【課題】 電子デバイスの洗浄装置において、洗浄液の交換頻度の増加に伴って、洗浄液の使用量の増加及び洗浄装置の稼働率の低下が発生することを防止すると共に、洗浄液の経過時間の増加に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することを防止する。
【解決手段】 洗浄チャンバー（処理槽内槽）２４内の洗浄液循環路（循環ライン）２０において循環再利用される洗浄液を導入して、洗浄チャンバー２４内に配置された被処理基板に対して洗浄を行う電子デバイスの洗浄方法であって、エッチング処理時間を導出する工程（ａ）と、被処理基板に対して、エッチング処理時間の間、洗浄液を供給する工程（ｂ）と、被処理基板を水洗する工程（ｃ）とを備え、エッチング処理時間は、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからの経過時間に依存して、工程（ｂ）における洗浄液による被処理基板上の被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出される。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスは、急速に高速化及び高集積化が進められており、電子デバイスの高速化及び高集積化を図るために、電子デバイスの微細化が進められている。このため、電子デバイスの製造工程における各工程毎に施される電子デバイスの洗浄工程では、洗浄用薬液によってエッチングされる被処理膜のエッチング量のバラツキの低減が求められている。
【０００３】
しかしながら、洗浄用薬液を循環再利用する洗浄装置では、洗浄用薬液を調製した直後からの経過時間に伴って、洗浄用薬液を構成する成分のうち、蒸気圧の低い成分が蒸発する。これにより、洗浄用薬液を調整した直後からの経過時間に伴って、洗浄用薬液の組成が変化するので、被処理膜におけるエッチングレートが変動する。このため、電子デバイスの製造プロセスが安定しないので、電子デバイスの製造歩留まりが低下する。
【０００４】
この問題を解決する方法として、以下に示す第１及び第２の従来例が提案されている。
【０００５】
まず、第１の従来例として、洗浄用薬液の交換時間を調整することにより、被処理膜におけるエッチング量の変動量の低減を図る方法を示す。
【０００６】
以下に、第１の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置として、バッチ式洗浄装置を用いた場合における洗浄装置の構成について、図２４及び図２５を参照しながら説明する。
【０００７】
図２４は、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置の構成を示す図である。
【０００８】
図２５は、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置における循環槽の具体的な構成を示す断面図である。
【０００９】
図２４に示すように、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置１００は、循環槽１０１、水洗槽１０２、及び乾燥槽１０３から構成されている。
【００１０】
また、図２５に示すように、循環槽１０１では、循環部において洗浄用薬液の循環が行われると共に洗浄部において洗浄用薬液による被処理膜の洗浄が行われる。具体的に、循環部は、循環ライン２００、循環ポンプ２０１、電子冷熱２０２、フィルター２０３から構成されており、洗浄部は、処理槽内槽２０４、処理槽外槽２０５、槽カバー２０６、及び洗浄用薬液ノズル２０７から構成されている。
【００１１】
以下に、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置における、ライフタイムとエッチング量との相関性について、図２６を参照しながら説明する。
【００１２】
ここで、ライフタイムとは、循環ライン２００に洗浄用薬液が供給されてから経過した時間である。
【００１３】
図２６は、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置における、ライフタイムとエッチング量との相関性を示す図である。
【００１４】
第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置において、循環ライン２００に供給される洗浄用薬液として、バッファードフッ酸溶液（ＨＦ 0.10％、ＮＨ₄ Ｆ 39.0％ ）を用いて、循環ライン２００に設けられた電子冷熱２０２により、バッファードフッ酸溶液（以下、ＢＨＦ溶液と記す）の温度を２１℃にコントロールする。
【００１５】
電子冷熱２０２により、ＢＨＦ溶液の温度を一定のエッチング温度（例えば、２１℃）に維持した状態で、処理槽内槽２０４に貯留されたＢＨＦ溶液中に、一定のエッチング時間（例えば、３分間）の間、被処理基板を浸漬することにより、被処理基板における被処理膜（熱酸化膜）のエッチングを行う。
【００１６】
このようにして、各々のライフタイムにおける熱酸化膜のエッチング量の測定を行うことにより、ライフタイムとエッチング量との相関性について評価を行う。
【００１７】
上記の条件の下、各々のライフタイム（０時間、１２時間、２４時間、４８時間）毎に、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量の測定を行う。続いて、図２６に示すように、各々のライフタイムにおける熱酸化膜のエッチング量をプロットすることにより、ライフタイムとエッチング量との相関性について評価を行う。
【００１８】
これにより、図２６に示すように、ライフタイムの増加に伴って、熱酸化膜のエッチング量が一定の割合で増加することが分かった。
【００１９】
具体的には、洗浄用薬液が循環ライン２００に供給された直後、すなわち、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液では、熱酸化膜のエッチング量が４．０ｎｍであるのに対し、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、熱酸化膜のエッチング量が５．６ｎｍであった。このように、ライフタイムが２４時間における熱酸化膜のエッチング量は、ライフタイムが０時間における熱酸化膜のエッチング量と比較して、エッチング量が約４０％増加する。
【００２０】
ここで、熱酸化膜のエッチング量の変動規格が、例えば±２０％、つまり４．０±０．８（nm）である場合、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置では、図２６に示すように、エッチング変動規格を満たすために、１２時間毎に、循環ライン２００に供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がある。
【００２１】
このようにして、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置では、一定の経過時間毎に、洗浄用薬液の交換を行うことにより、被処理膜におけるエッチング量の変動量の低減を図ることができる。
【００２２】
また、第１の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置として、枚葉式洗浄装置を用いた場合における洗浄装置の構成について、図２７を参照しながら説明する。
【００２３】
図２７は、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置の構成を示す図である。
【００２４】
図２７に示すように、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置は、循環部、洗浄部、及び水洗部から構成されている。
【００２５】
また、循環部では、洗浄用薬液が循環されており、循環部は、循環ライン３００、循環ポンプ３０１、循環タンク３０２、電子冷熱３０３、フィルター３０４から構成されている。また、洗浄部では、洗浄用薬液による被処理膜の洗浄が行われており、洗浄部は、洗浄チャンバー３０５、カップ３０６、洗浄用薬液ノズル３０７、へパ３０８、及びホルダー３０９から構成されている。また、水洗部では、被処理膜の水洗が行われており、水洗部は、水洗ノズル３１０から構成されている。
【００２６】
以下に、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置における、累積処理時間とエッチング量との相関性について、図２８を参照しながら説明する。
【００２７】
ここで、累積処理時間とは、循環ライン３００に洗浄用薬液が供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間である。
【００２８】
図２８は、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置における、累積処理時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【００２９】
第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置において、循環ライン３００に供給される洗浄用薬液として、ポリマー溶液（ＮＨ₄ Ｆ 0.5％、有機溶剤 45％、水 54.5％ ）を用いて、循環ライン３００に設けられた電子冷熱３０３により、ポリマー溶液の温度を２５℃にコントロールする。
【００３０】
電子冷熱３０３により、ポリマー溶液の温度を一定のエッチング温度（例えば、２５℃）に維持した状態で、洗浄用薬液ノズル３０７を通じて、一定のエッチング時間（例えば、３分間）の間、ホルダー３０９によって保持された被処理基板に対してポリマー溶液を供給することにより、被処理基板における被処理膜（プラズマＴＥＯＳ膜）のエッチングを行う。このとき、被処理基板は、ホルダー３０９によって所定の回転数で回転されている。
【００３１】
このようにして、各々の累積処理時間におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の測定を行うことにより、累積処理時間とエッチング量との相関性について評価を行う。
【００３２】
上記の条件の下、各々の累積処理時間（０分、３００分、６００分、９００分）毎に、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＯＥＳ膜のエッチング量の測定を行う。続いて、図２８に示すように、各々の累積処理時間におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量をプロットすることにより、累積処理時間とエッチング量との相関性について評価を行う。
【００３３】
これにより、図２８に示すように、累積処理時間の増加に伴って、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が一定の割合で増加することが分かった。
【００３４】
具体的には、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が０．３ｎｍであるのに対し、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が０．６ｎｍであった。このように、累積処理時間が９００分におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量は、累積処理時間が０分におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量と比較して、エッチング量が約１００％増加する。
【００３５】
ここで、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の変動規格が、例えば±５０％、つまり０．３０±０．１５（nm）である場合、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置では、図２８に示すように、エッチング変動規格を満たすために、１５０枚処理（すなわち、累積処理時間４５０分）毎に、循環ライン３００に供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がある。
【００３６】
このようにして、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置では、一定の経過時間毎に、洗浄用薬液の交換を行うことにより、被処理膜におけるエッチング量の変動量の低減を図ることができる。
【００３７】
以上のように、第１の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置では、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、洗浄用薬液の交換を行うことにより、被処理膜におけるエッチング量の変動量の低減を図ることができる。
【００３８】
次に、第２の従来例として、時間経過と共に変動する洗浄用薬液の成分を追加することにより、被処理膜におけるエッチング量の変動量の低減を図る方法を示す（例えば、特許文献１参照）。
【００３９】
以下に、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置について、図２９及び図３０を参照しながら説明する。
【００４０】
図２９は、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置の構成を示す概略図である。
【００４１】
また、図３０は、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置における、経過時間とエッチングレートとの関係、及び経過時間とフッ化水素の濃度（ＨＦ濃度）との関係を示す模式図である。
【００４２】
図２９に示すように、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置は、洗浄槽４００、循環ポンプ４０１、貯留槽４０２、及び制御部４０３から構成されている。
【００４３】
具体的に、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置における洗浄用薬液として、フッ化アンモニウム及びフッ化水素よりなる溶液を用いた場合について説明する。
【００４４】
洗浄槽４００には、洗浄用薬液としてフッ化アンモニウム及びフッ化水素よりなる溶液が満たされており、該溶液中に被処理基板を浸漬することにより、被処理基板における被処理膜の洗浄が行われる。また、洗浄槽４００からオーバーフローした洗浄用薬液は、循環ポンプ４０１を通じて、洗浄槽４００へ戻される。
【００４５】
貯留槽４０２には、アンモニア水が貯留されており、制御部４０３の指示に従って、貯留槽４０２におけるアンモニア水は、洗浄槽４００に追加補充される。これにより、洗浄槽４００における洗浄用薬液の組成は常に一定に保たれる。
【００４６】
図３０に示される直線Ｌａは、貯留槽４０２におけるアンモニア水を一定時間が経過する毎に洗浄槽４００へ追加補充した場合における、被処理膜におけるエッチングレートの変動、及び洗浄用薬液におけるＨＦ濃度の変動を模式的に示す直線である。
【００４７】
一方、図３０に示される直線Ｌｂは、貯留槽４０２におけるアンモニア水を洗浄槽４００へ追加補充しない場合における、被処理膜におけるエッチングレートの変動、及び洗浄用薬液におけるＨＦ濃度の変動を模式的に示す直線である。
【００４８】
図３０に示すように、直線Ｌｂにおける被処理膜のエッチングレートは、一定の比率で増加する。一方、直線Ｌａにおける被処理膜のエッチングレートは、直線Ｌｂと同様に一定の比率で増加するが、貯留槽４０２におけるアンモニア水が洗浄槽４００へ追加補充された直後は、洗浄用薬液が洗浄槽４００に調整された直後における被処理膜のエッチングレートに回復する。その後、直線Ｌａにおける被処理膜のエッチングレートは、直線Ｌｂと同様に一定の比率で再び増加するが、貯留槽４０２におけるアンモニア水が洗浄槽４００へ再び追加補充されることにより、直線Ｌａにおける被処理膜のエッチングレートは、洗浄用薬液が洗浄槽４００に調整された直後における被処理膜のエッチングレートに再度回復することができる。
【００４９】
このように、一定時間が経過する毎に、制御部４０３の指示に従って、貯留槽４０２におけるアンモニア水を洗浄槽４００へ追加補充することにより、洗浄槽４００における洗浄用薬液の組成を常に一定に保つことができる。このため、洗浄用薬液におけるＨＦ濃度の変動量の低減を図ることができるので、被処理膜におけるエッチングレートの変動量の低減を図ることができる。
【特許文献１】特開２００２-１４３７９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００５０】
しかしながら、最近の電子デバイスの洗浄装置では、被処理基板の大型化に伴って、洗浄用薬液の使用量が増大する。また、第１の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置では、電子デバイスの微細化に伴って、被処理膜のエッチング量の変動量を極力小さくしなければならないので、洗浄用薬液の交換頻度が増大する。このため、洗浄用薬液の使用量が増大するだけでなく、洗浄用薬液の交換頻度の増加に伴って洗浄装置の稼働率が低下するので、電子デバイスの製造コストが増大する。
【００５１】
また、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置では、洗浄用薬液として、ポリマー溶液等の多成分系の洗浄用薬液を用いた場合、一成分のみが選択的に蒸発する。このため、一定時間が経過する毎に、洗浄用薬液に対して一成分のみを選択的に追加補充することができないので、洗浄用薬液に対して不要な成分まで追加される。したがって、洗浄用薬液の追加補充により、洗浄用薬液の組成を一定に維持することが困難であるので、安定したエッチングレートを維持することが困難である。
【００５２】
本発明は、前記の課題に鑑み、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることにより、洗浄用薬液の使用量の削減及び洗浄装置の稼働率の向上を図ると共に、安定したエッチング量を維持することができる電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００５３】
前記の課題を解決するために、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置の洗浄方法は、洗浄チャンバー内の洗浄液循環路において循環再利用される洗浄液を導入して、洗浄チャンバー内に配置された被処理基板に対して洗浄を行う電子デバイスの洗浄方法であって、エッチング処理時間を導出する工程（ａ）と、被処理基板に対して、エッチング処理時間の間、洗浄液を供給する工程（ｂ）と、被処理基板を水洗する工程（ｃ）とを備え、エッチング処理時間は、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからの経過時間に依存して、工程（ｂ）における洗浄液による被処理基板上の被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする。
【００５４】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置の洗浄方法によると、洗浄液による被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されたエッチング処理時間の間、被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングを行う。このため、各々の経過時間に対応するエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【００５５】
このため、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチングレートが変動することはあっても、各々の経過時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対してエッチングを行うことができるので、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチング量が変動することを防止することができる。したがって、各々の経過時間に対応して、所望のエッチング量を確保することができるので、経過時間に依存することなく、安定したエッチング量の維持を図ることができる。
【００５６】
また、従来例のように、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてから一定時間が経過する毎に、洗浄液循環路に供給される洗浄液の交換を行う必要がなく、洗浄液の使用期限の延長を図ることができる。したがって、洗浄液の交換頻度の低減を図ることができるので、洗浄液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【００５７】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置の洗浄方法において、エッチング処理時間は、工程（ｃ）における洗浄液におけるエッチング後の残留液による被処理膜のエッチング量の変化量にさらに基づいて導出されることが好ましい。
【００５８】
このようにすると、洗浄液による被処理膜のエッチング量の変化量だけでなく、洗浄液におけるエッチング後の残留液による被処理膜のエッチング量の変化量にも基づいて、エッチング処理時間の導出を行うことができる。このため、より精密に導出されたエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【００５９】
このため、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチングレートが変動することはあっても、各々の経過時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対してエッチングを行うことができるので、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチング量が変動することをより確実に防止することができる。したがって、各々の経過時間に対応して、所望のエッチング量をより確実に確保することができるので、経過時間に依存することなく、安定したエッチング量の維持を図ることができる。
【００６０】
また、従来例のように、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてから一定時間が経過する毎に、洗浄液循環路に供給される洗浄液の交換を行う必要がないので、洗浄液の交換頻度の低減を図ることができる。したがって、洗浄液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減をより確実に図ることができる。
【００６１】
本発明に係る電子デバイスの製造装置の洗浄方法において、エッチング処理時間は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点から洗浄液循環路から排出されるまでの経過時間に依存する被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることが好ましい。
【００６２】
このようにすると、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点から経過した時間（すなわち、ライフタイム）に対応するエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【００６３】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置の洗浄方法において、エッチング処理時間は、下記に示す[数１]
【００６４】
【数１】

【００６５】
を用いて導出されることが好ましい。
【００６６】
但し、ライフタイムとは、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点から経過した時間を示す値であり、上昇係数（Ｂ）は、被処理膜に対するエッチングレートがライフタイムにおける経過時間に応じて上昇する割合を示す値であり、エッチングレートとは、工程（ｂ）において、被処理膜のエッチング量がエッチング時間に応じて増加する割合を示す値であり、エッチングレート（Ａ）は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された直後における、エッチングレートを示す値であり、追加エッチング量とは、工程（ｃ）において、洗浄液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされる被処理膜のエッチング量を示す値であり、追加エッチング量（Ｃ）は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された直後における、追加エッチング量を示す値であり、追加エッチングレート（Ｄ）は、追加エッチング量がライフタイムにおける経過時間に応じて増加する割合を示す値である。
【００６７】
このようにすると、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、補正計算式として[数１]を用いることにより、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の導出を行うことができる。
【００６８】
具体的に、[数１]における上昇係数（Ｂ）は、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからのライフタイムにおける第１の経過時間での被処理膜に対する第１の平均エッチングレートと、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからのライフタイムにおける第１の経過時間とは異なる第２の経過時間での被処理膜に対する第２の平均エッチングレートとから求めることができる。
【００６９】
また、[数１]におけるエッチングレート（Ａ）は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された直後における、被処理膜に対して施されるエッチング時間の変化量に対応する被処理膜のエッチング量の変化量の割合から求めることができる。
【００７０】
また、[数１]における追加エッチング量（Ｃ）及び追加エッチングレート（Ｄ）は、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからのライフタイムにおける第３の経過時間後の第１のエッチング時間での被処理膜の第１のエッチング量と、第３の経過時間後の第１のエッチング時間とは異なる第２のエッチング時間での被処理膜の第２のエッチング量とから、洗浄液における第３の経過時間後の残留液によって被処理膜がエッチングされる量を示す第１の追加エッチング量を求めると共に、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからのライフタイムにおける第４の経過時間後の第３のエッチング時間での被処理膜の第３のエッチング量と、第４の経過時間後の第３のエッチング時間とは異なる第４のエッチング時間での被処理膜の第４のエッチング量とから、洗浄液における第４の経過時間後の残留液によって被処理膜がエッチングされる量を示す第２の追加エッチング量を求めた後に、第３の経過時間に対応する第１の追加エッチング量と、第４の経過時間に対応する第２の追加エッチング量とから、追加エッチング量（Ｃ）及び追加エッチングレート（Ｄ）をそれぞれ求めることができる。
【００７１】
このように、上昇係数（Ｂ）、エッチングレート（Ａ）、追加エッチング量（Ｃ）、及び追加エッチングレート（Ｄ）を求めることにより、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置における補正計算式を得ることができる。
【００７２】
このため、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置では、補正計算式として[数１]が設定されており、[数１]に基づいて各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間が導出される。これにより、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際のエッチングを行うことができる。
【００７３】
本発明に係る電子デバイスの製造装置の洗浄方法において、洗浄チャンバーは、枚葉式洗浄装置を構成するものであり、エッチング処理時間は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点からの被処理基板に対する累積処理時間における被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることが好ましい。
【００７４】
このようにすると、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置として枚葉式洗浄装置を用いた場合において、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間（すなわち、累積処理時間）に対応するエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【００７５】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置の洗浄方法において、エッチング処理時間は、下記に示す[数２]
【００７６】
【数２】

【００７７】
を用いて導出されることが好ましい。
【００７８】
但し、累積処理時間とは、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点からの前記被処理基板に対して施される前記エッチング処理時間を合計した時間を示す値であり、上昇係数（Ｆ）は、被処理膜に対するエッチングレートが累積処理時間における経過時間に応じて上昇する割合を示す値であり、エッチングレートとは、工程（ｂ）において、被処理膜のエッチング量がエッチング時間に応じて増加する割合を示す値であり、エッチングレート（Ｅ）は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された直後における、エッチングレートを示す値であり、追加エッチング量とは、工程（ｃ）において、洗浄液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされる被処理膜のエッチング量を示す値であり、追加エッチング量（Ｇ）は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された直後における、追加エッチング量を示す値であり、追加エッチングレート（Ｈ）は、追加エッチング量が累積処理時間における経過時間に応じて増加する割合を示す値である。
【００７９】
このようにすると、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置として枚葉式洗浄装置を用いた場合において、補正計算式として[数２]を用いることにより、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の導出を行うことができる。
【００８０】
具体的に、[数２]における上昇係数（Ｆ）は、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからの累積処理時間における第１の経過時間での被処理膜に対する第１の平均エッチングレートと、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからの累積処理時間における第１の経過時間とは異なる第２の経過時間での被処理膜に対する第２の平均エッチングレートとから求めることができる。
【００８１】
また、[数２]におけるエッチングレート（Ｅ）は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された直後における、被処理膜に対して施されるエッチング時間の変化量に対応する被処理膜のエッチング量の変化量の割合から求めることができる。
【００８２】
また、[数２]における追加エッチング量（Ｇ）及び追加エッチングレート（Ｈ）は、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからの累積処理時間における第３の経過時間後の第１のエッチング時間での被処理膜の第１のエッチング量と、第３の経過時間後の第１のエッチング時間とは異なる第２のエッチング時間での被処理膜の第２のエッチング量とから、洗浄液における第３の経過時間後の残留液によって被処理膜がエッチングされる量を示す第１の追加エッチング量を求めると共に、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからの累積処理時間における第４の経過時間後の第３のエッチング時間での被処理膜の第３のエッチング量と、第４の経過時間後の第３のエッチング時間とは異なる第４のエッチング時間での被処理膜の第４のエッチング量とから、洗浄液における第４の経過時間後の残留液によって被処理膜がエッチングされる量を示す第２の追加エッチング量を求めた後に、第３の経過時間に対応する第１の追加エッチング量と、第４の経過時間に対応する第２の追加エッチング量とから、追加エッチング量（Ｇ）及び追加エッチングレート（Ｈ）をそれぞれ求めることができる。
【００８３】
このように、上昇係数（Ｆ）、エッチングレート（Ｅ）、追加エッチング量（Ｇ）、及び追加エッチングレート（Ｈ）を求めることにより、本発明に係る枚葉式洗浄装置における補正計算式を得ることができる。
【００８４】
このため、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置では、補正計算式として[数２]が設定されており、[数２]に基づいて各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間が導出される。これにより、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際のエッチングを行うことができる。
【００８５】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置の洗浄方法は、洗浄チャンバー内の洗浄液循環路において循環再利用される洗浄液を導入して、洗浄チャンバー内に配置された被処理基板に対して洗浄を行う電子デバイスの洗浄方法であって、エッチング処理温度を導出する工程（ｄ）と、被処理基板に対してエッチング処理温度に調整された洗浄液を供給する工程（ｅ）と、被処理基板を水洗する工程（ｆ）とを備え、エッチング処理温度は、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからの経過時間に依存して、工程（ｅ）における洗浄液による被処理基板上の被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする。
【００８６】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置の洗浄方法によると、洗浄液による被処理膜のエッチング量の変化量、及び洗浄液におけるエッチング後の残留液による被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて、エッチング処理温度の導出を行うことができる。このため、各々の経過時間に対応するエッチング処理温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【００８７】
このため、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチングレートが変動することがなく、各々の経過時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対してエッチングを行うことができるので、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチング量が変動することを確実に防止することができる。したがって、各々の経過時間に対応して、所望のエッチング量を確実に確保することができるので、経過時間に依存することなく、安定したエッチング量の維持を図ることができる。
【００８８】
また、従来例のように、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてから一定時間が経過する毎に、洗浄液循環路に供給される洗浄液の交換を行う必要がないので、洗浄液の交換頻度の低減を図ることができる。したがって、洗浄液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【００８９】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置の洗浄方法において、エッチング処理温度は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点から洗浄液循環路から排出されるまでの経過時間に依存する被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることが好ましい。
【００９０】
このようにすると、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点から経過した時間（すなわち、ライフタイム）に対応するエッチング処理温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【００９１】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置の洗浄方法において、洗浄チャンバーは、枚葉式洗浄装置を構成するものであり、エッチング処理温度は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点からの被処理基板に対する累積処理時間における被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることが好ましい。
【００９２】
このようにすると、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置として枚葉式洗浄装置を用いた場合において、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間（すなわち、累積処理時間）に対応するエッチング処理温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【００９３】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置の洗浄方法において、洗浄液は、フッ素化合物を含むことが好ましい。
【００９４】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置は、洗浄液の温度を調整する温度調整機能を有し且つ洗浄液を循環再利用する洗浄液循環路と、エッチング処理時間を導出する制御部と、被処理基板の洗浄を行う洗浄チャンバーとを備え、制御部は、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからの経過時間を計測し、経過時間に依存して洗浄液による被処理基板上の被処理膜のエッチング量が変化する量に基づいて、洗浄の際におけるエッチング処理時間を導出するものであり、洗浄チャンバーは、制御部によって導出されるエッチング処理時間に基づいて、被処理基板に対して洗浄液を供給することを特徴とする。
【００９５】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置によると、該洗浄装置は制御部を備えており、該制御部では、洗浄液による被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて、各々の経過時間に対応するエッチング処理時間が導出される。また、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置における洗浄液循環路では、温度調整機能によって洗浄液の温度の調整が行われる。
【００９６】
このため、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置における洗浄チャンバーでは、温度がコントロールされた洗浄液を用いて、各々の経過時間に対応するエッチング処理時間の間、一定のエッチング温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【００９７】
これにより、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチングレートが変動することはあっても、各々の経過時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対してエッチングを行うことができるので、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチング量が変動することを防止することができる。したがって、各々の経過時間に対応して、所望のエッチング量を確保することができるので、経過時間に依存することなく、安定したエッチング量の維持を図ることができる。
【００９８】
また、従来例のように、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてから一定時間が経過する毎に、洗浄液循環路に供給される洗浄液の交換を行う必要がなく、洗浄液の使用期限の延長を図ることができる。したがって、洗浄液の交換頻度の低減を図ることができるので、洗浄液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【００９９】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、制御部は、導出したエッチング処理時間に基づいて、予め設定された複数のエッチング時間から、所望のエッチング処理時間の選択を行い、又は、予め設定されたエッチング時間を所望のエッチング処理時間へ変更することが好ましい。
【０１００】
このようにすると、制御部によって導出された各々の経過時間に対応するエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【０１０１】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、制御部は、洗浄液におけるエッチング後の残留液による被処理膜のエッチング量の変化量にさらに基づいて、エッチング処理時間を導出することが好ましい。
【０１０２】
このようにすると、洗浄液による被処理膜のエッチング量の変化量だけでなく、洗浄液におけるエッチング後の残留液による被処理膜のエッチング量の変化量にも基づいて、各々の経過時間に対応するエッチング処理時間の導出を行うことができる。
【０１０３】
このため、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置における洗浄チャンバーでは、温度がコントロールされた洗浄液を用いて、より精密に導出されたエッチング処理時間の間、一定のエッチング温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【０１０４】
これにより、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチングレートが変動することはあっても、各々の経過時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対してエッチングを行うことができるので、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチング量が変動することをより確実に防止することができる。したがって、各々の経過時間に対応して、所望のエッチング量をより確実に確保することができるので、経過時間に依存することなく、安定したエッチング量の維持を図ることができる。
【０１０５】
また、従来例のように、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてから一定時間が経過する毎に、洗浄液循環路に供給される洗浄液の交換を行う必要がないので、洗浄液の交換頻度の低減を図ることができる。したがって、洗浄液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減をより確実に図ることができる。
【０１０６】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、エッチング処理時間は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点から洗浄液循環路から排出されるまでの経過時間に依存する被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることが好ましい。
【０１０７】
このようにすると、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点から経過した時間（すなわち、ライフタイム）に対応するエッチング処理時間の間、被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【０１０８】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、洗浄チャンバーの内部には、被処理基板を回転可能に保持するホルダーと、洗浄液循環路と連通し、被処理基板の上に洗浄液を供給するノズルとが設けられており、エッチング処理時間は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点からの被処理基板に対する累積処理時間における被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることが好ましい。
【０１０９】
このようにすると、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置として枚葉式洗浄装置を用いた場合において、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間（すなわち、累積処理時間）に対応するエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【０１１０】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置は、洗浄液の温度を調整する温度調整機能を有し且つ洗浄液を循環再利用する洗浄液循環路と、エッチング処理温度を導出する制御部と、被処理基板の洗浄を行う洗浄チャンバーとを備え、制御部は、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてからの経過時間を計測し、経過時間に依存して洗浄液による被処理基板上の被処理膜のエッチング量が変化する量に基づいて、洗浄の際におけるエッチング処理温度を導出するものであり、洗浄チャンバーは、被処理基板に対して、制御部によって導出されるエッチング処理温度に基づいて温度が調整された洗浄液を供給することを特徴とする。
【０１１１】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置によると、該洗浄装置は制御部を備えており、該制御部では、洗浄液による被処理膜のエッチング量の変化量、及び洗浄液におけるエッチング後の残留液による被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて、エッチング処理温度の導出を行うことができる。また、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置における洗浄液循環路では、温度調整機能によって洗浄液の温度の調整が行われる。
【０１１２】
このため、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置における洗浄チャンバーでは、温度がコントロールされた洗浄液を用いて、各々の経過時間に対応するエッチング処理温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【０１１３】
これにより、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチングレートが変動することがなく、各々の経過時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対してエッチングを行うことができるので、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチング量が変動することを確実に防止することができる。したがって、各々の経過時間に対応して、所望のエッチング量を確実に確保することができるので、経過時間に依存することなく、安定したエッチング量の維持を図ることができる。
【０１１４】
また、従来例のように、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてから一定時間が経過する毎に、洗浄液循環路に供給される洗浄液の交換を行う必要がないので、洗浄液の交換頻度の低減を図ることができる。したがって、洗浄液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０１１５】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、制御部は、導出したエッチング処理温度に基づいて、エッチング処理温度を温度調整機能へフィードバックすることが好ましい。
【０１１６】
このようにすると、制御部によって導出された各々の経過時間に対応するエッチング処理温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【０１１７】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、エッチング処理温度は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点から洗浄液循環路から排出されるまでの経過時間に依存する被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることが好ましい。
【０１１８】
このようにすると、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点から経過した時間（すなわち、ライフタイム）に対応するエッチング処理温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【０１１９】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置において、洗浄チャンバーの内部には、被処理基板を回転可能に保持するホルダーと、洗浄液循環路と連通し、被処理膜基板上に洗浄液を供給するノズルとが設けられており、エッチング処理温度は、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点からの被処理基板に対する累積処理時間における被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることが好ましい。
【０１２０】
このようにすると、本発明に係る電子デバイスの洗浄装置として枚葉式洗浄装置を用いた場合において、洗浄液が洗浄液循環路に供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間（すなわち、累積処理時間）に対応するエッチング処理温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【発明の効果】
【０１２１】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置及びその洗浄方法によると、洗浄液による被処理膜のエッチング量の変化量、及び洗浄液におけるエッチング後の残留液による被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて、エッチング処理時間又はエッチング処理温度の導出を行うことができる。これにより、所望のエッチング処理時間の間又は所望のエッチング処理温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。
【０１２２】
このため、各々の経過時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対してエッチングを行うことができるので、経過時間の変化と共に被処理膜のエッチング量が変動することを確実に防止することができる。したがって、各々の経過時間に対応して、所望のエッチング量を確実に確保することができるので、経過時間に依存することなく、安定したエッチング量の維持を図ることができる。
【０１２３】
また、従来例のように、洗浄液が洗浄液循環路に供給されてから一定時間が経過する毎に、洗浄液循環路に供給される洗浄液の交換を行う必要がないので、洗浄液の交換頻度の低減を図ることができる。したがって、洗浄液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１２４】
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しながら説明する。
【０１２５】
（第１の実施形態）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造について、図１及び図２を参照しながら説明する。
【０１２６】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造を示す断面図である。
【０１２７】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における循環槽の具体的な構成を示す断面図である。
【０１２８】
図１に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０は、循環槽１１、水洗槽１２、乾燥槽１３、及び制御部１４から構成されている。このようにして、洗浄装置１０は、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置（１００）内に、制御部１４を導入することにより構成されている。
【０１２９】
また、図２に示すように、循環槽１１では、循環部において洗浄用薬液の循環が行われると共に洗浄部において洗浄用薬液による被処理膜の洗浄が行われる。具体的に、循環部は、循環ライン（洗浄液循環路）２０、循環ポンプ２１、電子冷熱２２、フィルター２３から構成されており、洗浄部は、処理槽内槽（洗浄チャンバー）２４、処理槽外槽２５、槽カバー２６、及び洗浄用薬液ノズル２７から構成されている。
【０１３０】
以下に、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いた場合における、電子デバイスの洗浄方法について図１及び図２を参照しながら説明する。
【０１３１】
まず、循環槽１１における循環ライン２０に洗浄用薬液を供給する。循環ライン２０に供給される洗浄用薬液は、循環ライン２０に設けられた電子冷熱２２により溶液の温度が調整される。このように、電子冷熱２２によって溶液の温度（エッチング温度）がコントロールされた洗浄用薬液は、洗浄用薬液ノズル２７を通じて、循環ライン２０から処理槽内槽２４へ導入されて、処理槽内槽２４に貯留される。
【０１３２】
次に、処理槽内槽２４に貯留された洗浄用薬液中に、所望のエッチング処理時間の間、被処理基板を浸漬することにより、該被処理基板における被処理膜のエッチングを行う。被処理基板の洗浄に使用された洗浄用薬液は、循環ライン２０によって繰り返し循環されて、処理槽内槽２４において再利用される。
【０１３３】
ここで、洗浄の際に、被処理膜に対して施されるエッチング処理条件（例えば、エッチング処理時間）は、洗浄装置１０に内蔵された制御部１４によって制御される。具体的には、制御部１４によって、循環ライン２０に洗浄用薬液が供給されてから経過した時間（以下、ライフタイムと記す）の計測が行われ、計測されたライフタイムに対応するエッチング処理時間が導出されることにより、各々のライフタイムに対応するエッチング処理条件が決定される。
【０１３４】
このように、制御部１４によって、各々のライフタイムに対応する所望のエッチング処理時間が決定され、所望のエッチング処理時間の間、処理槽内槽２４に貯留された洗浄用薬液中に被処理基板を浸漬する。これにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングを行う。
【０１３５】
次に、水洗槽１２では、循環槽１１においてエッチングされた被処理膜に対して水洗が施される。これにより、被処理膜から洗浄用薬液におけるエッチング後の残留液が除去されると共に、該残留液によって被処理膜はエッチングされる。このため、被処理膜は、循環槽１１において洗浄用薬液によってエッチングされるだけでなく、水洗槽１２において洗浄用薬液におけるエッチング後の残留液によってもエッチングされる。
【０１３６】
次に、乾燥槽１３では、水洗槽１２において水洗された被処理膜に対して、乾燥が施される。
【０１３７】
以下に、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いて、ライフタイムとエッチング量との相関性、及びエッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行うことにより、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の決定方法について具体的に説明する。
【０１３８】
これらの相関性について評価を行うために、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における循環ライン２０に供給される洗浄用薬液として、バッファードフッ酸溶液（ＨＦ 0.10％、ＮＨ₄ Ｆ 39.0％ ）を用いて、循環ライン２０に設けられた電子冷熱２２により、バッファードフッ酸溶液（以下、ＢＨＦ溶液と記す）の温度を一定のエッチング温度（例えば、２１℃）にコントロールする。
【０１３９】
まず、上記の条件の下、ライフタイムとエッチング量との相関性について評価を行うために、処理槽内槽２４に貯留されたＢＨＦ溶液中に、一定のエッチング時間（例えば、３分間）の間、被処理基板を浸漬することにより、被処理基板における被処理膜（熱酸化膜）のエッチングを行う。
【０１４０】
このようにして、各々のライフタイムにおける熱酸化膜のエッチング量の測定を行うことにより、ライフタイムとエッチング量との相関性について評価を行う。以下に、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムとエッチング量との相関性について、表１及び図３を参照しながら説明する。
【０１４１】
表１は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々のライフタイムにおける被処理膜のエッチング量を示す表である。
【０１４２】
また、図３は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムとエッチング量との相関性を示す図である。
【０１４３】
[表１] に示すように、各々のライフタイム（０時間、１２時間、２４時間、４８時間）毎に、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量の測定を行う。続いて、図３に示すように、各々のライフタイムにおける熱酸化膜のエッチング量をプロットすることにより、ライフタイムとエッチング量との相関性について評価を行う。
【０１４４】
【表１】

【０１４５】
これにより、図３に示すように、ライフタイムの増加に伴って、熱酸化膜のエッチング量が一定の割合で増加することが分かった。具体的には、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液では、熱酸化膜のエッチング量が４．０ｎｍであるのに対し、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、熱酸化膜のエッチング量が５．６ｎｍであった。このように、ライフタイムが２４時間における熱酸化膜のエッチング量は、ライフタイムが０時間における熱酸化膜のエッチング量と比較して、エッチング量が増加していることが分かる。
【０１４６】
ここで、ライフタイムの増加に伴って、熱酸化膜のエッチング量が増加する原因を以下に示す。
【０１４７】
ＨＦ及びＮＨ₄ ＦよりなるＢＨＦ溶液は、ＮＨ₃ 、Ｈ⁺、及びＨＦ₂^- に解離された平衡状態にある。従って、ＢＨＦ溶液中には、ＨＦ、ＮＨ₄ Ｆ、ＮＨ₃ 、Ｈ⁺、及びＨＦ₂^- が存在している。
【０１４８】
これらのうち、ＮＨ₃ は、他の成分（ＨＦ、ＮＨ₄ Ｆ、Ｈ⁺、及びＨＦ₂^- ）に比べて、蒸気圧が低いため揮発し易い。このため、処理槽内槽２４では、循環ライン２０から導入されて処理槽内槽２４に貯留されたＢＨＦ溶液のうち、ＮＨ₃ が貯留時間に伴って選択的に揮発する。従って、ライフタイムの増加に伴って、ＢＨＦ溶液におけるＮＨ₃ が揮発されてＢＨＦ溶液におけるＮＨ₃の濃度が減少する。
【０１４９】
これにより、式[イ]に示すように、ＢＨＦ溶液の平衡状態が右側（生成系側）へ傾くためＨＦ₂^-が解離される量が増加するので、ＢＨＦ溶液中において、エッチャントであるＨＦ₂^-の濃度も増加する。
【０１５０】
ＨＦ ＋ ＮＨ₄ Ｆ → ＮＨ₃ ↑＋ Ｈ⁺ ＋ ＨＦ₂^- ・・・[イ]
このように、ライフタイムの増加に伴って、ＢＨＦ溶液におけるＨＦ₂^-の濃度が増加するので、熱酸化膜のエッチング量も増加する。
【０１５１】
具体的には、洗浄用薬液が循環ライン２０に供給されてから２４時間経過後のＢＨＦ溶液は、洗浄用薬液が循環ライン２０に供給された直後のＢＨＦ溶液と比較して、ＢＨＦ溶液の組成は変化し、ＢＨＦ溶液中におけるＨＦ₂^-の濃度が高くなる。このため、ライフタイムが２４時間における熱酸化膜のエッチング量（５．６ｎｍ）は、ライフタイムが０時間における熱酸化膜のエッチング量（４．０ｎｍ）と比較して、熱酸化膜のエッチング量が増加している。
【０１５２】
以上のように、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムとエッチング量との相関性について評価を行うことにより、ライフタイムの増加に伴って、被処理膜のエッチング量が一定の割合で増加することが分かった。
【０１５３】
次に、上記の条件の下、エッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行うために、任意に選択されたライフタイム（例えば、ライフタイムが２４時間）における、処理槽内槽２４に貯留されたＢＨＦ溶液中に、被処理基板を浸漬することにより、被処理基板における被処理膜（熱酸化膜）のエッチングを行う。
【０１５４】
このようにして、各々のエッチング時間における熱酸化膜のエッチング量の測定を行うことにより、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液でのエッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行う。以下に、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、エッチング時間とエッチング量との相関性について、表２及び図４を参照しながら説明する。
【０１５５】
表２は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々のエッチング時間における被処理膜のエッチング量を示す表である。
【０１５６】
また、図４は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、エッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【０１５７】
[表２]に示すように、各々のエッチング時間（１８０秒間、１５０秒間、１２０秒間、９０秒間）毎に、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量の測定を行う。続いて、図４に示すように、各々のエッチング時間における熱酸化膜のエッチング量をプロットすることにより、エッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行う。
【０１５８】
【表２】

【０１５９】
これにより、図４に示すように、エッチング時間の減少に伴って、熱酸化膜のエッチング量が一定の割合で減少することが分かった。具体的には、エッチング時間が１８０秒間では、熱酸化膜のエッチング量が５．６ｎｍであるのに対し、エッチング時間が１２０秒間には、熱酸化膜のエッチング量が４．０ｎｍであった。
【０１６０】
ここで、図３に示すように、熱酸化膜のエッチング量の変動規格が、例えば±２０％、つまり４．０±０．８（nm）である場合、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、表１及び図３に示すように、ライフタイムに関係なく一定のエッチング時間（１８０秒間）の間、熱酸化膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことにより、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液では、熱酸化膜が４．０ｎｍエッチングされるのに対し、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、熱酸化膜が５．６ｎｍエッチングされるので、変動規格の範囲外となる。
【０１６１】
しかしながら、表２及び図４に示すように、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液の場合、１８０秒間ではなく１２０秒間のエッチングを行うことにより、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液の場合と同様に、４．０ｎｍの熱酸化膜のエッチング量を確保することができる。
【０１６２】
したがって、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０は、制御部１４が内蔵されており、制御部１４では、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間が導出される。
【０１６３】
例えば、表１及び図３、並びに表２及び図４に示すように、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液では、制御部１４によって１８０秒間のエッチング処理時間が導出され、一方、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、制御部１４によって１２０秒間のエッチング処理時間が導出される。
【０１６４】
以下に、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０に内蔵された制御部１４におけるフローについて、図５(a) 及び(b) を参照しながら説明する。
【０１６５】
図５(a) 及び(b) は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置に内蔵された制御部１４におけるフローについて示す図である。
【０１６６】
図５(a) に示すように、制御部１４は、まず、ロット処理の際に、洗浄用薬液が循環ライン２０に供給されてから経過した時間、すなわち、ライフタイムを読み取る。続いて、制御部１４は、補正計算式を用いて、読み取ったライフタイムに対応するエッチング処理条件、具体的には、エッチング処理時間の導出を行う。続いて、制御部１４は、導出したエッチング処理時間に基づいて、制御部１４に予め設定されたレシピ（処理内容）におけるエッチング時間の書き換えを行うことにより、該エッチング時間から所望のエッチング処理時間へ変更を行う。
【０１６７】
このように、制御部１４に予め設定されたレシピには、所定のエッチング時間が登録されており、該所定のエッチング時間から、各々のライフタイムに対応する所望のエッチング処理時間へ変更を行う。
【０１６８】
次に、循環槽１１において、処理槽内槽２４に貯留された洗浄用薬液中に、所望のエッチング処理時間の間、被処理基板を浸漬する。これにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングが開始される。
【０１６９】
例えば、前述したように、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液では、レシピにおける所定のエッチング時間から、１８０秒間のエッチング処理時間へ書き換えが行われ、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、レシピにおける所定のエッチング時間から１２０秒間のエッチング処理時間へ書き換えが行われる。これにより、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の間、熱酸化膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができるので、ライフタイムに依存することなく一定のエッチング量（４．０ｎｍ）を確保することができる。
【０１７０】
また、図５(b) に示すように、制御部１４は、まず、ロット処理の際に、洗浄用薬液が循環ライン２０に供給されてから経過した時間、すなわち、ライフタイムを読み取る。続いて、制御部１４は、補正計算式を用いて、読み取ったライフタイムに対応するエッチング処理条件、具体的には、エッチング処理時間の導出を行う。続いて、制御部１４は、導出したエッチング処理時間に基づいて、制御部１４に予め設定されたレシピ（処理内容）における複数のエッチング時間から、所望のエッチング処理時間の選択を行う。
【０１７１】
このように、制御部１４に予め設定されたレシピには、複数のエッチング時間が登録されており、該複数のエッチング時間から、各々のライフタイムに対応する所望のエッチング処理時間の選択を行う。
【０１７２】
次に、循環槽１１において、処理槽内槽２４に貯留された洗浄用薬液中に、所望のエッチング処理時間の間、被処理基板を浸漬する。これにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングが開始される。
【０１７３】
例えば、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液では、レシピにおける複数のエッチング時間から１８０秒間のエッチング処理時間が選択され、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、レシピにおける複数のエッチング時間から１２０秒間のエッチング処理時間が選択される。これにより、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の間、熱酸化膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができるので、ライフタイムに依存することなく一定のエッチング量（４．０ｎｍ）を確保することができる。
【０１７４】
以上のように、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０は、制御部１４が内蔵されており、制御部１４では、図５(a) 又は(b) に示すように、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間が導出される。また、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０における処理槽内槽２４では、制御部１４によって導出された所望のエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングが行われる。
【０１７５】
このため、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、ライフタイムの変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化し、被処理膜におけるエッチングレートが変動することはあっても、制御部１４によって、各々のライフタイムに対応してエッチング処理時間を制御することができるので、各々のライフタイムに対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。したがって、ライフタイムの変化に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することはないので、ライフタイムに依存することなく一定のエッチング量を確保することができる。
【０１７６】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０１７７】
（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造について、図６を参照しながら説明する。
【０１７８】
図６は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造を示す断面図である。
【０１７９】
尚、図６において、前述した本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同一の構成要素については、同一の符号を付す。したがって、本実施形態では、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同様の説明は繰り返し行わない。
【０１８０】
図６に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０は、循環槽１１、水洗槽１２、乾燥槽１３から構成されており、洗浄装置１０には制御部１４を介してＣＩＭ（Ｃomputer Ｉntegrated Ｍanufacturing ）システム３４が接続されている。このように、洗浄装置１０は、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置（１００）に制御部１４を介してＣＩＭシステム３４が接続されている。
【０１８１】
以下に、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０を用いた場合における、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の決定方法について、前述した表１及び図３、並びに表２及び図４を参照しながら簡単に説明する。
【０１８２】
前述した表１及び図３、並びに表２及び図４に示すように、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０では、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液では、１８０秒間の間、熱酸化膜に対してエッチングを行うことにより、目標とするエッチング量（４．０ｎｍ）を確保することができる。また、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、１２０秒間の間、熱酸化膜に対して洗浄を行うことにより、目標とするエッチング量（４．０ｎｍ）を確保することができる。
【０１８３】
したがって、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０は、洗浄装置１０に制御部１４を介してＣＩＭシステム３４が接続されており、ＣＩＭシステム３４では、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間が導出される。
【０１８４】
例えば、前述した表１及び図３、並びに表２及び図４に示すように、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液では、ＣＩＭシステム３４によって１８０秒間のエッチング処理時間が導出され、一方、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、ＣＩＭシステム３４によって１２０秒間のエッチング処理時間が導出される。
【０１８５】
以下に、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０に接続されたＣＩＭシステム３４におけるフローについて、図７(a) 及び(b) を参照しながら説明する。
【０１８６】
図７(a) 及び(b) は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０に接続されたＣＩＭシステム３４におけるフローについて示す図である。
【０１８７】
図７(a) に示すように、制御部１４は、まず、ロット処理の際に、洗浄用薬液が循環ライン（２０）に供給されてから経過した時間、すなわち、ライフタイムを読み取る。続いて、ＣＩＭシステム３４は、制御部１４からのライフタイムデータを受けて、補正計算式を用いて、読み取ったライフタイムに対応するエッチング処理条件、具体的には、エッチング処理時間を導出する。続いて、ＣＩＭシステム３４は、導出したエッチング処理時間に基づいて、制御部１４に予め設定されたレシピ（処理内容）における複数のエッチング時間から、所望のエッチング処理時間の選択を行う。
【０１８８】
このように、制御部１４に予め設定されたレシピには、複数のエッチング時間が登録されており、該複数のエッチング処理時間から、各々のライフタイムに対応する所望のエッチング処理時間の選択を行う。
【０１８９】
次に、循環槽１１において、処理槽内槽（２４）に貯留された洗浄用薬液中に、所望のエッチング処理時間の間、被処理基板を浸漬する。これにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングが開始される。
【０１９０】
また、図７(b) に示すように、制御部１４は、まず、ロット処理の際に、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから経過した時間、すなわち、ライフタイムを読み取る。続いて、ＣＩＭシステム３４は、制御部１４からのライフタイムデータを受けて、補正計算式を用いて、読み取ったライフタイムに対応するエッチング処理条件、具体的には、エッチング処理時間を導出する。続いて、ＣＩＭシステム３４は、導出したエッチング処理時間に基づいて、制御部１４に予め設定されたレシピ（処理内容）におけるエッチング時間の書き換えを行うことにより、該エッチング時間から所望のエッチング処理時間へ変更を行う。
【０１９１】
このように、制御部１４に予め設定されたレシピには、所定のエッチング時間が登録されており、該所定のエッチング処理時間から、各々のライフタイムに対応する所望のエッチング処理時間へ変更を行う。
【０１９２】
次に、循環槽１１において、処理槽内槽に貯留された洗浄用薬液中に、所望のエッチング処理時間の間、被処理基板を浸漬する。これにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングが開始される。
【０１９３】
以上のように、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０は、制御部１４が内蔵されており、制御部１４を介してＣＩＭシステム３４が接続されている。ＣＩＭシステム３４では、図７(a) 又は(b) に示すように、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間が導出される。また、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置１０における処理槽内槽では、ＣＩＭシステム３４によって導出された所望のエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングが行われる。
【０１９４】
このため、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、ライフタイムの変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化し、被処理膜におけるエッチングレートが変動することはあっても、ＣＩＭシステム３４によって、各々のライフタイムに対応してエッチング処理時間を制御することができるので、各々のライフタイムに対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。したがって、ライフタイムの変化に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することはないので、ライフタイムに依存することなく一定のエッチング量を確保することができる。
【０１９５】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０１９６】
（第３の実施形態）
以下に、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置について説明する。
【０１９７】
尚、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置（１０）のように、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置内に制御部（１４）が内蔵されている、又は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置（１０）のように、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置に制御部（１４）を介してＣＩＭシステム（３４）が接続されていることにより構成されている。
【０１９８】
従って、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、本発明の第１及び第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同様の説明は繰り返し行わない。
【０１９９】
以下に、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間に関する補正計算式について、表３及び図８、表４及び図９、並びに表５及び図１０を参照しながら説明する。
【０２００】
本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における補正計算式を導くために、洗浄用薬液として、溶液の温度が一定のエッチング温度（例えば、２１℃）にコントロールされたＢＨＦ溶液（ＨＦ 0.10％、ＮＨ₄ Ｆ 39.0％）を用いて、処理槽内槽（２４）に貯留されたＢＨＦ溶液中に、一定のエッチング時間（例えば、１８０秒間）の間、被処理基板を浸漬することにより、被処理基板における被処理膜（熱酸化膜）のエッチングを行う。
【０２０１】
まず、上記の条件の下、熱酸化膜におけるエッチングレートの上昇係数（Ｂ）を導くために、以下の測定を行う。
【０２０２】
ここで、上昇係数（Ｂ）とは、熱酸化膜のエッチングレートが、ライフタイムにおける経過時間に応じて上昇する割合を示す。
【０２０３】
表３は、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々のライフタイムにおける被処理膜のエッチングレートを示す表である。
【０２０４】
また、図８は、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムとエッチングレートとの相関性を示す図である。
【０２０５】
表３に示すように、各々のライフタイム（０分、７２０分、１４４０分、２８８０分）毎に、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチングレートの測定を行う。続いて、図８に示すように、各々のライフタイムにおける熱酸化膜のエッチングレートをプロットすることにより、ライフタイムとエッチングレートとの相関性について評価を行う。
【０２０６】
【表３】

【０２０７】
ライフタイムがＴａ（min）における熱酸化膜のエッチングレートをＹａ（nm/min）とすると、ライフタイムＴａと熱酸化膜のエッチングレートＹａとの関係は、一次関数で表されるので、以下に示す近似式[ａ]が導かれる。
【０２０８】
Ｙａ ＝ ０．０００４ Ｔａ ＋ １．３１９９ ・・・[ａ]
近似式[ａ]より、熱酸化膜におけるエッチングレートの上昇係数（Ｂ）が導かれ、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチングレートは、ライフタイム１（min）あたり０．０００４（nm/min）上昇することが分かる。
【０２０９】
このように、ライフタイムの増加に伴って、ＢＨＦ溶液の組成が変化し、熱酸化膜のエッチング量が増加するので、熱酸化膜におけるエッチングレートが上昇する。
【０２１０】
次に、上記の条件の下、熱酸化膜のエッチングレート（Ａ）、及び熱酸化膜の追加エッチング量（Ｃ）を導くために、以下の測定を行う。
【０２１１】
ここで、エッチングレート（Ａ）とは、ＢＨＦ溶液が循環ラインに供給された直後における、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量がエッチング時間に応じて増加する割合を示す。
【０２１２】
また、追加エッチング量（Ｃ）とは、ＢＨＦ溶液が循環ラインに供給された直後における水洗工程等における、ＢＨＦ溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量を示す。
【０２１３】
表４は、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムが０分における各々のエッチング時間に対応する被処理膜のエッチング量を示す表である。
【０２１４】
また、図９は、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムが０分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【０２１５】
表４に示すように、ＢＨＦ溶液が循環ラインに供給された直後、すなわち、ライフタイムが０分におけるＢＨＦ溶液を用いて、各々のエッチング時間（１分、２分、３分）毎に、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量の測定を行う。続いて、図９に示すように、各々のエッチング時間における熱酸化膜のエッチング量をプロットすることにより、ライフタイムが０分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行う。
【０２１６】
【表４】

【０２１７】
エッチング時間Ｘｂ（min）における熱酸化膜のエッチング量をＺｂ（nm）とすると、ライフタイムが０分におけるエッチング時間Ｘｂと熱酸化膜のエッチング量Ｚｂとの関係は、一次関数で表されるので、以下に示す近似式[ｂ]が導かれる。
【０２１８】
Ｚｂ ＝ １．２０ Ｘｂ ＋ ０．４０ ・・・[ｂ]
近似式[ｂ]より、熱酸化膜のエッチングレート（Ａ）が導かれ、ライフタイムが０分におけるＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量は、エッチング時間１（min）あたり１．２０（nm）増加することが分かる。
【０２１９】
また、近似式[ｂ]より、熱酸化膜の追加エッチング量（Ｃ）が導かれ、水洗工程等において、ライフタイムが０分におけるＢＨＦ溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量は、０．４０（nm）であることが分かる。
【０２２０】
次に、上記の条件の下、熱酸化膜における追加エッチングレート（Ｄ）を導くために、以下の測定を行う。
【０２２１】
追加エッチングレート（Ｄ）とは、水洗工程等において、ＢＨＦ溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量（すなわち、熱酸化膜の追加エッチング量）が、ライフタイムにおける経過時間に応じて増加する割合を示す。
【０２２２】
表５は、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムが１４４０分における各々のエッチング時間に対応する被処理膜のエッチング量を示す表である。
【０２２３】
また、図１０は、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムが１４４０分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【０２２４】
表５に示すように、任意に選択されたライフタイム（例えば、ライフタイムが１４４０分）におけるＢＨＦ溶液を用いて、各々のエッチング時間（１分、２分、３分）毎に、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量の測定を行う。続いて、図１０に示すように、各々のエッチング時間における熱酸化膜のエッチング量をプロットすることにより、ライフタイムが１４４０分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行う。
【０２２５】
【表５】

【０２２６】
エッチング時間Ｘｃ（min）における熱酸化膜のエッチング量をＺｃ（nm）とすると、ライフタイムが１４４０分におけるエッチング時間Ｘｃと熱酸化膜のエッチング量Ｚｃとの関係は、一次関数で表されるので、以下に示す近似式[ｃ]が導かれる。
【０２２７】
Ｚｃ ＝ １．６７ Ｘｃ ＋ ０．６０ ・・・[ｃ]
近似式[ｃ]より、水洗工程等において、ライフタイムが１４４０分でのＢＨＦ溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量は、０．６０（nm）であることが分かる。
【０２２８】
ここで、前述したように、ライフタイムの増加に伴って、ＢＨＦ溶液の組成が変化するので、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量が増加する。このため、ライフタイムの増加に伴って、ＢＨＦ溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量（以下、熱酸化膜の追加エッチング量と記す）も増加する。
【０２２９】
このように、図９に示される近似式[ｂ]より、ライフタイムが０分における熱酸化膜の追加エッチング量が０．４０（nm）であるのに対し、図１０に示される近似式[ｃ]より、ライフタイムが１４４０分における熱酸化膜の追加エッチング量は０．６０（nm）であり、ライフタイムの増加に伴って熱酸化膜の追加エッチング量が増加する。
【０２３０】
従って、ライフタイムＴｄ（min）における熱酸化膜の追加エッチング量をＷｄとすると、ライフタイムＴｄと追加エッチング量Ｗｄとの関係は、一次関数で表されるので、以下に示す近似式[ｄ]が導かれる。
【０２３１】
Ｗｄ ＝ （１．３９×１０^-4） × Ｔｄ ＋ ０．４０ ・・・[ｄ]
近似式[ｄ]より、熱酸化膜における追加エッチングレート（Ｄ）が導かれ、水洗工程等において、ＢＨＦ溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量（すなわち、熱酸化膜の追加エッチング量）は、ライフタイム１（min）あたり１．３９×１０^-4（nm）増加することが分かる。
【０２３２】
近似式[ａ]、近似式[ｂ]、及び近似式[ｄ]より、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の導出は、以下に示される[数１]を用いて行われる。
【０２３３】
【数１】

【０２３４】
但し、上昇係数（Ｂ）は、被処理膜におけるエッチングレートが、ライフタイムにおける経過時間に応じて上昇する割合を示す値であり、近似式[ａ]より導かれる数値であって、例えば０．０００４（nm/min²）である。
【０２３５】
また、エッチングレート（Ａ）は、洗浄用薬液が循環ライン（洗浄液循環路）に供給された直後における被処理膜のエッチング量が、エッチング時間に応じて増加する割合を示す値であり、近似式[ｂ]より導かれる数値であって、例えば１．２（nm/min）である。
【０２３６】
また、追加エッチング量（Ｃ）は、洗浄用薬液が循環ラインに供給された直後における水洗工程等において、洗浄用薬液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされる被処理膜のエッチング量を示す値であり、近似式[ｂ]より導かれる数値であって、例えば０．４（nm）である。
【０２３７】
また、追加エッチングレート（Ｄ）は、被処理膜における追加エッチング量が、ライフタイムにおける経過時間に応じて増加する割合を示す値であり、近似式[ｄ]より導かれる数値であって、例えば１．３９×１０^-4（nm/min²）である。
【０２３８】
本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部（１４）又はＣＩＭシステム（３４）では、補正計算式として[数１]が設定されており、[数１]に基づいて各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間が導出される。
【０２３９】
例えば、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部（１４）又はＣＩＭシステム（３４）では、[数１]を用いることにより、前述した表１及び図３、並びに表２及び図４に示すように、ライフタイムが０分におけるＢＨＦ溶液では１８０秒間のエッチング処理時間が導出され、ライフタイムが１４４０分におけるＢＨＦ溶液では１２０秒間のエッチング処理時間が導出される。
【０２４０】
以上のように、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、前述した図５(a) 又は(b) 、並びに図７(a) 又は(b) に示すように、[数１]に基づいて各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間が導出される。また、本実施形態に係る電子デバイスにおける処理槽内槽では、制御部又はＣＩＭシステムによって導出された所望のエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングが行われる。
【０２４１】
このため、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、ライフタイムの変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化し、被処理膜におけるエッチングレートが変動することはあっても、制御部又はＣＩＭシステムによって、各々のライフタイムに対応してエッチング処理時間を制御することができるので、各々のライフタイムに対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。したがって、ライフタイムの変化に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することはないので、ライフタイムに依存することなく一定のエッチング量を確保することができる。
【０２４２】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０２４３】
（第４の実施形態）
以下に、本発明の第４の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いた場合における、電子デバイスの洗浄方法について、図１１(a) 〜(d) を参照しながら説明する。
【０２４４】
図１１(a) 〜(d) は、本発明の第４の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法を示す要部工程断面図である。
【０２４５】
図１１(a) に示すように、シリコン基板４０の上に、窒化膜４１、及びＣＶＤ酸化膜４２を順に積層する。続いて、ＣＶＤ酸化膜４２の上に塗布されたレジスト４３を所望の形状にパターニングすることにより、ＣＶＤ酸化膜４２の一部が露出された開口部４４を形成する。開口部４４におけるＣＶＤ酸化膜４２及び窒化膜４１に対してドライエッチングを施すことにより、開口部４４におけるＣＶＤ酸化膜４２及び窒化膜４１の除去を行う。これにより、所望の形状のコンタクトホール４５を形成する。
【０２４６】
次に、図１１(b) に示すように、酸素プラズマによるアッシングを行うことにより、ドライエッチング後のレジスト残渣４６の除去を行う。続いて、ＳＰＭ（Ｓulfaric Acid-Hydrogen Ｐeroxide Ｍixture、Ｈ₂ ＳＯ₄ ／Ｈ₂ Ｏ₂ ）及びＡＰＭ（Ａmmonium Hydrogen Ｐeroxide Ｍixture、ＮＨ₄ ＯＨ／Ｈ₂ Ｏ₂ ）による洗浄を順次行うことにより、電子デバイスの清浄化を図る。
【０２４７】
次に、図１１(c) に示すように、本発明の第４の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いて、自然酸化膜４７を完全に除去することにより更なる電子デバイスの清浄化を図ると共に、ＣＶＤ酸化膜４２をエッチングすることにより所望の径を有するコンタクトホール４５を形成することができる。
【０２４８】
例えば、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置において、洗浄用薬液として、溶液の温度が２１℃にコントロールされたＢＨＦ溶液（ＨＦ 0.10％、ＮＨ₄ Ｆ 39.0％）を用いて、処理槽内槽（２４）に貯留されたＢＨＦ溶液中に、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の間、被処理基板（シリコン基板４０）を浸漬する。これにより、シリコン基板４０における被処理膜（自然酸化膜４７及びＣＶＤ酸化膜４２）に対して、洗浄の際におけるエッチングを行う。
【０２４９】
具体的には、前述した表１及び図３、並びに表２及び図４に示すように、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液では、１８０秒間の間、処理槽内槽に貯留されたＢＨＦ溶液中にシリコン基板４０を浸漬する。一方、ライフタイムが２４時間における洗浄用薬液では、１２０秒間の間、処理槽内槽に貯留されたＢＨＦ溶液中にシリコン基板４０を浸漬する。
【０２５０】
このように、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の間、自然酸化膜４７及びＣＶＤ酸化膜４２に対してＢＨＦ溶液によるエッチングを施すことにより、コンタクトホール４５の底部に形成された自然酸化膜４７を完全に除去すると共にＣＶＤ酸化膜４２を熱酸化膜換算で４．０ｎｍエッチングすることができるので、所望の径を有するコンタクトホール４５を形成することができる。
【０２５１】
次に、図１１(d) に示すように、ＣＶＤ酸化膜４２の上、並びにコンタクトホール４５の底部及び側壁の上に、ポリシリコン膜を形成する。続いて、ＣＭＰ法を用いてポリシリコン膜の平坦化を行うことにより、ポリシリコンプラグ４８を形成する。
【０２５２】
このように、本発明の第４の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行う。これにより、エッチング量を一定（熱酸化膜換算４．０ｎｍ）とすることができるので、ライフタイムに依存することなくコンタクトホール径の寸法シフト規格を満たすことができる。
【０２５３】
このため、自然酸化膜４７の除去と共にＣＶＤ酸化膜４２のエッチングを行う際に、ライフタイムの増加に伴って洗浄用薬液の組成が変化することにより、ＣＶＤ酸化膜４２が過剰にエッチングされることがないので、コンタクトホール径が過剰に拡大することがない。
【０２５４】
したがって、ＣＶＤ酸化膜４２が過剰にエッチングされ、コンタクトホール径が拡大し、隣り合ったコンタクトホール４５が互いに接触することにより発生する、電子デバイスの不良を防止することができるので、電子デバイスの歩留まりの向上を図ることができる。
【０２５５】
以上のように、本発明の第４の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、各々のライフタイムに対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。これにより、ライフタイムの変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化することはあっても、一定のエッチング量を確保することができる。
【０２５６】
また、従来例のように、洗浄用薬液が供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０２５７】
（第５の実施形態）
以下に、本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置について説明する。
【０２５８】
本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置（１０）のように、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置内に制御部（１４）が内蔵されている、又は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置（１０）のように、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置に制御部（１４）を介してＣＩＭシステム（３４）が接続されていることにより構成されている。
【０２５９】
従って、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、本発明の第１及び第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同様の説明は繰り返し行わない。
【０２６０】
本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の導出ではなく、各々のライフタイムに対応するエッチング処理温度が導出される。
【０２６１】
以下に、本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いた場合における、各々のライフタイムに対応するエッチング処理温度の決定方法について具体的に説明する。
【０２６２】
本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における所望のエッチング処理温度の決定を行うために、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における循環ラインに供給される洗浄用薬液として、ＢＨＦ溶液（ＨＦ 0.10％、ＮＨ₄ Ｆ 39.0％）を用いて、循環ラインに設けられた電子冷熱により、ＢＨＦ溶液の温度をコントロールする。
【０２６３】
上記の条件の下、処理槽内槽に貯留されたＢＨＦ溶液中に、一定のエッチング時間（３分間）の間、被処理基板を浸漬することにより、被処理基板における被処理膜（熱酸化膜）のエッチングを行う。
【０２６４】
このようにして、各々のエッチング温度における熱酸化膜のエッチング量の測定を行うことにより、各々のライフタイム（０時間、２４時間、４８時間）におけるＢＨＦ溶液でのエッチング温度とエッチング量との相関性について評価を行う。以下に、本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、エッチング温度とエッチング量との相関性について、表６を参照しながら説明する。
【０２６５】
表６は、本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々のライフタイム（０時間、２４時間、４８時間）における各々のエッチング温度に対応する被処理膜のエッチング量を示す表である。
【０２６６】
表６に示すように、電子冷熱によって一定のエッチング温度（２１℃）にコントロールされたＢＨＦ溶液では、ライフタイムが０時間における熱酸化膜のエッチング量は４．０ｎｍであるのに対し、ライフタイムが２４時間における熱酸化膜のエッチング量は５．６ｎｍである。
【０２６７】
【表６】

【０２６８】
ここで、被処理膜のエッチング量は、エッチング温度に依存しており、アレニウスの一次式で表されることが一般に知られている。
【０２６９】
このため、表６に示されるように、各々のライフタイム（０時間、２４時間、４８時間）における熱酸化膜のエッチング量は、エッチング温度の上昇に伴って一定の割合で増加する。
【０２７０】
例えば、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、各々のエッチング温度（１５．０℃、１６．６℃、１７．０℃、１９．０℃、２１．０℃、２３．０℃）に対応して、各々の熱酸化膜のエッチング量（３．５ｎｍ、４．０ｎｍ、４．１ｎｍ、４．９ｎｍ、５．６ｎｍ、６．６ｎｍ）が得られ、エッチング温度の上昇に伴って熱酸化膜のエッチング量は一定の割合で増加する。
【０２７１】
したがって、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、表６に示すように、ＢＨＦ溶液の温度を２１℃から１６．６℃へ調整することにより、４．０ｎｍの熱酸化膜のエッチング量を確保することができる。
【０２７２】
このため、本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、制御部又はＣＩＭシステムを備えており、制御部又ＣＩＭシステムによって、各々のライフタイムに対応するエッチング処理温度が導出される。
【０２７３】
例えば、ライフタイムが０時間におけるＢＨＦ溶液では、制御部又はＣＩＭシステムによって、２１℃のエッチング処理温度が導出され、一方、ライフタイムが２４時間におけるＢＨＦ溶液では、制御部又はＣＩＭシステムによって、１６．６℃のエッチング処理温度が導出される。
【０２７４】
また、前述した図５(a) 及び(b) 、並びに図７(a) 及び(b) に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における処理槽内槽では、制御部又はＣＩＭシステムによって導出されたエッチング処理温度の下、処理槽内槽に貯留されたＢＨＦ溶液中に、一定のエッチング時間の間、被処理基板を浸漬することにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングが開始される。
【０２７５】
以上のように、本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、制御部又ＣＩＭシステムを備えており、制御部又はＣＩＭシステムでは、各々のライフタイムに対応するエッチング処理温度が導出される。また、本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における処理槽内槽では、制御部又はＣＩＭシステムによって導出された所望のエッチング処理温度の下、一定のエッチング時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングが行われる。
【０２７６】
このため、本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、ライフタイムの変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化することがあっても、被処理膜におけるエッチングレートが変動することはなく、制御部又はＣＩＭシステムによって、各々のライフタイムに対応してエッチング処理温度を制御することができるので、各々のライフタイムに対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。したがって、ライフタイムの変化に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することはないので、ライフタイムに依存することなく一定のエッチング量を確保することができる。
【０２７７】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０２７８】
（第６の実施形態）
以下に、本発明の第６の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置について説明する。
【０２７９】
尚、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置（１０）のように、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置内に制御部（１４）が内蔵されている、又は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置（１０）のように、第１の従来例に係る電子デバイスのバッチ式洗浄装置に制御部（１４）を介してＣＩＭシステム（３４）が接続されていることにより構成されている。
【０２８０】
従って、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、本発明の第１及び第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同様の説明は繰り返し行わない。
【０２８１】
本発明の第６の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、各々のライフタイムに対応するエッチング処理時間の導出ではなく、各々のライフタイムに対応するエッチング処理温度が導出される。
【０２８２】
以下に、本発明の第６の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々のライフタイムに対応するエッチング処理温度に関する補正計算式について、表７及び図１２を参照しながら説明する。
【０２８３】
表７は、本発明の第６の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムが０分における各々のエッチング温度に対応する被処理膜のエッチングレートを示す表である。
【０２８４】
また、図１２は、第６の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、１／（２７３＋Ｔｊ）とＬｎ（Ｒｊ）との相関性を示す図である。
【０２８５】
尚、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における補正計算式の説明では、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における補正計算式の説明と同様の説明は繰り返し行わない。
【０２８６】
本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における補正計算式を導くために、洗浄用薬液として、電子冷熱によって溶液の温度（エッチング温度）がコントロールされたＢＨＦ溶液（ＨＦ 0.10％、ＮＨ₄ Ｆ 39.0％）を用いて、処理槽内槽に貯留されたＢＨＦ溶液中に、一定のエッチング時間（１８０秒間）の間、被処理基板を浸漬することにより、被処理基板における被処理膜（熱酸化膜）のエッチングを行う。
【０２８７】
まず、上記の条件の下、熱酸化膜におけるエッチングレートの上昇係数（Ｂ）を導く。
【０２８８】
前述したように、近似式[ａ]より、熱酸化膜におけるエッチングレートの上昇係数（Ｂ）が導かれ、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチングレートは、ライフタイム１（min）あたり０．０００４（nm/min）上昇することが分かる。
【０２８９】
上昇係数（Ｂ） ＝ ０．０００４（nm/min²）
次に、上記の条件の下、ライフタイムが０分における熱酸化膜のエッチングレート（Ａ）を導く。
【０２９０】
前述したように、近似式[ｂ]より、熱酸化膜のエッチングレート（Ａ）が導かれ、ＢＨＦ溶液が循環ライン（２０）に供給された直後（すなわち、ライフタイムが０分）におけるＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチング量は、エッチング時間１（min）あたり１．２（nm）増加することが分かる。
【０２９１】
エッチングレート（Ａ） ＝ １．２（nm/min）
上昇係数（Ｂ）及びエッチングレート（Ａ）より、ライフタイムがＸｉ（min）におけるＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチングレートをＹｉ（nm/min）とすると、熱酸化膜のエッチングレートＹｉは、以下に示される式[ｉ]を用いて求めることができる。
【０２９２】
Ｙｉ ＝ ０．０００４Ｘｉ ＋ １．２ ・・・[ｉ]
このように、ライフタイムの増加に伴ってＢＨＦ溶液の組成が変化するので、ライフタイムＸｉ（min）における熱酸化膜（nm）のエッチングレートＹｉ（nm/min）が上昇する。
【０２９３】
次に、表７に示すように、ライフタイムが０分におけるＢＨＦ溶液を用いて、各々のエッチング温度Ｔｊ（１５℃、１７℃、１９℃、２１℃、２３℃）毎に、ＢＨＦ溶液によってエッチングされる熱酸化膜のエッチングレートＲｊの測定を行うことにより、エッチング温度ＴｊとエッチングレートＲｊとの相関性について評価を行う。
【０２９４】
【表７】

【０２９５】
ここで、前述したように、化学反応における反応速度と反応温度との関係は、アレニウスの式を満たすことが一般に知られており、エッチングレートＲｊはエッチング反応における反応速度であるから、エッチングレートＲｊとエッチング温度Ｔｊ（反応温度）との関係はアレニウスの式を用いることにより、以下に示す式[ｊ]で表すことができる。
Ｌｎ（Ｒｊ） ＝ −Ｅａ／Ｒ × １／（２７３＋Ｔｊ） ＋ ｌｎＡ ・・・[ｊ]
但し、Ｒは気体定数であり、Ｅａ及びＡは固有値であって、具体的にはＥａが活性化自由エネルギーであってＡは頻度因子である。
【０２９６】
次に、式[ｊ]における固有値Ｅａ及びＡを求めるために、式[ｊ]に対して、各々のエッチング温度ＴｊにおけるエッチングレートＲｊを代入する。
【０２９７】
具体的には、図１２に示すように、表７に示される１／（２７３＋Ｔｊ）におけるＬｎ（Ｒｊ）をプロットすることにより、固有値Ｅａ及びＡを求める。
【０２９８】
次に、式[ｊ]に対して、Ｒ、Ｅａ及びＡの具体的な数値を代入して整理することにより、以下に示す式[ｋ]が導かれる。
【０２９９】
Ｌｎ（Ｒｊ） ＝ −６８３３．７ × １／（２７３＋Ｔｊ） ＋ ２３．４３
・・・[ｋ] 式[ｋ]より、エッチングレートＲｊは、以下に示す式[ｌ]を用いて求めることができる。
【０３００】
Ｒｊ ＝ ｅ^t・・・[ｌ]
（但し、ｔ ＝ −６８３３．７ × １／（２７３＋Ｔｊ） ＋ ２３．４３である。）
前述した式[ｉ]に示すように、ライフタイムの増加に伴って、洗浄用薬液の組成が変化するので、被処理膜におけるエッチングレートが上昇する。
【０３０１】
従って、ライフタイムに依存することなく、一定のエッチングレート（１．２（nm/min））を確保するには、ライフタイムの変化量に対応するエッチングレートの変化量に基づいて、エッチング処理温度の導出を行う必要がある。これにより、以下に示す[数ｍ]が導かれる。
【数ｍ】

【０３０２】
但し、ｔ ＝ −６８３３．７ × １／（２７３＋Ｔｊ） ＋ ２３．４３である。
【０３０３】
従って、式[ｍ]におけるエッチング温度Ｔｊ（℃）について求めることにより、以下に示す[数３]が導かれ、[数３]を用いることにより、ライフタイムがＸｉ（min）に対応するエッチング処理温度を導出することができる。
【０３０４】
【数３】

【０３０５】
但し、エッチングレート（Ａ）は、洗浄用薬液が循環ライン（洗浄液循環路）に供給された直後における被処理膜のエッチング量が、エッチング時間に応じて増加する割合を示す値であって、例えば１．２（nm/min）である。
【０３０６】
また、エッチングレートＹｉ(nm/min)は、洗浄用薬液が循環ライン（洗浄液循環路）に供給されてから経過した時間Ｘｉ（min）における被処理膜のエッチングレートを示す値である。
【０３０７】
例えば、[数３]を用いることにより、上記の条件の下におけるライフタイムがＸｉ（min）に対応するエッチング温度Ｔｊ（℃）の導出は、以下に示す式[３０]を用いて行うことができる。
Ｔｊ ＝ 6833.7 ／ [ 23.43 − Ｌｎ[ 1.44 ／（ 1.2 ＋ 0.0004 Ｘｉ ）]] − 273
・・・[３０] 式[３０]より、ライフタイムが０分におけるＢＨＦ溶液では２１℃のエッチング処理温度が導出され、一方、ライフタイムが１４４０分におけるＢＨＦ溶液では１６．６℃のエッチング処理温度が導出される。
【０３０８】
本発明の第６の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、補正計算式として[数３]が設定されており、[数３]に基づいて各々のライフタイムに対応するエッチング処理温度が導出される。
【０３０９】
例えば、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、[数３]を用いることにより、前述した表６に示すように、ライフタイムが０分におけるＢＨＦ溶液では２１℃のエッチング処理温度が導出され、ライフタイムが１４４０分におけるＢＨＦ溶液では１６．６℃のエッチング処理温度が導出される。
【０３１０】
以上のように、本発明の第６の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、前述した図５(a) 又は(b) 、並びに図７(a) 又は(b) に示すように、[数３]に基づいて各々のライフタイムに対応するエッチング処理温度が導出される。また、本実施形態に係る電子デバイスにおける処理槽内槽では、制御部又はＣＩＭシステムによって導出された所望のエッチング処理温度の下、一定のエッチング時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングが行われる。
【０３１１】
このため、本発明の第６の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、ライフタイムの変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化することがあっても、被処理膜におけるエッチングレートが変動することはなく、制御部又はＣＩＭシステムによって、各々のライフタイムに対応してエッチング処理温度を制御することができるので、各々のライフタイムに対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。したがって、ライフタイムの変化に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することはないので、ライフタイムに依存することなく一定のエッチング量を確保することができる。
【０３１２】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０３１３】
（第７の実施形態）
以下に、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造について、図１３を参照しながら説明する。
【０３１４】
図１３は、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造を示す断面図である。
【０３１５】
図１３に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、循環部、洗浄部、水洗部、及び制御部６０から構成されている。このようにして、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置内に、制御部６０を導入することにより構成されている。
【０３１６】
また、循環部では、洗浄用薬液が循環されており、循環部は、循環ライン（洗浄液循環路）６１、循環ポンプ６２、循環タンク６３、電子冷熱６４、フィルター６５から構成されている。また、洗浄部では、洗浄用薬液による被処理膜の洗浄が行われており、洗浄部は、洗浄チャンバー６６、カップ６７、洗浄用薬液ノズル６８、へパ６９、及びホルダー７０から構成されている。また、水洗部では、被処理膜の水洗が行われており、水洗部は、水洗ノズル７１から構成されている。
【０３１７】
以下に、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いた場合における、電子デバイスの洗浄方法について図１３を参照しながら説明する。
【０３１８】
まず、循環部における循環ライン６１に洗浄用薬液を供給する。循環ライン６１に供給される洗浄用薬液は、循環ライン６１に設けられた電子冷熱６４により溶液の温度が調整される。このように、電子冷熱６４によって溶液の温度（エッチング温度）がコントロールされた洗浄用薬液は、洗浄用薬液ノズル６８を通じて、循環ライン６１から洗浄チャンバー６６へ導入される。
【０３１９】
次に、洗浄チャンバー６６内では、ホルダー７０を用いて被処理基板の回転を行った状態で、洗浄用薬液ノズル６８を通じて、所望のエッチング処理時間の間、ホルダー７０によって保持された被処理基板に対して洗浄用薬液が供給することにより、被処理基板における被処理膜のエッチングを行う。このとき、被処理基板は、ホルダー７０によって所定の回転数で回転されている。被処理基板の洗浄に使用された洗浄用薬液は、循環ライン６１によって繰り返し循環されて、洗浄チャンバー６６において再利用される。
【０３２０】
ここで、洗浄の際に、被処理膜に対して施されるエッチング処理条件（例えば、エッチング処理時間）は、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置に内蔵された制御部６０によって制御される。具体的には、制御部６０によって、循環ライン６１に洗浄用薬液が供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間（以下、累積処理時間と記す）の計測が行われ、計測された累積処理時間に対応するエッチング処理時間が導出されることにより、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理条件が決定される。
【０３２１】
このように、制御部６０によって、各々の累積処理時間に対応する所望のエッチング処理時間が決定され、ホルダー７０を用いて被処理基板の回転を行った状態で、所望のエッチング処理時間の間、被処理基板の上に洗浄用薬液が供給される。これにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングを行う。
【０３２２】
次に、水洗部では、水洗ノズル７１を通じて、洗浄部においてエッチングされた被処理膜に対して水洗が施される。これにより、被処理膜から洗浄用薬液におけるエッチング後の残留液が除去されると共に、該残留液によって被処理膜はエッチングされる。このため、被処理膜は、洗浄部において洗浄用薬液によってエッチングされるだけでなく、水洗部において洗浄用薬液におけるエッチング後の残留液によってもエッチングされる。
【０３２３】
次に、乾燥部（図示せず）では、水洗部において水洗された被処理膜に対して、乾燥が施される。
【０３２４】
以下に、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いて、累積処理時間とエッチング量との相関性、及びエッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行うことにより、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の決定方法について具体的に説明する。
【０３２５】
これらの相関性について評価を行うために、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における循環ライン６１に供給される洗浄用薬液として、ポリマー溶液（ＮＨ₄ Ｆ 0.5％、有機溶剤 45％、水 54.5％ ）を用いて、循環ライン６１に設けられた電子冷熱６４により、ポリマー溶液の温度を一定のエッチング温度（例えば、２５℃）にコントロールする。
【０３２６】
まず、上記の条件の下、累積処理時間とエッチング量との相関性について評価を行うために、ホルダー７０を用いて被処理基板の回転を行った状態で、洗浄用薬液ノズル６８を通じて、一定のエッチング時間（例えば、３分間）の間、ホルダー７０によって保持された被処理基板に対してポリマー溶液を供給することにより、被処理基板における被処理膜（プラズマＴＥＯＳ膜）のエッチングを行う。
【０３２７】
このようにして、各々の累積処理時間におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の測定を行うことにより、累積処理時間とエッチング量との相関性について評価を行う。以下に、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間とエッチング量との相関性について、表８及び図１４を参照しながら説明する。
【０３２８】
表８は、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々の累積処理時間における被処理膜のエッチング量を示す表である。
【０３２９】
また、図１４は、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【０３３０】
[表８] に示すように、各々の累積処理時間（０分、３００分、６００分、９００分）毎に、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の測定を行う。
【０３３１】
【表８】

【０３３２】
ここで、前述したように、累積処理時間とは、循環ライン６１に洗浄用薬液が供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間である。従って、累積処理時間が０分では、循環ライン６１に洗浄用薬液が供給された時点から１枚目の被処理膜が洗浄用薬液によってエッチングされ、同様に、累積処理時間が３００分では１０１枚目、累積処理時間が６００分では２０１枚目、累積処理時間が９００分では３０１枚目の被処理膜が、洗浄用薬液によってエッチングされる。
【０３３３】
すなわち、[表８]に示すように、累積処理時間が０分では、洗浄用薬液によって既に処理された被処理膜の処理枚数は０枚であり、同様に、累積処理時間が３００分における被処理膜の処理枚数は１００枚、累積処理時間が６００分における被処理膜の処理枚数は２００枚、及び累積処理時間が９００分における被処理膜の処理枚数は３００枚である。
【０３３４】
続いて、図１４に示すように、各々の累積処理時間におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量をプロットすることにより、累積処理時間とエッチング量との相関性について評価を行う。
【０３３５】
これにより、図１４に示すように、累積処理時間の増加に伴って、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が一定の割合で増加することが分かった。具体的には、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が０．３ｎｍであるのに対し、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が０．６ｎｍであった。このように、累積処理時間が９００分におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量は、累積処理時間が０分におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量と比較して、エッチング量が増加していることが分かる。
【０３３６】
ここで、累積処理時間の増加に伴って、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が増加する原因を以下に示す。
【０３３７】
ＮＨ₄ Ｆを含むポリマー溶液は、ＮＨ₃ 、ＮＨ₄⁺、及びＨＦ₂^- に解離された平衡状態にある。従って、ポリマー溶液中には、ＮＨ₄ Ｆ、ＮＨ₃ 、ＮＨ₄⁺、及びＨＦ₂^- が存在している。
【０３３８】
これらのうち、ＮＨ₃ は、他の成分（ＮＨ₄ Ｆ、ＮＨ₄⁺、及びＨＦ₂^- ）に比べて、蒸気圧が低いため揮発し易い。このため、洗浄チャンバー６６では、洗浄用薬液ノズル６８を通じて、被処理基板に対して洗浄用薬液の供給を行う際に、ポリマー溶液がミスト化（微細化）されるので、ポリマー溶液におけるＮＨ₃が選択的に揮発する。従って、累積処理時間の増加に伴って、ポリマー溶液におけるＮＨ₃ が揮発されてポリマー溶液におけるＮＨ₃の濃度が減少する。
【０３３９】
これにより、式[ロ]に示すように、ポリマー溶液の平衡状態が右側（生成系側）へ傾くためＨＦ₂^-が解離される量が増加するので、ポリマー溶液中において、エッチャントであるＨＦ₂^-の濃度も増加する。
【０３４０】
２ＮＨ₄ Ｆ → ＮＨ₃ ↑ ＋ ＮＨ₄⁺ ＋ ＨＦ₂^- ・・・[ロ]
このように、累積処理時間の増加に伴って、ポリマー溶液におけるＨＦ₂^-の濃度が増加するので、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量も増加する。
【０３４１】
具体的には、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液は、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液と比較して、ポリマー溶液の組成は変化し、ポリマー溶液中におけるＨＦ₂^-の濃度が高くなる。このため、累積処理時間が９００分におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量（０．６ｎｍ）は、累積処理時間が０分におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量（０．３ｎｍ）と比較して、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が増加している。
【０３４２】
以上のように、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間とエッチング量との相関性について評価を行うことにより、累積処理時間の増加に伴って、被処理膜のエッチング量が一定の割合で増加することが分かった。
【０３４３】
次に、上記の条件の下、エッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行うために、ホルダー７０を用いて被処理基板の回転を行った状態で、洗浄用薬液ノズル６８を通じて、任意に選択された累積処理時間（例えば、累積処理時間が９００分）におけるポリマー溶液をホルダー７０によって保持された被処理基板に対して供給することにより、被処理基板における被処理膜（プラズマＴＥＯＳ膜）のエッチングを行う。
【０３４４】
このようにして、各々のエッチング時間におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の測定を行うことにより、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液でのエッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行う。以下に、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、エッチング時間とエッチング量との相関性について、表９及び図１５を参照しながら説明する。
【０３４５】
表９は、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々のエッチング時間における被処理膜のエッチング量を示す表である。
【０３４６】
また、図１５は、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、エッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【０３４７】
[表９]に示すように、各々のエッチング時間（１８０秒間、１２０秒間、８０秒間、６０秒間）毎に、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の測定を行う。続いて、図１５に示すように、各々のエッチング時間におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量をプロットすることにより、エッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行う。
【０３４８】
【表９】

【０３４９】
これにより、図１５に示すように、エッチング時間の減少に伴って、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が一定の割合で減少することが分かった。具体的には、エッチング時間が１８０秒間では、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が０．６０ｎｍであるのに対し、エッチング時間が８０秒間には、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が０．３０ｎｍであった。
【０３５０】
ここで、図１４に示すように、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の変動規格が、例えば±５０％、つまり０．３０±０．１５（nm）である場合、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、表８及び図１４に示すように、累積処理時間に関係なく一定のエッチング時間（１８０秒間）の間、プラズマＴＥＯＳ膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことにより、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では、プラズマＴＥＯＳ膜が０．３ｎｍエッチングされるのに対し、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、プラズマＴＥＯＳ膜が０．６ｎｍエッチングされるので、変動規格の範囲外となる。
【０３５１】
しかしながら、表９及び図１５に示すように、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液の場合、１８０秒間ではなく８０秒間のエッチングを行うことにより、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液の場合と同様に、０．３ｎｍのプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量を確保することができる。
【０３５２】
したがって、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、制御部６０が内蔵されており、制御部６０では、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間が導出される。
【０３５３】
例えば、表８及び図１４、並びに表９及び図１５に示すように、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では、制御部６０によって１８０秒間のエッチング処理時間が導出され、一方、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、制御部６０によって８０秒間のエッチング処理時間が導出される。
【０３５４】
以下に、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置に内蔵された制御部６０におけるフローについて、図１６(a) 及び(b) を参照しながら説明する。
【０３５５】
図１６(a) 及び(b) は、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置に内蔵された制御部６０におけるフローについて示す図である。
【０３５６】
図１６(a) に示すように、制御部６０は、まず、ロット処理の際に、洗浄用薬液が循環ライン６１に供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間、すなわち、累積処理時間を読み取る。続いて、制御部６０は、補正計算式を用いて、読み取った累積処理時間に対応するエッチング処理条件、具体的には、エッチング処理時間の導出を行う。続いて、制御部６０は、導出したエッチング処理時間に基づいて、制御部６０内に予め設定されたレシピ（処理内容）におけるエッチング時間の書き換えを行うことにより、該エッチング時間から所望のエッチング処理時間へ変更を行う。
【０３５７】
このように、制御部６０内に予め設定されたレシピには、所定のエッチング時間が登録されており、該所定のエッチング時間から、各々の累積処理時間に対応する所望のエッチング処理時間へ変更を行う。
【０３５８】
次に、洗浄チャンバー６６において、ホルダー７０を用いて被処理基板の回転を行った状態で、所望のエッチング処理時間の間、被処理基板の上に洗浄用薬液を供給する。これにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングが開始される。
【０３５９】
例えば、前述したように、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では、レシピにおける所定のエッチング時間から、１８０秒間のエッチング処理時間へ書き換えが行われ、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、レシピにおける所定のエッチング時間から８０秒間のエッチング処理時間へ書き換えが行われる。これにより、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の間、プラズマＴＥＯＳ膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができるので、累積処理時間に依存することなく一定のエッチング量（０．３ｎｍ）を確保することができる。
【０３６０】
また、図１６(b) に示すように、制御部６０は、まず、ロット処理の際に、洗浄用薬液が循環ライン６１に供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間、すなわち、累積処理時間を読み取る。続いて、制御部６０は、補正計算式を用いて、読み取った累積処理時間に対応するエッチング処理条件、具体的には、エッチング処理時間の導出を行う。続いて、制御部６０は、導出したエッチング処理時間に基づいて、制御部６０内に予め設定されたレシピ（処理内容）における複数のエッチング時間から、所望のエッチング処理時間の選択を行う。
【０３６１】
このように、制御部６０内に予め設定されたレシピには、複数のエッチング時間が登録されており、該複数のエッチング時間から、各々の累積処理時間に対応する所望のエッチング処理時間の選択を行う。
【０３６２】
次に、洗浄チャンバー６６において、ホルダー７０を用いて被処理基板の回転を行った状態で、所望のエッチング処理時間の間、被処理基板の上に洗浄用薬液を供給する。これにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングが開始される。
【０３６３】
例えば、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では、レシピにおける複数のエッチング時間から１８０秒間のエッチング処理時間が選択され、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、レシピにおける複数のエッチング時間から８０秒間のエッチング処理時間が選択される。これにより、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の間、プラズマＴＥＯＳ膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができるので、累積処理時間に依存することなく一定のエッチング量（０．３ｎｍ）を確保することができる。
【０３６４】
以上のように、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、制御部６０が内蔵されており、制御部６０では、図１６(a) 又は(b) に示すように、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間が導出される。また、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における洗浄チャンバー６６では、制御部６０によって導出された所望のエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングが行われる。
【０３６５】
このため、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、累積処理時間の変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化し、被処理膜におけるエッチングレートが変動することはあっても、制御部６０によって、各々の累積処理時間に対応してエッチング処理時間を制御することができるので、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。したがって、累積処理時間の変化に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することはないので、累積処理時間に依存することなく一定のエッチング量を確保することができる。
【０３６６】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０３６７】
（第８の実施形態）
以下に、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造について、図１７を参照しながら説明する。
【０３６８】
図１７は、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造を示す断面図である。
【０３６９】
尚、図１７において、前述した本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同一の構成要素については、同一の符号を付す。したがって、本実施形態では、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同様の説明は繰り返し行わない。
【０３７０】
図１７に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、循環部、洗浄部、及び水洗部から構成されており、該洗浄装置には制御部６０を介してＣＩＭ（Ｃomputer Ｉntegrated Ｍanufacturing ）システム８０が接続されている。このように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置に制御部６０を介してＣＩＭシステム８０が接続されている。
【０３７１】
以下に、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いた場合における、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の決定方法について、前述した表８及び図１４、並びに表９及び図１５を参照しながら簡単に説明する。
【０３７２】
前述した表８及び図１４、並びに表９及び図１５に示すように、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では、１８０秒間の間、プラズマＴＥＯＳ膜に対してエッチングを行うことにより、目標とするエッチング量（０．３ｎｍ）を確保することができる。また、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、８０秒間の間、プラズマＴＥＯＳ膜に対して洗浄を行うことにより、目標とするエッチング量（０．３ｎｍ）を確保することができる。
【０３７３】
したがって、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、該洗浄装置に制御部６０を介してＣＩＭシステム８０が接続されており、ＣＩＭシステム８０では、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間が導出される。
【０３７４】
例えば、前述した表８及び図１４、並びに表９及び図１５に示すように、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では、ＣＩＭシステム８０によって１８０秒間のエッチング処理時間が導出され、一方、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、ＣＩＭシステム８０によって８０秒間のエッチング処理時間が導出される。
【０３７５】
以下に、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置に接続されたＣＩＭシステム８０におけるフローについて、図１８(a) 及び(b) を参照しながら説明する。
【０３７６】
図１８(a) 及び(b) は、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置に接続されたＣＩＭシステム８０におけるフローについて示す図である。
【０３７７】
図１８(a) に示すように、制御部６０は、まず、ロット処理の際に、洗浄用薬液が循環ライン６１に供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間、すなわち、累積処理時間を読み取る。続いて、ＣＩＭシステム８０は、制御部６０からのライフタイムデータを受けて、補正計算式を用いて、読み取った累積処理時間に対応するエッチング処理条件、具体的には、エッチング処理時間を導出する。続いて、ＣＩＭシステム８０は、導出したエッチング処理時間に基づいて、制御部６０に予め設定されたレシピ（処理内容）における複数のエッチング時間から、所望のエッチング処理時間の選択を行う。
【０３７８】
このように、制御部６０に予め設定されたレシピには、複数のエッチング時間が登録されており、該複数のエッチング時間から、各々の累積処理時間に対応する所望のエッチング処理時間の選択を行う。
【０３７９】
次に、洗浄チャンバー６６において、ホルダー７０を用いて被処理基板の回転を行った状態で、被処理基板の上に洗浄用薬液が供給される。これにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングが開始される。
【０３８０】
また、図１８(b) に示すように、制御部６０は、まず、ロット処理の際に、洗浄用薬液が循環ライン６１に供給された時点からの被処理膜に対して施されるエッチング処理時間を合計した時間、すなわち、累積処理時間を読み取る。続いて、ＣＩＭシステム８０は、制御部６０からの累積処理時間データを受けて、補正計算式を用いて、読み取った累積処理時間に対応するエッチング処理条件、具体的には、エッチング処理時間を導出する。続いて、ＣＩＭシステム８０は、導出したエッチング処理時間に基づいて、制御部６０に予め設定されたレシピ（処理内容）におけるエッチング時間の書き換えを行うことにより、該エッチング時間から所望のエッチング処理時間へ変更を行う。
【０３８１】
このように、制御部６０に予め設定されたレシピには、所定のエッチング時間が登録されており、該所定のエッチング時間から、各々の累積処理時間に対応する所望のエッチング処理時間へ変更を行う。
【０３８２】
次に、洗浄チャンバー６６において、ホルダー７０を用いて被処理基板の回転を行った状態で、被処理基板の上に洗浄用薬液が供給される。これにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングが開始される。
【０３８３】
以上のように、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、制御部６０が内蔵されており、制御部６０を介してＣＩＭシステム８０が接続されている。ＣＩＭシステム８０では、図１８(a) 又は(b) に示すように、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間が導出される。また、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における洗浄チャンバー６６では、ＣＩＭシステム８０によって導出された所望のエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングが行われる。
【０３８４】
このため、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、累積処理時間の変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化し、被処理膜におけるエッチングレートが変動することはあっても、ＣＩＭシステム８０によって、各々の累積処理時間に対応してエッチング処理時間を制御することができるので、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。したがって、累積処理時間の変化に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することはないので、累積処理時間に依存することなく一定のエッチング量を確保することができる。
【０３８５】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０３８６】
（第９の実施形態）
以下に、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置について説明する。
【０３８７】
尚、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置のように、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置内に制御部（６０）が内蔵されている、又は、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置のように、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置に制御部（６０）を介してＣＩＭシステム（８０）が接続されていることにより構成されている。
【０３８８】
従って、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、本発明の第７及び第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同様の説明は繰り返し行わない。
【０３８９】
以下に、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間に関する補正計算式について、表１０及び図１９、表１１及び図２０、並びに表１２及び図２１を参照しながら説明する。
【０３９０】
本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における補正計算式を導くために、洗浄用薬液として、溶液の温度が一定のエッチング温度（例えば、２５℃）にコントロールされたポリマー溶液（ＮＨ₄ Ｆ ０．５％、有機溶剤４５％、水５４．５％）を用いて、洗浄用薬液ノズル（６８）を通じて、一定のエッチング時間（例えば、１８０秒間）の間、ホルダー（７０）によって保持された被処理基板に対してポリマー溶液を供給することにより、被処理基板における被処理膜（プラズマＴＥＯＳ膜）のエッチングを行う。このとき、被処理基板は、ホルダー７０によって所定の回転数で回転されている。
【０３９１】
まず、上記の条件の下、プラズマＴＥＯＳ膜におけるエッチングレートの上昇係数（Ｆ）を導くために、以下の測定を行う。
【０３９２】
ここで、上昇係数（Ｆ）とは、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートが、累積処理時間における経過時間に応じて上昇する割合を示す。
【０３９３】
表１０は、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々の累積処理時間における被処理膜のエッチングレートを示す表である。
【０３９４】
また、図１９は、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間とエッチングレートとの相関性を示す図である。
【０３９５】
表１０に示すように、各々の累積処理時間（０分、３００分、６００分、９００分）毎に、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートの測定を行う。続いて、図１９に示すように、各々の累積処理時間におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートをプロットすることにより、累積処理時間とエッチングレートとの相関性について評価を行う。
【０３９６】
【表１０】

【０３９７】
累積処理時間がＴｅ（min）におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートをＹｅ（nm/min）とすると、累積処理時間ＴｅとプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートＹｅとの関係は、一次関数で表されるので、以下に示す近似式[ｅ]が導かれる。
【０３９８】
Ｙｅ ＝ ０．０００１ Ｔｅ ＋ ０．１０ ・・・[ｅ]
近似式[ｅ]より、プラズマＴＥＯＳ膜におけるエッチングレートの上昇係数（Ｆ）が導かれ、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートは、累積処理時間１（min）あたり０．０００１（nm/min）上昇することが分かる。
【０３９９】
このように、累積処理時間の増加に伴って、ポリマー溶液の組成が変化し、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が増加するので、プラズマＴＥＯＳ膜におけるエッチングレートが上昇する。
【０４００】
次に、上記の条件の下、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレート（Ｅ）、及びプラズマＴＥＯＳ膜の追加エッチング量（Ｇ）を導くために、以下の測定を行う。
【０４０１】
ここで、エッチングレート（Ｅ）とは、ポリマー溶液が循環ラインに供給された直後における、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量がエッチング時間に応じて増加する割合を示す。
【０４０２】
また、追加エッチング量（Ｇ）とは、ポリマー溶液が循環ラインに供給された直後における水洗工程等における、ポリマー溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量を示す。
【０４０３】
表１１は、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間が０分における各々のエッチング時間に対応する被処理膜のエッチング量を示す量である。
【０４０４】
また、図２０は、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間が０分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【０４０５】
表１１に示すように、ポリマー溶液が循環ラインに供給された直後、すなわち、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液を用いて、各々のエッチング時間（０．５分、１分、２分、３分）毎に、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の測定を行う。続いて、図２０に示すように、各々のエッチング時間におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量をプロットすることにより、累積処理時間が０分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行う。
【０４０６】
【表１１】

【０４０７】
ここで、エッチング時間Ｘｆ（min）におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量をＺｆ（nm）とすると、累積処理時間が０分におけるエッチング時間ＸｆとプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量Ｚｆとの関係は、一次関数で表されるので、以下に示す近似式[ｆ]が導かれる。
【０４０８】
Ｚｆ ＝ ０．０９ Ｘｆ ＋ ０．０３ ・・・[ｆ]
近似式[ｆ]より、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレート（Ｅ）が導かれ、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量は、エッチング時間１（min）あたり０．０９(nm)上昇することが分かる。
【０４０９】
また、近似式[ｆ]より、プラズマＴＥＯＳ膜の追加エッチング量（Ｇ）が導かれ、水洗工程等において、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量は、０．０３（nm）であることが分かる。
【０４１０】
次に、上記の条件の下、プラズマＴＥＯＳ膜における追加エッチングレート（Ｈ）を導くために、以下の測定を行う。
【０４１１】
追加エッチングレート（Ｈ）とは、水洗工程等において、ポリマー溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量（すなわち、プラズマＴＥＯＳ膜の追加エッチング量）が、累積処理時間における経過時間に応じて増加する割合を示す。
【０４１２】
表１２は、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間が９００分における各々のエッチング時間に対応する被処理膜のエッチング量を示す値である。
【０４１３】
また、図２１は、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間が９００分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【０４１４】
表１２に示すように、任意に選択された累積処理時間（例えば、累積処理時間が９００分）におけるポリマー溶液を用いて、各々のエッチング時間（１分、１．３３分、２分、３分）毎に、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の測定を行う。続いて、図２１に示すように、各々のエッチング時間におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量をプロットすることにより、累積処理時間が９００分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性について評価を行う。
【０４１５】
【表１２】

【０４１６】
ここで、エッチング時間Ｘｇ（min）におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量をＺｇ（nm）とすると、累積処理時間が９００分におけるエッチング時間ＸｇとプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量Ｚｇとの関係は、一次関数で表されるので、以下に示す近似式[ｇ]が導かれる。
【０４１７】
Ｚｇ ＝ ０．１８ Ｘｇ ＋ ０．０６ ・・・[ｇ]
近似式[ｇ]より、水洗工程等において、累積処理時間が９００分でのポリマー溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量は、０．０６（nm）であることが分かる。
【０４１８】
また、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量は、エッチング時間１（min）あたり０．１８(nm)上昇することが分かる。
【０４１９】
これは、近似式[ｆ]に示されるように、累積処理時間０分におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレート（Ｅ）は０．０９（nm/min）であって、近似式[ｅ]に示されるように、プラズマＴＥＯＳ膜におけるエッチングレートの上昇係数（Ｆ）は０．０００１（nm/min²）であるので、累積処理時間９００分におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートは、
０．０９（nm/min）＋ ０．０００１（nm/min²）×９００（min）＝０．１８（nm/min）
上記に示される式を用いて算出することも可能である。
【０４２０】
ここで、前述したように、累積処理時間の増加に伴って、ポリマー溶液の組成が変化するので、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量が増加する。このため、累積処理時間の増加に伴って、ポリマー溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量（以下、プラズマＴＥＯＳ膜の追加エッチング量と記す）も増加する。
【０４２１】
このように、図２０に示される近似式[ｆ]より、累積処理時間が０分におけるプラズマＴＥＯＳ膜の追加エッチング量は０．０３（nm）であるのに対し、図２１に示される近似式[ｇ]より、累積処理時間が９００分におけるプラズマＴＥＯＳ膜の追加エッチング量は０．０６（nm）であり、累積処理時間の増加に伴ってプラズマＴＥＯＳ膜の追加エッチングが増加する。
【０４２２】
従って、累積処理時間Ｔｈ（min）におけるプラズマＴＥＯＳ膜の追加エッチング量をＷｈとすると、累積処理時間Ｔｈと追加エッチング量Ｗｈとの関係は、一次関数で表されるので、以下に示す近似式[ｈ]が導かれる。
【０４２３】
Ｗｈ ＝ （３．３３×１０^-6） × Ｔｈ ＋ ０．０３ ・・・[ｈ]
近似式[ｈ]より、プラズマＴＥＯＳ膜における追加エッチングレート（Ｈ）が導かれ、水洗工程等において、ポリマー溶液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量（すなわち、プラズマＴＥＯＳ膜の追加エッチング量）は、累積処理時間１（min）あたり３．３３×１０^-6（nm）増加することが分かる。
【０４２４】
近似式[ｅ]、近似式[ｆ]、及び近似式[ｈ]より、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の導出は、以下に示される[数２]を用いて行われる。
【０４２５】
【数２】

【０４２６】
但し、上昇係数（Ｆ）は、被処理膜におけるエッチングレートが、累積処理時間における経過時間に応じて上昇する割合を示す値であり、近似式[ｅ]より導かれる数値であって、例えば０．０００１（nm/min²）である。
【０４２７】
また、エッチングレート（Ｅ）は、洗浄用薬液が循環ライン（洗浄液循環路）に供給された直後における被処理膜のエッチング量が、エッチング時間に応じて増加する割合を示す値であり、近似式[ｆ]より導かれる数値であって、例えば０．０９（nm/min）である。
【０４２８】
また、追加エッチング量（Ｇ）は、洗浄用薬液が循環ラインに供給された直後における水洗工程等において、洗浄用薬液におけるエッチング後の残留液によってエッチングされる被処理膜のエッチング量を示す値であり、近似式[ｆ]より導かれる数値であって、例えば０．０３（nm）である。
【０４２９】
また、追加エッチングレート（Ｈ）は、被処理膜における追加エッチング量が、累積処理時間における経過時間に応じて増加する割合を示す値であり、近似式[ｈ]より導かれる数値であって、例えば３．３３×１０^-6（nm/min²）である。
【０４３０】
本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部（６０）又はＣＩＭシステム（８０）では、補正計算式として[数２]が設定されており、[数２]に基づいて各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間が導出される。
【０４３１】
例えば、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部（６０）又はＣＩＭシステム（８０）では、[数２]を用いることにより、前述した表８及び図１４、並びに表９及び図１５に示すように、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では１８０秒間のエッチング処理時間が導出され、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では８０秒間のエッチング処理時間が導出される。
【０４３２】
以上のように、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、前述した図１６(a) 又は(b) 、並びに図１８(a) 又は(b) に示すように、[数２]に基づいて各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間が導出される。また、本実施形態に係る電子デバイスにおける洗浄チャンバーでは、制御部又はＣＩＭシステムによって導出された所望のエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングが行われる。
【０４３３】
このため、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、累積処理時間の変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化し、被処理膜におけるエッチングレートが変動することはあっても、制御部又はＣＩＭシステムによって、各々の累積処理時間に対応してエッチング処理時間を制御することができるので、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。したがって、累積処理時間の変化に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することはないので、累積処理時間に依存することなく一定のエッチング量を確保することができる。
【０４３４】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０４３５】
（第１０の実施形態）
以下に、本発明の第１０の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いた場合における、電子デバイスの洗浄方法について、図２２(a) 〜(c) を参照しながら説明する。
【０４３６】
図２２(a) 〜(c) は、本発明の第１０の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法を示す要部工程断面図である。
【０４３７】
図２２(a) に示すように、シリコン基板９０の上に、酸化膜９１、プラズマ窒化膜（ＳｉＮ膜）９２、ＳｉＯＣ膜９３、及びプラズマＴＥＯＳ膜９４を順に積層する。続いて、プラズマＴＥＯＳ膜９４の上に、塗布されたレジスト９５を所望の形状にパターニングすることにより、プラズマＴＥＯＳ膜９４の一部が露出された開口部９６を形成する。続いて、開口部９６におけるプラズマＴＥＯＳ膜９４及びＳｉＯＣ膜９３に対してドライエッチングを施すことにより、開口部９６におけるプラズマＴＥＯＳ膜９４及びＳｉＯＣ膜９３の除去を行う。これにより、所望の形状のビアホール９７を形成する。
【０４３８】
次に、図２２(b) に示すように、酸素プラズマによるアッシングを行うことにより、ドライエッチング後のレジスト残渣９８の除去を行う。続いて、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いて、アッシング後のプラズマＴＥＯＳ膜９４に対して、洗浄の際におけるエッチングを行うことにより、電子デバイスの清浄化を図ると共に所望の径を有するビアホール９７を形成することができる。
【０４３９】
例えば、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置において、ホルダーを用いて被処理基板（シリコン基板９０）の回転を行いながら、洗浄用薬液として、溶液の温度が２５℃にコントロールされたポリマー溶液（ＮＨ₄ Ｆ 0.5％、有機溶剤 45％、水 54.5％ ）を用いて、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の間、洗浄用薬液ノズル（６８）を通じて、ホルダー（７０）によって保持された被処理基板に対してポリマー溶液を供給する。これにより、シリコン基板９０における被処理膜（プラズマＴＥＯＳ膜９４）に対して、洗浄の際におけるエッチングを行う。
【０４４０】
具体的には、前述した表８及び図１４、並びに表９及び図１５に示すように、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では、ホルダーを用いてシリコン基板９０の回転を行いながら、１８０秒間の間、シリコン基板９０の上にポリマー溶液を供給する。一方、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、ホルダーを用いてシリコン基板９０の回転を行いながら、８０秒間の間、シリコン基板９０の上にポリマー溶液を供給する。
【０４４１】
このように、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の間、プラズマＴＥＯＳ膜９４に対してポリマー溶液によるエッチングを施すことにより、０．３ｎｍのプラズマＴＥＯＳ膜９４のエッチング量を確保することができる。
【０４４２】
次に、図２２(c) に示すように、プラズマＴＥＯＳ膜９４の上、並びにビアホール９７の底部及び側壁の上に、銅膜を形成する。続いて、ＣＭＰ法を用いて銅膜の平坦化を行うことにより、銅配線９９を形成する。
【０４４３】
このように、本発明の第１０の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の間、被処理膜（プラズマＴＥＯＳ膜９４）に対して洗浄の際におけるエッチングを行う。これにより、一定（０．３ｎｍ）のエッチング量を確保することができるので、累積処理時間に依存することなくビアホール径の寸法シフト規格を満たすことができる。
【０４４４】
このため、プラズマＴＥＯＳ膜９４のエッチングを行う際に、累積処理時間の増加に伴って洗浄用薬液の組成が変化することにより、プラズマＴＥＯＳ膜９４が過剰にエッチングされることがないので、ビアホール径が過剰に拡大することがない。
【０４４５】
したがって、プラズマＴＥＯＳ膜９４が過剰にエッチングされ、ビアホール径が拡大し、隣り合ったビアホール９７が互いに接触することにより発生する、電子デバイスの不良を防止することができるので、電子デバイスの歩留まりの向上を図ることができる。
【０４４６】
以上のように、本発明の第１０の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。これにより、累積処理時間の変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化することはあっても、一定のエッチング量を確保することができる。
【０４４７】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
（第１１の実施形態）
以下に、本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置について説明する。
【０４４８】
本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置のように、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置内に制御部（６０）が内蔵されている、又は、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置のように、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置に制御部（６０）を介してＣＩＭシステム（８０）が接続されていることにより構成されている。
【０４４９】
従って、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、本発明の第７及び第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同様の説明は繰り返し行わない。
【０４５０】
本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の導出ではなく、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理温度が導出される。
【０４５１】
以下に、本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いた場合における、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理温度の決定方法について具体的に説明する。
【０４５２】
本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における所望のエッチング処理温度の決定を行うために、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における循環ラインに供給される洗浄用薬液として、ポリマー溶液（ＮＨ₄ Ｆ 0.5％、有機溶剤 45％、水 54.5％ ）を用いて、循環ラインに設けられた電子冷熱により、ポリマー溶液の温度をコントロールする。
【０４５３】
まず、上記の条件の下、ホルダーを用いて被処理基板の回転を行った状態で、洗浄用薬液ノズルを通じて、一定のエッチング時間（３分間、４分間、５分間、６分間）の間、ホルダーによって保持された被処理基板に対して、電子冷熱によって一定のエッチング温度（２５℃）にコントロールされたポリマー溶液を供給することにより、被処理基板における被処理膜（プラズマＴＥＯＳ膜）のエッチングを行う。
【０４５４】
このようにして、各々の累積処理時間におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の測定を行うことにより、各々のエッチング時間（３分間、４分間、５分間、６分間）に対応する累積処理時間とエッチング量との相関性について評価を行う。以下に、本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間とエッチング量との相関性について、表１３を参照しながら説明する。
【０４５５】
表１３は、本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々の累積処理時間（０分、９００分）における、各々のエッチング時間（３分間、４分間、５分間、６分間）に対応する被処理膜のエッチング量を示す表である。
【０４５６】
表１３に示すように、一定のエッチング時間（例えば、５分間）に対応するプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量は、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では０．４８ｎｍであるのに対し、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では０．９６ｎｍである。
【０４５７】
【表１３】

【０４５８】
次に、上記の条件の下、ホルダーを用いて被処理基板の回転を行った状態で、洗浄用薬液ノズルを通じて、一定のエッチング時間（５分間）の間、ホルダーによって保持された被処理基板に対してポリマー溶液を供給することにより、被処理基板における被処理膜（プラズマＴＥＯＳ膜）のエッチングを行う。
【０４５９】
このようにして、各々のエッチング温度におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量の測定を行うことにより、各々の累積処理時間（０分、９００分）におけるポリマー溶液でのエッチング温度とエッチング量との相関性について評価を行う。以下に、本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置おける、エッチング温度とエッチング量との相関性について、表１４を参照しながら説明する。
【０４６０】
表１４は、本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々の累積処理時間（０分、９００分）における各々のエッチング温度に対応する被処理膜のエッチング量を示す表である。
【０４６１】
ここで、被処理膜のエッチング量は、エッチング温度に依存しており、アレニウスの一次式で表されることが一般に知られている。
【０４６２】
このため、表１４に示されるように、各々の累積処理時間（０分、９００分）におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量は、エッチング温度の上昇に伴って一定の割合で増加する。
【０４６３】
【表１４】

【０４６４】
例えば、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、各々のエッチング温度（１５．０℃、１６．５℃、２０．０℃、２５．０℃）に対応して、各々のプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量（０．４３ｎｍ、０．４８ｎｍ、０．６６ｎｍ、０．９６ｎｍ）が得られ、エッチング温度の上昇に伴ってプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量は一定の割合で増加する。
【０４６５】
したがって、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、表１４に示すように、ポリマー溶液の温度を２５℃から１６．５℃へ調整することにより、０．４８ｎｍのプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量を確保することができる。
【０４６６】
このため、本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、制御部又はＣＩＭシステムを備えており、制御部又ＣＩＭシステムによって、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理温度が導出される。
【０４６７】
例えば、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では、制御部又はＣＩＭシステムによって、２５℃のエッチング処理温度が導出され、一方、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では、制御部又はＣＩＭシステムによって、１６．５℃のエッチング処理温度が導出される。
【０４６８】
また、前述した図１６(a) 及び(b) 、並びに図１８(a) 及び(b) に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における洗浄チャンバーでは、制御部又はＣＩＭシステムによって導出されたエッチング処理温度の下、ホルダーを用いて被処理基板の回転を行った状態で、一定のエッチング時間の間、被処理基板の上にポリマー溶液を供給することにより、被処理基板における被処理膜に対して、洗浄の際におけるエッチングが開始される。
【０４６９】
以上のように、本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、制御部又ＣＩＭシステムを備えており、制御部又はＣＩＭシステムでは、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理温度が導出される。また、本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における洗浄チャンバーでは、制御部又はＣＩＭシステムによって導出された所望のエッチング処理温度の下、一定のエッチング時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングが行われる。
【０４７０】
このため、本発明の第１１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、累積処理時間の変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化することがあっても、被処理膜におけるエッチングレートが変動することはなく、制御部又はＣＩＭシステムによって、各々の累積処理時間に対応してエッチング処理温度を制御することができるので、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。したがって、累積処理時間の変化に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することはないので、累積処理時間に依存することなく一定のエッチング量を確保することができる。
【０４７１】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０４７２】
（第１２の実施形態）
以下に、本発明の第１２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置について説明する。
【０４７３】
尚、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置のように、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置内に制御部（６０）が内蔵されている、又は、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置のように、第１の従来例に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置に制御部（６０）を介してＣＩＭシステム（８０）が接続されていることにより構成されている。
【０４７４】
従って、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、本発明の第７及び第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同様の説明は繰り返し行わない。
【０４７５】
本発明の第１２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理時間の導出ではなく、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理温度が導出される。
【０４７６】
以下に、本発明の第１２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理温度に関する補正計算式について、表１５及び図２３を参照しながら説明する。
【０４７７】
表１５は、本発明の第１２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間が０分における各々のエッチング温度に対応する被処理膜のエッチングレートを示す表である。
【０４７８】
また、図２３は、第１２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、１／（２７３＋Ｔｏ）とＬｎ（Ｒｏ）との相関性を示す図である。
【０４７９】
尚、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における補正計算式の説明では、本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における補正計算式の説明と同様の説明は繰り返し行わない。
【０４８０】
本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における補正計算式を導くために、洗浄用薬液として、電子冷熱によって溶液の温度（エッチング温度）がコントロールされたポリマー溶液（ＮＨ₄ Ｆ ０．５％、有機溶剤４５％、水５４．５％）を用いて、ホルダーを用いて被処理基板の回転を行った状態で、洗浄用薬液ノズルを通じて、一定のエッチング時間の間、ホルダーによって保持された被処理基板に対してポリマー溶液を供給することにより、被処理基板における被処理膜（プラズマＴＥＯＳ膜）のエッチングを行う。
【０４８１】
まず、上記の条件の下、プラズマＴＥＯＳ膜におけるエッチングレートの上昇係数（Ｆ）を導く。
【０４８２】
前述したように、近似式[ｅ]より、プラズマＴＥＯＳ膜におけるエッチングレートの上昇係数（Ｆ）が導かれ、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートは、累積処理時間１（min）あたり０．０００１（nm/min）上昇することが分かる。
【０４８３】
上昇係数（Ｆ） ＝ ０．０００１（nm/min²）
次に、上記の条件の下、累積処理時間が０分におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレート（Ｅ）を導く。
【０４８４】
前述したように、近似式[ｆ]より、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレート（Ｅ）が導かれ、ポリマー溶液が循環ラインに供給された直後（すなわち、累積処理時間が０分）におけるポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチング量は、エッチング時間１（min）あたり０．０９（nm）増加することが分かる。
【０４８５】
エッチングレート（Ｅ） ＝ ０．０９（nm/min）
上昇係数（Ｆ）及びエッチングレート（Ｅ）より、累積処理時間がＸｎ（min）におけるポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートをＹｎ（nm/min）とすると、プラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートＹｎは、以下に示される式[ｎ]を用いて求めることができる。
【０４８６】
Ｙｎ ＝ ０．０００１Ｘｎ ＋ ０．０９ ・・・[ｎ]
このように、累積処理時間の増加に伴ってポリマー溶液の組成が変化するので、累積処理時間Ｘｎ（min）におけるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートＹｎ（nm/min）が上昇する。
【０４８７】
次に、表１５に示すように、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液を用いて、各々のエッチング温度Ｔｏ（１５℃、１６．５℃、２０．０℃、２５．０℃）毎に、ポリマー溶液によってエッチングされるプラズマＴＥＯＳ膜のエッチングレートＲｏの測定を行うことにより、エッチング温度ＴｏとエッチングレートＲｏとの相関性について評価を行う。
【０４８８】
【表１５】

【０４８９】
ここで、前述したように、化学反応における反応速度と反応温度との関係は、アレニウスの式を満たすことが一般に知られており、エッチングレートＲｏはエッチング反応における反応速度であるから、エッチングレートＲｏとエッチング温度Ｔｏ（反応温度）との関係はアレニウスの式を用いることにより、以下に示す式[ｏ]で表すことができる。
Ｌｎ（Ｒｏ） ＝ −Ｅａ／Ｒ × １／（２７３＋Ｔｏ） ＋ ｌｎＡ ・・・[ｏ]
但し、Ｒは気体定数であり、Ｅａ及びＡは固有値であって、具体的にはＥａが活性化自由エネルギーであってＡは頻度因子である。
【０４９０】
次に、式[ｏ]における固有値Ｅａ及びＡを求めるために、式[ｏ]に対して、各々のエッチング温度ＴｏにおけるエッチングレートＲｏを代入する。
【０４９１】
具体的には、図２３に示すように、表１５に示される１／（２７３＋Ｔｏ）におけるＬｎ（Ｒｏ）をプロットすることにより、固有値Ｅａ及びＡを求める。
【０４９２】
次に、式[ｏ]に対して、Ｒ、Ｅａ及びＡの具体的な数値を代入して整理することにより、以下に示す式[ｐ]が導かれる。
【０４９３】
Ｌｎ（Ｒｏ） ＝ −７００１．２ × １／（２７３＋Ｔｏ） ＋ ２１．０９
・・・[ｐ] 式[ｐ]より、エッチングレートＲｏは、以下に示す式[ｑ]を用いて求めることができる。
【０４９４】
Ｒｏ ＝ ｅ^t・・・[ｑ]
（但し、ｔ ＝ −７００１．２ × １／（２７３＋Ｔｏ） ＋ ２１．０９である。）
前述した式[ｎ]に示すように、累積処理時間の増加に伴って、洗浄用薬液の組成が変化するので、被処理膜におけるエッチングレートが上昇する。
【０４９５】
従って、累積処理時間に依存することなく、一定のエッチングレート（０．０９（nm/min））を確保するには、累積処理時間の変化量に対応するエッチングレートの変化量に基づいて、エッチング処理温度の導出を行う必要がある。これにより、以下に示す式[ｒ]が導かれる。
【数ｒ】

【０４９６】
但し、ｔ ＝ −７００１．２ × １／（２７３＋Ｔｏ） ＋ ２１．０９である。
【０４９７】
従って、[数ｒ]におけるエッチング温度Ｔｏ（℃）について求めることにより、以下に示す[数４]が導かれ、[数４]を用いることにより、累積処理時間がＸｎ（min）に対応するエッチング処理温度を導出することができる。
【０４９８】
【数４】

【０４９９】
但し、エッチングレート（Ｅ）は、洗浄用薬液が循環ライン（洗浄液循環路）に供給された直後における被処理膜のエッチング量が、エッチング時間に応じて増加する割合を示す値であって、例えば０．０９（nm/min）である。
【０５００】
また、エッチングレートＹｎ(nm/min)は、洗浄用薬液が循環ライン（洗浄液循環路）に供給されてから経過した時間Ｘｎ（min）における被処理膜のエッチングレートを示す値である。
【０５０１】
例えば、[数４]を用いることにより、上記の条件の下における累積処理時間がＸｎ（min）に対応するエッチング温度Ｔｏ（℃）の導出は、以下に示す式[４０]を用いて行うことができる。
Ｔｏ ＝ 7001.2 ／ [ 21.09 − Ｌｎ[ 0.0081 ／（ 0.09 ＋ 0.0001 Ｘｎ）]] − 273
・・・[４０] 式[４０]より、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では２５℃のエッチング処理温度が導出され、一方、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では１６．５℃のエッチング処理温度が導出される。
【０５０２】
本発明の第１２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、補正計算式として[数４]が設定されており、[数４]に基づいて各々の累積処理時間に対応するエッチング処理温度が導出される。
【０５０３】
例えば、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、[数４]を用いることにより、前述した表１４に示すように、累積処理時間が０分におけるポリマー溶液では２５℃のエッチング処理温度が導出され、累積処理時間が９００分におけるポリマー溶液では１６．５℃のエッチング処理温度が導出される。
【０５０４】
以上のように、本発明の第１２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における制御部又はＣＩＭシステムでは、前述した図１６(a) 又は(b) 、並びに図１８(a) 又は(b) に示すように、[数４]に基づいて各々の累積処理時間に対応するエッチング処理温度が導出される。また、本実施形態に係る電子デバイスにおける洗浄チャンバーでは、制御部又はＣＩＭシステムによって導出された所望のエッチング処理温度の下、一定のエッチング時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングが行われる。
【０５０５】
このため、本発明の第１２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、累積処理時間の変化に伴って洗浄用薬液の組成が変化することがあっても、被処理膜におけるエッチングレートが変動することはなく、制御部又はＣＩＭシステムによって、各々の累積処理時間に対応してエッチング処理温度を制御することができるので、各々の累積処理時間に対応するエッチング処理条件の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行うことができる。したがって、累積処理時間の変化に伴って、被処理膜のエッチング量が変動することはないので、累積処理時間に依存することなく一定のエッチング量を確保することができる。
【０５０６】
また、従来例のように、洗浄用薬液が循環ラインに供給されてから一定時間が経過する毎に、循環ラインに供給される洗浄用薬液の交換を行う必要がないので、洗浄用薬液の交換頻度の低減を図ることができる。このため、洗浄用薬液の使用量の削減と共に洗浄装置の稼働率の向上を図ることができるので、電子デバイスの製造コストの低減を図ることができる。
【０５０７】
尚、本発明の第１〜第４及び第７〜１０の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法では、制御部又はＣＩＭシステムによって各々の経過時間に対応するエッチング処理時間の導出を行って、該エッチング処理時間の間、一定のエッチング処理温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行う。しかしながら、各々の経過時間に対応して、エッチング処理時間だけでなくエッチング処理温度の導出を行って、各々の経過時間に対応するエッチング処理時間の間であって且つ各々の経過時間に対応するエッチング処理温度の下、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行ってもよい。
【０５０８】
また、本発明の第５及び第６並びに第１１及び第１２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法では、制御部又はＣＩＭシステムによって各々の経過時間に対応するエッチング処理温度の導出を行って、該エッチング処理温度の下、一定のエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行う。しかしながら、各々の経過時間に対応して、エッチング処理温度だけでなくエッチング処理時間の導出を行って、各々の経過時間に対応するエッチング処理温度の下であって且つ各々の経過時間に対応するエッチング処理時間の間、被処理膜に対して洗浄の際におけるエッチングを行ってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０５０９】
本発明は、電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０５１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における循環槽の具体的な構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムとエッチング量との相関性を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、エッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【図５】(a) 及び(b) は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置に内蔵された制御部におけるフローについて示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造を示す断面図である。
【図７】(a) 及び(b) は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置に接続されたＣＩＭシステムにおけるフローについて示す図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムとエッチングレートとの相関性を示す図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムが０分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、ライフタイムが１４４０分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【図１１】(a) 〜(d) は、本発明の第４の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法を示す要部工程断面図である。
【図１２】本発明の第６の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、１／（２７３＋Ｔｊ）とＬｎ（Ｒｊ）との相関性を示す図である。
【図１３】本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造を示す断面図である。
【図１４】本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【図１５】本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、エッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【図１６】(a) 及び(b) は、本発明の第７の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置に内蔵された制御部でのフローについて示す図である。
【図１７】本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構造を示す断面図である。
【図１８】(a) 及び(b) は、本発明の第８の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置に接続されたＣＩＭシステムにおけるフローについて示す図である。
【図１９】本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間とエッチングレートとの相関性を示す図である。
【図２０】本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間が０分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【図２１】本発明の第９の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、累積処理時間が９００分におけるエッチング時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【図２２】(a) 〜(c) は、本発明の第１０の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法を示す要部工程断面図である。
【図２３】本発明の第１２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置における、１／（２７３＋Ｔｏ）とＬｎ（Ｒｏ）との相関性を示す図である。
【図２４】第１の従来例に係るバッチ式洗浄装置の構成を示す図である。
【図２５】第１の従来例に係るバッチ式洗浄装置における循環槽の具体的な構成を示す図である。
【図２６】第１の従来例に係るバッチ式洗浄装置における、ライフタイムとエッチング量との相関性を示す図である。
【図２７】第１の従来例に係る枚葉式洗浄装置の構成を示す図である。
【図２８】第１の従来例に係る枚葉式洗浄装置における、累積処理時間とエッチング量との相関性を示す図である。
【図２９】第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置の構成を示す概略図である。
【図３０】第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置における、経過時間とエッチングレートとの関係、及び経過時間とフッ化水素の濃度（ＨＦ濃度）との関係を示す模式図である。
【符号の説明】
【０５１１】
１０ 洗浄装置
１１ 循環槽
１２ 水洗槽
１３ 乾燥槽
１４、６０ 制御部
３４、８０ ＣＩＭシステム
２０、６１ 循環ライン（洗浄液循環路）
２１、６２ 循環ポンプ
２２、６４ 電子冷熱
２３、６５ フィルター
２４ 処理槽内槽（洗浄チャンバー）
２５ 処理槽外槽
２６ 槽カバー
２７、６８ 洗浄用薬液ノズル
４０、９０ シリコン基板
４１ 窒化膜
４２ ＣＶＤ酸化膜
４３、９５ レジスト
４４、９６ 開口部
４５ コンタクトホール
４６、９８ レジスト残渣
４７ 自然酸化膜
４８ ポリシリコンプラグ
６３ 循環タンク
６６ 洗浄チャンバー
６７ カップ
６９ へパ
７０ ホルダー
７１ 水洗ノズル
９１ 酸化膜
９２ プラズマ窒化膜（ＳｉＮ膜）
９３ ＳｉＯＣ膜
９４ プラズマＴＥＯＳ膜
９７ ビアホール
９９ 銅配線
１００ 洗浄装置
１０１ 循環槽
１０２ 水洗槽
１０３ 乾燥槽
２００、３００ 循環ライン
２０１、３０１、４０１ 循環ポンプ
２０２、３０３ 電子冷熱
２０３、３０４ フィルター
２０４ 処理槽内槽
２０５ 処理槽外槽
２０６ 槽カバー
２０７、３０７ 洗浄用薬液ノズル
３０２ 循環タンク
３０５ 洗浄チャンバー
３０６ カップ
３０８ へパ
３０９ ホルダー
３１０ 水洗ノズル
４００ 洗浄槽
４０２ 貯留槽
４０３ 制御部

【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄チャンバー内の洗浄液循環路において循環再利用される洗浄液を導入して、前記洗浄チャンバー内に配置された被処理基板に対して洗浄を行う電子デバイスの洗浄方法であって、
エッチング処理時間を導出する工程（ａ）と、前記被処理基板に対して、前記エッチング処理時間の間、前記洗浄液を供給する工程（ｂ）と、前記被処理基板を水洗する工程（ｃ）とを備え、
前記エッチング処理時間は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給されてからの経過時間に依存して、前記工程（ｂ）における前記洗浄液による前記被処理基板上の被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする電子デバイスの洗浄方法。
【請求項２】
前記エッチング処理時間は、前記工程（ｃ）における前記洗浄液における前記エッチング後の残留液による前記被処理膜のエッチング量の変化量にさらに基づいて導出されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項３】
前記エッチング処理時間は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点から前記洗浄液循環路から排出されるまでの経過時間に依存する前記被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項４】
前記エッチング処理時間は、下記に示す[数１]
【数１】

を用いて導出されることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイスの洗浄方法。
但し、ライフタイムとは、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点から経過した時間を示す値であり、
上昇係数（Ｂ）は、前記被処理膜に対するエッチングレートが前記ライフタイムにおける経過時間に応じて上昇する割合を示す値であり、
エッチングレートとは、前記工程（ｂ）において、前記被処理膜のエッチング量がエッチング時間に応じて増加する割合を示す値であり、
エッチングレート（Ａ）は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された直後における、エッチングレートを示す値であり、
追加エッチング量とは、前記工程（ｃ）において、前記洗浄液における前記エッチング後の残留液によってエッチングされる前記被処理膜のエッチング量を示す値であり、
追加エッチング量（Ｃ）は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された直後における、追加エッチング量を示す値であり、
追加エッチングレート（Ｄ）は、前記追加エッチング量が前記ライフタイムにおける経過時間に応じて増加する割合を示す値である。
【請求項５】
前記洗浄チャンバーは、枚葉式洗浄装置を構成するものであり、
前記エッチング処理時間は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点からの前記被処理基板に対する累積処理時間における前記被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項６】
前記エッチング処理時間は、下記に示す[数２]
【数２】

を用いて導出されることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイスの洗浄方法。
但し、累積処理時間とは、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点からの前記被処理基板に対して施される前記エッチング処理時間を合計した時間を示す値であり、
上昇係数（Ｆ）は、前記被処理膜に対するエッチングレートが前記累積処理時間における経過時間に応じて上昇する割合を示す値であり、
エッチングレートとは、前記工程（ｂ）において、前記被処理膜のエッチング量がエッチング時間に応じて増加する割合を示す値であり、
エッチングレート（Ｅ）は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された直後における、エッチングレートを示す値であり、
追加エッチング量とは、前記工程（ｃ）において、前記洗浄液における前記エッチング後の残留液によってエッチングされる前記被処理膜のエッチング量を示す値であり、
追加エッチング量（Ｇ）は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された直後における、追加エッチング量を示す値であり、
追加エッチングレート（Ｈ）は、前記追加エッチング量が前記累積処理時間における経過時間に応じて増加する割合を示す値である。
【請求項７】
洗浄チャンバー内の洗浄液循環路において循環再利用される洗浄液を導入して、前記洗浄チャンバー内に配置された被処理基板に対して洗浄を行う電子デバイスの洗浄方法であって、
エッチング処理温度を導出する工程（ｄ）と、前記被処理基板に対して、前記エッチング処理温度に調整された前記洗浄液を供給する工程（ｅ）と、前記被処理基板を水洗する工程（ｆ）とを備え、
前記エッチング処理温度は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給されてからの経過時間に依存して、前記工程（ｅ）における前記洗浄液による前記被処理基板上の被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする電子デバイスの洗浄方法。
【請求項８】
前記エッチング処理温度は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点から前記洗浄液循環路から排出されるまでの経過時間に依存する前記被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項９】
前記洗浄チャンバーは、枚葉式洗浄装置を構成するものであり、
前記エッチング処理温度は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点からの前記被処理基板に対する累積処理時間における前記被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１０】
前記洗浄液は、フッ素化合物を含むことを特徴とする請求項１又は７に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１１】
洗浄液の温度を調整する温度調整機能を有し且つ前記洗浄液を循環再利用する洗浄液循環路と、
エッチング処理時間を導出する制御部と、
被処理基板の洗浄を行う洗浄チャンバーとを備え、
前記制御部は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給されてからの経過時間を計測し、前記経過時間に依存して前記洗浄液による前記被処理基板上の被処理膜のエッチング量が変化する量に基づいて、前記洗浄の際における前記エッチング処理時間を導出するものであり、
前記洗浄チャンバーは、前記制御部によって導出される前記エッチング処理時間に基づいて、前記被処理基板に対して前記洗浄液を供給することを特徴とする電子デバイスの洗浄装置。
【請求項１２】
前記制御部は、導出した前記エッチング処理時間に基づいて、
予め設定された複数のエッチング時間から、所望のエッチング処理時間の選択を行い、又は、
予め設定されたエッチング時間を所望のエッチング処理時間へ変更することを特徴とする請求項１１に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項１３】
前記制御部は、前記洗浄液における前記エッチング後の残留液による前記被処理膜のエッチング量の変化量にさらに基づいて、前記エッチング処理時間を導出することを特徴とする請求項１１に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項１４】
前記エッチング処理時間は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点から前記洗浄液循環路から排出されるまでの経過時間に依存する前記被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする請求項１１に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項１５】
前記洗浄チャンバーの内部には、
前記被処理基板を回転可能に保持するホルダーと、
前記洗浄液循環路と連通し、前記被処理基板上に前記洗浄液を供給するノズルとが設けられており、
前記エッチング処理時間は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点からの前記被処理基板に対する累積処理時間における前記被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする請求項１１に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項１６】
洗浄液の温度を調整する温度調整機能を有し且つ前記洗浄液を循環再利用する洗浄液循環路と、
エッチング処理温度を導出する制御部と、
被処理基板の洗浄を行う洗浄チャンバーとを備え、
前記制御部は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給されてからの経過時間を計測し、前記経過時間に依存して前記洗浄液による前記被処理基板上の被処理膜のエッチング量が変化する量に基づいて、前記洗浄の際における前記エッチング処理温度を導出するものであり、
前記洗浄チャンバーは、前記被処理基板に対して、前記制御部によって導出される前記エッチング処理温度に基づいて温度が調整された前記洗浄液を供給することを特徴とする電子デバイスの洗浄装置。
【請求項１７】
前記制御部は、導出した前記エッチング処理温度に基づいて、前記エッチング処理温度を前記温度調整機能へフィードバックすることを特徴とする請求項１６に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項１８】
前記エッチング処理温度は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点から前記洗浄液循環路から排出されるまでの経過時間に依存する前記被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする請求項１６に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項１９】
前記洗浄チャンバーの内部には、
前記被処理基板を回転可能に保持するホルダーと、
前記洗浄液循環路と連通し、前記被処理基板上に前記洗浄液を供給するノズルとが設けられており、
前記エッチング処理温度は、前記洗浄液が前記洗浄液循環路に供給された時点からの前記被処理基板に対する累積処理時間における前記被処理膜のエッチング量の変化量に基づいて導出されることを特徴とする請求項１６に記載の電子デバイスの洗浄装置。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【公開番号】特開２００６−１８６０６５（Ｐ２００６−１８６０６５Ａ）
【公開日】平成１８年７月１３日（２００６．７．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３７７１６５（Ｐ２００４−３７７１６５）
【出願日】平成１６年１２月２７日（２００４．１２．２７）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】