磁気記録媒体の製造方法
【課題】磁気記録媒体の製造方法において良好なパターン転写が可能な紫外線硬化性樹脂材料を得る。
【解決手段】イソボルニルアクリレート、フルオレン骨格を有するアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有するパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を含む塗布層を介して貼り合わせ、該未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射することにより、硬化せしめ、該樹脂スタンパを剥離して、前記磁気記録層の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層をマスクとしてドライエッチングを行い、磁気記録層表面に、凹凸パターンを形成する。
【解決手段】イソボルニルアクリレート、フルオレン骨格を有するアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有するパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を含む塗布層を介して貼り合わせ、該未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射することにより、硬化せしめ、該樹脂スタンパを剥離して、前記磁気記録層の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層をマスクとしてドライエッチングを行い、磁気記録層表面に、凹凸パターンを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録層表面にディスクリートトラックを有する磁気記録媒体の製造方法に係り、特に、ディスクリートトラック形状を転写する際にレジストとして使用される紫外線硬化性樹脂材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な分野において、さらなる高密度化や高精度化のためにナノインプリント技術が注目されている。
【０００３】
例えば、半導体や光学素子、磁気記録媒体などへの応用が検討されている。
【０００４】
磁気記録媒体では、更なる高密度化に対応するために、隣接する記録トラックを溝または非磁性材料からなるガードバンドで分離し、隣接トラック間の磁気的干渉を低減するようにしたディスクリートトラック媒体が注目されている。
【０００５】
このようなディスクリートトラック媒体を製造する際に、スタンパを用いてナノインプリント技術を応用し、磁性層のディスクリートトラックパターンを形成することができる。インプリント法によって記録トラックのパターンとともにサーボ領域の信号に相当する磁性層のパターンも形成すれば、従来の磁気記録媒体の製造時に必要とされるサーボトラックを描画する工程をなくすことが可能となるので、コスト低減にもつながる。
【０００６】
このようなディスクリートトラックパターンを形成するプロセスとして、例えばＮｉスタンパーから、例えば高圧インプリント法または熱インプリント法によりレジストパターンを転写して製造するプロセスを用いることができる（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、このプロセスでは、Ｎｉスタンパーの寿命が短く大量生産には適していない。また、高データ密度化されトラックが微細になった際にはレジストパターンの転写が上手くいかなかった。
【０００７】
このようなことから、その他のナノインプリント技術として、光ナノインプリント法を用いることが注目されている。
【０００８】
光ナノインプリント法を用いてディスクリートトラック媒体上のレジストにパターンを転写するには、まず、Ｎｉスタンパー（マザースタンパー）から射出成形により樹脂スタンパーを複製し、その樹脂スタンパーと、レジストとして使用される未硬化の紫外線硬化性樹脂層とを真空貼り合わせに供する。この方法がコスト低減可能で、微細化にも適していることがわかった。
【０００９】
ここで、上記ディスクリートトラック媒体に転写するための紫外線硬化性樹脂に求められる特性としては、媒体上への塗布性、粘度、硬化性、樹脂スタンパーからの剥離性、及び硬化収縮性に加えて、転写したパターンを加工するためのエッチング耐性があげられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−１８６５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、磁気記録媒体の製造方法において良好なパターン転写を行うことが可能なパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、真空下で、データ領域、サーボ領域を含む磁気記録媒体の磁気記録層表面と、樹脂スタンパの凹凸パターン面とを、イソボルニルアクリレート、フルオレン骨格を有するアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有する未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層を介して貼り合わせ、
該未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
該樹脂スタンパを剥離して、前記磁気記録媒体の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、
硬化された紫外線硬化性樹脂材料層をマスクとしてドライエッチングを行い、磁気記録層表面に、凹凸パターンを形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明を用いると、磁気記録媒体の製造方法において良好なパターン転写を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に用いられるパターン転写方法を表す図である。
【図２】磁気記録媒体を記録再生する磁気記録再生装置を表す図である。
【図３】ディスクリート型磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明に係るパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、下記式（１）で表されるフルオレン骨格を有するアクリレートと、下記式（２）で表されるイソボルニルアクリレートと、多官能アクリレートと、重合開始剤とを含有する。
【化１】
【００１６】
Ｒ１，Ｒ２は、それぞれ−Ｈ，−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２，−ＣＨ２−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２，−Ｃ２Ｈ４−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２，−Ｃ３Ｈ６−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２，−Ｃ４Ｈ８−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２のいずれかである。
【化２】
【００１７】
【化３】
【００１８】
【化４】
【００１９】
【化５】
【００２０】
【化６】
【００２１】
【化７】
【００２２】
【化８】
【００２３】
【化９】
【００２４】
【化１０】
【００２５】
【化１１】
【００２６】
などを置換することができる。
【００２７】
また、Ｒ３，Ｒ４には、Ｈ，−ＣＨ３，−Ｃ２Ｈ５，−Ｃ３Ｈ７，−Ｃ４Ｈ９，−Ｃｌ，−Ｆ，−Ｂｒ，−ＮＨ２，−ＯＨ，−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２などを置換することができる。
【００２８】
特に９，９’−ビスフェニルフルオレンアクリレートや９，９’−ビスフェニルフルオレンＥＯ変性アクリレート、９，９’−ビス（３−メチルフェニル）フルオレンアクリレートはエッチング耐性の点から好ましい。
【００２９】
本発明によれば、フルオレン骨格を有するアクリレート、イソボルニルアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有するパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を用いることにより、紫外線による硬化性、及び硬化後の剥離性を損なうことなく、エッチング耐性を向上することが出来る。このため、このパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を用いると、スタンパから精度の良いパターン転写を行うことが出来る。
【００３０】
フルオレン骨格を有するアクリレートを用いると、エッチング耐性が向上する。
【００３１】
また、イソボルニルアクリレートは、９ＣＰと比較的低粘度で、ガラス転移点Ｔｇが比較的高い。また、脂環式構造を有することから、耐エッチング性が高い。このイソボルニルアクリレートと重合開始剤の二成分からなる材料をパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料として使用した場合、硬化後の膜の硬さが不十分であった。また、単官能モノマー、２官能モノマーとイソボルニルアクリレートの組み合わせでも同様であり、３官能モノマーとの組み合わせで耐エッチング性が良好なまま、硬化後の膜の硬さも十分となった。３官能モノマーより大きい多官能モノマーの場合、粘度が高い傾向がある。
【００３２】
また、イソボルニルアクリレートは脂環式構造を有し、ガラス転移温度Tgも高いためエッチング耐性が良好である。しかしながら、硬化後の硬度が高く硬くなりやすい、表面張力が高くないなどにより樹脂スタンパーからの剥離性が良好となりにくい傾向がある。
【００３３】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、真空下で、データ領域、サーボ領域を含む磁気記録媒体の磁気記録層表面と、樹脂スタンパの凹凸パターン面とを、未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層を介して貼り合わせ、
未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
樹脂スタンパを剥離して、前記磁気記録媒体の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、
硬化された紫外線硬化性樹脂材料層をマスクとしてドライエッチングを行い、磁気記録層表面に、凹凸パターンを形成する方法であって、
パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料がフルオレン骨格を有するアクリレート、イソボルニルアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有する。
【００３４】
本発明のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料には、必要に応じて上記アクリレート及び重合開始剤の他に、接着剤などの添加物を３重量％以下で混合することができる。
【００３５】
本発明のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、２５℃で９ないし１５ｃｐの粘度を有することが好ましい。
【００３６】
モノマー、オリゴマー、重合開始剤から構成され、溶媒を含まない紫外線硬化性樹脂材料を使用すると、ドライエッチング加工時のＡｒミリングでのエッチング率が高く、ドライエッチング加工後に溝幅が広がってしまい、細い溝幅の形成が難しくなる傾向がある。
【００３７】
また、ドライエッチング耐性が悪化する原因は分子量の大きいオリゴマーであると考えられる。
【００３８】
このため、本発明に係る紫外線硬化性樹脂材料においては、所定の複数種類のモノマーと重合開始剤から構成され、オリゴマー及び溶媒を含まない紫外線硬化性樹脂材料の使用を検討した。
【００３９】
また、本発明に係る紫外線硬化性樹脂材料はラジカル重合系材料とし、モノマーがメタクリレートであると光重合反応が遅いため、本発明ではアクリレートを使用する。
【００４０】
それぞれの含有量はイソボルニルアクリレートが１０重量％以上６２重量％以下、フルオレン骨格を有するアクリレートが１０重量％以上５０重量％以下、多官能アクリレートが１０以上４４重量％以下、重合開始剤が０．１重量％以上６重量％以下である。
【００４１】
このような含有量である紫外線硬化性樹脂は、その粘度、剥離性、硬化性、塗布膜の膜厚、及びエッチングレートがより良好となる。
【００４２】
本発明に使用される多官能アクリレートとしては２官能、３官能、４官能以上のものがある。
【００４３】
２官能アクリレートとしては、例えば
1,3-ブチレングリコールジアクリレート
1，4−ブタンジオールジアクリレート
ジエチレングリコールジアクリレート
1,６−ヘキサンジオールジアクリレート
ネオペンチルグリコールジアクリレート
ポリエチレングリコール（２００）ジアクリレート
テトラエチレングリコールジアクリレート
トリエチレングリコールジアクリレート
トリプロピレングリコールジアクリレート
ポリエチレングリコール（４００）ジアクリレート
エトキシ化（３）ビスフェノールＡジアクリレート
シクロヘキサンジメタノールジアクリレート
ジプロピレングリコールジアクリレート
アクリレートエステル（ジオキサングリコールジアクリレート）
アルコキシ化ヘキサンジオールジアクリレート
アルコキシ化シクロヘキサンジメタノールジアクリレート
エトキシ化（４）ビスフェノールＡジアクリレート
エトキシ化（１０）ビスフェノールＡジアクリレート
ポリエチレングリコール（６００）ジアクリレート
トリシクロデカンジメタノールジアクリレート
プロポキシ化（２）ネオペンチルグリコールジアクリレート
エトキシ化（３０）ビスフェノールＡジアクリレート
アルコキシ化ネオペンチルグリコールジアクリレート
などが挙げられる。
【００４４】
３官能アクリレートとしては、たとえば
トリメチロールプロパントリアクリレート
トリメチロールプロパンPO変性トリアクリレート
（ＰＯ（プロポキシ基）の数：２，３，４，６）
トリメチロールプロパンＥＯ変性トリアクリレート
（ＥＯ（エトキシ基）の数：３，６，９，１５，２０）
トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート
ペンタエリスリトールトリアクリレート
ペンタエリスリトールＥＯ変性トリアクリレート
ＥＯ変性グリセリントリアクリレート
プロポキシ化（３）グリセリルトリアクリレート
高プロポキシ化（５．５）グリセリルトリアクリレート
トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート
ε−カプロラクトン変性トリス（アクロキシエチル）イソシアヌレート
を用いることができる。
【００４５】
４官能以上のアクリレートとしては、例えば
トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート
ペンタエリスリトールテトラアクリレート
ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート
エトキシ化（４）ペンタエリスリトールテトラアクリレート
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート
などを用いることができる。
【００４６】
また、多官能のオリゴマーも使用可能である。
【００４７】
オリゴマーには、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシアクリレートオリゴマー、ポリエステルアクリレートオリゴマーなどがあり、どれも使用することができるが、特に芳香族の含まれるアクリレートオリゴマーがエッチング耐性から良好であり、中でも芳香族ウレタンアクリレートオリゴマーは剥離性、エッチング耐性、相溶性の点から特に良好である。また、オリゴマーの中にＳｉやＦなどが入っていてもよく、特にＳｉが入っているものは離型剤としての役割もあり、好適である。
【００４８】
本発明に係る紫外線硬化性樹脂材料には、さらにアダマンタン骨格を有するアクリレートを添加することができる。
【００４９】
本発明に使用可能なアダマンタン骨格を有するアクリレートとしては、
２−メチル−２−アダマンチルアクリレート
２−エチル−２−アダマンチルアクリレート
３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート
１−アダマンチルアクリレート
２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート
２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート
３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート
１−アダマンチルメタクリレート
１，３−アダマンタンジオールジアクリレート
１，３−アダマンタンジメタノールジアクリレート
などが挙げられる。
【００５０】
特に、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート
２−エチル−２−アダマンチルアクリレート
１−アダマンチルアクリレート
は、好適である。
【００５１】
アダマンタン骨格を有するアクリレートは、発明のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料に０ないし４０重量％
本発明に使用される重合開始剤としては、
アルキルフェノン系光重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系重合開始剤、チタノセン系重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、オキシムエステル酢酸エステル系光重合開始剤などがあげられる。
【００５２】
上記重合開始剤の具体的な例として、
２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１）
１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルーケトン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４）
２−ヒドロキシー２−メチルー１−フェニループロパン−１−オン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３）
その他、ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９５９， ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７， ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７， ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９， ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９， ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ， ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９， ＩＲＧＡＣＵＲＥ７８４， ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０１， ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０２， ＩＲＧＡＣＵＲＥ７５４（すべてチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
が挙げられる。
【００５３】
重合開始剤は、ＵＶ照射に用いるランプの波長によって最適なものを選ぶことができる。
【００５４】
ＵＶ照射に用いるランプとしては、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンフラッシュランプなどを使用することができる。
【００５５】
以下、図面を参照し、本発明に用いられるパターン転写方法を図１（ａ）〜（ｄ）を参照して概略的に説明する。
【００５６】
これらの図は媒体基板の片面にパターンを転写する場合を示している。図１（ａ）に示すように、スピナー４１に媒体基板５１を設置する。図１（ｂ）に示すように、スピナー４１とともに媒体基板５１をスピンさせながら、ディスペンサー４２から本発明に係る紫外線硬化性樹脂（２Ｐ樹脂）を滴下してスピン塗布する。図１（ｃ）に示すように、真空チャンバー８１内において、真空下で、磁気記録媒体５１の片面と透明スタンパ７１のパターン面とを２Ｐ樹脂層（図示せず）を介して貼り合わせる。図１（ｄ）に示すように、大気圧下でＵＶ光源４３から透明スタンパ７１を通してＵＶを照射して２Ｐ樹脂層を硬化させる。図１（ｄ）の後に、透明スタンパ７１を剥離する。
【００５７】
本発明に使用可能な磁気ディスク基板としては、たとえばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、およびこれらの基板の表面にＮｉＰ層を形成したものなどを用いることができる。ガラス基板には、アモルファスガラスまたは結晶化ガラスを用いることができる。アモルファスガラスとしては、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスなどがある。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスなどがある。セラミック基板としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの焼結体を繊維強化したものなどを用いることができる。基板の表面にＮｉＰ層を形成するには、メッキやスパッタリングが用いられる。
【００５８】
垂直磁気記録媒体を作製する場合には、基板上に軟磁性下地層（ＳＵＬ）介して垂直磁気記録層を設けたいわゆる垂直二層媒体とすることができる。垂直二層媒体の軟磁性下地層は、記録磁極からの記録磁界を通過させ、記録磁極の近傍に配置されたリターンヨークへ記録磁界を還流させるために設けられている。すなわち、軟磁性下地層は記録ヘッドの機能の一部を担っており、記録層に急峻な垂直磁界を印加して、記録効率を向上させる役目を果たす。
【００５９】
本発明に使用可能な軟磁性下地層としては、例えばＦｅ、ＮｉおよびＣｏのうち少なくとも１種を含む高透磁率材料が挙げられる。このような材料として、ＦｅＣｏ系合金たとえばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金たとえばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系およびＦｅＳｉ系合金たとえばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金たとえばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金たとえばＦｅＺｒＮなどが挙げられる。
【００６０】
軟磁性下地層として、Ｆｅを６０原子％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮなどの微結晶構造、または微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることもできる。
【００６１】
軟磁性下地層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、ＴｉおよびＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることもできる。Ｃｏは、好ましくは８０原子％以上含まれる。このようなＣｏ合金をスパッタリングにより成膜した場合にはアモルファス層が形成されやすい。アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、アモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、たとえばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。
【００６２】
軟磁性下地層の下に、軟磁性下地層の結晶性の向上あるいは基板との密着性の向上のためにさらに下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、もしくはこれらを含む合金、またはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。
【００６３】
軟磁性下地層と垂直磁気記録層との間に、非磁性体からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性下地層と記録層との交換結合相互作用を遮断すること、および記録層の結晶性を制御することである。中間層材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、もしくはこれらを含む合金、またはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。
【００６４】
スパイクノイズ防止のために軟磁性下地層を複数の層に分け、厚さ０．５〜１．５ｎｍのＲｕを挟んで反強磁性結合させることができる。また、軟磁性層と、ＣｏＣｒＰｔ、ＳｍＣｏ、ＦｅＰｔなどの面内異方性を持った硬磁性膜またはＩｒＭｎ、ＰｔＭｎなどの反強磁性体からなるピニング層とを交換結合させることができる。この場合、交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の上下に、磁性層たとえばＣｏ、または非磁性層たとえばＰｔを積層することができる。
【００６５】
本発明に使用可能な垂直磁気記録層には、たとえば、Ｃｏを主成分とし、少なくともＰｔを含み、必要に応じてＣｒを含み、さらに酸化物（たとえば酸化シリコン、酸化チタン）を含む材料が用いることができる。垂直磁気記録層中では、磁性結晶粒子が柱状構造をなしていることが好ましい。このような構造を有する垂直磁気記録層では、磁性結晶粒子の配向性および結晶性が良好であり、結果として高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を得ることができる。上記のような構造を得るためには、酸化物の量が重要になる。酸化物の含有量は、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下にすることができる、さらには、５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下にすることができる。垂直磁気記録層中の酸化物の含有量が上記の範囲であれば、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子を孤立化および微細化させることができる。酸化物の含有量が上記範囲を超える場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造が形成されない傾向がある。一方、酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の孤立化および微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られない傾向がある。
【００６６】
垂直磁気記録層のＰｔの含有量は、１０原子％以上２５原子％以下にすることができる。Ｐｔ含有量が上記範囲であると、垂直磁気記録層に必要な一軸磁気異方性定数Ｋｕが得られ、さらに磁性粒子の結晶性、配向性が良好になり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ特性、記録再生特性が得られる。Ｐｔ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性、配向性が損なわれるおそれがある。一方、Ｐｔ含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適したＫｕしたがって熱揺らぎ特性が得られない傾向がある。
【００６７】
垂直磁気記録層のＣｒの含有量は、０原子％以上１６原子％以下が好ましく、１０原子％以上１４原子％以下がより好ましい。Ｃｒ含有量が上記範囲であると、磁性粒子の一軸磁気異方性定数Ｋｕを下げることなく高い磁化を維持でき、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られる。Ｃｒ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し、かつ磁性粒子の結晶性、配向性が悪化し、結果として記録再生特性が悪くなる傾向がある。
【００６８】
垂直磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、酸化物に加えて、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の添加元素を含むことができる。これらの添加元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進するか、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。これらの添加元素の合計含有量は、８原子％以下にすることができる。８原子％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性、配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性が得られない傾向がある。
【００６９】
垂直磁気記録層の他の材料としては、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉが挙げられる。垂直磁気記録層に、Ｐｔ、Ｐｄ、ＲｈおよびＲｕからなる群より選択される少なくとも一種を主成分とする合金と、Ｃｏとの多層膜を用いることもできる。また、これらの多層膜の各層に、Ｃｒ、ＢまたはＯを添加した、ＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどの多層膜を用いることもできる。
【００７０】
垂直磁気記録層の厚さは、５〜６０ｎｍにすることができる、さらには１０〜４０ｎｍにすることができる。この範囲の厚さを有する垂直磁気記録層は高記録密度に適している。垂直磁気記録層の厚さが５ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向がある。一方、垂直磁気記録層の厚さが４０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。垂直磁気記録層の保磁力は、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上にすることができる。保磁力が２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。垂直磁気記録層の垂直角型比は、０．８以上にすることができる。垂直角型比が０．８未満であると、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。
【００７１】
垂直磁気記録層上には保護層を設けることが出来る。
【００７２】
保護層は、垂直磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ作用を有する。保護層の材料としては、たとえばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含む材料が挙げられる。保護層の厚さは、１〜１０ｎｍとすることが好ましい。保護層の厚さを上記の範囲にすると、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。
【００７３】
垂直磁気記録媒体表面には、潤滑剤としては、たとえばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを塗布することができる。
【００７４】
図２に、磁気記録媒体を記録再生する磁気記録再生装置を表す図を示す。
【００７５】
この磁気記録装置は、筐体６１の内部に、磁気記録媒体６２と、磁気記録媒体６２を回転させるスピンドルモータ６３と、記録再生ヘッドを含むヘッドスライダー６４と、ヘッドスライダー６４を支持するヘッドサスペンションアッセンブリ（サスペンション６５とアクチュエータアーム６６）と、ボイスコイルモータ６７と、回路基板とを備える。
【００７６】
磁気記録媒体６２はスピンドルモータ６３に取り付けられて回転され、垂直磁気記録方式により各種のデジタルデータが記録される。ヘッドスライダー６４に組み込まれている磁気ヘッドはいわゆる複合型ヘッドであり、単磁極構造のライトヘッドと、ＧＭＲ膜やＴＭＲ膜などを用いたリードヘッドとを含む。アクチュエータアーム６６の一端にサスペンション６５が保持され、サスペンション６５によってヘッドスライダー６４を磁気記録媒体６２の記録面に対向するように支持する。アクチュエータアーム６６はピボット６８に取り付けられる。アクチュエータアーム６４の他端にはアクチュエータとしてボイスコイルモータ６７が設けられている。ボイスコイルモータ６７によってヘッドサスペンションアッセンブリを駆動して、磁気ヘッドを磁気記録媒体６１任意の半径位置に位置決めする。回路基板はヘッドＩＣを備え、ボイスコイルモータの駆動信号、および磁気ヘッドによる読み書きを制御するための制御信号などを生成する。
【００７７】
この磁気ディスク装置を用い、加工した磁気記録媒体からアドレス信号等を再生することが出来る。
【００７８】
本発明の方法を用いて、半径９ｍｍ〜２２ｍｍのデータゾーンにおいて、トラック密度が３２５ｋＴＰＩ（ｔｒａｃｋ ｐｅｒ ｉｎｃｈ、７８ｎｍトラックピッチに相当）である磁気ディスクを作製した。
【００７９】
このようなサーボ領域を有する磁気ディスクを製造するには、磁気ディスク上の磁性層パターンと対応する凹凸パターンを有するスタンパを用いてインプリントを行う。なおインプリントおよびその後の加工によって形成された磁性層の凹凸パターンは非磁性体材料によってその凹部が埋め込まれ、表面が平坦化されていても構わない。
【００８０】
以下、本実施形態の磁気ディスクの製造方法を説明する。
まず、スタンパを作製した。
スタンパの型となる原盤の基板として６インチ径のＳｉウエハーを用意した。一方、日本ゼオン社製のレジストＺＥＰ−５２０Ａをアニソールで２倍に希釈し、０．０５μｍのフィルタでろ過した。Ｓｉウエハー上にレジスト溶液をスピンコートした後、２００℃で３分間プリベークして、厚さ約５０ｎｍのレジスト層を形成した。
【００８１】
ＺｒＯ／Ｗ熱電界放射型の電子銃エミッターを有する電子ビーム描画装置を用い、加速電圧５０ｋＶの条件で、Ｓｉウエハー上のレジストに所望のパターンを直接描画した。描画時にはサーボパターン、バーストパターン、アドレスパターン、トラックパターンを形成するための信号と、描画装置のステージ駆動系（少なくとも一方向の移動軸の移動機構と回転機構とを有する、いわゆるＸ−θステージ駆動系）へ送る信号と、電子ビームの偏向制御信号とを同期させて発生する信号源を用いた。描画中は線速度５００ｍｍ／ｓのＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）でステージを回転させるとともに、半径方向にもステージを移動させた。また、１回転毎に電子ビームに偏向をかけて、同心円をなすトラック領域を描画した。なお、１回転あたり７．８ｎｍずつ送り、１０周で１トラック（１アドレスビット幅に相当）を形成した。
【００８２】
ＳｉウエハーをＺＥＤ−Ｎ５０（日本ゼオン社製）に９０秒間浸漬してレジストを現像した後、ＺＭＤ−Ｂ（日本ゼオン社製）に９０秒間浸漬してリンスを行い、エアーブローにより乾燥させ、図示しないレジスト原盤を作製した。
【００８３】
レジスト原盤上にスパッタリングによってＮｉからなる導電膜を形成した。具体的には、ターゲットに純ニッケルを使用し、８×１０−３Ｐａまで真空引きした後、アルゴンガスを導入して圧力を１Ｐａに調整したチャンバー内で４００ＷのＤＣパワーを印加して４０秒間スパッタリングを行い、厚さ約１０ｎｍの導電膜を成膜した。
【００８４】
導電膜をつけたレジスト原盤をスルファミン酸ニッケルメッキ液（昭和化学（株）製、ＮＳ−１６０）に浸漬し、９０分間Ｎｉ電鋳して、厚さ約３００μｍの電鋳膜を形成した。電鋳浴条件は次の通りである。
【００８５】
電鋳浴条件
スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ
ホウ酸：４０ｇ／Ｌ
界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）：０．１５ｇ／Ｌ
液の温度：５５℃
ｐＨ：４．０
電流密度：２０Ａ／ｄｍ２
レジスト原盤から、電鋳膜および導電膜をレジスト残渣がついた状態で剥離した。酸素プラズマアッシングによりレジスト残渣を除去した。具体的には、酸素ガスを１００ｍｌ／ｍｉｎで導入して圧力を４Ｐａに調整したチャンバー内で１００Ｗのパワーを印加して２０分間プラズマアッシングを行った。
【００８６】
図３（ａ）に示すように、こうした導電膜および電鋳膜を含むファザースタンパ１を得た。その後、さらに電鋳を行い、図３（ｂ）に示すようなマザースタンパー２を複製し、マザースタンパ２の不要部を金属刃で打ち抜くことにより射出成形用スタンパを得た。
【００８７】
このマザースタンパー２から図３（ｃ）に示すように、東芝機械製射出成形装置により樹脂スタンパー３を複製した。成形材料としては、日本ゼオン社製 環状オレフィンポリマー ＺＥＯＮＯＲ １０６０Ｒを用いたが、帝人化成製ポリカーボネート材ＡＤ５５０３でもよい。
【００８８】
次に、磁気ディスクを作製した。
図３（ｇ）に示す１．８インチ径のドーナツ型ガラスからなるディスク基板上にスパッタリングにより磁気記録層を形成した。この磁気記録層上に金属マスク層を３ｎｍ積層した。金属マスク層に用いることができる金属は、
Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｎなどや、これらを含む合金（例えば、ＣｒＴｉ，ＣｏＢ，ＣｏＰｔ，ＣｏＺｒＮｂ，ＮｉＴａ，ＮｉＷ，Ｃｒ−Ｎ，ＳｉＣ，ＴｉＯｘなど）などである。中でも、ＳｉやＣｕは樹脂スタンパーからの剥離性や加工性が優れ、好ましい。また、金属マスク層の膜厚も、加工性によって決まり、薄いほど良好である。本実施形態においては、Ｃｕを３ｎｍ磁気記録層上に積層したものを用いた。
【００８９】
図３（ｉ）に示すように、この磁気記録層５上に表面保護層６を形成した後、紫外線硬化性樹脂材料からなるレジスト７を２，２，３，３−テトラフルオロー１−プロパノールで３重量％に希釈し、図３（ｊ）に示すように、回転数１００００ｒｐｍでスピンコートした。
【００９０】
図３（ｃ）に示すように、真空貼り合わせ法により樹脂スタンパ３をディスク基板表面の紫外線硬化性樹脂レジスト７に貼り合わせ、紫外線照射し樹脂を硬化させた後、図３（ｄ）に示すように、樹脂スタンパー３を剥離した。
【００９１】
紫外線インプリントによる凹凸形成プロセスでは、パターン凹部の底にレジスト残渣が残る。
【００９２】
次に、酸素ガスを用いたＲＩＥにより、パターン凹部の底にあるレジスト残渣を除去した。レジスト７のパターンをマスクとして、Ａｒイオンミリングにより、図３（ｅ）に示すように、磁気記録層をエッチングした。続いて、図３（ｆ）に示すように、酸素ＲＩＥによりレジストのパターンを剥離した。さらに全面に図示しないカーボン保護層を成膜した。その後、作製した磁気ディスクに潤滑剤を塗布する。
【００９３】
ここで、上述した磁気ディスク媒体においては、磁気記録層をレジストのマスクがない部位において底までエッチングしているが、途中でＡｒイオンミリングを止め、凹凸が出来る程度の媒体であっても構わない。また、初めに磁性層を設けずにスタンパを基板上のレジストにインプリントした後エッチングするなどして先に基板形状に凹凸を設け、その後磁性膜を製膜した媒体であっても構わない。さらに、上述したものを含めいずれの場合にも溝部が何らかの非磁性材料によって埋め込まれていても構わない。
【００９４】
また、紫外線硬化樹脂は２，２，３，３−テトラフルオロー１−プロパノールで３重量％に希釈して使用したが、紫外線硬化樹脂の粘度や塗布方法などによっては希釈しなくても使用することが可能である。また、希釈に使用する溶剤としては、その他にアニソール、イソプロピルアルコール、エタノール、アセトン、環状ハイドロフルオロカーボン（日本ゼオン社製ゼオローラＨなど）や環状ハイドロフルオロエーテルなどを使用することができる。
【００９５】
実施例
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
【００９６】
１つのＮｉスタンパを用いて上述した方法により樹脂スタンパーを複製し、
紫外線硬化樹脂によるレジストマスク転写を行った。
【００９７】
紫外線硬化樹脂の評価は、硬化性、剥離性、塗布性、転写性、Ａｒスパッタエッチングレートの５項目について行った。
【００９８】
硬化性は、転写した後にエタノールに湿らせた布でふき取り、全く変化のないものを○、細かな傷がつくものを△、ふき取った場所が全面剥がれてしまうものを×とした。
【００９９】
剥離性は、剥離を行った時に、樹脂スタンパ側に２Ｐ樹脂が残らないものを○、わずかに残るものを△、広い面積で残るものを×とした。
【０１００】
塗布性は、転写した後に紫外線硬化樹脂の表面を目視で観察し、色が均一なら○、わずかに不均一なら△、相分離しているように大きな不均一なら×とした。
【０１０１】
転写性は、転写後の紫外線硬化樹脂のパターンをＡＦＭで観察し、溝深さが樹脂スタンパと変わらないものを○、溝深さにバラツキが発生するものを△、溝深さが異なる（低くなる）ものを×とした。
【０１０２】
Ａｒスパッタエッチングレートは、芝浦メカトロニクス社製５１Ａを使用し、Ａｒ雰囲気下、圧力を１Ｐａとし， ＲＦ電源１００Ｗ， ２００秒の条件でプラズマエッチングを行った。エッチングの前後にはアルバック社製触診式表面形状測定器ＤＥＫＴＡＫ６Ｍを用い、紫外線硬化樹脂の膜厚を測定し、エッチング前後での膜厚差をエッチング時間で規格化してエッチングレートを算出した。耐エッチング性が良好なほど紫外線硬化樹脂を用いた加工性は向上するため、エッチングレートは低いほうが好ましく、０．１５ｎｍ／秒以下であることを基準とした。
【０１０３】
ここで、上記例では溝はランドとグルーブの比が１：１となるようにした転写パターンサンプルを使用しているが、これに限定されるものではない。ＲＲＯ特性を調べる装置の特性上、プッシュプル信号ＰＰの振幅（ｐ−ｐ）を和信号ＳＵＭの電圧値（ｐ−Ｇ）で規格化した値 ＰＰ／ＳＵＭが、少なくともＰＰ／ＳＵＭ＜０．１となればトラッキングを行うことが不可能となるため、このようにならないようトラッキングを行えるようなランドとグルーブの比を選定することができる。
【０１０４】
実施例
紫外線硬化樹脂サンプルＡ〜Ｖを用いて上記方法にて磁気記録層上にパターンを転写し、磁気記録媒体を作製した。
【０１０５】
紫外線硬化樹脂サンプルＡ〜Ｖの内容を表１−１，表１−２に、その結果を表２−１，表２−２に示す。
【０１０６】
ここで、下記表１−１，及び表１−２に使用されている記号について説明する。
【０１０７】
ＩＢＯＡ： イソボルニルアクリレート
【化１２】
【０１０８】
ＭＡＤＡ： ２−メチル−２−アダマンチルアクリレート
【化１３】
【０１０９】
ＴＭＰＴＡ： トリメチロールプロパントリアクリレート
【化１４】
【０１１０】
フルオレン骨格アクリレートＩ： ９，９’−ビスフェニルフルオレンＥＯ変性アクリレート
【化１５】
【０１１１】
フルオレン骨格アクリレートII：
【化１６】
【０１１２】
Ｒ１＝Ｒ２＝
【化１７】
【０１１３】
Ｒ３＝Ｒ４＝Ｈ
フルオレン骨格アクリレートIII：
【化１８】
【０１１４】
Ｒ１＝Ｒ２＝
【化１９】
【０１１５】
Ｒ３＝Ｒ４＝Ｈ
ＴＭＰＴＡ−３ＥＯ： エトキシ化（３）テトラメチロールプロパントリアクリレート
【化２０】
【０１１６】
但し、式中、ｌ＋ｍ＋ｎ＝３
ＤＴＭＰＴＡ：ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート
【化２１】
【０１１７】
ＧＰＴＡ： プロポキシ化（３）グリセリルトリアクリレート
【化２２】
【０１１８】
ＰＥ（ＥＯ）ＴＴＡ：エトキシ化（４）ペンタエリスリトールテトラアクリレート
【化２３】
【０１１９】
ＨＤＤＡ：１，６−ヘキサンジオールジアクリレート
ＡＧＤＡ： アセタールグリコールジアクリレート
【化２４】
【０１２０】
ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９：チバスペシャルティケミカルズ社製重合開始剤
ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３：チバスペシャルティケミカルズ社製重合開始剤
ＰＵ３７０：ＭＩＷＯＮ社製３官能芳香族ウレタンアクリレートオリゴマー
ＳＩＵ２４００：ＭＩＷＯＮ社製１０官能Ｓｉアクリレートオリゴマー
紫外線硬化樹脂サンプルＢ、Ｃ，Ｄ，Ｆ，Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｎ，Ｒ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘは、硬化性、剥離性、塗布性、転写性、エッチングレートのすべての項目において磁気記録媒体にパターンを転写する目的での使用が適している紫外線硬化樹脂であることがわかった。
【０１２１】
一方、サンプルＡ、Ｏ、Ｑ、Ｓ、Ｙはエッチングレートが速くて耐エッチング性が悪いことがわかった。サンプルＡはサンプルＢと比べてＩＢＯＡが少ない。この実施例より、ＩＢＯＡは１０％以上が好ましいことがわかった。サンプルＯより、ＩＢＯＡがないとエッチング耐性がさらに悪いことがわかった。サンプルＱでは、エッチング耐性が悪くなることから、フルオレン骨格アクリレートはエッチング耐性に大きく影響を及ぼしており、エッチング耐性を向上させるにはなくてはならない材料であることがわかった。サンプルＳより、重合開始剤が６％を上回ると、エッチング耐性も悪くなる傾向にあるといえる。ＭＡＤＡおよびフルオレン骨格アクリレートがなく、多官能アクリレートの割合が大きい場合、特にエッチングレートが速く、耐エッチング性が悪くなる。
【０１２２】
サンプルＥ，Ｇ、Ｐ、Ｓは剥離性及び転写性が悪いことがわかった。サンプルＥ、ＧとＨより多官能アクリレートは１０％以上が好ましい。また、サンプルＰより、ＩＢＯＡがない場合、剥離性と転写性に問題が生じることがわかった。ＩＢＯＡはマスクパターン転写を行うのに必須なアクリレートであることが確認できた。
【０１２３】
サンプルＯ、Ｐは塗布性が悪い。塗布膜の中で材料が分離しているように見えており、ＩＢＯＡが紫外線硬化樹脂中に入っていないためと考えられる。
【０１２４】
サンプルＱ，Ｙ，Ｊ，Ｗについて、紫外線硬化樹脂へのパターンの転写後、酸素ガスを用いたＲＩＥにより、パターン凹部の底にあるレジスト残渣を除去した。次にレジストを取り除いた部分（パターン凹部の底）の金属マスク層（Ｃｕ）を ガス圧０．１Ｐａ エッチング時間１５秒の条件でＡｒイオンミリングにより除去した後、カーボン保護層を酸素ガスを用いたＲＩＥにより除去し、磁気記録層表面を露出させた。この時のマスク形状をＡＦＭで測定してみると、サンプルＱ及びＹではマスク形状がだれてしまっていたが、Ｊ，Ｗではマスクの矩形性が維持されたままであり、溝幅５ｎｍ程度という微細パターンが形成できていた。フルオレン骨格アクリレートとアダマンタン骨格アクリレートが紫外線硬化樹脂中に含まれることにより、磁性体加工を行ってもマスク形状が維持され、所望のパターン、微細パターンを加工することができることがわかった。
【０１２５】
一方、サンプルＱ，Ｙ，Ｊ，Ｗについて、Ａｒイオンミリングの代わりに、 ガス圧０．１Ｐａ エッチング時間１５秒の条件でＣＦ４ガスミリングにより、レジストを取り除いた部分（パターン凹部の底）のマスク層（Ｓｉ）を除去すること以外は、同様にしてカーボン保護層を酸素ガスを用いたＲＩＥにより除去し、磁気記録層表面を露出させた。この時のマスク形状をＡＦＭで測定してみると、 マスクの矩形性は維持されており、溝幅は５ｎｍ程度という微細パターンが形成できており、本願発明に係るサンプルＪ，Ｗは、Ａｒイオンミリングを使用しても、ＣＦ４ガスミリングを使用しても良好なマスク形状が得られた。しかしながら、フルオレン骨格アクリレートが含まれていないサンプルＱ，Ｙについては、ＣＦ４ガスミリングを使用すると良好なマスク形状が得られるが、Ａｒイオンミリングを使用しても良好なマスク形状が得られない。近年、環境上の問題からＣＦ４ガスの使用は極力低減する傾向がある。フルオレン骨格アクリレートが含まれていないサンプルＱ，Ｙは環境上問題があることがわかった。また、ディスクの表面だけでなく裏面も加工する場合にはＣＦ４ガスを使った反応性イオンエッチングを適用するのは放電が安定せず非常に難しい。Ａｒイオンミリング、Ａｒスパッタエッチングでの加工が両面ディスクの場合は好ましい。
【０１２６】
さらに、良好な紫外線硬化樹脂サンプルＢ、Ｃ，Ｄ，Ｆ，Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｎ，Ｒ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘを用いてＤＴＲ媒体を作成し、記録再生特性を調べたところ、良好な特性を得ることができた。
【０１２７】
なお、本実施例においては重合開始剤としてＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９またはＤＡＲＯＣＵＲ１１７３を用いたが、当然ＵＶランプやアクリレートとの相性によって適宜選択することができる。
【０１２８】
なお、本実施例においては重合開始剤としてＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９を用いたが、当然ＵＶランプやアクリレートとの相性によって適宜選択することができる。
【表１】
【０１２９】
【表２】
【０１３０】
【表３】
【０１３１】
【表４】
【符号の説明】
【０１３２】
３，７１…樹脂スタンパ，５…磁気記録層，７…紫外線硬化性樹脂層，５１，６２…磁気記録媒体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録層表面にディスクリートトラックを有する磁気記録媒体の製造方法に係り、特に、ディスクリートトラック形状を転写する際にレジストとして使用される紫外線硬化性樹脂材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な分野において、さらなる高密度化や高精度化のためにナノインプリント技術が注目されている。
【０００３】
例えば、半導体や光学素子、磁気記録媒体などへの応用が検討されている。
【０００４】
磁気記録媒体では、更なる高密度化に対応するために、隣接する記録トラックを溝または非磁性材料からなるガードバンドで分離し、隣接トラック間の磁気的干渉を低減するようにしたディスクリートトラック媒体が注目されている。
【０００５】
このようなディスクリートトラック媒体を製造する際に、スタンパを用いてナノインプリント技術を応用し、磁性層のディスクリートトラックパターンを形成することができる。インプリント法によって記録トラックのパターンとともにサーボ領域の信号に相当する磁性層のパターンも形成すれば、従来の磁気記録媒体の製造時に必要とされるサーボトラックを描画する工程をなくすことが可能となるので、コスト低減にもつながる。
【０００６】
このようなディスクリートトラックパターンを形成するプロセスとして、例えばＮｉスタンパーから、例えば高圧インプリント法または熱インプリント法によりレジストパターンを転写して製造するプロセスを用いることができる（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、このプロセスでは、Ｎｉスタンパーの寿命が短く大量生産には適していない。また、高データ密度化されトラックが微細になった際にはレジストパターンの転写が上手くいかなかった。
【０００７】
このようなことから、その他のナノインプリント技術として、光ナノインプリント法を用いることが注目されている。
【０００８】
光ナノインプリント法を用いてディスクリートトラック媒体上のレジストにパターンを転写するには、まず、Ｎｉスタンパー（マザースタンパー）から射出成形により樹脂スタンパーを複製し、その樹脂スタンパーと、レジストとして使用される未硬化の紫外線硬化性樹脂層とを真空貼り合わせに供する。この方法がコスト低減可能で、微細化にも適していることがわかった。
【０００９】
ここで、上記ディスクリートトラック媒体に転写するための紫外線硬化性樹脂に求められる特性としては、媒体上への塗布性、粘度、硬化性、樹脂スタンパーからの剥離性、及び硬化収縮性に加えて、転写したパターンを加工するためのエッチング耐性があげられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−１８６５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、磁気記録媒体の製造方法において良好なパターン転写を行うことが可能なパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、真空下で、データ領域、サーボ領域を含む磁気記録媒体の磁気記録層表面と、樹脂スタンパの凹凸パターン面とを、イソボルニルアクリレート、フルオレン骨格を有するアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有する未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層を介して貼り合わせ、
該未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
該樹脂スタンパを剥離して、前記磁気記録媒体の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、
硬化された紫外線硬化性樹脂材料層をマスクとしてドライエッチングを行い、磁気記録層表面に、凹凸パターンを形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明を用いると、磁気記録媒体の製造方法において良好なパターン転写を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に用いられるパターン転写方法を表す図である。
【図２】磁気記録媒体を記録再生する磁気記録再生装置を表す図である。
【図３】ディスクリート型磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明に係るパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、下記式（１）で表されるフルオレン骨格を有するアクリレートと、下記式（２）で表されるイソボルニルアクリレートと、多官能アクリレートと、重合開始剤とを含有する。
【化１】
【００１６】
Ｒ１，Ｒ２は、それぞれ−Ｈ，−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２，−ＣＨ２−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２，−Ｃ２Ｈ４−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２，−Ｃ３Ｈ６−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２，−Ｃ４Ｈ８−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２のいずれかである。
【化２】
【００１７】
【化３】
【００１８】
【化４】
【００１９】
【化５】
【００２０】
【化６】
【００２１】
【化７】
【００２２】
【化８】
【００２３】
【化９】
【００２４】
【化１０】
【００２５】
【化１１】
【００２６】
などを置換することができる。
【００２７】
また、Ｒ３，Ｒ４には、Ｈ，−ＣＨ３，−Ｃ２Ｈ５，−Ｃ３Ｈ７，−Ｃ４Ｈ９，−Ｃｌ，−Ｆ，−Ｂｒ，−ＮＨ２，−ＯＨ，−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２などを置換することができる。
【００２８】
特に９，９’−ビスフェニルフルオレンアクリレートや９，９’−ビスフェニルフルオレンＥＯ変性アクリレート、９，９’−ビス（３−メチルフェニル）フルオレンアクリレートはエッチング耐性の点から好ましい。
【００２９】
本発明によれば、フルオレン骨格を有するアクリレート、イソボルニルアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有するパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を用いることにより、紫外線による硬化性、及び硬化後の剥離性を損なうことなく、エッチング耐性を向上することが出来る。このため、このパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を用いると、スタンパから精度の良いパターン転写を行うことが出来る。
【００３０】
フルオレン骨格を有するアクリレートを用いると、エッチング耐性が向上する。
【００３１】
また、イソボルニルアクリレートは、９ＣＰと比較的低粘度で、ガラス転移点Ｔｇが比較的高い。また、脂環式構造を有することから、耐エッチング性が高い。このイソボルニルアクリレートと重合開始剤の二成分からなる材料をパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料として使用した場合、硬化後の膜の硬さが不十分であった。また、単官能モノマー、２官能モノマーとイソボルニルアクリレートの組み合わせでも同様であり、３官能モノマーとの組み合わせで耐エッチング性が良好なまま、硬化後の膜の硬さも十分となった。３官能モノマーより大きい多官能モノマーの場合、粘度が高い傾向がある。
【００３２】
また、イソボルニルアクリレートは脂環式構造を有し、ガラス転移温度Tgも高いためエッチング耐性が良好である。しかしながら、硬化後の硬度が高く硬くなりやすい、表面張力が高くないなどにより樹脂スタンパーからの剥離性が良好となりにくい傾向がある。
【００３３】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、真空下で、データ領域、サーボ領域を含む磁気記録媒体の磁気記録層表面と、樹脂スタンパの凹凸パターン面とを、未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層を介して貼り合わせ、
未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
樹脂スタンパを剥離して、前記磁気記録媒体の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、
硬化された紫外線硬化性樹脂材料層をマスクとしてドライエッチングを行い、磁気記録層表面に、凹凸パターンを形成する方法であって、
パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料がフルオレン骨格を有するアクリレート、イソボルニルアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有する。
【００３４】
本発明のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料には、必要に応じて上記アクリレート及び重合開始剤の他に、接着剤などの添加物を３重量％以下で混合することができる。
【００３５】
本発明のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、２５℃で９ないし１５ｃｐの粘度を有することが好ましい。
【００３６】
モノマー、オリゴマー、重合開始剤から構成され、溶媒を含まない紫外線硬化性樹脂材料を使用すると、ドライエッチング加工時のＡｒミリングでのエッチング率が高く、ドライエッチング加工後に溝幅が広がってしまい、細い溝幅の形成が難しくなる傾向がある。
【００３７】
また、ドライエッチング耐性が悪化する原因は分子量の大きいオリゴマーであると考えられる。
【００３８】
このため、本発明に係る紫外線硬化性樹脂材料においては、所定の複数種類のモノマーと重合開始剤から構成され、オリゴマー及び溶媒を含まない紫外線硬化性樹脂材料の使用を検討した。
【００３９】
また、本発明に係る紫外線硬化性樹脂材料はラジカル重合系材料とし、モノマーがメタクリレートであると光重合反応が遅いため、本発明ではアクリレートを使用する。
【００４０】
それぞれの含有量はイソボルニルアクリレートが１０重量％以上６２重量％以下、フルオレン骨格を有するアクリレートが１０重量％以上５０重量％以下、多官能アクリレートが１０以上４４重量％以下、重合開始剤が０．１重量％以上６重量％以下である。
【００４１】
このような含有量である紫外線硬化性樹脂は、その粘度、剥離性、硬化性、塗布膜の膜厚、及びエッチングレートがより良好となる。
【００４２】
本発明に使用される多官能アクリレートとしては２官能、３官能、４官能以上のものがある。
【００４３】
２官能アクリレートとしては、例えば
1,3-ブチレングリコールジアクリレート
1，4−ブタンジオールジアクリレート
ジエチレングリコールジアクリレート
1,６−ヘキサンジオールジアクリレート
ネオペンチルグリコールジアクリレート
ポリエチレングリコール（２００）ジアクリレート
テトラエチレングリコールジアクリレート
トリエチレングリコールジアクリレート
トリプロピレングリコールジアクリレート
ポリエチレングリコール（４００）ジアクリレート
エトキシ化（３）ビスフェノールＡジアクリレート
シクロヘキサンジメタノールジアクリレート
ジプロピレングリコールジアクリレート
アクリレートエステル（ジオキサングリコールジアクリレート）
アルコキシ化ヘキサンジオールジアクリレート
アルコキシ化シクロヘキサンジメタノールジアクリレート
エトキシ化（４）ビスフェノールＡジアクリレート
エトキシ化（１０）ビスフェノールＡジアクリレート
ポリエチレングリコール（６００）ジアクリレート
トリシクロデカンジメタノールジアクリレート
プロポキシ化（２）ネオペンチルグリコールジアクリレート
エトキシ化（３０）ビスフェノールＡジアクリレート
アルコキシ化ネオペンチルグリコールジアクリレート
などが挙げられる。
【００４４】
３官能アクリレートとしては、たとえば
トリメチロールプロパントリアクリレート
トリメチロールプロパンPO変性トリアクリレート
（ＰＯ（プロポキシ基）の数：２，３，４，６）
トリメチロールプロパンＥＯ変性トリアクリレート
（ＥＯ（エトキシ基）の数：３，６，９，１５，２０）
トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート
ペンタエリスリトールトリアクリレート
ペンタエリスリトールＥＯ変性トリアクリレート
ＥＯ変性グリセリントリアクリレート
プロポキシ化（３）グリセリルトリアクリレート
高プロポキシ化（５．５）グリセリルトリアクリレート
トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート
ε−カプロラクトン変性トリス（アクロキシエチル）イソシアヌレート
を用いることができる。
【００４５】
４官能以上のアクリレートとしては、例えば
トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート
ペンタエリスリトールテトラアクリレート
ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート
エトキシ化（４）ペンタエリスリトールテトラアクリレート
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート
などを用いることができる。
【００４６】
また、多官能のオリゴマーも使用可能である。
【００４７】
オリゴマーには、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシアクリレートオリゴマー、ポリエステルアクリレートオリゴマーなどがあり、どれも使用することができるが、特に芳香族の含まれるアクリレートオリゴマーがエッチング耐性から良好であり、中でも芳香族ウレタンアクリレートオリゴマーは剥離性、エッチング耐性、相溶性の点から特に良好である。また、オリゴマーの中にＳｉやＦなどが入っていてもよく、特にＳｉが入っているものは離型剤としての役割もあり、好適である。
【００４８】
本発明に係る紫外線硬化性樹脂材料には、さらにアダマンタン骨格を有するアクリレートを添加することができる。
【００４９】
本発明に使用可能なアダマンタン骨格を有するアクリレートとしては、
２−メチル−２−アダマンチルアクリレート
２−エチル−２−アダマンチルアクリレート
３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート
１−アダマンチルアクリレート
２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート
２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート
３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート
１−アダマンチルメタクリレート
１，３−アダマンタンジオールジアクリレート
１，３−アダマンタンジメタノールジアクリレート
などが挙げられる。
【００５０】
特に、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート
２−エチル−２−アダマンチルアクリレート
１−アダマンチルアクリレート
は、好適である。
【００５１】
アダマンタン骨格を有するアクリレートは、発明のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料に０ないし４０重量％
本発明に使用される重合開始剤としては、
アルキルフェノン系光重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系重合開始剤、チタノセン系重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、オキシムエステル酢酸エステル系光重合開始剤などがあげられる。
【００５２】
上記重合開始剤の具体的な例として、
２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１）
１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルーケトン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４）
２−ヒドロキシー２−メチルー１−フェニループロパン−１−オン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３）
その他、ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９５９， ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７， ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７， ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９， ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９， ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ， ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９， ＩＲＧＡＣＵＲＥ７８４， ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０１， ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０２， ＩＲＧＡＣＵＲＥ７５４（すべてチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
が挙げられる。
【００５３】
重合開始剤は、ＵＶ照射に用いるランプの波長によって最適なものを選ぶことができる。
【００５４】
ＵＶ照射に用いるランプとしては、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンフラッシュランプなどを使用することができる。
【００５５】
以下、図面を参照し、本発明に用いられるパターン転写方法を図１（ａ）〜（ｄ）を参照して概略的に説明する。
【００５６】
これらの図は媒体基板の片面にパターンを転写する場合を示している。図１（ａ）に示すように、スピナー４１に媒体基板５１を設置する。図１（ｂ）に示すように、スピナー４１とともに媒体基板５１をスピンさせながら、ディスペンサー４２から本発明に係る紫外線硬化性樹脂（２Ｐ樹脂）を滴下してスピン塗布する。図１（ｃ）に示すように、真空チャンバー８１内において、真空下で、磁気記録媒体５１の片面と透明スタンパ７１のパターン面とを２Ｐ樹脂層（図示せず）を介して貼り合わせる。図１（ｄ）に示すように、大気圧下でＵＶ光源４３から透明スタンパ７１を通してＵＶを照射して２Ｐ樹脂層を硬化させる。図１（ｄ）の後に、透明スタンパ７１を剥離する。
【００５７】
本発明に使用可能な磁気ディスク基板としては、たとえばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、およびこれらの基板の表面にＮｉＰ層を形成したものなどを用いることができる。ガラス基板には、アモルファスガラスまたは結晶化ガラスを用いることができる。アモルファスガラスとしては、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスなどがある。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスなどがある。セラミック基板としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの焼結体を繊維強化したものなどを用いることができる。基板の表面にＮｉＰ層を形成するには、メッキやスパッタリングが用いられる。
【００５８】
垂直磁気記録媒体を作製する場合には、基板上に軟磁性下地層（ＳＵＬ）介して垂直磁気記録層を設けたいわゆる垂直二層媒体とすることができる。垂直二層媒体の軟磁性下地層は、記録磁極からの記録磁界を通過させ、記録磁極の近傍に配置されたリターンヨークへ記録磁界を還流させるために設けられている。すなわち、軟磁性下地層は記録ヘッドの機能の一部を担っており、記録層に急峻な垂直磁界を印加して、記録効率を向上させる役目を果たす。
【００５９】
本発明に使用可能な軟磁性下地層としては、例えばＦｅ、ＮｉおよびＣｏのうち少なくとも１種を含む高透磁率材料が挙げられる。このような材料として、ＦｅＣｏ系合金たとえばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金たとえばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系およびＦｅＳｉ系合金たとえばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金たとえばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金たとえばＦｅＺｒＮなどが挙げられる。
【００６０】
軟磁性下地層として、Ｆｅを６０原子％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮなどの微結晶構造、または微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることもできる。
【００６１】
軟磁性下地層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、ＴｉおよびＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることもできる。Ｃｏは、好ましくは８０原子％以上含まれる。このようなＣｏ合金をスパッタリングにより成膜した場合にはアモルファス層が形成されやすい。アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、アモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、たとえばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。
【００６２】
軟磁性下地層の下に、軟磁性下地層の結晶性の向上あるいは基板との密着性の向上のためにさらに下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、もしくはこれらを含む合金、またはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。
【００６３】
軟磁性下地層と垂直磁気記録層との間に、非磁性体からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性下地層と記録層との交換結合相互作用を遮断すること、および記録層の結晶性を制御することである。中間層材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、もしくはこれらを含む合金、またはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。
【００６４】
スパイクノイズ防止のために軟磁性下地層を複数の層に分け、厚さ０．５〜１．５ｎｍのＲｕを挟んで反強磁性結合させることができる。また、軟磁性層と、ＣｏＣｒＰｔ、ＳｍＣｏ、ＦｅＰｔなどの面内異方性を持った硬磁性膜またはＩｒＭｎ、ＰｔＭｎなどの反強磁性体からなるピニング層とを交換結合させることができる。この場合、交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の上下に、磁性層たとえばＣｏ、または非磁性層たとえばＰｔを積層することができる。
【００６５】
本発明に使用可能な垂直磁気記録層には、たとえば、Ｃｏを主成分とし、少なくともＰｔを含み、必要に応じてＣｒを含み、さらに酸化物（たとえば酸化シリコン、酸化チタン）を含む材料が用いることができる。垂直磁気記録層中では、磁性結晶粒子が柱状構造をなしていることが好ましい。このような構造を有する垂直磁気記録層では、磁性結晶粒子の配向性および結晶性が良好であり、結果として高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を得ることができる。上記のような構造を得るためには、酸化物の量が重要になる。酸化物の含有量は、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下にすることができる、さらには、５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下にすることができる。垂直磁気記録層中の酸化物の含有量が上記の範囲であれば、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子を孤立化および微細化させることができる。酸化物の含有量が上記範囲を超える場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造が形成されない傾向がある。一方、酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の孤立化および微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られない傾向がある。
【００６６】
垂直磁気記録層のＰｔの含有量は、１０原子％以上２５原子％以下にすることができる。Ｐｔ含有量が上記範囲であると、垂直磁気記録層に必要な一軸磁気異方性定数Ｋｕが得られ、さらに磁性粒子の結晶性、配向性が良好になり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ特性、記録再生特性が得られる。Ｐｔ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性、配向性が損なわれるおそれがある。一方、Ｐｔ含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適したＫｕしたがって熱揺らぎ特性が得られない傾向がある。
【００６７】
垂直磁気記録層のＣｒの含有量は、０原子％以上１６原子％以下が好ましく、１０原子％以上１４原子％以下がより好ましい。Ｃｒ含有量が上記範囲であると、磁性粒子の一軸磁気異方性定数Ｋｕを下げることなく高い磁化を維持でき、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られる。Ｃｒ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し、かつ磁性粒子の結晶性、配向性が悪化し、結果として記録再生特性が悪くなる傾向がある。
【００６８】
垂直磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、酸化物に加えて、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の添加元素を含むことができる。これらの添加元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進するか、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。これらの添加元素の合計含有量は、８原子％以下にすることができる。８原子％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性、配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性が得られない傾向がある。
【００６９】
垂直磁気記録層の他の材料としては、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉが挙げられる。垂直磁気記録層に、Ｐｔ、Ｐｄ、ＲｈおよびＲｕからなる群より選択される少なくとも一種を主成分とする合金と、Ｃｏとの多層膜を用いることもできる。また、これらの多層膜の各層に、Ｃｒ、ＢまたはＯを添加した、ＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどの多層膜を用いることもできる。
【００７０】
垂直磁気記録層の厚さは、５〜６０ｎｍにすることができる、さらには１０〜４０ｎｍにすることができる。この範囲の厚さを有する垂直磁気記録層は高記録密度に適している。垂直磁気記録層の厚さが５ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向がある。一方、垂直磁気記録層の厚さが４０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。垂直磁気記録層の保磁力は、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上にすることができる。保磁力が２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。垂直磁気記録層の垂直角型比は、０．８以上にすることができる。垂直角型比が０．８未満であると、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。
【００７１】
垂直磁気記録層上には保護層を設けることが出来る。
【００７２】
保護層は、垂直磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ作用を有する。保護層の材料としては、たとえばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含む材料が挙げられる。保護層の厚さは、１〜１０ｎｍとすることが好ましい。保護層の厚さを上記の範囲にすると、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。
【００７３】
垂直磁気記録媒体表面には、潤滑剤としては、たとえばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを塗布することができる。
【００７４】
図２に、磁気記録媒体を記録再生する磁気記録再生装置を表す図を示す。
【００７５】
この磁気記録装置は、筐体６１の内部に、磁気記録媒体６２と、磁気記録媒体６２を回転させるスピンドルモータ６３と、記録再生ヘッドを含むヘッドスライダー６４と、ヘッドスライダー６４を支持するヘッドサスペンションアッセンブリ（サスペンション６５とアクチュエータアーム６６）と、ボイスコイルモータ６７と、回路基板とを備える。
【００７６】
磁気記録媒体６２はスピンドルモータ６３に取り付けられて回転され、垂直磁気記録方式により各種のデジタルデータが記録される。ヘッドスライダー６４に組み込まれている磁気ヘッドはいわゆる複合型ヘッドであり、単磁極構造のライトヘッドと、ＧＭＲ膜やＴＭＲ膜などを用いたリードヘッドとを含む。アクチュエータアーム６６の一端にサスペンション６５が保持され、サスペンション６５によってヘッドスライダー６４を磁気記録媒体６２の記録面に対向するように支持する。アクチュエータアーム６６はピボット６８に取り付けられる。アクチュエータアーム６４の他端にはアクチュエータとしてボイスコイルモータ６７が設けられている。ボイスコイルモータ６７によってヘッドサスペンションアッセンブリを駆動して、磁気ヘッドを磁気記録媒体６１任意の半径位置に位置決めする。回路基板はヘッドＩＣを備え、ボイスコイルモータの駆動信号、および磁気ヘッドによる読み書きを制御するための制御信号などを生成する。
【００７７】
この磁気ディスク装置を用い、加工した磁気記録媒体からアドレス信号等を再生することが出来る。
【００７８】
本発明の方法を用いて、半径９ｍｍ〜２２ｍｍのデータゾーンにおいて、トラック密度が３２５ｋＴＰＩ（ｔｒａｃｋ ｐｅｒ ｉｎｃｈ、７８ｎｍトラックピッチに相当）である磁気ディスクを作製した。
【００７９】
このようなサーボ領域を有する磁気ディスクを製造するには、磁気ディスク上の磁性層パターンと対応する凹凸パターンを有するスタンパを用いてインプリントを行う。なおインプリントおよびその後の加工によって形成された磁性層の凹凸パターンは非磁性体材料によってその凹部が埋め込まれ、表面が平坦化されていても構わない。
【００８０】
以下、本実施形態の磁気ディスクの製造方法を説明する。
まず、スタンパを作製した。
スタンパの型となる原盤の基板として６インチ径のＳｉウエハーを用意した。一方、日本ゼオン社製のレジストＺＥＰ−５２０Ａをアニソールで２倍に希釈し、０．０５μｍのフィルタでろ過した。Ｓｉウエハー上にレジスト溶液をスピンコートした後、２００℃で３分間プリベークして、厚さ約５０ｎｍのレジスト層を形成した。
【００８１】
ＺｒＯ／Ｗ熱電界放射型の電子銃エミッターを有する電子ビーム描画装置を用い、加速電圧５０ｋＶの条件で、Ｓｉウエハー上のレジストに所望のパターンを直接描画した。描画時にはサーボパターン、バーストパターン、アドレスパターン、トラックパターンを形成するための信号と、描画装置のステージ駆動系（少なくとも一方向の移動軸の移動機構と回転機構とを有する、いわゆるＸ−θステージ駆動系）へ送る信号と、電子ビームの偏向制御信号とを同期させて発生する信号源を用いた。描画中は線速度５００ｍｍ／ｓのＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）でステージを回転させるとともに、半径方向にもステージを移動させた。また、１回転毎に電子ビームに偏向をかけて、同心円をなすトラック領域を描画した。なお、１回転あたり７．８ｎｍずつ送り、１０周で１トラック（１アドレスビット幅に相当）を形成した。
【００８２】
ＳｉウエハーをＺＥＤ−Ｎ５０（日本ゼオン社製）に９０秒間浸漬してレジストを現像した後、ＺＭＤ−Ｂ（日本ゼオン社製）に９０秒間浸漬してリンスを行い、エアーブローにより乾燥させ、図示しないレジスト原盤を作製した。
【００８３】
レジスト原盤上にスパッタリングによってＮｉからなる導電膜を形成した。具体的には、ターゲットに純ニッケルを使用し、８×１０−３Ｐａまで真空引きした後、アルゴンガスを導入して圧力を１Ｐａに調整したチャンバー内で４００ＷのＤＣパワーを印加して４０秒間スパッタリングを行い、厚さ約１０ｎｍの導電膜を成膜した。
【００８４】
導電膜をつけたレジスト原盤をスルファミン酸ニッケルメッキ液（昭和化学（株）製、ＮＳ−１６０）に浸漬し、９０分間Ｎｉ電鋳して、厚さ約３００μｍの電鋳膜を形成した。電鋳浴条件は次の通りである。
【００８５】
電鋳浴条件
スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ
ホウ酸：４０ｇ／Ｌ
界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）：０．１５ｇ／Ｌ
液の温度：５５℃
ｐＨ：４．０
電流密度：２０Ａ／ｄｍ２
レジスト原盤から、電鋳膜および導電膜をレジスト残渣がついた状態で剥離した。酸素プラズマアッシングによりレジスト残渣を除去した。具体的には、酸素ガスを１００ｍｌ／ｍｉｎで導入して圧力を４Ｐａに調整したチャンバー内で１００Ｗのパワーを印加して２０分間プラズマアッシングを行った。
【００８６】
図３（ａ）に示すように、こうした導電膜および電鋳膜を含むファザースタンパ１を得た。その後、さらに電鋳を行い、図３（ｂ）に示すようなマザースタンパー２を複製し、マザースタンパ２の不要部を金属刃で打ち抜くことにより射出成形用スタンパを得た。
【００８７】
このマザースタンパー２から図３（ｃ）に示すように、東芝機械製射出成形装置により樹脂スタンパー３を複製した。成形材料としては、日本ゼオン社製 環状オレフィンポリマー ＺＥＯＮＯＲ １０６０Ｒを用いたが、帝人化成製ポリカーボネート材ＡＤ５５０３でもよい。
【００８８】
次に、磁気ディスクを作製した。
図３（ｇ）に示す１．８インチ径のドーナツ型ガラスからなるディスク基板上にスパッタリングにより磁気記録層を形成した。この磁気記録層上に金属マスク層を３ｎｍ積層した。金属マスク層に用いることができる金属は、
Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｎなどや、これらを含む合金（例えば、ＣｒＴｉ，ＣｏＢ，ＣｏＰｔ，ＣｏＺｒＮｂ，ＮｉＴａ，ＮｉＷ，Ｃｒ−Ｎ，ＳｉＣ，ＴｉＯｘなど）などである。中でも、ＳｉやＣｕは樹脂スタンパーからの剥離性や加工性が優れ、好ましい。また、金属マスク層の膜厚も、加工性によって決まり、薄いほど良好である。本実施形態においては、Ｃｕを３ｎｍ磁気記録層上に積層したものを用いた。
【００８９】
図３（ｉ）に示すように、この磁気記録層５上に表面保護層６を形成した後、紫外線硬化性樹脂材料からなるレジスト７を２，２，３，３−テトラフルオロー１−プロパノールで３重量％に希釈し、図３（ｊ）に示すように、回転数１００００ｒｐｍでスピンコートした。
【００９０】
図３（ｃ）に示すように、真空貼り合わせ法により樹脂スタンパ３をディスク基板表面の紫外線硬化性樹脂レジスト７に貼り合わせ、紫外線照射し樹脂を硬化させた後、図３（ｄ）に示すように、樹脂スタンパー３を剥離した。
【００９１】
紫外線インプリントによる凹凸形成プロセスでは、パターン凹部の底にレジスト残渣が残る。
【００９２】
次に、酸素ガスを用いたＲＩＥにより、パターン凹部の底にあるレジスト残渣を除去した。レジスト７のパターンをマスクとして、Ａｒイオンミリングにより、図３（ｅ）に示すように、磁気記録層をエッチングした。続いて、図３（ｆ）に示すように、酸素ＲＩＥによりレジストのパターンを剥離した。さらに全面に図示しないカーボン保護層を成膜した。その後、作製した磁気ディスクに潤滑剤を塗布する。
【００９３】
ここで、上述した磁気ディスク媒体においては、磁気記録層をレジストのマスクがない部位において底までエッチングしているが、途中でＡｒイオンミリングを止め、凹凸が出来る程度の媒体であっても構わない。また、初めに磁性層を設けずにスタンパを基板上のレジストにインプリントした後エッチングするなどして先に基板形状に凹凸を設け、その後磁性膜を製膜した媒体であっても構わない。さらに、上述したものを含めいずれの場合にも溝部が何らかの非磁性材料によって埋め込まれていても構わない。
【００９４】
また、紫外線硬化樹脂は２，２，３，３−テトラフルオロー１−プロパノールで３重量％に希釈して使用したが、紫外線硬化樹脂の粘度や塗布方法などによっては希釈しなくても使用することが可能である。また、希釈に使用する溶剤としては、その他にアニソール、イソプロピルアルコール、エタノール、アセトン、環状ハイドロフルオロカーボン（日本ゼオン社製ゼオローラＨなど）や環状ハイドロフルオロエーテルなどを使用することができる。
【００９５】
実施例
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
【００９６】
１つのＮｉスタンパを用いて上述した方法により樹脂スタンパーを複製し、
紫外線硬化樹脂によるレジストマスク転写を行った。
【００９７】
紫外線硬化樹脂の評価は、硬化性、剥離性、塗布性、転写性、Ａｒスパッタエッチングレートの５項目について行った。
【００９８】
硬化性は、転写した後にエタノールに湿らせた布でふき取り、全く変化のないものを○、細かな傷がつくものを△、ふき取った場所が全面剥がれてしまうものを×とした。
【００９９】
剥離性は、剥離を行った時に、樹脂スタンパ側に２Ｐ樹脂が残らないものを○、わずかに残るものを△、広い面積で残るものを×とした。
【０１００】
塗布性は、転写した後に紫外線硬化樹脂の表面を目視で観察し、色が均一なら○、わずかに不均一なら△、相分離しているように大きな不均一なら×とした。
【０１０１】
転写性は、転写後の紫外線硬化樹脂のパターンをＡＦＭで観察し、溝深さが樹脂スタンパと変わらないものを○、溝深さにバラツキが発生するものを△、溝深さが異なる（低くなる）ものを×とした。
【０１０２】
Ａｒスパッタエッチングレートは、芝浦メカトロニクス社製５１Ａを使用し、Ａｒ雰囲気下、圧力を１Ｐａとし， ＲＦ電源１００Ｗ， ２００秒の条件でプラズマエッチングを行った。エッチングの前後にはアルバック社製触診式表面形状測定器ＤＥＫＴＡＫ６Ｍを用い、紫外線硬化樹脂の膜厚を測定し、エッチング前後での膜厚差をエッチング時間で規格化してエッチングレートを算出した。耐エッチング性が良好なほど紫外線硬化樹脂を用いた加工性は向上するため、エッチングレートは低いほうが好ましく、０．１５ｎｍ／秒以下であることを基準とした。
【０１０３】
ここで、上記例では溝はランドとグルーブの比が１：１となるようにした転写パターンサンプルを使用しているが、これに限定されるものではない。ＲＲＯ特性を調べる装置の特性上、プッシュプル信号ＰＰの振幅（ｐ−ｐ）を和信号ＳＵＭの電圧値（ｐ−Ｇ）で規格化した値 ＰＰ／ＳＵＭが、少なくともＰＰ／ＳＵＭ＜０．１となればトラッキングを行うことが不可能となるため、このようにならないようトラッキングを行えるようなランドとグルーブの比を選定することができる。
【０１０４】
実施例
紫外線硬化樹脂サンプルＡ〜Ｖを用いて上記方法にて磁気記録層上にパターンを転写し、磁気記録媒体を作製した。
【０１０５】
紫外線硬化樹脂サンプルＡ〜Ｖの内容を表１−１，表１−２に、その結果を表２−１，表２−２に示す。
【０１０６】
ここで、下記表１−１，及び表１−２に使用されている記号について説明する。
【０１０７】
ＩＢＯＡ： イソボルニルアクリレート
【化１２】
【０１０８】
ＭＡＤＡ： ２−メチル−２−アダマンチルアクリレート
【化１３】
【０１０９】
ＴＭＰＴＡ： トリメチロールプロパントリアクリレート
【化１４】
【０１１０】
フルオレン骨格アクリレートＩ： ９，９’−ビスフェニルフルオレンＥＯ変性アクリレート
【化１５】
【０１１１】
フルオレン骨格アクリレートII：
【化１６】
【０１１２】
Ｒ１＝Ｒ２＝
【化１７】
【０１１３】
Ｒ３＝Ｒ４＝Ｈ
フルオレン骨格アクリレートIII：
【化１８】
【０１１４】
Ｒ１＝Ｒ２＝
【化１９】
【０１１５】
Ｒ３＝Ｒ４＝Ｈ
ＴＭＰＴＡ−３ＥＯ： エトキシ化（３）テトラメチロールプロパントリアクリレート
【化２０】
【０１１６】
但し、式中、ｌ＋ｍ＋ｎ＝３
ＤＴＭＰＴＡ：ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート
【化２１】
【０１１７】
ＧＰＴＡ： プロポキシ化（３）グリセリルトリアクリレート
【化２２】
【０１１８】
ＰＥ（ＥＯ）ＴＴＡ：エトキシ化（４）ペンタエリスリトールテトラアクリレート
【化２３】
【０１１９】
ＨＤＤＡ：１，６−ヘキサンジオールジアクリレート
ＡＧＤＡ： アセタールグリコールジアクリレート
【化２４】
【０１２０】
ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９：チバスペシャルティケミカルズ社製重合開始剤
ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３：チバスペシャルティケミカルズ社製重合開始剤
ＰＵ３７０：ＭＩＷＯＮ社製３官能芳香族ウレタンアクリレートオリゴマー
ＳＩＵ２４００：ＭＩＷＯＮ社製１０官能Ｓｉアクリレートオリゴマー
紫外線硬化樹脂サンプルＢ、Ｃ，Ｄ，Ｆ，Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｎ，Ｒ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘは、硬化性、剥離性、塗布性、転写性、エッチングレートのすべての項目において磁気記録媒体にパターンを転写する目的での使用が適している紫外線硬化樹脂であることがわかった。
【０１２１】
一方、サンプルＡ、Ｏ、Ｑ、Ｓ、Ｙはエッチングレートが速くて耐エッチング性が悪いことがわかった。サンプルＡはサンプルＢと比べてＩＢＯＡが少ない。この実施例より、ＩＢＯＡは１０％以上が好ましいことがわかった。サンプルＯより、ＩＢＯＡがないとエッチング耐性がさらに悪いことがわかった。サンプルＱでは、エッチング耐性が悪くなることから、フルオレン骨格アクリレートはエッチング耐性に大きく影響を及ぼしており、エッチング耐性を向上させるにはなくてはならない材料であることがわかった。サンプルＳより、重合開始剤が６％を上回ると、エッチング耐性も悪くなる傾向にあるといえる。ＭＡＤＡおよびフルオレン骨格アクリレートがなく、多官能アクリレートの割合が大きい場合、特にエッチングレートが速く、耐エッチング性が悪くなる。
【０１２２】
サンプルＥ，Ｇ、Ｐ、Ｓは剥離性及び転写性が悪いことがわかった。サンプルＥ、ＧとＨより多官能アクリレートは１０％以上が好ましい。また、サンプルＰより、ＩＢＯＡがない場合、剥離性と転写性に問題が生じることがわかった。ＩＢＯＡはマスクパターン転写を行うのに必須なアクリレートであることが確認できた。
【０１２３】
サンプルＯ、Ｐは塗布性が悪い。塗布膜の中で材料が分離しているように見えており、ＩＢＯＡが紫外線硬化樹脂中に入っていないためと考えられる。
【０１２４】
サンプルＱ，Ｙ，Ｊ，Ｗについて、紫外線硬化樹脂へのパターンの転写後、酸素ガスを用いたＲＩＥにより、パターン凹部の底にあるレジスト残渣を除去した。次にレジストを取り除いた部分（パターン凹部の底）の金属マスク層（Ｃｕ）を ガス圧０．１Ｐａ エッチング時間１５秒の条件でＡｒイオンミリングにより除去した後、カーボン保護層を酸素ガスを用いたＲＩＥにより除去し、磁気記録層表面を露出させた。この時のマスク形状をＡＦＭで測定してみると、サンプルＱ及びＹではマスク形状がだれてしまっていたが、Ｊ，Ｗではマスクの矩形性が維持されたままであり、溝幅５ｎｍ程度という微細パターンが形成できていた。フルオレン骨格アクリレートとアダマンタン骨格アクリレートが紫外線硬化樹脂中に含まれることにより、磁性体加工を行ってもマスク形状が維持され、所望のパターン、微細パターンを加工することができることがわかった。
【０１２５】
一方、サンプルＱ，Ｙ，Ｊ，Ｗについて、Ａｒイオンミリングの代わりに、 ガス圧０．１Ｐａ エッチング時間１５秒の条件でＣＦ４ガスミリングにより、レジストを取り除いた部分（パターン凹部の底）のマスク層（Ｓｉ）を除去すること以外は、同様にしてカーボン保護層を酸素ガスを用いたＲＩＥにより除去し、磁気記録層表面を露出させた。この時のマスク形状をＡＦＭで測定してみると、 マスクの矩形性は維持されており、溝幅は５ｎｍ程度という微細パターンが形成できており、本願発明に係るサンプルＪ，Ｗは、Ａｒイオンミリングを使用しても、ＣＦ４ガスミリングを使用しても良好なマスク形状が得られた。しかしながら、フルオレン骨格アクリレートが含まれていないサンプルＱ，Ｙについては、ＣＦ４ガスミリングを使用すると良好なマスク形状が得られるが、Ａｒイオンミリングを使用しても良好なマスク形状が得られない。近年、環境上の問題からＣＦ４ガスの使用は極力低減する傾向がある。フルオレン骨格アクリレートが含まれていないサンプルＱ，Ｙは環境上問題があることがわかった。また、ディスクの表面だけでなく裏面も加工する場合にはＣＦ４ガスを使った反応性イオンエッチングを適用するのは放電が安定せず非常に難しい。Ａｒイオンミリング、Ａｒスパッタエッチングでの加工が両面ディスクの場合は好ましい。
【０１２６】
さらに、良好な紫外線硬化樹脂サンプルＢ、Ｃ，Ｄ，Ｆ，Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｎ，Ｒ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘを用いてＤＴＲ媒体を作成し、記録再生特性を調べたところ、良好な特性を得ることができた。
【０１２７】
なお、本実施例においては重合開始剤としてＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９またはＤＡＲＯＣＵＲ１１７３を用いたが、当然ＵＶランプやアクリレートとの相性によって適宜選択することができる。
【０１２８】
なお、本実施例においては重合開始剤としてＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９を用いたが、当然ＵＶランプやアクリレートとの相性によって適宜選択することができる。
【表１】
【０１２９】
【表２】
【０１３０】
【表３】
【０１３１】
【表４】
【符号の説明】
【０１３２】
３，７１…樹脂スタンパ，５…磁気記録層，７…紫外線硬化性樹脂層，５１，６２…磁気記録媒体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空下で、磁気記録層表面と、樹脂スタンパの凹凸パターン面とを、イソボルニルアクリレート、フルオレン骨格を有するアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有するパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を含む塗布層を介して貼り合わせ、
該未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射することにより、硬化せしめ、
該樹脂スタンパを剥離して、前記磁気記録層の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、
硬化された紫外線硬化性樹脂材料層をマスクとしてドライエッチングを行い、磁気記録層表面に、凹凸パターンを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、
前記イソボルニルアクリレートを１０重量％ないし６２重量％、
前記フルオレン骨格を有するアクリレートを１０重量％ないし５０重量％、
前記多官能アクリレートを１０ないし４４重量％、
前記重合開始剤を０．１重量％ないし６重量％含有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、アダマンタン骨格を有するアクリレートをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記アダマンタン骨格を有するアクリレートは０ないし４０重量%存在することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１】
真空下で、磁気記録層表面と、樹脂スタンパの凹凸パターン面とを、イソボルニルアクリレート、フルオレン骨格を有するアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有するパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を含む塗布層を介して貼り合わせ、
該未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射することにより、硬化せしめ、
該樹脂スタンパを剥離して、前記磁気記録層の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、
硬化された紫外線硬化性樹脂材料層をマスクとしてドライエッチングを行い、磁気記録層表面に、凹凸パターンを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、
前記イソボルニルアクリレートを１０重量％ないし６２重量％、
前記フルオレン骨格を有するアクリレートを１０重量％ないし５０重量％、
前記多官能アクリレートを１０ないし４４重量％、
前記重合開始剤を０．１重量％ないし６重量％含有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、アダマンタン骨格を有するアクリレートをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記アダマンタン骨格を有するアクリレートは０ないし４０重量%存在することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１１−８１９０２（Ｐ２０１１−８１９０２Ａ）
【公開日】平成２３年４月２１日（２０１１．４．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７３３２０（Ｐ２０１０−２７３３２０）
【出願日】平成２２年１２月８日（２０１０．１２．８）
【分割の表示】特願２００９−２００８６０（Ｐ２００９−２００８６０）の分割
【原出願日】平成２１年８月３１日（２００９．８．３１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月２１日（２０１１．４．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月８日（２０１０．１２．８）
【分割の表示】特願２００９−２００８６０（Ｐ２００９−２００８６０）の分割
【原出願日】平成２１年８月３１日（２００９．８．３１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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