Fターム[5F043AA32]の内容

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Fターム[5F043AA32]に分類される特許

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【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板100を水平方向に搬送する搬送ローラ9と、処理液吐出口21が形成され、この処理液吐出口21とガラス基板100の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル2と、処理液保持面31を備え、処理液吐出口21と処理液保持面31との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材3と、ガラス基板100の表面に供給された処理液がガラス基板100の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ5と、ガラス基板100の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部4とを備える。


【課題】半導体装置の信頼性を向上させ、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板1の主面に酸化膜として絶縁膜2を形成し、絶縁膜2上に窒化シリコン膜を形成してから、素子分離用の溝4aをプラズマドライエッチングにより形成し、溝4aを埋めるように酸化シリコンからなる絶縁膜6をHDP−CVD法で形成し、CMP処理により溝4aの外部の絶縁膜6を除去し、溝4a内に絶縁膜6を残す。それから、窒化シリコン膜を除去する。その後、絶縁膜2をウェットエッチングで除去して半導体基板1を露出させるが、この際、半導体基板1の主面に140ルクス以上の光を当てながら絶縁膜2をウェットエッチングする。


【課題】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面の金属汚染を十分除去することにより、製造された炭化珪素半導体素子の初期特性を改善する。また、金属汚染を低減し、半導体装置の長期信頼性を向上する方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。


【課題】製品の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法、製造システムおよび調整装置を提供すること。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、成膜工程と、加工工程と、イオン注入工程と、アニール工程と、調整工程とを含む。成膜工程では、基板上に半導体の薄膜を成膜する。加工工程では、薄膜を所定の形状に加工する。イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか1つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。


【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ;処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材;チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第1温度調整器;被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材;エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク;タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第2温度調整器;および第1、第2の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構;を具備した基板の処理装置。


【目的】マスクの厚さを所定の値にし、後退量とエッチング量の比を所定の値にしてトレンチの開口部の端部を丸めることで、ゲート酸化膜形成温度を950℃未満の低い処理温度にした場合でもゲート酸化膜の良好な耐圧特性と長期信頼性が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】マスクであるシリコン酸化膜2の端部10をトレンチ8の開口部9の端部Aから後退させる量Xと、等方性ドライエッチングによるエッチング量Yとの比(X/Y)を2以上5以下に設定することで、Qbdの値を高くすることができて、良好なトレンチ8の開口部9の端部Aと段差12の端部Bの形状を丸めることができる。その結果、その後形成するゲート酸化膜14の熱処理温度を、950℃未満、あるいは、900℃以下で行った場合でも、ゲート酸化14の良好な耐圧特性と長期信頼性を得ることが可能となる。


【課題】ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板10上に形成された絶縁膜20上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン90を形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターン90をマスクとしてウェットエッチングにより前記絶縁膜20の不要部分を除去する工程と、からなる半導体装置の製造方法において、前記フォトレジストパターン形成工程の前及び/又は後に、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記絶縁膜20の表面に形成される損傷領域21,22の深さを変化させてイオン注入を行う。


【課題】同一のレジストパターンにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングを連続的に行なう際に、変質したレジスト表面層を剥がれなくするように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】半導体基板1の上に、絶縁膜2と導電層3を順次形成する。導電層3の上にレジストパターン4を形成する。レジストパターン4をマスクに用いて、導電層3をドライエッチングする。レジストパターン4の表層部を一部削る。レジストパターン4をマスクに用いて、絶縁膜2をウエットエッチングする。


本発明は、シリコンキャリア基板(2)とシリコン表面層の間に埋め込まれたシリコン酸化物SiO2の層(3)を備える初期シリコンオンインシュレータSOI基板を薄化する方法に関する。この方法は、前記初期基板の熱酸化処理を行うことにより、前記シリコン表面層の一部を酸化するステップと、エッチングの後に洗浄が行われる第1のサイクル、次いで第2のサイクルを実行するステップであって、前記第1のサイクルのエッチングが実行されることによって、形成された熱酸化物が完全に除去され、前記初期基板の縁部の不安定な部分が全て取り除かれ、前記第2のサイクルのエッチングが実行されることによって、前記薄化された基板の表面から、その上に堆積することによって形成された汚染パーティクル(5)が除去され、薄化された表面層(4)によって活性層が形成される、最終的なシリコンオンインシュレータ基板SOI(1’)が得られるステップとを実行することからなる連続するステップを含むという点において注目すべきものである。


【課題】 本発明は、イオン注入剥離法により剥離した場合に生ずるテラス幅を制御でき、また、歩留りの低下の原因となるテラス部のSOI島の発生を防止することができるSOIウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ボンドウェーハの表面からガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、該ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせ、イオン注入層でボンドウェーハを剥離することによりSOIウェーハを作製するSOIウェーハの製造方法において、イオン注入層でボンドウェーハを剥離する前の貼り合わせウェーハを、絶縁膜が溶解可能な液体に浸漬するか、絶縁膜が溶解可能な気体に曝すことによって、ボンドウェーハとベースウェーハの間に位置する絶縁膜を、貼り合わせウェーハの外周端から中心方向へエッチングする工程を有することを特徴とするSOIウェーハの製造方法。


【課題】半導体製造用部材などの物品のCVD‐SiC膜の表層を酸化と酸洗浄とにより清浄化する工程が、より効果的にかつより効率良く行える手段を提供する。
【解決手段】CVD‐SiC膜106の表面汚染層108の厚さ(例えば0.25μm)より幾分厚くなるように、CVD‐SiC膜106の表層から除去されるべき取代の厚さD1(例えば0.5μm)が設定される。次に、CVD‐SiC106の表層に成長させるべき酸化珪素膜110の厚さT1が取代厚さD1の2倍以上、好ましくはT1=D1÷0.45で設定される(例えばT1=1111nm)。その後、設定された膜厚T1分の酸化珪素膜110を形成して除去するために要する、酸化と酸洗浄の工程を最適な実行回数が、各回の酸化時間とトータルの処理時間の計算結果に基づいて決定される。そして、決定された回数分だけ酸化と酸洗浄が繰り返される。


【課題】本発明は、熱酸化膜とSOD膜とを、同じか又は近いエッチングレートでエッチングし、かつPoly−Si膜をほとんどエッチングしないエッチング液を提供すること、より具体的には、熱酸化膜及びSOD膜の23℃でのエッチングレートがいずれも50Å/分以下であり、SOD膜/熱酸化膜のエッチングレート比が1.25以下であり、かつ熱酸化膜を75ÅエッチングしたときにPoly−Si膜のエッチング量が10Å以下となるエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】
(1)エッチング液全体に対して99重量%以上のトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、
(2)エッチング液全体に対して0.4重量%以下の水、
(3)フッ化水素、及び
(4)ヒドロキシルアミン、及びアンモニアから選択される1種又は2種のアミン
からなるエッチング液。


【課題】被エッチング膜のウエットエッチング時に側面のテーパ角を簡易に安定して的確に制御できる汎用性の高いエッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、シリコン基板1上に形成された熱酸化膜であるシリコン酸化膜(被エッチング膜)2上に形成されたフォトレジスト膜3をマスクとして酸化膜2をウエットエッチングする前、レジスト膜3及び酸化膜2に紫外線UVを適量照射して膜間界面の密着性を強化し、ウエットエッチングにおいて、原液(50wt%HF)と原液(40wt%NH4F)とを1:20で混合したエッチング液を用いて酸化膜2の側面のテーパ角θを定める。テーパ角θは、紫外線UVの照射時間に応じて変化する膜間界面の密着性に依存して可変されるため、要求される製品仕様に応じて紫外線UVの照射時間を適度に定めて酸化膜2のテーパ角θを制御する。


【課題】本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化した後に仕上げ研磨(ポリッシュ)で表面の酸化膜を除去することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。


【課題】効果的にゲッタリングが行えるSOI構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】SOI基板100を用いたSOI構造の半導体装置において、活性層3となるシリコン基板に対してArイオンを注入することにより格子歪み層4を形成する。これにより、格子歪み層4をゲッタリングサイトとして機能させることが可能となる。また、Arイオンのドーズ量を調整し、格子歪み層4の引張り応力が11MPa以上かつ27MPa以下となるようにする。これにより、ゲッタリングサイトとして機能させつつ、リーク電流の発生を抑制することが可能となる。


【課題】表面欠陥(Divot)が拡大しないようなエッチング条件を提供する。
【解決手段】BOX層W4を形成するための酸素注入工程S01および高温アニール処理工程S04と、酸素注入をおこなう側のウェーハ表面WS1を処理する表面酸化膜剥離工程S16と、ウェーハ裏面WS2を処理する裏面酸化膜剥離工程S15とを有し、表裏面酸化膜剥離工程において、それぞれの酸化膜剥離条件が異なる条件として制御される。


【課題】 ダミーウェハとして、平坦性を持ち機械的強度や耐熱衝撃性等に優れ、安価な基板を提供することにある。
【解決手段】 多結晶シリコンの結晶方位を制御することとマスキング剤を使用したCMP研磨を行うことと基板の主面上に、SiO2酸化膜厚を備えることにより、平坦性を持ち機械的強度や耐熱衝撃性等に優れ、安価な多結晶シリコンダミーウェハを提供する。


【課題】メンブレンの機械強度がより向上した薄膜式半導体センサを製造することのできる薄膜式半導体センサの製造方法及び薄膜式半導体センサを提供する。
【解決手段】準備工程にて準備された半導体基板10の上表面12に熱酸化膜30を形成するストッパ膜形成工程、エッチングマスク形成工程にて形成されたエッチングマスク20を用いて半導体基板10を下表面11側からエッチングし凹部30bを形成する第1エッチング工程、及び、半導体基板10と熱酸化膜30とのエッチングレート比が「2:1」に設定されたエッチング液及びエッチングマスク20を用いて半導体基板10及び熱酸化膜30をエッチングすることで、熱酸化膜30における凹部30b側の平坦面30cの端部Tを、半導体基板10の下表面11側に向けて一定の勾配で傾斜した側面断面視テーパ状に形成し、この熱酸化膜30をメンブレン30aとする第2エッチング工程を備える。


【課題】枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル80により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Wの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。


本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜(14)を堆積する方法であって、a)少なくとも2層のマスク層(4,6)を形成し、これらの層において少なくとも1つの空洞(10,10’,12,12’)をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも1つの断絶部を有するような断面を有する段階と、b)前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第1材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも1つの断絶部を有する段階と、c)前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。


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