解像度、コントラストおよび露光範囲の改善用に画像データをスクロールする単一通過画像形成装置
【課題】単一の通過で高解像度、高速度の画像形成を可能にする、レーザベースの画像形成技法、及びリソグラフィ・マーキング装置を提供する。
【解決手段】所定のスキャン画像データに応じて2次元光場119を変調する光変調素子125−11〜125−43から成る2次元アレイを有する空間光変調器120を含み、画像形成面上に定められた細長画像形成領域167上へ、変調光をアナモフィックに画像形成して集光するために、アナモフィック光学システム130が用いられる。汚れを回避するために、画像形成面の移動は、画像位置コントローラ回路180によって、スキャン画像の画像特徴が画像形成面のスキャン間移動と同じ速度でスクロールされる(スキャン間方向に移動する)ように、光変調素子の変調状態と同期化され、それによって画像形成面の同一部分と一致した状態のままとなる。
【解決手段】所定のスキャン画像データに応じて2次元光場119を変調する光変調素子125−11〜125−43から成る2次元アレイを有する空間光変調器120を含み、画像形成面上に定められた細長画像形成領域167上へ、変調光をアナモフィックに画像形成して集光するために、アナモフィック光学システム130が用いられる。汚れを回避するために、画像形成面の移動は、画像位置コントローラ回路180によって、スキャン画像の画像特徴が画像形成面のスキャン間移動と同じ速度でスクロールされる(スキャン間方向に移動する)ように、光変調素子の変調状態と同期化され、それによって画像形成面の同一部分と一致した状態のままとなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は画像形成装置、および特に単一の通過で高解像度、高速度の画像形成のための画像形成装置に関する。
【背景技術】
【0002】
レーザ画像形成システムは、マスク付きおよびマスクレスリソグラフィパターン形成、表面のレーザダル加工、およびレーザ切断機などの用途において、画像を発生させるために広範囲にわたって用いられている。レーザプリンタは、ポリゴンスキャナまたはガルボスキャナを利用することによって工程方向と直角にレーザを掃引するラスタ光学スキャナ(ROS:raster optical scanner)をしばしば用い、一方で切断用途に対して、レーザ画像形成システムは、フラットベッド型x−yベクトルスキャニングを用いる。
【0003】
レーザROS技法の制約のうちの1つは、画像解像度とスキャンラインの横方向の広がりとの間に、設計上のトレードオフが存在することである。これらのトレードオフは、スキャンラインの両極端において、画像面の湾曲などの光学性能の制限から生じる。実際には、単一のガルバノメータまたはポリゴンスキャナを用いて、一列20インチの画像形成幅全体で1200dpi解像度を達成するのは、きわめて困難である。その上に、単一のレーザヘッドによる電動式x−yフラットベッドアーキテクチャは、広範囲の領域にとっては理想的であるが、最高速の印刷工程にとっては時間がかかりすぎる。
【0004】
こういう訳で、広い幅の電子写真法にとって、最大20インチ幅までのモノリシックの発光ダイオード(LED:light emitting diode)アレイには、画像形成上の利点がある。残念ながら、現在のLEDアレイは、ピクセル当たり10ミリワットの出力レベルを提供することができるだけであり、したがって電子写真法などの一部の非熱の画像形成用途に役立つだけである。加えて、LEDバーは、経年劣化差および性能差を広げる。単一のLEDが故障すると、LEDバー全体を差し換える必要がある。他の多くの画像形成またはマーキング用途には、より高い出力が必要である。例えば、レーザダル加工、または切断用途は、10W〜100Wの範囲の出力レベルを必要とすることがある。それゆえにLEDバーは、これらの高出力用途に用いることができない。さらに、ずらして配置した2行以上のヘッドを用いずに、LEDをより高速度または1200dpiを上回る解像度に広げることも困難である。
【0005】
100ミリワット〜100ワットの範囲にある、より高出力の半導体レーザアレイが存在する。ほとんどの場合、それらは全幅で大略1cmのレーザ・ダイオード・バーなどの1Dアレイ形式で存在する。高出力向け光源の別のタイプは、2D面発光VCSELアレイである。しかしながら、これらの高出力レーザ技術のいずれも、最隣接間のレーザピッチを600dpi以上の画像形成解像度に適合可能にはしない。加えて、これらの技術のいずれも、各レーザの個々の高速度制御を可能にはしない。それゆえに高出力オーバヘッド投影画像形成システムなどの高出力用途は、Texas Instruments社のDLP(商標)チップまたは液晶アレイなどの空間光変調器と組み合わせたレーザなどの高出力源をしばしば用いる。
【0006】
画像形成システムが、並んでアレイ構成にされる場合、重なり合った投影画像を形成するのに用いることができ、ソフトウェアを用いて重なり合わせることによってより広い画像を形成して、その画像パターンを途切れのないパターンへと互いにスティッチできることを、先行技術は示している。このことは、PCボード製造およびディスプレイシステム用などの、多くのマスクレス・リソグラフィ・システムにおいて示されてきた。従来、高解像度用途向けのこのようなアレイ構成の画像形成システムは、連続的な高解像度画像を互いにスティッチするために、2行の画像形成サブシステムかそれとも2重通過スキャン構成かを用いなければならないように配列されていた。これは、光学サブシステムの寸法上、物理的ハードウェアに制約があるためである。画像形成する2重の行構成は、依然として、基板を単一方向に移動させる運搬機を用いて、途切れなく互いにスティッチすることができるが、しかしこのようなシステムは、多量の追加のハードウェア設置場所および各画像形成行間の精度調整を必要とする。
【0007】
マスクレスリソグラフィ用途にとっては、画像形成されるフォトレジストの露光と現像との間の時間は決定的に重要とは言えず、したがって単一のラインに沿ってフォトレジストに画像を形成しても、すぐに露光する必要がない。しかしながら、露光と現像との間の時間は、ときどき決定的に重要となる。例えば、電子写真式レーザ印刷は、時間とともに自然に減衰する電荷を消去することによって、感光体に画像を形成することに基づいている。それゆえに露光と現像との間の時間は、時不変性ではない。このような状況では、露光システムにとっては、単一のラインを、またはいくらか詰めて配置された、表面における高解像度の隣り合うラインを同時に、露光することが望ましい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
電子写真式印刷の用途に加えて、露光と現像との間の時間が決定的に重要な別のマーキングシステムがある。一例は、当初Carleyによって、発明の名称が「FOUNTAIN SOLUTION IMAGE APPARATUS FOR ELECTRONIC LITHOGRAPHY(電子リソグラフィ用の湿し水画像装置)」の米国特許第3,800,699号明細書に開示された、レーザベースの可変データ・リソグラフィ・マーキング技法である。標準のオフセットリソグラフィ印刷では、疎水性の画像形成領域および親水性の非画像形成領域を有する静的な画像形成プレートが作成される。水ベースの湿し水の薄層は、プレートを選択的に湿潤させ、油ベースのインクを選択的に拒絶する撥油層を形成する。米国特許第3,800,699号明細書に開示された可変データ・リソグラフィ・マーキングでは、レーザは、湿し水をパターン切除して、オン・ザ・フライで可変の画像領域を形成するのに用いることができる。このようなシステムにとっては、湿し水の薄層も、周囲空気への自然の分圧蒸発が原因で時間とともに厚さが低下する。それゆえに、単一の画像形成通過ステップにおいて形成される単一の連続的な高出力レーザ画像形成ラインパターンを形成し、その結果、液体湿潤フィルム厚が、レーザ切除ステップを形成する画像のどこでも同一厚となることも有利なことである。しかしながら、大部分のアレイ構成の高出力高解像度画像形成システムにとっては、空間光変調器を囲むハードウェアおよびパッケージが、通常、途切れのない連続的なラインパターンを画像形成するのを妨げる。その上に、ダル加工、リソグラフィ、コンピュータ・トゥ・プレート製作、広領域型抜き、または熱ベース印刷もしくは他の新規な印刷用途などの、レーザ画像形成の多くの領域にとって必要なものは、1ワットレベルを十分に上回る高い総光パワーを有し、20インチを越える広い工程幅全体に拡張可能であり、1200dpiを上回る解像度を達成可能であり、単一の通過で高解像度、高速度の画像形成を可能にする、レーザベースの画像形成技法である。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明は、一般に、工程(スキャン間)方向に移動するスキャン構造(例えば、ドラムシリンダ)の画像形成面上に、所定の画像データに従って、細長い実質的に1次元のスキャン画像が発生する、画像形成(例えば、リソグラフィ)装置に向けられる。本発明は、詳しくは、複数の光変調素子から成る2次元アレイを有する空間光変調器が、所定のスキャン画像データに応じて2次元光場を変調するのに用いられ、その後でその変調光が、工程方向および工程直交方向にアナモフィックに画像形成され、画像形成面上に定められた細長画像形成領域上へ、工程方向に集光されるような画像形成装置に向けられる。この配列に関して起こり得る問題は、画像形成面が工程方向に移動しながら、アレイ内のすべてのデータラスタが同時に変化する場合、転写された画像の汚れ(すなわち、画像形成面上に配置された、スキャン画像によって処理される転写材料の変形)が生じる場合があることである。本発明の一態様によれば、この汚れを回避するために、画像形成面の工程方向の移動を光変調素子の変調状態と同期化させるのに画像位置コントローラが利用され、例えば、光変調素子を通して画像データビット値をシフト(ラスタ化)することによって同期化させ、それによってスキャン画像の画像特徴が、画像形成面の工程方向の移動に一致する速度でスクロールされ(工程方向にシフトされ)、それによってたとえ画像形成面部分が工程方向に移動しても、画像特徴は、実質的に画像形成面のうちの対応する部分と一致した状態のままとなる。汚れ問題を回避することに加えて、画像形成面の移動に同期してスキャン画像特徴をラスタ化することによって、本発明は、さらに画像形成面上の各画像特徴と関連した露光時間を増加させ、それによってスキャン面への全出力の転写を維持しながら均質光場を供給するピーク出力の低減を容易にし、それゆえに低出力光源の利用を可能にすることによって、画像形成装置の全体にわたるコストを低減する。
【0010】
本発明の一実施の形態によれば、画像形成装置は、2次元光場にわたって一様に広がった(拡散した)一定の均質光を発生させる、市販の均質光発生器(例えば、LIMO社製高出力レーザ・ダイオード・ライン発生器)と、その光場内に配置され、所定のスキャンライン画像データに従って均質光を変調する空間光変調器と、変調された均質光を工程方向および工程直交方向に画像形成し、変調された均質光を工程方向に集光して、スキャン構造の画像形成面上に実質的に1次元のスキャンライン画像を形成するアナモフィック光学システムとを含む。アナモフィック光学システムを利用して、変調された均質光を画像形成して集光することによって、スキャンライン画像の任意の点にかつ高出力レーザ光源を必要とせずに、高い総光パワー(すなわち、数百ワットのオーダー)を選択的に同時に発生することができ、それによって、例えば30kHzを超える高速度のラインアドレス指定を有する単一通過のスキャン用途および単一通過の印刷用途向けに用いることができる、費用効率の高い画像形成装置を容易にする。
【0011】
本発明の一態様によれば、空間光変調器は、2次元アレイ内に配列された多数の光変調素子を含み、各光変調素子は、光変調構造および関連画像データビット値を格納する関連制御セルを含み、この画像データビット値は、所定のスキャン画像データによって決定される。各光変調素子は、その光変調構造が2次元均質光場の関連光部分を受信するようにアレイ内に配置され、光変調構造は、関連画像データビット値に従って制御されて、「オン」変調状態と「オフ」変調状態との間で変化する。変調素子の光変調構造が「オン」変調状態にあると、光変調構造はその関連光部分をアナモフィック光学システムの方へ向ける。反対に、光変調構造が「オフ」変調状態にあると、受信した関連光部分は、アナモフィック光学システムへと通過することを妨げられる(例えば、阻止されるまたは同システムから離れる方へ方向転換する)。アナモフィックに画像形成され集光される前に、均質光をこのように変調することによって、任意の与えられた瞬間に、スキャンラインの1点に高出力を加えるにすぎないラスタ化システムと比較して、本発明は、画像形成領域全体に同時に高出力スキャンラインを生成することができる。加えて、比較的低出力の均質光が多数の変調素子に広がるので、本発明は、デジタル・ミクロミラー・デバイス(DMD:digital micromirror device)、電子光学回折変調器アレイ、または熱光学吸収素子のアレイなどの、市販の低コストの空間的光変調デバイスを用いて生成することができる。
【0012】
本発明の一実施の形態によれば、空間光変調器に属するアレイ構成の光変調素子は行および列に配列され、アナモフィック光学システムは、各列から受信した光部分を、細長いスキャンライン画像の関連部分(「ピクセル」)上へ画像形成して集光するように構成され、画像データビット値をシフト(ラスタ化)する工程は、各列内に連続して配列された光変調素子に沿って画像データビット値を連続してシフトする工程を含む。すなわち、(「オン」変調状態にある)所与の列に照射された光変調素子から受信した、画像形成され集光された変調光部分は、アナモフィック光学システムによってスキャンライン画像に属する対応する同一のスキャンライン部分上へ向けられ、その結果を示す画像形成「ピクセル」は、所与の列内で「オン」状態にある、照射された光変調素子からの複合光となる。本発明の重要な態様は、各光変調素子が(透過または反射によって)通過させる光部分が、アナモフィック光学システムによってスキャンラインへ供給される1ピクセルの2値データを表し、画像形成され集光された光を受信する、画像形成面の領域が、各列内のどの素子が「オン」であるかに従って、工程方向に微細にシフトされることを理解することにある。したがって、各列内に配置された多数の変調素子を、画像データビットがその列に沿って上位の方へ(または下位の方へ)シフトされるように、個々に制御することによって、本発明は、汚れ問題を回避する画像形成装置を提供する。
【0013】
本発明の一実施の形態によれば、データのシフトは、各サブスキャン時間間隔中に、空間光変調器に属する各制御セルへデータを更新して書き込むことによって成し遂げられる。例えば、第1サブ画像形成時間間隔中に、アレイ内の各光変調素子に対して少なくとも1つのデータビットを含む第1データフレームが、光変調素子の制御セルへ送られて格納され、それによって光変調素子は第1変調状態に入る。次の順次的なサブスキャン時間間隔の前に、データの一部が(例えば、各列に沿ってデータを上位の方へシフトすることに対応して)所定のパターンで効果的にシフトされるとともに、新たなデータが(例えば、複数の光変調素子から成る最下行に対応して)追加されるような、修正(第2)データフレームが発生する。修正データフレームは、次のサブスキャン時間間隔中に、光変調素子の制御セルへ送られて格納され、この修正工程が繰り返される。この工程は、データラスタとして多数回、類似のデータを空間光変調器へ書き込む必要があり、極めて高いデータ伝送レートを必要とすることに留意されたい。
【0014】
本発明の代替の実施の形態によれば、空間光変調器のアーキテクチャは、画像スクロール動作をさらに効率的に実行するために、関連した光変調素子間のデータをラスタ化する工程を単純化するシフトレジスタ形式を含むように修正される。すなわち、空間光変調器は、例えば、アレイの各列内に配置された制御セル間のデータビット値をシフトする少なくとも1つのシフトレジスタ回路を含むように修正される。この配列を用いて、各サブスキャン時間間隔中に1行の「新」データが空間光変調器に書き込まれ、あらかじめ受信したすべてのデータがシフトレジスタ回路によって隣接する関連光変調素子へシフトされる。例えば、「新」データビットが、ある列内にある最下部の光変調素子の制御セルに書き込まれると、最下部の光変調素子によってあらかじめ格納されたデータ値は、最下部の光変調素子の真上に配置された光変調素子の方へ上位にシフトされる。この配列を用いて、アレイの各サブスキャン行は、各サブスキャン時間間隔においてその隣接するかつ先行するサブスキャン行からラスタ化されたデータベクトルを受信し、第1サブスキャン行は、各新データラスタ境界が直面するのと同程度の必要性で(およびラスタ当たり1回だけ)更新される。このシフトレジスタ形式技法は、バンド幅要件を劇的に低減することによって、効率を大いに改善する(例えば、空間光変調器内に光変調素子が1000行あるとすると1000倍だけ)。
【0015】
本発明の一実施の形態によれば、市販の均質光発生器(例えば、LIMO社製高出力レーザ・ダイオード・ライン発生器)は、1つ以上の光源と、光源によって発生する光ビームを均質化するとともに、均質化された光ビームを2つ以上の光変調素子上へ広げる光ホモジナイザ光学システム(例えば、1つ以上の先細の光導体またはマイクロレンズアレイ)とを含む。このように、高エネルギ密度ビーム(すなわち、単位面積当たり比較的高い第1光束を有する光)を、単位面積当たり比較的低エネルギの均質光(すなわち、高エネルギ密度ビームの光束密度よりも低い第2光束密度を有する光)に変換する1つの利益は、この配列が、高エネルギ光を処理することができる特別な光学材料および反射防止コーティングを用いて空間光変調器を組み立てることを必要とせずに、高エネルギ光源(例えば、レーザまたは発光ダイオード)の利用を容易にすることである。すなわち、ホモジナイザを利用して、拡張された2次元領域にわたって高エネルギレーザ光を広げることによって、所与の領域にわたる(例えば、各変調素子の領域にわたる)光の強度(ワット/cc)は、空間光変調器を形成するのに低コストの光学材料および反射防止コーティングが利用可能なように、受け入れ可能なレベルに低減される。高エネルギビームを比較的低エネルギの均質光に変換する別の利益は、この配列が出力処理能力を改善することである。光を広げると、点欠陥(例えば、微視的塵粒子またはひっかき傷)が全光透過損失上に有する負の画像形成効果も排除する。代替の具体的な実施の形態によれば、均質光発生器の光源は、所望の光エネルギを共同で生成する多数の低出力光発生素子を含む。具体的な一実施の形態では、複数の光変調素子から成る行と平行なラインに沿って、光源(例えば、端面発光レーザダイオードまたは発光ダイオード)が配列される。別の具体的な実施の形態では、2次元アレイ内に光源(例えば、垂直共振器面発光レーザ(VCSEL))が配列される。高出力均質光の用途に対しては、光源は、その発光が、ホモジナイザ光学によって互いに混ぜ合わされて、均質の所望の高出力を生成するような、多数の低出力光源で構成されることが好ましい。いくつかの独立した光源を用いることによるさらなる利益は、コヒーレント干渉に起因してレーザスペックルが低減されることである。
【0016】
本発明の別の実施の形態によれば、全体にわたるアナモフィック光学システムは、空間光変調器から受信した変調光部分を集光して、集光された変調光が実質的に1次元のスキャンライン画像を形成するようにする、工程直交光学サブシステムおよび工程方向光学サブシステムを含み、スキャンライン画像において集光された変調光は、均質化された光よりも高い光学強度(すなわち、より高い光束密度)を有する。2次元の変調光パターンをアナモフィックに集光して(焦点に集めて)高エネルギの細長いスキャンラインを形成することによって、本発明の画像形成システムは、より高強度のスキャンラインを出力する。スキャンラインは、通常、その焦点近傍の移動想像面の方に向けられ、移動想像面にわたって掃引される。これにより、プリンタなどの画像形成システムを形成することが可能となる。表面掃引の方向は、通常、スキャンラインの方向に直角であり、慣習的に工程方向と呼ばれる。加えて、スキャンラインと平行な方向は、慣習的に工程直交方向と呼ばれる。スキャンライン画像の形成は、工程方向に沿ってスキャンライン画像を収束することおよび緊密に集束すること、ならびに工程直交方向に沿ってスキャンライン画像を投影することおよび拡大することを扱う、種々の対の円柱または非円柱レンズを有することができる。具体的な一実施の形態では、工程直交光学サブシステムは、変調光を細長いスキャンライン上へ工程直交方向に投影し拡大するように構成される、第1および第2円柱または非円柱レンズを含み、工程方向光学サブシステムは、変調光をスキャンライン上へ工程方向と平行方向に集光して縮小するように構成される、第3円柱または非円柱集束レンズを含む。この配列は、隣接する光学システムと結合する(重複領域といっしょに「スティッチされる」または混ぜ合わされる)ことができる、幅広のスキャンラインを発生させて、実質的に無制限の長さのスキャンラインを有する集合体を生成することを容易にする。任意選択のコリメーティング視野レンズを、工程方向および工程直交方向において、空間光変調器と円柱または非円柱集束レンズとの間に配置することもできる。全体にわたる光学システムは、光学収差または歪みを補償するのに役立つさらにいくつかの素子を有することができ、このような光学素子は、多数の折り畳みビーム経路を備えた透過レンズまたは反射ミラーレンズとすることができることを理解されたい。
【0017】
本発明の具体的な実施の形態によれば、空間光変調器は、パッケージ化された形態のデジタル光プロセッサと呼ばれる、Texas Instruments社のDLP(商標)チップを含む。この半導体チップはそれ自体、しばしばデジタル・マイクロミラー・デバイスまたはDMDと呼ばれる。このDMDは、基板上に配置された微小電気機械式(MEMs:microelectromechanical)ミラー機構から成る2次元アレイを含み、各MEMsミラー機構は、コントローラによって発生する関連制御信号に従って、第1傾斜位置と第2傾斜位置との間で移動可能なように支持されるミラーを含む。空間光変調器およびアナモフィック光学システムは、各ミラーが第1傾斜位置にあると、受信したその関連光部分をミラーがアナモフィック光学システムの方へ反射し、ミラーが第2傾斜位置にあると、受信した関連光部分をミラーがアナモフィック光学システムから離れてビームダンプの方へ反射するように、折り畳まれた配列内に位置を定められる。任意選択のヒートシンクが、空間光変調器に対して固定して位置を定められて、第2傾斜位置に配置されたミラーからビームダンプに向かう光部分を受ける。任意選択のフレームが、固定された相対位置にある各コンポーネントを保持するのに利用される。反射式DMDベースの画像形成システムの利点は、折り畳まれた光路配列が、システム設置面積の小型化を容易にすることである。
【0018】
本発明の別の具体的な実施の形態によれば、空間光変調器は、周知の技術に従って構成されるシフトレジスタ回路を含み、上述したシフトレジスタ形式を用いて各列内にある関連MEMsミラー機構の制御セル間のデータビット値をシフトすることを容易にするように修正される。ランダム・アクセス・メモリからシフトレジスタ形式へDMDメモリアーキテクチャを変更すると、DMDアレイ上のミラー行の数の逆数倍だけバンド幅要件が低減される。
【0019】
本発明のこれらのおよび他の特徴、態様ならびに利点が、次の説明、添付された請求項、および付随の図面に関して、より良好に理解されることになる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】図1は、本発明の典型的な実施の形態に従って、投影されたスキャン画像を備えた画像形成面の同期化を描写する2つの部分斜視図である。
【図2】図2は、本発明の一実施の形態に従って、利用される画像形成装置を示す上面斜視図である。
【図3A】図3Aは、高出力光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図3B】図3Bは、高出力光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図3C】図3Cは、高出力光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図4A】図4Aは、比較的低出力の光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図4B】図4Bは、比較的低出力の光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図4C】図4Cは、比較的低出力の光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図5A】図5Aは、本発明に従って同期化スキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図5B】図5Bは、本発明に従って同期化スキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図5C】図5Cは、本発明に従って同期化スキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図6A】図6Aは、本発明の具体的な実施の形態に従って同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図6B】図6Bは、本発明の具体的な実施の形態に従って同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図6C】図6Cは、本発明の具体的な実施の形態に従って同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図7A】図7Aは、本発明の別の具体的な実施の形態に従ってシフトレジスタを用いて同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図7B】図7Bは、本発明の別の具体的な実施の形態に従ってシフトレジスタを用いて同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図7C】図7Cは、本発明の別の具体的な実施の形態に従ってシフトレジスタを用いて同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図8A】図8Aは、本発明の代替の実施の形態に従って図2の画像形成システムの均質光発生器によって利用される代替の光源を示す概略斜視図である。
【図8B】図8Bは、本発明の代替の実施の形態に従って図2の画像形成システムの均質光発生器によって利用される代替の光源を示す概略斜視図である。
【図9A】図9Aは、本発明の具体的な実施の形態に従って図2の画像形成装置によって利用されるアナモフィック光学システムを示す概略上面図である。
【図9B】図9Bは、本発明の具体的な実施の形態に従って図2の画像形成装置によって利用されるアナモフィック光学システムを示す概略側面図である。
【図10】図10は、本発明の具体的な実施の形態に従って図2の装置によって利用されるDMD式空間光変調器の一部を示す斜視図である。
【図11】図11は、さらに詳細に図10のDMD式空間光変調器に属する光変調素子を示す分解斜視図である。
【図12A】図12Aは、動作中の図11の光変調素子を示す斜視図である。
【図12B】図12Bは、動作中の図11の光変調素子を示す斜視図である。
【図12C】図12C、動作中の図11の光変調素子を示す斜視図である。
【図13】図13は、本発明の具体的な実施の形態に従って、折り畳まれた配列内にある図10のDMD式空間光変調器を含む画像形成装置の一部を示す概略図である。
【図14A】図14Aは、本発明の別の具体的な実施の形態に従ってシフトレジスタ回路を含むように修正されたDMD式空間光変調器を含む画像形成装置の一部を示す概略図である。
【図14B】図14Bは、本発明の別の具体的な実施の形態に従ってシフトレジスタ回路を含むように修正されたDMD式空間光変調器を含む画像形成装置の一部を示す概略図である。
【図15】図15は、本発明の別の具体的な実施の形態に従って画像形成装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
図1は、2つの異なる時点(すなわち、装置「200(t0)」は最初の時点t0における動作状態を描写し、装置「200(t1)」は時点t0のすぐ後に発生する、次の時点t1における動作状態を描写する)における概略化された画像形成(例えば、リソグラフィ)装置200の動作状態を描写する。図1の上方左部分において、装置200は一般に、所定のスキャンライン画像データに従って2次元均質光場119Aを変調して、その変調光が2次元変調光場119Bを形成するようにする、空間光変調器120または他のデバイスと、変調光場119Bをアナモフィックに集光して、集光された変調光が、画像形成面162の細長画像形成領域167上に実質的に1次元のスキャンライン画像SLを形成するようにする、アナモフィック光学システム130と含み、画像形成面162は典型的な実施の形態では、湾曲した矢印によって指し示される中心軸の回りに回動するドラムシリンダ(ローラ式)画像形成構造160上に配置される。空間光変調器120は、2次元均質光場119A内に配置された光変調素子125−11〜125−43のアレイを含み、各光変調素子が、さらに詳細に以下で説明されるように、その変調状態に従って関連均質光部分を通過させるまたは阻止する/偏向させるようにする。したがってアナモフィック光学システム130によって細長画像形成領域167上に形成された、実質的に1次元のスキャンライン画像SLは、光変調素子125−11〜125−43のオン/オフ変調状態パターンのいずれかによって決定される。例えば、図1の上方左部分を参照すると、装置200(t1)の光変調素子125−11〜125−43のオン/オフ変調状態パターンは、変調器120の中央の行に配置された光変調素子125−12、125−22、125−32および125−42だけが、「オン」変調状態にあるように設定され、それによって変調光部分118B−12、118B−22、118B−32および118B−42は、アナモフィック光学素子130へと通過し、さらに水平の(白色の)スキャン特徴SF(t1)が細長画像形成領域167の中央部分に配置されるスキャンライン画像SL(t1)を発生させる。
【0022】
画像形成面162のスキャン間(工程)方向移動は、スキャンライン画像SLの画像特徴が、画像形成面162のスキャン間移動と同じ速度でスキャン間方向にスクロールする(ラスタ化される)ように、2次元均質光場119Aの変調と同期化する。図1の上方左部分を参照すると、この画像/表面の同期化は、画像位置コントローラ回路180を用いて達成される。画像位置コントローラ回路180の1つの機能は、画像データビット値182を発生させて変調器120へ送り、それによって光変調素子125−11〜125−43のオン/オフ変調状態がスキャンライン画像データIDに従って制御されることである。画像位置コントローラ回路180の任意選択の機能は、制御信号184を経由して、ドラムシリンダ式画像形成構造160の回動速度を制御することである。画像位置コントローラ回路180の主要な機能は、光変調素子125−11〜125−43のオン/オフ変調状態が、画像形成面162のスキャン間移動と同じ速度で、スキャン間方向にスクロールする(すなわち、上位の方へ移動する)画像特徴を生成するように、画像形成面162のスキャン間(例えば、上位への)移動に同期して画像データビット値182を周期的に更新し、それによってスキャンライン画像SLの画像特徴が、その関連部分が細長画像形成領域167を通して工程方向に移動しながら、画像形成面162の関連部分と一致した状態のままとなることである。
【0023】
図2は、画像形成装置200が均質光発生器110も含むことを示す。均質光発生器110は、均質光場119Aの全部分が、実質的に同一の一定エネルギレベルを有する光エネルギを受信するように、実質的に一様な2次元均質光場119Aを形成する、連続的な(すなわち、一定な/無変調の)均質光118Aを発生させる。アナモフィック光学システム130を利用して、変調された均質光を集光することによって、高い総光パワー(すなわち、数百ワットのオーダー)が、高出力レーザ光源を必要とせずに、スキャンライン画像SLの任意の点上に選択的に同時に発生することができ、それによって30kHzを超える高速度のラインアドレス指定を有する単一通過のスキャン用途および単一通過の印刷用途を容易にすることができる。
【0024】
変調器120は一般に、支持構造124上に配置された変調素子125−11〜125−43で構成される変調素子アレイ122と、関連画像データビット値であって、そのビット値がコントローラ180によって発生するとともに所定のスキャン画像データIDによって決定される関連画像データビット値(1または0)を格納する制御(メモリ)セル128−11〜128−43を含むデバイス制御回路126とを含む。変調素子125−11〜125−43は、2次元アレイ122内に配列され、各変調素子125−11〜125−43の光変調構造(例えば、ミラー、回折素子、または熱光学吸収素子)が、均質光118Aのうちの対応する部分を受信する(例えば、変調素子125−11および125−22がそれぞれ均質光部分118A−11および118A−22を受信する)ように配置され、アナモフィック光学システム130の方へ所定の方向に沿って、受信した対応する変調光部分を選択的に通過させる(変調する)ように位置を定められる(例えば、変調素子125−22は変調光部分118B−22をアナモフィック光学システム130へと通過させるが、しかし変調素子125−11はアナモフィック光学システム130に達しないように光を阻止するまたは偏向させる)。各光変調素子125−11〜125−43は、関連制御セル128−11〜128−43によって関連制御ビット信号127を経由して個々に制御可能であり、「オン」(第1)変調状態(例えば、関連制御セルが「1」ビット値を格納するとき)と「オフ」(第2)変調状態(例えば、関連制御セルが「0」ビット値を格納するとき)とを切り替える。所与の変調素子が「オン」のとき、その変調素子は、その所与の変調素子が受信した関連光部分をアナモフィック光学システム130の方へ向けるように動作する。反対に、所与の変調素子が「オフ」のとき、その変調素子は、その所与の変調素子が受信した関連光部分を妨げる(例えば、阻止するまたは方向を変える)ように動作する。制御セル128−11〜128−43内に格納されたビット値に従って、変調素子125−11〜125−43を選択的に「オン」または「オフ」にすることによって、変調器120は、連続的な均質光118Aの一部を変調して(すなわち、通過させるまたは通過させない)、アナモフィック光学システム130へと通過する2次元変調光場119Bが発生するように機能する。
【0025】
アナモフィック光学システム130は、変調光部分をアナモフィックに画像形成して集光するように機能し、変調光部分は、変調器120から2次元光場119Bを経由して画像形成領域167の関連部分上へ、幅S(すなわち、図2に指し示されたようにX軸方向に測定された)を有する細長いスキャンライン画像SLが発生するように受信される。アナモフィック光学システム130は、変調器120からアナモフィック光学システム130へ向けられた光場119Bの2次元パターンを受信するように位置を定められた1つ以上の光学素子(例えば、レンズまたはミラー)を含み、変調器120内の1つ以上の光学素子(例えば、レンズまたはミラー)は、受信した光部分を、スキャン(X軸)方向よりもスキャン間(例えば、Y軸)方向に著しく画像形成して集光するように構成され、それによって受信した光部分は、スキャン(X軸)方向と平行に広がる細長いスキャンライン画像SLを形成するように、アナモフィックに集束される。
【0026】
変調器120に属する光変調素子125−11〜125−43は、行および列から成る2次元アレイ122内に配置され、アナモフィック光学システム130は、複数の変調素子から成る各列を通過した光部分を、スキャンライン画像SLに属する各スキャンライン部分SL−1〜SL−4上へ画像形成して集光するように構成される。図2に示される概略化された配列において、素子125−11、125−12および125−13を通過した任意の光が、アナモフィック光学システム130によってスキャンライン部分SL−1上へ画像形成され集光され、素子125−21、125−22および125−23を通過した任意の光が、スキャンライン部分SL−2上へ画像形成され集光され、素子125−31、125−32および125−33を通過した任意の光が、スキャンライン部分SL−3上へ画像形成され集光され、素子125−41、125−42および125−43を通過した任意の光が、スキャンライン部分SL−4上へ画像形成され集光される。
【0027】
スキャン構造160は、スキャンライン部分SL−1〜SL−4内に形成された特徴のスキャン間(Y軸)位置が、各列内の「オン」である変調素子に依存して変更することができるように、位置を定められる。図2において、素子125−22は、関連した列の中央位置に位置を定められ、対応する「白色の」スキャン特徴SF−2が、スキャンライン部分SL−2の中央部分に発生する。素子125−131および125−133が、それぞれ関連した列の上方および下方の位置に位置を定められるので、対応する「白色の」スキャン特徴SF−31およびSF−32は、スキャンライン部分SL−3のうちの対応する上方部分および下方部分に形成される。
【0028】
図2に示される概略化された変調器120は、便宜的に各列内に3つの変調素子だけを含むが、アレイ122に属する各列に配置された変調素子の数を増加させると、グレーの陰影をさらに示す場所の生成を容易にすることによって、グレースケール制御を高めるはずである。アレイ122に属する各列内の多数の変調素子は、狭い幅内の2つ以上のスキャンラインの同時発生も容易にし、以下でさらに詳細に説明されるように、画像データをスクロールしてぼやけを防止することも可能にする。この配列は、1つ以上の「予備」または「冗長」素子も可能にするはずである。
【0029】
図3Aから図3Cは、プリンタまたはスキャナとして機能する理想化された画像形成装置200を示す。図示された配列は、一般に画像転写動作を説明するように意図されていて、画像転写動作の基本概念は、他の配列を用いて実行されてもよい。語句「湿し水」は、滑らかな画像形成面(例えば、プレートまたはローラ表面)の非画像領域にインクを保留させないように、リソグラフィに用いられる、湿らせる(例えば、水、および米国、ミネソタ州、セントポール市の3M社によって製造されるNovec(商標)など)溶液を指す。
【0030】
図3Aを参照すると、画像形成装置200は、細長画像形成領域167の上流ポイントで画像形成面162上へ湿し水192を加える液体源190と、細長画像形成領域167の下流ポイントでインク材料197を加えるインク源195と、目標の印刷媒体へインク材料197を転写する転写機構(図示されない)と、次の露光サイクル用に画像形成面162を準備するクリーニング機構198とを含む。インク源195は、画像形成面162の露光部分上へインク材料197を加える(すなわち、このような部分を露光するために、湿し水192が除去されるとき)。画像形成面162上に配置されたインク材料だけが、印刷媒体へ転写される。それゆえに、従来のシステムに見られるようにプレートからの一定なデータの代わりに、湿し水除去からの可変のデータが転写される。ラスタ化光源(すなわち、スキャンラインと交差して端から端へラスタ化された光源)を用いて動作するこの工程にとっては、単一の極めて高出力の光(例えば、レーザ)源が、リアルタイムで湿し水を十分に除去するのに必要となるはずである。
【0031】
図3Aから図3Cは、画像形成され集光された光へ露光されると、実質的に瞬時にかつ完全に湿し水192を除去するという点で、画像形成装置200の理想化された画像転写動作を図示する。図3Aは最初の時点t0における画像形成装置200を示し、図3Bは次の時点t1における画像形成装置200を示し、図3Cはさらに次の時点t2における画像形成装置200を示す。
【0032】
図3Aを参照すると、時点t0で、変調器120に属するすべての3つの光変調素子125−11、125−12および125−13が、「オン」変調状態に入り、それによって、これらの素子が受信した均質光場119Aの一部が、変調光場119B内へと通過して、アナモフィック光学システム130によって画像形成され集光されて、画像形成され集光された光場119Cが、スキャンライン部分SL−1に対応する細長画像形成領域167の一部上へ光を加えるようにする(図2を参照のこと)。理想的には、アナモフィックに集光された変調光場119Cは、表面領域162−1にわたって配置された湿し水を、実質的に瞬時にかつ完全に除去し、それによって画像形成面領域162−1を露光する表面特徴SF−1を形成する。
【0033】
続いて図3Bおよび図3Cは、表面特徴SF−1が、画像形成装置200の画像転写動作に従っていかに利用されるかを示す。図3Bを参照すると、t1時点でドラムシリンダ160は、表面領域162−1がインク源195の下を通過するように回動している。図3Aに描写されたように湿し水が除去されたために、インク材料197は露光された表面領域162−1上に配置されて、インク特徴TF−1を形成する。インク特徴TF−1が転写ポイントを通過しながら、インク特徴TF−1は印刷媒体へ転写され、結果として印刷媒体上に印刷されたインクの「ドット」が生じる。図3Cに指し示されるように、現時点では実質的に除去されているインク特徴TF−1を有する表面領域162−1は、クリーニング機構198の下を回動し、クリーニング機構198は残留する任意のインクおよび湿し水材料を除去する。図3Aから図3Cを参照して上述した、理想化された動作が有する起こり得る問題は、画像形成面152の選択部分から湿し水192を瞬時に除去することが、達成するのに困難な場合があることであり、除去工程を完全なものにするためには、集光された光場119Cが加えられて十分に長い期間維持される必要があるからである。湿し水を十分に除去するのに必要なフレーム時間(すなわち、変調素子が「オン」状態のままである期間)がかなりある場合、次いで画像形成面162は、各フレーム中に工程方向にかなりの量を移動させることができ、転写された画像に汚れが生じることがある。この起こり得る問題は、図4Aから図4Cに図示され、ここで図4Aは、最初の時点t31における画像形成装置200を示し、最初の時点t31で変調器120に属する光変調素子125−12が「オン」となり、それによって素子125−12が受信した均質光場119Aの比較的小さい部分が、変調光場119B内へと通過し、アナモフィック光学システム130によって画像形成され集光されて、画像形成され集光された光場119Cが、スキャンライン部分SL−1に対応する細長画像形成領域167の一部上へ光を加えるようにし、それによって表面領域162−31にわたって配置された湿し水上へ集光された光を加える。アナモフィックに画像形成され集光された変調光場119Cの出力は、表面領域162−31にわたって湿し水を瞬時に除去するのには不十分であり、その結果表面領域162−31は、湿し水で少なくとも部分的に覆われた状態のままとなる。図4Bに指し示されるように、同図は現在の「フレーム」の終了前の状態であり、光変調素子125−12は「オン」状態のままであり、画像形成され集光された光場119Cは、スキャンライン部分SL−1に対応する細長画像形成領域167の一部上へ光を加え続ける。しかしながら、時点t31と時点t32との間の期間中にドラムシリンダ160が回動するために、現在の「フレーム」と関連する、画像形成され集光された光が、拡張された表面領域162−32にわたって湿し水を除去し続けて、拡張された表面領域162−32の中央部分がフレーム全体の期間中に光を受信するようにし、しかし拡張された表面領域162−32のエッジ部分が、フレームの開始および終了において少しの間だけ光を受信し、それによってエッジ領域内の湿し水の除去が不完全となる(その結果を示す表面特徴SF−3の湾曲したエッジによって指し示される)。図4Cに図示されるように、表面特徴SF−3がインク源195の下を通過し、適用されたインク材料197が加えられる、次の時点t4で、インク特徴TF−3は、あまりにも狭いことによっておよび/または印刷媒体へ転写することができるもしくはできないエッジ領域を有することによって特徴付けられ、その結果、望ましくない汚れが発生し、画像転写動作が非最適なものとなる。この汚れ問題を回避するために、画像形成面162のスキャン間(工程方向)移動を光変調素子125−11〜125−13の変調状態と同期化させるのに、画像位置コントローラ180が利用されて、発生した画像特徴が、画像形成面162のスキャン間移動と同じ速度でスクロールされる(スキャン間方向に移動する)ようにし、それによってその特徴は、たとえ画像形成面部分が工程方向に移動しても、画像形成面162の同一部分(領域)と一致した状態のままとなる。すなわち、本発明の重要な態様は、画像形成面162が工程方向に微細にシフトされながら、画像形成され集光された光場119Cが、アナモフィック光学システム130によって画像形成面162へ供給されることを理解することにある。図5Aから図5Cは、光変調素子125−11〜125−13の変調状態に対する画像形成面162の同期化動作を図示する。図5Aは、最初の時点t51における画像形成装置200を示し、最初の時点t51で変調器120に属する光変調素子125−13が「オン」となり(他のすべての素子は「オフ」状態のままであり)、それによって素子125−13が受信した均質光場119Aの比較的小さい部分が、変調光場119B内へと通過し、アナモフィック光学システム130によって集光されて、集光された光場119Cが細長画像形成領域167内のスキャンライン部分SL−1の下方部分上へ光を加えるようにし、それによって表面領域162−5にわたって配置された湿し水上へ画像形成され集光された光を加える。アナモフィックに画像形成され集光された変調光場119Cの出力は、表面領域162−5にわたって湿し水を瞬時に除去するためには不十分であり、それによって部分的に形成される表面特徴SF−51が発生して、表面領域162−5は、湿し水で少なくとも部分的に覆われた状態のままとなる。図5Bに指し示されるように、同図は時点t51の直後のサブフレーム時点t52における装置200を示し、光変調素子125−13は「オフ」となるとともに光変調素子125−12は「オン」となり、それによって画像形成され集光された光場119Cは、スキャンライン部分SL−1内の細長画像形成領域167の中央部分上へ光を加える。時点t51と時点t52との間の期間中にドラムシリンダ160が回動するために、表面領域162−5も細長画像形成領域167の中央部分内へと回動していて、t52時点における集光された光場119Cが、表面領域162−5にわたって湿し水を除去し続けて、さらに現像された表面特徴SF−52を生成するようにすることに留意されたい。同様に、図5Cに図示されるように、同図は時点t53の直後のサブフレーム時点t52における装置200を示し、光変調素子125−12は「オフ」となるとともに光変調素子125−11は「オン」となり、それによって集光された光場119Cは、スキャンライン部分SL−1内の細長画像形成領域167の上方部分上へ光を加え、さらに時点t52と時点t53との間の期間中にドラムシリンダ160が回動すると、集光された光場119Cは表面領域162−5に整列し、それによって表面領域162−5にわたって現像された表面特徴SF−53を提供する。次いで全部が現像されたスキャン特徴SF−53は、図3Bおよび図3Cを参照して上述したように処理される。これらの図に描写されるように、スキャン画像特徴SF−53と関連した画像データをラスタ化することによって、インクの堆積は、正確に定められた領域162−5上に、上述したように実行され、それによって上述した汚れ問題を回避する。すなわち、本発明は、ドラムシリンダ160の工程速度と同期状態にある変調器であってそれゆえに加えられた集光光を画像形成面162上に静止したように見えさせる空間光変調器(例えば、DMDデバイス)内で、ラスタをマイクロステップで駆動することによって、汚れ問題を回避する。サブスキャンを(逆工程方向に)増分する際に、画像形成される工程の速度に正確に一致するように集光された光をラスタ化する能力は、アレイ内に配置された光変調素子125−11〜125−43を個々に制御して、変調光を上述したやり方でアナモフィックに画像形成し集光する変調器120を用いるために可能となる。さらに、汚れ問題を回避することに加えて、画像形成面162の移動に同期してスキャン画像特徴SF−5xをラスタ化することによって、本発明は、画像形成面上の各画像特徴と関連した露光時間も増加させる。図6Aから図6Cおよび図7Aから図7Cは、それぞれ空間光変調器120Aを含む画像形成装置200Aおよび空間光変調器120Bを含む画像形成装置200Bを示し、画像形成面162のスキャン間移動を光変調素子125−11〜125−43の変調状態と同期化させる代替の技法を図示する。詳しくは、図6Aから図6Cは、標準のランダム・アクセス・メモリ技術を用いて制御セル128−11〜128−43にアクセスする変調器120Aを利用する第1工程技法を図示し、図7Aから図7Cは、新規なシフトレジスタ配列を用いて制御セル128−11〜128−43にアクセスする変調器120Bを利用する第2工程技法を図示する。以下で説明するように、これらの制御セル配列は、種々のデータ転写技法を利用して、光変調素子125−11〜125−43の同期化した所望の変調を発生させる。図6Aを参照すると、均質光118Aは、変調器120Aによって変調され、アナモフィックに集光されて、スキャンライン画像SLを発生させる。変調器120Aは、アレイ122を形成する光変調素子125−11〜125−43を含み、光変調素子125−11〜125−43のオン/オフ変調状態をそれぞれ制御する、対応する制御セル128−11〜128−43も含む。変調器120Aはコントローラ126Aを含み、コントローラ126Aは、列アドレス部分126A−1および行アドレス部分126A−2で構成され、周知のランダム・アクセス・メモリ技術に従って制御セル128−11〜128−43を個々にアドレス指定することを容易にする。画像データは、画像位置コントローラ(すなわち、コントローラ180、図1および図2を参照のこと)から変調器120Aへ、一連のデータフレーム182Aとして書き込まれ、各データフレーム182Aは、あらゆる制御セル128−11〜128−43に対して1つの画像データビット(「1」または「0」)を含み、それによってアレイ122に属するすべての光変調素子125−11〜125−43が各データフレーム182Aの1つのデータビットによって制御される。それゆえに制御セル128−11〜128−43内に格納された画像データによって、光変調素子125−11〜125−43は制御ビット信号127を経由して第1変調状態に入り、それによって光変調素子125−23および125−33は「オン」となり、他の全素子は「オフ」となる。その結果を示す変調パターンが、変調光部分118B−23および118B−33を光学システム130へと通過させて、光学システム130は、集光された変調光部分118C−23および118C−33を生成し、変調光部分118C−23および118C−33は、細長画像形成領域167上へ向けられて、スキャン特徴SF−21およびSF−31がスキャンライン部分SL−2およびSL−3の下方部分にそれぞれ形成されるようにする。同様に、図6Bは、対応するサブスキャン時間間隔の後の時点t1に送られたデータフレーム182A(t1)を示し、同図で制御セル128−11〜128−43内に格納された関連画像データが、光変調素子125−22および125−32を「オン」にする。その結果を示す変調パターンが、変調光部分118B−22および118B−32を光学システム130へと通過させて、光学システム130は、スキャン特徴SF−22およびSF−32を形成する、集光された変調光部分118C−22および118C−32を生成する。図6Cは、さらなるサブスキャン時間間隔の後の時点t2に送られたデータフレーム182A(t2)を示し、同図で制御セル128−11〜128−43に格納された関連画像データが、光変調素子125−22および125−32を「オン」にする。その結果を示す変調パターンが、変調光部分118B−21および118B−31を光学システム13
0へと通過させて、光学システム130は、スキャンライン部分SL−2およびSL−3の上方部分にスキャン特徴SF−23およびSF−33を形成する、集光された変調光部分118C−21および118C−31をそれぞれ生成する。図6Aから図6Cに示される変調状態のパターンと関連してサブスキャンタイミングを調整して、画像形成面162のスキャン間移動をY軸方向に一致させることによって、図5A〜図5Cを参照して上述した所望の同期化動作が達成される。画像データのシフト動作は、先行するデータフレームのデータビット値の一部をシフトする(並べ替える)ことにより、ならびに例えば変調素子125−11および125−43から成る最下行または最上行に対応する新しい一式のデータビット値を修正データフレーム内へ組み込むことにより、各順次的データフレーム182Aの画像データを修正することによって成し遂げられる。例えば、図6Aに示されるデータフレーム182A(t0)は、画像位置コントローラによって発生して、制御セル128−23および128−33へ書き込まれたもの(すなわち、便宜的に単独で図式的に描写されるフレーム182A(t0)の最下行内に含まれる2つの「1」データ値)以外では「0」ビット値を含み、それによって光変調素子125−23および125−33が「オン」となる、図6Aに示される変調状態を発生させる。次いで画像位置コントローラは、フレーム182A(t0)の下方の2行を上位の方へ効果的にシフトすることによって、および最下行内に「0」ビット値を書き込むことによって、次のデータフレーム182A(t1)(図6Bを参照のこと)を発生させ、それゆえに光変調素子125−22および125−32が「オン」となる、図6Bに示される所望の変調状態を発生させる。最後に、画像位置コントローラは、次いでフレーム182A(t1)の下方の2行を上位の方へ効果的にシフトすることによって、および最下行内に「0」ビット値を書き込むことによって、次のデータフレーム182A(t2)(図6Cを参照のこと)を発生させ、それゆえに光変調素子125−21および125−31が「オン」となる、図6Cに示される所望の変調状態を発生させる。図7Aから図7Cは、制御セルを1つ以上のシフトレジスタ回路内へ組み込む空間光変調器を利用することによって、従来技法の高いデータ伝送レート要件を回避する第2工程を図示する。画像形成装置200Bは、均質光118Aを発生させる均質光源110を含み、変調器120Bは、制御セル128−11〜128−43によって制御される光変調素子125−11〜125−43から成るアレイ122を含み、変調光は、光学システム130によってアナモフィックに集光されて、画像形成面162上の細長画像形成領域167内にスキャンライン画像SLを発生させる。変調器120Bは、制御セル128−11〜128−43から成る各列が、対応するシフトレジスタ回路SR−1〜SR−4の一部である(すなわち、制御セル128−11〜128−13はシフトレジスタ回路SR−1の一部であり、制御セル128−21〜128−23はシフトレジスタ回路SR−2の一部であり、制御セル128−31〜128−33はシフトレジスタ回路SR−3の一部であり、および制御セル128−41〜128−43はシフトレジスタ回路SR−4の一部である)ように配列されたシフトレジスタ回路SR−1〜SR−4で構成されるコントローラ126Bを含む。図7Aから図7C内に矢印によって指し示されるように、各シフトレジスタ回路SR−1〜SR−4は、1行の「新」データが各サブスキャン時間間隔中に空間光変調器へ書き込まれるように配列され、あらかじめ受信したすべてのデータビットが、シフトレジスタ回路SR−1〜SR−4内でシフトされて、シフトされたデータがアレイ122内で隣接する関連光変調素子を制御するようにする。「新」データビットが最下部の制御セル128−13へ書き込まれると、あらかじめ制御セル128−13内に格納されたデータ値は、制御セル128−12へと上位の方へシフトされ、あらかじめ制御セル128−12内に格納されたデータ値は、制御セル128−11へと上位の方へシフトされる(あらかじめ制御セル128−11内に格納されたデータビットは削除される)。したがって画像形成装置200Bのシフトレジスタ形式は、各サブスキャン期間中に1行の光変調素子に対してだけデータビットを書き込むことを必要とすることによって、関連光変調素子間のデータをラスタ化する工程を単純化し、それによって所望の画像スクロール動作をさらに効率的に実行する。次いで画像位置コントローラは、光変調素子125−13、125−23、125−33および125−43内へ書き込まれる4つの「0」ビット値を含む、次のデータフレーム182B(t1)(図7Bを参照のこと)を発生させ、それによってあらかじめ書き込まれた「1」データ値が、シフトレジスタSR−2およびSR−3によって制御セル128−22および128−32へと上位の方へシフトされ、それによって光変調素子125−22および125−32が「オン」となる、図7Bに示される変調状態を発生させる。最後に、画像位置コントローラは、光変調素子125−13、125−23、125−33および125−43内へ書き込まれるさらに4つの「0」ビット値を含む、次のデータフレーム182B(t2)(図7Cを参照のこと)を発生させ、それによってあらかじめ書き込まれた「1」データ値が、シフトレジスタSR−2およびSR−3によって制御セル128−21および128−31へと上位の方へシフトされ、それによって光変調素子125−21および125−31が「オン」となる、図7Cに示される変調状態を発生させる。
【0034】
代替の実施の形態では、高エネルギビームを発生させるのに利用される光源は、単一の高出力光発生素子で構成される、または所望の光エネルギを共同で生成する多数の低出力光発生素子で構成されるとすることができる。
【0035】
図8Aは、多数の端面発光レーザダイオード115Cが、光変調素子(図示されない)の行と平行に配置される直線に沿って配列される光源112Cを図示する。代替策としては、光源112Cは、端面発光レーザ・ダイオード・バーまたはスタック状にいっしょに形成された多数のダイオードバーで構成され、速軸コリメーション(FAC:fast−axis collimation)マイクロレンズを用いて、光を平行にするのに役立つことができる。
【0036】
図8Bは、多数の垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)115Dを担体111D上の2次元アレイ内に配列した光源112Dを図示する。この2次元アレイは、稠密六方構造配置などの任意の配列でスタック状に形成されて、単位面積当たりの出力量を最大化することができる。
【0037】
代替の実施の形態では、光ホモジナイザ117C/Dが、1つ以上の先細の光導体、マイクロレンズアレイ、または当技術分野で周知の、いくつかの異なる追加の技術および方法のうちのいずれかを用いて実装される。
【0038】
図9Aおよび図9Bは、一般化されたアナモフィック光学システム130Fを含む画像形成装置200Fの一部を示す概略図である。図9Aを参照すると、アナモフィック光学システム130Fは、コリメーティング(平行)光学サブシステム131F、工程直交光学サブシステム133F、および工程方向光学サブシステム137Fを含む。光学サブシステム131F、133Fおよび137Fは、空間光変調器120Fと、画像形成システム100Fの出力において発生するスキャンラインSLとの間の光路内に配置される。図9Aは、コリメーティング光学サブシステム131Fおよび工程直交光学サブシステム133Fが、変調器120Fを通過した変調光部分118Bに作用して、X軸と平行な(すなわち、工程直交方向の)スキャンラインSL上に、集光された光部分118Cを形成することを指し示す上面図であり、図9Bは、コリメーティング光学サブシステム131Fおよび工程方向光学サブシステム137Fが、変調器120Fを通過した変調光部分118Bにいかに作用して、Y軸と直角方向の(すなわち、工程方向の)スキャンラインSL上に、集光された光部分118Cを発生させるかを指し示す側面図である。
【0039】
コリメーティング光学サブシステム131Fはコリメーティング視野レンズ132Fを含み、コリメーティング視野レンズ132Fは、変調器120Fの直後に位置を定められ、変調器120Fの表面からわずかに発散する光部分を平行にするように構成される。コリメーティング光学サブシステム131Fは、任意選択である。
【0040】
工程直交光学サブシステム133Fは、工程直交(スキャン)方向に(すなわち、X軸に沿って)光を拡大する、2レンズの円柱または非円柱投影システムであり、工程方向光学サブシステム137Fは、工程(スキャン間)方向に(すなわち、Y軸に沿って)光を集束する、円柱または非円柱の単一の集束レンズサブシステムである。これにより、単一通過画像形成システム100Fの出力に位置を定められたスキャンラインSL上で、光(例えば、レーザ)出力の強度を集光することが可能となる。2レンズの円柱または非円柱投影システム133Fは、変調器120F(および任意選択のコリメーティング光学サブシステム131F)を通過した変調光部分(画像形成データ)118Bを、画像形成面(例えば、シリンダ)上へ工程直交方向に投影して拡大するように構成される、第1円柱または非円柱レンズ134Fおよび第2円柱または非円柱レンズ136Fを含む。図9Aに指し示されるように、集光された光部分118Cのわずかな扇形の広がり(拡散)をX軸に沿って生み出すことにより、隣接する光学サブシステムからの機械的干渉を受けずに、出力画像を互いにスティッチさせることが可能となる。レンズサブシステム137Fは、スキャンラインSL上の狭い高解像度ライン画像に至るまで投影画像形成データを集光する、第3円柱または非円柱レンズ138Fを含む。レンズ138Fの集束能力が増加するにつれて、変調器120Fの光の強度は、スキャンラインSLにおいて発生するライン画像の強度に比較して低減される。しかしながら、これは、円柱または非円柱レンズ138Fが、透明開口部がレンズ138Fのエッジぎりぎりまで広がる状態で、工程表面(例えば、画像形成ドラム)に、より接近して配置されなければならないことを意味する。
【0041】
空間光変調器120−1および120−2(図1を参照のこと)は、米国テキサス州ダラス市のTexas Instruments社から入手可能なデジタル光処理(DLP(登録商標))チップなどのデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)、米国コロラド州ラファイエット市のBoulder Nonlinear Systems社から入手可能なLinear Array Liquid Crystal Modulatorなどの電子光学回折変調器アレイ、またはバナジウム二酸化物反射もしくは吸収ミラー素子などの熱光学吸収素子から成るアレイを含む市販のデバイスを用いて実装される。さまざまな空間光変調器を、用いることができる。
【0042】
図10は、DMD式空間光変調器(DMD)120Gの一部を示す斜視図である。DMD120Gは、多数の微小電気機械式(MEMs)ミラー機構125Gで構成される変調素子アレイ122Gを含む。変調素子アレイ122Gは、Texas Instruments社によって販売されるDMDと一致し、MEMsミラー機構125Gは、半導体基板(すなわち、「チップ」または支持構造)124G上の長方形のアレイ内に配列される。ミラー機構125Gは、コントローラ回路126Gによって以下で説明するように制御され、コントローラ回路126Gも、基板124G上に組み立てられ、ミラー125Gの下方に配置される。Texas Instruments社によって販売されているDMDは、典型的にはデバイス当たり数十万のミラーを含む。
【0043】
図11は、DMD式変調素子アレイ122Gの典型的なミラー機構125G−11を示す。ミラー機構125G−11は、最上層210、中央領域220、および下方領域230へ分割され、これらはすべて、基板124Gの上面に形成されたパッシベーション層(図示されない)上に配置される。ミラー機構125G−11の最上層210は、正方形または長方形のミラー(光変調構造)212を含み、ミラー212は、アルミニウムで作られ、典型的には直径で大略16マイクロメートルである。中央領域220は、2つのコンプライアントねじりヒンジ224によって支持プレート225に接続されるヨーク222、ならびに1対の高架電極227および228を含む。下方領域230は、第1電極プレート231および第2電極プレート232、ならびにバイアスプレート235を含む。ミラー機構125G−11は、基板124G上に配置される関連SRAM型制御セル128Gによって制御される。
【0044】
下方領域230は、めっき層をエッチングすること、または別のやり方ではパッシベーション層上に金属パッドを形成することによって形成される。電極プレート231および232のそれぞれは、バイアス制御信号127G−2、または金属ビアを経由してメモリセル128Gによって格納された相補制御信号127Gを受信するように接続される。
【0045】
中央領域220は、MEMS技術を用いて下方領域230の上方に配置され、ヨーク222は、コンプライアントねじりヒンジ224を経由して支持プレート225によって、移動可能なように(回動可能なように)接続されるとともに支持される。支持プレート225は、バイアスプレート235の上方に配置され、バイアスプレート235の領域236上へ固定して接続される支持ポスト226を経由して、電気的に接続される。電極プレート227および228は、それぞれ電極プレート231および232の上方に配置され、支持ポスト229を経由して電気的に接続される。ミラー212は、ミラーポスト214によってヨーク222に固定して接続される。
【0046】
図12Aから図12Cは、動作中の図10のミラー機構125G−11を示す。「オン」変調状態を設定するために、SRAMメモリセル128Gは、「D」部分の制御信号127Gが、電極プレート231および高架電極227へ送られる高電圧(VDD)を含み、ならびに「Dバー」部分の制御信号127Gが、電極プレート232および高架電極228へ送られる低電圧(接地電位)を含むように、あらかじめ書き込まれたデータ値を格納する。
【0047】
「オン」位置から「オフ」位置へミラー212を移動させるために、必要とする画像データビットが、制御ビット信号127G−1を経由してSRAMメモリセル128G内へロードされる(図12Aの下方部分を参照のこと)。
【0048】
図12Aから図12Cでは、ミラー機構125G−11の回動ねじり軸によって、ミラー212は、DLPチップハウジングのx−y座標に対して斜めの軸を中心に回動する。このように斜めに傾けると、空間光変調器から受信した入射光部分は、各ミラー機構125G上へ合成入射角で投影される必要があり、結果として光の出射角は、DLPチップの表面と直角となる。
【0049】
図13は、DMD120Gを含む画像形成装置200Gを示し、同図でDMD120Gは、好適な「折り畳まれた」配列内に配置される。画像形成装置200Gは、上述したように機能するとともに動作する、均質光発生器110Gおよび関連アナモフィック光学システム130Gを含む。空間光変調器120Gが、均質光発生器110Gおよびアナモフィック光学システム130Gに対して合成角で位置を定められて、均質光場119Aの入射均質光部分118A−Gが、変調器120Gの表面によって定められた直交軸X、YまたはZのうちのいずれかと平行でも直角でもないようにし、ならびに反射光部分118B−G1および118B−G2が、「オン」位置では、アナモフィック投影光学システム130Gを通してZ方向に沿って変調器120Gの表面と実質的に直角に向けられ、「オフ」位置では、アナモフィック投影光学システム130Gの外側へ光吸収性ビーム停止体140Gへと向けられるようにするという点で、画像形成装置200Gは、一般のシステムとは区別される。この「折り畳まれた」配列によって、各MEMsミラー機構125Gのミラーが「オン」位置にあるときだけ、均質光部分118A−Gの一部は、各MEMsミラー機構125Gからアナモフィック光学システム130Gへと反射する。「オン」位置にある各MEMsミラー機構125Gは、角度θ1で光部分118A−GをスキャンラインSL上へと反射する。反対に、「オフ」にある各MEMsミラー機構125Gは、角度θ2で光部分118A−Gを反射し、それによって変調光部分118B−G2は、アナモフィック光学システム130Gから離れる方へ向けられる。ビーム停止ヒートシンク構造140Gは、変調光部分118B−G2を受信するように位置を定められる。画像形成装置200Gのコンポーネントは、同一の画像形成システムをいくつでも含む、途切れのない集合体の構造を容易にする。
【0050】
図14Aおよび図14Bは、DMD式空間光変調器(DMD)120Jを有する画像形成装置200Jを示す。図14Aを参照すると、DMD120Jは、MEMsミラー機構から成るアレイを含み、そのうちのMEMsミラー機構125J−11、125J−12および125J−13が示され、基板124J上に、対応する制御セル128J−11、128J−12および128J−13の上方に形成される。DMD120Jは、制御セル128J−11、128J−12および128J−13間でデータビット値をシフトすることを容易にするシフトレジスタ回路SRJを含むように修正され、それによってスキャンデータのスクロール(ラスタ化)を容易にする。図14Aは、最初の時点t0におけるDMD120Gを図示し、同時点において制御セル128J−11、128J−12および128J−13は、それぞれビット値「0」、「1」および「0」を格納し、それによってMEMsミラー機構125J−11および125J−13のミラー212−1および212−3は「オフ」に配置され、MEMsミラー機構125J−12のミラー212−2は「オン」に配置される。図14Bは、時点t1におけるDMD120Gを図示し、同時点においてコントローラ126Jは、「1」ビット値を制御セル128J−11内へ書き込む。
【0051】
図15は、画像形成システム100Mおよびスキャン構造160Mを有するスキャン/印刷装置200Mを示す。画像形成システム100Mは、均質光発生器110M、空間光変調器120M、およびアナモフィック光学(例えば、投影レンズ)システム130Mを含む。画像形成ドラムシリンダ(ローラ)160Mは、アナモフィック光学システム130Mが、工程直交光学サブシステム133Mおよび工程方向光学サブシステム137Mを用いて、変調器120Mから受信した変調光部分を、画像形成ドラムシリンダ160Mの画像形成面162M上へ、ならびに詳しくは画像形成面162Mの画像形成領域167M内へ、画像形成して集光するように、位置を定められる。工程直交光学サブシステム133Mは、変調器120Mを通過した光を水平に逆にするように動作する(すなわち、光部分118B−41、118B−42および118B−43が、工程直交光学サブシステム133Mの右側から画像形成領域167Mの左側の方へ向けられるように)。図15は、画像形成ドラムシリンダ160Mの側面図を示し、同図で画像形成面162Mは、スキャンラインSL−4においてビーム118C−41、118C−42および118C−43によって発生する画像が、破線のバブル内に指し示されるやり方で逆にされるように、焦線FLの位置に設定される。
【技術分野】
【0001】
本発明は画像形成装置、および特に単一の通過で高解像度、高速度の画像形成のための画像形成装置に関する。
【背景技術】
【0002】
レーザ画像形成システムは、マスク付きおよびマスクレスリソグラフィパターン形成、表面のレーザダル加工、およびレーザ切断機などの用途において、画像を発生させるために広範囲にわたって用いられている。レーザプリンタは、ポリゴンスキャナまたはガルボスキャナを利用することによって工程方向と直角にレーザを掃引するラスタ光学スキャナ(ROS:raster optical scanner)をしばしば用い、一方で切断用途に対して、レーザ画像形成システムは、フラットベッド型x−yベクトルスキャニングを用いる。
【0003】
レーザROS技法の制約のうちの1つは、画像解像度とスキャンラインの横方向の広がりとの間に、設計上のトレードオフが存在することである。これらのトレードオフは、スキャンラインの両極端において、画像面の湾曲などの光学性能の制限から生じる。実際には、単一のガルバノメータまたはポリゴンスキャナを用いて、一列20インチの画像形成幅全体で1200dpi解像度を達成するのは、きわめて困難である。その上に、単一のレーザヘッドによる電動式x−yフラットベッドアーキテクチャは、広範囲の領域にとっては理想的であるが、最高速の印刷工程にとっては時間がかかりすぎる。
【0004】
こういう訳で、広い幅の電子写真法にとって、最大20インチ幅までのモノリシックの発光ダイオード(LED:light emitting diode)アレイには、画像形成上の利点がある。残念ながら、現在のLEDアレイは、ピクセル当たり10ミリワットの出力レベルを提供することができるだけであり、したがって電子写真法などの一部の非熱の画像形成用途に役立つだけである。加えて、LEDバーは、経年劣化差および性能差を広げる。単一のLEDが故障すると、LEDバー全体を差し換える必要がある。他の多くの画像形成またはマーキング用途には、より高い出力が必要である。例えば、レーザダル加工、または切断用途は、10W〜100Wの範囲の出力レベルを必要とすることがある。それゆえにLEDバーは、これらの高出力用途に用いることができない。さらに、ずらして配置した2行以上のヘッドを用いずに、LEDをより高速度または1200dpiを上回る解像度に広げることも困難である。
【0005】
100ミリワット〜100ワットの範囲にある、より高出力の半導体レーザアレイが存在する。ほとんどの場合、それらは全幅で大略1cmのレーザ・ダイオード・バーなどの1Dアレイ形式で存在する。高出力向け光源の別のタイプは、2D面発光VCSELアレイである。しかしながら、これらの高出力レーザ技術のいずれも、最隣接間のレーザピッチを600dpi以上の画像形成解像度に適合可能にはしない。加えて、これらの技術のいずれも、各レーザの個々の高速度制御を可能にはしない。それゆえに高出力オーバヘッド投影画像形成システムなどの高出力用途は、Texas Instruments社のDLP(商標)チップまたは液晶アレイなどの空間光変調器と組み合わせたレーザなどの高出力源をしばしば用いる。
【0006】
画像形成システムが、並んでアレイ構成にされる場合、重なり合った投影画像を形成するのに用いることができ、ソフトウェアを用いて重なり合わせることによってより広い画像を形成して、その画像パターンを途切れのないパターンへと互いにスティッチできることを、先行技術は示している。このことは、PCボード製造およびディスプレイシステム用などの、多くのマスクレス・リソグラフィ・システムにおいて示されてきた。従来、高解像度用途向けのこのようなアレイ構成の画像形成システムは、連続的な高解像度画像を互いにスティッチするために、2行の画像形成サブシステムかそれとも2重通過スキャン構成かを用いなければならないように配列されていた。これは、光学サブシステムの寸法上、物理的ハードウェアに制約があるためである。画像形成する2重の行構成は、依然として、基板を単一方向に移動させる運搬機を用いて、途切れなく互いにスティッチすることができるが、しかしこのようなシステムは、多量の追加のハードウェア設置場所および各画像形成行間の精度調整を必要とする。
【0007】
マスクレスリソグラフィ用途にとっては、画像形成されるフォトレジストの露光と現像との間の時間は決定的に重要とは言えず、したがって単一のラインに沿ってフォトレジストに画像を形成しても、すぐに露光する必要がない。しかしながら、露光と現像との間の時間は、ときどき決定的に重要となる。例えば、電子写真式レーザ印刷は、時間とともに自然に減衰する電荷を消去することによって、感光体に画像を形成することに基づいている。それゆえに露光と現像との間の時間は、時不変性ではない。このような状況では、露光システムにとっては、単一のラインを、またはいくらか詰めて配置された、表面における高解像度の隣り合うラインを同時に、露光することが望ましい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
電子写真式印刷の用途に加えて、露光と現像との間の時間が決定的に重要な別のマーキングシステムがある。一例は、当初Carleyによって、発明の名称が「FOUNTAIN SOLUTION IMAGE APPARATUS FOR ELECTRONIC LITHOGRAPHY(電子リソグラフィ用の湿し水画像装置)」の米国特許第3,800,699号明細書に開示された、レーザベースの可変データ・リソグラフィ・マーキング技法である。標準のオフセットリソグラフィ印刷では、疎水性の画像形成領域および親水性の非画像形成領域を有する静的な画像形成プレートが作成される。水ベースの湿し水の薄層は、プレートを選択的に湿潤させ、油ベースのインクを選択的に拒絶する撥油層を形成する。米国特許第3,800,699号明細書に開示された可変データ・リソグラフィ・マーキングでは、レーザは、湿し水をパターン切除して、オン・ザ・フライで可変の画像領域を形成するのに用いることができる。このようなシステムにとっては、湿し水の薄層も、周囲空気への自然の分圧蒸発が原因で時間とともに厚さが低下する。それゆえに、単一の画像形成通過ステップにおいて形成される単一の連続的な高出力レーザ画像形成ラインパターンを形成し、その結果、液体湿潤フィルム厚が、レーザ切除ステップを形成する画像のどこでも同一厚となることも有利なことである。しかしながら、大部分のアレイ構成の高出力高解像度画像形成システムにとっては、空間光変調器を囲むハードウェアおよびパッケージが、通常、途切れのない連続的なラインパターンを画像形成するのを妨げる。その上に、ダル加工、リソグラフィ、コンピュータ・トゥ・プレート製作、広領域型抜き、または熱ベース印刷もしくは他の新規な印刷用途などの、レーザ画像形成の多くの領域にとって必要なものは、1ワットレベルを十分に上回る高い総光パワーを有し、20インチを越える広い工程幅全体に拡張可能であり、1200dpiを上回る解像度を達成可能であり、単一の通過で高解像度、高速度の画像形成を可能にする、レーザベースの画像形成技法である。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明は、一般に、工程(スキャン間)方向に移動するスキャン構造(例えば、ドラムシリンダ)の画像形成面上に、所定の画像データに従って、細長い実質的に1次元のスキャン画像が発生する、画像形成(例えば、リソグラフィ)装置に向けられる。本発明は、詳しくは、複数の光変調素子から成る2次元アレイを有する空間光変調器が、所定のスキャン画像データに応じて2次元光場を変調するのに用いられ、その後でその変調光が、工程方向および工程直交方向にアナモフィックに画像形成され、画像形成面上に定められた細長画像形成領域上へ、工程方向に集光されるような画像形成装置に向けられる。この配列に関して起こり得る問題は、画像形成面が工程方向に移動しながら、アレイ内のすべてのデータラスタが同時に変化する場合、転写された画像の汚れ(すなわち、画像形成面上に配置された、スキャン画像によって処理される転写材料の変形)が生じる場合があることである。本発明の一態様によれば、この汚れを回避するために、画像形成面の工程方向の移動を光変調素子の変調状態と同期化させるのに画像位置コントローラが利用され、例えば、光変調素子を通して画像データビット値をシフト(ラスタ化)することによって同期化させ、それによってスキャン画像の画像特徴が、画像形成面の工程方向の移動に一致する速度でスクロールされ(工程方向にシフトされ)、それによってたとえ画像形成面部分が工程方向に移動しても、画像特徴は、実質的に画像形成面のうちの対応する部分と一致した状態のままとなる。汚れ問題を回避することに加えて、画像形成面の移動に同期してスキャン画像特徴をラスタ化することによって、本発明は、さらに画像形成面上の各画像特徴と関連した露光時間を増加させ、それによってスキャン面への全出力の転写を維持しながら均質光場を供給するピーク出力の低減を容易にし、それゆえに低出力光源の利用を可能にすることによって、画像形成装置の全体にわたるコストを低減する。
【0010】
本発明の一実施の形態によれば、画像形成装置は、2次元光場にわたって一様に広がった(拡散した)一定の均質光を発生させる、市販の均質光発生器(例えば、LIMO社製高出力レーザ・ダイオード・ライン発生器)と、その光場内に配置され、所定のスキャンライン画像データに従って均質光を変調する空間光変調器と、変調された均質光を工程方向および工程直交方向に画像形成し、変調された均質光を工程方向に集光して、スキャン構造の画像形成面上に実質的に1次元のスキャンライン画像を形成するアナモフィック光学システムとを含む。アナモフィック光学システムを利用して、変調された均質光を画像形成して集光することによって、スキャンライン画像の任意の点にかつ高出力レーザ光源を必要とせずに、高い総光パワー(すなわち、数百ワットのオーダー)を選択的に同時に発生することができ、それによって、例えば30kHzを超える高速度のラインアドレス指定を有する単一通過のスキャン用途および単一通過の印刷用途向けに用いることができる、費用効率の高い画像形成装置を容易にする。
【0011】
本発明の一態様によれば、空間光変調器は、2次元アレイ内に配列された多数の光変調素子を含み、各光変調素子は、光変調構造および関連画像データビット値を格納する関連制御セルを含み、この画像データビット値は、所定のスキャン画像データによって決定される。各光変調素子は、その光変調構造が2次元均質光場の関連光部分を受信するようにアレイ内に配置され、光変調構造は、関連画像データビット値に従って制御されて、「オン」変調状態と「オフ」変調状態との間で変化する。変調素子の光変調構造が「オン」変調状態にあると、光変調構造はその関連光部分をアナモフィック光学システムの方へ向ける。反対に、光変調構造が「オフ」変調状態にあると、受信した関連光部分は、アナモフィック光学システムへと通過することを妨げられる(例えば、阻止されるまたは同システムから離れる方へ方向転換する)。アナモフィックに画像形成され集光される前に、均質光をこのように変調することによって、任意の与えられた瞬間に、スキャンラインの1点に高出力を加えるにすぎないラスタ化システムと比較して、本発明は、画像形成領域全体に同時に高出力スキャンラインを生成することができる。加えて、比較的低出力の均質光が多数の変調素子に広がるので、本発明は、デジタル・ミクロミラー・デバイス(DMD:digital micromirror device)、電子光学回折変調器アレイ、または熱光学吸収素子のアレイなどの、市販の低コストの空間的光変調デバイスを用いて生成することができる。
【0012】
本発明の一実施の形態によれば、空間光変調器に属するアレイ構成の光変調素子は行および列に配列され、アナモフィック光学システムは、各列から受信した光部分を、細長いスキャンライン画像の関連部分(「ピクセル」)上へ画像形成して集光するように構成され、画像データビット値をシフト(ラスタ化)する工程は、各列内に連続して配列された光変調素子に沿って画像データビット値を連続してシフトする工程を含む。すなわち、(「オン」変調状態にある)所与の列に照射された光変調素子から受信した、画像形成され集光された変調光部分は、アナモフィック光学システムによってスキャンライン画像に属する対応する同一のスキャンライン部分上へ向けられ、その結果を示す画像形成「ピクセル」は、所与の列内で「オン」状態にある、照射された光変調素子からの複合光となる。本発明の重要な態様は、各光変調素子が(透過または反射によって)通過させる光部分が、アナモフィック光学システムによってスキャンラインへ供給される1ピクセルの2値データを表し、画像形成され集光された光を受信する、画像形成面の領域が、各列内のどの素子が「オン」であるかに従って、工程方向に微細にシフトされることを理解することにある。したがって、各列内に配置された多数の変調素子を、画像データビットがその列に沿って上位の方へ(または下位の方へ)シフトされるように、個々に制御することによって、本発明は、汚れ問題を回避する画像形成装置を提供する。
【0013】
本発明の一実施の形態によれば、データのシフトは、各サブスキャン時間間隔中に、空間光変調器に属する各制御セルへデータを更新して書き込むことによって成し遂げられる。例えば、第1サブ画像形成時間間隔中に、アレイ内の各光変調素子に対して少なくとも1つのデータビットを含む第1データフレームが、光変調素子の制御セルへ送られて格納され、それによって光変調素子は第1変調状態に入る。次の順次的なサブスキャン時間間隔の前に、データの一部が(例えば、各列に沿ってデータを上位の方へシフトすることに対応して)所定のパターンで効果的にシフトされるとともに、新たなデータが(例えば、複数の光変調素子から成る最下行に対応して)追加されるような、修正(第2)データフレームが発生する。修正データフレームは、次のサブスキャン時間間隔中に、光変調素子の制御セルへ送られて格納され、この修正工程が繰り返される。この工程は、データラスタとして多数回、類似のデータを空間光変調器へ書き込む必要があり、極めて高いデータ伝送レートを必要とすることに留意されたい。
【0014】
本発明の代替の実施の形態によれば、空間光変調器のアーキテクチャは、画像スクロール動作をさらに効率的に実行するために、関連した光変調素子間のデータをラスタ化する工程を単純化するシフトレジスタ形式を含むように修正される。すなわち、空間光変調器は、例えば、アレイの各列内に配置された制御セル間のデータビット値をシフトする少なくとも1つのシフトレジスタ回路を含むように修正される。この配列を用いて、各サブスキャン時間間隔中に1行の「新」データが空間光変調器に書き込まれ、あらかじめ受信したすべてのデータがシフトレジスタ回路によって隣接する関連光変調素子へシフトされる。例えば、「新」データビットが、ある列内にある最下部の光変調素子の制御セルに書き込まれると、最下部の光変調素子によってあらかじめ格納されたデータ値は、最下部の光変調素子の真上に配置された光変調素子の方へ上位にシフトされる。この配列を用いて、アレイの各サブスキャン行は、各サブスキャン時間間隔においてその隣接するかつ先行するサブスキャン行からラスタ化されたデータベクトルを受信し、第1サブスキャン行は、各新データラスタ境界が直面するのと同程度の必要性で(およびラスタ当たり1回だけ)更新される。このシフトレジスタ形式技法は、バンド幅要件を劇的に低減することによって、効率を大いに改善する(例えば、空間光変調器内に光変調素子が1000行あるとすると1000倍だけ)。
【0015】
本発明の一実施の形態によれば、市販の均質光発生器(例えば、LIMO社製高出力レーザ・ダイオード・ライン発生器)は、1つ以上の光源と、光源によって発生する光ビームを均質化するとともに、均質化された光ビームを2つ以上の光変調素子上へ広げる光ホモジナイザ光学システム(例えば、1つ以上の先細の光導体またはマイクロレンズアレイ)とを含む。このように、高エネルギ密度ビーム(すなわち、単位面積当たり比較的高い第1光束を有する光)を、単位面積当たり比較的低エネルギの均質光(すなわち、高エネルギ密度ビームの光束密度よりも低い第2光束密度を有する光)に変換する1つの利益は、この配列が、高エネルギ光を処理することができる特別な光学材料および反射防止コーティングを用いて空間光変調器を組み立てることを必要とせずに、高エネルギ光源(例えば、レーザまたは発光ダイオード)の利用を容易にすることである。すなわち、ホモジナイザを利用して、拡張された2次元領域にわたって高エネルギレーザ光を広げることによって、所与の領域にわたる(例えば、各変調素子の領域にわたる)光の強度(ワット/cc)は、空間光変調器を形成するのに低コストの光学材料および反射防止コーティングが利用可能なように、受け入れ可能なレベルに低減される。高エネルギビームを比較的低エネルギの均質光に変換する別の利益は、この配列が出力処理能力を改善することである。光を広げると、点欠陥(例えば、微視的塵粒子またはひっかき傷)が全光透過損失上に有する負の画像形成効果も排除する。代替の具体的な実施の形態によれば、均質光発生器の光源は、所望の光エネルギを共同で生成する多数の低出力光発生素子を含む。具体的な一実施の形態では、複数の光変調素子から成る行と平行なラインに沿って、光源(例えば、端面発光レーザダイオードまたは発光ダイオード)が配列される。別の具体的な実施の形態では、2次元アレイ内に光源(例えば、垂直共振器面発光レーザ(VCSEL))が配列される。高出力均質光の用途に対しては、光源は、その発光が、ホモジナイザ光学によって互いに混ぜ合わされて、均質の所望の高出力を生成するような、多数の低出力光源で構成されることが好ましい。いくつかの独立した光源を用いることによるさらなる利益は、コヒーレント干渉に起因してレーザスペックルが低減されることである。
【0016】
本発明の別の実施の形態によれば、全体にわたるアナモフィック光学システムは、空間光変調器から受信した変調光部分を集光して、集光された変調光が実質的に1次元のスキャンライン画像を形成するようにする、工程直交光学サブシステムおよび工程方向光学サブシステムを含み、スキャンライン画像において集光された変調光は、均質化された光よりも高い光学強度(すなわち、より高い光束密度)を有する。2次元の変調光パターンをアナモフィックに集光して(焦点に集めて)高エネルギの細長いスキャンラインを形成することによって、本発明の画像形成システムは、より高強度のスキャンラインを出力する。スキャンラインは、通常、その焦点近傍の移動想像面の方に向けられ、移動想像面にわたって掃引される。これにより、プリンタなどの画像形成システムを形成することが可能となる。表面掃引の方向は、通常、スキャンラインの方向に直角であり、慣習的に工程方向と呼ばれる。加えて、スキャンラインと平行な方向は、慣習的に工程直交方向と呼ばれる。スキャンライン画像の形成は、工程方向に沿ってスキャンライン画像を収束することおよび緊密に集束すること、ならびに工程直交方向に沿ってスキャンライン画像を投影することおよび拡大することを扱う、種々の対の円柱または非円柱レンズを有することができる。具体的な一実施の形態では、工程直交光学サブシステムは、変調光を細長いスキャンライン上へ工程直交方向に投影し拡大するように構成される、第1および第2円柱または非円柱レンズを含み、工程方向光学サブシステムは、変調光をスキャンライン上へ工程方向と平行方向に集光して縮小するように構成される、第3円柱または非円柱集束レンズを含む。この配列は、隣接する光学システムと結合する(重複領域といっしょに「スティッチされる」または混ぜ合わされる)ことができる、幅広のスキャンラインを発生させて、実質的に無制限の長さのスキャンラインを有する集合体を生成することを容易にする。任意選択のコリメーティング視野レンズを、工程方向および工程直交方向において、空間光変調器と円柱または非円柱集束レンズとの間に配置することもできる。全体にわたる光学システムは、光学収差または歪みを補償するのに役立つさらにいくつかの素子を有することができ、このような光学素子は、多数の折り畳みビーム経路を備えた透過レンズまたは反射ミラーレンズとすることができることを理解されたい。
【0017】
本発明の具体的な実施の形態によれば、空間光変調器は、パッケージ化された形態のデジタル光プロセッサと呼ばれる、Texas Instruments社のDLP(商標)チップを含む。この半導体チップはそれ自体、しばしばデジタル・マイクロミラー・デバイスまたはDMDと呼ばれる。このDMDは、基板上に配置された微小電気機械式(MEMs:microelectromechanical)ミラー機構から成る2次元アレイを含み、各MEMsミラー機構は、コントローラによって発生する関連制御信号に従って、第1傾斜位置と第2傾斜位置との間で移動可能なように支持されるミラーを含む。空間光変調器およびアナモフィック光学システムは、各ミラーが第1傾斜位置にあると、受信したその関連光部分をミラーがアナモフィック光学システムの方へ反射し、ミラーが第2傾斜位置にあると、受信した関連光部分をミラーがアナモフィック光学システムから離れてビームダンプの方へ反射するように、折り畳まれた配列内に位置を定められる。任意選択のヒートシンクが、空間光変調器に対して固定して位置を定められて、第2傾斜位置に配置されたミラーからビームダンプに向かう光部分を受ける。任意選択のフレームが、固定された相対位置にある各コンポーネントを保持するのに利用される。反射式DMDベースの画像形成システムの利点は、折り畳まれた光路配列が、システム設置面積の小型化を容易にすることである。
【0018】
本発明の別の具体的な実施の形態によれば、空間光変調器は、周知の技術に従って構成されるシフトレジスタ回路を含み、上述したシフトレジスタ形式を用いて各列内にある関連MEMsミラー機構の制御セル間のデータビット値をシフトすることを容易にするように修正される。ランダム・アクセス・メモリからシフトレジスタ形式へDMDメモリアーキテクチャを変更すると、DMDアレイ上のミラー行の数の逆数倍だけバンド幅要件が低減される。
【0019】
本発明のこれらのおよび他の特徴、態様ならびに利点が、次の説明、添付された請求項、および付随の図面に関して、より良好に理解されることになる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】図1は、本発明の典型的な実施の形態に従って、投影されたスキャン画像を備えた画像形成面の同期化を描写する2つの部分斜視図である。
【図2】図2は、本発明の一実施の形態に従って、利用される画像形成装置を示す上面斜視図である。
【図3A】図3Aは、高出力光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図3B】図3Bは、高出力光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図3C】図3Cは、高出力光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図4A】図4Aは、比較的低出力の光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図4B】図4Bは、比較的低出力の光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図4C】図4Cは、比較的低出力の光源を用いて単一フレームスキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図5A】図5Aは、本発明に従って同期化スキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図5B】図5Bは、本発明に従って同期化スキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図5C】図5Cは、本発明に従って同期化スキャン動作中の図2の装置を示す概略側面図である。
【図6A】図6Aは、本発明の具体的な実施の形態に従って同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図6B】図6Bは、本発明の具体的な実施の形態に従って同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図6C】図6Cは、本発明の具体的な実施の形態に従って同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図7A】図7Aは、本発明の別の具体的な実施の形態に従ってシフトレジスタを用いて同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図7B】図7Bは、本発明の別の具体的な実施の形態に従ってシフトレジスタを用いて同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図7C】図7Cは、本発明の別の具体的な実施の形態に従ってシフトレジスタを用いて同期化スキャン動作中の画像形成装置を示す部分斜視図である。
【図8A】図8Aは、本発明の代替の実施の形態に従って図2の画像形成システムの均質光発生器によって利用される代替の光源を示す概略斜視図である。
【図8B】図8Bは、本発明の代替の実施の形態に従って図2の画像形成システムの均質光発生器によって利用される代替の光源を示す概略斜視図である。
【図9A】図9Aは、本発明の具体的な実施の形態に従って図2の画像形成装置によって利用されるアナモフィック光学システムを示す概略上面図である。
【図9B】図9Bは、本発明の具体的な実施の形態に従って図2の画像形成装置によって利用されるアナモフィック光学システムを示す概略側面図である。
【図10】図10は、本発明の具体的な実施の形態に従って図2の装置によって利用されるDMD式空間光変調器の一部を示す斜視図である。
【図11】図11は、さらに詳細に図10のDMD式空間光変調器に属する光変調素子を示す分解斜視図である。
【図12A】図12Aは、動作中の図11の光変調素子を示す斜視図である。
【図12B】図12Bは、動作中の図11の光変調素子を示す斜視図である。
【図12C】図12C、動作中の図11の光変調素子を示す斜視図である。
【図13】図13は、本発明の具体的な実施の形態に従って、折り畳まれた配列内にある図10のDMD式空間光変調器を含む画像形成装置の一部を示す概略図である。
【図14A】図14Aは、本発明の別の具体的な実施の形態に従ってシフトレジスタ回路を含むように修正されたDMD式空間光変調器を含む画像形成装置の一部を示す概略図である。
【図14B】図14Bは、本発明の別の具体的な実施の形態に従ってシフトレジスタ回路を含むように修正されたDMD式空間光変調器を含む画像形成装置の一部を示す概略図である。
【図15】図15は、本発明の別の具体的な実施の形態に従って画像形成装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
図1は、2つの異なる時点(すなわち、装置「200(t0)」は最初の時点t0における動作状態を描写し、装置「200(t1)」は時点t0のすぐ後に発生する、次の時点t1における動作状態を描写する)における概略化された画像形成(例えば、リソグラフィ)装置200の動作状態を描写する。図1の上方左部分において、装置200は一般に、所定のスキャンライン画像データに従って2次元均質光場119Aを変調して、その変調光が2次元変調光場119Bを形成するようにする、空間光変調器120または他のデバイスと、変調光場119Bをアナモフィックに集光して、集光された変調光が、画像形成面162の細長画像形成領域167上に実質的に1次元のスキャンライン画像SLを形成するようにする、アナモフィック光学システム130と含み、画像形成面162は典型的な実施の形態では、湾曲した矢印によって指し示される中心軸の回りに回動するドラムシリンダ(ローラ式)画像形成構造160上に配置される。空間光変調器120は、2次元均質光場119A内に配置された光変調素子125−11〜125−43のアレイを含み、各光変調素子が、さらに詳細に以下で説明されるように、その変調状態に従って関連均質光部分を通過させるまたは阻止する/偏向させるようにする。したがってアナモフィック光学システム130によって細長画像形成領域167上に形成された、実質的に1次元のスキャンライン画像SLは、光変調素子125−11〜125−43のオン/オフ変調状態パターンのいずれかによって決定される。例えば、図1の上方左部分を参照すると、装置200(t1)の光変調素子125−11〜125−43のオン/オフ変調状態パターンは、変調器120の中央の行に配置された光変調素子125−12、125−22、125−32および125−42だけが、「オン」変調状態にあるように設定され、それによって変調光部分118B−12、118B−22、118B−32および118B−42は、アナモフィック光学素子130へと通過し、さらに水平の(白色の)スキャン特徴SF(t1)が細長画像形成領域167の中央部分に配置されるスキャンライン画像SL(t1)を発生させる。
【0022】
画像形成面162のスキャン間(工程)方向移動は、スキャンライン画像SLの画像特徴が、画像形成面162のスキャン間移動と同じ速度でスキャン間方向にスクロールする(ラスタ化される)ように、2次元均質光場119Aの変調と同期化する。図1の上方左部分を参照すると、この画像/表面の同期化は、画像位置コントローラ回路180を用いて達成される。画像位置コントローラ回路180の1つの機能は、画像データビット値182を発生させて変調器120へ送り、それによって光変調素子125−11〜125−43のオン/オフ変調状態がスキャンライン画像データIDに従って制御されることである。画像位置コントローラ回路180の任意選択の機能は、制御信号184を経由して、ドラムシリンダ式画像形成構造160の回動速度を制御することである。画像位置コントローラ回路180の主要な機能は、光変調素子125−11〜125−43のオン/オフ変調状態が、画像形成面162のスキャン間移動と同じ速度で、スキャン間方向にスクロールする(すなわち、上位の方へ移動する)画像特徴を生成するように、画像形成面162のスキャン間(例えば、上位への)移動に同期して画像データビット値182を周期的に更新し、それによってスキャンライン画像SLの画像特徴が、その関連部分が細長画像形成領域167を通して工程方向に移動しながら、画像形成面162の関連部分と一致した状態のままとなることである。
【0023】
図2は、画像形成装置200が均質光発生器110も含むことを示す。均質光発生器110は、均質光場119Aの全部分が、実質的に同一の一定エネルギレベルを有する光エネルギを受信するように、実質的に一様な2次元均質光場119Aを形成する、連続的な(すなわち、一定な/無変調の)均質光118Aを発生させる。アナモフィック光学システム130を利用して、変調された均質光を集光することによって、高い総光パワー(すなわち、数百ワットのオーダー)が、高出力レーザ光源を必要とせずに、スキャンライン画像SLの任意の点上に選択的に同時に発生することができ、それによって30kHzを超える高速度のラインアドレス指定を有する単一通過のスキャン用途および単一通過の印刷用途を容易にすることができる。
【0024】
変調器120は一般に、支持構造124上に配置された変調素子125−11〜125−43で構成される変調素子アレイ122と、関連画像データビット値であって、そのビット値がコントローラ180によって発生するとともに所定のスキャン画像データIDによって決定される関連画像データビット値(1または0)を格納する制御(メモリ)セル128−11〜128−43を含むデバイス制御回路126とを含む。変調素子125−11〜125−43は、2次元アレイ122内に配列され、各変調素子125−11〜125−43の光変調構造(例えば、ミラー、回折素子、または熱光学吸収素子)が、均質光118Aのうちの対応する部分を受信する(例えば、変調素子125−11および125−22がそれぞれ均質光部分118A−11および118A−22を受信する)ように配置され、アナモフィック光学システム130の方へ所定の方向に沿って、受信した対応する変調光部分を選択的に通過させる(変調する)ように位置を定められる(例えば、変調素子125−22は変調光部分118B−22をアナモフィック光学システム130へと通過させるが、しかし変調素子125−11はアナモフィック光学システム130に達しないように光を阻止するまたは偏向させる)。各光変調素子125−11〜125−43は、関連制御セル128−11〜128−43によって関連制御ビット信号127を経由して個々に制御可能であり、「オン」(第1)変調状態(例えば、関連制御セルが「1」ビット値を格納するとき)と「オフ」(第2)変調状態(例えば、関連制御セルが「0」ビット値を格納するとき)とを切り替える。所与の変調素子が「オン」のとき、その変調素子は、その所与の変調素子が受信した関連光部分をアナモフィック光学システム130の方へ向けるように動作する。反対に、所与の変調素子が「オフ」のとき、その変調素子は、その所与の変調素子が受信した関連光部分を妨げる(例えば、阻止するまたは方向を変える)ように動作する。制御セル128−11〜128−43内に格納されたビット値に従って、変調素子125−11〜125−43を選択的に「オン」または「オフ」にすることによって、変調器120は、連続的な均質光118Aの一部を変調して(すなわち、通過させるまたは通過させない)、アナモフィック光学システム130へと通過する2次元変調光場119Bが発生するように機能する。
【0025】
アナモフィック光学システム130は、変調光部分をアナモフィックに画像形成して集光するように機能し、変調光部分は、変調器120から2次元光場119Bを経由して画像形成領域167の関連部分上へ、幅S(すなわち、図2に指し示されたようにX軸方向に測定された)を有する細長いスキャンライン画像SLが発生するように受信される。アナモフィック光学システム130は、変調器120からアナモフィック光学システム130へ向けられた光場119Bの2次元パターンを受信するように位置を定められた1つ以上の光学素子(例えば、レンズまたはミラー)を含み、変調器120内の1つ以上の光学素子(例えば、レンズまたはミラー)は、受信した光部分を、スキャン(X軸)方向よりもスキャン間(例えば、Y軸)方向に著しく画像形成して集光するように構成され、それによって受信した光部分は、スキャン(X軸)方向と平行に広がる細長いスキャンライン画像SLを形成するように、アナモフィックに集束される。
【0026】
変調器120に属する光変調素子125−11〜125−43は、行および列から成る2次元アレイ122内に配置され、アナモフィック光学システム130は、複数の変調素子から成る各列を通過した光部分を、スキャンライン画像SLに属する各スキャンライン部分SL−1〜SL−4上へ画像形成して集光するように構成される。図2に示される概略化された配列において、素子125−11、125−12および125−13を通過した任意の光が、アナモフィック光学システム130によってスキャンライン部分SL−1上へ画像形成され集光され、素子125−21、125−22および125−23を通過した任意の光が、スキャンライン部分SL−2上へ画像形成され集光され、素子125−31、125−32および125−33を通過した任意の光が、スキャンライン部分SL−3上へ画像形成され集光され、素子125−41、125−42および125−43を通過した任意の光が、スキャンライン部分SL−4上へ画像形成され集光される。
【0027】
スキャン構造160は、スキャンライン部分SL−1〜SL−4内に形成された特徴のスキャン間(Y軸)位置が、各列内の「オン」である変調素子に依存して変更することができるように、位置を定められる。図2において、素子125−22は、関連した列の中央位置に位置を定められ、対応する「白色の」スキャン特徴SF−2が、スキャンライン部分SL−2の中央部分に発生する。素子125−131および125−133が、それぞれ関連した列の上方および下方の位置に位置を定められるので、対応する「白色の」スキャン特徴SF−31およびSF−32は、スキャンライン部分SL−3のうちの対応する上方部分および下方部分に形成される。
【0028】
図2に示される概略化された変調器120は、便宜的に各列内に3つの変調素子だけを含むが、アレイ122に属する各列に配置された変調素子の数を増加させると、グレーの陰影をさらに示す場所の生成を容易にすることによって、グレースケール制御を高めるはずである。アレイ122に属する各列内の多数の変調素子は、狭い幅内の2つ以上のスキャンラインの同時発生も容易にし、以下でさらに詳細に説明されるように、画像データをスクロールしてぼやけを防止することも可能にする。この配列は、1つ以上の「予備」または「冗長」素子も可能にするはずである。
【0029】
図3Aから図3Cは、プリンタまたはスキャナとして機能する理想化された画像形成装置200を示す。図示された配列は、一般に画像転写動作を説明するように意図されていて、画像転写動作の基本概念は、他の配列を用いて実行されてもよい。語句「湿し水」は、滑らかな画像形成面(例えば、プレートまたはローラ表面)の非画像領域にインクを保留させないように、リソグラフィに用いられる、湿らせる(例えば、水、および米国、ミネソタ州、セントポール市の3M社によって製造されるNovec(商標)など)溶液を指す。
【0030】
図3Aを参照すると、画像形成装置200は、細長画像形成領域167の上流ポイントで画像形成面162上へ湿し水192を加える液体源190と、細長画像形成領域167の下流ポイントでインク材料197を加えるインク源195と、目標の印刷媒体へインク材料197を転写する転写機構(図示されない)と、次の露光サイクル用に画像形成面162を準備するクリーニング機構198とを含む。インク源195は、画像形成面162の露光部分上へインク材料197を加える(すなわち、このような部分を露光するために、湿し水192が除去されるとき)。画像形成面162上に配置されたインク材料だけが、印刷媒体へ転写される。それゆえに、従来のシステムに見られるようにプレートからの一定なデータの代わりに、湿し水除去からの可変のデータが転写される。ラスタ化光源(すなわち、スキャンラインと交差して端から端へラスタ化された光源)を用いて動作するこの工程にとっては、単一の極めて高出力の光(例えば、レーザ)源が、リアルタイムで湿し水を十分に除去するのに必要となるはずである。
【0031】
図3Aから図3Cは、画像形成され集光された光へ露光されると、実質的に瞬時にかつ完全に湿し水192を除去するという点で、画像形成装置200の理想化された画像転写動作を図示する。図3Aは最初の時点t0における画像形成装置200を示し、図3Bは次の時点t1における画像形成装置200を示し、図3Cはさらに次の時点t2における画像形成装置200を示す。
【0032】
図3Aを参照すると、時点t0で、変調器120に属するすべての3つの光変調素子125−11、125−12および125−13が、「オン」変調状態に入り、それによって、これらの素子が受信した均質光場119Aの一部が、変調光場119B内へと通過して、アナモフィック光学システム130によって画像形成され集光されて、画像形成され集光された光場119Cが、スキャンライン部分SL−1に対応する細長画像形成領域167の一部上へ光を加えるようにする(図2を参照のこと)。理想的には、アナモフィックに集光された変調光場119Cは、表面領域162−1にわたって配置された湿し水を、実質的に瞬時にかつ完全に除去し、それによって画像形成面領域162−1を露光する表面特徴SF−1を形成する。
【0033】
続いて図3Bおよび図3Cは、表面特徴SF−1が、画像形成装置200の画像転写動作に従っていかに利用されるかを示す。図3Bを参照すると、t1時点でドラムシリンダ160は、表面領域162−1がインク源195の下を通過するように回動している。図3Aに描写されたように湿し水が除去されたために、インク材料197は露光された表面領域162−1上に配置されて、インク特徴TF−1を形成する。インク特徴TF−1が転写ポイントを通過しながら、インク特徴TF−1は印刷媒体へ転写され、結果として印刷媒体上に印刷されたインクの「ドット」が生じる。図3Cに指し示されるように、現時点では実質的に除去されているインク特徴TF−1を有する表面領域162−1は、クリーニング機構198の下を回動し、クリーニング機構198は残留する任意のインクおよび湿し水材料を除去する。図3Aから図3Cを参照して上述した、理想化された動作が有する起こり得る問題は、画像形成面152の選択部分から湿し水192を瞬時に除去することが、達成するのに困難な場合があることであり、除去工程を完全なものにするためには、集光された光場119Cが加えられて十分に長い期間維持される必要があるからである。湿し水を十分に除去するのに必要なフレーム時間(すなわち、変調素子が「オン」状態のままである期間)がかなりある場合、次いで画像形成面162は、各フレーム中に工程方向にかなりの量を移動させることができ、転写された画像に汚れが生じることがある。この起こり得る問題は、図4Aから図4Cに図示され、ここで図4Aは、最初の時点t31における画像形成装置200を示し、最初の時点t31で変調器120に属する光変調素子125−12が「オン」となり、それによって素子125−12が受信した均質光場119Aの比較的小さい部分が、変調光場119B内へと通過し、アナモフィック光学システム130によって画像形成され集光されて、画像形成され集光された光場119Cが、スキャンライン部分SL−1に対応する細長画像形成領域167の一部上へ光を加えるようにし、それによって表面領域162−31にわたって配置された湿し水上へ集光された光を加える。アナモフィックに画像形成され集光された変調光場119Cの出力は、表面領域162−31にわたって湿し水を瞬時に除去するのには不十分であり、その結果表面領域162−31は、湿し水で少なくとも部分的に覆われた状態のままとなる。図4Bに指し示されるように、同図は現在の「フレーム」の終了前の状態であり、光変調素子125−12は「オン」状態のままであり、画像形成され集光された光場119Cは、スキャンライン部分SL−1に対応する細長画像形成領域167の一部上へ光を加え続ける。しかしながら、時点t31と時点t32との間の期間中にドラムシリンダ160が回動するために、現在の「フレーム」と関連する、画像形成され集光された光が、拡張された表面領域162−32にわたって湿し水を除去し続けて、拡張された表面領域162−32の中央部分がフレーム全体の期間中に光を受信するようにし、しかし拡張された表面領域162−32のエッジ部分が、フレームの開始および終了において少しの間だけ光を受信し、それによってエッジ領域内の湿し水の除去が不完全となる(その結果を示す表面特徴SF−3の湾曲したエッジによって指し示される)。図4Cに図示されるように、表面特徴SF−3がインク源195の下を通過し、適用されたインク材料197が加えられる、次の時点t4で、インク特徴TF−3は、あまりにも狭いことによっておよび/または印刷媒体へ転写することができるもしくはできないエッジ領域を有することによって特徴付けられ、その結果、望ましくない汚れが発生し、画像転写動作が非最適なものとなる。この汚れ問題を回避するために、画像形成面162のスキャン間(工程方向)移動を光変調素子125−11〜125−13の変調状態と同期化させるのに、画像位置コントローラ180が利用されて、発生した画像特徴が、画像形成面162のスキャン間移動と同じ速度でスクロールされる(スキャン間方向に移動する)ようにし、それによってその特徴は、たとえ画像形成面部分が工程方向に移動しても、画像形成面162の同一部分(領域)と一致した状態のままとなる。すなわち、本発明の重要な態様は、画像形成面162が工程方向に微細にシフトされながら、画像形成され集光された光場119Cが、アナモフィック光学システム130によって画像形成面162へ供給されることを理解することにある。図5Aから図5Cは、光変調素子125−11〜125−13の変調状態に対する画像形成面162の同期化動作を図示する。図5Aは、最初の時点t51における画像形成装置200を示し、最初の時点t51で変調器120に属する光変調素子125−13が「オン」となり(他のすべての素子は「オフ」状態のままであり)、それによって素子125−13が受信した均質光場119Aの比較的小さい部分が、変調光場119B内へと通過し、アナモフィック光学システム130によって集光されて、集光された光場119Cが細長画像形成領域167内のスキャンライン部分SL−1の下方部分上へ光を加えるようにし、それによって表面領域162−5にわたって配置された湿し水上へ画像形成され集光された光を加える。アナモフィックに画像形成され集光された変調光場119Cの出力は、表面領域162−5にわたって湿し水を瞬時に除去するためには不十分であり、それによって部分的に形成される表面特徴SF−51が発生して、表面領域162−5は、湿し水で少なくとも部分的に覆われた状態のままとなる。図5Bに指し示されるように、同図は時点t51の直後のサブフレーム時点t52における装置200を示し、光変調素子125−13は「オフ」となるとともに光変調素子125−12は「オン」となり、それによって画像形成され集光された光場119Cは、スキャンライン部分SL−1内の細長画像形成領域167の中央部分上へ光を加える。時点t51と時点t52との間の期間中にドラムシリンダ160が回動するために、表面領域162−5も細長画像形成領域167の中央部分内へと回動していて、t52時点における集光された光場119Cが、表面領域162−5にわたって湿し水を除去し続けて、さらに現像された表面特徴SF−52を生成するようにすることに留意されたい。同様に、図5Cに図示されるように、同図は時点t53の直後のサブフレーム時点t52における装置200を示し、光変調素子125−12は「オフ」となるとともに光変調素子125−11は「オン」となり、それによって集光された光場119Cは、スキャンライン部分SL−1内の細長画像形成領域167の上方部分上へ光を加え、さらに時点t52と時点t53との間の期間中にドラムシリンダ160が回動すると、集光された光場119Cは表面領域162−5に整列し、それによって表面領域162−5にわたって現像された表面特徴SF−53を提供する。次いで全部が現像されたスキャン特徴SF−53は、図3Bおよび図3Cを参照して上述したように処理される。これらの図に描写されるように、スキャン画像特徴SF−53と関連した画像データをラスタ化することによって、インクの堆積は、正確に定められた領域162−5上に、上述したように実行され、それによって上述した汚れ問題を回避する。すなわち、本発明は、ドラムシリンダ160の工程速度と同期状態にある変調器であってそれゆえに加えられた集光光を画像形成面162上に静止したように見えさせる空間光変調器(例えば、DMDデバイス)内で、ラスタをマイクロステップで駆動することによって、汚れ問題を回避する。サブスキャンを(逆工程方向に)増分する際に、画像形成される工程の速度に正確に一致するように集光された光をラスタ化する能力は、アレイ内に配置された光変調素子125−11〜125−43を個々に制御して、変調光を上述したやり方でアナモフィックに画像形成し集光する変調器120を用いるために可能となる。さらに、汚れ問題を回避することに加えて、画像形成面162の移動に同期してスキャン画像特徴SF−5xをラスタ化することによって、本発明は、画像形成面上の各画像特徴と関連した露光時間も増加させる。図6Aから図6Cおよび図7Aから図7Cは、それぞれ空間光変調器120Aを含む画像形成装置200Aおよび空間光変調器120Bを含む画像形成装置200Bを示し、画像形成面162のスキャン間移動を光変調素子125−11〜125−43の変調状態と同期化させる代替の技法を図示する。詳しくは、図6Aから図6Cは、標準のランダム・アクセス・メモリ技術を用いて制御セル128−11〜128−43にアクセスする変調器120Aを利用する第1工程技法を図示し、図7Aから図7Cは、新規なシフトレジスタ配列を用いて制御セル128−11〜128−43にアクセスする変調器120Bを利用する第2工程技法を図示する。以下で説明するように、これらの制御セル配列は、種々のデータ転写技法を利用して、光変調素子125−11〜125−43の同期化した所望の変調を発生させる。図6Aを参照すると、均質光118Aは、変調器120Aによって変調され、アナモフィックに集光されて、スキャンライン画像SLを発生させる。変調器120Aは、アレイ122を形成する光変調素子125−11〜125−43を含み、光変調素子125−11〜125−43のオン/オフ変調状態をそれぞれ制御する、対応する制御セル128−11〜128−43も含む。変調器120Aはコントローラ126Aを含み、コントローラ126Aは、列アドレス部分126A−1および行アドレス部分126A−2で構成され、周知のランダム・アクセス・メモリ技術に従って制御セル128−11〜128−43を個々にアドレス指定することを容易にする。画像データは、画像位置コントローラ(すなわち、コントローラ180、図1および図2を参照のこと)から変調器120Aへ、一連のデータフレーム182Aとして書き込まれ、各データフレーム182Aは、あらゆる制御セル128−11〜128−43に対して1つの画像データビット(「1」または「0」)を含み、それによってアレイ122に属するすべての光変調素子125−11〜125−43が各データフレーム182Aの1つのデータビットによって制御される。それゆえに制御セル128−11〜128−43内に格納された画像データによって、光変調素子125−11〜125−43は制御ビット信号127を経由して第1変調状態に入り、それによって光変調素子125−23および125−33は「オン」となり、他の全素子は「オフ」となる。その結果を示す変調パターンが、変調光部分118B−23および118B−33を光学システム130へと通過させて、光学システム130は、集光された変調光部分118C−23および118C−33を生成し、変調光部分118C−23および118C−33は、細長画像形成領域167上へ向けられて、スキャン特徴SF−21およびSF−31がスキャンライン部分SL−2およびSL−3の下方部分にそれぞれ形成されるようにする。同様に、図6Bは、対応するサブスキャン時間間隔の後の時点t1に送られたデータフレーム182A(t1)を示し、同図で制御セル128−11〜128−43内に格納された関連画像データが、光変調素子125−22および125−32を「オン」にする。その結果を示す変調パターンが、変調光部分118B−22および118B−32を光学システム130へと通過させて、光学システム130は、スキャン特徴SF−22およびSF−32を形成する、集光された変調光部分118C−22および118C−32を生成する。図6Cは、さらなるサブスキャン時間間隔の後の時点t2に送られたデータフレーム182A(t2)を示し、同図で制御セル128−11〜128−43に格納された関連画像データが、光変調素子125−22および125−32を「オン」にする。その結果を示す変調パターンが、変調光部分118B−21および118B−31を光学システム13
0へと通過させて、光学システム130は、スキャンライン部分SL−2およびSL−3の上方部分にスキャン特徴SF−23およびSF−33を形成する、集光された変調光部分118C−21および118C−31をそれぞれ生成する。図6Aから図6Cに示される変調状態のパターンと関連してサブスキャンタイミングを調整して、画像形成面162のスキャン間移動をY軸方向に一致させることによって、図5A〜図5Cを参照して上述した所望の同期化動作が達成される。画像データのシフト動作は、先行するデータフレームのデータビット値の一部をシフトする(並べ替える)ことにより、ならびに例えば変調素子125−11および125−43から成る最下行または最上行に対応する新しい一式のデータビット値を修正データフレーム内へ組み込むことにより、各順次的データフレーム182Aの画像データを修正することによって成し遂げられる。例えば、図6Aに示されるデータフレーム182A(t0)は、画像位置コントローラによって発生して、制御セル128−23および128−33へ書き込まれたもの(すなわち、便宜的に単独で図式的に描写されるフレーム182A(t0)の最下行内に含まれる2つの「1」データ値)以外では「0」ビット値を含み、それによって光変調素子125−23および125−33が「オン」となる、図6Aに示される変調状態を発生させる。次いで画像位置コントローラは、フレーム182A(t0)の下方の2行を上位の方へ効果的にシフトすることによって、および最下行内に「0」ビット値を書き込むことによって、次のデータフレーム182A(t1)(図6Bを参照のこと)を発生させ、それゆえに光変調素子125−22および125−32が「オン」となる、図6Bに示される所望の変調状態を発生させる。最後に、画像位置コントローラは、次いでフレーム182A(t1)の下方の2行を上位の方へ効果的にシフトすることによって、および最下行内に「0」ビット値を書き込むことによって、次のデータフレーム182A(t2)(図6Cを参照のこと)を発生させ、それゆえに光変調素子125−21および125−31が「オン」となる、図6Cに示される所望の変調状態を発生させる。図7Aから図7Cは、制御セルを1つ以上のシフトレジスタ回路内へ組み込む空間光変調器を利用することによって、従来技法の高いデータ伝送レート要件を回避する第2工程を図示する。画像形成装置200Bは、均質光118Aを発生させる均質光源110を含み、変調器120Bは、制御セル128−11〜128−43によって制御される光変調素子125−11〜125−43から成るアレイ122を含み、変調光は、光学システム130によってアナモフィックに集光されて、画像形成面162上の細長画像形成領域167内にスキャンライン画像SLを発生させる。変調器120Bは、制御セル128−11〜128−43から成る各列が、対応するシフトレジスタ回路SR−1〜SR−4の一部である(すなわち、制御セル128−11〜128−13はシフトレジスタ回路SR−1の一部であり、制御セル128−21〜128−23はシフトレジスタ回路SR−2の一部であり、制御セル128−31〜128−33はシフトレジスタ回路SR−3の一部であり、および制御セル128−41〜128−43はシフトレジスタ回路SR−4の一部である)ように配列されたシフトレジスタ回路SR−1〜SR−4で構成されるコントローラ126Bを含む。図7Aから図7C内に矢印によって指し示されるように、各シフトレジスタ回路SR−1〜SR−4は、1行の「新」データが各サブスキャン時間間隔中に空間光変調器へ書き込まれるように配列され、あらかじめ受信したすべてのデータビットが、シフトレジスタ回路SR−1〜SR−4内でシフトされて、シフトされたデータがアレイ122内で隣接する関連光変調素子を制御するようにする。「新」データビットが最下部の制御セル128−13へ書き込まれると、あらかじめ制御セル128−13内に格納されたデータ値は、制御セル128−12へと上位の方へシフトされ、あらかじめ制御セル128−12内に格納されたデータ値は、制御セル128−11へと上位の方へシフトされる(あらかじめ制御セル128−11内に格納されたデータビットは削除される)。したがって画像形成装置200Bのシフトレジスタ形式は、各サブスキャン期間中に1行の光変調素子に対してだけデータビットを書き込むことを必要とすることによって、関連光変調素子間のデータをラスタ化する工程を単純化し、それによって所望の画像スクロール動作をさらに効率的に実行する。次いで画像位置コントローラは、光変調素子125−13、125−23、125−33および125−43内へ書き込まれる4つの「0」ビット値を含む、次のデータフレーム182B(t1)(図7Bを参照のこと)を発生させ、それによってあらかじめ書き込まれた「1」データ値が、シフトレジスタSR−2およびSR−3によって制御セル128−22および128−32へと上位の方へシフトされ、それによって光変調素子125−22および125−32が「オン」となる、図7Bに示される変調状態を発生させる。最後に、画像位置コントローラは、光変調素子125−13、125−23、125−33および125−43内へ書き込まれるさらに4つの「0」ビット値を含む、次のデータフレーム182B(t2)(図7Cを参照のこと)を発生させ、それによってあらかじめ書き込まれた「1」データ値が、シフトレジスタSR−2およびSR−3によって制御セル128−21および128−31へと上位の方へシフトされ、それによって光変調素子125−21および125−31が「オン」となる、図7Cに示される変調状態を発生させる。
【0034】
代替の実施の形態では、高エネルギビームを発生させるのに利用される光源は、単一の高出力光発生素子で構成される、または所望の光エネルギを共同で生成する多数の低出力光発生素子で構成されるとすることができる。
【0035】
図8Aは、多数の端面発光レーザダイオード115Cが、光変調素子(図示されない)の行と平行に配置される直線に沿って配列される光源112Cを図示する。代替策としては、光源112Cは、端面発光レーザ・ダイオード・バーまたはスタック状にいっしょに形成された多数のダイオードバーで構成され、速軸コリメーション(FAC:fast−axis collimation)マイクロレンズを用いて、光を平行にするのに役立つことができる。
【0036】
図8Bは、多数の垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)115Dを担体111D上の2次元アレイ内に配列した光源112Dを図示する。この2次元アレイは、稠密六方構造配置などの任意の配列でスタック状に形成されて、単位面積当たりの出力量を最大化することができる。
【0037】
代替の実施の形態では、光ホモジナイザ117C/Dが、1つ以上の先細の光導体、マイクロレンズアレイ、または当技術分野で周知の、いくつかの異なる追加の技術および方法のうちのいずれかを用いて実装される。
【0038】
図9Aおよび図9Bは、一般化されたアナモフィック光学システム130Fを含む画像形成装置200Fの一部を示す概略図である。図9Aを参照すると、アナモフィック光学システム130Fは、コリメーティング(平行)光学サブシステム131F、工程直交光学サブシステム133F、および工程方向光学サブシステム137Fを含む。光学サブシステム131F、133Fおよび137Fは、空間光変調器120Fと、画像形成システム100Fの出力において発生するスキャンラインSLとの間の光路内に配置される。図9Aは、コリメーティング光学サブシステム131Fおよび工程直交光学サブシステム133Fが、変調器120Fを通過した変調光部分118Bに作用して、X軸と平行な(すなわち、工程直交方向の)スキャンラインSL上に、集光された光部分118Cを形成することを指し示す上面図であり、図9Bは、コリメーティング光学サブシステム131Fおよび工程方向光学サブシステム137Fが、変調器120Fを通過した変調光部分118Bにいかに作用して、Y軸と直角方向の(すなわち、工程方向の)スキャンラインSL上に、集光された光部分118Cを発生させるかを指し示す側面図である。
【0039】
コリメーティング光学サブシステム131Fはコリメーティング視野レンズ132Fを含み、コリメーティング視野レンズ132Fは、変調器120Fの直後に位置を定められ、変調器120Fの表面からわずかに発散する光部分を平行にするように構成される。コリメーティング光学サブシステム131Fは、任意選択である。
【0040】
工程直交光学サブシステム133Fは、工程直交(スキャン)方向に(すなわち、X軸に沿って)光を拡大する、2レンズの円柱または非円柱投影システムであり、工程方向光学サブシステム137Fは、工程(スキャン間)方向に(すなわち、Y軸に沿って)光を集束する、円柱または非円柱の単一の集束レンズサブシステムである。これにより、単一通過画像形成システム100Fの出力に位置を定められたスキャンラインSL上で、光(例えば、レーザ)出力の強度を集光することが可能となる。2レンズの円柱または非円柱投影システム133Fは、変調器120F(および任意選択のコリメーティング光学サブシステム131F)を通過した変調光部分(画像形成データ)118Bを、画像形成面(例えば、シリンダ)上へ工程直交方向に投影して拡大するように構成される、第1円柱または非円柱レンズ134Fおよび第2円柱または非円柱レンズ136Fを含む。図9Aに指し示されるように、集光された光部分118Cのわずかな扇形の広がり(拡散)をX軸に沿って生み出すことにより、隣接する光学サブシステムからの機械的干渉を受けずに、出力画像を互いにスティッチさせることが可能となる。レンズサブシステム137Fは、スキャンラインSL上の狭い高解像度ライン画像に至るまで投影画像形成データを集光する、第3円柱または非円柱レンズ138Fを含む。レンズ138Fの集束能力が増加するにつれて、変調器120Fの光の強度は、スキャンラインSLにおいて発生するライン画像の強度に比較して低減される。しかしながら、これは、円柱または非円柱レンズ138Fが、透明開口部がレンズ138Fのエッジぎりぎりまで広がる状態で、工程表面(例えば、画像形成ドラム)に、より接近して配置されなければならないことを意味する。
【0041】
空間光変調器120−1および120−2(図1を参照のこと)は、米国テキサス州ダラス市のTexas Instruments社から入手可能なデジタル光処理(DLP(登録商標))チップなどのデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)、米国コロラド州ラファイエット市のBoulder Nonlinear Systems社から入手可能なLinear Array Liquid Crystal Modulatorなどの電子光学回折変調器アレイ、またはバナジウム二酸化物反射もしくは吸収ミラー素子などの熱光学吸収素子から成るアレイを含む市販のデバイスを用いて実装される。さまざまな空間光変調器を、用いることができる。
【0042】
図10は、DMD式空間光変調器(DMD)120Gの一部を示す斜視図である。DMD120Gは、多数の微小電気機械式(MEMs)ミラー機構125Gで構成される変調素子アレイ122Gを含む。変調素子アレイ122Gは、Texas Instruments社によって販売されるDMDと一致し、MEMsミラー機構125Gは、半導体基板(すなわち、「チップ」または支持構造)124G上の長方形のアレイ内に配列される。ミラー機構125Gは、コントローラ回路126Gによって以下で説明するように制御され、コントローラ回路126Gも、基板124G上に組み立てられ、ミラー125Gの下方に配置される。Texas Instruments社によって販売されているDMDは、典型的にはデバイス当たり数十万のミラーを含む。
【0043】
図11は、DMD式変調素子アレイ122Gの典型的なミラー機構125G−11を示す。ミラー機構125G−11は、最上層210、中央領域220、および下方領域230へ分割され、これらはすべて、基板124Gの上面に形成されたパッシベーション層(図示されない)上に配置される。ミラー機構125G−11の最上層210は、正方形または長方形のミラー(光変調構造)212を含み、ミラー212は、アルミニウムで作られ、典型的には直径で大略16マイクロメートルである。中央領域220は、2つのコンプライアントねじりヒンジ224によって支持プレート225に接続されるヨーク222、ならびに1対の高架電極227および228を含む。下方領域230は、第1電極プレート231および第2電極プレート232、ならびにバイアスプレート235を含む。ミラー機構125G−11は、基板124G上に配置される関連SRAM型制御セル128Gによって制御される。
【0044】
下方領域230は、めっき層をエッチングすること、または別のやり方ではパッシベーション層上に金属パッドを形成することによって形成される。電極プレート231および232のそれぞれは、バイアス制御信号127G−2、または金属ビアを経由してメモリセル128Gによって格納された相補制御信号127Gを受信するように接続される。
【0045】
中央領域220は、MEMS技術を用いて下方領域230の上方に配置され、ヨーク222は、コンプライアントねじりヒンジ224を経由して支持プレート225によって、移動可能なように(回動可能なように)接続されるとともに支持される。支持プレート225は、バイアスプレート235の上方に配置され、バイアスプレート235の領域236上へ固定して接続される支持ポスト226を経由して、電気的に接続される。電極プレート227および228は、それぞれ電極プレート231および232の上方に配置され、支持ポスト229を経由して電気的に接続される。ミラー212は、ミラーポスト214によってヨーク222に固定して接続される。
【0046】
図12Aから図12Cは、動作中の図10のミラー機構125G−11を示す。「オン」変調状態を設定するために、SRAMメモリセル128Gは、「D」部分の制御信号127Gが、電極プレート231および高架電極227へ送られる高電圧(VDD)を含み、ならびに「Dバー」部分の制御信号127Gが、電極プレート232および高架電極228へ送られる低電圧(接地電位)を含むように、あらかじめ書き込まれたデータ値を格納する。
【0047】
「オン」位置から「オフ」位置へミラー212を移動させるために、必要とする画像データビットが、制御ビット信号127G−1を経由してSRAMメモリセル128G内へロードされる(図12Aの下方部分を参照のこと)。
【0048】
図12Aから図12Cでは、ミラー機構125G−11の回動ねじり軸によって、ミラー212は、DLPチップハウジングのx−y座標に対して斜めの軸を中心に回動する。このように斜めに傾けると、空間光変調器から受信した入射光部分は、各ミラー機構125G上へ合成入射角で投影される必要があり、結果として光の出射角は、DLPチップの表面と直角となる。
【0049】
図13は、DMD120Gを含む画像形成装置200Gを示し、同図でDMD120Gは、好適な「折り畳まれた」配列内に配置される。画像形成装置200Gは、上述したように機能するとともに動作する、均質光発生器110Gおよび関連アナモフィック光学システム130Gを含む。空間光変調器120Gが、均質光発生器110Gおよびアナモフィック光学システム130Gに対して合成角で位置を定められて、均質光場119Aの入射均質光部分118A−Gが、変調器120Gの表面によって定められた直交軸X、YまたはZのうちのいずれかと平行でも直角でもないようにし、ならびに反射光部分118B−G1および118B−G2が、「オン」位置では、アナモフィック投影光学システム130Gを通してZ方向に沿って変調器120Gの表面と実質的に直角に向けられ、「オフ」位置では、アナモフィック投影光学システム130Gの外側へ光吸収性ビーム停止体140Gへと向けられるようにするという点で、画像形成装置200Gは、一般のシステムとは区別される。この「折り畳まれた」配列によって、各MEMsミラー機構125Gのミラーが「オン」位置にあるときだけ、均質光部分118A−Gの一部は、各MEMsミラー機構125Gからアナモフィック光学システム130Gへと反射する。「オン」位置にある各MEMsミラー機構125Gは、角度θ1で光部分118A−GをスキャンラインSL上へと反射する。反対に、「オフ」にある各MEMsミラー機構125Gは、角度θ2で光部分118A−Gを反射し、それによって変調光部分118B−G2は、アナモフィック光学システム130Gから離れる方へ向けられる。ビーム停止ヒートシンク構造140Gは、変調光部分118B−G2を受信するように位置を定められる。画像形成装置200Gのコンポーネントは、同一の画像形成システムをいくつでも含む、途切れのない集合体の構造を容易にする。
【0050】
図14Aおよび図14Bは、DMD式空間光変調器(DMD)120Jを有する画像形成装置200Jを示す。図14Aを参照すると、DMD120Jは、MEMsミラー機構から成るアレイを含み、そのうちのMEMsミラー機構125J−11、125J−12および125J−13が示され、基板124J上に、対応する制御セル128J−11、128J−12および128J−13の上方に形成される。DMD120Jは、制御セル128J−11、128J−12および128J−13間でデータビット値をシフトすることを容易にするシフトレジスタ回路SRJを含むように修正され、それによってスキャンデータのスクロール(ラスタ化)を容易にする。図14Aは、最初の時点t0におけるDMD120Gを図示し、同時点において制御セル128J−11、128J−12および128J−13は、それぞれビット値「0」、「1」および「0」を格納し、それによってMEMsミラー機構125J−11および125J−13のミラー212−1および212−3は「オフ」に配置され、MEMsミラー機構125J−12のミラー212−2は「オン」に配置される。図14Bは、時点t1におけるDMD120Gを図示し、同時点においてコントローラ126Jは、「1」ビット値を制御セル128J−11内へ書き込む。
【0051】
図15は、画像形成システム100Mおよびスキャン構造160Mを有するスキャン/印刷装置200Mを示す。画像形成システム100Mは、均質光発生器110M、空間光変調器120M、およびアナモフィック光学(例えば、投影レンズ)システム130Mを含む。画像形成ドラムシリンダ(ローラ)160Mは、アナモフィック光学システム130Mが、工程直交光学サブシステム133Mおよび工程方向光学サブシステム137Mを用いて、変調器120Mから受信した変調光部分を、画像形成ドラムシリンダ160Mの画像形成面162M上へ、ならびに詳しくは画像形成面162Mの画像形成領域167M内へ、画像形成して集光するように、位置を定められる。工程直交光学サブシステム133Mは、変調器120Mを通過した光を水平に逆にするように動作する(すなわち、光部分118B−41、118B−42および118B−43が、工程直交光学サブシステム133Mの右側から画像形成領域167Mの左側の方へ向けられるように)。図15は、画像形成ドラムシリンダ160Mの側面図を示し、同図で画像形成面162Mは、スキャンラインSL−4においてビーム118C−41、118C−42および118C−43によって発生する画像が、破線のバブル内に指し示されるやり方で逆にされるように、焦線FLの位置に設定される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
所定のスキャン画像データに応じて、細長い集光されたスキャン画像を発生させる装置であって、
2次元アレイ内に配列された複数の光変調素子であって、各光変調素子は、光変調構造、および関連画像データビット値を格納する関連制御セルを含み、前記光変調構造が、実質的に一様な2次元均質光場の関連光部分を受信するとともに第1変調状態と第2変調状態との間で前記関連画像データビット値に応じて制御されるように、前記各光変調素子は配置され、前記各変調素子の光変調構造が前記第1変調状態にあると、前記各変調素子は前記受信した関連光部分を対応する所定の方向に向け、前記各変調素子の前記光変調構造が前記第2変調状態にあると、前記各変調素子は前記受信した関連光部分が前記対応する所定の方向に通過することを妨げる、光変調素子を含む空間光変調器と、
前記第1変調状態に配置された前記複数の光変調素子のそれぞれによって向けられた変調光部分を含む変調光場を受信するように位置を定められ、前記受信した変調光場に応じて、関連してアナモフィックに集光された光場を発生させるように構成されるアナモフィック光学システムと、
移動可能な画像形成面を有し、前記アナモフィックに収束された光場が、前記画像形成面上に定められた細長画像形成領域上に、前記細長い集光されたスキャン画像を形成するように、前記アナモフィック光学システムに対して位置を定められたスキャン構造と、
前記細長い集光されたスキャン画像の画像特徴が、画像形成面のスキャン間移動と同じ速度でスキャン間方向にスクロールするように、前記複数の光変調素子のうちの所定の選択された変調素子間において画像データビット値をシフトさせることによって、前記所定のスキャンライン画像データに従って、前記画像形成面の前記スキャン間移動を前記複数の光変調素子の変調状態と同期化させる手段を含む画像位置コントローラとを含む、装置。
【請求項2】
均質光を発生させる少なくとも1つの均質光源と、
空間光変調器であって、
2次元アレイ内に配列された複数の光変調素子であって、各該変調素子の光変調構造が均質光の関連部分を受信するように配置された複数の光変調素子と、
複数の制御セルおよび該複数の制御セルの隣接する対間でデータビット値を連続してシフトする手段を含む1つ以上のシフトレジスタ回路とを含み、
前記複数の光変調素子のそれぞれは、前記各変調素子の光変調構造が、前記対応する制御セルが第1データビット値を格納すると第1変調状態に配置されるとともに前記対応する制御セルが第2データビット値を格納すると第2変調状態に配置されるように、前記複数の制御セルのうちの対応する制御セルによって制御され、
前記各変調素子の光変調構造が前記第1変調状態にあると、前記各変調素子は前記受信した関連均質光部分を対応する所定の方向に向け、前記各変調素子の光変調構造が前記第2変調状態にあると、前記各変調素子は前記受信した関連光部分が前記対応する所定の方向に通過することを妨げる、空間光変調器と、
前記第1変調状態に配置された前記複数の光変調素子のそれぞれによって向けられた変調光部分を含む変調光場を受信するように位置を定められ、前記受信した変調光場に応じて、関連してアナモフィックに集光された光場を発生させるように構成されるアナモフィック光学システムと、
移動可能な画像形成面を有し、前記アナモフィックに収束された光場が前記画像形成面上に定められた細長画像形成領域上に、前記細長い集光されたスキャン画像を形成するように、前記アナモフィック光学システムに対して位置を定められたスキャン構造とを含む、装置。
【請求項3】
均質光を発生させる少なくとも1つの均質光源と、
空間光変調器であって、
2次元アレイ内に配列された複数の光変調素子であって、該複数の光変調素子のそれぞれは、基板上に配置された微小電気機械式(MEMs)ミラー機構を含み、各MEMsミラー機構は、ミラー、および該ミラーを移動可能なように支持する手段を含み、前記複数の光変調素子は、各該変調素子の前記ミラーが前記均質光の関連部分を受信するように配置される、複数の光変調素子と、
複数の制御セル、および該複数の制御セルの隣接する対間でデータビット値を連続してシフトする手段を含む、1つ以上のシフトレジスタ回路とを含み、
前記複数の光変調素子のそれぞれは、前記各変調素子の前記ミラーが、前記対応する制御セルが第1データビット値を格納すると第1変調位置に配置されるとともに前記対応する制御セルが第2データビット値を格納すると第2変調位置に配置されるように、前記複数の制御セルのうちの対応する制御セルによって制御される、空間光変調器と、
前記第1変調位置に配置された前記複数の光変調素子のそれぞれによって向けられた変調光部分を含む変調光場を受信するように位置を定められ、前記受信した変調光場に応じて、関連してアナモフィックに集光された光場を発生させるように構成されるアナモフィック光学システムとを含む、装置。
【請求項1】
所定のスキャン画像データに応じて、細長い集光されたスキャン画像を発生させる装置であって、
2次元アレイ内に配列された複数の光変調素子であって、各光変調素子は、光変調構造、および関連画像データビット値を格納する関連制御セルを含み、前記光変調構造が、実質的に一様な2次元均質光場の関連光部分を受信するとともに第1変調状態と第2変調状態との間で前記関連画像データビット値に応じて制御されるように、前記各光変調素子は配置され、前記各変調素子の光変調構造が前記第1変調状態にあると、前記各変調素子は前記受信した関連光部分を対応する所定の方向に向け、前記各変調素子の前記光変調構造が前記第2変調状態にあると、前記各変調素子は前記受信した関連光部分が前記対応する所定の方向に通過することを妨げる、光変調素子を含む空間光変調器と、
前記第1変調状態に配置された前記複数の光変調素子のそれぞれによって向けられた変調光部分を含む変調光場を受信するように位置を定められ、前記受信した変調光場に応じて、関連してアナモフィックに集光された光場を発生させるように構成されるアナモフィック光学システムと、
移動可能な画像形成面を有し、前記アナモフィックに収束された光場が、前記画像形成面上に定められた細長画像形成領域上に、前記細長い集光されたスキャン画像を形成するように、前記アナモフィック光学システムに対して位置を定められたスキャン構造と、
前記細長い集光されたスキャン画像の画像特徴が、画像形成面のスキャン間移動と同じ速度でスキャン間方向にスクロールするように、前記複数の光変調素子のうちの所定の選択された変調素子間において画像データビット値をシフトさせることによって、前記所定のスキャンライン画像データに従って、前記画像形成面の前記スキャン間移動を前記複数の光変調素子の変調状態と同期化させる手段を含む画像位置コントローラとを含む、装置。
【請求項2】
均質光を発生させる少なくとも1つの均質光源と、
空間光変調器であって、
2次元アレイ内に配列された複数の光変調素子であって、各該変調素子の光変調構造が均質光の関連部分を受信するように配置された複数の光変調素子と、
複数の制御セルおよび該複数の制御セルの隣接する対間でデータビット値を連続してシフトする手段を含む1つ以上のシフトレジスタ回路とを含み、
前記複数の光変調素子のそれぞれは、前記各変調素子の光変調構造が、前記対応する制御セルが第1データビット値を格納すると第1変調状態に配置されるとともに前記対応する制御セルが第2データビット値を格納すると第2変調状態に配置されるように、前記複数の制御セルのうちの対応する制御セルによって制御され、
前記各変調素子の光変調構造が前記第1変調状態にあると、前記各変調素子は前記受信した関連均質光部分を対応する所定の方向に向け、前記各変調素子の光変調構造が前記第2変調状態にあると、前記各変調素子は前記受信した関連光部分が前記対応する所定の方向に通過することを妨げる、空間光変調器と、
前記第1変調状態に配置された前記複数の光変調素子のそれぞれによって向けられた変調光部分を含む変調光場を受信するように位置を定められ、前記受信した変調光場に応じて、関連してアナモフィックに集光された光場を発生させるように構成されるアナモフィック光学システムと、
移動可能な画像形成面を有し、前記アナモフィックに収束された光場が前記画像形成面上に定められた細長画像形成領域上に、前記細長い集光されたスキャン画像を形成するように、前記アナモフィック光学システムに対して位置を定められたスキャン構造とを含む、装置。
【請求項3】
均質光を発生させる少なくとも1つの均質光源と、
空間光変調器であって、
2次元アレイ内に配列された複数の光変調素子であって、該複数の光変調素子のそれぞれは、基板上に配置された微小電気機械式(MEMs)ミラー機構を含み、各MEMsミラー機構は、ミラー、および該ミラーを移動可能なように支持する手段を含み、前記複数の光変調素子は、各該変調素子の前記ミラーが前記均質光の関連部分を受信するように配置される、複数の光変調素子と、
複数の制御セル、および該複数の制御セルの隣接する対間でデータビット値を連続してシフトする手段を含む、1つ以上のシフトレジスタ回路とを含み、
前記複数の光変調素子のそれぞれは、前記各変調素子の前記ミラーが、前記対応する制御セルが第1データビット値を格納すると第1変調位置に配置されるとともに前記対応する制御セルが第2データビット値を格納すると第2変調位置に配置されるように、前記複数の制御セルのうちの対応する制御セルによって制御される、空間光変調器と、
前記第1変調位置に配置された前記複数の光変調素子のそれぞれによって向けられた変調光部分を含む変調光場を受信するように位置を定められ、前記受信した変調光場に応じて、関連してアナモフィックに集光された光場を発生させるように構成されるアナモフィック光学システムとを含む、装置。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図15】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図15】
【公開番号】特開2013−45108(P2013−45108A)
【公開日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−177924(P2012−177924)
【出願日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【出願人】(502096543)パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド (393)
【氏名又は名称原語表記】Palo Alto Research Center Incorporated
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【出願人】(502096543)パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド (393)
【氏名又は名称原語表記】Palo Alto Research Center Incorporated
【Fターム(参考)】
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