重合性化合物、重合性組成物、光学材料、光学素子及び光ヘッド装置
【課題】高屈折率性と高波長分散性とを有し、かつ優れた耐光性を有する重合性化合物を提供する。
【解決手段】下式（１）で示される重合性化合物。
［式中、Ａは、水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフェニルシリル基、アクリロイルオキシアルキルジアルキルシリル基等を表し、Ｂは、アクリロイルオキシアルキル基、アクリロイルオキシアルキルジアルキルシリル基等を表す。］
【解決手段】下式（１）で示される重合性化合物。
［式中、Ａは、水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフェニルシリル基、アクリロイルオキシアルキルジアルキルシリル基等を表し、Ｂは、アクリロイルオキシアルキル基、アクリロイルオキシアルキルジアルキルシリル基等を表す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビフェニレン骨格を有する新規な重合性化合物、この重合性化合物を含む重合性組成物、この重合性組成物を用いた光学材料、この光学材料を用いた光学素子および光ヘッド装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高屈折率の樹脂材料は、光学素子を小型化、高効率化できることから、光学材料として広く利用されている。具体的には、ディスプレイ用パネル、眼鏡レンズ、光ディスクまたは光学フィルタなどに用いられている。
近年、これらの用途において、光強度の増大や使用波長の短波長化が進められており、これに伴い、高屈折率樹脂材料の耐光性の改善が求められている。
高屈折率樹脂材料等の光学材料が耐光性に劣る場合、部品や素子に使用したときに、時間の経過に伴って、透過率が低下したり、光学歪みが増加したりして、長期間に亘る安定的な使用が困難となるおそれがある。
【０００３】
上述した要求は、特に光ディスクの分野で顕著となっている。例えばＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）等の光ディスクでは、ディスク表面に設けた凹凸部によってピットが形成されている。ピットに記録された情報は、光ヘッド装置によって光ディスク表面にレーザ光を照射し、反射光を検出することで読み取りが行われる。近年、光ディスクの大容量化を図るため、レーザ光をさらに短波長化し、光ディスク上のピットサイズをより小さくする試みが進められている。例えば、波長３００〜４５０ｎｍのレーザ光（以下、青色レーザ光とも記す）を光源として用いる方式が提案されており、特にＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｋ）では、近年著しい成長が見られている。
【０００４】
このような光ヘッド装置に使用される光学材料としては、高い耐光性とともに高屈折率性が要求される。例えば偏光ホログラム素子は、光ヘッド装置の偏光分離素子として用いられるものであり、複屈折性樹脂と等方性樹脂とを積層した構造を有している。このような偏光ホログラム素子では、複屈折性樹脂の常光線方向の屈折率又は異常光線方向の屈折率を、等方性樹脂の屈折率と略等しくなるように構成することで、偏光特性と回折効率の向上を図っている。
しかしながら、一般に、高屈折率材料は屈折率の波長分散が大きいため、短波長の光に対する吸収が大きくなる傾向がある。したがって、例えば１．５５以上の高い屈折率を有する複屈折性樹脂を用いた場合、これに適合する高屈折率の等方性樹脂は、耐光性が十分でなく、透過率の低下などの問題が生じ易いという問題がある。
【０００５】
また、後述する波長選択性回折素子においては、屈折率の波長分散性が小さい（以下、低波長分散性と記す）材料と、屈折率の波長分散性が大きい（以下、高波長分散性と記す）材料とを積層して、回折格子が形成されている。
この場合、高波長分散性材料は、その波長分散性が高いほど、低波長分散性材料との間の波長選択的な屈折率差を拡大することが可能となり、格子高さを低減でき、製造プロセスや回折効率の面で好ましい特性を得ることができる。
しかしながら、高波長分散性材料は、一般に、長波長側に吸収帯を有する必要があり、上述した高屈折率材料と同様に、耐光性に劣り易い。
【０００６】
光学材料として用いられる高屈折率樹脂材料として、従来、例えばフルオレン、テトラフェニルメタン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン又はビフェニル等の骨格を有する化合物が提案されている（特許文献１〜２参照。）。
特許文献１〜２に記載の化合物は、分子中の重合基の数を増やす、または光安定化剤を添加するなどの手段により、樹脂材料の耐光性をある程度向上させることが可能である。しかしながら、この場合でも、十分な耐光性を得ることは困難であり、耐光性のさらなる向上が求められている。
【０００７】
一方、特許文献３では、高屈折率性と高耐光性とを両立可能な材料として、ケイ素化合物が開示されている。しかしながら、特許文献３に記載のケイ素化合物でも、耐光性、波長分散性が不十分であり、高い耐光性を維持し、かつ波長分散性を向上させることが求められている。
しかしながら、高屈折率性と高耐光性、又は波長分散性と高耐光性とは、互いに相反する傾向にあり、これらをともに向上させることは困難であった。また、高屈折率性、高波長分散性、及び高耐光性とを、全て十分なレベルまで向上させることは、さらに困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−３１５７４４号公報
【特許文献２】特開２００５−２９８６６５号公報
【特許文献３】ＷＯ２００９−１３９４７６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、高屈折率性と高波長分散性とを有し、かつ優れた耐光性を有する重合性化合物の提供を目的とする。
また、本発明は、この重合性化合物を用いた重合性組成物、この重合性組成物により作成される光学材料、この光学材料を用いた光学素子、光ヘッド装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、下記式（１）で示される重合性化合物を提供する。
【化１】
但し、式中の記号は以下の意味を示す。
Ａ：水素原子又は下記式（２）〜（５）から選択される基。
ＶｗＨ（３−Ｗ）Ｃ− ・・・ （２）
ＰｈｘＹ（３−ｘ）Ｓｉ− ・・・ （３）
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ１−ＣＨｌ（ＣＨ３）（２−ｌ）− ・・・（４）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ１−ＳｉＰｈｐ１（ＣＨ３）（２−ｐ１）− ・・・（５）
Ｂ：下記式（６）〜（７）から選択される基。
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ２−ＣＨｋ（ＣＨ３）（２−ｋ）− ・・・（６）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ２−ＳｉＰｈｐ２（ＣＨ３）（２−ｐ２）− ・・・（７）
ｗ：０〜３の整数。
Ｖ：メチル基またはエチル基。但し、ｗが２〜３のときにはＶはそれぞれ異なる基であってもよい。
ｘ：０〜３の整数。
Ｙ：メチル基、シクロヘキシル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｉｓｏ−プロピル基から選択される基。但しｘが０又は１のとき、Ｙは異なる基であってもよい。
Ｊ：ＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−、エポキシ基、ビニル基及びビニルエーテル基から選択される基。
Ｒ：水素原子又はメチル基。
ｌ：０〜１の整数。
ｋ：０〜２の整数。ただし、Ａが水素原子の場合、ｋは２を除く。
ｍ１、ｍ２：それぞれ独立して０〜１２。
ｎ１、ｎ２：それぞれ独立して１〜１２。
ｐ１、ｐ２：それぞれ独立して０〜２。
但し、式（２）の置換基Ｖ、式（３）のフェニル基及び置換基Ｙ並びに式（４）〜（７）のアルキレン基の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよく、ビフェニル基又はビフェニレン基の水素原子の一部または全部がメチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよい。
【００１１】
前記重合性化合物は、Ａが式（３）で示される基であることが好ましい。また、前記重合性化合物は、Ａがトリフェニルシリル基であることが好ましい。また、前記重合性化合物は、Ａがトリフェニルシリル基であり、Ｂが式（７）で示される基であることが好ましい。
【００１２】
また、前記重合性化合物は、Ａが式（５）で示される基であり、Ｂが式（７）で示される基であることが好ましい。
【００１３】
また、前記重合性化合物は、Ｂが式（６）で示される基のとき、ｋ＝０であることが好ましい。また、前記重合性化合物は、Ｂが式（７）で示される基のとき、ｐ２＝０であることが好ましい。
また、前記重合性化合物は、Ａがｔｅｒｔ−ブチル基であることが好ましい。
また、前記重合性化合物は、ｎ１、ｎ２がそれぞれ独立して１〜３であり、ｍ１、ｍ２がそれぞれ独立して１〜２であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明は、上記式（１）で示される重合性化合物を含有する重合性組成物を提供する。
【００１５】
また、本発明は、上記本発明の重合性組成物を硬化してなる光学材料を提供する。
【００１６】
また、本発明は、上記本発明の光学材料を用いてなる光学素子を提供する。
【００１７】
また、本発明は、上記本発明の光学素子を用いてなる光ヘッド装置を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、高い屈折率性と高波長分散性を有し、かつ耐光性に優れた重合性化合物を提供することができる。また、本発明によれば、本発明の重合性化合物を用いた重合性組成物を硬化させることにより、高屈折率性、高波長分散性、及び高い耐光性とを併せ持つ光学材料を提供することができる。
また、本発明によれば、耐光性に優れた光学素子を提供することができ、この光学素子を用いることにより、大容量化に適した光ヘッド装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図である。
【図４】本発明の一実施形態である光ヘッド装置の構成を模式的に示す図である。
【図５】各硬化膜（光学材料）の屈折率ｎｄとアッべ数ｖｄとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本明細書においては、式（１）で表される化合物を化合物（１）とも記す。他の化合物についても同様に記す。
【００２１】
【化２】
【００２２】
すなわち、本発明の化合物（１）は、ビフェニレン骨格を主骨格として有しており、その各環基上の水素原子が、Ａ及びＢによって、それぞれ異なる環基上で置換された構造を有している。このように、ビフェニレン骨格を主骨格とすることにより、フェニル基、フェニレン基などの単一環を主骨格とする化合物と比較して、高屈折率性や、高波長分散性を得ることができる。
なお、式（１）において、Ａが水素原子の場合には、式（１）の主骨格は「ビフェニル基」であり、Ａが水素原子以外の基である場合には、式（１）の主骨格は「ビフェニレン基」である。
さらに、ビフェニル基又はビフェニレン基との結合原子を炭素原子又はケイ素原子とし、これら炭素原子又はケイ素原子の少なくとも一つを３級以上の炭素原子、ケイ素原子とすることにより、ビフェニル骨格を有する従来の化合物と比較して、高い耐光性を得られることを見出した。
【００２３】
Ａ又はＢによる、ビフェニレン基の置換位置は、特に限定されないが、４位及び４’位で置換した場合には、化合物（１）の直線性が高められ、樹脂のガラス転移温度が高められる。したがって、ビフェニレン基の置換位置は、４位、４’位であることが好ましい。
但し、化合物（１）の融点や屈折率を制御する観点からは、ビフェニレン基が２位、２’位で置換されていてもよい。また、Ａ、Ｂ以外に、ビフェニル基又はビフェニレン基に結合する水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子で置換されていてもよい。
【００２４】
式（１）中、Ａは、水素原子又は下記式（２）〜（５）から選択される基である。
【００２５】
ＶｗＨ（３−Ｗ）Ｃ− ・・・（２）
ＰｈｘＹ（３−ｘ）Ｓｉ− ・・・（３）
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ１−ＣＨｌ（ＣＨ３）（２−ｌ）− ・・・（４）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ１−ＳｉＰｈｐ１（ＣＨ３）（２−ｐ１）− ・・・（５）
【００２６】
式（１）中、Ｂは下記式（６）〜（７）のいずれかの基である。
【００２７】
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ２−ＣＨｋ（ＣＨ３）（２−ｋ）− ・・・（６）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ２−ＳｉＰｈｐ２（ＣＨ３）（２−ｐ２）− ・・・（７）
【００２８】
式（２）は、メチル基の水素原子を置換基Ｖで置換した基であり、Ｖはメチル基またはエチル基である。
また、メチル基またはエチル基は、融点や波長分散性を調整するために、耐光性を著しく損なわない範囲で水素原子の一部または全部がメチル基、メトキシ基、フッ素原子で置換されていてもよい。
式（２）において、ｗは０〜３の整数であるが、耐光性を向上させる観点からは、ｗは３であることが好ましい。なお、ｗが２〜３の場合には、Ｖは同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。
【００２９】
式（３）は、ケイ素原子にフェニル基、及び置換基Ｙが結合したものであり、置換基Ｙは、メチル基、シクロヘキシル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｉｓｏ−プロピル基から選択される。このうち、置換基Ｙとしては、より高い耐光性を得る観点からは、シクロヘキシル基またはｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。また、置換基Ｙのメチル基、シクロヘキシル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｉｓｏ−プロピル基は、水素原子の一部または全部がメチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよく、またフェニル基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部が、メチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよい。
【００３０】
ｘは０〜３の整数であるが、高屈折率、高波長分散性を確保し、かつ耐光性を向上させる観点からは、ｘは２〜３であることが好ましい。
なお、ｘが０又は１のときは、Ｙは同一の基であってもよく、異なる基であってもよいが、原料の調達のし易さや、合成上の便宜の観点からは、同一の基であることが好ましい。
【００３１】
式（４）〜（７）において、ＪはＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−、エポキシ基、ビニル基及びビニルエーテル基から選択される基であるが、このうちＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−は、光重合反応を短時間で行うことができ、生産性に優れるため好ましい。
このうち、Ｊとしてエポキシ基を用いた場合、光カチオン重合による重合反応が可能であるが、一般に、重合の際に加える光開始剤により、耐光性が低下するおそれがある。また、Ｊがエポキシ基の場合、熱重合による重合反応も可能であるが、重合に長時間を要するおそれがある。
したがって、Ｊとしては、光ラジカル重合が可能なＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−を用いることが好ましい。
【００３２】
ＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−のうち、Ｒは水素原子またはメチル基であり、具体的にはＲが水素原子のときはＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−はアクリロイルオキシ基であり、Ｒがメチル基のときはＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−はメタクリロイルオキシ基である。
一般に、アクリロイルオキシ基は、メタクリロイルオキシ基と比較して反応が速やかに進行する。このため、重合反応を効率的に行う観点からは、Ｒが水素の場合、すなわちJがアクリロイルオキシ基であることが好ましい。
なお、重合性組成物中に、既知の安定化剤、例えば、フェノール系酸化防止剤やヒンダードアミン系光安定化剤などを添加剤として加えることにより、系全体を安定化させることが可能であるが、Ｊがアクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基のときは、使用可能な安定化剤の種類の制約も少ないため、安定化剤を添加することによる、耐光性のさらなる向上を図ることも可能である。
また、式（４）〜（７）において、ＪがＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−の場合、アルキレン基の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子で置換されていてもよい。
【００３３】
Ａが上記式（４）で示される基のとき、ｍ１は、０〜１２であるが、重合性を維持し、かつより高い屈折率とガラス転移点を維持する観点からは、ｍ１は１〜２であることが好ましい。
ｍ１が０の場合には、化合物（１）の重合性が損なわれるおそれがある。一方、ｍ１が３を超える場合には、屈折率が低下したり、ガラス転移温度が低下したりするおそれがある。
【００３４】
化合物（１）の屈折率を調整する観点から、式（４）における（ＣＨ２）ｍ１の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基又はフッ素原子で置換されていてもよい。特に、（ＣＨ２）ｍ１の水素原子をフッ素原子で置換した場合には、低屈折率領域において波長分散性を向上させることができるため、フッ素原子による置換数により、化合物（１）の波長分散性を制御することも可能である。またさらに、（ＣＨ２）ｍ１のメチレン基の一部は、酸素に置換されてもいても良い。
【００３５】
耐光性をより向上させる観点から、ビフェニレン基と結合する炭素原子がメチル基を少なくとも１つ有することがよい。
このため、式（４）中、ｌは０又は１であるが、耐光性を向上させる観点からは、ｌは０であることが好ましい。
【００３６】
Ａが上記式（５）で示される基のときは、ケイ素原子によってビフェニレン基と結合する構造となるため、耐光性を向上させることができる。
【００３７】
式（５）において、ｎ１は１〜１２であるが、所定のガラス転移温度を維持しながら、より高い屈折率を得る観点からは、ｎ１は１〜３であることが好ましい。
ｎ１が４を超えると、屈折率が低下したり、ガラス転移温度が低下したりするおそれがある。
【００３８】
さらに、化合物（１）の屈折率を調整する観点から、式（５）における（ＣＨ２）ｎ１の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子で置換されていてもよい。特に、（ＣＨ２）ｎ１の水素原子をフッ素原子で置換した場合には、低屈折率領域において波長分散性を向上させることができるため、フッ素原子による置換数により、化合物（１）の波長分散性を制御することも可能である。
また、さらに（ＣＨ２）ｎ１のメチレン基の一部は、酸素に置換されてもいても良い。
【００３９】
式（５）中、ｐ１は０〜２であるが、より高い耐光性を得る観点からは、ｐ１は０であることが好ましい。一方、より高い屈折率を得る観点からは、ｐ１は２であることが好ましい。
【００４０】
Ｂが式（６）で示される基のとき、ｋは０〜２であるが、耐光性をより向上させる観点から、Ｂの式（６）において、ビフェニル基又はビフェニレン基と結合する炭素原子がメチル基を少なくとも１つ有することが好ましい。すなわち、耐光性を向上させる観点からは、ビフェニル基又はビフェニレン基と結合する炭素原子が３級以上であることがよく、このため、ｋは０又は１であることが好ましく、より好ましくは、ｋは０である。
このように、ビフェニル基又はビフェニレン基と結合する炭素原子が、メチル基を少なくとも１つ有する構造とすることにより、耐光性をより向上させることができる。
【００４１】
但し、Ａが水素原子である場合には、ｋは０又は１である。Ａが水素原子の場合、式（６）のｋが２のときはビフェニル基と結合する炭素原子がメチル基を有しないものとなるが、この場合、ガラス転移温度の低下などにより化合物（１）の耐光性が十分に確保されないおそれがある。
【００４２】
式（６）において、ｍ２は、０〜１２であるが、重合性を維持し、かつより高い屈折率とガラス転移点を維持する観点からは、ｍ２は１〜２であることが好ましい。
ｍ２が０の場合には、化合物（１）の重合性が損なわれるおそれがある。一方、ｍ２が３を超える場合には、屈折率が低下したり、ガラス転移温度が低下したりするおそれがある。
【００４３】
化合物（１）の屈折率を調整する観点から、式（６）における（ＣＨ２）ｍ２の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基又はフッ素原子で置換されていてもよい。特に、（ＣＨ２）ｍ２の水素原子をフッ素原子で置換した場合には、低屈折率領域において波長分散性を向上させることができるため、フッ素原子による置換数により、化合物（１）の波長分散性を制御することが可能である。
また、さらに（ＣＨ２）ｍ２のメチレン基の一部は、酸素に置換されてもいても良い。
【００４４】
Ｂが上記式（７）で示される基のときは、ケイ素原子によってビフェニル基又はビフェニレン基と結合する構造となるため、耐光性を向上させることができる。
【００４５】
式（７）において、ｎ２は１〜１２であるが、所定のガラス転移温度を維持しながら、より高い屈折率を得る観点からは、ｎ２は１〜３であることが好ましい。
ｎ２が４を超えると、屈折率が低下したり、ガラス転移温度が低下したりするおそれがある。
【００４６】
化合物（１）の屈折率を調整する観点から、式（７）における（ＣＨ２）ｎ２の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子で置換されていてもよい。
特に、（ＣＨ２）ｎ２の水素原子をフッ素原子で置換した場合には、低屈折率領域において波長分散性を向上させることができるため、フッ素原子による置換数を調整することにより、化合物（１）の波長分散性を制御することが可能である。
また、さらに（ＣＨ２）ｎ２のメチレン基の一部は、酸素に置換されてもいても良い。
【００４７】
式（７）中、ｐ２は０〜２であるが、より高い耐光性を得る観点からは、ｐ２は０であることが好ましい。一方、より高い屈折率を得る観点からは、ｐ２は２であることが好ましい。
【００４８】
式（２）〜（５）で表わされる基のうち、Ａが式（３）の基の場合には、高い屈折率と高い波長分散性を得られるため好ましい。この中でも、Ａがトリフェニルシリル基であるものが好ましい。
すなわち、下記式（８）に示す化合物（以下、化合物（８）と示す。）が好ましい。
【００４９】
【化３】
【００５０】
トリフェニルシリル基は、分極率の高いフェニル基が、ケイ素原子に３つ結合しているため、これとビフェニレン基とが結合することにより、屈折率が高く、耐光性に優れるとともに、波長分散性の高い化合物（１）とすることができる。
【００５１】
式（８）において、Ｂは式（６）又は式（７）であるが、耐光性を高める観点からは、式（８）中でのビフェニレン基との結合原子が、３級以上の炭素原子又はケイ素原子であることが好ましく、４級の炭素原子又はケイ素原子であることがより好ましい。
このため、式（８）において、Ｂが式（６）のときはｋが０であることが好ましい。
また、式（８）において、Ｂが式（７）で示される基のときは、低融点化を図る観点からは、ｐ２が０であることが好ましい。
【００５２】
また、本発明の化合物（１）のうち、Ａがｔｅｒｔ−ブチル基であるものが好ましい。すなわち、下記式（９）に示される化合物が好ましい。
【００５３】
【化４】
【００５４】
式（９）に示すように、主骨格であるビフェニレン基にｔｅｒｔ−ブチル基が結合することにより、立体的に嵩高い分子構造を得られるため、光学材料としたときに高いガラス転移温度を得ることができ、また高い耐光性を得られるため好ましい。
【００５５】
式（９）において、Ｂは式（６）又は式（７）から選択されるが、耐光性を高める観点からは、式（９）中でのビフェニレン基との結合原子が、３級以上の炭素原子又はケイ素原子であることが好ましく、４級の炭素原子又はケイ素原子であることがより好ましい。
このため、Ｂが式（６）で示される基のときは、ｋが０であることが好ましい。また、Ｂが式（７）で示される基のときは、低融点化を図る観点からは、ｐ２が０であることが好ましい。
【００５６】
また、本発明の化合物（１）は、Ａ、Ｂがともに重合性基を有する基の場合、すなわち、Ａが式（４）又は式（５）から選ばれる基の場合にも、高い耐光性を得られるため好ましい。
より耐光性を高める観点からは、式（１）におけるビフェニレン基との結合原子が３級以上の炭素原子又はケイ素原子であることが好ましく、４級の炭素原子又はケイ素原子であることがより好ましい。
このため、Ａが式（４）で示される基のときは、ｌが０であることが好ましい。また、Ｂが式（６）で示される基のときは、ｋが０であることが好ましい。
【００５７】
式（１）において、Ａ、Ｂがともに重合性基を有すると、これを含む重合性組成物を重合したときに架橋成分が形成されて、高い耐光性を得ることができる。一方、このように、ＡとＢがともに重合性基を有すると、重合収縮が進行し過ぎるおそれがある。このため、ＡとＢがともに重合性基を有するときは、化合物（１）の配合量を適宜調整することが好ましい。
【００５８】
この中でも、特にＡが式（５）で示される基でかつｐ１が０あり、Ｂが式（７）で示される基でかつｐ２が０であるときは、低融点かつ高い耐光性を得られるため好ましい。
【００５９】
本発明の化合物（１）は、重合性組成物の一成分として用いることが好ましい。
重合性組成物は、重合性化合物として、化合物（１）の一種を単独で含むものであってもよく、化合物（１）から選ばれる２種以上の化合物を含むものであってもよい。またさらに、重合性化合物は、化合物（１）の一種又は二種以上と、化合物（１）以外の重合性化合物とを混合して含むものであってもよく、また、非重合性化合物を含むものであってもよい。
重合性組成物に用いる化合物としては、その用途に応じて適宜選択することができ、例えば、高屈折率性、高波長分散性又は高耐光性が求められる用途に用いる場合には、これらの性質を併有する化合物（８）が好適に用いられる。
一方、低温での操作性が求められる用途に用いる場合には、低融点を有する化合物（１）として、例えばＡが式（５）であり、Ｂが式（７）であるものが好適に用いられる。
【００６０】
重合性組成物に添加する、化合物（１）以外の重合性化合物としては、融点、粘度、屈折率、波長分散性等の観点から、その目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されるものではない。
高屈折率で、かつ耐光性に優れた樹脂を得る観点からは、重合性組成物に含まれる重合性化合物のうち、化合物（１）の含有率は、１０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましい。
【００６１】
本発明の重合性組成物は、重合反応に用いる反応開始剤を含有していてもよい。重合反応としては、例えば光重合反応、熱重合反応が挙げられるが、光重合反応は、周辺部材に対する熱的影響を殆ど与えることなく重合反応が可能なため、好ましく用いられる。
光重合反応には、紫外線または可視光線などの光線を用いることができるが、特に紫外線を用いた場合には、重合反応速度が速いため、好ましく用いられる。
【００６２】
光重合開始剤としては、既知の材料を用いることができ、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ベンゾイン類、ベンジル類、ミヒラーケトン類、ベンゾインアルキルエーテル類およびベンジルジメチルケタール類から１種または２種以上を適宜選択して使用することができる。光重合開始剤の量は、組成物の総量に対して、０．０５質量％〜５質量％とすることが好ましく、０．１質量％〜２質量％とすることが特に好ましい。
【００６３】
本発明の重合性組成物に添加可能な他の成分としては、例えば、紫外線吸収剤、酸化防止剤および光安定化剤など安定化剤が挙げられる。これらの成分の、重合性組成物に対する添加量は、重合性組成物の総量に対して、５質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることが特に好ましい。
本発明の重合性組成物には、有機溶剤が含まれていてもよいが、組成物の希釈を目的として用いる場合には、有機溶剤でなく低粘性の重合性化合物を用いる方が好ましい。
なお、重合の際の取り扱いを容易にするため、熱重合を生じない範囲の温度で加熱して、粘度を低下させて用いることがよい。
【００６４】
本発明の重合性化合物を用いることにより、高屈折率性と高波長分散性と耐光性とを兼ね備えた光学材料を得ることができる。
【００６５】
上述したように、本発明の重合性化合物を含む重合性組成物を硬化させることにより、特に、光硬化性の重合性組成物を光硬化させることにより、高屈折率性と高波長分散性と耐光性を兼ね備えた光学材料を得ることができる。
【００６６】
さらに、本発明は、本発明の重合性化合物（１）を含む重合性組成物を硬化して得られる光学材料を用いた光学素子を提供することが可能である。
一般に、１．５５以上の屈折率を有する光学材料は、優れた耐光性を得ることができず、また、耐光性に優れた光学材料において、１．５５以上の屈折率を得ることは困難であった。重合性化合物（１）を用いた本発明の光学材料では、高い屈折率を得られるため、例えば、波長５８９ｎｍで、１．５５以上の屈折率が必要とされる用途において、好ましく用いられる。またさらに、本発明の光学材料では、高屈折率性と高い耐光性とを共に得られるため、これらの特性を要求される光学素子に、好適に用いることができる。
本発明の光学材料が好適に用いられる光学素子としては、例えば、１．５５〜１．６０の屈折率ｎｄが必要とされる偏光ホログラム素子や、１．６０〜１．７０の屈折率ｎｄが必要とされる波長選択性回折素子が挙げられる。
【００６７】
また、本発明の光学材料は、高屈折率性とともに、高い波長分散性を有するため、高波長分散性が必要とされる光学素子においても好ましく用いられる。
本発明の光学材料は、屈折率ｎｄとアッベ数νｄとが、νｄ≦２１３−１１５・ｎｄ（ｎｄ≧１．５５）の関係式を満たす範囲にある。このため、このような範囲の波長分散性が必要とされる用途において、好ましく用いられる。
このような高波長分散性が求められる光学素子として、例えば波長選択性回折素子を挙げることができ、その構成材料として、本発明の光学材料が好適に用いられる。
この際、格子高さをより低くし、製造プロセスの効率性及び回折効率を向上させる観点から、より高い波長分散性を有する光学材料を用いることが好ましく、屈折率ｎｄ≧１．６０において、アッベ数νｄ≦２９であることが好ましく、アッベ数νｄ≦２６であることがより好ましい。
【００６８】
ここで、本発明の光学材料を用いた光学素子の一例として、波長選択性回折素子について説明する。以下、入射する光の波長を、波長λ１、波長λ２（λ１＜λ２）とする。
【００６９】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図であり、図１（ａ）は、波長選択性回折素子１Ａに波長λ１の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図であり、図１（ｂ）は、波長選択性回折素子１Ａに波長λ２の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図である。
図１において、波長選択性回折素子１Ａは、透明基板１１Ａと、透明基板１１Ａの表面に形成された、凹凸部材からなる回折格子１２Ａと、回折格子１２Ａの凹凸部の間に充填される充填部材１３Ａとを備えており、充填部材１３Ａは、その上面に設けられた透明基板１４Ａによって保護されている。
【００７０】
波長選択性回折素子１Ａは、波長λ１の光に対する回折格子１２Ａの屈折率と充填部材１３Ａの屈折率が等しく、波長λ２の光に対する回折格子１２Ａの屈折率と充填部材１３Ａの屈折率が異なるように形成されている。
すなわち、波長λ１の光に対する回折格子１２Ａの屈折率をｎ１２Ａ（λ１）、波長λ１の光に対する充填部材１３Ａの屈折率をｎ１３Ａ（λ１）とし、波長λ２の光に対する回折格子１２Ａの屈折率をｎ１２Ａ（λ２）、波長λ２の光に対する充填部材１３Ａの屈折率をｎ１３Ａ（λ２）としたとき、波長λ１の光と波長λ２に関し、それぞれｎ１２Ａ（λ１）＝ｎ１３Ａ（λ１）、ｎ１２Ａ（λ２）＞ｎ１３Ａ（λ２）＞０の関係を満たすように、回折格子１２Ａ、充填部材１３Ａの構成材料が選択されて形成されている。
【００７１】
このため、図１（ａ）に示すように、波長選択性回折素子１Ａに照射された波長λ１の光は、回折格子１２Ａ、充填部材１３での屈折率がそれぞれ等しいため、回折素子１Ａによる回折作用を受けることなく、回折格子１２Ａを直進透過する。一方、波長λ２の光は、回折格子１２Ａの屈折率、充填部材１３Ａの屈折率が異なるため、回折格子１２Ａに進入すると、図１（ｂ）に示すように、その屈折率差によって回折されて、回折光が得られる。
なお、例えば回折格子１２Ａの高さｄ１、回折格子１２Ａの格子形状などを調整することにより、回折効率を調整することが可能である。また、回折格子１２Ａの格子ピッチを調整することにより、回折角度を制御することも可能である。
このようにして、波長λ１の光に対しては機能せず、波長λ２の光に対してのみ回折機能を発現する波長選択性回折素子１Ａを得ることができる。
【００７２】
ここで、波長選択性回折素子１Ａにおいて、光吸収による透過損失を少なくする観点から、回折格子１２Ａおよび充填部材１３Ａを構成するいずれの材料も、波長λ１と波長λ２の範囲で正常分散を示すことが好ましく、ｎ１２Ａ（λ１）、ｎ１３Ａ（λ１）、ｎ１２Ａ（λ２）、ｎ１３Ａ（λ２）は、それぞれ、ｎ１２Ａ（λ１）＞ｎ１２Ａ（λ２）、ｎ１３Ａ（λ１）＞ｎ１３Ａ（λ２）の関係を満たすことがよい。
この場合、ｎ１２Ａ（λ１）＝ｎ１３Ａ（λ１）＞ｎ１２Ａ（λ２）＞ｎ１３Ａ（λ２）となり、充填部材１３Ａは、回折格子１２Ａ比較してより大きい波長分散性を示す（アッベ数が小さい）ものとなる。
このような充填部材１３Ａの構成材料として、本発明の光学材料を好適に用いることができる。
【００７３】
次に、図２に示す波長選択性回折素子１Ｂについて説明する。
図２は、本発明の第２の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図であり、
図２（ａ）は、波長選択性回折素子１Ｂに波長λ１の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図であり、図２（ｂ）は、波長選択性回折素子１Ｂに波長λ２の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図である。
図２において、波長選択性回折素子１Ｂは、透明基板１１Ｂと、透明基板１１Ｂの表面に形成された、凹凸部材からなる回折格子１２Ｂと、回折格子１２Ｂの凹凸部の間に充填される充填部材１３Ｂとを備えており、充填部材１３Ｂは、その上面に設けられた透明基板１４Ｂによって保護されている。
【００７４】
波長選択性回折素子１Ｂは、波長λ１の光に対する回折格子１２Ｂの屈折率と充填部材１３Ｂの屈折率が異なり、波長λ２の光に対する回折格子１２Ｂの屈折率と充填部材１３Ｂの屈折率が等しくなるように形成されている。
すなわち、波長λ１の光に対する回折格子１２Ｂの屈折率をｎ１２Ｂ（λ１）、波長λ１の光に対する充填部材１３Ｂの屈折率をｎ１３Ｂ（λ１）とし、波長λ２の光に対する回折格子１２Ｂの屈折率をｎ１２Ｂ（λ２）、波長λ２の光に対する充填部材１３Ｂの屈折率をｎ１３Ｂ（λ２）としたとき、波長λ１の光と波長λ２の光に関し、それぞれｎ１２Ｂ（λ１）＞ｎ１３Ｂ（λ１）＞０、ｎ１２Ｂ（λ２）＝ｎ１３Ｂ（λ２）の関係満たすように、回折格子１２Ｂ、充填部材１３Ｂの構成材料が選択されて形成されている。
【００７５】
このため、図２（ａ）に示すように、回折格子１２Ｂに進入した波長λ１の光は、回折格子１２Ｂによって回折されて、回折光が得られる。
このとき、回折格子１２Ｂの格子ピッチを調整することにより、回折角度を制御することも可能である。また、直進光の透過効率と回折光の回折効率は、回折格子１２Ｂの高さｄ２ や回折格子１２Ｂの格子形状を変化させることにより、調整することが可能である。
一方、図２（ｂ）に示すように、回折格子１２Ｂに進入した波長λ２ の光は、回折格子１２Ｂによって回折されることなく直進透過する。
このようにして、波長λ２の光に対しては機能せず、波長λ１の光に対してのみ回折機能を発現する波長選択性回折素子１Ｂを得ることができる。
【００７６】
ここで、波長選択性回折素子１Ｂにおいて、光吸収による透過損失を少なくする観点から、回折格子１２Ｂおよび充填部材１３Ｂを構成するいずれの材料も、波長λ１と波長λ２の範囲で正常分散を示すことが好ましく、ｎ１２Ｂ（λ１）、ｎ１３Ｂ（λ１）、ｎ１２Ｂ（λ２）、ｎ１３Ｂ（λ２）は、例えば、ｎ１２Ｂ（λ１）＞ｎ１２Ｂ（λ２）、ｎ１３Ｂ（λ１）＞ｎ１３Ｂ（λ２）の関係を満たすことがよい。
この場合、ｎ１２Ｂ（λ１）＞ｎ１３Ｂ（λ１）＞ｎ１２Ｂ（λ２）＝ｎ１３Ｂ（λ２）となり、回折格子１２Ｂは、充填部材１３Ｂと比較してより大きい波長分散性を示す（アッベ数が小さい）ものとなる。
このような回折格子１２Ｂの構成材料として、本発明の光学材料を好適に用いることができる。
【００７７】
次に図３に示す波長選択性回折素子１Ｃについて説明する。
図３は、本発明の第３の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図であり、図３（ａ）は、波長選択性回折素子１Ｃに波長λ１の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図であり、図３（ｂ）は、波長選択性回折素子１Ｃに波長λ２の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図である。
図３において、波長選択性回折素子１Ｃは、上述した（第１の実施態様である波長選択性回折素子１Ａと第２の実施態様である波長選択性回折素子１Ｂとを組み合わせて構成されており、透明基板１１Ｃと、透明基板１１Ｃの表面に形成された、凹凸部材からなる回折格子１２Ｃと、回折格子１２Ｃの凹凸部の間に充填された充填部材１３Ｃとを備えた第１部材１ａを有している。また、第１部材１ａの上方には、透明基板１６Ｃと、透明基板１６Ｃの表面に形成された、凹凸部材からなる回折格子１５Ｃと、回折格子１５Ｃの凹凸部間に充填された充填部材１４Ｃとを備えた第２部材１ｂが設けられており、充填部材１３Ｃと充填部材１４Ｃとで透明基板１７Ｃが挟持された状態で、第１部材１ａと第２部材１ｂとが積層されている。
【００７８】
なお、波長選択性回折素子１Ｃにおいて、第１部材１ａを構成する透明基板１１Ｃ、回折格子１２Ｃ及び充填部材１３Ｃ、並びに透明基板１７Ｃは、それぞれ、上述した波長選択性回折素子１Ａ（図１参照。）における透明基板１１Ａ、回折格子１２Ａ、充填部材１３Ａ及び透明基板１４Ａに該当する。また、波長選択性回折素子１Ｃにおいて、第２部材１ｂを構成する透明基板１６Ｃ、回折格子１５Ｃ及び充填部材１４Ｃ、並びに透明基板１７Ｃは、それぞれ、上述した波長選択性回折素子１Ｂ（図２参照。）における透明基板１１Ｂ、回折格子１２Ｂ、充填部材１３Ｂ及び透明基板１４Ｂに該当する。
【００７９】
波長選択性回折素子１Ｃは、波長λ１の光に対する回折格子１２Ｃの屈折率と充填部材１３Ｃの屈折率が等しく、波長λ２の光に対する回折格子１２Ｃの屈折率と充填部材１３Ｃの屈折率が異なるように形成されている。
また、波長選択性回折素子１Ｃは、波長λ１の光に対する回折格子１５Ｃの屈折率と充填部材１４Ｃの屈折率が異なり、波長λ２の光に対する回折格子１５Ｃの屈折率と充填部材１４Ｃの屈折率が等しくなるように形成されている。
【００８０】
このため、図３（ａ）において、波長λ１の光は、波長選択性回折素子１Ｃの第２部材１ｂに進入すると、回折格子１５Ｃで回折され、次いで第１部材１ａに進入すると、回折格子１２Ｃでは回折されず、透過する。すなわち、波長λ１の光に対しては、回折格子１５Ｃのみが回折格子として機能する。一方、図３（ｂ）において、波長λ２の光は、波長選択性回折素子１Ｃの第２部材１ｂに進入すると、回折格子１５Ｃを透過し、次いで第１部材１ａに進入すると、回折格子１２Ｃで回折される。すなわち、波長λ２の光に対しては、回折格子１２Ｃのみが回折格子として機能する。
したがって、波長選択性回折素子１Ｃは、異なる素子を複合して形成された一つの素子により、２種の波長に対して、それぞれ独立に回折素子として機能することができる。
【００８１】
例えば、上述した波長λ１、及び波長λ２を、それぞれＢＤで使用される４０５ｎｍ波長帯、及びＤＶＤで使用される６６０ｎｍ波長帯とする。
このとき、図１に示す波長選択性回折素子１Ａの回折格子１２Ａ及び充填部材１３Ａが、第１実施形態の関係を有する場合には、４０５ｎｍ波長帯の光を透過し、６６０ｎｍ波長帯の光を回折することができる。
なお、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）で使用される７８５ｎｍ波長帯は、６６０ｎｍ波長帯と屈折率が近いため、７８５ｎｍ波長帯の光も回折可能な波長選択性回折素子を作製することもできる。
また、図２に示す波長選択性回折素子１Ｂの回折格子１２Ｂ及び充填部材１３Ｂが、第２実施形態の関係を有する場合には、４０５ｎｍ波長帯の光を回折し、６６０ｎｍ波長帯の光を透過する波長選択性回折素子を作製することができる。
なお、７８５ｎｍ波長帯は６６０ｎｍ波長帯と屈折率が近いため、７８５ｎｍ波長帯の光も透過する波長選択性回折素子を作製することが可能である。
【００８２】
以上説明した波長選択性回折素子においては、回折格子１２Ａ、１２Ｂの格子高さｄ１ 、ｄ２を調整したり、その格子形状を変化させたりすることで、回折効率を調整することができる。したがって、３ビーム発生用素子またはホログラムビームスプリッタとして、好適な効率を得られる格子高さを用いればよい。また、波長選択性回折素子の凹凸部をブレーズド格子形状またはマルチレベル構造の階段状格子形状とすることにより、特定の次数における回折効率を高めて用いてもよい。またさらに、回折格子のピッチを調整することで、回折角度を調整できるため、所望の回折角度を得ることができる。
これらの素子は、従来の３ビーム発生用素子やホログラムビームスプリッタに用いられている手法を、そのまま波長選択性回折素子に適用することができる。
【００８３】
さらに、本発明の重合性組成物を重合して得られる光学材料は、上述の回折素子以外のその他の回折素子、レンズ等の光学素子に用いることができる。
また、本発明の光学材料をこれら光学素子に用いる場合、これら光学素子の製造方法における手法には限定されず、例えば従来から知られた方法で本発明の光学材料を適用してもよい。またさらに、本発明の光学材料は、光学素子同士を積層したり、光学部品を固定したりする際の接着剤として用いることもできる。
【００８４】
また、本発明の光学材料及びこれを用いた素子は、青色レーザーに対する耐光性に優れている。このため、光ピックアップ装置の用途において好ましく用いることができ、大容量化に適した光ヘッド装置の製造に用いることができる。すなわち、本発明の光学材料を用いた光学素子は、光記録媒体に情報を記録する、および／または、光記録媒体に記録された情報を再生する光ヘッド装置に適しており、特にＢＤのような青色レーザを用いた光情報記録再生装置用の光ヘッド装置に好適である。具体的には、光ヘッド装置のレーザ光の光路中に好ましく配置される。また、従来から高屈折率樹脂が必要とされている、その他用途においても、好適に用いることができる。
【００８５】
以下に、本発明の光ヘッド装置について説明する。
図４は、本発明の一実施形態である光ヘッド装置の構成を模式的に示す図である。
図４に示すように、光ヘッド装置１１１は、レーザ光を出射する光源１１２と、波長選択性回折格子１１３と、レーザ光を透過するビームスプリッタ１１４と、レーザ光を平行化するコリメータレンズ１１５と、光ディスク１１６の記録層１１７に集光する対物レンズ１１８と、光ディスク１１６からの反射光を検出する光検出器１１９とを有している。
波長選択性回折格子１１３は、３ビーム発生用回折格子であり、本実施形態では、上述した波長選択性回折格子１Ｂ（図２参照。）を適用する。
波長選択性回折格子１１３で得られた３ビームは、光ヘッド装置１１１において、ＢＤなどに記録された情報を読み取る際のトラッキング制御において用いられる。
【００８６】
なお、図４では、光源１１２とビームスプリッタ１１４との間に波長選択性回折格子１１３が設けられているが、波長選択性回折格子１１３は、光源１１２と対物レンズ１１８の間の光路中に設けられていればよく、例えば、ビームスプリッタ１１４と対物レンズ１１８との間に波長選択性回折格子１１３を設けてもよい。ただし、図４に示すように、光源１１２とビームスプリッタ１１４の間に波長選択性回折格子１１３を配置することにより、光ディスクからの反射光が、波長選択性回折格子１１３で回折されず、その大半が光検出器１１９に到達するため、光の利用効率が高められるため好ましい。
【００８７】
光源１１２は、例えば半導体レーザダイオードで構成されており、光ディスク１１６の種類に適した波長のレーザ光を生成し、波長選択性回折格子１１３に出射するようにされている。光源１１２には、通常の光ヘッド装置に使用される、一般的なレーザ光源が使用される。具体的には、半導体レーザが好適に用いられるが、半導体レーザ以外のレーザ光源であってもよい。本発明の光学材料は、青色レーザに対して優れた耐光性を有するため、青色レーザを光源とした光ヘッド装置に好適に使用される。
【００８８】
本実施形態では、レーザ光として、波長４０５ｎｍ（波長λ１）、及び６６０ｎｍ（波長λ２）のものを使用する。なお、互いに異なる波長のレーザ光を出射する光源を複数備え、各光源から波長選択性回折格子１１３にレーザ光を出射する構成としてもよい。
波長選択性回折格子１１３は、波長λ１のレーザ光を回折せずに透過した光（０次回折光）と、波長λ１のレーザ光を回折した光（±１次回折光）とを含む３つのビーム（図２（ａ）参照。）をビームスプリッタ１１４に出力する。さらに、波長選択性回折格子１１３は、波長λ２のレーザ光を透過してビームスプリッタ１１４に出力する。
ビームスプリッタ１１４は、透過性の材料、例えば、ガラス、プラスチック等で構成されており、光ディスク１１６からの反射光を反射する反射面を備えている。
コリメータレンズ１１５も、透過性の材料、例えば、ガラス、プラスチック等で構成されており、入射したレーザ光を平行化するように構成されている。
対物レンズ１１８は、所定の開口数ＮＡを有しており、コリメータレンズ１１５からの入射光を光ディスク１１６の記録層１１７に集光し、さらに、記録層１１７からの反射光を捕捉するように構成されている。
光検出器１１９は、レンズやフォトダイオードなどを含んでおり、ビームスプリッタ１１４の反射面によって反射された光ディスク１１６からの反射光を電気信号に変換する。また、光検出器１１９は、波長λ１の３ビームの反射光を受光し、０次回折光により生成された主ビームと、±１次回折光により生成された２つの副ビームとを受光し、２つの副ビーム間の光量差に基づいてトラッキングエラーを検出し、トラッキング制御部（図示せず）に出力する。
【００８９】
光ディスク１１６がＢＤである場合、光ヘッド装置１１１は次のように動作する。
まず、図４に示すように、光源１１２から出射された波長λ１の光は、波長選択性回折格子１１３によって出射光の一部が回折される。これにより、波長選択性回折格子１１３からは、０次回折光と±１次回折光を含む光が出射され、ビームスプリッタ１１４を透過して、コリメータレンズ１１５によって平行光とされる。
コリメータレンズ１１５から出射された平行光は、対物レンズ１１８によって、０次回折光と±１次回折光とが３ビームとなって光ディスク１１６の情報記録トラック上に集光される。次に、光ディスク１１６によって反射された光は、再び対物レンズ１１８よりコリメータレンズ１１５を透過し、ビームスプリッタ１１４で反射されて、０次回折光により生成された主ビームと、±１次回折光により生成された２つの副ビームとが光検出器１１９の受光面に集光される。そして、光検出器１１９によって、２つの副ビーム間の光量差に基づいてトラッキングエラー信号が検出され、トラッキング制御部（図示せず）に出力される。
【００９０】
光ディスク１１６がＤＶＤである場合には、光ヘッド装置１１１は次のように動作する。
まず、図４に示すように、光源１１２から出射された波長λ２の光は、波長選択性回折格子１１３で回折されることなく透過した後、さらにビームスプリッタ１１４を透過して、コリメータレンズ１１５で平行光とされる。その後、この平行光は、対物レンズ１１８によって光ディスク１１６の情報記録トラック上に集光される。そして、光ディスク１１６で反射された光は、再び対物レンズ１１８とコリメータレンズ１１５を透過し、ビームスプリッタ１１４で反射されて光検出器１１９の受光面に集光される。
【００９１】
以上述べたように、本発明の重合性化合物を含有する重合性組成物を硬化して得た、本発明の光学材料を適用した光学素子を用いることにより、大容量化に適し、信頼性の高い光ヘッド装置を構成することができる。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、適宜変形して実施することができる。
【実施例】
【００９２】
以下、本発明化合物の合成例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明に係る化合物の合成はこれらの例によって限定されない。
以下に、本発明の実施例および比較例を述べる。ただし、本発明は以下の実施例に何ら制限されるものではない。
【００９３】
＜重合性化合物の合成例１＞
下記の合成スキームに示す方法に従い、化合物（Ａ−１）、（Ａ−２）および（Ａ−３）を経て下記の重合性化合物Ａを合成した。
【００９４】
【化５】
【００９５】
［合成例１］化合物（Ａ）の合成例
【化６】
【００９６】
以下、重合性化合物Ａにおける上記合成スキームの各反応について詳細に説明する。
【００９７】
［例１−１］化合物（Ａ−１）の合成
【化７】
【００９８】
（ａ）化合物Ａ−１の合成
窒素雰囲気下にて１Ｌの脱水テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと記載する。）に２１．０ｇ（６７．３ｍｍｏｌ）の４，４’−ジブロモビフェニルを溶解させて攪拌した後、−７４℃に冷却し、濃度１．６７ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム ヘキサン溶液４０．３ｍｌ（６７．３ｍｍｏｌ）を３０分程度かけてゆっくりと滴下し、−７４℃のまま１時間攪拌を行った。次に、クロロジメチルビニルシラン１１．０ｍｌ（８０．９ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下して−７４℃のまま１時間攪拌し、さらに室温に戻して１時間攪拌を行った。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、さらに硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。ジクロロメタンとヘキサン（ジクロロメタン：ヘキサン＝１：９）を用いてカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、不純物を含んだ状態で白色固体の化合物Ａ−１を１９．９ｇ得た。収率は９３．６％であった。
【００９９】
［例１−２］化合物（Ａ−２）の合成
【化８】
【０１００】
（ｂ）化合物Ａ−２の合成
窒素雰囲気下にて３００ｍｌの脱水ＴＨＦに１９．９ｇ（６２．９ｍｍｏｌ）の化合物Ａ−１を溶解し、−７４℃に冷却して攪拌をした。次いで、濃度１．６７ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液４１．５ｍｌ（６９．３ｍｍｏｌ）を３０分程度かけてゆっくりと滴下した。−７４℃で１時間反応させた後、２００ｍｌのＴＨＦに溶解させたトリフェニルクロロシラン２４．１ｇ（８２．０ｍｍｏｌ）を２０分程度かけてゆっくりと滴下した。その後、−７４℃で１時間保持してから、室温で１時間反応させた。次に、塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。得られた固体にエタノール１Ｌを加え、６５℃で攪拌して洗浄した後、室温でエタノールに不溶の固体をろ過することにより、白色固体の化合物Ａ−２を２１．９ｇ得た。収率は７０．１％であった。
【０１０１】
［例１−３］化合物（Ａ−３）の合成
【化９】
【０１０２】
（ｃ）化合物Ａ−３の合成
２００ｍｌの脱水ＴＨＦに２１．９ｇ（４４．２ｍｍｏｌ）の化合物Ａ−２を溶解し、窒素雰囲気で氷浴の下、濃度０．５ｍｏｌ／Ｌの９−ＢＢＮ ＴＨＦ溶液を１１４．８ｍｌ（５７．４ｍｍｏｌ）を２０分程度かけて滴下し、６５℃に昇温して３時間攪拌した。その後、２．５Ｎの水酸化ナトリウム水溶液３０ｍｌを氷浴下にて３０分かけて滴下し、次いで３０％過酸化水素水１００ｍｌを氷浴下にて３０分かけて滴下した。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行った後、ヘキサンを用いた再結晶により、白色固体の化合物Ａ−３を１１．１ｇ得た。収率は５４．１％であった。
上記式において、９−ＢＢＮは９−ボラ−ビシクロ［３．３．１］ノナンを示す。
【０１０３】
［例１−４］化合物（Ａ）の合成
【化１０】
【０１０４】
（ｄ）化合物Ａの合成
３００ｍｌの脱水ＴＨＦに、１１．１ｇ（２１．６ｍｍｏｌ）の化合物Ａ−３と、３．５９ｍｌ（２５．９ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを溶解させて攪拌した。窒素雰囲気・氷浴下で、２．１４ｍｌ（２５．９ｍｍｏｌ）のアクリロイルクロリドを５分程度かけて滴下した。希塩酸と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１５）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行った後、溶媒留去後に得られた透明な粘稠体をヘキサン１００ｍｌとジクロロメタン２ｍｌ程度（ジクロロメタンは低温で生成した粘稠体が溶ける程度加えた）で再結晶することにより、白色固体の化合物Ａを７．０ｇ得た。収率は５７．１％であった。
【０１０５】
重合性化合物Ａの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：０．３６（６Ｈ、ｓ）、１．３１（２Ｈ、ｔ）、４．２８（２Ｈ、ｔ）、５．７７（１Ｈ、ｍ）、６．０８（１Ｈ、ｍ）、６．３３（１Ｈ、ｍ）、７．３８−７．６６（２３Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ａの融点は６７℃であった。
【０１０６】
＜重合性化合物の合成例２＞
［合成例２］ 化合物（Ｂ）の合成例
合成例１において、クロロジメチルビニルシランの代わりにアリルクロロジメチルシラン、９−ＢＢＮの代わりにボランを用いた以外は同様にして、化合物Ｂを合成した。
【０１０７】
【化１１】
【０１０８】
重合性化合物Ｂの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：０．３１（６Ｈ、ｓ）、０．８０（２Ｈ、ｔ）、１．７０（２Ｈ、ｍ）、４．１２（２Ｈ、ｔ）、５．８１（１Ｈ、ｍ）、６．１１（１Ｈ、ｍ）、６．３９（１Ｈ、ｍ）、７．３７−７．７９（２３Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ｂの融点は１１６℃であった。
【０１０９】
＜重合性化合物の合成例３＞
下記の合成スキームに示す方法に従い、化合物（Ｃ−１）および（Ｃ−２）を経て重合性化合物Ｃを合成した。
【０１１０】
【化１２】
【０１１１】
［合成例３］ 化合物（Ｃ）の合成例
【化１３】
【０１１２】
以下、重合性化合物Ｃにおける上記合成スキームの各反応について詳細に説明する。
【０１１３】
［例３−１］化合物（Ｃ−１）の合成
【化１４】
【０１１４】
（ａ）化合物Ｃ−１の合成
２．５４ｇ（１０５．８ｍｍｏｌ）のマグネシウムと０．２ｇ程度のヨウ素を窒素雰囲気下にて２０ｍｌの脱水テトラヒドロフラン中で攪拌したところに、脱水ＴＨＦ４００ｍｌに溶解させた１５．０ｇ（４８．１ｍｍｏｌ）の４，４’−ジブロモビフェニルを２０ｍｌ程度滴下し、ヒートガンを用いて加熱することによってグリニャール反応を開始させた。反応の開始後に残りの溶液を３０分程度かけて滴下した後、６５℃で１２時間加熱攪拌を行った。次に、クロロジメチルビニルシラン１４．４ｍｌ（１０５．９ｍｍｏｌ）を１０分程度かけて滴下し、６５℃で１時間攪拌を行った。飽和塩化アンモニウム水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、さらに硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。ジクロロメタンとヘキサン（ジクロロメタン：ヘキサン＝１：１９）を用いてカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、透明液体の化合物Ｃ−１を１０．８ｇ得た。収率は６９．７％であった。
【０１１５】
［例３−２］化合物（Ｃ−２）の合成
【化１５】
【０１１６】
（ｂ）化合物Ｃ−２の合成
１００ｍｌの脱水ＴＨＦに１０．８ｇ（３３．５ｍｍｏｌ）の化合物Ｃ−１を溶解した後、窒素雰囲気で氷浴の下、濃度０．５ｍｏｌ／Ｌの９−ＢＢＮ ＴＨＦ溶液を１６１ｍｌ（８０．５ｍｍｏｌ）を２０分程度かけて滴下し、６５℃に昇温して１２時間攪拌した。その後、２．２Ｎの水酸化ナトリウム水溶液４０ｍｌを氷浴下にて３０分かけて滴下し、次いで３０％過酸化水素水１２０ｍｌを氷浴下にて３０分かけて滴下した。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｃ−２を９．０ｇ得た。収率は７５％であった。
【０１１７】
［例３−３］化合物（Ｃ）の合成
【化１６】
【０１１８】
（ｃ）化合物Ｃの合成
３００ｍｌの脱水ＴＨＦに、９．０ｇ（２５ｍｍｏｌ）の化合物Ｃ−２と、８．３ｍｌ（６０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを溶解させて攪拌した。窒素雰囲気・氷浴下で、５．０ｍｌ（６０ｍｍｏｌ）のアクリロイルクロリドを１０分程度かけて滴下した。希塩酸と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：７）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、無色透明液体の化合物Ｃを４．０ｇ得た。収率は６２％であった。
【０１１９】
重合性化合物Ｃの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：０．３１（１２Ｈ、ｓ）、１．３２（４Ｈ、ｔ）、４．２８（４Ｈ、ｔ）、５．７７（２Ｈ、ｍ）、６．０６（２Ｈ、ｍ）、６．３４（２Ｈ、ｍ）、７．５９（８Ｈ、ｍ）であった。
【０１２０】
＜重合性化合物の合成例４＞
［合成例４］化合物（Ｄ）の合成例
合成例１において、クロロジメチルビニルシランの代わりにアリルクロロジメチルシラン、９−ＢＢＮの代わりにボランを用いた以外は同様にして、化合物Ｄを合成した。
【０１２１】
【化１７】
【０１２２】
重合性化合物Ｄの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：０．３２（１２Ｈ、ｓ）、０．８１（４Ｈ、ｔ）、１．７１（４Ｈ、ｍ）、４．１１（４Ｈ、ｔ）、５．８１（２Ｈ、ｍ）、６．１１（２Ｈ、ｍ）、６．３９（２Ｈ、ｍ）、７．５８（８Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ｄの融点は６５℃であった。
【０１２３】
＜重合性化合物の合成例５＞
下記の合成スキームに示す方法に従い、化合物（Ｅ−１）、（Ｅ−２）および（Ｅ−３）を経て重合性化合物Ｅを合成した。
【０１２４】
【化１８】
【０１２５】
［合成例５］ 化合物（Ｅ）の合成例
【化１９】
【０１２６】
以下、重合性化合物Ｅにおける上記合成スキームの各反応について詳細に説明する。
【０１２７】
［例５−１］化合物（Ｅ−１）の合成
【化２０】
【０１２８】
（ａ）化合物Ｅ−１の合成
窒素雰囲気下にて１５０ｍｌの脱水ＴＨＦに５．０ｇ（１７．３ｍｍｏｌ）の４−ブロモ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニルを溶解し、−７４℃に冷却して攪拌をした。次いで、濃度１．６ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液１１．９ｍｌ（１９．０ｍｍｏｌ）を３０分程度かけてゆっくりと滴下した。−７４℃で３０分反応させた後、ＤＭＦ２．７ｍｌ（３４．９ｍｍｏｌ）を５分程度かけて滴下した。その後、−７４℃で３０分保持してから、室温で３０分反応させた。次に、塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、化合物Ｅ−１を３．３ｇ得た。収率は８０．１％であった。
上記式において、ＤＭＦはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを示す。
【０１２９】
［例５−２］化合物（Ｅ−２）の合成
【化２１】
【０１３０】
（ｂ）化合物Ｅ−２の合成
窒素雰囲気下にて１５０ｍｌの脱水ＴＨＦに８．９ｇ（２４．９ｍｍｏｌ）のトリフェニルホスホニウムブロミドを加え、−７４℃に冷却して攪拌をした。次いで、濃度１．６ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液１５．６ｍｌ（２５．０ｍｍｏｌ）を３０分程度かけてゆっくりと滴下した。氷浴下で３０分反応させた後、脱水ＴＨＦ１０ｍｌに溶解させた３．３ｇのＥ−１（１３．９ｍｍｏｌ）を１５分程度かけて滴下した。その後、氷浴下で３０分保持してから、室温で３０分反応させた。次に、塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：６）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、化合物Ｅ−２を３．２ｇ得た。収率は９７．８％であった。
【０１３１】
［例５−３］化合物（Ｅ−３）の合成
【化２２】
【０１３２】
（ｃ）化合物Ｅ−３の合成
１５０ｍｌの脱水ＴＨＦに３．２ｇ（１３．６ｍｍｏｌ）の化合物Ｅ−２を溶解した後、窒素雰囲気で氷浴の下、濃度０．５ｍｏｌ／Ｌの９−ＢＢＮ ＴＨＦ溶液を３６．３ｍｌ（１８．２ｍｍｏｌ）を１５分程度かけて滴下し、６５℃に昇温して１２時間攪拌した。その後、１．３Ｎの水酸化ナトリウム水溶液２０ｍｌを氷浴下にて１０分かけて滴下し、次いで３０％過酸化水素水３０ｍｌを氷浴下にて２０分かけて滴下した。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、化合物Ｅ−３を２．９ｇ得た。収率は８４．４％であった。
【０１３３】
［例５−４］化合物（Ｅ）の合成
【化２３】
【０１３４】
（ｄ）化合物Ｅの合成
２００ｍｌの脱水ＴＨＦに、２．９ｇ（１１ｍｍｏｌ）の化合物Ｅ−３と、１．８ｍｌ（１３ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを溶解させて攪拌した。窒素雰囲気・氷浴下で、脱水ＴＨＦ１０ｍｌに溶解させた１．１ｍｌ（１３ｍｍｏｌ）のアクリロイルクロリドを１０分程度かけて滴下した。希塩酸と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｅを２．６ｇ得た。収率は７４％であった。
【０１３５】
重合性化合物Ｅの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：１．３６（９Ｈ、ｓ）、３．０２（２Ｈ、ｔ）、４．４０（２Ｈ、ｔ）、５．８３（１Ｈ、ｍ）、６．１２（１Ｈ、ｍ）、６．４０（１Ｈ、ｍ）、７．２８−７．５４（８Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ｅの融点は６７℃であった。
【０１３６】
＜重合性化合物の合成例６＞
下記の合成スキームに示す方法に従い、化合物（Ｆ−１）および（Ｆ−２）を経て重合性化合物Ｆを合成した。
【０１３７】
【化２４】
【０１３８】
［合成例６］ 化合物（Ｆ）の合成例
【化２５】
【０１３９】
以下、重合性化合物Ｆにおける上記合成スキームの各反応について詳細に説明する。
【０１４０】
［例６−１］化合物（Ｆ−１）の合成
【化２６】
【０１４１】
（ａ）化合物Ｆ−１の合成
脱水ＴＨＦ３００ｍｌに水素化ナトリウム５．６ｇ（１５１ｍｍｏｌ）を混ぜ、窒素雰囲気・氷浴下で、脱水ＴＨＦ５０ｍｌに溶解させた４−ビフェニル酢酸エチル１４．５ｇ（６０．４ｍｍｏｌ）を２０分程度かけてゆっくりと滴下した。室温で１時間半攪拌した後、氷浴下でヨードメタン２５ｇ（１７．６ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で４時間反応させた。氷浴下で飽和塩化アンモニウム水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：７）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、無色透明液体の化合物Ｆ−１を１４．４ｇ得た。収率は８８．９％であった。
【０１４２】
［例６−２］化合物（Ｆ−２）の合成
【化２７】
【０１４３】
（ｂ）化合物Ｆ−２の合成
脱水ＴＨＦ２５０ｍｌに水素化リチウムアルミニウム４．１ｇ（１０８ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気・氷浴下で混ぜ、脱水ＴＨＦ５０ｍｌに溶解させた１４．４ｇのＦ−１（５３．７ｍｍｏｌ）を３０分程度かけてゆっくりと滴下した。室温で８時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水を４０ｍｌ滴下した後、酢酸エチル１７４ｍｌとメタノール２０ｍｌとトリエチルアミン６ｍｌの混合溶媒を氷浴下でゆっくりと滴下した。固体成分をろ過した後に有機層を１００ｍｌ程度まで留去した。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。ジクロロメタンを用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｆ−２を１０．０ｇ得た。収率は８２．４％であった。
【０１４４】
［例６−３］化合物（Ｆ）の合成
【化２８】
【０１４５】
（ｃ）化合物Ｆの合成
３００ｍｌの脱水ＴＨＦに、１０．０ｇ（４４．２ｍｍｏｌ）の化合物Ｆ−２と、７．３ｍｌ（５２．０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを溶解させて攪拌した。窒素雰囲気・氷浴下で、脱水ＴＨＦ１０ｍｌに溶解させた４．４ｍｌ（５３．２ｍｍｏｌ）のアクリロイルクロリドを１５分程度かけて滴下した。希塩酸と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：６）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｆを９．８ｇ得た。収率は７９．１％であった。
【０１４６】
重合性化合物Ｆの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：１．４２（６Ｈ、ｓ）、４．２５（２Ｈ、ｓ）、５．８０（１Ｈ、ｍ）、６．１０（１Ｈ、ｍ）、６．３６（１Ｈ、ｍ）、７．３１−７．６１（９Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ｆの融点は４３℃であった。
【０１４７】
＜重合性化合物の合成例７＞
下記の合成スキームに示す方法に従い、化合物（Ｇ−１）、（Ｇ−２）および（Ｇ−３）を経て重合性化合物Ｇを合成した。
【０１４８】
【化２９】
【０１４９】
［合成例７］化合物（Ｇ）の合成例
【化３０】
【０１５０】
以下、重合性化合物Ｇにおける上記合成スキームの各反応について詳細に説明する。
【０１５１】
［例７−１］化合物（Ｇ−１）の合成
【化３１】
【０１５２】
（ａ）化合物Ｇ−１の合成
２−（４−ブロモフェニル）−２−メチルプロパン−１−オールを８．１ｇ（３５．４ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルクロリドを６．４ｇ（４２．４ｍｍｏｌ）、イミダゾールを２．９ｇ（４２．６ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１００ｍｌに溶解させ、室温で１時間攪拌した。その後、塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、無色透明液体の化合物Ｇ−１を９．３ｇ得た。収率は７６．９％であった。なお、上記式において、ＴＢＤＭＳはｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基を示す。
【０１５３】
［例７−２］化合物（Ｇ−２）の合成
【化３２】
【０１５４】
（ｂ）化合物Ｇ−２の合成
トルエン２５０ｍｌと水１５０ｍｌに、８．０ｇ（２３．３ｍｍｏｌ）の化合物Ｇ−１、５．０ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）の４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸、２４．４ｇ（７４．８ｍｍｏｌ）の炭酸セシウムを溶解させて攪拌しておき、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）１ｇを加え、７０℃で３日間攪拌した。その後、室温に戻した後に塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、無色透明液体の化合物Ｇ−２を８．６ｇ得た。収率は９２．６％であった。
【０１５５】
［例７−３］化合物（Ｇ−３）の合成
【化３３】
【０１５６】
（ｃ）化合物Ｇ−３の合成
ＴＨＦ１５０ｍｌに８．６ｇ（２１．７ｍｍｏｌ）の化合物Ｇ−２を溶解させ、さらにテトラブチルアンモニウムフルオリド８．２ｇ（２６．０ｍｍｏｌ）を添加し、３０分室温で攪拌した。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｇ−３を５．５ｇ得た。収率は９０．０％であった。
なお、上記式において、ＴＢＡＦはテトラブチルアンモニウムフルオリドを示す。
【０１５７】
［例７−４］化合物（Ｇ）の合成
【化３４】
【０１５８】
（ｄ）化合物Ｇの合成
２００ｍｌの脱水ＴＨＦに、５．５ｇ（１９．５ｍｍｏｌ）の化合物Ｇ−３と、３．２ｍｌ（２３．１ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを溶解させて攪拌した。窒素雰囲気・氷浴下で、脱水ＴＨＦ１０ｍｌに溶解させた１．９ｍｌ（２３．０ｍｍｏｌ）のアクリロイルクロリドを１５分程度かけて滴下した。希塩酸と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：８）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｇを２．９ｇ得た。収率は４４．３％であった。
【０１５９】
重合性化合物Ｇの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：１．３６（９Ｈ、ｓ）、１．４２（６Ｈ、ｓ）、４．２４（２Ｈ、ｓ）、５．８０（１Ｈ、ｍ）、６．０９（１Ｈ、ｍ）、６．３５（１Ｈ、ｍ）、７．３１−７．５４（８Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ｇの融点は５６℃であった。
【０１６０】
＜光硬化性組成物の重合と屈折率評価＞
（実施例１）
化合物Ａ１００重量部に、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、商品名「ＩＣ１８４」）を０．５重量部加え、加熱しながら均一になるまで攪拌して、光硬化性の重合性組成物Ａを得た。
次に、２枚のガラス板の角４箇所を、直径１０μｍのガラスビーズを配合した接着剤を用いて貼り合わせて、ガラス間に１０μｍの間隔を設けたガラスセルを作製した。このガラスセルの内部に、上記の光硬化性の重合性組成物Ａを液体状態で注入した後、ガラス板に対して垂直方向から紫外線を２分間照射し、セルＡを得た。用いた高圧水銀灯の照度は、波長３６５ｎｍで１００ｍＷ／ｃｍ２であった。その後、カッターを用いてセルＡの２枚のガラス板の一方を剥離し、片面に付着した光学材料、すなわち硬化膜（以下、硬化膜と示す。）を有する試験片Ａを得た。プリズムカプラ（Ｍｅｔｒｉｃｏｎ社製、商品名「Ｍｏｄｅｌ２０１０」）を用い、室温で波長４０４ｎｍ、６３３ｎｍおよび７９１ｎｍにおける屈折率を測定したところ、それぞれ、１．６８６、１．６２６、１．６１５であり、高屈折率の硬化膜であることが確認された。
【０１６１】
次に、３つの波長の屈折率をもとにして、コーシーの分散式（ｎ（λ）＝Ａ＋Ｂ／λ２＋Ｃ／λ４）のパラメーターＡ、Ｂ、Ｃを、最小２乗法を用いたフィッティングから求めることによって４００ｎｍ〜８００ｎｍにおける屈折率を導出し、そのフィッティング値をもとに５８９ｎｍにおける屈折率ｎｄ、およびアッベ数νｄを算出したところ、ｎｄは１．６３２、νｄは２１．６であった。得られたアッベ数νｄより、高波長分散性の硬化膜であることが確認された。
【０１６２】
（実施例２〜７）
化合物Ａに代えて化合物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ＦおよびＧを用いたこと以外は、実施例１と同様にして光硬化性の重合性組成物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを得た。これらの重合性組成物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを用いてセルＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを得た後、セルの片側のガラスを剥離して、試験片Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを作製した。試験片Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを室温で屈折率を測定し、ｎｄおよびνｄを算出したところ、それぞれ、５８９ｎｍの屈折率ｎｄは１．６４０、１．５７０、１．５６７、１．５８１、１．６００、１．５７１であり、アッベ数νｄは、２０．３、２６．３、２８．６、２５．９、２５．４、２６．３であり、いずれも高屈折率で、かつ波長分散性の高い樹脂であることが確認された。
【０１６３】
＜光硬化性組成物の重合と耐光性評価＞
（実施例８）
ガラスセルの製造に、片側面に反射防止膜をコーティングしたガラス板を用い、コーティング面と反対側の面を互いに対向させ、さらに接着剤に配合するガラスビーズの直径を２０μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ガラスセルを作製した。化合物Ａ１００重量部に、光開始剤として、（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、商品名「ＩＣ１８４」）を０．５重量部加え、加熱しながら均一になるまで攪拌し、液状の光硬化性組成物Ａを得た。得られた組成物を液体の状態で上記のガラスセルの内部に注入し、ガラス板に対して垂直方向から紫外線を２分間照射して積層体Ａを得た。尚、用いた高圧水銀灯の照度は、波長３６５ｎｍにて１００ｍＷ／ｃｍ２であった。
上記の積層体Ａに、８０℃で発振波長４０６ｎｍの青色ＬＤ光を７Ｗ・ｈｏｕｒ／ｍｍ２となるまで照射した。照射前後で透過率を測定したところ、透過率変化△ＴＬＤは１％未満であった。尚、ここで、△ＴＬＤ＝（照射前の青色ＬＤ光透過率）−（照射後の青色ＬＤ光透過率）である。
【０１６４】
（実施例９〜１４）
化合物Ａに代えて、化合物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを用いたこと以外は、実施例８と同様にして、積層体Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ＦおよびＧを作製した。実施例８と同様にして、耐光性試験を行い、積層体Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ＦおよびＧの△ＴＬＤを測定したところ、いずれも１％未満であり、高い耐光性を有することが分かった。
【０１６５】
（比較例１）
化合物Ａに代えて下記の化合物Ｈを用いたこと以外は、実施例１と同様にしてセルＨを作製し、硬化膜が付着した試験片Ｈを得た。室温で屈折率を測定したところ、５８９ｎｍにおける屈折率が１．５７３、アッベ数νｄが２８．７であった。
【０１６６】
【化３５】
【０１６７】
次いで、実施例８と同様にして積層体Ｈを得た後、その透過率を測定したところ、透過率変化△ＴＬＤは４％であった。
【０１６８】
（比較例２）
化合物Ａに代えて下記の化合物Ｉを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、セルＩを作製し、硬化膜が付着した試験片Ｉを得た。室温で屈折率を測定したところ、５８９ｎｍにおける屈折率が１．６０７、アッベ数νｄが２５．４であった。
【０１６９】
【化３６】
【０１７０】
次いで、実施例８と同様にして、積層体Ｉを得た後、その透過率を測定したところ、過率変化△ＴＬＤは５８％であった。
【０１７１】
（比較例３）
化合物Ａに代えて下記の化合物Ｊを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、セルＪを作製し、硬化膜が付着した試験片Ｊを得た。室温で屈折率を測定したところ、５８９ｎｍにおける屈折率が１．５９６、アッベ数νｄが２６．１であった。
【０１７２】
【化３７】
【０１７３】
次いで、実施例８と同様にして、積層体Ｊを得た後、その透過率を測定したところ、透過率変化△ＴＬＤは６％であった。
【０１７４】
（比較例４）
化合物Ａに代えて下記の化合物Ｋを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、セルＫを作製し、硬化膜が付着した試験片Ｋを得た。室温で屈折率を測定したところ、５８９ｎｍにおける屈折率が１．６５１、アッベ数νｄが２０．３であった。
【０１７５】
【化３８】
【０１７６】
次いで、実施例８と同様にして、積層体Ｋを得た後、その透過率を測定したところ、透過率変化△ＴＬＤは７％であった。
【０１７７】
表１に、重合性化合物Ａ〜Ｇを用いて得られた、実施例１〜７の硬化膜の屈折率ｎｄ、アッべ数νｄ、及び重合性化合物Ａ〜Ｇを用いて得られた実施例８〜１４の積層体Ａ〜Ｇの透過率変化△ＴＬＤを表１に示す。また、化合物Ｈ〜Ｋを用いた比較例１〜４の硬化膜の屈折率ｎｄ、アッべ数νｄ、及び化合物Ｈ〜Ｋを用いて得られた積層体Ｈ〜Ｋの透過率変化△ＴＬＤを表１に示す。
【０１７８】
【表１】
【０１７９】
表１から明らかなように、本発明の重合性化合物を用いて得られた硬化膜は、高い屈折率と高波長分散性を得られるとともに、耐光性にも優れることが確認された。なお、透過率変化△ＴＬＤは１％以下であることが好ましい。
【０１８０】
（比較例５〜８）
化合物Ａに代えて下記の化合物Ｌ、Ｍ、ＮおよびＯを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、セルＬ〜Ｏを作製し、硬化膜が付着した試験片Ｌ〜Ｏを得た。
なお、化合物Ｌ、Ｍ、ＮおよびＯは、特許文献３に記載の化合物である。
試験片Ｌ〜Ｏの硬化膜の屈折率を室温で測定したところ、５８９ｎｍにおける屈折率は夫々、１．６２２、１．６１６、１．６０９、１．５９９、アッベ数νｄは夫々、２６．４、２７．２、２７．８、２９．１であった。
【０１８１】
【化３９】
【０１８２】
【化４０】
【０１８３】
【化４１】
【０１８４】
【化４２】
【０１８５】
実施例１〜７の化合物Ａ〜Ｇから得られる各硬化膜、及び比較例５〜７の化合物Ｌ〜Ｏから得られる各硬化膜の、屈折率ｎｄとアッべ数ｖｄとの関係を図５に示す。
図５から明らかなように、本発明の重合性化合物を用いて得られる各硬化膜は、比較例の重合性化合物を用いて得られる硬化膜と比較して、高屈折率領域でもアッベ数ｖｄが小さく、高波長分散性を有することが確認された。
以上より、本発明の重合性ビフェニレン化合物は、高耐光性、高屈折率、高波長分散性を兼ね備えた材料であることが確認でされた。
【符号の説明】
【０１８６】
１Ａ〜１Ｃ…波長選択性回折素子、１１Ａ，１４Ａ，１１Ｂ，１４Ｂ，１１Ｃ，１６Ｃ，１７Ｃ…透明基板、１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１５Ｃ…回折格子、１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１４Ｃ…充填部材、１ａ…第１部材、１ｂ…第２部材、１１１…光ヘッド装置、１１２…光源、１１３…波長選択性回折格子、１１４…ビームスプリッタ、１１５…コリメータレンズ、１１６…光ディスク、１１７…記録層、１１８…対物レンズ、１１９…光検出器
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビフェニレン骨格を有する新規な重合性化合物、この重合性化合物を含む重合性組成物、この重合性組成物を用いた光学材料、この光学材料を用いた光学素子および光ヘッド装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高屈折率の樹脂材料は、光学素子を小型化、高効率化できることから、光学材料として広く利用されている。具体的には、ディスプレイ用パネル、眼鏡レンズ、光ディスクまたは光学フィルタなどに用いられている。
近年、これらの用途において、光強度の増大や使用波長の短波長化が進められており、これに伴い、高屈折率樹脂材料の耐光性の改善が求められている。
高屈折率樹脂材料等の光学材料が耐光性に劣る場合、部品や素子に使用したときに、時間の経過に伴って、透過率が低下したり、光学歪みが増加したりして、長期間に亘る安定的な使用が困難となるおそれがある。
【０００３】
上述した要求は、特に光ディスクの分野で顕著となっている。例えばＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）等の光ディスクでは、ディスク表面に設けた凹凸部によってピットが形成されている。ピットに記録された情報は、光ヘッド装置によって光ディスク表面にレーザ光を照射し、反射光を検出することで読み取りが行われる。近年、光ディスクの大容量化を図るため、レーザ光をさらに短波長化し、光ディスク上のピットサイズをより小さくする試みが進められている。例えば、波長３００〜４５０ｎｍのレーザ光（以下、青色レーザ光とも記す）を光源として用いる方式が提案されており、特にＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｋ）では、近年著しい成長が見られている。
【０００４】
このような光ヘッド装置に使用される光学材料としては、高い耐光性とともに高屈折率性が要求される。例えば偏光ホログラム素子は、光ヘッド装置の偏光分離素子として用いられるものであり、複屈折性樹脂と等方性樹脂とを積層した構造を有している。このような偏光ホログラム素子では、複屈折性樹脂の常光線方向の屈折率又は異常光線方向の屈折率を、等方性樹脂の屈折率と略等しくなるように構成することで、偏光特性と回折効率の向上を図っている。
しかしながら、一般に、高屈折率材料は屈折率の波長分散が大きいため、短波長の光に対する吸収が大きくなる傾向がある。したがって、例えば１．５５以上の高い屈折率を有する複屈折性樹脂を用いた場合、これに適合する高屈折率の等方性樹脂は、耐光性が十分でなく、透過率の低下などの問題が生じ易いという問題がある。
【０００５】
また、後述する波長選択性回折素子においては、屈折率の波長分散性が小さい（以下、低波長分散性と記す）材料と、屈折率の波長分散性が大きい（以下、高波長分散性と記す）材料とを積層して、回折格子が形成されている。
この場合、高波長分散性材料は、その波長分散性が高いほど、低波長分散性材料との間の波長選択的な屈折率差を拡大することが可能となり、格子高さを低減でき、製造プロセスや回折効率の面で好ましい特性を得ることができる。
しかしながら、高波長分散性材料は、一般に、長波長側に吸収帯を有する必要があり、上述した高屈折率材料と同様に、耐光性に劣り易い。
【０００６】
光学材料として用いられる高屈折率樹脂材料として、従来、例えばフルオレン、テトラフェニルメタン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン又はビフェニル等の骨格を有する化合物が提案されている（特許文献１〜２参照。）。
特許文献１〜２に記載の化合物は、分子中の重合基の数を増やす、または光安定化剤を添加するなどの手段により、樹脂材料の耐光性をある程度向上させることが可能である。しかしながら、この場合でも、十分な耐光性を得ることは困難であり、耐光性のさらなる向上が求められている。
【０００７】
一方、特許文献３では、高屈折率性と高耐光性とを両立可能な材料として、ケイ素化合物が開示されている。しかしながら、特許文献３に記載のケイ素化合物でも、耐光性、波長分散性が不十分であり、高い耐光性を維持し、かつ波長分散性を向上させることが求められている。
しかしながら、高屈折率性と高耐光性、又は波長分散性と高耐光性とは、互いに相反する傾向にあり、これらをともに向上させることは困難であった。また、高屈折率性、高波長分散性、及び高耐光性とを、全て十分なレベルまで向上させることは、さらに困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−３１５７４４号公報
【特許文献２】特開２００５−２９８６６５号公報
【特許文献３】ＷＯ２００９−１３９４７６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、高屈折率性と高波長分散性とを有し、かつ優れた耐光性を有する重合性化合物の提供を目的とする。
また、本発明は、この重合性化合物を用いた重合性組成物、この重合性組成物により作成される光学材料、この光学材料を用いた光学素子、光ヘッド装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、下記式（１）で示される重合性化合物を提供する。
【化１】
但し、式中の記号は以下の意味を示す。
Ａ：水素原子又は下記式（２）〜（５）から選択される基。
ＶｗＨ（３−Ｗ）Ｃ− ・・・ （２）
ＰｈｘＹ（３−ｘ）Ｓｉ− ・・・ （３）
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ１−ＣＨｌ（ＣＨ３）（２−ｌ）− ・・・（４）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ１−ＳｉＰｈｐ１（ＣＨ３）（２−ｐ１）− ・・・（５）
Ｂ：下記式（６）〜（７）から選択される基。
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ２−ＣＨｋ（ＣＨ３）（２−ｋ）− ・・・（６）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ２−ＳｉＰｈｐ２（ＣＨ３）（２−ｐ２）− ・・・（７）
ｗ：０〜３の整数。
Ｖ：メチル基またはエチル基。但し、ｗが２〜３のときにはＶはそれぞれ異なる基であってもよい。
ｘ：０〜３の整数。
Ｙ：メチル基、シクロヘキシル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｉｓｏ−プロピル基から選択される基。但しｘが０又は１のとき、Ｙは異なる基であってもよい。
Ｊ：ＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−、エポキシ基、ビニル基及びビニルエーテル基から選択される基。
Ｒ：水素原子又はメチル基。
ｌ：０〜１の整数。
ｋ：０〜２の整数。ただし、Ａが水素原子の場合、ｋは２を除く。
ｍ１、ｍ２：それぞれ独立して０〜１２。
ｎ１、ｎ２：それぞれ独立して１〜１２。
ｐ１、ｐ２：それぞれ独立して０〜２。
但し、式（２）の置換基Ｖ、式（３）のフェニル基及び置換基Ｙ並びに式（４）〜（７）のアルキレン基の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよく、ビフェニル基又はビフェニレン基の水素原子の一部または全部がメチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよい。
【００１１】
前記重合性化合物は、Ａが式（３）で示される基であることが好ましい。また、前記重合性化合物は、Ａがトリフェニルシリル基であることが好ましい。また、前記重合性化合物は、Ａがトリフェニルシリル基であり、Ｂが式（７）で示される基であることが好ましい。
【００１２】
また、前記重合性化合物は、Ａが式（５）で示される基であり、Ｂが式（７）で示される基であることが好ましい。
【００１３】
また、前記重合性化合物は、Ｂが式（６）で示される基のとき、ｋ＝０であることが好ましい。また、前記重合性化合物は、Ｂが式（７）で示される基のとき、ｐ２＝０であることが好ましい。
また、前記重合性化合物は、Ａがｔｅｒｔ−ブチル基であることが好ましい。
また、前記重合性化合物は、ｎ１、ｎ２がそれぞれ独立して１〜３であり、ｍ１、ｍ２がそれぞれ独立して１〜２であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明は、上記式（１）で示される重合性化合物を含有する重合性組成物を提供する。
【００１５】
また、本発明は、上記本発明の重合性組成物を硬化してなる光学材料を提供する。
【００１６】
また、本発明は、上記本発明の光学材料を用いてなる光学素子を提供する。
【００１７】
また、本発明は、上記本発明の光学素子を用いてなる光ヘッド装置を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、高い屈折率性と高波長分散性を有し、かつ耐光性に優れた重合性化合物を提供することができる。また、本発明によれば、本発明の重合性化合物を用いた重合性組成物を硬化させることにより、高屈折率性、高波長分散性、及び高い耐光性とを併せ持つ光学材料を提供することができる。
また、本発明によれば、耐光性に優れた光学素子を提供することができ、この光学素子を用いることにより、大容量化に適した光ヘッド装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図である。
【図４】本発明の一実施形態である光ヘッド装置の構成を模式的に示す図である。
【図５】各硬化膜（光学材料）の屈折率ｎｄとアッべ数ｖｄとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本明細書においては、式（１）で表される化合物を化合物（１）とも記す。他の化合物についても同様に記す。
【００２１】
【化２】
【００２２】
すなわち、本発明の化合物（１）は、ビフェニレン骨格を主骨格として有しており、その各環基上の水素原子が、Ａ及びＢによって、それぞれ異なる環基上で置換された構造を有している。このように、ビフェニレン骨格を主骨格とすることにより、フェニル基、フェニレン基などの単一環を主骨格とする化合物と比較して、高屈折率性や、高波長分散性を得ることができる。
なお、式（１）において、Ａが水素原子の場合には、式（１）の主骨格は「ビフェニル基」であり、Ａが水素原子以外の基である場合には、式（１）の主骨格は「ビフェニレン基」である。
さらに、ビフェニル基又はビフェニレン基との結合原子を炭素原子又はケイ素原子とし、これら炭素原子又はケイ素原子の少なくとも一つを３級以上の炭素原子、ケイ素原子とすることにより、ビフェニル骨格を有する従来の化合物と比較して、高い耐光性を得られることを見出した。
【００２３】
Ａ又はＢによる、ビフェニレン基の置換位置は、特に限定されないが、４位及び４’位で置換した場合には、化合物（１）の直線性が高められ、樹脂のガラス転移温度が高められる。したがって、ビフェニレン基の置換位置は、４位、４’位であることが好ましい。
但し、化合物（１）の融点や屈折率を制御する観点からは、ビフェニレン基が２位、２’位で置換されていてもよい。また、Ａ、Ｂ以外に、ビフェニル基又はビフェニレン基に結合する水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子で置換されていてもよい。
【００２４】
式（１）中、Ａは、水素原子又は下記式（２）〜（５）から選択される基である。
【００２５】
ＶｗＨ（３−Ｗ）Ｃ− ・・・（２）
ＰｈｘＹ（３−ｘ）Ｓｉ− ・・・（３）
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ１−ＣＨｌ（ＣＨ３）（２−ｌ）− ・・・（４）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ１−ＳｉＰｈｐ１（ＣＨ３）（２−ｐ１）− ・・・（５）
【００２６】
式（１）中、Ｂは下記式（６）〜（７）のいずれかの基である。
【００２７】
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ２−ＣＨｋ（ＣＨ３）（２−ｋ）− ・・・（６）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ２−ＳｉＰｈｐ２（ＣＨ３）（２−ｐ２）− ・・・（７）
【００２８】
式（２）は、メチル基の水素原子を置換基Ｖで置換した基であり、Ｖはメチル基またはエチル基である。
また、メチル基またはエチル基は、融点や波長分散性を調整するために、耐光性を著しく損なわない範囲で水素原子の一部または全部がメチル基、メトキシ基、フッ素原子で置換されていてもよい。
式（２）において、ｗは０〜３の整数であるが、耐光性を向上させる観点からは、ｗは３であることが好ましい。なお、ｗが２〜３の場合には、Ｖは同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。
【００２９】
式（３）は、ケイ素原子にフェニル基、及び置換基Ｙが結合したものであり、置換基Ｙは、メチル基、シクロヘキシル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｉｓｏ−プロピル基から選択される。このうち、置換基Ｙとしては、より高い耐光性を得る観点からは、シクロヘキシル基またはｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。また、置換基Ｙのメチル基、シクロヘキシル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｉｓｏ−プロピル基は、水素原子の一部または全部がメチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよく、またフェニル基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部が、メチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよい。
【００３０】
ｘは０〜３の整数であるが、高屈折率、高波長分散性を確保し、かつ耐光性を向上させる観点からは、ｘは２〜３であることが好ましい。
なお、ｘが０又は１のときは、Ｙは同一の基であってもよく、異なる基であってもよいが、原料の調達のし易さや、合成上の便宜の観点からは、同一の基であることが好ましい。
【００３１】
式（４）〜（７）において、ＪはＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−、エポキシ基、ビニル基及びビニルエーテル基から選択される基であるが、このうちＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−は、光重合反応を短時間で行うことができ、生産性に優れるため好ましい。
このうち、Ｊとしてエポキシ基を用いた場合、光カチオン重合による重合反応が可能であるが、一般に、重合の際に加える光開始剤により、耐光性が低下するおそれがある。また、Ｊがエポキシ基の場合、熱重合による重合反応も可能であるが、重合に長時間を要するおそれがある。
したがって、Ｊとしては、光ラジカル重合が可能なＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−を用いることが好ましい。
【００３２】
ＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−のうち、Ｒは水素原子またはメチル基であり、具体的にはＲが水素原子のときはＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−はアクリロイルオキシ基であり、Ｒがメチル基のときはＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−はメタクリロイルオキシ基である。
一般に、アクリロイルオキシ基は、メタクリロイルオキシ基と比較して反応が速やかに進行する。このため、重合反応を効率的に行う観点からは、Ｒが水素の場合、すなわちJがアクリロイルオキシ基であることが好ましい。
なお、重合性組成物中に、既知の安定化剤、例えば、フェノール系酸化防止剤やヒンダードアミン系光安定化剤などを添加剤として加えることにより、系全体を安定化させることが可能であるが、Ｊがアクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基のときは、使用可能な安定化剤の種類の制約も少ないため、安定化剤を添加することによる、耐光性のさらなる向上を図ることも可能である。
また、式（４）〜（７）において、ＪがＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−の場合、アルキレン基の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子で置換されていてもよい。
【００３３】
Ａが上記式（４）で示される基のとき、ｍ１は、０〜１２であるが、重合性を維持し、かつより高い屈折率とガラス転移点を維持する観点からは、ｍ１は１〜２であることが好ましい。
ｍ１が０の場合には、化合物（１）の重合性が損なわれるおそれがある。一方、ｍ１が３を超える場合には、屈折率が低下したり、ガラス転移温度が低下したりするおそれがある。
【００３４】
化合物（１）の屈折率を調整する観点から、式（４）における（ＣＨ２）ｍ１の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基又はフッ素原子で置換されていてもよい。特に、（ＣＨ２）ｍ１の水素原子をフッ素原子で置換した場合には、低屈折率領域において波長分散性を向上させることができるため、フッ素原子による置換数により、化合物（１）の波長分散性を制御することも可能である。またさらに、（ＣＨ２）ｍ１のメチレン基の一部は、酸素に置換されてもいても良い。
【００３５】
耐光性をより向上させる観点から、ビフェニレン基と結合する炭素原子がメチル基を少なくとも１つ有することがよい。
このため、式（４）中、ｌは０又は１であるが、耐光性を向上させる観点からは、ｌは０であることが好ましい。
【００３６】
Ａが上記式（５）で示される基のときは、ケイ素原子によってビフェニレン基と結合する構造となるため、耐光性を向上させることができる。
【００３７】
式（５）において、ｎ１は１〜１２であるが、所定のガラス転移温度を維持しながら、より高い屈折率を得る観点からは、ｎ１は１〜３であることが好ましい。
ｎ１が４を超えると、屈折率が低下したり、ガラス転移温度が低下したりするおそれがある。
【００３８】
さらに、化合物（１）の屈折率を調整する観点から、式（５）における（ＣＨ２）ｎ１の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子で置換されていてもよい。特に、（ＣＨ２）ｎ１の水素原子をフッ素原子で置換した場合には、低屈折率領域において波長分散性を向上させることができるため、フッ素原子による置換数により、化合物（１）の波長分散性を制御することも可能である。
また、さらに（ＣＨ２）ｎ１のメチレン基の一部は、酸素に置換されてもいても良い。
【００３９】
式（５）中、ｐ１は０〜２であるが、より高い耐光性を得る観点からは、ｐ１は０であることが好ましい。一方、より高い屈折率を得る観点からは、ｐ１は２であることが好ましい。
【００４０】
Ｂが式（６）で示される基のとき、ｋは０〜２であるが、耐光性をより向上させる観点から、Ｂの式（６）において、ビフェニル基又はビフェニレン基と結合する炭素原子がメチル基を少なくとも１つ有することが好ましい。すなわち、耐光性を向上させる観点からは、ビフェニル基又はビフェニレン基と結合する炭素原子が３級以上であることがよく、このため、ｋは０又は１であることが好ましく、より好ましくは、ｋは０である。
このように、ビフェニル基又はビフェニレン基と結合する炭素原子が、メチル基を少なくとも１つ有する構造とすることにより、耐光性をより向上させることができる。
【００４１】
但し、Ａが水素原子である場合には、ｋは０又は１である。Ａが水素原子の場合、式（６）のｋが２のときはビフェニル基と結合する炭素原子がメチル基を有しないものとなるが、この場合、ガラス転移温度の低下などにより化合物（１）の耐光性が十分に確保されないおそれがある。
【００４２】
式（６）において、ｍ２は、０〜１２であるが、重合性を維持し、かつより高い屈折率とガラス転移点を維持する観点からは、ｍ２は１〜２であることが好ましい。
ｍ２が０の場合には、化合物（１）の重合性が損なわれるおそれがある。一方、ｍ２が３を超える場合には、屈折率が低下したり、ガラス転移温度が低下したりするおそれがある。
【００４３】
化合物（１）の屈折率を調整する観点から、式（６）における（ＣＨ２）ｍ２の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基又はフッ素原子で置換されていてもよい。特に、（ＣＨ２）ｍ２の水素原子をフッ素原子で置換した場合には、低屈折率領域において波長分散性を向上させることができるため、フッ素原子による置換数により、化合物（１）の波長分散性を制御することが可能である。
また、さらに（ＣＨ２）ｍ２のメチレン基の一部は、酸素に置換されてもいても良い。
【００４４】
Ｂが上記式（７）で示される基のときは、ケイ素原子によってビフェニル基又はビフェニレン基と結合する構造となるため、耐光性を向上させることができる。
【００４５】
式（７）において、ｎ２は１〜１２であるが、所定のガラス転移温度を維持しながら、より高い屈折率を得る観点からは、ｎ２は１〜３であることが好ましい。
ｎ２が４を超えると、屈折率が低下したり、ガラス転移温度が低下したりするおそれがある。
【００４６】
化合物（１）の屈折率を調整する観点から、式（７）における（ＣＨ２）ｎ２の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子で置換されていてもよい。
特に、（ＣＨ２）ｎ２の水素原子をフッ素原子で置換した場合には、低屈折率領域において波長分散性を向上させることができるため、フッ素原子による置換数を調整することにより、化合物（１）の波長分散性を制御することが可能である。
また、さらに（ＣＨ２）ｎ２のメチレン基の一部は、酸素に置換されてもいても良い。
【００４７】
式（７）中、ｐ２は０〜２であるが、より高い耐光性を得る観点からは、ｐ２は０であることが好ましい。一方、より高い屈折率を得る観点からは、ｐ２は２であることが好ましい。
【００４８】
式（２）〜（５）で表わされる基のうち、Ａが式（３）の基の場合には、高い屈折率と高い波長分散性を得られるため好ましい。この中でも、Ａがトリフェニルシリル基であるものが好ましい。
すなわち、下記式（８）に示す化合物（以下、化合物（８）と示す。）が好ましい。
【００４９】
【化３】
【００５０】
トリフェニルシリル基は、分極率の高いフェニル基が、ケイ素原子に３つ結合しているため、これとビフェニレン基とが結合することにより、屈折率が高く、耐光性に優れるとともに、波長分散性の高い化合物（１）とすることができる。
【００５１】
式（８）において、Ｂは式（６）又は式（７）であるが、耐光性を高める観点からは、式（８）中でのビフェニレン基との結合原子が、３級以上の炭素原子又はケイ素原子であることが好ましく、４級の炭素原子又はケイ素原子であることがより好ましい。
このため、式（８）において、Ｂが式（６）のときはｋが０であることが好ましい。
また、式（８）において、Ｂが式（７）で示される基のときは、低融点化を図る観点からは、ｐ２が０であることが好ましい。
【００５２】
また、本発明の化合物（１）のうち、Ａがｔｅｒｔ−ブチル基であるものが好ましい。すなわち、下記式（９）に示される化合物が好ましい。
【００５３】
【化４】
【００５４】
式（９）に示すように、主骨格であるビフェニレン基にｔｅｒｔ−ブチル基が結合することにより、立体的に嵩高い分子構造を得られるため、光学材料としたときに高いガラス転移温度を得ることができ、また高い耐光性を得られるため好ましい。
【００５５】
式（９）において、Ｂは式（６）又は式（７）から選択されるが、耐光性を高める観点からは、式（９）中でのビフェニレン基との結合原子が、３級以上の炭素原子又はケイ素原子であることが好ましく、４級の炭素原子又はケイ素原子であることがより好ましい。
このため、Ｂが式（６）で示される基のときは、ｋが０であることが好ましい。また、Ｂが式（７）で示される基のときは、低融点化を図る観点からは、ｐ２が０であることが好ましい。
【００５６】
また、本発明の化合物（１）は、Ａ、Ｂがともに重合性基を有する基の場合、すなわち、Ａが式（４）又は式（５）から選ばれる基の場合にも、高い耐光性を得られるため好ましい。
より耐光性を高める観点からは、式（１）におけるビフェニレン基との結合原子が３級以上の炭素原子又はケイ素原子であることが好ましく、４級の炭素原子又はケイ素原子であることがより好ましい。
このため、Ａが式（４）で示される基のときは、ｌが０であることが好ましい。また、Ｂが式（６）で示される基のときは、ｋが０であることが好ましい。
【００５７】
式（１）において、Ａ、Ｂがともに重合性基を有すると、これを含む重合性組成物を重合したときに架橋成分が形成されて、高い耐光性を得ることができる。一方、このように、ＡとＢがともに重合性基を有すると、重合収縮が進行し過ぎるおそれがある。このため、ＡとＢがともに重合性基を有するときは、化合物（１）の配合量を適宜調整することが好ましい。
【００５８】
この中でも、特にＡが式（５）で示される基でかつｐ１が０あり、Ｂが式（７）で示される基でかつｐ２が０であるときは、低融点かつ高い耐光性を得られるため好ましい。
【００５９】
本発明の化合物（１）は、重合性組成物の一成分として用いることが好ましい。
重合性組成物は、重合性化合物として、化合物（１）の一種を単独で含むものであってもよく、化合物（１）から選ばれる２種以上の化合物を含むものであってもよい。またさらに、重合性化合物は、化合物（１）の一種又は二種以上と、化合物（１）以外の重合性化合物とを混合して含むものであってもよく、また、非重合性化合物を含むものであってもよい。
重合性組成物に用いる化合物としては、その用途に応じて適宜選択することができ、例えば、高屈折率性、高波長分散性又は高耐光性が求められる用途に用いる場合には、これらの性質を併有する化合物（８）が好適に用いられる。
一方、低温での操作性が求められる用途に用いる場合には、低融点を有する化合物（１）として、例えばＡが式（５）であり、Ｂが式（７）であるものが好適に用いられる。
【００６０】
重合性組成物に添加する、化合物（１）以外の重合性化合物としては、融点、粘度、屈折率、波長分散性等の観点から、その目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されるものではない。
高屈折率で、かつ耐光性に優れた樹脂を得る観点からは、重合性組成物に含まれる重合性化合物のうち、化合物（１）の含有率は、１０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましい。
【００６１】
本発明の重合性組成物は、重合反応に用いる反応開始剤を含有していてもよい。重合反応としては、例えば光重合反応、熱重合反応が挙げられるが、光重合反応は、周辺部材に対する熱的影響を殆ど与えることなく重合反応が可能なため、好ましく用いられる。
光重合反応には、紫外線または可視光線などの光線を用いることができるが、特に紫外線を用いた場合には、重合反応速度が速いため、好ましく用いられる。
【００６２】
光重合開始剤としては、既知の材料を用いることができ、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ベンゾイン類、ベンジル類、ミヒラーケトン類、ベンゾインアルキルエーテル類およびベンジルジメチルケタール類から１種または２種以上を適宜選択して使用することができる。光重合開始剤の量は、組成物の総量に対して、０．０５質量％〜５質量％とすることが好ましく、０．１質量％〜２質量％とすることが特に好ましい。
【００６３】
本発明の重合性組成物に添加可能な他の成分としては、例えば、紫外線吸収剤、酸化防止剤および光安定化剤など安定化剤が挙げられる。これらの成分の、重合性組成物に対する添加量は、重合性組成物の総量に対して、５質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることが特に好ましい。
本発明の重合性組成物には、有機溶剤が含まれていてもよいが、組成物の希釈を目的として用いる場合には、有機溶剤でなく低粘性の重合性化合物を用いる方が好ましい。
なお、重合の際の取り扱いを容易にするため、熱重合を生じない範囲の温度で加熱して、粘度を低下させて用いることがよい。
【００６４】
本発明の重合性化合物を用いることにより、高屈折率性と高波長分散性と耐光性とを兼ね備えた光学材料を得ることができる。
【００６５】
上述したように、本発明の重合性化合物を含む重合性組成物を硬化させることにより、特に、光硬化性の重合性組成物を光硬化させることにより、高屈折率性と高波長分散性と耐光性を兼ね備えた光学材料を得ることができる。
【００６６】
さらに、本発明は、本発明の重合性化合物（１）を含む重合性組成物を硬化して得られる光学材料を用いた光学素子を提供することが可能である。
一般に、１．５５以上の屈折率を有する光学材料は、優れた耐光性を得ることができず、また、耐光性に優れた光学材料において、１．５５以上の屈折率を得ることは困難であった。重合性化合物（１）を用いた本発明の光学材料では、高い屈折率を得られるため、例えば、波長５８９ｎｍで、１．５５以上の屈折率が必要とされる用途において、好ましく用いられる。またさらに、本発明の光学材料では、高屈折率性と高い耐光性とを共に得られるため、これらの特性を要求される光学素子に、好適に用いることができる。
本発明の光学材料が好適に用いられる光学素子としては、例えば、１．５５〜１．６０の屈折率ｎｄが必要とされる偏光ホログラム素子や、１．６０〜１．７０の屈折率ｎｄが必要とされる波長選択性回折素子が挙げられる。
【００６７】
また、本発明の光学材料は、高屈折率性とともに、高い波長分散性を有するため、高波長分散性が必要とされる光学素子においても好ましく用いられる。
本発明の光学材料は、屈折率ｎｄとアッベ数νｄとが、νｄ≦２１３−１１５・ｎｄ（ｎｄ≧１．５５）の関係式を満たす範囲にある。このため、このような範囲の波長分散性が必要とされる用途において、好ましく用いられる。
このような高波長分散性が求められる光学素子として、例えば波長選択性回折素子を挙げることができ、その構成材料として、本発明の光学材料が好適に用いられる。
この際、格子高さをより低くし、製造プロセスの効率性及び回折効率を向上させる観点から、より高い波長分散性を有する光学材料を用いることが好ましく、屈折率ｎｄ≧１．６０において、アッベ数νｄ≦２９であることが好ましく、アッベ数νｄ≦２６であることがより好ましい。
【００６８】
ここで、本発明の光学材料を用いた光学素子の一例として、波長選択性回折素子について説明する。以下、入射する光の波長を、波長λ１、波長λ２（λ１＜λ２）とする。
【００６９】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図であり、図１（ａ）は、波長選択性回折素子１Ａに波長λ１の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図であり、図１（ｂ）は、波長選択性回折素子１Ａに波長λ２の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図である。
図１において、波長選択性回折素子１Ａは、透明基板１１Ａと、透明基板１１Ａの表面に形成された、凹凸部材からなる回折格子１２Ａと、回折格子１２Ａの凹凸部の間に充填される充填部材１３Ａとを備えており、充填部材１３Ａは、その上面に設けられた透明基板１４Ａによって保護されている。
【００７０】
波長選択性回折素子１Ａは、波長λ１の光に対する回折格子１２Ａの屈折率と充填部材１３Ａの屈折率が等しく、波長λ２の光に対する回折格子１２Ａの屈折率と充填部材１３Ａの屈折率が異なるように形成されている。
すなわち、波長λ１の光に対する回折格子１２Ａの屈折率をｎ１２Ａ（λ１）、波長λ１の光に対する充填部材１３Ａの屈折率をｎ１３Ａ（λ１）とし、波長λ２の光に対する回折格子１２Ａの屈折率をｎ１２Ａ（λ２）、波長λ２の光に対する充填部材１３Ａの屈折率をｎ１３Ａ（λ２）としたとき、波長λ１の光と波長λ２に関し、それぞれｎ１２Ａ（λ１）＝ｎ１３Ａ（λ１）、ｎ１２Ａ（λ２）＞ｎ１３Ａ（λ２）＞０の関係を満たすように、回折格子１２Ａ、充填部材１３Ａの構成材料が選択されて形成されている。
【００７１】
このため、図１（ａ）に示すように、波長選択性回折素子１Ａに照射された波長λ１の光は、回折格子１２Ａ、充填部材１３での屈折率がそれぞれ等しいため、回折素子１Ａによる回折作用を受けることなく、回折格子１２Ａを直進透過する。一方、波長λ２の光は、回折格子１２Ａの屈折率、充填部材１３Ａの屈折率が異なるため、回折格子１２Ａに進入すると、図１（ｂ）に示すように、その屈折率差によって回折されて、回折光が得られる。
なお、例えば回折格子１２Ａの高さｄ１、回折格子１２Ａの格子形状などを調整することにより、回折効率を調整することが可能である。また、回折格子１２Ａの格子ピッチを調整することにより、回折角度を制御することも可能である。
このようにして、波長λ１の光に対しては機能せず、波長λ２の光に対してのみ回折機能を発現する波長選択性回折素子１Ａを得ることができる。
【００７２】
ここで、波長選択性回折素子１Ａにおいて、光吸収による透過損失を少なくする観点から、回折格子１２Ａおよび充填部材１３Ａを構成するいずれの材料も、波長λ１と波長λ２の範囲で正常分散を示すことが好ましく、ｎ１２Ａ（λ１）、ｎ１３Ａ（λ１）、ｎ１２Ａ（λ２）、ｎ１３Ａ（λ２）は、それぞれ、ｎ１２Ａ（λ１）＞ｎ１２Ａ（λ２）、ｎ１３Ａ（λ１）＞ｎ１３Ａ（λ２）の関係を満たすことがよい。
この場合、ｎ１２Ａ（λ１）＝ｎ１３Ａ（λ１）＞ｎ１２Ａ（λ２）＞ｎ１３Ａ（λ２）となり、充填部材１３Ａは、回折格子１２Ａ比較してより大きい波長分散性を示す（アッベ数が小さい）ものとなる。
このような充填部材１３Ａの構成材料として、本発明の光学材料を好適に用いることができる。
【００７３】
次に、図２に示す波長選択性回折素子１Ｂについて説明する。
図２は、本発明の第２の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図であり、
図２（ａ）は、波長選択性回折素子１Ｂに波長λ１の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図であり、図２（ｂ）は、波長選択性回折素子１Ｂに波長λ２の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図である。
図２において、波長選択性回折素子１Ｂは、透明基板１１Ｂと、透明基板１１Ｂの表面に形成された、凹凸部材からなる回折格子１２Ｂと、回折格子１２Ｂの凹凸部の間に充填される充填部材１３Ｂとを備えており、充填部材１３Ｂは、その上面に設けられた透明基板１４Ｂによって保護されている。
【００７４】
波長選択性回折素子１Ｂは、波長λ１の光に対する回折格子１２Ｂの屈折率と充填部材１３Ｂの屈折率が異なり、波長λ２の光に対する回折格子１２Ｂの屈折率と充填部材１３Ｂの屈折率が等しくなるように形成されている。
すなわち、波長λ１の光に対する回折格子１２Ｂの屈折率をｎ１２Ｂ（λ１）、波長λ１の光に対する充填部材１３Ｂの屈折率をｎ１３Ｂ（λ１）とし、波長λ２の光に対する回折格子１２Ｂの屈折率をｎ１２Ｂ（λ２）、波長λ２の光に対する充填部材１３Ｂの屈折率をｎ１３Ｂ（λ２）としたとき、波長λ１の光と波長λ２の光に関し、それぞれｎ１２Ｂ（λ１）＞ｎ１３Ｂ（λ１）＞０、ｎ１２Ｂ（λ２）＝ｎ１３Ｂ（λ２）の関係満たすように、回折格子１２Ｂ、充填部材１３Ｂの構成材料が選択されて形成されている。
【００７５】
このため、図２（ａ）に示すように、回折格子１２Ｂに進入した波長λ１の光は、回折格子１２Ｂによって回折されて、回折光が得られる。
このとき、回折格子１２Ｂの格子ピッチを調整することにより、回折角度を制御することも可能である。また、直進光の透過効率と回折光の回折効率は、回折格子１２Ｂの高さｄ２ や回折格子１２Ｂの格子形状を変化させることにより、調整することが可能である。
一方、図２（ｂ）に示すように、回折格子１２Ｂに進入した波長λ２ の光は、回折格子１２Ｂによって回折されることなく直進透過する。
このようにして、波長λ２の光に対しては機能せず、波長λ１の光に対してのみ回折機能を発現する波長選択性回折素子１Ｂを得ることができる。
【００７６】
ここで、波長選択性回折素子１Ｂにおいて、光吸収による透過損失を少なくする観点から、回折格子１２Ｂおよび充填部材１３Ｂを構成するいずれの材料も、波長λ１と波長λ２の範囲で正常分散を示すことが好ましく、ｎ１２Ｂ（λ１）、ｎ１３Ｂ（λ１）、ｎ１２Ｂ（λ２）、ｎ１３Ｂ（λ２）は、例えば、ｎ１２Ｂ（λ１）＞ｎ１２Ｂ（λ２）、ｎ１３Ｂ（λ１）＞ｎ１３Ｂ（λ２）の関係を満たすことがよい。
この場合、ｎ１２Ｂ（λ１）＞ｎ１３Ｂ（λ１）＞ｎ１２Ｂ（λ２）＝ｎ１３Ｂ（λ２）となり、回折格子１２Ｂは、充填部材１３Ｂと比較してより大きい波長分散性を示す（アッベ数が小さい）ものとなる。
このような回折格子１２Ｂの構成材料として、本発明の光学材料を好適に用いることができる。
【００７７】
次に図３に示す波長選択性回折素子１Ｃについて説明する。
図３は、本発明の第３の実施形態に係る波長選択性回折素子の態様を示す模式的な横断面図であり、図３（ａ）は、波長選択性回折素子１Ｃに波長λ１の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図であり、図３（ｂ）は、波長選択性回折素子１Ｃに波長λ２の光が入射したときの作用を示す模式的な横断面図である。
図３において、波長選択性回折素子１Ｃは、上述した（第１の実施態様である波長選択性回折素子１Ａと第２の実施態様である波長選択性回折素子１Ｂとを組み合わせて構成されており、透明基板１１Ｃと、透明基板１１Ｃの表面に形成された、凹凸部材からなる回折格子１２Ｃと、回折格子１２Ｃの凹凸部の間に充填された充填部材１３Ｃとを備えた第１部材１ａを有している。また、第１部材１ａの上方には、透明基板１６Ｃと、透明基板１６Ｃの表面に形成された、凹凸部材からなる回折格子１５Ｃと、回折格子１５Ｃの凹凸部間に充填された充填部材１４Ｃとを備えた第２部材１ｂが設けられており、充填部材１３Ｃと充填部材１４Ｃとで透明基板１７Ｃが挟持された状態で、第１部材１ａと第２部材１ｂとが積層されている。
【００７８】
なお、波長選択性回折素子１Ｃにおいて、第１部材１ａを構成する透明基板１１Ｃ、回折格子１２Ｃ及び充填部材１３Ｃ、並びに透明基板１７Ｃは、それぞれ、上述した波長選択性回折素子１Ａ（図１参照。）における透明基板１１Ａ、回折格子１２Ａ、充填部材１３Ａ及び透明基板１４Ａに該当する。また、波長選択性回折素子１Ｃにおいて、第２部材１ｂを構成する透明基板１６Ｃ、回折格子１５Ｃ及び充填部材１４Ｃ、並びに透明基板１７Ｃは、それぞれ、上述した波長選択性回折素子１Ｂ（図２参照。）における透明基板１１Ｂ、回折格子１２Ｂ、充填部材１３Ｂ及び透明基板１４Ｂに該当する。
【００７９】
波長選択性回折素子１Ｃは、波長λ１の光に対する回折格子１２Ｃの屈折率と充填部材１３Ｃの屈折率が等しく、波長λ２の光に対する回折格子１２Ｃの屈折率と充填部材１３Ｃの屈折率が異なるように形成されている。
また、波長選択性回折素子１Ｃは、波長λ１の光に対する回折格子１５Ｃの屈折率と充填部材１４Ｃの屈折率が異なり、波長λ２の光に対する回折格子１５Ｃの屈折率と充填部材１４Ｃの屈折率が等しくなるように形成されている。
【００８０】
このため、図３（ａ）において、波長λ１の光は、波長選択性回折素子１Ｃの第２部材１ｂに進入すると、回折格子１５Ｃで回折され、次いで第１部材１ａに進入すると、回折格子１２Ｃでは回折されず、透過する。すなわち、波長λ１の光に対しては、回折格子１５Ｃのみが回折格子として機能する。一方、図３（ｂ）において、波長λ２の光は、波長選択性回折素子１Ｃの第２部材１ｂに進入すると、回折格子１５Ｃを透過し、次いで第１部材１ａに進入すると、回折格子１２Ｃで回折される。すなわち、波長λ２の光に対しては、回折格子１２Ｃのみが回折格子として機能する。
したがって、波長選択性回折素子１Ｃは、異なる素子を複合して形成された一つの素子により、２種の波長に対して、それぞれ独立に回折素子として機能することができる。
【００８１】
例えば、上述した波長λ１、及び波長λ２を、それぞれＢＤで使用される４０５ｎｍ波長帯、及びＤＶＤで使用される６６０ｎｍ波長帯とする。
このとき、図１に示す波長選択性回折素子１Ａの回折格子１２Ａ及び充填部材１３Ａが、第１実施形態の関係を有する場合には、４０５ｎｍ波長帯の光を透過し、６６０ｎｍ波長帯の光を回折することができる。
なお、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）で使用される７８５ｎｍ波長帯は、６６０ｎｍ波長帯と屈折率が近いため、７８５ｎｍ波長帯の光も回折可能な波長選択性回折素子を作製することもできる。
また、図２に示す波長選択性回折素子１Ｂの回折格子１２Ｂ及び充填部材１３Ｂが、第２実施形態の関係を有する場合には、４０５ｎｍ波長帯の光を回折し、６６０ｎｍ波長帯の光を透過する波長選択性回折素子を作製することができる。
なお、７８５ｎｍ波長帯は６６０ｎｍ波長帯と屈折率が近いため、７８５ｎｍ波長帯の光も透過する波長選択性回折素子を作製することが可能である。
【００８２】
以上説明した波長選択性回折素子においては、回折格子１２Ａ、１２Ｂの格子高さｄ１ 、ｄ２を調整したり、その格子形状を変化させたりすることで、回折効率を調整することができる。したがって、３ビーム発生用素子またはホログラムビームスプリッタとして、好適な効率を得られる格子高さを用いればよい。また、波長選択性回折素子の凹凸部をブレーズド格子形状またはマルチレベル構造の階段状格子形状とすることにより、特定の次数における回折効率を高めて用いてもよい。またさらに、回折格子のピッチを調整することで、回折角度を調整できるため、所望の回折角度を得ることができる。
これらの素子は、従来の３ビーム発生用素子やホログラムビームスプリッタに用いられている手法を、そのまま波長選択性回折素子に適用することができる。
【００８３】
さらに、本発明の重合性組成物を重合して得られる光学材料は、上述の回折素子以外のその他の回折素子、レンズ等の光学素子に用いることができる。
また、本発明の光学材料をこれら光学素子に用いる場合、これら光学素子の製造方法における手法には限定されず、例えば従来から知られた方法で本発明の光学材料を適用してもよい。またさらに、本発明の光学材料は、光学素子同士を積層したり、光学部品を固定したりする際の接着剤として用いることもできる。
【００８４】
また、本発明の光学材料及びこれを用いた素子は、青色レーザーに対する耐光性に優れている。このため、光ピックアップ装置の用途において好ましく用いることができ、大容量化に適した光ヘッド装置の製造に用いることができる。すなわち、本発明の光学材料を用いた光学素子は、光記録媒体に情報を記録する、および／または、光記録媒体に記録された情報を再生する光ヘッド装置に適しており、特にＢＤのような青色レーザを用いた光情報記録再生装置用の光ヘッド装置に好適である。具体的には、光ヘッド装置のレーザ光の光路中に好ましく配置される。また、従来から高屈折率樹脂が必要とされている、その他用途においても、好適に用いることができる。
【００８５】
以下に、本発明の光ヘッド装置について説明する。
図４は、本発明の一実施形態である光ヘッド装置の構成を模式的に示す図である。
図４に示すように、光ヘッド装置１１１は、レーザ光を出射する光源１１２と、波長選択性回折格子１１３と、レーザ光を透過するビームスプリッタ１１４と、レーザ光を平行化するコリメータレンズ１１５と、光ディスク１１６の記録層１１７に集光する対物レンズ１１８と、光ディスク１１６からの反射光を検出する光検出器１１９とを有している。
波長選択性回折格子１１３は、３ビーム発生用回折格子であり、本実施形態では、上述した波長選択性回折格子１Ｂ（図２参照。）を適用する。
波長選択性回折格子１１３で得られた３ビームは、光ヘッド装置１１１において、ＢＤなどに記録された情報を読み取る際のトラッキング制御において用いられる。
【００８６】
なお、図４では、光源１１２とビームスプリッタ１１４との間に波長選択性回折格子１１３が設けられているが、波長選択性回折格子１１３は、光源１１２と対物レンズ１１８の間の光路中に設けられていればよく、例えば、ビームスプリッタ１１４と対物レンズ１１８との間に波長選択性回折格子１１３を設けてもよい。ただし、図４に示すように、光源１１２とビームスプリッタ１１４の間に波長選択性回折格子１１３を配置することにより、光ディスクからの反射光が、波長選択性回折格子１１３で回折されず、その大半が光検出器１１９に到達するため、光の利用効率が高められるため好ましい。
【００８７】
光源１１２は、例えば半導体レーザダイオードで構成されており、光ディスク１１６の種類に適した波長のレーザ光を生成し、波長選択性回折格子１１３に出射するようにされている。光源１１２には、通常の光ヘッド装置に使用される、一般的なレーザ光源が使用される。具体的には、半導体レーザが好適に用いられるが、半導体レーザ以外のレーザ光源であってもよい。本発明の光学材料は、青色レーザに対して優れた耐光性を有するため、青色レーザを光源とした光ヘッド装置に好適に使用される。
【００８８】
本実施形態では、レーザ光として、波長４０５ｎｍ（波長λ１）、及び６６０ｎｍ（波長λ２）のものを使用する。なお、互いに異なる波長のレーザ光を出射する光源を複数備え、各光源から波長選択性回折格子１１３にレーザ光を出射する構成としてもよい。
波長選択性回折格子１１３は、波長λ１のレーザ光を回折せずに透過した光（０次回折光）と、波長λ１のレーザ光を回折した光（±１次回折光）とを含む３つのビーム（図２（ａ）参照。）をビームスプリッタ１１４に出力する。さらに、波長選択性回折格子１１３は、波長λ２のレーザ光を透過してビームスプリッタ１１４に出力する。
ビームスプリッタ１１４は、透過性の材料、例えば、ガラス、プラスチック等で構成されており、光ディスク１１６からの反射光を反射する反射面を備えている。
コリメータレンズ１１５も、透過性の材料、例えば、ガラス、プラスチック等で構成されており、入射したレーザ光を平行化するように構成されている。
対物レンズ１１８は、所定の開口数ＮＡを有しており、コリメータレンズ１１５からの入射光を光ディスク１１６の記録層１１７に集光し、さらに、記録層１１７からの反射光を捕捉するように構成されている。
光検出器１１９は、レンズやフォトダイオードなどを含んでおり、ビームスプリッタ１１４の反射面によって反射された光ディスク１１６からの反射光を電気信号に変換する。また、光検出器１１９は、波長λ１の３ビームの反射光を受光し、０次回折光により生成された主ビームと、±１次回折光により生成された２つの副ビームとを受光し、２つの副ビーム間の光量差に基づいてトラッキングエラーを検出し、トラッキング制御部（図示せず）に出力する。
【００８９】
光ディスク１１６がＢＤである場合、光ヘッド装置１１１は次のように動作する。
まず、図４に示すように、光源１１２から出射された波長λ１の光は、波長選択性回折格子１１３によって出射光の一部が回折される。これにより、波長選択性回折格子１１３からは、０次回折光と±１次回折光を含む光が出射され、ビームスプリッタ１１４を透過して、コリメータレンズ１１５によって平行光とされる。
コリメータレンズ１１５から出射された平行光は、対物レンズ１１８によって、０次回折光と±１次回折光とが３ビームとなって光ディスク１１６の情報記録トラック上に集光される。次に、光ディスク１１６によって反射された光は、再び対物レンズ１１８よりコリメータレンズ１１５を透過し、ビームスプリッタ１１４で反射されて、０次回折光により生成された主ビームと、±１次回折光により生成された２つの副ビームとが光検出器１１９の受光面に集光される。そして、光検出器１１９によって、２つの副ビーム間の光量差に基づいてトラッキングエラー信号が検出され、トラッキング制御部（図示せず）に出力される。
【００９０】
光ディスク１１６がＤＶＤである場合には、光ヘッド装置１１１は次のように動作する。
まず、図４に示すように、光源１１２から出射された波長λ２の光は、波長選択性回折格子１１３で回折されることなく透過した後、さらにビームスプリッタ１１４を透過して、コリメータレンズ１１５で平行光とされる。その後、この平行光は、対物レンズ１１８によって光ディスク１１６の情報記録トラック上に集光される。そして、光ディスク１１６で反射された光は、再び対物レンズ１１８とコリメータレンズ１１５を透過し、ビームスプリッタ１１４で反射されて光検出器１１９の受光面に集光される。
【００９１】
以上述べたように、本発明の重合性化合物を含有する重合性組成物を硬化して得た、本発明の光学材料を適用した光学素子を用いることにより、大容量化に適し、信頼性の高い光ヘッド装置を構成することができる。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、適宜変形して実施することができる。
【実施例】
【００９２】
以下、本発明化合物の合成例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明に係る化合物の合成はこれらの例によって限定されない。
以下に、本発明の実施例および比較例を述べる。ただし、本発明は以下の実施例に何ら制限されるものではない。
【００９３】
＜重合性化合物の合成例１＞
下記の合成スキームに示す方法に従い、化合物（Ａ−１）、（Ａ−２）および（Ａ−３）を経て下記の重合性化合物Ａを合成した。
【００９４】
【化５】
【００９５】
［合成例１］化合物（Ａ）の合成例
【化６】
【００９６】
以下、重合性化合物Ａにおける上記合成スキームの各反応について詳細に説明する。
【００９７】
［例１−１］化合物（Ａ−１）の合成
【化７】
【００９８】
（ａ）化合物Ａ−１の合成
窒素雰囲気下にて１Ｌの脱水テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと記載する。）に２１．０ｇ（６７．３ｍｍｏｌ）の４，４’−ジブロモビフェニルを溶解させて攪拌した後、−７４℃に冷却し、濃度１．６７ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム ヘキサン溶液４０．３ｍｌ（６７．３ｍｍｏｌ）を３０分程度かけてゆっくりと滴下し、−７４℃のまま１時間攪拌を行った。次に、クロロジメチルビニルシラン１１．０ｍｌ（８０．９ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下して−７４℃のまま１時間攪拌し、さらに室温に戻して１時間攪拌を行った。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、さらに硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。ジクロロメタンとヘキサン（ジクロロメタン：ヘキサン＝１：９）を用いてカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、不純物を含んだ状態で白色固体の化合物Ａ−１を１９．９ｇ得た。収率は９３．６％であった。
【００９９】
［例１−２］化合物（Ａ−２）の合成
【化８】
【０１００】
（ｂ）化合物Ａ−２の合成
窒素雰囲気下にて３００ｍｌの脱水ＴＨＦに１９．９ｇ（６２．９ｍｍｏｌ）の化合物Ａ−１を溶解し、−７４℃に冷却して攪拌をした。次いで、濃度１．６７ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液４１．５ｍｌ（６９．３ｍｍｏｌ）を３０分程度かけてゆっくりと滴下した。−７４℃で１時間反応させた後、２００ｍｌのＴＨＦに溶解させたトリフェニルクロロシラン２４．１ｇ（８２．０ｍｍｏｌ）を２０分程度かけてゆっくりと滴下した。その後、−７４℃で１時間保持してから、室温で１時間反応させた。次に、塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。得られた固体にエタノール１Ｌを加え、６５℃で攪拌して洗浄した後、室温でエタノールに不溶の固体をろ過することにより、白色固体の化合物Ａ−２を２１．９ｇ得た。収率は７０．１％であった。
【０１０１】
［例１−３］化合物（Ａ−３）の合成
【化９】
【０１０２】
（ｃ）化合物Ａ−３の合成
２００ｍｌの脱水ＴＨＦに２１．９ｇ（４４．２ｍｍｏｌ）の化合物Ａ−２を溶解し、窒素雰囲気で氷浴の下、濃度０．５ｍｏｌ／Ｌの９−ＢＢＮ ＴＨＦ溶液を１１４．８ｍｌ（５７．４ｍｍｏｌ）を２０分程度かけて滴下し、６５℃に昇温して３時間攪拌した。その後、２．５Ｎの水酸化ナトリウム水溶液３０ｍｌを氷浴下にて３０分かけて滴下し、次いで３０％過酸化水素水１００ｍｌを氷浴下にて３０分かけて滴下した。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行った後、ヘキサンを用いた再結晶により、白色固体の化合物Ａ−３を１１．１ｇ得た。収率は５４．１％であった。
上記式において、９−ＢＢＮは９−ボラ−ビシクロ［３．３．１］ノナンを示す。
【０１０３】
［例１−４］化合物（Ａ）の合成
【化１０】
【０１０４】
（ｄ）化合物Ａの合成
３００ｍｌの脱水ＴＨＦに、１１．１ｇ（２１．６ｍｍｏｌ）の化合物Ａ−３と、３．５９ｍｌ（２５．９ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを溶解させて攪拌した。窒素雰囲気・氷浴下で、２．１４ｍｌ（２５．９ｍｍｏｌ）のアクリロイルクロリドを５分程度かけて滴下した。希塩酸と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１５）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行った後、溶媒留去後に得られた透明な粘稠体をヘキサン１００ｍｌとジクロロメタン２ｍｌ程度（ジクロロメタンは低温で生成した粘稠体が溶ける程度加えた）で再結晶することにより、白色固体の化合物Ａを７．０ｇ得た。収率は５７．１％であった。
【０１０５】
重合性化合物Ａの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：０．３６（６Ｈ、ｓ）、１．３１（２Ｈ、ｔ）、４．２８（２Ｈ、ｔ）、５．７７（１Ｈ、ｍ）、６．０８（１Ｈ、ｍ）、６．３３（１Ｈ、ｍ）、７．３８−７．６６（２３Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ａの融点は６７℃であった。
【０１０６】
＜重合性化合物の合成例２＞
［合成例２］ 化合物（Ｂ）の合成例
合成例１において、クロロジメチルビニルシランの代わりにアリルクロロジメチルシラン、９−ＢＢＮの代わりにボランを用いた以外は同様にして、化合物Ｂを合成した。
【０１０７】
【化１１】
【０１０８】
重合性化合物Ｂの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：０．３１（６Ｈ、ｓ）、０．８０（２Ｈ、ｔ）、１．７０（２Ｈ、ｍ）、４．１２（２Ｈ、ｔ）、５．８１（１Ｈ、ｍ）、６．１１（１Ｈ、ｍ）、６．３９（１Ｈ、ｍ）、７．３７−７．７９（２３Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ｂの融点は１１６℃であった。
【０１０９】
＜重合性化合物の合成例３＞
下記の合成スキームに示す方法に従い、化合物（Ｃ−１）および（Ｃ−２）を経て重合性化合物Ｃを合成した。
【０１１０】
【化１２】
【０１１１】
［合成例３］ 化合物（Ｃ）の合成例
【化１３】
【０１１２】
以下、重合性化合物Ｃにおける上記合成スキームの各反応について詳細に説明する。
【０１１３】
［例３−１］化合物（Ｃ−１）の合成
【化１４】
【０１１４】
（ａ）化合物Ｃ−１の合成
２．５４ｇ（１０５．８ｍｍｏｌ）のマグネシウムと０．２ｇ程度のヨウ素を窒素雰囲気下にて２０ｍｌの脱水テトラヒドロフラン中で攪拌したところに、脱水ＴＨＦ４００ｍｌに溶解させた１５．０ｇ（４８．１ｍｍｏｌ）の４，４’−ジブロモビフェニルを２０ｍｌ程度滴下し、ヒートガンを用いて加熱することによってグリニャール反応を開始させた。反応の開始後に残りの溶液を３０分程度かけて滴下した後、６５℃で１２時間加熱攪拌を行った。次に、クロロジメチルビニルシラン１４．４ｍｌ（１０５．９ｍｍｏｌ）を１０分程度かけて滴下し、６５℃で１時間攪拌を行った。飽和塩化アンモニウム水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、さらに硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。ジクロロメタンとヘキサン（ジクロロメタン：ヘキサン＝１：１９）を用いてカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、透明液体の化合物Ｃ−１を１０．８ｇ得た。収率は６９．７％であった。
【０１１５】
［例３−２］化合物（Ｃ−２）の合成
【化１５】
【０１１６】
（ｂ）化合物Ｃ−２の合成
１００ｍｌの脱水ＴＨＦに１０．８ｇ（３３．５ｍｍｏｌ）の化合物Ｃ−１を溶解した後、窒素雰囲気で氷浴の下、濃度０．５ｍｏｌ／Ｌの９−ＢＢＮ ＴＨＦ溶液を１６１ｍｌ（８０．５ｍｍｏｌ）を２０分程度かけて滴下し、６５℃に昇温して１２時間攪拌した。その後、２．２Ｎの水酸化ナトリウム水溶液４０ｍｌを氷浴下にて３０分かけて滴下し、次いで３０％過酸化水素水１２０ｍｌを氷浴下にて３０分かけて滴下した。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｃ−２を９．０ｇ得た。収率は７５％であった。
【０１１７】
［例３−３］化合物（Ｃ）の合成
【化１６】
【０１１８】
（ｃ）化合物Ｃの合成
３００ｍｌの脱水ＴＨＦに、９．０ｇ（２５ｍｍｏｌ）の化合物Ｃ−２と、８．３ｍｌ（６０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを溶解させて攪拌した。窒素雰囲気・氷浴下で、５．０ｍｌ（６０ｍｍｏｌ）のアクリロイルクロリドを１０分程度かけて滴下した。希塩酸と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：７）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、無色透明液体の化合物Ｃを４．０ｇ得た。収率は６２％であった。
【０１１９】
重合性化合物Ｃの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：０．３１（１２Ｈ、ｓ）、１．３２（４Ｈ、ｔ）、４．２８（４Ｈ、ｔ）、５．７７（２Ｈ、ｍ）、６．０６（２Ｈ、ｍ）、６．３４（２Ｈ、ｍ）、７．５９（８Ｈ、ｍ）であった。
【０１２０】
＜重合性化合物の合成例４＞
［合成例４］化合物（Ｄ）の合成例
合成例１において、クロロジメチルビニルシランの代わりにアリルクロロジメチルシラン、９−ＢＢＮの代わりにボランを用いた以外は同様にして、化合物Ｄを合成した。
【０１２１】
【化１７】
【０１２２】
重合性化合物Ｄの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：０．３２（１２Ｈ、ｓ）、０．８１（４Ｈ、ｔ）、１．７１（４Ｈ、ｍ）、４．１１（４Ｈ、ｔ）、５．８１（２Ｈ、ｍ）、６．１１（２Ｈ、ｍ）、６．３９（２Ｈ、ｍ）、７．５８（８Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ｄの融点は６５℃であった。
【０１２３】
＜重合性化合物の合成例５＞
下記の合成スキームに示す方法に従い、化合物（Ｅ−１）、（Ｅ−２）および（Ｅ−３）を経て重合性化合物Ｅを合成した。
【０１２４】
【化１８】
【０１２５】
［合成例５］ 化合物（Ｅ）の合成例
【化１９】
【０１２６】
以下、重合性化合物Ｅにおける上記合成スキームの各反応について詳細に説明する。
【０１２７】
［例５−１］化合物（Ｅ−１）の合成
【化２０】
【０１２８】
（ａ）化合物Ｅ−１の合成
窒素雰囲気下にて１５０ｍｌの脱水ＴＨＦに５．０ｇ（１７．３ｍｍｏｌ）の４−ブロモ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニルを溶解し、−７４℃に冷却して攪拌をした。次いで、濃度１．６ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液１１．９ｍｌ（１９．０ｍｍｏｌ）を３０分程度かけてゆっくりと滴下した。−７４℃で３０分反応させた後、ＤＭＦ２．７ｍｌ（３４．９ｍｍｏｌ）を５分程度かけて滴下した。その後、−７４℃で３０分保持してから、室温で３０分反応させた。次に、塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、化合物Ｅ−１を３．３ｇ得た。収率は８０．１％であった。
上記式において、ＤＭＦはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを示す。
【０１２９】
［例５−２］化合物（Ｅ−２）の合成
【化２１】
【０１３０】
（ｂ）化合物Ｅ−２の合成
窒素雰囲気下にて１５０ｍｌの脱水ＴＨＦに８．９ｇ（２４．９ｍｍｏｌ）のトリフェニルホスホニウムブロミドを加え、−７４℃に冷却して攪拌をした。次いで、濃度１．６ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液１５．６ｍｌ（２５．０ｍｍｏｌ）を３０分程度かけてゆっくりと滴下した。氷浴下で３０分反応させた後、脱水ＴＨＦ１０ｍｌに溶解させた３．３ｇのＥ−１（１３．９ｍｍｏｌ）を１５分程度かけて滴下した。その後、氷浴下で３０分保持してから、室温で３０分反応させた。次に、塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：６）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、化合物Ｅ−２を３．２ｇ得た。収率は９７．８％であった。
【０１３１】
［例５−３］化合物（Ｅ−３）の合成
【化２２】
【０１３２】
（ｃ）化合物Ｅ−３の合成
１５０ｍｌの脱水ＴＨＦに３．２ｇ（１３．６ｍｍｏｌ）の化合物Ｅ−２を溶解した後、窒素雰囲気で氷浴の下、濃度０．５ｍｏｌ／Ｌの９−ＢＢＮ ＴＨＦ溶液を３６．３ｍｌ（１８．２ｍｍｏｌ）を１５分程度かけて滴下し、６５℃に昇温して１２時間攪拌した。その後、１．３Ｎの水酸化ナトリウム水溶液２０ｍｌを氷浴下にて１０分かけて滴下し、次いで３０％過酸化水素水３０ｍｌを氷浴下にて２０分かけて滴下した。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させてから、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、化合物Ｅ−３を２．９ｇ得た。収率は８４．４％であった。
【０１３３】
［例５−４］化合物（Ｅ）の合成
【化２３】
【０１３４】
（ｄ）化合物Ｅの合成
２００ｍｌの脱水ＴＨＦに、２．９ｇ（１１ｍｍｏｌ）の化合物Ｅ−３と、１．８ｍｌ（１３ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを溶解させて攪拌した。窒素雰囲気・氷浴下で、脱水ＴＨＦ１０ｍｌに溶解させた１．１ｍｌ（１３ｍｍｏｌ）のアクリロイルクロリドを１０分程度かけて滴下した。希塩酸と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｅを２．６ｇ得た。収率は７４％であった。
【０１３５】
重合性化合物Ｅの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：１．３６（９Ｈ、ｓ）、３．０２（２Ｈ、ｔ）、４．４０（２Ｈ、ｔ）、５．８３（１Ｈ、ｍ）、６．１２（１Ｈ、ｍ）、６．４０（１Ｈ、ｍ）、７．２８−７．５４（８Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ｅの融点は６７℃であった。
【０１３６】
＜重合性化合物の合成例６＞
下記の合成スキームに示す方法に従い、化合物（Ｆ−１）および（Ｆ−２）を経て重合性化合物Ｆを合成した。
【０１３７】
【化２４】
【０１３８】
［合成例６］ 化合物（Ｆ）の合成例
【化２５】
【０１３９】
以下、重合性化合物Ｆにおける上記合成スキームの各反応について詳細に説明する。
【０１４０】
［例６−１］化合物（Ｆ−１）の合成
【化２６】
【０１４１】
（ａ）化合物Ｆ−１の合成
脱水ＴＨＦ３００ｍｌに水素化ナトリウム５．６ｇ（１５１ｍｍｏｌ）を混ぜ、窒素雰囲気・氷浴下で、脱水ＴＨＦ５０ｍｌに溶解させた４−ビフェニル酢酸エチル１４．５ｇ（６０．４ｍｍｏｌ）を２０分程度かけてゆっくりと滴下した。室温で１時間半攪拌した後、氷浴下でヨードメタン２５ｇ（１７．６ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で４時間反応させた。氷浴下で飽和塩化アンモニウム水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：７）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、無色透明液体の化合物Ｆ−１を１４．４ｇ得た。収率は８８．９％であった。
【０１４２】
［例６−２］化合物（Ｆ−２）の合成
【化２７】
【０１４３】
（ｂ）化合物Ｆ−２の合成
脱水ＴＨＦ２５０ｍｌに水素化リチウムアルミニウム４．１ｇ（１０８ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気・氷浴下で混ぜ、脱水ＴＨＦ５０ｍｌに溶解させた１４．４ｇのＦ−１（５３．７ｍｍｏｌ）を３０分程度かけてゆっくりと滴下した。室温で８時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水を４０ｍｌ滴下した後、酢酸エチル１７４ｍｌとメタノール２０ｍｌとトリエチルアミン６ｍｌの混合溶媒を氷浴下でゆっくりと滴下した。固体成分をろ過した後に有機層を１００ｍｌ程度まで留去した。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。ジクロロメタンを用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｆ−２を１０．０ｇ得た。収率は８２．４％であった。
【０１４４】
［例６−３］化合物（Ｆ）の合成
【化２８】
【０１４５】
（ｃ）化合物Ｆの合成
３００ｍｌの脱水ＴＨＦに、１０．０ｇ（４４．２ｍｍｏｌ）の化合物Ｆ−２と、７．３ｍｌ（５２．０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを溶解させて攪拌した。窒素雰囲気・氷浴下で、脱水ＴＨＦ１０ｍｌに溶解させた４．４ｍｌ（５３．２ｍｍｏｌ）のアクリロイルクロリドを１５分程度かけて滴下した。希塩酸と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：６）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｆを９．８ｇ得た。収率は７９．１％であった。
【０１４６】
重合性化合物Ｆの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：１．４２（６Ｈ、ｓ）、４．２５（２Ｈ、ｓ）、５．８０（１Ｈ、ｍ）、６．１０（１Ｈ、ｍ）、６．３６（１Ｈ、ｍ）、７．３１−７．６１（９Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ｆの融点は４３℃であった。
【０１４７】
＜重合性化合物の合成例７＞
下記の合成スキームに示す方法に従い、化合物（Ｇ−１）、（Ｇ−２）および（Ｇ−３）を経て重合性化合物Ｇを合成した。
【０１４８】
【化２９】
【０１４９】
［合成例７］化合物（Ｇ）の合成例
【化３０】
【０１５０】
以下、重合性化合物Ｇにおける上記合成スキームの各反応について詳細に説明する。
【０１５１】
［例７−１］化合物（Ｇ−１）の合成
【化３１】
【０１５２】
（ａ）化合物Ｇ−１の合成
２−（４−ブロモフェニル）−２−メチルプロパン−１−オールを８．１ｇ（３５．４ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルクロリドを６．４ｇ（４２．４ｍｍｏｌ）、イミダゾールを２．９ｇ（４２．６ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１００ｍｌに溶解させ、室温で１時間攪拌した。その後、塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、無色透明液体の化合物Ｇ−１を９．３ｇ得た。収率は７６．９％であった。なお、上記式において、ＴＢＤＭＳはｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基を示す。
【０１５３】
［例７−２］化合物（Ｇ−２）の合成
【化３２】
【０１５４】
（ｂ）化合物Ｇ−２の合成
トルエン２５０ｍｌと水１５０ｍｌに、８．０ｇ（２３．３ｍｍｏｌ）の化合物Ｇ−１、５．０ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）の４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸、２４．４ｇ（７４．８ｍｍｏｌ）の炭酸セシウムを溶解させて攪拌しておき、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）１ｇを加え、７０℃で３日間攪拌した。その後、室温に戻した後に塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、無色透明液体の化合物Ｇ−２を８．６ｇ得た。収率は９２．６％であった。
【０１５５】
［例７−３］化合物（Ｇ−３）の合成
【化３３】
【０１５６】
（ｃ）化合物Ｇ−３の合成
ＴＨＦ１５０ｍｌに８．６ｇ（２１．７ｍｍｏｌ）の化合物Ｇ−２を溶解させ、さらにテトラブチルアンモニウムフルオリド８．２ｇ（２６．０ｍｍｏｌ）を添加し、３０分室温で攪拌した。塩水と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｇ−３を５．５ｇ得た。収率は９０．０％であった。
なお、上記式において、ＴＢＡＦはテトラブチルアンモニウムフルオリドを示す。
【０１５７】
［例７−４］化合物（Ｇ）の合成
【化３４】
【０１５８】
（ｄ）化合物Ｇの合成
２００ｍｌの脱水ＴＨＦに、５．５ｇ（１９．５ｍｍｏｌ）の化合物Ｇ−３と、３．２ｍｌ（２３．１ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを溶解させて攪拌した。窒素雰囲気・氷浴下で、脱水ＴＨＦ１０ｍｌに溶解させた１．９ｍｌ（２３．０ｍｍｏｌ）のアクリロイルクロリドを１５分程度かけて滴下した。希塩酸と酢酸エチルを加えて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを加えて十分に乾燥させた後、溶媒を留去した。酢酸エチルとヘキサン（酢酸エチル：ヘキサン＝１：８）を用いたカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、白色固体の化合物Ｇを２．９ｇ得た。収率は４４．３％であった。
【０１５９】
重合性化合物Ｇの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ））のスペクトルデータは、δ（ｐｐｍ）：１．３６（９Ｈ、ｓ）、１．４２（６Ｈ、ｓ）、４．２４（２Ｈ、ｓ）、５．８０（１Ｈ、ｍ）、６．０９（１Ｈ、ｍ）、６．３５（１Ｈ、ｍ）、７．３１−７．５４（８Ｈ、ｍ）であった。得られた化合物Ｇの融点は５６℃であった。
【０１６０】
＜光硬化性組成物の重合と屈折率評価＞
（実施例１）
化合物Ａ１００重量部に、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、商品名「ＩＣ１８４」）を０．５重量部加え、加熱しながら均一になるまで攪拌して、光硬化性の重合性組成物Ａを得た。
次に、２枚のガラス板の角４箇所を、直径１０μｍのガラスビーズを配合した接着剤を用いて貼り合わせて、ガラス間に１０μｍの間隔を設けたガラスセルを作製した。このガラスセルの内部に、上記の光硬化性の重合性組成物Ａを液体状態で注入した後、ガラス板に対して垂直方向から紫外線を２分間照射し、セルＡを得た。用いた高圧水銀灯の照度は、波長３６５ｎｍで１００ｍＷ／ｃｍ２であった。その後、カッターを用いてセルＡの２枚のガラス板の一方を剥離し、片面に付着した光学材料、すなわち硬化膜（以下、硬化膜と示す。）を有する試験片Ａを得た。プリズムカプラ（Ｍｅｔｒｉｃｏｎ社製、商品名「Ｍｏｄｅｌ２０１０」）を用い、室温で波長４０４ｎｍ、６３３ｎｍおよび７９１ｎｍにおける屈折率を測定したところ、それぞれ、１．６８６、１．６２６、１．６１５であり、高屈折率の硬化膜であることが確認された。
【０１６１】
次に、３つの波長の屈折率をもとにして、コーシーの分散式（ｎ（λ）＝Ａ＋Ｂ／λ２＋Ｃ／λ４）のパラメーターＡ、Ｂ、Ｃを、最小２乗法を用いたフィッティングから求めることによって４００ｎｍ〜８００ｎｍにおける屈折率を導出し、そのフィッティング値をもとに５８９ｎｍにおける屈折率ｎｄ、およびアッベ数νｄを算出したところ、ｎｄは１．６３２、νｄは２１．６であった。得られたアッベ数νｄより、高波長分散性の硬化膜であることが確認された。
【０１６２】
（実施例２〜７）
化合物Ａに代えて化合物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ＦおよびＧを用いたこと以外は、実施例１と同様にして光硬化性の重合性組成物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを得た。これらの重合性組成物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを用いてセルＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを得た後、セルの片側のガラスを剥離して、試験片Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを作製した。試験片Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを室温で屈折率を測定し、ｎｄおよびνｄを算出したところ、それぞれ、５８９ｎｍの屈折率ｎｄは１．６４０、１．５７０、１．５６７、１．５８１、１．６００、１．５７１であり、アッベ数νｄは、２０．３、２６．３、２８．６、２５．９、２５．４、２６．３であり、いずれも高屈折率で、かつ波長分散性の高い樹脂であることが確認された。
【０１６３】
＜光硬化性組成物の重合と耐光性評価＞
（実施例８）
ガラスセルの製造に、片側面に反射防止膜をコーティングしたガラス板を用い、コーティング面と反対側の面を互いに対向させ、さらに接着剤に配合するガラスビーズの直径を２０μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ガラスセルを作製した。化合物Ａ１００重量部に、光開始剤として、（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、商品名「ＩＣ１８４」）を０．５重量部加え、加熱しながら均一になるまで攪拌し、液状の光硬化性組成物Ａを得た。得られた組成物を液体の状態で上記のガラスセルの内部に注入し、ガラス板に対して垂直方向から紫外線を２分間照射して積層体Ａを得た。尚、用いた高圧水銀灯の照度は、波長３６５ｎｍにて１００ｍＷ／ｃｍ２であった。
上記の積層体Ａに、８０℃で発振波長４０６ｎｍの青色ＬＤ光を７Ｗ・ｈｏｕｒ／ｍｍ２となるまで照射した。照射前後で透過率を測定したところ、透過率変化△ＴＬＤは１％未満であった。尚、ここで、△ＴＬＤ＝（照射前の青色ＬＤ光透過率）−（照射後の青色ＬＤ光透過率）である。
【０１６４】
（実施例９〜１４）
化合物Ａに代えて、化合物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを用いたこと以外は、実施例８と同様にして、積層体Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ＦおよびＧを作製した。実施例８と同様にして、耐光性試験を行い、積層体Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ＦおよびＧの△ＴＬＤを測定したところ、いずれも１％未満であり、高い耐光性を有することが分かった。
【０１６５】
（比較例１）
化合物Ａに代えて下記の化合物Ｈを用いたこと以外は、実施例１と同様にしてセルＨを作製し、硬化膜が付着した試験片Ｈを得た。室温で屈折率を測定したところ、５８９ｎｍにおける屈折率が１．５７３、アッベ数νｄが２８．７であった。
【０１６６】
【化３５】
【０１６７】
次いで、実施例８と同様にして積層体Ｈを得た後、その透過率を測定したところ、透過率変化△ＴＬＤは４％であった。
【０１６８】
（比較例２）
化合物Ａに代えて下記の化合物Ｉを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、セルＩを作製し、硬化膜が付着した試験片Ｉを得た。室温で屈折率を測定したところ、５８９ｎｍにおける屈折率が１．６０７、アッベ数νｄが２５．４であった。
【０１６９】
【化３６】
【０１７０】
次いで、実施例８と同様にして、積層体Ｉを得た後、その透過率を測定したところ、過率変化△ＴＬＤは５８％であった。
【０１７１】
（比較例３）
化合物Ａに代えて下記の化合物Ｊを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、セルＪを作製し、硬化膜が付着した試験片Ｊを得た。室温で屈折率を測定したところ、５８９ｎｍにおける屈折率が１．５９６、アッベ数νｄが２６．１であった。
【０１７２】
【化３７】
【０１７３】
次いで、実施例８と同様にして、積層体Ｊを得た後、その透過率を測定したところ、透過率変化△ＴＬＤは６％であった。
【０１７４】
（比較例４）
化合物Ａに代えて下記の化合物Ｋを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、セルＫを作製し、硬化膜が付着した試験片Ｋを得た。室温で屈折率を測定したところ、５８９ｎｍにおける屈折率が１．６５１、アッベ数νｄが２０．３であった。
【０１７５】
【化３８】
【０１７６】
次いで、実施例８と同様にして、積層体Ｋを得た後、その透過率を測定したところ、透過率変化△ＴＬＤは７％であった。
【０１７７】
表１に、重合性化合物Ａ〜Ｇを用いて得られた、実施例１〜７の硬化膜の屈折率ｎｄ、アッべ数νｄ、及び重合性化合物Ａ〜Ｇを用いて得られた実施例８〜１４の積層体Ａ〜Ｇの透過率変化△ＴＬＤを表１に示す。また、化合物Ｈ〜Ｋを用いた比較例１〜４の硬化膜の屈折率ｎｄ、アッべ数νｄ、及び化合物Ｈ〜Ｋを用いて得られた積層体Ｈ〜Ｋの透過率変化△ＴＬＤを表１に示す。
【０１７８】
【表１】
【０１７９】
表１から明らかなように、本発明の重合性化合物を用いて得られた硬化膜は、高い屈折率と高波長分散性を得られるとともに、耐光性にも優れることが確認された。なお、透過率変化△ＴＬＤは１％以下であることが好ましい。
【０１８０】
（比較例５〜８）
化合物Ａに代えて下記の化合物Ｌ、Ｍ、ＮおよびＯを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、セルＬ〜Ｏを作製し、硬化膜が付着した試験片Ｌ〜Ｏを得た。
なお、化合物Ｌ、Ｍ、ＮおよびＯは、特許文献３に記載の化合物である。
試験片Ｌ〜Ｏの硬化膜の屈折率を室温で測定したところ、５８９ｎｍにおける屈折率は夫々、１．６２２、１．６１６、１．６０９、１．５９９、アッベ数νｄは夫々、２６．４、２７．２、２７．８、２９．１であった。
【０１８１】
【化３９】
【０１８２】
【化４０】
【０１８３】
【化４１】
【０１８４】
【化４２】
【０１８５】
実施例１〜７の化合物Ａ〜Ｇから得られる各硬化膜、及び比較例５〜７の化合物Ｌ〜Ｏから得られる各硬化膜の、屈折率ｎｄとアッべ数ｖｄとの関係を図５に示す。
図５から明らかなように、本発明の重合性化合物を用いて得られる各硬化膜は、比較例の重合性化合物を用いて得られる硬化膜と比較して、高屈折率領域でもアッベ数ｖｄが小さく、高波長分散性を有することが確認された。
以上より、本発明の重合性ビフェニレン化合物は、高耐光性、高屈折率、高波長分散性を兼ね備えた材料であることが確認でされた。
【符号の説明】
【０１８６】
１Ａ〜１Ｃ…波長選択性回折素子、１１Ａ，１４Ａ，１１Ｂ，１４Ｂ，１１Ｃ，１６Ｃ，１７Ｃ…透明基板、１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１５Ｃ…回折格子、１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１４Ｃ…充填部材、１ａ…第１部材、１ｂ…第２部材、１１１…光ヘッド装置、１１２…光源、１１３…波長選択性回折格子、１１４…ビームスプリッタ、１１５…コリメータレンズ、１１６…光ディスク、１１７…記録層、１１８…対物レンズ、１１９…光検出器
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示される重合性化合物。
【化１】
但し、式中の記号は以下の意味を示す。
Ａ：水素原子又は下記式（２）〜（５）から選択される基。
ＶｗＨ（３−Ｗ）Ｃ− ・・・ （２）
ＰｈｘＹ（３−ｘ）Ｓｉ− ・・・ （３）
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ１−ＣＨｌ（ＣＨ３）（２−ｌ）− ・・・（４）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ１−ＳｉＰｈｐ１（ＣＨ３）（２−ｐ１）− ・・・（５）
Ｂ：下記式（６）〜（７）から選択される基。
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ２−ＣＨｋ（ＣＨ３）（２−ｋ）− ・・・（６）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ２−ＳｉＰｈｐ２（ＣＨ３）（２−ｐ２）− ・・・（７）
ｗ：０〜３の整数。
Ｖ：メチル基またはエチル基。但し、ｗが２〜３のときにはＶはそれぞれ異なる基であってもよい。
ｘ：０〜３の整数。
Ｙ：メチル基、シクロヘキシル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｉｓｏ−プロピル基から選択される基。但しｘが０又は１のとき、Ｙは異なる基であってもよい。
Ｊ：ＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−、エポキシ基、ビニル基及びビニルエーテル基から選択される基。
Ｒ：水素原子又はメチル基。
ｌ：０〜１の整数。
ｋ：０〜２の整数。ただし、Ａが水素原子の場合、ｋは２を除く。
ｍ１、ｍ２：それぞれ独立して０〜１２。
ｎ１、ｎ２：それぞれ独立して１〜１２。
ｐ１、ｐ２：それぞれ独立して０〜２。
ただし、式（２）の置換基Ｖ、式（３）のフェニル基及び置換基Ｙ並びに式（４）〜（７）のアルキレン基の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよく、ビフェニル基又はビフェニレン基の水素原子の一部または全部がメチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよい。
【請求項２】
Ａが式（３）で示される基である請求項１記載の重合性化合物。
【請求項３】
Ａがトリフェニルシリル基である請求項２記載の重合性化合物。
【請求項４】
Ａがトリフェニルシリル基であり、Ｂが式（７）で示される基である請求項１乃至３のいずれか１項記載の重合性化合物。
【請求項５】
Ａが式（５）で示される基であり、Ｂが式（７）で示される基である請求項１記載の重合性化合物。
【請求項６】
Ｂが式（６）で示される基のときｋ＝０である請求項１乃至５のいずれか１項記載の重合性化合物。
【請求項７】
Ｂが式（７）で示される基のとき、ｐ２＝０である請求項１乃至５のいずれか１項記載の重合性化合物。
【請求項８】
Ａがｔｅｒｔ−ブチル基である請求項１、６又は７記載の重合性化合物。
【請求項９】
ｍ１、ｍ２がそれぞれ独立して１〜２であり、ｎ１、ｎ２がそれぞれ独立して１〜３である請求項１乃至８のいずれか１項記載の重合性化合物。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の重合性化合物を含有する重合性組成物。
【請求項１１】
請求項１０に記載の重合性組成物を硬化してなる光学材料。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光学材料を用いてなる光学素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光学素子を用いてなる光ヘッド装置。
【請求項１】
下記式（１）で示される重合性化合物。
【化１】
但し、式中の記号は以下の意味を示す。
Ａ：水素原子又は下記式（２）〜（５）から選択される基。
ＶｗＨ（３−Ｗ）Ｃ− ・・・ （２）
ＰｈｘＹ（３−ｘ）Ｓｉ− ・・・ （３）
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ１−ＣＨｌ（ＣＨ３）（２−ｌ）− ・・・（４）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ１−ＳｉＰｈｐ１（ＣＨ３）（２−ｐ１）− ・・・（５）
Ｂ：下記式（６）〜（７）から選択される基。
Ｊ−（ＣＨ２）ｍ２−ＣＨｋ（ＣＨ３）（２−ｋ）− ・・・（６）
Ｊ−（ＣＨ２）ｎ２−ＳｉＰｈｐ２（ＣＨ３）（２−ｐ２）− ・・・（７）
ｗ：０〜３の整数。
Ｖ：メチル基またはエチル基。但し、ｗが２〜３のときにはＶはそれぞれ異なる基であってもよい。
ｘ：０〜３の整数。
Ｙ：メチル基、シクロヘキシル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｉｓｏ−プロピル基から選択される基。但しｘが０又は１のとき、Ｙは異なる基であってもよい。
Ｊ：ＣＨ２＝ＣＲ−ＣＯＯ−、エポキシ基、ビニル基及びビニルエーテル基から選択される基。
Ｒ：水素原子又はメチル基。
ｌ：０〜１の整数。
ｋ：０〜２の整数。ただし、Ａが水素原子の場合、ｋは２を除く。
ｍ１、ｍ２：それぞれ独立して０〜１２。
ｎ１、ｎ２：それぞれ独立して１〜１２。
ｐ１、ｐ２：それぞれ独立して０〜２。
ただし、式（２）の置換基Ｖ、式（３）のフェニル基及び置換基Ｙ並びに式（４）〜（７）のアルキレン基の水素原子の一部または全部は、メチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよく、ビフェニル基又はビフェニレン基の水素原子の一部または全部がメチル基、メトキシ基、フッ素原子に置換されていてもよい。
【請求項２】
Ａが式（３）で示される基である請求項１記載の重合性化合物。
【請求項３】
Ａがトリフェニルシリル基である請求項２記載の重合性化合物。
【請求項４】
Ａがトリフェニルシリル基であり、Ｂが式（７）で示される基である請求項１乃至３のいずれか１項記載の重合性化合物。
【請求項５】
Ａが式（５）で示される基であり、Ｂが式（７）で示される基である請求項１記載の重合性化合物。
【請求項６】
Ｂが式（６）で示される基のときｋ＝０である請求項１乃至５のいずれか１項記載の重合性化合物。
【請求項７】
Ｂが式（７）で示される基のとき、ｐ２＝０である請求項１乃至５のいずれか１項記載の重合性化合物。
【請求項８】
Ａがｔｅｒｔ−ブチル基である請求項１、６又は７記載の重合性化合物。
【請求項９】
ｍ１、ｍ２がそれぞれ独立して１〜２であり、ｎ１、ｎ２がそれぞれ独立して１〜３である請求項１乃至８のいずれか１項記載の重合性化合物。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の重合性化合物を含有する重合性組成物。
【請求項１１】
請求項１０に記載の重合性組成物を硬化してなる光学材料。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光学材料を用いてなる光学素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光学素子を用いてなる光ヘッド装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−１４９８（Ｐ２０１２−１４９８Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３８６２４（Ｐ２０１０−１３８６２４）
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]