【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の表面に供給された処理液がガラス基板１００の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ５と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させ、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板１の主面に酸化膜として絶縁膜２を形成し、絶縁膜２上に窒化シリコン膜を形成してから、素子分離用の溝４ａをプラズマドライエッチングにより形成し、溝４ａを埋めるように酸化シリコンからなる絶縁膜６をＨＤＰ−ＣＶＤ法で形成し、ＣＭＰ処理により溝４ａの外部の絶縁膜６を除去し、溝４ａ内に絶縁膜６を残す。それから、窒化シリコン膜を除去する。その後、絶縁膜２をウェットエッチングで除去して半導体基板１を露出させるが、この際、半導体基板１の主面に１４０ルクス以上の光を当てながら絶縁膜２をウェットエッチングする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面の金属汚染を十分除去することにより、製造された炭化珪素半導体素子の初期特性を改善する。また、金属汚染を低減し、半導体装置の長期信頼性を向上する方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法、製造システムおよび調整装置を提供すること。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、成膜工程と、加工工程と、イオン注入工程と、アニール工程と、調整工程とを含む。成膜工程では、基板上に半導体の薄膜を成膜する。加工工程では、薄膜を所定の形状に加工する。イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材；チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材；エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；を具備した基板の処理装置。 （もっと読む）

【目的】マスクの厚さを所定の値にし、後退量とエッチング量の比を所定の値にしてトレンチの開口部の端部を丸めることで、ゲート酸化膜形成温度を９５０℃未満の低い処理温度にした場合でもゲート酸化膜の良好な耐圧特性と長期信頼性が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】マスクであるシリコン酸化膜２の端部１０をトレンチ８の開口部９の端部Ａから後退させる量Ｘと、等方性ドライエッチングによるエッチング量Ｙとの比（Ｘ／Ｙ）を２以上５以下に設定することで、Ｑｂｄの値を高くすることができて、良好なトレンチ８の開口部９の端部Ａと段差１２の端部Ｂの形状を丸めることができる。その結果、その後形成するゲート酸化膜１４の熱処理温度を、９５０℃未満、あるいは、９００℃以下で行った場合でも、ゲート酸化１４の良好な耐圧特性と長期信頼性を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁膜２０上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン９０を形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターン９０をマスクとしてウェットエッチングにより前記絶縁膜２０の不要部分を除去する工程と、からなる半導体装置の製造方法において、前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記絶縁膜２０の表面に形成される損傷領域２１，２２の深さを変化させてイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】同一のレジストパターンにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングを連続的に行なう際に、変質したレジスト表面層を剥がれなくするように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】半導体基板１の上に、絶縁膜２と導電層３を順次形成する。導電層３の上にレジストパターン４を形成する。レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。レジストパターン４の表層部を一部削る。レジストパターン４をマスクに用いて、絶縁膜２をウエットエッチングする。 （もっと読む）

本発明は、シリコンキャリア基板（２）とシリコン表面層の間に埋め込まれたシリコン酸化物ＳｉＯ₂の層（３）を備える初期シリコンオンインシュレータＳＯＩ基板を薄化する方法に関する。この方法は、前記初期基板の熱酸化処理を行うことにより、前記シリコン表面層の一部を酸化するステップと、エッチングの後に洗浄が行われる第１のサイクル、次いで第２のサイクルを実行するステップであって、前記第１のサイクルのエッチングが実行されることによって、形成された熱酸化物が完全に除去され、前記初期基板の縁部の不安定な部分が全て取り除かれ、前記第２のサイクルのエッチングが実行されることによって、前記薄化された基板の表面から、その上に堆積することによって形成された汚染パーティクル（５）が除去され、薄化された表面層（４）によって活性層が形成される、最終的なシリコンオンインシュレータ基板ＳＯＩ（１’）が得られるステップとを実行することからなる連続するステップを含むという点において注目すべきものである。
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【課題】 本発明は、イオン注入剥離法により剥離した場合に生ずるテラス幅を制御でき、また、歩留りの低下の原因となるテラス部のＳＯＩ島の発生を防止することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ボンドウェーハの表面からガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、該ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせ、イオン注入層でボンドウェーハを剥離することによりＳＯＩウェーハを作製するＳＯＩウェーハの製造方法において、イオン注入層でボンドウェーハを剥離する前の貼り合わせウェーハを、絶縁膜が溶解可能な液体に浸漬するか、絶縁膜が溶解可能な気体に曝すことによって、ボンドウェーハとベースウェーハの間に位置する絶縁膜を、貼り合わせウェーハの外周端から中心方向へエッチングする工程を有することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用部材などの物品のＣＶＤ‐ＳｉＣ膜の表層を酸化と酸洗浄とにより清浄化する工程が、より効果的にかつより効率良く行える手段を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ‐ＳｉＣ膜１０６の表面汚染層１０８の厚さ（例えば０．２５μｍ）より幾分厚くなるように、ＣＶＤ‐ＳｉＣ膜１０６の表層から除去されるべき取代の厚さＤ１（例えば０．５μｍ）が設定される。次に、ＣＶＤ‐ＳｉＣ１０６の表層に成長させるべき酸化珪素膜１１０の厚さＴ１が取代厚さＤ１の２倍以上、好ましくはＴ１＝Ｄ１÷０．４５で設定される（例えばＴ１＝１１１１ｎｍ）。その後、設定された膜厚Ｔ１分の酸化珪素膜１１０を形成して除去するために要する、酸化と酸洗浄の工程を最適な実行回数が、各回の酸化時間とトータルの処理時間の計算結果に基づいて決定される。そして、決定された回数分だけ酸化と酸洗浄が繰り返される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱酸化膜とＳＯＤ膜とを、同じか又は近いエッチングレートでエッチングし、かつＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をほとんどエッチングしないエッチング液を提供すること、より具体的には、熱酸化膜及びＳＯＤ膜の２３℃でのエッチングレートがいずれも５０Å／分以下であり、ＳＯＤ膜／熱酸化膜のエッチングレート比が１．２５以下であり、かつ熱酸化膜を７５ÅエッチングしたときにＰｏｌｙ−Ｓｉ膜のエッチング量が１０Å以下となるエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】
（１）エッチング液全体に対して９９重量％以上のトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、
（２）エッチング液全体に対して０．４重量％以下の水、
（３）フッ化水素、及び
（４）ヒドロキシルアミン、及びアンモニアから選択される１種又は２種のアミン
からなるエッチング液。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜のウエットエッチング時に側面のテーパ角を簡易に安定して的確に制御できる汎用性の高いエッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、シリコン基板１上に形成された熱酸化膜であるシリコン酸化膜（被エッチング膜）２上に形成されたフォトレジスト膜３をマスクとして酸化膜２をウエットエッチングする前、レジスト膜３及び酸化膜２に紫外線ＵＶを適量照射して膜間界面の密着性を強化し、ウエットエッチングにおいて、原液（５０ｗｔ％ＨＦ）と原液（４０ｗｔ％ＮＨ₄Ｆ）とを１：２０で混合したエッチング液を用いて酸化膜２の側面のテーパ角θを定める。テーパ角θは、紫外線ＵＶの照射時間に応じて変化する膜間界面の密着性に依存して可変されるため、要求される製品仕様に応じて紫外線ＵＶの照射時間を適度に定めて酸化膜２のテーパ角θを制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化した後に仕上げ研磨(ポリッシュ)で表面の酸化膜を除去することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。 （もっと読む）

【課題】効果的にゲッタリングが行えるＳＯＩ構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板１００を用いたＳＯＩ構造の半導体装置において、活性層３となるシリコン基板に対してＡｒイオンを注入することにより格子歪み層４を形成する。これにより、格子歪み層４をゲッタリングサイトとして機能させることが可能となる。また、Ａｒイオンのドーズ量を調整し、格子歪み層４の引張り応力が１１ＭＰａ以上かつ２７ＭＰａ以下となるようにする。これにより、ゲッタリングサイトとして機能させつつ、リーク電流の発生を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】表面欠陥（Divot）が拡大しないようなエッチング条件を提供する。
【解決手段】ＢＯＸ層Ｗ４を形成するための酸素注入工程Ｓ０１および高温アニール処理工程Ｓ０４と、酸素注入をおこなう側のウェーハ表面ＷＳ１を処理する表面酸化膜剥離工程Ｓ１６と、ウェーハ裏面ＷＳ２を処理する裏面酸化膜剥離工程Ｓ１５とを有し、表裏面酸化膜剥離工程において、それぞれの酸化膜剥離条件が異なる条件として制御される。 （もっと読む）

【課題】 ダミーウェハとして、平坦性を持ち機械的強度や耐熱衝撃性等に優れ、安価な基板を提供することにある。
【解決手段】 多結晶シリコンの結晶方位を制御することとマスキング剤を使用したＣＭＰ研磨を行うことと基板の主面上に、ＳｉＯ₂酸化膜厚を備えることにより、平坦性を持ち機械的強度や耐熱衝撃性等に優れ、安価な多結晶シリコンダミーウェハを提供する。 （もっと読む）

【課題】メンブレンの機械強度がより向上した薄膜式半導体センサを製造することのできる薄膜式半導体センサの製造方法及び薄膜式半導体センサを提供する。
【解決手段】準備工程にて準備された半導体基板１０の上表面１２に熱酸化膜３０を形成するストッパ膜形成工程、エッチングマスク形成工程にて形成されたエッチングマスク２０を用いて半導体基板１０を下表面１１側からエッチングし凹部３０ｂを形成する第１エッチング工程、及び、半導体基板１０と熱酸化膜３０とのエッチングレート比が「２：１」に設定されたエッチング液及びエッチングマスク２０を用いて半導体基板１０及び熱酸化膜３０をエッチングすることで、熱酸化膜３０における凹部３０ｂ側の平坦面３０ｃの端部Ｔを、半導体基板１０の下表面１１側に向けて一定の勾配で傾斜した側面断面視テーパ状に形成し、この熱酸化膜３０をメンブレン３０ａとする第２エッチング工程を備える。 （もっと読む）

【課題】枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル８０により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Ｗの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。 （もっと読む）

本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜（１４）を堆積する方法であって、ａ）少なくとも２層のマスク層（４，６）を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞（１０，１０’，１２，１２’）をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、ｂ）前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第１材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも１つの断絶部を有する段階と、ｃ）前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。
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