積層セラミック電子部品及びその製造方法
【課題】本発明は、還元雰囲気の熱処理を要しない積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、内部電極及び外部電極の材料として導電性酸化物を使用し、外部電極上に弾性を有する導電層を形成することを特徴とする。本発明による積層セラミックキャパシタは、大気雰囲気下で焼成を行うことができるため、製造工程が単純になり、製造費用が節減されることができる。
【解決手段】本発明は、内部電極及び外部電極の材料として導電性酸化物を使用し、外部電極上に弾性を有する導電層を形成することを特徴とする。本発明による積層セラミックキャパシタは、大気雰囲気下で焼成を行うことができるため、製造工程が単純になり、製造費用が節減されることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関するもので、具体的には、還元雰囲気の熱処理を要しない積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、キャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ又はサーミスタ等のセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体と、本体内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続されるようにセラミック本体表面に設置された外部電極と、を具備する。
【０００３】
内部電極は、セラミックシート上に印刷されて形成される。また、内部電極の材料としては、パラジウム、銀のような貴金属を用いることもできるが、この場合、製造費用が非常に高くなり得る。
【０００４】
このような問題を解決するため、ニッケル等のベースメタルを使用してきたが、空気中で焼成する場合、内部電極が酸化される問題がある。
【０００５】
内部電極の酸化を防止するためには、焼成雰囲気を還元雰囲気に維持しなければならないため、技術的側面及び費用側面で負担が発生する。
【０００６】
また、誘電体層の焼結性の差異、熱膨張係数の差異等により、金属とセラミック層との間には不整合が発生することがあるため、これを制御できる精密な熱処理技術が必要である。
【０００７】
なお、繰り返し熱履歴を経ると、本質的にセラミックと金属とが接する界面には熱膨張係数の差異によってクラック等の欠陥が発生する蓋然性が常に存在する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、還元雰囲気の熱処理を要しない積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、セラミック本体と、上記セラミック本体内部に積層配置され、第１導電性酸化物を含む内部電極と、上記セラミック本体外部面に形成され、上記内部電極に接続され、第２導電性酸化物を含む外部電極と、を含むことができる。
【００１０】
上記第１及び第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物であることができる。
【００１１】
上記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなることができる。
【００１２】
上記外部電極上に導電層が形成されることができる。
【００１３】
上記導電層は、導電性金属及び有機重合体を含むことができる。
【００１４】
上記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つであることができ、上記有機重合体は、エポキシ樹脂であることができ、より具体的には、上記導電層は、銀−エポキシ樹脂層であることができる。
【００１５】
上記導電層上にめっき層が形成されることができる。
【００１６】
上記めっき層は、ニッケルめっき層またはすずめっき層であることができる。
【００１７】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層及び切断して得られたグリーンチップを製造する段階と、上記グリーンチップを焼成して焼成チップを製造する段階と、第２導電性酸化物を含む第２ペーストで上記焼成チップの外部面に外部電極を形成する段階と、を含むことができる。
【００１８】
上記第１ペーストの粘度は、上記第２ペーストの粘度より小さいことができる。
【００１９】
上記内部電極及び上記外部電極は、互いに異なる方式によって形成されることができる。
【００２０】
上記内部電極は印刷方式によって形成され、上記外部電極はディッピング方式によって形成されることができる。
【００２１】
上記焼成は空気中で行われることができる。
【００２２】
上記第１及び第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物であることができる。
【００２３】
上記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなることができる。
【００２４】
上記外部電極上に導電層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００２５】
上記導電層は導電性金属及び有機重合体を含むことができる。
【００２６】
上記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つであることができ、上記有機重合体は、エポキシ樹脂であることができ、より具体的には、上記導電層は、銀−エポキシ樹脂層であることができる。
【００２７】
上記導電層上にめっき層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００２８】
上記めっき層は、ニッケルめっき層またはすずめっき層であることができる。
【００２９】
本実施形態の他の側面による積層セラミック電子部品の製造方法は、第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層及び切断してグリーンチップを製造する段階と、第２導電性酸化物を含む第２ペーストで上記グリーンチップの外部面に外部電極を形成する段階と、上記グリーンチップを焼成する段階と、を含むことができる。
【００３０】
上記第１ペーストの粘度は、上記第２ペーストの粘度より小さいことができる。
【００３１】
上記内部電極及び上記外部電極は、互いに異なる方式によって形成されることができる。
【００３２】
上記内部電極は印刷方式によって形成され、上記外部電極はディッピング方式によって形成されることができる。
【００３３】
上記焼成は空気中で行われることができる。
【００３４】
上記第１及び第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物であることができる。
【００３５】
上記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなることができる。
【００３６】
上記外部電極上に導電層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００３７】
上記導電層は導電性金属及び有機重合体を含むことができる。
【００３８】
上記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つであることができ、上記有機重合体は、エポキシ樹脂であることができ、より具体的には、上記導電層は、銀−エポキシ樹脂層であることができる。
【００３９】
上記導電層上にめっき層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００４０】
上記めっき層はニッケルめっき層またはすずめっき層であることができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によると、積層セラミック電子部品の製造過程のうち焼成段階で還元雰囲気を維持する必要がないため、製造工程が単純になることができる。また、金属とセラミックとの間に発生できる不整合の問題、内部電極の酸化問題等を容易に解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ’に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。但し、本発明の実施形態は、他の様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。
【００４４】
また、本発明の実施形態は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するため、提供されるものである。
【００４５】
従って、図面における要素の形状及びサイズ等は、より明確な説明のため、誇張されることがあり、図面上における同一符号で示される要素は同一要素である。
【００４６】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の斜視図である。本実施形態による積層セラミック電子部品は、セラミック本体１０と、外部電極２１ａ、２２ａと、内部電極３１、３２と、を含むことができる。
【００４７】
積層セラミック電子部品としては、積層セラミックキャパシタ、チップインダクタ、チップビーズ等があることができる。ここでは、積層セラミックキャパシタを例に挙げて本発明について詳細に説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
【００４８】
セラミック本体１０は直方体であることができる。図１の「Ｌ」方向は「長さ方向」、「Ｗ」方向は「幅方向」、「Ｔ」方向は「厚さ方向」であることができる。
【００４９】
一般的に、セラミック本体１０は長さが幅及び厚さより大きいことができ、幅及び厚さは同一であることもできる。
【００５０】
セラミック本体１０は、高い誘電率を有するセラミック材料からなることができ、これに制限されるものではないが、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系材料等を用いることができる。
【００５１】
上記セラミック本体１０は、複数のセラミック誘電体層４０を積層させた後に焼結させたもので、隣接する誘電体層４０同士は境界が確認できないほど一体化されることができる。
【００５２】
内部電極３１、３２は、一端がセラミック本体１０の一面に露出するように形成されることができる。上記内部電極３１、３２のうち、いずれか一方の内部電極３１の一端がセラミック本体１０の一面に露出するように形成されると、それと隣接する内部電極３２の一端はセラミック本体１０の反対側の面に露出するように形成されることができる。
【００５３】
内部電極３１、３２は、一般的に導電性金属、バインダー及び溶剤を含むペーストをセラミックグリーンシート上に印刷した後、これを焼成して形成されることができる。
【００５４】
本実施形態の内部電極３１、３２は、導電性金属の代わりに導電性酸化物を含むことができる。以下では、内部電極３１、３２をなす導電性酸化物を「第１導電性酸化物」とする。
【００５５】
内部電極３１、３２の材料として導電性酸化物を用いた理由は以下の通りである。即ち、内部電極３１、３２としてニッケル等のベースメタルを用いる場合には、焼成過程においてニッケルが酸化されることがあり、これにより、内部電極３１、３２の電気伝導度が減少する問題が発生することがある。
【００５６】
このような問題を解決するため、焼成過程の雰囲気を還元雰囲気に維持しなければならないという更なる負担があるが、内部電極３１、３２に導電性酸化物を適用すると、焼成雰囲気を還元雰囲気に維持する必要がなく、空気中で焼成を行っても問題ない。
【００５７】
導電性酸化物の室温比抵抗は１×１０−２Ωｃｍ以下であることができる。
【００５８】
第１導電性酸化物はインジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物であることができる。具体的には、ＲｕＯ２、ＩｒＯ２、ＲｅＯ３、ＳｒＶＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＳｒＭｏＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＢａＲｕＯ３、ＰｂＲｕＯ３、ＢｉＲｕＯ３、ＬａＴａＯ３、Ｂｉ２Ｒｕ２Ｏ７であることができる。
【００５９】
インジウム−すず酸化物、いわゆるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）は、タッチスクリーン等ディスプレイパネルの透明電極物質として多く利用されている導電性酸化物である。
【００６０】
バインダーとしては、ポリビニルブチラール、エチルセルロース等の高分子樹脂を用いることができる。内部電極用導電性ペーストの溶剤は、特に制限されず、例えば、テルピネオール、ジヒドロテルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン等を用いることができる。
【００６１】
内部電極３１、３２は、スクリーン印刷またはグラビア印刷等の方法でセラミックグリーンシート上に形成されることができる。
【００６２】
外部電極２１ａ、２２ａは、上記セラミック本体１０の長さ方向の両側面に形成されることができる。外部電極２１ａ、２２ａは、セラミック本体１０の一面に露出した内部電極３１、３２と電気的に連結されることができる。
【００６３】
本実施形態の外部電極２１ａ、２２ａは、導電性酸化物を含むことができる。以下では、外部電極２１ａ、２２ａをなす導電性酸化物を「第２導電性酸化物」とする。
【００６４】
一般的に、外部電極２１ａ、２２ａは、導電性金属及びガラスフリットを含む導電性ペーストを用いて形成されることができる。本実施形態においては導電性金属を導電性酸化物に代替した。
【００６５】
外部電極２１ａ、２２ａの材料として、導電性酸化物を用いたのは、導電性セラミック酸化物からなる内部電極３１、３２との連結性を安定的に確保するためである。
【００６６】
金属及びセラミックは、それぞれの内部構造及び原子状態が相違しているため、金属とセラミックとを接続して連結することは容易ではない。また、金属とセラミックとが接続されたとしても、金属の熱膨張係数がセラミックの熱膨張係数より大きいため、繰り返し熱履歴を経る場合、金属の膨張及び収縮程度がより激しくなり、金属とセラミックとの界面ではクラックが発生しやすく、これにより、金属とセラミックとの連結性が低下してキャパシタの容量低下につながることがある。
【００６７】
第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物であることができる。
【００６８】
第１導電性酸化物及び第２導電性酸化物は、同一材料からなることができる。
【００６９】
内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａが同一材料からなると、内部電極３１、３２と外部電極２１ａ、２２ａとの界面での付着性に優れて内部電極３１、３２と外部電極２１ａ、２２ａとの連結性をより安定的に確保することができる。
【００７０】
外部電極２１ａ、２２ａ上には導電層２１ｂ、２２ｂが形成されることができる。
【００７１】
導電層２１ｂ、２２ｂは、導電性はもちろん、弾性を有することができる。外部電極２１ａ、２２ａは、導電性酸化物からなるため、外部衝撃に対して耐性が弱い。このような弱点を補完するため、弾性を有する導電層２１ｂ、２２ｂを外部電極上に塗布することによって、外部衝撃が導電層２１ｂ、２２ｂにおいて吸収されるようにして外部電極２１ａ、２２ａを保護することができる。
【００７２】
導電層２１ｂ、２２ｂは、導電性金属及び有機重合体を含むことができる。
【００７３】
導電性金属は導電層２１ｂ、２２ｂに導電性を、有機重合体は導電層２１ｂ、２２ｂに弾性を与えることができる。
【００７４】
導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つであることができる。
【００７５】
有機重合体はエポキシ樹脂であることができる。但し、導電層２１ｂ、２２ｂに弾性を与えるものであれば、他の樹脂も用いることができる。この場合、硬化剤の量を調節して導電層２１ｂ、２２ｂの弾性を調節することができる。即ち、硬化剤の量が少ないほど、導電層２１ｂ、２２ｂの弾性が向上することができる。
【００７６】
導電層２１ｂ、２２ｂ上にはめっき層２１ｃ、２２ｃが形成されることができる。積層セラミック電子部品にめっき層２１ｃ、２２ｃを形成することで、基板に実装する際、外部電極２１ａ、２２ａと端子との半田付けを容易にすることができる。
【００７７】
めっき層２１ｃ、２２ｃは、ニッケルめっき層またはすずめっき層であることができる。
【００７８】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極３１、３２を形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層及び切断して得られたグリーンチップを製造する段階と、上記グリーンチップを焼成して焼成チップを製造する段階と、第２導電性酸化物を含む第２ペーストで上記焼成チップの外部面に外部電極２１ａ、２２ａを形成する段階と、を含むことができる。
【００７９】
第１ペーストの粘度は、第２ペーストの粘度より小さいことができ、内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａは、互いに異なる方式によって形成されることができる。具体的には、内部電極３１、３２は印刷方式によって形成され、外部電極２１ａ、２２ａはディッピング方式によって形成されることができる。
【００８０】
内部電極３１、３２はスクリーン印刷方式によって形成されることができるが、外部電極２１ａ、２２ａはディッピング方式によって形成されることができる。
【００８１】
内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａを形成する工程の特性上（スクリーン印刷方式ｖｓ．ディッピング方式）、内部電極３１、３２を形成するのに用いられる第１ペーストの粘度は、外部電極を形成するのに用いられる第１ペーストの粘度より小さいことができる。
【００８２】
焼成は空気中で行われることができる。
【００８３】
内部電極３１、３２は、導電性酸化物で形成されて焼成過程を還元雰囲気に維持する必要がないため、工程が単純になることができ、製造費用が節減されることができる。
【００８４】
また、空気中で焼成する際、還元雰囲気下において誘電材料の絶縁特性低下を抑制するために誘電材料に添加される希土類元素等の添加剤を用いる必要がない。
【００８５】
外部電極２１ａ、２２ａ上に導電層２１ｂ、２２ｂを形成する段階をさらに含むことができる。
【００８６】
また、導電層２１ｂ、２２ｂ上にめっき層２１ｃ、２２ｃを形成する段階をさらに含むことができる。
【００８７】
その他第１及び第２導電性酸化物、導電層２１ｂ、２２ｂ、めっき層２１ｃ、２２ｃに関する事項は前述した通りである。
【００８８】
本実施形態の他の側面による積層セラミック電子部品の製造方法は、第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極３１、３２を形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層及び切断してグリーンチップを製造する段階と、第２導電性酸化物を含む第２ペーストで上記グリーンチップの外部面に外部電極２１ａ、２２ａを形成する段階と、上記グリーンチップを焼成する段階と、を含むことができる。
【００８９】
本側面の最も大きな特徴は、内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａを同時に焼成することができる点である。
【００９０】
即ち、グリーンチップを焼成した後、焼成チップに外部電極２１ａ、２２ａを形成するのではなく、グリーンチップに外部電極２１ａ、２２ａを形成した後に焼成することで、内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａを同時に焼成することができる。
【００９１】
第１及び第２ペーストの粘度、内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａの形成方式、第１及び第２導電性酸化物、導電層２１ｂ、２２ｂ、めっき層２１ｃ、２２ｃ等に関する事項は前述した通りである。
【実施例】
【００９２】
実施例の積層セラミックキャパシタは、以下のような方法によって用意された。
【００９３】
まず、チタン酸バリウム粉末にエタノールやバインダー等の添加剤を混合しボールミリングしてセラミック粉末が均一に分散されたセラミックスラリーを製造し、ドクターブレード方法を利用してキャリアフィルム上にセラミックスラリーを塗布及び乾燥して焼結後の厚さが２０ｕｍになるようにセラミックグリーンシートを製造した。
【００９４】
次に、ＩＴＯ粉末に溶媒、バインダー等の添加剤を添加しボールミリングしてＩＴＯが均一に分散された内部電極用ペーストを用意した。また、バインダーの含量を少なくして粘度の低い外部電極用ペーストを別途に用意した。これは、ディッピング方式で外部電極を形成するためである。
【００９５】
内部電極及び外部電極の材料は同一であるが、バインダーの含量によってペーストの粘度が異なるようにした。
【００９６】
続いて、内部電極用ペーストでセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷法を用いて内部電極を形成し、セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成し、積層体を８５℃で１．０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力によって等圧圧縮成形（ｉｓｏｓｔａｔｉｃ ｐｒｅｓｓｉｎｇ）した後、積層体を切断してグリーンチップを用意した。
【００９７】
グリーンチップを外部電極用ペーストにディッピング及び乾燥してグリーンチップの外部面に外部電極を形成した。
【００９８】
外部電極が形成されたグリーンチップを大気雰囲気下において２３０℃で６０時間維持する脱バインダー工程を経た後、１２００℃の大気雰囲気で焼成して内部電極及び外部電極を同時に焼成した。
【００９９】
銀（Ａｇ）−エポキシ導電性ペーストで外部電極上に導電層を形成し、導電層上には電気めっきによってすずめっき層を形成した。
【０１００】
比較例については、上記実施例との差異点を主に説明する。
【０１０１】
比較例１及び２は、両方とも内部電極としては、ニッケルを使用しており、外部電極としては、銅を主成分として使用した。
【０１０２】
比較例の場合、グリーンチップを焼成して焼成チップを用意した後、焼成チップの外部面に外部電極を形成した。
【０１０３】
比較例１の場合、還元雰囲気（Ｎｉ／ＮｉＯの平形酸素分圧より低い１０−１１〜１０−１０ａｔｍ）下の９００℃で焼成しており、比較例２の場合、比較例１と同一温度の大気雰囲気下で焼成を行った。
【０１０４】
積層セラミックキャパシタは、容量が１０ｕＦになるように設計された。
【０１０５】
上記のような方法で用意した積層セラミックキャパシタに対し、内部電極の比抵抗及びキャパシタの容量を測定比較して表１に示した。
【０１０６】
比較例及び実施例それぞれ５０個の試片に対して測定した平均値を示した。
【０１０７】
【表１】
【０１０８】
表１を参照すると、比較例１は内部電極としてニッケルを使用し、還元雰囲気で焼成を行った場合で、内部電極の比抵抗は１．２４×１０８Ωｃｍ、キャパシタの容量は１０．５ｕＦである。
【０１０９】
一方、比較例２は内部電極としてニッケルを使用し、空気中で焼成を行った場合で、内部電極の比抵抗は５．４×１０１１Ωｃｍ、容量は０．０１ｕＦである。比較例２ではキャパシタの容量が殆ど形成されなかった。
【０１１０】
比較例２は比抵抗の値が比較例１より約１０３程度大きく測定されたが、これは空気中で焼成したため、内部電極として用いられたニッケルが酸化されたためである。また、これにより、キャパシタの静電容量も殆ど形成されなかったことが分かる。
【０１１１】
実施例は内部電極として導電性酸化物のＩＴＯを使用し、空気中で焼成を行った場合で、内部電極の比抵抗は１．５２×１０８Ωｃｍ、キャパシタの容量は１０．１ｕＦである。
【０１１２】
比較例１と比べると、実施例は空気中で焼成を行ったが、内部電極の比抵抗やキャパシタの容量に大きな差異がない。これは、内部電極として導電性酸化物のＩＴＯを使用することで、内部電極の酸化による抵抗増加が発生しなかったためである。
【０１１３】
実施例の比抵抗が比較例１よりやや大きい理由は、導電性酸化物自体の導電性がニッケル金属より小さいためである。
【０１１４】
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求の範囲により限定される。従って、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で当該技術分野における通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた、本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【０１１５】
１０ セラミック本体
２１、２２ 端子電極
２１ａ、２２ａ 外部電極
２１ｂ、２２ｂ 導電層
２１ｃ、２２ｃ めっき層
３１、３２ 内部電極
４０ 誘電体層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関するもので、具体的には、還元雰囲気の熱処理を要しない積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、キャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ又はサーミスタ等のセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体と、本体内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続されるようにセラミック本体表面に設置された外部電極と、を具備する。
【０００３】
内部電極は、セラミックシート上に印刷されて形成される。また、内部電極の材料としては、パラジウム、銀のような貴金属を用いることもできるが、この場合、製造費用が非常に高くなり得る。
【０００４】
このような問題を解決するため、ニッケル等のベースメタルを使用してきたが、空気中で焼成する場合、内部電極が酸化される問題がある。
【０００５】
内部電極の酸化を防止するためには、焼成雰囲気を還元雰囲気に維持しなければならないため、技術的側面及び費用側面で負担が発生する。
【０００６】
また、誘電体層の焼結性の差異、熱膨張係数の差異等により、金属とセラミック層との間には不整合が発生することがあるため、これを制御できる精密な熱処理技術が必要である。
【０００７】
なお、繰り返し熱履歴を経ると、本質的にセラミックと金属とが接する界面には熱膨張係数の差異によってクラック等の欠陥が発生する蓋然性が常に存在する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、還元雰囲気の熱処理を要しない積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、セラミック本体と、上記セラミック本体内部に積層配置され、第１導電性酸化物を含む内部電極と、上記セラミック本体外部面に形成され、上記内部電極に接続され、第２導電性酸化物を含む外部電極と、を含むことができる。
【００１０】
上記第１及び第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物であることができる。
【００１１】
上記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなることができる。
【００１２】
上記外部電極上に導電層が形成されることができる。
【００１３】
上記導電層は、導電性金属及び有機重合体を含むことができる。
【００１４】
上記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つであることができ、上記有機重合体は、エポキシ樹脂であることができ、より具体的には、上記導電層は、銀−エポキシ樹脂層であることができる。
【００１５】
上記導電層上にめっき層が形成されることができる。
【００１６】
上記めっき層は、ニッケルめっき層またはすずめっき層であることができる。
【００１７】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層及び切断して得られたグリーンチップを製造する段階と、上記グリーンチップを焼成して焼成チップを製造する段階と、第２導電性酸化物を含む第２ペーストで上記焼成チップの外部面に外部電極を形成する段階と、を含むことができる。
【００１８】
上記第１ペーストの粘度は、上記第２ペーストの粘度より小さいことができる。
【００１９】
上記内部電極及び上記外部電極は、互いに異なる方式によって形成されることができる。
【００２０】
上記内部電極は印刷方式によって形成され、上記外部電極はディッピング方式によって形成されることができる。
【００２１】
上記焼成は空気中で行われることができる。
【００２２】
上記第１及び第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物であることができる。
【００２３】
上記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなることができる。
【００２４】
上記外部電極上に導電層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００２５】
上記導電層は導電性金属及び有機重合体を含むことができる。
【００２６】
上記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つであることができ、上記有機重合体は、エポキシ樹脂であることができ、より具体的には、上記導電層は、銀−エポキシ樹脂層であることができる。
【００２７】
上記導電層上にめっき層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００２８】
上記めっき層は、ニッケルめっき層またはすずめっき層であることができる。
【００２９】
本実施形態の他の側面による積層セラミック電子部品の製造方法は、第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層及び切断してグリーンチップを製造する段階と、第２導電性酸化物を含む第２ペーストで上記グリーンチップの外部面に外部電極を形成する段階と、上記グリーンチップを焼成する段階と、を含むことができる。
【００３０】
上記第１ペーストの粘度は、上記第２ペーストの粘度より小さいことができる。
【００３１】
上記内部電極及び上記外部電極は、互いに異なる方式によって形成されることができる。
【００３２】
上記内部電極は印刷方式によって形成され、上記外部電極はディッピング方式によって形成されることができる。
【００３３】
上記焼成は空気中で行われることができる。
【００３４】
上記第１及び第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物であることができる。
【００３５】
上記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなることができる。
【００３６】
上記外部電極上に導電層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００３７】
上記導電層は導電性金属及び有機重合体を含むことができる。
【００３８】
上記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つであることができ、上記有機重合体は、エポキシ樹脂であることができ、より具体的には、上記導電層は、銀−エポキシ樹脂層であることができる。
【００３９】
上記導電層上にめっき層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００４０】
上記めっき層はニッケルめっき層またはすずめっき層であることができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によると、積層セラミック電子部品の製造過程のうち焼成段階で還元雰囲気を維持する必要がないため、製造工程が単純になることができる。また、金属とセラミックとの間に発生できる不整合の問題、内部電極の酸化問題等を容易に解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ’に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。但し、本発明の実施形態は、他の様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。
【００４４】
また、本発明の実施形態は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するため、提供されるものである。
【００４５】
従って、図面における要素の形状及びサイズ等は、より明確な説明のため、誇張されることがあり、図面上における同一符号で示される要素は同一要素である。
【００４６】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の斜視図である。本実施形態による積層セラミック電子部品は、セラミック本体１０と、外部電極２１ａ、２２ａと、内部電極３１、３２と、を含むことができる。
【００４７】
積層セラミック電子部品としては、積層セラミックキャパシタ、チップインダクタ、チップビーズ等があることができる。ここでは、積層セラミックキャパシタを例に挙げて本発明について詳細に説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
【００４８】
セラミック本体１０は直方体であることができる。図１の「Ｌ」方向は「長さ方向」、「Ｗ」方向は「幅方向」、「Ｔ」方向は「厚さ方向」であることができる。
【００４９】
一般的に、セラミック本体１０は長さが幅及び厚さより大きいことができ、幅及び厚さは同一であることもできる。
【００５０】
セラミック本体１０は、高い誘電率を有するセラミック材料からなることができ、これに制限されるものではないが、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系材料等を用いることができる。
【００５１】
上記セラミック本体１０は、複数のセラミック誘電体層４０を積層させた後に焼結させたもので、隣接する誘電体層４０同士は境界が確認できないほど一体化されることができる。
【００５２】
内部電極３１、３２は、一端がセラミック本体１０の一面に露出するように形成されることができる。上記内部電極３１、３２のうち、いずれか一方の内部電極３１の一端がセラミック本体１０の一面に露出するように形成されると、それと隣接する内部電極３２の一端はセラミック本体１０の反対側の面に露出するように形成されることができる。
【００５３】
内部電極３１、３２は、一般的に導電性金属、バインダー及び溶剤を含むペーストをセラミックグリーンシート上に印刷した後、これを焼成して形成されることができる。
【００５４】
本実施形態の内部電極３１、３２は、導電性金属の代わりに導電性酸化物を含むことができる。以下では、内部電極３１、３２をなす導電性酸化物を「第１導電性酸化物」とする。
【００５５】
内部電極３１、３２の材料として導電性酸化物を用いた理由は以下の通りである。即ち、内部電極３１、３２としてニッケル等のベースメタルを用いる場合には、焼成過程においてニッケルが酸化されることがあり、これにより、内部電極３１、３２の電気伝導度が減少する問題が発生することがある。
【００５６】
このような問題を解決するため、焼成過程の雰囲気を還元雰囲気に維持しなければならないという更なる負担があるが、内部電極３１、３２に導電性酸化物を適用すると、焼成雰囲気を還元雰囲気に維持する必要がなく、空気中で焼成を行っても問題ない。
【００５７】
導電性酸化物の室温比抵抗は１×１０−２Ωｃｍ以下であることができる。
【００５８】
第１導電性酸化物はインジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物であることができる。具体的には、ＲｕＯ２、ＩｒＯ２、ＲｅＯ３、ＳｒＶＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＳｒＭｏＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＢａＲｕＯ３、ＰｂＲｕＯ３、ＢｉＲｕＯ３、ＬａＴａＯ３、Ｂｉ２Ｒｕ２Ｏ７であることができる。
【００５９】
インジウム−すず酸化物、いわゆるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）は、タッチスクリーン等ディスプレイパネルの透明電極物質として多く利用されている導電性酸化物である。
【００６０】
バインダーとしては、ポリビニルブチラール、エチルセルロース等の高分子樹脂を用いることができる。内部電極用導電性ペーストの溶剤は、特に制限されず、例えば、テルピネオール、ジヒドロテルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン等を用いることができる。
【００６１】
内部電極３１、３２は、スクリーン印刷またはグラビア印刷等の方法でセラミックグリーンシート上に形成されることができる。
【００６２】
外部電極２１ａ、２２ａは、上記セラミック本体１０の長さ方向の両側面に形成されることができる。外部電極２１ａ、２２ａは、セラミック本体１０の一面に露出した内部電極３１、３２と電気的に連結されることができる。
【００６３】
本実施形態の外部電極２１ａ、２２ａは、導電性酸化物を含むことができる。以下では、外部電極２１ａ、２２ａをなす導電性酸化物を「第２導電性酸化物」とする。
【００６４】
一般的に、外部電極２１ａ、２２ａは、導電性金属及びガラスフリットを含む導電性ペーストを用いて形成されることができる。本実施形態においては導電性金属を導電性酸化物に代替した。
【００６５】
外部電極２１ａ、２２ａの材料として、導電性酸化物を用いたのは、導電性セラミック酸化物からなる内部電極３１、３２との連結性を安定的に確保するためである。
【００６６】
金属及びセラミックは、それぞれの内部構造及び原子状態が相違しているため、金属とセラミックとを接続して連結することは容易ではない。また、金属とセラミックとが接続されたとしても、金属の熱膨張係数がセラミックの熱膨張係数より大きいため、繰り返し熱履歴を経る場合、金属の膨張及び収縮程度がより激しくなり、金属とセラミックとの界面ではクラックが発生しやすく、これにより、金属とセラミックとの連結性が低下してキャパシタの容量低下につながることがある。
【００６７】
第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物であることができる。
【００６８】
第１導電性酸化物及び第２導電性酸化物は、同一材料からなることができる。
【００６９】
内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａが同一材料からなると、内部電極３１、３２と外部電極２１ａ、２２ａとの界面での付着性に優れて内部電極３１、３２と外部電極２１ａ、２２ａとの連結性をより安定的に確保することができる。
【００７０】
外部電極２１ａ、２２ａ上には導電層２１ｂ、２２ｂが形成されることができる。
【００７１】
導電層２１ｂ、２２ｂは、導電性はもちろん、弾性を有することができる。外部電極２１ａ、２２ａは、導電性酸化物からなるため、外部衝撃に対して耐性が弱い。このような弱点を補完するため、弾性を有する導電層２１ｂ、２２ｂを外部電極上に塗布することによって、外部衝撃が導電層２１ｂ、２２ｂにおいて吸収されるようにして外部電極２１ａ、２２ａを保護することができる。
【００７２】
導電層２１ｂ、２２ｂは、導電性金属及び有機重合体を含むことができる。
【００７３】
導電性金属は導電層２１ｂ、２２ｂに導電性を、有機重合体は導電層２１ｂ、２２ｂに弾性を与えることができる。
【００７４】
導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つであることができる。
【００７５】
有機重合体はエポキシ樹脂であることができる。但し、導電層２１ｂ、２２ｂに弾性を与えるものであれば、他の樹脂も用いることができる。この場合、硬化剤の量を調節して導電層２１ｂ、２２ｂの弾性を調節することができる。即ち、硬化剤の量が少ないほど、導電層２１ｂ、２２ｂの弾性が向上することができる。
【００７６】
導電層２１ｂ、２２ｂ上にはめっき層２１ｃ、２２ｃが形成されることができる。積層セラミック電子部品にめっき層２１ｃ、２２ｃを形成することで、基板に実装する際、外部電極２１ａ、２２ａと端子との半田付けを容易にすることができる。
【００７７】
めっき層２１ｃ、２２ｃは、ニッケルめっき層またはすずめっき層であることができる。
【００７８】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極３１、３２を形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層及び切断して得られたグリーンチップを製造する段階と、上記グリーンチップを焼成して焼成チップを製造する段階と、第２導電性酸化物を含む第２ペーストで上記焼成チップの外部面に外部電極２１ａ、２２ａを形成する段階と、を含むことができる。
【００７９】
第１ペーストの粘度は、第２ペーストの粘度より小さいことができ、内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａは、互いに異なる方式によって形成されることができる。具体的には、内部電極３１、３２は印刷方式によって形成され、外部電極２１ａ、２２ａはディッピング方式によって形成されることができる。
【００８０】
内部電極３１、３２はスクリーン印刷方式によって形成されることができるが、外部電極２１ａ、２２ａはディッピング方式によって形成されることができる。
【００８１】
内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａを形成する工程の特性上（スクリーン印刷方式ｖｓ．ディッピング方式）、内部電極３１、３２を形成するのに用いられる第１ペーストの粘度は、外部電極を形成するのに用いられる第１ペーストの粘度より小さいことができる。
【００８２】
焼成は空気中で行われることができる。
【００８３】
内部電極３１、３２は、導電性酸化物で形成されて焼成過程を還元雰囲気に維持する必要がないため、工程が単純になることができ、製造費用が節減されることができる。
【００８４】
また、空気中で焼成する際、還元雰囲気下において誘電材料の絶縁特性低下を抑制するために誘電材料に添加される希土類元素等の添加剤を用いる必要がない。
【００８５】
外部電極２１ａ、２２ａ上に導電層２１ｂ、２２ｂを形成する段階をさらに含むことができる。
【００８６】
また、導電層２１ｂ、２２ｂ上にめっき層２１ｃ、２２ｃを形成する段階をさらに含むことができる。
【００８７】
その他第１及び第２導電性酸化物、導電層２１ｂ、２２ｂ、めっき層２１ｃ、２２ｃに関する事項は前述した通りである。
【００８８】
本実施形態の他の側面による積層セラミック電子部品の製造方法は、第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極３１、３２を形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層及び切断してグリーンチップを製造する段階と、第２導電性酸化物を含む第２ペーストで上記グリーンチップの外部面に外部電極２１ａ、２２ａを形成する段階と、上記グリーンチップを焼成する段階と、を含むことができる。
【００８９】
本側面の最も大きな特徴は、内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａを同時に焼成することができる点である。
【００９０】
即ち、グリーンチップを焼成した後、焼成チップに外部電極２１ａ、２２ａを形成するのではなく、グリーンチップに外部電極２１ａ、２２ａを形成した後に焼成することで、内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａを同時に焼成することができる。
【００９１】
第１及び第２ペーストの粘度、内部電極３１、３２及び外部電極２１ａ、２２ａの形成方式、第１及び第２導電性酸化物、導電層２１ｂ、２２ｂ、めっき層２１ｃ、２２ｃ等に関する事項は前述した通りである。
【実施例】
【００９２】
実施例の積層セラミックキャパシタは、以下のような方法によって用意された。
【００９３】
まず、チタン酸バリウム粉末にエタノールやバインダー等の添加剤を混合しボールミリングしてセラミック粉末が均一に分散されたセラミックスラリーを製造し、ドクターブレード方法を利用してキャリアフィルム上にセラミックスラリーを塗布及び乾燥して焼結後の厚さが２０ｕｍになるようにセラミックグリーンシートを製造した。
【００９４】
次に、ＩＴＯ粉末に溶媒、バインダー等の添加剤を添加しボールミリングしてＩＴＯが均一に分散された内部電極用ペーストを用意した。また、バインダーの含量を少なくして粘度の低い外部電極用ペーストを別途に用意した。これは、ディッピング方式で外部電極を形成するためである。
【００９５】
内部電極及び外部電極の材料は同一であるが、バインダーの含量によってペーストの粘度が異なるようにした。
【００９６】
続いて、内部電極用ペーストでセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷法を用いて内部電極を形成し、セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成し、積層体を８５℃で１．０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力によって等圧圧縮成形（ｉｓｏｓｔａｔｉｃ ｐｒｅｓｓｉｎｇ）した後、積層体を切断してグリーンチップを用意した。
【００９７】
グリーンチップを外部電極用ペーストにディッピング及び乾燥してグリーンチップの外部面に外部電極を形成した。
【００９８】
外部電極が形成されたグリーンチップを大気雰囲気下において２３０℃で６０時間維持する脱バインダー工程を経た後、１２００℃の大気雰囲気で焼成して内部電極及び外部電極を同時に焼成した。
【００９９】
銀（Ａｇ）−エポキシ導電性ペーストで外部電極上に導電層を形成し、導電層上には電気めっきによってすずめっき層を形成した。
【０１００】
比較例については、上記実施例との差異点を主に説明する。
【０１０１】
比較例１及び２は、両方とも内部電極としては、ニッケルを使用しており、外部電極としては、銅を主成分として使用した。
【０１０２】
比較例の場合、グリーンチップを焼成して焼成チップを用意した後、焼成チップの外部面に外部電極を形成した。
【０１０３】
比較例１の場合、還元雰囲気（Ｎｉ／ＮｉＯの平形酸素分圧より低い１０−１１〜１０−１０ａｔｍ）下の９００℃で焼成しており、比較例２の場合、比較例１と同一温度の大気雰囲気下で焼成を行った。
【０１０４】
積層セラミックキャパシタは、容量が１０ｕＦになるように設計された。
【０１０５】
上記のような方法で用意した積層セラミックキャパシタに対し、内部電極の比抵抗及びキャパシタの容量を測定比較して表１に示した。
【０１０６】
比較例及び実施例それぞれ５０個の試片に対して測定した平均値を示した。
【０１０７】
【表１】
【０１０８】
表１を参照すると、比較例１は内部電極としてニッケルを使用し、還元雰囲気で焼成を行った場合で、内部電極の比抵抗は１．２４×１０８Ωｃｍ、キャパシタの容量は１０．５ｕＦである。
【０１０９】
一方、比較例２は内部電極としてニッケルを使用し、空気中で焼成を行った場合で、内部電極の比抵抗は５．４×１０１１Ωｃｍ、容量は０．０１ｕＦである。比較例２ではキャパシタの容量が殆ど形成されなかった。
【０１１０】
比較例２は比抵抗の値が比較例１より約１０３程度大きく測定されたが、これは空気中で焼成したため、内部電極として用いられたニッケルが酸化されたためである。また、これにより、キャパシタの静電容量も殆ど形成されなかったことが分かる。
【０１１１】
実施例は内部電極として導電性酸化物のＩＴＯを使用し、空気中で焼成を行った場合で、内部電極の比抵抗は１．５２×１０８Ωｃｍ、キャパシタの容量は１０．１ｕＦである。
【０１１２】
比較例１と比べると、実施例は空気中で焼成を行ったが、内部電極の比抵抗やキャパシタの容量に大きな差異がない。これは、内部電極として導電性酸化物のＩＴＯを使用することで、内部電極の酸化による抵抗増加が発生しなかったためである。
【０１１３】
実施例の比抵抗が比較例１よりやや大きい理由は、導電性酸化物自体の導電性がニッケル金属より小さいためである。
【０１１４】
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求の範囲により限定される。従って、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で当該技術分野における通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた、本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【０１１５】
１０ セラミック本体
２１、２２ 端子電極
２１ａ、２２ａ 外部電極
２１ｂ、２２ｂ 導電層
２１ｃ、２２ｃ めっき層
３１、３２ 内部電極
４０ 誘電体層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に積層配置され、第１導電性酸化物を含む内部電極と、
前記セラミック本体の外部面に形成され、前記内部電極に接続され、第２導電性酸化物を含む外部電極と、
を含む、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記第１及び第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなる、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記外部電極上に導電層が形成される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記導電層は、導電性金属及び有機重合体を含む、請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなる、請求項５に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記有機重合体は、エポキシ樹脂である、請求項５に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記導電層は、銀−エポキシ樹脂層である、請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記導電層上にめっき層が形成される、請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記めっき層は、ニッケルめっき層またはすずめっき層である、請求項９に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する段階と、
前記セラミックグリーンシートを積層及び切断して得られたグリーンチップを製造する段階と、
前記グリーンチップを焼成して焼成チップを製造する段階と、
第２導電性酸化物を含む第２ペーストで前記焼成チップの外部面に外部電極を形成する段階と、
を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記第１ペーストの粘度は、前記第２ペーストの粘度より小さい、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記内部電極は、印刷方式によって形成される、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記外部電極は、ディッピング方式によって形成される、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記焼成は、空気中で行われる、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなる、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記外部電極上に導電層を形成する段階をさらに含む、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１８】
前記導電層は、導電性金属及び有機重合体を含む、請求項１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１９】
前記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つである、請求項１８に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２０】
前記有機重合体は、エポキシ樹脂である、請求項１８に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２１】
前記導電層は、銀−エポキシ樹脂層である、請求項１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２２】
前記導電層上にめっき層を形成する段階をさらに含む、請求項１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２３】
前記めっき層は、ニッケルめっき層またはすずめっき層である、請求項２２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２４】
第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する段階と、
前記セラミックグリーンシートを積層及び切断してグリーンチップを製造する段階と、
第２導電性酸化物を含む第２ペーストで前記グリーンチップの外部面に外部電極を形成する段階と、
前記グリーンチップを焼成する段階と、
を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２５】
前記第１ペーストの粘度は、前記第２ペーストの粘度より小さい、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２６】
前記内部電極は、印刷方式によって形成される、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２７】
前記外部電極は、ディッピング方式によって形成される、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２８】
前記焼成は、空気中で行われる、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２９】
前記第１及び第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物である、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３０】
前記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなる、請求項２４に記載の
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３１】
前記外部電極上に導電層を形成する段階をさらに含む、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３２】
前記導電層は、導電性金属及び有機重合体を含む、請求項３１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３３】
前記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つである、請求項３２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３４】
前記有機重合体は、エポキシ樹脂である、請求項３２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３５】
前記導電層は、銀−エポキシ樹脂層である、請求項３１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３６】
前記導電層上にめっき層を形成する段階をさらに含む、請求項３１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３７】
前記めっき層は、ニッケルめっき層またはすずめっき層である、請求項３６に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１】
セラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に積層配置され、第１導電性酸化物を含む内部電極と、
前記セラミック本体の外部面に形成され、前記内部電極に接続され、第２導電性酸化物を含む外部電極と、
を含む、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記第１及び第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなる、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記外部電極上に導電層が形成される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記導電層は、導電性金属及び有機重合体を含む、請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなる、請求項５に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記有機重合体は、エポキシ樹脂である、請求項５に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記導電層は、銀−エポキシ樹脂層である、請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記導電層上にめっき層が形成される、請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記めっき層は、ニッケルめっき層またはすずめっき層である、請求項９に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する段階と、
前記セラミックグリーンシートを積層及び切断して得られたグリーンチップを製造する段階と、
前記グリーンチップを焼成して焼成チップを製造する段階と、
第２導電性酸化物を含む第２ペーストで前記焼成チップの外部面に外部電極を形成する段階と、
を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記第１ペーストの粘度は、前記第２ペーストの粘度より小さい、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記内部電極は、印刷方式によって形成される、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記外部電極は、ディッピング方式によって形成される、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記焼成は、空気中で行われる、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなる、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記外部電極上に導電層を形成する段階をさらに含む、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１８】
前記導電層は、導電性金属及び有機重合体を含む、請求項１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１９】
前記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つである、請求項１８に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２０】
前記有機重合体は、エポキシ樹脂である、請求項１８に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２１】
前記導電層は、銀−エポキシ樹脂層である、請求項１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２２】
前記導電層上にめっき層を形成する段階をさらに含む、請求項１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２３】
前記めっき層は、ニッケルめっき層またはすずめっき層である、請求項２２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２４】
第１導電性酸化物を含む第１ペーストでセラミックグリーンシート上に内部電極を形成する段階と、
前記セラミックグリーンシートを積層及び切断してグリーンチップを製造する段階と、
第２導電性酸化物を含む第２ペーストで前記グリーンチップの外部面に外部電極を形成する段階と、
前記グリーンチップを焼成する段階と、
を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２５】
前記第１ペーストの粘度は、前記第２ペーストの粘度より小さい、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２６】
前記内部電極は、印刷方式によって形成される、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２７】
前記外部電極は、ディッピング方式によって形成される、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２８】
前記焼成は、空気中で行われる、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２９】
前記第１及び第２導電性酸化物は、インジウム−すず酸化物またはルテニウム酸化物である、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３０】
前記第１及び第２導電性酸化物は、同一材料からなる、請求項２４に記載の
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３１】
前記外部電極上に導電層を形成する段階をさらに含む、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３２】
前記導電層は、導電性金属及び有機重合体を含む、請求項３１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３３】
前記導電性金属は、金、銀、銅、ニッケル及びこれらの合金からなるグループのうち選択されたいずれか一つである、請求項３２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３４】
前記有機重合体は、エポキシ樹脂である、請求項３２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３５】
前記導電層は、銀−エポキシ樹脂層である、請求項３１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３６】
前記導電層上にめっき層を形成する段階をさらに含む、請求項３１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３７】
前記めっき層は、ニッケルめっき層またはすずめっき層である、請求項３６に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１３−８０９０３（Ｐ２０１３−８０９０３Ａ）
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１６４４９４（Ｐ２０１２−１６４４９４）
【出願日】平成２４年７月２５日（２０１２．７．２５）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年７月２５日（２０１２．７．２５）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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