成した後、未焼結の第２のセラミックグリーンシート２７４を除去した。その結果、図１１（Ｂ）に示すように、上側主面上にビア導体２２２が突起したセラミック基板２１０が得られた。次に、図１１（Ｃ）に示すように、セラミック基板２１０の配線導体２１３ａ上にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、チップサーミスタ２２１ｃを搭載し、半田付けを行った。
【００５４】次に、実施例１と同様にして、図５（Ｂ）に示すように、主面上に表面導体２２３が形成された樹脂プリプレグシート２７０を作製した。次に、炭酸ガスレーザーを用いて、図５（Ｃ）に示すように、樹脂プリプレグシート２７０にビアホール２７１を形成した。
【００５５】次に、ビア導体２２２とビアホール２７１との位置を合わせながら、セラミック基板２１０上に樹脂層２２０を重ね、真空プレスにより１６０℃の温度で６０分間圧着した。このようにして、図６に示すように、樹脂プリプレグシート２７０にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、およびチップサーミスタ２２１ｃを埋没させるとともに、樹脂プリプレグシート２７０を熱硬化させて樹脂層２２０を形成した。次に、実施例１と同様にして、図７に示す温度補償型水晶発振器２００ａを作製した。
【００５６】なお、実施例２と同様にして、上側主面上にビア導体２２２が突起したセラミック基板２１０上に、エポキシ樹脂材料をコーターで流し込みむことにより、樹脂層２２０を形成してもよい。
【００５７】
【発明の効果】本発明に係る温度補償型水晶発振器においては、温度補償回路を構成する回路部品が樹脂層に埋設されているため、回路基板上面にキャビティを形成してキャビティ内に回路部品を実装する必要がない。
【００５８】したがって、キャビティ側壁の寸法や、キャビティ側壁と回路部品との間隔を考慮する必要がないため、設計上の規制が大幅に緩和され、より小型化しやすくなる。また、狭いキャビティ側壁ではなく、平坦な樹脂層上にパッケージ実装用電極を形成することができるため、パッケージと回路基板との固着強度が高い。
【００５９】また、パッケージの真下に位置する樹脂層に回路部品を埋設するため、温度補償型水晶発振器の面積をパッケージの面積と同程度にすることができる。
【００６０】また、セラミック基板上に形成された樹脂層は、回路部品を隙間なく埋設するとともに、セラミック基板との密着性も良好であるため、機械的強度に優れた温度補償型水晶発振器を提供することができる。さらに、樹脂層をエポキシ樹脂で構成することにより、耐候性に優れた温度補償型水晶発振器を提供することができる。
【００６１】また、セラミック基板を複数のセラミック層で構成し、セラミック層間に配線導体を形成することにより、多様な回路設計が可能となる。
【００６２】また、セラミック基板の下側主面上に形成された抵抗膜をレーザーなどでトリミングし、水晶振動子の温度周波数特性を微調整することにより、より安定した温度周波数特性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る温度補償型水晶発振器の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示す温度補償型水晶発振器の変形例を示す断面図である。
【図３】図１に示す温度補償型水晶発振器の等価回路を示す回路図である。
【図４】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図５】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図６】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図７】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図８】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す工程図である。
【図９】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す工程図である。
【図１０】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す工程図である。
【図１１】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す工程図である。
【図１２】従来の温度補償型水晶発振器を示す断面図である。
【図１３】従来の温度補償型水晶発振器を示す断面図である。
【符号の説明】
１００ 温度補償型水晶発振器
１１０ セラミック基板
１１１ セラミック層
１１２ ビア導体
１１３ａ〜１１３ｃ 配線導体
１１４ 抵抗膜
１２０ 樹脂層
１２１ａ〜１２１ｃ 回路部品
１２２ ビア導体
１２３ 表面導体
１３０ パッケージ
１３１ パッケージ本体
１３２ シールド板
１３３ 空間
１３４ 水晶振動子
１３５ 配線導体
１３６ ビア導体
１３７ 端子電極
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ：temperature compensated crystal oscillator）に関する。
【０００２】
【従来の技術】温度補償型水晶発振器は、携帯電話などの電子機器に広く用いられており、近年の電子機器の小型化にともない、温度補償型水晶発振器にも一層の小型化が求めれられている。図１２は、特開２００１−１７７０４４号公報に開示された温度補償型水晶発振器を示す断面図である。温度補償型水晶発振器３００は、パッケージ３１０とセラミック基板３２０とからなる。パッケージ３１０内部の空間には水晶振動子３１１が収納され、セラミック基板３２０上部には側壁３２１に囲まれたキャビティ３２２が形成され、その中に回路部品３２３が実装されている。また、セラミック基板３２０の下面には抵抗膜３２４が形成されており、抵抗膜３２４をレーザートリミングすることにより、水晶振動子３１１の温度周波数特性が微調整される。
【０００３】図１３は、特開２０００−１５１２８３号公報に開示された温度補償型水晶発振器を示す断面図である。温度補償型水晶発振器４００は、セラミック基板４２０とセラミック基板４２０上に実装された水晶振動子４１１とからなる。水晶振動子４１１は、セラミック基板４２０上面の周縁部に形成されたシールリング４１２、およびシールリング４１２に溶接された金属蓋４１３により覆われている。セラミック基板４２０下部には側壁４２１に囲まれたキャビティ４２２が形成され、その中に回路部品４２３が実装されるとともに、樹脂４２４が充填されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来の温度補償型水晶発振器では、以下の点から小型化に制約がある。まず、従来の温度補償型水晶発振器では、キャビティ内に回路部品を高精度に実装するために、キャビティ周囲の側壁と回路部品との間に一定の間隔を設ける必要がある。したがって、この間隔の分、温度補償型水晶発振器の面積が大きくなってしまう。
【０００５】また、従来の温度補償型水晶発振器を小型化しようとすると、キャビティ周囲の側壁の幅を小さくする必要がある。しかし、このように側壁の幅を小さくすると、側壁の機械的強度が低下してしまう。また、特開２００１−１７７０４４号公報のようにキャビティ上面にパッケージを実装する場合、側壁上に形成するパッケージ固着用の電極面積が十分に大きくとれなくなり、パッケージとセラミック基板の固着強度が低下してしまう。
【０００６】また、従来の温度補償型水晶発振器においては、セラミック基板内に立体的に回路を形成してキャビティ内に実装する回路部品を減らすことにより、温度補償型水晶発振器の面積を小さくしている。しかし、この場合、温度補償型水晶発振器を低背化することができない。
【０００７】本発明は、小型化が可能であり、かつ、機械的強度に優れた温度補償型水晶発振器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る温度補償型水晶発振器は、セラミック基板と、セラミック基板の上側主面上に形成された少なくとも１層の樹脂層と、樹脂層の上側主面上に搭載され、内部の空間に水晶振動子が収納されたパッケージと、からなり、セラミック基板の上側主面上には配線導体が形成され、樹脂層の内部には、配線導体と電気的に接続される回路部品が埋設されるとともに、配線導体と電気的に接続されるビア導体が形成され、樹脂層の上側主面上には、ビア導体と電気的に接続される表面導体が形成され、パッケージ下面には、水晶振動子および表面導体と電気的に接続される端子電極が形成されている、ことを特徴とする。
【０００９】また、上記セラミック基板は、複数のセラミック層が積層されてなり、セラミック層間に配線導体が形成されていることが好ましい。
【００１０】また、上記セラミック基板の下側主面上に抵抗膜が形成されていることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る温度補償型水晶発振器の一実施形態を示す断面図である。図１に示すように、温度補償型水晶発振器１００は、セラミック基板１１０と、セラミック基板１１０の上側主面上に形成された樹脂層１２０と、樹脂層１２０の上側主面上に搭載されたパッケージ１３０と、からなる。
【００１２】セラミック基板１１０は、複数のセラミック層１１１が積層されたものである。セラミック基板１１０内部には、セラミック層１１１の積層方向に延びるようにビア導体１１２が形成されている。また、セラミック基板１１０の上側主面上には、ビア導体１１２と電気的に接続された配線導体１１３ａが形成されている。また、セラミック基板１１０の内部には、ビア導体１１２と電気的に接続された配線導体１１３ｂが形成されている。配線導体１１３ｂは、セラミック層１１１を挟んで互いに対向するように形成されており、この対向部分でコンデンサを形成している。また、セラミック基板１１０の下側主面上には、配線導体１１３ｃおよび抵抗膜１１４が形成されている。
【００１３】セラミック基板１１０が複数のセラミック層１１１で構成されることにより、配線導体１１３ｂを形成したり、セラミック層１１１を挟んでコンデンサを形成することができる。したがって、セラミック基板１１０内部において多様な回路設計が可能となる。
【００１４】セラミック層１１１を構成する材料としては、例えば、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系などの絶縁体材料を用いることができる。また、ビア導体１１２および配線導体１１３ａ〜１１３ｃとしては、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどの金属を用いることができる。
【００１５】抵抗膜１１４は、パッケージ１３０に収納された水晶振動子１３４の温度周波数特性を微調整するためのものであり、後述する補正電圧発生回路を構成する回路要素の一つである。具体的には、抵抗膜１１４の一部をレーザーなどによりトリミングすることにより、水晶振動子１３４に入力される電圧を調整し、水晶振動子１３４の温度周波数特性を平坦化することができる。抵抗膜１１４は、例えば、ＲｕＯ2とガラスとの混合材料を含むペーストを焼き付けることにより形成される。
【００１６】樹脂層１２０内部には、配線導体１１３ａと電気的に接続される回路部品１２１ａ〜１２１ｃが埋設されるとともに、配線導体１１３ａと電気的に接続されるビア導体１２２が形成されている。また、樹脂層１２０の上側主面上には、ビア導体１２２と電気的に接続される表面導体１２３が形成されている。
【００１７】樹脂層１２０は、例えば、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを混合したものからなる。無機フィラーとしては、例えば、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2などを用いることができる。これらの無機フィラーを用いることにより、放熱性を向上させるとともに、樹脂層１２０の流動性、充填性を制御することができる。また、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などを用いることができる。中でも、エポキシ樹脂は、耐熱性、耐湿性に優れているため好ましい。
【００１８】なお、図２に示すように、樹脂層１２０が複数の樹脂層１２０ａ，１２０ｂにより構成され、樹脂層１２０ａ，１２０ｂ間に配線導体１２４が形成されていてもよい。これにより、樹脂層１２０内部において多様な回路設計が可能となる。
【００１９】図１、図２において、回路部品１２１ａ〜１２１ｃとしては、発振回路や補正電圧発生回路など、温度補償型水晶発振器１００に必要な回路を構成する。回路部品１２１ａ〜１２１ｃとしては、例えば、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの能動素子や、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップサーミスタなどの受動素子を用いることができる。能動素子を配線導体１１３ａ上に実装する方法としては、例えば、能動素子の端子電極上に金や半田のバンプを形成し、超音波ボンディングを行う方法などが挙げられる。また、受動素子を配線導体１１３ａ上に実装する方法としては、導電性接着剤による接着や半田付けなどが挙げられる。なお、回路部品１２１ａ〜１２１ｃの端子電極については図示を省略している。
【００２０】ビア導体１２２としては、例えば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉなどを用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などを用いることができる。
【００２１】表面導体１２３としては、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどの金属を用いることができる。
【００２２】パッケージ１３０は、上面が開口したパッケージ本体１３１と、パッケージ本体１３１の上面を被覆する金属製のシールド板１３２とからなる。また、パッケージ本体１３１とシールド板１３２とにより形成される空間１３３には、水晶振動子１３４が振動可能な状態で収納されている。また、水晶振動子１３４は、配線導体１３５およびビア導体１３６を介して，パッケージ本体１３１表面に形成された端子電極１３７と電気的に接続されている。
【００２３】パッケージ本体１３１としては、例えば、セラミックなどの無機材料を用いることができる。また、シールド板１３２としては、例えば、コバールや４２アロイなどの金属材料を用いることができる。また、水晶振動子１３４は、用途に応じて適当な発振周波数のものが用いられる。また、配線導体１３５、ビア導体１３６、および端子電極１３７としては、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどの金属を用いることができる。
【００２４】図３は、温度補償型水晶発振器１００の等価回路を示す回路図である。この回路は、発振回路１４０、補正電圧発生回路１５０、および緩衝増幅回路１６０からなる。
【００２５】発振回路１４０は、水晶振動子１３４、ベース−エミッタ間をコンデンサ１４１ａでつながれたトランジスタ１４２、抵抗１４３ａ〜１４３ｄ、コンデンサ１４１ｂなどにより構成された、コレクタ接地のコルピッツ形発振回路である。
【００２６】発振回路１４０では、抵抗１４３ａおよびコンデンサ１４１ｃによって電源電圧Ｖｃｃの直流成分がトランジスタ１４２のコレクタに印加され、トランジスタ１４２のエミッタが抵抗１４３ｂを介してグランドに接続され、抵抗１４３ｃ，１４３ｄによって電源電圧Ｖｃｃが分圧され、トランジスタ１４２のベースに印加されている。
【００２７】また、発振回路１４０では、グランドから水晶振動子１３４の端子電極に向けて可変容量ダイオード１４４を接続しており、抵抗１４３ｅを介して補正電圧発生回路１５０の出力電圧を水晶振動子１３４へ入力させている。
【００２８】補正電圧回路１５０は、周囲の温度変化に応じて水晶振動子１３４に印加する出力電圧の特性を変化させることにより、水晶振動子１３４の温度周波数特性を打ち消して周波数を安定させるものであり、抵抗、ＮＴＣサーミスタ（いずれも図示せず）などで構成されている。
【００２９】緩衝増幅回路１６０は、コンデンサ１６１、トランジスタ１６２、抵抗１６３ａ〜１６３ｄなどにより構成されている。緩衝増幅回路１６０では、抵抗１６３ａを介して電源電圧Ｖｃｃがトランジスタ１６２のコレクタに入力され、抵抗１６３ｂおよびコンデンサ１６１を介してトランジスタ１６２のエミッタがグランドに接続され、抵抗１６３ｃ，１６３ｄによって電源電圧Ｖｃｃが分圧され、トランジスタ１６２のベースに印加されている。
【００３０】温度補償型水晶発振器１００においては、発振回路１４０で水晶振動子１３４を発振させ、水晶振動子１３４の付加容量を可変容量ダイオード１４４に印加する電圧で制御することにより、発振周波数を制御することが可能になる。発振出力は、トランジスタ１４２のエミッタにより取り出され、緩衝増幅回路１６０で増幅されてトランジスタ１６２のコレクタから出力される。また、出力周波数の温度による変動は、補正電圧発生回路１５０により補正される。
【００３１】
【実施例】（実施例１）以下に、本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す。まず、出発原料として、ＢａＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣａＯを準備し、各出発原料を所定量秤量し、混合した。次に、得られた混合物を１３００℃で２時間仮焼し、得られた仮焼物を粉砕して仮焼粉末を得た。
【００３２】次に、この仮焼粉末に、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤を加えて混練し、セラミックスラリーを得た。次に、このセラミックスラリーを、ドクターブレード法によりシート状に形成し、セラミックグリーンシートを得た。次に、セラミックグリーンシートの所定の位置にビアホールを形成した。
【００３３】次に、Ａｇ粉末、適当量のバインダ、ガラス粉末、分散剤からなる導体ペーストを作製し、この導体ペーストを、スクリーン印刷によりセラミックグリーンシート上に印刷し、セラミックグリーンシートのビアホールに充填した。
【００３４】次に、セラミックグリーンシートを複数枚積層し、圧着することによりセラミック積層体を作製した。次に、セラミック積層体を８００〜１０００℃の温度で５時間焼成し、図４（Ａ）に示すように、複数のセラミック層２１１からなり、ビア導体２１２および配線導体２１３ａ〜２１３ｂが形成されたセラミック基板２１０を得た。
【００３５】なお、セラミック基板の製造方法については上述の限りではなく、その他公知の製造方法を用いてもよい。
【００３６】次に、図４（Ｂ）に示すように、セラミック基板２１０の下側主面上に、ＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、分散剤からなる抵抗ペーストを塗布し、焼き付けて抵抗膜２１４を形成した。その後、図４（Ｂ）に示すように、セラミック基板２１０の配線導体２１３ａ上にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、チップサーミスタ２２１ｃを搭載し、半田付けを行った。
【００３７】次に、図５（Ａ）に示すように、一方主面上に銅箔が形成されたエポキシ樹脂プリプレグシートを作製した。次に、樹脂プリプレグシート上に形成された銅箔をフォトリソグラフィーによりエッチングし、図５（Ｂ）に示すように、主面上に表面導体２２３が形成された樹脂プリプレグシート２７０を作製した。
【００３８】次に、炭酸ガスレーザーを用いて、図５（Ｃ）に示すように、樹脂プリプレグシート２７０にビアホール２７１を形成した。次に、図５（Ｄ）に示すように、導体ペーストをスクリーン印刷によりビアホール２７１内に充填して、ビア導体２２２を形成した。
【００３９】次に、図６に示すように、樹脂プリプレグシート２７０をセラミック基板２１０上に重ね、真空プレスにより１６０℃の温度で６０分間圧着した。このようにして、樹脂プリプレグシート２７０にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、およびチップサーミスタ２２１ｃを埋没させるとともに、樹脂プリプレグシート２７０およびビア導体２２２を熱硬化させた。
【００４０】次に、表面導体２２３上に半田ペーストを塗布し、図７に示すように、水晶振動子が収納されたパッケージ２３０を樹脂層２２０（樹脂プリプレグシート２７０が熱硬化したもの）上に搭載した。次に、リフローにより半田ペーストを溶解させ、端子電極２３７と表面導体２２３とを接合させて、温度補償型水晶発振器２００ａを作製した。なお、図７では、パッケージ２３０について詳細な図示を省略している。
【００４１】また、複数の樹脂層を形成する場合は、樹脂層２２０を一層目の樹脂層として、樹脂層２２０上にさらに樹脂プリプレグシート２７０を積層し、同様の工程を繰り返して二層目、三層目、・・・の樹脂層を形成すればよい。
【００４２】（実施例２）以下に、本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す。まず、実施例１と同様にして、図４（Ａ）に示すセラミック基板２１０を作製した。次に、図４（Ｂ）に示すように、セラミック基板２１０の下側主面上に、ＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、分散剤からなる抵抗ペーストを塗布して焼き付け、抵抗膜２１４を形成した。その後、図４（Ｂ）に示すように、セラミック基板２１０の配線導体２１３ａ上にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、チップサーミスタ２２１ｃを搭載し、半田付けを行った。
【００４３】次に、図８（Ａ）に示すように、セラミック基板２１０上にエポキシ樹脂材料２７２をコーターで流し込み、チップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、チップサーミスタ２２１ｃを覆った。
【００４４】次に、エポキシ樹脂材料２７２でコートされたセラミック基板２１０を真空オーブンに入れ１００℃で１０分間加熱し、エポキシ樹脂材料２７２をチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、およびチップサーミスタ２２１ｃの下面に回り込ませた。これにより、上側主面上にエポキシ樹脂材料２７２が形成されたセラミック基板２１０を作製した。なお、この温度では、エポキシ樹脂材料２７２は完全には熱硬化せず、半硬化の状態である。
【００４５】次に、セラミック基板２１０を真空オーブンから取り出し、炭酸ガスレーザーを用いて、図８（Ｂ）に示すように、エポキシ樹脂材料２７２を貫通するビアホール２７１を形成した。次に、図８（Ｃ）に示すように、導体ペーストをスクリーン印刷によりビアホール２７１内に充填して、ビア導体２２２を形成した。
【００４６】次に、一方主面が粗面化された電解銅箔を準備し、図９（Ａ）に示すように、エポキシ樹脂材料２７２の上側主面と電解銅箔２２３ａの粗面とを合わせるようにして、エポキシ樹脂材料２７２に電解銅箔２２３ａを重ね、真空プレスにより１６０℃で６０分間圧着した。なお、この温度で、エポキシ樹脂材料２７２、およびビア導体２２２は熱硬化した。
【００４７】次に、図９（Ｂ）に示すように、樹脂層２２０（エポキシ樹脂材料２７２が熱硬化したもの）上に形成された電解銅箔２２３ａをフォトリソグラフィーによりエッチングし、表面導体２２３を形成した。
【００４８】次に、樹脂層２２０の表面導体２２３上に半田ペーストを塗布した。次に、図１０に示すように、水晶振動子が収納されたパッケージ２３０を樹脂層２２０上に搭載し、リフローにより半田ペーストを溶解させ、端子電極２３７と表面導体２２３とを接合させて、温度補償型水晶発振器２００ｂを作製した。なお、図１０R>０では、パッケージ２３０について詳細な図示を省略している。
【００４９】また、複数の樹脂層を形成する場合は、樹脂層２２０を一層目の樹脂層として、樹脂層２２０上にさらにエポキシ樹脂材料２７２を流し込んだ後、同様の工程を繰り返して二層目、三層目、・・・の樹脂層を形成すればよい。
【００５０】（実施例３）以下に、本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す。まず、実施例１と同様にして、ＢａＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣａＯからなるセラミックグリーンシートを作製し、これを第１のセラミックグリーンシートとした。次に、Ａｇからなる導体ペーストを、スクリーン印刷により第１のセラミックグリーンシート上に印刷し、第１のセラミックグリーンシートのビアホールに充填した。
【００５１】一方、Ａｌ2Ｏ3粉末に、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤を加えて混練し、セラミックスラリーを得た。次に、このセラミックスラリーを、ドクターブレード法によりシート状に成形してセラミックグリーンシートを作製し、これを第２のセラミックグリーンシートとした。次に、第２のセラミックグリーンシートの４隅にビアホールを形成し、Ａｇからなる導体ペーストを充填した。
【００５２】次に、図１１（Ａ）に示すように、第１のセラミックグリーンシート２７３および第２のセラミックグリーンシート２７４を積層し、圧着することにより、配線導体２１３ａ〜２１３ｃ、およびビア導体２１２、２２２が形成されたセラミック積層体２１０ａを作製した。なお、セラミック積層体２１０ａの最下層に配置された第１のセラミックグリーンシートの下側主面上には、ＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、分散剤からなる抵抗ペースト２１４が塗布されている。
【００５３】次に、セラミック積層体２１０ａを８００〜１０００℃の温度で５時間焼成した後、未焼結の第２のセラミックグリーンシート２７４を除去した。その結果、図１１（Ｂ）に示すように、上側主面上にビア導体２２２が突起したセラミック基板２１０が得られた。次に、図１１（Ｃ）に示すように、セラミック基板２１０の配線導体２１３ａ上にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、チップサーミスタ２２１ｃを搭載し、半田付けを行った。
【００５４】次に、実施例１と同様にして、図５（Ｂ）に示すように、主面上に表面導体２２３が形成された樹脂プリプレグシート２７０を作製した。次に、炭酸ガスレーザーを用いて、図５（Ｃ）に示すように、樹脂プリプレグシート２７０にビアホール２７１を形成した。
【００５５】次に、ビア導体２２２とビアホール２７１との位置を合わせながら、セラミック基板２１０上に樹脂層２２０を重ね、真空プレスにより１６０℃の温度で６０分間圧着した。このようにして、図６に示すように、樹脂プリプレグシート２７０にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、およびチップサーミスタ２２１ｃを埋没させるとともに、樹脂プリプレグシート２７０を熱硬化させて樹脂層２２０を形成した。次に、実施例１と同様にして、図７に示す温度補償型水晶発振器２００ａを作製した。
【００５６】なお、実施例２と同様にして、上側主面上にビア導体２２２が突起したセラミック基板２１０上に、エポキシ樹脂材料をコーターで流し込みむことにより、樹脂層２２０を形成してもよい。
【００５７】
【発明の効果】本発明に係る温度補償型水晶発振器においては、温度補償回路を構成する回路部品が樹脂層に埋設されているため、回路基板上面にキャビティを形成してキャビティ内に回路部品を実装する必要がない。
【００５８】したがって、キャビティ側壁の寸法や、キャビティ側壁と回路部品との間隔を考慮する必要がないため、設計上の規制が大幅に緩和され、より小型化しやすくなる。また、狭いキャビティ側壁ではなく、平坦な樹脂層上にパッケージ実装用電極を形成することができるため、パッケージと回路基板との固着強度が高い。
【００５９】また、パッケージの真下に位置する樹脂層に回路部品を埋設するため、温度補償型水晶発振器の面積をパッケージの面積と同程度にすることができる。
【００６０】また、セラミック基板上に形成された樹脂層は、回路部品を隙間なく埋設するとともに、セラミック基板との密着性も良好であるため、機械的強度に優れた温度補償型水晶発振器を提供することができる。さらに、樹脂層をエポキシ樹脂で構成することにより、耐候性に優れた温度補償型水晶発振器を提供することができる。
【００６１】また、セラミック基板を複数のセラミック層で構成し、セラミック層間に配線導体を形成することにより、多様な回路設計が可能となる。
【００６２】また、セラミック基板の下側主面上に形成された抵抗膜をレーザーなどでトリミングし、水晶振動子の温度周波数特性を微調整することにより、より安定した温度周波数特性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る温度補償型水晶発振器の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示す温度補償型水晶発振器の変形例を示す断面図である。
【図３】図１に示す温度補償型水晶発振器の等価回路を示す回路図である。
【図４】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図５】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図６】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図７】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図８】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す工程図である。
【図９】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す工程図である。
【図１０】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す工程図である。
【図１１】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す工程図である。
【図１２】従来の温度補償型水晶発振器を示す断面図である。
【図１３】従来の温度補償型水晶発振器を示す断面図である。
【符号の説明】
１００ 温度補償型水晶発振器
１１０ セラミック基板
１１１ セラミック層
１１２ ビア導体
１１３ａ〜１１３ｃ 配線導体
１１４ 抵抗膜
１２０ 樹脂層
１２１ａ〜１２１ｃ 回路部品
１２２ ビア導体
１２３ 表面導体
１３０ パッケージ
１３１ パッケージ本体
１３２ シールド板
１３３ 空間
１３４ 水晶振動子
１３５ 配線導体
１３６ ビア導体
１３７ 端子電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】 セラミック基板と、前記セラミック基板の上側主面上に形成された少なくとも１層の樹脂層と、前記樹脂層の上側主面上に搭載され、内部の空間に水晶振動子が収納されたパッケージと、からなり、前記セラミック基板の上側主面上には配線導体が形成され、前記樹脂層の内部には、前記配線導体と電気的に接続される回路部品が埋設されるとともに、前記配線導体と電気的に接続されるビア導体が形成され、前記樹脂層の上側主面上には、前記ビア導体と電気的に接続される表面導体が形成され、前記パッケージ下面には、前記水晶振動子および前記表面導体と電気的に接続される端子電極が形成されている、ことを特徴とする温度補償型水晶発振器。
【請求項２】 前記セラミック基板は、複数のセラミック層が積層されてなり、前記セラミック層間に配線導体が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の温度補償型水晶発振器。
【請求項３】 前記セラミック基板の下側主面上に抵抗膜が形成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の温度補償型水晶発振器。
【請求項１】 セラミック基板と、前記セラミック基板の上側主面上に形成された少なくとも１層の樹脂層と、前記樹脂層の上側主面上に搭載され、内部の空間に水晶振動子が収納されたパッケージと、からなり、前記セラミック基板の上側主面上には配線導体が形成され、前記樹脂層の内部には、前記配線導体と電気的に接続される回路部品が埋設されるとともに、前記配線導体と電気的に接続されるビア導体が形成され、前記樹脂層の上側主面上には、前記ビア導体と電気的に接続される表面導体が形成され、前記パッケージ下面には、前記水晶振動子および前記表面導体と電気的に接続される端子電極が形成されている、ことを特徴とする温度補償型水晶発振器。
【請求項２】 前記セラミック基板は、複数のセラミック層が積層されてなり、前記セラミック層間に配線導体が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の温度補償型水晶発振器。
【請求項３】 前記セラミック基板の下側主面上に抵抗膜が形成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の温度補償型水晶発振器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図７】
【図５】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１２】
【図１１】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図７】
【図５】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１２】
【図１１】
【図１３】
【公開番号】特開２００３−３４７８４６（Ｐ２００３−３４７８４６Ａ）
【公開日】平成１５年１２月５日（２００３．１２．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００２−１４８２０３（Ｐ２００２−１４８２０３）
【出願日】平成１４年５月２２日（２００２．５．２２）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１５年１２月５日（２００３．１２．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１４年５月２２日（２００２．５．２２）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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